JP2010182906A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高生産性のシステムおいて不要な時間を削減し基板の受渡し機能を有して且つ、速やかに高温の基板を所定温度に降温温調する基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハWを加熱処理する加熱処理部と、加熱処理部で加熱処理されたウエハを加熱処理部から受け取って受渡し部に載置する第１の搬送アームＡ１と、受渡し部に載置されたウエハを該受渡し部から受け取って搬送する板状のピンセット３４を有する第２の搬送アームＣと、を具備する基板処理装置において、受渡し部は、ウエハを載置する冷却面１１ｂを有する冷却プレート１１と、冷却プレートの内部に設けられ該冷却プレートを加熱処理の温度よりも低い温度に冷却するための温調水を通流させる温調流路１６と、冷却プレートの冷却面に設けられると共に、第２の搬送アームの基板保持部の平面形状よりも少し大きい相似形状で且つ、保持平面を冷却面に対して出没可能な凹部１１ａと、を備えている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＦＰＤ基板）といった基板の処理装置に関する。

半導体デバイスやＦＰＤ基板の製造プロセスの一つである基板上にレジストパターンを形成する工程は、基板例えば半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いてこのレジスト膜を露光した後、現像処理を行うことにより所望のパターンを得る一連の工程により行われ、これら一連の工程は従来から塗布、現像装置によって行われている。

例えば、この現像装置で現像処理を終えたウエハはポストベークの加熱処理が行なわれ、現像によるレジストパターン形成後、レジスト膜中又は表面に残留した現像液、リンス液を蒸発させることで除去する。これは、レジストの硬化とウエハとの密着性強化を行なうための熱処理である。例えば、１３０℃〜２００℃の温度で行なわれる。

このポストベーク処理が完了されてウエハはカセットステーションのカセット（ＦＯＵＰ）に戻ることとなるが、高温処理されたウエハが加熱処理装置から払い出されて温度の高いままにカセット（ＦＯＵＰ）に収納されることになる。そうするとカセット（ＦＯＵＰ）が蓄熱されてしまう問題やウエハの温度降下が不均一になることでウエハの反りの原因になる場合がある。

上記問題を解決するために、従来では、カセットステーションと処理ステーションとの間にウエハ受け渡しにも使用される冷却載置台（ＴＣＰ）を設け、基板を保持する出没可能な複数の支持ピンがシリンダ等の駆動によって上下動可能に構成されている。この冷却載置台は内部に冷却水が通水されており載置される基板を所定の温度まで冷却することが可能な構成である（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１記載の技術によれば、ポストベーク処理後の高温のウエハを処理ステーションからキャリアステーションに戻す際に、この受け渡し冷却載置台を通過させることで温度を下げてカセットに収納することが可能である。

また、特許文献１記載のものにおいては、ウエハにレジスト液の塗布処理後に露光機によって回路パターンを露光処理した後、インターフェース部で受け取り、処理ステーションに受け渡した後に加熱処理するウエハの流れの際に縦方向に配列された処理装置群Ｇ４に設けられる冷却装置を受け渡し台として使用する場合がある。この場合には通過させるウエハの温度をバラツキが無い状態に温調しておいてから次の処理部の処理に供するようにすることができる。

特開平１１−５４４２８号公報（段落００２７、図１，図３〜図７）

しかしながら、最近の高生産性の塗布、現像装置は、処理ユニットの処理の効率化と共に搬送装置の処理スピードも速くなり高生産性に対応した露光機である例えば、１時間当たりの処理能力１８０枚から２５０枚などの高速処理可能なシステムの対応が求められている。このことから無駄な時間を極力少なくする努力が行われている。

その中で特許文献１に記載の受渡し冷却処理装置の構成では搬送装置のアームからウエハを冷却載置台に受け渡す際に一旦３つの支持ピンにウエハを保持させた後に下降させて冷却させる手法がとられている。また、ウエハを受け取る側の搬送装置のアームも冷却後のウエハが支持ピンにより上昇待機したタイミングでウエハを受け取るように構成されている。

このことから生産性を向上させるためには特許文献１に記載の構成で対応させるためには搭載する数を増やす必要があり搭載スペースの確保、冷却水用力の見直し、搬送装置の移動軸の見直しなど複数の検討と対応をする必要が生じる。

