KR20030086900A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20030086900A
KR20030086900A KR10-2003-0026550A KR20030026550A KR20030086900A KR 20030086900 A KR20030086900 A KR 20030086900A KR 20030026550 A KR20030026550 A KR 20030026550A KR 20030086900 A KR20030086900 A KR 20030086900A
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요시테루 후쿠토미
켄지 수기모토
타카시 이토
타케오 오카모토
유키히코 이나가키
카츠시 요시오카
츠요시 미츠하시
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다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
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Abstract

효율(Throughput)을 향상할 수 있는 기판처리장치가 개시되어 있다.
본 발명에 관한 기판처리장치는, 약액처리부와 열처리부와 단일한 주 반송기구를 포함하여 각각이 구성되어 있는 반사방지막용 처리블록과 레지스트막용 처리블록과 현상처리블록을 병설(竝設)하고 있다. 각 블록에는 블록내의 기판반송을 행하는 주 반송기구를 구비하고 있다. 각 블록 간(間) 기판의 수수(授受)는 기판설치부를 개재하여 행하므로 각 블록의 주 반송기구는 인접하는 블록의 주 반송기구의 움직임에 영향을 주지 않는다. 그 결과, 기판반송을 효율좋게 행할 수 있어, 기판처리장치의 효율이 향상되는 것이다.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은, 반도체기판, 액정표시기의 유리기판, 포토마스크(Photomasks)용의 유리기판, 광 디스크용 기판 등의 기판(이하, 단순히 「기판」이라고 칭한다)에, 일련의 처리를 실시하는 기판처리장치에 관한 것이다.
종래, 이와 같은 기판처리장치는, 예를 들면, 포토레지스트(Photoresist) 막을 기판에 도포형성하고, 포토레지스트막이 도포된 그 기판에 대하여 노광처리를 하고, 다시 노광처리 후의 기판을 현상하는 포토리소그라피(Photolithography) 공정에 사용되고 있다.
이것을 도 1의 평면도에 나타내고, 이하에 설명한다. 본 기판처리장치는, 미처리한 복수매(예를 들면 25매)의 기판(W) 또는 후술하는 처리부(104)에서의 처리가 완료된 기판(W)이 수납되는 카세트(C)가 복수개 설치되는 카세트 설치대(101)와, 각 카세트(C)의 앞을 수평이동하고, 각 카세트(C)와 후술하는 처리부(104) 간에 기판(W)의 수수를 하는 반송기구(108a)를 구비한 인덱서(103)와, 복수개의 처리부(104)와 복수개의 처리부(104) 사이에서 기판(W)을 반송하는 경로인 기판 주 반송경로(105)와, 처리부(104) 및 외부처리장치(107) 사이에서 기판(W)의 수수를 중계하는 인터페이스(106)로 구성되어 있다.
외부처리장치(107)는, 기판처리장치와는 별체의 장치이고, 기판처리장치의인터페이스(106)에 대하여 탈착가능하게 구성되어 있다. 기판처리장치가, 상술한 레지스트 도포 및 현상처리를 하는 장치인 경우, 상기 외부처리장치(107)는, 기판(W)의 노광처리를 하는 노광장치로 된다.
또한, 기판 주 반송경로(105) 위를 반송하는 주 반송기구(108b)와, 인터페이스(106)의 반송경로 위를 반송하는 반송기구(108c)가 각각 설치되어 있다. 그 외에, 인덱서(103)와 기판 주 반송경로(105)의 연결부에는 설치대 109a, 기판 주 반송경로(105)와 인터페이스(106)의 연결부에는 설치대 109b가 각각 설치되어 있다.
상술한 기판처리장치에 있어서, 이하의 순서로 기판처리가 행해진다. 미처리한 기판(W)을 수납한 카세트(C)에서 1매의 기판을 반송기구(108a)가 꺼내져, 주 반송기구(108b)에 기판(W)을 넘겨주기 위하여, 설치대 109a 까지 반송한다. 주 반송기구(108b)는, 설치대 109a에 설치된 기판(W)을 수취한 후, 각 처리부(104) 내에서 소정처리(예를 들면, 레지스트 도포 등의 처리)를 각각 행하기 위하여 그들의 처리부(104)에 기판(W)을 각각 반입한다. 소정의 각 처리가 각각 종료하면, 주 반송기구(108b)는 그들 처리부(104)로부터 기판(W)을 각각 반출하고, 다음의 처리를 하기 위한 다른 처리부(104)(예를 들면, 열처리)에 기판(W)을 반입한다.
이와 같이 노광전의 일련의 처리가 종료하면 주 반송기구(108b)는, 처리부(104)에서 처리된 기판(W)을 설치대(109b)까지 반송한다. 반송기구(108c)에 기판(W)을 넘기기 위하여, 상술한 설치대(109b)에 기판(W)을 설치한다. 반송기구(108c)는, 설치대(109b)에 설치된 기판(W)을 수취한 후, 외부처리장치(107)까지 반송한다. 외부처리장치(107)에 반입하여, 소정의 처리(예를 들면, 노광처리 등의 처리)가 종료하면, 반송기구(108c)는, 외부처리장치(107)로부터 기판(W)을 반출하고, 설치대(109b)까지 반송한다. 그 후는, 주 반송기구(108b)에 의해 각 처리부(104)에 기판이 반송되고, 노광후 일련의 가열처리 , 냉각처리, 현상처리가 행하여져 모든 처리를 완료한 기판은 반송기구(108a)를 통하여 소정의 카세트(C)에 반입된다. 그리고, 카세트 설치대(101)로부터 불출되어, 일련의 기판처리가 종료한다.
그러나, 이와 같은 구성을 가지는 종래예의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 종래의 기판처리장치는, 기판 주 반송경로(105)에 따라서 주행하는 1대의 주 반송기구(108b)가 모든 처리부(104)에 대하여 기판(W)을 수수하므로, 주 반송기구(108b)의 동작속도의 관계로부터, 단시간 사이에 많은 처리부(104)에 대하여 억세스(Access)할 수 없다. 그 때문에 종래의 기판처리장치는, 최근의 효율(Throughput)향상의 요청에 부응할 수 없다고 하는 문제점이 있다.
본 발명은, 이와 같은 점을 고려하여 이루어진 것으로, 효율을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 하고 있다.
도 1은, 종래의 기판처리장치의 개략구성을 나타내는 평면도;
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 관한 기판처리장치의 개략구성을 나타내는 평면도;
도 3은, 실시예 장치의 개략구성을 나타내는 정면도;
도 4는, 열처리부의 정면도;
도 5는, 격벽에 설치된 기판설치부의 주변구성을 나타내는 파단 정면도;
도 6은, 인터페이스 블록의 개략구성을 나타내는 측면도;
도 7A는, 주 반송기구의 개략구성을 나타내는 평면도;
도 7B는, 주 반송기구의 개략구성을 나타내는 정면도;
도 8A는, 기판 가설치부 구비의 가열부 파단 측면도;
도 8B는, 기판 가설치부 구비의 가열부 파단 평면도;
도 9A는, 실시예 장치의 블록배치를 나타낸 평면도;
도 9B는, 실시예 장치의 셀(Cell) 배치를 나타낸 평면도:
도 10A는, 실시예 장치의 제어계를 나타낸 블록도;
도 10B는, 비교를 위하여 나타낸 종래장치의 제어계의 블록도;
도 11은, 제 1 ∼ 제 4의 주 반송기구에 의한 기판반송의 흐름을 나타낸 도이다.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 가진다.
즉, 본 발명은, 기판에 대하여 일련의 약액처리와 열처리를 하는 기판처리장치에 있어서, 약액처리를 하는 약액처리부와, 상기 약액처리에 관련한 열처리를 하는 열처리부와, 상기 약액처리부 및 상기 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 단일한 주 반송기구를 포함하여 단일한 처리블록을 구성하고, 다른 약액처리 마다 구성된 복수개의 처리블록을 병설(竝設)하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 의하면, 기판에 대한 일련의 약액처리와 열처리가 병설된 복수개의 처리블록에서 차례로 행하여진다. 각 처리블록에서는, 각각의 주 반송기구가 약액처리부 및 열처리부에 대하여 기판의 수수를 병행하여 행한다. 요컨대, 각 처리블록의 주 반송기구가 동시 병행적(竝行的)으로 작동하는 것에 의해, 각 처리부에 대한 기판 수수의 속도가 등가적(等價的)으로 향상하므로, 기판처리장치의 효율을 향상 시킬 수 있다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 주 반송기구를 사용하여 기판을 특정위치로부터 다른 위치로 반송하는 공정을 1 반송공정으로 한 경우에, 상기 각 처리블록의 주 반송기구는, 대략 동수(同數)의 반송공정을 부담하는 것이 바람직하다.
복수개의 반송기구를 사용하여 일련의 기판처리를 차례로 진행하는 경우, 특정한 반송기구의 반송부담이 많게 되어, 소정매수 이상의 기판을 단위시간 당 처리할 수 없게 되면, 다른 반송기구에 여유가 있어도, 기판처리장치 전체로서는, 그것 이상의 처리효율의 향상을 바랄 수 없다. 본 발명에 의하면, 각 처리블록의 주 반송기구가 대략 동수의 반송공정을 부담하므로, 특정한 주 반송기구만이 빠르게 반송처리의 한계에 빠지는 것을 회피할 수 있고, 결과적으로, 기판처리장치의 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 기판처리장치에 있어서, 상기 각 처리블록의 주 반송기구는, 바람직하게는, 기판의 수수를 하기 위하여 기판을 설치하는 기판 설치부를 개재하여, 서로 기판의 수수를 한다. 이와 같이하면, 어떤 처리블록의 주 반송기구는, 그 처리블록에서의 처리가 끝난 기판을 기판 설치부에 두는 것 만으로, 다음 처리로 진행할 수 있다. 요컨대, 인접하는 처리블록의 주 반송기구의 동작상태에 관계없이, 처리를 진행시킬 수 있으므로, 기판처리장치의 효율을 한층 향상시킬 수 있다.
상기 기판 설치부는, 바람직하게는, 어떤 처리블록으로부터 기판을 불출하기 위한 불출용 기판 설치부와, 어떤 처리블록으로 기판을 되돌리기 위한 복귀용 기판 설치부와의 적어도 2개의 기판 설치부로 구성된다. 이와 같이 구성하면, 2개의 기판 설치부를 사용하고, 어떤 처리블록으로부터의 기판의 불출(반출)과, 어떤 처리블록으로의 기판의 복귀(반입)를 대략 동시에 행할 수 있으므로, 기판처리장치의 효율을 한층 향상시킬 수 있다.
더욱이, 상기 불출용 기판 설치부와 복귀용 기판 설치부는, 상하로 근접하여 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 단일의 주 반송기구를 사용하여 기판을 반입 ·반출할 때의 주 반송기구의 이동거리가 짧게 되므로, 기판처리장치의 효율을 한층 향상시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기판 설치부를 설치하는 위치는 특별히 한정되지 않으나, 처리블록 사이에 분위기 차단을 위하여 격벽이 설치되어 있는 경우에는, 기판 설치부는 상기 격벽을 부분적으로 관통하여 설치되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 인접하는 처리블록 사이 분위기의 상호영향을 최소한으로 하고, 처리블록 사이의 기판의 수수를 원활하게 행할 수 있다.
상기 기판 설치부에, 기판의 유무를 검출하는 센서를 설치하는 것이 바람직하다. 센서의 검출신호에 기초하여, 주 반송기구가 기판 설치부에 대하여 기판을 수수할 수 있는지 없는지를 판단할 수 있으므로, 같은 기판 설치부에 겹쳐 기판을 설치하는 등의 문제를 방지할 수 있음과 동시에, 주 반송기구에 의한 소위 「헛 집기」등의 쓸데 없는 동작을 없앨 수도 있다.
처리블록 내에 있어서 약액처리부, 열처리부, 및 주 반송기구의 레이아웃은 임의이나, 바람직하게는, 주 반송기구를 끼워서 약액처리부와 열처리부가 대향하게 배치된다. 이와 같이 배치하면, 약액처리부와 열처리부가 간격이 떨어지므로, 약액처리부가 열처리부로부터 받는 열적영향을 억제할 수 있다.
본 발명에 있어서, 바람직하게는, 상기 약액처리부가 복수개 있고, 이들이 상하로 적층배치되어 있으며, 또한, 상기 열처리부가 복수개 있고, 이들이 상하로 적층 배치되어있다. 이와 같이 약액처리부와 열처리부를 다단으로 구성하면, 기판처리장치의 점유 스페이스를 작게할 수 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 열처리부는, 상하로 적층배치된 것이 복수열에 걸쳐 병설된다. 이와 같이 구성하면, 열처리부의 유지관리가 용이하며, 또한 열처리부에 필요한 더스트(Dust) 배관이나 급전(給電) 설비를 너무 높은 위치에 까지 길게할 필요가 없게 된다.
본 발명에 있어서, 열처리부의 구성은 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는, 열처리부는 기판을 설치하여 가열처리를 하는 가열 플레이트와, 상기 가열 플레이트로부터 떨어진 위쪽 위치 또는 아래쪽 위치에 기판을 설치해 두고 기판 가설치부와, 상기 가열 플레이트와 기판 가설치부의 사이에서 기판을 반송하는 열처리부용의 로컬(Local) 반송기구를 구비한 기판 가설치부 구비의 열처리부로 구성된다. 이와 같은 기판 가설치부 구비의 열처리부에 의하면, 주 반송기구의 동작에 무관하게 열처리된 기판을 가열 플레이트로부터 기판 가 설치부에 이동하여 대기 시켜 둘 수 있으므로, 주 반송기구가 다른 동작을 하고 있었기 때문에, 또는 고장 때문에, 기판이 과도하게 가열된다고 하는 사태를 방지할 수 있다. 또한, 열처리부 전부가, 기판 가 설치부 구비의 열처리부일 필요는 없고, 과도한 과열을 방지할 필요성이 높은 열처리부에 사용되면 좋다.
상기 기판 가 설치부 구비 열처리부의 로컬 반송기구는, 바람직하게는, 상기 가열 플레이트로부터 기판 가 설치부로 기판을 반송하는 과정에서 기판을 냉각하는 냉각수단을 구비한다. 이와 같이 구성하면, 가열 플레이트로부터 들어올려진 기판이 즉석에서 냉각된다. 바꾸어 말하면, 반송 도중에 여열(余熱)로 뜨거워 지는 경우가 없으므로, 기판의 가열시간을 엄밀히 컨트롤 할 수 있어, 기판처리 품질을 향상할 수 있다.
또한, 상기 주 반송기구는, 상기 기판 가 설치부에 대하여 기판의 수수를 하는 것이 바람직하다. 주 반송기구가 열처리부의 가열 플레이트에 접근하면, 주 반송기구의 온도가 상승하고, 주 반송기구에 의해 반송되는 기판에 열적 악영향을 주는 경우가 있다. 이에 대하여, 주 반송기구가 기판 가 설치부에 대하여 기판의 수수를 하도록 구성하면, 주 반송기구의 온도상승을 방지할 수 있고, 기판처리의 품질을 한층 향상할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 기판 가 설치부 구비 열처리부의 적어도 가열 플레이트는 상자로 덮여져 있고, 상기 상자 내의 가열 플레이트에 대하여 상기 로컬 반송기구가 기판을 수수하기 위하여 상기 상자에 설치된 개구부는, 상기 주 반송기구가 배치된 쪽과는 반대쪽에 위치하고 있다. 이와 같이하면 개구부로부터 새어나온 열분위기가 주 반송기구에 미치는 영향이 적게 되므로, 주 반송기구의 온도상승을 한층 경감할 수 있다.
