JPS59140365A - 光化学蒸着装置 - Google Patents
光化学蒸着装置Info
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- JPS59140365A JPS59140365A JP58013761A JP1376183A JPS59140365A JP S59140365 A JPS59140365 A JP S59140365A JP 58013761 A JP58013761 A JP 58013761A JP 1376183 A JP1376183 A JP 1376183A JP S59140365 A JPS59140365 A JP S59140365A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
- F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は光化学蒸着装置に関するものである。
最近、電子複写機の感光ドラムや太陽電池などに使用さ
れるアモルファスシリコンの蒸着膜の形成方法が研究さ
れている。また、他方では各種の絶縁膜や保持膜の形成
にも蒸着方法が利用され、用途忙よっては種々の蒸着方
法が提案されているが、このな〃・でも光化学反応を利
用した光化学蒸着方法は被膜形成速度が著Ｌ〈早く、大
面積部処も均一な′＄膜を形成できるなどの利点を有し
、最近特に注目を集めている。
れるアモルファスシリコンの蒸着膜の形成方法が研究さ
れている。また、他方では各種の絶縁膜や保持膜の形成
にも蒸着方法が利用され、用途忙よっては種々の蒸着方
法が提案されているが、このな〃・でも光化学反応を利
用した光化学蒸着方法は被膜形成速度が著Ｌ〈早く、大
面積部処も均一な′＄膜を形成できるなどの利点を有し
、最近特に注目を集めている。
従来の光化学反応を利用した化学蒸着方法は、紫外線を
よく透過する各器内に基板を配ＩＲＬ、光反応用ガスを
流すとと４に、容器外から、紫外線ラングで当該ガスを
光化学反応せしめ、その反応生成物を基板に蒸着せしめ
るものであって、前記の大きな利点を有するか、反面、
反応生成物が容器の内壁に％ｓ無蒸着てＬ逢い、紫外線
の透過を大きく阻害する欠点があることか分った。
よく透過する各器内に基板を配ＩＲＬ、光反応用ガスを
流すとと４に、容器外から、紫外線ラングで当該ガスを
光化学反応せしめ、その反応生成物を基板に蒸着せしめ
るものであって、前記の大きな利点を有するか、反面、
反応生成物が容器の内壁に％ｓ無蒸着てＬ逢い、紫外線
の透過を大きく阻害する欠点があることか分った。
そこで、光反応性ガスの通路であり、ｐつ基板が配置て
れる反応全開と、この元反応性ガスに光化学反応を生起
せしめる紫外ｆ＃をプラズマ放１！により発生させる放
電空間とを同−容器で取り囲み、プラズマと基板との間
に隔壁を設は斤い、いわ乃る放電内蔵型光化学蒸着装置
が研究開発これている。
れる反応全開と、この元反応性ガスに光化学反応を生起
せしめる紫外ｆ＃をプラズマ放１！により発生させる放
電空間とを同−容器で取り囲み、プラズマと基板との間
に隔壁を設は斤い、いわ乃る放電内蔵型光化学蒸着装置
が研究開発これている。
ところでこれらの装置では紫外線を効率よく発生きせる
ためには水銀の蒸気圧の制御が重姿であるが、前述の容
器の外部から紫外線ランプで照射するものではランプ管
壁の最冷部の温度をＦＡ＃することにより比較的容易に
水銀の蒸気圧を制御することが可能である。ところが放
電内蔵型ではこの制御がなかな〃・困雑斤問題点がある
。次にその理由を説明するに、放電内蔵型の放電空間に
水６ｓ蒸気を供給する方法として、例えば光反応性ガス
の供給パイプの途中に水銀貯留部を設け、このガスと共
に水銀蒸気をフローさせることが行れる。
ためには水銀の蒸気圧の制御が重姿であるが、前述の容
器の外部から紫外線ランプで照射するものではランプ管
壁の最冷部の温度をＦＡ＃することにより比較的容易に
水銀の蒸気圧を制御することが可能である。ところが放
電内蔵型ではこの制御がなかな〃・困雑斤問題点がある
。次にその理由を説明するに、放電内蔵型の放電空間に
水６ｓ蒸気を供給する方法として、例えば光反応性ガス
の供給パイプの途中に水銀貯留部を設け、このガスと共
に水銀蒸気をフローさせることが行れる。
しかしこの方法では水銀貯留部を温度制御してもフロー
中にパイプ内壁に水銀が凝縮付廟°して１丁い、放電空
間の蒸気圧が最適値刀・ら大きく隔たることがあった。
中にパイプ内壁に水銀が凝縮付廟°して１丁い、放電空
間の蒸気圧が最適値刀・ら大きく隔たることがあった。
また、容器内の１戊部に水叩貯留部を設けて水仙蒸気を
ｉｆｆ接放′Ｍ、？間に到達させることが行ねるが、こ
ｈも容器内に水鏝貯貿部用のスベーヌが必要であり、ま
たこの水銀貯留部が紫外線照射の妨げとならないように
設背しなけｆｉ、ｉｄならず、哄に容器の温度と異かる
漕１聞に水仙貯留部’ｋｌｉ４節するのが困難であった
