CN113851389A - 热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质 - Google Patents

热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供能够同时实现升华物的高效率回收和低氧状态下的热处理这两者的热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质。热处理单元包括：加热部，其支承形成有覆膜的基片并对基片进行加热；腔室，其具有周壁部和盖部，周壁部包围加热部的周围，盖部通过在盖部与周壁部之间形成有间隙的状态下覆盖加热部而在加热部上形成处理空间；壳体，其收纳加热部和腔室；第1气体供给部，其向处理空间供给氧浓度比大气低的第1气体；排气部，其以比第1气体的供给量多的排气量对处理空间进行排气；第2气体供给部，其向周壁部与盖部之间的间隙供给氧浓度比大气低的第2气体；和第3气体供给部，其向壳体内的腔室之外供给氧浓度比大气低的第3气体。

Description

热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质。
背景技术
专利文献1公开了一种基片加热装置，其包括：加热板，其用于载置基片并对基片进行加热；和气体供给部，其用于在对基片进行加热时从处理空间的一个端部向另一个端部供给低氧气氛形成气体，该低氧气氛形成气体用于使处理空间成为低氧气氛。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2020/022069号
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够同时实现升华物的高效率回收和低氧状态下的热处理这两者的热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个方面的热处理单元包括：加热部，其用于支承形成有覆膜的基片并对基片进行加热；腔室，其具有周壁部和盖部，周壁部包围加热部的周围，盖部通过在盖部与周壁部之间形成有间隙的状态下覆盖加热部而在加热部上形成处理空间；壳体，其用于收纳加热部和腔室；第1气体供给部，其用于向处理空间供给氧浓度比大气低的第1气体；排气部，其用于以比第1气体的供给量多的排气量对处理空间进行排气；第2气体供给部，其用于向周壁部与盖部之间的间隙供给氧浓度比大气低的第2气体；和第3气体供给部，其用于向壳体内的处理空间之外供给氧浓度比大气低的第3气体。
发明效果
采用本发明，能够提供能够同时实现升华物的高效率回收和低氧状态下的热处理这两者的热处理单元、基片处理装置、热处理方法和存储介质。
附图说明
图1是表示基片处理***的一个例子的示意图。
图2是表示涂敷显影装置的一个例子的示意图。
图3是示意性地表示热处理单元的一个例子的侧面图。
图4是示意性地表示加热处理部的一个例子的侧面图。
图5是示意性地表示腔室的盖部的一个例子的平面图。
图6是将加热处理部的一个例子的一部分放大的示意图。
图7是示意性地表示加热处理部的一部分和气体供给部的一个例子的平面图。
图8是示意性地表示销排气部的一个例子的侧面图。
图9是表示控制装置的硬件结构的一个例子的框图。
图10是表示热处理方法的一个例子的流程图。
图11是表示加热处理的一个例子的流程图。
图12的(a)和(b)是用于对热处理方法的一个例子进行说明的示意图。
图13的(a)和(b)是用于对加热处理的一个例子进行说明的示意图。
图14的(a)和(b)是用于对加热处理的一个例子进行说明的示意图。
图15的(a)是用于对加热处理的一个例子进行说明的示意图。图15的(b)是用于对冷却处理的一个例子进行说明的示意图。
附图标记说明
2…涂敷-显影装置，U2…热处理单元，W…工件，52…加热部，52a…贯通孔，60…工件升降部，62…支承销，64…升降驱动部，70…腔室，72…周壁部，74…盖部，S…处理空间，g1、g2…间隙，80…第1气体供给部，82…头部，82a…排出孔，90…第2气体供给部，100…第3气体供给部，110…第1排气部，120…外周排气部，130…中心排气部，140…周缘排气部，150…第2排气部，152…独立排气路径，152a…第1区域，152b…第2区域，154…共用排气路径，162…第1排气路径形成部，164…波纹管，166…第2排气路径形成部，168…底部，168a…连接孔，170…密封部件，200…控制装置。
具体实施方式
下面，对各种例示性的实施方式进行说明。
一个例示性的实施方式的热处理单元包括：加热部，其用于支承形成有覆膜的基片并对基片进行加热；腔室，其具有周壁部和盖部，周壁部包围加热部的周围，盖部通过在盖部与周壁部之间形成有间隙的状态下覆盖加热部而在加热部上形成处理空间；壳体，其用于收纳加热部和腔室；第1气体供给部，其用于向处理空间供给氧浓度比大气低的第1气体；排气部，其用于以比第1气体的供给量多的排气量对处理空间进行排气；第2气体供给部，其用于向周壁部与盖部之间的间隙供给氧浓度比大气低的第2气体；和第3气体供给部，其用于向壳体内的腔室之外供给氧浓度比大气低的第3气体。
在该热处理单元中，排气部的排气量比第1气体的供给量多，因此，能够进行排气使得处理空间成为负压。由此，能够高效率地回收伴随着基片的加热而从覆膜产生的升华物。另一方面，在周壁部与盖部之间形成有间隙，因此，能够从处理空间之外向处理空间引入气体使得消除处理空间的负压状态。具体而言，能够将从第2气体供给部供给到周壁部与盖部之间的间隙的第2气体引入到处理空间。另外，即使在比第2气体的供给量多的气体被引入到处理空间的情况下，来自第2气体供给部的第2气体和由第3气体供给部形成为低氧状态的腔室外的气体被引入到处理空间。因此，处理空间能够保持为低氧状态。因此，能够同时实现升华物的高效率回收和低氧状态下的热处理这两者。
也可以是，排气部具有：外周排气部，其用于从比被加热部支承的基片的周缘靠外侧的外周区域对处理空间进行排气；和中心排气部，其用于从比被加热部支承的基片的周缘靠内侧的中心区域对处理空间进行排气。在基片上的覆膜伴随着加热而固化的过程的前段，处理空间的排气对膜厚的影响大，在覆膜的固化过程的后段，处理空间的排气对膜厚的影响小。在上述结构中，在固化过程的前段，能够从外周区域进行排气，能够抑制由处理空间的排气引起的对膜厚的影响。另外，在处理空间的排气对膜厚的影响程度变小的固化过程的后段，能够从中心区域进行排气，能够高效率地回收升华物。因此，能够高效率地回收升华物，并且能够提高膜厚的面内均匀性。
也可以是，第1气体供给部具有头部，在该头部形成有在该头部的与被加热部支承的基片相对的面散布的多个排出孔，能够从多个排出孔向加热部上的基片供给第1气体。在该情况下，能够使由来自第1气体供给部的第1气体引起的对膜厚的影响均匀化。因此，能够提高膜厚的面内均匀性。
也可以是，周壁部以在周壁部与加热部之间形成有间隙的方式配置。也可以是，排气部具有周缘排气部，该周缘排气部用于从周壁部与加热部之间的间隙对处理空间进行排气。在该情况下，能够抑制因在加热部与周壁部之间的间隙存在的气体而导致处理空间的氧浓度上升，能够更可靠地在低氧状态下进行热处理。
也可以是，周缘排气部中包含的排气路径的至少一部分与第2气体供给部中包含的供气路径的至少一部分以彼此靠近的状态配置。在该情况下，经由第2气体供给部的供气路径供给的第2气体的温度上升，能够抑制因来自第2气体供给部的第2气体被吸入到处理空间而导致处理空间的温度降低。
也可以是，上述热处理单元还包括：基片升降部，其具有分别***到沿着上下方向贯穿加热部的多个贯通孔中的多个支承销、和用于使多个支承销升降的升降驱动部；和销排气部，其用于从多个贯通孔对处理空间进行排气。在该情况下，在使基片从加热部分离的状态下，能够抑制因来自***有支承销的贯通孔的气体而导致处理空间的氧浓度上升，能够更可靠地在低氧状态下进行热处理。
也可以是，销排气部包括：在加热部的下方分别与多个贯通孔连接的多个独立排气路径；和与多个独立排气路径连接的共用排气路径。在该情况下，与在加热部的下方设置与多个贯通孔连接的排气空间来从多个贯通孔进行排气的情况相比，能够实现销排气部的省空间化。
也可以是，多个独立排气路径中的一个独立排气路径包括：从多个贯通孔中的对应的一个贯通孔向下方延伸的第1区域；和沿着与第1区域的延伸方向交叉的方向延伸的第2区域。也可以是，销排气部包括：用于形成第1区域的第1排气路径形成部；和用于形成第2区域的第2排气路径形成部。也可以是，多个支承销中的一个支承销在一个独立排气路径中沿着第1区域的延伸方向配置在第1区域内，并且***到设置在第2排气路径形成部的底部的连接孔中。也可以是，第1排气路径形成部包括能够沿着第1区域的延伸方向伸缩的波纹管。也可以是，销排气部包括以将连接孔封闭的方式配置的、能够相对于连接孔移动的密封部件。在该情况下，通过利用波纹管吸收因加热部的温度上升而引起的排气路径形成部的收缩或膨胀、以及利用密封部件将与独立排气路径的下端部连接的连接孔封闭，能够抑制不是低氧的气体经由独立排气路径流入处理空间。
也可以是，覆膜是通过在基片的表面涂敷处理液而形成的涂敷膜。在该情况下，能够高效率地回收因涂敷膜的温度上升而产生的升华物，并且能够利用低氧下的热处理使涂敷膜的特性提高。