本発明はこのような事情の下のなされたのであり、その目的は高生産性のシステムおいて不要な時間を削減し基板の受渡し機能を有して且つ、速やかに高温の基板を所定温度に降温温調する基板処理装置を提供することにある。

前記課題を解決するために、本発明は、基板を加熱処理する加熱処理部と、前記加熱処理部で加熱処理された基板を加熱処理部から受け取って受渡し部に載置する第１の基板搬送手段と、前記受渡し部に載置された基板を該受渡し部から受け取って搬送する板状の基板保持部を有する第２の基板搬送手段と、を具備する基板処理装置において、 前記受渡し部は、 基板を載置する冷却面を有する載置台と、 前記載置台の内部に設けられ該載置台を前記加熱処理の温度よりも低い温度に冷却するための温調水を通流させる温調流路と、 前記載置台の冷却面に設けられると共に、前記第２の搬送手段の基板保持部の平面形状よりも少し大きい相似形状で且つ、保持平面を前記冷却面に対して出没可能な凹部と、を備えていることを特徴とする（請求項１）。

このように構成することにより、基板搬送手段と基板受渡し部との間の基板の受け渡し制御に従来用いられていた基板支持ピンに受け渡しをする動作を行なわなくても載置台の冷却面に直接に基板を載置できるので、加熱処理された基板の冷却時間を短縮することができる。

本発明において、前記載置台は、前記第２の搬送手段に保持された基板を前記凹部の上方で前記基板保持部が略一致する所定の位置に移動させて下降させることで基板の受け取りができるように構成される方が好ましい（請求項２）。

このように構成することにより、従来方式の支持ピンによるウエハの受け渡しをせずに直接受け渡しをすることができる。

また、本発明において、前記第２の基板搬送手段が前記基板保持部を前記載置台に載置された基板の裏面と前記凹部との間に進入するように移動し、前記基板保持部を上昇させることにより前記基板を受け取りするように構成される方が好ましい（請求項３）。

このように構成することにより、前記載置台は既に基板が載置された状態の冷却面の凹部に向けて第２の基板搬送手段の基板保持部を凹部の冷却面に接触しないように基板が受け取れる位置まで進入させて、そのままの状態から上昇することで基板を受け取るように構成されているので速やかに基板を受け取ることができる。

また、本発明において、前記第１の基板搬送手段は、基板の周縁を複数で支持して該基板を保持するための基板支持部を備え、前記載置台は、該載置台の周縁部に、前記基板支持部が上下方向に通過可能な切欠き部を備えている方が好ましい（請求項４）。

このように構成することにより、プロセス処理部された基板を第１の基板搬送手段が受け取った後に載置台に基板を載せる時にも基板支持ピンを使用しなくてもよく、受け渡し時間の短縮を図ることができる。

また、本発明において、前記載置台は基板が載置された時に基板を吸引するための吸引孔を有している構造としてもよい（請求項５）。

このように構成することにより、基板を吸引して冷却面と密着させることにより短時間に冷却処理自体を完了させることができる。

また、本発明において、前記載置台は、内部には気体を流す気体流路を設けると共に、前記凹部の壁面に、前記気体流路と連通し、載置された基板を冷却するための気体を吐出する複数の気体吐出孔と、を備え、 前記気体流路は、前記凹部の壁面に沿って設けられている構成とする方がよい（請求項６）。

このように構成することにより、基板を載置台に載置させた際に凹部の開口によって基板の温調時間が延びることが無いように温調する温度と同じ温度になるように温調水の流路によって温調された気体を流すように構成されているので、基板が接触しない凹部に積極的に冷気を吐出して冷却をすることができる。

また、本発明において、前記温調流路は、前記気体流路と隣接して設けられ、前記気体流路を通流する気体は前記温調流路を通流する温調水で温調される構成とする方がよい（請求項７）。

このように構成することにより、温調流体の温度が気体側に効率良く伝熱される。

また、本発明において、前記気体吐出孔から気体を吐出する時は、前記基板を吸引した状態で気体を吐出する方がよい（請求項８）。

このように構成することにより、基板を吸着している際は冷却する気体の流量を上げることができるので冷却時間の短縮と冷却斑を抑制することができる。

加えて、本発明において、前記加熱処理装置は、現像処理後の加熱処理又は膜形成塗布処理後の加熱処理に適用することができる（請求項９）。

このように構成することにより、現像処理後の加熱処理では基板表面の水分を飛ばし、形成パターンをより硬化させるために高温であることが多く、基板収納部に基板を戻す温度を急速に短時間に下げることで全体のスループットを向上させることができる。

