KR20210011395A - Substrate processing equipment - Google Patents

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KR20210011395A
KR20210011395A KR1020207035452A KR20207035452A KR20210011395A KR 20210011395 A KR20210011395 A KR 20210011395A KR 1020207035452 A KR1020207035452 A KR 1020207035452A KR 20207035452 A KR20207035452 A KR 20207035452A KR 20210011395 A KR20210011395 A KR 20210011395A
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cooling body
heat treatment
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KR1020207035452A
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켄이치 시게토미
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

열 처리 유닛은, 처리 대상의 웨이퍼를 배치하여 가열하는 열판과, 열판에 있어서의 웨이퍼의 배치면을 둘러싸도록 배치 가능하게 구성된 챔버와, 챔버를 승강 가능하게 구성된 승강 기구와, 챔버가 근접 또는 접촉함으로써 챔버를 냉각 가능하게 구성된 냉각체를 구비한다. The heat treatment unit includes a hot plate for placing and heating a wafer to be processed, a chamber configured to be disposed so as to surround the wafer placement surface on the hot plate, an elevating mechanism configured to be able to lift the chamber, and the chamber are in proximity or contact with each other. By doing so, a cooling body configured to cool the chamber is provided.

Figure P1020207035452
Figure P1020207035452

Description

기판 처리 장치Substrate processing equipment

본 개시는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus.

열 처리에서는, 열판 온도의 설정값을 변경할 시, 열판을 덮는 챔버(덮개체)에 대해서도 열판과 마찬가지로 온도를 변경할 필요가 있다. 이러한 챔버의 온도 변경에 관하여, 열판 온도를 낮출 경우(이에 수반하여 챔버의 온도도 낮출 경우)에는, 챔버의 열 용량에 따라, 챔버의 온도 저하에 시간을 요한다. In the heat treatment, when changing the set value of the hot plate temperature, it is necessary to change the temperature of the chamber (cover body) covering the hot plate as well as the hot plate. With respect to such a change in the temperature of the chamber, in the case of lowering the temperature of the hot plate (and concomitantly lowering the temperature of the chamber), it takes time to lower the temperature of the chamber according to the heat capacity of the chamber.

특허 문헌 1에 기재된 기술에서는, 열판 온도가 고온에서 저온으로 변경된 경우에는, 펠티에 소자를 작동시킴으로써, 히트 파이프를 개재하여 챔버의 냉각 작용을 촉진시키고 있다. In the technique described in Patent Document 1, when the hot plate temperature is changed from high temperature to low temperature, the Peltier element is operated to promote the cooling action of the chamber through the heat pipe.

일본특허공개공보 2002-228375호Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2002-228375

여기서, 상술한 특허 문헌 1과 같이, 펠티에 소자 및 히트 파이프를 개재하여 챔버의 냉각을 행할 경우에는, 구성이 복잡해지는 것이 문제가 된다. Here, as in Patent Document 1 described above, in the case of cooling the chamber via a Peltier element and a heat pipe, it becomes a problem that the configuration becomes complicated.

본 개시는 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 간이한 구성에 의해, 덮개체의 강온 시간을 단축하는 것을 목적으로 한다. The present disclosure has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to shorten the temperature-fall time of the cover body by a simple configuration.

본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 장치는, 처리 대상인 기판을 배치하여 가열하는 열판과, 열판에 있어서의 기판의 배치면을 둘러싸도록 배치 가능하게 구성된 덮개체와, 덮개체를 승강 가능하게 구성된 승강 기구와, 덮개체가 근접 또는 접촉함으로써 덮개체를 냉각 가능하게 구성된 냉각체를 구비한다. A substrate processing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a hot plate for arranging and heating a substrate to be processed, a cover body configured to be disposed so as to surround the mounting surface of the substrate on the hot plate, and an elevation configured to be able to lift the cover body. A cooling body configured to cool the lid body by bringing the mechanism and the lid body close or in contact with each other is provided.

본 개시에 따른 기판 처리 장치에서는, 열판을 둘러싸는 덮개체가 승강 기구에 의해 승강 가능하게 되어 있고, 덮개체가 냉각체에 근접 또는 접촉함으로써 덮개체를 냉각 가능하게 되어 있다. 이와 같이, 덮개체를 움직이는 구성(승강 기구)을 마련하고, 또한 단순히 근접 또는 접촉함으로써 덮개체를 냉각하는 구성(냉각체)을 마련함으로써, 간이한 구성에 의해 덮개체를 냉각하는 것이 가능해진다. 이로써, 간이한 구성에 의해 덮개체의 강온 시간을 단축할 수 있다. In the substrate processing apparatus according to the present disclosure, the lid body surrounding the hot plate can be lifted and lowered by the lifting mechanism, and the lid body can be cooled by bringing the lid body close to or in contact with the cooling body. In this way, by providing a configuration (elevating mechanism) for moving the lid body, and providing a configuration (cooling body) that cools the lid body by simply approaching or contacting it, it becomes possible to cool the lid body with a simple configuration. Thereby, it is possible to shorten the temperature-fall time of the cover body by a simple configuration.

냉각체는, 덮개체의 상방에 마련되어 있고, 승강 기구에 의해 상방으로 이동한 덮개체의 상면과 근접 또는 접촉해도 된다. 이에 의해, 열 처리 후에 덮개체를 오픈할(상방으로 이동시킬) 시에 냉각체에 의해 적절히 덮개체를 냉각할 수 있다. The cooling body is provided above the lid body, and may be brought close to or in contact with the upper surface of the lid body which has been moved upward by the lifting mechanism. Thereby, when the lid body is opened (moved upward) after heat treatment, the lid body can be appropriately cooled by the cooling body.

냉각체는, 열판과 외부의 반송 암과의 사이에서 기판을 전달하고, 또한 기판의 온도를 정해진 온도로 조정하는 온도 조정 플레이트를 포함하여 구성되어 있으며, 온도 조정 플레이트는, 덮개체의 하단부와 근접 또는 접촉해도 된다. 이에 의해, 기판을 운반하고 또한 냉각 등 하기 위하여 이미 마련되어 있는 온도 조정 플레이트를 이용하여 덮개체의 냉각을 행할 수 있어, 보다 간이한 구성에 의해 덮개체의 냉각을 실현할 수 있다. The cooling body includes a temperature control plate that transfers the substrate between the hot plate and the external transfer arm, and adjusts the temperature of the substrate to a predetermined temperature, and the temperature control plate is close to the lower end of the cover body. Or you may contact. Thereby, the lid body can be cooled using a temperature control plate already provided for transporting the substrate and cooling, etc., and cooling of the lid body can be realized with a simpler configuration.

열판을 지지하는 지지부를 배치하는 저벽부를 더 구비하고, 열판, 덮개체, 승강 기구 및 저벽부를 가지는 가열 처리 모듈이 상하로 다단 배치되어 있으며, 하단의 가열 처리 모듈에 있어서의 냉각체는, 상단의 가열 처리 모듈에 있어서의 저벽부를 포함하여 구성되어 있어도 된다. 이와 같이, 상단의 저벽부가 냉각체로서 기능함으로써, 가열 처리 모듈이 상하로 다단 배치된 구성에 있어서, 이미 마련되어 있는 저벽부를 이용하여 덮개체의 냉각을 행할 수 있어, 보다 간이한 구성에 의해 덮개체의 냉각을 실현할 수 있다. A bottom wall portion is further provided for arranging a support portion for supporting the hot plate, and a heat treatment module having a hot plate, a cover body, an elevating mechanism, and a bottom wall portion is arranged in multiple stages up and down, and the cooling body in the lower heat treatment module is It may be comprised including the bottom wall part in a heat processing module. In this way, by functioning as a cooling body, the bottom wall portion of the upper end allows cooling of the lid body using the already provided bottom wall portions in a configuration in which the heat treatment module is arranged in a multi-stage vertically. Cooling can be realized.

냉각체를 승강 가능하게 구성된 냉각체 승강부를 더 구비하고 있어도 된다. 이에 의해, 냉각체를 움직이는 것이 가능해져, 보다 간이하게 덮개체의 냉각을 실현할 수 있다. You may further include a cooling body lifting unit configured to be able to lift the cooling body. Thereby, the cooling body can be moved, and cooling of the lid body can be realized more simply.

덮개체 및 냉각체 중 적어도 어느 일방에 마련되며, 덮개체 및 냉각체가 근접할 시에, 덮개체 및 냉각체의 쌍방에 접촉하면서 덮개체 및 냉각체의 사이에 배치되는 탄성체를 더 구비하고 있어도 된다. 이러한 탄성체가 마련됨으로써, 덮개체가 냉각체에 근접할 시에는 덮개체와 냉각체와의 사이에 탄성체가 개재하여, 덮개체를 냉각체에 대하여 대략 평행으로 근접시키기 쉬워진다. 이에 의해, 덮개체의 전체를 균일적으로 냉각할 수 있다. It is provided in at least one of the lid body and the cooling body, and when the lid body and the cooling body are in close proximity, an elastic body may be further provided that is disposed between the lid body and the cooling body while contacting both the lid body and the cooling body. . By providing such an elastic body, when the lid body is close to the cooling body, the elastic body is interposed between the lid body and the cooling body, so that the lid body is easily brought close to the cooling body in approximately parallel. Thereby, the whole lid body can be cooled uniformly.

기판의 가열 처리 온도가, 차회 처리하는 처리 로트의 가열 처리 온도보다 높은지 여부를 판정하는 것과, 높다고 판정한 경우에 덮개체가 냉각체에 근접 또는 접촉하도록 승강 기구를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 더 구비하고 있어도 된다. 이에 따라, 열판의 설정 온도를 낮출 필요가 있으며 이에 수반하여 덮개체를 냉각하고자 하는 경우에 있어서, 냉각체에 의해 적절히 덮개체를 냉각할 수 있다. A control unit configured to perform determining whether or not the heat treatment temperature of the substrate is higher than the heat treatment temperature of the treatment lot to be processed next time, and controlling the elevating mechanism so that the lid body approaches or contacts the cooling body when it is determined to be high. You may have it. Accordingly, when it is necessary to lower the set temperature of the hot plate and to cool the lid body accompanying this, the lid body can be properly cooled by the cooling body.

