CN112119482A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

热处理单元包括：热板，其载置并加热作为处理对象的晶圆；腔室，其构成为能够以包围热板的载置晶圆的载置面的方式配置；升降机构，其构成为能够使腔室升降；冷却体，其构成为能够通过使腔室接近或接触该冷却体来冷却腔室。

Description

基板处理装置
技术区域
本公开涉及基板处理装置。
背景技术
对于热处理，在改变热板温度的设定值时，需要也使覆盖热板的腔室(盖体)与热板同样地改变温度。关于像这样的腔室的温度改变，在降低热板温度的情况(随之也降低腔室的温度的情况)下，由于腔室的热容量，腔室的温度下降需要时间。
在专利文献1所记载的技术中，在热板温度从高温向低温改变了的情况下，通过使帕尔贴元件工作，借助热管促进腔室的冷却作用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-228375号公报
发明内容
发明要解决的问题
在此，像上述的专利文献1那样，在借助帕尔贴元件和热管进行腔室的冷却的情况下，结构变得复杂成为问题。
本公开是鉴于上述实际情况完成的，其目的在于，利用简单的结构缩短盖体的降温时间。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置包括：热板，其载置并加热作为处理对象的基板；盖体，其构成为能够以包围热板的载置基板的载置面的方式配置；升降机构，其构成为能够使盖体升降；以及冷却体，其构成为能够通过使盖体接近或接触该冷却体来冷却盖体。
对于本公开的基板处理装置，包围热板的盖体能够利用升降机构升降，而能够通过使盖体接近或接触冷却体来冷却盖体。如此，设置使盖体移动的结构(升降机构)，并且仅设置通过接近或接触来冷却盖体的结构(冷却体)，从而能够利用简单的结构来冷却盖体。由此，能够利用简单的结构来缩短盖体的降温时间。
也可以是，冷却体设于盖体的上方，该冷却体与利用升降机构向上方移动了的盖体的上表面接近或接触。由此，在热处理后打开盖体(使该盖体向上方移动)时，能够利用冷却体适当地冷却盖体。
也可以是，冷却体构成为包括温度调整板，该温度调整板在热板与外部的输送臂之间传送基板，并且将基板的温度调整为预定温度，温度调整板与盖体的下端部接近或接触。由此，能够使用已设置的温度调整板来进行盖体的冷却，以对基板运输并冷却等，而能够利用更简单的结构来实现盖体的冷却。
也可以是，该基板处理装置还包括底壁部，该底壁部载置支承热板的支承部，具有热板、盖体、升降机构和底壁部的加热处理组件以上下多层的方式配置，下层的加热处理组件的冷却体构成为包括上层的加热处理组件的底壁部。如此，上层的底壁部作为冷却体发挥功能，从而在加热处理组件以上下多层的方式配置的结构中，能够使用已设置的底壁部来进行盖体的冷却，而能够利用更简单的结构来实现盖体的冷却。
也可以是，该基板处理装置还包括冷却体升降部，该冷却体升降部构成为能够使冷却体升降。由此，能够使冷却体移动，而能够更简单地实现盖体的冷却。
也可以是，该基板处理装置还包括弹性体，该弹性体设于盖体和冷却体中的至少任一者，在盖体与冷却体接近时，该弹性体与盖体和冷却体这两者接触并且配置于盖体和冷却体之间。通过设有像这样的弹性体，在盖体接近冷却体时，在盖体与冷却体之间夹着弹性体，而易于使盖体以相对于冷却体大致平行的方式接近该冷却体。由此，能够均匀地冷却盖体整体。
也可以是，该基板处理装置还包括控制部，该控制部构成为执行如下内容：判断基板的加热处理温度是否高于下次处理的处理批的加热处理温度；和在判断为高于的情况下控制升降机构以使盖体接近或接触冷却体。由此，在需要降低热板的设定温度并伴随于此想要冷却盖体的情况下，能够利用冷却体适当地冷却盖体。
