JPH09275127A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH09275127A
JPH09275127A JP10472896A JP10472896A JPH09275127A JP H09275127 A JPH09275127 A JP H09275127A JP 10472896 A JP10472896 A JP 10472896A JP 10472896 A JP10472896 A JP 10472896A JP H09275127 A JPH09275127 A JP H09275127A
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JP
Japan
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substrate
area
arm
processing
transfer
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Application number
JP10472896A
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English (en)
Inventor
Kenji Sugimoto
憲司 杉本
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の設置面積を小さくしてクリーンルーム
の有効利用を図ることができる基板処理装置を提供す
る。 【解決手段】 基板処理部3〜6や、装置1内で基板W
を搬送するとともに、基板処理部3〜6に対する基板の
搬入出などを行う基板搬送装置10などを備えた基板処
理装置1において、基板処理部3〜6を配置する処理エ
リア13と、基板搬送装置10が基板Wを搬送する搬送
エリア12とを上下に積層した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板、フォトマスク、光ディスク
用の基板などの基板に所定の基板処理を行うための基板
処理装置に係り、特には、基板処理部と、装置内で基板
を搬送するとともに、基板処理部に対する基板の搬入出
を行う基板搬送手段とを備えた基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の基板処理装置としては、例え
ば、フォトレジストの塗布処理や各種のベーク処理、現
像処理等のフォトグラフィ工程の一連の基板処理を行う
装置が挙げられる。
【0003】この種の装置は、例えば、特開平5-90387
号公報に示すように、従来一般に、基板処理部(熱処理
部やスピンコーター、スピンデベロッパー等)が、基板
搬送装置の基板搬送路を挟むようにして、基板処理部と
基板搬送路とが平面的に配置されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来一般の基板処理装置では、基板処
理部と基板搬送路が平面的に配置されているので、基板
処理装置全体の設置面積は、基板処理部の水平方向の面
積と基板搬送路の水平方向の面積との合計となり、装置
の設置面積が大きくなる。この種の基板処理装置は、ラ
ンニングコストが高いクリーンルーム内に設置されるの
で、設置面積が大きい基板処理装置では、クリーンルー
ムの占有面積が大きくなり、クリーンルームの有効利用
が図れないという問題がある。特に、大型化しつつある
半導体ウエハ等の基板処理装置においては、基板のサイ
ズに応じて基板処理部の水平方向の面積や基板搬送路の
水平方向の面積が大きくなり、装置の設置面積が一層大
きくなりつつあり、上記クリーンルームの有効利用が図
れないという問題は深刻化しつつある。
【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、装置の設置面積を小さくしてクリーン
ルームの有効利用を図ることができる基板処理装置を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板処理部と、装置内で
基板を搬送するとともに、前記基板処理部に対する基板
の搬入出を行う基板搬送手段と、を備えた基板処理装置
において、前記基板処理部を配置する処理エリアと、前
記基板搬送手段が基板を搬送する搬送エリアとを上下に
積層したことを特徴とするものである。
【0007】また、請求項2に記載の発明は、上記請求
項1に記載の基板処理装置において、前記搬送エリアを
前記処理エリアの下側に配置したことを特徴とするもの
である。
【0008】また、請求項3に記載の発明は、上記請求
項1または2のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記基板搬送手段は、前記搬送エリアと前記処理エ
リアとの間で基板を搬送する際、前記基板を鉛直方向に
立てて行うことを特徴とするものである。
【0009】
【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。すなわち、基板搬送手段は、搬送エリアにおいて基
板を搬送し、その基板を搬送エリアの上または下に積層
配置された処理エリアに搬送して、その基板を基板処理
部に搬入する。また、基板処理部での基板処理が終了す
ると、基板搬送手段は、その基板処理部から基板を搬出
し、処理エリアから下または上に積層配置された搬送エ
リアにその基板を搬送して、搬送エリアにおいてその基
板を搬送する。このようにして、基板搬送手段は、装置
内での基板の搬送を搬送エリアで行い、基板処理は搬送
エリアの上または下に積層配置された処理エリアに配置
された基板処理部で行われる。
【0010】請求項2に記載の発明によれば、装置内で
の基板の汚染を低減できるようになる。すなわち、基板
搬送手段を駆動させる駆動機構からは部材の擦れなどに
よりパーティクル(粉塵)が発生する。この駆動機構
は、搬送エリアに設けられるので、搬送エリアが処理エ
リアの上方にあると、前記駆動機構からのパーティクル
が降下してきて、処理エリアで基板に付着し基板を汚染
することになる。これに対して、搬送エリアが処理エリ
アの下方にあると、前記駆動機構からのパーティクルが
降下しても、そのパーティクルが処理エリアに流れ込む
ことがなく、前記パーティクルによる基板汚染が低減す
る。
【0011】請求項3に記載の発明によれば、基板搬送
手段は、搬送エリアから処理エリアへの基板搬送や、処