一个例示性的实施方式的基片处理装置包括：上述热处理单元；和用于控制热处理单元的控制单元。控制单元能够控制热处理单元使得热处理单元从第1状态切换为第2状态，在第1状态下，以比第1气体的供给量与第2气体的供给量的总和少的排气量对处理空间进行排气，在第2状态下，以比第1气体的供给量与第2气体的供给量的总和多的排气量对处理空间进行排气。
壳体内的处理空间和间隙之外的区域达到氧浓度低至与处理空间内相同程度的状态需要时间。然而，如果在待机至处理空间和间隙之外的区域达到足够低的氧浓度之后开始基片的加热，则基片处理的效率降低。而在上述结构中，在第1状态下，能够以不会使来自第2气体供给部的第2气体以外的气体进入处理空间内的程度的排气量对处理空间进行排气。而且，在从第1状态切换后的第2状态下，能够从间隙和处理空间之外的区域将已达到足够低氧状态的气体引入到处理空间。因此，能够提高包括在低氧下对基片进行加热的处理在内的基片处理的效率性。
也可以是，排气部具有：外周排气部，其用于从比被加热部支承的基片的周缘靠外侧的外周区域对处理空间进行排气；和中心排气部，其用于从比被加热部支承的基片的周缘靠内侧的中心区域对处理空间进行排气。也可以是，控制单元对排气部进行控制，使得在第1状态下至少由外周排气部对处理空间进行排气，并且在第2状态下至少由中心排气部对处理空间进行排气。在该情况下，在基片上的覆膜的固化过程的前段，通过在第1状态下从外周区域对处理空间进行排气，能够抑制排气对膜厚的影响。另一方面，在排气对膜厚的影响程度变小的固化过程的后段，能够在第2状态下从中心区域进行排气，能够高效率地回收升华物。因此，能够高效率地回收升华物，并且能够提高膜厚的面内均匀性。
一个例示性的实施方式的热处理方法包括：加热步骤，在处理空间中使用加热部对形成有覆膜的基片进行加热，其中，处理空间是由腔室在加热部上形成的，腔室具有周壁部和盖部，周壁部包围加热部的周围，盖部以在盖部与周壁部之间形成有间隙的方式配置；第1气体供给步骤，向处理空间供给氧浓度比大气低的第1气体；排气步骤，以比第1气体的供给量多的排气量对处理空间进行排气；第2气体供给步骤，向周壁部与盖部之间的间隙供给氧浓度比大气低的第2气体；和第3气体供给步骤，向收纳加热部和腔室的壳体内的腔室之外供给氧浓度比大气低的第3气体。在该热处理方法中，与上述的热处理单元同样地，能够同时实现升华物的高效率回收和低氧状态下的热处理这两者。
一个例示性的实施方式的存储介质是一种计算机可读取的存储介质，其存储有用于使装置执行上述热处理方法的程序。
下面，参照附图对一个实施方式进行说明。在下面的说明中，对于相同要素或具有相同功能的要素，标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
图1所示的基片处理***1是用于对工件W实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光、和该感光性覆膜的显影的***。作为处理对象的工件W，例如是基片、或者通过实施规定的处理而形成了膜或电路等的状态的基片。工件W中包括的基片，作为一个例子，是含硅的晶片。工件W(基片)可以形成为圆形。作为处理对象的工件W也可以是玻璃基片、掩模基片、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等，也可以是对这些基片等实施规定的处理而得到的中间体。感光性覆膜例如为抗蚀剂膜。
基片处理***1包括涂敷-显影装置2和曝光装置3。涂敷-显影装置2用于在曝光装置3的曝光处理前，进行在工件W的表面涂敷抗蚀剂(药液)来形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。曝光装置3是用于对形成在工件W(基片)上的抗蚀剂膜(感光性覆膜)进行曝光的装置。具体而言，曝光装置3通过液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量射线。
[基片处理装置]
下面，作为基片处理装置的一个例子，对涂敷-显影装置2的结构进行说明。如图1和图2所示，涂敷-显影装置2包括承载器区块4、处理区块5、接口区块6和控制装置200(控制单元)。
承载器区块4能够进行工件W向涂敷-显影装置2内的导入和工件W从涂敷-显影装置2内的导出。例如，承载器区块4能够支承工件W用的多个承载器(carrier)C，内置有包括交接臂的输送装置A1。承载器C能够收纳例如圆形的多个工件W。输送装置A1能够从承载器C取出工件W并将其传递给处理区块5，并且能够从处理区块5接收工件W并将其返回到承载器C。处理区块5具有处理模块11、12、13、14。
处理模块11内置有液处理单元U1、热处理单元U2和用于向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块11能够利用液处理单元U1和热处理单元U2在工件W的表面上形成下层膜。作为下层膜，例如可举出SOC(Spin On Carbon)膜。液处理单元U1用于在工件W上涂敷下层膜形成用的处理液。热处理单元U2用于进行与下层膜的形成相伴的各种热处理。热处理单元U2例如能够对通过在工件W的表面涂敷SOC膜形成用的处理液而形成的涂敷膜(覆膜)进行加热处理。通过对SOC膜形成用的处理液的覆膜进行加热，覆膜能够通过覆膜内的交联反应而固化。由此，在工件W的表面形成SOC膜。
处理模块12内置有液处理单元U1、热处理单元U2和用于向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块12能够利用液处理单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀剂膜。液处理单元U1用于通过在下层膜上涂敷抗蚀剂膜形成用的处理液，在工件W的表面上形成该处理液的覆膜。热处理单元U2用于进行与抗蚀剂膜的形成相伴的各种热处理。
处理模块13内置有液处理单元U1、热处理单元U2和用于向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块13能够利用液处理单元U1和热处理单元U2在抗蚀剂膜上形成上层膜。液处理单元U1用于在抗蚀剂膜上涂敷上层膜形成用的处理液。热处理单元U2用于进行与上层膜的形成相伴的各种热处理。
处理模块14内置有液处理单元U1、热处理单元U2和用于向这些单元输送工件W的输送装置A3。处理模块14能够利用液处理单元U1和热处理单元U2进行实施了曝光处理的抗蚀剂膜的显影处理和与显影处理相伴的热处理。液处理单元U1用于在已曝光的工件W的表面上涂敷显影液之后，利用冲洗液对其进行清洗，由此进行抗蚀剂膜的显影处理。热处理单元U2用于进行与显影处理相伴的各种热处理。作为热处理的具体例子，可举出显影前的加热处理(PEB：Post Exposure Bake)、显影后的加热处理(PB：Post Bake)等。
在处理区块5内的承载器区块4侧设置有搁架单元U8。搁架单元U8被划分为在上下方向上排列的多个小室。在搁架单元U8的附近设置有包括升降臂的输送装置A7。输送装置A7用于使工件W在搁架单元U8的小室彼此之间升降。
在处理区块5内的接口区块6侧设置有搁架单元U9。搁架单元U9被划分为在上下方向上排列的多个小室。
接口区块6用于在该接口区块6与曝光装置3之间进行工件W的交接。例如，接口区块6内置有包括交接臂的输送装置A8，并与曝光装置3连接。输送装置A8能够将配置在搁架单元U9上的工件W传递给曝光装置3。输送装置A8能够从曝光装置3接收工件W并将其返回到搁架单元U9。
控制装置200控制涂敷-显影装置2例如使其按照下述流程进行涂敷-显影处理。首先，控制装置200控制输送装置A1使其将承载器C内的工件W输送到搁架单元U8，并控制输送装置A7使其将该工件W配置到处理模块11用的小室。
接着，控制装置200控制输送装置A3使其将搁架单元U8的工件W输送到处理模块11内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外，控制装置200控制液处理单元U1和热处理单元U2，使得在该工件W的表面上形成下层膜(例如，SOC膜)。之后，控制装置200控制输送装置A3使其将形成有下层膜的工件W返回到搁架单元U8，并控制输送装置A7使其将该工件W配置到处理模块12用的小室。
接着，控制装置200控制输送装置A3使其将搁架单元U8的工件W输送到处理模块12内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外，控制装置200控制液处理单元U1和热处理单元U2，使得在该工件W的表面形成抗蚀剂膜。之后，控制装置200控制输送装置A3使其将工件W返回到搁架单元U8，并控制输送装置A7使得将该工件W配置到处理模块13用的小室。
接着，控制装置200控制输送装置A3使其将搁架单元U8的工件W输送到处理模块13内的各单元。另外，控制装置200控制液处理单元U1和热处理单元U2，使得在该工件W的抗蚀剂膜上形成上层膜。之后，控制装置200控制输送装置A3使其将工件W输送到搁架单元U9。
