KR20090031562A - 적층체 및 적층체를 사용한 박형 기판의 제조 방법 - Google Patents

적층체 및 적층체를 사용한 박형 기판의 제조 방법 Download PDF

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KR20090031562A
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리차드 제이. 웨브
마이클 에이. 크로프
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쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
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Abstract

연삭될 기판과 지지체를 포함하는 적층체가 제공되며, 여기서, 기판은 매우 작은(얇은) 두께로 연삭될 수 있고 그 후 기판 손상 없이 지지체로부터 분리될 수 있다. 일 실시 형태는 연삭될 기판, 연삭될 기판과 접촉되는 경화성 접착제를 포함하는 결합층, 흡광제 및 열분해성 수지를 포함하는 광열 변환층, 및 광 투과성 지지체를 포함하는 적층체이다. 결합층과 접촉되는 기판 표면의 반대쪽의 기판 표면을 연삭한 후에, 투광층을 통해 적층체를 조사하여 광열 변환층을 분해시켜 기판과 광 투과성 지지체를 분리한다.
적층체, 기판, 광열 변환층, 지지체, 전구체, 경화, 실리콘 접착제

Description

적층체 및 적층체를 사용한 박형 기판의 제조 방법{LAYERED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN SUBSTRATE USING THE LAYERED BODY}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2006년 7월 14일자로 출원된 미국 특허 출원 제11/457567호 및 동일자로 출원된 미국 특허 출원 대리인 관리번호 제63350US002호에 대한 우선권을 주장하는데, 이들 둘 모두의 개시된 내용은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된다.
본 발명은 지지체 상에 고정된, 규소 웨이퍼와 같은 연삭될 기판이 지지체로부터 쉽게 분리될 수 있는 적층체에 관한 것이며, 또한 이러한 적층체의 제조 방법 및 박형화된 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
다양한 분야에서, 기판의 두께를 감소시키는 것이 흔히 중요하다. 예를 들어, 석영 장치(crystal device)의 분야에서는, 발진 주파수가 증가되도록 석영 웨이퍼의 두께를 감소시키는 것이 요망된다. 특히, 반도체 산업에서, 칩 적층 기술에 의한 고밀도 제작뿐만 아니라 반도체 패키지의 두께를 감소시키려는 목적에 상응하기 위하여, 반도체 웨이퍼의 두께를 추가로 감소시키려는 노력이 진행중이다. 두께 감소는 패턴-형성된 회로를 포함하는 표면의 반대쪽 표면 상의 반도체 웨이퍼 의 소위 이면 연삭(back side grinding)에 의해 수행된다. 보통, 웨이퍼의 이면측 또는 표면을 연삭하고 이면 연삭 보호 테이프만으로 웨이퍼를 유지하면서 이를 이송하는 종래 기술에서는, 연삭된 웨이퍼의 불균일한 두께 또는 연삭 후에 보호 테이프를 갖는 웨이퍼의 뒤틀림과 같은 문제 때문에, 실제로 단지 약 150 마이크로미터(㎛)의 두께까지만 두께 감소가 달성될 수 있다. 예를 들어, 일본 특허 공개 제6-302569호는 감압 접착 테이프를 통해 링형 프레임 상에 웨이퍼가 유지되고, 프레임 상에 유지된 이 웨이퍼의 이면이 연삭되며, 웨이퍼가 다음 단계로 이송되는 방법을 개시한다. 그러나, 이 방법은 전술한 비균일성 또는 뒤틀림의 문제에 직면하지 않고서도 얻어질 수 있는 현재의 웨이퍼 두께 수준에 비하여 현저한 개선을 여전히 달성하지 못하였다.
접착제를 통해 경질 지지체 상에 웨이퍼를 견고히 고정한 채로 웨이퍼의 이면을 연삭하고 이를 이송하는 방법이 또한 제안되었다. 이는 그러한 지지체를 사용하여 웨이퍼를 지지함으로써 이면 연삭 및 이송 동안 웨이퍼의 파손을 방지하고자 하는 것이다. 이 방법에 따르면, 웨이퍼가 상기에 기재된 방법에 비해 더 낮은 두께 수준으로 가공될 수 있으나, 웨이퍼를 파손시키지 않고서는 박형 웨이퍼를 지지체로부터 분리할 수 없으며, 따라서, 이 방법은 반도체 웨이퍼를 박형화하는 방법으로서는 실질적으로 사용될 수 없다.
발명의 개요
본 발명은 연삭될 기판이 결합층(경화된 접착제를 포함)에 의해서 지지체 상에 고정되고, 연삭 후에 결합층이 지지체로부터 쉽게 박리될 수 있는 적층체를 제 공한다. 본 발명은 또한 적층체의 제조 방법, 및 적층체를 사용한 박형 기판의 제조 방법을 제공한다. 일부 바람직한 실시 형태에서, 박형 기판은 반도체 웨이퍼를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에서, 적층체가 제공되며, 이 적층체는 연삭될 기판; 상기 연삭될 기판과 접촉되는 결합층(경화된 접착제를 포함); 광열 변환층(흡광제 및 열분해성 수지를 포함); 및 광 투과성 지지체를 포함한다. 결합층과 접촉되는 기판 표면의 반대쪽의 기판 표면을 연삭한 후에, 투광층을 통해 적층체를 조사하여 광열 변환층을 분해시키고 기판과 광 투과성 지지체를 분리할 수 있다. 이러한 적층체에서는, 매우 작은 두께로 연삭된 기판이 기판 파손 없이 지지체로부터 분리될 수 있다.
상기에 기재된 적층체의 제조 방법이 또한 제공되며, 이 방법은 광열 변환층을 광 투과성 지지체 상에 제공하는 단계, 경화성 접착제를 연삭될 기판 또는 광열 변환층에 도포하는 단계, 감압 하에 경화성 접착제에 의해서 연삭될 기판과 광열 변환층을 결합하는 단계, 접착제를 경화하여 결합을 형성하고 그에 따라 적층체를 형성하는 단계를 포함한다. 광열 변환층은 흡광제와 열분해성 수지 용액, 또는 열분해성 수지의 전구체 재료로서의 단량체 또는 올리고머를 포함하는 광열 변환층 전구체를 제공하는 단계; 및 광열 변환층 전구체를 응고 또는 경화되도록 건조하여 광 투과성 지지체 상에 광열 변환층을 형성하는 단계에 의해서 제공될 수 있다.
연삭될 기판과 광 투과성 지지체를 결합층(경화된 접착제를 포함)을 통해 감압 하에 결합시킴으로써, 적층체 내부에서 기포 또는 먼지 오염물질이 형성되는 것 을 방지하여, 평탄한 표면이 형성될 수 있게 되고 연삭 후 기판이 두께의 균일성을 유지할 수 있게 된다.
본 발명의 또 다른 실시 형태에서, 감소된 두께의 기판을 제조하는 방법이 제공되며, 이 방법은 상기에 기재된 적층체를 준비하는 단계, 기판을 원하는 두께로 연삭하는 단계, 광 투과성 지지체를 통해 광열 변환층을 조사하여 광열 변환층을 분해시키고 그럼으로써 연삭 후 광 투과성 지지체로부터 기판을 분리하는 단계, 및 연삭 후 기판으로부터 결합층을 박리시키는 단계를 포함한다. 이 방법에서, 기판은 지지체 상에서 원하는 두께(예를 들어, 150 ㎛ 이하, 바람직하게는 50 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 25 ㎛ 이하)로 연삭될 수 있으며, 연삭 후 방사선 에너지에 대한 노출을 사용하여 지지체를 기판으로부터 분리하여서, 연삭 후 기판 상에 잔류하는 결합층을 기판으로부터 쉽게 박리할 수 있다.
도 1은 본 발명의 적층체를 도시한 단면도.
도 2a 및 2b는 본 발명에 유용한 진공 접착 장치를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 방법에 유용한 연삭 장치의 부분 단면도.
도 4a, 4aa, 4b, 4c, 4d 및 4e는 지지체를 분리하는 단계 및 결합층을 박리하는 단계를 도시한 도면.
도 5는 레이저 빔 조사 단계에 사용될 수 있는 적층체 고정 장치의 단면도.
도 6a, 6b, 6c, 6d, 6e 및 6f는 레이저 조사 장치의 사시도.
도 7a 및 7b는 웨이퍼와 지지체를 분리하는 작업에 사용되는 픽업(pick-up) 의 개략도.
도 8은 결합층이 웨이퍼로부터 어떻게 박리되는지를 도시한 개략도.
적층체는 지지체에 연삭될 기판을 결합하기 위한 경화성 접착제 결합층을 특징으로 한다. 도 1의 적층체(1)에서, 연삭될 기판(2), 결합층(3)(경화된 접착제를 포함), 광열 변환층(4) 및 지지체(5)가 도시되어 있다. 본 발명의 적층체를 포함하는 요소들을 하기에 더욱 상세하게 기재한다.
연삭될 기판을 광열 변환층을 통해 지지체에 고정하기 위해, 경화된 접착제를 포함하는 결합층이 사용된다. 광열 변환층의 분해에 의한 기판과 지지체의 분리 후에, 결합층을 상부에 갖는 기판이 얻어진다. 그러므로, 결합층은 박리 등에 의해 기판으로부터 쉽게 분리되는 것이 바람직하다. 따라서, 결합층은 지지체에 기판을 고정하기에 충분히 높지만 기판으로부터의 분리를 허용하기에 충분하게 낮은 접착 강도를 갖는다.
본 발명의 일 실시 형태에서, 접착제 결합층은 아크릴레이트와 같은 경화성 올리고머, 또는 더욱 구체적으로는 예를 들어, 경화성 메타크릴레이트화 폴리부타디엔 접착제를 포함할 수 있다. 접착제 결합층은 또한 광개시제 및 희석제를 포함할 수 있다. 대안적으로, 본 발명의 다른 실시 형태에서, 접착제 결합층은 경화성 실리콘 접착제를 포함할 수 있다.
경화성 접착제는 장기간의 내구성을 제공할 수 있으며, 광범위한 온도, 습도 및 환경 조건에 걸쳐 유용하고, 본 발명의 적층체를 접합하는 데 효과적으로 사용될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 경화성 접착제는 UV 및 가시광 경화성 접착제를 포함하는 광경화성 접착제일 수 있다.
결합층의 경화성 메타크릴레이트화 폴리부타디엔 접착제 실시 형태와 관련하여, 예를 들어, 폴리부타디엔(PBD)은 금속, 유리, 플라스틱 및 다른 재료에 대한 접착성이 열등한 비극성, 연질, 저 모듈러스 중합체일 수 있다. 폴리부타디엔은 일반적으로 고무 및 플라스틱 제형에 대한 코팅, 프라이머 또는 접착성-향상 첨가제로서는 적합하지 않을 수 있다. 그러나, 상대적으로 높은 수평균 분자량은, 수평균 분자량이 더 낮은 다른 재료보다 경화시에 더 적은 수축 및 더 균일한 특성으로 이어지는 반면, 중합체 골격은 또한 탄성 및 많은 인공 재료와의 상용성과 함께 더 양호한 내화학성 및 내습성을 제공하기 때문에, 수평균 분자량이 약 2,000 g/몰을 초과하는 폴리부타디엔과 같은 중합체가 접착제 및 코팅에 사용하기에 바람직할 수 있다.
본 발명의 일부 실시 형태의 비경화된 중합체성 수지 조성물은 하기 일반식을 갖는 세그먼트로 이루어진 중합체 사슬이다:
Figure 112009001952707-PCT00001
- 여기서, /\/\/\/는 포화 또는 불포화될 수 있고 무수물, 아미드, 에테르, 에스테르, 아릴 및 환형 기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 구성원을 포함할 수 있는 중합체 골격 부분을 나타내며;
- 화살표는 펜던트 기가 임의의 위치에서 골격에 부착될 수 있고, 중합체성 수지의 각 분자의 각 부분에 다양한 양의 펜던트 기가 존재할 수 있음을 나타내고;
- Z는 조성물의 가교결합 또는 안정성을 실질적으로 방해하지 않는 하이드로카르빌일 수 있으며, a는 0 또는 1 또는 2일 수 있고;
- R1은 화학적으로 결합된 카르복실 및 에스테르 잔기(O가 S, N 또는 P로 치환될 수 있는 에스테르-유사 잔기를 포함)의 조합을 갖는 기일 수 있으며;
- R2는 화학적으로 결합된 카르복실 잔기의 조합을 갖는 기일 수 있다.R1의 예에는 다음이 포함된다:
Figure 112009001952707-PCT00002
또는
Figure 112009001952707-PCT00003
또는
Figure 112009001952707-PCT00004
여기서, R'는 아크릴, 메타크릴, 알릴 또는 비닐 에테르 화합물로부터의 불포화체-함유 잔기일 수 있으며; R''는 비-친핵성 치환체일 수 있고; Y는 -O, -N, -S 또는 P일 수 있으며; n은 0 내지 25의 정수일 수 있다. 예를 들어, n은 1 내지 5의 정수일 수 있다. 또한, 예를 들어, R"는 H일 수 있고 n은 1일 수 있다. 비-친핵성 치환체는, H, S, 알킬, 아릴, 알콕시, 아미도, 에스테르, 에테르, tert-아미노 및 카르복시를 포함하지만 이로 한정되지 않는다.
R'는 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 알릴 또는 비닐 에테르와 같은 반응성 불포화체, 예를 들어, (메트) 아크릴레이트 잔기, 및 또한, 예를 들어, 알킬 (메트)아크릴산 에스테르 잔기(예를 들어, -OCH2CH2OC (O) C (CH3)=CH2)를 포함한다.
R1 기의 예는 하기일 수 있다:
Figure 112009001952707-PCT00005
예를 들어, R2는 하기일 수 있다:
Figure 112009001952707-PCT00006
또는
Figure 112009001952707-PCT00007
또는
Figure 112009001952707-PCT00008
여기서, R"는 비-친핵성 치환체일 수 있고; n은 0 내지 25의 정수일 수 있다. 예를 들어, n은 1 내지 5의 정수일 수 있다. 또한, 예를 들어, R"는 H이고 n은 1일 수 있다.
R2 기의 예는 하기일 수 있다:
Figure 112009001952707-PCT00009
중합체 골격은, 예를 들어, 폴리부타디엔을 포함할 수 있다.
화학적으로 결합된 카르복실 잔기의 조합을 갖는 기는 이러한 기가 2개의 카르복실 잔기를 갖는다는 것을 의미한다. 화학적으로 결합된 카르복실 및 에스테르 잔기의 조합은 카르복실 및 에스테르 잔기 둘 모두가 동일한 기 내에 존재할 수 있다는 것을 의미한다. 티오-에스테르, 아미드 또는 다른 그러한 헤테로-원자 함유 잔기(P-함유 잔기를 포함)를 에스테르 잔기 대신 사용할 수 있다.
골격 중합체 사슬의 길이는 원하는 대로 선택될 수 있다. 예를 들어, 조성물의 수평균 분자량은 접착 특성에 필요한 경화된 수지의 충분한 유연성과 함께 경화시 낮은 수축을 보장할 수 있을 만큼 높으나, 최적의 상호작용을 위해 기판 표면의 세공 및 공동을 충전시키는 중합체 분자의 능력을 제한할 만큼 높은 것은 아닐 수 있다. 예시적인 수평균 분자량의 범위는 젤 투과 크로마토그래피(GPC) 또는 임의의 다른 분석 방법으로 측정할 때 약 1,000 내지 300,000 g/몰, 또는 예를 들어, 약 2,000 내지 100,000 g/몰일 수 있다.
예를 들어, Z는 H, 알킬, 비닐 또는 알킬 비닐 - 조성물의 가교결합에 기여하는 이중 결합을 제공함 - 일 수 있으나; Z는 가교결합을 방해할 만큼 벌키한 것이 아닐 수 있고 조성물을 불안정하게 만들지 않는, 즉, 가교결합이 자발적으로 일어나거나 또는 원하는 것보다 취성이 더 큰 경화된 조성물로 이어질 만큼 많은 이중 결합을 제공하지 않는 임의의 치환체일 수 있다. 이용가능한 부위를 조정하여 가교결합 밀도를 조정하는 것이 당업계에 잘 알려져 있을 수 있고, Z는 당업자에 의해서 임의의 원하는 특성의 조성물에 대해 최적화될 수 있다.