理エリアから搬送エリアへの基板搬送の際、基板を鉛直
方向に立てて行う。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
【0013】<第1の実施の形態>図1は、本発明の第
1の実施の形態に係る基板処理装置の縦断面図であり、
図2は、その装置の処理エリアの平面図である。なお、
各図の位置関係を明確にするために、図1以下の各図に
同じ方向を示すXYZ直交座標を付している。
【0014】この第1の実施の形態は、ベーク処理用の
熱処理部3、フォトレジスト塗布用のスピンコーター
4、現像処理用のスピンデベロッパー5、基板Wの周縁
部を露光するためのエッジ露光部6、基板受け渡し台
9、基板搬送手段としての基板搬送装置10などを備え
て構成されている。また、本装置1では、搬入出部2
や、本装置1の近傍に設置される、露光処理用の露光ユ
ニット7と本装置1との間で基板Wを受け渡すためのイ
ンターフェイス(IF)ユニット8なども付設されてい
る。
【0015】そして、装置1は3階構造になっていて、
1階部分に収納エリア11、2階部分に搬送エリア1
2、3階部分に処理エリア13が設けられ、搬送エリア
12と処理エリア13が上下(この実施の形態では搬送
エリア12が下側)に積層されている。
【0016】収納エリア11は、フォトレジスト液や現
像液、リンス液などの各種の薬液の貯留部や、それら薬
液を所定温度に維持する薬液温調機構、各薬液をスピン
コーター4やスピンデベロッパー5などに供給する薬液
供給機構、装置1全体の制御を行うコントローラなどを
収納するためのエリアである。
【0017】搬送エリア12は、基板搬送装置10が装
置1内で基板Wを搬送するためのエリアである。
【0018】処理エリア13は、熱処理部3やスピンコ
ーター4、スピンデベロッパー5、エッジ露光部6など
の基板処理部を配置するためのエリアである。
【0019】また、搬送エリア12の天井(処理エリア
13の床面)部分には、基板搬送装置10が搬送エリア
12と処理エリア13との間で基板Wを搬送するための
開口(図2に斜線で示す部分)14が設けられている。
【0020】次に、各部の構成について説明する。搬入
出部2は、キャリアCを載置するキャリア載置台21を
備えて構成されている。キャリアCは、図5(a)に示
すように、複数枚の基板Wを収納棚CTに積層収納可能
に構成されている。このキャリアCに対する基板Wの取
り出し・収納は、後述するように基板搬送装置10が行
う。なお、このキャリア載置台21は、上記処理エリア
13と同じ3階部分に設けられている。
【0021】熱処理部3は、基板Wを所定温度に加熱す
るホットプレートHPを備えた加熱処理部31と、加熱
処理部31で加熱された基板Wを常温付近の所定温度に
冷却するクールプレートCPを備えた冷却処理部32と
を多段に積層して構成されている。また、ホットプレー
トHPやクールプレートCP(以下、これらプレートを
総称するときは、単に「熱プレート」ともいう)には、
基板搬送装置10と熱プレートとの間での基板Wの受け
渡しを行うための、複数本の基板支持ピン33(図6
(a)参照)が熱プレートを貫通して昇降可能に設けら
れている。さらに、加熱処理部31、冷却処理部32に
は、基板搬送装置10のアーム100に支持された基板
Wを搬入出するための搬入出口34が設けられ、搬入出
口34には基板Wを搬入出するときだけ開口する開閉自
在のシャッター(図示せず)も設けられている。
【0022】スピンコーター4は、基板Wを水平姿勢で
保持して鉛直軸周りに回転させるスピンチャック41
や、スピンチャック41の周囲に配設され、フォトレジ
スト塗布処理中のフォトレジスト液やリンス液(エッジ
リンスやバックリンスに用いられる)などが周囲へ飛散
するのを防止する飛散防止カップ42、スピンチャック
41に保持された基板Wにフォトレジスト液を吐出する
ノズル43などを備えて構成され、いわゆるスピンコー
ト法によってフォトレジストの薄膜を基板Wの表面に塗
布する。また、スピンチャック41と飛散防止カップ4
2とは相対昇降可能に構成されていて、後述するよう
に、基板搬送装置10によるスピンコーター4(スピン
チャック41)への基板Wの搬入出の際にはスピンチャ
ック41が飛散防止カップ42に対して上方に位置さ
れ、フォトレジスト塗布処理の際には飛散防止カップ4
2がスピンチャック41の周囲に配設されるように、ス
ピンチャック41と飛散防止カップ42とが相対昇降駆
動されるようになっている。さらに、スピンコーター4
の周囲は図示しないカバーで覆われていて、カバー内に
温室度が調節された気流が流下されている。また、上記
カバーの一側面には、基板搬送装置10のアーム100
に支持された基板Wを搬入出するための搬入出口44が
設けられ、搬入出口44には基板Wを搬入出するときだ
け開口する開閉自在のシャッター(図示せず)も設けら
れている。
【0023】スピンデベロッパー5は、基板Wを水平姿
勢で保持して鉛直軸周りに回転させるスピンチャック5
1や、スピンチャック51の周囲に配設され、現像処理
中の現像液や純水(現像後の水洗に用いられる)などが
周囲へ飛散するのを防止する飛散防止カップ52、スピ
ンチャック51に保持された基板Wに現像液などを吐出
するノズル53などを備えて構成されている。また、ス
ピンチャック51と飛散防止カップ52とは上記スピン
コーター4と同様の目的で相対昇降可能に構成されてい
る。さらに、スピンデベロッパー5の側面は図示しない
カバーで覆われていて、カバー内には気流が流下されて
いる。また、上記カバーの一側面には、基板搬送装置1
0のアーム100に支持された基板Wを搬入出するため
の搬入出口54が設けられている。さらに、この実施の
形態においては、スピンデベロッパー5が上下2段に積
層されている。
【0024】エッジ露光部6は、基板Wを水平姿勢で保
持して鉛直軸周りに回転させるスピンチャック61や、
スピンチャック61に保持された基板Wの外周端縁の位
置情報を検出するセンサ52、センサ52で検出された
位置情報に基づき基板Wの半径方向に変移しながら基板
Wの周縁部を露光する光源63などを備えている。な
お、基板搬送装置10によるエッジ露光部6(スピンチ
ャック61)への基板Wの搬入出の際には、センサ62
や光源63は基板Wの外周外側の待機位置に退避される
ようになっている。また、エッジ露光部6の周囲は図示
しないカバーで覆われており、上記カバーの一側面に
は、基板搬送装置10のアーム100に支持された基板
Wを搬入出するための搬入出口64が設けられている。
