JP2014229670A - パターン形成方法及びパターン形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パターン形成のスループットの向上を図ることができるパターン形成方法及びパターン形成装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、第1パターンを有するモールドを用意する工程と、第2パターンを有する基板を用意する工程と、前記基板の上に感光性樹脂を塗布する工程と、モールドを前記感光性樹脂に接触させる工程と、第1パターンと第2パターンとの間に感光性樹脂が充填されたか否かを判定する工程と、第1パターンと第2パターンとの間に感光性樹脂が充填されている場合には第1基準に従い第1パターンと第2パターンとの位置合わせを行い、第1パターンと第2パターンとの間に感光性樹脂が充填されていない場合には第1基準とは異なる第2基準に従い第1パターンと第2パターンとの位置合わせを行う工程と、感光性樹脂を硬化させる工程と、モールドを感光性樹脂から引き離す工程と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、第1パターンを有するモールドを用意する工程と、第2パターンを有する基板を用意する工程と、前記基板の上に感光性樹脂を塗布する工程と、モールドを前記感光性樹脂に接触させる工程と、第1パターンと第2パターンとの間に感光性樹脂が充填されたか否かを判定する工程と、第1パターンと第2パターンとの間に感光性樹脂が充填されている場合には第1基準に従い第1パターンと第2パターンとの位置合わせを行い、第1パターンと第2パターンとの間に感光性樹脂が充填されていない場合には第1基準とは異なる第2基準に従い第1パターンと第2パターンとの位置合わせを行う工程と、感光性樹脂を硬化させる工程と、モールドを感光性樹脂から引き離す工程と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、パターン形成方法及びパターン形成装置に関する。
微細なパターンを形成するパターン形成方法の1つとして、凹凸パターンが設けられたモールド(原版)を用いるインプリント法が注目されている。インプリント法では、パターンを転写する対象の基板の上に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂にモールドの凹凸パターンを接触させる。そして、モールドと基板との位置合わせを行った状態で、感光性樹脂に光を照射して硬化させる。その後、モールドを感光性樹脂から引き離す。これにより、感光性樹脂にモールドの凹凸パターンの形状が転写される。パターン形成方法においては、モールドと基板とを短時間で位置合わせすることがスループットを向上させる上で重要である。
本発明の実施形態は、パターン形成のスループットの向上を図ることができるパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。
実施形態に係るパターン形成方法は、第1パターンを有するモールドを用意する工程と、第2パターンを有する基板を用意する工程と、前記基板の上に感光性樹脂を塗布する工程と、前記モールドを前記感光性樹脂に接触させる工程と、前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されたか否かを判定する工程と、前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されている場合には第1基準に従い前記第1パターンと前記第2パターンとの位置合わせを行い、前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されていない場合には前記第1基準とは異なる第2基準に従い前記第1パターンと前記第2パターンとの位置合わせを行う工程と、前記感光性樹脂を硬化させる工程と、前記モールドを前記感光性樹脂から引き離す工程と、を備える。
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
図2(a)〜(d)は、モールドを用いたパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
図1に表したように、第1の実施形態に係るパターン形成方法は、基板を用意する工程(ステップS101)と、モールドを用意する工程(ステップS102)と、感光性樹脂を塗布する工程(ステップS103)と、モールドを接触させる工程(ステップS104)と、感光性樹脂が充填されたか否かを判定する工程(ステップS105)と、第1基準または第2基準でアライメントする工程(ステップS106、S110)と、アライメントを判定する工程(ステップS107)と、露光を行う工程(ステップS108)と、モールドを引き離す工程(ステップS109)と、を含む。
図1は、第1の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
図2(a)〜(d)は、モールドを用いたパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
図1に表したように、第1の実施形態に係るパターン形成方法は、基板を用意する工程(ステップS101)と、モールドを用意する工程(ステップS102)と、感光性樹脂を塗布する工程(ステップS103)と、モールドを接触させる工程(ステップS104)と、感光性樹脂が充填されたか否かを判定する工程(ステップS105)と、第1基準または第2基準でアライメントする工程(ステップS106、S110)と、アライメントを判定する工程(ステップS107)と、露光を行う工程(ステップS108)と、モールドを引き離す工程(ステップS109)と、を含む。
