KR20210011395A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20210011395A
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KR1020207035452A
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켄이치 시게토미
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

열 처리 유닛은, 처리 대상의 웨이퍼를 배치하여 가열하는 열판과, 열판에 있어서의 웨이퍼의 배치면을 둘러싸도록 배치 가능하게 구성된 챔버와, 챔버를 승강 가능하게 구성된 승강 기구와, 챔버가 근접 또는 접촉함으로써 챔버를 냉각 가능하게 구성된 냉각체를 구비한다.

Description

기판 처리 장치
본 개시는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
열 처리에서는, 열판 온도의 설정값을 변경할 시, 열판을 덮는 챔버(덮개체)에 대해서도 열판과 마찬가지로 온도를 변경할 필요가 있다. 이러한 챔버의 온도 변경에 관하여, 열판 온도를 낮출 경우(이에 수반하여 챔버의 온도도 낮출 경우)에는, 챔버의 열 용량에 따라, 챔버의 온도 저하에 시간을 요한다.
특허 문헌 1에 기재된 기술에서는, 열판 온도가 고온에서 저온으로 변경된 경우에는, 펠티에 소자를 작동시킴으로써, 히트 파이프를 개재하여 챔버의 냉각 작용을 촉진시키고 있다.
일본특허공개공보 2002-228375호
여기서, 상술한 특허 문헌 1과 같이, 펠티에 소자 및 히트 파이프를 개재하여 챔버의 냉각을 행할 경우에는, 구성이 복잡해지는 것이 문제가 된다.
본 개시는 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 간이한 구성에 의해, 덮개체의 강온 시간을 단축하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 장치는, 처리 대상인 기판을 배치하여 가열하는 열판과, 열판에 있어서의 기판의 배치면을 둘러싸도록 배치 가능하게 구성된 덮개체와, 덮개체를 승강 가능하게 구성된 승강 기구와, 덮개체가 근접 또는 접촉함으로써 덮개체를 냉각 가능하게 구성된 냉각체를 구비한다.
본 개시에 따른 기판 처리 장치에서는, 열판을 둘러싸는 덮개체가 승강 기구에 의해 승강 가능하게 되어 있고, 덮개체가 냉각체에 근접 또는 접촉함으로써 덮개체를 냉각 가능하게 되어 있다. 이와 같이, 덮개체를 움직이는 구성(승강 기구)을 마련하고, 또한 단순히 근접 또는 접촉함으로써 덮개체를 냉각하는 구성(냉각체)을 마련함으로써, 간이한 구성에 의해 덮개체를 냉각하는 것이 가능해진다. 이로써, 간이한 구성에 의해 덮개체의 강온 시간을 단축할 수 있다.
냉각체는, 덮개체의 상방에 마련되어 있고, 승강 기구에 의해 상방으로 이동한 덮개체의 상면과 근접 또는 접촉해도 된다. 이에 의해, 열 처리 후에 덮개체를 오픈할(상방으로 이동시킬) 시에 냉각체에 의해 적절히 덮개체를 냉각할 수 있다.
냉각체는, 열판과 외부의 반송 암과의 사이에서 기판을 전달하고, 또한 기판의 온도를 정해진 온도로 조정하는 온도 조정 플레이트를 포함하여 구성되어 있으며, 온도 조정 플레이트는, 덮개체의 하단부와 근접 또는 접촉해도 된다. 이에 의해, 기판을 운반하고 또한 냉각 등 하기 위하여 이미 마련되어 있는 온도 조정 플레이트를 이용하여 덮개체의 냉각을 행할 수 있어, 보다 간이한 구성에 의해 덮개체의 냉각을 실현할 수 있다.
열판을 지지하는 지지부를 배치하는 저벽부를 더 구비하고, 열판, 덮개체, 승강 기구 및 저벽부를 가지는 가열 처리 모듈이 상하로 다단 배치되어 있으며, 하단의 가열 처리 모듈에 있어서의 냉각체는, 상단의 가열 처리 모듈에 있어서의 저벽부를 포함하여 구성되어 있어도 된다. 이와 같이, 상단의 저벽부가 냉각체로서 기능함으로써, 가열 처리 모듈이 상하로 다단 배치된 구성에 있어서, 이미 마련되어 있는 저벽부를 이용하여 덮개체의 냉각을 행할 수 있어, 보다 간이한 구성에 의해 덮개체의 냉각을 실현할 수 있다.
냉각체를 승강 가능하게 구성된 냉각체 승강부를 더 구비하고 있어도 된다. 이에 의해, 냉각체를 움직이는 것이 가능해져, 보다 간이하게 덮개체의 냉각을 실현할 수 있다.
덮개체 및 냉각체 중 적어도 어느 일방에 마련되며, 덮개체 및 냉각체가 근접할 시에, 덮개체 및 냉각체의 쌍방에 접촉하면서 덮개체 및 냉각체의 사이에 배치되는 탄성체를 더 구비하고 있어도 된다. 이러한 탄성체가 마련됨으로써, 덮개체가 냉각체에 근접할 시에는 덮개체와 냉각체와의 사이에 탄성체가 개재하여, 덮개체를 냉각체에 대하여 대략 평행으로 근접시키기 쉬워진다. 이에 의해, 덮개체의 전체를 균일적으로 냉각할 수 있다.