さらに、この実施の形態では、2個のエッジ露光部6が
積層されて配置されている。
【0025】IFユニット8には基板受け渡し装置81
が備えられ、この基板受け渡し装置81が、露光前の基
板Wを本装置1(基板受け渡し台9)から露光ユニット
7(基板搬入台71)へ受け渡すとともに、露光後の基
板Wを露光ユニット7(基板搬出台72)から本装置1
(基板受け渡し台9)へ受け渡すように構成されてい
る。なお、図では、基板受け渡し装置81を1台だけ描
いているが、複数台の基板受け渡し装置81を備え、そ
れら複数台の基板受け渡し装置81が共働して本装置1
と露光ユニット7との間の基板Wの受け渡しを行うよう
に構成されることもある。また、本装置1での処理時間
と露光ユニット7での処理時間のずれなどにより、基板
受け渡し装置81による基板Wの受け渡し動作が停滞す
るのを防止するために、受け渡し基板Wを一時収納する
バッファ部がIFユニット8に設けられることもある。
【0026】基板受け渡し装置81は、基板Wを載置支
持するアーム82がアーム支持台83に対して出退可能
に支持され、アーム支持台82が鉛直軸周りに回転(旋
回)可能で、昇降(Z軸方向に移動)可能、かつ、X軸
方向に移動可能に構成されている。なお、アーム82の
出退やアーム支持台83のZ軸およびX軸方向への移動
は、それぞれネジ軸などによる周知の1軸方向移動機構
によって構成される。また、アーム82には、基板Wの
下面を部分的に点接触して支持するピン82aや、ピン
82aに支持された基板Wの外周端縁の外側に位置して
その基板Wの水平移動を規制する規制部材82bを備
え、基板Wの受け渡し動作中の基板Wの脱落などを防止
している。
【0027】処理エリア13と同じ3階部分に設けられ
た基板受け渡し台9には、基板Wの下面を部分的に載置
支持する複数本のピン91が固定立設されている。基板
受け渡し装置81はアーム82を送り出して、基板受け
渡し台9のピン91に載置支持された露光前の基板Wの
若干下方に挿入し、アーム支持台83を所定量上昇させ
て、ピン91からアーム82への基板Wの移し替えを行
ってから、アーム82を後退させる。そして、アーム支
持台83の旋回、X軸およびZ軸方向の移動を適宜に行
い、露光ユニット7の基板搬入台71の前にアーム82
を位置させる。基板搬入台71や基板搬出台72も、基
板Wの下面を部分的に載置支持する複数本のピン73が
固定立設されている。基板受け渡し装置81はアーム8
2を送り出して、前記基板受け渡し台9から搬送してき
た露光前の基板Wを基板搬入台71のピン73の若干上
方に位置させ、アーム支持台83を所定量降下させて、
アーム82からピン73への基板Wの移し替えを行って
から、アーム82を後退させる。これにより、本装置1
から露光ユニット7への露光前の基板Wの受け渡しが行
われる。
【0028】なお、基板搬入台71に載置された露光前
の基板Wは露光ユニット7内の基板搬送装置(図示せ
ず)によって取り出され、露光ユニット7内に備えられ
た縮小投影露光機(ステッパ)などの露光機に搬送され
露光処理される。露光後の基板Wは、前記露光ユニット
7内の基板搬送装置によって基板搬出台72に載置され
る。
【0029】基板受け渡し装置81は、基板搬出台72
からその露光後の基板Wを取り出して基板受け渡し台9
へ搬送し、そこに載置するが、その動作は、上記基板受
け渡し台9から基板搬入台71への搬送動作と同様であ
る。なお、図の一方の基板受け渡し台9は露光前の基板
Wを載置するためのものであり、他方の基板受け渡し台
9は露光後の基板Wを載置するためのものである。そし
て、前記一方の基板受け渡し台9への露光前の基板Wの
載置や、前記他方の基板受け渡し台9からの露光後の基
板Wの取り出しは、後述するように基板搬送装置10に
よって行われる。
【0030】次に、基板搬送装置10の構成を図1ない
し図4などを参照して説明する。図3は、第1の実施の
形態の基板搬送装置全体の概略構成を示す斜視図であ
り、図4は、そのアーム部分の構成を示す平面図と正面
図である。
【0031】この第1の実施の形態の基板搬送装置10
は、ネジ軸などによるY軸方向移動機構101に、ネジ
軸などによるX軸方向移動機構102が取り付けられ、
X軸方向移動機構102に台座103が取り付けられて
いて、台座103およびそれに支持される以下の部材が
X軸およびY軸方向に適宜に移動可能に構成されてい
る。台座103にはパンタグラフなどによる昇降機構1
04が設けられ、昇降機構104の上部に旋回駆動部1
05によって旋回可能にアーム支持台106が設けられ
ている。アーム支持台106には、2個のアーム100
がそれぞれ個別にアーム支持台106に対して出退可能
に支持されている。各アーム100は馬蹄型に構成さ
れ、基板Wの下面を部分的に点接触して支持するピン1
00aや、各ピン100aに支持された基板Wの外周端
縁の外側に位置してその基板Wの水平移動を規制する規
制部材100bを備え、基板Wの搬送動作中の基板Wの
脱落などを防止している。
【0032】この基板搬送装置10は、装置1内の基板
Wの搬送や、各基板処理部3〜6に対する基板Wの搬入
出、キャリアCに対する基板Wの取り出し・収納、基板
受け渡し台9に対する基板Wの載置・取り出しなどを行
う。
【0033】装置1内の基板Wの搬送は、処理エリア1
3の下方の搬送エリア12において基板Wを水平姿勢で
支持してX軸およびY軸方向へ移動させることで行われ
る。なお、この際には、昇降機構104はアーム支持台
106を最下降位置に降下させている(図1の状態)。
【0034】また、各基板処理部3〜6に対する基板W
の搬入出、キャリアCに対する基板Wの取り出し・収
納、基板受け渡し台9に対する基板Wの載置・取り出し
は、適宜の開口14の下方に台座103を位置させ、昇
降機構104でアーム支持台106などを上昇させ、ア
ーム100を出退させるなどの動作で行われる。これら
基板Wの搬入出などの動作を以下に説明する。
【0035】まず、キャリアCに対する基板Wの取り出
し・収納動作について図5などを参照して説明する。
【0036】基板搬送装置10は、Y軸方向に移動して
キャリア載置台21側の開口14の下方に位置し、X軸
方向に移動して取り出し・収納対象のキャリアCの正面
に相当する位置に移動する。そして、アーム支持台10
6を上昇させて、キャリアC内の取り出し・収納の対象
の収納棚CTの正面にアーム100を位置させるととも
に、アーム支持台106を旋回させてアーム100の出
退の方向をキャリアC側に向かせる。なお、熱処理部3
は冷却処理部32の下方に空き空間が形成させていて、