本発明では、２つの異なる形状の基板搬送手段の基板保持手段であっても受け渡し部へ受け渡しする際に従来冷却プレートへの搬送手段からの受け渡しにおいて使用されていた基板支持ピンによる冷却処理前の一時的な基板載置動作が不要となるのでスループットの短縮が図られる。また、冷却面は吸引手段により基板を吸引して冷却時間を短縮することができる。これにより装置システムの生産性を向上することができる。

本発明に係る基板処理装置の要部を示す概略斜視図である。 本発明に係る基板処理装置の要部を示す平面図である。 図２（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。 図２（ａ）のII−II線に沿う断面図である。 基板処理装置に設けられる冷却プレートの構造図である。 キャリアステーションの基板搬送装置を示す斜視図である。 受け渡しアームのピンセットの構成図である。 本発明に関わる冷却プレートを適用した実施の形態を示す図である。 上記塗布ユニットを適用した塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。 上記塗布、現像装置の斜視図である。 上記塗布、現像装置の縦断面図である。

以下に、本発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、本発明に係る基板処理装置を半導体ウエハの塗布・現像装置に適用した場合について説明する。

塗布・現像装置は、キャリアブロックＳ１が設けられており、その載置台８０ａ上に載置された密閉型の基板収納容器であるキャリア８０から第２の基板搬送手段である受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して処理ブロックＳ２に受け渡し、処理ブロックＳ２から受け渡しアームＣが処理済みのウエハＷを受け取ってキャリア７０に戻すように構成されている。

前記処理ブロックＳ２は、図８に示すようにこの例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト膜の塗布を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を、下から順に積層して構成されている。

第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２と第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する本形態に係わる塗布ユニット１と、この塗布ユニット１にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理ユニット群と、前記塗布ユニット１と処理ユニット群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＡ２、Ａ４と、で構成されている。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３についても前記薬液がレジスト液であることを除けば同様の構成である。

一方、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については、図９に示すように一つのＤＥＶ層Ｂ１内に現像ユニットが２段に積層されている。そしてＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像ユニットにウエハＷを搬送するための第１の搬送手段である搬送アームＡ１が設けられている。つまり２段の現像ユニットに対して搬送アームＡ１が共通化されている構成となっている。

更に処理ブロックＳ２には、図７及び図９に示すように棚ユニットＵ５が設けられ、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは受け渡しアームＣによって前記棚ユニットＵ５の一つの受け渡しユニットＴＲＳ１（トラジションステージ）に受け渡されて、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する冷却処理ユニットＣＰＬ２（クーリングプレート）に、前記棚ユニットＵ５の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤ１によって順次搬送される。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２内の搬送アームＡ２は、この冷却処理ユニットＣＰＬ２からウエハＷを受け取って各ユニット（反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。

その後、ウエハＷは棚ユニットＵ５の受け渡し待機ユニットＢＦ２、受け渡しアームＤ１、棚ユニットＵ５の冷却処理ユニットＣＰＬ３（クーリングプレート）及び搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、レジスト膜が形成される。更にウエハＷは、搬送アームＡ３→棚ユニットＵ５の受け渡し冷却待機ユニットＢＦ３→受け渡しアームＤ１を経て棚ユニットＵ５における受渡し冷却ユニットＣＰＬ１１（クーリングプレート）に受け渡される。次にウエハＷは露光機との間で基板の受渡しを行うインターフェースアームＢに基板を渡すために、受渡し冷却ユニットＣＰＬ１１の基板を棚ユニットＵ５と棚ユニットＵ６の受渡し冷却ユニットＣＰＬ１２（クーリングプレート）にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＥによって受渡しを行なうものである。

なお、レジスト膜が形成されたウエハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４にて更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハＷは冷却処理ユニットＣＰＬ５（クーリングプレート）を介して搬送アームＡ４に受け渡され、反射防止膜の形成された後搬送アームＡ４により受け渡しユニットＴＲＳ４に受け渡されてから受渡し冷却ユニットＣＰＬ１１に受け渡されるものである。受け渡し待機ユニットＢＦが付されている受け渡しユニットは複数枚のウエハＷを載置可能なバッファユニットを兼ねている。

