KR20110097641A

KR20110097641A - 임프린트 장치, 임프린트 장치의 템플릿, 및 물품의 제조 방법

Info

Publication number: KR20110097641A
Application number: KR1020110013709A
Authority: KR
Inventors: 요시히로 시오데
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2010-02-24
Filing date: 2011-02-16
Publication date: 2011-08-31
Also published as: US20110206852A1; CN102162992A; JP5451450B2; TW201139118A; JP2011176132A; EP2360524A2

Abstract

임프린트 장치는 디스펜서, 템플릿의 패턴 면에 배치된 얼라인먼트 마크를 검출하도록 구성된 검출기, 및 제어기를 포함한다. 패턴 면은, 수지의 패턴에 대응하는 패턴을 포함하는 제1 영역과, 얼라인먼트 마크를 포함하는 제2 영역을 포함하고, 또한, 제1 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 제1 시각보다 제2 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 제2 시각이 나중이 되도록 형성된다. 제어기는, 제1 영역의 오목부와 제2 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 양의 미경화 수지를 디스펜서가 기판에 토출하게 하고, 제1 시각과 제2 시각 사이에 검출기가 얼라인먼트 마크를 검출하게 한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 장치의 템플릿, 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, TEMPLATE OF IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 장치에 사용되는 템플릿, 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.

임프린트 기술은 나노 스케일의 미세 패턴의 전사를 가능하게 하는 기술이며, 자기 기록 매체나 반도체 디바이스의 양산을 위한 나노 리소그래피 기술의 하나로서 실용화되기 시작하고 있다. 임프린트 기술에서는, 전자선 묘화 장치(electron-beam exposure apparatus) 등과 같은 장치를 사용하여 미세 패턴이 형성된 템플릿(형이라고도 칭함)이 원판으로서 사용되어, 실리콘 웨이퍼나 유리 플레이트 등과 같은 기판 상에 미세 패턴을 형성한다. 이 미세 패턴은, 기판 상에 토출된 미경화 수지와 템플릿을 서로 가압한 상태에서 그 미경화 수지를 경화시킴으로써 형성된다.

현재 실용화되어 있는 임프린트 기술로서는 열 사이클법 및 광 경화법이 있다. 열 사이클법에서는, 열가소성의 수지를 유리 전이 온도 이상의 온도로 가열하여 수지의 유동성을 증가시키고, 높은 유동성을 갖는 수지에 대해 템플릿이 가압된다. 그런 다음, 냉각된 수지로부터 템플릿을 분리함으로써 패턴이 형성된다. 광 경화법에서는, 미경화된 자외선 경화 수지에 대해 템플릿이 가압되고, 이 상태에서 자외선을 조사하여 미경화 수지를 경화시킨다. 그 후, 경화된 수지로부터 템플릿을 분리함으로써 패턴이 형성된다. 열 사이클법에서는, 온도 제어에 기인한 전사 시간의 증대, 및 온도 변화에 기인한 치수 정밀도의 저하를 수반한다. 그러나, 광 경화법은 그러한 문제들을 갖지 않는다. 따라서, 현재는, 광 경화법이 나노 스케일의 반도체 디바이스의 양산에 있어서 유리하다. 일본특허 제4,185,941호 공보에는 광 경화법을 사용하는 임프린트 장치가 개시되어 있다. 일본특허 제4,185,941호 공보에 개시된 임프린트 장치는 기판 스테이지, 수지 디스펜서, 템플릿을 유지하는 헤드, 광을 조사하는 조명계, 및 얼라인먼트 마크의 검출기를 포함한다.

임프린트 장치에 있어서 템플릿을 웨이퍼 상의 임프린트 영역(샷 영역이라고도 칭함)과 얼라인하기 위한 계측을 행하기 위해, 다이-바이-다이 방법 또는 글로벌 얼라인먼트 방법이 사용된다. 이 두 방법들의 공통적인 문제는, 템플릿이 가압되는 동안의 템플릿의 위치 어긋남이나 변형의 가능성이다. 종래의 임프린트 장치에서는, 압인(압형)으로부터 이형까지의 템플릿이 가압되는 동안 템플릿에 가해지는 힘이, 각각의 샷에 대해 템플릿을 어긋나게 할 수 있거나, 또는 변형시킬 수 있다. 따라서, 템플릿의 위치 어긋남 및 변형을 항상 계측하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 글로벌 얼라인먼트 방법에 있어서도, 다이-바이-다이 방법과 마찬가지로, 각각의 샷에 대해 템플릿이 가압되는 동안 얼라인먼트 계측이 필요하다.

템플릿이 가압되는 동안 수행되는 이 얼라인먼트 계측에서는, 수지의 굴절률이 템플릿의 재질인 석영의 굴절률과 가깝기 때문에, 수지가 얼라인먼트 마크의 영역에 충전되면 얼라인먼트 마크가 보이지 않을 수 있다. 더 정확하게는, 얼라인먼트 마크가 콘트라스트를 거의 갖지 않기 때문에, 얼라인먼트 계측이 곤란해진다. 그 때문에, 종래의 다이-바이-다이 방법에서는, 예를 들어 얼라인먼트 마크의 주변에 모우트(moat)라고 불리는 깊은 홈을 형성함으로써, 얼라인먼트 마크의 영역에 수지가 인입하는 것이 방지된다.

통상 얼라인먼트 마크는 템플릿 상의 스크라이브 영역에 형성된다. 얼라인먼트 마크를 포함하는 스크라이브 영역에 수지가 토출되지 않도록 하면, 리소그래피 단계 후의 에칭 단계에서, 수지가 없는 스크라이브 영역이 에칭되어, 어떤 경우들에서는 바람직하지 않다. 또한, 수지가 없는 스크라이브 영역이, 디바이스 패턴 영역 중의 에칭되어야 할 영역의 에칭 균일성을 손상시킬 수 있다. 또한, 스크라이브 영역에는 추가적인 얼라인먼트 마크를 형성할 수 없다. 이러한 불편을 피하기 위해, 얼라인먼트 마크를 포함하는 스크라이브 영역에도 수지가 존재해야 한다. 그러나, 상술한 바와 같이, 얼라인먼트 마크의 영역에 수지가 충전된 상태에서는 얼라인먼트 계측이 곤란하다.