也可以是，控制部在使盖体接近或接触冷却体时控制升降机构以使盖体移动至冷却位置，该冷却位置与在利用热板进行的加热处理结束时使盖体上升之际的上升位置不同。如此，通过设定与加热处理后的通常的打开时的位置(上升位置)不同的冷却位置，能够利用简单的控制在通常的打开与冷却时的移动之间切换。
也可以是，该基板处理装置还包括测量盖体的温度的温度传感器，控制部构成为还执行如下内容：基于由温度传感器测量出的盖体的温度，判断是否结束利用冷却体进行的盖体的冷却；和在判断为结束的情况下控制升降机构以使盖体从冷却体分离开。通过像这样控制，能够使盖体可靠地达到冷却目标温度，并且能够在冷却完成后立刻结束冷却处理。
发明的效果
采用本公开，能够利用简单的结构缩短盖体的降温时间。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基板处理***的概略结构的立体图。
图2是沿着图1中的II-II线的剖视图。
图3是沿着图2中的III-III线的剖视图。
图4是表示热处理单元的一例的概略纵剖视图。
图5是示意地表示利用冷却体进行冷却的图像的图。
图6是用于说明冷却体的冷却构造的图。
图7是控制器的硬件结构图。
图8是腔室冷却处理的流程图。
图9是示意地表示第2实施方式的热处理单元的图。
图10是示意地表示第3实施方式的热处理单元的图。
图11是用于说明冷却体的冷却构造的图。
具体实施方式
[第1实施方式]
以下，参照附图，对第1实施方式详细地进行说明。在说明中，对相同要素或者具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。
〔基板处理***〕
基板处理***1是对基板实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的***。作为处理对象的基板是例如半导体的晶圆W。感光性覆膜是例如抗蚀膜。
基板处理***1包括：涂布/显影装置2和曝光装置3。曝光装置3进行在晶圆W上形成的抗蚀膜的曝光处理。具体而言，利用浸液曝光等方法对抗蚀膜的曝光对象部分照射能量射线。涂布/显影装置2在利用曝光装置3进行的曝光处理之前，进行在晶圆W的表面形成抗蚀膜的处理，在曝光处理后，进行抗蚀膜的显影处理。
(涂布/显影装置)
以下，作为基板处理装置的一例，对涂布/显影装置2的结构进行说明。如图1～图3所示，涂布/显影装置2包括：载体模块4、处理模块5、接口模块6和控制器100。
载体模块4进行晶圆W向涂布/显影装置2内的导入和晶圆W从涂布/显影装置2内的导出。例如载体模块4能够支承晶圆W用的多个载体11，并内置有传送臂A1。载体11收容例如圆形的多张晶圆W。传送臂A1从载体11取出晶圆W并向处理模块5传递，并从处理模块5接收晶圆W而向载体11内返还。
处理模块5具有多个处理组件14、15、16、17。如图2和图3所示，处理组件14、15、16、17内置有多个液处理单元U1、多个热处理单元U2和向这些单元输送晶圆W的输送臂A3。处理组件17还内置有不经过液处理单元U1和热处理单元U2地输送晶圆W的直接输送臂A6。液处理单元U1向晶圆W的表面涂布处理液。热处理单元U2内置有例如热板和冷却板，利用热板加热晶圆W，利用冷却板冷却加热后的晶圆W从而进行热处理。
处理组件14利用液处理单元U1和热处理单元U2在晶圆W的表面上形成下层膜。处理组件14的液处理单元U1向晶圆W上涂布下层膜形成用的处理液。处理组件14的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。
处理组件15利用液处理单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀膜。处理组件15的液处理单元U1向下层膜之上涂布抗蚀膜形成用的处理液(涂布液)。处理组件15的热处理单元U2进行伴随抗蚀膜的形成的各种热处理。对于处理组件15的液处理单元U1的详细内容随后叙述。