예를 들어, 조성물은 신속한 경화를 제공하고 용매, 화학물질 및 물에 대한 저항성 및 강도를 위해 경화된 생성물에 가교결합 밀도를 부가하기 위하여 반응성 불포화체를 갖는 충분한 농도의 아크릴레이트기를 함유하나, 자발적인 가교결합을 촉진하거나 원하는 것보다 취성이 더 클 수 있는 경화된 조성물을 제공할 만큼 많지는 않으며, 예를 들어, 약 2 내지 약 20개의 아크릴레이트 기 또는 불포화 잔기가 골격 중합체 사슬 당 존재한다.
본 발명의 일부 실시 형태의 제조 방법은 다이카르복실산 무수물 및/또는 펜던트 카르복실기를 갖는 중합체 골격을 물 및/또는 -OH, -NH 또는 -SH 기와 같이 불안정한 수소를 포함하는 반응성 치환체를 갖는 하나 이상의 불포화 화합물 또는 인 화합물과 반응시켜 2차 및 1차 2염기산 카르복실 작용기 및 상이한 강도의 불포화 하프-에스테르 카르복실 작용기를 갖는 화합물을 생성하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 무수물을 사용할 수 있는 경우, 이는 석신산 무수물일 수 있다.
1차 카르복실 작용체는 동일한 산 분자의 다른 2차 카르복실 작용체보다 더 높은 산 강도를 갖는 2염기산의 것일 수 있다. 1차 및 2차 카르복실 작용기 둘 모두는 다이카르복실산 무수물과 물의 반응으로부터 생성된다. 상이한 강도의 하프-에스테르 카르복실 작용기는 다이카르복실산 무수물 기와, 불안정한 수소를 포함하는 반응성 치환체를 갖는 하나 이상의 불포화 화합물의 반응으로부터 생성된다. 예를 들어, 불안정한 수소를 포함하는 반응성 치환체를 갖는 불포화 화합물은 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트, 예를 들어, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트일 수 있다. 조성물은, 예를 들어, 폴리부타디엔의 말레산 무수물과 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 함유 화합물, 물 및 2염기산의 하프-에스테르 또는 (메트)아크릴레이트 작용체를 또한 포함하는 환형 무수물을 반응시켜 제조할 수 있다. 조성물에 존재하는 카르복실기의 양 및 유형은 원하는 접착 특성을 조성물에 제공하도록 선택될 수 있다.
사용될 수 있는 일부 메타크릴레이트화 폴리부타디엔은, 예를 들어, 미국 펜실베이니아주 엑스톤 소재의 사토머 컴퍼니(Sartomer Company)에 의해 제조된 릭아크릴(Ricacryl) 3100 및 릭아크릴 3500을 포함한다. 대안적으로, 다른 메타크릴레이트화 폴리부타디엔을 사용할 수 있다. 이들은 개질된 에스테르화 액체 폴리부타디엔 다이올로 구성된 액체 폴리부타디엔 수지의 다이메타크릴레이트를 포함한다. 이들은 미국 펜실베이니아주 엑스톤 소재의 사토머 컴퍼니에 의해 제조된, 상표명 CN301, CN303 및 CN307로 입수가능하다. 본 발명의 실시 형태에 어떤 메타크릴레이트화 폴리부타디엔을 사용하느냐에 상관없이, 메타크릴레이트화 폴리부타디엔은 사슬 당 약 2 내지 약 20개의 많은 메타크릴레이트 기를 포함할 수 있다.
메타크릴레이트화 폴리부타디엔 외에, 결합층은 또한, 예를 들어, 광개시제를 포함할 수 있다. 접착제 결합층은 광개시제를, 예를 들어, 약 0.5 중량％ 내지 약 5 중량％ 범위의 양으로 포함할 수 있다. 유용한 광개시제는 다작용성 (메트)아크릴레이트를 자유 라디칼에 의해 광경화시키는 데 유용한 것으로 공지된 것을 포함한다. 예시적 광개시제는 벤조인 및 그 유도체, 예를 들어 알파-메틸벤조인; 알파-페닐벤조인; 알파-알릴벤조인; 알파-벤질벤조인; 벤조인 에테르, 예를 들어 벤질 다이메틸 케탈(예를 들어, 미국 뉴욕주 태리타운 소재의 시바 스페셜티 케미칼(Ciba Specialty Chemicals)로부터의 "이르가큐어(IRGACURE) 651"), 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 n-부틸 에테르; 아세토페논 및 이의 유도체, 예를 들어, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로판온(예를 들어, 시바 스페셜티 케미칼로부터의 "다로큐어(DAROCUR) 1173") 및 1-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤(예를 들어, 시바 스페셜티 케미칼로부터의 "이르가큐어 184"); 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-(4-모르폴리닐)-1-프로판온 (예를 들어, 시바 스페셜티 케미칼로부터의 "이르가큐어 907"); 2-벤질-2-(다이메틸아미노)-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부탄온 (예를 들어, 시바 스페셜티 케미칼로부터의 "이르가큐어 369")를 포함한다.
다른 유용한 광개시제는, 예를 들어, 피발로인 에틸 에테르, 아니소인 에틸 에테르, 안트라퀴논류 (예를 들어, 안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 1,4-다이메틸안트라퀴논, 1-메톡시안트라퀴논, 또는 벤즈안트라퀴논), 할로메틸트라이아진, 벤조페논 및 그 유도체, 요오도늄염 및 설포늄염, 티타늄 착물, 예를 들어 비스(에타5-2,4-사이클로펜타디엔-1-일)비스[2,6-다이플루오로-3-(1H-피롤-1-일)페닐]티타늄 (예를 들어, 시바 스페셜티 케미칼즈로부터의 "CGI 784DC"); 할로메틸-니트로벤젠 (예를 들어, 4-브로모메틸니트로벤젠), 모노- 및 비스-아실포스핀 (예를 들어, "이르가큐어 1700", "이르가큐어 1800", "이르가큐어 1850" 및 "다로큐어 4265")을 포함한다. 전형적으로, 개시제는 0.1 내지 10 중량％, 바람직하게는 2 내지 4 중량％ 범위의 양으로 사용된다.
메타크릴레이트화 폴리부타디엔 및 광개시제 외에, 결합층은 또한, 예를 들어, 반응성 희석제를 포함할 수 있다. 접착제 결합층은, 예를 들어, 반응성 희석제를 약 10 중량％ 내지 약 70 중량％ 범위의 양으로 포함할 수 있다. 반응성 희석제는 경화된 조성물의 점도 및/또는 물리적 특성을 조정하기 위하여 사용될 수 있다. 적합한 반응성 희석제의 예에는 1작용성 및 다작용성 (메트)아크릴레이트 단량체(예를 들어, 에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트 헥산다이올 다이(메트)아크릴레이트 트라이에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트 트라이프로필렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트), 비닐 에테르(예를 들어, 부틸 비닐 에테르), 비닐 에스테르(예를 들어, 비닐 아세테이트), 및 스티렌계 단량체(예를 들어, 스티렌)이 포함될 수 있다.
대안적으로, 결합층의 경화성 실리콘 접착제 실시 형태와 관련하여, 예를 들어, 접착제 층은 축합 경화성 실리콘 접착제, 부가-경화성 (또는 하이드로실릴화 경화성) 실리콘 접착제, 자유 라디칼-경화 실리콘 접착제 또는 양이온-경화성 실리콘 접착제로부터 선택된 경화성 실리콘 접착제를 포함한다. 경화성 실리콘 접착제는 장기간의 내구성을 제공할 수 있으며, 광범위한 온도, 습도 및 환경 조건에 걸쳐 유용하고, 본 발명의 적층체를 접합하는 데 효과적으로 사용될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 경화성 실리콘은 UV 및 가시광 경화성 실리콘을 포함하는 광경화성 실리콘일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 경화성 실리콘은 경화된 실리콘을 강화하는, 실리카, 석영, 및/또는 MQ 수지와 같은 강화제를 추가로 포함할 수 있다. 그러한 강화제는 경화성 실리콘 조성물의 최대 75 중량％의 양으로 첨가될 수 있다.
경화성 실리콘 중합체에 관한 일반적인 참고 문헌에는 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Polymer Science and Engineering, 2nd edition, Wiley-Interscience Pub., 1989, volume 15, pp. 235-243]; 문헌[Comprehensive Organometallic Chemistry, Ed. Geoffrey Wilkinson, Vol. 2, Chapter 9.3, F. O. Stark, J. R. Falender, A. P. Wright, pp. 329-330, Pergamon Press: New York, 1982]; 문헌[Silicones and Industry: A Compendium for Practical Use, Instruction, and Reference, A. Tomanek, Carl Hanser: Wacher-Chemie: Munich, 1993]; 문헌[Siloxane Polymers, S. J. Clarson, Prentice Hall: Englewood Cliffs, N. J., 1993]; 및 문헌[Chemistry and Technology of Silicones, W. Noll, Verlag Chemie: Weinheim, 1960]이 포함된다.
경화성 실리콘 접착제는 에틸렌계 불포화(예를 들어, 알켄일 또는 (메트)아크릴로일) 작용성 실리콘 기재 중합체, 하이드라이드(hydride) 작용성 가교결합 또는 사슬 연장제(예를 들어, SiH) 및 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 부가-경화 또는 하이드로실릴화 경화 실리콘 접착제일 수 있다. 실리콘 기재 중합체는 중합체 사슬을 따라 중합체의 단부(말단) 및/또는 펜던트에 존재할 수 있는 에틸렌계 불포화(예를 들어, 비닐, 프로펜일, 고급 알켄일, (메트)아크릴로일 등) 기를 갖는다. 바람직하게는, 에틸렌계 불포화 기는 비닐 또는 고급 알켄일 기이다. 예를 들어, 실리카, 석영, 및/또는 알켄일 또는 SiH 작용기를 포함하는 MQ 수지와 같은 강화제가 포함되는 것이 바람직할 수 있다. 하이드로실릴화 촉매는 VIII족 금속 또는 금속 착물 또는 지지된 금속 촉매일 수 있으나, 전형적으로 예를 들어, Pt 또는 Rh를 포함하는 귀금속 촉매이다.
부가-경화되는 실리콘(예를 들어, 하이드로실릴화 경화되는 실리콘)은 축합-경화되는 실리콘보다 일반적으로 보다 고품질인 것으로 여겨지며 치수 안정성이 더 크다. 축합-경화되는 실리콘과는 달리, 부가-경화되는 실리콘, 예를 들어, 하이드로실릴화-경화되는 실리콘은 경화 동안 잠재적으로 유해한 부산물을 생성하지 않는다. 하이드로실릴화-경화되는 조성물이 전형적으로 1) 폴리에틸렌계 불포화 실리콘 중합체 또는 올리고머; 2) 2개 이상의 실란(Si-H) 결합을 포함하는 "하이드로실란" 성분; 및 3) 백금 촉매와 같은 하이드로실릴화 촉매를 함유한다는 면에서 그러한 실리콘은 축합-경화되는 실리콘과 다르다. "폴리에틸렌계 불포화"는 복수의 에틸렌계 불포화 기, 예를 들어, 복수의 비닐기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물 또는 성분을 의미한다. 에틸렌계 불포화 기 및 Si-H 기는 말단 또는 펜던트 기일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 실리콘은 Si-H 결합 및 비닐기 둘 모두를 가질 수 있다.
특히 바람직한 부가-경화되는 실리콘은 (1) 다중-에틸렌계 불포화 기-함유 유기폴리실록산을 (2) 분자 당 다수의 SiH 결합을 포함하는 유기폴리실록산(이하, "유기하이드로폴리실록산")과 반응시킴으로써 형성된다. 이 반응은 전형적으로 (3) 백금-함유 촉매의 존재에 의해 촉진된다.
폴리에틸렌계 불포화 유기폴리실록산, 유기하이드로폴리실록산, 및 하이드로실릴화 촉매를 합하여(예를 들어, 함께 혼합하여) 경화성 실리콘 조성물을 제조할 수 있다. 일 실시 형태에서, 사용 전에 성분들을 바람직하게는 2개의 부분으로 사전-혼합한다. 예를 들어, "A" 부분은 비닐-함유 유기폴리실록산 및 촉매를 포함할 수 있는 반면, "B" 부분은 유기하이드로폴리실록산 및 선택적으로 비닐-함유 유기폴리실록산을 포함할 수 있다. 다른 실시 형태에서, 성분들은 하나의 부분으로 제공되고, 경화 반응을 저해하는 구성 요소(예를 들어, 촉매 저해제)를 추가로 포함한다.
많은 특허들이 코발트, 로듐, 니켈, 팔라듐 또는 백금의 다양한 착물을 규소-결합된 수소를 포함하는 화합물과 지방족 불포화체를 포함하는 화합물 사이의 열-활성화 부가 반응(하이드로실릴화)을 촉진하기 위한 촉매로서 사용하는 것을 교시한다. 예를 들어, 미국 특허 제4,288,345호(애쉬바이(Ashby) 등)는 하이드로실릴화 반응을 위한 촉매로서 백금-실록산 착물을 개시한다. 미국 특허 제3,715,334호, 제3,775,452호, 및 제3,814,730호 (카르스테트(Karstedt) 등)에는 추가적인 백금-실록산 착물이 하이드로실릴화 반응을 위한 촉매로서 개시된다. 미국 특허 제3,470,225호 (크노르(Knorre) 등)는 실험식 PtX2(RCOCR'COR")2 (여기서, X는 할로겐이며, R은 알킬이고, R'는 수소 또는 알킬이며, R"는 알킬 또는 알콕시임)의 백금 화합물을 사용하여 규소-결합된 수소를 포함하는 화합물을 적어도 하나의 비-방향족 이중 또는 삼중 탄소-탄소(carbon-to-carbon) 결합을 포함하는 유기 화합물에 부가하는 것에 의한 유기 규소 화합물의 제조를 개시한다. 상기 특허들에 개시된 촉매는 촉매 활성이 큰 것을 특징으로 한다. 전술한 열-활성화 부가 반응을 촉진하는 다른 백금 착물에는 식 (PtCl2C3H6)2 (미국 특허 제3,159,662호, 애쉬바이)의 플라티나사이클로부탄(platinacyclobutane) 착물; 백금염 및 올레핀의 착물(미국 특허 제3,178,464호, 피어포인트(Pierpoint)); 클로로플라틴산과 알코올, 에테르, 알데히드 또는 그 혼합물을 반응시켜 제조된 백금-함유 착물(미국 특허 제3,220,972호, 라모레오(Lamoreaux)); 트라이메틸플래티넘 요오다이드 및 헥사메틸다이플래티넘으로부터 선택된 백금 화합물(미국 특허 제3,313,773호, 라모레오); 하이드로카르빌 또는 할로하이드로카르빌 니트릴-플래티넘 (II) 할라이드 착물(미국 특허 제3,410,886호, 조이(Joy)); 헥사메틸-다이피리딘-다이플래티넘 요오다이드(미국 특허 제3,567,755호, 세이프라이드(Seyfried) 등); 클로로플라틴산과 최대 15개의 탄소 원자를 갖는 케톤의 반응으로부터 얻어지는 백금 경화 촉매(미국 특허 제3,814,731호, 니츠쉬(Nitzsche) 등); 일반식 (R')PtX2 (여기서, R'는 2개의 지방족 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 환형 탄화수소 라디칼 또는 치환된 환형 탄화수소 라디칼이며, X는 할로겐 또는 알킬 라디칼임)의 백금 화합물(미국 특허 제4,276,252호, 크라이스(Kreis) 등); 플래티넘 알카인 착물(미국 특허 제4,603,215호, 찬드라(Chandra) 등); 플래티넘 알켄일사이클로헥산 착물(미국 특허 제4,699,813호, 카베찬(Cavezzan)); 및 수소화규소 또는 실록산 하이드라이드와 백금 (0) 또는 백금 (II) 착물 사이의 반응에 의해 제공되는 콜로이드성 하이드로실릴화 촉매(미국 특허 제4,705,765호, 루이스(Lewis))가 포함된다.
