KR920008756A - 반도체 메모리장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 이 발명에 따른 반도체 메모리 장치,
제5도는 이 발명에 따른 반도체 메모리 장치.
Claims (2)
- 다수개의 메모리셀부, 다수개의 센스앰프 및 다수개의 비트라인 등화기로 구성된 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 비트라인 등화기에서 비트라인쌍을 등화시키는 수단은 소오스 및 드레인이 같은 비트라인 pair를 구성하는 각각 서로 다른 비트라인들에 각각 접속되고 게이트가 비트라인 등화제어신호가 인가되도록 접속되는 p모스트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 비트라인 등화기에서 비트라인쌍을 비트라인 충전전압으로 유지시키는 수단이 p모스트랜지스토들로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900017631A KR920008756A (ko) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 반도체 메모리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900017631A KR920008756A (ko) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 반도체 메모리장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920008756A true KR920008756A (ko) | 1992-05-28 |
Family
ID=67738896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900017631A KR920008756A (ko) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 반도체 메모리장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR920008756A (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6281713B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-08-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Current sense amplifiers having equalization circuits therin that inhibit signal oscillations during active modes |
KR20020034636A (ko) * | 2000-11-02 | 2002-05-09 | 윤종용 | 저전력 시스템에서 비트라인 센스앰프의 동작특성이향상되는 반도체 메모리 장치 |
US6617885B2 (en) | 2000-08-09 | 2003-09-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sense amplifiers having gain control circuits therein that inhibit signal oscillations |
KR100734321B1 (ko) * | 2006-06-27 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 구동방법 |
-
1990
- 1990-10-31 KR KR1019900017631A patent/KR920008756A/ko not_active IP Right Cessation
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KR100355222B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2003-02-19 | 삼성전자 주식회사 | 빠른감지속도와높은전원전압마진을갖는전류감지증폭기 |
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