본 발명은, 템플릿에 있어서의 얼라인먼트 마크를 갖는 영역의 오목부들에 미경화 수지를 충전하는 것과, 상기 얼라인먼트 마크를 검출하는 것 둘 다에 유리한 임프린트 장치를 제공한다.

본 발명은 제1 특징에 있어서, 물품의 제조를 위한 수지의 패턴을, 미경화 수지와 템플릿을 사용하여 기판 상에 형성하는 임프린트 처리를 행하도록 구성된 임프린트 장치를 제공하고, 임프린트 장치는, 기판 상에 미경화 수지를 토출하도록 구성된 디스펜서, 템플릿의 패턴 면에 배치된 얼라인먼트 마크를 광을 이용하여 검출하도록 구성된 검출기, 및 제어기를 포함하고, 상기 패턴 면은, 상기 수지의 패턴에 대응하는 패턴을 포함하는 제1 영역과, 상기 얼라인먼트 마크를 포함하는 제2 영역을 포함하고, 또한 상기 제1 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 제1 시각보다 상기 제2 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 제2 시각이 나중이 되도록 형성되고, 상기 제어기는, 상기 제1 영역의 오목부와 상기 제2 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 양의 미경화 수지를 상기 디스펜서가 상기 기판에 토출하게 하고, 상기 제1 시각과 상기 제2 시각 사이에 상기 검출기가 상기 얼라인먼트 마크를 검출하게 하도록 구성된다.

본 발명의 다른 특징들은 첨부 도면을 참조하여 하기의 바람직한 실시예들의 설명으로부터 명백해질 것이다.

도 1은 임프린트 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 임프린트 처리의 순서도이다.
도 3a 내지 도 3c는 수지가 충전되는 방식을 도시하는 개념도이다.
도 4는 템플릿을 도시하는 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 템플릿의 패턴의 오목부들에 수지가 충전되는 방식을 도시하는 도면들이다.
도 6a 및 도 6b는 얼라인먼트 마크 및 그 근방을 도시하는 도면들이다.
도 7은 제1 실시예의 검출기를 도시하는 도면이다.
도 8은 기판의 얼라인먼트 마크와 템플릿을 도시하는 도면이다.
도 9는 제2 실시예의 검출기를 도시하는 도면이다.
도 10은 제3 실시예의 검출기를 도시하는 도면이다.
도 11a는 제5 실시예에 따른 얼라인먼트 단계를 도시하는 도면이다.
도 11b는 제6 실시예에 따른 얼라인먼트 단계를 도시하는 도면이다.

우선, 임프린트 장치에 있어서의 기판(웨이퍼)상의 프로세스와 템플릿 간의 얼라인먼트에 대해서 설명할 것이다. 웨이퍼 상의 프로세스와 템플릿 간의 얼라인먼트는, 다이-바이-다이 방법 또는 글로벌 얼라인먼트 방법에 의해 수행된다. 다이-바이-다이 방법에서는, 템플릿을 웨이퍼 상의 미경화 수지(하기에서는, 간단히 수지라고도 칭함)에 가압할 때, 웨이퍼 및 템플릿 상에 배치된 얼라인먼트 마크들을 서로 근접시켜, 검출기에 의해 동시에 관찰하고, 위치 어긋남량을 보정한 후 수지를 경화시킨다. 대표적인 얼라인먼트 방법은, 템플릿 상의 마크와 웨이퍼 상의 마크 간의 상대적인 관계에 기초하여 무아레 프린지(moire fringes)를 발생시키는 무아레 얼라인먼트 방법이다. 무아레 프린지를 발생시키기 위해 일반적으로 라인 및 스페이스가 사용된다. 템플릿 상의 마크의 피치를 P1, 웨이퍼 상의 마크의 피치를 P2로 하면, 무아레 프린지의 피치 P3은 수학식 1에 의해 구해진다. 단, P1<P2이다.

템플릿과 웨이퍼 간의 상대 위치 어긋남량을 △X로 할 때, 무아레 프린지 P3의 시프트량은 주기 Pa의 위상차에 비례한다. 또한, 템플릿 상의 마크의 피치 P1과 웨이퍼 상의 마크의 피치 P2 간의 관계가 반대로 될 때에도, 역시 동일한 피치를 갖는 무아레 프린지가 발생하지만, 시프트의 방향이 반대로 된다. 두 개의 다른 세트들의 마크들을 동시에 관찰함으로써, 무아레 프린지의 상대 시프트량 S는 수학식 2에 의해 주어진다. 단, Pa=(P1+P2)/2이다.

수학식 1과 수학식 2의 피치 P1, P2를 적당히 선택함으로써, 템플릿과 웨이퍼 간의 실제의 상대 위치 어긋남량을 확대해서 고정밀도로 계측하는 것이 가능하다. 무아레 얼라인먼트 방법은, 얼라인먼트 광학계의 광학 배율을 증가시키지 않고서, 무아레 피치 P3을 증가시킴으로써, 개구수(numerical aperture(NA))를 감소시킬 수 있다. 이것은 간단한 광학계로 얼라인먼트 정밀도를 증가시킬 수 있다는 점에서 무아레 얼라인먼트 방법을 대단히 효과적인 방법으로 만든다.

추가적인 얼라인먼트 스코프를 사용하는 글로벌 얼라인먼트 방법에 대해 하기에서 설명할 것이다. 이 방법은 임프린트 장치의 개략도인 도 1을 사용하여 설명할 것이다. 이 임프린트 장치에서는, 웨이퍼 스테이지(1)를 구동시키면서, 오프-액시스 스코프(9)가, 기판 스테이지(웨이퍼 스테이지)(1)에 탑재된 웨이퍼(2) 상의 복수의 샷들에 있는 얼라인먼트 마크들(도시하지 않음)을 계측한다. 임프린트 장치는, 계측한 복수의 얼라인먼트 마크들을 통계 처리해서 웨이퍼(2) 상의 모든 샷들을 맵핑하고, 그 후 어떠한 얼라인먼트 계측도 행하지 않고 임프린트 처리를 행한다. 오프-액시스 스코프(9)는 템플릿(3)을 유지하는 헤드(4)의 외측에 배치되기 때문에, 헤드(4) 내에 배치된 검출기들(스코프들)(5)과는 달리 충분한 공간을 갖는다. 이 때문에 큰 광학계를 구성할 수 있다. 그로 인해, 오프-액시스 스코프(9)는 일반적으로 조명 변화 σ을 갖고, 파장 선택이 가능하고, 고 렌즈 개구를 갖고, 고배율에서 명 시야와 암 시야의 전환이 가능하다는 등의 프로세스 대응력을 갖는 광학계이다.