本実施形態に係るパターン形成方法は、凹凸パターンを有するモールド(原版)を用いたインプリント法によるパターン形成方法である。本実施形態に係るパターン形成方法では、感光性樹脂の充填の状態に応じてモールドと基板とのアライメント(位置合わせ)の基準を切り替えることで、感光性樹脂の充填完了を待たずにモールドと基板とのアライメントを行う。これにより、モールドの感光性樹脂への接触からアライメントの完了までに要する時間を短縮して、パターン形成のスループットの向上を図る。
ここで、図2(a)〜(d)に沿ってモールドを用いたパターン形成方法の一例を説明する。
先ず、図2(a)に表したように、基板250の上に、感光性樹脂70を塗布する。感光性樹脂70には、例えばアクリル酸エステルが用いられる。感光性樹脂70は、例えばノズルNからインクジェット法によって基板250上に塗布される。感光性樹脂70の液滴の大きさは、例えば数ピコリットル(pL)程度である。感光性樹脂70の液滴の間隔は、例えば10マイクロメートル(μm)以上100μm以下である。なお、感光性樹脂70は、スピンコート等によって基板250上に一様な厚さで塗布されてもよい。
先ず、図2(a)に表したように、基板250の上に、感光性樹脂70を塗布する。感光性樹脂70には、例えばアクリル酸エステルが用いられる。感光性樹脂70は、例えばノズルNからインクジェット法によって基板250上に塗布される。感光性樹脂70の液滴の大きさは、例えば数ピコリットル(pL)程度である。感光性樹脂70の液滴の間隔は、例えば10マイクロメートル(μm)以上100μm以下である。なお、感光性樹脂70は、スピンコート等によって基板250上に一様な厚さで塗布されてもよい。
次に、図2(b)に表したように、モールド110を用意する。モールド110は、凹凸パターンが形成されたパターン部Pを有する。そして、このモールド110のパターン部Pを、感光性樹脂70に接触させる。感光性樹脂70は、毛細管現象により凹パターンP1の内部に侵入する。凹パターンP1内には感光性樹脂70が充填される。
モールド110のパターン部Pを感光性樹脂70に接触させるとともに、モールド110と基板250とのアライメント(位置合わせ)を行う。
次に、モールド110と基板250とのアライメントが完了した状態で、モールド110の基材10側から光Cを照射する。光Cは、例えば、紫外線光である。光Cは、基材10及びパターン部Pを透過して、感光性樹脂70に照射される。感光性樹脂70は、光Cが照射されることで硬化する。
次に、図2(c)に表したように、モールド110を、感光性樹脂70から引き離す。これにより、基板250の上にはモールド110のパターン部Pの凹凸形状が転写された転写パターン70aが形成される。モールド110を感光性樹脂70に接触させる際、モールド110と基板250との間に僅かな隙間が設けられる。この隙間に侵入した感光性樹脂70は、硬化後に残膜70bとして残る。
次に、この残膜70bを除去する処理を行う。例えば、転写パターン70a及び残膜70bをRIE(Reactive Ion Etching)によってエッチバックする。これにより、図2(d)に表したように、転写パターン70aのみが基板250上に残ることになる。
次に、本実施形態に係るパターン形成方法の具体例について説明する。
図3(a)及び(b)は、モールドについて例示する模式図である。
図3(a)には、モールド110の模式的平面図が表される。図3(b)には、図3(a)に示すA−A線の模式的断面図が表される。図3(a)及び(b)に表したモールド110は、図1のステップS101において用意されるモールドの一例である。
図3(a)及び(b)は、モールドについて例示する模式図である。
図3(a)には、モールド110の模式的平面図が表される。図3(b)には、図3(a)に示すA−A線の模式的断面図が表される。図3(a)及び(b)に表したモールド110は、図1のステップS101において用意されるモールドの一例である。
図3(a)及び(b)に表したように、モールド110は、基材10と、台座部20と、パターン部Pと、を有する。基材10には、例えば光透過性を有する材料が用いられる。基材10の材料は、例えば酸化シリコン(SiO2)や石英である。基材10の外形は、例えば矩形である。基材10の外形の大きさは、例えば縦150ミリメートル(mm)、横150mmである。
台座部20は、基材10の中央部分から突出して設けられる。台座部20の外形は、例えば矩形である。台座部20の外形の大きさは、例えば縦33mm、横26mmである。台座部20の高さは、例えば3μmである。
パターン部Pは、台座部20に設けられた凹パターンP1及び凸パターンP2(凹凸パターン)を有する。凹パターンP1は、台座部20の表面から後退した溝状のパターンである。複数の凹パターンP1が設けられている場合、隣り合う2つの凹パターンP1の間は凸パターンP2になる。
図3(a)に表したように、台座部20には、第1アライメントパターン(第1パターン)AP1が設けられる。第1アライメントパターンAP1は、台座部20の例えば周縁付近に設けられる。第1アライメントパターンAP1は、パターン部P内に設けられていてもよい。
