JP2007250767A - 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】装置コストの増加を招くことなく、モールドと基板との平行状態を実現し、モールドのパターンを高精度に転写することができる加工装置及び方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成されたモールドをレジストが塗布された被転写体に押し付けて、前記被転写体に前記パターンを転写する加工装置であって、前記モールド及び／又は前記被転写体に設けられた複数の検出マークを観察する観察系と、前記モールドと前記レジストとが接触している状態で、前記観察系を用いて前記複数の検出マークを観察した結果に基づいて、前記モールドと前記被転写体との相対位置を調整する調整手段とを有することを特徴とする加工装置を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、一般には、加工装置及び方法に係り、特に、原版となるモールドのパターンをウェハ等の基板に転写する加工装置及び方法に関する。本発明は、例えば、半導体やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）などを製造する微細加工のために、ナノインプリント技術を利用する加工装置及び方法に好適である。

紫外線、Ｘ線、或いは、電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスへの微細パターンの形成方法に代わる技術として、ナノインプリントが注目されている。ナノインプリントは、微細なパターンが形成されたモールド（雛型）を、レジスト（樹脂材料）が塗布されたウェハ等の基板に押し付ける（押印する）ことによって、レジスト上にパターンを転写する技術である。

ナノインプリントには、幾つかの転写方法があり、かかる転写方法の一つとして光硬化法が従来から提案されている。光硬化法は、紫外線硬化型の樹脂及び透明なモールドを利用し、モールドを樹脂に押し付けた状態で紫外線を照射し、樹脂を感光及び硬化させてからモールドを剥離する方法である。

光硬化法では、ウェハ上に転写されたパターンが後工程のエッチング処理による影響を受けないように、感光及び硬化させる際の樹脂の厚さを一定にすることが重要である。換言すれば、モールドを押し付ける際に、樹脂に厚みむらを発生させないことが重要である。従って、モールドのパターン面（パターンが形成された面）とウェハの被転写面とを平行に維持した状態でモールドを押し付ける必要があり、モールドを押し付ける際のモールドとウェハとの位置関係を制御（検出）することが要求される。

そこで、規定体積のレジストを基板に滴下し、モールドを押し付けた際のレジストの広がり方（面積）を観察することによって、モールドと基板との間隔を検出する方法が提案されている（特許文献１参照）。また、基板に滴下した複数のレジストの広がり方を観察し、それらの差からモールドと基板との相対的傾きを検出する方法も提案されている。
米国特許第６，８７１，５５８号

しかしながら、特許文献１において、モールドと基板との間隔を検出するためには、滴下するレジストの体積を高精度に制御する必要がある。また、モールドと基板との相対的傾きを検出するためには、滴下する複数のレジストの体積だけではなく、個々のレジストの滴下位置も高精度に制御する必要がある。従って、レジストの体積及び滴下位置を高精度に調整することができる高価なレジスト滴下手段が必要となり、装置コスト（デバイスの生産コスト）の増加を招いてしまう。

そこで、本発明は、装置コストの増加を招くことなく、モールドと基板との平行状態を実現し、モールドのパターンを高精度に転写することができる加工装置及び方法を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての加工装置は、パターンが形成されたモールドをレジストが塗布された被転写体に押し付けて、前記被転写体に前記パターンを転写する加工装置であって、前記モールド及び／又は前記被転写体に設けられた複数の検出マークを観察する観察系と、前記モールドと前記レジストとが接触している状態で、前記観察系を用いて前記複数の検出マークを観察した結果に基づいて、前記モールドと前記被転写体との相対位置を調整する調整手段とを有することを特徴とする。

本発明の別の側面としての加工方法は、モールドに形成されたパターンをレジストが塗布された被転写体に転写する加工方法であって、前記モールドを前記被転写体に押印するステップと、前記被転写体から前記モールドを離型するステップとを有し、前記押印ステップは、前記モールドと前記レジストとが接触した状態において、前記モールド及び／又は前記被転写体に設けられ、前記モールドと前記レジストとの接触状態を検出するための複数の検出マークを観察するステップと、前記複数の検出マークを観察した結果に基づいて、前記モールドと前記被転写体との相対位置を調整するステップとを有することを特徴とする。