両端のキャリアCに対する基板Wの取り出し・収納を行
う際には、アーム支持台106をその空き空間内に上昇
させて行う。
【0037】基板WをキャリアCから取り出す際には、
アーム100を送り出して取り出し対象の基板Wの若干
下方にアーム100を挿入し(図5(b))、アーム支
持台106を所定量上昇させて基板Wを収納棚CTから
アーム100に移し替え、アーム100を後退させるこ
とで行う。また、キャリアCに基板Wを収納する際に
は、アーム100を送り出して、アーム100が支持す
る基板Wを収納対象の収納棚CTの若干上方に挿入し、
アーム支持台106を所定量降下させて基板Wをアーム
100から収納棚CTに移し替え、アーム100を後退
させることで行う。
【0038】次に、熱処理部3(加熱処理部31、冷却
処理部32)に対する基板Wの搬入出動作について図6
(a)などを参照して説明する。
【0039】上記キャリアCに対する基板Wの取り出し
・収納動作と同様に、基板搬送装置10は、X軸および
Y軸方向に移動して搬入出対象の加熱処理部31、冷却
処理部32の搬入出口34に面する開口14の下方でそ
の加熱処理部31、冷却処理部32の搬入出口34の正
面に相当する位置に移動する。そして、アーム支持台1
06を上昇させて、搬入出対象の加熱処理部31、冷却
処理部32の搬入出口34の正面にアーム100を位置
させるとともに、アーム支持台106を旋回させてアー
ム100の出退の方向を加熱処理部31、冷却処理部3
2側に向かせる。ここまでの動作は、後述する他の基板
処理部4〜6に対する基板Wの搬入出および基板受け渡
し台9に対する基板Wの載置・取り出しと同様であるの
で、以下の動作説明ではその説明を省略する。
【0040】アーム100の高さおよび出退方向が合わ
された状態で、基板Wを搬入する際には、アーム100
を送り出してアーム100が支持する基板Wを熱プレー
トの上方に挿入し(図6(a))、この状態で基板支持
ピン33が熱プレートを貫通してアーム100に支持さ
れている基板Wの下面に向かって上昇する。そして、基
板支持ピン33がそのままアーム100よりも上方に上
昇するか、基板支持ピン3の上端がアーム100の若干
下方で停止した状態でアーム100が所定量降下するこ
とによりアーム100から基板支持ピン33への基板W
の移し替えを行い、アーム100が後退するとともに、
基板支持ピン33が降下し熱プレート内に後退して基板
Wを熱プレートの上面に支持させることで、基板Wが熱
プレートに搬入される。なお、基板Wに対する熱処理
(加熱処理や冷却処理)は、基板Wが熱プレートの上面
に支持された状態で行われる。
【0041】また、基板Wを搬出する際には、基板支持
ピン33が熱プレート内から上昇して熱プレートに支持
されている基板Wを基板支持ピン33に移し替えて熱プ
レートの上方に上昇させる。次に、基板搬送装置10は
アーム100を送り出して基板支持ピン33が支持する
基板Wの若干下方に挿入する。そして、基板支持ピン3
3を降下させるか、アーム100を上昇させることで基
板支持ピン33からアーム100への基板Wの移し替え
を行い、アーム100が後退するとともに、基板支持ピ
ン33が降下することで、基板Wが熱プレートから搬出
される。
【0042】次に、スピンコーター4、スピンデベロッ
パー5、エッジ露光部6(各スピンチャック41、5
1、61)に対する基板Wの搬入出動作について図6
(b)などを参照して説明する。
【0043】基板搬送装置10は アーム100の高さ
および出退方向を合わせ、一方で、スピンコーター4や
スピンデベロッパー5では、スピンチャック41、51
と飛散防止カップ42、52とを相対昇降させて、スピ
ンチャック41、51を飛散防止カップ42、52の上
方に位置させ、エッジ露光部6では、センサ62や光源
63を退避させる。
【0044】上記状態で基板搬送装置10は、アーム1
00を送り出してアーム100が支持する基板Wをスピ
ンチャック41、51、61の上方に位置させ(図6
(b))、アーム100を所定量降下させてアーム10
0からスピンチャック41、51、61への基板Wの移
し替えを行い、アーム100を後退させることでスピン
チャック42、51、61への基板Wの搬入を行う。ま
た、スピンチャック42、51、61からの基板Wの搬
出は、アーム100を送り出してアーム100をスピン
チャック41、51、61に支持さている基板Wの若干
下方に挿入し、アーム100を所定量上昇させてスピン
チャック41、51、61からアーム100への基板W
の移し替えを行い、アーム100を後退させることで行
われる。
【0045】基板受け渡し台9に対する基板Wの載置・
取り出しは、上述した基板受け渡し装置81による基板
受け渡し台9や基板搬入台71、基板搬出台72に対す
る基板Wの載置・取り出しと同様に、アーム100に支
持する基板Wを基板受け渡し台9のピン91の上方から
降下させてアーム100からピン91への移し替えを行
うことで基板受け渡し台9に対する基板Wの載置を行う
とともに、ピン91が支持する基板Wの下方からアーム
100を上昇させることで基板受け渡し台9に対する基
板Wの取り出しを行う(図6(c))。
【0046】装置1はクリーンルーム内に設置されてい
る。このクリーンルーム内には天井から床面へと気流か
流下されている。装置1は、装置1の天井部分から上記
クリーンルーム内の流下気流を取り込んで装置1内に
(処理エリア13から搬送エリア12を経て収納エリア
11へと)気流を流下させて装置1内で発生するパーテ
ィクル(例えば、基板搬送装置10のX軸、Y軸方向駆
動機構101、102などの駆動部分などから発生する
パーティクル)を装置1の下方を流下させるようにして
いる。また、装置1によっては、装置1の天井部分にフ
ァンとフィルター(パーティクル除去用のフィルター
や、必要に応じてアルカリ成分などの化学成分を除去す
るフィルターなど)を設けて、装置1の天井部分からフ
ァンによって空気を取り込み、フィルターで取り込んだ
空気を清浄化し、その清浄化した空気を装置1内に流下
させるようにする場合もある。なお、フォトレジスト塗
布処理は、所定の温湿度の雰囲気内で行われることが好
ましく、そのため、先にも説明したように、スピンコー
ター4の周囲はカバーで覆われ、上記装置1内の流下気
流とは別に、温湿度を調節した気流をそのカバーの上方
から下方へと流下させ、スピンコーター4を含むカバー
内の温湿度雰囲気を特別に管理するようにしている。
【0047】さて、上記装置1では、所定の処理順序に