第1アライメントパターンAP1は、所定形状の凹凸パターンを有する。第1アライメントパターンAP1は、後述する基板側のアライメントパターンとの重ね合わせにおいて、モールド110と基板250との位置ずれを検出するために用いられる。本実施形態では、一例として、第1アライメントパターンAP1にラインアンドスペースの凹凸パターンが含まれる場合を説明する。
図4は、基板について例示する模式的平面図である。
図4に表した基板250は、例えば半導体ウェーハである。図4に表した基板250は、図1のステップS102において用意される基板の一例である。基板250は、絶縁性基板(ガラス基板等)やSOI(Silicon On Insulator)基板など、どのような基板であってもよい。基板250は、ショット領域Rを有する。ショット領域Rは、モールド110による1回のインプリントでパターンを転写する領域である。ショット領域Rは、例えば、1チップに相当する領域、複数チップに相当する領域、及び1チップ内の一部に相当する領域のいずれかである。
図4に表した基板250は、例えば半導体ウェーハである。図4に表した基板250は、図1のステップS102において用意される基板の一例である。基板250は、絶縁性基板(ガラス基板等)やSOI(Silicon On Insulator)基板など、どのような基板であってもよい。基板250は、ショット領域Rを有する。ショット領域Rは、モールド110による1回のインプリントでパターンを転写する領域である。ショット領域Rは、例えば、1チップに相当する領域、複数チップに相当する領域、及び1チップ内の一部に相当する領域のいずれかである。
基板250は、第2アライメントパターン(第2パターン)AP2を有する。第2アライメントパターンAP2は、ショット領域R内に設けられる。複数のショット領域Rが設けられている場合、第2アライメントパターンAP2は、各ショット領域Rに設けられる。
第2アライメントパターンAP2は、所定形状の凹凸パターンを有する。第2アライメントパターンAP2は、モールド110の第1アライメントパターンAP1との重ね合わせにおいて、モールド110と基板250との位置ずれを検出するために用いられる。本実施形態では、一例として、第2アライメントパターンAP2にラインアンドスペースの凹凸パターンが含まれる場合を説明する。
図4に表したように、インプリント法によってパターンを形成する場合、基板250のショット領域Rの上にモールド110を配置する。そして、モールド110の第1アライメントパターンAP1と、基板250の第2アライメントパターンAP2との重なりの状態によってモールド110と基板250とのアライメントを行う。
例えば、モールド110を基板250の上に配置した状態で、アライメントのための光(アライメント光)を第1アライメントパターンAP1及び第2アライメントパターンAP2に照射する。アライメント光には、感光性樹脂70を硬化させない波長の光が用いられる。
アライメントは、このアライメント光の反射光を受光部(アライメントセンサ)によって受光して、受光部で得た信号の波形に基づき行われる。本実施形態では、例えば干渉光を用いたアライメントが行われる。
本実施形態では、第1アライメントパターンAP1に含まれる凹凸パターンの第1方向のピッチが、第2アライメントパターンAP2に含まれる凹凸パターンの第1方向のピッチと相違する。第1アライメントパターンAP1は、第1方向に第1間隔を有する。第2アライメントパターンAP2は、第1方向に第2間隔を有する。第2間隔は、第1間隔の整数倍ではなく、かつ第1間隔の整数分の1でない。
第1アライメントパターンAP1及び第2アライメントパターンAP2は、それぞれ回折格子を有する。すなわち、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2とを重ね合わせた状態でアライメント光を照射すると、アライメント光の反射光(回折光)によってモアレ(干渉縞)が発生する。アライメントは、このモアレの濃淡を検出し、この濃淡に基づく波形から第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2とのずれ量を求めることで行われる。
図5(a)〜図6(d)は、アライメントを例示する模式図である。
図5(a)には、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2とが重ね合わされた状態が表される。図5(b)には、図5(a)の重ね合わせの状態で発生するモアレの濃淡の波形W1が表される。図5(b)における横軸は位置、縦軸は光量を表している。
図5(a)には、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2とが重ね合わされた状態が表される。図5(b)には、図5(a)の重ね合わせの状態で発生するモアレの濃淡の波形W1が表される。図5(b)における横軸は位置、縦軸は光量を表している。
図5(a)に表した例では、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70は充填されていない。すなわち、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間には空気が介在する。
モールド110と基板250とのアライメントを行うには、図5(b)に表したようなモアレの濃淡の波形W1の例えばピークの位置を検出する。モールド110の光学特性は、空気の光学特性と相違する。したがって、波形W1は大きな振幅を有する。そして、検出したピークの位置が所定の位置になるように、モールド110と基板250との位置関係を調整する。