기판의 가열 처리 온도가, 차회 처리하는 처리 로트의 가열 처리 온도보다 높은지 여부를 판정하는 것과, 높다고 판정한 경우에 덮개체가 냉각체에 근접 또는 접촉하도록 승강 기구를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 더 구비하고 있어도 된다. 이에 따라, 열판의 설정 온도를 낮출 필요가 있으며 이에 수반하여 덮개체를 냉각하고자 하는 경우에 있어서, 냉각체에 의해 적절히 덮개체를 냉각할 수 있다.
제어부는, 덮개체를 냉각체에 근접 또는 접촉시킬 시에는, 열판에 의한 가열 처리 종료 시에 있어서 덮개체를 상승시킬 시의 상승 위치와는 상이한 냉각 위치로, 덮개체를 이동시키도록, 승강 기구를 제어해도 된다. 이와 같이, 가열 처리 후의 통상의 오픈 시의 위치(상승 위치)와는 상이한 냉각 위치를 설정함으로써, 간이한 제어에 의해, 통상의 오픈과 냉각 시의 이동을 전환할 수 있다.
덮개체의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 구비하고, 제어부는, 온도 센서에 의해 측정된 덮개체의 온도에 기초하여, 냉각체에 의한 덮개체의 냉각을 종료할지 여부를 판정하는 것과, 종료한다고 판정한 경우에 덮개체가 냉각체로부터 이간되도록 승강 기구를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 이와 같이 제어함으로써, 덮개체를 확실히 냉각 목표 온도에 도달시킬 수 있고, 또한 냉각 완료 후에 있어서 바로 냉각 처리를 종료할 수 있다.
본 개시에 따르면, 간이한 구성에 의해, 덮개체의 강온 시간을 단축할 수 있다.
도 1은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1 중의 II-II선을 따르는 단면도이다.
도 3은 도 2 중의 III-III선을 따르는 단면도이다.
도 4는 열 처리 유닛의 일례를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 5는 냉각체에 의한 냉각 이미지를 모식적으로 나타내는 도이다.
도 6은 냉각체의 냉각 구조를 설명하는 도이다.
도 7은 컨트롤러의 하드 웨이퍼 구성도이다.
도 8은 챔버 냉각 처리의 순서도이다.
도 9는 제 2 실시 형태에 따른 열 처리 유닛을 모식적으로 나타내는 도이다.
도 10은 제 3 실시 형태에 따른 열 처리 유닛을 모식적으로 나타내는 도이다.
도 11은 냉각체의 냉각 구조를 설명하는 도이다.
[제 1 실시 형태]
이하, 제 1 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 설명에 있어서 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다.
<기판 처리 시스템>
기판 처리 시스템(1)은, 기판에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광, 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상의 기판은, 예를 들면 반도체의 웨이퍼(W)이다. 감광성 피막은 예를 들면 레지스트막이다.
기판 처리 시스템(1)은 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는 웨이퍼(W) 상에 형성된 레지스트막의 노광 처리를 행한다. 구체적으로, 액침노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다.
(도포·현상 장치)
이하, 기판 처리 장치의 일례로서, 도포·현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1 ~ 도 3에 나타나는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 컨트롤러(100)를 구비한다.
캐리어 블록(4)은, 도포·현상 장치(2) 내로의 웨이퍼(W)의 도입 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 웨이퍼(W)의 도출을 행한다. 예를 들면 캐리어 블록(4)은, 웨이퍼(W)용의 복수의 캐리어(11)를 지지 가능하며, 전달 암(A1)을 내장하고 있다. 캐리어(11)는, 예를 들면 원형의 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 전달 암(A1)은, 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)으로 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 되돌린다.
처리 블록(5)은 복수의 처리 모듈(14, 15, 16, 17)을 가진다. 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이, 처리 모듈(14, 15, 16, 17)은, 복수의 액 처리 유닛(U1)과, 복수의 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(A3)을 내장하고 있다. 처리 모듈(17)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 거치지 않고 웨이퍼(W)를 반송하는 직접 반송 암(A6)을 더 내장하고 있다. 액 처리 유닛(U1)은, 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 예를 들면 열판 및 냉각판을 내장하고 있으며, 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각하여 열 처리를 행한다.
처리 모듈(14)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 처리 모듈(14)의 액 처리 유닛(U1)은, 하층막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 처리 모듈(14)의 열 처리 유닛(U2)은, 하층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.
처리 모듈(15)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 처리 모듈(15)의 액 처리 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용의 처리액(도포액)을 하층막 상에 도포한다. 처리 모듈(15)의 열 처리 유닛(U2)은, 레지스트막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 처리 모듈(15)의 액 처리 유닛(U1)에 대한 상세는 후술한다.
처리 모듈(16)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 처리 모듈(16)의 액 처리 유닛(U1)은, 상층막 형성용의 처리액을 레지스트막 상에 도포한다. 처리 모듈(16)의 열 처리 유닛(U2)은, 상층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.
처리 모듈(17)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해, 노광 후의 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(17)의 액 처리 유닛(U1)은, 노광이 끝난 웨이퍼(W)의 표면 상에 현상용의 처리액(현상액)을 도포한 후, 이를 세정용의 처리액(린스액)에 의해 씻어냄으로써, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(17)의 열 처리 유닛(U2)은, 현상 처리에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 열 처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 들 수 있다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 암(A7)이 마련되어 있다. 승강 암(A7)은, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다. 처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.