处理组件16利用液处理单元U1和热处理单元U2在抗蚀膜上形成上层膜。处理组件16的液处理单元U1在抗蚀膜之上涂布上层膜形成用的处理液。处理组件16的热处理单元U2进行伴随上层膜的形成的各种热处理。
处理组件17利用液处理单元U1和热处理单元U2进行曝光后的抗蚀膜的显影处理。处理组件17的液处理单元U1在向已曝光的晶圆W的表面上涂布显影用的处理液(显影液)之后，利用清洗用的处理液(冲洗液)冲洗该晶圆W，从而进行抗蚀膜的显影处理。处理组件17的热处理单元U2进行伴随显影处理的各种热处理。作为热处理的具体例，能够列举出显影处理前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake)等。
在处理模块5内的靠载体模块4侧设有架单元U10。架单元U10划分为在上下方向上排列的多个小室。在架单元U10的附近设有升降臂A7。升降臂A7在架单元U10的小室之间使晶圆W升降。处理模块5内的靠接口模块6侧设有架单元U11。架单元U11划分为在上下方向上排列的多个小室。
接口模块6在与曝光装置3之间进行晶圆W的传送。例如接口模块6内置有传送臂A8，该接口模块6与曝光装置3连接。传送臂A8向曝光装置3传递配置于架单元U11的晶圆W，并从曝光装置3接收晶圆W而向架单元U11返还。
控制器100控制涂布/显影装置2，从而按照例如以下的步骤执行涂布/显影处理。
首先，控制器100控制传送臂A1以将载体11内的晶圆W向架单元U10输送，并控制升降臂A7以将该晶圆W配置于处理组件14用的小室。
接着，控制器100控制输送臂A3以将架单元U10的晶圆W向处理组件14内的液处理单元U1和热处理单元U2输送，并控制液处理单元U1和热处理单元U2以在该晶圆W的表面上形成下层膜。之后，控制器100控制输送臂A3以将形成有下层膜的晶圆W向架单元U10返还，并控制升降臂A7以将该晶圆W配置于处理组件15用的小室。
接着，控制器100控制输送臂A3以将架单元U10的晶圆W向处理组件15内的液处理单元U1和热处理单元U2输送，并控制液处理单元U1和热处理单元U2以在该晶圆W的下层膜上形成抗蚀膜。之后，控制器100控制输送臂A3以将晶圆W向架单元U10返还，并控制升降臂A7以将该晶圆W配置于处理组件16用的小室。
接着，控制器100控制输送臂A3以将架单元U10的晶圆W向处理组件16内的各单元输送，并控制液处理单元U1和热处理单元U2以在该晶圆W的抗蚀膜上形成上层膜。之后，控制器100控制输送臂A3以将晶圆W向架单元U10返还，并控制升降臂A7以将该晶圆W配置于处理组件17用的小室。
接着，控制器100控制直接输送臂A6以将架单元U10的晶圆W向架单元U11输送，并控制传送臂A8以将该晶圆W向曝光装置3送出。之后，控制器100控制传送臂A8以从曝光装置3接受实施了曝光处理的晶圆W并向架单元U11返还。
接着，控制器100控制输送臂A3以将架单元U11的晶圆W向处理组件17内的各单元输送，并控制液处理单元U1和热处理单元U2以对该晶圆W的抗蚀膜实施显影处理。之后，控制器100控制输送臂A3以将晶圆W向架单元U10返还，并控制升降臂A7和传送臂A1以将该晶圆W向载体11内返还。以上，涂布/显影处理完成。
另外，基板处理装置的具体的结构不限定于以上例示的涂布/显影装置2的结构。基板处理装置只要包括覆膜形成用的液处理单元U1(处理组件14、15、16的液处理单元U1)和能够控制这些的控制器100，就可以是任何结构。
〔热处理单元〕
接着，参照图4～图7，对处理组件15的热处理单元U2详细地进行说明。如图4～图6所示，热处理单元U2具有：壳体90、温度调整机构50、加热机构30、冷却体70(参照图5)、弹性体72(参照图6)、温度传感器80和控制器100(控制部)。另外，图4～图6均表示热处理单元U2的一部分的结构，并未表示热处理单元U2的所有结构。