제어부는, 덮개체를 냉각체에 근접 또는 접촉시킬 시에는, 열판에 의한 가열 처리 종료 시에 있어서 덮개체를 상승시킬 시의 상승 위치와는 상이한 냉각 위치로, 덮개체를 이동시키도록, 승강 기구를 제어해도 된다. 이와 같이, 가열 처리 후의 통상의 오픈 시의 위치(상승 위치)와는 상이한 냉각 위치를 설정함으로써, 간이한 제어에 의해, 통상의 오픈과 냉각 시의 이동을 전환할 수 있다. When the cover body is brought close to or in contact with the cooling body, the control unit moves the cover body to a cooling position different from the raised position when the cover body is raised at the end of the heating treatment by the hot plate. You may control. In this way, by setting the cooling position different from the normal opening position (raising position) after heat treatment, the movement during normal opening and cooling can be switched by simple control.

덮개체의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 구비하고, 제어부는, 온도 센서에 의해 측정된 덮개체의 온도에 기초하여, 냉각체에 의한 덮개체의 냉각을 종료할지 여부를 판정하는 것과, 종료한다고 판정한 경우에 덮개체가 냉각체로부터 이간되도록 승강 기구를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 이와 같이 제어함으로써, 덮개체를 확실히 냉각 목표 온도에 도달시킬 수 있고, 또한 냉각 완료 후에 있어서 바로 냉각 처리를 종료할 수 있다. A temperature sensor for measuring the temperature of the lid body is further provided, and the control unit determines whether or not cooling of the lid body by the cooling body is to be terminated, based on the temperature of the lid body measured by the temperature sensor, and is terminated. In the case of determination, it may be configured to further control the lifting mechanism so that the lid body is separated from the cooling body. By controlling in this way, it is possible to reliably reach the cooling target temperature of the lid body, and the cooling process can be terminated immediately after cooling is completed.

본 개시에 따르면, 간이한 구성에 의해, 덮개체의 강온 시간을 단축할 수 있다. According to the present disclosure, it is possible to shorten the temperature-fall time of the lid body by a simple configuration.

도 1은 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1 중의 II-II선을 따르는 단면도이다.
도 3은 도 2 중의 III-III선을 따르는 단면도이다.
도 4는 열 처리 유닛의 일례를 나타내는 개략 종단면도이다.
도 5는 냉각체에 의한 냉각 이미지를 모식적으로 나타내는 도이다.
도 6은 냉각체의 냉각 구조를 설명하는 도이다.
도 7은 컨트롤러의 하드 웨이퍼 구성도이다.
도 8은 챔버 냉각 처리의 순서도이다.
도 9는 제 2 실시 형태에 따른 열 처리 유닛을 모식적으로 나타내는 도이다.
도 10은 제 3 실시 형태에 따른 열 처리 유닛을 모식적으로 나타내는 도이다.
도 11은 냉각체의 냉각 구조를 설명하는 도이다. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1.
3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 2.
4 is a schematic longitudinal sectional view showing an example of a heat treatment unit.
5 is a diagram schematically showing a cooling image by a cooling body.
6 is a diagram illustrating a cooling structure of a cooling body.
7 is a configuration diagram of a hard wafer of the controller.
8 is a flow chart of the chamber cooling process.
9 is a diagram schematically showing a heat treatment unit according to a second embodiment.
10 is a diagram schematically illustrating a heat treatment unit according to a third embodiment.
11 is a diagram illustrating a cooling structure of a cooling body.

[제 1 실시 형태][First embodiment]

이하, 제 1 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 설명에 있어서 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다. Hereinafter, a first embodiment will be described in detail with reference to the drawings. In the description, the same elements or elements having the same function are assigned the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.

<기판 처리 시스템><Substrate processing system>

기판 처리 시스템(1)은, 기판에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광, 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상의 기판은, 예를 들면 반도체의 웨이퍼(W)이다. 감광성 피막은 예를 들면 레지스트막이다. The substrate processing system 1 is a system for forming a photosensitive film, exposing the photosensitive film, and developing the photosensitive film on a substrate. The substrate to be processed is, for example, a semiconductor wafer W. The photosensitive film is, for example, a resist film.

기판 처리 시스템(1)은 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는 웨이퍼(W) 상에 형성된 레지스트막의 노광 처리를 행한다. 구체적으로, 액침노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다. The substrate processing system 1 includes a coating/developing device 2 and an exposure device 3. The exposure apparatus 3 performs exposure processing of the resist film formed on the wafer W. Specifically, energy rays are irradiated to the exposed portion of the resist film by a method such as liquid immersion exposure. The coating/development device 2 performs a treatment of forming a resist film on the surface of the wafer W before exposure treatment by the exposure device 3, and develops the resist film after the exposure treatment.

(도포·현상 장치)(Applying and developing device)

이하, 기판 처리 장치의 일례로서, 도포·현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1 ~ 도 3에 나타나는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)과, 컨트롤러(100)를 구비한다. Hereinafter, as an example of the substrate processing apparatus, the configuration of the coating/developing apparatus 2 will be described. 1 to 3, the coating/developing device 2 includes a carrier block 4, a processing block 5, an interface block 6, and a controller 100.

캐리어 블록(4)은, 도포·현상 장치(2) 내로의 웨이퍼(W)의 도입 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 웨이퍼(W)의 도출을 행한다. 예를 들면 캐리어 블록(4)은, 웨이퍼(W)용의 복수의 캐리어(11)를 지지 가능하며, 전달 암(A1)을 내장하고 있다. 캐리어(11)는, 예를 들면 원형의 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 전달 암(A1)은, 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(5)으로 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 되돌린다. The carrier block 4 introduces the wafer W into the coating/development apparatus 2 and leads out the wafer W from the coating/development apparatus 2. For example, the carrier block 4 can support a plurality of carriers 11 for wafers W, and incorporates a transfer arm A1. The carrier 11 accommodates a plurality of circular wafers W, for example. The transfer arm A1 takes out the wafer W from the carrier 11 and transfers it to the processing block 5, receives the wafer W from the processing block 5, and returns it into the carrier 11.

처리 블록(5)은 복수의 처리 모듈(14, 15, 16, 17)을 가진다. 도 2 및 도 3에 나타나는 바와 같이, 처리 모듈(14, 15, 16, 17)은, 복수의 액 처리 유닛(U1)과, 복수의 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 암(A3)을 내장하고 있다. 처리 모듈(17)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 거치지 않고 웨이퍼(W)를 반송하는 직접 반송 암(A6)을 더 내장하고 있다. 액 처리 유닛(U1)은, 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 예를 들면 열판 및 냉각판을 내장하고 있으며, 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각하여 열 처리를 행한다. The processing block 5 has a plurality of processing modules 14, 15, 16, 17. As shown in Figs. 2 and 3, the processing modules 14, 15, 16, and 17 include a plurality of liquid processing units U1, a plurality of heat processing units U2, and a wafer W as these units. It has a built-in conveyance arm (A3) which conveys. The processing module 17 further incorporates a direct conveyance arm A6 that conveys the wafer W without passing through the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2. The liquid processing unit U1 applies the processing liquid to the surface of the wafer W. The heat processing unit U2 includes, for example, a hot plate and a cooling plate, heats the wafer W by the hot plate, and cools the heated wafer W by the cooling plate to perform heat treatment.

처리 모듈(14)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 처리 모듈(14)의 액 처리 유닛(U1)은, 하층막 형성용의 처리액을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 처리 모듈(14)의 열 처리 유닛(U2)은, 하층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. The processing module 14 forms a lower layer film on the surface of the wafer W by the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2. The liquid processing unit U1 of the processing module 14 applies a processing liquid for forming an underlayer film onto the wafer W. The heat treatment unit U2 of the treatment module 14 performs various heat treatments accompanying the formation of the lower layer film.

처리 모듈(15)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 처리 모듈(15)의 액 처리 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용의 처리액(도포액)을 하층막 상에 도포한다. 처리 모듈(15)의 열 처리 유닛(U2)은, 레지스트막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 처리 모듈(15)의 액 처리 유닛(U1)에 대한 상세는 후술한다. The processing module 15 forms a resist film on the lower layer film by the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2. The liquid processing unit U1 of the processing module 15 applies a processing liquid (coating liquid) for forming a resist film onto the lower layer film. The heat treatment unit U2 of the treatment module 15 performs various heat treatments accompanying the formation of a resist film. Details of the liquid processing unit U1 of the processing module 15 will be described later.

처리 모듈(16)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 처리 모듈(16)의 액 처리 유닛(U1)은, 상층막 형성용의 처리액을 레지스트막 상에 도포한다. 처리 모듈(16)의 열 처리 유닛(U2)은, 상층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. The processing module 16 forms an upper layer film on the resist film by the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2. The liquid processing unit U1 of the processing module 16 applies a processing liquid for forming an upper layer onto the resist film. The heat treatment unit U2 of the treatment module 16 performs various heat treatments accompanying the formation of the upper layer film.