。
ｉｆｆ接放′Ｍ、？間に到達させることが行ねるが、こ
ｈも容器内に水鏝貯貿部用のスベーヌが必要であり、ま
たこの水銀貯留部が紫外線照射の妨げとならないように
設背しなけｆｉ、ｉｄならず、哄に容器の温度と異かる
漕１聞に水仙貯留部’ｋｌｉ４節するのが困難であった
。
そこで本発明は水銀の蒸気圧の制御が餐易で効率よく紫
外＠を発生埒せることか可能な放電内（型の光化学蒸着
装置を提供することケ目的と１１その構成は、′８器内
の放電空間に連麹する水銀貯留部を容器列に設け、この
連通部をヒーターで水銀貯留部エリ高温に加熱するとと
もに水銀貯留部をベルチェ効米素子により温度制御する
ことを特徴とするものである。
外＠を発生埒せることか可能な放電内（型の光化学蒸着
装置を提供することケ目的と１１その構成は、′８器内
の放電空間に連麹する水銀貯留部を容器列に設け、この
連通部をヒーターで水銀貯留部エリ高温に加熱するとと
もに水銀貯留部をベルチェ効米素子により温度制御する
ことを特徴とするものである。
以下に図面に示す実施例に基いて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
容器１の上部には一対の電価２．２が対向して配設され
、この１ｆ極２間が放電空間３を構成している。容器１
の頂部と下部に光反応性ガスの供給孔１ａと排出孔１ｂ
が設けられており、底部には試料台ＩＣが設Ｒζ力でそ
の上部が反応空間５を構成するが、雨空１ｕ１３．５［
田には透明石英ガラスなどの隔壁は設けら台てｈない。
、この１ｆ極２間が放電空間３を構成している。容器１
の頂部と下部に光反応性ガスの供給孔１ａと排出孔１ｂ
が設けられており、底部には試料台ＩＣが設Ｒζ力でそ
の上部が反応空間５を構成するが、雨空１ｕ１３．５［
田には透明石英ガラスなどの隔壁は設けら台てｈない。
そして容器１上方の放電空間３０側壁に石英ガラス製）
くイブからなる連通部６が接続され、その下端に金属製
の水銀貯留部７が固着これている。従ってこの水銀貯留
部７の水銀が蒸発して放電用ガスとして放電空間３に到
達して紫外線を発生させる。この連通部６には電熱ヒー
ター８が巻回されて加熱可能となっており、水銀貯留部
７の下面は温度制御部材９か接触している。この温度制
御部材９にアルミや銅などの熱伝導性の裏込金属板の奥
面にベルチエ効果素子を密接きせたものであり、一方間
に′鉱泥を流すとその電流値に応じてその一面において
吸熱するとともに他面において発熱し、逆方間に電流を
流すと吸熱面と発熱面とが逆になる機能を有Ｌ１このベ
ルチエ効果素子は熱慣性が小さく、わずかな消費電力で
精密に温度制御することが可能である。この金属板の表
面に熱伝導性の良いゴムを張ったりペースト状物質を塗
布すわば水銀貯留部７との密着性が向上して好’？Ｌい
か、この金属板は必ずしも必要ではなく、ベルチエ効果
素子を直接水銀貯留部７に接触させて嶌よい。そして温
度制御部材９の下面には水冷ブロック１０が接触してお
り、温度制御部材９を冷却するようになっている。この
水冷ブロック１０も必し％、［６？ではないが、ベルチ
エ効果素子の発熱面をこの水冷ブロックで水冷すｈはペ
ルチェ効果累子を有効に作動させることかできる。セし
て測温計１１が水銀貯留部７内に挿入されて水銀の温度
か実測され、この信号か制御ボックス１２に入力嘔れて
実測温度と制御目標であるｙ定温度との差に応じた方向
と大きさの電流かベルチエ効果素子に通電ぢね、る工う
になっている。従って作動を開始して定常状態になれば
、水銀温度が設定温度より低いときけ温厚制御部材９に
より加熱され、逆に高けｈば冷却されて常に設定温度に
制御される。そして連通部６はヒーター８により加熱さ
れて設定温度より高り温度に保持されている。
くイブからなる連通部６が接続され、その下端に金属製
の水銀貯留部７が固着これている。従ってこの水銀貯留
部７の水銀が蒸発して放電用ガスとして放電空間３に到
達して紫外線を発生させる。この連通部６には電熱ヒー
ター８が巻回されて加熱可能となっており、水銀貯留部
７の下面は温度制御部材９か接触している。この温度制
御部材９にアルミや銅などの熱伝導性の裏込金属板の奥
面にベルチエ効果素子を密接きせたものであり、一方間
に′鉱泥を流すとその電流値に応じてその一面において
吸熱するとともに他面において発熱し、逆方間に電流を
流すと吸熱面と発熱面とが逆になる機能を有Ｌ１このベ
ルチエ効果素子は熱慣性が小さく、わずかな消費電力で
精密に温度制御することが可能である。この金属板の表
面に熱伝導性の良いゴムを張ったりペースト状物質を塗
布すわば水銀貯留部７との密着性が向上して好’？Ｌい
か、この金属板は必ずしも必要ではなく、ベルチエ効果
素子を直接水銀貯留部７に接触させて嶌よい。そして温
度制御部材９の下面には水冷ブロック１０が接触してお
り、温度制御部材９を冷却するようになっている。この
水冷ブロック１０も必し％、［６？ではないが、ベルチ
エ効果素子の発熱面をこの水冷ブロックで水冷すｈはペ