接着，控制装置200控制输送装置A8使其将搁架单元U9的工件W送出到曝光装置3。之后，控制装置200控制输送装置A8，使得从曝光装置3接收实施了曝光处理的工件W，并将其配置在搁架单元U9的处理模块14用的小室中。
接着，控制装置200控制输送装置A3使其将搁架单元U9的工件W输送到处理模块14内的各单元，并控制液处理单元U1和热处理单元U2使得对该工件W的抗蚀剂膜实行显影处理。之后，控制装置200控制输送装置A3使其将工件W返回到搁架单元U8，并控制输送装置A7和输送装置A1使得将该工件W返回到承载器C内。通过上述步骤，对1个工件W的涂敷-显影处理完成。在涂敷-显影处理后，可以进行将SOC膜等下层膜作为掩模对工件W的表面进行蚀刻的处理。控制装置200对多个工件W分别与上述同样地使涂敷-显影装置2执行涂敷-显影处理。
基片处理装置的具体结构，并不限于上面例示的涂敷-显影装置2的结构。基片处理装置只要包括用于对处理液的覆膜实施热处理的热处理单元、和能够控制该热处理单元的控制装置，就可以是任意的结构。
(热处理单元)
接着，参照图3～图8，对处理模块11的热处理单元U2的一个例子进行详细说明。图3所示的热处理单元U2可以设置在大气气氛下。热处理单元U2构成为能够在使工件W的周边为低氧气氛下的状态下对该工件W进行热处理。在本发明中，“低氧气氛(状态)”是指氧浓度比大气低的气氛(状态)。
在一个例子中，热处理单元U2在氧浓度为400ppm以下的低氧状态下对工件W进行热处理。热处理单元U2中的热处理执行时的工件W的周边的气氛的氧浓度可以为200ppm以下，也可以为100ppm以下，还可以为50ppm以下。例如，通过在低氧气氛下对用于形成SOC膜的处理液的覆膜(涂敷膜)实施热处理，因热处理而固化的SOC膜的致密性提高，涂敷-显影处理后的蚀刻处理中的耐性(实施蚀刻的难度)提高。
由图3所示的热处理单元U2执行的热处理包括：对作为处理对象的工件W(覆膜)施加热的加热处理；和对实施了加热处理的工件W(覆膜)进行冷却的冷却处理。热处理单元U2例如包括：收纳部20；冷却处理部30；加热处理部50；和用于在冷却处理部30与加热处理部50之间输送工件W的输送部190。
收纳部20用于收纳热处理单元U2的各部件。收纳部20例如具有壳体22、底板24、闸门(shutter)26和闸门驱动部28。壳体22是用于收纳冷却处理部30的一部分、加热处理部50的一部分和输送部190的容器。壳体22例如形成为长方体状。壳体22的底壁可以被载置在处理模块11内的水平的面(例如，底面)上。在俯视时，壳体22的形状可以是长方形。
底板24将由壳体22形成的空间划分为在上下方向上排列的上方区域V1和下方区域V2。在上方区域V1中进行加热处理和冷却处理，在下方区域V2中配置用于驱动各部件的驱动装置等。底板24可以是具有隔热功能的冷却板(例如水冷板)。在一个例子中，底板24由金属构成，在其内部设置有供冷却水流动的冷却流路。
在俯视时壳体22中的位于长度方向的一端的侧壁上，形成有用于进行工件W的送入送出的送入口22a，闸门26构成为能够将该送入口22a开闭。闸门驱动部28例如能够利用电动机等动力源使闸门26在上下方向上移动。闸门驱动部28能够使闸门26在将送入口22a关闭的位置与不将送入口22a关闭的位置之间移动。
冷却处理部30进行在上方区域V1中使工件W冷却的处理。冷却处理部30在壳体22内的长度方向上配置在比设置送入口22a的侧壁的相反侧的侧壁靠近送入口22a的位置。在图3所示的例子中，沿着长度方向依次配置有送入口22a、冷却处理部30、加热处理部50。冷却处理部30例如包括冷却板32、工件升降部34和气体供给部40。
冷却板32是载置由加热处理部50加热后的工件W并对该工件W进行冷却的板。冷却板32可以形成为大致圆板状。冷却板32例如由热传导率高的铝、银或铜等金属构成。在冷却板32的内部设置有供用于使工件W的温度降低的冷却水或冷却气体流动的冷却流路。
工件升降部34用于使工件W在冷却板32的上方升降。工件升降部34例如使工件W在处理位置与交接位置之间升降，所述处理位置是工件W被载置在冷却板32的支承面32a(冷却板32的上表面)上的位置，所述交接位置是在与冷却板32隔开间隔的上方与输送部190等之间进行工件W的交接的位置。工件升降部34具有多个(例如3根)支承销36和升降驱动部38。
支承销36是用于从下方支承工件W的销。支承销36***到形成在冷却板32上的贯通孔中，形成为在上下方向上延伸。多个支承销36在绕冷却板32的中心的周向上彼此等间隔地配置。升降驱动部38能够利用电动机或升降缸等动力源使多个支承销36升降。升降驱动部38例如通过使支承销36上升以使支承销36的上端比冷却板32的支承面32a向上方突出，来使工件W上升至交接位置。另外，升降驱动部38通过使支承销36下降以使支承销36的上端位于比支承面32a靠下方的位置，来使工件W下降至处理位置(使工件W载置在冷却板32的支承面32a上)。升降驱动部38设置在底板24上。
为了在对工件W的冷却处理中将冷却板32的周边的空间保持为低氧状态，气体供给部40向冷却板32的周边的空间供给氧浓度比大气低的气体。例如，气体供给部40向冷却板32的支承面32a供给氧浓度比大气低的气体(低氧的气体)。由气体供给部40供给的低氧的气体只要氧浓度比大气低，就可以是任意种类的气体。作为由气体供给部40供给的低氧的气体的具体例子，可举出不活泼气体(例如氮气)。气体供给部40例如具有头部42、供给路径44、气体源46和开关阀48。
头部42设置在冷却板32的上方，能够从上方向冷却板32(冷却板32上的工件W)排出低氧的气体。头部42例如能够从上方向冷却板32的支承面32a的大致整个面排出气体。在头部42内形成有水平地延伸的排出空间，在头部42的下表面(与冷却板32相对的面)形成有将排出空间与头部42之外的空间之间贯穿的多个排出孔42a。多个排出孔42a可以散布在头部42的下表面。
加热处理部50用于进行在上方区域V1中加热工件W的处理。加热处理部50沿着壳体22的长度方向与冷却处理部30并排配置。加热处理部50例如包括加热部52、工件升降部60(基片升降部)和腔室70。
加热部52用于支承形成有覆膜的工件W并对其进行加热。具体而言，如图4所示，加热部52用于支承在正面Wa形成有处理液的涂敷膜的工件W的背面Wb，并且对所支承的工件W进行加热。加热部52配置在壳体22内(上方区域V1内)。加热部52例如具有热板54、隔热板56和支承底壁58。支承底壁58、隔热板56和热板54从下方起依次层叠。
热板54具有用于载置工件W的支承面54a，能够向所支承的工件W传递热。在热板54的内部设置有加热器54b。热板54例如由热传导率高的铝、银或铜等金属构成。热板54形成为圆板状，以支承面54a(上表面)水平的方式配置。热板54的直径大于工件W的直径。
隔热板56用于支承热板54的与支承面54a相反的一侧的背面，遮挡来自热板54的热向下方传递。隔热板56与热板54同样地形成为圆板状，隔热板56的直径与热板54的直径为相同程度。支承底壁58形成为圆板状，支承底壁58的直径大于热板54(隔热板56)的直径。支承底壁58用于支承热板54和隔热板56。支承底壁58在底板24的上方隔开间隔地配置。也可以是支承底壁58经由固定部件(未图示)连接(固定)在底板24上。
工件升降部60用于使工件W在热板54的上方升降。工件升降部60例如使工件W在处理位置与交接位置之间升降，所述处理位置是工件W被载置在热板54的支承面54a上的位置，所述交接位置是在与热板54隔开间隔的上方与输送部190之间进行工件W的交接的位置。如图3所示，工件升降部60具有多个(例如3根)支承销62和升降驱动部64。
支承销62是用于从下方支承工件W的销。多个支承销62形成为在上下方向上延伸。如图4所示，多个支承销62分别***到设置在加热部52的多个贯通孔52a中。即，多个支承销62的各支承销62***到多个贯通孔52a中的对应的一个贯通孔52a中。贯通孔52a以沿着上下方向分别贯穿热板54、隔热板56和支承底壁58的方式形成。多个支承销62(多个贯通孔52a)在绕热板54的中心CP的周向上彼此等间隔地配置(也参照图7)。
图3所示的升降驱动部64能够利用电动机或升降缸等动力源使多个支承销62升降。升降驱动部64例如通过使支承销62上升以使支承销62的上端比热板54的支承面54a向上方突出，来使工件W上升至交接位置。另外，升降驱动部64通过使支承销62下降以使支承销62的上端位于比支承面54a靠下方的位置，来使工件W下降至处理位置(使工件W载置在热板54的支承面54a上)。升降驱动部64配置在比底板24靠下方的下方区域V2中。各支承销62也***到设置在底板24上的贯通孔中。
如图4所示，腔室70覆盖加热部52(特别是热板54)的周围和上方。腔室70具有周壁部72和盖部74。周壁部72包围加热部52的周围(侧方)。周壁部72从加热部52的支承底壁58的周缘部向上方延伸，形成为圆环状。周壁部72的高度(上下方向的长度)可以为热板54的高度与隔热板56的高度的合计高度以上。热板54和隔热板56的侧面(周面)，与周壁部72相对。周壁部72以在周壁部72与加热部52(更详细而言，是热板54和隔热板56)之间形成有间隙g1的状态配置。间隙g1(周壁部72与加热部52之间的空间)以包围热板54的整周的方式形成为环状(也参照图7)。
