KR950025773A - 반도체집적회로장치 - Google Patents

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KR950025773A
KR950025773A KR1019950003804A KR19950003804A KR950025773A KR 950025773 A KR950025773 A KR 950025773A KR 1019950003804 A KR1019950003804 A KR 1019950003804A KR 19950003804 A KR19950003804 A KR 19950003804A KR 950025773 A KR950025773 A KR 950025773A
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Abstract

본 발명은 외부로부터 인가되는 전원전위가 변동해도, 내부전원전위의 변동을 억제할 수 있는 반도체집적회로장치를 제공하기 위한 것이다.
이를 위한 본 발명은, 집적회로부와, 전위레벨의 변동이 있는 외부인가전위(VCC)를 어떤 전위레벨로 제한하여 강압전위(ØD)로 강압하는 강압회로와,강압전위(ØD)를 전원으로 이용하여 구동되며 강압전위(ØD)를 상기 집적회로부의 회로의 동작전원으로 이용되는 승압전위(ØD)로 승압하는 승압회로를 구비하고 있다. 이 구성에 의하면, 승압회로가 어떤 전위레벨로 제한된 강압전위(ØD)에 의해 구동되므로, 전위(VCC)의 레벨이 변동해도 승압회로의 동작이 변화하기 어렵게 된다. 더욱이, 강압전위(ØD)로부터 승압전위(ØP)의 정전위영역의 범위가 넓어서 장치의 동작 마진이 확대된다.

Description

반도체집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 다이나믹형 RAM의 블록도,
제2도는 제1도에 나타낸 승압회로의 블로도,
제3도는 제2도에 나타낸 전압억제회로의 회로도,
제4도는 제2도에 나타낸 발진회로의 회로도,
제5도는 제2도에 나타낸 버퍼회로의 회로도,
제6도는 제2도에 나타낸 차지 펌프회로의 회로도,
제7도는 제1도에 나타낸 소스 폴로워형 강압회로의 회로도,
제8도는 제1도에 나타낸 기동회로의 회로도,
제9도는 제1도에 나타낸 워드선 구동계회로 및 주면회로의 일부 회로도,
제10도는 제9도에 나타낸 레벨 시프터의 회로도,
제11도는 제1도에 나타낸 다이나믹형 RAM의 주요부분만을 나타낸 개략적인 블록도.

Claims (12)

  1. 집적회로부(8)와, 외부로부터 인가되고 전위레벨의 변동이 있는 제1전위를 어떤 전위레벨로 제한함으로써 전위변동이 작은 정전위영역을 얻은 제2전위로 변환하는 변환수단(6), 상기 제2전위를 전원으로 이용하여 구동되고 적어도 상기 집적회로부내의 회로의 동작전원으로 이용되는 제3전위를 발생시키는 발생수단(7)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 변환수단(6)은 상기 제1전위를 어떤 전위레벨로 제한하는 강압회로이고, 상기 발생수단(7)은 상기 제2전위를 전원으로 이용하여 구동되고, 상기 제3전위를 상기 제2전위의 정전위영역을 반영한 채로 승압하는 승압회로인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 승압회로(7)는 차지 펌프회로(15)인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2전위는 상기 승압회로(7)의 전원으로 이용됨과 더불어 상기 집적회로부(8)의 다른 회로의 동작전원으로 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 집적회로부(8)는 다이나믹형 RAM이고, 상기 제2전위를 전원으로 하는 집적회로는 상기 다이나믹형 RAM의 주변회로(11)이며, 상기 제3전위를 전원으로 하는 집적회로는 상기 다이나믹형 RAM의 워드선구동계 회로(10)인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  6. 집적회로부(8)와, 외부로부터 인가되고 전위레벨의 변동이 있는 제1전위를 어떤 전위레벨로 제한함으로써 전위 변동이 작은 정전위영역을 얻은 제2전위로 변환하는 변환수단(4), 상기 제2전위를 전원으로 이용하여 구동되고 적어도 상기 집적회로부내의 회로의 동작전원으로 이용되는 제3전위를 발생시키는 제1발생수단(7), 상기 제3전위를 이용하여 적어도 상기 집적회로부내의 다른 회로의 동작전원으로 이용되는 제4전위를 발생시키는 제2발생수단(6)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 변환수단(4)은 상기 제1발생수단(7)을 기동시키기 위한 기동회로이고, 상기 제1발생수단은 상기 제2발생수단(6)이 제4전위를 발생시킨 후 상기 제2전위 대신에 상기 제4전위를 전원으로 이용하여 구동되는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 변환수단(4)은 상기 제1전위를 어떤 전위레벨로 제한하는 강압회로를 포함하고, 상기 제1발생수단(7)은 상기 제2전위를 전원으로 이용하여 구동되며 상기 제3전위를 상기 제2전위의 정전위영역을 반영시킨 채로 승압하는 승압회로이며, 상기 제2발생수단(6)은 드레인에 상기 제1전위가 인가되고 소스로부터 상기 제4전위를 출력하는 절연게이트형 FET를 포함하는 소스 플로워형 강압회로이고, 그 절연게이트형 FET의 게이트에는 상기 제3전위가 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제3전위는 상기 제4전위에 비해 상기 절연게이트형 FET의 문턴치분 이상으로 높게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 집적회로부(8)는 다이나믹형 RAM이고, 상기 제4전위를 전원으로 하는 집적회로는 상기 다이나믹형 RAM의 주변회로(11)이며, 상기 제3전위를 전원으로 하는 집적회로는 상기 다이나믹형 RAM의 원드선 구동계 회로(10)인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  11. 집적회로부(8)와, 외부로부터 인가되고 전위레벨의 변동이 있는 제1전위를 어떤 전위레벨로 제한함으로써 전위 변동이 작은 정전위영역을 얻은 제2전위로 변환하는 변환수단(4), 상기 제2전위를 전원으로 이용하여 구동되고 제3전위를 발생시키는 제1발생수단(7), 상기 제3전위를 이용하여 적어도 상기 집적회로부내의 회로의 동작전원으로 이용되는 제4전위를 발생시키는 제2발생수단(6), 상기 제2전위를 전원으로 이용하여 구동되고 상기 집적회로부내의 다른 회로의 동작전원으로 이용되는 제5전위를 발생시키는 제3발생수단(5)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 집적회로부(8)는 다이나믹형 RAM이고, 상기 제4전위를 전원으로 하는 집적회로는 상기 다이나믹형 RAM의 주변회로(11)이며, 상기 제5전위를 전원으로 하는 집적회로는 상기 다이나믹형 RAM의 원드선 구동계 회로(10)인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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