처리 모듈(17)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해, 노광 후의 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(17)의 액 처리 유닛(U1)은, 노광이 끝난 웨이퍼(W)의 표면 상에 현상용의 처리액(현상액)을 도포한 후, 이를 세정용의 처리액(린스액)에 의해 씻어냄으로써, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 처리 모듈(17)의 열 처리 유닛(U2)은, 현상 처리에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 열 처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 들 수 있다. The processing module 17 performs development processing of the resist film after exposure by the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2. The liquid processing unit U1 of the processing module 17 applies a developing treatment liquid (developer) on the surface of the exposed wafer W, and then uses a cleaning treatment liquid (rinse liquid). By washing, the resist film is developed. The thermal processing unit U2 of the processing module 17 performs various thermal processing accompanying development processing. Specific examples of the heat treatment include heat treatment before development treatment (PEB: Post Exposure Bake), heat treatment after development treatment (PB: Post Bake), and the like.

처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 암(A7)이 마련되어 있다. 승강 암(A7)은, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킨다. 처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. A shelf unit U10 is provided on the carrier block 4 side in the processing block 5. The shelf unit U10 is divided into a plurality of cells arranged in the vertical direction. The lifting arm A7 is provided in the vicinity of the shelf unit U10. The lifting arm A7 raises and lowers the wafer W between the cells of the shelf unit U10. A shelf unit U11 is provided on the interface block 6 side in the processing block 5. The shelf unit U11 is divided into a plurality of cells arranged in the vertical direction.

인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 예를 들면 인터페이스 블록(6)은 전달 암(A8)을 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 전달 암(A8)은, 선반 유닛(U11)에 배치된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로 전달하고, 노광 장치(3)로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 되돌린다. The interface block 6 transfers the wafer W to and from the exposure apparatus 3. For example, the interface block 6 incorporates the transmission arm A8 and is connected to the exposure apparatus 3. The transfer arm A8 transfers the wafer W arranged on the shelf unit U11 to the exposure apparatus 3, receives the wafer W from the exposure apparatus 3, and returns it to the shelf unit U11. .

컨트롤러(100)는, 예를 들면 이하의 순서로 도포·현상 처리를 실행하도록 도포·현상 장치(2)를 제어한다. The controller 100 controls the coating/development device 2 so as to execute the coating/development processing in the following order, for example.

먼저 컨트롤러(100)는, 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 반송하도록 전달 암(A1)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다. First, the controller 100 controls the transfer arm A1 to transfer the wafer W in the carrier 11 to the shelf unit U10, and places the wafer W in the cell for the processing module 14. The lifting arm (A7) is controlled so as to be performed.

이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(14) 내의 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 하층막이 형성된 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(15)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다. Subsequently, the controller 100 controls the conveyance arm A3 to convey the wafer W of the shelf unit U10 to the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2 in the processing module 14, and this The liquid processing unit U1 and the thermal processing unit U2 are controlled to form an underlayer film on the surface of the wafer W. After that, the controller 100 controls the transfer arm A3 to return the wafer W with the lower layer film formed thereon to the shelf unit U10, and arranges the wafer W in the cell for the processing module 15. It controls the lifting arm A7.

이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(15) 내의 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 하층막 상에 레지스트막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(16)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다. Subsequently, the controller 100 controls the transfer arm A3 to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2 in the processing module 15, and this The liquid processing unit U1 and the thermal processing unit U2 are controlled to form a resist film on the lower layer film of the wafer W. After that, the controller 100 controls the transfer arm A3 so as to return the wafer W to the shelf unit U10, and the lifting arm A3 so as to place the wafer W in the cell for the processing module 16. Control A7).

이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(16) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 상층막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 처리 모듈(17)용의 셀에 배치하도록 승강 암(A7)을 제어한다. Next, the controller 100 controls the transfer arm A3 to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to each unit in the processing module 16, and deposits an upper layer film on the resist film of the wafer W. The liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2 are controlled to form. Thereafter, the controller 100 controls the transfer arm A3 to return the wafer W to the shelf unit U10, and the lifting arm () to place the wafer W in the cell for the processing module 17. Control A7).

이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U10)의 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U11)으로 반송하도록 직접 반송 암(A6)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로 보내도록 전달 암(A8)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 노광 처리가 실시된 웨이퍼(W)를 노광 장치(3)로부터 받아 선반 유닛(U11)으로 되돌리도록 전달 암(A8)을 제어한다. Subsequently, the controller 100 directly controls the transfer arm A6 to transfer the wafer W of the shelf unit U10 to the shelf unit U11, and sends the wafer W to the exposure apparatus 3. Control the delivery arm (A8). After that, the controller 100 controls the delivery arm A8 so as to receive the wafer W subjected to exposure processing from the exposure apparatus 3 and return it to the shelf unit U11.

이어서 컨트롤러(100)는, 선반 유닛(U11)의 웨이퍼(W)를 처리 모듈(17) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막에 현상 처리를 실시하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 암(A3)을 제어하고, 이 웨이퍼(W)를 캐리어(11) 내로 되돌리도록 승강 암(A7) 및 전달 암(A1)을 제어한다. 이상으로 도포·현상 처리가 완료된다. Next, the controller 100 controls the transfer arm A3 to transfer the wafer W of the shelf unit U11 to each unit in the processing module 17, and develops the resist film of the wafer W. The liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2 are controlled to perform. After that, the controller 100 controls the transfer arm A3 to return the wafer W to the shelf unit U10, and transfers the lifting arm A7 and transfer to return the wafer W into the carrier 11. Control arm (A1). In this way, the coating/development treatment is completed.

또한, 기판 처리 장치의 구체적인 구성은, 이상에 예시한 도포·현상 장치(2)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는, 피막 형성용의 액 처리 유닛(U1)(처리 모듈(14, 15, 16)의 액 처리 유닛(U1))과, 이를 제어 가능한 컨트롤러(100)를 구비하고 있으면 어떠한 것이어도 된다. In addition, the specific configuration of the substrate processing device is not limited to the configuration of the coating/developing device 2 illustrated above. The substrate processing apparatus may be any as long as it has a liquid processing unit U1 for film formation (liquid processing unit U1 of the processing modules 14, 15, 16) and a controller 100 capable of controlling the same. .

(열 처리 유닛)(Heat treatment unit)

이어서, 처리 모듈(15)의 열 처리 유닛(U2)에 대하여 도 4 ~ 도 7을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 4 ~ 도 6에 나타나는 바와 같이, 열 처리 유닛(U2)은, 하우징(90)과, 온도 조정 기구(50)와, 가열 기구(30)와, 냉각체(70)(도 5 참조)와, 탄성체(72)(도 6 참조)와, 온도 센서(80)와, 컨트롤러(100)(제어부)를 가진다. 또한 도 4 ~ 도 6에 대해서는, 모두 열 처리 유닛(U2)의 일부의 구성을 나타내는 것으로, 열 처리 유닛(U2)의 모든 구성을 나타내는 것은 아니다. Next, the heat treatment unit U2 of the treatment module 15 will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 7. 4 to 6, the heat treatment unit U2 includes a housing 90, a temperature adjustment mechanism 50, a heating mechanism 30, a cooling body 70 (see FIG. 5), and , An elastic body 72 (see Fig. 6), a temperature sensor 80, and a controller 100 (control unit). 4 to 6, all of the configurations of the heat treatment unit U2 are shown, and not all configurations of the heat treatment unit U2 are shown.

하우징(90)은, 가열 기구(30) 및 온도 조정 기구(50)를 수용하는 처리 용기이다. 하우징(90)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입구(91)가 개구되어 있다. 또한 하우징(90) 내에는, 하우징(90) 내를 웨이퍼(W)의 이동 영역인 상방 영역과, 하방 영역으로 구획하는 바닥판(92)이 마련되어 있다. The housing 90 is a processing container accommodating the heating mechanism 30 and the temperature adjustment mechanism 50. A carrying port 91 for the wafer W is opened in the side wall of the housing 90. In addition, in the housing 90, a bottom plate 92 is provided that divides the inside of the housing 90 into an upper region, which is a moving region of the wafer W, and a lower region.

온도 조정 기구(50)는, 열판(34)과 외부의 반송 암(A3)(도 3 참조)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하고(반송하고), 또한 웨이퍼(W)의 온도를 정해진 온도로 조정하는 구성이다. 온도 조정 기구(50)는 온도 조정 플레이트(51)와, 연결 브래킷(52)을 가진다. The temperature adjustment mechanism 50 transfers (transports) the wafer W between the hot plate 34 and the external transfer arm A3 (see Fig. 3), and determines the temperature of the wafer W. It is a configuration that is adjusted by temperature. The temperature adjustment mechanism 50 has a temperature adjustment plate 51 and a connection bracket 52.

온도 조정 플레이트(51)는, 배치된 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 플레이트이며, 상세하게는, 가열 기구(30)의 열판(34)에 의해 가열된 웨이퍼(W)를 배치하고 이 웨이퍼(W)를 정해진 온도로 냉각하는 쿨 플레이트이다. 본 실시 형태에서는, 온도 조정 플레이트(51)는 대략 원반 형상으로 형성되어 있다. 온도 조정 플레이트(51)는, 예를 들면 열 전도율이 높은 알루미늄, 은 또는 구리 등의 금속에 의해 구성되어 있으며, 열에 의한 변형을 방지하는 관점 등으로부터 동일한 재료로 구성되어 있어도 된다. 온도 조정 플레이트(51)의 내부에는 냉각수 및(또는) 냉각 기체를 유통시키기 위한 냉각 유로(미도시)가 형성되어 있다. The temperature adjustment plate 51 is a plate that adjusts the temperature of the placed wafers W, and in detail, the wafer W heated by the hot plate 34 of the heating mechanism 30 is placed and the wafer ( It is a cool plate that cools W) to a set temperature. In this embodiment, the temperature adjustment plate 51 is formed in a substantially disk shape. The temperature control plate 51 is made of, for example, a metal such as aluminum, silver, or copper having high thermal conductivity, and may be made of the same material from the viewpoint of preventing deformation due to heat. A cooling flow path (not shown) is formed inside the temperature control plate 51 for flowing cooling water and/or cooling gas.