図5(c)には、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2とが重ね合わされた状態が表される。図5(d)には、図5(c)の重ね合わせの状態で発生するモアレの濃淡の波形W2が表される。図5(d)における横軸は位置、縦軸は光量を表している。
図5(c)に表した例では、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されている。ここで、感光性樹脂70の光学特性(例えば、アライメント光の波長での屈折率や消衰係数)がモールド110の光学特性とほぼ等しい場合、モアレの濃淡の波形W2の振幅は非常に小さくなる。
図6(a)には、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2とが重ね合わされた状態が表される。図6(a)に表したモールド110の第1アライメントパターンAP1の凹パターンには、モールド110及び感光性樹脂70と光学特性が異なる材料(例えばクロム(Cr))による遮光膜SHが設けられる。図6(b)には、図6(a)の重ね合わせの状態で発生するモアレの濃淡の波形W10が表される。図6(b)における横軸は位置、縦軸は光量を表している。
図6(a)に表した例では、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70は充填されていない。すなわち、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間には空気が介在する。一般的に、空気の光学定数(例えば、消衰定数、屈折率)は、感光性樹脂70の光学定数及びモールド110の光学定数と異なる。このため、遮光膜SHを有するモールド110を用いた場合、モアレの濃淡の波形W10は、図5(b)に表した波形W1とほぼ同等の振幅を有する。
図6(c)には、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2とが重ね合わされた状態が表される。図6(c)に表したモールド110は、図6(a)に表したモールド110と同様に遮光膜SHを有する。図6(d)には、図6(c)の重ね合わせの状態で発生するモアレの濃淡の波形W20が表される。図6(d)における横軸は位置、縦軸は光量を表している。
図6(c)に表した例では、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されている。モールド110の第1アライメントパターンAP1の凹パターンに遮光膜SHが設けられていると、モアレの濃淡の波形W20の振幅は、図6(b)に表した波形W10の振幅よりも小さくなる。しかし、波形W20の振幅は、図5(d)に表した波形2の振幅よりも大きい。
例えば、感光性樹脂70の光学特性とモールド110の光学特性とがほぼ等しい場合であっても、遮光膜SHを有するモールド110を用いることで、波形W20の振幅が得られる。
本実施形態に係るパターン形成方法では、上記のようなアライメントを行うにあたり、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されたか否かの判定を行う(図1のステップS105)。そして、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されていると判定された場合には、第1基準によってアライメントを行い(図1のステップS106)、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されていないと判定された場合には、第1基準とは異なる第2基準によってアライメントを行う(図1のステップS110)。
ここで、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されたか否かの判定は、例えば、図5(b)、図5(d)、図6(b)及び図6(d)に表したような波形W1、W2、W10及びW20の変化によって行われる。
例えば、図5(a)〜(d)に表したように、モールド110に遮光膜SHが設けられていない場合、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されていない場合には波形W1が得られ、充填されている場合には波形W2が得られる。したがって、アライメント光の反射光を受光部によって得た信号の波形(波形W1、波形W2)によって感光性樹脂70の充填の有無が得られる。
図6(a)〜(d)に表したように、モールド110に遮光膜SHが設けられてる場合も、同様に受光部によって得た信号の波形(波形W10、波形W20)によって感光性樹脂70の充填の有無が得られる。
なお、上記の例では、感光性樹脂70の充填の有無の判定を、第1アライメントパターンAP1及び第2アライメントパターンAP2を用いて行っているが、別なパターンを用いてもよい。例えば、モールド110に第3パターン(第1アライメントパターンAP1及び第2アライメントパターンAP2とは異なるパターン)を設けておき、この第3パターンを用いて感光性樹脂70の充填の有無を判定してもよい。第3パターンを用いる場合でも、感光性樹脂70の充填の有無によるアライメント光の反射光の波形、強度及び位相等の変化によって判定すればよい。第3パターンは、第1アライメントパターンAP1の近傍に設けられることが望ましい。
本実施形態では、図1に表すステップS105において、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されていると判定された場合、第1基準によってモールド110と基板250とのアライメントを行う(図1のステップS106)。