壳体90是收容加热机构30和温度调整机构50的处理容器。在壳体90的侧壁开口有晶圆W的送入口91。另外，在壳体90内设有将壳体90内划分为下方区域和作为晶圆W的移动区域的上方区域的底板92。
温度调整机构50是在外部的输送臂A3(参照图3)和热板34之间传送(输送)晶圆W并且将晶圆W的温度调整为预定温度的结构。温度调整机构50具有温度调整板51和连结托架52。
温度调整板51是进行载置的晶圆W的温度调整的板，详细而言，是载置利用加热机构30的热板34加热了的晶圆W并使该晶圆W冷却到预定温度的冷板。在本实施方式中，温度调整板51形成为大致圆盘状。温度调整板51由例如热导率较高的铝、银或者铜等金属构成，出于防止由热引起的变形的观点等，也可以由相同的材料构成。在温度调整板51的内部形成有用于供冷却水和(或)冷却气体流通的冷却流路(未图示)。
连结托架52与温度调整板51连结，并且被由控制器100控制的驱动机构53驱动，从而在壳体90内移动。更详细而言，连结托架52能够沿着从壳体90的送入口91延伸到加热机构30的附近的导轨(未图示)移动。连结托架52沿着导轨(未图示)移动，从而温度调整板51能够从送入口91移动到加热机构30。连结托架52由例如热导率较高的铝、银或者铜等金属构成。
加热机构30是对晶圆W进行加热处理的结构。加热机构30具有：支承台31、热板34、腔室32(盖体)、升降机构33、支承销35和升降机构36。
支承台31是在中央部分形成有凹部的呈圆筒形状的构件。支承台31支承热板34。热板34嵌合于支承台31的凹部，并且构成为能够载置作为处理对象的晶圆W，而对载置的晶圆W进行加热。热板34具有用于对晶圆W进行加热处理的加热器。该加热器例如由电阻发热体构成。
腔室32是构成为能够以包围热板34的载置晶圆W的载置面的方式配置的盖体。腔室32具有：顶板部32a和腿部32b。顶板部32a是与支承台31同样程度的直径的圆板状的部分，配置为与热板34的载置面在上下方向上相对。腿部32b是从顶板部32a的外缘向下方延伸的部分。在顶板部32a的上部连接有排气管道37。排气管道37进行腔室内的排气。
升降机构33是根据控制器100的控制使腔室32升降的结构。利用升降机构33使腔室32上升，从而成为使进行晶圆W的加热处理的空间打开的状态，使腔室32下降，从而成为使进行加热处理的空间关闭的状态。
支承销35是以贯穿支承台31和热板34的方式延伸并从下方支承晶圆W的构件。支承销35通过在上下方向上升降，使晶圆W配置于预定的位置。支承销35是在与输送晶圆W的温度调整板51之间进行晶圆W的传送的结构。支承销35例如在周向上以等间隔设有3根。升降机构36是根据控制器100的控制使支承销35升降的结构。升降机构36构成为能够使晶圆W(详细而言，支承晶圆W的支承销35)升降，以使晶圆W靠近热板34而在热板34载置晶圆W。
冷却体70是构成为能够通过使腔室32接近或接触该冷却体70来冷却腔室32的构件。冷却体70例如是与腔室32的顶板部32a同样程度的直径的圆板状的构件。如图6所示，在冷却体70的内部形成有用于供冷却用介质(例如冷却水和(或)冷却气体)流通的冷却流路71。如图5所示，冷却体70设于腔室32的上方，该冷却体70与利用升降机构33向上方移动了的腔室32的顶板部32a的上表面接近或接触。
图5的(c)示出了向上方移动了的腔室32的顶板部32a的上表面与冷却体70接近或接触的状态。在该状态下的腔室32的位置(冷却位置)与在加热处理中的腔室32的位置(参照图5的(a))以及在不进行冷却的情况下打开了腔室32时的腔室32的位置(参照图5的(b))均不同。即，冷却体70例如配置为比在不进行冷却的情况下打开了腔室32时的腔室32的位置(参照图5的(b))靠上方(参照图5的(c))，仅在腔室32上升至冷却位置的情况下，该冷却体70配置为与顶板部32a的上表面接近或接触。