연결 브래킷(52)은, 온도 조정 플레이트(51)에 연결되고, 또한 컨트롤러(100)에 의해 제어되는 구동 기구(53)에 의해 구동되어, 하우징(90) 내를 이동한다. 보다 상세하게는, 연결 브래킷(52)은, 하우징(90)의 반입구(91)로부터 가열 기구(30)의 근방에까지 연장되는 가이드 레일(미도시)을 따라 이동 가능하게 되어 있다. 연결 브래킷(52)이 가이드 레일(미도시)을 따라 이동함으로써, 온도 조정 플레이트(51)가 반입구(91)로부터 가열 기구(30)까지 이동 가능하게 되어 있다. 연결 브래킷(52)은, 예를 들면 열 전도율이 높은 알루미늄, 은, 또는 구리 등의 금속에 의해 구성되어 있다. The connection bracket 52 is connected to the temperature adjustment plate 51 and is driven by a drive mechanism 53 controlled by the controller 100 to move inside the housing 90. More specifically, the connection bracket 52 is movable along a guide rail (not shown) extending from the carrying-in port 91 of the housing 90 to the vicinity of the heating mechanism 30. By moving the connecting bracket 52 along a guide rail (not shown), the temperature adjustment plate 51 is movable from the carrying inlet 91 to the heating mechanism 30. The connection bracket 52 is made of, for example, a metal such as aluminum, silver, or copper having high thermal conductivity.

가열 기구(30)는, 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 구성이다. 가열 기구(30)는 지지대(31)와, 열판(34)과, 챔버(32)(덮개체)와, 승강 기구(33)와, 지지 핀(35)과, 승강 기구(36)를 가진다. The heating mechanism 30 is configured to heat-process the wafer W. The heating mechanism 30 includes a support base 31, a hot plate 34, a chamber 32 (cover body), an elevating mechanism 33, a support pin 35, and an elevating mechanism 36.

지지대(31)는, 중앙 부분에 오목부가 형성된 원통 형상을 나타내는 부재이다. 지지대(31)는 열판(34)을 지지한다. 열판(34)은 지지대(31)의 오목부에 감합되고, 또한 처리 대상인 웨이퍼(W)를 배치 가능하게 구성되어 있으며, 배치한 웨이퍼(W)를 가열한다. 열판(34)은, 웨이퍼(W)를 가열 처리하기 위한 히터를 가지고 있다. 당해 히터는 예를 들면 저항 발열체로 구성되어 있다. The support base 31 is a member having a cylindrical shape in which a concave portion is formed in a central portion. The support 31 supports the hot plate 34. The hot plate 34 is fitted to the concave portion of the support table 31 and is configured to be capable of disposing the wafer W as a processing target, and heats the disposed wafer W. The hot plate 34 has a heater for heating the wafer W. The heater is constituted by, for example, a resistance heating element.

챔버(32)는, 열판(34)에 있어서의 웨이퍼(W)의 배치면을 둘러싸도록 배치 가능하게 구성된 덮개체이다. 챔버(32)는 천판부(32a)와, 다리부(32b)를 가지고 있다. 천판부(32a)는, 지지대(31)와 동일 정도의 직경의 원판 형상의 부분이며, 열판(34)의 배치면과 상하 방향으로 대향하도록 배치된다. 다리부(32b)는, 천판부(32a)의 외연으로부터 하방으로 연장되는 부분이다. 천판부(32a)의 상부에는 배기 덕트(37)가 접속되어 있다. 배기 덕트(37)는 챔버 내의 배기를 행한다. The chamber 32 is a lid body configured to be disposed so as to surround the mounting surface of the wafer W in the hot plate 34. The chamber 32 has a top plate portion 32a and a leg portion 32b. The top plate portion 32a is a disk-shaped portion having the same diameter as the support base 31 and is disposed so as to face the mounting surface of the hot plate 34 in the vertical direction. The leg portion 32b is a portion extending downward from the outer edge of the top plate portion 32a. The exhaust duct 37 is connected to the upper part of the top plate part 32a. The exhaust duct 37 exhausts the chamber.

승강 기구(33)는, 컨트롤러(100)의 제어에 따라 챔버(32)를 승강시키는 구성이다. 승강 기구(33)에 의해 챔버(32)가 상승됨으로써, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 공간이 열린 상태가 되고, 챔버(32)가 하강됨으로써, 가열 처리를 행하는 공간이 닫힌 상태가 된다. The elevating mechanism 33 is configured to elevate the chamber 32 under the control of the controller 100. When the chamber 32 is raised by the lifting mechanism 33, the space for heating the wafer W is opened, and when the chamber 32 is lowered, the space for the heating treatment is closed.

지지 핀(35)은, 지지대(31) 및 열판(34)을 관통하도록 연장되어 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하는 부재이다. 지지 핀(35)은, 상하 방향으로 승강함으로써, 웨이퍼(W)를 정해진 위치에 배치한다. 지지 핀(35)은, 웨이퍼(W)를 반송하는 온도 조정 플레이트(51)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 구성이다. 지지 핀(35)은, 예를 들면 둘레 방향 등간격으로 3 개 마련되어 있다. 승강 기구(36)는, 컨트롤러(100)의 제어에 따라 지지 핀(35)을 승강시키는 구성이다. 승강 기구(36)는, 열판(34)에 대하여 웨이퍼(W)를 근접시켜 열판(34)에 웨이퍼(W)가 배치되도록, 웨이퍼(W)(상세하게는 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 핀(35))를 승강 가능하게 구성되어 있다. The support pin 35 is a member that extends so as to penetrate the support base 31 and the hot plate 34 and supports the wafer W from below. The support pin 35 moves up and down in the vertical direction to arrange the wafer W at a predetermined position. The support pin 35 is configured to transfer the wafer W between the temperature control plate 51 that carries the wafer W. Three support pins 35 are provided at equal intervals in the circumferential direction, for example. The elevating mechanism 36 is a configuration in which the support pin 35 is elevated under control of the controller 100. The lifting mechanism 36 is a support pin for supporting the wafer W (in detail, the wafer W) so that the wafer W is brought close to the hot plate 34 and the wafer W is placed on the hot plate 34. It is configured to be able to lift (35)).

냉각체(70)는, 챔버(32)가 근접 또는 접촉함으로써 챔버(32)를 냉각 가능하게 구성된 부재인 냉각체(70)는, 예를 들면 챔버(32)의 천판부(32a)와 동일 정도의 직경의 원판 형상의 부재이다. 도 6에 나타나는 바와 같이, 냉각체(70)의 내부에는, 냉각용 매체(예를 들면 냉각수 및(또는) 냉각 기체)를 유통시키기 위한 냉각 유로(71)가 형성되어 있다. 도 5에 나타나는 바와 같이, 냉각체(70)는 챔버(32)의 상방에 마련되어 있고, 승강 기구(33)에 의해 상방으로 이동한 챔버(32)의 천판부(32a)의 상면과 근접 또는 접촉한다. The cooling body 70 is a member configured to cool the chamber 32 when the chamber 32 is brought close to or in contact with the cooling body 70, for example, about the same as the top plate portion 32a of the chamber 32 It is a disc-shaped member of the diameter of. As shown in FIG. 6, a cooling passage 71 for passing a cooling medium (for example, cooling water and/or cooling gas) is formed inside the cooling body 70. As shown in FIG. 5, the cooling body 70 is provided above the chamber 32, and is in close or contact with the upper surface of the top plate portion 32a of the chamber 32 moved upward by the lifting mechanism 33 do.

도 5의 (c)는, 상방으로 이동한 챔버(32)의 천판부(32a)의 상면이 냉각체(70)에 근접 또는 접촉한 상태를 나타내고 있다. 이 상태에 있어서의 챔버(32)의 위치(냉각 위치)는, 가열 처리 중에 있어서의 챔버(32)의 위치(도 5의 (a) 참조) 및 냉각을 행하지 않는 경우에 챔버(32)를 오픈했을 시의 챔버(32)의 위치(도 5의 (b) 참조) 중 어느 것과도 상이하다. 즉, 냉각체(70)는, 예를 들면 냉각을 행하지 않는 경우에 챔버(32)를 오픈했을 시의 챔버(32)의 위치(도 5의 (b) 참조)보다 상방에 배치되어 있고(도 5의 (c) 참조), 챔버(32)가 냉각 위치까지 상승한 경우에만, 천판부(32a)의 상면과 근접 또는 접촉하도록 배치되어 있다. FIG. 5C shows a state in which the upper surface of the top plate portion 32a of the chamber 32 moved upward is close to or in contact with the cooling body 70. The position of the chamber 32 in this state (cooling position) is the position of the chamber 32 during heat treatment (refer to Fig. 5(a)) and the chamber 32 is opened when cooling is not performed. It is different from any of the positions of the chamber 32 (see Fig. 5(b)) at the time of doing so. That is, the cooling body 70 is disposed above the position of the chamber 32 when the chamber 32 is opened (see Fig. 5(b)) when cooling is not performed (Fig. 5(c)), the chamber 32 is arranged so as to be in close proximity or contact with the upper surface of the top plate 32a only when the chamber 32 is raised to the cooling position.

