KR950021481A - 내부 강압전원 회로 - Google Patents

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    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/462—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
    • G05F1/465—Internal voltage generators for integrated circuits, e.g. step down generators
    • G—PHYSICS
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Abstract

본 발명은 내부 강압전원 오버슛 감지기와 셀프 딜레이 펄스 발생기와 커런트 싱크로 구성된 내부 강압전원 보상회로를 사용하여 내부 강압전원에서 발생하는 오버슛을 조절함으로써, 내부 강압전원 회로의 AC 특성을 개선시킨 내부 강압전원 회로에 관한 기술이다.

Description

내부 강압전원 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 내부 강압전원 회로를 도시한 블럭도.

Claims (2)

  1. 내부 강압전원 구동 수단과, 상기 내부 강압전원 구동 수단의 출력인 내부 강압전원이 일정 단위를 갖는 기준전위 이상으로 높아지는 것을 감지하는 강압전원 오버슛 감지 수단과, 상기 내부 강압전원 오버슛 감지 수단의 출력에 의해 제어되어 상기 내부 강압전원선에 발생한 오버슛을 감소시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 내부 강압전원 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내부 강압전원선에 발생한 오버슛을 감소시키는 수단으로 셀프딜레이 펄스 발생기를 사용하는 것을 특징으로 하는 내부 강압전원 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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DE4442848A DE4442848C2 (de) 1993-12-01 1994-12-01 Spannungsabwärtswandler für eine Halbleiterspeichervorrichtung
JP6298367A JP2919761B2 (ja) 1993-12-01 1994-12-01 半導体メモリー装置用電圧降下回路

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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3712083B2 (ja) * 1995-11-28 2005-11-02 株式会社ルネサステクノロジ 内部電源電位供給回路及び半導体装置
US5831467A (en) 1991-11-05 1998-11-03 Monolithic System Technology, Inc. Termination circuit with power-down mode for use in circuit module architecture
US6005436A (en) * 1992-10-07 1999-12-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Internal reduced-voltage generator for semiconductor integrated circuit
KR0143344B1 (ko) * 1994-11-02 1998-08-17 김주용 온도의 변화에 대하여 보상 기능이 있는 기준전압 발생기
US5557579A (en) * 1995-06-26 1996-09-17 Micron Technology, Inc. Power-up circuit responsive to supply voltage transients with signal delay
JP3394389B2 (ja) * 1995-07-13 2003-04-07 シャープ株式会社 直流安定化電源回路
KR100190366B1 (ko) * 1996-04-10 1999-06-01 김영환 반도체 메모리 장치 및 그 전원인가방법
US5757712A (en) * 1996-07-12 1998-05-26 International Business Machines Corporation Memory modules with voltage regulation and level translation
US6011427A (en) * 1996-12-20 2000-01-04 Maxim Integrated Products, Inc. High efficiency base current helper
DE19816806B4 (de) * 1998-04-16 2012-07-12 Robert Bosch Gmbh Zwei elektronische Schaltungen zur Stromregelung mit parallelgeschalteten Stellgliedern mit temperaturabhängiger Aufteilung der Teilströme
KR100513393B1 (ko) * 1998-06-19 2005-11-24 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 전원전압 발생회로
JP3802239B2 (ja) * 1998-08-17 2006-07-26 株式会社東芝 半導体集積回路
US6297671B1 (en) * 1998-09-01 2001-10-02 Texas Instruments Incorporated Level detection by voltage addition/subtraction
KR100298584B1 (ko) * 1998-09-24 2001-10-27 윤종용 내부전원전압발생회로
US6300810B1 (en) 1999-02-05 2001-10-09 United Microelectronics, Corp. Voltage down converter with switched hysteresis
KR100319606B1 (ko) 1999-02-12 2002-01-05 김영환 전압 강압 회로
US6320454B1 (en) 2000-06-01 2001-11-20 Atmel Corporation Low power voltage regulator circuit for use in an integrated circuit device
JP4503150B2 (ja) * 2000-07-13 2010-07-14 ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレイション 電圧ダウンコンバータおよび電圧ｖｃｃを変換するための方法
US6661279B2 (en) * 2001-04-11 2003-12-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit which outputs first internal power supply voltage and second internal power supply voltage lower than first internal supply power voltage
JP2003051548A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Sharp Corp 半導体集積回路装置およびそれを用いた携帯端末
DE50305682D1 (de) * 2002-04-03 2006-12-28 Infineon Technologies Ag Spannungsregleranordnung
US20040124909A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Haider Nazar Syed Arrangements providing safe component biasing
JP3768202B2 (ja) * 2003-05-13 2006-04-19 松下電器産業株式会社 半導体集積回路
US6909320B2 (en) * 2003-06-19 2005-06-21 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for dual output voltage regulation
US6933769B2 (en) * 2003-08-26 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Bandgap reference circuit
KR100626367B1 (ko) * 2003-10-02 2006-09-20 삼성전자주식회사 내부전압 발생장치
JP3967722B2 (ja) * 2004-01-15 2007-08-29 株式会社東芝 半導体装置
KR100670700B1 (ko) * 2004-10-30 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 지연고정루프의 전원공급회로
KR100693783B1 (ko) * 2004-11-04 2007-03-12 주식회사 하이닉스반도체 내부전원 발생장치
KR100610020B1 (ko) * 2005-01-13 2006-08-08 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치에서의 셀 파워 스위칭 회로와 그에따른 셀 파워 전압 인가방법
KR100733419B1 (ko) * 2005-04-30 2007-06-29 주식회사 하이닉스반도체 내부전원 생성장치
KR100733414B1 (ko) * 2005-04-30 2007-06-29 주식회사 하이닉스반도체 내부전원 생성장치
US7248531B2 (en) * 2005-08-03 2007-07-24 Mosaid Technologies Incorporated Voltage down converter for high speed memory
KR100780623B1 (ko) * 2006-06-30 2007-11-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 내부전압 생성장치
KR20130022118A (ko) * 2011-08-25 2013-03-06 에스케이하이닉스 주식회사 전원 모니터링 테스트회로 및 이를 이용한 전원 모니터링 방법
US9292721B2 (en) * 2013-03-01 2016-03-22 Texas Instruments Incorporated NFC receiver architecture with improved power sensitivity

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5046052A (en) * 1988-06-01 1991-09-03 Sony Corporation Internal low voltage transformation circuit of static random access memory
JPH02195596A (ja) * 1989-01-24 1990-08-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2801654B2 (ja) * 1989-06-30 1998-09-21 株式会社東芝 ダイナミック型半導体記憶装置
JPH03290895A (ja) * 1990-04-06 1991-12-20 Sony Corp 半導体集積回路装置
US5063304A (en) * 1990-04-27 1991-11-05 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with improved on-chip power supply control
KR100209449B1 (ko) * 1990-05-21 1999-07-15 가나이 쓰토무 반도체 집적회로 장치
JP2527835B2 (ja) * 1990-07-31 1996-08-28 三菱電機株式会社 半導体装置
US5416747A (en) * 1992-07-15 1995-05-16 Kawasaki Steel Corporation Semiconductor memory driven at low voltage
US5434498A (en) * 1992-12-14 1995-07-18 United Memories, Inc. Fuse programmable voltage converter with a secondary tuning path

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DE4442848A1 (de) 1995-06-08
DE4442848C2 (de) 1997-03-06
JP2919761B2 (ja) 1999-07-19
US5493234A (en) 1996-02-20
KR0131746B1 (ko) 1998-04-14
JPH07192465A (ja) 1995-07-28

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