KR20040030849A - 3족 질화물계 다이오드 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (50)
- 3족 질화물계 다이오드로서,n+가 도핑된 GaN층(42)과,상기 n+ GaN층(42) 위에 있는 n-가 도핑된 GaN층(44)과,상기 n-가 도핑된 GaN층(44) 위에 있고 소정의 일함수를 갖는 쇼트키 금속층(48)으로서, 상기 n- GaN층(44)은 쇼트키 금속층(48)과 접합부를 형성하고, 상기 접합부는 쇼트키 금속층(48)의 일함수에 종속되는 장벽 전위의 에너지 준위(33)를 갖는 것인 쇼트키 금속층(48)과,상기 n- GaN층(44)의 표면 위에 있는 트렌치 구조체(45)를 구비하며, 상기 다이오드는 역방향 바이어스 하에서 역방향 누설 전류를 경험하고, 상기 트렌치 구조체(45)는 역방향 누설 전류량을 감소시키는 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽 전위(33)는 상기 쇼트키 금속의 일함수에 종속되는 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 n-가 도핑된 GaN층(44)은 전자 친화력을 갖고, 상기 장벽 전위(33)는 상기 쇼트키 금속의 일함수에서 상기 전자 친화력을 뺀 값과 대략 동일한 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 n-가 도핑된 GaN층(44)의 반대측에서 상기 n+ GaN층(42)에 인접한 기판을 더 구비하는 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제4항에 있어서, 상기 기판은 사파이어(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC) 또는 실리콘(Si)인 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 쇼트키 금속(48)은 Ti, Cr, Nb, Sn, W 및 Ta로 이루어지는 군의 금속 중 하나인 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 n+가 도핑된 GaN층(42)은 적어도 1018/cm3(centimeter cubed)의 농도까지 불순물로 도핑되는 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 n-가 도핑된 GaN층(44)은 5 ×1014/cm3내지 5 ×1017/cm3의 농도까지 불순물로 도핑되는 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치 구조체(45)는 복수 개의 트렌치(46)를 구비하며, 인접한 트렌치(46) 사이에는 메사 구역(49)이 있고, 상기 트렌치(46)는절연재(47)에 의해 피복된 측벽(46a)과 바닥면(46b)을 포함하고, 상기 쇼트키 금속층(48)은 상기 트렌치(46)와 메사 구역(49)을 덮으며, 상기 절연재(47)는 쇼트키 금속층(48)과 측벽(46a) 및 바닥면(46b) 사이에 샌드위치되는 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제9항에 있어서, 상기 복수 개의 트렌치(46)는 평행하고 동일한 간격을 두고 있는 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제9항에 있어서, 상기 절연재는 SiN인 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제9항에 있어서, 상기 절연재(47)는 높은 일함수를 갖는 금속에 의해 대체되는 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 n+ GaN층(42) 위에 있는 저항 콘택(43a, 43b)을 더 구비하고, 상기 저항 콘택(43a, 43b)과 쇼트키 금속층(48)을 가로질러 신호가 장치에 인가되는 것인 3족 질화물계 다이오드.
- 다이오드로서,고도로 도핑된 갈륨 질화물 반도체 재료층(42)과,상기 고도로 도핑된 갈륨 질화물 반도체 재료층(42)에 인접하고 고정되지 않은 표면 전위를 갖는 더 낮게 도핑된 갈륨 질화물 반도체 재료층(44)과,상기 더 낮게 도핑된 갈륨 질화물 반도체 재료층(44) 위에 있는 쇼트키 금속층(48)으로서, 상기 더 낮게 도핑된 갈륨 질화물 반도체 재료층(44)은 상기 쇼트키 금속(48)과 함께 쇼트키 금속(48)의 종류에 종속되는 장벽 전위 에너지 준위(33)를 갖는 접합부를 형성하고, 상기 장벽 전위는 상기 다이오드가 낮은 순방향 전압 다이오드로서 동작하게 하는 크기이며, 상기 다이오드는 역방향 바이어스 하에서 역방향 누설 전류를 경험하는 것인 쇼트키 금속층(48)과,상기 역방향 누설 전류량을 감소시키는 수단을 구비하는 것인 다이오드.
- 제14항에 있어서, 상기 도핑된 층(42, 44)은 도핑된 n형인 것인 다이오드.
- 제14항에 있어서, 상기 도핑된 층(42, 44)의 반도체 재료는 3족 질화물인 것인 다이오드.
- 제14항에 있어서, 상기 고도로 도핑된 반도체(42)는 n+가 도핑된 GaN층이고, 상기 더 낮게 도핑된 반도체(44)는 n-가 도핑된 GaN층인 것인 다이오드.
- 제14항에 있어서, 상기 쇼트키 금속층(48)은 소정의 일함수를 갖고, 변동되는 에너지 준위를 갖는 장벽 전위(33)는 상기 쇼트키 금속(48)의 일함수에 종속되는 것인 다이오드.