또한 본 발명은, 기판에 대하여 일련의 약액처리와 열처리를 하는 기판처리 장치에 있어서,
기판을 다단으로 수용하는 복수개의 카세트를 설치하는 카세트 설치대와, 각 카세트로부터 미처리 기판을 차례로 꺼냄과 동시에, 각 카세트로 처리가 끝난 기판을 차례로 수납하는 인덱서용 반송기구를 구비한 인덱서 블록과,
기판표면에 반사방지막을 도포형성하는 반사방지막용 도포처리부와, 반사방지막의 도포형성에 관련하여 기판을 열처리하는 반사방지막용 열처리부와, 상기 반사방지막용 도포처리부 및 반사방지막용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 1의 주 반송기구를 구비하고, 상기 인덱서 블록에 인접하여 설치되는 반사방지막용 처리블록과,
반사방지막이 도포형성된 기판에 포토레지스트막을 도포형성하는 레지스트막용 도포처리부와, 포토레지스트막의 도포형성에 관련하여 기판을 열처리하는 레지스트막용 열처리부와, 상기 레지스트막용 도포처리부 및 레지스트막용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 2의 주 반송기구를 구비하고, 상기 반사방지막용 처리블록에 인접하여 설치되는 레지스트막 처리블록과,
포토레지스트막이 도포형성되고, 또한 노광(露光)된 기판에 현상처리를 하는 현상처리부와, 현상처리에 관련하여 기판을 열처리하는 현상용 열처리부와, 상기 현상 처리부 및 현상용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 3의 주 반송기구를 구비하고, 상기 레지스트막용 처리블록에 인접하여 설치되는 현상처리블록과,
상기 현상처리블록에 인접하여 설치되며, 본 기판 처리장치와는 별체(別體)의 외부장치인 노광장치에 대하여 기판의 수수를 하는 인터페이스용 반송기구를 구비한 인터페이스 블록을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 인덱서 블록(Indexer block)으로부터 꺼내진 미처리의 기판이 반사방지막용 처리블록에 넘겨져, 상기 처리블록에서 기판위에 반사방지막이 도포형성된다. 반사방지막이 도포형성된 기판은, 레지스트막용 처리블록에 넘겨져, 상기 처리블록에서 포토레지스트막이 도포형성된다. 포토레지스트막이 도포형성된 기판은, 현상처리블록을 그냥 지나쳐서 인터페이스 블록(Interface block)에 넘겨진다. 인터페이스 블록은, 상기 기판을 외부장치인 노광장치로 넘긴다. 노광처리된 기판은, 인터페이스 블록을 개재하여, 현상처리블록에 넘겨지고, 상기 처리블록에서 현상 처리된다. 현상처리된 기판은, 레지스트막용 처리블록과 반사방지막용 처리블록을 지나쳐서 인덱서 블록으로 되돌아온다. 인덱서 블록은, 처리가 끝난 기판을 카세트에 수납한다. 각 처리블록에서는, 각각의 주 반송기구가 각각의 약액처리부(반사방지막용 도포처리부, 레지스트막용 도포처리부, 현상처리부) 및 열처리부에 대하여 기판의 수수를 병행(竝行)하여 행한다. 요컨대, 각 처리블록의 주 반송기구가 동시 병행적으로 작동하는 것에 의해, 각 처리부에 대한 기판 수수의 속도가 등가적으로 향상하므로, 기판처리장치의 효율을 향상시킬 수 있다.
상기의 기판처리장치에 있어서, 적어도 상기 인덱서 블록과 상기 반사방지막용 처리블록의 사이는, 기판 수수용의 개구부위를 제외하고 격벽으로 구획되며, 또한, 반사방지막용 처리블록 내의 기압이 인덱서 블록 내의 기압보다도 높게 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성하면, 인덱서 블록 내의 분위기가 반사방지막용 처리블록에 유입하지 않으므로, 외부 분위기의 영향을 받지 않고 처리할 수 있으며, 처리의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기의 기판처리장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 현상처리블록의 열처리부는, 기판을 설치하고 가열처리를 하는 가열 플레이트와, 상기 가열 플레이트로부터 떨어진 상방위치 또는 하방위치에 기판을 설치하여 두는 기판 가 설치부와, 상기 가열 플레이트와 기판 가 설치부의 사이에서 기판을 반송하는 열처리부 용의 로컬 반송기구를 구비한 기판 가 설치부 구비의 열처리부를 포함하고, 상기 인터페이스 블록은 또한, 포토 레지스트가 도포된 기판의 원주 테두리부를 노광하는 엣지 노광부와, 상기 기판 가 설치부 구비의 열처리부 및 상기 엣지 노광부에 대하여 기판을 수수하는 제 4의 주 반송기구를 구비한다. 상기 구성에 의하면, 포토레지스트막이 도포형성된 기판은, 현상처리블록을 지나쳐서 인터페이스 블록 제 4의 주 반송기구에 수수되어, 엣지 노광부에 반입된다. 엣지 노광된 기판은, 인터페이스 블록의 인터페이스용 반송기구에 의해 외부장치인 노광장치에 넘겨진다. 노광된 기판은 인터페이스 반송기구용 반송기구로부터 제 4의 주 반송기구에 수수되고, 기판 가 설치부 구비의 열처리부에 반입된다. 열처리된 기판은 현상처리블록으로 넘겨져 현상처리된다. 노광된 기판을 기판 가 설치부 구비의 열처리부에 반입하기 위한 반송을, 현상처리블록의 제 3의 주 반송기구에 의존하지 않고, 독립된 제 4의 주 반송기구로 행하고 있으므로, 만약 현상처리블록에 이상이 생겨서 제 3의 주 반송기구가 정지하여도, 노광후의 가열을 확실하게 행할 수 있다, 포토레지스트로서 화학 증폭형 포토레지스트를 사용한 경우, 노광후의 가열을 신속하게 행할 필요가 있으므로, 이 점에서 본 발명은 알맞다.
상기의 경우, 상기 열처리용의 로컬 반송기구가, 상기 가열 플레이트로부터기판 가 설치부로 기판을 반송하는 과정에서 기판을 냉각하는 냉각수단을 구비하면, 노광후의 가열시간을 한층 엄밀하게 컨트롤 할 수 있으므로 바람직하다.
본 발명의 기판처리장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 인덱서 블록의 인덱서용 반송기구와 상기 반사방지막용 처리블록의 제 1의 주 반송기구와는, 기판의 수수를 하기 위하여 기판을 설치하는 기판설치부를 개재하여, 서로 기판의 수수를 하고, 마찬가지로, 상기 제 1의 주 반송기구와 상기 레지스트막 처리블록 제 2의 주 반송기구, 상기 제 2의 주 반송기구와 상기 현상처리블록의 제 3의 주 반송기구와 상기 제 4의 주 반송기구, 및 상기 제 4의 주 반송기구와 상기 인터페이스 블록의 인터페이스용 반송기구의 각각은, 기판의 수수를 하기 위하여 기판을 설치하는 기판 설치부를 개재하여, 서로 기판의 수수를 한다. 이와 같이 하면, 각 처리블록의 주 반송기구는, 그 처리블록에서의 처리가 끝난 기판을 기판 처리부에 두는 것 만으로, 다음 처리로 나아갈 수 있으므로, 기판처리장치의 효율을 한층 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 기판처리장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 인터페이스 블록은, 노광기가 기판의 받아들일 수 없을 때, 노광 처리전의 기판을 수납하는 이송용 버퍼(Buffer)와, 노광 처리후의 기판을 처리할 수 없을 때, 현상처리전의 기판을 수납하는 복귀 버퍼를 구비하고, 상기 인터페이스용 반송기구는, 노광기가 기판을 받아들일 수 없을 때 노광 처리전의 기판을 상기 이송용 버퍼에 수납하고, 상기 제 4의 주 반송기구는, 노광 처리후의 기판을 현상처리할 수 없을 때에 현상처리전의 기판을, 상기 현상처리블록의 기판 가 설치부 구비의 열처리부에서 열처리한 후에, 상기 복귀 버퍼에 수납한다. 상기 구성에 의하면, 현상처리블록 등에 이상이 생겨서 기판의 현상처리를 할 수 없는 경우에, 노광후 가열처리를 한 후에 복귀 버퍼에 수납하므로, 노광된 기판이 열처리를 받지 않고 장시간 방치되는 경우가 없다. 이것은 노광후의 가열을 신속하게 행할 필요가 있는 화학 증폭형 포토레지스트를 사용한 경우에 알맞다.
또한, 본 발명은, 기판에 소요의 처리를 하는 처리부와, 상기 처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 단일의 주 반송기구를 포함하여 단일의 피(被) 제어 유닛을 구성하고, 상기 피 제어 유닛을 병설하여 구성되는 기판처리장치에 있어서, 상기 각 피 제어 유닛의 주 반송기구는, 기판의 수수를 하기 위하여 기판을 설치하는 기판 설치부를 개재하여, 서로 기판의 수수를 하며, 또한, 상기 각 피 제어 유닛의 주 반송기구의 기판 수수 동작을 적어도 제어하는 제어수단을 각 피 제어 유닛마다 구비하고, 각 피 제어 유닛의 제어수단은, 상기 처리부에 대한 기판의 수수 및 상기 기판 설치부에 대한 기판의 수수를 포함하는 일련의 제어를, 각각 독립하여 행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 제어면으로부터도 기판처리장치의 효율을 향상하는 것을 의도하고 있다. 본 발명의 제어방식은 소위 분산제어이다. 그 때문에, 피 제어 유닛 사이의 기판의 수수를, 기판 설치부를 개재하여 설치하도록 하고 있다. 이에 따라, 각 피 제어 유닛의 제어수단은, 소정의 기판 설치부에 두어진 기판을 받아들이는 것으로부터 시작하여, 소정의 기판 설치부에 기판을 두는 것에 의해서 완결하는 일련의 제어를 하는 것 만으로 좋다. 요컨대, 인접하는 피 제어 유닛의 주 반송기구의 움직임을 고려할 필요가 없다. 따라서, 각 피 제어 유닛의 제어수단의 부담이 적게 되고, 기판처리장치의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 피 제어 유닛의 증감을 비교적 간단하게 할 수도 있다. 이에 대하여, 종래의 기판처리는. 기판 반송기구나 각 처리부를 집중 제어하고 있는 관계에서, 기판 반송기구나 각 처리부 동작순서의 결정작업(Scheduling)이 복잡하며, 그것이 효율향상을 방해하는 하나의 요인으로 되어 있다.
본 발명에 관한 기판처리장치의 구체예로서는,
기판을 다단으로 수용하는 복수개의 카세트를 설치하는 카세트 설치대와, 각 카세트로부터 미처리된 기판을 차례로 꺼냄과 동시에, 각 카세트로 처리가 끝난 기판을 차례로 수납하는 인덱서용 반송기구를 구비한 인덱서 블록이 인덱서용 피 제어 유닛을 구성하고,
마찬가지로, 기판표면에 반사방지막을 도포형성하는 반사방지막용 도포처리부와, 반사방지막의 도포형성에 관련하여 기판을 열처리하는 반사방지막용 열처리부와 , 상기 반사방지막용 도포처리부 및 반사방지막용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 1의 주 반송기구를 구비한 반사방지막용 처리블록이 반사방지막용의 제어유닛을 구성하고,
반사방지막이 도포형성된 기판에 포토레지스트막을 도포형성하는 레지스트막용 도포처리부와, 포토레지스트막의 도포형성에 관련하여 기판을 열처리하는 레지스트막용 열처리부와, 상기 레지스트막용 도포처리부 및 레지스트막용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 2의 주 반송기구를 구비한 레지스트막용 처리블록이 레지스트막용의 피 제어 유닛을 구성하고,
포토레지스트막이 도포형성되고, 다시 노광된 기판에 현상처리를 하는 현상처리부와, 현상처리에 관련하여 기판을 열처리하는 현상용 열처리부와, 상기 현상처리부 및 현상용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 3의 주 반송기구를 구비한 현상처리블록이 현상용의 피 제어 유닛을 구성하고,
노광된 기판을 현상전에 가열처리하는 노광후 가열용의 열처리부와, 상기 노광후 가열용의 열처리부에 대하여 기판을 수수하는 제 4의 주 반송기구를 포함하여 노광후 가열용의 피 제어 유닛을 구성하여,
본 기판처리장치와는 별체의 외부장치인 노광장치에 대하여 기판의 수수를 하는 인터페이스용 반송기구를 포함하여 인터페이스용의 피 제어 유닛을 구성한다.
상기의 발명에 의하면, 기판처리장치의 효율이 향상할 뿐만 아니라, 다음 효과를 발휘한다. 즉, 노광후 가열용의 열처리부와 제 4의 주 반송기구를 포함하여하나의 피 제어 유닛을 구성하고 있으므로, 노광된 기판을 신속하게 열처리부에 반입하여 열처리를 할 수 있다. 이것은 노광후의 가열을 신속하게 할 필요가 있는 화학 증폭형 포토레지스트를 사용한 경우에 알맞다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 피 제어 유닛의 증감을 비교적 행할 수 있다. 예를 들면, 기판을 검사하는 기판 검사부와, 상기 기판 검사부에 대하여 기판을 수수하는 기판 검사용의 주 반송기구를 포함하여 구성되는 기판 검사용의 피 제어 유닛을 또 다시 구비한 기판처리장치로서도 좋다. 상기 구성에 의하면, 기판 검사용의 피 제어 유닛이 완결된 제어의 것으로, 고유의 기판 검사용 주 반송기구를 사용하여 기판의 검사를 진전시키므로, 기판처리장치의 효율을 거의 저하시키는 경우 없이, 기판의 검사를 할 수 있다.
또한, 본 발명은, 약액처리를 하는 약액처리부와, 상기 약액처리에 관련한 열처리를 하는 열처리부와, 상기 약액처리부 및 상기 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 단일한 주 반송기구를 포함하여 단일한 피 제어 유닛을 구성하고, 다른 약액처리 마다 구성된 복수개의 피 제어 유닛을 병설하고 있는 기판처리장치이고, 상기 주 반송기구를 사용하여 기판을 특정한 위치로부터 다른 위치로 반송하는 공정을 1 반송공정으로 한 경우에, 상기 각 피 제어 유닛의 주 반송기구는, 대략 동수의 반송공정을 부담하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 각 피 제어 유닛의 주 반송기구가 대략 동수의 반송공정을 부담하므로, 특정의 주 반송기구 만이 빨리 반송처리의 한계에 빠져드는 것을 회피할 수 있어, 결과적으로, 기판처리장치의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 각 피 제어 유닛(또는, 상술한 각 처리블록)의 주 반송기구는, 완전히 동수(同數)의 반송공정을 부담할 필요는 없다. 기판처리장치의 효율을 향상시킬수 있는 정도로, 주요한 피 제어 유닛의 주 반송기구의 반송부담이 균등화 되어 있으면 좋다. 현실적으로는, 각 주 반송기구가 부담하는 반송공정수의 편차는, 2 반송공정 이내가 바람직하다. 또한, 특정한 피 제어 유닛에 있어서 처리시간을 엄밀하게 관리할 필요가 있는 경우나, 상기 피 제어 유닛에 옵션으로서 다른 처리부가 추가되는 경우가 예상되는 경우에는, 그 피 제어 유닛의 주 반송기구의 반송부담에 여유를 가지게 하는 의미로, 그 반송부담을 다른 피 제어 유닛에 비하여 고의로 낮게 설정해도 좋다.
[실시예]
이하, 본 발명의 알맞은 실시예를 도면에 기초하여 상세히 설명한다.
도 2는 실시예에 관한 기판처리장치의 평면도, 도 3은 그 정면도, 도 4는 열처리부의 정면도이다.
여기서는, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히「기판」이라고 한다)에, 반사방지막이나 포토레지스트막을 도포 형성함과 동시에, 노광된 기판에 현상처리 등의 약액처리를 하는 기판처리장치를 예로 취하여 설명한다. 물론, 본 발명에 관한 기판처리장치가 취급할 수 있는 기판은, 반도체 웨이퍼에 한정하지 않고, 액정표시기 용의 유리기판 등 여러종류의 기판을 포함한다. 또한, 약액처리는, 포토레지스트막 등의 도포형성처리나 현상처리에 한정하지 않고, 여러종류의 약액처리를 포함한다.
도 2를 참조한다. 본 실시예에 관한 기판처리장치는 크게 나누어서, 인덱서 블록(Indexer Block,1)과, 기판에 대하여 소요의 약액처리를 하는 3개의 처리블록(구체적으로는 반사방지막용 처리블록(2), 레지스트막용 처리블록(3), 및 현상처리블록(4))과, 인터페이스 블록(5)으로 이루어지며, 이들의 블록을 병설하여 구성하고 있다. 인터페이스 블록(5)에는, 본 실시예에 관한 기판처리장치와는 별체의 외부장치인 노광장치(Stepper:스텝퍼:STP)가 병설되어 있다. 이하, 각 블록의 구성을 설명한다.