次いで、棚ユニットＵ６の受け渡し冷却ユニットＣＰＬ１２に直接搬送されたウエハＷはインターフェイスブロックＳ３に取り込まれて露光処理装置に受け渡される。ウエハＷは第１の搬送装置と同じ構成の搬送装置であるインターフェースアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＴＲＳ６（トラジションステージ）に載置されて処理ブロックＳ２に戻される。戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて例えば１１０℃で現像前の加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）の処理が行なわれた後に現像処理が行われ、例えば１６０℃で現像後の加熱処理（ポストベーク）が行なわれた後、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ５に設けられる異種の搬送手段との受け渡しが行える構成の冷却処理装置であるＴＣＰ１（トラジションチルプレート）に受け渡されてウエハＷをキャリアに収納する。これは問題の生じない温度、例えば３０度以下に降温させる冷却処理をした後に受け渡しアームＣがウエハＷを受け取りする。その後、ウエハＷは受け渡しアームＣによりキャリア８０に戻される。なお図７において、符号Ｕ１〜Ｕ４は各々加熱部と冷却部とを積層した加熱処理装置のユニット群である。

次に、本発明に係る基板処理装置を、塗布、現像装置に適用した実施の形態について図１〜図３を参照して説明する。初めに実施の形態に係る基板冷却処理装置の構成の概要を説明する。図１は基板処理装置の概略斜視図であり、図２（ａ）は棚ユニットＵ５に設けられる基板処理装置の概略平面図であり、図２（ｂ），図２（ｃ）はＩ−Ｉに沿う断面図、II−IIに沿う断面図である。図３は基板処理装置のウエハＷを載置し冷却処理する冷却プレート１１の詳細を説明する構成図である。

図２（ａ）に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置であるＴＣＰ１は、載置台である冷却プレート１１を水平に載せるためのベースプレート１０に固定された状態で棚ユニットＵ５に階層的に備えられている。この冷却プレート１１は例えば厚さ１５ｍｍのステンレスやアルミなど伝熱材料で作られている。この冷却プレート１１には断面図である図２（ｂ），図２（ｃ）に見られる深さ例えば７ｍｍの凹部１１aをウエハＷの載置される冷却面１１ｂに有し、さらに内部に温調媒体液を通流させる温調流路１６や気体流路１５が設けられ、ウエハＷが載置された際に冷却プレート１１に吸引するための吸引流路１７が設けられている。

冷却プレート１１の載置側表面（冷却面１１ｂ）にはウエハＷとの間を僅かな隙間、例えば１００μｍで保つための複数のギャップスペーサ１８と吸引流路１７と接続される複数の吸引孔１９と、気体流路１５と接続される複数の気体吐出孔２０が設けられている。また、冷却プレート周縁の例えば４箇所に切欠き部１３が設けられている。この切欠き部１３によって、搬送アームＡ１の受け渡し手段である基板保持部１３aの基板支持部１３bが上下方向に基板保持部１３aを移動させるときに冷却プレート１１に干渉せずに貫通できる。

冷却プレート１１とベースプレート１０との間には、冷却プレート１１を一段高く維持するための例えば４０ｍｍ程度の断熱材で形成されたプレートサポート１４が介在されている。このプレートサポート１４は、搬送アームＡ１が冷却プレート１１上にウエハＷを受け渡しするために搬送アームＡ１を冷却プレート１１表面から裏面側に下降させ、ウエハＷの受け渡しが完了した後に冷却プレート１１裏面とベースプレート１０とに接触せずに基板保持部１３aをホーム位置に引き戻すことができる高さであればよい。更にプレートサポート１４には冷却プレート１１に設けられる各種流路（気体流路１５、温調流路１６、吸引流路１７）の用力配管への接続口である温調流体の導入排出配管口１２と気体導入配管口１２aと吸引配管口１２ｂがおのおの設けられている。これらそれぞれの配管口１２，１２ａ，１２ｂへは図示しない温調流体循環ラインと工場用側供給系ラインに接続がなされている。