- 제14항에 있어서, 상기 더 낮게 도핑된 층(44)의 반대측에서 상기 고도로 도핑된 층(42)에 인접한 기판을 더 구비하는 것인 다이오드.
- 제21항에 있어서, 상기 기판(41)은 사파이어(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC) 또는 실리콘(Si)인 것인 다이오드.
- 제14항에 있어서, 상기 쇼트키 금속(48)은 Ti, Cr, Nb, Sn, W 및 Ta로 이루어지는 군의 금속 중 하나인 것인 다이오드.
- 제17항에 있어서, 상기 n+가 도핑된 GaN층(42)은 적어도 1018/cm3(centimeter cubed)의 농도까지 불순물로 도핑되는 것인 다이오드.
- 제17에 있어서, 상기 n-가 도핑된 GaN층(44)은 5 ×1014/cm3내지 5 ×1017/cm3의 농도까지 불순물로 도핑되는 것인 다이오드.
- 제14항에 있어서, 상기 역방향 누설 전류량을 감소시키는 수단은 상기 더 낮게 도핑된 반도체 재료(44)의 표면 상에 트렌치 구조체(45)를 더 구비하며, 상기 다이오드는 역방향 바이어스 하에서 역방향 누설 전류를 경험하고, 상기 트렌치 구조체(45)는 역방향 누설 전류량을 감소시키는 것인 다이오드.
- 제24항에 있어서, 상기 트렌치 구조체(45)는 복수 개의 트렌치(46)를 구비하며, 인접한 트렌치(46) 사이에는 메사 구역(49)이 있고, 상기 트렌치(46)는 절연재(47)에 의해 피복된 측벽(46a)과 바닥면(46b)을 각각 포함하고, 상기 쇼트키 금속층(48)은 상기 트렌치(46)와 메사 구역(49)을 덮으며, 상기 절연재(47)는 쇼트키 금속층(48)과 측벽(46a) 및 바닥면(46b) 사이에 샌드위치되는 것인 다이오드.
- 제25항에 있어서, 상기 절연재(47)는 높은 일함수를 갖는 금속에 의해 대체되는 것인 다이오드.
- 제14항에 있어서, 상기 더 높게 도핑된 반도체 재료 위에 저항 콘택(43a, 43b)을 더 구비하는 것인 다이오드.
- 터널링 다이오드로서,n+가 도핑된 층(52)과,상기 n+가 도핑된 층(52)에 인접한 n-가 도핑된 층(53)과,상기 n+가 도핑된 층(52)의 반대측에서 상기 n-가 도핑된 층(53)에 인접한장벽층(54)과,상기 n-가 도핑된 층(53)의 반대측에서 상기 장벽층(54) 위에 있는 금속층(56)으로서, 상기 n-가 도핑된 층(53)은 상기 장벽층(54)과 함께 장벽 전위(81)를 갖는 접합부를 형성하고, 이 장벽 전위는 순방향 바이어스 하에서 장벽 전위(81)를 통과하는 전자 터널링의 결과로서 상기 다이오드의 온 상태 전압이 낮게 되게 하는 것인 금속층(56)을 구비하는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 장벽층(54)은 전자 터널링을 향상시킴으로써 다이오드의 온 상태 전압을 저하시키는 압전 쌍극자를 포함하는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 압전 쌍극자의 개수는 상기 장벽층의 두께가 증가함에 따라 증가하지만, 여전히 터널링 전류를 허용하는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 n-가 도핑된 층(53)의 반대측에서 n+가 도핑된 층(52)에 인접한 기판을 더 구비하고, 상기 기판(51)은 사파이어, 실리콘 카바이드 또는 실리콘을 포함하는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 n+가 도핑된 층(52), n-가 도핑된 층(53) 및 장벽층(54)은 극성 재료를 포함하는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 n+가 도핑된 층(52), n-가 도핑된 층(53) 및 장벽층(54)은 3족 질화물 재료계로 이루어지는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 n+가 도핑된 층(52)은 GaN이고, 상기 n-가 도핑된 층(53)은 GaN이며, 상기 장벽층(54)은 AlGaN인 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 n+가 도핑된 층(52), n-가 도핑된 층(53) 및 장벽층(54)은 극성 재료, 비극성 재료 또는 그 조합체로 형성되는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 n+가 도핑된 층(52), n-가 도핑된 층(53) 및 장벽층(54)은 복잡한 극성 산화물, 예컨대 스트론튬 티타네이트, 리튬 니오베이트, 리드 지르코늄 티타네이트 또는 그 조합체로 형성되는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 n+가 도핑된 층(52), n-가 도핑된 층(53) 및 장벽층(54)은 2원 극성 산화물, 예컨대 아연 산화물로 형성되는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 장벽층 및 n-가 도핑된 층(123, 124)에 트렌치 구조체(121)를 더 구비하며, 상기 다이오드는 역방향 바이어스 하에서 역방향 누설 전류를 경험하고, 상기 트렌치 구조체(121)는 역방향 누설 전류량을 감소시키는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 트렌치 구조체(121)는 인접한 트렌치(122) 사이에 메사 구역(126)이 있는 복수 개의 트렌치(122)를 상기 장벽층과 n-가 도핑된 층(123, 124)에 구비하며, 상기 트렌치(126)는 절연재(127)에 의해 피복된 측벽과 바닥면을 각각 포함하고, 상기 금속층(128)은 상기 트렌치(122)와 메사 구역(126)을 덮으며, 상기 절연재(127)는 금속층(128)과 측벽 및 바닥면 사이에 샌드위치되는 것인 터널링 다이오드.