먼저, 인덱서 블록(1)에 대하여 설명한다. 인덱서 블록(1)은, 기판(W)을 다단으로 수납하는 카세트(C)로부터의 기판의 꺼냄이나, 카세트(C)로의 기판(W)의 수납을 하는 기구이다. 구체적으로는, 복수개의 카세트(C)를 나열하여 설치하는 카세트 설치대(6)와, 각 카세트(C)로부터 미처리의 기판(W)을 차례로 꺼냄과 동시에, 각 카세트(C)로 처리가 끝난 기판(W)을 차례로 수납하는 인덱서용 반송기구(7)를 구비하고 있다. 인덱서용 반송기구(7)는, 카세트 설치대(6)에 따라서(Y 방향으로) 수평이동 가능한 가동대(7a)를 구비하고 있다. 상기 가동대(7a)에 기판(W)을 수평자세로 유지하는 지지암(7b)이 탑재되어 있다. 지지암(7b)은, 가동대(7a) 위를 승강(Z방향)이동, 수평면 내의 선회(旋回)이동, 및 선회반경 방향으로 진퇴이동 가능하게 구성되어 있다.
상술한 인덱서 블록(1)에 인접하여 반사방지막 처리블록(2)이 설치되어 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 인덱서 블록(1)과 반사방지막 처리블록(2)과의 사이에는, 분위기 차단용의 격벽(13)이 설치되어 있다. 상기 격벽(13)에 인덱서블록(1)과 반사방지막 처리블록(2)의 사이에서 기판(W)의 수수를 하기 위하여 기판(W)을 설치하는 2개의 기판설치부 PASS 1, PASS 2가 상하로 근접하여 설치되고 있다. 위쪽의 기판설치부 PASS 1은 인덱서 블록(1)로부터 반사방지막 처리블록(2)으로 기판(W)을 꺼내기 위하여, 아래쪽의 기판설치부 PASS 2는 반사방지막 처리블록(2)으로부터 인덱서 블록(1)으로 기판(W)을 되돌리기 위하여 각각 설치되어 있다. 기판 설치부 PASS 1, PASS 2는, 격벽(13)을 부분적으로 관통하여 설치되어 있다. 또한, 기판설치부 PASS 1, PASS 2 는, 고정설치된 복수본의 지지핀으로부터 구성되어 있고, 이 점은 후술하는 다른 기판설치부 PASS 3 ∼ PASS 10도 마찬가지이다. 또한, 기판설치부 PASS 1, PASS 2에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 도시않은 광학식의 센서가 설치되어 있으며, 각 센서의 검출신호에 기초하여 인덱서용 반송기구(7)나, 후술하는 반사방지막용 처리블록(2)의 제 1의 주 반송기구 10A가, 기판설치부 PASS 1, PASS 2에 대하여 기판을 수수할 수 있는 지 아닌 지를 판단하도록 되어 있다. 마찬가지 센서는 다른 기판설치부 PASS 3 ∼ PASS 10에도 설치되어 있다.
반사방지막 처리블록(2)에 대하여 설명한다. 반사방지막 처리블록(2)은, 노광시에 발생하는 정재파(定在波)나 할레이션(Halation)을 감소시키기 위하여, 포토레지스트막의 하부에 반사방지막을 도포형성하기 위한 기구이다. 구체적으로는, 기판(W)의 표면에 반사방지막을 도포형성하는 반사방지막용 도포처리부 8과, 반사방지막의 도포형성에 관련하여 기판(W)을 열처리하는 반사방지막용 열처리부(9)와, 반사방지막용 도포처리부 8 및 반사방지막용 열처리부(9)에 대하여 기판(W)의 수수를 하는제 1의 주 반송기구 10A를 구비한다.
반사방지막 처리블록(2)은, 제 1의 주 반송기구 10A를 끼워서 반사방지막용 도포처리부 8과 반사방지막용 열처리부(9)가 대향하여 배치되어 있다. 구체적으로는, 도포처리부 8이 장치 정면쪽에, 열처리부(9)가 장치 뒷면쪽에, 각각 위치하고 있다. 이와 같이 약액처리부와 열처리부를 주 반송기구를 끼워서 대향배치하는 점은, 다른 레지스트막 처리블록(3) 및 현상처리블록(4)에 있어서도 마찬가지이다. 이와 같은 배치로 하면, 약액처리부와 열처리부가 떨어지므로, 약액처리부가 열처리부로부터 받는 열적영향을 억제할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 열처리부(9)의 정면쪽으로 도시하지 않은 열 격벽(隔璧)을 설치하고, 반사방지막용 도포처리부 8로의 열적영향을 회피하고 있다. 동일한 열 격벽은, 다른 레지스트막 처리블록(3) 및 현상처리블록(4)에도 설치되어 있다.
반사방지막용 도포처리부 8는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 동일한 구성을 구비한 3개의 반사방지막용 도포처리부 8a ∼ 8c(이하, 특별히 구별하지 않는 경우는 부호「8」로 나타낸다)를 상하로 적층 배치하여 구성되어 있다. 각 도포처리부 8은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 유지하여 회전하는 스핀 척(Spin chuck : 11)이나, 상기 스핀 척(11) 위에 유지된 기판(W) 위에 반사방지막용의 도포액을 공급하는 노즐(12) 등을 구비하고 있다.
반사방지막용 열처리부(9)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판(W)을 소정의 온도에 까지 가열하는 복수개의 가열 플레이트(HP), 가열된 기판(W)을 상온에 까지 냉각하는 복수개의 냉각 플레이트(CP), 레지스트막과 기판(W)의 밀착성을 향상시키기 위하여 HMDS(Hexamethyldisilazane)의 증기 분위기에서 기판(W)을 열처리하는 복수개의 어드히젼(Adhesion) 처리부(AHL) 등의 열처리부를 포함한다. 이들의 열처리부(9)의 하부(下部)에는, 히터 컨트롤러(Heater controller : CONT)가 설치되고, 또한 열처리부(9)의 상부(도 4 중에 「×」표시로 나타낸 개소)에는 배관 배선부나, 예비의 빈 공간이 분배되어 있다.
반사방지막용 열처리부(9)는, 각 열처리부(HP, CP, AHL)를 상하로 적층배치하여 구성되어 있음과 동시에, 적층배치된 일 그룹의 열처리부가 복수열(본 실시예에서는 2열)에 걸쳐서 병설되어 있다. 약액처리부를 상하로 적층배치되어 있는 점, 및 상하로 적층배치된 일 그룹의 열처리부를 복수열에 걸쳐서 병설되어 있는 점은, 다른 레지스트막용 처리블록(3) 및 현상처리블록(4)에 있어서도 마찬가지이다.
상술한 바와 같이 각 처리블록 2 ∼ 4에서 약액처리부와 열처리부를 상하로 적층배치하는 것에 의해, 기판처리장치의 점유공간을 작게할 수 있다. 또한, 적층배치된 일 그룹의 열처리부를 복수열에 걸쳐서 병설하는 것에 의해, 열처리부의 유지 관리가 용이하게 됨과 동시에, 열처리부에 필요한 덕트 배관이나 급전(給電) 설비를 너무 높은 위치에 까지 늘일 필요가 없다고 하는 이점이 있다.
제 1의 주 반송기구 10A에 대하여 설명한다. 또한, 후술하는 다른 레지스트막 처리블록(3) 현상처리블록(4), 및 인터페이스 블록(5)에 각각 구비된 제 2, 제 3, 제 4의 각 주 반송기구 10B, 10C, 10D도 마찬가지로 구성되어 있다. 이하, 제 1 ∼ 제 4의 주 반송기구 10A ∼ 10D를 특별히 구별하지 않는 경우는, 주 반송기구 10으로서 설명한다.
도 7A 및 도 7B를 참조한다. 도 7A는 주 반송기구 10의 평면도, 도 7B는 그 정면도이다. 주 반송기구 10은, 기판(W)을 수평자세로 유지하는 2개의 지지암 10a, 10b를 상하로 근접되게 구비하고 있다. 지지암 10a, 10b는, 선단부가 「C」자 모양으로 되어 있으며, 상기「C」자 모양 암의 내측으로부터 안 쪽으로 돌출된 복수본의 핀(10c)에서 기판(W)의 원주 테두리를 아래쪽으로부터 지지하도록 되어 있다. 주 반송기구 10의 베이스대(10d)는 장치 베이스대에 대하여 고정설치 되어 있다. 상기 베이스대(10d) 위에 나사축(10e)이 회전 가능하게 세워 지지되어 있다. 베이스대(10d)에 나사축(10e)을 회전구동하는 모터(10f)가 설치되어 있다. 나사축(10e)에 승강대(10g)가 나사결합되어 있고, 모터(10f)가 나사축(10e)을 회전구동하는 것에 의해, 승강대(10g)가 가이드 축(10j)에 안내되어 승강이동 하도록 되어 있다. 승강대(10g) 위에 암 베이스대(10h)가 세로 축심 주위에 선회가능하게 탑재되어 있다. 승강대(10g)에는 암 베이스대(10h)를 선회구동하는 모터(10i)가 설치되어 있다. 암 베이스대(10h) 위에 상술한 2개의 지지암(10a, 10b)이 상하로 설치되어 있다. 각 지지암(10a, 10b)은, 암 베이스대(10h) 내에 장비(裝備)된 구동기구(미 도시)에 의해, 각각이 독립하여 암 베이스대(10h)의 선회 반경방향으로 진퇴이동 가능하게 구성되어 있다.
상술한 반사방지막 처리블록(2)에 인접하여 레지스트막 처리블록(3)이 설치되어 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이 반사방지막 처리블록(2)과 레지스트막 처리블록(3) 사이에도, 분위기 차단용의 격벽(13)이 설치되어 있다. 상기 격벽(13)에 반사방지막 처리블록(2)과 레지스트막 처리블록(3) 사이에서 기판(W)의 수수를 하기 위한 2개의 기판설치부 PASS 3, PASS 4가 상하로 근접되게 설치되어 있다. 상술한 기판설치부 PASS 1, PASS 2의 경우와 마찬가지로, 위쪽의 기판설치부 PASS 3가 기판(W)의 불출용, 아래쪽의 기판설치부 PASS 4가 기판(W)의 복귀용으로 되어 있음과 동시에, 이들의 기판설치부 PASS 3, PASS 4는 격벽(13)을 부분적으로 관통하고 있다. 또한, 기판설치부 PASS 3, PASS 4의 아래쪽에는, 기판(W)을 대략적으로 냉각하기 위하여 수냉식 2개의 냉각 플레이트 WCP가 격벽(13)을 관통하여 상하로 설치하고 있다.
레지스트막 처리블록(3)에 대하여 설명한다. 레지스트막용 처리블록(3)은, 반사방지막이 도포형성된 기판(W) 위에 포토레지스트막을 도포형성하는 기구이다. 또한 본 실시예에서는, 포토레지스트로서 화학 증폭형 레지스트를 사용하고 있다. 레지스트막용 처리블록(3)은, 반사방지막이 도포형성된 기판(W)에 포토레지스트막을 도포형성하는 레지스트막용 도포처리부(15)와, 포토레지스트막의 도포형성에 관련하여 기판을 열처리하는 레지스트막용 열처리부(16)와, 레지스트막용 도포처리부(15) 및 레지스트막용 열처리부(16)에 대하여 기판(W)의 수수를 하는 제 2의 주 반송기구 10B를 구비한다.
레지스트막용 도포처리부(15)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 마찬가지의 구성을 구비한 3개의 레지스트막용 도포처리부 15a ∼ 15c(이하 특별히 구별하지 않는 경우는 부호 「15」로 나타낸다)를 상하로 적층배치하여 구성되어 있다. 각 도포처리부 15는, 기판(W)을 수평자세로 흡착 유지하여 회전하는 스핀 척(17)과, 상기 스핀 척(17) 위에 유지된 기판(W) 위에 레지스트막용의 도포액을 공급하는노즐(18) 등을 구비하고 있다.
레지스트막용 열처리부(16)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판(W)을 소정의 온도에 까지 가열하는 기판 가 설치부 구비의 복수개의 가열부(PHP), 기판(W)을 상온(常溫)에 까지 높은 정밀도로 냉각하는 복수개의 냉각 플레이트(CP) 등의 열처리를 포함한다. 각 열처리부가 상하로 적층됨과 동시에 병렬배치 되어 있는 점은, 반사방지막용 처리블록(2)의 경우와 마찬가지이다.
기판 가 설치부 구비의 가열부(PHP)에 대하여 설명한다.
도 8A 및 도 8B를 참조한다. 도 8A는 가열부(PHP)의 파단 측면도, 도 8B는 그 파단 평면도이다. 가열부(PHP)는, 기판(W)을 설치하여 가열처리를 하는 가열 플레이트(HP)와, 상기 가열 플레이트(HP)로부터 떨어진 위쪽 위치 또는 아래쪽 위치(본 실시예에서는 위쪽 위치)에 기판(W)을 설치해 두고 기판 가 설치부(19)와, 가열 플레이트(HP)와 기판 가 설치부(19)의 사이에서 기판(W)을 반송하는 열처리부용의 로컬 반송기구(20)를 구비하고 있다. 가열 플레이트(HP)에는, 플레이트 표면에 출몰하는 복수본의 가동 지지핀(21)이 설치되어 있다. 가열 플레이트(HP)의 위쪽에는 가열처리시에 기판(W)을 덮는 승강 자유로운 윗 덮개(22)가 설치되어 있다. 기판 가 설치부(19)에는 기판(W)을 지지하는 복수본의 고정지지핀(23)이 설치되어 있다.
로컬 반송기구(20)는, 기판(W)을 수평자세로 유지하는 지지 플레이트(24)를 구비하고, 상기 지지 플레이트(24)가 나사이송 구동기구(25)에 의하여 승강이동 됨과 동시에, 벨트 구동기구(26)에 의하여 진퇴(進退) 이동 되도록 되어있다. 지지 플레이트(24)는, 이것이 가열 플레이트(HP)와 기판 가 설치부(19)의 위쪽으로 진출한 때에 가동지지핀(21)이나 고정지지핀(23)과 간섭하지 않도록 복수본의 슬릿(24a)이 형성되어 있다. 또한, 로컬 반송기구(20)는, 가열 플레이트(HP)로부터 기판 가 설치부(19)로 기판(W)을 반송하는 과정에서 기판을 냉각하는 수단을 구비하고 있다. 상기 냉각수단은, 예를 들면 지지 플레이트(24)의 내부에 냉각수 유로(24b)를 설치, 상기 냉각수 유로(24b)에 냉각수를 유통시키는 것에 의해서 구성되고 있다.
상술한 로컬 반송기구(20)는, 가열 플레이트(HP) 및 기판 가 설치부(19)를 끼워서는 제 2의 주 반송기구 10B와는 반대쪽, 즉 장치 뒷면쪽에 설치되어 있다. 그리고, 가열 플레이트(HP) 및 기판 가 설치부(19)를 덮는 상자(27)의 상부, 즉 기판 가 설치부(19)를 덮는 부위에는, 그 정면쪽에 제 2의 주 반송기구 10B의 진입을 허용하는 개구부 19a가, 그 뒷면쪽에는 로컬 반송기구(20)의 진입을 허용하는 개구부 19b가, 각각 설치되어 있다. 또한, 상자(27)의 하부, 즉 가열 플레이트(HP)를 덮는 부위는, 그 정면쪽이 폐색(閉塞)되고, 상기 뒷면쪽에 로컬 반송기구(20)의 진입을 허용하는 개구부 19c가 설치되어 있다.