이러한 백금 착물 및 많은 다른 것들이 규소-결합된 수소를 포함하는 화합물과 지방족 불포화체를 포함하는 화합물 사이의 열-활성화 부가 반응을 촉진하기 위한 공정에서 촉매로서 유용하지만, 일부 경우에는 이러한 화합물들 사이의 자외선- 또는 가시광선-활성화되는 부가 반응을 촉진하는 공정이 바람직할 수 있다. 자외선-활성화되는 하이드로실릴화 반응을 개시하는 데 사용될 수 있는 백금 착물, 예를 들어, 백금 아조 착물(미국 특허 제4,670,531호, 에크버그(Eckberg)); (η4-사이클로옥타다이엔)다이아릴플래티넘 착물 (미국 특허 제4,530,879호, 드라나크(Drahnak)); 및 (η5-사이클로펜타다이엔일)트라이알킬플래티넘 착물 (미국 특허 제4,510,094호, 드라나크)이 개시되어 있다. 자외선에 의해 경화가능한 다른 조성물에는 미국 특허 제4,640,939호 및 제4,712,092호 및 유럽 특허 출원 제0238033호에 기재된 것들이 포함된다. 미국 특허 제4,916,169호(보드맨(Boardman) 등)는 가시광선에 의해 활성화되는 하이드로실릴화 반응을 기재한다. 미국 특허 제6,376,569호(옥스맨(Oxman) 등)는 규소-결합된 수소를 포함하는 화합물과 지방족 불포화체를 포함하는 화합물의 화학 방사선-활성화 부가 반응의 공정을 개시하는데, 상기 부가는 하이드로실릴화로 칭해지고, 그 개선점은 백금 하이드로실릴화 촉매로서 (η5-사이클로펜타다이엔일)트라이(σ-지방족)백금 착물을, 그리고, 반응 촉진제로서, 화학 방사선, 즉, 약 200 ㎚ 내지 약 800 ㎚ 범위의 파장을 갖는 광을 흡수할 수 있는 자유-라디칼 광개시제를 사용하는 것을 포함한다. 이 공정은 또한, 감광제로서, 화학 방사선을 흡수하고, 전술한 백금 착물 또는 백금 착물/자유-라디칼 광개시제 조합으로 에너지를 전달할 수 있어, 화학 방사선에 노출시 하이드로실릴화 반응이 개시되게 하는 화합물을 사용할 수 있다. 이 공정은 낮은 수평균 분자량 화합물의 합성 및 높은 수평균 분자량 화합물, 즉, 중합체의 경화 둘 모두에 적용가능하다.
때때로, 조성물 내에 하이드로실릴화 경화성 조성물의 조 수명(bath life) 또는 작용 시간(working time)을 향상시키기 위한 첨가제를 함유시키는 것이 유용하다. 그러한 하이드로실릴화 저해제는 당업계에 잘 알려져 있으며 아세틸렌 알코올, 특정 폴리올레핀 실록산, 피리딘, 아크릴로니트릴, 유기 포스핀 및 포스파이트, 불포화 아미드, 및 알킬 말레에이트와 같은 화합물을 포함한다. 예를 들어, 아세틸렌 알코올 화합물은 특정 백금 촉매를 저해할 수 있으며 저온에서 경화가 일어나는 것을 방지한다. 가열시, 조성물은 경화되기 시작한다. 촉매 저해제의 양은 촉매의 활성 및 조성물의 원하는 보관 수명에 따라 촉매 양의 최대 약 10배 또는 그 이상으로 다양할 수 있다.
경화성 실리콘 접착제는 비닐, 알릴, (메트)아크릴로일 등과 같은 자유-라디칼 중합성 에틸렌계 불포화 기를 중합체 사슬로부터의 펜던트 및/또는 말단에 갖는 폴리실록산 중합체 또는 올리고머를 포함하는 적어도 하나의 자유 라디칼-경화 실리콘 접착제일 수 있다. 접착제가 열 또는 방사선(예를 들어, UV 또는 광) 경화될 때 자유 라디칼 중합을 개시하기 위해 자유 라디칼 촉매가 포함되는 것이 바람직하다. 선택적으로, 작은 백분율의 자유 라디칼 중합성 비닐 단량체가 포함될 수 있다. 또한, 자유 라디칼 중합성 가교결합제가 또한 포함될 수 있다.
특히 아크릴레이트화 폴리실록산 올리고머 및 중합체 - 말단 및/또는 펜던트 에틸렌계 불포화 기, 예를 들어, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 기를 포함함 - 를 포함하는 에틸렌계 불포화 자유 라디칼 중합성 실리콘은 일반적으로 클로로-, 실란올-, 아미노알킬-, 에폭시알킬-, 하이드록시알킬-, 비닐-, 또는 수소화규소-작용성 폴리실록산과 상응하는 (메트)아크릴로일-작용기 캡핑제의 반응을 통하여 다양한 방법에 의해 제조될 수 있다. 이러한 제법은 장(chapter)의 제목이 "광중합성 실리콘 단량체, 올리고머 및 수지(Photopolymerizable Silicone Monomers, Oligomers, and Resins)"인, 에이.에프. 자코빈(A.F. Jacobine) 및 에스.티.나코스(S.T. Nakos)의 문헌[Radiation Curing Science and Technology (1992), Plenum: New York, pp. 200-214]에 개관되어 있다. 바람직한 아크릴레이트화 폴리실록산 올리고머에는 골드슈미트 (Goldschmidt)로부터 명칭 TEGO RC로 구매가능한 아크릴-개질된 폴리다이메틸실록산 수지 및 미국 특허 제5,091,483호(마주렉(Mazurek) 등)에 기재된 아크릴아미도-종결된 1작용성 및 2작용성 폴리실록산이 포함된다.
경화성 실리콘 접착제는 적어도 하나의 축합-경화 실리콘 접착제일 수 있다. 축합-경화성 실리콘은 수분의 존재 하에 반응하여 경화된(즉, 가교결합된) 물질을 형성하는, 예를 들어, 하이드록시실란(즉, 실란올), 알콕시실란 또는 아실옥시실란 작용기와 같은 펜던트 또는 말단 기를 보통 포함한다. 알콕시실란 또는 아실옥시실란 작용체를 포함하는 축합-경화성 조성물은 전형적으로 2가지 반응에서 경화된다. 첫 번째 반응에서, 알콕시실란 또는 아실옥시실란 기가 수분 및 촉매의 존재 하에 가수분해되어 실란올기를 갖는 화합물을 형성한다. 두 번째 반응에서, 실란올기가 촉매의 존재 하에 다른 실란올, 알콕시실란 또는 아실옥시실란 기와 축합되어 -Si-O-Si- 결합을 형성한다. 실란올-작용성 화합물의 생성시에 두 반응은 본질적으로 동시에 일어난다. 두 반응에 공통으로 사용되는 촉매는 브뢴스테드 및 루이스 산을 포함하며, 문헌[the Encyclopedia of Polymer Science and Engineering, 2nd Edition, Volume 15, page 252, (1989)]에 기재되어 있다. 단일 물질이 둘 모두의 반응을 촉매할 수 있다.
다양한 접근법이 처리 및 보관 상의 어려움 없이 허용가능한 경화 속도를 갖는 축합-경화성 조성물을 제공하는 데 사용되어 왔다. 예를 들어, 미국 특허 제2,843,555호에는 한 부분은 작용성 중합체를 포함하고 다른 한 부분은 촉매를 포함하며 두 부분은 사용 직전에 혼합되는 2-부분 시스템이 기재되어 있다. 미국 특허 제5,286,815호는 수분 경화 반응을 개시하는 산 화합물을 유리시킬 만큼 충분히 가열될 때까지는 불활성인 암모늄염 촉매를 개시한다. 대안적으로, 축합-경화제는 촉매 및 가교결합제 둘 모두로서의 역할을 하는 다작용성 가교결합제(예를 들어, 아미노실란)일 수 있다.
본 명세서에 참고로 포함된 미국 특허 제6,204,350호(리우(Liu) 등)는 반응성 실란 작용기를 갖는 분자를 포함하는 하나 이상의 화합물의 요구-경화형(cure-on-demand), 수분-경화성 조성물을 기재하며, 산 발생 물질이 그 안에 교시되어 있다. 산 발생 물질은 열, 자외광, 가시광, 전자빔 조사 또는 마이크로파 조사에 노출시 산을 방출하여 가교결합 반응을 개시 및 촉진한다.
경화성 실리콘 접착제는 적어도 하나의 양이온-경화 실리콘 접착제일 수 있다. 양이온-경화성 실리콘은 양이온 촉매의 존재 하에 반응하여 경화된(즉, 가교결합된) 물질을 형성하는, 예를 들어, 에폭시, 알켄일 에테르, 옥세탄 다이옥솔란, 및/또는 카르보네이트 작용기와 같은 펜던트 또는 말단 기를 보통 포함한다. 원할 경우, 양이온 경화성 실리콘은 경화된 실리콘(결합층)의 강도를 향상시키기 위하여 추가로 MQ 수지를 포함할 수 있다.
에폭시실리콘은 당업계에 알려진 많은 방법, 예를 들어, 하이드라이드 작용성 실리콘과 지방족 불포화 에폭시 화합물의 클로로플라틴산 촉매된 부가 반응, 또는 비닐 또는 유사 불포화 실록산의 에폭시화 및 그리냐르식(Grignard type) 반응에 의해 제조될 수 있으며, 이는 예를 들어 문헌[E. P. Plueddemann and G. Fanger, J. Am. Chem. Soc. 81, 2632-35 (1959)]에 기재된 바와 같다. 편리한 방법은 불포화 지방족 에폭시 화합물과 하이드라이드-작용성 실리콘 올리고머의 하이드로실록산 부가 반응이다. 이 방법을 사용할 때, 규소에 부착된 소량의 수소가 존재할 수 있더라도 SiH 부위의 본질적으로 완전한 반응을 달성하는 것이 바람직하다. 최상의 결과를 위해서는 에폭시실리콘은 환형 실록산과 같은 낮은 수평균 분자량 성분이 본질적으로 없는 것이 또한 바람직하며, 그 이유는 이 성분이 최종적인 경화된 코팅에 존재함에 의해 접착제의 접착 특성에 악영향을 미칠 수 있기 때문이다(접착성이 손실되거나 증강됨).
미국 특허 제5,409,773호 (케셀(Kessel) 등)는 총수가 실록산 단위 총수의 약 5 내지 50％인 지환족 및 비-지환족 에폭시기를 갖고, 지환족 에폭시기의 총수 대 비-지환족 에폭시기의 총수의 비는 약 1:10 내지 2:1이며 에폭시폴리실록산(들)이 촉매적 유효량의 양이온성 에폭시 경화 촉매의 존재 하에 경화되는 하나 이상의 에폭시실리콘을 기재한다.
"양쪽작용성 단량체의 양이온 광중합(Cationic Photopolymerization of Ambifunctional Monomers)"이라는 제목의 논문(J. V. Crivello et al., Macromolekular Symposia, 95, 79-89, (1995))은 양이온 촉매를 사용하여 "양쪽작용성" 단량체(즉, 동일한 분자 내에 2개의 화학적으로 상이한 반응성 작용기를 지니는 단량체)의 광중합을 기재한다. 일례로, 에폭시사이클로헥실 및 트라이메톡시실릴 반응성 작용기 둘 모두를 갖는 양쪽작용성 단량체를 준비한 다음, 후속적으로 양이온성 트라이아릴설포늄 촉매의 존재 하에 UV 조사한다.
경화된 실리콘은 용매 중에 양이온 경화성 실리콘과 촉매, 선택적으로 에폭시-종결된 실란을 혼합하고, 이 용액을 기판 상에 코팅하고, 촉매의 유효성 및 기판의 열 민감성에 따라 적합한 경화 온도에서 가열함으로써 편리하게 얻어진다. 대안적으로, 양이온 경화성 실리콘은 열을 가하지 않고 UV 또는 가시광에 노출시 하나 이상의 브뢴스테드 또는 루이스 산 분자를 발생하는 광산 발생기(photoacid generator)에 의해서 경화될 수 있다. 에폭시폴리실록산의 혼합물 또는 에폭시실란의 혼합물을 사용할 수 있다.
양이온 경화성 실리콘은 화학 방사선 및/또는 열에 의해 활성화되는 종래의 양이온 에폭시 경화 촉매와 혼합하여 경화시킬 수 있다. 화학 방사선에 의해서 활성화되는 촉매가 바람직하다. 적합한 광개시제의 예로는 본 명세서에 참고로 포함된 미국 특허 제4,101,513호에 개시된 것과 같은, 착물형 할로겐산의 오늄염, 특히 SbF6, SbF5 OH, PF6, BF4 또는 AsF6 음이온을 갖는 다방향족 요오도늄 및 설포늄 착물 염이 있다. 바람직한 광개시제는 가장 바람직하게는 SbF6 음이온을 갖는 요오도늄 및 설포늄 염이다. 또한 유용한 광개시제는 미국 특허 제5,089,536호에 개시된 유기금속 착물 염 및 미국 특허 제4,677,137호에 기재된 양이온-중합성 화합물의 화학 방사선 활성화 중합을 위한 지지된 광개시제이며, 상기 특허 둘 모두는 본 명세서에 참고로 포함된다. 사용할 수 있는 적합한 열-활성화되는 양이온 촉매에는 본 명세서에 참고로 포함된 미국 특허 제4,313,988호에 기재된 열-활성화되는 설폰산 및 설포닐릭 촉매가 포함된다.
규소 웨이퍼와 같은 연삭될 기판은 일반적으로 한쪽 면에 회로 패턴과 같은 돌출부(asperities)를 갖는다. 결합층이 연삭될 기판의 돌출부를 충전시키고 결합층의 두께가 균일하게 되도록 하기 위해, 결합층에 사용되는 접착제는 코팅 및 적층 동안 액체 상태인 것이 바람직하며, 코팅 및 적층 작업의 온도(예를 들어, 25℃)에서 10 ㎩*s (10,000 센티푸아즈(cp)) 미만의 점도를 갖는 것이 바람직하다. 이 액체 접착제는 당업계에 알려진 다양한 방법 중 스핀 코팅 방법에 의해 코팅되는 것이 바람직하다. 그러한 접착제로서, UV-경화성 또는 가시광-경화성 접착제가 특히 바람직한데, 그 이유는 결합층의 두께가 균일하게 될 수 있으며, 더욱이, 처리 속도가 빠르기 때문이다.
결합층의 두께는 연삭될 기판의 연삭에 필요한 두께 균일성 및 적층체로부터 지지체를 제거한 후 웨이퍼로부터 결합층을 박리하는 데 필요한 인열 강도를 보장할 수 있고 기판 표면 상의 돌출부를 충분히 흡수할 수 있는 한 특별하게 제한되지 않는다. 결합층의 두께는 전형적으로 약 10 내지 약 150 ㎛, 바람직하게는 약 25 내지 약 100 ㎛이다. 원할 경우, 적층체를 조립하기 전에, 결합층(회로면)에 인접한 면에서 기판을 부분적으로 톱으로 절단할 수 있다.
기판은 예를 들어, 종래의 방법에 의해 박형화하기가 어려운 취성 재료일 수 있다. 그 예에는 반도체 웨이퍼, 예를 들어 규소 및 갈륨 비화물, 수정 웨이퍼, 사파이어 및 유리가 포함된다.
광 투과성 지지체는 본 발명에서 사용되는 레이저 빔과 같은 방사선 에너지를 투과시킬 수 있는 재료이며, 이 재료는 연삭체를 평탄한 상태로 유지하고 연삭 및 이송 동안 이것이 파손되지 않도록 하기 위해 필요하다. 지지체의 광 투과성은 광열 변환층의 분해가 가능하도록 실용적 강도 수준의 방사선 에너지가 광열 변환층 내로 투과하는 것을 막지 않는 한 제한되지 않는다. 그러나, 투과율은 예를 들어, 50％ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 연삭 동안 연삭체가 뒤틀리는 것을 방지하기 위해, 광 투과성 지지체는 충분히 높은 강성을 갖는 것이 바람직하며 지지체의 굽힘 강성(flexural rigidity)은 바람직하게는 2×10-3 (㎩·㎥) 이상, 더욱 바람직하게는 3×10-2 (㎩·㎥) 이상이다. 유용한 지지체의 예에는 유리판 및 아크릴판이 포함된다. 더욱이, 광열 변환층과 같은 인접층에의 접착 강도를 향상시키기 위해, 지지체는 원할 경우, 실란 결합제(coupling agent) 등으로 표면 처리될 수 있다. UV-경화성 광열 변환층 또는 결합층을 사용하는 경우, 지지체는 자외선을 투과시키는 것이 바람직하다.