如图6所示，弹性体72设于冷却体70的下表面，该弹性体72是在腔室32和冷却体70接近时与腔室32和冷却体70这两者接触并且配置于腔室32和冷却体70之间的弹簧状构件。弹性体72例如在冷却体70的下表面以等间隔配置有多个。在像这样设有弹性体72的结构中，腔室32的顶板部32a的上表面不与冷却体70直接接触，而隔着弹性体72靠近(接近)冷却体70。在隔着弹性体72的状态下，腔室32与冷却体70的隔开距离例如为0.1mm～10mm左右。另外，像使用弹性体72的情况这样，对于不使腔室32与冷却体70接触的结构，也可以在冷却时喷射例如氦等热导率较高的气体。
温度传感器80设于腔室32的顶板部32a，是测量腔室32的温度的传感器。温度传感器80在顶板部32a既可以设置多个，也可以仅设置一个。温度传感器80向控制器100输出测量出的腔室32的温度。
如图4所示，控制器100作为功能组件具有：腔室开闭控制部101、支承销升降控制部102和板移动控制部103。
腔室开闭控制部101控制升降机构33以使腔室32开闭。在例如晶圆W的加热处理结束了的时刻，腔室开闭控制部101判断晶圆W的加热处理温度是否高于下次处理的处理批的加热处理温度。腔室开闭控制部101在判断为高于的情况下，控制升降机构33使腔室32与冷却体70接近或接触。
在使腔室32接近或接触冷却体70时，腔室开闭控制部101控制升降机构33以使腔室32向冷却位置(参照图5的(c))移动，该冷却位置与在利用热板34进行的加热处理结束时使腔室32打开(上升)时的通常的上升位置(参照图5的(b))不同。具体而言，在使腔室32接近或接触冷却体70时，腔室开闭控制部101控制升降机构33以使腔室32向比通常的上升位置靠上方的冷却位置移动。
在利用冷却体70进行的腔室32的冷却开始之后，腔室开闭控制部101从温度传感器80获取腔室32的温度，基于该温度，判断是否结束利用冷却体70进行的腔室32的冷却。腔室开闭控制部101也可以例如在温度达到预定的目标温度(或者目标温度带)的情况下，判断为结束冷却。另外，对于像这样的目标温度，通过预先获取腔室32的温度相对于热板34的温度的关系式，能够容易地设定。腔室开闭控制部101在判断为结束冷却的情况下，控制升降机构33以使腔室32从冷却体70分离开。腔室开闭控制部101在判断为结束冷却的情况下，例如控制升降机构33以使腔室32从冷却位置(参照图5的(c))向通常的上升位置(参照图5的(b))下降。另外，腔室开闭控制部101也可以不使用温度传感器80的测量值，而仅使利用冷却体70进行的腔室32的冷却进行预定的时间。
支承销升降控制部102控制升降机构36以利用支承销35的升降在温度调整板51与支承销35之间进行晶圆W的传送。另外，支承销升降控制部102控制升降机构36以使支承晶圆W的支承销35下降而使晶圆W从支承销35向热板34载置。
板移动控制部103控制驱动机构53以使温度调整板51在壳体90内移动。
控制器100由一个或多个控制用计算机构成。例如控制器100具有图13所示的电路120。电路120具有：一个或多个处理器121、内存122、存储器123、输入输出端口124和计时器125。
输入输出端口124在升降机构33、升降机构36、驱动机构53和温度传感器80之间进行电信号的输入输出。计时器125例如通过对一定周期的基准脉冲进行计数来计算经过时间。存储器123具有例如硬盘等能够利用计算机读取的记录介质。记录介质记录有用于执行后述的基板处理步骤的程序。记录介质也可以是非易失性的半导体存储器、磁盘和光盘等能够读取的介质。内存122暂时地记录从存储器123的记录介质加载的程序和由处理器121得到的演算结果。处理器121与内存122协作而执行上述程序，从而构成上述的各功能组件。