- 제39항에 있어서, 상기 절연재(127)는 높은 일함수를 갖는 금속에 의해 대체되는 것인 터널링 다이오드.
- 제28항에 있어서, 상기 n+가 도핑된 층 위에 저항 콘택(55a, 55b)을 더 구비하는 것인 터널링 다이오드.
- 고정되지 않은 표면 전위를 갖는 반도체 재료(42, 44)와,소정의 일함수를 갖고, 상기 반도체 재료(44)와 함께 장벽 전위(33)를 갖는 접합부를 형성하는 쇼트키 금속(48)을 구비하고, 상기 장벽 전위(33)의 높이는 상기 일함수에 종속되는 것인 쇼트키 다이오드.
- 제42항에 있어서, 상기 반도체 재료(42, 44)는 3족 질화물계인 것인 쇼트키 다이오드.
- 제42항에 있어서, 상기 반도체 재료(42, 44)는 n-가 도핑된 GaN층(44)과 n+가 도핑된 GaN층(42)을 구비하는 것인 쇼트키 다이오드.
- 제44항에 있어서, 상기 n+가 도핑된 GaN층(42) 위에 있는 저항 콘택(43a, 43b)을 더 구비하고, 상기 쇼트키 금속(48)은 상기 n- GaN층(44)과 접촉하는 것인 쇼트키 다이오드.
- 제42항에 있어서, 상기 장벽 전위(33)의 높이는 상기 쇼트키 금속(48)의 일함수에 의해 양으로 변동되는 것인 쇼트키 다이오드.
- 제44항에 있어서, 사파이어(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC) 또는 실리콘(Si)으로 제조되고, 상기 n- GaN층의 반대측에서 상기 n+ GaN층에 인접한 기판(41)을 더 구비하는 것인 쇼트키 다이오드.
- 제42항에 있어서, 상기 쇼트키 금속(48)은 Ti, Cr, Nb, Sn, W, Ta 및 Ge로 이루어지는 군의 금속 중 하나와, 유사한 일함수를 갖는 다른 금속인 것인 쇼트키 다이오드.
- 제42항에 있어서, 상기 반도체 재료(42, 44)에 있는 트렌치 구조체(45)를 더 구비하며, 상기 다이오드는 역방향 바이어스 하에서 역방향 누설 전류를 경험하고, 상기 트렌치 구조체(45)는 역방향 누설 전류를 감소시키는 것인 쇼트키 다이오드.
- 제42항에 있어서, 상기 트렌치 구조체(45)는 인접한 트렌치(46) 사이에 메사 구역(49)이 있는 복수 개의 트렌치(46)를 구비하며, 상기 트렌치(46)는 절연재(47)에 의해 피복된 측벽(46a)과 바닥면(46b)을 포함하고, 상기 쇼트키 금속(48)은 상기 트렌치(46)와 메사 구역(49)을 덮으며, 상기 절연재(47)는 쇼트키 금속(48)과 측벽(46a) 및 바닥면(46b) 사이에 샌드위치되는 것인 쇼트키 다이오드.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140096018A (ko) * | 2011-06-30 | 2014-08-04 | 소이텍 | 실리콘 또는 유사 기판 위에 갈륨 질화물의 두꺼운 에피택셜 층을 제조하는 방법 및 상기 방법을 이용하여 얻어진 층 |
KR20200121538A (ko) * | 2019-04-16 | 2020-10-26 | 한국전자통신연구원 | 쇼트키 장벽 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Families Citing this family (108)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002084745A2 (en) | 2001-04-11 | 2002-10-24 | Silicon Wireless Corporation | Power semiconductor devices and methods of forming same |
US20030015708A1 (en) | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Primit Parikh | Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation |
EP1561247B1 (en) * | 2002-11-16 | 2012-07-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and fabrication method thereof |
US7115896B2 (en) * | 2002-12-04 | 2006-10-03 | Emcore Corporation | Semiconductor structures for gallium nitride-based devices |
TW591217B (en) * | 2003-07-17 | 2004-06-11 | South Epitaxy Corp | UV detector |
KR100586678B1 (ko) * | 2003-07-30 | 2006-06-07 | 에피밸리 주식회사 | 반도체 엘이디 소자 |
USRE42955E1 (en) * | 2003-12-04 | 2011-11-22 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | GaN-based permeable base transistor and method of fabrication |
CN100462699C (zh) * | 2004-01-06 | 2009-02-18 | 晶元光电股份有限公司 | 紫外光检测器 |
US7253015B2 (en) * | 2004-02-17 | 2007-08-07 | Velox Semiconductor Corporation | Low doped layer for nitride-based semiconductor device |
US7084475B2 (en) * | 2004-02-17 | 2006-08-01 | Velox Semiconductor Corporation | Lateral conduction Schottky diode with plural mesas |
US7229866B2 (en) * | 2004-03-15 | 2007-06-12 | Velox Semiconductor Corporation | Non-activated guard ring for semiconductor devices |
JP4398780B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-01-13 | 古河電気工業株式会社 | GaN系半導体装置 |
US7417266B1 (en) | 2004-06-10 | 2008-08-26 | Qspeed Semiconductor Inc. | MOSFET having a JFET embedded as a body diode |
US7534633B2 (en) * | 2004-07-02 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
JP2006114886A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-04-27 | Showa Denko Kk | n型III族窒化物半導体積層構造体 |
JP4637553B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2011-02-23 | パナソニック株式会社 | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた集積回路 |
US7436039B2 (en) * | 2005-01-06 | 2008-10-14 | Velox Semiconductor Corporation | Gallium nitride semiconductor device |
US20100140627A1 (en) * | 2005-01-10 | 2010-06-10 | Shelton Bryan S | Package for Semiconductor Devices |
US20060151868A1 (en) * | 2005-01-10 | 2006-07-13 | Zhu Tinggang | Package for gallium nitride semiconductor devices |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
TW200714289A (en) * | 2005-02-28 | 2007-04-16 | Genentech Inc | Treatment of bone disorders |
JP5706601B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2015-04-22 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術 |
JP4793905B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2011-10-12 | 日本碍子株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4816207B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | 情報処理システムおよび方法 |