상술한 가열부(PHP)에 대한 기판(W)의 출입은 이하와 같이 행해진다. 먼저, 주 반송기구 10(레지스트막용 처리블록(3)의 경우는, 제 2의 주 반송기구 10B)이 기판(W)을 지지하고, 기판 가 설치부(19)의 고정 지지핀(23)의 위에 기판(W)을 설치한다. 계속하여 로컬 반송기구(20)의 지지 플레이트(24)가 기판(W)의 이래쪽에 진입하고 나서 조금 상승하는 것에 의해, 고정지지핀(23)으로부터 기판(W)을 받아 들인다. 기판(W)을 지지한 지지 플레이트(24)는 상자(27)으로부터 퇴출하고, 가열플레이트(HP)에 대향하는 위치에 까지 하강한다. 이때 가열 플레이트(HP)의 가동지지핀(21)은 하강하고 있음과 동시에, 윗 덮개(22)는 상승하고 있다. 기판(W)을 지지한 지지 플레이트(24)는 가열 플레이트(HP)의 위쪽으로 진출한다. 가동지지핀(21)이 상승하여 기판(W)을 받아 들인 후에 지지 플레이트(24)가 퇴출한다. 계속하여 가동지지핀(21)이 하강하여 기판(W)을 가열 플레이트(HP) 위에 싣는 동시에, 윗 덮개(22)가 하강하여 기판(W)을 덮는다. 이 상태에서 기판(W)이 가열처리된다. 가열처리가 끝나면 윗 덮개(22)가 상승하는 동시에, 가동지지핀(21)이 상승하여 기판(W)을 잡아 올린다.
계속하여 지지 플레이트(24)가 기판(W) 아래로 진출한 후, 가동지지핀(21)이 하강하는 것에 의해, 기판(W)이 지지 플레이트(24)에 수수된다. 기판(W)을 지지한 지지 플레이트(24)가 퇴출(退出)하고, 또한 상승하여 기판(W)을 기판 가 설치부(19)에 반송한다. 상기 반송과정에서 지지 플레이트(24)에 지지된 기판(W)이 지지 플레이트(24)가 가지는 냉각기능에 의해 냉각된다. 지지 플레이트(24)는, 냉각한(상온으로 복귀한) 기판(W)을 기판 가 설치부(19)에 이동하여 탑재한다. 상기 기판(W)을 주 반송기구 10이 꺼내져 반송된다.
이상과 같이, 주 반송기구 10은, 기판 가 설치부(19)에 대하여 기판(W)의 수수를 하는것 만으로, 가열 플레이트(HP)에 대하여 기판의 수수를 하지 않으므로, 주 반송기구 10이 온도상승하는 것을 회피할 수 있다. 또한, 가열 플레이트(HP)에 기판(W)을 출입하기 위한 개구부 19c가, 주 반송기구 10이 배치된 쪽과는 정 반대쪽으로 위치하고 있으므로, 개구부 19c로부터 새어나온 열 분위기에서 주 반송기구10이 온도상승하는 경우가 없고, 또한 레지스트막용 도포처리부(15)가 개구부 19c로부터 새어나온 열 분위기로 악영향을 받는 경우도 없다.
상술한 레지스트막 처리블록(3)에 인접하여 현상처리블록(4)이 설치되어 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 반사방지막 처리블록(2)과 레지스트막 처리블록(3)의 사이에도, 분위기 차단용의 격벽(13)이 설치되어 있으며, 상기 격벽(13)에 양 처리블록(3,4) 사이에서 기판(W)의 수수를 하기 위한 2개의 기판설치부 PASS 5, PASS 6과, 기판(W)을 대략적으로 냉각하기 위한 수냉식 2개의 냉각 플레이트(WCP)가 상하로 적층하여 설치되고 있다.
현상처리블록(4)에 대하여 설명한다. 현상처리블록(4)은, 노광된 기판(W)에 대하여 현상처리를 하는 기구이다. 구체적으로는, 노광된 기판(W)에 현상 처리를 하는 현상처리부(30)와, 현상처리에 관련하여 기판을 열처리하는 현상용 열처리부(31)와, 현상처리부(30) 및 현상용 열처리부(31)에 대하여 기판(W)의 수수를 하는 제 3의 주 반송기구 10C를 구비한다.
현상처리부(30)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 마찬가지 구성을 구비한 5개의 현상처리부 30a ∼ 30e(이하, 특별히 구별하지 않는 경우는 부호「30」으로 나타낸다)를 상하로 적층배치하여 구성되어 있다. 각 현상처리부(30)는, 기판(W)을 수평자세로 흡착 유지하여 회전하는 스핀 척(32)이나, 상기 스핀 척(32) 위에 지지된 기판(W) 위에 현상액을 공급하는 노즐(33) 등을 구비하고 있다.
현상용 열처리부(31)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 각각 복수개의 가열 플레이트(HP), 기판 가 설치부 구비의 가열부(PHP), 냉각 플레이트(CP) 등의 열처리부를 포함한다. 각 열처리부가 상하로 적층됨과 동시에 병렬(竝列) 배치되어 있는 점은, 다른 처리블록(2, 3)의 경우와 마찬가지이다. 현상용 열처리부(31)의 오른쪽(인터페이스 블록(5)에 인접하고 있는 쪽) 열처리부의 열(列)에는, 현상처리블록(4)과, 여기에 인접하는 인터페이스 블록(5)의 사이에서 기판(W)의 수수를 하기 위한 2개의 기판설치부 PASS 7, PASS 8이 상하로 근접되게 설치되어 있다. 위쪽의 기판설치부 PASS 7이 기판(W)의 불출용, 아래쪽의 기판설치부 PASS 8이 기판(W)의 복귀용으로 되어 있다.
인터페이스 블록(5)에 대하여 설명한다. 인터페이스 블록(5)은, 본 기판처리장치와는 별체(別體)의 외부장치인 노광장치(STP)에 대하여 기판(W)의 수수를 하는 기구이다. 본 실시예 장치에 있어서 인터페이스 블록(5)에는, 노광장치(STP)의 사이에서 기판(W)의 수수를 하기 위한 인터페이스용 반송기구(35) 외에, 포토레지스트가 도포된 기판(W)의 원주 테두리부를 노광하는 2개의 엣지 노광부(EEW)와, 현상처리블록(4) 내에 설치된 기판 가 설치부 구비의 열처리부(PHP) 및 엣지 노광부(EEW)에 대하여 기판(W)을 수수하는 제 4의 주 반송기구 10D를 구비하고 있다.
엣지 노광부(EEW)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 기판(W)을 수평자세로 흡착유지하여 회전하는 스핀 척(36)이나, 상기 스핀 척(36) 위에 유지된 기판(W)의 원주 테두리를 노광하는 광조사부(光照射部 : 37) 등을 구비하고 있다. 2개의 엣지 노광부(EEW)는 인터페이스 블록(5)의 중앙부에 상하로 적층배치되어 있다. 상기 엣지 노광부(EEW)와 현상처리블록(4)의 열처리부에 인접하여 배치되어 있는 제 4의주 반송기구 10D는, 도 7A 및 도 7B에서 설명한 주 반송기구(10)와 마찬가지의 구성을 구비하고 있다.
도 3 및 도 6을 참조한다. 도 6은 인터페이스 블록(5)의 측면도이다. 2개의 엣지 노광부(EEW)의 아래쪽에, 기판 복귀용의 버퍼(Buffer) RBF가 있고, 또한 그 아래쪽에 2개의 기판설치부 PASS 9, PASS 10이 적층배치되어 있다. 기판 복귀용의 버퍼 RBF는, 고장 등을 위하여 현상 처리블록(4)이 기판(W)의 현상처리를 할 수 없는 경우에, 현상 처리블록(4)의 가열부(PHP)에서 노광후의 가열처리를 한 후에, 그 기판(W)을 일시적으로 수납 보관해 두는 것이다. 상기 버퍼 RBF는, 복수매의 기판(W)을 다단으로 수납할 수 있는 수납선반으로 구성되어 있다. 기판설치부 PASS 9, PASS 10은, 제 4의 주 반송기구 10D와 인터페이스용 반송기구(35)의 사이에서 기판(W)의 수수를 하기 위한 것으로, 위쪽이 기판 불출용, 아래쪽이 기판 복귀용으로 되어 있다.
인터페이스용 반송기구(35)는 도 2 및 도 6에 나타내는 바와 같이 Y 방향으로 수평이동 가능한 가동대(可動台: 35a)를 구비하고, 상기 가동대(35a) 위에 기판(W)을 지지하는 지지암(35b)을 탑재하고 있다. 지지암(35b)은, 승강·선회 및 선회반경방향으로 진퇴이동 가능하게 구성되어 있다. 인터페이스용 반송기구(35)의 반송경로의 일단(도 6 중에 나타내는 위치 P1)은, 적층된 기판설치부 PASS 9, PASS 10의 아래쪽에 까지 연장되어 있고, 상기 위치 P1에서 노광장치(STP)의 사이에서 기판(W)의 수수를 한다. 또한, 반송경로의 타단위치 P2에서는, 기판설치부 PASS 9, PASS 10에 대한 기판(W)의 수수와 이송용 버프 SBF에 대한 기판(W)의 수납과 취출을 한다. 이송용 버퍼 SBF는, 노광장치(STP)가 기판(W)을 받아 들일 수 없을 때, 노광처리 전의 기판(W)을 일시적으로 수납보관하는 것으로, 복수매의 기판(W)을 다단으로 수납할 수 있는 수납 선반으로 구성되어 있다.
이상과 같이 구성된 기판처리장치는, 인덱서 블록(Indexer block: 1), 각 처리블록(2, 3, 4) 및 인터페이스 블록(5) 내에 청정공기가 다운플로우(Downflow)의 상태에서 공급되어 있고. 각 블록 내에서 파티클(Particle)의 감아올림이나 기류에 의한 프로세스로의 악영향을 회피하고 있다. 또한, 각 블록 내는 장치의 외부환경에 대하여 약간 플러스(+) 압으로 유지되어, 외부환경으로부터의 파티클이나 오염물질의 침입 등을 막고 있다. 특히, 반사방지막용 처리블록(2) 내의 기압은 인덱서 블록(1) 내의 기압보다도 높게되도록 설정되어 있다. 이에 따라, 인덱서 블록(1) 내의 분위기가 반사방지막용 처리블록(2)에 유입하지 않으므로, 외부 분위기의 영향을 받지 않고 각 처리블록(2, 3, 4)에서 처리를 할 수 있다.
다음에 본 실시예에 관한 기판처리장치의 제어계, 특히 기판반송에 관한 제어수법에 대하여 설명한다.
상술한 인덱서 블록(1), 반사방지막용 처리블록(2), 레지스트막용 처리블록(3), 현상처리블록(4), 및 인터페이스 블록(5)은, 본 실시예에 관한 기판처리장치를 기구적으로 분할한 요소이다. 구체적으로는, 각 블록은 각각 개별적인 블록용 프레임(Frame)에 설치되어, 각 블록용 프레임을 연결하여 기판처리 장치가 구성되어 있다.(도 9A 참조).
한편, 본 발명의 특징의 하나로서, 기판반송에 관한 피 제어유닛의 단위를기계적 요소인 각 블록과는 별도로 구성되어 있다. 즉, 기판에 소요의 처리를 하는 처리부와, 상기 처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 단일의 주 반송기구를 포함하여 단일한 피 제어유닛을 구성하고, 상기 피 제어유닛을 병설하여 기판처리 장치를 구성하고 있다. 그리고, 각 피 제어유닛의 주 반송기구는, 기판의 수수를 하기 위하여 기판을 설치하는 기판설치부를 개재하여, 서로 기판의 수수를 하며, 또한, 각 피 제어유닛의 주 반송기구의 기판 수수 동작을 적어도 제어하는 제어수단을 각 피 제어유닛 마다 구비하고, 각 피 제어유닛의 제어수단은, 상기 처리부에 대한 기판의 수수 및 상기 기판설치부에 대한 기판의 수수를 포함하는 일련의 기판반송에 관한 제어를, 각각 독립하여 행하도록 되어 있다.
이하, 본 실시예 장치에 있어서 피 제어유닛의 단위를 「셀(Cell)」이라고 한다. 실시예 장치의 제어계를 구성하는 각 셀의 배치를 도 9B에 나타낸다.
인덱서 셀 C1은, 카세트 설치대(6)와 인덱서용 반송기구(7)를 포함한다. 상기 셀 C1은, 결과적으로 기계적으로 분할된 요소인 인덱서 블록(1)과 마찬가지 구성으로 되어 있다. 반사방지막용 처리 셀 C2는, 반사방지막용 도포처리부(8)와 반사방지막용 열처리부(9)와 제 1의 주 반송기구 10A를 포함한다. 상기 셀 C2도, 결과적으로 기계적으로 분할된 요소인 반사방지막용 처리블록(2)과 마찬가지 구성으로 되어 있다. 레지스트막용 처리 셀 C3는, 레지스트막용 도포처리부(15)와 레지스트막용 열처리부(16)와 제 2의 주 반송기구 10B를 포함한다. 상기 셀 C3도, 결과적으로 기계적으로 분할된 요소인 레지스트막용 처리블록(3)과 마찬가지 구성으로 되어 있다.
한편, 현상처리 셀 C4는, 현상처리부(30)와, 노광후 가열에 사용되는 열처리부(실시예에서는, 가열부 PHP)를 제외한 현상용 열처리부(31)와, 제 3의 주 반송기구 10C를 포함한다. 상기 셀 C3는, 노광가열에 사용되는 가열부(PHP)를 포함하고 있지 않는 점에서, 기계적으로 분할된 요소인 현상처리블록(4)과는 다른 구성으로 되어 있다. 노광후 가열용 처리 셀 C5는, 노광된 기판(W)을 현상전에 가열처리하는 노광후 가열용의 열처리부(실시예에서는, 현상처리블록(4)에 설치된 가열부(PHP)와, 엣지 노광부(EEW)와, 제 4의 주 반송기구 10D를 포함한다. 상기 셀 C5는, 기계적으로 분할된 요소인 현상처리블록(4)와 인터페이스 블록(5)에 걸치는 것으로, 본 실시예 장치의 특징적인 셀이다. 이와 같이 노광후 가열용의 열처리부(가열부 PHP)와 제 4의 주 반송기구 10D를 포함하여 하나의 셀을 구성하고 있으므로, 노광된 기판을 신속하게 가열부(PHP)에 반입하여 열처리를 할 수 있다. 이것은 노광후의 가열을 신속하게 할 필요가 있는 화학 증폭형 포토레지스트를 사용한 경우에 알맞다.
인터페이스 셀 C6은, 외부장치인 노광장치(STP)에 대하여 기판(W)의 수수를 하는 인터페이스용 반송기구(35)를 포함한다. 상기 셀 C6은, 제 4의 주 반송기구 10D 나 엣지 노광부(EEW)를 포함하지 않는 점에서, 기계적으로 분할된 요소인 인터페이스 블록(5)과는 다른 구성으로 되어 있다.
본 실시예 장치는, 상술한 6개의 셀 C1 ∼ C6을 병설(竝設)하여 구성되어 있으며, 각 셀 C1 ∼ C6 사이 기판의 수수는, 기판설치부 PASS 1 ∼ PASS 10을 개재하여 행해진다. 바꾸어 말하면, 본 발명에 있어서 단일의 피 제어유닛(셀)은, 단일의 주 반송기구를 포함, 그 주 반송기구가, 특정한 기판설치부로부터 받아들인 기판을 다른 기판설치부에 두기 까지에, 기판의 수수를 하는 처리부를 포함하여 구성된다.
셀 C1 ∼ C6은, 각각 셀의 주 반송기구(인덱서용 반송기구(7) 및 인터페이스용 반송기구(35)를 포함)의 기판 수수 동작을 적어도 제어하는 컨트롤러 CT1 ∼ CT6을 개별적으로 구비하고 있다. 각 컨트롤러 CT1 ∼ CT6은, 소정의 기판설치부에 두어진 기판을 받아 들이는 것으로부터 시작하여, 소정의 기판설치부에 기판을 두는 것에 의해 완결하는 일련의 제어를, 각각 독립하여 행하도록 하고 있다. 구체적으로는, 도 10A에 나타내는 바와 같이, 각 셀 C1 ∼ C6의 컨트롤러 CT1 ∼ CT6는, 소정의 기판설치부에 기판을 두었다고 하는 정보를, 인접한 셀의 컨트롤러에 보내고, 그 기판을 받아 들인 셀의 컨트롤러는, 소정의 기판설치부로부터 기판을 받아 들였다고 하는 정보를 본래의 셀 컨트롤러로 되돌린다고 하는 정보의 교환을 한다.