盖部74在盖部74与周壁部72之间形成有间隙g2的状态下覆盖加热部52(更详细而言，覆盖被热板54支承的工件W)。因为盖部74不与周壁部72接触，所以能够防止与这些部件彼此的接触相伴的异物的产生。盖部74覆盖热板54上的工件W，由此，在热板54的上方形成用于进行加热处理的处理空间S。处理空间S是在其一部分经由上述间隙g2与外部的空间连接的状态下，以能够对形成在工件W上的覆膜充分地进行加热的程度封闭的空间。盖部74以能够在上下方向上移动的方式设置在壳体22内。
如图3所示，加热处理部50具有用于使盖部74沿上下方向移动的升降驱动部68。升降驱动部68配置在下方区域V2中，例如能够利用电动机等动力源使盖部74沿上下方向移动。通过利用升降驱动部68使盖部74下降至接近周壁部72，能够利用盖部74形成处理空间S。通过利用升降驱动部68使盖部74上升(从周壁部72离开)至无法充分地对工件W进行加热的程度，能够使热板54的上方的空间向上方区域V1开放。
如图4所示，盖部74例如包括顶板76和侧壁78。顶板76形成为具有与支承底壁58相同程度的直径的圆板状。顶板76以与热板54的支承面54a在上下方向上相对的方式配置。即，顶板76从上方覆盖支承面54a。侧壁78是以从顶板76的外缘向下方延伸的方式形成的圆环状的部件，以与周壁部72在上下方向上相对的方式配置。圆环状的侧壁78包围热板54的支承面54a。
在盖部74接近周壁部72的状态下，在侧壁78的下端与周壁部72的上端之间形成间隙g2。间隙g2(侧壁78与周壁部72之间的空间)以包围热板54(处理空间S)的周围的方式形成为圆环状。间隙g2与处理空间S连接，间隙g2中的靠近处理空间S的内侧的端部g21的间隔比远离处理空间S的外侧的端部g22的间隔窄(参照图6)。
为了在对工件W的加热处理中将处理空间S保持在低氧气氛下，加热处理部50还包括用于供给低氧的气体的气体供给部。具体而言，加热处理部50还包括第1气体供给部80、第2气体供给部90和第3气体供给部100。
图4所示的第1气体供给部80用于向处理空间S供给氧浓度比大气低的气体。由第1气体供给部80供给的低氧的气体(下面，称为“第1气体”)只要氧浓度比大气低，就可以是任意种类的气体。作为第1气体的具体例子，可举出不活泼气体(例如氮气)。在形成了处理空间S的状态下，通过持续从第1气体供给部80供给第1气体，处理空间S成为低氧状态。第1气体供给部80例如具有头部82、供给路径84、气体源86和开关阀88。
头部82构成盖部74(顶板76)的一部分。头部82能够在腔室70内的处理空间S中从上方向热板54上的工件W排出气体。头部82例如能够向工件W的正面Wa的大致整个面排出第1气体。在头部82内形成有在水平面上延伸的排出空间，在顶板76的下表面(头部82中的与热板54上的工件W相对的面)形成有将排出空间与处理空间S之间贯穿的多个排出孔82a。
图5表示从下方看图4所例示的盖部74的示意图。如图5所示，多个排出孔82a在顶板76的下表面散布。多个排出孔82a以大致均匀的密度散布在顶板76的下表面中的与热板54上的工件W相对的部分(下面，称为“相对部分”)。多个排出孔82a分散地配置在相对部分。
多个排出孔82a的开口面积可以彼此大致相同。在多个排出孔82a的开口面积彼此大致相同的情况下，多个排出孔82a可以以相对部分的每单位面积的排出孔82a的开口面积所占的比例均匀的方式散布。从下方看时，排出孔82a的形状可以是圆或椭圆。多个排出孔82a可以以相邻的排出孔82a彼此的间隔大致一定的方式散布。作为一个例子，在多个排出孔82a沿着横向和纵向二维排列的情况下，在横向上相邻的排出孔82a彼此的间隔可以是均匀的，在纵向上相邻的排出孔82a彼此的间隔也可以是均匀的。
返回到图4，多个排出孔82a经由排出空间与供给路径84连接。作为第1气体的供给源的气体源86，能够通过供给路径84向排出空间供给第1气体。开关阀88设置在供给路径84上，用于切换供给路径84的开关状态。在开关阀88为开状态时，从多个排出孔82a供给(排出)第1气体，在开关阀88为关状态时，停止从多个排出孔82a供给第1气体。
图6表示第2气体供给部90的一个例子。第2气体供给部90用于向周壁部72与盖部74之间的间隙g2供给氧浓度比大气低的气体。由第2气体供给部90供给的低氧的气体(下面，称为“第2气体”)只要氧浓度比大气低，就可以是任意种类的气体。作为第2气体的具体例子，可举出不活泼气体(例如氮气)。从第2气体供给部90供给到间隙g2的第2气体，经由间隙g2的内侧的端部g21流入到处理空间S，或者经由间隙g2的外侧的端部g22流入到腔室70外(位于上方区域V1内且位于处理空间S和间隙g2外)的区域。在如上所述，端部g21的开口比端部g22的开口小的情况下，供给到间隙g2的第2气体，与处理空间S相比更容易流入到腔室70外的区域。第2气体供给部90例如包括气体排出部92、供给路径94、气体源96和开关阀98。
气体排出部92设置在周壁部72的上端部，能够从周壁部72的内部向间隙g2排出第2气体。气体排出部92包括多个排出孔92a和供给路径92b(供气路径)。多个排出孔92a设置在周壁部72的上端面。多个排出孔92a沿着绕热板54的中心CP的周向以规定的间隔排列(参照图7)。供给路径92b设置在周壁部72的上端部的内部，以沿着绕热板54的中心CP的周向延伸的方式形成为环状。供给路径92b与间隙g2经由多个排出孔92a连接，供给到供给路径92b的第2气体，通过多个排出孔92a被排出到间隙g2。
周壁部72内部的供给路径92b，与延伸至周壁部72外的供给路径94连接。作为第2气体的供给源的气体源96，能够经由供给路径94、92b向多个排出孔92a供给第2气体。开关阀98设置在供给路径94上，用于切换供给路径94的开关状态。在开关阀98为开状态时，从多个排出孔92a供给(排出)第2气体，在开关阀98为关状态时，停止从多个排出孔92a供给第2气体。
图3或图7所示的第3气体供给部100，用于将氧浓度比大气低的气体供给到壳体22内的处理空间S之外。具体而言，第3气体供给部100用于向上方区域V1中的腔室70外的空间(处理空间S和间隙g2外)供给低氧的气体。由第3气体供给部100供给的低氧的气体(下面，称为“第3气体”)只要氧浓度比大气低，就可以是任意种类的气体。作为第3气体的具体例子，可举出不活泼气体(例如氮气)。第3气体供给部100供给第3气体，使得上方区域V1中的腔室70的周边被第3气体充满(腔室70的周边成为低氧状态)。第3气体供给部100例如包括头部102、供给路径104、气体源106和开关阀108。
头部102设置在腔室70(盖部74)的上方。头部102在加热处理部50和冷却处理部30排列的方向上配置在腔室70与冷却处理部30之间。如图7所示，头部102以沿着与加热处理部50和冷却处理部30排列的方向及上下方向正交的方向延伸的方式形成为棒状。头部102的与延伸方向正交的截面的形状为四边形(例如正方形)。在头部102内形成有在其延伸方向上延伸的排出空间。在头部102的一个侧面(头部102中的与朝向冷却处理部30的侧面相反的一侧的侧面)，形成有将排出空间与上方区域V1之间贯穿的多个排出孔102a。多个排出孔102a沿着头部102的延伸方向以规定的间隔排列。
多个排出孔102a经由头部102内的排出空间与供给路径104连接。作为第3气体的供给源的气体源106，能够经由供给路径104向头部102内的排出空间供给第3气体。开关阀108设置在供给路径104上，用于切换供给路径104的开关状态。在开关阀108为开状态时，从多个排出孔102a供给(排出)第3气体，在开关阀108为关状态时，停止从多个排出孔102a供给第3气体。
如上所述，在图3所例示的热处理单元U2中，为了在冷却处理中使工件W的周边成为低氧状态而设置有气体供给部40，为了在加热处理中使工件W的周边成为低氧状态而设置有第1气体供给部80、第2气体供给部90和第3气体供给部100。第1气体、第2气体、第3气体和来自气体供给部40的低氧气体(下面，称为“第4气体”)可以是彼此相同种类的气体。在使用彼此相同种类的气体的情况下，低氧气体的主要成分(例如氮气)的浓度可以彼此相同，也可以彼此不同。在使用相同种类且主要成分的浓度相同的气体的情况下，4个气体供给部可以共用一个气体源。
为了回收在对工件W的加热处理中产生的升华物，或者为了将处理空间S保持为低氧状态，加热处理部50还包括用于对处理空间S进行排气的排气部。具体而言，如图4所示，加热处理部50还包括第1排气部110和第2排气部150。
第1排气部110(排气部)用于将处理空间S内存在的气体排出到处理空间S之外(壳体22之外)。第1排气部110构成为能够以比来自第1气体供给部80的第1气体的供给量(每单位时间的供给量)多的排气量(每单位时间的气体的排出量)对处理空间S进行排气。第1排气部110例如具有外周排气部120、中心排气部130和周缘排气部140。
外周排气部120用于从比被加热部52(热板54)支承的工件W的周缘Wc靠外侧的外周区域对处理空间S进行排气。外周排气部120例如具有多个排气孔122、排气路径124和开关阀126。多个排气孔122设置在第1气体供给部80的外侧，外周排气部120能够经由多个排气孔122和排气路径124，在处理空间S中的外周将处理空间S内的气体从处理空间S的上方排出到壳体22之外。如图5所例示的那样，多个排气孔122设置在第1气体供给部80的头部82的外侧。