인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 예를 들면 인터페이스 블록(6)은 전달 암(A8)을 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 전달 암(A8)은, 선반 유닛(U11)에 배치된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로 전달하고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 되돌린다.
컨트롤러(100)는, 예를 들면 이하의 순서로 도포·현상 처리를 실행하도록 도포·현상 장치(2)를 제어한다.
먼저 컨트롤러(100)는, 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 반송하도록 전달 암(A1)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.
이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14) 내의 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 하층막이 형성된 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(15)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.
이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(15) 내의 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 하층막 상에 레지스트막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(16)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.
이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(16) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 상층막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(17)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다.
이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U11)으로 반송하도록 직접 반송 암(A6)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로 보내도록 전달 암(A8)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 노광 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로부터 받아 선반 유닛(U11)으로 되돌리도록 전달 암(A8)을 제어한다.
이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(17) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막에 현상 처리를 실시하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 캐리어(11) 내로 되돌리도록 승강 암(A7) 및 전달 암(A1)을 제어한다. 이상으로 도포·현상 처리가 완료된다.
또한, 기판 처리 장치의 구체적인 구성은, 이상에 예시한 도포·현상 장치(2)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는, 피막 형성용의 액 처리 유닛(U1)(처리 모듈(14, 15, 16)의 액 처리 유닛(U1))과, 이를 제어 가능한 컨트롤러(100)를 구비하고 있으면 어떠한 것이어도 된다.
(열 처리 유닛)
이어서, 처리 모듈(15)의 열 처리 유닛(U2)에 대하여 도 4 ~ 도 7을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 4 ~ 도 6에 나타나는 바와 같이, 열 처리 유닛(U2)은, 하우징(90)과, 온도 조정 기구(50)와, 가열 기구(30)와, 냉각체(70)(도 5 참조)와, 탄성체(72)(도 6 참조)와, 온도 센서(80)와, 컨트롤러(100)(제어부)를 가진다. 또한 도 4 ~ 도 6에 대해서는, 모두 열 처리 유닛(U2)의 일부의 구성을 나타내는 것으로, 열 처리 유닛(U2)의 모든 구성을 나타내는 것은 아니다.
하우징(90)은, 가열 기구(30) 및 온도 조정 기구(50)를 수용하는 처리 용기이다. 하우징(90)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입구(91)가 개구되어 있다. 또한 하우징(90) 내에는, 하우징(90) 내를 웨이퍼(W)의 이동 영역인 상방 영역과, 하방 영역으로 구획하는 바닥판(92)이 마련되어 있다.
온도 조정 기구(50)는, 열판(34)과 외부의 반송 암(A3)(도 3 참조)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하고(반송하고), 또한 웨이퍼(W)의 온도를 정해진 온도로 조정하는 구성이다. 온도 조정 기구(50)는 온도 조정 플레이트(51)와, 연결 브래킷(52)을 가진다.
온도 조정 플레이트(51)는, 배치된 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 플레이트이며, 상세하게는, 가열 기구(30)의 열판(34)에 의해 가열된 웨이퍼(W)를 배치하고 이 웨이퍼(W)를 정해진 온도로 냉각하는 쿨 플레이트이다. 본 실시 형태에서는, 온도 조정 플레이트(51)는 대략 원반 형상으로 형성되어 있다. 온도 조정 플레이트(51)는, 예를 들면 열 전도율이 높은 알루미늄, 은 또는 구리 등의 금속에 의해 구성되어 있으며, 열에 의한 변형을 방지하는 관점 등으로부터 동일한 재료로 구성되어 있어도 된다. 온도 조정 플레이트(51)의 내부에는 냉각수 및(또는) 냉각 기체를 유통시키기 위한 냉각 유로(미도시)가 형성되어 있다.
연결 브래킷(52)은, 온도 조정 플레이트(51)에 연결되고, 또한 컨트롤러(100)에 의해 제어되는 구동 기구(53)에 의해 구동되어, 하우징(90) 내를 이동한다. 보다 상세하게는, 연결 브래킷(52)은, 하우징(90)의 반입구(91)로부터 가열 기구(30)의 근방에까지 연장되는 가이드 레일(미도시)을 따라 이동 가능하게 되어 있다. 연결 브래킷(52)이 가이드 레일(미도시)을 따라 이동함으로써, 온도 조정 플레이트(51)가 반입구(91)로부터 가열 기구(30)까지 이동 가능하게 되어 있다. 연결 브래킷(52)은, 예를 들면 열 전도율이 높은 알루미늄, 은, 또는 구리 등의 금속에 의해 구성되어 있다.
가열 기구(30)는, 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 구성이다. 가열 기구(30)는 지지대(31)와, 열판(34)과, 챔버(32)(덮개체)와, 승강 기구(33)와, 지지 핀(35)과, 승강 기구(36)를 가진다.