ここで、第1基準は、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されている場合のモアレの濃淡を検出するための第1範囲を含む。例えば、図6(c)に表したように、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されている場合、図6(d)に表した波形W20の振幅を含む第1範囲RG1を波形W20の検出範囲として設定する。
一方、図1に表すステップS105において、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されてないと判定された場合、第2基準によってモールド110と基板250とのアライメントを行う(図1のステップS110)。
第2基準は、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されていない場合のモアレの濃淡を検出するための第2範囲を含む。例えば、図6(a)に表したように、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されていない場合、図6(b)に表した波形W10の振幅を含む第2範囲RG2を波形W10の検出範囲として設定する。例えば、第2範囲RG2は、第1範囲RG1よりも広い。
このように、本実施形態では、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されているか否かによってアライメントを行う際の波形W10及びW20の最適な検出範囲を設定する。したがって、本実施形態では、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されている場合、充填されていない場合のいずれにおいても最適な検出範囲によって波形W10、W20が検出される。
一般に、インプリント法によるパターン形成方法においては、モールド110を感光性樹脂70に接触させてから、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されるまで待機した後、モールド110と基板250とのアライメントを行うことが行われる。
これに対し、本実施形態では、モールド110を感光性樹脂70に接触させてから、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されるまで待機することなく、モールド110と基板250とのアライメントを開始する。すなわち、本実施形態では、モールド110を感光性樹脂70に接触させた直後からアライメントを開始する。
そして、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間の感光性樹脂70の有無によって、それぞれ最適な検出範囲(例えば、第1範囲RG1及び第2範囲RG2)により波形(例えば、波形W20、W10)を検出する。したがって、モールド110を感光性樹脂70に接触させてから感光性樹脂70が第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に充填されるまでの待機時間が不要になる。つまり、パターン形成におけるスループットが向上する。
また、本実施形態では、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間の感光性樹脂70の有無によって、それぞれ最適な検出範囲により波形W10、W20を検出するため、感光性樹脂70の有無にかかわらず精度良く波形W10、W20が検出される。
図7(a)〜図8(b)は、モアレ及び波形を例示する模式図である。
図7(a)には、感光性樹脂70が充填されていない状態でのモアレM1が表される。なお、図7(a)には、第1アライメントパターンAP1及び第2アライメントパターンAP2が表される。第1アライメントパターンAP1の一部は、第2アライメントパターンAP2の一部と重なっている。この重なっている部分にモアレM1が発生する。
図7(a)には、感光性樹脂70が充填されていない状態でのモアレM1が表される。なお、図7(a)には、第1アライメントパターンAP1及び第2アライメントパターンAP2が表される。第1アライメントパターンAP1の一部は、第2アライメントパターンAP2の一部と重なっている。この重なっている部分にモアレM1が発生する。
図7(b)には、モアレM1の波形W11が表される。波形W11は、振幅AMP1を有する。この場合、アライメントは、第2基準に含まれる第2範囲RG2を検出範囲として波形W11を検出する。
図8(a)には、感光性樹脂70が充填されている状態でのモアレM2が表される。なお、図8(a)には、第1アライメントパターンAP1及び第2アライメントパターンAP2が表される。第1アライメントパターンAP1の一部は、第2アライメントパターンAP2の一部と重なっている。この重なっている部分にモアレM2が発生する。
図8(b)には、モアレM2の波形W21が表される。波形W21は、振幅AMP2を有する。振幅AMP2は、振幅AMP1よりも小さい。この場合、アライメントは、第1基準に含まれる第1範囲RG1を検出範囲として波形W21を検出する。
図9は、アライメントパターンのグループを例示する模式的平面図である。
図9には、モールド110に設けられるアライメントパターンのグループGの一例が表される。なお、基板250には、モールド110のアライメントパターンに対応したアライメントパターンが設けられる。