글로벌 얼라인먼트 방법에서는, 템플릿(3)의 중심과 오프-액시스 스코프(9)의 중심 간의 거리(베이스라인)를 항상 캘리브레이션해야 할 필요가 있다. 이 캘리브레이션을 행하기 위해, 헤드(4)의 스코프(5)는 웨이퍼(2) 상의 각 샷의 얼라인먼트 마크와 템플릿(3) 상에 배치된 얼라인먼트 마크를 검출해서, 템플릿(3)의 중심과 웨이퍼(2) 상의 샷 중심의 상대 위치들을 계측한다. 템플릿(3)의 중심과 웨이퍼(2) 상의 샷 중심의 상대 위치들은, 두 얼라인먼트 마크들을 서로 근접시킬 때 발생하는 무아레 신호로부터 계측된다. 대안적으로, 스코프들(5)이 웨이퍼 스테이지(1) 상의 스테이지 기준 마크(8)와 템플릿(3)의 얼라인먼트 마크의 상대 위치들을 측정한 후, 오프-액시스 스코프(9) 아래에 스테이지 기준 마크(8)가 보내지고, 오프-액시스 스코프(9)가 스테이지 기준 마크(8)를 측정한다. 이 방법들에 의해, 템플릿(3)과 오프-액시스 스코프(9)의 상대 위치들(소위, 베이스라인 량)을 계측할 수 있다. 이 베이스라인 량에 기초하여, 임프린트 장치는 글로벌 얼라인먼트 결과를 템플릿(3) 하에 반영하여 임프린트 처리를 행한다. 제어기(C)는 스코프(5), 웨이퍼 스테이지(1), 수지를 웨이퍼(2)에 토출하는 디스펜서(7) 등을 제어한다. 하기에서, 템플릿 및 임프린트 장치의 실시예들에 대해 첨부 도면을 참조하여 설명할 것이다.

<제1 실시예>

도 2를 참조하여, 임프린트 처리의 과정을 하기에서 설명할 것이다. 템플릿(3)이 수지와 접촉하는 동안에 얼라인먼트는 글로벌 얼라인먼트 방법과 다이-바이-다이 방법 간에 차이가 없기 때문에, 임프린트 처리는 글로벌 얼라인먼트 방법을 기초로 하여 설명한다. S1에서, 임프린트 장치는 오프-액시스 스코프(9)를 사용하여 글로벌 얼라인먼트를 행한다. S2에서, 임프린트 장치는 웨이퍼 스테이지(1)를 구동하여, 웨이퍼(2)의 제1 샷 위치를 디스펜서(7) 아래의 토출 개시 위치로 이동시킨다. S3에서, 임프린트 장치는 웨이퍼 스테이지(1)를 스캔하면서 제1 샷에 수지를 토출한다. S4에서, 임프린트 장치는 웨이퍼 스테이지(1)를 구동하여 제1 샷을 템플릿(3)의 바로 아래 위치로 이동시키고, 압인(임프린트) 단계를 개시한다. 이 압인 단계에 있어서, 노즐들(20)은 산소를 퍼지하기 위해 헬륨(He)을 방출하고, 템플릿(3)과 웨이퍼(2) 사이의 공간을 He으로 충전시킨다.

압인 단계에서 수지가 템플릿(3)의 패턴의 오목부들에 충전되는 처리를 하기에서 설명할 것이다. 도 3a 내지 도 3c는 압인의 개시로부터 시간이 경과함에 따라 수지가 템플릿(3)의 패턴 영역 내의 템플릿(3)의 패턴을 형성하는 오목부들에 충전되는 방식을 도시하는 개념도이다. 시간대(time zone) a는, 웨이퍼(2)에 적하된 수지가 템플릿(3)의 패턴 영역에 퍼지는 시간대이다. 시간대 a의 길이는, 적하된 수지와 패턴의 위치들에 따라서도 변화한다. 시간대 a가 종료하면, 임프린트 장치는 템플릿(3)의 오목부들에 수지를 충전하기 시작한다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 디바이스 패턴(수지의 패턴) 영역(제1 영역)에 수지가 급격하게 충전된다. 이것은 수지의 표면 장력과, 템플릿(3) 상의 접촉각 및 패턴 크기에 의해 정해지는 모세관력, 및 갇힌 기체(이상적으로는, He만)의 압력 사이의 평형 상태(실제로는 수지의 중력도 가해짐)까지 순간적으로 충전이 진행하기 때문이라고 생각된다. 패턴을 편의상 원으로 가정하면, 모세관압 △P는 수학식 3에 의해 표현된다. 단, T는 표면 장력, θ는 접촉각, r는 패턴 반경이다.

시간대 b는 상기 기체가 수지 중에 용해하는 시간대이다. 시간대 c는 S5의 얼라인먼트 계측을 행할 수 있는 시간대이다. 시각 d는 템플릿(3)의 디바이스 패턴을 형성하는 오목부들에 충전이 종료하는 시각(제1 시각)이다. 시각 d는, 예를 들면, 기체의 마이크로 버블이 수지로부터 소멸하는 것을 고려해서 실험 등에 의해 미리 정해진다. 상술한 바와 같이, 얼라인먼트 마크 영역(제2 영역)에 있어서 템플릿(3)과 샷 사이의 공간이 수지로 충전되거나, 또는 얼라인먼트 마크의 오목부의 대부분이 수지로 충전되어 버리면, 얼라인먼트 마크를 검출하는 것이 곤란하다. 얼라인먼트 검출에는 상이한 위상차를 갖는 광이 필요하다. 오목부의 대부분이 충전되어버리면, 더 이상 위상차가 없어져서, 검출이 곤란해진다. 그러므로, 얼라인먼트 검출에는 어느 정도 충전되어 있지 않은 영역이 필요하다. 얼라인먼트 마크 영역에의 수지의 충전이, 도 3a에 도시된 디바이스 패턴 영역에 수지가 충전될 때와 마찬가지의 방식으로 행해지면, 수지의 충전 중에 얼라인먼트를 할 수 있는 시간은 압인 개시로부터의 초기 단계뿐이다. 즉, 얼라인먼트 마크 영역에 있어서, 디바이스 패턴 영역과 마찬가지의 방식으로 수지가 충전되면, 수지의 충전 동안의 일부 시간대에서만 얼라인먼트 계측을 할 수 있다. 얼라인먼트 마크에 금속막을 부착함으로써, 얼라인먼트 마크 영역에 수지가 존재하는 때에도, 얼라인먼트 마크의 콘트라스트를 유지하는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 이 방법은 금속막의 내구성, 템플릿 제조 비용, 및 금속 오염 등과 같은 문제를 갖기 때문에, 실시하기 곤란하다.