多个排气孔122设置在盖部74的顶板76内，分别在顶板76的下表面中的外周部(即处理空间S中的上表面的外周部)开口。多个排气孔122呈环状配置在头部82的外侧。从上方看时，多个排气孔122位于比热板54上的工件W的周缘Wc靠外侧的位置。换言之，从上方看时，多个排气孔122不与热板54上的工件W重叠。顶板76内的排气孔122的形状没有特别限定。
在排气路径124上设置有排气泵，能够利用该排气泵的吸引，将处理空间S内的气体经由多个排气孔122排出到壳体22之外。开关阀126设置在排气路径124上，用于切换排气路径124的开关状态。在开关阀126为开状态时，从多个排气孔122排出处理空间S内的气体，在开关阀126为关状态时，停止经由多个排气孔122排出处理空间S内的气体。
中心排气部130用于从比被加热部52支承的工件W的周缘Wc靠内侧的中心区域将处理空间S内的气体向上方排出。从上方看时，上述中心区域的外缘例如由具有工件W的半径的一半左右的半径的圆决定。但是，中心区域并不限于上述情况，例如，也可以构成为从比工件W的半径的一半左右靠外侧的位置由中心排气部130进行排气。中心排气部130例如具有排气孔132、排气路径134和开关阀136。
排气孔132设置在第1气体供给部80的头部82，热板54的中心CP位于排气孔132内。可以是如图5所例示的那样，排气孔132的中心与热板54的中心CP大致一致。或者，也可以是，在中心区域，排气孔132的中心相对于热板54的中心CP偏心。此外，也可以是，中心排气部130，代替一个排气孔132或者除了一个排气孔132以外，具有设置在头部82中的与上述中心区域相对的区域的多个排气孔。多个排气孔(例如，4个排气孔)可以沿着绕中心CP的周向等间隔地配置。
排气孔132以在处理空间S开口的方式设置在头部82。具体而言，排气孔132设置在包含头部82的顶板76内，在顶板76的下表面的中央部开口。包含头部82的顶板76内的排气孔132的形状没有特别限定。作为一个例子，从上下方向看时，排气孔132的形状为圆或椭圆。排气孔132的大小(直径)可以比第1气体供给部80的排出孔82a的大小(直径)大，也可以比外周排气部120的排气孔132大。中心排气部130能够经由排气孔132和排气路径134，在处理空间S中的中心区域将处理空间S内的气体从处理空间S的上方排出到壳体22之外。
在排气路径134上设置有排气泵，能够利用该排气泵的吸引，将处理空间S内的气体经由排气孔132排出到壳体22之外。开关阀136设置在排气路径134上，用于切换排气路径134的开关状态。在开关阀136为开状态时，从排气孔132排出处理空间S内的气体，在开关阀136为关状态时，停止经由排气孔132排出处理空间S内的气体。
周缘排气部140用于从周壁部72与加热部52(热板54)之间的间隙g1对处理空间S进行排气。周缘排气部140能够从间隙g1中的位于上方的端部(在处理空间S开口的端部)排出处理空间S内的气体。如图6所示，周缘排气部140例如具有排气路径142、144和开关阀146。
排气路径142设置在周壁部72的内部，以沿着绕热板54的中心CP的周向延伸的方式形成为环状。间隙g1与排气路径142之间由在间隙g1开口的多个排气孔142a连接。多个排气孔142a设置在周壁部72的内周面，沿着周向以规定的间隔排列。在周壁部72的内部，排气路径142配置在第2气体供给部90的供给路径92b的下方。供给路径92b与排气路径142可以以彼此靠近的状态配置。例如，以通过经由排气路径142的排气使经由供给路径92b和排出孔92a供给到间隙g2的第2气体的温度上升的程度，配置供给路径92b和排气路径142。
周壁部72内部的排气路径142与延伸至周壁部72之外的排气路径144连接。在排气路径144上设置有排气泵，能够利用该排气泵的吸引，将处理空间S内的气体经由间隙g1和排气路径142、144排出到壳体22之外。开关阀146设置在排气路径144上。在开关阀146为开状态时，从间隙g1排出处理空间S内的气体，在开关阀146为关状态时，停止经由间隙g1排出处理空间S内的气体。
上面例示的第1排气部110构成为，外周排气部120和周缘排气部140的排气量的总和比来自第1气体供给部80的第1气体的供给量多，并且比第1气体的供给量与来自第2气体供给部90的第2气体的供给量的总和小。另外，第1排气部110构成为，外周排气部120、中心排气部130和周缘排气部140的排气量的总和比第1气体和第2气体的供给量的总和大。
如图4所示，第2排气部150(销排气部)构成为能够从多个贯通孔52a对处理空间S进行排气，其中，多个贯通孔52a可供用于使工件W升降的多个支承销62***。在工件W的加热中，工件W被载置在热板54的支承面54a上，因此，多个贯通孔52a被工件W封闭。因此，在工件W位于与支承面54a隔开间隔的上方时，能够利用第2排气部150对处理空间S进行排气。第2排气部150例如具有多个独立排气路径152、共用排气路径154和开关阀156。
多个独立排气路径152配置在加热部52(支承底壁58)的下方，分别与多个贯通孔52a连接。多个独立排气路径152中的一个独立排气路径152与多个贯通孔52a中的一个贯通孔52a(对应的贯通孔52a)连接。共用排气路径154与多个独立排气路径152连接。由第2排气部150排出的气体分别通过多个独立排气路径152，在共用排气路径154合流之后向壳体22之外流动。
在共用排气路径154上设置有排气泵，能够利用该排气泵的吸引，将处理空间S内的气体经由多个贯通孔52a排出到壳体22之外。开关阀156设置在共用排气路径154上，用于切换共用排气路径154的开关状态。在工件W没有被载置在热板54的支承面54a上的状态下，在开关阀156为开状态时，从多个贯通孔52a排出处理空间S内的气体，在开关阀156为关状态时，停止经由多个贯通孔52a排出处理空间S内的气体。
在此，参照图8对用于形成一个独立排气路径152的排气路径形成部的一个例子进行说明。如图8所示，独立排气路径152包括：第1区域152a，其与对应的贯通孔52a连接，并从该贯通孔52a向下方(例如铅垂下方)延伸；和第2区域152b，其与第1区域152a连接，并沿着与第1区域152a的延伸方向交叉的方向(例如水平方向)延伸。另外，第2排气部150还包括：用于形成第1区域152a的第1排气路径形成部162；和用于形成第2区域152b的第2排气路径形成部166。
第1排气路径形成部162形成为筒状(例如圆筒状)，沿着上下方向延伸。第1排气路径形成部162的上端连接(固定)在支承底壁58的下表面。从上下方向看时，第1排气路径形成部162以包围对应的贯通孔52a的外缘的方式配置。在第1排气路径形成部162的一部分(例如上下方向的中间部)，包括能够沿着第1区域152a的延伸方向伸缩的波纹管164。通过在第1排气路径形成部162中包括波纹管164，第1排气路径形成部162能够沿着上下方向伸缩，能够保持支承底壁58与第1排气路径形成部162的上端之间的密合性。第2排气路径形成部166的一端与第1排气路径形成部162的下端连接。
第2排气路径形成部166形成为筒状(例如方筒状)，沿着水平方向延伸。第2排气路径形成部166设置在将上方区域V1和下方区域V2隔开的底板24上。第2排气路径形成部166包括与底板24相对(或接触)的底部168。在第2排气路径形成部166的一端(与第1排气路径形成部162连接的部分)，在底部168形成有连接孔168a。连接孔168a设置在与贯通孔52a和底板24的贯通孔24a重叠的位置。一个支承销62除了***到贯通孔52a中以外，还***到连接孔168a和贯通孔24a中。另外，该支承销62沿着第1区域152a的延伸方向配置在第1区域152a内。
连接孔168a例如为圆形，连接孔168a的开口的大小(直径)比支承销62的直径大。当连接孔168a的开口的大小比支承销62的直径大时，支承销62能够在水平方向位移。例如，连接孔168a的开口的大小被设定为支承销62的1.5倍～3倍左右。将上方区域V1和下方区域V2连接的贯通孔24a的大小大于连接孔168a的大小。在上述的排气路径形成部的结构中，在支承销62与连接孔168a的内周面之间会产生间隙，因此，气体会从下方区域V2向独立排气路径152内流通。
为了抑制气体从下方区域V2流入，第2排气部150还包括用于将连接孔168a封闭的密封部件170。密封部件170以在支承销62的周围从上方覆盖连接孔168a的方式配置在底部168上。密封部件170例如在俯视时形成为圆形状或多边形状，在其大致中央具有供支承销62***的***孔170a。***孔170a被设定为比连接孔168a的直径小、并且比支承销62的直径稍大的程度。
密封部件170能够相对于连接孔168a移动，与支承销62在水平方向的位移一起移动。密封部件170的外径(宽度)比连接孔168a大，被设定为即使支承销62在连接孔168a内在水平方向位移也能够覆盖连接孔168a的程度。此外，可以在第2排气路径形成部166中的配置密封部件170的端部设置用于限制密封部件170的沿着上下方向的移动的限制部，底部168的一部分(设置连接孔168a的部分)可以位于比其它部分靠上方的位置。