従って基板Wに順次基板処理を施し、基板搬送装置10
は、その処理手順に従ってキャリアC、各基板処理部3
〜6、基板受け渡し台9の間(装置1内)で基板Wを搬
送するとともに、キャリアCに対する基板Wの取り出し
・収納、各基板処理部3〜6に対する基板Wの搬入出、
基板受け渡し台9に対する基板Wの載置・取り出しを行
う。
【0048】この処理手順の一例としては、例えば、加
熱処理部31での加熱処理、冷却処理部32での冷却処
理、スピンコーター34でのフォトレジスト塗布処理、
加熱処理部31での加熱処理、冷却処理部32での冷却
処理、エッジ露光部6での周縁部の露光処理、露光ユニ
ット7での露光処理、加熱処理部31での加熱処理、冷
却処理部32での冷却処理、スピンデベロッパー5での
現像処理、加熱処理部31での加熱処理、冷却処理部3
2での冷却処理という処理手順が挙げられる。
【0049】上記処理手順で基板Wを処理する場合、基
板搬送装置10は、1枚の基板Wに対して、キャリアC
からの基板Wの取り出し、基板Wの搬送、加熱処理部3
1への基板Wの搬入、(加熱処理部31での加熱処
理)、加熱処理部31からの基板Wの搬出、基板Wの搬
送、冷却処理部31への基板Wの搬入、(冷却処理部3
1での冷却処理)、冷却処理部31からの基板Wの搬
出、基板Wの搬送、スピンコーター4への基板Wの搬
入、(スピンコーター4でのフォトレジスト塗布処
理)、スピンコーター4からの基板Wの搬出、基板Wの
搬送、加熱処理部31への基板Wの搬入、(加熱処理部
31での加熱処理)、加熱処理部31からの基板Wの搬
出、基板Wの搬送、冷却処理部31への基板Wの搬入、
(冷却処理部31での冷却処理)、冷却処理部31から
の基板Wの搬出、基板Wの搬送、エッジ露光部6への基
板Wの搬入、(エッジ露光部6での周縁部の露光処
理)、エッジ露光部6からの基板Wの搬出、基板Wの搬
送、基板受け渡し台9への基板Wの載置、(基板受け渡
し装置81での露光ユニット7への基板Wの受け渡し、
露光ユニット7での露光処理、基板受け渡し装置81で
の基板受け渡し台9への基板Wの受け渡し)、基板受け
渡し台9からの基板Wの取り出し、基板Wの搬送、加熱
処理部31への基板Wの搬入、(加熱処理部31での加
熱処理)、加熱処理部31からの基板Wの搬出、基板W
の搬送、冷却処理部31への基板Wの搬入、(冷却処理
部31での冷却処理)、冷却処理部31からの基板Wの
搬出、基板Wの搬送、スピンデベロッパー5への基板W
の搬入、(スピンデベロッパー5での現像処理)、スピ
ンデベロッパー5からの基板Wの搬出、基板Wの搬送、
加熱処理部31への基板Wの搬入、(加熱処理部31で
の加熱処理)、加熱処理部31からの基板Wの搬出、基
板Wの搬送、冷却処理部31への基板Wの搬入、(冷却
処理部31での冷却処理)、冷却処理部31からの基板
Wの搬出、基板Wの搬送、キャリアCへの基板Wの収納
というように動作する。
【0050】なお、装置1内には複数枚の基板Wが搬入
され、各基板処理部3〜6や露光ユニット7での各処理
が複数枚の基板Wに対して同時並行して行われており、
基板搬送装置10は、各基板Wに対する各基板処理部3
〜6への搬入出などを効率よく行うように装置1内で動
作する。
【0051】また、基板搬送装置10は、例えば、キャ
リアCからの基板Wの取り出し、キャリア載置台21に
隣接する加熱処理部31への基板Wの搬入を続けて行っ
たり、キャリア載置台21に隣接する冷却処理部32か
らの基板Wの搬出、スピンコーター4への基板Wの搬入
を続けて行うなどのように、同じ開口14に面した搬入
出口などを有する2個以上の基板処理部などに対する基
板Wの搬入、搬出などを続けて行う場合には、アーム支
持台106が搬入エリア13に上昇されている状態で
(一旦、搬送エリア12に下げないで)昇降や旋回など
を行い、アーム100の高さおよび出退方向を合わせて
上記基板Wの搬入、搬出などを続けて行う。
【0052】上記第1の実施の形態によれば、処理エリ
ア13と搬送エリア12が上下に積層されているので、
基板処理部の水平方向の面積と、基板搬送装置10が装
置1内で基板Wを搬送するエリア(従来装置の基板搬送
路の相当する)の水平方向の面積の少なくとも一部が重
なり、それだけ従来装置に比べて、装置1の設置面積を
小さくすることができ、クリーンルームを有効利用する
ことができる。また、基板Wのサイズが大きくなると、
従来装置の構成では、基板サイズに比例して基板処理部
の水平方向の面積や基板搬送路の水平方向の面積が大き
くなるので、装置の設置面積も基板サイズに比例して大
きくなる。これに対して、上記第1の実施の形態では、
基板Wのサイズか大きくなるとそれに比例して、上記基
板処理部の水平方向の面積と、基板搬送装置10が装置
1内で基板Wを搬送するエリアの水平方向の面積の重な
りの面積が大きくなるので、従来装置に比べて装置1の
設置面積の縮小化の割合を大きくすることができる。さ
らに、上記第1の実施の形態では、搬送エリア12を処
理エリア13の下方に設けているので、基板搬送装置1
0の駆動機構(101〜105など)で発生したパーテ
ィクルなどが処理エリア13に紛れ込み難くなり、装置
1内での基板汚染が低減できる。
【0053】なお、上記第1の実施の形態における基板
搬送装置10の昇降機構104は、パンタグラフに限ら
ず、適宜の機構で実現することが可能である。例えば、
図7に示すようにロッドレスシリンダ104aによって
昇降機構104を構成してもよい。また、図7の構成で
は、図の点線で示すアーム100の下方の空き空間を利
用して、Y軸方向移動機構101やX軸方向移動機構1
02による各軸方向への移動によってアーム100の出
退動作を代替でき、アーム支持台106を省略すること
ができる。
【0054】<第2の実施の形態>次に、本発明の第2
の実施の形態を図8ないし図13などを参照して説明す
る。図8は、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理
装置の縦断面図であり、図9は、その装置の処理エリア
の平面図、図10は、第2の実施の形態の基板搬送装置
の要部構成を示す平面図と正面図、図11は、基板搬入
出装置による基板受け渡し部に対する基板の載置・取り
出し動作を説明するための平面図、図12は、第2の実
施の形態の基板搬送装置による基板受け渡し部に対する
基板の載置・取り出し動作を説明するための平面図、図
13は、第2の実施の形態の基板搬送装置による熱処理
部に対する基板の搬入出動作を説明するための平断面図
である。なお、上記第1の実施の形態と同一の構成部分