도 3b는 제1 실시예에 따른 수지의 충전을 도시하는 개념도이다. 도 3b에 도시된 제1 실시예에서는, 도 3a에 도시된 것과 비교하면, 시간대 a가 연장되고, 시간대 b의 선단에 있어서의 충전율이 감소된다. 그 결과, 얼라인먼트 계측이 가능한 시간대 c를 충전 종료 시각 d를 초과하도록 연장할 수 있게 된다. 하기에서, 그 상세한 내용에 대해 설명한다. 도 4는 템플릿(3)을 패턴 면으로부터 본 도면과, 템플릿(3)의 측면도와, 얼라인먼트 마크 영역의 확대도를 도시한다. 템플릿(3)은 모체로부터 15 내지 30μm 정도 돌출한 메사(100)라고 불리는 볼록부를 갖고, 이 메사(100)의 표면에 임프린트(압인)될 패턴이 형성되어 있다. 통상, 메사(100)는 디바이스 패턴을 갖는 영역(102)과 스크라이브 영역들(101)을 포함한다. 제1 실시예에 있어서, 스크라이브 영역(101)은 얼라인먼트 마크(103)를 갖는 영역을 포함한다. 도 3a는 디바이스 패턴 영역(102)에 있어서의 충전을 도시하는 개념도이다. 디바이스 패턴 영역(102)에 있어서, 패턴의 폭(패턴 크기)은 하프 피치가 몇십 nm로 매우 작고, 그 때문에 모세관압은 크고 수지의 충전 속도는 빠르다. 수지가 충전된 후, 마이크로 버블 등이 0.1/cm² 이하로 될 때까지 충분한 시간이 경과한 시점이 충전 종료 시각으로서 채택된다. 종래에는, 얼라인먼트 마크(103)가 디바이스 패턴의 크기와 같은 작은 크기로 세그먼트화되어, 모세관압을 증가시키고, 샷 전체의 충전 시간을 단축시킴으로써, 처리량을 증가시킨다. 도 5a는 이 방법을 도시한다. 디바이스 패턴 영역(102)과 세그먼트화된 얼라인먼트 마크(103)에서는, 확대된 오목부(201)에 의해 나타낸 바와 같이 거의 동일한 충전 속도로 수지(200)의 충전이 완료된다.

이에 반해, 도 5b는 얼라인먼트 마크(103)의 패턴의 오목부(202)의 최소 폭이 디바이스 패턴(102)의 복수의 오목부(201)의 최대 폭보다도 크도록 패턴 면이 형성되는 방식을 도시한다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 패턴 크기를 크게 한 얼라인먼트 마크(103)의 오목부(202)에서는, 디바이스 패턴(102)의 오목부(201)에의 수지의 충전이 완료된 때에도, 아직 수지의 충전이 완료되지 않는다. 얼라인먼트 마크(103)의 패턴의 크기는, 충전 시간에도 의존하겠지만, 디바이스 패턴(102)의 패턴 크기보다 1 자리 정도 이상 크게 하는 것이 적당하다.

또한, 도 5c는 얼라인먼트 마크(103)의 패턴의 오목부(203)의 최소 깊이가, 디바이스 패턴(102)의 복수의 오목부(201)의 최대의 깊이보다도 깊도록 패턴 면이 형성되는 방식을 도시한다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 디바이스 패턴(102)의 오목부(201)보다도 깊은 오목부(203)를 갖는 얼라인먼트 마크(103)를 형성함으로써, 얼라인먼트 마크 영역에서의 충전 시간을 연장할 수 있다. 오목부(203)의 깊이는 얼라인먼트 계측 파장, 및 기타 굴절률 등과 같은 다른 광학 조건들에 의존한다. 그러나, 시뮬레이션에 의하면, 오목부(203)의 깊이는 검출광량의 관점에서 반파장 정도의 깊이인 것이 유리하다. 또한, 도 6a에 도시된 바와 같이, 패턴의 크기가 작고 얼라인먼트 마크(103)보다도 수지가 충전되기 쉬운 제3 패턴(더미 패턴)(104)이 얼라인먼트 마크(103)를 포위하도록 형성될 수 있다. 이러한 더미 패턴(104)은 얼라인먼트 마크(103)에 공급되어야 할 수지가 주변의 더미 패턴(104)으로 더 쉽게 흐르기 때문에, 얼라인먼트 마크(103)에서의 수지의 충전 속도를 감소시킨다. 그 결과, 시간대 a가 연장되고, 시간대 b의 선단에 있어서의 수지의 충전율이 감소되고, 얼라인먼트 계측이 가능한 시간대 c가 연장된다. 또한, 도 6b에 도시된 바와 같이, 얼라인먼트 마크(103)를 포위하는 큰 폭의 홈(105)을 갖는 영역(제3 영역)이 형성될 수 있다. 도 6b에 도시된 얼라인먼트 마크를 사용하는 경우, 제어기(C)는, 디스펜서(7)가 웨이퍼(2)의 디바이스 패턴 영역에 수지를 토출하도록 제어한다. 웨이퍼(2)의 디바이스 패턴 영역에 토출된 수지에 대해 템플릿(3)이 가압될 때, 홈(105)의 외측의 수지는, 홈(105)을 넘어 웨이퍼(2)의 얼라인먼트 마크 영역으로 진입한다. 이 수지의 이동에 의해 수지가 얼라인먼트 마크 영역까지 펼쳐지는 시간대 a를 길게 할 수 있게 되고, 그 결과 얼라인먼트 계측이 가능한 시간대 c를 연장할 수 있다. 상술한 일련의 방법들에서는, 토출된 액적의 배치나 양도 중요한 팩터가 된다. 이상에서는, 도 3b에 도시된 압인 단계에 있어서 얼라인먼트 마크 영역에의 수지의 충전을 위한 템플릿에 대해 설명했다. 이 경우들에 있어서, 얼라인먼트 마크 영역(제2 영역)의 오목부들(201)이 수지로 충전되는 시각(제2 시각)은, 디바이스 패턴 영역(제1 영역)의 오목부들(201)이 수지로 충전되는 시각(제1 시각)보다 나중이다. 따라서, 스코프(5)는, 디바이스 패턴의 오목부들(201)이 수지로 충전되는 제1 시각과 얼라인먼트 마크의 오목부들(201)이 수지로 충전되는 제2 시각 사이에 얼라인먼트 마크(103)를 검출함으로써, 얼라인먼트 마크를 확실하게 검출할 수 있다.