次に図４、図５にて受け渡しアームＣの説明および図６により本発明の基板処理装置における異なる基板搬送装置によるウエハＷ受け渡しについて説明する。図４はキャリアブロックＳ１に備えられる基板搬送装置である搬送基台２９にＸ方向に進退自在な基板保持部である略Ｙ字状のピンセット３４が設けられたＸ軸ベース３２を有し、この搬送基台２９は回転軸部３３によって水平方向に回転自在に構成され、さらにＺ軸ベース３０と接続されて上下方向に昇降可能であり横方向への移動であるＹ軸ベース３１によって横方向に移動自在に構成されている。本発明におけるウエハＷの受け取りにはピンセット３４が冷却プレート１１に対して進退するものである。図５（ａ）はピンセット３４にウエハＷが保持されている状態を示すものであり、ウエハＷはピンセット３４の基端部に設けられる平面円弧状の基板載置部３５と、ピンセット３４の先端部に設けられる基板載置片３５aとの間に載置されて保持されように構成されている。なお、図５（ｂ）は図５（ａ）のIII−III線に沿う断面図である。

次に、図６を参照して、冷却プレート１１を介してウエハＷが異なる搬送装置に受け渡される状態を示しながら冷却処理の状態を詳細に説明する。先ず、図６（ａ）に示すように、現像処理が完了してポストベーク処理されたウエハＷが搬送アームＡ１に受け渡されて、基板保持部１３ａがウエハＷを棚ユニットＵ５のＴＣＰ１上方に搬送する。次に図６（ｂ）に示すように、冷却プレート１１の切欠き部１３を基板支持部１３bが通過する位置にて基板保持部１３ａを下降させる。この際に冷却プレート１１側ではウエハＷが載置されると略同時にウエハＷを吸引孔１９から吸引して載置面との間を密着させる。

このように吸引して冷却プレート１１の表面に密着させることによりウエハＷの冷却効果が一層高まり、反りの生じているウエハＷであっても冷却効果がある。また、ウエハＷが載置された後に冷却効果を高めるために気体吐出孔２０から温調気体をウエハ裏面に向けて且つ凹部面の広い方向に向けて気体を吐出する。この温調気体は温調流路１６と気体流路１５とが冷却プレート１１にて近接（隣接）して設けられることによって温調流体の温度が気体側に効率良く伝熱されている。そのため気体の温調をする機器を省略することができる。また、吸引動作はウエハＷの浮き上がりを抑制する効果もある。しかしながら、吸引によるウエハの密着と気体の吐出による温調とは必ずしも必須の要件ではなく、冷却プレート１１に設けられる温調流体によって冷却されていれば良い。

次に冷却処理が完了し、受け渡しアームＣによるウエハＷの受け取り動作について説明する。図６（ｃ）は冷却プレート１１に受け渡しアームＣのピンセット３４がウエハを受け取りするために移動し図６（ｄ）はピンセット３４がウエハＷの載置された冷却プレート１１の凹部１１ａに進入した図である。凹部１１ａは、略Ｙ字状のピンセット３４の平面形状よりも若干広くされた相似形に形成されており、載置済みのウエハ裏面との間で進入してくるピンセット３４に接触しない高さと幅を有している。

その後、図６（ｅ）に示すようにピンセット３４は冷却プレート１１上のウエハが受け取りできる所定位置にて上昇させてウエハを保持し後退した後にキャリア７０に収納する動作を行う。以上にて冷却処理を終えたウエハを受け渡しができる。

このことにより、冷却プレート１１自体を複雑な機構を用いずにウエハＷの授受ができるのでスループットを早くできる。また、故障や調整箇所の低減ができる。なお冷却プレート１１の凹部１１aは図示の形状に限られず、板状であればよく、ウエハＷの受け渡し可能で凹部１１ａの占有面積が小さくできるのであれば、冷却プレート１１の冷却効果を損なうことなく対応できる。また、受け渡しアームＣの形状が２本の板状フォーク形であっても、冷却効果は達成される。

本発明の適用は上述の記載に限られず、例えばインターフェースブロックＳ３と処理ブロックＳ２との間でウエハＷを受け渡しする際に棚ユニットＵ６に搭載される受け渡しユニットＴＲＳ６と置き換えて設置されて良い。この場合は、ＰＥＤ（ポストエクスポージャベーク）前までにウエハ面内の温度を下げて定常化しておく際に使用することができるので、前述と同様な構成の基板冷却処理装置を設けて、逆の手順にてウエハＷを搬送アームＡ１に受け渡す。現実にはインターフェースアームＢによりウエハを載置し、搬送アームＡ１がウエハを受け取る動作が行なわれることになる。