は、図1ないし図6と同一の符号を付してその詳述を省
略し、また、特に説明しない部分は第1の実施の形態と
同様の構成である。
【0055】この第2の実施の形態に係る基板処理装置
1も、3階構造で構成され、1階部分に収納エリア1
1、2階部分に搬送エリア12、3階部分に処理エリア
13が設けられているが、この第2の実施の形態では、
基板搬送装置10が搬送エリア12と処理エリア13と
の間で基板Wを搬送(昇降)させる際、基板Wを鉛直方
向に立てて行うように構成している。そのため、この第
2の実施の形態の基板搬送装置10はアーム100を水
平姿勢と鉛直姿勢との間で姿勢転換できるなどの機構が
設けられている。
【0056】この基板搬送装置10の具体例を図8、図
10などを参照して説明する。Y軸方向移動機構10
1、X軸方向移動機構102、台座103までの構成
は、上記第1の実施の形態の基板搬送装置10と同様の
構成である。台座103には、パンタグラフなどの昇降
機構104が設けられているが、この昇降機構104
は、水平姿勢のアーム100の基端部側を片持ち支持す
るように設けられている。昇降機構104の上部には旋
回駆動部105が設けられ、この旋回駆動部105によ
って図のJ1軸周りに旋回可能に姿勢転換部107が設
けられている。そして、姿勢転換部107に開閉駆動部
108を介してアーム100が水平姿勢と鉛直姿勢との
間で姿勢転換可能に支持されている。この姿勢転換は開
閉駆動部108やアーム100を図10(b)のJ2軸
周りに90°回転させることで行われる。
【0057】アーム100は2片に分離されていて開閉
駆動部108によって開閉されるようになっている。ア
ーム100には基板Wの下面を支持するピン100a
や、基板Wの外周端縁を外側から押圧して基板Wを保持
する保持部材100cが設けられている。保持部材10
0cは、例えば円柱状の形状を有していて、4個の保持
部材100cのうち、アーム100の先端側に設けられ
ている保持部材100cはアーム100に固定され、基
端部側の保持部材100cは図10のJ3軸周りに回転
されるようになっている。図10において、基端部側の
保持部材100cが実線で示す状態のとき、基板Wは保
持部材100cによって保持され、二点鎖線で示す状態
のとき、保持部材100cによる基板Wの保持は解除さ
れる。この基板Wの保持とその解除の切り替えは、アー
ム10の基端部側の保持部材100cをJ3軸周りに回
転させることで行われる。
【0058】この基板搬送装置10は、搬送エリア12
においてアーム100を水平姿勢にして基板WをX軸、
Y軸方向に搬送し、アーム100を水平姿勢から鉛直姿
勢に姿勢転換して適宜の開口14を介してアーム100
に保持している基板Wを搬送エリア12から処理エリア
13に搬送し、処理エリア13においてその基板Wの基
板処理部3〜6への搬入などを行うとともに、処理エリ
ア13において基板Wの基板処理部3〜6からの搬出な
どを行い、アーム100を鉛直姿勢にして開口14を介
してアーム100が保持している基板Wを処理エリア1
3から搬送エリア12に搬送し、搬送エリア12におい
てアーム100を鉛直姿勢から水平姿勢に姿勢転換して
保持している基板WをX軸、Y軸方向に搬送する。
【0059】なお、アーム100を鉛直姿勢にして基板
Wを搬送する際には、アーム100からの基板Wの脱落
を防止するために保持部材100cにて基板Wをアーム
100に保持している。また、搬送エリア12において
基板Wを搬送する際、水平姿勢のアーム100の先端部
側は台座103に立設された支持軸109に支持される
ようになっている。
【0060】この第2の実施の形態に係る基板処理装置
1の搬入出部2には、キャリアCに対する基板Wの取り
出し・収納を専用に行う基板搬入出装置22や、この基
板搬入出装置22と基板搬送装置10との間で基板Wの
受け渡しを行うための基板受け渡し部23も設けられて
いる。
【0061】基板搬入出装置22は、基板Wを支持する
アーム24(基板支持用のピンや規制部材などが設けら
れている)を備えていて、このアーム24は、キャリア
Cの選択にためにX軸方向に移動可能に構成されるとと
もに、収納棚CTの選択およびアーム24と収納棚CT
との間の基板Wの移し替えなどのために昇降可能に構成
され、かつ、アーム24のキャリアCに対する挿抜のた
めにY軸方向に移動可能に構成されている。この基板搬
入出装置22によるキャリアCに対する基板Wの取り出
し・収納は、上記第1の実施の形態の基板搬送装置10
によるキャリアCに対する基板Wの取り出し・収納と同
様の動作で行われる。
【0062】基板受け渡し部23は、2片の支持片25
に基板支持用のピン26が固定立設されて構成されてい
る。
【0063】基板搬入出装置22は基板搬送装置10と
の間で基板Wを受け渡すためにピン26に対する基板W
の載置・取り出しを行う。基板搬入出装置22によるピ
ン26への基板Wの載置(取り出し)は、アーム24が
支持する基板W(アーム24)をピン26の上方(下
方)に位置させ、アーム24を降下(上昇)させてアー
ム24からピン26へ基板Wを移し替える(ピン26か
らアーム24へ基板Wを移し替える)ことで行われる。
この際、アーム24は、支持片25の間の隙間をすり抜
けるようにして昇降される(図11参照)。
【0064】ところで、基板受け渡し部23や基板受け
渡し台9では基板Wを水平姿勢で支持しており、各基板
処理部3〜6では基板Wを水平姿勢で支持または保持し
て基板処理される。一方、アーム100が搬送エリア1
2と処理エリア13との間で移動する際には、アーム1
00が鉛直姿勢にされて行われる。従って、アーム10
0は、鉛直姿勢の状態から水平姿勢で支持または保持さ
れるように基板Wをピン26、91に載置させ、各基板
処理部3〜6に搬入させるとともに、鉛直姿勢の状態か
ら水平姿勢で支持または保持されている基板Wを取り出
し、搬出しなければならない。
【0065】このアーム100によるピン26、91に
対する基板Wの載置・取り出し、および、各基板処理部
3〜6に対する基板Wの搬入出の動作を以下に説明す
る。
【0066】ピン26、91に対する基板Wの載置・取
り出し動作は略同様であるので、ここでは、ピン26に
対する基板Wの載置・取り出し動作を例に採り、図12
を参照して説明する。
【0067】ピン26への基板Wの載置は以下のように
行われる。アーム100が鉛直姿勢でピン26の正面に
立設されている状態から、アーム100を水平姿勢に姿
勢転換させてアーム100が保持している基板Wをピン
26の上方に水平姿勢で位置させる(図12(a))。