탄성체(72)는, 도 6에 나타나는 바와 같이 냉각체(70)의 하면에 마련되고, 챔버(32) 및 냉각체(70)가 근접할 시에, 챔버(32) 및 냉각체(70)의 쌍방에 접촉하면서 챔버(32) 및 냉각체(70)의 사이에 배치되는 스프링 형상 부재이다. 탄성체(72)는, 예를 들면 냉각체(70)의 하면에 있어서 등간격으로 복수 배치되어 있다. 이와 같이 탄성체(72)가 마련되어 있는 구성에 있어서는, 챔버(32)의 천판부(32a)의 상면은 냉각체(70)에 직접 접촉하지 않고, 탄성체(72)를 개재하여 냉각체(70)에 가까워지게(근접하게) 된다. 탄성체(72)를 개재한 상태에 있어서, 챔버(32)와 냉각체(70)와의 이간 거리는, 예를 들면 0.1 mm ~ 10 mm 정도가 된다. 또한, 탄성체(72)를 이용하는 경우와 같이, 챔버(32)와 냉각체(70)를 접촉시키지 않는 구성에 있어서는, 예를 들면 헬륨 등의 열 전도율이 높은 기체를 냉각 시에 분사해도 된다. The elastic body 72 is provided on the lower surface of the cooling body 70 as shown in FIG. 6, and when the chamber 32 and the cooling body 70 are close, the chamber 32 and the cooling body 70 It is a spring-shaped member disposed between the chamber 32 and the cooling body 70 while contacting both. The elastic bodies 72 are arranged at equal intervals on the lower surface of the cooling body 70, for example. In the configuration in which the elastic body 72 is provided in this way, the upper surface of the top plate portion 32a of the chamber 32 does not directly contact the cooling body 70, but the cooling body 70 through the elastic body 72. It becomes closer (closer). In the state where the elastic body 72 is interposed, the separation distance between the chamber 32 and the cooling body 70 is, for example, about 0.1 mm to 10 mm. Further, in a configuration in which the chamber 32 and the cooling body 70 are not brought into contact, as in the case of using the elastic body 72, a gas having high thermal conductivity, such as helium, may be injected during cooling.

온도 센서(80)는, 챔버(32)의 천판부(32a)에 마련되어, 챔버(32)에 있어서의 온도를 측정하는 센서이다. 온도 센서(80)는, 천판부(32a)에 복수 마련되어 있어도 되고, 1 개만 마련되어 있어도 된다. 온도 센서(80)는 측정한 챔버(32)의 온도를 컨트롤러(100)에 출력한다. The temperature sensor 80 is a sensor that is provided on the top plate portion 32a of the chamber 32 and measures the temperature in the chamber 32. A plurality of temperature sensors 80 may be provided on the top plate portion 32a, or only one may be provided. The temperature sensor 80 outputs the measured temperature of the chamber 32 to the controller 100.

컨트롤러(100)는, 도 4에 나타나는 바와 같이 기능 모듈로서, 챔버 개폐 제어부(101)와, 지지 핀 승강 제어부(102)와, 플레이트 이동 제어부(103)를 가진다. As shown in FIG. 4, the controller 100 includes a chamber opening/closing control unit 101, a support pin lifting control unit 102, and a plate movement control unit 103 as a functional module.

챔버 개폐 제어부(101)는 챔버(32)가 개폐하도록, 승강 기구(33)를 제어한다. 챔버 개폐 제어부(101)는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 가열 처리가 종료된 타이밍에 있어서, 웨이퍼(W)의 가열 처리 온도가 차회 처리하는 처리 로트의 가열 처리 온도보다 높은지 여부를 판정한다. 챔버 개폐 제어부(101)는, 높다고 판정한 경우에 있어서, 챔버(32)가 냉각체(70)에 근접 또는 접촉하도록, 승강 기구(33)를 제어한다. The chamber opening/closing control unit 101 controls the lifting mechanism 33 to open and close the chamber 32. The chamber opening/closing control unit 101 determines whether or not the heat treatment temperature of the wafer W is higher than the heat treatment temperature of the next treatment lot at the timing when the heat treatment of the wafer W is finished, for example. The chamber opening/closing control unit 101 controls the lifting mechanism 33 so that the chamber 32 approaches or contacts the cooling body 70 when it is determined to be high.

챔버 개폐 제어부(101)는, 챔버(32)를 냉각체(70)에 근접 또는 접촉시킬 시에는, 열판(34)에 의한 가열 처리 종료 시에 있어서 챔버(32)를 오픈(상승)시킬 시의 통상의 상승 위치(도 5의 (b) 참조)와는 상이한 냉각 위치(도 5의 (c) 참조)로, 챔버(32)를 이동시키도록, 승강 기구(33)를 제어한다. 구체적으로, 챔버 개폐 제어부(101)는, 챔버(32)를 냉각체(70)에 근접 또는 접촉시킬 시에는, 통상의 상승 위치보다 상방의 냉각 위치로 챔버(32)를 이동시키도록, 승강 기구(33)를 제어한다. When the chamber 32 is brought close to or in contact with the cooling body 70, the chamber opening/closing control unit 101 opens (raises) the chamber 32 at the end of the heat treatment by the hot plate 34. The lifting mechanism 33 is controlled so as to move the chamber 32 to a cooling position different from the normal lifting position (see FIG. 5(b)) (see FIG. 5(c)). Specifically, when the chamber 32 is brought close to or in contact with the cooling body 70, the chamber opening/closing control unit 101 moves the chamber 32 to a cooling position above the normal elevation position. Control (33).

챔버 개폐 제어부(101)는, 냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각이 개시된 후에 있어서, 온도 센서(80)로부터 챔버(32)의 온도를 취득하고, 이 온도에 기초하여, 냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각을 종료할지 여부를 판정한다. 챔버 개폐 제어부(101)는, 예를 들면 온도가 미리 정해진 목표 온도(혹은, 목표 온도대)에 달하고 있는 경우에, 냉각을 종료한다고 판정해도 된다. 또한 이러한 목표 온도는, 열판(34)의 온도에 대한 챔버(32)의 온도의 관계식을 미리 취득해 둠으로써, 용이하게 설정할 수 있다. 챔버 개폐 제어부(101)는 냉각을 종료한다고 판정한 경우에, 챔버(32)가 냉각체(70)로부터 이간되도록 승강 기구(33)를 제어한다. 챔버 개폐 제어부(101)는, 냉각을 종료한다고 판정한 경우에는, 예를 들면 챔버(32)를 냉각 위치(도 5의 (c) 참조)로부터 통상의 상승 위치(도 5의 (b) 참조)로 하강시키도록, 승강 기구(33)를 제어한다. 또한 챔버 개폐 제어부(101)는, 온도 센서(80)의 측정값을 이용하지 않고, 미리 정해진 시간만큼 냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각을 행하는 것으로 해도 된다. After the cooling of the chamber 32 by the cooling body 70 is started, the chamber opening/closing control unit 101 acquires the temperature of the chamber 32 from the temperature sensor 80, and based on this temperature, the cooling body It is determined whether or not cooling of the chamber 32 by 70 is to be finished. The chamber opening/closing control unit 101 may determine that cooling is terminated, for example, when the temperature reaches a predetermined target temperature (or target temperature range). Further, such a target temperature can be easily set by obtaining a relational expression of the temperature of the chamber 32 with respect to the temperature of the hot plate 34 in advance. The chamber opening/closing control unit 101 controls the lifting mechanism 33 so that the chamber 32 is separated from the cooling body 70 when it is determined that cooling is ended. When the chamber opening/closing control unit 101 determines that cooling is ended, for example, the chamber 32 is moved from the cooling position (see Fig. 5(c)) to the normal rising position (see Fig. 5(b)). The elevating mechanism 33 is controlled so as to descend to the lower position. Further, the chamber opening/closing control unit 101 may cool the chamber 32 by the cooling body 70 for a predetermined time without using the measured value of the temperature sensor 80.

지지 핀 승강 제어부(102)는, 지지 핀(35)의 승강에 의해 온도 조정 플레이트(51)와 지지 핀(35)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록, 승강 기구(36)를 제어한다. 또한 지지 핀 승강 제어부(102)는, 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 핀(35)이 강하하여 지지 핀(35)으로부터 열판(34)에 웨이퍼(W)가 배치되도록, 승강 기구(36)를 제어한다. The support pin elevating control unit 102 provides the elevating mechanism 36 so that the wafer W is transferred between the temperature adjustment plate 51 and the support pin 35 by raising and lowering the support pin 35. Control. In addition, the support pin lifting control unit 102 includes the lifting mechanism 36 so that the support pin 35 supporting the wafer W descends and the wafer W is disposed on the hot plate 34 from the support pin 35. Control.

플레이트 이동 제어부(103)는, 온도 조정 플레이트(51)가 하우징(90) 내를 이동하도록, 구동 기구(53)를 제어한다. The plate movement control unit 103 controls the drive mechanism 53 so that the temperature adjustment plate 51 moves inside the housing 90.

컨트롤러(100)는, 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들면 컨트롤러(100)는, 도 13에 나타내는 회로(120)를 가진다. 회로(120)는 하나 또는 복수의 프로세서(121)와, 메모리(122)와, 스토리지(123)와, 입출력 포트(124)와, 타이머(125)를 가진다. The controller 100 is configured by one or more control computers. For example, the controller 100 has a circuit 120 shown in FIG. 13. The circuit 120 includes one or more processors 121, a memory 122, a storage 123, an input/output port 124, and a timer 125.

입출력 포트(124)는 승강 기구(33), 승강 기구(36), 구동 기구(53) 및 온도 센서(80)와의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(125)는, 예를 들면 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다. 스토리지(123)는, 예를 들면 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체를 가진다. 기록 매체는, 후술하는 기판 처리 순서를 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 기록 매체는, 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(122)는, 스토리지(123)의 기록 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(121)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기록한다. 프로세서(121)는 메모리(122)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. The input/output port 124 inputs and outputs an electric signal between the lifting mechanism 33, the lifting mechanism 36, the drive mechanism 53, and the temperature sensor 80. The timer 125 measures the elapsed time, for example, by counting a reference pulse of a fixed period. The storage 123 has a recording medium readable by a computer, such as a hard disk, for example. The recording medium records a program for executing a substrate processing procedure described later. The recording medium may be a removable medium such as a nonvolatile semiconductor memory, a magnetic disk, and an optical disk. The memory 122 temporarily records a program loaded from a recording medium of the storage 123 and an operation result by the processor 121. The processor 121 cooperates with the memory 122 to execute the program, thereby configuring each of the above-described functional modules.