광열 변환층이 조사될 때 또는 연삭 동안 마찰열로 인해 높은 온도가 생성될 때, 때때로 지지체는 광열 변환층 내에서 발생된 열에 노출된다. 또한, 기판 상에 금속막을 형성할 목적으로, 지지체로부터 연삭된 기판을 분리하기 전에 기상 증착 또는 도금과 같은 공정이 추가적으로 제공될 수 있다. 또한, 기판에 비아(via)를 형성하기 위하여 건식 에칭 공정이 제공될 수 있다. 특히, 규소 웨이퍼의 경우에, 지지체는 때때로 산화막을 형성하기 위하여 고온 공정으로 처리된다. 따라서, 내열성, 내화학성 및 낮은 팽창 계수를 갖는 지지체가 선택된다. 이러한 특성을 갖는 지지체 재료의 예에는 파이렉스(Pyrex)™ 및 텐팍스(Tenpax)™로 입수가능한 붕규산 유리(borosilicate glass) 및 코닝(Corning)™ #1737 및 #7059와 같은 알칼리토류 보로-알루미노실리케이트 유리(alkaline earth boro-aluminosilicate glass)가 포함된다.
기판 연삭 후 원하는 두께 균일성을 얻기 위해, 지지체의 두께는 균일한 것이 바람직하다. 예를 들어, 규소 웨이퍼를 50 ㎛ 이하로 연삭하고 ±10％ 이하의 균일도(evenness)를 얻기 위해, 지지체 두께의 가변성(variability)은 ±2 ㎛ 이하로 감소되어야만 한다. 지지체가 반복적으로 사용되는 경우, 지지체는 또한 내스크래치성(scratch resistance)을 갖는 것이 바람직하다. 지지체를 반복적으로 사용하기 위해서, 방사선 에너지의 파장 및 지지체는 방사선 에너지에 의한 지지체의 손상을 억제하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 파이렉스 유리가 지지체로서 사용되고 제3차 고조파 발생 YAG 레이저(355 ㎚)가 사용될 때, 지지체와 기판의 분리가 수행될 수 있지만, 그러한 지지체는 이 레이저의 파장에서 낮은 투과율을 나타내고 방사선 에너지를 흡수하며, 결과적으로 지지체는 열적으로 손상되고 일부 경우에는 재사용될 수 없다.
광열 변환층은 흡광제 및 열분해성 수지를 포함한다. 레이저 빔 등의 형태로 광열 변환층에 인가되는 방사선 에너지는 흡광제에 의해 흡수되어 열 에너지로 변환된다. 발생된 열 에너지는 광열 변환층의 온도를 갑자기 상승시키고, 당해 온도가 광열 변환층 내의 열분해성 수지(유기 성분)의 열분해 온도에 도달하여 수지가 열분해되게 된다. 열 분해에 의해 발생된 가스는 광열 변환층 내에 (공기 공간(air space)과 같은) 공극층을 형성하고 광열 변환층을 두 부분으로 분할하는 것으로 여겨지며, 그럼으로써 지지체와 기판이 분리된다.
흡광제는 사용되는 파장에서 방사선 에너지를 흡수한다. 방사선 에너지는 보통 300 내지 11,000 나노미터(㎚), 바람직하게는 300 내지 2,000 ㎚의 파장을 갖는 레이저 빔이며, 그 구체적인 예는 1,064 ㎚의 파장에서 광을 방출하는 YAG 레이저, 532 ㎚ 파장의 2차 고조파 발생 YAG 레이저 및 780 내지 1,300 ㎚ 파장의 반도체 레이저를 포함한다. 흡광제는 레이저 빔의 파장에 따라 달라지지만, 사용할 수 있는 흡광제의 예에는 카본 블랙, 흑연 분말, 철, 알루미늄, 구리, 니켈, 코발트, 망간, 크로뮴, 아연 및 텔루륨과 같은 미립자형 금속 분말, 블랙 산화티타늄과 같은 금속 산화물 분말 및 방향족 다이아미노계 금속 착물, 지방족 다이아민계 금속 착물, 방향족 다이티올계 금속 착물, 메르캅토페놀계 금속 착물, 스쿠아릴륨계 화합물, 사이아닌계 염료, 메틴계 염료, 나프토퀴논계 염료 및 안트라퀴논계 염료와 같은 염료 및 안료가 포함된다. 흡광제는 기상 증착된 금속막을 포함하는 막의 형태일 수 있다. 이러한 흡광제 중에서, 카본 블랙이 특히 유용한데, 그 이유는 카본 블랙이 조사 후 지지체로부터 기판을 분리시키는 데 필요한 힘을 유의하게 감소시키고 분리를 가속화하기 때문이다.
광열 변환층 내의 흡광제의 농도는 흡광제의 종류, 입자 상태(구조) 및 분산도에 따라 달라지지만, 농도는 약 5 내지 500 ㎚의 입자 크기를 갖는 일반적인 카본 블랙의 경우 보통 5 내지 70 부피％이다. 이 농도가 5 부피％ 미만인 경우 광열 변환층의 열 발생이 열분해성 수지의 분해에 불충분할 수 있으며, 반면에 상기 농도가 70 부피％를 초과하는 경우 광열 변환층은 막 형성 특성이 열등해지고 다른 층에 대한 접착의 파괴(failure of adhesion)를 쉽게 야기할 수 있다. 결합층으로서 사용되는 접착제가 UV-경화성 접착제인 경우, 카본 블랙의 양이 과도하게 많으면, 접착제를 경화시키기 위한 자외선의 투과율이 감소된다. 따라서, 결합층으로서 UV-경화성 접착제를 사용하는 경우, 카본 블랙의 양은 60 부피％ 이하여야 한다. 조사 후 지지체 제거시의 힘을 감소시키고 그럼으로써 연삭 동안의 광열 변환층의 마모(예를 들어, 세척수 내의 연마제로 인한 마모)를 방지하기 위해, 카본 블랙은 20 내지 60 부피％의 양으로, 더욱 바람직하게는 35 내지 55 부피％의 양으로 광열 변환층 내에 포함되는 것이 바람직하다.
사용할 수 있는 열분해성 수지의 예에는 젤라틴, 셀룰로오스, 셀룰로오스 에스테르(예를 들어, 셀룰로오스 아세테이트, 니트로셀룰로오스), 폴리페놀, 폴리비닐 부티랄, 폴리 비닐 아세탈, 폴리카르보네이트, 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리오르토에스테르, 폴리아세탈, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐피롤리돈, 비닐리덴 클로라이드와 아크릴로니트릴의 공중합체, 폴리(메트)아크릴레이트, 폴리비닐 클로라이드, 실리콘 수지 및 폴리우레탄 단위를 포함하는 블록 공중합체가 포함된다. 이들 수지는 개별적으로 또는 이들의 둘 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 열분해성 수지의 열 분해 결과로서 공극층이 형성됨으로 인해 일단 분리되고 나면 광열 변환층이 재접착하는 것을 방지하도록, 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 실온(20℃) 이상인 것이 바람직하며, Tg는 재접착을 방지하도록 100℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 광 투과성 지지체가 유리인 경우에, 유리와 광열 변환층 사이의 접착력을 증가시키기 위하여, 유리 표면 상의 실란올 기에 수소-결합할 수 있는 극성 기(예를 들어, -COOH, -OH)를 분자 내에 갖는 열분해성 수지가 사용될 수 있다. 더욱이, 화학적 에칭과 같은 화학 용액 처리를 필요로 하는 응용에서, 광열 변환층에 내화학성을 부여하기 위해, 열처리시 자가-가교결합(self-crosslinking)할 수 있는 작용기를 분자 내에 갖는 열분해성 수지, 자외광 또는 가시광에 의해 가교결합될 수 있는 열분해성 수지 또는 이의 전구체(예를 들어, 단량체 및/또는 올리고머의 혼합물)가 사용될 수 있다. 도 1(e)에 도시된 바와 같이, 접착제 광열 변환층으로서 광열 변환층을 형성하기 위해, 열분해성 수지에 사용될 수 있는 것과 같이, 폴리(메트)아크릴레이트 등으로부터 형성된 접착제 중합체가 사용된다.
광열 변환층은 원할 경우 투명 충전재를 포함할 수 있다. 투명 충전재는 열분해성 수지의 열분해의 결과로서 공극층의 형성으로 인해 일단 분리되고 나면 광열 변환층이 재접착하는 것을 방지하도록 작용한다. 따라서, 기판의 연삭 및 후속적인 조사 후, 기판과 지지체의 분리에 필요한 힘이 추가로 감소될 수 있다. 더욱이, 재접착이 방지될 수 있기 때문에, 열분해성 수지의 선택의 범위가 확장된다. 투명 충전재의 예에는 실리카, 활석 및 황산바륨이 포함된다. 투명 충전재의 사용은 UV 또는 가시광-경화성 접착제가 결합층으로서 사용될 때 특히 유리하다. 투명 충전재의 사용에 관한 추가적인 정보는 본 명세서에 참고로 포함된 출원인의 미국 특허 출원 공개 제2005/0233547호 (노다(Noda) 등) 및 국제 특허 공개 WO 2005057651호를 참조하여 얻을 수 있다.
광열 변환층은 원할 경우 다른 첨가제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 단량체 또는 올리고머 형태로 열분해성 수지를 코팅함으로써 층을 형성하고, 그 후에 수지를 중합 또는 경화하는 경우, 층은 광-중합 개시제를 포함할 수 있다. 또한, 유리와 광열 변환층 사이의 접착력을 증가시키기 위한 결합제의 첨가(통합 블렌드 방법(integral blend method), 즉, 결합제가 예비-표면-처리제로서가 아니라 조성물 내의 첨가제로서 사용됨), 및 내화학성을 향상시키기 위한 가교결합제의 첨가가 그 각각의 목적에 효과적이다. 더욱이, 광열 변환층의 분해에 의한 분리를 촉진하기 위해, 저온 가스 발생제가 포함될 수 있다. 사용할 수 있는 저온 가스 발생제의 대표적 예에는 발포제 및 승화제가 포함된다. 발포제의 예에는 탄산수소나트륨, 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산아연, 아조다이카본아미드, 아조비스아이소부틸로니트릴, N,N'-다이니트로소펜타메틸렌테트라민, p-톨루엔설포닐하이드라진 및 p,p-옥시비스 (벤젠설포닐하이드라지드)가 포함된다. 승화제의 예에는 2-다이아조-5,5-다이메틸사이클로헥산-1,3-다이온, 장뇌(camphor), 나프탈렌, 보르네올, 부티르아미드, 발레르아미드, 4-tert-부틸페놀, 푸란-2-카르복실산, 석신산 무수물, 1-아다만탄올 및 2-아다만탄온이 포함된다.
광열 변환층은 카본 블랙과 같은 흡광제, 열분해성 수지 및 용매를 혼합하여 전구체 코팅 용액을 제조하고, 이 용액을 지지체 상에 코팅하고, 이를 건조시킴으로써 형성시킬 수 있다. 또한, 광열 변환층은 흡광제, 열분해성 수지를 위한 전구체 재료로서의 단량체 또는 올리고머, 및 선택적으로, 광-중합 개시제와 같은 첨가제, 및 원할 경우 용매를 혼합하여 열분해성 수지 용액 대신 전구체 코팅 용액을 제조하고, 이 용액을 지지체 상에 코팅하고, 이를 건조 및 중합/경화함으로서 형성시킬 수 있다. 코팅에 있어서, 스핀 코팅, 다이 코팅 및 롤 코팅과 같은 경질 지지체 상의 코팅에 적합한 일반적 코팅 방법을 사용할 수 있다.
일반적으로, 지지체와 기판의 분리를 허용하는 한, 광열 변환층의 두께는 제한적이지 않지만, 보통 0.1 ㎛ 이상이다. 두께가 0.1 ㎛ 미만인 경우에, 충분한 흡광에 필요한 흡광제의 농도가 높아지게 되고, 이는 막-형성 특성을 열화시키며, 그 결과, 인접한 층에의 접착이 파괴될 수 있다. 한편, 광열 변환층의 열분해에 의한 분리를 허용하는 데 필요한 흡광제의 농도를 일정하게 유지하면서 광열 변환층의 두께가 5 ㎛ 이상인 경우, 광열 변환층(또는 이의 전구체)의 광 투과율이 낮아지게 된다. 그 결과, 광-경화성, 예를 들어, 자외선(UV)-경화성 광열 변환층 및 결합층이 사용될 때, 때때로 충분히 경화된 생성물을 얻을 수 없는 정도로 경화 공정이 저해된다. 따라서, 광열 변환층이, 예를 들어, 자외선-경화성인 경우, 조사 후 지지체로부터의 기판의 분리에 필요한 힘을 최소화하고 연삭 동안 광열 변환층의 마모를 방지하기 위해, 광열 변환층의 두께는 바람직하게는 약 0.3 내지 약 3 ㎛, 더욱 바람직하게는 약 0.5 내지 약 2.0 ㎛이다.
본 발명의 적층체의 연삭될 기판은 그 위에 회로가 형성되어 있는 웨이퍼일 수 있기 때문에, 광 투과성 지지체, 광열 변환층 및 결합층을 통과하여 웨이퍼에 도달하는 레이저 빔과 같은 방사선 에너지에 의해 웨이퍼 회로가 손상될 수 있다. 그러한 회로 손상을 피하기 위해, 방사선 에너지의 파장에서 광을 흡수할 수 있는 흡광 염료 또는 광을 반사할 수 있는 광 반사 안료가 적층체를 구성하는 임의의 층에 포함될 수 있거나, 또는 광열 변환층과 웨이퍼 사이에 별도로 제공된 층에 포함될 수 있다. 흡광 염료의 예에는 사용되는 레이저 빔의 파장 부근에서 흡수 피크를 가지는 염료(예를 들어, 프탈로사이아닌계 염료 및 사이아닌계 염료)가 포함된다. 광 반사 안료의 예에는 산화티타늄과 같은 무기 백색 안료가 포함된다.
본 발명의 적층체는 연삭될 기판, 연삭될 기판과 접촉되는 결합층, 광열 변환층 및 광 투과성 지지체 이외에 추가층을 포함할 수 있다. 추가층의 예에는 결합층(3)과 광열 변환층(4) 사이의 제1 중간층(도시하지 않음) 및/또는 광열 변환층(4)과 지지체(5) 사이에 제공되는 제2 중간층(도시하지 않음)이 포함된다. 제2 중간층은 결합층(3)을 통해 지지체(5)에 결합되는 것이 바람직하다.
제1 중간층이 제공되는 경우에, 적층체(1)는 조사 후 광열 변환층(4)에서 분리되며, 제1 중간층/결합층(3)/기판(2)의 적층체가 얻어진다. 따라서, 제1 중간층은 기판(2)으로부터의 결합층(3)의 분리 동안 배킹으로서 작용하며, 이 둘의 쉬운 분리를 가능하게 한다. 제1 중간층은 다층 광학 필름인 것이 바람직하다. 또한, 제1 중간층은 YAG 레이저(근적외 파장 광)와 같이 분리를 가능하게 하는 데 사용되는 방사선 에너지를 선택적으로 반사하는 필름인 것이 바람직하다. 제1 중간층이 방사선 에너지를 투과시키지 않고 반사할 때, 방사선 에너지가 회로가 존재하는 웨이퍼 표면에 도달하는 것이 방지되며, 이것은 회로에 대한 손상의 가능성을 제거하기 때문에 이러한 필름이 바람직하다.