返回到图3，用于在冷却处理部30与加热处理部50之间输送工件W的输送部190，例如具有保持臂192和水平驱动部194。保持臂192在上方区域V1中配置在比冷却板32和加热部52靠上方的位置，用于水平地保持工件W。保持臂192构成为能够在与多个支承销36或多个支承销62之间进行工件W的交接。
水平驱动部194配置在下方区域V2中，能够利用电动机等动力源使保持臂192沿着冷却处理部30和加热处理部50排列的方向移动。水平驱动部194能够使保持臂192在保持臂192配置在冷却板32的铅垂上方的位置与保持臂192配置在加热部52(热板54)的铅垂上方的位置之间移动。
(控制装置)
控制装置200对包括热处理单元U2的涂敷-显影装置2进行控制。如图2所示，控制装置200作为功能上的结构具有存储部202和控制部204。存储部202存储有用于使包括热处理单元U2的涂敷-显影装置2的各部动作的程序。存储部202还存储有各种数据(例如，与用于使热处理单元U2动作的指示信号相关的信息)、和来自设置在各部的传感器等的信息。存储部202为例如半导体存储器、光记录盘、磁记录盘、光磁记录盘。该程序也可以包含在与存储部202分体的外部存储装置或传播信号等无形的介质中。也可以是，从这些其它介质将该程序安装到存储部202，并使存储部202存储该程序。控制部204基于从存储部202读取的程序，控制涂敷-显影装置2的各部的动作。
控制装置200由一个或多个控制用计算机构成。例如控制装置200具有图9所示的电路210。电路210具有：一个或多个处理器212、存储器(memory)214、存储部(storage)216、计时器222和输入输出端口218。存储部216具有例如硬盘等可由计算机读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制装置200执行后述的热处理方法的程序。存储介质可以为非易失性的半导体存储器、磁盘和光盘等可读取的介质。存储器214用于暂时存储从存储部216的存储介质载入的程序和处理器212的运算结果。处理器212与存储器214协同执行上述程序，由此构成上述的各功能模块。计时器222例如通过对一定周期的基准脉冲进行计数来测量经过时间。输入输出端口218按照来自处理器212的指令，在与热处理单元U2之间进行电信号的输入输出。
控制装置200的硬件结构并不一定限于由程序构成各功能模块。例如控制装置200的各功能模块也可以是由专用的逻辑电路或将其集成而得到的ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit：专用集成电路)构成。
[基片处理方法]
接下来，参照图10～图15，对作为基片处理方法的一个例子的在热处理单元U2中执行的热处理方法进行说明。图10是表示对1块工件W的热处理方法的一个例子的流程图。首先，在低氧的气体的供给和来自排气部的排气停止的状态下，控制装置200的控制部204控制输送装置A3和热处理单元U2，使得将作为处理对象的工件W送入到热处理单元U2(步骤S11)。例如，控制部204控制输送装置A3和工件升降部34，使得将工件W从输送装置A3交接到冷却处理部30的多个支承销36。然后，控制部204利用闸门驱动部28使闸门26移动将送入口22a关闭，从而使热处理单元U2内成为密闭状态。
接着，控制部204控制多个气体供给部，使得开始向热处理单元U2内供给低氧的气体(步骤S12)。具体而言，控制部204将气体供给部40的开关阀48、第1气体供给部80的开关阀88、第2气体供给部90的开关阀98和第3气体供给部100的开关阀108从关状态切换为开状态。由此，如图12的(a)所示，开始向热处理单元U2的上方区域V1内供给低氧的气体Gd，热处理单元U2(上方区域V1)内的氧浓度开始降低。
接着，控制部204控制第1排气部110和第2排气部150，使得开始从第1排气部110的中心排气部130以外的各种排气部进行排气(步骤S13)。具体而言，控制部204将外周排气部120的开关阀126、周缘排气部140的开关阀146和第2排气部150的开关阀156从关状态切换为开状态。由此，成为能够从外周排气部120的排气孔122、间隙g1和多个贯通孔52a进行处理空间S的排气的状态。
接着，控制部204控制冷却处理部30的工件升降部34、加热处理部50的工件升降部60和输送部190，使得将作为处理对象的工件W从冷却处理部30输送到加热处理部50(步骤S14)。具体而言，如图12的(b)所示，控制部204在盖部74打开的状态(没有形成处理空间S的状态)下，控制工件升降部60和输送部190等使得将工件W载置在加热部52(热板54的支承面54a)上。
接着，控制部204控制加热处理部50使其对作为处理对象的工件W实施加热处理(步骤S15)。此外，加热处理部50被预先控制，使得热板54的温度成为适合于加热处理的温度。图11表示步骤S15的加热处理的一个例子。在步骤S15的加热处理中，例如，控制部204利用升降驱动部68使盖部74向下方移动，使得在热板54的上方形成用于加热处理的处理空间S(步骤S21)。如图13的(a)所示，盖部74下降而形成处理空间S，从而能够开始对工件W进行加热。
处理空间S比上方区域V1中的腔室70外的区域窄，在加热处理开始前，上方区域V1已被供给低氧的气体。因此，在刚形成处理空间S之后，处理空间S以工件W上的覆膜能够获得期望的耐蚀刻性的程度成为低氧状态。此外，在刚形成处理空间S之后，为了使处理空间S成为足够低氧的状态，可以在工件W被送入到加热处理部50之前，在将盖部74暂时关闭的状态下进行处理空间S内的气体的置换。在盖部74下降后，工件W被载置在热板54上，因此，实质上利用外周排气部120和周缘排气部140对处理空间S进行排气。
接着，控制部204待机直至从盖部74的下降结束起经过规定的第1加热时间(步骤S22)。第1加热时间预先存储在存储部202中。第1加热时间被设定为工件W上的覆膜固化至规定水平的程度，例如预先设定为数十秒左右。通过执行步骤S22，由外周排气部120和周缘排气部140进行的排气、从第1气体供给部80向处理空间S的第1气体的供给、以及从第2气体供给部90向间隙g2的第2气体的供给持续第1加热时间。
在步骤S22的执行中，成为外周排气部120和周缘排气部140的排气量的总和(第1排气部110的排气量)比第1气体供给部80的第1气体的供给量大、并且比第2气体供给部90的第2气体的供给量与第1气体的供给量的总和小的状态(下面，称为“第1状态”)。该第1状态下的第1排气部110的排气量比第1气体的供给量大，因此，在假定处理空间S为密闭空间的情况下，处理空间S成为负压状态。在本发明的腔室70中，处理空间S与处理空间S的外部经由间隙g2连接，因此，气体会通过间隙g2流入处理空间S，以消除处理空间S内的负压状态。该状态下的第1排气部110的排气量比第1气体和第2气体的供给量的总和小，因此，从第2气体供给部90供给的第2气体的一部分通过间隙g2的内侧的端部g21流入到处理空间S，剩余的一部分通过间隙g2的外侧的端部g22流入到腔室70外。因此，如图13的(a)所示，气体从间隙g2向腔室70外的空间放出，能够防止气体从腔室70外流入处理空间S。此外，在步骤S21、S22的执行期间，从第3气体供给部100向腔室70的周边供给第3气体。
接着，控制部204控制第1排气部110，使得在持续利用外周排气部120和周缘排气部140进行排气的状态下，开始从中心排气部130对处理空间S进行排气(步骤S23)。具体而言，控制部204将中心排气部130的开关阀136从关状态切换为开状态。工件W被载置在热板54上，因此，实质上利用外周排气部120、中心排气部130和周缘排气部140对处理空间S进行排气。
接着，控制部204待机直至从开始来自中心排气部130的排气起经过规定的第2加热时间(步骤S24)。第2加热时间预先存储在存储部202中。第2加热时间被设定为工件W上的覆膜在加热处理中固化至期望的水平的程度，例如预先设定为数十秒左右。第2加热时间可以比第1加热时间长，在一个例子中，被设定为第1加热时间的2倍～5倍左右。通过执行步骤S23、S24，由外周排气部120、中心排气部130和周缘排气部140进行的排气、从第1气体供给部80向处理空间S的第1气体的供给、以及从第2气体供给部90向间隙g2的第2气体的供给持续第2加热时间。
在步骤S24的执行中，成为外周排气部120、中心排气部130和周缘排气部140的排气量的总和(第1排气部110的排气量)比第1气体的供给量与第2气体的供给量的总和大的状态(下面，称为“第2状态”)。在该情况下，来自第2气体供给部90的第2气体的大致全部流入到处理空间S，如图13的(b)所示，气体从腔室70之外进一步通过间隙g2流入到处理空间S。
通过上述的步骤S21～S24的执行，控制部204将处理空间S的排气状态从第1状态切换为第2状态，其中，在第1状态下，以比第1气体的供给量与第2气体的供给量的总和少的排气量对处理空间S进行排气，在第2状态下，以比第1气体的供给量与第2气体的供给量的总和多的排气量对处理空间S进行排气。另外，控制部204对第1排气部110进行控制，使得在第1状态下至少由外周排气部120对处理空间S进行排气，并且在第2状态下至少由中心排气部130对处理空间S进行排气。