또한, 컨트롤러(100)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 컨트롤러(100)의 각 기능 모듈은, 전용의 논리 회로 또는 이를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다. In addition, the hardware configuration of the controller 100 is not necessarily limited to configuring each function module by a program. For example, each functional module of the controller 100 may be constituted by a dedicated logic circuit or an application specific integrated circuit (ASIC) incorporating the same.

<챔버 냉각 처리 순서><Chamber cooling procedure>

이어서, 기판 처리 방법의 일례로서, 컨트롤러(100)의 제어에 따라 열 처리 유닛(U2)이 실행하는 챔버 냉각 처리 순서를, 도 8을 참조하여 설명한다. Next, as an example of the substrate processing method, a procedure of the chamber cooling processing performed by the thermal processing unit U2 under the control of the controller 100 will be described with reference to FIG. 8.

도 8의 순서도는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 가열 처리가 종료된 시점으로부터 개시되는, 챔버 냉각 처리 순서를 나타내고 있다. 도 8에 나타나는 바와 같이, 먼저 컨트롤러(100)는, 웨이퍼(W)의 가열 처리 온도가, 차회 처리하는 처리 로트의 가열 처리 온도보다 높은지 여부를 판정한다(단계(S1)). S1에 있어서 높지 않다고 판정한 경우에는, 처리가 종료된다. 한편, S1에 있어서 높다고 판정한 경우, 즉, 열판(34)의 설정 온도를 낮추고 또한 챔버(32)의 온도를 낮출 필요가 있다고 판정한 경우에는, 컨트롤러(100)는, 냉각 위치(챔버(32)가 냉각체(70)에 근접 또는 접촉하는 위치)까지 챔버를 상승시키도록, 승강 기구(33)를 제어한다(단계(S2)). 이에 의해, 냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각이 개시된다. The flowchart of FIG. 8 shows the procedure of the chamber cooling process starting from the time when the heating process of the wafer W is finished, for example. As shown in Fig. 8, first, the controller 100 determines whether or not the heat treatment temperature of the wafer W is higher than the heat treatment temperature of the treatment lot to be processed next (step S1). If it is determined that it is not high in S1, the process is ended. On the other hand, when it is determined that it is high in S1, that is, when it is determined that it is necessary to lower the set temperature of the hot plate 34 and lower the temperature of the chamber 32, the controller 100 is at a cooling position (chamber 32 The lifting mechanism 33 is controlled so that) raises the chamber to a position close to or in contact with the cooling body 70) (step S2). Thereby, cooling of the chamber 32 by the cooling body 70 is started.

이어서, 컨트롤러(100)는, 온도 센서(80)로부터 챔버(32)의 온도를 취득하고, 냉각체(70)에 의한 냉각에 의해 챔버(32)가 목표 온도에 도달하고 있는지(냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각을 종료할지) 여부를 판정한다(단계(S3)). S3에 있어서 도달하지 않았다고 판정한 경우에는, 정해진 시간 경과 후에 재차 단계(S3)의 판정을 행한다. 한편, S3에 있어서 도달하고 있다고 판정한 경우에는, 챔버(32)가 냉각체(70)로부터 이간되어 하방으로 이동하도록, 승강 기구(33)를 제어한다(단계(S4)). 이상이, 냉각 처리 순서이다. Next, the controller 100 acquires the temperature of the chamber 32 from the temperature sensor 80, and whether the chamber 32 reaches the target temperature by cooling by the cooling body 70 (cooling body 70 It is determined whether or not the cooling of the chamber 32 by) is terminated (step S3). When it is determined that it has not reached in S3, the determination of step S3 is again performed after the lapse of a predetermined time. On the other hand, when it is determined that it has reached in S3, the lifting mechanism 33 is controlled so that the chamber 32 is separated from the cooling body 70 and moves downward (step S4). The above is the cooling process procedure.

<작용 효과><action effect>

본 실시 형태에 따른 열 처리 유닛(U2)은, 처리 대상의 웨이퍼(W)를 배치하여 가열하는 열판(34)과, 열판(34)에 있어서의 웨이퍼(W)의 배치면을 둘러싸도록 배치 가능하게 구성된 챔버(32)와, 챔버(32)를 승강 가능하게 구성된 승강 기구(33)와, 챔버(32)가 근접 또는 접촉함으로써 챔버(32)를 냉각 가능하게 구성된 냉각체(70)를 구비한다. The heat processing unit U2 according to the present embodiment can be arranged so as to surround a heating plate 34 that arranges and heats the wafer W to be processed, and the arrangement surface of the wafer W in the heating plate 34 A chamber 32 configured to be configured, a lifting mechanism 33 configured to be able to lift the chamber 32, and a cooling body 70 configured to cool the chamber 32 when the chamber 32 approaches or contacts. .

본 실시 형태의 열 처리 유닛(U2)에서는, 열판(34)을 둘러싸는 챔버(32)가 승강 기구(33)에 의해 승강 가능하게 되어 있고, 챔버(32)가 냉각체(70)에 근접 또는 접촉함으로써 챔버(32)를 냉각 가능하게 되어 있다. 이와 같이, 챔버(32)를 움직이는 구성(승강 기구(33))을 마련하고, 또한 단지 근접 또는 접촉함으로써 챔버(32)를 냉각하는 구성(냉각체(70))을 마련함으로써, 간이한 구성에 의해 챔버(32)를 냉각하는 것이 가능해진다. 이로써, 간이한 구성에 의해 챔버(32)의 강온 시간을 단축할 수 있다. 또한 열 처리 유닛(U2)에서는, 기판 처리 후뿐 아니라, 메인터넌스 시에 있어서도 챔버(32)의 강온 시간을 단축하여, 메인터넌스에 걸리는 시간을 단축할 수 있다. In the heat treatment unit U2 of the present embodiment, the chamber 32 surrounding the hot plate 34 can be lifted and lowered by the elevating mechanism 33, and the chamber 32 is close to the cooling body 70 or By contacting, the chamber 32 can be cooled. In this way, by providing a configuration (elevating mechanism 33) to move the chamber 32, and providing a configuration (cooling body 70) that cools the chamber 32 by simply approaching or contacting it, a simple configuration can be achieved. This makes it possible to cool the chamber 32. Thereby, the temperature-fall time of the chamber 32 can be shortened by a simple configuration. In addition, in the heat processing unit U2, not only after the substrate treatment but also during maintenance, the temperature-fall time of the chamber 32 can be shortened, and the time required for maintenance can be shortened.

냉각체(70)는, 챔버(32)의 상방에 마련되어 있으며, 승강 기구(33)에 의해 상방으로 이동한 챔버(32)의 상면과 근접 또는 접촉한다. 이에 의해, 가열 처리 후에 챔버(32)를 오픈할(상방으로 이동시킬) 시에 냉각체(70)에 의해 적절히 챔버(32)를 냉각할 수 있다. The cooling body 70 is provided above the chamber 32 and is in close contact with or comes into contact with the upper surface of the chamber 32 which has been moved upward by the elevating mechanism 33. Thereby, when the chamber 32 is opened (moved upward) after the heat treatment, the chamber 32 can be appropriately cooled by the cooling body 70.

상술한 열 처리 유닛(U2)은, 냉각체(70)의 하면에 마련되어, 챔버(32) 및 냉각체(70)가 근접할 시에, 챔버(32) 및 냉각체(70)의 쌍방에 접촉하면서 챔버(32) 및 냉각체(70)의 사이에 배치되는 탄성체(72)를 더 구비한다. 이러한 탄성체(72)가 마련됨으로써, 챔버(32)가 냉각체(70)에 근접할 시에는 챔버(32)와 냉각체(70)와의 사이에 탄성체(72)가 개재되어, 챔버(32)를 냉각체(70)에 대하여 대략 평행으로 근접시키기 쉬워진다. 이에 의해, 챔버(32)의 전체를 균일적으로 냉각할 수 있다. The above-described heat treatment unit (U2) is provided on the lower surface of the cooling body (70), and when the chamber 32 and the cooling body 70 are in close proximity, they come into contact with both the chamber 32 and the cooling body 70. While further comprising an elastic body 72 disposed between the chamber 32 and the cooling body 70. By providing such an elastic body 72, when the chamber 32 is close to the cooling body 70, the elastic body 72 is interposed between the chamber 32 and the cooling body 70, thereby forming the chamber 32. It becomes easy to approach the cooling body 70 substantially in parallel. Thereby, the entire chamber 32 can be cooled uniformly.

상술한 열 처리 유닛(U2)은, 웨이퍼(W)의 가열 처리 온도가, 차회 처리하는 처리 로트의 가열 처리 온도보다 높은지 여부를 판정하는 것과, 높다고 판정한 경우에 챔버(32)가 냉각체(70)에 근접 또는 접촉하도록 승강 기구(33)를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 컨트롤러(100)를 더 구비한다. 이에 의해, 열판(34)의 설정 온도를 낮출 필요가 있으며 이에 수반하여 챔버(32)를 냉각하고자 하는 경우에 있어서, 냉각체(70)에 의해 적절히 챔버(32)를 냉각할 수 있다. The heat treatment unit U2 described above determines whether or not the heat treatment temperature of the wafer W is higher than the heat treatment temperature of the treatment lot to be processed next, and when it is determined to be high, the chamber 32 is It further comprises a controller 100 configured to execute controlling the lifting mechanism 33 so as to be in proximity or contact with 70). Accordingly, when it is necessary to lower the set temperature of the hot plate 34 and to cool the chamber 32 accompanying this, the chamber 32 can be appropriately cooled by the cooling body 70.