図9には、モールド110に設けられるアライメントパターンのグループGの一例が表される。なお、基板250には、モールド110のアライメントパターンに対応したアライメントパターンが設けられる。
図9に表したように、アライメントパターンのグループGは、粗いアライメントを行うためのパターンAP51と、精密なアライメントを行うためのパターンAP52とが設けられる。パターンAP51及びAP52は、それぞれ複数設けられていてもよい。精密なアライメントを行うためのパターンAP52は、例えば第1アライメントパターンAP1を含む。
また、粗いアライメントを行うためのパターンAP51は、感光性樹脂70が充填されたか否かを判定するための第3パターンAP53を含んでいてもよい。
モールド110と基板250とのアライメントが完了した後、発光部から光を感光性樹脂70に照射する。光の照射によって感光性樹脂70は硬化する。感光性樹脂70が硬化した後、モールド110を感光性樹脂70から引き離す。これにより、基板250の上にモールド110の凹凸パターンの形状が転写されたパターンが形成される。
本実施形態に係るパターン形成方法では、モールド110を感光性樹脂70に接触させた後、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されるまで待機することなくアライメントが行われる。したがって、パターン形成のスループットが向上する。なお、アライメントは、基板250上の各ショット領域Rごとに行われる。したがって、基板250上に多くのショット領域Rが設けられているほど、スループット向上の効果が顕著に表れる。
(第2の実施形態)
図10は、第2の実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する模式図である。
図10に表したように、パターン形成装置200は、モールド保持部(第1保持部)2と、基板保持部(第2保持部)5と、駆動部8と、塗布部14と、発光部12と、制御部21と、を備える。パターン形成装置200は、さらに、アライメントセンサ7と、アライメント部9と、加圧部15と、を備える。実施形態に係るパターン形成装置200は、モールド110の凹凸パターンの形状を基板250上の感光性樹脂70に転写するインプリント装置である。
図10は、第2の実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する模式図である。
図10に表したように、パターン形成装置200は、モールド保持部(第1保持部)2と、基板保持部(第2保持部)5と、駆動部8と、塗布部14と、発光部12と、制御部21と、を備える。パターン形成装置200は、さらに、アライメントセンサ7と、アライメント部9と、加圧部15と、を備える。実施形態に係るパターン形成装置200は、モールド110の凹凸パターンの形状を基板250上の感光性樹脂70に転写するインプリント装置である。
基板250は、例えば半導体基板やガラス基板である。基板250には下地パターンが形成される。基板250は、下地パターン上に形成された膜を含んでいてもよい。膜としては、絶縁膜、金属膜(導電膜)及び半導体膜の少なくともいずれかである。パターン転写時には、基板250の上に樹脂が塗布される。
基板保持部5は、ステージ定盤13の上に移動可能に設けられる。基板保持部5は、ステージ定盤13の上面13aに沿った2軸に沿ってそれぞれ移動可能に設けられる。ここで、ステージ定盤13の上面13aに沿った2軸を、X軸及びY軸とする。基板保持部5は、X軸及びY軸と直交するZ軸にも移動可能に設けられる。基板保持部5には、X軸、Y軸及びZ軸のそれぞれを中心として回転可能に設けられていることが望ましい。
基板保持部5には基準マーク台6が設けられる。基準マーク台6の上には装置の基準位置となる基準マーク(不図示)が設置される。基準マークは例えば回折格子で構成される。基準マークは、アライメントセンサ7の校正及びモールド110の位置決め(姿勢制御・調整)に利用される。基準マークは、基板保持部5上の原点である。基板保持部5の上に載置される基板250のX,Y座標は、基準マーク台6を原点とした座標になる。
モールド保持部2は、モールド110を固定する。モールド保持部2は、モールド110の周縁部分を例えば真空吸着によって保持する。ここでは、モールド110は、石英や蛍石など紫外線(UV光)を透過する材料で形成される。モールド110に形成された凹凸パターンは、デバイスパターンに対応したパターンと、モールド110と基板250との位置合わせ時に使用されるアライメントパターンとを含む。モールド保持部2はモールド110を装置基準に位置決めするように動作する。モールド保持部2は、ベース部11に取り付けられる。
ベース部11には、アライメント部9及び加圧部15(アクチュエータ)が取り付けられる。アライメント部9は、モールド110の位置(姿勢)を微調整する調整機構を有する。アライメント部9は、モールド110の位置(姿勢)を微調整することにより、モールド110と基板250との相対的な位置を補正する。アライメント部9は、例えば制御部21から指示を受けて基板250とモールド110との位置合わせ及びモールド110の位置の微調整を行う。
加圧部15は、モールド110の側面に応力を与えてモールド110を歪ませる。矩形のモールド110の場合、加圧部15は、モールド110の4つの側面から中心に向けてモールド110を加圧する。これにより、モールド110の位置合わせを行う。また、加圧部15は、モールド110を押圧するバランスによってモールド110を変形させる。加圧部15は、例えば制御部21から指示を受けてモールド110を所定の応力で加圧する。