결합층(3)으로서, 광경화성 접착제를 사용하는 경우에, 자외광과 같은 경화 광에 대하여 충분히 높은 투과율을 갖는 필름이 바람직하다. 따라서, 다층 광학 필름은 자외광에 대해 투과성이며 선택적으로 근적외 광을 반사하는 것이 바람직하다. 자외광에 대해 투과성이며 근적외 광을 반사하는 바람직한 다층 광학 필름은 쓰리엠(3M)™ 솔라 반사 필름(Solar Reflecting Film)(미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니(3M Company))으로서 입수가능하다. 제1 중간층은 박리에 의해 기판(2)으로부터 결합층(3)을 제거하기 위한 기판으로서 기능하며, 따라서, 20 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 30 ㎛ 이상의 두께 및 20 ㎫ 이상, 더욱 바람직하게는 30 ㎫ 이상, 더욱 더 바람직하게는 50 ㎫ 이상의 파단 강도를 갖는 것이 바람직하다.
상기에 기재된 제2 중간층이 제공되는 경우에, 적층체(1)의 조사 후, 제2 중간층/결합층(3)/광 투과성 지지체(5)의 적층체가 얻어진다. 따라서, 제2 중간층은 결합층(3)과 지지체(5)의 분리 동안 배킹으로서 작용하며, 이 둘의 용이한 분리를 가능하게 한다. 그와 같이, 제2 중간층을 제공함으로써, 광열 변환층(4) 또는 결합층(3)(경화성 접착제)이 광 투과성 지지체(5) 상에 잔류하는 것이 방지되며, 지지체(5)가 쉽게 재생될 수 있다. 레이저 조사 후, 파열 없이 그들을 박리시킴으로써 지지체(5)로부터 결합층(3)을 제거할 수 있게 하기 위해, 제2 중간층은 20 ㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 30 ㎛ 이상의 두께 및 20 ㎫ 이상, 더욱 바람직하게는 30 ㎫ 이상, 더욱 더 바람직하게는 50 ㎫ 이상의 파단 강도를 갖는 것이 바람직하다. 일부 경우에, 제2 중간층의 수지는 제2 중간층이 광경화성 올리고머 및 단량체의 혼합물로 코팅되고, UV로 경화될 때(예를 들어, 필름 기판 상에 광열 변환층을 코팅하고, 광열 변환층 상에 제2 중간층을 코팅 및 경화하고, 제2 중간층 상에 결합층을 코팅함으로써 시트가 형성될 때), 광열 변환층(4) 내로 침투한다. 그러한 경우에, 레이저 조사에 의해 형성된 공간으로 분리된 표면의 재접착을 방지하기 위해, 수지의 Tg(광경화성 수지의 경우, 경화된 수지의 Tg)는 40℃ 이상일 수 있다.
적층체의 제조에서, 층들 사이에 공기와 같은 바람직하지 못한 이물질이 도입되는 것을 방지하는 것이 중요하다. 예를 들어, 공기가 층들 사이에 도입될 때, 적층체의 두께 균일성이 방해되고 연삭될 기판이 박형 기판으로 연삭될 수 없다. 도 1에 도시된 적층체 제조의 경우에, 예를 들어 하기의 방법이 고려될 수 있다. 먼저, 광열 변환층의 전구체 코팅 용액이 당업계에 알려진 방법 중 임의의 하나에 의해 지지체 상에 코팅되고, 건조되고, 자외광 등을 사용한 조사에 의해 경화된다. 그 후, 경화성 접착제가 경화된 광열 변환층의 표면 및 비연삭측의 기판 표면 중 어느 하나 또는 이들 둘 모두 상에 코팅된다. 광열 변환층 및 기판은 경화성 접착제를 통해 부착되고, 이어서 예를 들어, 지지체측으로부터 자외광으로 조사함으로써 경화하여 결합층을 형성하는데, 그에 의해 적층체가 형성될 수 있다. 그러한 적층체의 형성은 층들 사이에 공기가 도입되는 것을 방지하기 위해 진공 하에서 수행되는 것이 바람직하다. 이는 예를 들어, 일본 특허 공개 제11-283279호에 기재된 것 같은 진공 접착 장치를 변경함으로써 달성될 수 있다.
적층체는 기판의 연삭 동안 사용되는 물의 침입이 없고, 기판이 떨어지지 않도록 층들 사이에 접착 강도를 가지며, 연삭된 기판의 먼지를 포함하는 수성 유동물(슬러리)에 의해 광열 변환층이 마모되는 것을 방지하기 위하여 내마모성을 갖도록 설계되는 것이 바람직하다.
박형화된 기판은 상기한 바와 같이 형성된 적층체를 준비하고, 기판을 원하는 두께로 연삭하고, 광 투과성 지지체를 통해 광열 변환층에 방사선 에너지를 인가하여 광열 변환층을 분해하고 그럼으로써 광 투과성 지지체로부터 연삭된 기판을 분리하고, 기판으로부터 결합층을 박리시키는 것을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.
일 태양에서, 본 발명의 방법이 도면을 참조로 하기에 기재된다. 이하에서, 방사선 에너지원으로서 레이저 빔이 사용되고 연삭될 기판으로서 규소 웨이퍼가 사용되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도2는 본 발명의 일 실시 형태의 적층체의 제조에 적합한 진공 접착 장치의 단면도를 도시한다. 진공 접착 장치(20)는 진공 챔버(21); 진공 챔버(21) 내에 제공되며, 연삭될 기판(2)(규소 웨이퍼) 또는 지지체(5) 중 어느 하나가 상부에 배치되는 지지부(22); 및 진공 챔버(21) 내에 제공되고 지지부(22)의 상부에서 수직방향으로 이동할 수 있으며 지지체(5) 또는 규소 웨이퍼(2) 중 다른 하나를 유지하는 유지/해제 수단(23)을 포함한다. 진공 챔버(21)는 진공 챔버(21) 내측의 압력이 감소될 수 있도록 파이프(24)를 경유하여 감압 장치(25)에 연결된다. 유지/해제 수단(23)은 수직 방향으로 상하로 이동가능한 샤프트(26), 샤프트(26)의 말단부에 제공된 접촉면부(27), 접촉면부(27)의 외주에 제공된 판 스프링(leaf spring)(28) 및 각 판 스프링(28)으로부터 연장하는 유지 클로(29)를 갖는다. 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 판 스프링이 진공 챔버(21)의 상부면과 접촉할 때, 판 스프링은 압축되고 유지 클로(29)는 수직 방향을 향하여 지지체(5) 또는 웨이퍼(2)를 주변 에지에서 유지한다. 한편, 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 샤프트(26)가 아래로 눌러지고 지지체(5) 또는 웨이퍼(2)가 각각 지지부 상에 배치된 지지체(5) 또는 웨이퍼(2)에 근접할 때, 유지 클로(29)는 판 스프링(28)과 함께 해제되어 지지체(5)와 웨이퍼(2)를 중첩시킨다.
이 진공 접착 장치(20)를 사용하여, 하기와 같이 적층체를 제조할 수 있다. 우선, 상기에 기재된 바와 같이, 광열 변환층을 지지체(5) 상에 제공한다. 별개로, 적층될 웨이퍼를 준비한다. 지지체(5)의 광열 변환층 및 웨이퍼(2) 중 어느 하나 또는 이들 둘 모두 상에, 결합층을 형성하기 위한 접착제를 도포한다. 그렇게 준비된 지지체(5) 및 웨이퍼(2)를 도 2(a)에 도시된 바와 같이 진공 접착 장치(20)의 진공 챔버(21) 내에 배치하고, 감압 장치에 의해 압력을 감소시키고, 도 2(b)에 도시된 바와 같이 샤프트(26)를 웨이퍼인 층 또는 적층체 쪽으로 아래로 누르고, 대기로의 개방 후 원할 경우 접착제를 경화하여 적층체를 얻는다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 유용한 연삭 장치의 부분 단면도를 도시한다. 연삭 장치(30)는 받침대(31) 및 스핀들(32)의 저단부에 회전가능하게 장착된 연삭 휠(33)을 포함한다. 흡입구(34)가 받침대(31) 아래에 제공되며 흡입구(34)는 감압 장치(도시하지 않음)에 연결되고, 그럼으로써 연삭될 재료가 흡입되어 연삭 장치(30)의 받침대(31)에 고정된다. 도 1에 도시된 바와 같은 본 발명의 적층체(1)를 준비하여 연삭될 재료로서 사용한다. 적층체(1)의 지지 측은 연삭 장치(30)의 받침대(31) 상에 장착되고 감압 장치를 사용한 흡입력에 의해 고정된다. 그 후, (물 또는 웨이퍼 연삭에 유용한 공지된 임의의 용액과 같은) 유체 유동을 공급하면서, 회전 중인 연삭 휠(33)을 적층체(1)에 접촉시켜 연삭을 수행한다. 연삭은 150 ㎛ 이하, 바람직하게는 50 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 25 ㎛ 이하의 얇은 수준으로 수행될 수 있다.
원하는 수준으로 연삭한 후, 적층체(1)를 제거하고 후속 단계로 이송하며, 이 후속 단계에서는 레이저 빔 조사에 의한 웨이퍼와 지지체와 분리 및 웨이퍼로부터 결합층의 박리가 수행된다. 도 4는 지지체의 분리 단계 및 결합층의 박리 단계의 도면을 도시한다. 먼저, 다이싱의 최종 단계를 고려하여, 원할 경우 적층체(1)의 웨이퍼 측의 연삭된 표면 상에 다이 접합 테이프(41)가 배치되거나 (도 4(a)), 다이 접합 테이프(41)가 배치되지 않으며(도 4(aa)), 그 후, 다이싱 테이프(42) 및 다이싱 프레임(43)이 배치된다(도 4(b)). 다음으로, 적층체(1)의 지지체 측으로부터 레이저 빔(44)이 조사된다(도 4(c)). 레이저 빔 조사 후, 지지체(5)가 픽업되어 웨이퍼(2)로부터 지지체(5)가 분리된다(도 4(d)). 마지막으로, 결합층(3)을 박리에 의해 분리하여 박형화된 규소 웨이퍼(2)를 얻는다(도 4(e)).
보통, 규소 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼는 에지가 충격으로 인해 손상되는 것을 방지하도록 베벨링(beveling)이라 불리는 챔퍼링(chamfering)를 받게 된다. 즉, 규소 웨이퍼의 에지 부분의 모서리가 라운딩된다. 액체 접착제를 결합층으로서 사용하고 스핀 코팅에 의해 코팅할 때, 결합층은 에지 부분으로 확산되며 접착제가 연삭면의 에지 부분에 노출된다. 그 결과, 다이싱 테이프를 배치함에 있어서, 연삭된 웨이퍼 뿐만 아니라 노출된 접착제도 다이싱 테이프의 감압 접착제와 접촉하게 된다. 사용되는 다이싱 테이프의 접착성이 강할 때, 결합층은 때때로 분리하기가 어렵다. 그러한 경우에, 다이싱 테이프 및 다이싱 프레임을 배치하기 전에 노출된 접착제의 일부를 미리 제거하는 것이 바람직하다. 에지 부분에서 노출된 접착제의 제거를 위해, 접착제가 충분히 흡수할 수 있는 방사선 에너지 또는 CO2 레이저( 10.6 ㎛의 파장)를 사용할 수 있다.
도 5는 예를 들어, 본 발명의 일 태양의 레이저 빔을 사용하는 것과 같은 조사 단계에서 사용할 수 있는 적층체 고정 장치의 단면도를 도시한다. 적층체(1)는 지지체가 고정 장치(50)에 대하여 상부면이 되도록 고정판(51) 상에 장착된다. 고정판(51)은 표면 조도(roughness)를 갖는 금속 또는 소결된 금속 같은 다공성 금속으로 만들어진다. 압력은 진공 장치(도시하지 않음)에 의해 고정판(51)의 하부로부터 감소되며, 그럼으로써 적층체(1)가 고정판(51) 상에 흡입력에 의해 고정된다. 진공 흡입력은 지지체를 분리하고 결합층을 박리하는 후속 단계들에서 떨어지지 않도록 하기에 충분히 강한 것이 바람직하다. 이 방식으로 고정된 적층체를 조사하는 데 레이저 빔이 사용된다. 레이저 빔 방출에 있어서, 분해 가스가 발생할 수 있고 지지체와 웨이퍼가 분리될 수 있도록, 광열 변환층에 의해 흡수되는 광의 파장에서 광열 변환층에서 열분해성 수지의 분해를 야기하기에 충분히 높은 출력을 갖는 레이저 빔 공급원이 선택된다. 예를 들어, YAG 레이저(1,064 ㎚의 파장), 제2차 고조파 YAG 레이저(파장: 532 ㎚) 및 반도체 레이저(파장: 780 내지 1,300 ㎚)가 사용될 수 있다.
레이저 조사 장치로서, 조사된 표면 상에 원하는 패턴을 형성하도록 레이저 빔을 주사할 수 있고 레이저 출력 및 빔 이동 속도를 설정할 수 있는 장치가 선택된다. 또한, 조사된 재료(적층체)의 처리 품질을 안정화하기 위해서, 큰 초점 깊이를 갖는 장치가 선택된다. 초점 깊이는 장치의 디자인의 치수 정밀도에 따라 변하며, 특별히 제한되지는 않지만 초점 깊이는 30 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 도 6은 본 발명에 사용될 수 있는 레이저 조사 장치의 사시도를 도시한다. 도 6(a)의 레이저 조사 장치(60)는 X 축 및 Y 축으로 구성된 2축 구성을 갖는 검류계(galvanometer)를 구비하며, 레이저 발진기(61)로부터 발진되는 레이저 빔이 Y 축 검류계(62)에 의해 반사되고 X 축 검류계(63)에 의해 추가로 반사되며 고정판 상의 적층체(1) 상에 조사되도록 설계된다. 조사 위치는 검류계(62, 63)의 방향에 의해 결정된다. 도 6(b)의 레이저 조사 장치(60)는 단축 검류계 또는 다각형 거울(64)과 주사 방향에 직교한 방향으로 이동할 수 있는 스테이지(66)를 구비한다. 레이저 발진기(61)로부터의 레이저 빔은 검류계 또는 다각체(64)에 의해 반사되며, 유지 거울(hold mirror; 65)에 의해 추가로 반사되고 가동 스테이지(66) 상의 적층체(1) 상에 조사된다. 조사 위치는 검류계 또는 다각체(64)의 방향과 가동 스테이지(66)의 위치에 의해 결정된다. 도 6(c)의 장치에서, 레이저 발진기(61)는 X 및 Y의 2축 방향으로 이동하는 가동 스테이지(66) 상에 장착되며, 레이저는 적층체(1)의 전체 표면 상에 조사된다. 도 6(d)의 장치는 고정된 레이저 발진기(61) 및 X 및 Y의 2축 방향으로 이동하는 가동 스테이지(66)를 포함한다. 도 6(e)의 장치는, 레이저 발진기(61)가 단축 방향으로 이동할 수 있는 가동 스테이지(66') 상에 장착되고 적층체(1)가 가동 스테이지(66')에 직교하는 방향으로 이동할 수 있는 가동 스테이지(66") 상에 장착되는 구성을 갖는다.
레이저 조사에 의한 적층체(1)의 웨이퍼 손상에 대한 걱정이 있을 때, 인접 영역으로의 매우 감소된 에너지 누설 및 가파른 에너지 분포를 갖는 탑 햇 빔 형상(top hat beam form; 도 6(f) 참조)이 바람직하게는 형성된다. 이러한 빔 형태는 임의의 공지된 방법에 의해, 예를 들어 (a) 음향-광학 장치에 의한 빔 편향법, 회절/굴절을 사용한 빔 형성법, 또는 (b) 개구 또는 슬릿을 사용하여 양 에지에서 확장부를 절단하는 방법에 의해 변경될 수 있다.
레이저 조사 에너지는 레이저 출력, 빔 주사 속도 및 빔 직경에 의해 결정된다. 예를 들어, 사용할 수 있는 레이저 출력은 0.3 내지 100 와트(W)이지만 한정되지 않으며, 주사 속도는 0.1 내지 40 미터/초(m/s)이며, 빔 직경은 5 내지 300 ㎛ 이상이다. 이러한 단계의 속도를 증가시키기 위해, 레이저 출력이 향상되어 주사 속도가 증가된다. 주사 횟수는 빔 직경이 커짐에 따라 추가로 감소될 수 있으므로, 빔 직경은 레이저 출력이 충분히 높을 때 증가될 수 있다.