なお、このとき、基板Wの裏面が下側(ピン26側)に
向くように、搬送エリア12において水平姿勢から鉛直
姿勢へと姿勢転換されたアーム100に保持されている
基板Wの裏面方向をJ1軸周りの回転によってピン26
方向に合わせるようにしている。そして、アーム100
による基板Wの保持を解除し、アーム100を降下させ
てアーム100からピン26への基板Wの移し替えを行
う。次に、アーム100を開いてピン26に支持されて
いる基板Wとアーム100(ピン100aを支持する支
持片100d)との干渉を無くして(図12(b))、
アーム100をピン26に支持されている基板Wの上方
へと上昇させ、アーム100を水平姿勢から鉛直姿勢に
姿勢転換させる。これによりピン26への基板Wの載置
が行われる。
【0068】また、ピン26からの基板Wの取り出し
は、上記ピン26への基板Wの載置と略逆の動作で行わ
れる。すなわち、アーム100が鉛直姿勢でピン26の
正面に立設されている状態でアーム100を開くととも
に、アーム100を水平姿勢に姿勢転換させてアーム1
00をピン26の上方に水平姿勢で位置させる(図12
(b))。そして、アーム100をピン26が支持して
いる基板Wの下方へと降下させ、アーム100を閉じて
からアーム100を上昇させてピン26からアーム10
0への基板Wの移し替えを行う。そして、保持部材10
0cによるアーム100への基板Wの保持を行い、アー
ム100を水平姿勢から鉛直姿勢に姿勢転換させる。こ
れによりピン26からの基板Wの取り出しが行われる。
【0069】スピンコーター4、スピンデベロッパー
5、エッジ露光部6(各スピンチャック41、51、6
1)に対する基板Wの搬入は、ピン26(91)がスピ
ンチャック41、51、61に代わったことと等価であ
るから、上記ピン26への基板Wの載置と同様の動作で
行え、これら基板処理部4〜6からの基板Wの搬出は、
上記ピン26からの基板Wの取り出しと同様の動作で行
える。
【0070】加熱処理部31、冷却処理部32は、多段
に積層されているので、上記ピン26に対する基板Wの
載置・取り出し動作のように、熱プレートの上方にアー
ム100を倒す(鉛直姿勢から水平姿勢へ姿勢転換させ
る)ことは難しい。そこで、図13(a)に示すよう
に、アーム100を熱処理部3の外側で鉛直姿勢と水平
姿勢の間での姿勢転換を行うととともに、J1軸周りの
回転によって水平姿勢のアーム100を熱処理部3の外
側と熱プレートの上方との間で変移させることでこの加
熱処理部31、冷却処理部32に対する基板Wの搬入出
を行うようにしている。なお、アーム100が水平姿勢
で熱プレートの上方に位置している状態での熱プレート
に対する基板Wの受け渡しは、上記第1の実施の形態と
同様に、基板支持ピン33とアーム100とが共働して
行われる。また、上記アーム100をJ1軸周りに回転
させるので、加熱処理部31や冷却処理部32は、対応
する2側面に搬入出口34(やシャッター)を設けてい
る。
【0071】さらに、アーム100を熱処理部3の外側
で倒す位置に障害物などが有る場合には、例えば、図1
3(b)や(c)のように、障害物がない位置でアーム
100を姿勢転換させるとともに、J1軸周りの回転に
加えて、X軸またはY軸方向への移動を行って、水平姿
勢のアーム100を熱プレートの上方と姿勢転換の位置
との間で移動させるようにしてもよい。なお、図13
(b)、(c)では、図を簡略化して描いている。
【0072】図8、図9の装置1では、スピンデベロッ
パー5、エッジ露光部6も積層されているが、各スピン
デベロッパー5、各エッジ露光部6の高さ寸法は十分に
取られているので、ピン26に対する基板Wの載置・取
り出しと同様に、アーム100をスピンチャック51、
61の上方に直接倒すようにしている。なお、このスピ
ンデベロッパー5、エッジ露光部6に対する基板の搬入
出も、上記加熱処理部31や冷却処理部32に対する基
板Wの搬入出と同様に、J1軸周りの回転などを利用す
るようにしてもよい。また、ピン26、91や、スピン
コーター4に対する基板Wの載置・取り出しや搬入出に
ついても同様にJ1軸周りの回転などを利用するように
してもよい。どのように基板Wの搬入出などを行うか
は、処理エリア13における各基板処理部などのレイア
ウトに応じて決めればよい。
【0073】この第2の実施の形態によれば、搬送エリ
ア12と処理エリア13との間の基板Wの搬送をアーム
100(基板W)を鉛直方向に立てて行うように構成し
たので、図2、図9を見比べても明らかなように、第1
の実施の形態に比べて開口14の面積を小さくすること
ができ、それに伴って、装置1の設置面積を一層小さく
することができる。
【0074】なお、上記第2の実施の形態において、各
基板処理部などが基板Wを鉛直方向に保持して基板処理
するように構成すれば、アーム100は鉛直姿勢のまま
基板Wの搬入出などを行うこともできる。
【0075】また、上記第2の実施の形態では、基板搬
入出装置22や基板受け渡し部23を搬入出部2に設け
たが、基板搬送装置10が直接キャリアCに対する基板
Wの取り出し・収納を行うようにしてもよい。
【0076】さらに、この第2の実施の形態の基板搬送
装置10の昇降機構104も図14に示すようにロッド
レスシリンダ104aなどを用いて構成してもよい。な
お、この図14の装置10の場合、基板Wの裏面方向の
向きを合わせるために、台座103に対して、昇降機構
104をJ4軸周りに回転可能に構成している。
【0077】また、第2の実施の形態の基板搬送装置1
0や上記図14の変形例では、アーム100を1個だけ
備えるように構成したが、必要に応じて2個のアーム1
00を備えるように構成してもよい。
【0078】次に、上記各実施の形態に共通する変形例
をいくつか紹介する。上記各実施の形態では、搬送エリ
ア12を処理エリア13の下側に設けたが、搬送エリア
12を処理エリア13の上側に設けるようにしてもよ
い。また、搬送エリア12と処理エリア13とが上下に
積層されていれば、例えば、搬送エリア12と処理エリ
ア13との間に別のエリアを設けてもよいし、搬送エリ
ア12の上側と下側との処理エリア13を設けたり、逆
に、処理エリア13の上側と下側との搬送エリア12を
設けるようにしてもよく、さらに、複数の搬送エリア1
2と複数の処理エリア13を多段に積層してもよい。
【0079】処理エリア13に配置する基板処理部の種
類や個数、レイアウトなどは、上記各実施の形態の構成
に限定されない。また、搬入出部2やIFユニット8が
備えられない基板処理装置や、フォトリソグラフィ工程