컨트롤러(100)는, 챔버(32)를 냉각체(70)에 근접 또는 접촉시킬 시에는, 열판(34)에 의한 가열 처리 종료 시에 있어서 챔버(32)를 상승시킬 시의 통상의 상승 위치와는 상이한 냉각 위치로, 챔버(32)를 이동시키도록, 승강 기구(33)를 제어한다. 이와 같이, 가열 처리 후의 통상의 오픈 시의 위치(상승 위치)와는 상이한 냉각 위치를 설정함으로써, 간이한 제어에 의해, 통상의 오픈과 냉각 시의 이동을 전환할 수 있다. When the chamber 32 is brought close to or in contact with the cooling body 70, the controller 100 has a normal elevation position when the chamber 32 is raised at the end of the heat treatment by the hot plate 34 Controls the elevating mechanism 33 to move the chamber 32 to a different cooling position. In this way, by setting the cooling position different from the normal opening position (raising position) after heat treatment, the movement during normal opening and cooling can be switched by simple control.

챔버(32)의 온도를 측정하는 온도 센서(80)를 더 구비하고, 컨트롤러(100)는, 온도 센서(80)에 의해 측정된 챔버(32)의 온도에 기초하여, 냉각체(70)에 의한 챔버(32)의 냉각을 종료할지 여부를 판정하는 것과, 종료한다고 판정한 경우에 챔버(32)가 냉각체(70)로부터 이간되도록 승강 기구(33)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있다. 이와 같이 제어함으로써, 챔버(32)를 확실히 냉각 목표 온도에 도달시킬 수 있고, 또한 냉각 완료 후에 있어서 바로 냉각 처리를 종료할 수 있다. Further provided with a temperature sensor 80 for measuring the temperature of the chamber 32, the controller 100, based on the temperature of the chamber 32 measured by the temperature sensor 80, the cooling body 70 It is configured to determine whether or not to end the cooling of the chamber 32 by the method, and to control the lifting mechanism 33 so that the chamber 32 is separated from the cooling body 70 when it is determined to be terminated. . By controlling in this way, the chamber 32 can surely reach the cooling target temperature, and the cooling process can be terminated immediately after the cooling is completed.

[제 2 실시 형태][Second Embodiment]

이하, 제 2 실시 형태에 대하여 도 9를 참조하여 설명한다. 또한 제 2 실시 형태의 설명에 있어서는, 제 1 실시 형태와 상이한 점에 대하여 주로 설명하고, 동일한 설명을 생략한다. Hereinafter, a second embodiment will be described with reference to FIG. 9. In addition, in the description of the second embodiment, points different from the first embodiment are mainly described, and the same description is omitted.

도 9에 나타나는 열 처리 유닛에서는, 복수의 가열 처리 모듈(300)(예를 들면, 도 9 중에 나타낸 가열 처리 모듈(300a, 300b))이 상하로 다단 배치되어 있다. 가열 처리 모듈(300)이란, 상술한 열판(34), 챔버(32) 및 승강 기구(33)를 포함하는 가열 기구(30)와, 냉각체로서 작용하는 저벽부(270)를 적어도 가지는 구성이다. In the heat treatment unit shown in Fig. 9, a plurality of heat treatment modules 300 (for example, heat treatment modules 300a and 300b shown in Fig. 9) are arranged in a multistage vertically. The heat treatment module 300 is a configuration having at least a heating mechanism 30 including the above-described hot plate 34, the chamber 32, and the lifting mechanism 33, and a bottom wall portion 270 acting as a cooling body. .

저벽부(270)는, 열판(34)을 지지하는 지지대(31)(도 4 참조)를 배치하는 부분이며, 가열 처리 모듈(300)에 있어서 최하단에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 저벽부(270)를 냉각체(상세하게는, 하단의 가열 처리 모듈에 있어서의 냉각체)로서 이용하고 있다. 저벽부(270)는, 열판(34)의 설정 온도로서 상정되는 온도보다 항상 낮은 온도를 유지할 수 있는 것이면 된다. 저벽부(270)는, 열판(34)보다 하방에 위치하고 또한 열판(34)으로부터 이간되어 있기 때문에, 낮은 온도를 유지하기 쉬워져 있다. 또한, 저벽부(270)는 제 1 실시 형태의 냉각체와 마찬가지로, 냉각용 매체를 유통시키는 냉각 유로를 가지는 것이어도 된다. The bottom wall portion 270 is a portion in which a support base 31 (see FIG. 4) for supporting the hot plate 34 is disposed, and is disposed at the lowermost end of the heat treatment module 300. In the present embodiment, the bottom wall portion 270 is used as a cooling body (in detail, a cooling body in a lower heat treatment module). The bottom wall portion 270 may be one capable of always maintaining a temperature lower than a temperature assumed as a set temperature of the hot plate 34. Since the bottom wall portion 270 is located below the hot plate 34 and separated from the hot plate 34, it is easy to maintain a low temperature. Further, the bottom wall portion 270 may have a cooling passage through which a cooling medium flows, similarly to the cooling body of the first embodiment.

도 9에 나타나는 바와 같이, 상단의 가열 처리 모듈(300a)과 하단의 가열 처리 모듈(300b)이 상하로 다단 배치된 구성에 있어서, 하단의 가열 처리 모듈(300b)에 있어서의 냉각체는, 상단의 가열 처리 모듈(300a)에 있어서의 저벽부(270)를 포함하여 구성되어 있다. 이러한 구성에 있어서도, 제 1 실시 형태와 마찬가지로, 챔버(32)가 상방으로 이동하도록, 컨트롤러(100)가 승강 기구(33)를 제어함으로써, 하단의 가열 처리 모듈(300b)의 챔버(32)를, 상단의 가열 처리 모듈(300a)의 저벽부(270)(하단의 가열 처리 모듈(300b)에 있어서의 냉각체)에 근접 또는 접촉시킬 수 있다. As shown in Fig. 9, in the configuration in which the upper heat treatment module 300a and the lower heat treatment module 300b are arranged in multiple stages up and down, the cooling body in the lower heat treatment module 300b is It is comprised including the bottom wall part 270 in the heat processing module 300a of. In such a configuration as well as in the first embodiment, the controller 100 controls the lifting mechanism 33 so that the chamber 32 moves upward, so that the chamber 32 of the lower heat treatment module 300b is , It can be brought into close proximity or contact with the bottom wall portion 270 of the upper heat treatment module 300a (a cooling body in the lower heat treatment module 300b).

이와 같이, 상단의 가열 처리 모듈(300a)의 저벽부(270)가, 하단의 가열 처리 모듈(300b)에 있어서의 냉각체로서 기능함으로써, 가열 처리 모듈이 상하로 다단 배치된 구성에 있어서, 종래부터 마련되어 있는 저벽부(270)를 이용하여 챔버(32)의 냉각을 행할 수 있어, 별도 냉각체를 마련할 필요가 없으므로, 보다 간이한 구성에 의해 챔버(32)의 냉각을 실현할 수 있다. 또한, 가장 상단의 가열 처리 모듈(예를 들면 가열 처리 모듈(300a))에 대해서는, 그것보다 상단의 가열 처리 모듈이 없고, 냉각체로서 이용하는 저벽부(270)가 존재하지 않기 때문에, 이 가장 상단의 가열 처리 모듈(300a)용의 냉각체로서, 상방에 냉각체(170)(도 9 참조)를 마련해도 된다. In this way, the bottom wall portion 270 of the upper heat treatment module 300a functions as a cooling body in the lower heat treatment module 300b, so that in the configuration in which the heat treatment module is arranged vertically in multiple stages, conventionally Since it is possible to cool the chamber 32 by using the bottom wall portion 270 provided therefrom, it is not necessary to provide a separate cooling body, and thus the cooling of the chamber 32 can be realized by a simpler configuration. In addition, for the uppermost heat treatment module (for example, the heat treatment module 300a), there is no heat treatment module higher than that, and the bottom wall portion 270 used as a cooling body does not exist. As a cooling body for the heat treatment module 300a of, a cooling body 170 (see FIG. 9) may be provided above.

[제 3 실시 형태][Third Embodiment]

이하, 제 3 실시 형태에 대하여 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다. 또한, 제 3 실시 형태의 설명에 있어서는, 제 1 실시 형태 및 제 2 실시 형태와 상이한 점에 대하여 주로 설명하며, 동일한 설명을 생략한다. Hereinafter, a third embodiment will be described with reference to FIGS. 10 and 11. In addition, in the description of the third embodiment, points different from the first embodiment and the second embodiment are mainly described, and the same description is omitted.

도 10에 나타나는 열 처리 유닛에서는, 열판(34)과 외부의 반송 암(A3)(도 3 참조)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하고, 또한 웨이퍼(W)의 온도를 정해진 온도로 조정하는 온도 조정 플레이트(351)(쿨 플레이트)가, 챔버(32)를 냉각하는 냉각체로서도 기능한다. 온도 조정 플레이트(351)는, 챔버(32)의 다리부(32b)의 하단부와 근접 또는 접촉함으로써, 챔버(32)를 냉각한다(도 10 참조). 온도 조정 플레이트(351)에는, 도 11에 나타나는 바와 같이, 냉각용 매체를 유통시키는 냉각 유로(352)가 형성되어 있다. In the heat treatment unit shown in FIG. 10, the wafer W is transferred between the hot plate 34 and the external transfer arm A3 (see FIG. 3), and the temperature of the wafer W is adjusted to a predetermined temperature. The temperature adjustment plate 351 (cool plate) to be used also functions as a cooling body for cooling the chamber 32. The temperature adjustment plate 351 cools the chamber 32 by coming close to or in contact with the lower end of the leg portion 32b of the chamber 32 (see Fig. 10). The temperature adjustment plate 351 is provided with a cooling flow path 352 through which the cooling medium flows, as shown in FIG. 11.