지지대(31)는, 중앙 부분에 오목부가 형성된 원통 형상을 나타내는 부재이다. 지지대(31)는 열판(34)을 지지한다. 열판(34)은 지지대(31)의 오목부에 감합되고, 또한 처리 대상인 웨이퍼(W)를 배치 가능하게 구성되어 있으며, 배치한 웨이퍼(W)를 가열한다. 열판(34)은, 웨이퍼(W)를 가열 처리하기 위한 히터를 가지고 있다. 당해 히터는 예를 들면 저항 발열체로 구성되어 있다.
챔버(32)는, 열판(34)에 있어서의 웨이퍼(W)의 배치면을 둘러싸도록 배치 가능하게 구성된 덮개체이다. 챔버(32)는 천판부(32a)와, 다리부(32b)를 가지고 있다. 천판부(32a)는, 지지대(31)와 동일 정도의 직경의 원판 형상의 부분이며, 열판(34)의 배치면과 상하 방향으로 대향하도록 배치된다. 다리부(32b)는, 천판부(32a)의 외연으로부터 하방으로 연장되는 부분이다. 천판부(32a)의 상부에는 배기 덕트(37)가 접속되어 있다. 배기 덕트(37)는 챔버 내의 배기를 행한다.
승강 기구(33)는, 컨트롤러(100)의 제어에 따라 챔버(32)를 승강시키는 구성이다. 승강 기구(33)에 의해 챔버(32)가 상승됨으로써, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 공간이 열린 상태가 되고, 챔버(32)가 하강됨으로써, 가열 처리를 행하는 공간이 닫힌 상태가 된다.
지지 핀(35)은, 지지대(31) 및 열판(34)을 관통하도록 연장되어 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하는 부재이다. 지지 핀(35)은, 상하 방향으로 승강함으로써, 웨이퍼(W)를 정해진 위치에 배치한다. 지지 핀(35)은, 웨이퍼(W)를 반송하는 온도 조정 플레이트(51)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 구성이다. 지지 핀(35)은, 예를 들면 둘레 방향 등간격으로 3 개 마련되어 있다. 승강 기구(36)는, 컨트롤러(100)의 제어에 따라 지지 핀(35)을 승강시키는 구성이다. 승강 기구(36)는, 열판(34)에 대하여 웨이퍼(W)를 근접시켜 열판(34)에 웨이퍼(W)가 배치되도록, 웨이퍼(W)(상세하게는 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 핀(35))를 승강 가능하게 구성되어 있다.
냉각체(70)는, 챔버(32)가 근접 또는 접촉함으로써 챔버(32)를 냉각 가능하게 구성된 부재인 냉각체(70)는, 예를 들면 챔버(32)의 천판부(32a)와 동일 정도의 직경의 원판 형상의 부재이다. 도 6에 나타나는 바와 같이, 냉각체(70)의 내부에는, 냉각용 매체(예를 들면 냉각수 및(또는) 냉각 기체)를 유통시키기 위한 냉각 유로(71)가 형성되어 있다. 도 5에 나타나는 바와 같이, 냉각체(70)는 챔버(32)의 상방에 마련되어 있고, 승강 기구(33)에 의해 상방으로 이동한 챔버(32)의 천판부(32a)의 상면과 근접 또는 접촉한다.
도 5의 (c)는, 상방으로 이동한 챔버(32)의 천판부(32a)의 상면이 냉각체(70)에 근접 또는 접촉한 상태를 나타내고 있다. 이 상태에 있어서의 챔버(32)의 위치(냉각 위치)는, 가열 처리 중에 있어서의 챔버(32)의 위치(도 5의 (a) 참조) 및 냉각을 행하지 않는 경우에 챔버(32)를 오픈했을 시의 챔버(32)의 위치(도 5의 (b) 참조) 중 어느 것과도 상이하다. 즉, 냉각체(70)는, 예를 들면 냉각을 행하지 않는 경우에 챔버(32)를 오픈했을 시의 챔버(32)의 위치(도 5의 (b) 참조)보다 상방에 배치되어 있고(도 5의 (c) 참조), 챔버(32)가 냉각 위치까지 상승한 경우에만, 천판부(32a)의 상면과 근접 또는 접촉하도록 배치되어 있다.
탄성체(72)는, 도 6에 나타나는 바와 같이 냉각체(70)의 하면에 마련되고, 챔버(32) 및 냉각체(70)가 근접할 시에, 챔버(32) 및 냉각체(70)의 쌍방에 접촉하면서 챔버(32) 및 냉각체(70)의 사이에 배치되는 스프링 형상 부재이다. 탄성체(72)는, 예를 들면 냉각체(70)의 하면에 있어서 등간격으로 복수 배치되어 있다. 이와 같이 탄성체(72)가 마련되어 있는 구성에 있어서는, 챔버(32)의 천판부(32a)의 상면은 냉각체(70)에 직접 접촉하지 않고, 탄성체(72)를 개재하여 냉각체(70)에 가까워지게(근접하게) 된다. 탄성체(72)를 개재한 상태에 있어서, 챔버(32)와 냉각체(70)와의 이간 거리는, 예를 들면 0.1 mm ~ 10 mm 정도가 된다. 또한, 탄성체(72)를 이용하는 경우와 같이, 챔버(32)와 냉각체(70)를 접촉시키지 않는 구성에 있어서는, 예를 들면 헬륨 등의 열 전도율이 높은 기체를 냉각 시에 분사해도 된다.