本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の加工装置を用いて、被転写体にパターンを転写するステップと、前記パターンが転写された前記被転写体をエッチングするステップとを有することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、装置コストの増加を招くことなく、モールドと基板との平行状態を実現し、モールドのパターンを高精度に転写することができる加工装置及び方法を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての加工装置及び方法について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の加工装置１の構成を示す概略断面図である。図２は、モールドチャック１９の近傍を示す拡大断面図である。

加工装置１は、パターンが形成されたモールドを、被転写体に押し付けて、被転写体にパターンを転写するナノインプリント装置である。加工装置１は、本実施形態では、光硬化法を利用したナノインプリント装置である。

加工装置１は、図１に示すように、ウェハチャック１０と、微動ステージ１１と、ＸＹステージ１２と、ベース定盤１３と、参照ミラー１４と、レーザ干渉計１５ａ及び１５ｂと、支柱１６と、天板１７とを有する。また、加工装置１は、モールド１８と、モールドチャック１９と、モールドチャックステージ２０と、紫外光源２１と、コリメータレンズ２２と、ガイドバープレート２３と、ガイドバー２４とを有する。更に、加工装置１は、アクチュエータ２５と、ノズル２６と、アライメントスコープ２７ａ及び２７ｂとを有する。

ウェハチャック１０は、ウェハＷＦを保持する。微動ステージ１１は、ウェハＷＦのθ（ｚ軸回りの回転）方向位置、ｚ位置及び傾きを補正（調整）する機能を有する。微動ステージ１１は、ウェハＷＦを所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ１２に配置される。

ベース定盤１３は、ＸＹステージ１２を載置する。参照ミラー１４は、微動ステージ１１の位置を計測するために、レーザ干渉計１５ａからの光を反射する。参照ミラー１４は、微動ステージ１１上のｘ方向及びｙ方向に配置される。支柱１６は、ベース定盤１３上に屹立し、天板１７を支持する。

モールド１８は、図２に示すように、ウェハＷＦに転写される凹凸のパターンＰＴが形成された表面（モールド面）を有し、図示しない機械的保持手段によって、モールドチャック１９に固定される。同様に、モールドチャック１９は、図示しない機械的保持手段によって、モールドチャックステージ２０に載置される。

モールドチャック１９は、モールド１８を固定する際に、モールド１８のモールドチャック１９上の位置を規制する複数の位置決めピンＡＰを有する。また、モールドチャック１９は、そのｘ及びｙ方向の位置を計測するために、レーザ干渉計１５ｂからの光を反射する反射面を有する。モールドチャックステージ２０は、モールド１８（モールドチャック１９）のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置及び傾きを補正（調整）する機能を有する。モールドチャック１９及びモールドチャックステージ２０は、紫外光源２１からコリメータレンズ２２を介して照射される紫外光を、モールド１８に導光するための開口１９ａ及び２０ａをそれぞれ有する。

ガイドバープレート２３は、ガイドバー２４を固定する。ガイドバー２４は、天板１７を貫通し、一端がモールドチャックステージ２０に固定され、他端がガイドバープレート２３に固定される。

アクチュエータ２５は、エアシリンダ又はリニアモータからなるリニアアクチュエータであり、ガイドバー２４をｚ方向に駆動する。これにより、モールドチャック１９に保持されたモールド１８をウェハＷＦに押し付けたり（押印）、モールド１８をウェハＷＦから引き離したりすることができる（離型）。

ノズル２６は、ウェハＷＦの表面に液状のレジストＲＴを滴下する。アライメントスコープ２７ａは、モールド１８に配置されたマークＭＭ１及びウェハＷＦに配置されたマークＷＭ１を観察するための光学系及び撮像系を有し、ウェハＷＦとモールド１８とのｘ方向及びｙ方向の位置ずれを計測する。同様に、アライメントスコープ２７ｂは、モールド１８に配置されたマークＭＭ２及びウェハＷＦに配置されたマークＷＭ２を観察するための光学系及び撮像系を有し、ウェハＷＦとモールド１８とのｘ方向及びｙ方向の位置ずれを計測する。ここで、アライメントスコープ（観察光学系、或いは観察系）は、レンズやミラー等の光学系を含んでいる必要は無く、マークを照明する照明装置又は光源と、マークからの光を受光するＣＣＤ等の受光素子を有していれば足りる。

