JP2009062615A - ソースガス供給装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るソースガス供給装置100は、ソース物質120を気化させてソースガスを生成するソース物質蒸発部110、ヒーター130、搬送ガス供給部140、待機チャンバー150、及び複数の弁V1〜V6を備えており、ソース物質蒸発部110と蒸着チャンバーとの間に、蒸着チャンバーへ所定量のソースガスを供給するための待機チャンバー150が設けられている。待機チャンバー150内には、ソースガス125を堆積させる堆積板160が設けられている。
【選択図】図2
Description
110 ソース物質蒸発部
120 ソース物質
125 ソースガス
130 ヒーター
140 搬送ガス供給部
150 待機チャンバー
160 堆積板
170 加熱部
Claims (8)
- 化学気相蒸着法による薄膜形成に使用されるソースガスを蒸着チャンバーへ供給するソースガス供給装置であって、
ソース物質を気化させてソースガスを生成するソース物質蒸発部と、
前記ソースガスを蒸着チャンバーへ提供する前に待機させる待機チャンバーとを含み、
前記待機チャンバー内に、前記ソースガスを堆積させる堆積板を設けたことを特徴とするソースガス供給装置。 - 請求項1に記載のソースガス供給装置であって、
前記待機チャンバーが、前記堆積板を冷却する冷却部と、前記堆積板を加熱する加熱部とをさらに含むことを特徴とするソースガス供給装置。 - 請求項1に記載のソースガス供給装置であって、
前記待機チャンバーが、前記堆積板に前記ソースガスが堆積したことによる前記堆積板の表面変化を測定する光センサーをさらに含むことを特徴とするソースガス供給装置。 - 化学気相蒸着法による薄膜形成に使用されるソースガスを蒸着チャンバーへ供給するソースガス供給装置であって、
ソース物質を気化させてソースガスを生成するソース物質蒸発部と、
前記ソースガスを堆積板上に堆積させるようにした第1チャンバーと、
前記第1チャンバーで前記堆積板上に堆積させた前記ソースガスを気化させて前記堆積板から分離させるようにした第2チャンバーとを含むことを特徴とするソースガス供給装置。 - 請求項4に記載のソースガス供給装置であって、
前記第1チャンバーが、前記堆積板を冷却する冷却部をさらに含み、
前記第2チャンバーが、前記堆積板を加熱する加熱部をさらに含むことを特徴とするソースガス供給装置。 - 請求項4に記載のソースガス供給装置であって、
前記第1チャンバーと前記第2チャンバーとの間に、前記堆積板を移送させる移送手段を設けたことを特徴とするソースガス供給装置。 - 請求項4に記載のソースガス供給装置であって、
前記第1チャンバーが、前記堆積板に前記ソースガスが堆積したことによる前記堆積板の表面変化を測定する光センサーをさらに含むことを特徴とするソースガス供給装置。 - 請求項1又は4に記載のソースガス供給装置であって、
前記堆積板の表面積に基づいて前記蒸着チャンバーへ供給するソースガスの量を制御するようにしたことを特徴とするソースガス供給装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070089330A KR101028044B1 (ko) | 2007-09-04 | 2007-09-04 | 소스가스 공급장치 |
KR10-2007-0089330 | 2007-09-04 | ||
KR1020070133725A KR100960863B1 (ko) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | 소스가스 공급장치 및 공급방법 |
KR10-2007-0133725 | 2007-12-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009062615A true JP2009062615A (ja) | 2009-03-26 |
JP4989589B2 JP4989589B2 (ja) | 2012-08-01 |
Family
ID=40557453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008220722A Expired - Fee Related JP4989589B2 (ja) | 2007-09-04 | 2008-08-29 | ソースガス供給装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4989589B2 (ja) |
TW (1) | TW200912031A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103352207A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-10-16 | 光垒光电科技(上海)有限公司 | 配气*** |
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-
2008
- 2008-08-13 TW TW97130795A patent/TW200912031A/zh unknown
- 2008-08-29 JP JP2008220722A patent/JP4989589B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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TW200912031A (en) | 2009-03-16 |
JP4989589B2 (ja) | 2012-08-01 |
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