アライメントセンサ7は、モールド110に設けられた第1アライメントパターンAP1と、基板250に設けられた第2アライメントパターンAP2とを検出する。アライメントセンサ7は、例えば光学カメラを有する。光学カメラによって取り込んだ例えばモアレの画像の信号(波形)から第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との相対的な位置ずれ量が求められる。
アライメントセンサ7は、基準マーク台6上の基準マークに対するモールド110の位置ずれ、及び基板250を基準としたモールド110の位置ずれを検出する。アライメントセンサ7で検出した例えばモアレの画像の信号(波形)は、制御部21に送られる。アライメントセンサ7は固定式でも移動式でもよい。
制御部21は、アライメントセンサ7で検出した第1アライメントマーク及び第2アライメントマークの位置情報に基づき、位置ずれ量を演算する。アライメント部9は、制御部21から送られた信号によって基板250とモールド110とのアライメント調整を行う。
制御部21は、発光部12を制御する。インプリント法によるパターンの形成では、基板250の上に感光性樹脂70を塗布した後、モールド110の凹凸パターンを感光性樹脂70に接触させた状態で発光部12から感光性樹脂70に光を照射する。制御部21は、この光の照射タイミングや照射量を制御する。
発光部12は、例えば紫外線光を放出する。発光部12は、例えばモールド110の直上に設置される。なお、発光部12の位置はモールド110の直上に限られない。発光部12がモールド110の直上以外の位置に配置されている場合には、ミラー等の光学部材を用いて光路を設定し、発光部12から放出した光をモールド110の直上からモールド110に向けて照射するように構成すればよい。
塗布部14は基板250上に感光性樹脂70を塗布する。塗布部14はノズルを有し、このノズルから感光性樹脂70を基板250の上に滴下する。
駆動部8は、モールド保持部2及び基板保持部5を駆動する。駆動部8は、モールド保持部2及び基板保持部5の少なくともいずれかを駆動して、モールド110と基板250との相対的な位置関係を変化させる。
パターン形成装置200の制御部21は、モールド110の凹凸パターンを感光性樹脂70に接触させた後、モールド110と基板250とのアライメント及び感光性樹脂70に向けて光を照射する制御を行う。制御部21は、図1に表したステップS101〜ステップS110の処理を実行する。ここで、ステップS101に表したモールドの用意は、モールド保持部2でモールド110を保持することを含む。ステップS102に表した基板の用意は、基板保持部5で基板250を保持することを含む。
このようなパターン形成装置200によれば、モールド110を感光性樹脂70に接触させた後、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2との間に感光性樹脂70が充填されるまで待機することなくアライメントが行われる。したがって、パターン形成のスループットが向上する。
(第3の実施形態)
上記説明した第1の実施形態に係るパターン形成方法は、コンピュータによって実行されるプログラム(パターン形成プログラム)として実現可能である。
図11は、コンピュータのハードウェア構成を例示する図である。
コンピュータ300は、中央演算部301、入力部302、出力部303、記憶部304を含む。入力部302は、記録媒体Mに記録された情報を読み取る機能を含む。パターン形成プログラムは、中央演算部301で実行される。
上記説明した第1の実施形態に係るパターン形成方法は、コンピュータによって実行されるプログラム(パターン形成プログラム)として実現可能である。
図11は、コンピュータのハードウェア構成を例示する図である。
コンピュータ300は、中央演算部301、入力部302、出力部303、記憶部304を含む。入力部302は、記録媒体Mに記録された情報を読み取る機能を含む。パターン形成プログラムは、中央演算部301で実行される。
パターン形成プログラムは、図1に表したステップS101〜ステップS110の処理をコンピュータ300に実行させる。
(第4の実施形態)
パターン形成プログラムは、コンピュータ読取可能な記録媒体に記録されていてもよい。記録媒体Mは、図1に表したステップS101〜ステップS110の処理をコンピュータ300に読み取り可能な形式によって記憶している。記録媒体Mは、ネットワークに接続されたサーバ等の記憶装置であってもよい。また、パターン形成プログラムは、ネットワークを介して配信されてもよい。
パターン形成プログラムは、コンピュータ読取可能な記録媒体に記録されていてもよい。記録媒体Mは、図1に表したステップS101〜ステップS110の処理をコンピュータ300に読み取り可能な形式によって記憶している。記録媒体Mは、ネットワークに接続されたサーバ等の記憶装置であってもよい。また、パターン形成プログラムは、ネットワークを介して配信されてもよい。
以上説明したように、実施形態に係るパターン形成方法及びパターン形成装置によれば、パターン形成のスループットの向上を図ることができる。