광열 변환층 내의 열분해성 수지는 레이저 조사에 의해 분해되어 가스를 생성하는데, 상기 가스는 광열 변환층 자체를 분리시키도록 층 내측에 균열을 형성한다. 공기가 균열 사이로 유입되는 경우, 균열의 재접착이 방지될 수 있다. 따라서, 공기의 유입을 용이하게 하기 위해, 적층체의 에지 부분으로부터 적층체의 내부로 빔 주사를 수행하는 것이 바람직하다.
상기에 기재한 바와 같이, 광열 변환층의 유리 전이 온도(Tg)는 실온(20℃) 이상인 것이 바람직하다. 이는 분해된 수지의 냉각 동안 분리된 균열이 서로 재접착되어 분리를 불가능하게 할 수 있기 때문이다. 재접착은 광열 변환층의 균열이 지지체의 하중 하에 서로 부착되게 된다는 사실에 기인하여 발생하는 것으로 여겨진다. 따라서, 하부 부분으로부터 상부 부분으로 수직 방향으로 레이저 조사를 수행함으로써(즉, 지지체가 저면측이 되는 구성으로 레이저 조사를 수행함으로써) 또는 웨이퍼와 광열 변환층 사이에 에지 부분으로부터 후크를 삽입하여 층을 들어올림으로써, 지지체의 하중이 부여되지 않도록 조사 공정을 고안할 때 재접착이 방지될 수 있다.
적층체의 에지 부분으로부터 레이저 빔을 사용하기 위해, 에지 부분으로부터 웨이퍼의 접선 방향으로 이를 선형으로 왕복시키면서 레이저 빔을 가하는 방법, 또는 대안적으로, 축음기처럼 에지 부분으로부터 중심으로 레이저 빔을 나선형으로 조사하는 방법을 사용할 수 있다.
레이저 조사 후, 지지체가 웨이퍼로부터 분리되며, 이러한 작업을 위해 진공을 사용하는 일반적인 픽-업이 사용된다. 픽-업은 말단부에 흡입 장치를 갖는 진공 장치에 연결된 원통형 부재이다. 도 7은 웨이퍼와 지지체의 분리 작업에 사용하기 위한 픽-업의 개략도를 도시한다. 도 7(a)의 경우에, 픽-업(70)은 지지체(5)의 중앙에 있으며 수직 방향으로 픽업되어 지지체를 박리한다. 또한, 도 7(b)에 도시된 바와 같이, 픽-업(70)은 지지체(5)의 에지 부분에 있으며, 웨이퍼(2)와 지지체(5) 사이에 공기를 유입시키도록 측면으로부터 압축 공기(A)를 송풍하면서 박리시킴으로써 지지체가 보다 쉽게 박리될 수 있다.
지지체 제거 후, 웨이퍼 상의 결합층이 제거된다. 도 8은 결합층이 어떻게 박리되는지를 도시한 개략도이다. 결합층(3)의 제거를 위해, 바람직하게는 웨이퍼(2)와 결합층(3) 사이의 접착제 접합보다 결합층(3)과의 더 강한 접착제 접합을 생성할 수 있는 결합층 제거용 접착 테이프(80)를 사용할 수 있다. 이러한 접착 테이프(80)는 결합층(3) 상에 접착하도록 배치되고, 이어서 화살표 방향으로 벗겨내어 결합층(3)이 제거된다.
마지막으로, 박형화된 웨이퍼는 다이 접합 테이프 없이 또는 다이 접합 테이프를 이용하여 다이싱 테이프 또는 다이 프레임에 고정된 상태로 남아 있게 된다. 이러한 웨이퍼는 보통의 방식으로 다이싱되어 칩을 완성한다. 그러나, 다이싱은 레이저 조사 전에 수행될 수 있다. 이러한 경우에, 웨이퍼가 지지체에 부착된 상태로 다이싱 단계를 수행하고, 이어서 다이싱된 영역만을 레이저 조사하고 다이싱된 부분에서만 지지체를 분리시키는 것이 또한 가능하다. 또한, 본 발명은 광열 변환층이 제공된 광 투과성 지지체 상으로 연삭된 웨이퍼를 결합층을 통해 재이송함으로써, 다이싱 테이프를 사용하지 않고도 다이싱 단계에 개별적으로 적용될 수 있다.
본 발명의 실시 형태의 방법은 종래 기술의 방법보다 적층체가 고온 처리될 수 있게 한다. 반도체 웨이퍼의 제조에서, 본 방법은 높아진 온도 조건을 특징으로 하는 일부 경우에서 후속 처리 단계들을 가능하게 한다. 이러한 일 예시적인 처리 단계는, 예를 들어 전기적 접점을 위한 금속 증착 처리와 같은 스퍼터링 기술일 수 있다. 이러한 다른 예시적인 처리 단계는, 예를 들어 인쇄 회로 기판을 위한 플라즈마 처리와 같은 드라이 에칭 기술일 수 있다. 이러한 다른 예시적인 처리 단계는 이온 주입법일 수 있다. 이러한 다른 예시적인 처리 단계는, 예를 들어 추가층을 웨이퍼에 접합하는 것과 같은 열압착 접합일 수 있다. 본 발명의 실시 형태는 결합층을 연삭된 기판(웨이퍼)으로부터 여전히 쉽게 떼어낼 수 있으면서 적층체가 이들 처리 단계를 거칠 수 있기 때문에 유리하다. 일부 실시 형태에서, 경화된 접착제 결합층을 포함하는 적층체는 150℃를 초과하는 온도에 노출될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 경화된 접착제 결합층을 포함하는 적층체는 200℃ 및 심지어 250℃의 온도에 노출될 수 있다. 본 발명의 실시 형태에 따르면, 접착제를 적어도 250℃로 적어도 1시간동안 가열할 수 있고 또한 기판으로부터 깨끗하게 제거할 수 있으면서 기계적 완전성 및 접착성을 여전히 유지할 수 있다.
본 발명은, 예를 들어 하기의 적용예에 효과적이다.
1. 고-밀도 패키징을 위한 적층형 CSP (칩 스케일 패키지)
본 발명은, 예를 들어 복수의 대규모 집적(LSI) 장치 및 수동 요소가 단일 패키지 내에 내장되어 다기능 또는 고성능을 실현하는 시스템-인-패키지(system-in-package)라 불리는 장치 형태에 유용하고, 스택드 다중-칩 패키지(stacked multi-chip package)라 불린다. 본 발명에 따르면, 25 ㎛ 이하의 웨이퍼를 이들 장치를 위해 높은 산출량(yield)으로 신뢰성있게 제조할 수 있다.
2. 고기능 및 고속 처리를 필요로 하는 관통형 CSP
이러한 장치에서, 칩은 관통 전극에 의해 접속되며, 그럼으로써 배선 길이가 단축되고 전기적 특성이 향상된다. 관통 전극을 형성하기 위한 스루 홀의 형성과 스루 홀 내에 구리를 매립하는 것과 같은 기술적 문제를 해결하기 위해서, 칩은 두께가 더 감소될 수 있다. 본 발명의 적층체를 사용함으로써 이러한 구성을 갖는 칩을 순차적으로 형성하는 경우에, 절연막 및 범프(전극)가 웨이퍼의 이면 상에 형성될 수 있고 적층체는 내열성 및 내화학성을 필요로 한다. 심지어 이러한 경우에, 전술한 지지체, 광열 변환층 및 결합층을 선택할 때, 본 발명이 효과적으로 적용될 수 있다.
3. 열방사 효율, 전기적 특성 및 안정성 측면에서 향상된 박형 화합물 반도체(예를 들어, GaAs)
갈륨 비화물과 같은 화합물 반도체는 규소보다 유리한 전기적 특성(높은 전자 이동도, 직접 전이형 대역 구조) 때문에 고성능 개별 칩, 레이저 다이오드 등에 사용되고 있다. 본 발명의 적층체를 사용하여 칩의 두께를 감소시키는 것은 열 소산 효율을 증가시키고 성능을 향상시킨다. 현재, 전극의 형성 및 두께 감소를 위한 연삭 작업은 그리스 또는 레지스트 재료를 사용하여 지지체로서의 유리 기판에 반도체 웨이퍼를 결합시킴으로써 수행된다. 따라서, 결합 재료는 처리 완료 후 유리 기판으로부터 웨이퍼를 분리하기 위해 용매에 용해되어야 한다. 여기에는 분리에 수일 초과의 시간이 소요되며 폐기 용액을 처리하여야 한다는 문제점이 수반된다. 본 발명의 적층체를 사용하는 경우, 이들 문제를 해결할 수 있다.
4. 생산성 향상을 위한 대형 웨이퍼에 대한 적용
대형 웨이퍼(예를 들어, 30 ㎝ (12인치) 직경의 규소 웨이퍼)의 경우, 웨이퍼와 기판을 쉽게 분리시키는 것이 매우 중요하다. 본 발명의 적층체를 사용할 때 상기 분리는 쉽게 수행될 수 있으며, 따라서 본 발명은 이러한 분야에도 또한 적용될 수 있다.
5. 박형 수정 웨이퍼
수정 웨이퍼의 분야에서, 발진 주파수를 증가시키기 위해 웨이퍼의 두께 감소가 필요하다. 본 발명의 적층체를 사용할 때 상기 분리는 쉽게 수행될 수 있으며, 따라서 본 발명은 이러한 분야에도 또한 적용될 수 있다.
이들 실시예는 단순히 예시적인 목적만을 위한 것이며 청구의 범위의 범주를 제한하고자 하는 것은 아니다. 실시예 및 나머지 명세서에서 모든 부, 백분율, 비 등은 달리 나타내지 않는 한 중량 기준이다.
결합층의 실리콘 접착제 실시 형태의 실시예:
사용한 용매 및 다른 시약들은 달리 나타내지 않는 한 미국 위스콘신주 밀워키 소재의 시그마-알드리치 케미칼 컴퍼니(Sigma-Aldrich Chemical Company)로부터 입수하였다.
Figure 112009001952707-PCT00010
실시예 1
100.0 그램의 VQM-135, 7.2 그램의 SYL-Off 7678, 및 4.4 밀리그램의 촉매의 혼합물을 갈색 병에 준비하였다. 노치 바아 코팅기(notch bar coater)를 사용하여, 이 접착제 조성물의 75 마이크로미터 두께 층을 규소 웨이퍼의 폴리이미드 패시베이션 층 상에 코팅하였다. LTHC 유리의 조각을 LTHC 층이 웨이퍼를 향하는 상태로 접착제 상에 두었다. 이러한 샌드위치 구성을 UV 프로세서 아래로 통과시켰다(퓨전(Fusion) D 전구, 저출력, 노출 시간 약 15초). UV 조명이 유리를 통과하여 접착제를 경화시켰다. 웨이퍼에서 유리를 떼어놓았을 때, 접착제층은 유리에 부착된 대로 남아있었고 폴리이미드 표면으로부터는 깨끗하게 제거되었다.
실시예 2
56.0 그램의 VQM-135, 42.0 그램의 DMS-V31 및 140.0 그램의 VQX-221의 혼합물을 유리병에 준비하였다. 진공 펌프에 부착된 회전 증발기를 사용하여 자일렌 용매를 제거하였다. 얻어진 혼합물에 17.5 그램의 SYL-Off 7678 및 7.7 밀리그램의 촉매를 첨가하였다. 노치 바아 코팅기를 사용하여, 이 접착제 조성물의 75 마이크로미터 두께 층을 규소 웨이퍼의 폴리이미드 패시베이션 층 상에 코팅하였다. LTHC 유리의 조각을 LTHC 층이 웨이퍼를 향하는 상태로 접착제 상에 두었다. 이러한 샌드위치 구성을 UV 프로세서 아래로 통과시켰다(퓨전(Fusion) D 전구, 저출력, 노출 시간 약 15초). UV 조명이 유리를 통과하여 접착제를 경화시켰다. 웨이퍼에서 유리를 떼어놓았을 때, 접착제층은 유리에 부착된 대로 남아있었고 폴리이미드 표면으로부터는 깨끗하게 제거되었다.
결합층의 메타크릴레이트화 폴리부타디엔 실시 형태의 실시예 :
표 1은 하기 실시예에 사용한 제형의 성분 및 상표명을 나타낸다. 하기 제형 성분들은 배타적인 목록을 구성하지 않으며, 이들을 사용한 비교예의 관점에서만 해석되어야 한다. 당업자라면 다른 제형 성분들이 또한 청구의 범위의 합리적인 해석에 상응할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
Figure 112009001952707-PCT00011
표 2 및 3은 비교예와, 시험 실험에 사용한 제형 성분들의 관련 백분율 조성을 나타낸다. 고점도의 올리고머를 사용하여 제조할 샘플을, 먼저 올리고머를 60℃ 오븐에서 1시간 동안 가열하여 부을 수 있게 만든 다음, 희석제를 첨가하고 교반 플레이트에서 1시간 동안 블렌딩하여 스핀 코팅가능한 점도를 달성함으로써 제조한다. 충분히 낮은 점도의 올리고머로 만든 샘플에 대해서는 이러한 단계들을 생략한다. 광개시제를 올리고머 또는 올리고머/희석제 조합물에 첨가하고 이 혼합물을 1시간 동안 블렌딩한다. 그리고 나서, 혼합물을 10분 내지 1시간 동안 진공 건조기(desiccator)에서 탈기시킨다. 적은 첨가량의 에폭시 아크릴레이트를 포함하는 제형에 있어서, 에폭시 아크릴레이트 올리고머와 희석제의 마스터 배치를 먼저 블렌딩한 다음 필요할 경우 베이스 제형에 첨가하여 원하는 조성물을 얻는다.
Figure 112009001952707-PCT00012
Figure 112009001952707-PCT00013
열 노화( Heat Aged ) 접착성 시험
열 노화 접착성에 대한 시험 샘플을 하기와 같이 준비하였다. 규소 웨이퍼와 Syl-off 23(다우 코닝으로부터 입수가능)으로 코팅된 50 마이크로미터 두께 폴리에스테르 이형 라이너 사이에 접착제 제형을 코팅하여 시험 샘플을 준비하였다. 규소 웨이퍼의 표면은 시험에 따라 SiO2, 폴리이미드, 또는 알루미늄 중 어느 하나였다. 웨이퍼와 이형 라이너 사이에 약 50 마이크로미터의 접착제 코팅 두께를 생성하도록 설정한 갭으로 접착제 조성물을 표준 노치 바아 코팅기 상에 코팅하였다. 그리고 나서, 접착제를 컨베이어 UV 경화 시스템 상에서 경화하였다. 경화 조건은 저출력으로 설정된 퓨전 "D" 전구 아래에서 1분 당 9 미터 (30 피트)로 1회 통과하는 것이었다. 접착제를 경화한 후, 이형 라이너를 제거하고 90도 박리 접착성 시험 동안 배킹으로서 작용하도록 테이프를 접착제에 적층하였다.
열 노화 접착성 시험의 시험 방법은 다음과 같다. 10 뉴턴 부하 셀 및 90도 박리 각도를 유지하기 위한 구동 슬라이딩 테이블을 구비한 인스트론(Instron) 인장 강도 시험기로 90도 박리 모드에서 접착성 시험을 실시하였다. 코팅된 샘플을 25 ㎜ 폭으로 잘라내고 125 ㎜/분의 박리 속도에서 시험을 실시하였다. 그 결과, 평균 박리력은 N/25 ㎜로 나타났다. "코팅된 그대로(as-coated)"의 샘플 및 그 후에 시험에 따라 150℃ 또는 250℃에서 1시간 동안 열 노화한 샘플에 대하여 측정을 행하였다. 접착성 값이 5를 초과한 것(>5)은 테이프 배킹이 접착제로부터 박리하였음을 나타낸다. 표 4는 시험한 각 비교예의 열 노화 접착성 시험의 결과를 나타낸다.
Figure 112009001952707-PCT00014
표 4의 결과를 참조하면, 5를 초과하는 접착성 값(>5)은 접착제가 웨이퍼 표면에서 분리되기보다는 오히려 배킹이 접착제로부터 박리되었음을 나타내며, 또한 웨이퍼 표면에 대한 접착성이 웨이퍼 지지 시스템 분해기(demounter)를 사용하여 접착제를 웨이퍼로부터 깨끗이 제거할 수 없는 정도까지 증가되었음을 나타낸다.