온도 센서(80)는, 챔버(32)의 천판부(32a)에 마련되어, 챔버(32)에 있어서의 온도를 측정하는 센서이다. 온도 센서(80)는, 천판부(32a)에 복수 마련되어 있어도 되고, 1 개만 마련되어 있어도 된다. 온도 센서(80)는 측정한 챔버(32)의 온도를 컨트롤러(100)에 출력한다.
컨트롤러(100)는, 도 4에 나타나는 바와 같이 기능 모듈로서, 챔버 개폐 제어부(101)와, 지지 핀 승강 제어부(102)와, 플레이트 이동 제어부(103)를 가진다.
챔버 개폐 제어부(101)는 챔버(32)가 개폐하도록, 승강 기구(33)를 제어한다. 챔버 개폐 제어부(101)는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 가열 처리가 종료된 타이밍에 있어서, 웨이퍼(W)의 가열 처리 온도가 차회 처리하는 처리 로트의 가열 처리 온도보다 높은지 여부를 판정한다. 챔버 개폐 제어부(101)는, 높다고 판정한 경우에 있어서, 챔버(32)가 냉각체(70)에 근접 또는 접촉하도록, 승강 기구(33)를 제어한다.
챔버 개폐 제어부(101)는, 챔버(32)를 냉각체(70)에 근접 또는 접촉시킬 시에는, 열판(34)에 의한 가열 처리 종료 시에 있어서 챔버(32)를 오픈(상승)시킬 시의 통상의 상승 위치(도 5의 (b) 참조)와는 상이한 냉각 위치(도 5의 (c) 참조)로, 챔버(32)를 이동시키도록, 승강 기구(33)를 제어한다. 구체적으로, 챔버 개폐 제어부(101)는, 챔버(32)를 냉각체(70)에 근접 또는 접촉시킬 시에는, 통상의 상승 위치보다 상방의 냉각 위치로 챔버(32)를 이동시키도록, 승강 기구(33)를 제어한다.
챔버 개폐 제어부(101)는, 냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각이 개시된 후에 있어서, 온도 센서(80)로부터 챔버(32)의 온도를 취득하고, 이 온도에 기초하여, 냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각을 종료할지 여부를 판정한다. 챔버 개폐 제어부(101)는, 예를 들면 온도가 미리 정해진 목표 온도(혹은, 목표 온도대)에 달하고 있는 경우에, 냉각을 종료한다고 판정해도 된다. 또한 이러한 목표 온도는, 열판(34)의 온도에 대한 챔버(32)의 온도의 관계식을 미리 취득해 둠으로써, 용이하게 설정할 수 있다. 챔버 개폐 제어부(101)는 냉각을 종료한다고 판정한 경우에, 챔버(32)가 냉각체(70)로부터 이간되도록 승강 기구(33)를 제어한다. 챔버 개폐 제어부(101)는, 냉각을 종료한다고 판정한 경우에는, 예를 들면 챔버(32)를 냉각 위치(도 5의 (c) 참조)로부터 통상의 상승 위치(도 5의 (b) 참조)로 하강시키도록, 승강 기구(33)를 제어한다. 또한 챔버 개폐 제어부(101)는, 온도 센서(80)의 측정값을 이용하지 않고, 미리 정해진 시간만큼 냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각을 행하는 것으로 해도 된다.
지지 핀 승강 제어부(102)는, 지지 핀(35)의 승강에 의해 온도 조정 플레이트(51)와 지지 핀(35)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록, 승강 기구(36)를 제어한다. 또한 지지 핀 승강 제어부(102)는, 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 핀(35)이 강하하여 지지 핀(35)으로부터 열판(34)에 웨이퍼(W)가 배치되도록, 승강 기구(36)를 제어한다.
플레이트 이동 제어부(103)는, 온도 조정 플레이트(51)가 하우징(90) 내를 이동하도록, 구동 기구(53)를 제어한다.
컨트롤러(100)는, 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들면 컨트롤러(100)는, 도 13에 나타내는 회로(120)를 가진다. 회로(120)는 하나 또는 복수의 프로세서(121)와, 메모리(122)와, 스토리지(123)와, 입출력 포트(124)와, 타이머(125)를 가진다.
입출력 포트(124)는 승강 기구(33), 승강 기구(36), 구동 기구(53) 및 온도 센서(80)와의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(125)는, 예를 들면 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다. 스토리지(123)는, 예를 들면 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체를 가진다. 기록 매체는, 후술하는 기판 처리 순서를 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 기록 매체는, 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(122)는, 스토리지(123)의 기록 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(121)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기록한다. 프로세서(121)는 메모리(122)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다.
또한, 컨트롤러(100)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 컨트롤러(100)의 각 기능 모듈은, 전용의 논리 회로 또는 이를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.
<챔버 냉각 처리 순서>
이어서, 기판 처리 방법의 일례로서, 컨트롤러(100)의 제어에 따라 열 처리 유닛(U2)이 실행하는 챔버 냉각 처리 순서를, 도 8을 참조하여 설명한다.