요컨대 각 컨트롤러 CT1 ∼ CT6은, 인접하는 셀 내에서의 주 반송기구의 움직임을 고려하는 경우 없이, 각 셀 내 기판의 수수만을 대상으로 하여 제어를 진행시키고 있다. 따라서, 각 컨트롤러 CT1 ∼ CT6의 제어의 부담이 적게 된다. 이에 대하여 종래 기판처리장치의 제어방법에 의하면, 도 10B에 나타내는 바와 같이, 각 블록 1 ∼ 5가 기판처리 스케쥴 관리용의 컨트롤러 CT0에 기판 반송에 관한 정보를 주어서, 컨트롤러 CT0가 총괄적으로 기판 반송을 관리하고 있으므로, 컨트롤러 CT10의 부담이 많게 된다.
이상과 같이 본 실시예에 의하면 각 셀의 컨트롤러 CT1 ∼ CT6의 제어부담이 적게 되므로, 그 만큼 기판처리장치의 효율을 향상 시킬수 있다. 또한 도 10B에 나타낸 종래의 제어방법에 의하면, 새로운 처리부를 추가하면 컨트롤러 CT0의 스케쥴 관리용의 프로그램을 대폭적으로 수정할 필요가 생기나, 본 발명에 관한 제어방법에 의하면, 새로운 셀을 추가하여도, 인접하는 셀에 영향을 주지 않으므로, 셀의 추가를 용이하게 할 수 있다. 추가하는 셀의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 레지스트막용 처리 셀 C3와 현상처리 셀 C4 사이에, 기판(W)에 도포된 레지스트막의 두께를 검사하거나. 또는 현상후의 레지스트막의 선 폭을 검사하는 검사용 셀을 추가하여도 좋다. 이 경우, 검사용 셀은, 본 실시예 장치의 다른 셀과 마찬가지로, 기판을 검사하는 기판 검사부와, 상기 검사부에 대하여 기판을 반송하는 기판 검사용의 주 반송기구를 포함하여 구성된다. 또한, 검사용 셀과 인접 셀 사이 기판의 수수는 기판설치부를 통하여 행하여 진다.
본 실시예에 관한 기판처리장치의 다른 특징은, 다른 약액처리마다 구성된 피 제어 유닛인 반사방지막용 처리 셀 C2, 레지스트막용 처리 셀 C3, 및 현상처리 셀 C4가, 주 반송기구를 사용하여 기판(W)을 특정의 위치로부터 다른 위치로 반송하는 공정을 1 공정으로 한 경우에, 각 셀 C2, C3, C4의 제 1, 제 2, 제 3의 주 반송기구 10A, 10B, 10C는, 대략 동수의 반송공정을 부담하고 있는 점이다. 상세하게는, 후술하는 본 실시예 장치의 동작설명에서 명백하게 되나, 도 11에 나타내는 바와 같이, 상기 주 반송기구 10A, 10B, 10C는, 대략 6개의 반송공정을 부담하고 있다.
본 실시장치에 있어서, 주 반송기구 10이 1 반송공정에 필요로 하는 시간은 약 4초이다. 따라서, 각 셀 C2 ∼ C3에 있어서, 주 반송기구 10은 6 반송공정을 부담하므로, 각 셀 C2 ∼ C3는 24초에 1회의 비율(24초의 처리주기)로 기판(W)을 인접하는 셀에 배출하는 것으로 된다. 요컨대 본 실시예 장치는, 1시간당 150매의 기판(W)를 처리할 수 있다. 만약, 하나의 주 반송기구가 부담하는 반송공정의 수가, 다른 주 반송기구에 비하여 많게 되면, 상기 주 반송기구가 속하는 셀의 처리 주기에 의해, 기판처리장치의 효율이 결정된다. 예를 들면, 셀 C2, C4의 각 주 반송기구 10A, 10C가 각각 5개의 반송공정을 부담하고, 셀 C3의 주 반송기구 10B가 8개의 반송공정을 부담하는 경우, 셀 C2 ∼ C4 사이에서는, 셀 C3의 처리주기(이 경우, 32초)에서 밖에 기판(W)이 흐르지 않으므로, 셀 C2, C4의 주 반송기구 10A, 10C에 여유가 있다고 하더라도, 상기 기판처리장치는 1시간 당 112.5매 밖에 기판(W)을 처리할 수 없다.
이에 대하여 본 실시예 장치에서는, 반사방지막용 처리 셀 C2, 레지스트막용 처리 셀 C3, 및 현상처리 셀 C4의 각 주 반송기구 10A, 10B, 10C 가 대략 동수(同數)의 반송공정을 부담하므로 어느 하나의 주 반송기구가 빨리 반송처리 한계에 빠지는 것을 회피 할 수 있고, 결과적으로, 기판처리장치의 임계에 빠져 드는 경우를 회피할 수 있으며, 결과적으로, 기판처리장치의 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 현상처리 셀 C4에 인접하는 노광후 가열용 처리 셀 C5에 관해서는, 상기 셀 C5에 속하는 제 4의 주 반송기구 10D가 부담하는 반송공정이 5가지로 설정되어 있다. 노광후 가열용 처리 셀 C5는, 기판(W)이 노광되고 나서 가열처리를 할 때 까지의 시간을 엄밀하게 관리할 필요가 있으므로, 제 4의 주 반송기구 10D의 반송부담에 여유를 가지게 하는 의미로 상기 반송부담을 다른 셀에 비하여 낮게 설정해있다. 제 4의 주 반송기구 10D에 특별히 여유를 가지게 할 필요가 없으면, 본 처리 셀 C5는, 1 반송공정분 만의 빈 공간을 가지고 있는 것으로 된다. 상기 빈 공간 반송공정을 이용하여, 노광후 가열용 처리 셀 C5에 새로운 처리부, 예를 들면 기판(W)의 검사부를 추가하는 것도 가능하다. 기판 검사부를 추가하여도 셀 C5의 주 반송기구 10D는, 다른 셀의 주 반송기구와 마찬가지로 6개의 반송공정을 부담하는 것으로 된다. 요컨대, 반송공정에 여유가 있는 셀 C5에 기판 검사부를 추가하여도, 셀 C5의 처리주기는 다른 셀과 같은 24초로 될 뿐으로, 기판처리장치의 효율이 저하되는 경우는 없다.
다음에, 본 실시예에 관한 기판처리장치의 동작을 설명한다. 특히, 반사방지막용 처리 셀 C2, 레지스트막용 처리 셀 C3, 현상처리 셀 C4, 및 노광후 가열용 처리셀 C5의 각 주 반송기구 10A ∼ 10D에 의한 각 반송공정에 대해서는 도 11을 참조한다.
먼저, 인덱서 셀 C1(인덱서 블록 1)의 인덱서용 반송기구(7)가, 소정의 카세트(C)에 대향하는 위치에 까지 수평이동한다. 계속하여, 지지암(7b)이 승강 및 진퇴이동하는 것에 의해, 상기 카세트(C)에 수납되고 있는 미처리 기판(W)을 꺼낸다. 지지암(7b)에 기판(W)을 지지한 상태에서, 인덱서용 반송기구(7)가, 기판설치부 PASS 1, PASS 2에 대향하는 위치에 까지 수평이동한다. 그리고, 지지암(7b) 위의 기판(W)을 기판 불출용의 위쪽의 기판설치부 PASS 1에 재치한다. 기판 복귀용의 아래쪽의 기판설치부 PASS 2에 처리가 끝난 기판(W)이 설치되어 있는 경우, 인덱서용 반송기구(7)는, 그 처리가 끝난 기판(W)이 설치되어 있는 경우, 인덱서용반송기구(7)는, 그 처리가 끝난 기판(W)을 지지암(7b) 위로 받아 들여서, 소정의 카세트(C)에 처리가 끝난 기판(W)을 수납한다. 이하, 마찬가지로 카세트(C)로부터 미처리 기판(W)을 꺼내어 기판설치부 PASS 1에 반송함과 동시에, 처리가 끝난 기판(W)을 기판설치부 PASS 2로부터 받아 들여서 카세트(C)에 수납한다고 하는 동작을 반복하여 행한다.
반사방지막용 처리 셀 C2(반사방지막용 처리블록 2)의 동작을 설명한다. 기판설치부 PASS 1에 미처리 기판(W)이 두어지면, 도 11에 나타내는 바와 같이, 셀 C2의 제 1의 주 반송기구 10A는, 지지암 10a, 10b를 기판설치부 PASS 1, PASS 2에 대향하는 위치에 까지 일체로 승강 및 선회이동 시킨다. 그리고, 한 쪽 지지암 10b에 지지되고 있는 처리가 끝난 기판(W)을 아래쪽의 복귀용 기판설치부 PASS 2에 두고, 그 후, 위쪽의 불출용 기판설치부 PASS 1에 두어져 있는 미처리 기판(W)을 다른쪽의 지지암 10a 위로 받아 들인다고 하는 처리가 끝난 기판(W) 및 미처리 기판(W)의 수수 동작을 한다. 구체적으로는, 지지암 10b를 전진이동시켜서 기판설치부 PASS 2 위에 처리가 끝난 기판(W)을 둔다. 처리가 끝난 기판(W)을 넘긴 지지암 10b는 본래의 위치까지 후퇴한다. 계속하여, 지지암 10a, 10b를 일체로 조금 상승시킨후, 지지암 10a를 전진이동시켜서 기판설치부 PASS 1 위의 미처리 기판(W)을 지지암 10a 위로 받아 들인다. 기판(W)을 받아 들인 지지암 10a는 본래의 위치에 까지 후퇴한다.
이상의 기판설치부 PASS 1, PASS 2에 대한 미처리 기판(W) 및 처리가 끝난 기판(W)의 수수는, 도 11중에 제 1의 주 반송기구 10A의 반송공정(1 + α)으로 나타내고 있다. 여기서, 「α」는, 미처리 기판(W)을 기판설치부 PASS 1로부터 받아들이기 위하여, 지지암 10a, 10b를 기판설치부 PASS 2에 대향하는 위치로부터 기판설치부 PASS 1에 대향하는 위치에 까지 조금 상승 이동시킨 반송공정을 나타내고 있다. 상술한 바와 같이, 기판설치부 PASS 1, PASS 2는 상하로 근접하여 배치되어 있으므로, 기판설치부 PASS 1, PASS 2 사이의 이동에 필요로 하는 시간은 근소하여 무시할 수 있다. 따라서. 반송공정(1 + α)은 1 반송공정(본 실시예에서는, 주 반송기구를 사용하여 소정시간(예를 들면, 4초) 이내로 행하여 지는 기판의 수수동작)인 것으로서 취급할 수 있다.
기판설치부 PASS 1, PASS 2에 대한 기판(W)의 수수가 끝나면, 제 1의 주 반송기구 10A는, 미처리 기판(W)을 지지한 지지암 10a와, 기판(W)을 지지하고 있지 않은 빈 지지암 10b를 일체로 승강·선회운동시켜서, 반사방지막용 열처리부(9)의 소정 냉각 플레이트(CP)에 대향시킨다. 통상, 상기 냉각 플레이트(CP)에는, 선행처리 되어 있는 기판(W)이 들어있다. 그래서, 먼저, 빈 지지암 10b를 전진이동시켜서, 상기 냉각 플레이트(CP) 위의 냉각처리가 끝난 기판(W)을 지지암 10b 위로 받아 들인다. 계속하여 미처리 기판(W)을 지지한 지지암 10a를 전진이동시켜서, 미처리 기판(W)을 상기 냉각 플레이트(CP) 위에 둔다. 냉각 플레이트(CP)에 실린 기판(W)은, 주 반송기구 10A가 다른 반송동작을 하고 있는 동안에, 상온(常溫)에 까지 정밀도 좋게 냉각된다. 또한, 2개의 지지암 10a, 10b를 사용한 냉각 플레이트(CP)로의 기판(W)의 수수는, 지지암 10a, 10b의 승강동작을 동반하지 않고 행하여 지므로, 상기 냉각 플레이트(CP)에 대한 기판의 수수는, 제 1의 주 반송기구 10A의 1 반송공정 내에 행해진다. (도 11 중에 나타낸 제 1의 주 반송기구 10A의 반송공정(2) 참조).
냉각 플레이트(CP)로의 기판(W)의 수수가 끝나면, 빈 지지암 10a와 냉각처리된 기판(W)을 지지한 지지암 10b를 일체로 승강 ·선회이동시켜서, 소정의 반사방지막용 도포처리부(8)에 대향시킨다. 통상, 상기 반사방지막용 도포처리부(8)에는, 선행처리되어 있는 기판(W)이 들어 있다. 그래서, 먼저 빈 지지암 10a를 전진이동시켜서, 상기 반사방지막용 도포처리부(8)에 있는 스핀 척(11) 위의 처리가 끝난 기판(W)을 지지암 10a 위에 받아 들인다. 계속하여 기판(W)을 지지한 지지암 10b를 전진이동시켜서, 기판(W)을 상기 스핀 척(11) 위에 둔다. 스핀 척(11) 위에 실린 기판(W)은, 주 반송기구 10A가 다른 반송동작을 하고 있는 동안에, 반사방지막이 도포형성된다. 스핀 척(11)에 대한 기판의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 1의 주 반송기구 10A의 반송공정(3)에 상당한다. 또한, 도 11 중의 「BARC」는 반사방지막용 도포처리부(8)를 의미한다.
스핀 척(11)에의 기판(W)의 수수가 끝나면, 반사방지막이 도포된 기판(W)을 지지한 지지암 10a와, 빈 지지암 10b를 일체로 승강 ·선회이동시켜서, 소정의 가열 플레이트(HP)에 대향시킨다. 통상, 상기 가열 플레이트(HP)에도 선행처리 되어 있는 기판(W)이 들어있으므로, 먼저, 빈 지지암 10b를 전진이동시켜서, 상기 가열 플레이트(HP) 위의 처리가 끝난 기판(W)을 지지암 10b 위에 받아 들인다. 계속하여, 지지암 10a를 전진이동시켜서, 기판(W)을 가열 플레이트(HP) 위에 둔다. 가열 플레이트(HP) 위에 실린 기판(W)은, 주 반송기구 10A가 다른 반송동작을 하고 있는동안에 열처리되어, 기판(W) 위의 반사방지막에 포함되는 여분의 용제가 제거된다. 상기 가열 플레이트(HP)에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 1의 주 반송기구 10A의 반송공정(4)에 상당한다.
가열 플레이트(HP)로의 기판(W)을 바꾸어 싣는 것이 끝나면, 빈 지지암 10a와 열처리된 기판(W)을 지지한 지지암 10b를 일체로 승강 ·선회운동 시켜서, 격벽(13)에 설치된 수냉식의 냉각 플레이트 WCP에 대향시킨다. 상술한 바와 마찬가지로, 먼저, 빈 지지암 10a를 전진이동시켜서, 상기 냉각 플레이트 WCP 위의 처리가 끝난 기판(W)을 지지암 10a 위로 받아 들인다. 계속하여, 지지암 10b를 전진이동시켜서, 기판(W)을 냉각 플레이트 WCP 위에 둔다. 냉각 플레이트 WCP 위에 실린 기판(W)은, 주 반송기구 10A가 다른 반송동작을 하고 있는 동안에 대략적으로 냉각처리된다. 상기 냉각 플레이트 WCP에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 1의 주 반송기구 10A의 반송공정(5)에 상당한다.
냉각 플레이트 WCP로의 기판(W)을 바꾸어 싣는 것이 끝나면, 대략적으로 냉각된 기판(W)을 지지한 지지암 10a와, 빈 지지암 10b와 일체로 상승시켜서, 냉각 플레이트 WCP의 위쪽으로 설치되어 있는 기판설치부 PASS 3, PASS 4에 대향시킨다. 그리고, 지지암 10a를 전진이동시켜서, 위쪽의 기판 불출용의 기판설치부 PASS 3 위에 기판(W)을 둔다. 통상 아래쪽의 기판 복귀용의 기판설치부 PASS 4에, 레지스트막용 처리 셀 C3를 개재하여 현상처리 셀 C4로부터 보내져온 현상처리가 끝난 기판(W)이 놓여져 있다. 그래서, 지지암 10a, 10b를 일체로 조금 하강시킨 후, 지지암 10b를 전진이동시켜서, 기판설치부 PASS 4 위의 현상처리가 끝난 기판(W)을 지지암 10b 위에 받아 들인다.
기판설치부 PASS 3, PASS 4에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 1의 주 반송기구 10A의 반송공정(6 +α)에 상당한다. 「α」는 상술한 바와 마찬가지로, 지지암 10a, 10b가 약간 승강하는 단시간의 반송공정이다. 따라서, 반송공정(6 +α)은 1 반송공정으로서 취급할 수 있다.