표 4의 예 1 및 2는, 릭아크릴 3500 및 SR 238을 기재로 하는 제형이 250℃에서 1시간 동안 열 노화되어 웨이퍼 표면으로부터 깨끗이 제거될 수 있을 만큼 그리 충분하지 않은 접착성의 빌드(build)를 갖게 될 수 있다는 것을 나타낸다. 표 4의 예 4 및 5는 적은 첨가량의 CN 117을 필요할 경우 폴리이미드에 대한 접착제의 접착성을 증가시키는 데 사용할 수 있음을 나타낸다.
Figure 112009001952707-PCT00015
표 5의 비교예 11-15의 결과는 폴리부타디엔 재료 이외에, 시험한 임의의 올리고머에 있어서, 단지 오직 150℃에서만 노화 후 이들 접착제 제형이 SiO2 표면을 갖는 웨이퍼로부터 깨끗하게 제거될 수 없는 정도까지 접착성이 증가하였음을 나타낸다.
장착 웨이퍼 시험
장착 웨이퍼 시험을 위한 시험 샘플을 다음과 같이 준비하였다. 쓰리엠 웨이퍼 지지 시스템 장착기 및 공정을 사용하여 장착 웨이퍼 샘플을 제작하였다. 웨이퍼를 스핀 코팅 모듈의 진공 척(chuck) 상에 유지하면서 약 10 밀리미터의 접착제 제형을 웨이퍼 상에 부었다. 50 내지 75 마이크로미터의 최종 필름 두께를 제공하도록 스핀 코팅 조건을 선택하였다. 광열 변환층으로 코팅된 유리판에 적층한 후, 접착제를 15초 또는 25초 동안 300 W/in의 퓨전 "D" 전구 하에서 경화하였다.그리로 나서, 표준 이면 연삭 공정을 사용하여 50 마이크로미터의 최종 두께까지 웨이퍼를 박형화하였다.
다음과 같은 2가지 방법 중의 하나를 사용하여 장착 웨이퍼 시험을 위한 시험 방법을 실시하였다. 장착 웨이퍼 샘플을 열 노화하고 강제 대류식 오븐 방법 또는 핫 플레이트 방법을 사용하여 층분리에 대하여 시험하였다.
강제 대류 방법
장착 웨이퍼 샘플을 강제 대류식 오븐에 넣었다. 웨이퍼 샘플을 넣을 때 오븐은 250℃의 온도일 수 있다 (또는 대안적으로, 장착 웨이퍼 샘플을 넣을 때 오븐은 실온일 수 있으며, 이어서 그 온도에서 오븐을 80분의 코스에 걸쳐 250℃까지 증가시킬 수 있다). 뜨거운 오븐 내로 직접 넣거나 또는 넣은 후 오븐을 소정 온도까지 증가시켜서 250℃의 온도를 달성한 후, 이어서 장착 웨이퍼 샘플을 250℃ 오븐에 60분간 넣어 두었다. 그리고 나서, 장착 웨이퍼 샘플을 오븐에서 즉시 꺼내었다(또는 대안적으로, 오븐을 95℃로 냉각시킬 수 있고 그 때 장착 웨이퍼 샘플을 꺼낸다). 오븐에서 꺼낸 후, 장착 및 박형화된 웨이퍼 샘플을 임의의 손상 징후 또는 층분리에 대해 시험하였다.
핫 플레이트 방법
핫 플레이트 영역 위에 질소의 유동을 제공하는 뚜껑(lid)을 포함하는 모델 CE1100 핫 플레이트(미국 미주리주 롤라 소재의 브류어 사이언스(Brewer Science)의 디비젼(division)인 스탠다드 코스트 이펙티브 이큅먼트 컴퍼니(Standard Cost Effective Equipment Co.)로부터 입수가능)를 250℃로 예열하였다. 장착 웨이퍼 샘플을 유리 쪽을 아래로 하여 핫 플레이트 상에 놓고 뚜껑을 내렸다. 이어서, 웨이퍼 표면 상에 나타난 상승된 영역 또는 기포로 입증되는 것과 같은 층분리의 임의의 징후에 대하여 적층체의 웨이퍼 표면을 관찰하였다. 박형화된 웨이퍼의 고반사 표면을 자세히 들여다 봄으로써 임의의 상승된 영역 또는 기포를 쉽게 관찰할 수 있었다.
Figure 112009001952707-PCT00016
표 6의 결과를 참조하면, SiO2 상부 표면을 갖는 150 ㎜ 규소 웨이퍼를 장착하고 예 2의 접착제를 사용하여 박형화한 다음, 상기에 설명한 바와 같이 강제 대류 시험 방법을 실시한 실시예에서, 유리/웨이퍼 샌드위치 구성의 층분리 징후는 전혀 없었다.
또한, 표 6을 참조하면, SiO2 상부 표면을 갖는 150 ㎜ 규소 웨이퍼를 장착하고 예 6의 접착제를 사용하여 박형화한 다음, 표 6에 기재된 조건 하에 상기에 설명한 바와 같이 강제 대류 시험 방법을 실시한 실시예에서, 웨이퍼 상의 기존의 레이저 식별 영역 근처에서 매우 소량의 층분리가 있었다. 다른 유의한 층분리는 전혀 관찰되지 않았다.
또한 표 6을 참조하면, SiO2 상부 표면을 갖는 150 ㎜ 규소 웨이퍼를 장착하고 예 6의 접착제를 사용하여 박형화한 다음, 표 6에 기재된 조건 하에 상기에 설명한 바와 같이 강제 대류 시험 방법을 실시한 실시예에서, 웨이퍼의 에지 근처에 다소 층분리가 있었으나, 유의한 층분리는 전혀 관찰되지 않았다.
장착 웨이퍼 열 안정성 결과 - 핫 플레이트 방법 - 250℃에서 최대 1시간 동안
Figure 112009001952707-PCT00017
표 7의 결과를 참조하면, 예를 들어, 예 7의 접착제를 사용하여 장착 웨이퍼 샘플을 생성하는 데 이산화규소 표면을 갖는 웨이퍼를 사용하였다. 이러한 적층체를 핫 플레이트 시험 방법으로 시험하였더니 10초 미만 내에 유의한 층분리가 나타났다.
또한, 예를 들어, 예 8의 접착제를 사용하여 장착 웨이퍼 샘플을 생성하는 데 이산화규소 표면을 갖는 웨이퍼를 사용하였다. 이러한 적층체를 핫 플레이트 시험 방법으로 시험하였더니 60초 후에 층분리가 전혀 나타나지 않았다.
또한, 예를 들어, 예 7의 접착제를 사용하여 장착 웨이퍼 샘플을 생성하는 데 폴리이미드 표면을 갖는 웨이퍼를 사용하였다. 이러한 적층체를 핫 플레이트 시험 방법으로 시험하였더니 10초 미만 내에 유의한 층분리가 나타났다.
또한, 예를 들어, 예 8의 접착제를 사용하여 장착 웨이퍼 샘플을 생성하는 데 폴리이미드 표면을 갖는 웨이퍼를 사용하였다. 이러한 적층체를 핫 플레이트 시험 방법으로 시험하였더니 20분 동안 온전한 채로 있었으며, 그 후 기포가 나타났다.
또한, 예를 들어, 예 8의 접착제를 사용하여 장착 웨이퍼 샘플을 생성하는 데 알루미늄 표면을 갖는 웨이퍼를 사용하였다. 이러한 적층체를 핫 플레이트 시험 방법으로 시험하였더니 35분 동안 온전한 채로 있었으며, 그 후 기포가 나타났다.
더욱이, 방금 설명한 핫 플레이트 장착 웨이퍼 시험과 관련하여, 추가적인 선택적 시험 단계로서, 웨이퍼 지지 시스템 분해 공정을 사용하여 유리 지지체를 제거한 다음 상기에 설명한 것과 동일한 90도 박리 접착성 시험을 사용하여 접착성을 측정함으로써 열 노화 후에 접착제층과 웨이퍼 표면 사이의 열 노화 접착성을 측정하였다. 이 경우에, 장착 웨이퍼 샘플에서 핫 플레이트 방법을 실시한 후, 후속적인 열 노화 접착성 시험을 또한 실시하였고, 그 결과를 표 8에 나타내었다.
장착 웨이퍼 열 노화 접착성 결과 - 핫 플레이트 방법 - 250℃에서 1시간 동안
Figure 112009001952707-PCT00018
표 8의 결과를 참조하면, SiO2 표면을 갖는 웨이퍼에서 접착제 예 9를 사용한 시험에서는 예 9의 접착제가 SiO2 상에서 허용가능한 열 노화 접착성을 유지하는 것으로 나타났다. 또한, 알루미늄 표면을 갖는 웨이퍼에서 예 9의 접착제를 사용한 시험에서는 예 9의 접착제가 향상된 층분리 거동(표 7 참조)을 나타내면서도 알루미늄 상에서 허용가능한 열 노화 접착성을 또한 유지하는 것으로 나타났다.

Claims (20)

  1. 광 투과성 지지체 상에 흡광제 및 열분해성 수지 용액 또는 열분해성 수지의 전구체 물질로서의 단량체 또는 올리고머를 포함하는 광열 변환층 전구체를 코팅하는 단계와;
    상기 상기 광열 변환층 전구체를 건조시켜 응고시키거나 경화시켜서 상기 광 투과성 지지체 상에 광열 변환층을 형성하는 단계와;
    경화성 실리콘 접착제를 연삭될 기판 또는 광열 변환층에 도포하는 단계와;
    상기 연삭될 기판과 상기 광열 변환층을 상기 경화성 실리콘 접착제를 통해 감압 하에 결합시키는 단계와;
    경화시켜 적층체를 형성하는 단계를 포함하는,
    연삭될 기판,
    상기 기판과 접촉되는 결합층,
    흡광제 및 열분해성 수지를 포함하고 결합층 밑에 배치된 광열 변환층, 및
    광열 변환층 밑에 배치된 광 투과성 지지체를 포함하는 적층체의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 경화성 실리콘 접착제가 부가 경화성 실리콘, 축합 경화성 실리콘, 자유-라디칼 경화성 실리콘 및 양이온 경화성 실리콘으로부터 선택되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판이 규소 웨이퍼이고, 상기 지지체가 유리인 방법.
  4. 연삭될 기판,
    상기 기판과 접촉되는 경화성 실리콘 접착제 결합층,
    흡광제 및 열분해성 수지를 포함하고 결합층 밑에 배치된 광열 변환층, 및
    광열 변환층 밑에 배치된 광 투과성 지지체를 포함하는 적층체.
  5. a) 연삭될 기판, 상기 기판과 접촉되는 경화된 실리콘 접착제층을 포함하는 결합층, 흡광제 및 열분해성 수지를 포함하고 결합층 밑에 배치된 광열 변환층, 및 광열 변환층 밑에 배치된 광 투과성 지지체를 포함하는 적층체를 제공하는 단계와;
    b) 원하는 두께로 상기 기판의 면을 연삭하는 단계와;
    c) 상기 광 투과성 지지체 측을 통해 방사선 에너지를 조사하여 상기 광열 변환층을 분해시키고 그럼으로써 상기 접착제 결합층을 갖는 박형 기판과 광 투과성 지지체로 분리하는 단계와; 선택적으로 상기 경화된 접착제 결합층을 상기 연삭된 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하는 박형 기판의 제공 방법.
  6. 제5항에 있어서, 연삭된 기판을 복수의 연삭된 기판으로 다이싱하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 연삭될 기판이 반도체 웨이퍼를 포함하고, 상기 웨이 퍼가 상기 결합층에 인접한 회로면 및 비-회로면을 갖는 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 기판이 50 ㎛ 이하의 두께로 연삭되는 방법.
  9. 광 투과성 지지체 상에 흡광제 및 열분해성 수지 용액 또는 열분해성 수지의 전구체 물질로서의 단량체 또는 올리고머를 포함하는 광열 변환층 전구체를 코팅하는 단계와;
    상기 광열 변환층 전구체를 건조시켜 응고시키거나 경화시켜서 상기 광 투과성 지지체 상에 광열 변환층을 형성하는 단계와;
    경화성 메타크릴레이트화 폴리부타디엔 접착제를 포함하는 결합층을 연삭될 기판 또는 광열 변환층에 도포하는 단계와;
    상기 연삭될 기판과 상기 광열 변환층을 상기 결합층을 통해 감압 하에 결합시키는 단계와;
    경화시켜 적층체를 형성하는 단계를 포함하는,
    연삭될 기판,
    상기 기판과 접촉되는 결합층,
    흡광제 및 열분해성 수지를 포함하고 결합층에 인접하여 배치된 광열 변환층, 및
    광열 변환층에 인접하여 배치된 광 투과성 지지체를 포함하는 적층체의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 결합층은 수평균 분자량이 약 1,000 내지 300,000 g/몰인 접착제를 포함하는 방법.
  11. 제9항에 있어서, 결합층이 반응성 희석제를 약 10 중량％ 내지 약 70 중량％의 양으로 추가로 포함하는 방법.
  12. 제9항에 있어서, 결합층이 광개시제를 약 0.5 중량％ 내지 약 5 중량％의 양으로 추가로 포함하는 방법.
  13. 제9항에 있어서, 메타크릴레이트화 폴리부타디엔이 사슬 당 약 2 내지 약 20개의 많은 메타크릴레이트 기를 포함하는 방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 기판이 규소 웨이퍼이고, 상기 지지체가 유리인 방법.
  15. 연삭될 기판;
    경화성 메타크릴레이트화 폴리부타디엔 접착제를 포함하고 상기 기판과 접촉되는 경화성 결합층;
    흡광제 및 열분해성 수지를 포함하고 결합층에 인접하여 배치된 광열 변환층; 및
    광열 변환층에 인접하여 배치된 광 투과성 지지체를 포함하는 적층체.
  16. a) 연삭될 기판, 경화된 메타크릴레이트화 폴리부타디엔 접착제를 포함하고 상기 기판과 접촉되는 결합층, 흡광제 및 열분해성 수지를 포함하고 결합층에 인접하여 배치된 광열 변환층, 및 광열 변환층에 인접하여 배치된 광 투과성 지지체를 포함하는 적층체를 제공하는 단계와;
    b) 원하는 두께로 상기 기판의 면을 연삭하는 단계와;
    c) 상기 광 투과성 지지체 측을 통해 방사선 에너지를 조사하여 상기 광열 변환층을 분해시키고 그럼으로써 상기 결합층을 갖는 박형 기판과 광 투과성 지지체로 분리하는 단계와; 선택적으로 상기 경화된 결합층을 상기 연삭된 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하는 박형 기판의 제공 방법.
  17. 제16항에 있어서, 결합층은 수평균 분자량이 약 1,000 내지 300,000 g/몰인 접착제를 포함하는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 결합층이 반응성 희석제를 약 10 중량％ 내지 약 70 중량％의 양으로 추가로 포함하는 방법.
  19. 제16항에 있어서, 결합층이 광개시제를 약 0.5 중량％ 내지 약 5 중량％의 양으로 추가로 포함하는 방법.