換言すれば、モールド１８に配置されたマークＭＭ１及びＭＭ２、及び、ウェハＷＦに配置されたマークＷＭ１及びＷＭ２は、アライメントマークとして機能する。また、後述するように、モールド１８に配置されたマークＭＭ１及びＭＭ２、及び、ウェハＷＦに配置されたマークＷＭ１及びＷＭ２は、モールド１８とウェハＷＦとの接触状態を検出するための検出マークとしても機能する。この検出マークは、モールドにのみ設けても良いし、ウエハにのみ設けても良い。また、モールドを駆動するステージ及び／又はウエハを駆動するステージに設けても構わない。アライメントスコープ２７ａ及び２７ｂは、後述するように、モールド１８とウェハＷＦとが接触した状態において、マークＭＭ１、ＭＭ２、マークＷＭ１及びＷＭ２を観察する（即ち、マーク像のコントラストを計測する）観察光学系として機能する。

以下、図３を参照して、加工装置１の動作（加工方法）について説明する。まず、ＸＹステージ１２を駆動し、ウェハＷＦの載置されたウェハチャック１０を移動させる。ウェハＷＦ上のパターンを転写する場所（ショット）をノズル２６の下に移動させたら、ウェハ２６によって、ウェハＷＦ上のショットにレジストＲＴを滴下する（ステップ１０１）。

次に、ＸＹステージ１２を駆動してウェハＷＦ上のレジストＲＴを滴下したショットをモールド１８のパターンＰＴと対向する位置に移動させた後、微動ステージ１１を駆動してウェハチャック１０のｚ方向の高さ及び傾きを調整する（ステップ１０２）。換言すれば、ウェハＷＦ上のレジストＲＴを滴下したショットの表面を加工装置１の図示しない基準平面にあわせる。

次に、アクチュエータ２５を駆動してモールドチャック１９を所定の位置まで下降させる（ステップ１０３）。また、モールド１８とウェハＷＦのｘ方向、ｙ方法及びθ方向（ｚ軸回りの回転）の位置をあわせる、所謂、モールド１８とウェハＷＦとのアライメントを行う（ステップ１０４）。この際、アライメントスコープ２７ａによってモールド１８上のマークＭＭ１とウェハＷＦ上のマークＷＭ１を観察する。そして、図４に示すように、アライメントスコープ２７ａの撮像系の視野内（３０Ｖ）において所定の位置関係になるように、微動ステージ１１の位置を調整する。かかる調整は、アライメントスコープ２７ｂを用いて、モールド１８上のマークＭＭ２及びウェハＷＦ上のマークＷＭ２についても同様、且つ、同時に行われる。更に、かかる調整は、アライメントスコープを用いて、モールド１８のパターンＰＴに対してマークＭＭ１及びＭＭ２とは異なる位置に配置された図示しないマーク及びかかるマークに対応するウェハＷＦ上のマークについても同様、且つ、同時に行なわれる。ここで、図４は、ステップ１０４のモールド１８とウェハＷＦとのアライメントを説明するための図である。

モールド１８とウェハＷＦとのアライメントが終了したら、モールド１８とウェハＷＦのｘ方向及びｙ方向（θ方向を含む）の相対位置関係を維持するために、レーザ干渉計１５ａ及び１５ｂを用いた位置フィードバックが行われる。かかる位置フィードバックは、本出願人が特開２００５−１０１２０１号公報で開示しており、ここでの詳細な説明は省略する。

次いで、モールド１８とウェハＷＦとが平行となるように調整し（ステップ１０５）、ウェハＷＦ上に滴下されたレジストＲＴに対してモールド１８を押し付ける（下降させる）。