도 8의 순서도는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 가열 처리가 종료된 시점으로부터 개시되는, 챔버 냉각 처리 순서를 나타내고 있다. 도 8에 나타나는 바와 같이, 먼저 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)의 가열 처리 온도가, 차회 처리하는 처리 로트의 가열 처리 온도보다 높은지 여부를 판정한다(단계(S1)). S1에 있어서 높지 않다고 판정한 경우에는, 처리가 종료된다. 한편, S1에 있어서 높다고 판정한 경우, 즉, 열판(34)의 설정 온도를 낮추고 또한 챔버(32)의 온도를 낮출 필요가 있다고 판정한 경우에는, 컨트롤러(100)는, 냉각 위치(챔버(32)가 냉각체(70)에 근접 또는 접촉하는 위치)까지 챔버를 상승시키도록, 승강 기구(33)를 제어한다(단계(S2)). 이에 의해, 냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각이 개시된다.
이어서, 컨트롤러(100)는, 온도 센서(80)로부터 챔버(32)의 온도를 취득하고, 냉각체(70)에 의한 냉각에 의해 챔버(32)가 목표 온도에 도달하고 있는지(냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각을 종료할지) 여부를 판정한다(단계(S3)). S3에 있어서 도달하지 않았다고 판정한 경우에는, 정해진 시간 경과 후에 재차 단계(S3)의 판정을 행한다. 한편, S3에 있어서 도달하고 있다고 판정한 경우에는, 챔버(32)가 냉각체(70)로부터 이간되어 하방으로 이동하도록, 승강 기구(33)를 제어한다(단계(S4)). 이상이, 냉각 처리 순서이다.
<작용 효과>
본 실시 형태에 따른 열 처리 유닛(U2)은, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 배치하여 가열하는 열판(34)과, 열판(34)에 있어서의 웨이퍼(W)의 배치면을 둘러싸도록 배치 가능하게 구성된 챔버(32)와, 챔버(32)를 승강 가능하게 구성된 승강 기구(33)와, 챔버(32)가 근접 또는 접촉함으로써 챔버(32)를 냉각 가능하게 구성된 냉각체(70)를 구비한다.
본 실시 형태의 열 처리 유닛(U2)에서는, 열판(34)을 둘러싸는 챔버(32)가 승강 기구(33)에 의해 승강 가능하게 되어 있고, 챔버(32)가 냉각체(70)에 근접 또는 접촉함으로써 챔버(32)를 냉각 가능하게 되어 있다. 이와 같이, 챔버(32)를 움직이는 구성(승강 기구(33))을 마련하고, 또한 단지 근접 또는 접촉함으로써 챔버(32)를 냉각하는 구성(냉각체(70))을 마련함으로써, 간이한 구성에 의해 챔버(32)를 냉각하는 것이 가능해진다. 이로써, 간이한 구성에 의해 챔버(32)의 강온 시간을 단축할 수 있다. 또한 열 처리 유닛(U2)에서는, 기판 처리 후뿐 아니라, 메인터넌스 시에 있어서도 챔버(32)의 강온 시간을 단축하여, 메인터넌스에 걸리는 시간을 단축할 수 있다.
냉각체(70)는, 챔버(32)의 상방에 마련되어 있으며, 승강 기구(33)에 의해 상방으로 이동한 챔버(32)의 상면과 근접 또는 접촉한다. 이에 의해, 가열 처리 후에 챔버(32)를 오픈할(상방으로 이동시킬) 시에 냉각체(70)에 의해 적절히 챔버(32)를 냉각할 수 있다.
상술한 열 처리 유닛(U2)은, 냉각체(70)의 하면에 마련되어, 챔버(32) 및 냉각체(70)가 근접할 시에, 챔버(32) 및 냉각체(70)의 쌍방에 접촉하면서 챔버(32) 및 냉각체(70)의 사이에 배치되는 탄성체(72)를 더 구비한다. 이러한 탄성체(72)가 마련됨으로써, 챔버(32)가 냉각체(70)에 근접할 시에는 챔버(32)와 냉각체(70)와의 사이에 탄성체(72)가 개재되어, 챔버(32)를 냉각체(70)에 대하여 대략 평행으로 근접시키기 쉬워진다. 이에 의해, 챔버(32)의 전체를 균일적으로 냉각할 수 있다.
상술한 열 처리 유닛(U2)은, 웨이퍼(W)의 가열 처리 온도가, 차회 처리하는 처리 로트의 가열 처리 온도보다 높은지 여부를 판정하는 것과, 높다고 판정한 경우에 챔버(32)가 냉각체(70)에 근접 또는 접촉하도록 승강 기구(33)를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 컨트롤러(100)를 더 구비한다. 이에 의해, 열판(34)의 설정 온도를 낮출 필요가 있으며 이에 수반하여 챔버(32)를 냉각하고자 하는 경우에 있어서, 냉각체(70)에 의해 적절히 챔버(32)를 냉각할 수 있다.
컨트롤러(100)는, 챔버(32)를 냉각체(70)에 근접 또는 접촉시킬 시에는, 열판(34)에 의한 가열 처리 종료 시에 있어서 챔버(32)를 상승시킬 시의 통상의 상승 위치와는 상이한 냉각 위치로, 챔버(32)를 이동시키도록, 승강 기구(33)를 제어한다. 이와 같이, 가열 처리 후의 통상의 오픈 시의 위치(상승 위치)와는 상이한 냉각 위치를 설정함으로써, 간이한 제어에 의해, 통상의 오픈과 냉각 시의 이동을 전환할 수 있다.