  20. 제16항에 있어서, 메타크릴레이트화 폴리부타디엔이 사슬 당 약 2 내지 약 20개의 많은 메타크릴레이트 기를 포함하는 방법.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013142054A1 (en) * 2012-03-20 2013-09-26 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and materials for temporary substrate support and support separation
KR20140104295A (ko) * 2013-02-20 2014-08-28 삼성전자주식회사 기판 연마 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조방법
US9048311B2 (en) 2010-10-29 2015-06-02 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
US9308715B2 (en) 2010-11-15 2016-04-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
US9492986B2 (en) 2010-10-29 2016-11-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
KR20200133314A (ko) * 2017-06-30 2020-11-27 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 패키지 내의 격리막으로서의 릴리스막
WO2023126763A1 (en) * 2021-12-28 2023-07-06 3M Innovative Properties Company Photothermal conversion layer ink composition and laminate

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150235A (ja) 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
US20090017323A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
US20090017248A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
US7666568B2 (en) * 2007-10-23 2010-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Composition and method for providing a patterned metal layer having high conductivity
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
US9184595B2 (en) * 2008-09-27 2015-11-10 Witricity Corporation Wireless energy transfer in lossy environments
JP2010102106A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Nitto Denko Corp 光導波路用組成物およびその製造方法、ならびにそれを用いた光導波路、光導波路の製造方法
JP6085076B2 (ja) * 2009-03-16 2017-02-22 リンテック株式会社 粘着シートおよび半導体ウエハの加工方法、半導体チップの製造方法
US20100300218A1 (en) * 2009-06-02 2010-12-02 Electric Power Research Institute, Inc. Dispersant application for clean-up of recirculation paths of a power producing facility during start-up
US9018308B2 (en) 2009-12-01 2015-04-28 Pbi Performance Products, Inc. Polybenzimidazole/polyacrylate mixtures
US9837295B2 (en) 2010-04-15 2017-12-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for semiconductor wafer leveling, force balancing and contact sensing
US9859141B2 (en) 2010-04-15 2018-01-02 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus and method for aligning and centering wafers
JP2012064710A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Asahi Glass Co Ltd 半導体素子の製造方法
US8798432B2 (en) * 2010-10-21 2014-08-05 Microsoft Corporation Fabrication of a laminated optical wedge
EP2444980B1 (en) * 2010-10-21 2014-03-26 Borealis AG A cable comprising a layer which is formed of a composition containing epoxy-groups
DE102010043149A1 (de) * 2010-10-29 2012-05-03 Wacker Chemie Ag Hochtransparente durch Licht vernetzbare Siliconmischungen
JP5714318B2 (ja) * 2010-12-24 2015-05-07 日東電工株式会社 ウエハマウント作製方法
WO2012094264A2 (en) * 2011-01-05 2012-07-12 Jenny Buettner Adhesively attachable material and method for fabrication thereof
TWI557786B (zh) 2011-02-28 2016-11-11 道康寧公司 晶圓膠合系統及其用來膠合和脫膠的方法
JP5846060B2 (ja) * 2011-07-27 2016-01-20 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US8696864B2 (en) 2012-01-26 2014-04-15 Promerus, Llc Room temperature debonding composition, method and stack
WO2013116071A1 (en) * 2012-01-30 2013-08-08 3M Innovative Properties Company Apparatus, hybrid laminated body, method, and materials for temporary substrate support
JP5977532B2 (ja) * 2012-02-20 2016-08-24 東京応化工業株式会社 支持体分離方法及び支持体分離装置
JP2013211505A (ja) * 2012-03-02 2013-10-10 Fujifilm Corp 半導体装置の製造方法
JP5687647B2 (ja) * 2012-03-14 2015-03-18 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、半導体製造装置
JP5591859B2 (ja) * 2012-03-23 2014-09-17 株式会社東芝 基板の分離方法及び分離装置
EP2871482B1 (en) * 2012-07-09 2018-07-18 Sony Corporation Microchip and method for producing microchip
US9312490B2 (en) * 2012-07-13 2016-04-12 Lg Hausys, Ltd. Photothermal conversion film having good visible light penetrability, and transfer film for OLED using same
CN103035483B (zh) * 2012-08-28 2015-10-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法
US9269623B2 (en) 2012-10-25 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ephemeral bonding
JP6088230B2 (ja) * 2012-12-05 2017-03-01 東京応化工業株式会社 積層体の形成方法
US9228086B2 (en) * 2013-02-05 2016-01-05 Medarray, Inc. Siloxane based hollow fibers
JP6050170B2 (ja) * 2013-03-27 2016-12-21 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
TWI633157B (zh) 2013-10-18 2018-08-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 紫外線硬化性有機聚矽氧烷組成物及版材之製造方法
US9315696B2 (en) 2013-10-31 2016-04-19 Dow Global Technologies Llc Ephemeral bonding
CN103871975B (zh) * 2014-02-26 2017-02-01 江西创成电子有限公司 一种芯片封装散热方法
TWI551199B (zh) 2014-04-16 2016-09-21 矽品精密工業股份有限公司 具電性連接結構之基板及其製法
US10141216B2 (en) 2014-10-22 2018-11-27 Promerus, Llc Room temperature debondable and thermally curable compositions
JP6437805B2 (ja) * 2014-12-03 2018-12-12 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法、封止基板積層体の製造方法及び積層体
US9644118B2 (en) 2015-03-03 2017-05-09 Dow Global Technologies Llc Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier
JP6486735B2 (ja) 2015-03-17 2019-03-20 東芝メモリ株式会社 半導体製造方法および半導体製造装置
KR102352742B1 (ko) * 2015-03-25 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 커버 윈도우 및 이를 포함하는 표시 장치
CN104953041A (zh) * 2015-04-22 2015-09-30 电子科技大学 一种生物可降解的柔性光电子器件用基板及其制备方法
JP6465743B2 (ja) * 2015-05-14 2019-02-06 東京応化工業株式会社 分離層形成用組成物、分離層、分離層を含む積層体、積層体の製造方法および積層体の処理方法
JP2017050322A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 Jsr株式会社 基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法
CN105150120B (zh) * 2015-09-01 2018-03-30 河南科技学院 一种Roll‑to‑Roll化学机械抛光机用固结磨料抛光辊的刚性层及其制备方法
JP6610510B2 (ja) * 2015-11-26 2019-11-27 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体及びその製造方法
JP6037070B1 (ja) * 2016-02-22 2016-11-30 大日本印刷株式会社 調光セル
US10074626B2 (en) * 2016-06-06 2018-09-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer laminate and making method
EP3548523B1 (de) * 2016-12-05 2022-08-03 Covestro Deutschland AG Verfahren und system zur herstellung eines gegenstandes durch schichtweisen aufbau im stempelverfahren
JP7073636B2 (ja) 2017-06-16 2022-05-24 オムロン株式会社 接着剤組成物の硬化方法および接着構造体の製造方法
US10522526B2 (en) 2017-07-28 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LTHC as charging barrier in InFO package formation
US10964664B2 (en) 2018-04-20 2021-03-30 Invensas Bonding Technologies, Inc. DBI to Si bonding for simplified handle wafer
SG11202010863YA (en) * 2018-05-01 2020-11-27 Nissan Chemical Corp Polysiloxane-containing temporary adhesive comprising heat-resistant polymerization inhibitor
WO2019227955A1 (zh) * 2018-05-31 2019-12-05 浙江清华柔性电子技术研究院 柔性器件的过渡装置、制备方法及柔性器件的制作方法
CN108821233A (zh) * 2018-05-31 2018-11-16 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 临时键合结构及其制作方法、拆键合方法
CN110310914B (zh) 2019-07-04 2021-12-31 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性器件及其制作方法、柔性装置
KR20210072392A (ko) * 2019-12-09 2021-06-17 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 접착 필름
TWI732473B (zh) * 2020-02-26 2021-07-01 世界先進積體電路股份有限公司 形成晶粒結構的方法及晶粒結構
KR20230005219A (ko) 2020-04-30 2023-01-09 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 웨이퍼 가공용 가접착제, 웨이퍼 적층체 및 박형 웨이퍼의 제조 방법
TWI829142B (zh) * 2021-04-28 2024-01-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及處理液
WO2023248872A1 (ja) * 2022-06-20 2023-12-28 日産化学株式会社 光照射剥離用の剥離剤組成物

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2843555A (en) * 1956-10-01 1958-07-15 Gen Electric Room temperature curing organopolysiloxane
GB923710A (en) * 1960-11-07 1963-04-18 Ici Ltd Production of organosilicon compounds
US3159662A (en) * 1962-07-02 1964-12-01 Gen Electric Addition reaction
US3220972A (en) * 1962-07-02 1965-11-30 Gen Electric Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst
US3410886A (en) * 1965-10-23 1968-11-12 Union Carbide Corp Si-h to c=c or c=c addition in the presence of a nitrile-platinum (ii) halide complex
US3313773A (en) * 1965-12-03 1967-04-11 Gen Electric Platinum addition catalyst system
AT278040B (de) * 1966-12-16 1970-01-26 Degussa Verfahren zur Herstellung von Organosiliziumverbindungen
DE1259888B (de) * 1967-05-27 1968-02-01 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von Organosiliciumverbindungen
US3814730A (en) * 1970-08-06 1974-06-04 Gen Electric Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes
US3715334A (en) * 1970-11-27 1973-02-06 Gen Electric Platinum-vinylsiloxanes
US3775452A (en) * 1971-04-28 1973-11-27 Gen Electric Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes
NL7207442A (ko) * 1971-06-25 1972-12-28
DE2846621A1 (de) * 1978-10-26 1980-05-08 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zum anlagern von si-gebundenem wasserstoff an aliphatische mehrfachbindung
US4288345A (en) * 1980-02-06 1981-09-08 General Electric Company Platinum complex
US4313988A (en) * 1980-02-25 1982-02-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Epoxypolysiloxane release coatings for adhesive materials
US4394414A (en) * 1981-05-29 1983-07-19 Ppg Industries, Inc. Aqueous sizing composition for glass fibers for use on chopped glass fibers
US5089536A (en) * 1982-11-22 1992-02-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy polmerizable compositions containing organometallic initiators
US4530879A (en) * 1983-03-04 1985-07-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation activated addition reaction
US4510094A (en) * 1983-12-06 1985-04-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Platinum complex
US4712092A (en) * 1983-12-20 1987-12-08 Aaron J. Gellman Parallel encoded piezoelectric keyboard switch and array
US4603215A (en) * 1984-08-20 1986-07-29 Dow Corning Corporation Platinum (O) alkyne complexes
FR2571732B1 (fr) * 1984-10-15 1987-01-09 Rhone Poulenc Spec Chim Composition organopolysiloxanique de revetement utilisable notamment pour le traitement antiadherent et son procede d'application
FR2575086B1 (fr) * 1984-12-20 1987-02-20 Rhone Poulenc Spec Chim Complexe platine-alcenylcyclohexene comme catalyseur de reaction d'hydrosilylation et son procede de preparation
US4677137A (en) * 1985-05-31 1987-06-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Supported photoinitiator
US4705765A (en) * 1985-12-19 1987-11-10 General Electric Company Hydrosilylation catalyst, method for making and use
US4670531A (en) * 1986-01-21 1987-06-02 General Electric Company Inhibited precious metal catalyzed organopolysiloxane compositions
JPS62215658A (ja) 1986-03-17 1987-09-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 光硬化性オルガノポリシロキサン組成物
US4916169A (en) * 1988-09-09 1990-04-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Visible radiation activated hydrosilation reaction
US5414297A (en) * 1989-04-13 1995-05-09 Seiko Epson Corporation Semiconductor device chip with interlayer insulating film covering the scribe lines
US5091483A (en) * 1989-09-22 1992-02-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation-curable silicone elastomers and pressure sensitive adhesives
US6376569B1 (en) * 1990-12-13 2002-04-23 3M Innovative Properties Company Hydrosilation reaction utilizing a (cyclopentadiene)(sigma-aliphatic) platinum complex and a free radical photoinitiator
US5286815A (en) * 1992-02-07 1994-02-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Moisture curable polysiloxane release coating compositions
US5332797A (en) * 1992-04-01 1994-07-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Silicone release compositions
US5633176A (en) * 1992-08-19 1997-05-27 Seiko Instruments Inc. Method of producing a semiconductor device for a light valve
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
JP3325650B2 (ja) 1993-04-15 2002-09-17 株式会社ディスコ ウェーハの研磨方法
US5729038A (en) * 1995-12-15 1998-03-17 Harris Corporation Silicon-glass bonded wafers
CA2191238C (en) * 1994-06-30 2004-01-27 Joel D. Oxman Dental impression material with cure-indicating dye
US5604038A (en) * 1994-11-18 1997-02-18 Wisconsin Alumni Research Foundation Polymeric thin layer materials
US5958794A (en) * 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
US5967030A (en) * 1995-11-17 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Global planarization method and apparatus
US5872046A (en) * 1996-04-10 1999-02-16 Texas Instruments Incorporated Method of cleaning wafer after partial saw
WO1998012075A1 (en) 1996-09-18 1998-03-26 Minnessota Mining And Manufacturing Company Adhesively-bonded inflatable restraint and method of making
US6235141B1 (en) * 1996-09-27 2001-05-22 Digital Optics Corporation Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems
JP3976350B2 (ja) * 1997-03-14 2007-09-19 スリーエム カンパニー 反応性シラン官能性を有する要求に応じて硬化する、湿分硬化性組成物
US6194317B1 (en) * 1998-04-30 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
JPH11283279A (ja) 1998-01-30 1999-10-15 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 貼り合わせ型光ディスク並びにその製造方法及び装置
US6395124B1 (en) * 1999-07-30 2002-05-28 3M Innovative Properties Company Method of producing a laminated structure
US6447884B1 (en) * 2000-03-20 2002-09-10 Kodak Polychrome Graphics Llc Low volume ablatable processless imaging member and method of use
JP4253423B2 (ja) * 2000-06-14 2009-04-15 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト積層物
JP3485525B2 (ja) * 2000-07-06 2004-01-13 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US20020072296A1 (en) * 2000-11-29 2002-06-13 Muilenburg Michael J. Abrasive article having a window system for polishing wafers, and methods
JP4757398B2 (ja) * 2001-04-24 2011-08-24 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
AT502233B1 (de) * 2001-06-07 2007-04-15 Thallner Erich Vorrichtung zum lösen eines trägers von einer halbleiterscheibe
TWI250190B (en) * 2001-10-03 2006-03-01 Dow Corning Toray Silicone Adhesive sheet of cross-linked silicone, method of manufacturing thereof, and device
JP2003200436A (ja) 2002-01-10 2003-07-15 Shin Etsu Polymer Co Ltd 電子部品の外部電極塗布に用いる保持プレートの製造方法
WO2003060972A1 (fr) * 2002-01-15 2003-07-24 Sekisui Chemical Co., Ltd. Procede de fabrication d'une puce de circuit integre
WO2003081653A1 (fr) * 2002-03-27 2003-10-02 Mitsui Chemicals, Inc. Film adhesif sensible a la pression destine a la protection de surface de plaquettes de semi-conducteurs et procede de protection de plaquettes de semi-conducteurs a l'aide de ce film
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
FR2848563B1 (fr) * 2002-12-16 2006-07-28 Rhodia Chimie Sa Composition silicone pour revetement dur, a base de silice colloidale, durcissable par voie cationique, antibuee et/ou antisalissures
JP4171898B2 (ja) * 2003-04-25 2008-10-29 信越化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンド用接着テープ
US20050016464A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 General Electric Company Methods and fixtures for facilitating handling of thin films
US7064069B2 (en) * 2003-10-21 2006-06-20 Micron Technology, Inc. Substrate thinning including planarization
JP4405246B2 (ja) 2003-11-27 2010-01-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体チップの製造方法
JP2005191550A (ja) * 2003-12-01 2005-07-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の貼り付け方法
US7226812B2 (en) * 2004-03-31 2007-06-05 Intel Corporation Wafer support and release in wafer processing

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9048311B2 (en) 2010-10-29 2015-06-02 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
US9492986B2 (en) 2010-10-29 2016-11-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
US9308715B2 (en) 2010-11-15 2016-04-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Laminate and method for separating the same
WO2013142054A1 (en) * 2012-03-20 2013-09-26 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and materials for temporary substrate support and support separation
KR20140104295A (ko) * 2013-02-20 2014-08-28 삼성전자주식회사 기판 연마 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조방법
KR20200133314A (ko) * 2017-06-30 2020-11-27 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 패키지 내의 격리막으로서의 릴리스막
US10916450B2 (en) 2017-06-30 2021-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package of integrated circuits having a light-to-heat-conversion coating material
WO2023126763A1 (en) * 2021-12-28 2023-07-06 3M Innovative Properties Company Photothermal conversion layer ink composition and laminate

Also Published As

Publication number Publication date
CN101489789A (zh) 2009-07-22
TW200810883A (en) 2008-03-01
US7759050B2 (en) 2010-07-20
US20090115075A1 (en) 2009-05-07
US20080014532A1 (en) 2008-01-17
JP2009543708A (ja) 2009-12-10
WO2008008931A1 (en) 2008-01-17
EP2040925A1 (en) 2009-04-01

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