반사방지막용 처리 셀 C2에 구비된 제 1의 주 반송기구 10A는, 상술한 반송공정(1 +α)으로부터 반송공정(6 +α)의 각 기판반송을 반복하여 행한다. 여기서, 반송공정(1 +α)로부터 반송공정(6 +α)을 합계하면, 제 1의 주 반송기구 10A는, 약 6개의 반송공정을 부담하는 것으로 된다. 1 반송공정에 필요한 반송시간을 4초로 하면, 제 1의 주 반송기구 10A는, 약 24초로 기판반송의 1주기를 완료한다. 바꾸어 말하면, 24초에 1회(150매/시간)의 비율로 기판(W)이 이웃하는 레지스트막용 처리 셀 C3에 불출된다.
레지스트막용 처리 셀 C3(레지스트막용 처리블록 3)의 동작을 설명한다. 반사방지막을 도포하여 형성된 기판(W)이 기판설치부 PASS 3에 두어지면, 도 11에 나타내는 바와 같이, 셀 3의 제 2의 주 반송기구 10B는, 상술한 제 1의 주 반송기구 10A의 경우와 마찬가지로, 한 쪽의 지지암 10b에 지지된 현상처리가 끝난 기판(W)을 기판설치부 PASS 4 위에 둔다. 그리고, 기판설치부 PASS 3 위의 기판(W)을 지지암 10a 위에 받아 들인다. 기판설치부 PASS 3, PASS 4에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 제 2의 주 반송기구 10B의 반송공정(1 +α)으로 나타내고 있다. 상술한 바와 같이, 「α」는 시간에는 무시될 수 있으므로, 반송공정(1 +α)은 1반송공정으로서 취급할 수 있다.
기판설치부 PASS 3, PASS 4에 대한 기판(W)의 수수가 끝나면, 제 2의 주 반송기구 10B는, 기판(W)을 지지한 지지암 10a를 빈 지지암 10b를, 레지스트막용 열처리부(16)의 소정 냉각 플레이트 CP에 대향하는 위치에 까지 이동시킨다. 그리고 먼저,빈지지암 10b를 전진이동시켜서, 상기 냉각 플레이트 CP 위의 냉각처리가 끝난 기판(W)을 받아 들이고, 계속하여 지지암 10a를 전진이동시켜서, 미처리 기판(W)을 상기 냉각 플레이트 CP 위에 둔다. 상기 냉각 플레이트 CP에 대한 기판의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 2의 주 반송기구 10B의 반송공정(2)에 상당한다.
냉각 플레이트 CP로의 기판(W)의 바꾸어 싣는 것이 끝나면, 빈 지지암 10a와 냉각처리된 기판(W)을 지지한 지지암 10b를, 소정의 레지스트막용 도포처리부(15)에 대향하는 위치에까지 이동시킨다. 먼저, 빈 지지암 10a를 전진이동시켜서, 상기 레지스트막용 도포처리부(15)에 있는 스핀 척(17) 위의 처리가 끝난 기판(W)을 받아들임과 동시에, 기판(W)을 지지한 지지암 10b를 전진이동시켜서, 상기 기판(W)을 스핀 척(17) 위에 둔다. 스핀 척(17) 위에 실린 기판(W)은, 주 반송기구 10B가 다른 반송동작을 하고 있는 동안에 레지스트막이 도포 형성된다. 스핀 척(17)에 대한 기판의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 2의 주 반송기구 10B의 반송공정(3)에 상당한다. 또한, 도 11 중의 「PR」은 레지스트막용 도포처리부(15)를 의미한다.
스핀 척(17)으로의 기판(W)의 수수가 끝나면, 레지스트막이 도포형성된 기판(W)을 지지한 지지암 10a와, 빈 지지암 10b를, 소정의 기판 가설치부 구비의 가열부(PHP)에 대향시킨다. 먼저, 빈 지지암 10b를 전진이동시켜서, 상기가열부(PHP) 위의 기판 가 설치부(19)에 설치되어 있는 처리가 끝난 기판(W)을 받아 들인다. 계속하여, 지지암 10a를 전진이동시켜서, 미처리 기판(W)을 기판 가 설치부(19) 위에 둔다. 기판 가 설치부(19) 위에 실린 기판(W)은, 주 반송기구 10B가 다른 반송동작을 하고 있는 동안에, 상기 가열부(PHP)의 로컬 반송기구(20)에 의해, 상기 가열부(PHP)의 가열 플레이트(HP) 위로 이동되어 열처리된다. 상기 가열 플레이트(HP) 위에서 열처리된 기판(W)은, 같은 로컬 반송기구(20)에 의해 기판 가 설치부(19)에 되돌려진다. 상기 기판(W)은, 로컬 반송기구(20)의 지지플레이트(24)에 지지되어 기판 가 설치부(19)에 되돌려지는 과정에서, 지지플레이트(24)의 냉각기구에 의하여 냉각된다. 상기 가열부(PHP)에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 2의 주 반송기구 10B의 반송공정(4)에 상당한다.
가열부(PHP)로의 기판(W)의 수수가 끝나면, 빈 지지암 10a와, 열처리된 기판(W)을 지지한 지지암 10b를, 레지스트막용 열처리부(16)의 냉각 플레이트 CP에 대향시킨다. 그리고, 빈 지지암 10a를 전진이동시켜서, 그 냉각 플레이트(CP) 위의 처리가 끝난 기판(W)을 받아 들임과 동시에, 지지암 10b를 전진이동시켜서, 미처리 기판(W)을 냉각 플레이트(CP) 위에 둔다. 상기 냉각 플레이트(CP)에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 2의 주 반송기구 10B의 반송공정(5)에 상당한다.
냉각 플레이트(CP)로의 기판(W)의 수수가 끝나면, 냉각된 기판(W)을 지지한 지지암 10a와, 빈 지지암 10b를 기판설치부 PASS 5, PASS 6에 대향시킨다. 계속하여, 지지암 10a를 전진이동시켜서 위쪽의 기판 불출용의 기판설치부 PASS 5 위에 기판(W)을 둠과 동시에, 아래쪽의 기판 복귀용의 기판설치부 PASS 6에 설치되어 있는 현상처리가 끝난 기판(W)을 지지암 10b 에서 받아 들인다.
기판설치부 PASS 5, PASS 6에 대한 기판(W)의 수수는 도 11 중에 나타낸 제 2의 주 반송기구 10B의 반송공정(6 + α)에 상당한다, 반송공정(6 + α)은 1 반송공정인 것으로서 취급된다.
레지스트막용 처리 셀 C3에 구비된 제 2의 주 반송기구 10B는 상술한 반송공정(1 +α)으로부터 반송공정(6 + α)의 각 기판방송을 되풀이 하여 행한다. 여기서, 제 2의 주 반송기구 10B의 반송공정( 1 + α)으로부터 반송공정(6 + α)의 각 기판반송을 반복하여 행한다. 여기서, 제 2의 주 반송기구 10B의 반송공정( 1 + α)으로부터 반송공정(6 + α)을 합계하면, 제 2의 주 반송기구 10B는, 제 1의 주 반송기구 10A 와 마찬가지로 대략 6개의 반송공정을 부담하는 것으로 된다. 따라서, 제 2의 주 반송기구 10B는, 제 1의 주 반송기구 10A 와 같은 주기(본 실시예 에서는, 약 24초)로 기판반송의 1 주기를 완료한다. 바꾸어 말하면, 24초에 1회(150매/시간)의 비율로 기판(W)이 인근의 현상처리 셀 C4에 불출된다.
현상처리 셀 C4의 동작을 설명한다. 레지스트막이 도포형성된 기판(W)이 기판설치부 PASS 5에 두어지면 도 11에 나타내는 바와 같이, 셀 C4의 제 3의 주 반송기구 10C는, 먼저 지지암 10b에 지지된 현상처리가 끝난 기판(W)을 기판설치부 PASS 6 위에 두고, 그 후, 기판설치부 PASS 5 위의 기판(W)을 지지암 10a 위로 받아 들인다. 기판설치부 PASS 5, PASS 6에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 제 3의 주 반송기구 10C의 반송공정( 1 + α)으로 나타내져 있다.
기판설치부 PASS 5, PASS 6에 대한 기판(W)의 수수가 끝나면, 제 3의 주 반송기구 10C는, 기판(W)을 지지한 지지암 10a 와 빈 지지암 10b를 현상용 열처리부(31)의 적층구조 중에 설치된 기판설치부 PASS 7, PASS 8에 대향하는 위치에 까지 이동시킨다. 계속하여, 지지암 10a를 전진이동시켜서 위쪽의 기판 불출용의 기판설치부 PASS 7 위에, 레지스트막이 도포되어 형성된 기판(W)을 두고, 그 후, 아래쪽의 기판 복귀용의 기판설치부 PASS 8에 설치되어 있는 노광(露光)후의 가열처리 끝난 기판(W)을 지지암 10b에서 받아 들인다. 기판설치부 PASS 7, PASS 8에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 제 3의 주 반송기구 10C의 반송공정(2 + α)으로 나타내고 있다.
기판설치부 PASS 7, PASS 8에 대한 기판(W)의 수수가 끝나면, 제 3의 주 반송기구 10C는, 빈 지지암 10a 와, 노광후의 가열처리가 끝난 기판(W)을 지지한 지지암 10b를 현상용 열처리부(31)의 소정의 냉각 플레이트(CP)에 대향하는 위치에 까지 이동시킨다. 그리고, 먼저, 빈 지지암 10a를 전진이동시켜서, 상기 냉각 플레이트(CP) 위의 냉각처리가 끝난 기판(W)을 받아 들이며, 계속하여 지지암 10b를 전진이동시켜서, 미처리 기판(W)을 상기 냉각 플레이트(CP) 위에 둔다. 상기 냉각 플레이트(CP)에 대한 기판의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 3의 주 반송기구 10C의 반송공정(3)에 상당한다.
냉각 플레이트(CP)로의 기판(W)의 수수가 끝나면, 냉각처리된 기판(W)을 지지한 지지암(10a)과, 빈 지지암 10b를 소정의 현상처리부(30)에 대향하는 위치에 까지 이동시킨다. 먼저, 빈 지지암 10b를 전진이동시켜서, 상기 현상처리부(30)에 있는 스핀 척(32) 위의 처리가 끝난 기판(W)을 받아들임과 동시에, 기판(W)을 지지한 지지암 10a를 전진이동시켜서, 상기 기판(W)을 스핀 척(32) 위에 둔다. 스핀 척(32) 위에 실린 기판(W)은, 주 반송기구 10C가 다른 반송동작을 하고 있는 동안에, 현상처리 된다. 스핀 척(32)에 대한 기판의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 3의 주 반송기구 10C의 반송공정(4)에 상당한다. 또한, 도 11 중의 「SD」는 현상처리부(30)를 의미한다.
스핀 척(32)로의 기판(W)의 수수가 끝나면, 빈 지지암 10a와, 현상처리된 기판(W)을 지지한 지지암 10b를, 현상용 열처리부(31)의 소정의 가열 플레이트(HP)에 대향시킨다. 먼저, 빈 지지암 10a를 전진이동시켜서, 상기 가열 플레이트(HP) 위에 설치되어 있는 처리가 끝난 기판(W)을 받아 들인다. 계속하여, 지지암 10b를 전진이동시켜서, 미처리 기판(W)을 가열 플레이트(HP) 위에 둔다. 상기 가열 플레이트(HP)에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 3의 주 반송기구 10C의 반송공정(5)에 상당한다.
가열 플레이트(HP)로의 바꾸어 싣기가 끝나면, 가열처리된 기판(W)을 지지한 지지암 10a와, 빈 지지암 10b를, 레지스트막용 처리 셀 3 쪽에 있는 격벽(13)에 설치된 수냉식의 냉각 플레이트(WCP)에 대향시킨다. 그리고, 빈 지지암 10b를 전진이동시켜서, 상기 냉각 플레이트(WCP) 위의 처리가 끝난 기판(W)을 받아 들임과 동시에, 지지암 10a를 전진이동시켜서 미처리 기판(W)을 냉각 플레이트(WCP) 위에 둔다. 상기 냉각 플레이트(WCP)에 대한 기판(W)의 수수는 도 11 중에 나타낸 제 3의 주 반송기구 10C의 반송공정(6)에 상당한다.
현상처리 셀 C4에 구비된 제 3의 주 반송기구 10C는, 상술한 반송공정( 1 +α)으로부터 반송공정(6)의 각 기판 반송을 반복하여 행한다. 여기서, 제 3의 주 반송기구 10C의 반송공정(1 + α)으로부터 반송공정(6)을 합계하면, 제 3의 주 반송기구 10C는, 제 1, 제 2의 주 반송기구 10A, 10B와 마찬가지로 대략 6개의 반송공정을 부담하는 것으로 된다. 따라서, 제 3의 주 반송기구 10B는, 제 1, 제 2의 주 반송기구 10A, 10B와 마찬가지 주기(상기 실시예에서는, 약 24초)로 기판반송의 1 주기를 완료한다. 바꾸어 말하면, 24초에 1회(150매/시간)의 비율로 기판(W)이 인근의 노광후 가열용 처리 셀 C5에 불출된다.
노광후 가열용 처리 셀 C5의 동작을 설명한다. 레지스트막을 도포하여 형성된 기판(W)이 기판설치부 PASS 7에 두어지면, 도 11에 나타내는 바와 같이, 셀 C5의 제 4의 주 반송기구 10D는, 지지암 10b에 지지된 노광후 가열처리 끝난 기판(W)을 기판설치부 PASS 8 위에 두고, 그 후에 기판설치부 PASS 7 위의 기판(W)을 지지암 10a 위에 받아 들인다. 기판설치부 PASS 7, PASS 8에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 4의 주 반송기구 10D의 반송공정(1 + α)에 상당한다.
기판설치부 PASS 7, PASS 8에 대한 기판(W)의 수수가 끝나면, 제 4의 주 반송기구 10D는, 기판(W)을 지지한 지지암 10a 와 빈 지지암 10b를, 소정의 엣지 노광부(EEW)에 대향하는 위치에 까지 이동시킨다. 그리고, 먼저, 빈 지지암 10b를 전진이동시켜서, 상기 엣지 노광부(EEW)의 스핀 척 36 위에 있는 주변 노광이 끝난 기판(W)을 받아들이고, 계속하여 지지암 10a를 전진이동시켜서, 미처리 기판을 상기 스핀 척 36 위에 둔다. 스핀 척 36 위에 실린 기판(W)은, 주 반송기구 10D가 다른 반송동작을 하고 있는 동안에, 그 원주 테두리부가 노광된다. 상기 스핀 척 36에 대한 기판의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 4의 주 반송기구 10D의 반송공정(2)에 상당한다.
스핀 척 36에 대한 기판(W)의 수수가 끝나면, 제 4의 주 반송기구 10D는, 빈 지지암 10a와, 주변 노광된 기판(W)을 지지한 지지암 10b를, 현상용 열처리부(31)에 있는 냉각 플레이트(CP)에 대향하는 위치에 까지 이동시킨다. 그리고, 빈 지지암 10a를 전진이동시켜서, 상기 냉각 플레이트(CP) 위의 처리끝난 기판(W)을 받아 들임과 동시에, 지지암 10b를 전진이동시켜서, 주변 노광된 기판(W)을 냉각 플레이트(CP) 위에 둔다. 상기 냉각 플레이트(CP)에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 4의 주 반송기구 10D의 반송공정(3)에 상당한다.
냉각 플레이트(CP)에 대한 기판(W)의 수수가 끝나면, 제 4의 주 반송기구 10D는, 냉각처리된 기판(W)을 지지한 지지암 10a와, 빈 지지암 10b를, 기판설치부 PASS 9, PASS 10에 대향하는 위치에 까지 이동시킨다. 계속하여, 지지암 10a를 전진이동시켜서 위쪽의 기판 불출용의 기판설치부 PASS 9 위에 기판(W)을 둠과 동시에, 아래쪽 기판 복귀용의 기판설치부 PASS 10에 설치되어 있다. 노광장치(STP)에서 노광된 기판(W)을 지지암 10b에서 받아 들인다. 기판설치부 PASS 9, PASS 10에 대한 기판(W)의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 4의 주 반송기구 10D의 반송공정(4 + α)에 상당한다.