接着，如图14的(a)所示，控制部204控制工件升降部60，使得在保持形成了处理空间S的状态下(保持使盖部74下降的状态下)，使工件W上升至中间位置(步骤S25)。然后，控制部204在使工件W上升至中间位置后，待机直至经过规定的回收时间(步骤S26)。回收时间预先存储在存储部202中。回收时间被设定为因由热板54加热后的工件W的温度降低而使来自该工件W上的覆膜的升华物的产生充分减少的程度。在一个例子中，回收时间被设定为数秒～数十秒左右。中间位置被设定为能够利用外周排气部120和中心排气部130高效率地回收来自工件W的升华物的程度。
上述中间位置例如被设定为在盖部74打开的状态下在输送部190与工件升降部60的多个支承销62之间进行工件W的交接的交接位置与热板54的支承面54a之间的位置(高度位置)。在形成了处理空间S的状态下，通过使工件W以离开热板54的方式上升，***有多个支承销62的多个贯通孔52a与处理空间S连接。利用第2排气部150持续进行经由多个贯通孔52a的排气，因此，处理空间S经由多个贯通孔52a进一步被排气。
接着，控制部204控制第1排气部110，使得中心排气部130的排气停止(步骤S27)。例如，控制部204通过将中心排气部130的开关阀136从开状态切换为关状态，使气体从中心排气部130的排气孔132的排出停止。
接着，如图14的(b)所示，控制部204利用升降驱动部68使盖部74上升，使得在由多个支承销62将工件W保持在中间位置的状态下，热板54上的空间向上方区域V1开放(步骤S28)。接着，如图15的(a)所示，控制部204利用工件升降部60使工件W上升至与输送部190之间进行工件W的交接的交接位置(步骤S29)。通过上述步骤，步骤S15的加热处理结束。
返回到图10，在执行步骤S15之后，控制部204控制冷却处理部30的工件升降部34、加热处理部50的工件升降部60和输送部190，使得将作为处理对象的工件W从加热处理部50输送到冷却处理部30(步骤S16)。具体而言，如图15的(b)所示，控制部204控制工件升降部34和输送部190等，使得实施了加热处理的工件W被载置在冷却板32(冷却板32的支承面)上。
接着，控制部204待机直至从工件W被载置在冷却板32上起经过规定的冷却时间(步骤S17)。冷却时间预先存储在存储部202中，被设定为实施了加热处理的工件W可被冷却至期望的温度的程度。通过步骤S16、S17的执行，对工件W实施冷却处理。冷却板32的周边的空间通过来自气体供给部40的第4气体的供给而形成为低氧状态，因此，能够在低氧下执行冷却处理。
接着，控制部204控制多个气体供给部，使得停止热处理单元U2内的低氧气体的供给(步骤S18)。具体而言，控制部204将气体供给部40的开关阀48、第1气体供给部80的开关阀88、第2气体供给部90的开关阀98和第3气体供给部100的开关阀108从开状态切换为关状态。
控制部204控制输送装置A3和热处理单元U2，使得将实施了热处理(加热处理和冷却处理)的工件W从热处理单元U2送出(步骤S19)。例如，控制部204在利用闸门驱动部28使闸门26移动以使送入口22a开放之后，控制输送装置A3和工件升降部34使得将工件W从冷却处理部30的多个支承销36交接到输送装置A3。
通过上述步骤，对一块工件W的一系列的热处理结束。控制部204可以对后续的多个工件W分别依次执行与步骤S11～S19同样的处理。对于第2块以后的工件W，可以省略步骤S13的处理。
[实施方式的效果]
上述的实施方式的热处理单元U2包括：加热部52，其用于支承形成有覆膜的工件W并对工件W进行加热；腔室70，其具有周壁部72和盖部74，周壁部72包围加热部52的周围，盖部74通过在盖部74与周壁部72之间形成有间隙g2的状态下覆盖加热部52而在加热部52上形成处理空间S；壳体22，其用于收纳加热部52和腔室70；第1气体供给部80，其用于向处理空间供给氧浓度比大气低的第1气体；排气部(第1排气部110)，其用于以比第1气体的供给量多的排气量对处理空间进行排气；第2气体供给部90，其用于向周壁部72与盖部74之间的间隙g2供给氧浓度比大气低的第2气体；和第3气体供给部100，其用于向壳体22内的腔室70之外供给氧浓度比大气低的第3气体。
在该热处理单元U2中，第1排气部110的排气量比第1气体的供给量多，因此，能够进行排气使得处理空间S成为负压。由此，能够高效率地回收伴随着工件W的加热而从覆膜产生的升华物。另一方面，在周壁部72与盖部74之间形成有间隙g2，因此，能够从处理空间S之外向处理空间S内引入气体使得消除处理空间S的负压状态。具体而言，能够将从第2气体供给部90供给到周壁部72与盖部74之间的间隙g2的第2气体引入到处理空间S。另外，即使在比第2气体的供给量多的气体被引入到处理空间S的情况下，来自第2气体供给部90的第2气体和由第3气体供给部100形成为低氧状态的腔室70外的气体被引入到处理空间S。因此，即使气体从外部流入到处理空间S内，处理空间S也能够保持为低氧状态。因此，能够同时实现升华物的高效率回收和低氧状态下的热处理这两者。
作为在低氧下对工件W的覆膜进行热处理的方法，可以考虑使向处理空间供给的低氧的气体的供给量为从处理空间排出的气体的排出量以上，以使得不会将腔室外的气体引入到处理空间。然而，在该方法中，在形成了处理空间的状态下，升华物有可能从周缘部与盖部之间的间隙泄漏到腔室之外。另外，在处理空间内的升华物的回收不充分而将处理空间开放时，升华物有可能泄漏到腔室之外。而在本发明的上述结构中，第1排气部110的排气量比第1气体的供给量多，因此，能够高效率地回收升华物。另外，能够通过向周壁部72与盖部74之间的间隙g2供给第2气体、和向处理空间S之外供给第3气体，将处理空间S保持为低氧状态，并且防止升华物经由上述间隙g2向腔室70外泄漏。
在上述的实施方式中，第1排气部110具有：外周排气部120，其用于从比被加热部52支承的工件W的周缘Wc靠外侧的外周区域对处理空间S进行排气；和中心排气部130，其用于从比被加热部52支承的工件W的周缘Wc靠内侧的中心区域对处理空间S进行排气。在形成在工件W的正面Wa上的覆膜伴随着加热而固化的过程的前段，处理空间S的排气对膜厚的影响大，在覆膜的固化过程的后段，处理空间S的排气对膜厚的影响小。在本发明的上述结构中，通过切换第1排气部110的动作，在固化过程的前段，能够从外周区域进行排气，能够抑制由处理空间S的排气引起的对膜厚的影响。另外，在处理空间S的排气对膜厚的影响程度变小的固化过程的后段，能够从中心区域进行排气，能够高效率地回收升华物。因此，能够高效率地回收升华物，并且提高膜厚的面内均匀性。
在上述的实施方式中，第1气体供给部80具有头部82，在头部82形成有在头部82的与被加热部52支承的工件W相对的面散布的多个排出孔82a，能够从多个排出孔82a向加热部52上的工件W供给第1气体。在该情况下，能够从第1气体供给部80对工件W的正面Wa均匀地供给第1气体，因此，能够使由第1气体引起的对膜厚的影响均匀化。因此，能够提高膜厚的面内均匀性。
在上述的实施方式中，周壁部72以在周壁部72与加热部52之间形成有间隙g1的方式配置。第1排气部110具有周缘排气部140，周缘排气部140用于从周壁部72与加热部52之间的间隙g1对处理空间S进行排气。在该情况下，能够抑制因在加热部52与周壁部72之间的间隙g1存在的气体而导致处理空间S的氧浓度上升，能够更可靠地在低氧状态下进行热处理。
在上述的实施方式中，周缘排气部140中包含的排气路径142的至少一部分与第2气体供给部90中包含的供气路径(供给路径92b)的至少一部分以彼此靠近的状态配置。在该情况下，经由第2气体供给部90的供气路径(供给路径92b)供给的第2气体的温度上升，能够抑制因来自第2气体供给部90的第2气体被吸入到处理空间S而导致处理空间S的温度降低。
上述的实施方式的热处理单元U2还包括：工件升降部60，其具有分别***到沿着上下方向贯穿加热部52的多个贯通孔52a中的多个支承销62、和用于使多个支承销62升降的升降驱动部64；和销排气部(第2排气部150)，其用于从多个贯通孔52a对处理空间S进行排气。在该情况下，在使工件W从加热部52分离的状态下，能够抑制因来自***有支承销62的贯通孔52a的气体而导致处理空间S的氧浓度上升，能够更可靠地在低氧状态下进行热处理。
在上述的实施方式中，销排气部(第2排气部150)包括：在加热部52的下方分别与多个贯通孔52a连接的多个独立排气路径152；和与多个独立排气路径152连接的共用排气路径154。在该情况下，与在加热部52的下方设置与多个贯通孔52a连接的排气空间来从多个贯通孔52a进行排气的情况相比，能够实现销排气部的省空间化。