另外，控制器100的硬件结构不一定限定于由程序构成各功能组件。例如控制器100的各功能组件也可以由专用的逻辑电路或者集成了该逻辑电路的ASIC(专用集成电路：Application Specific Integrated Circuit)构成。
〔腔室冷却处理步骤〕
接着，作为基板处理方法的一例，参照图8，对热处理单元U2根据控制器100的控制而执行的腔室冷却处理步骤进行说明。
图8的流程图示出了例如从晶圆W的加热处理结束的时间点开始的腔室冷却处理步骤。如图8所示，首先，控制器100判断晶圆W的加热处理温度是否高于下次处理的处理批的加热处理温度(步骤S1)。在S1中判断为不高于的情况下，处理结束。另一方面，在S1中判断为高于的情况下，即在判断为需要降低热板34的设定温度并且降低腔室32的温度的情况下，控制器100控制升降机构33以使腔室上升至冷却位置(腔室32接近或接触冷却体70的位置)(步骤S2)。由此，利用冷却体70进行的腔室32的冷却开始。
接着，控制器100从温度传感器80获取腔室32的温度，判断腔室32是否在利用冷却体70进行的冷却的作用下达到了目标温度(是否结束利用冷却体70进行的腔室32的冷却)(步骤S3)。在S3中判断为未达到的情况下，在经过预定时间后再次进行步骤S3的判断。另一方面，在S3中判断为达到的情况下，控制升降机构33以使腔室32从冷却体70分离开并向下方移动(步骤S4)。以上为冷却处理步骤。
〔作用效果〕
本实施方式的热处理单元U2包括：热板34，其载置并加热作为处理对象的晶圆W；腔室32，其构成为能够以包围热板34的载置晶圆W的载置面的方式配置；升降机构33，其构成为能够使腔室32升降；以及冷却体70，其构成为能够通过使腔室32接近或接触该冷却体70来冷却腔室32。
对于本实施方式的热处理单元U2，包围热板34的腔室32能够利用升降机构33升降，并能够通过使腔室32接近或接触冷却体70来冷却腔室32。如此，设有使腔室32移动的结构(升降机构33)，并且仅设有通过接近或接触来冷却腔室32的结构(冷却体70)，从而能够利用简单的结构来冷却腔室32。由此，能够利用简单的结构缩短腔室32的降温时间。另外，对于热处理单元U2，不仅在基板处理后，在维护时也能够缩短腔室32的降温时间，而缩短维护所需的时间。
冷却体70设于腔室32的上方，与利用升降机构33向上方移动了的腔室32的上表面接近或接触。由此，在加热处理后打开腔室32(使该腔室32向上方移动)时，能够利用冷却体70适当地冷却腔室32。
上述的热处理单元U2还包括弹性体72，该弹性体72设于冷却体70的下表面，在腔室32和冷却体70接近时与腔室32和冷却体70这两者接触并且配置于腔室32和冷却体70之间。通过设有像这样的弹性体72，在腔室32接近冷却体70时，在腔室32与冷却体70之间夹着弹性体72，易于使腔室32以相对于冷却体70大致平行的方式接近该冷却体70。由此，能够均匀地冷却腔室32整体。
上述的热处理单元U2还包括控制器100，该控制器100构成为执行如下内容：判断晶圆W的加热处理温度是否高于下次处理的处理批的加热处理温度；和在判断为高于的情况下控制升降机构33以使腔室32接近或接触冷却体70。由此，在需要降低热板34的设定温度并伴随于此想要冷却腔室32的情况下，能够利用冷却体70适当地冷却腔室32。
控制器100在使腔室32接近或接触冷却体70时控制升降机构33以使腔室32向冷却位置移动，该冷却位置与在利用热板34进行的加热处理结束时使腔室32上升之际的通常的上升位置不同。如此，通过设定与加热处理后的通常的打开时的位置(上升位置)不同的冷却位置，能够利用简单的控制在通常的打开与冷却时的移动之间切换。