하기에서, 템플릿(3)에 형성된 얼라인먼트 마크(103)를 검출하는 스코프(5)에 대해 도 7을 참조하여 설명할 것이다. 웨이퍼(2) 상의 얼라인먼트 마크(웨이퍼 마크)(120)와 템플릿(3) 상의 얼라인먼트 마크(템플릿 마크)(103)는 그들 사이에 수지(200)를 샌드위치하며 서로에 근접하고 있다. 스코프(5)의 광원(12)으로부터 출사되고, 합성 프리즘(10)에 의해 동축 상에 합성되는 계측광은 웨이퍼 마크(120)를 조사한다. 웨이퍼 마크(120)와 템플릿 마크(103)는, 이 마크들의 상대 위치들에 의해 무아레 신호가 발생하도록, 상이한 피치들을 갖는 격자 마크들을 형성한다. 패턴 형상으로서는 도 8에 도시된 마크(106)가 사용된다. 마크(106)는 두개의 상이한 피치 P1, P2를 갖고, 웨이퍼 마크(120)는, 유사한 마크(106)를 회절광이 X 방향으로 전파하도록 배치시킴으로써 형성된다. 그러나, 템플릿측과 웨이퍼측의 대응하는 마크 피치들은 서로 상이하게 만들어진다. 피치 P1을 갖는 템플릿 마크(103)에 대향하는 웨이퍼 마크(120)는 피치 P2를 가져야 한다. 이 두 개의 세트의 마크들에 의해 발생된 두 개의 무아레 신호는 스코프(5)의 결상 광학계를 통과하여, 촬상 소자(11)에 상들을 결상한다. 합성 프리즘(10)으로서는, 하프 미러를 사용할 수 있거나, 또는 계측 광으로서 편광을 사용함으로써 편광 빔 스플리터를 사용할 수 있다. 템플릿 마크(103)와 웨이퍼 마크(120) 간의 위치 관계에 의해 발생되는 두 개의 무아레 신호로부터 앞서 설명한 바와 같이 템플릿(3)의 상대 위치를 구할 수 있다. 그리고, 보정량을 장치에 피드백함으로써, 얼라인먼트 동안, 항상 얼라인먼트 어긋남의 보정 구동이 수행될 수 있다. 또한, 복수 개의 스코프(5)를 임프린트 장치 내에 설치하고, 스코프들(5)의 관찰 위치에 대응하는 복수개의 템플릿 마크(103)를 배치함으로써, 템플릿(3)의 변형도 계측할 수 있다. 보정 구동으로서는 웨이퍼 스테이지(1)의 구동 및 템플릿(3)의 변형을 보정하는 보정 유닛(21)이 클로즈드 보정을 행한다. 보정 유닛(21)은, 예를 들어, 템플릿(3)에 인가되는 압력을 변경함으로써 템플릿(3)의 변형을 보정한다.

S6에서 소정 시간이 경과해서 충전이 종료하는 시각 d가 되면, 프로세스는 S7로 진행하여, 임프린트 장치가 즉시 조명계(6)로 자외선(UV)을 조사해서 수지를 경화시킨다. 이 UV 광을 이용하는 수지의 경화 단계에서, 상기 보정 구동은 정지된다. 조명계(6)는 미경화 수지를 경화하는 광을 미경화 수지에 조사하는 조명 유닛이다. UV 조사가 완료되면, S8의 이형 단계에서, 패턴이 전사된 수지로부터 템플릿(3)이 분리되고, 프로세스는 S9에서 다음 샷에 대한 임프린트 처리로 진행한다. 그 후, 상술한 일련의 단계들을 모든 샷들에 대하여 반복한다.

<제2 실시예>

제2 실시예에서는, 얼라인먼트 마크(103)의 계측 단계(S5)에서 사용하는 스코프(5)가 제1 실시예의 것과 상이하다. 도 9는 경사 조명에 의해 얼라인먼트 마크(103)를 계측하는 제2 실시예의 스코프(5)의 확대도이다. 경사 조명 스코프(5)의 한가지 장점은 조명계(6)와의 간섭을 피하는 것이다. 웨이퍼(2) 상의 웨이퍼 마크(120)를 형성하는 마크들(107, 108)과, 템플릿 마크(103)는 그들 사이에 수지(200)를 샌드위치하며 서로에 근접하고 있다. 광원(12)으로부터 방출되어 합성 프리즘(10)에 의해 동축 상에 합성된 광은 마크들(107, 108)을 조명한다. 마크들(107, 108)과 템플릿 마크(103)는, 이 마크들의 상대 위치들에 의해 무아레 신호를 발생하도록, 상이한 피치들을 갖는 격자 마크들을 형성한다. 이 구성에서, 경사 조명으로 마크들(107, 108)에 의해 회절된 광은 스코프(5)의 광축으로 복귀하여야 한다. 따라서, 도 8에 도시된 바와 같이, 마크들(107, 108)의 피치 Py를 조정하여, Y 방향으로 전파하는 회절 광을 스코프(5)의 광축으로 복귀하게 한다. 피치 Py는 스코프(5)에 사용되는 계측 광의 파장에 의존하기 때문에, 피치 Py는 설계에 피드백되어야 한다. 마크들(107, 108)은, 상술한 마크(106)와 마찬가지로, 상이한 피치 P1x 및 P2x를 갖는 2 종류의 마크들을 포함한다. 또한, 템플릿 마크로서의 마크(106)의 피치 P1과 P2 간의 관계는, 제1 실시예와 마찬가지로, 마크들(107, 108)의 피치 P1x와 P2x 간의 관계와 역으로 되도록 설계된다. 마크(107)와 마크(108) 간의 차이는, 무아레 신호에 0차 회절광이 혼입되는지의 여부이며, 마크(108)와 같은 지그재그 형상의 패턴을 사용함으로써 0차 광을 캔슬할 수 있다. 0차 광을 캔슬할 때, 무아레 신호는 두 광속에 의해 얻어진 한 개의 주파수만을 갖는다. 이것은 신호 처리를 간단하게 하고 정밀도를 증가시킨다. 이렇게 발생된 두 개의 무아레 신호는 스코프(5)의 결상 광학계를 통해 촬상 소자(11) 상에 결상한다. 사용되는 스코프(5)를 제외한 구성은 제1 실시예의 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.