ルチェ効果累子を有効に作動させることかできる。セし
て測温計１１が水銀貯留部７内に挿入されて水銀の温度
か実測され、この信号か制御ボックス１２に入力嘔れて
実測温度と制御目標であるｙ定温度との差に応じた方向
と大きさの電流かベルチエ効果素子に通電ぢね、る工う
になっている。従って作動を開始して定常状態になれば
、水銀温度が設定温度より低いときけ温厚制御部材９に
より加熱され、逆に高けｈば冷却されて常に設定温度に
制御される。そして連通部６はヒーター８により加熱さ
れて設定温度より高り温度に保持されている。
次にこの装ｆを用いた蒸着例を示すと、反応９間５に流
す光化学反応ガスの構成は、キャリアーガスとしてアル
ゴン５π耐珀、光増感剤として水銀３×１０關Ｈｇ、分
解Ｎ着用ガスとして四水素化珪素０．３ ｍｍＨｇの混
合ガスから成り、水銀の設定温度を４０℃とし、蒸気圧
２ Ｘ １００−３ｚｉＨの水銀蒸気が放電空間３に到
達するようにした。このとき、連通部６は６０℃に加熱
されてお９、水銀蒸気がここに凝縮付着することがない
。被処理物である基板４は約１５０℃に加熱されたアル
ミナ板であり、電圧１００ｖ１電流８Ａで放電空間３に
放電させると紫外線が発生し、四水素化珪素が光分解さ
れてアモルフアスの珪素が基板４上に蒸着される。この
と舞、水銀温度が最適値に制御されているため、紫外線
が動車よ〈発生し１波長２５８ｎｍのスペクトル光の出
力の変動は２チ以内であった。そしてベルチエ効果素子
の消費電力はわずか５Ｗ程度であった。
す光化学反応ガスの構成は、キャリアーガスとしてアル
ゴン５π耐珀、光増感剤として水銀３×１０關Ｈｇ、分
解Ｎ着用ガスとして四水素化珪素０．３ ｍｍＨｇの混
合ガスから成り、水銀の設定温度を４０℃とし、蒸気圧
２ Ｘ １００−３ｚｉＨの水銀蒸気が放電空間３に到
達するようにした。このとき、連通部６は６０℃に加熱
されてお９、水銀蒸気がここに凝縮付着することがない
。被処理物である基板４は約１５０℃に加熱されたアル
ミナ板であり、電圧１００ｖ１電流８Ａで放電空間３に
放電させると紫外線が発生し、四水素化珪素が光分解さ
れてアモルフアスの珪素が基板４上に蒸着される。この
と舞、水銀温度が最適値に制御されているため、紫外線
が動車よ〈発生し１波長２５８ｎｍのスペクトル光の出
力の変動は２チ以内であった。そしてベルチエ効果素子
の消費電力はわずか５Ｗ程度であった。
以上説明したように、本発明けまず水欽貯留部を容器外
に設けたので容器内のスペースを有効に利用でき、紫外
線照射の妨げとなることがなく、史に温度制御を容易に
行うことができる。そしてベルチエ効果素子を用いて温
度制御を行うので水銀の温度を）ｋ密に制御することが
可能となり、従って常に濠高出力の紫外１Ｍ’を得るこ
とかできる。
に設けたので容器内のスペースを有効に利用でき、紫外
線照射の妨げとなることがなく、史に温度制御を容易に
行うことができる。そしてベルチエ効果素子を用いて温
度制御を行うので水銀の温度を）ｋ密に制御することが
可能となり、従って常に濠高出力の紫外１Ｍ’を得るこ
とかできる。
史に連通部を水鋏温度工〈高温に保持したので水銀が凝
縮付着することがなく、水銀の蒸気圧の制御が容易で効
惠よ〈紫外線を発生させることか可能な放電内蔵型の光
化学蒸着装ｆを提供することができる。
縮付着することがなく、水銀の蒸気圧の制御が容易で効
惠よ〈紫外線を発生させることか可能な放電内蔵型の光
化学蒸着装ｆを提供することができる。
第１図は本発明の実施例ｆボす断面図、第２図は同じく
平面図である。 １・・・容器 ２・・・電衡 ３・・・放電空間４
・・・基板 ５・・・反応空間 ６・・・連通部 ７・・・水銀貯留部 ８・・・ヒーター ９・・・温度制御部打出〃σ人
ウシオ′ｌｔ轡株式会社 代理人 弁理士 田沖宣之助 第１図 手続補正書（自発） 昭和５８年３月２４日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願第１３７６１号 ２、発明の名称 光化学蒸漸装賃 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者 湯 本 大 賊 ６、 補正により増加する発明の数す′７、補正の対象 に訂正する。 （２）同じく第１４行中の「６０℃」を「１５０℃」Ｋ
訂正する。 （３）同じく第１６行中のｒｌｏｏＪを「６０」に訂正
する。 （４）同じく第１７行中の「８Ａ」を「５Ａ」に訂正す
る。 （５）明細書第８頁第２行中および第１１行中の「温度
」を「蒸気圧」に訂正する。 （６）同じく第３行中のｒｇ ５８ ｎ＋ｎ７をｒ２５
４ｎｍ」に訂正する。 （７）同じく第１３行中の「温度よく」を「の凝縮温度
よりも」Ｋ訂正する。 （８）同じく第５行の終りより次の文章を挿入する。 「なお、ヒーター８は必要に応じて容器１の外周にも設
け、容器１の内壁における水銀の凝縮も防止できるよう
にすると更に良い。」 以上
平面図である。 １・・・容器 ２・・・電衡 ３・・・放電空間４