TWI455181B (zh) | 2005-06-01 | 2014-10-01 | Univ California | 半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、異質結構及裝置之生長及製造技術 |
US7341932B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-03-11 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Schottky barrier diode and method thereof |
US20070096239A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | General Electric Company | Semiconductor devices and methods of manufacture |
US8026568B2 (en) | 2005-11-15 | 2011-09-27 | Velox Semiconductor Corporation | Second Schottky contact metal layer to improve GaN Schottky diode performance |
US20070138505A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-21 | Kyma Technologies, Inc. | Low defect group III nitride films useful for electronic and optoelectronic devices and methods for making the same |
US8330154B2 (en) * | 2005-12-20 | 2012-12-11 | Georgia Tech Research Corporation | Piezoelectric and semiconducting coupled nanogenerators |
DE102006001195A1 (de) | 2006-01-10 | 2007-07-12 | Sms Demag Ag | Verfahren zum Gieß-Walzen mit erhöhter Gießgeschwindigkeit und daran anschließendem Warmwalzen von relativ dünnen Metall-,insbesondere Stahlwerkstoff-Strängen,und Gieß-Walz-Einrichtung |
KR101275800B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2013-06-18 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
WO2007146769A2 (en) * | 2006-06-13 | 2007-12-21 | Georgia Tech Research Corporation | Nano-piezoelectronics |
US7804147B2 (en) | 2006-07-31 | 2010-09-28 | Cree, Inc. | Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement |
JP5261923B2 (ja) * | 2006-10-17 | 2013-08-14 | サンケン電気株式会社 | 化合物半導体素子 |
US8823057B2 (en) | 2006-11-06 | 2014-09-02 | Cree, Inc. | Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices |
US7837780B2 (en) | 2006-11-10 | 2010-11-23 | Global Oled Technology Llc | Green color filter element |
US7769066B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-08-03 | Cree, Inc. | Laser diode and method for fabricating same |
US7813400B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-10-12 | Cree, Inc. | Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same |
US7834367B2 (en) * | 2007-01-19 | 2010-11-16 | Cree, Inc. | Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating |
US7939853B2 (en) * | 2007-03-20 | 2011-05-10 | Power Integrations, Inc. | Termination and contact structures for a high voltage GaN-based heterojunction transistor |
US20090179523A1 (en) * | 2007-06-08 | 2009-07-16 | Georgia Tech Research Corporation | Self-activated nanoscale piezoelectric motion sensor |
US7999283B2 (en) | 2007-06-14 | 2011-08-16 | Cree, Inc. | Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes |
US8519437B2 (en) * | 2007-09-14 | 2013-08-27 | Cree, Inc. | Polarization doping in nitride based diodes |
US9012937B2 (en) * | 2007-10-10 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
FR2924533B1 (fr) * | 2007-12-04 | 2010-08-20 | Thales Sa | Diode schottky pour application forte puissance et procede de fabrication |
US8212281B2 (en) * | 2008-01-16 | 2012-07-03 | Micron Technology, Inc. | 3-D and 3-D schottky diode for cross-point, variable-resistance material memories, processes of forming same, and methods of using same |
US7898156B2 (en) * | 2008-03-04 | 2011-03-01 | Georgia Tech Research Corporation | Muscle-driven nanogenerators |
US8022601B2 (en) * | 2008-03-17 | 2011-09-20 | Georgia Tech Research Corporation | Piezoelectric-coated carbon nanotube generators |
US9287469B2 (en) | 2008-05-02 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode |
US20100326503A1 (en) * | 2008-05-08 | 2010-12-30 | Georgia Tech Research Corporation | Fiber Optic Solar Nanogenerator Cells |
US7705523B2 (en) * | 2008-05-27 | 2010-04-27 | Georgia Tech Research Corporation | Hybrid solar nanogenerator cells |
US8294141B2 (en) * | 2008-07-07 | 2012-10-23 | Georgia Tech Research Corporation | Super sensitive UV detector using polymer functionalized nanobelts |
JP5506258B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2014-05-28 | キヤノン株式会社 | 整流素子 |
JP2010109326A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Ngk Insulators Ltd | 受光素子および受光素子の作製方法 |
US8304783B2 (en) * | 2009-06-03 | 2012-11-06 | Cree, Inc. | Schottky diodes including polysilicon having low barrier heights and methods of fabricating the same |