さらに、棚ユニットＵ５に搭載される搬送アームＤ１においても搬送アームＤ１の基板保持部を搬送アームＡ１と同様な形状することで冷却プレート１１の切欠き部１３を上下に貫通することができるように構成することで、例えばレジスト塗布を行うＣＯＴ層Ｂ３でレジスト塗布後の加熱処理（プリベーク）をした後にキャリア７０にウエハを収納する場合にも使用できる。さらに、受け渡しユニットＴＲＳ１と置き換えて設置されても良い。以上のようにスループットを向上させる必要のある場所に設置される。なお、図７に示す搬送アームＤ１の基板保持部の形状は板状であってもよく、冷却プレート１１の冷却機能を損なわない程度の大きさの形状において凹部１１ａが設けられていてもよい。この場合でも、棚ユニットＵ５のその他の処理ユニットにおける従来式の基板支持ピンでのウエハＷの受け渡しが可能である。

Ｗ ウエハ
Ｓ１ キャリアステーションブロック
Ｕ５ 棚ユニット
Ｓ２ 処理ブロック
Ｕ６ 棚ユニット
Ｓ３ インターフェースブロック
ＴＲＳ１ 受け渡しユニット
ＴＲＳ６ 受け渡しユニット
ＴＣＰ１ 冷却処理装置（トラジションチルプレート）
ＣＰＬ２，ＣＰＬ５ 冷却処理ユニット（クーリングプレート）
ＣＰＬ１１，ＣＰＬ１２ 冷却処理ユニット（クーリングプレート）
Ａ１ 搬送アーム（第１の基板搬送手段）
Ｂ インターフェースアーム
Ｃ 受け渡しアーム（第２の基板搬送手段）
Ｄ１ 搬送アーム
１０ ベースプレート
１１ 冷却プレート（載置台）
１１ａ 凹部
１１ｂ 冷却面
１２ 温調流体の導入排出配管口
１２a 気体導入配管口
１２ｂ 吸引配管口
１３ 切欠き部
１４ プレートサポート
１５ 気体流路
１６ 温調流路
１７ 吸引流路
１８ ギャップスペーサ
１９ 吸引孔
２０ 気体吐出孔
３４ ピンセット（基板保持部）

Claims (9)

1. 基板を加熱処理する加熱処理部と、前記加熱処理部で加熱処理された基板を加熱処理部から受け取って受渡し部に載置する第１の基板搬送手段と、前記受渡し部に載置された基板を該受渡し部から受け取って搬送する板状の基板保持部を有する第２の基板搬送手段と、を具備する基板処理装置において、
   前記受渡し部は、
   基板を載置する冷却面を有する載置台と、
   前記載置台の内部に設けられ該載置台を前記加熱処理の温度よりも低い温度に冷却するための温調水を通流させる温調流路と、
   前記載置台の冷却面に設けられると共に、前記第２の搬送手段の基板保持部の平面形状よりも少し大きい相似形状で且つ、保持平面を前記冷却面に対して出没可能な凹部と、
   を備えていることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記載置台は、前記第２の搬送手段に保持された基板を前記凹部の上方で前記基板保持部が略一致する所定の位置に移動させて下降させることで基板の受け取りができるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第２の基板搬送手段が前記基板保持部を前記載置台に載置された基板の裏面と前記凹部との間に進入するように移動し、前記基板保持部を上昇させることにより前記基板を受け取りするように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記第１の基板搬送手段は、基板の周縁を複数で支持して該基板を保持するための基板支持部を備え、前記載置台は、該載置台の周縁部に、前記基板支持部が上下方向に通過可能な切欠き部を備えていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記載置台は、基板が載置された際に基板を吸引するための吸引孔を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記載置台は、内部には気体を流す気体流路を設けると共に、前記凹部の壁面に、前記気体流路と連通し、載置された基板を冷却するための気体を吐出する複数の気体吐出孔と、を備え、
   前記気体流路は、前記凹部の壁面に沿って設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記温調流路は、前記気体流路と隣接して設けられ、前記気体流路を通流する気体は前記温調流路を通流する温調水で温調されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記気体吐出孔から気体を吐出する時は、前記基板を吸引した状態で気体を吐出することを特徴とする請求項５又は６に記載の基板処理装置。
9. 前記加熱処理部は、現像処理後の加熱処理又は膜形成塗布処理後の加熱処理であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。

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