还包括测量腔室32的温度的温度传感器80，控制器100构成为还执行如下内容：基于由温度传感器80测量出的腔室32的温度，判断是否结束利用冷却体70进行的腔室32的冷却；和在判断为结束的情况下，控制升降机构33以使腔室32从冷却体70分离开。通过像这样进行控制，能够可靠地使腔室32达到冷却目标温度，并且能够在冷却完成后立刻结束冷却处理。
[第2实施方式]
以下，一边参照图9，一边对第2实施方式进行说明。另外，在第2实施方式的说明中，主要对与第1实施方式不同的方面进行说明，省略同样的说明。
对于图9所示的热处理单元，多个加热处理组件300(例如，图9中所示的加热处理组件300a、300b)以上下多层的方式配置。加热处理组件300是至少具有上述的加热机构30和作为冷却体发挥作用的底壁部270的结构，该加热机构30包括热板34、腔室32和升降机构33。
底壁部270是载置支承热板34的支承台31(图4参照)的部分，在加热处理组件300配置于最下端。在本实施方式中，将底壁部270用作冷却体(详细而言，下层的加热处理组件的冷却体)。底壁部270保持在始终比作为热板34的设定温度而假定的温度低的温度即可。底壁部270位于比热板34靠下方的位置并且从热板34分离开，因此易于保持较低的温度。另外，底壁部270也可以与第1实施方式的冷却体同样地具有供冷却用介质流通的冷却流路。
如图9所示，在上层的加热处理组件300a与下层的加热处理组件300b以上下多层的方式配置的结构中，下层的加热处理组件300b的冷却体构成为包括上层的加热处理组件300a的底壁部270。在像这样的结构中，也与第1实施方式同样，控制器100控制升降机构33以使腔室32向上方移动，从而能够使下层的加热处理组件300b的腔室32接近或接触上层的加热处理组件300a的底壁部270(对于下层的加热处理组件300b而言的冷却体)。
如此，上层的加热处理组件300a的底壁部270作为对于下层的加热处理组件300b而言的冷却体发挥功能，从而在加热处理组件以上下多层的方式配置的结构中，能够使用以往设置的底壁部270来进行腔室32的冷却，由于不需要设置其他冷却体，因此能够利用更简单的结构来实现腔室32的冷却。另外，对于最上层的加热处理组件(例如加热处理组件300a)，由于没有比其靠上层的加热处理组件，而不存在用作冷却体的底壁部270，因此也可以在上方设置冷却体170(图9参照)作为该最上层的加热处理组件300a用的冷却体。
[第3实施方式]
以下，一边参照图10和图11，一边对第3实施方式进行说明。另外，在第3实施方式的说明中，主要对与第1实施方式以及第2实施方式不同的方面进行说明，省略同样的说明。
对于图10所示的热处理单元，在热板34与外部的输送臂A3(参照图3)之间传送晶圆W并且将晶圆W的温度调整为预定温度的温度调整板351(冷板)也作为冷却腔室32的冷却体发挥功能。温度调整板351与腔室32的腿部32b的下端部接近或接触，从而冷却腔室32(参照图10)。如图11所示，在温度调整板351形成有供冷却用介质流通的冷却流路352。
在加热处理中，如图10的(a)所示，温度调整板351在从热板34分离开的位置待机。然后，当加热处理完成时，如图10的(b)所示，腔室32被打开，温度调整板351为了输送晶圆W而配置于热板34上。在该状态下，通常温度调整板351仅进行晶圆W的传送，但在本实施方式中，如图10的(c)所示，使腔室32的腿部32b的下端接近或接触温度调整板351的上表面，进行腔室32的冷却。
如图11所示，也可以在温度调整板351的上表面设置弹性体400。弹性体400是在腔室32与温度调整板351接近时与腔室32和温度调整板351这两者接触并且配置于腔室32和温度调整板351之间的弹簧状构件。