기판설치부 PASS 9, PASS 10에 대한 기판(W)의 수수가 끝나면, 제 4의 주 반송기구 10C는, 빈 지지암 10a와, 노광이 끝난 기판(W)을 지지한 지지암 10b를, 현상용 열처리부(31)에 있는 소정의 기판 가 설치부 구비의 가열부(PHP)에 대향하는위치에 까지 이동시킨다. 그리고, 먼저, 빈 지지암 10a를 전진이동시키고, 상기 가열부(PHP, 구체적으로는, 기판 가 설치부(19)의 위)에 있는 노광후의 가열처리가 끝난 기판(W)을 받아 들이고, 계속하여 지지암 10b를 전진이동시키고, 노광이 끝난 기판(W)을 가열부(PHP, 구체적으로는, 기판 가 설치부(19)의 위)에 둔다. 기판 가 설치부(19)에 놓여진 기판(W)은, 주 반송기구 10D가 다른 반송동작을 하고 있는 동안에, 로컬 반송기구(20)에 의해 가열 플레이트(HP)로 이동되어 가열처리 된 후에, 동일하게 로컬 반송기구(20)에 의해 냉각되면서 기판 가 설치부(19)로 되돌아 간다. 상기 가열부(PHP)에 대한 기판의 수수는, 도 11 중에 나타낸 제 4의 주 반송기구 10D의 반송공정(5)에 상당한다.
노광후 가열용 처리 셀 C5에 구비된 제 4의 주 반송기구 10D는, 상술한 반송공정(1 + α)으로부터 반송공정(5)의 각 기판반송을 반복하여 행한다. 여기서, 제 4의 주 반송기구 10D의 반송공정(1 + α)으로부터 반송공정(5)을 합계하면, 제 4의 주 반송기구 10D는, 제 1 ∼ 제 3의 주 반송기구 10A ∼ 10C 보다도 하나 작은 대략 5개의 반송공정을 부담하는 것으로 된다. 노광후 가열용 처리 셀 C5만을 보면, 제 4의 주 반송기구 10D는, 1 반송공정에 필요하는 시간을 4초로 한 경우에, 20초 주기로 동작가능하나, 다른 제 1 ∼ 제 3의 주 반송기구 10A ∼ 10C가 24초 주기로 움직이므로, 결국, 노광후 가열용 처리 셀 C5로부터는, 다른 셀과 마찬가지로, 24초에 1회 (150매/시간)의 비율로 기판(W)이 인근의 인터페이스 셀(C6)에 불출된다.
인터페이스 셀(C6)의 동작을 설명한다. 주변 노광된 기판(W)이 기판설치부PASS 9에 두어지면, 인터페이스 셀(C6)의 인터페이스용 반송기구(35)가 기판설치부 PASS 9로부터 기판(W)을 받아들여 인접하는 노광장치(STP)에 넘긴다. 더욱이, 인터페이스용 반송기구(35)는, 노광장치(STP)로부터 노광이 끝난 기판(W)을 받아 들여서, 상기 기판을 기판 복귀용의 기판설치부 PASS 10에 싣는다. 인터페이스용 반송기구(35)는, 이와 같은 기판 반송동작을 반복하여 행한다.
이상과 같이, 본 실시예에 관한 기판처리장치는, 각 셀 C1 ∼ C6이 각 컨트롤러 CT1 ∼ CT6의 제어하에서, 주 반송기구(10, 단, 인덱서셀 C1의 경우는 인덱서용 반송기구(7), 인터페이스 셀(C6)의 경우는 인터페이스용 반송기구(35))를 사용하여 기판(W)의 반송을 하고, 인접하는 셀 사이에서는, 기판반송에 관해서는, 기판설치부 PASS에 기판(W)을 둔다고 하는 정보와, 기판을 받아 들인다고 하는 정보를 주고 받을 뿐이다. 요컨대, 각 셀은 인접하는 셀에 있어서 기판반송의 상태를 감시하는 경우없이, 각 셀이 독립하여 셀 내의 기판반송을 독립하여 행하고 있다. 그 때문에 각 셀로부터의 기판의 불출은 반드시 동시에는 행해지지 않고, 다소(多少)의 시간적 어긋남이 생긴다. 그러나, 상기 시간적 어긋남은, 인접 셀 사이에서 기판을 수수하기 위하여 설치된 기판설치부에 놓여지는 시간이 다소 길게 되거나, 또는 짧게 되는 것에 의해 흡수되므로, 셀 사이에 기판 수수의 시간적 어긋남이 생긴 때문에 기판반송에 지장을 초래한다고 하는 경우는 없다.
따라서, 본 실시예 장치에 의하면, 각 셀 C1 ∼ C6을 제어하는 컨트롤러 CT1 ∼ CT6의 부담이 작게 되고, 그 만큼 기판처리장치의 효율이 향상함과 동시에, 장치구성을 간소화할 수 있다. 또한, 적당한 셀 사이에 기판검사부와 주반송기구를포함하는 기판검사용 셀을 용이하게 설치할 수 있으므로, 범용성이 높은 기판처리장치를 실현할 수도 있다. 또한, 다른 셀에 비하여, 반송공정의 수가 적은 셀을 설치해 두면(실시예 장치에서는, 노광후 가열용 처리 셀 C5), 다른 셀에 영향을 주는 경우없이, 상기 셀에 새로운 처리부(예를 들면, 기판 검사부)를 용이하게 추가할 수 있다.
다음에, 노광장치(STP)나 현상처리셀 C4 등이, 예를 들면 고장으로 기판을 받아 들일 수 없게 된 경우의 동작을 설명한다.
지금 노광장치(STP)가 기판(W)을 받아 들일 수 없게 되었다고 한다. 이 경우, 인터페이스 셀(C6)의 경우는 인터페이스용 반송기구(35)는, 기판설치부 PASS 9에 두어진 기판(W)을 받아 들이고, 상기 기판(W)을 이송용 버퍼(SBF)에 일시적으로 수납한다. 버퍼(SBF)에 수납가능한 매수만 처리가 계속되고, 버퍼(SBF)에 수납불능으로 된다고 예측된 경우에, 인덱서 셀(C1)로부터 기판(W)을 불출하는 것을 정지한다. 노광장치(STP)가 기판(W)을 받아 들일 수 있게 되면, 인터페이스용 반송기구(35)는, 버퍼(SBF)에 수납된 각 기판을 수납한 순으로 꺼내어 노광장치(STP)에 넘겨지며, 이하, 통상의 동작으로 되돌아 간다.
한편, 현상처리셀 C4가 기판(W)을 받아 들일 수 없게 되었다고 한다. 이 경우, 인터페이스용 반송기구(35)는, 노광장치(STP)로부터 차례로 되돌려져 오는 노광이 끝난 기판(W)을, 통상 동작대로 기판설치부 PASS 10에 넘겨진다. 노광후 가열용 처리셀 C5의 제 4의 주 반송기구 10D는, 통상 동작대로 받아 들여 가열부(PHP)에 넘겨진다. 그리고, 가열부(PHP)에서 노광후의 가열처리가 행해진 기판(W)을 기판설치부 PASS 8에 두지않고, 제 4의 주 반송기구 10D가 셀 C5 내에 있는 기판복귀용의 버퍼 RBF에 일시적으로 수납한다. 노광장치(STP) 내에 반입되어 있는 매수의 기판(W)에 대하여, 마찬가지로 노광후의 가열처리를 한 후에 기판 복귀용의 버퍼 RBF에 수납한다. 현상처리셀 C4 가 기판(W)을 받아 들이는 것이 가능하게 되면, 제 4의 주 반송기구 10D는, 버퍼 RBF에 수납한 각 기판을 수납한 순으로 꺼내어 기판설치부 PASS 8에 넘겨지고, 이하, 통상의 동작으로 되돌아 간다.
이상과 같이 본 실시예 장치에서는, 기판 복귀용의 버퍼 RBF를 노광후 가열용 처리셀 C5에 설치, 노광장치(STP)로부터 불출되는 기판(W)을 가열부(PHP)에서 가열처리 한 후에 버퍼 RBF에 수납 보관하도록 하였으므로, 노광장치(STP)로부터 불출된 기판(W)이 노광후의 가열처리를 받지 않고 장시간에 걸쳐 방치되는 경우는 없다. 덧붙여서 말하면, 종래의 기판처리장치는, 이송용 버퍼와 복귀용 버퍼가 같은 개소에 설치되어 있으며, 노광장치로부터 불출된 기판(W)을 인터페이스용 반송기구가 직접 복귀용 버퍼에 수납하고 있었으므로 노광장치(STP)로부터 불출된 기판(W)이 노광후의 가열처리를 받지 않고 장시간에 걸쳐서 방치되는 상태로 되어 있다.
화학 증폭형 포토레지스트는, 노광후의 가열을 신속하게 할 필요가 있으므로, 상술한 종래장치의 보관방법에서는, 복귀 버퍼에 기판을 수납하여도 결국, 레지스트 막의 품위가 나쁘게 되므로, 레지스트 막을 박리하여 재생처리를 하지않으면 안된다고 하는 문제가 있다. 이에 대하여, 본 실시예 장치에 의하면, 노광장치(STP)로부터 불출되는 기판(W)에 신속하게 가열처리를 한 후에 버퍼 RBF에수납 보관하도록 하였으므로, 포토 레지스트 막을 유지한 결과, 종래장치와 같은 재생처리를 할 필요도 없다.
본 발명은, 상술한 실시예의 것에 한정되지 않고, 예를 들면 다음과 같이 변형 실시할 수도 있다.
(1) 실시예에서는, 제 1 ∼ 제 4의 주 반송기구 10A ∼ 10D는 수평방향으로는 이동시키지 않고, 지지암 만이 승강·선회 ·후퇴이동 가능하게 구성하였으나, 이들의 주 반송기구 10A ∼ 10D가 수평방향으로 이동하는 것이라도 좋다.
(2) 제 1 ∼ 제 4의 주 반송기구 10A ∼ 10D는, 각각 2개의 지지암 10a, 10b를 구비하고 있었으나, 단일한 지지암을 구비하는 것이라도 좋다.
(3) 실시예에서는, 노광후 가열용 처리셀 C5를, 현상처리블록(4)과 인터페이스 블록(5)에 걸쳐서 설치되었으나, 노광후 가열용 처리셀 C5를 독립한 블록(개별 블록용 프레임으로 조립된 요소)으로서 구성되어도 좋다.
(4) 실시예에서는, 반사방지막용 처리블록(2)과 레지스트 막용 처리블록(3)을 개별적으로 설치하였으나, 단일한 처리블록에서 반사방지막 도포처리와 레지스트 막 도포처리를 하도록 해도 좋다. 또한, 반사방지막 도포처리가 불필요한 경우는, 반사방지막용 처리블록(2)을 구비하지 않아도 좋다.
이상의 설명에서 명백한 바와 같이, 청구항 1 및 청구항 15 기재의 발명에 의하면, 각 처리블록의 주 반송기구가 동시에 병행적(竝行的)으로 작동하는 것에 의해, 각 처리부에 대한 기판 수수의 속도가 등가적으로 향상하므로, 기판처리장치의 효율을 향상 시킬수 있다.
또한, 청구항 21 기재의 발명에 의하면, 각 피 제어 유닛의 제어수단은, 소정의 기판 설치부에 놓여진 기판의 수수로부터 시작하여, 소정의 기판 설치부에 기판을 두는 것에 의해서 완결하는 일련의 제어를 하는 것 만으로 좋으므로, 각 제어수단의 부담이 적게되고, 기판처리장치의 효율을 향상시킬수 있다. 또한 피 제어 유닛의증감을 비교적 간단하게 할 수도 있다.
또한, 청구항 24 기재의 발명에 의하면, 각 피 제어 유닛의 주 반송기구가 대략 동수의 반송공정을 부담하므로, 특정한 주 반송기구만이 빨리 반송한계로 빠지는 것을 회피할 수 있으며, 결과적으로, 기판처리장치의 효율을 향상시킬수 있다.