US8415692B2 (en) | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
TW201103150A (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-16 | Tekcore Co Ltd | Group III-nitride semiconductor Schottky diode and its fabrication method |
US8623451B2 (en) * | 2009-11-10 | 2014-01-07 | Georgia Tech Research Corporation | Large-scale lateral nanowire arrays nanogenerators |
US8558329B2 (en) | 2009-11-13 | 2013-10-15 | Georgia Tech Research Corporation | Piezo-phototronic sensor |
US8604461B2 (en) * | 2009-12-16 | 2013-12-10 | Cree, Inc. | Semiconductor device structures with modulated doping and related methods |
US8536615B1 (en) | 2009-12-16 | 2013-09-17 | Cree, Inc. | Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods |
CN101769941B (zh) * | 2010-01-27 | 2013-04-17 | 中国科学院上海技术物理研究所 | GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法 |
CN101807606B (zh) * | 2010-03-04 | 2011-05-25 | 吉林大学 | n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法 |
US8367462B2 (en) | 2010-04-21 | 2013-02-05 | Georgia Tech Research Corporation | Large-scale fabrication of vertically aligned ZnO nanowire arrays |
US8680751B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-03-25 | Georgia Tech Research Corporation | Hybrid nanogenerator for harvesting chemical and mechanical energy |
US8518736B2 (en) | 2010-12-29 | 2013-08-27 | Georgia Tech Research Corporation | Growth and transfer of monolithic horizontal nanowire superstructures onto flexible substrates |
CN102184971A (zh) * | 2011-04-02 | 2011-09-14 | 张家港意发功率半导体有限公司 | 沟槽型碳化硅肖特基功率器件 |
WO2012158914A1 (en) | 2011-05-17 | 2012-11-22 | Georgia Tech Research Corporation | Nanogenerator for self-powered system with wireless data transmission |
US9368710B2 (en) | 2011-05-17 | 2016-06-14 | Georgia Tech Research Corporation | Transparent flexible nanogenerator as self-powered sensor for transportation monitoring |
KR20130014849A (ko) * | 2011-08-01 | 2013-02-12 | 삼성전자주식회사 | 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법 |
CN104025345B (zh) | 2011-09-13 | 2017-05-03 | 佐治亚技术研究公司 | 自充电电源组 |
US8643134B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-02-04 | Avogy, Inc. | GaN-based Schottky barrier diode with field plate |
JP2013102081A (ja) | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Tamura Seisakusho Co Ltd | ショットキーバリアダイオード |
US8836071B2 (en) * | 2011-11-18 | 2014-09-16 | Avogy, Inc. | Gallium nitride-based schottky barrier diode with aluminum gallium nitride surface layer |
US8633094B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-01-21 | Power Integrations, Inc. | GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure |
US8940620B2 (en) | 2011-12-15 | 2015-01-27 | Power Integrations, Inc. | Composite wafer for fabrication of semiconductor devices |
US8946031B2 (en) * | 2012-01-18 | 2015-02-03 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating MOS device |
US9117935B2 (en) | 2012-06-22 | 2015-08-25 | Hrl Laboratories, Llc | Current aperture diode and method of fabricating same |
US8772786B2 (en) * | 2012-07-13 | 2014-07-08 | Raytheon Company | Gallium nitride devices having low ohmic contact resistance |
US9024395B2 (en) | 2012-09-07 | 2015-05-05 | Georgia Tech Research Corporation | Taxel-addressable matrix of vertical nanowire piezotronic transistors |
US9455399B2 (en) | 2012-09-12 | 2016-09-27 | Georgia Tech Research Corporation | Growth of antimony doped P-type zinc oxide nanowires for optoelectronics |
JP5677394B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2015-02-25 | 株式会社東芝 | パスゲート及び半導体記憶装置 |
US9911813B2 (en) | 2012-12-11 | 2018-03-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Reducing leakage current in semiconductor devices |
US8928037B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-01-06 | Power Integrations, Inc. | Heterostructure power transistor with AlSiN passivation layer |
FR3009129A1 (fr) * | 2013-07-26 | 2015-01-30 | St Microelectronics Tours Sas | Procede de fabrication d'un composant electronique au nitrure de gallium |
JP6143598B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2017-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP6269276B2 (ja) * | 2014-04-11 | 2018-01-31 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
US9899482B2 (en) * | 2015-08-11 | 2018-02-20 | Hrl Laboratories, Llc | Tunnel barrier schottky |