ここで、図５を参照して、ステップ１０５のモールド１８とウェハＷＦとの平行調整について詳細に説明する。まず、モールド１８とウェハＷＦとのアライメントが終了した状態で、アライメントスコープ２７ａ及び２７ｂで観察される各マーク像のコントラストを計測し、かかる計測結果を記憶する（ステップ２０１）。

次に、アクチュエータ２５を駆動してモールドチャック１９の下降を開始させる（ステップ２０２）。そして、アライメントスコープ２７ａ及び２７ｂで観察される各マーク像のコントラストを計測する（ステップ２０３）。

次いで、ステップ２０３において計測された各マーク像のコントラストとステップ２０１において計測（記憶）された各マーク像のコントラストとを比較し、変化があったかどうかを判定する（ステップ２０４）。ステップ２０３において計測されたマーク像のコントラストとステップ２０１において計測されたマーク像のコントラストとの間で変化がなかった場合は、ステップ２０３に戻る。そして、アライメントスコープによって計測されるマーク像のコントラストに変化があるまでモールドチャック１９を下降させながら、ステップ２０３及び２０４を繰り返す。

ステップ２０３において計測されたマーク像のコントラストとステップ２０１において計測されたマーク像のコントラストとの間で変化があった場合は、図６に示すように、モールド１８のパターン面の一部がウェハＷＦ上のレジストＲＴに接触している。ここで、図６は、モールドチャック１９の近傍を示す拡大断面図である。

図６では、モールド１８とウェハＷＦとが非平行状態であるため、アライメントスコープ２７ａは、図４に示すようなマークＭＭ１及びＷＭ１の像を観察する。アライメントスコープ２７ａで観察されるマークＭＭ１及びＷＭ１の像は、モールド１８とレジストＲＴがまだ接触していないため、図３に示すステップ１０４におけるアライメント時と同じである。

一方、アライメントスコープ２７ｂは、図７に示すようなマークＭＭ２及びＷＭ２の像を観察する。アライメントスコープ２７ｂで観察されるマークＭＭ２及びＷＭ２の像は、マークＭＭ２（図中右側のマーク）の近傍でモールド１８とレジストＲＴが接触しているため、図７に示すように、マークＭＭ２の一方が見えにくくなっている。従って、アライメントスコープ２７ｂで計測されるマークＭＭ２及びＷＭ２のコントラストは、図３に示すステップ１０４のアライメント時と比較して、低下する。これは、モールド１８の透過率とレジストＲＴの透過率とが略等しいため、モールド１８のパターン面に凹凸情報として配置されたマークＭＭ２が、レジストＲＴとモールド１８とが接触している境界線ＩＬより右側において、ほぼ消失してしまうからである。なお、ウェハＷＦ上のマークＷＭ１及びＷＭ２は、モールド１８がレジストＲＴと接触しても画像として消失することはない。ここで、図７は、ステップ１０５のモールド１８とウェハＷＦとの平行調整を説明するための図である。

ステップ２０３において計測されたマーク像のコントラストとステップ２０１において計測されたマーク像のコントラストとの間で変化があると判断されると、モールドチャック１９の下降を停止する（ステップ２０５）。次いで、アライメントスコープで観察されるマーク像のコントラストを計測する（ステップ２０６）。

続いて、ステップ２０６において計測されたマーク像のコントラストとステップ２０１において計測されたマーク像のコントラストとを比較し、その低下率からモールド１８とウェハＷＦの相対的傾きを算出する。そして、アライメントスコープで計測される各マーク像のコントラストが等しくなるようにモールド１８の傾きを調整する補正量を算出する（ステップ２０７）。この場合、最も低いコントラストを計測したアライメントスコープに対応するマークの位置を固定点として、モールド１８とウェハＷＦとを相対的に傾けて、他のアライメントスコープが計測したコントラストと同じ値となるようにする。これにより、後述する処理に要する時間を短縮することができる。なお、上述した補正量については、モールド１８上の異なる３点のコントラストが得られれば、面を規定することができ、幾何学的計算によって補正量の算出も容易であることから説明は省略する。