온도 조정 플레이트(351)는, 가열 처리 중에 있어서는 도 10의 (a)에 나타나는 바와 같이 열판(34)으로부터 먼 위치에서 대기하고 있다. 그리고, 가열 처리가 완료되면, 도 10의 (b)에 나타나는 바와 같이 챔버(32)가 오픈되고, 온도 조정 플레이트(351)는, 웨이퍼(W)를 반송하기 위하여, 열판(34) 상에 배치된다. 이 상태에 있어서, 통상은, 온도 조정 플레이트(351)는 웨이퍼(W)의 전달만을 행하지만, 본 실시 형태에서는, 도 10의 (c)에 나타나는 바와 같이, 온도 조정 플레이트(351)의 상면에 챔버(32)의 다리부(32b)의 하단이 근접 또는 접촉되어, 챔버(32)의 냉각이 행해진다. The temperature control plate 351 is waiting at a position far from the hot plate 34 as shown in FIG. 10A during heat treatment. Then, when the heat treatment is completed, the chamber 32 is opened as shown in FIG. 10B, and the temperature adjustment plate 351 is disposed on the hot plate 34 to transport the wafer W. do. In this state, normally, the temperature adjustment plate 351 only transfers the wafer W, but in this embodiment, as shown in Fig. 10C, the temperature adjustment plate 351 is The lower end of the leg portion 32b of the chamber 32 is brought close to or in contact with each other, and the chamber 32 is cooled.

도 11에 나타나는 바와 같이, 탄성체(400)가 온도 조정 플레이트(351)의 상면에 마련되어 있어도 된다. 탄성체(400)는 챔버(32) 및 온도 조정 플레이트(351)가 근접할 시에, 챔버(32) 및 온도 조정 플레이트(351)의 쌍방에 접촉하면서 챔버(32) 및 온도 조정 플레이트(351)의 사이에 배치되는 스프링 형상 부재이다. As shown in FIG. 11, the elastic body 400 may be provided on the upper surface of the temperature adjustment plate 351. The elastic body 400 is in contact with both the chamber 32 and the temperature adjustment plate 351 when the chamber 32 and the temperature adjustment plate 351 are close to each other, while the chamber 32 and the temperature adjustment plate 351 are It is a spring-shaped member disposed between.

이와 같이, 웨이퍼(W)를 운반하고 또한 냉각 등 하기 위하여 종래부터 마련되어 있는 온도 조정 플레이트(351)를 이용하여 챔버(32)의 냉각을 행함으로써, 보다 간이한 구성에 의해 챔버(32)의 냉각을 실현할 수 있다. In this way, the chamber 32 is cooled by using the conventionally prepared temperature control plate 351 to transport and cool the wafer W, thereby cooling the chamber 32 through a simpler configuration. Can be realized.

이상, 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 승강 기구(33)에 의해 챔버(32)를 냉각체(70)에 근접 또는 접촉시키는 것으로서 설명했지만, 이에 더하여, 냉각체(70)를 승강 가능하게 구성된 냉각체 승강부를 더 구비하고 있어도 된다. 이에 의해, 냉각체(70)를 움직이는 것이 가능해져, 보다 간이하게 챔버(32)의 냉각을 실현할 수 있다. 또한 일태양으로서, 냉각체(70)에 마련된 탄성체(72)를 설명했지만, 탄성체는 챔버(32)에 마련되어 있어도 된다.As mentioned above, although the embodiment has been described, the present disclosure is not limited to the above embodiment. For example, it was described as bringing the chamber 32 close to or in contact with the cooling body 70 by the lifting mechanism 33, but in addition to this, a cooling body lifting part configured to be able to lift the cooling body 70 is further provided. You may have it. Thereby, it becomes possible to move the cooling body 70, and the cooling of the chamber 32 can be realized more simply. In addition, as an embodiment, the elastic body 72 provided in the cooling body 70 has been described, but the elastic body may be provided in the chamber 32.

2 : 도포·현상 장치(기판 처리 장치)
32 : 챔버(덮개체)
33 : 승강 기구
34 : 열판
351 : 온도 조정 플레이트
70 : 냉각체
72, 400 : 탄성체
80 : 온도 센서
100 : 컨트롤러(제어부)
270 : 저벽부
300 : 가열 처리 모듈
W : 웨이퍼(기판)2: Coating and developing device (substrate processing device)
32: chamber (cover body)
33: lifting mechanism
34: hot plate
351: temperature control plate
70: cooling body
72, 400: elastic body
80: temperature sensor
100: controller (control unit)
270: bottom wall
300: heat treatment module
W: Wafer (substrate)

Claims (9)

처리 대상인 기판을 배치하여 가열하는 열판과,
상기 열판에 있어서의 상기 기판의 배치면을 둘러싸도록 배치 가능하게 구성된 덮개체와,
상기 덮개체를 승강 가능하게 구성된 승강 기구와,
상기 덮개체가 근접 또는 접촉함으로써 상기 덮개체를 냉각 가능하게 구성된 냉각체를 구비하는, 기판 처리 장치. A hot plate for placing and heating a substrate to be processed;
A lid body configured to be disposed so as to surround the mounting surface of the substrate in the hot plate;
An elevating mechanism configured to elevate the cover body;
A substrate processing apparatus comprising a cooling body configured to cool the lid body by the lid body being brought close to or in contact with each other. 제 1 항에 있어서,
상기 냉각체는 상기 덮개체의 상방에 마련되어 있으며, 상기 승강 기구에 의해 상방으로 이동한 상기 덮개체의 상면과 근접 또는 접촉하는, 기판 처리 장치. The method of claim 1,
The cooling body is provided above the lid body, and is in close proximity or contact with an upper surface of the lid body that has been moved upward by the elevating mechanism. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 냉각체는,
상기 열판과 외부의 반송 암과의 사이에서 상기 기판을 전달하고, 또한 상기 기판의 온도를 정해진 온도로 조정하는 온도 조정 플레이트를 포함하여 구성되어 있고,
상기 온도 조정 플레이트는 상기 덮개체의 하단부와 근접 또는 접촉하는, 기판 처리 장치. The method according to claim 1 or 2,
The cooling body,
And a temperature adjustment plate for transferring the substrate between the hot plate and an external transfer arm and adjusting the temperature of the substrate to a predetermined temperature,
The temperature control plate is a substrate processing apparatus in close proximity or contact with the lower end of the cover body. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열판을 지지하는 지지부를 배치하는 저벽부를 더 구비하고,
상기 열판, 상기 덮개체, 상기 승강 기구 및 상기 저벽부를 가지는 가열 처리 모듈이 상하로 다단 배치되어 있고,
하단의 상기 가열 처리 모듈에 있어서의 상기 냉각체는, 상단의 상기 가열 처리 모듈에 있어서의 상기 저벽부를 포함하여 구성되어 있는, 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 3,
Further comprising a bottom wall portion for disposing a support portion for supporting the hot plate,
A heat treatment module having the hot plate, the cover body, the lifting mechanism, and the bottom wall portion is arranged in multiple stages up and down,
The substrate processing apparatus, wherein the cooling body in the lower heat treatment module includes the bottom wall portion in the upper heat treatment module. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 냉각체를 승강 가능하게 구성된 냉각체 승강부를 더 구비하는, 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 4,
A substrate processing apparatus further comprising a cooling body lifting unit configured to be able to lift the cooling body. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 덮개체 및 상기 냉각체 중 적어도 어느 일방에 마련되고, 상기 덮개체 및 상기 냉각체가 근접할 시에, 상기 덮개체 및 상기 냉각체의 쌍방에 접촉하면서 상기 덮개체 및 상기 냉각체의 사이에 배치되는 탄성체를 더 구비하는, 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 5,
It is provided in at least one of the lid body and the cooling body, and when the lid body and the cooling body are close together, the lid body and the cooling body are disposed between the lid body and the cooling body while contacting both of the lid body and the cooling body The substrate processing apparatus further comprising an elastic body to be formed. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 가열 처리 온도가 차회 처리하는 처리 로트의 가열 처리 온도보다 높은지 여부를 판정하는 것과, 높다고 판정한 경우에 상기 덮개체가 상기 냉각체에 근접 또는 접촉하도록 상기 승강 기구를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부를 더 구비하는, 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 6,
Determining whether or not the heat treatment temperature of the substrate is higher than the heat treatment temperature of the treatment lot to be processed next, and when it is determined that it is high, controlling the lifting mechanism so that the lid body approaches or contacts the cooling body. The substrate processing apparatus further comprising a control unit. 제 7 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 덮개체를 상기 냉각체에 근접 또는 접촉시킬 시에는, 상기 열판에 의한 가열 처리 종료 시에 있어서 상기 덮개체를 상승시킬 시의 상승 위치와는 상이한 냉각 위치로 상기 덮개체를 이동시키도록 상기 승강 기구를 제어하는, 기판 처리 장치. The method of claim 7,
When the cover body is brought close to or in contact with the cooling body, the control unit moves the cover body to a cooling position different from the raised position when the cover body is raised at the end of the heat treatment by the hot plate. A substrate processing apparatus that controls the elevating mechanism so as to cause it to occur. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 덮개체의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 온도 센서에 의해 측정된 상기 덮개체의 온도에 기초하여, 상기 냉각체에 의한 상기 덮개체의 냉각을 종료할지 여부를 판정하는 것과, 종료한다고 판정한 경우에 상기 덮개체가 상기 냉각체로부터 이간되도록 상기 승강 기구를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치. The method according to claim 7 or 8,
Further comprising a temperature sensor for measuring the temperature of the cover body,
The control unit determines whether to end cooling of the lid body by the cooling body based on the temperature of the lid body measured by the temperature sensor, and when it is determined that the lid body cools the lid body A substrate processing apparatus configured to further control the lifting mechanism so as to be separated from a sieve.
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