KR920022301A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR920022301A
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김광호
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 회로가 포함된 반도체 기억장치의 메모리 블록에 대한 회로 구성도,
제2도는 제2실시예로서의 제1도의 관련된 회로 구성도.

Claims (12)

  1. 메모리 셀, 워드라인 및 제1 및 제2의 한쌍의 비트라인을 갖고 비트라인의 프리챠징 수단이 구비된 반도체 장치에 있어서, 제1비트라인측의 프리챠지 수단 신호를 받고 소오스가 전원에 연결되고 드레인이 제2비트라인축에 연결된 누설전류 보상 또는 오프 전류 차단을 위한 제1스위칭 수단과, 제2비트라인측의 프리챠지 수단 신호를 받고 소오스가 저원에 연결되고 드레인이 제1비트라인측에 연결된 상기 기능의 제2스위칭 수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2스위칭 수단을 위한 트랜지스터 타입은 프리챠지용 트랜지스터와 동일 타입이며 워드라인과 메모리 셀 간 연결된 트랜지스터와는 상기 타입과 다른 타입의 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 회로 적용된 반도체 기억장치는 한쌍의 비트라인간에 이퀄라이징 수단이 포함되어 있는 반도체 기억장치인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 회로 적용된 반도체 기억장치의 프리챠징 수단에 공급되는 제어신호는 ATD회로로부터 공급됨을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2스위칭 수단은 IGFET인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  6. 메모리 셀, 워드라인 및 제1 및 제2의 한쌍의 비트라인을 갖고 비트라인의 프리챠징 수단이 구비된 반도체 장치에 있어서, 제1비트라인측의 프리챠지 수단신호를 받고 드레인이 제2비트라인측에 연결된 누설전류 보상 또는 오프 전류 차단을 위한 제1스위칭 수단과, 제2비트라인측의 프리챠지 수단신호를 받고 드레인이 제1비트 라인측에 연결된 상기 기능의 제2스위칭 수단과, 상기 제1 및 제2스위칭수단의 소오스에 공히 연결되어 전원공급을 행하는 제3의 스위칭수단으로 연결 구성됨을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 스위칭 수단을 위한 트랜지스터 타입은 프리챠지용 트랜지스터와 제3의 트랜지스터 타입과 서로 다른 타입이도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 회로 적용된 반도체 기억장치는 한쌍의 비트라인간에 데이타 이퀄라이징 수단이 또한 포함되어 있는 반도체 기억장치인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 회로 적용된 반도체 기억장치는 프리챠징 수단에 공급되는 제어신호는 ATD회로로부터 공급됨을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제3스위칭 수단은 IGFET인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 프래챠징 수단의 전압레벨은 전원전압과 사용된 트랜지스터의 문턱전압과의 차인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  12. 제1항 또는 제6항중 어느 1항에 있어서, 상기 메모리 셀을 포함하는 메모리 블록은 단일 워드라인상에 다수 연결되도록 배치됨을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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