챔버(32)의 온도를 측정하는 온도 센서(80)를 더 구비하고, 컨트롤러(100)는, 온도 센서(80)에 의해 측정된 챔버(32)의 온도에 기초하여, 냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각을 종료할지 여부를 판정하는 것과, 종료한다고 판정한 경우에 챔버(32)가 냉각체(70)로부터 이간되도록 승강 기구(33)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있다. 이와 같이 제어함으로써, 챔버(32)를 확실히 냉각 목표 온도에 도달시킬 수 있고, 또한 냉각 완료 후에 있어서 바로 냉각 처리를 종료할 수 있다.
[제 2 실시 형태]
이하, 제 2 실시 형태에 대하여 도 9를 참조하여 설명한다. 또한 제 2 실시 형태의 설명에 있어서는, 제 1 실시 형태와 상이한 점에 대하여 주로 설명하고, 동일한 설명을 생략한다.
도 9에 나타나는 열 처리 유닛에서는, 복수의 가열 처리 모듈(300)(예를 들면, 도 9 중에 나타낸 가열 처리 모듈(300a, 300b))이 상하로 다단 배치되어 있다. 가열 처리 모듈(300)이란, 상술한 열판(34), 챔버(32) 및 승강 기구(33)를 포함하는 가열 기구(30)와, 냉각체로서 작용하는 저벽부(270)를 적어도 가지는 구성이다.
저벽부(270)는, 열판(34)을 지지하는 지지대(31)(도 4 참조)를 배치하는 부분이며, 가열 처리 모듈(300)에 있어서 최하단에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 저벽부(270)를 냉각체(상세하게는, 하단의 가열 처리 모듈에 있어서의 냉각체)로서 이용하고 있다. 저벽부(270)는, 열판(34)의 설정 온도로서 상정되는 온도보다 항상 낮은 온도를 유지할 수 있는 것이면 된다. 저벽부(270)는, 열판(34)보다 하방에 위치하고 또한 열판(34)으로부터 이간되어 있기 때문에, 낮은 온도를 유지하기 쉬워져 있다. 또한, 저벽부(270)는 제 1 실시 형태의 냉각체와 마찬가지로, 냉각용 매체를 유통시키는 냉각 유로를 가지는 것이어도 된다.
도 9에 나타나는 바와 같이, 상단의 가열 처리 모듈(300a)과 하단의 가열 처리 모듈(300b)이 상하로 다단 배치된 구성에 있어서, 하단의 가열 처리 모듈(300b)에 있어서의 냉각체는, 상단의 가열 처리 모듈(300a)에 있어서의 저벽부(270)를 포함하여 구성되어 있다. 이러한 구성에 있어서도, 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 챔버(32)가 상방으로 이동하도록, 컨트롤러(100)가 승강 기구(33)를 제어함으로써, 하단의 가열 처리 모듈(300b)의 챔버(32)를, 상단의 가열 처리 모듈(300a)의 저벽부(270)(하단의 가열 처리 모듈(300b)에 있어서의 냉각체)에 근접 또는 접촉시킬 수 있다.
이와 같이, 상단의 가열 처리 모듈(300a)의 저벽부(270)가, 하단의 가열 처리 모듈(300b)에 있어서의 냉각체로서 기능함으로써, 가열 처리 모듈이 상하로 다단 배치된 구성에 있어서, 종래부터 마련되어 있는 저벽부(270)를 이용하여 챔버(32)의 냉각을 행할 수 있어, 별도 냉각체를 마련할 필요가 없으므로, 보다 간이한 구성에 의해 챔버(32)의 냉각을 실현할 수 있다. 또한, 가장 상단의 가열 처리 모듈(예를 들면 가열 처리 모듈(300a))에 대해서는, 그것보다 상단의 가열 처리 모듈이 없고, 냉각체로서 이용하는 저벽부(270)가 존재하지 않기 때문에, 이 가장 상단의 가열 처리 모듈(300a)용의 냉각체로서, 상방에 냉각체(170)(도 9 참조)를 마련해도 된다.
[제 3 실시 형태]
이하, 제 3 실시 형태에 대하여 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다. 또한, 제 3 실시 형태의 설명에 있어서는, 제 1 실시 형태 및 제 2 실시 형태와 상이한 점에 대하여 주로 설명하며, 동일한 설명을 생략한다.
도 10에 나타나는 열 처리 유닛에서는, 열판(34)과 외부의 반송 암(A3)(도 3 참조)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하고, 또한 웨이퍼(W)의 온도를 정해진 온도로 조정하는 온도 조정 플레이트(351)(쿨 플레이트)가, 챔버(32)를 냉각하는 냉각체로서도 기능한다. 온도 조정 플레이트(351)는, 챔버(32)의 다리부(32b)의 하단부와 근접 또는 접촉함으로써, 챔버(32)를 냉각한다(도 10 참조). 온도 조정 플레이트(351)에는, 도 11에 나타나는 바와 같이, 냉각용 매체를 유통시키는 냉각 유로(352)가 형성되어 있다.