CN105321994B (zh) * | 2015-11-06 | 2018-08-17 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种氮化镓二极管及其制备方法 |
TWI726964B (zh) * | 2015-12-25 | 2021-05-11 | 日商出光興產股份有限公司 | 積層體 |
CN106024746B (zh) * | 2016-07-25 | 2018-08-17 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 | 一种适用于金属丝键合的trench肖特基芯片及其加工工艺 |
JP2018037585A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN106328718B (zh) * | 2016-11-04 | 2024-06-25 | 南京涟沫动漫文化传播有限公司 | 一种台面二极管 |
CN106784022A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-31 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 | Sbd器件及其制备方法 |
CN107195724B (zh) * | 2017-05-16 | 2019-01-11 | 江南大学 | 一种应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法 |
CN107481928A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-12-15 | 西安电子科技大学 | 基于非极性GaN体材料的肖特基二极管的制备方法 |
TW201911583A (zh) | 2017-07-26 | 2019-03-16 | 新唐科技股份有限公司 | 異質接面蕭特基二極體元件 |
CN108550622A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-09-18 | 扬州科讯威半导体有限公司 | 一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法 |
CN108767018B (zh) * | 2018-05-22 | 2022-01-25 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法 |
CN109786531B (zh) * | 2019-01-30 | 2020-04-03 | 吉林大学 | 一种基于极化诱导原理的AlGaN基隧穿结结构及其制备方法 |
CN110137267A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-08-16 | 上海科技大学 | 一种垂直型氮化镓肖特基二极管器件及其制备方法 |
CN110491932B (zh) * | 2019-07-23 | 2021-04-27 | 西安电子科技大学 | 氮化镓肖特基二极管及其制作方法 |
US11749758B1 (en) | 2019-11-05 | 2023-09-05 | Semiq Incorporated | Silicon carbide junction barrier schottky diode with wave-shaped regions |
US11469333B1 (en) | 2020-02-19 | 2022-10-11 | Semiq Incorporated | Counter-doped silicon carbide Schottky barrier diode |
CN113964181A (zh) * | 2021-09-07 | 2022-01-21 | 西安电子科技大学广州研究院 | 一种pn结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法 |
Family Cites Families (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4152044A (en) * | 1977-06-17 | 1979-05-01 | International Telephone And Telegraph Corporation | Galium aluminum arsenide graded index waveguide |
US4675575A (en) * | 1984-07-13 | 1987-06-23 | E & G Enterprises | Light-emitting diode assemblies and systems therefore |
FR2586844B1 (fr) | 1985-08-27 | 1988-04-29 | Sofrela Sa | Dispositif de signalisation utilisant des diodes electroluminescentes. |
JPH07120807B2 (ja) * | 1986-12-20 | 1995-12-20 | 富士通株式会社 | 定電流半導体装置 |
JPS63156367A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | レベル・シフト・ダイオ−ド |
JPS63288061A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Fujitsu Ltd | 半導体負性抵抗素子 |
US4866005A (en) | 1987-10-26 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide |
JPH02297965A (ja) | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US4946547A (en) | 1989-10-13 | 1990-08-07 | Cree Research, Inc. | Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth |
US5034783A (en) * | 1990-07-27 | 1991-07-23 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor device including cascadable polarization independent heterostructure |
US5200022A (en) | 1990-10-03 | 1993-04-06 | Cree Research, Inc. | Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product |
JPH04302173A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 薄膜ダイオード |
JP3068119B2 (ja) * | 1991-09-10 | 2000-07-24 | サンケン電気株式会社 | ショットキ障壁を有する半導体装置 |
JP3173117B2 (ja) * | 1992-03-30 | 2001-06-04 | 株式会社村田製作所 | ショットキーバリア半導体装置 |
US5241195A (en) * | 1992-08-13 | 1993-08-31 | North Carolina State University At Raleigh | Merged P-I-N/Schottky power rectifier having extended P-I-N junction |
DE4228895C2 (de) * | 1992-08-29 | 2002-09-19 | Bosch Gmbh Robert | Kraftfahrzeug-Beleuchtungseinrichtung mit mehreren Halbleiterlichtquellen |
BE1007865A3 (nl) * | 1993-12-10 | 1995-11-07 | Philips Electronics Nv | Tunnel schakelelement met verschillende blijvende schakeltoestanden. |
US5497840A (en) * | 1994-11-15 | 1996-03-12 | Bestline Liner Systems | Process for completing a well |
US5628917A (en) * | 1995-02-03 | 1997-05-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Masking process for fabricating ultra-high aspect ratio, wafer-free micro-opto-electromechanical structures |
US5670798A (en) | 1995-03-29 | 1997-09-23 | North Carolina State University | Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same |
US6388272B1 (en) | 1996-03-07 | 2002-05-14 | Caldus Semiconductor, Inc. | W/WC/TAC ohmic and rectifying contacts on SiC |