・・・基板 ５・・・反応空間 ６・・・連通部 ７・・・水銀貯留部 ８・・・ヒーター ９・・・温度制御部打出〃σ人
ウシオ′ｌｔ轡株式会社 代理人 弁理士 田沖宣之助 第１図 手続補正書（自発） 昭和５８年３月２４日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願第１３７６１号 ２、発明の名称 光化学蒸漸装賃 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者 湯 本 大 賊 ６、 補正により増加する発明の数す′７、補正の対象 に訂正する。 （２）同じく第１４行中の「６０℃」を「１５０℃」Ｋ
訂正する。 （３）同じく第１６行中のｒｌｏｏＪを「６０」に訂正
する。 （４）同じく第１７行中の「８Ａ」を「５Ａ」に訂正す
る。 （５）明細書第８頁第２行中および第１１行中の「温度
」を「蒸気圧」に訂正する。 （６）同じく第３行中のｒｇ ５８ ｎ＋ｎ７をｒ２５
４ｎｍ」に訂正する。 （７）同じく第１３行中の「温度よく」を「の凝縮温度
よりも」Ｋ訂正する。 （８）同じく第５行の終りより次の文章を挿入する。 「なお、ヒーター８は必要に応じて容器１の外周にも設
け、容器１の内壁における水銀の凝縮も防止できるよう
にすると更に良い。」 以上
Claims (1)
- 光反応性ガスの通路であり、かつ基板が配置される反応
空間と、この光反応性ガスに光化学反応を生起せしめる
紫外線をプラズマ放電により発生式せる放電空間とを同
一容器で取り囲んだ放電内蔵型の光化学蒸着装置であっ
て、放電空間に連通ずる水観貯留部を容器外に設け、こ
の連逼部をヒーターで水銀貯留部より尚温に加熱すると
ともに水銀貯留部をベルチエ効果素子により温度制御す
ることを％徴とする光化学蒸着装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58013761A JPS59140365A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 光化学蒸着装置 |
| US06/566,791 US4516527A (en) | 1983-02-01 | 1983-12-29 | Photochemical vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58013761A JPS59140365A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 光化学蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59140365A true JPS59140365A (ja) | 1984-08-11 |
| JPS6242997B2 JPS6242997B2 (ja) | 1987-09-10 |
Family
ID=11842232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58013761A Granted JPS59140365A (ja) | 1983-02-01 | 1983-02-01 | 光化学蒸着装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4516527A (ja) |
| JP (1) | JPS59140365A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60206446A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-18 | Canon Inc | 光化学気相成長装置 |
| US4619844A (en) * | 1985-01-22 | 1986-10-28 | Fairchild Camera Instrument Corp. | Method and apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
| JP2515775B2 (ja) * | 1987-02-18 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 表面処理方法および装置 |
| US5138973A (en) * | 1987-07-16 | 1992-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Wafer processing apparatus having independently controllable energy sources |
| US4981565A (en) * | 1988-12-23 | 1991-01-01 | Gte Products Corporation | Method and apparatus for controlling the flow rate of mercury in a flow system |