次に、ステップ２０７で算出した補正量に基づいてモールドチャックステージ２０を駆動し、モールド１８の傾きを調整する（ステップ２０８）。モールド１８の傾きを調整したら、アライメントスコープで観察されるマーク像のコントラストを再び計測する（ステップ２０９）。次いで、ステップ２０９で計測された全てのマーク像のコントラストが閾値以下であるかどうか判断する（ステップ２１０）。

アライメントスコープによって計測されたマーク像のコントラストの何れかが閾値以上である場合は、ステップ２０１に戻り、ステップ２０２以降のステップを繰り返す。一方、アライメントスコープによって計測された全てのマーク像のコントラストが閾値以下である場合は、ステップ１０５のモールド１８とウェハＷＦとの平行調整（図３に示すステップ１０５）を終了する。

図３に戻って、ステップ１０５が終了したら、ウェハＷＦに対するモールド１８の押し付け（押印）力が所定の範囲であるかどうか判断する（ステップ１０６）。なお、ウェハＷＦに対するモールド１８の押印力は、例えば、モールドチャック１９又はモールドチャックステージ２０に設けられた図示しない複数のロードセルによって計測される。

ウェハＷＦに対するモールド１８の押印力が所定の範囲でなかった場合、ウェハＷＦに対するモールド１８の押印力を調整する（ステップ１０７）。例えば、アクチュエータ２５によってモールドチャック１９のｚ方向の位置を変える又は微動ステージ１１によってウェハチャック１０のｚ方向の位置を変えることで、ウェハＷＦに対するモールド１８の押印力を調整することができる。なお、ウェハＷＦに対するモールド１８の押印力の調整は、所定の範囲になるまで繰り返す。

ウェハＷＦに対するモールド１８の押印力が所定の範囲である場合、紫外光源２１からの紫外光を、コリメータレンズ２２を介して、ウェハＷＦ（レジストＲＴ）に照射する（ステップ１０８）。なお、紫外線は、ウェハＷＦ上のレジストＲＴが硬化するまで照射する。

紫外線の照射が完了すると、アクチュエータ２５を駆動してモールドチャック１９を上昇させ、モールド１８をウェハＷＦ上のレジストＲＴから引き離す（ステップ１０９）。そして、ＸＹステージ１２を駆動し、次のショットがノズル２６の下に位置するように、ウェハＷＦを移動させる（ステップ１１０）。

このように、加工装置１は、モールド１８がレジストＲＴに接触する際のモールド１８上のマークＭＭ１及びＭＭ２のコントラストの変化を利用し、モールド１８とウェハＷＦとの平行状態を調整する。従って、加工装置１は、付加的手段を必要とせず、モールド１８とウェハＷＦとの平行状態を高精度に実現し、パターン転写時のレジストＲＴの厚みむらの発生を防止（低減）することができる。これにより、加工装置１は、装置コストの増加を招くことなく、高精度なパターン転写を可能とし、後工程でのエッチング処理でパターン幅にばらつきが発生する問題を解消することができる。なお、アライメントを必要としないパターン転写の場合は、モールド１８とウェハＷＦとの平衡状態を調整するための検出マークをモールド１８上に配置すると共に、かかる検出マークを観察する観察光学系を用いることで同様の効果を得ることができる。

次に、図８及び図９を参照して、上述の加工装置１を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図８は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（モールド製作）では、設計した回路パターンに対応するパターンを形成したモールドを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、モールドとウェハを用いてナノインプリント技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。

図９は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（転写処理）では、ウェハに感光剤を塗布し、加工装置１を用いてモールドをウェハに押し付けると共に、紫外線を照射して回路パターンをウェハに転写する。ステップ１６（エッチング）では、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）によってパターニングを完了する。ステップ１７（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位なデバイスを製造することができる。このように、本発明の加工装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。また、本発明は、かかるデバイス製造方法の中間及び最終結果物であるデバイス自体もカバーする。また、かかるデバイスは、例えば、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサ、薄膜磁気ヘッドなどを含む。