<제3 실시예>

제1 및 제2 실시예에서, 템플릿(3)의 위치 어긋남 또는 변형은 웨이퍼 마크(120)와 템플릿 마크(103) 간의 위치 어긋남으로부터 계측되고, 계측된 위치 어긋남 또는 변형이 보정된다. 그러나, 제1 및 제2 실시예는, 예를 들어 스테이지 기준 마크(8) 이외에도 웨이퍼 마크(120)가 항상 필요하다는 것과, 또한 무아레 얼라인먼트의 프로세스 대응력이 오프-액시스 얼라인먼트의 것보다도 낮다는 등의 문제가 있다. 이 문제들을 해결하기 위해, 웨이퍼 마크(120) 대신, 스코프(5) 내에 형성된 기준 마크를 참조하여 템플릿 마크(103)의 위치 어긋남을 계측하는 방법이 있다.

도 10에 도시된 바와 같이, 템플릿 마크(103)와 광학적 공액 위치에 기준 마크로서 슬릿(13)을 광원(12)과 템플릿(3) 사이에 삽입한다. 슬릿(13)은 두 개의 상이한 피치 P1'과 P2'를 갖는 회절 슬릿이다. 광원(12)으로부터 출사되어 슬릿(13)을 통과한 계측 광은, 합성 프리즘(10)에 의해 결상 광학계에 유도되어, 템플릿 마크(103)(마찬가지로 두 개의 상이한 피치를 갖는 마크) 상에 투영된다. 서로 대향하는 템플릿 마크(103)와 슬릿(13)의 두개의 세트의 상들은 피치들 간에 반대의 관계를 갖도록 설계된다. 템플릿 마크(103)는 웨이퍼(2)와의 사이에 수지(200)를 샌드위치하며 웨이퍼에 근접하고 있다. 웨이퍼(2)의 기판에는 마크가 존재하지 않는다. 제1 실시예에서와 같이, 템플릿 마크(103)를 계측할 때, 템플릿 마크(103)의 오목부들에는 수지(200)가 충전되지 않기 때문에, 수지(200)와 접촉하지 않는 템플릿 마크(103)의 오목부들만에 의해 상기 슬릿 상이 반사된다. 그리고, 슬릿 상과 템플릿 마크(103)의 무아레 회절광은 스코프(5) 내의 결상 광학계에 유도된다. 무아레 회절광은 스코프(5) 내의 결상 광학계를 통과하고, 촬상 소자(11) 상에 무아레 상을 결상한다. 결상된 두 세트의 무아레 신호가 동시에 관찰된다. 슬릿(13)의 상과 템플릿 마크(103) 간의 상대 위치 관계에 기초하여, 템플릿(3)의 상대 위치 관계를 산출할 수 있다. 더 구체적으로, 슬릿(13)을 기초로 템플릿(3)의 위치 어긋남 및 변형을 항상 계측할 수 있으며, 즉 수지가 토출되지 않은 때라도 계측할 수 있다. 제3 실시예에서는, 항상 템플릿(3)이 계측될 수 있기 때문에, 수지가 토출되지 않은 때에도 템플릿(3)의 보정 구동을 행할 수 있다.

<제4 실시예>

제4 실시예에서는, 제3 실시예의 것과 동일한 스코프(5)가 설치되어 템플릿(3)에 대하여 경사 조명을 행한다. 나머지 구성은 제3 실시예와 동일하므로 반복적인 설명을 생략한다. 본 실시예에 있어서도, 제3 실시예와 마찬가지로, 슬릿(13)을 기초로 템플릿(3)의 위치 어긋남 및 변형을 항상 계측할 수 있으며, 즉 수지가 토출되지 않은 때라도 계측할 수 있다. 또한, 템플릿(3)이 항상 계측될 수 있기 때문에, 수지가 토출되지 않은 때에도 템플릿(3)의 보정 구동을 행할 수 있다.

<제5 실시예>

도 3c는 제5 실시예에 있어서의 수지의 충전을 도시하는 개념도이다. 본 실시예의 특징은, 시간대 b에 있어서 He이 수지에 용해하는 동안, 예를 들면 He의 용해를 방해하거나 또는 모세관력을 약화시킴으로써 수지의 충전을 억제 또는 정지시키는 것이다. 도 3c는 특정 시각으로부터 충전이 정지하는 것을 도시하지만, 도 3c은 단지 개념도이고, 본 실시예의 목적은 충전 속도를 감소시킴으로써, 소정의 충전 종료 시각 d에 대하여 얼라인먼트 계측 가능 시간 c를 대폭 연장시키는 것이다.

S1로부터 S4까지의 단계들은 제1 실시예의 것들과 마찬가지이다. S5에서, 프로세스는 얼라인먼트 단계로 진행한다. 얼라인먼트 단계에서, 도 11a에 도시된 바와 같이, 스코프(5)는 얼라인먼트 마크 계측 광으로서 UV 광을 출사한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 마크(120)와 템플릿(103)에 의해 생성된 무아레 회절광에 의해 템플릿(3)의 위치 어긋남 및 변형을 계측하고, 계측된 템플릿(3)의 위치 어긋남 및 변형을 클로우즈드 루프에 의해 보정한다. 스코프(5)의 광원(12)으로부터 출사되는 UV 광의 파장은, 조명계(6)가 조사하는 광의 파장과 동일한 것이거나, 또는 수지(200)가 가교 반응을 일으키는 파장 대역에 존재하는 것이라면 임의의 파장일 수 있다. 따라서, 스코프(5)는 상기 UV 광의 파장을 갖도록 설계된다.