JP4022783B2 (ja) * | 1996-04-19 | 2007-12-19 | 富士通株式会社 | 酸化物電子装置 |
US5612567A (en) * | 1996-05-13 | 1997-03-18 | North Carolina State University | Schottky barrier rectifiers and methods of forming same |
TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
JPH10209569A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-08-07 | Hewlett Packard Co <Hp> | p型窒化物半導体装置とその製造方法 |
FR2759188B1 (fr) | 1997-01-31 | 1999-04-30 | Thery Hindrick | Dispositif de signalisation lumineuse, notamment pour regulation du trafic routier |
WO1998037584A1 (en) * | 1997-02-20 | 1998-08-27 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Solid state power-control device using group iii nitrides |
US5767534A (en) * | 1997-02-24 | 1998-06-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Passivation capping layer for ohmic contact in II-VI semiconductor light transducing device |
DE19723176C1 (de) | 1997-06-03 | 1998-08-27 | Daimler Benz Ag | Leistungshalbleiter-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6784463B2 (en) * | 1997-06-03 | 2004-08-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices |
US6362495B1 (en) * | 1998-03-05 | 2002-03-26 | Purdue Research Foundation | Dual-metal-trench silicon carbide Schottky pinch rectifier |
JP3817915B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2006-09-06 | 株式会社デンソー | ショットキーダイオード及びその製造方法 |
JP2000150920A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ショットキ接合型半導体ダイオード装置の製法 |
US6093952A (en) * | 1999-03-31 | 2000-07-25 | California Institute Of Technology | Higher power gallium nitride schottky rectifier |
US6389051B1 (en) * | 1999-04-09 | 2002-05-14 | Xerox Corporation | Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode |
GB9912583D0 (en) * | 1999-05-28 | 1999-07-28 | Arima Optoelectronics Corp | A light emitting diode having a two well system with asymmetric tunneling |
US6263823B1 (en) | 1999-06-25 | 2001-07-24 | Input/Output, Inc. | Connection system for connecting equipment to underwater cables |
US6252258B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-06-26 | Rockwell Science Center Llc | High power rectifier |
US6331944B1 (en) * | 2000-04-13 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Magnetic random access memory using a series tunnel element select mechanism |
CN1203557C (zh) * | 2000-05-29 | 2005-05-25 | 电灯专利信托有限公司 | 基于发光二极管的发射白光的照明设备 |
US6526082B1 (en) * | 2000-06-02 | 2003-02-25 | Lumileds Lighting U.S., Llc | P-contact for GaN-based semiconductors utilizing a reverse-biased tunnel junction |
US6330111B1 (en) * | 2000-06-13 | 2001-12-11 | Kenneth J. Myers, Edward Greenberg | Lighting elements including light emitting diodes, microprism sheet, reflector, and diffusing agent |
US6331915B1 (en) * | 2000-06-13 | 2001-12-18 | Kenneth J. Myers | Lighting element including light emitting diodes, microprism sheet, reflector, and diffusing agent |
US6737801B2 (en) | 2000-06-28 | 2004-05-18 | The Fox Group, Inc. | Integrated color LED chip |
JP3839236B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2006-11-01 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具 |
JP2002151928A (ja) | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Toshiba Corp | アンテナ、及びアンテナを内蔵する電子機器 |
AT410266B (de) | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
US6746889B1 (en) * | 2001-03-27 | 2004-06-08 | Emcore Corporation | Optoelectronic device with improved light extraction |
AU2002307008C1 (en) * | 2001-03-30 | 2008-10-30 | The Regents Of The University Of California | Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom |
US20030015708A1 (en) * | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Primit Parikh | Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation |
US6833564B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-12-21 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices |
WO2003044870A1 (fr) | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Mireille Georges | Dispositif optique d'eclairage a diodes electroluminescentes |
AU2002359628A1 (en) | 2001-12-06 | 2003-06-23 | Hrl Laboratories, Llc | High power-low noise microwave gan heterojunction field effet transistor |
US6878975B2 (en) * | 2002-02-08 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Polarization field enhanced tunnel structures |