| DE3919538A1 (de) * | 1989-06-15 | 1990-12-20 | Asea Brown Boveri | Beschichtungsvorrichtung |
| US5083030A (en) * | 1990-07-18 | 1992-01-21 | Applied Photonics Research | Double-sided radiation-assisted processing apparatus |
| US5451258A (en) * | 1994-05-11 | 1995-09-19 | Materials Research Corporation | Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber |
| US5728224A (en) * | 1995-09-13 | 1998-03-17 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Apparatus and method for manufacturing a packaging material using gaseous phase atmospheric photo chemical vapor deposition to apply a barrier layer to a moving web substrate |
| US5782980A (en) * | 1996-05-14 | 1998-07-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low pressure chemical vapor deposition apparatus including a process gas heating subsystem |
| US6202591B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-03-20 | Flex Products, Inc. | Linear aperture deposition apparatus and coating process |
| KR20050004379A (ko) * | 2003-07-02 | 2005-01-12 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착용 가스 공급 장치 |
| JP5264039B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP5179739B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3310424A (en) * | 1963-05-14 | 1967-03-21 | Litton Systems Inc | Method for providing an insulating film on a substrate |
| US3619283A (en) * | 1968-09-27 | 1971-11-09 | Ibm | Method for epitaxially growing thin films |
| IN142576B (ja) * | 1974-03-04 | 1977-07-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| US4265932A (en) * | 1979-08-02 | 1981-05-05 | Hughes Aircraft Company | Mobile transparent window apparatus and method for photochemical vapor deposition |
| US4454835A (en) * | 1982-09-13 | 1984-06-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Internal photolysis reactor |
-
1983
- 1983-02-01 JP JP58013761A patent/JPS59140365A/ja active Granted
- 1983-12-29 US US06/566,791 patent/US4516527A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242997B2 (ja) | 1987-09-10 |
| US4516527A (en) | 1985-05-14 |
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