以外の基板処理を行う基板処理装置にも本発明は同様に
適用できる。
【0080】基板搬送装置10のX軸、Y軸方向の移動
を、例えば、図15に示すような構成で実現してもよ
い。すなわち、台座103に自走式の車輪200やセン
サ201を設けるとともに、搬送エリア12に格子状に
テープ(斜線で示す)300を敷設し、センサ201で
テープ300を識別しながらX軸、Y軸方向に移動す
る。このとき、テープ300の交差部分に位置情報を設
けておき、センサ201でその位置情報を読み取りなが
ら基板搬送装置10自信が搬送エリア12内の自信の位
置を認識し、装置10自信で判断しながら搬送エリア1
2内の移動を行う。台座103には、そのような駆動を
制御するマイクロコンピュータが内蔵されている。ま
た、動作の開始や停止などの指示は、無線などで行われ
るようにしてもよい。
【0081】なお、図15(a)の構成では、テープ3
00の交差部分で直角に曲がるのが難しいが、これに対
しては、図15(b)に示すようにテープ300を敷設
し、基板処理装置10は、テープ300が1本から2本
になったことを識別すると、左右のいずれに進むかを判
断し、その方向のテープ300に沿って台座103を移
動させるように車輪200を操舵するように制御すれば
よい。また、例えば、図15(b)の3本のテープ部分
301をセンサ201が検出するとそこで停止させるよ
うにすることにより、所定位置で基板搬送装置10を停
止させるようにすることも可能である。なお、図15で
は図示を省略しているが、台座103の上には昇降機構
104からアーム100までの各構成部品が積載されて
いる。
【0082】基板搬送装置10は1台だけ備えていても
よが、複数台の基板搬送装置10を備えて、これら基板
搬送装置10が共働して装置1内の基板Wの搬送や各基
板処理部に対する基板Wの搬入出などを行うように構成
してもよい。このとき、同じ形状のアーム100を有す
る基板搬送装置10の間の基板Wの受け渡しを行う場合
には、基板受け渡し台9のような受け渡し台を介して基
板Wの受け渡しを行うことができる。
【0083】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、基板処理部を配置する処理エ
リアと、基板搬送手段が基板を搬送する搬送エリアとを
上下に積層したので、基板処理部の占める水平方向の面
積と、基板を装置内で搬送する搬送エリアが占める水平
方向の面積との一部が上下に重なり、従来装置に比べて
装置の設置面積を小さくでき、それだけクリーンルーム
の有効利用を図ることができるようになった。また、基
板が大型化すればそれに比例して、従来装置に対する装
置の設置面積の縮小化の割合が大きくなり、大型化され
る基板の基板処理装置に対するクリーンルームの有効利
用を図るのに有効な技術が実現できた。
【0084】請求項2に記載の発明によれば、搬送エリ
アを処理エリアの下側に配置したので、装置内でのパー
ティクル付着による基板の汚染を低減することができ
る。
【0085】請求項3に記載の発明によれば、基板搬送
手段は、搬送エリアと処理エリアとの間で基板を搬送す
る際、基板を鉛直方向に立てて行うように構成したの
で、搬送エリアと処理エリアとの間での基板の搬送のた
めの開口部分の水平方向の面積を小さくでき、それに伴
って処理エリアおよび搬送エリアの水平方向の面積がよ
り一層小さくなり、装置の設置面積をより一層小さくで
きるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置
の縦断面図である。
【図2】図1の装置の処理エリアの平面図である。
【図3】第1の実施の形態の基板搬送装置全体の概略構
成を示す斜視図である。
【図4】第1の実施の形態の基板搬送装置のアーム部分
の構成を示す平面図と正面図である。
【図5】第1の実施の形態の基板搬送装置によるキャリ
アに対する基板の取り出し・収納動作を説明するための
図である。
【図6】第1の実施の形態の基板搬送装置による各基板
処理部に対する基板の搬入出動作、および、基板受け渡
し台に対する基板の載置・取り出し動作を説明するため
の平面図である。
【図7】第1の実施の形態の基板搬送装置の変形例の概
略構成を示す正面図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置
の縦断面図である。
【図9】図8の装置の処理エリアの平面図である。
【図10】第2の実施の形態の基板搬送装置の要部構成
を示す平面図と正面図である。
【図11】基板搬入出装置による基板受け渡し部に対す
る基板の載置・取り出し動作を説明するための平面図で
ある。
【図12】第2の実施の形態の基板搬送装置による基板
受け渡し部に対する基板の載置・取り出し動作を説明す
るための平面図である。
【図13】第2の実施の形態の基板搬送装置による熱処
理部に対する基板の搬入出動作を説明するための平断面
図である。
【図14】第2の実施の形態の基板搬送装置の変形例の
概略構成を示す斜視図である。
【図15】各実施の形態の基板搬送装置の変形例の要部
構成を示す図である。
【符号の説明】 1 … 基板処理装置 3 … 熱処理部 4 … スピンコーター 5 … スピンデベロッパー 6 … エッジ露光部 10 … 基板搬送装置 12 … 搬送エリア 13 … 処理エリア 31 … 加熱処理部 32 … 冷却処理部 100 … 基板搬送装置のアーム W … 基板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板処理部と、 装置内で基板を搬送するとともに、前記基板処理部に対
    する基板の搬入出を行う基板搬送手段と、 を備えた基板処理装置において、 前記基板処理部を配置する処理エリアと、前記基板搬送
    手段が基板を搬送する搬送エリアとを上下に積層したこ
    とを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 前記搬送エリアを前記処理エリアの下側に配置したこと
    を特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2のいずれかに記載の基
    板処理装置において、 前記基板搬送手段は、前記搬送エリアと前記処理エリア
    との間で基板を搬送する際、前記基板を鉛直方向に立て
    て行うことを特徴とする基板処理装置。
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