Claims (24)

  1. 기판(基板)에 대하여 일련의 약액(藥液)처리와 열처리를 하는 기판처리장치에 있어서,
    약액처리를 행하는 약액처리부와, 상기 약액처리에 관련한 열처리를 행하는 열처리부와, 상기 약액처리부 및 상기 열처리부에 대하여 기판의 수수(授受)를 하는 단일의 주(主) 반송기구(搬送機構)를 포함하여 단일한 처리블록을 구성하고,
    다른 약액처리 마다 구성된 복수개의 처리블록을 병설(竝設)하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 주 반송기구를 사용하여 기판을 특정위치로부터 다른 위치로 반송하는 공정을 1 반송공정으로 한 경우에, 상기 각 처리블록의 주 반송기구는, 대략 동수(同數)의 반송공정을 부담하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 각 처리블록의 주 반송기구는, 기판의 수수를 하기 위한 기판을 설치하는 기판처리부를 개재하여, 서로 기판의 수수를 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 기판설치부는, 어떤 처리블록으로부터 기판을 불출(拂出)하기 위한 불출용 기판설치부와, 어떤 처리블록으로 기판을 되돌리기 위한 복귀용 기판설치부의 적어도 2개의 기판설치부로부터 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 불출용 기판설치부와 복귀용 기판설치부는, 상하로 근접하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 처리블록의 사이에는 격벽이 설치되어 있으며,
    상기 기판설치부는 상기 격벽을 부분적으로 관통하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 기판설치부에, 기판의 유무를 검출하는 센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 처리블록은, 주 반송기구를 끼워서 약액처리부와 열처리부가 대향하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 약액처리부가 복수개 있고, 이들이 상하로 적층배치 되어 있으며, 또한, 상기 열처리부가 복수개 있으며, 이들이 상하로 적층배치 되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 열처리부는, 상하로 적층배치된 것이 복수열에 걸쳐 병설되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 열처리부는, 기판을 설치하여 가열처리하는 가열 플레이트(Plate)와, 상기 가열 플레이트로부터 떨어진 위쪽 위치 또는 아래쪽 위치에 기판을 설치해 두는 기판 가(假) 설치부와, 상기 가열 플레이트와 기판 가 설치부의 사이에서 기판을 반송하는 열처리부용의 로컬(Local) 반송기구를 구비한 기판 가 설치부 구비의 열처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 상기 열처리부용의 로컬 반송기구는, 상기 가열 플레이트로부터 기판 가 설치부로 기판을 반송하는 과정에서 기판을 냉각하는 냉각수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 주 반송장치는, 상기 기판 가 설치부에 대하여 기판의 수수를 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 기판 가 설치부 구비 열처리부의 적어도 가열 플레이트는 상자로 덮여있고, 상기 상자 내의 가열 플레이트에 대하여 상기 로컬 반송기구가 기판을 수수하기 위해 상기 상자에 설치된 개구부는, 상기 주 반송기구가 배치된 쪽과는 반대쪽으로 위치해 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 기판에 대하여 일련의 약액처리와 열처리를 하는 기판처리장치에 있어서,
    기판을 다단으로 수용하는 복수개의 카세트(Cassette)를 설치하는 카세트 설치대와, 각 카세트로부터 미처리 기판을 차례로 꺼냄과 동시에, 각 카세트로 처리가 끝난 기판을 차례로 수납하는 인덱서(Indexer)용 반송기구를 구비한 인덱서 블록(Indexer Block)과,
    기판표면에 반사방지막을 도포 형성하는 반사방지막용 도포처리부와, 반사방지막의 도포형성에 관련하여 기판을 열처리하는 반사방지막용 열처리부와, 상기 반사방지막용 도포처리부 및 반사방지막용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 1의 주 반송기구를 구비하고, 상기 인덱스 블록에 인접하여 설치되는 반사방지막용 처리블록과,
    반사방지막이 도포형성된 기판에 포토레지스트(Photoresist)막을 도포형성하는 레지스트막용 도포처리부와, 포토레지스트막의 도포형성에 관련하여 기판을 열처리하는 레지스트막용 열처리부와, 상기 레지스트막용 도포처리부 및 레지스트막용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 2의 주 반송기구를 구비하고, 상기반사방지막용 처리블록에 인접하여 설치되는 레지스트막용 처리블록과,
    포토레지스트막이 도포형성되고, 또한, 노광된 기판에 현상처리를 하는 현상처리부와, 현상처리에 관련하여 기판을 열처리하는 현상용 열처리부와, 상기 현상처리부 및 현상용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는제 3의 주 반송기구를 구비, 상기 레지스트막용 처리블록에 인접하여 설치되는 현상처리블록과, 상기 현상처리블록에 인접하여 설치되며, 본 기판처리장치와는 별체(別體)의 외부장치인 노광(露光)장치에 대하여 기판의 수수를 하는 인터페이스(Interface)용 반송기구를 구비한 인터페이스 블록을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    적어도 상기 인덱서블록(Indexer block)과 상기 반사방지막용 처리블록 사이는, 기판 수수용의 개구부위를 제외하고 격벽으로 구획되며, 또한, 반사방지막용 처리블록 내의 기압이 인덱서블록 내의 기압보다도 높게 되도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 현상처리블록의 열처리부는, 기판을 재치하여 가열처리를 하는 가열 플레이트와, 상기 가열 플레이트로부터 떨어진 위쪽 위치 또는 아래쪽 위치에 기판을설치하여 두는 기판 가(假)설치부와, 상기 가열 플레이트와 기판 가설치부의 사이에서 기판을 반송하는 열처리부용의 로컬 반송기구를 구비한 기판 가설치부 구비의 열처리부를 포함하고,
    상기 인터페이스 블록은 또한, 포토레지스트가 도포된 기판의 원주 테두리부를 노광하는 엣지(Edge) 노광부와, 상기 기판 가설치부 구비의 열처리부 및 상기 엣지 노광부에 대하여 기판을 수수하는 제 4의 주 반송기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 열처리부용의 로컬 반송기구는, 상기 가열 플레이트로부터 기판 가 설치부로 기판을 반송하는 과정에서 기판을 냉각하는 냉각수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 인덱서용 블록의 인덱서용 반송기구와 상기 반사 반사방지막용 처리블록의 제 1의 주 반송기구와는, 기판의 수수를 하기 위한 기판을 설치하는 기판설치부를 개재하여, 서로 기판의 수수를 하고,
    마찬가지로, 상기 제 1의 주 반송기구와 상기 레지스트막용 처리블록의 제 2의 주 반송기구, 상기 제 2의 주 반송기구와 상기 현상처리블록의 제 3의 주 반송기구, 상기 제 3의 주 반송기구와 상기 제 4의 주 반송기구, 및 상기 제 4의 주 반송기구와 상기 인터페이스 블록의 인터페이스용 반송기구의 각각은, 기판의 수수를 하기 위하여 기판을 설치하는 기판설치부를 개재하여, 서로 기판의 수수를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 인터페이스 블록은, 노광기(露光機)가 기판을 받아들일 수 없을 때, 노광처리(露光處理)전의 기판을 수납하는 이송용 버퍼(Buffer)와, 노광처리후의 기판을 현상처리할 수 없을 때 현상처리전의 기판을 수납하는 복귀 버퍼(Buffer)를 구비하고,
    상기 인터페이스용 반송기구는, 노광기가 기판을 받아들일 수 없을 때에, 노광처리전의 기판을 상기 이송용 버퍼에 수납하고,
    상기 제 4의 주 반송기구는, 노광처리후의 기판을 현상처리할 수 없을 때, 현상처리전의 기판을, 상기 현상처리블록의 기판 가(假) 설치부 구비의 열처리부에서 열처리한 후에, 상기 복귀 버퍼에 수납하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  21. 기판에 소요의 처리를 하는 처리부와, 상기 처리부에 대하여 기판의 수수(授受)를 하는 단일 주 반송기구를 포함하고 단일 피(被) 제어유닛을 구성하며, 상기 피 제어 유닛을 병설(竝設)하여 구성되는 기판처리 장치에 있어서,
    상기 각 피 제어 유닛의 주 반송기구는, 기판의 수수를 행하기 위하여 기판을 설치하는 기판설치부를 개재하여, 서로 기판의 수수를 하고,
    또한, 상기 각 피 제어 유닛의 주 반송기구의 기판 수수 동작을 적어도 제어하는 제어수단을 각 피 제어 유닛마다 구비하고,
    각 피 제어 유닛의 제어수단은, 상기 처리부에 대한 기판의 수수 및 상기 기판설치부에 대한 기판의 수수를 포함하는 일련의 기판반송에 관한 제어를, 각각 독립하여 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  22. 제 21항에 있어서,
    기판을 다단으로 수용하는 복수개의 카세트(Cassette)를 설치하는 카세트 설치대와, 각 카세트로부터 미처리한 기판을 차례로 꺼냄과 동시에, 각 카세트에 처리가 끝난 기판을 차례로 수납하는 인덱서용 반송기구를 구비한 인덱서 블록이 인덱서용의 피 제어유닛을 구성하고,
    마찬가지로, 기판표면에 반사방지막을 도포형성하는 반사방지막용 도포처리부와, 반사방지막의 도포형성에 관련하여 기판을 열처리하는 반사방지막용 열처리부와, 상기 반사방지막용 도포처리부 및 반사방지막용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 1의 주 반송기구를 구비한 반사방지막용 처리블록이 반사방지막용의 피 제어유닛을 구성하고,
    반사방지막이 도포형성된 기판에 포토레지스트막을 도포형성하는 레지스트 막용 도포처리부와, 포토레지스트막의 도포형성에 관련하여 기판을 열처리하는 레지스트막용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 2의 주 반송기구를 구비한 레지스트막용 처리블록이 레지스트막용의 피 제어유닛을 구성하고,
    포토레지스트막이 도포형성되며, 더욱이 노광된 기판에 현상처리를 하는 현상처리부와, 현상처리에 관련하여 기판을 열처리하는 현상용 열처리부와, 상기 현상처리부 및 현상용 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 제 3의 주 반송기구를 구비한 현상처리블록이 현상용의 피 제어유닛을 구성하고,
    노광된 기판을 현상전에 가열처리하는 노광후 가열용의 열처리부와, 상기 노광후 가열용의 열처리부에 대하여 기판을 수수하는 제 4의 주 반송기구를 포함하여 노광후 가열용의 피 제어유닛을 구성하고,
    본 기판처리장치와는 별체(別體)의 외부장치인 노광장치에 대하여 기판의 수수를 하는 인터페이스용 반송기구를 포함하여 인터페이스(Interface)용의 피 제어유닛을 구성한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  23. 제 22항에 있어서,
    기판을 검사하는 기판검사부와, 상기 기판검사부에 대하여 기판을 수수하는 기판검사용의 주 반송기구를 포함하여 구성되는 기판검사용의 피 제어유닛을 또 다시 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  24. 약액처리를 하는 약액처리부와, 상기 약액처리에 관련한 열처리를 하는 열처리부와, 상기 약액처리부 및 상기 열처리부에 대하여 기판의 수수를 하는 단일 주 반송기구를 포함하여 단일의 피 제어유닛을 구성하고,
    다른 약액처리마다 구성된 복수개의 피 제어유닛이 나란히 설치되어 있는 기판처리 장치에 있어서,
    상기 주 반송기구를 사용하여 기판을 특정한 위치로부터 다른 위치로 반송하는 공정을 1 반송공정으로 한 경우에, 상기 각 피 제어유닛의 주 반송기구는, 대략 동수(同數)의 반송공정을 부담하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100708318B1 (ko) * 2004-11-10 2007-04-17 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리 장치 및 기판처리 방법
KR100775696B1 (ko) * 2005-09-27 2007-11-09 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판반송방법
KR101010086B1 (ko) * 2007-11-30 2011-01-24 가부시키가이샤 소쿠도 기판처리장치
US9165807B2 (en) 2007-06-29 2015-10-20 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with vertical treatment arrangement including vertical blowout and exhaust units
US9184071B2 (en) 2007-11-30 2015-11-10 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9299596B2 (en) 2007-12-28 2016-03-29 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates
US9368383B2 (en) 2007-12-28 2016-06-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with substrate reordering
KR20170022931A (ko) * 2015-08-21 2017-03-02 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
US10748795B2 (en) 2016-09-26 2020-08-18 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20210035124A (ko) * 2013-11-14 2021-03-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004342654A (ja) 2003-05-13 2004-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4279102B2 (ja) * 2003-09-22 2009-06-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4381121B2 (ja) * 2003-12-11 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4490779B2 (ja) * 2004-10-04 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2006310724A (ja) 2004-11-10 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5008280B2 (ja) * 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5154008B2 (ja) * 2004-11-10 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4381285B2 (ja) 2004-11-11 2009-12-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4926433B2 (ja) 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
CN100424815C (zh) * 2004-12-06 2008-10-08 株式会社迅动 基板处理装置及基板处理方法
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5154007B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5154006B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5008268B2 (ja) * 2004-12-06 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4490801B2 (ja) * 2004-12-16 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US20060130767A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
JP4401285B2 (ja) * 2004-12-24 2010-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7245348B2 (en) * 2005-01-21 2007-07-17 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method with antireflection film and an auxiliary block for inspection and cleaning
JP4459831B2 (ja) * 2005-02-01 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4515331B2 (ja) * 2005-05-30 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム
JP4716362B2 (ja) * 2005-06-07 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP4514657B2 (ja) * 2005-06-24 2010-07-28 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4522329B2 (ja) * 2005-06-24 2010-08-11 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7766565B2 (en) 2005-07-01 2010-08-03 Sokudo Co., Ltd. Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system
JP4753641B2 (ja) * 2005-07-01 2011-08-24 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理システム
JP4937559B2 (ja) * 2005-09-14 2012-05-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4667252B2 (ja) * 2006-01-16 2011-04-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2007201078A (ja) 2006-01-25 2007-08-09 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP4771816B2 (ja) * 2006-01-27 2011-09-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5132108B2 (ja) 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
TWI274034B (en) * 2006-03-15 2007-02-21 Mjc Probe Inc Multi-directional gripping apparatus
JP4832201B2 (ja) 2006-07-24 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP4744426B2 (ja) 2006-12-27 2011-08-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4726776B2 (ja) * 2006-12-27 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 反転装置およびそれを備えた基板処理装置
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
JP4949064B2 (ja) * 2007-02-15 2012-06-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5004612B2 (ja) * 2007-02-15 2012-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5004611B2 (ja) 2007-02-15 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US9050634B2 (en) 2007-02-15 2015-06-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2008198879A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP5149513B2 (ja) 2007-02-15 2013-02-20 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5064069B2 (ja) * 2007-03-20 2012-10-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板搬送装置および熱処理装置
JP4908304B2 (ja) * 2007-04-27 2012-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、基板の処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US20080279658A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods within equipment work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080292433A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-27 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080279672A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory
JP4979079B2 (ja) * 2007-07-09 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5039468B2 (ja) 2007-07-26 2012-10-03 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
US7641406B2 (en) 2007-07-26 2010-01-05 Sokudo Co., Ltd. Bevel inspection apparatus for substrate processing
JP5148944B2 (ja) 2007-08-14 2013-02-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
JP5192206B2 (ja) 2007-09-13 2013-05-08 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5166802B2 (ja) 2007-09-13 2013-03-21 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
CN101855717B (zh) * 2007-11-09 2011-10-19 佳能安内华股份有限公司 在线型晶圆输送装置
JP5015729B2 (ja) * 2007-11-13 2012-08-29 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2009135169A (ja) 2007-11-29 2009-06-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100892756B1 (ko) * 2007-12-27 2009-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
JP5107122B2 (ja) 2008-04-03 2012-12-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5430873B2 (ja) * 2008-04-16 2014-03-05 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP5280141B2 (ja) * 2008-09-30 2013-09-04 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR101100833B1 (ko) 2008-11-25 2012-01-02 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
US8941809B2 (en) 2008-12-22 2015-01-27 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5237082B2 (ja) * 2008-12-24 2013-07-17 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2010177673A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Semes Co Ltd 基板処理設備及び基板処理方法
US8289496B2 (en) 2009-01-30 2012-10-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate
JP5462506B2 (ja) 2009-03-18 2014-04-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5410212B2 (ja) 2009-09-15 2014-02-05 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置
JP5381592B2 (ja) * 2009-10-06 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4906141B2 (ja) * 2010-03-29 2012-03-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP4906140B2 (ja) * 2010-03-29 2012-03-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
CN102064095A (zh) * 2010-12-03 2011-05-18 孙丽杰 半导体基板加工设备
CN102354665B (zh) * 2011-09-28 2016-03-02 上海华虹宏力半导体制造有限公司 内置光刻胶检测单元的退火装置、光刻胶的检测方法
JP5841389B2 (ja) 2011-09-29 2016-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP5608148B2 (ja) * 2011-11-25 2014-10-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
US9196515B2 (en) 2012-03-26 2015-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
US8903532B2 (en) * 2012-03-26 2014-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
JP5890255B2 (ja) 2012-04-02 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法
JP2013247197A (ja) * 2012-05-24 2013-12-09 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP6239813B2 (ja) 2012-07-18 2017-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP6001961B2 (ja) 2012-08-29 2016-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP6049367B2 (ja) 2012-09-13 2016-12-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理システム
JP5442890B2 (ja) * 2013-05-17 2014-03-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5442889B2 (ja) * 2013-05-17 2014-03-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5852219B2 (ja) * 2014-12-24 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法および基板処理装置
JP6503280B2 (ja) * 2015-11-12 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6195601B2 (ja) * 2015-12-03 2017-09-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法および基板処理装置
JP6557647B2 (ja) * 2016-11-22 2019-08-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
JP6860365B2 (ja) * 2017-01-31 2021-04-14 キヤノン株式会社 基板処理装置、基板処理システム、基板処理方法、物品製造方法、およびプログラム
JP7358044B2 (ja) * 2018-02-09 2023-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN111063645A (zh) * 2019-12-31 2020-04-24 昆山晟丰精密机械有限公司 半导体基板自动收放料***及方法
CN111421545B (zh) * 2020-04-08 2022-08-09 广东工业大学 一种液晶屏机器人搬运***及其搬运方法
CN114367447A (zh) * 2020-10-16 2022-04-19 深圳顺丰泰森控股(集团)有限公司 物流***

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3043094B2 (ja) 1991-04-02 2000-05-22 大日本スクリーン製造株式会社 フォトレジスト処理装置
EP0634699A1 (en) * 1993-07-16 1995-01-18 Semiconductor Systems, Inc. Clustered photolithography system
JPH07171478A (ja) 1993-12-20 1995-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3196917B2 (ja) * 1994-06-17 2001-08-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3779393B2 (ja) * 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US6099643A (en) * 1996-12-26 2000-08-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for processing a substrate providing an efficient arrangement and atmospheric isolation of chemical treatment section
JP3445757B2 (ja) * 1999-05-06 2003-09-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US6402400B1 (en) * 1999-10-06 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100708318B1 (ko) * 2004-11-10 2007-04-17 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리 장치 및 기판처리 방법
KR100775696B1 (ko) * 2005-09-27 2007-11-09 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판반송방법
US9174235B2 (en) 2007-06-29 2015-11-03 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus using horizontal treatment cell arrangements with parallel treatment lines
US10290521B2 (en) 2007-06-29 2019-05-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe
US9230834B2 (en) 2007-06-29 2016-01-05 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus
US9165807B2 (en) 2007-06-29 2015-10-20 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with vertical treatment arrangement including vertical blowout and exhaust units
US8708587B2 (en) 2007-11-30 2014-04-29 Sokudo Co., Ltd. Substrate treating apparatus with inter-unit buffers
US9184071B2 (en) 2007-11-30 2015-11-10 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US8545118B2 (en) 2007-11-30 2013-10-01 Sokudo Co., Ltd. Substrate treating apparatus with inter-unit buffers
US9687874B2 (en) 2007-11-30 2017-06-27 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
KR101010086B1 (ko) * 2007-11-30 2011-01-24 가부시키가이샤 소쿠도 기판처리장치
US9299596B2 (en) 2007-12-28 2016-03-29 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates
US9368383B2 (en) 2007-12-28 2016-06-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with substrate reordering
KR20210035124A (ko) * 2013-11-14 2021-03-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템
KR20170022931A (ko) * 2015-08-21 2017-03-02 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
US10748795B2 (en) 2016-09-26 2020-08-18 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus

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