なお、上記に本実施形態を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、第1アライメントパターンAP1と第2アライメントパターンAP2とのアライメントは、モアレの濃淡の検出には限定されず、位置ずれの情報を検出できる手段であれば適用可能である。前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
2…モールド保持部、5…基板保持部、6…基準マーク台、7…アライメントセンサ、8…駆動部、9…アライメント部、10…基材、11…ベース部、12…発光部、13…ステージ定盤、13a…上面、14…塗布部、15…加圧部、20…台座部、21…制御部、70…感光性樹脂、70a…転写パターン、70b…残膜、110…モールド、200…パターン形成装置、250…基板、300…コンピュータ、301…中央演算部、302…入力部、303…出力部、304…記憶部、AP1…第1アライメントパターン、AP2…第2アライメントパターン、AP53…第3パターン、RG1…範囲、RG2…範囲、SH…遮光膜、W1,W2,W10,W20…波形
Claims (7)
- 第1パターンを有するモールドを用意する工程と、
第2パターンを有する基板を用意する工程と、
前記基板の上に感光性樹脂を塗布する工程と、
前記モールドを前記感光性樹脂に接触させる工程と、
前記第1パターンと前記第2パターンとの間に照射した光の反射光の情報によって前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されたか否かを判定する工程と、
前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されている場合には、前記第1パターンと前記第2パターンとの位置ずれの情報を検出するための第1範囲を含む第1基準に従い前記第1パターンと前記第2パターンとの位置合わせを行い、前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されていない場合には、前記位置ずれの情報を検出するための前記第1範囲とは異なる第2範囲を含む第2基準に従い前記第1パターンと前記第2パターンとの位置合わせを行う工程と、
前記感光性樹脂を硬化させる工程と、
前記モールドを前記感光性樹脂から引き離す工程と、
を備えたパターン形成方法。 - 第1パターンを有するモールドを用意する工程と、
第2パターンを有する基板を用意する工程と、
前記基板の上に感光性樹脂を塗布する工程と、
前記モールドを前記感光性樹脂に接触させる工程と、
前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されたか否かを判定する工程と、
前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されている場合には第1基準に従い前記第1パターンと前記第2パターンとの位置合わせを行い、前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されていない場合には前記第1基準とは異なる第2基準に従い前記第1パターンと前記第2パターンとの位置合わせを行う工程と、
前記感光性樹脂を硬化させる工程と、
前記モールドを前記感光性樹脂から引き離す工程と、
を備えたパターン形成方法。 - 前記第1パターンは、第1方向に第1間隔を有し、
前記第2パターンは、前記第1方向に前記第1間隔の整数倍でなく、かつ前記第1間隔の整数分の1でない第2間隔を有する請求項2記載のパターン形成方法。 - 前記感光性樹脂が充填されたか否かを判定する工程は、前記第1パターンと前記第2パターンとの間に照射した光の反射光の情報によって前記感光性樹脂が充填されたか否かを判定することを含む請求項2または3に記載のパターン形成方法。
- 前記感光性樹脂の光学特性は、前記モールドの光学特性と等しい請求項4記載のパターン形成方法。
- 前記第1基準は、前記第1パターンと前記第2パターンとの位置ずれの情報を検出するための第1範囲を含み、
前記第2基準は、前記位置ずれの情報を検出するための前記第1範囲とは異なる第2範囲を含む請求項2〜5のいずれか1つに記載のパターン形成方法。 - 第1パターンを有するモールドを保持する第1保持部と、
第2パターンを有する基板を保持する第2保持部と、
前記第2保持部及び前記第2保持部の少なくとも一方を駆動する駆動部と、
前記基板の上に感光性樹脂を塗布する塗布部と、
前記感光性樹脂に光を照射する発光部と、
前記塗布部、前記駆動部及び前記発光部を制御する制御部であって、
前記第1保持部で前記モールドを保持すること、
前記第2保持部に前記基板を載置すること、
前記塗布部によって前記基板の上に感光性樹脂を塗布すること、
前記駆動部によって前記モールドを前記感光性樹脂に接触させること、
前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されたか否かを判定すること、
前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されている場合には第1基準に従い前記第1パターンと前記第2パターンとの位置合わせを行い、前記第1パターンと前記第2パターンとの間に前記感光性樹脂が充填されていない場合には前記第1基準とは異なる第2基準に従い前記第1パターンと前記第2パターンとの位置合わせを行うこと、
前記発光部から前記光を照射して前記感光性樹脂を硬化させること、
前記モールドを前記感光性樹脂から引き離すこと、を制御する制御部と、
を備えたパターン形成装置。
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