온도 조정 플레이트(351)는, 가열 처리 중에 있어서는 도 10의 (a)에 나타나는 바와 같이 열판(34)으로부터 먼 위치에서 대기하고 있다. 그리고, 가열 처리가 완료되면, 도 10의 (b)에 나타나는 바와 같이 챔버(32)가 오픈되고, 온도 조정 플레이트(351)는, 웨이퍼(W)를 반송하기 위하여, 열판(34) 상에 배치된다. 이 상태에 있어서, 통상은, 온도 조정 플레이트(351)는 웨이퍼(W)의 전달만을 행하지만, 본 실시 형태에서는, 도 10의 (c)에 나타나는 바와 같이, 온도 조정 플레이트(351)의 상면에 챔버(32)의 다리부(32b)의 하단이 근접 또는 접촉되어, 챔버(32)의 냉각이 행해진다.
도 11에 나타나는 바와 같이, 탄성체(400)가 온도 조정 플레이트(351)의 상면에 마련되어 있어도 된다. 탄성체(400)는 챔버(32) 및 온도 조정 플레이트(351)가 근접할 시에, 챔버(32) 및 온도 조정 플레이트(351)의 쌍방에 접촉하면서 챔버(32) 및 온도 조정 플레이트(351)의 사이에 배치되는 스프링 형상 부재이다.
이와 같이, 웨이퍼(W)를 운반하고 또한 냉각 등 하기 위하여 종래부터 마련되어 있는 온도 조정 플레이트(351)를 이용하여 챔버(32)의 냉각을 행함으로써, 보다 간이한 구성에 의해 챔버(32)의 냉각을 실현할 수 있다.
이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 승강 기구(33)에 의해 챔버(32)를 냉각체(70)에 근접 또는 접촉시키는 것으로서 설명했지만, 이에 더하여, 냉각체(70)를 승강 가능하게 구성된 냉각체 승강부를 더 구비하고 있어도 된다. 이에 의해, 냉각체(70)를 움직이는 것이 가능해져, 보다 간이하게 챔버(32)의 냉각을 실현할 수 있다. 또한 일태양으로서, 냉각체(70)에 마련된 탄성체(72)를 설명했지만, 탄성체는 챔버(32)에 마련되어 있어도 된다.
2 : 도포·현상 장치(기판 처리 장치)
32 : 챔버(덮개체)
33 : 승강 기구
34 : 열판
351 : 온도 조정 플레이트
70 : 냉각체
72, 400 : 탄성체
80 : 온도 센서
100 : 컨트롤러(제어부)
270 : 저벽부
300 : 가열 처리 모듈
W : 웨이퍼(기판)

Claims (9)

  1. 처리 대상인 기판을 배치하여 가열하는 열판과,
    상기 열판에 있어서의 상기 기판의 배치면을 둘러싸도록 배치 가능하게 구성된 덮개체와,
    상기 덮개체를 승강 가능하게 구성된 승강 기구와,
    상기 덮개체가 근접 또는 접촉함으로써 상기 덮개체를 냉각 가능하게 구성된 냉각체를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각체는 상기 덮개체의 상방에 마련되어 있으며, 상기 승강 기구에 의해 상방으로 이동한 상기 덮개체의 상면과 근접 또는 접촉하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 냉각체는,
    상기 열판과 외부의 반송 암과의 사이에서 상기 기판을 전달하고, 또한 상기 기판의 온도를 정해진 온도로 조정하는 온도 조정 플레이트를 포함하여 구성되어 있고,
    상기 온도 조정 플레이트는 상기 덮개체의 하단부와 근접 또는 접촉하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열판을 지지하는 지지부를 배치하는 저벽부를 더 구비하고,
    상기 열판, 상기 덮개체, 상기 승강 기구 및 상기 저벽부를 가지는 가열 처리 모듈이 상하로 다단 배치되어 있고,
    하단의 상기 가열 처리 모듈에 있어서의 상기 냉각체는, 상단의 상기 가열 처리 모듈에 있어서의 상기 저벽부를 포함하여 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각체를 승강 가능하게 구성된 냉각체 승강부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 덮개체 및 상기 냉각체 중 적어도 어느 일방에 마련되고, 상기 덮개체 및 상기 냉각체가 근접할 시에, 상기 덮개체 및 상기 냉각체의 쌍방에 접촉하면서 상기 덮개체 및 상기 냉각체의 사이에 배치되는 탄성체를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 가열 처리 온도가 차회 처리하는 처리 로트의 가열 처리 온도보다 높은지 여부를 판정하는 것과, 높다고 판정한 경우에 상기 덮개체가 상기 냉각체에 근접 또는 접촉하도록 상기 승강 기구를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 덮개체를 상기 냉각체에 근접 또는 접촉시킬 시에는, 상기 열판에 의한 가열 처리 종료 시에 있어서 상기 덮개체를 상승시킬 시의 상승 위치와는 상이한 냉각 위치로 상기 덮개체를 이동시키도록 상기 승강 기구를 제어하는, 기판 처리 장치.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 덮개체의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 온도 센서에 의해 측정된 상기 덮개체의 온도에 기초하여, 상기 냉각체에 의한 상기 덮개체의 냉각을 종료할지 여부를 판정하는 것과, 종료한다고 판정한 경우에 상기 덮개체가 상기 냉각체로부터 이간되도록 상기 승강 기구를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
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