EP1490453B1 (en) | 2002-03-25 | 2012-08-15 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Tri-color white light led lamp |
US7262434B2 (en) | 2002-03-28 | 2007-08-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with a silicon carbide substrate and ohmic metal layer |
GB0212011D0 (en) | 2002-05-24 | 2002-07-03 | Univ Heriot Watt | Process for fabricating a security device |
KR100495215B1 (ko) | 2002-12-27 | 2005-06-14 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 갈륨나이트라이드 발광다이오드 및 그 제조방법 |
JP4274843B2 (ja) | 2003-04-21 | 2009-06-10 | シャープ株式会社 | Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置 |
US7087936B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-08-08 | Cree, Inc. | Methods of forming light-emitting devices having an antireflective layer that has a graded index of refraction |
TWI291770B (en) | 2003-11-14 | 2007-12-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Surface light source device and light emitting diode |
US6932497B1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-08-23 | Jean-San Huang | Signal light and rear-view mirror arrangement |
US7102152B2 (en) | 2004-10-14 | 2006-09-05 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material |
KR100566700B1 (ko) | 2004-01-15 | 2006-04-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정에서 포토레지스트 패턴 형성 방법,포토레지스트 패턴 형성용 템플레이트 및 이의 제조 방법. |
US7170111B2 (en) | 2004-02-05 | 2007-01-30 | Cree, Inc. | Nitride heterojunction transistors having charge-transfer induced energy barriers and methods of fabricating the same |
EP1653255A3 (en) | 2004-10-29 | 2006-06-21 | Pentair Water Pool and Spa, Inc. | Selectable beam lens for underwater light |
US7194170B2 (en) * | 2004-11-04 | 2007-03-20 | Palo Alto Research Center Incorporated | Elastic microchannel collimating arrays and method of fabrication |
JP5140922B2 (ja) | 2005-01-17 | 2013-02-13 | オムロン株式会社 | 発光光源及び発光光源アレイ |
TWI255566B (en) | 2005-03-04 | 2006-05-21 | Jemitek Electronics Corp | Led |
KR20080042798A (ko) | 2005-06-27 | 2008-05-15 | 라미나 라이팅, 인크. | 발광 다이오드 패키지 및 제작방법 |
JP2008545279A (ja) | 2005-07-05 | 2008-12-11 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | サージ能力が向上されたショットキーダイオード |
US7214626B2 (en) * | 2005-08-24 | 2007-05-08 | United Microelectronics Corp. | Etching process for decreasing mask defect |
WO2007121486A2 (en) | 2006-04-18 | 2007-10-25 | Lamina Lighting, Inc. | Optical devices for controlled color mixing |
US7820075B2 (en) | 2006-08-10 | 2010-10-26 | Intematix Corporation | Phosphor composition with self-adjusting chromaticity |
-
2001
- 2001-07-23 US US09/911,155 patent/US20030015708A1/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-06-06 US US10/163,944 patent/US6949774B2/en not_active Expired - Lifetime
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- 2002-07-08 CA CA2454310A patent/CA2454310C/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-08 JP JP2003529535A patent/JP4874518B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-08 CN CNB028179129A patent/CN100373634C/zh not_active Expired - Lifetime
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- 2002-07-08 EP EP02798906A patent/EP1410445B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 2002-07-08 KR KR1020047001033A patent/KR100917699B1/ko active IP Right Grant
- 2002-07-23 TW TW091116362A patent/TW564486B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-05-20 US US10/445,130 patent/US7476956B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-06-30 US US11/173,035 patent/US7994512B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-10 JP JP2008264568A patent/JP5032436B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140096018A (ko) * | 2011-06-30 | 2014-08-04 | 소이텍 | 실리콘 또는 유사 기판 위에 갈륨 질화물의 두꺼운 에피택셜 층을 제조하는 방법 및 상기 방법을 이용하여 얻어진 층 |
KR20200121538A (ko) * | 2019-04-16 | 2020-10-26 | 한국전자통신연구원 | 쇼트키 장벽 다이오드 및 그의 제조 방법 |
US11201250B2 (en) | 2019-04-16 | 2021-12-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Schottky barrier diode and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US7476956B2 (en) | 2009-01-13 |
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CN101127368A (zh) | 2008-02-20 |
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WO2003026021A2 (en) | 2003-03-27 |
TW564486B (en) | 2003-12-01 |
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