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、熱サイクル型のナノインプリント装置にも適用することができ、モールドを用いてパターンを転写する加工装置であれば、その他の装置であっても有効である。

本発明の一側面としての加工装置の構成を示す概略断面図である。 図１に示す加工装置のモールドチャックの近傍を示す拡大断面図である。 図１に示す加工装置の動作（本発明の一側面としての加工方法）を説明するためのフローチャートである。 図３に示すステップ１０４のモールドとウェハとのアライメントを説明するための図である。 図３に示すステップ１０５のモールドとウェハとの平行調整の詳細なフローチャートである。 図１に示す加工装置のモールドチャックの近傍を示す拡大断面図である。 図３に示すステップ１０５のモールドとウェハとの平行調整を説明するための図である。 デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。 図８に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。

符号の説明

１ 加工装置
１０ ウェハチャック
１１ 微動ステージ
１２ ＸＹステージ
１３ ベース定盤
１４ 参照ミラー
１５ａ及び１５ｂ レーザ干渉計
１６ 支柱
１７ 天板
１８ モールド
１９ モールドチャック
２０ モールドチャックステージ
２１ 紫外光源
２２ コリメータレンズ
２３ ガイドバープレート
２４ ガイドバー
２５ アクチュエータ
２６ ノズル
２７ａ及び２７ｂ アライメントスコープ
ＰＴ パターン
ＷＦ ウェハ
ＭＭ１及びＭＭ２ マーク（モールド上）
ＷＭ１及びＷＭ２ マーク（ウェハ上）

Claims (10)

1. パターンが形成されたモールドをレジストが塗布された被転写体に押し付けて、前記被転写体に前記パターンを転写する加工装置であって、
   前記モールド及び／又は前記被転写体に設けられた複数の検出マークを観察する観察系と、
   前記モールドと前記レジストとが接触している状態で、前記観察系を用いて前記複数の検出マークを観察した結果に基づいて、前記モールドと前記被転写体との相対位置を調整する調整手段とを有することを特徴とする加工装置。
2. 前記観察系を用いて前記複数の検出マークを観察した結果は、少なくとも３つ以上の前記検出マークのコントラスト強度であることを特徴とする請求項１記載の加工装置。
3. 前記検出マークは、前記モールドと前記被転写体との位置合わせに使用されるアライメントマークであることを特徴とする請求項１記載の加工装置。
4. 前記調整手段は、前記レジストと接触状態にある前記モールドに配置された前記検出マークを回転中心として、前記モールド及び／又は前記被転写体を相対的に回動させることを特徴とする請求項１記載の加工装置。
5. 前記調整手段は、前記複数の検出マークのコントラスト強度が等しくなるように、前記モールドと前記被転写体との相対位置を調整することを特徴とする請求項１記載の加工装置。
6. 前記調整手段は、前記複数の検出マークのコントラスト強度が閾値以下となるまで、前記モールドと前記被転写体との相対位置を調整することを特徴とする請求項１記載の加工装置。
7. モールドに形成されたパターンをレジストが塗布された被転写体に転写する加工方法であって、
   前記モールドを前記被転写体に押印するステップと、
   前記被転写体から前記モールドを離型するステップとを有し、
   前記押印ステップは、
   前記モールドと前記レジストとが接触した状態において、前記モールド及び／又は前記被転写体に設けられ、前記モールドと前記レジストとの接触状態を検出するための複数の検出マークを観察するステップと、
   前記複数の検出マークを観察した結果に基づいて、前記モールドと前記被転写体との相対位置を調整するステップとを有することを特徴とする加工方法。
8. 前記調整ステップは、前記レジストと接触状態にある前記モールドに設けられた前記検出マークを回転中心として、前記モールド及び／又は前記被転写体を相対的に回動させることを特徴とする請求項７記載の加工方法。
9. 前記モールドを介して、前記被転写体に紫外光を照射するステップを更に有することを特徴とする請求項７記載の加工方法。
10. 請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の加工装置を用いて、被転写体にパターンを転写するステップと、
    前記パターンが転写された前記被転写体をエッチングするステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。