스코프(5)로부터 조사된 UV 광의 조사 영역은 템플릿 마크(103)의 영역으로만 한정되고 있어서, 수지(200)의 경화는 웨이퍼 마크(120)와 템플릿 마크(103) 사이에 샌드위치되는 영역에서 진행한다. 따라서, 템플릿 마크(103)의 영역을 제외한 영역들에서는 수지의 충전이 진행되지만, 템플릿 마크(103)의 영역에서는 수지의 충전이 느려지거나 또는 정지된다. 스코프(5)에 의한 UV 조사의 타이밍은 수지의 UV 경화 속도, 수지의 확산 속도, 및 수지의 충전 속도 사이의 관계에 의존한다. 그러나, 템플릿 마크(103)의 전체 영역에 수지(200)가 퍼지기 전에 UV 조사가 행해지면, 수지가 불균일하게 경화하고, 이것은 종종 얼라인먼트 계측의 에러를 유발하거나 또는 원활한 이형을 방해한다. 따라서, 템플릿 마크(103)의 전체 영역에 수지(200)가 충분히 퍼진 시각으로부터 템플릿 마크(103)의 오목부들 내에 수지가 충전되는 도중까지의 시간대, 즉 시간대 b가 바람직하다. 그 후, 소정의 충전 시간이 종료하고(S6), 조명계(6)에 의한 UV 경화 단계(S7)가 시작될 때까지 얼라인먼트 계측과, 템플릿의 위치 어긋남 보정 및 변형 보정을 클로우즈드 루프에 의해 행한다. 그런 다음, 프로세스는 제1 실시예의 것과 마찬가지의 이형 이후의 단계들로 진행한다. 제5 실시예에서는, 스코프(5)가 경사 조명 스코프인 경우에도, 제2 실시예와 마찬가지의 방식으로 얼라인먼트 계측 및 보정이 행해질 수 있다. 또한, 제3 및 제4 실시예와 마찬가지로, 템플릿 마크와 기준 슬릿의 얼라인먼트 계측을 행하는 스코프(5)를 사용할 수 있다.

<제6 실시예>

제5 실시예에서는, 수지의 충전 속도를 감소시키기 위한 광과 얼라인먼트 마크의 계측 광으로서 UV 광이 사용된다. 제6 실시예에서는, 수지의 충전 속도를 감소시키기 위한 UV 광의 파장과는 상이한 파장의 광이 얼라인먼트 마크의 계측 광으로서 사용된다. 얼라인먼트 마크의 계측 광의 파장에서 수지의 UV 경화가 발생하지 않기 때문에, 얼라인먼트 마크 영역의 수지 경화와 얼라인먼트 계측은 독립적으로 병행하여 행해진다. 이로써, 처리량을 감소시키지 않으면서 더 정확하게 수지의 충전 속도를 제어할 수 있게 된다.

S1로부터 S4까지의 단계들은 제1 실시예의 것들과 동일하다. S5에서, 프로세스는 얼라인먼트 단계로 진행한다. 얼라인먼트 단계에서는, 도 11b에 도시된 순서도에 의해 지시된 바와 같이, 스코프(5)의 광원(12)은 계측 광을 출사하고, 제5 실시예와 마찬가지로 얼라인먼트 계측과, 템플릿의 위치 어긋남 보정 및 템플릿 변형 보정을 클로우즈드 루프에 의해 행한다. 그러나, 제6 실시예의 스코프(5)는 얼라인먼트 마크의 계측 광의 파장으로 설계된다. 또한, 후술하는 바와 같이, UV 광의 무아레 회절 광도 동시에 촬상 소자(11)에 혼입된다. 따라서, 계측 정밀도의 관점에서는, 예를 들어 촬상 소자(11)의 직전에 밴드패스 필터를 삽입하는 것 등에 의해 계측 광만을 통과시키는 것이 바람직하다. 스코프(5)의 광원(12)으로부터 출사되는 계측 광의 파장은, 수지(200)가 가교 반응을 일으키지 않는 파장 대역 내로 설정된다. 거의 동시적으로, 별도의 광원이 UV 광을 조사한다. UV 조사는 템플릿 마크(103)의 영역에만 한정되기 때문에, 수지(200)의 경화는 템플릿 마크(103)의 영역에서 진행한다. 또한, 독립으로 UV 조사를 제어함으로써, 수지의 경화 속도를 최적으로 제어할 수 있다.

스코프(5)로부터의 UV 조사의 타이밍은, 제5 실시예와 마찬가지로, 템플릿 마크(103)의 전체 영역에 수지(200)가 충분히 퍼진 시각으로부터 템플릿 마크(103)의 각각의 오목부의 깊이로 수지가 충전되는 도중까지의 시간 대인 것이 바람직하다. 얼라인먼트 계측의 타이밍은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이 얼라인먼트 계측 화상을 이용하여 수지(200)의 확산 상태를 감시함으로써, UV 조사의 타이밍을 실시간으로 장치에 피드백할 수 있다.

제6 실시예에 있어서, 스코프(5)가 경사 조명 스코프인 때라도 제2 실시예와 마찬가지의 방식으로 얼라인먼트 계측 및 보정이 행해질 수 있다. 또한, 제3 및 제4 실시예와 마찬가지로, 템플릿 마크와 기준 슬릿의 얼라인먼트 계측을 행하는 스코프(5)를 사용할 수 있다.

<물품의 제조 방법>

물품으로서의 디바이스(예를 들면, 반도체 집적 회로 소자 또는 액정 표시 소자)의 제조 방법은, 상술한 임프린트 장치를 사용하여 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 또는 필름 형상 기판)에 패턴을 전사(형성)하는 단계를 포함한다. 이 제조 방법은 패턴이 전사된 기판을 에칭하는 단계를 더 포함할 수 있다. 패터닝된 매체(기록 매체) 또는 광학 소자 등과 같은 다른 물품을 제조하는 경우에는, 상기 제조 방법은 에칭 단계 대신에, 패턴이 전사된 기판을 가공하는 별도의 단계를 포함할 수 있다. 이상, 본 발명의 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 이 실시예들로 한정되지 않고, 본 발명의 사상 및 범위 내에서 여러가지 변형 및 변경이 이루어질 수 있다.