如此，使用以往设置的温度调整板351来进行腔室32的冷却，以对晶圆W进行运输并冷却等，从而能够利用更简单的结构来实现腔室32的冷却。
以上，对实施方式进行了说明，但是本公开并不限定于上述实施方式。例如，说明了利用升降机构33使腔室32接近或接触冷却体70，但除此之外，也可以还包括构成为能够使冷却体70升降的冷却体升降部。由此，能够使冷却体70移动，从而能够更简单地实现腔室32的冷却。另外，作为一方式，说明了在冷却体70设置的弹性体72，但弹性体也可以设于腔室32。
附图标记说明
2、涂布/显影装置(基板处理装置)；32、腔室(盖体)；33、升降机构；34、热板；351、温度调整板；70、冷却体；72、400、弹性体；80、温度传感器；100、控制器(控制部)；270、底壁部；300、加热处理组件；W、晶圆(基板)。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
热板，其载置并加热作为处理对象的基板；
盖体，其构成为能够以包围所述热板的载置所述基板的载置面的方式配置；
升降机构，其构成为能够使所述盖体升降；以及
冷却体，其构成为能够通过使所述盖体接近或接触该冷却体来冷却所述盖体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述冷却体设于所述盖体的上方，该冷却体与利用所述升降机构向上方移动了的所述盖体的上表面接近或接触。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述冷却体构成为包括温度调整板，该温度调整板在所述热板与外部的输送臂之间传送所述基板，并且将所述基板的温度调整为预定温度，
所述温度调整板与所述盖体的下端部接近或接触。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括底壁部，该底壁部载置支承所述热板的支承部，
具有所述热板、所述盖体、所述升降机构和所述底壁部的加热处理组件以上下多层的方式配置，
下层的所述加热处理组件的所述冷却体构成为包括上层的所述加热处理组件的所述底壁部。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括冷却体升降部，该冷却体升降部构成为能够使所述冷却体升降。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括弹性体，该弹性体设于所述盖体和所述冷却体中的至少任一者，在所述盖体与所述冷却体接近时，该弹性体与所述盖体和所述冷却体这两者接触并且配置于所述盖体和所述冷却体之间。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括控制部，该控制部构成为执行如下内容：判断所述基板的加热处理温度是否高于下次处理的处理批的加热处理温度；和在判断为高于的情况下控制所述升降机构以使所述盖体接近或接触所述冷却体。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
所述控制部在使所述盖体接近或接触所述冷却体时控制所述升降机构以使所述盖体移动至冷却位置，该冷却位置与在利用所述热板进行的加热处理结束时使所述盖体上升之际的上升位置不同。
9.根据权利要求7或8所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括测量所述盖体的温度的温度传感器，
所述控制部构成为还执行如下内容：基于由所述温度传感器测量出的所述盖体的温度，判断是否结束利用所述冷却体进行的所述盖体的冷却；和在判断为结束的情况下控制所述升降机构以使所述盖体从所述冷却体分离开。
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