在上述的实施方式中，多个独立排气路径152中的一个独立排气路径152包括：从多个贯通孔52a中的对应的一个贯通孔52a向下方延伸的第1区域152a；和沿着与第1区域152a的延伸方向交叉的方向延伸的第2区域152b。第2排气部150包括：用于形成第1区域152a的第1排气路径形成部162；和用于形成第2区域152b的第2排气路径形成部166。多个支承销62中的一个支承销62在上述一个独立排气路径152中沿着第1区域152a的延伸方向配置在第1区域152a内，并且***到设置在第2排气路径形成部166的底部168的连接孔168a中。第1排气路径形成部162包括能够沿着第1区域152a的延伸方向伸缩的波纹管164。第2排气部150包括以将连接孔168a封闭的方式配置的、能够相对于连接孔168a移动的密封部件170。在该情况下，通过利用波纹管吸收由加热部52的温度上升引起的排气路径形成部的收缩或膨胀，能够更可靠地将第1区域密闭。另外，通过将设置在底部的连接孔168a利用能够相对于该连接孔168a移动的密封部件170封闭，能够使支承销62在连接孔168a内移动，并且能够抑制不是低氧的气体经由连接孔168a流入处理空间S。
在上述的实施方式中，上述覆膜是通过在工件W的正面Wa涂敷处理液而形成的涂敷膜。在该情况下，能够高效率地回收因涂敷膜的温度上升而产生的升华物，并且能够利用低氧下的热处理使涂敷膜的特性(例如，耐蚀刻性)提高。
上述的实施方式的涂敷-显影装置2包括：热处理单元U2；和用于控制热处理单元U2的控制装置200。控制装置200能够控制热处理单元U2使得从第1状态切换为第2状态，其中，在第1状态下，以比第1气体的供给量与第2气体的供给量的总和少的排气量对处理空间S进行排气，在第2状态下，以比第1气体的供给量与第2气体的供给量的总和多的排气量对处理空间S进行排气。
壳体22内的处理空间S和间隙g2之外的区域达到氧浓度低至与处理空间S内相同程度的状态需要时间。然而，如果在待机至处理空间S和间隙g2之外的区域达到足够低的氧浓度之后开始加热处理，则基片处理的效率(生产率)降低。而在本发明的上述结构中，在第1状态下，能够以不会使来自第2气体供给部90的第2气体以外的气体进入处理空间S内的程度的排气量对处理空间S进行排气。而且，在从第1状态切换后的第2状态下，能够从间隙g2和处理空间S之外的区域将已达到足够低氧状态的气体引入到处理空间S。因此，能够提高包括低氧下的加热处理在内的基片处理的效率性。
在上述的实施方式中，控制装置200对第1排气部110进行控制，使得在第1状态下至少由外周排气部120对处理空间S进行排气，并且在第2状态下至少由中心排气部130对处理空间S进行排气。在工件W的正面Wa上的覆膜随着加热而固化的过程的前段，处理空间S的排气对膜厚的影响大，在固化过程的后段，排气对膜厚的影响小。在本发明的上述结构中，在固化过程的前段，通过在第1状态下从外周区域对处理空间S进行排气，能够抑制排气对膜厚的影响。另一方面，在排气对膜厚的影响程度变小的固化过程的后段，能够在第2状态下从中心区域对处理空间S进行排气，能够高效率地回收升华物。因此，能够高效率地回收升华物，并且能够提高膜厚的面内均匀性。
[变形例]
本说明书中的公开内容在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。可以在不脱离权利要求书及其主旨的范围内，对上述的例子进行各种省略、置换、改变等。
第1排气部110的结构并不限于上述的例子。第1排气部110只要能够在热板54上载置有工件W的状态下对处理空间S进行排气，就可以是任意的结构。例如，也可以是第1排气部110不具有外周排气部120、中心排气部130和周缘排气部140中的至少1个。也可以是加热处理部50不包括第2排气部150。
在上述的例子中，在从第1状态切换后的第2状态下，从外周排气部120、中心排气部130和周缘排气部140对处理空间S进行排气，但是第2状态下的排气方法并不限于此。也可以是，在第2状态下，不进行来自外周排气部120和周缘排气部140中的至少一者的排气，而进行来自中心排气部130的排气。
第2气体供给部90的结构并不限于上述的例子。也可以是，第2气体供给部90，代替设置在周壁部72内部的气体排出部或者除了设置在周壁部72内部的气体排出部以外，从设置在盖部74的侧壁78内部的气体排出部向间隙g2供给第2气体。在上述的例子中，在周壁部72的上端与侧壁78的下端之间形成间隙g2，但也可以是通过侧壁78覆盖周壁部72的侧方，而在侧壁78的内周面与周壁部72的外周面之间形成间隙g2。

Claims (13)

1.一种热处理单元，其特征在于，包括：
加热部，其用于支承形成有覆膜的基片并对所述基片进行加热；
腔室，其具有周壁部和盖部，所述周壁部包围所述加热部的周围，所述盖部通过在所述盖部与所述周壁部之间形成有间隙的状态下覆盖所述加热部而在所述加热部上形成处理空间；
壳体，其用于收纳所述加热部和所述腔室；
第1气体供给部，其用于向所述处理空间供给氧浓度比大气低的第1气体；
排气部，其用于以比所述第1气体的供给量多的排气量对所述处理空间进行排气；
第2气体供给部，其用于向所述周壁部与所述盖部之间的间隙供给氧浓度比大气低的第2气体；和
第3气体供给部，其用于向所述壳体内的所述腔室之外供给氧浓度比大气低的第3气体。
2.如权利要求1所述的热处理单元，其特征在于：
所述排气部具有：
外周排气部，其用于从比被所述加热部支承的所述基片的周缘靠外侧的外周区域对所述处理空间进行排气；和
中心排气部，其用于从比被所述加热部支承的所述基片的周缘靠内侧的中心区域对所述处理空间进行排气。
3.如权利要求1或2所述的热处理单元，其特征在于：
所述第1气体供给部具有头部，在所述头部形成有在所述头部的与被所述加热部支承的所述基片相对的面散布的多个排出孔，能够从所述多个排出孔向所述加热部上的所述基片供给所述第1气体。
4.如权利要求1～3中任一项所述的热处理单元，其特征在于：
所述周壁部以在所述周壁部与所述加热部之间形成有间隙的方式配置，
所述排气部具有周缘排气部，该周缘排气部用于从所述周壁部与所述加热部之间的间隙对所述处理空间进行排气。
5.如权利要求4所述的热处理单元，其特征在于：
所述周缘排气部中包含的排气路径的至少一部分与所述第2气体供给部中包含的供气路径的至少一部分以彼此靠近的状态配置。
6.如权利要求1～5中任一项所述的热处理单元，其特征在于，还包括：
基片升降部，其具有分别***到沿着上下方向贯穿所述加热部的多个贯通孔中的多个支承销、和用于使所述多个支承销升降的升降驱动部；和
销排气部，其用于从所述多个贯通孔对所述处理空间进行排气。
7.如权利要求6所述的热处理单元，其特征在于：
所述销排气部包括：在所述加热部的下方分别与所述多个贯通孔连接的多个独立排气路径；和与所述多个独立排气路径连接的共用排气路径。
8.如权利要求7所述的热处理单元，其特征在于：
所述多个独立排气路径中的一个独立排气路径包括：从所述多个贯通孔中的对应的一个贯通孔向下方延伸的第1区域；和沿着与所述第1区域的延伸方向交叉的方向延伸的第2区域，
所述销排气部包括：用于形成所述第1区域的第1排气路径形成部；和用于形成所述第2区域的第2排气路径形成部，
所述多个支承销中的一个支承销在所述一个独立排气路径中沿着所述第1区域的延伸方向配置在所述第1区域内，并且***到设置在所述第2排气路径形成部的底部的连接孔中，
所述第1排气路径形成部包括能够沿着所述第1区域的延伸方向伸缩的波纹管，
所述销排气部包括以将所述连接孔封闭的方式配置的、能够相对于所述连接孔移动的密封部件。
9.如权利要求1～8中任一项所述的热处理单元，其特征在于：
所述覆膜是通过在所述基片的表面涂敷处理液而形成的涂敷膜。
10.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
权利要求1所述的热处理单元；和
用于控制所述热处理单元的控制单元，
所述控制单元能够控制所述热处理单元使得所述热处理单元从第1状态切换为第2状态，其中，在所述第1状态下，以比所述第1气体的供给量与所述第2气体的供给量的总和少的排气量对所述处理空间进行排气，在所述第2状态下，以比所述第1气体的供给量与所述第2气体的供给量的总和多的排气量对所述处理空间进行排气。
11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：
所述排气部具有：外周排气部，其用于从比被所述加热部支承的所述基片的周缘靠外侧的外周区域对所述处理空间进行排气；和中心排气部，其用于从比被所述加热部支承的所述基片的周缘靠内侧的中心区域对所述处理空间进行排气，
所述控制单元能够对所述排气部进行控制，使得在所述第1状态下至少由所述外周排气部对所述处理空间进行排气，并且在所述第2状态下至少由所述中心排气部对所述处理空间进行排气。
12.一种热处理方法，其特征在于，包括：
加热步骤，在处理空间中使用加热部对形成有覆膜的基片进行加热，其中，所述处理空间是由腔室在所述加热部上形成的，所述腔室具有周壁部和盖部，所述周壁部包围所述加热部的周围，所述盖部以在所述盖部与所述周壁部之间形成有间隙的方式配置；
第1气体供给步骤，向所述处理空间供给氧浓度比大气低的第1气体；
排气步骤，以比所述第1气体的供给量多的排气量对所述处理空间进行排气；
第2气体供给步骤，向所述周壁部与所述盖部之间的间隙供给氧浓度比大气低的第2气体；和
第3气体供给步骤，向收纳所述加热部和所述腔室的壳体内的所述腔室之外供给氧浓度比大气低的第3气体。
13.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：
存储有用于使装置执行权利要求12所述的热处理方法的程序。
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