본 발명이 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었으나, 본 발명은 개시된 실시예들로 한정되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 하기의 청구항들의 범위는 그러한 변형들 및 등가의 구조와 기능들을 모두 포괄하도록 최광의의 해석에 따라야 한다.

1: 웨이퍼 스테이지
2: 웨이퍼
3: 템플릿
4: 헤드
5: 검출기(스코프)
6: 조명계
7: 디스펜서
8: 스테이지 기준 마크
9: 오프-액시스 스코프
20: 노즐
21: 보정 유닛
100: 메사
101: 스크라이브 영역
102: 디바이스 패턴 영역
103: 얼라인먼트 마크
104: 더미 패턴
105: 홈
201, 203: 오목부
C: 제어기

Claims

물품의 제조를 위한 수지의 패턴을, 미경화 수지와 템플릿을 사용하여 기판 상에 형성하는 임프린트 처리를 행하도록 구성된 임프린트 장치이며,
기판 상에 미경화 수지를 토출하도록 구성된 디스펜서,
템플릿의 패턴 면에 배치된 얼라인먼트 마크를 광을 이용하여 검출하도록 구성된 검출기, 및
제어기를 포함하고,
상기 패턴 면은, 상기 수지의 패턴에 대응하는 패턴을 포함하는 제1 영역과, 상기 얼라인먼트 마크를 포함하는 제2 영역을 포함하고, 또한 상기 제1 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 제1 시각보다 상기 제2 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 제2 시각이 나중이 되도록 형성되고,
상기 제어기는, 상기 제1 영역의 오목부와 상기 제2 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 양의 미경화 수지를 상기 디스펜서가 상기 기판에 토출하게 하고, 상기 제1 시각과 상기 제2 시각 사이에 상기 검출기가 상기 얼라인먼트 마크를 검출하게 하도록 구성된, 임프린트 장치.
제1항에 있어서,
상기 제2 영역의 오목부의 최소의 폭이 상기 제1 영역의 오목부의 최대 폭보다 크도록, 상기 패턴 면이 형성되는, 임프린트 장치.
제1항에 있어서,
상기 제2 영역의 오목부의 최소 깊이가 상기 제1 영역의 오목부의 최대 깊이보다 크도록, 상기 패턴 면이 형성되는, 임프린트 장치.
제1항에 있어서,
상기 패턴 면은 상기 얼라인먼트 마크를 포위하는 제3 패턴을 포함하는 제3 영역을 더 포함하고,
상기 제3 영역의 오목부의 최대 폭이 상기 제2 영역의 오목부의 최소 폭보다 작도록, 상기 패턴 면이 형성되는, 임프린트 장치.
물품의 제조를 위한 수지의 패턴을, 미경화 수지와 템플릿을 사용하여, 기판 상에 형성하는 임프린트 처리를 행하도록 구성된 임프린트 장치이며,
상기 기판 상에 미경화 수지를 토출하도록 구성된 디스펜서,
상기 템플릿의 패턴 면에 배치된 얼라인먼트 마크를 광을 이용하여 검출하도록 구성된 검출기, 및
제어기를 포함하고,
상기 패턴 면은, 상기 수지의 패턴에 대응하는 패턴을 포함하는 제1 영역과, 상기 얼라인먼트 마크를 포함하는 제2 영역, 및 상기 얼라인먼트 마크를 포위하는 홈(moat)을 포함하는 제3 영역을 포함하고,
상기 제어기는, 상기 제1 영역의 오목부와, 상기 제2 영역의 오목부, 및 상기 제3 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 양의 미경화 수지를 상기 디스펜서가 상기 제1 영역에 토출하게 하고, 또한 상기 제1 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 제1 시각과, 상기 제3 영역의 오목부가 상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역쪽으로 이동한 미경화 수지로 충전되는 제2 시각 사이에 상기 검출기가 상기 얼라인먼트 마크를 검출하게 하도록 구성된, 임프린트 장치.
물품의 제조를 위한 수지의 패턴을, 미경화 수지와 템플릿을 사용하여, 기판 상에 형성하는 임프린트 처리를 행하도록 구성된 임프린트 장치이며,
상기 기판 상에 미경화 수지를 토출하도록 구성된 디스펜서,
상기 템플릿의 패턴 면에 배치된 얼라인먼트 마크를 광을 이용하여 검출하도록 구성된 검출기,
미경화 수지를 경화시키는 광을 미경화 수지에 조사하도록 구성된 조사 유닛, 및
제어기를 포함하고,
상기 패턴 면은, 상기 수지의 패턴에 대응하는 패턴을 포함하는 제1 영역, 및 상기 얼라인먼트 마크를 포함하는 제2 영역을 포함하고,
상기 제어기는, 상기 제1 영역의 오목부와 상기 제2 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 양의 미경화 수지를 상기 디스펜서가 상기 기판에 토출하게 하고, 상기 제2 영역의 오목부에 미경화 수지가 인입한 후, 상기 제2 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되기 전에, 상기 조사 유닛이 상기 제2 영역의 오목부 내의 미경화 수지를 조사해서 경화시키고, 또한, 상기 제2 영역의 오목부 내의 미경화 수지가 경화된 상태에서 상기 검출기가 상기 얼라인먼트 마크를 검출하게 하도록 구성된, 임프린트 장치.
제6항에 있어서,
상기 제1 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전된 후, 미경화 수지를 경화하는 광을 상기 제1 영역의 오목부 내의 미경화 수지에 조사하도록 구성된 조사 유닛을 더 포함하는, 임프린트 장치.
물품의 제조 방법이며,
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 임프린트 장치를 이용하여 수지의 패턴을 기판에 형성하는 단계, 및
상기 수지의 패턴이 형성된 기판을 가공하여 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하는 물품의 제조 방법.
물품의 제조를 위한 수지의 패턴을, 미경화 수지와 템플릿을 사용하여, 기판 상에 형성하는 임프린트 처리를 행하도록 구성된 임프린트 장치에 사용되는 템플릿이며,
상기 탬플릿은 상기 수지의 패턴에 대응하는 패턴을 포함하는 제1 영역, 및 상기 얼라인먼트 마크를 포함하는 제2 영역을 포함하는 패턴 면을 포함하고,
상기 패턴 면은, 상기 제1 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 제1 시각보다 상기 제2 영역의 오목부가 미경화 수지로 충전되는 제2 시각이 나중이 되도록 형성되는, 템플릿.