JP6239813B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
また、露光処理ユニットにおいて処理膜に露光処理が行われることにより、ミクロ相分離後の処理膜中で異なる種類の重合体間の結合が切断される。続いて、第1の現像処理ユニットにおいて処理液に現像液が供給されることにより、不要な重合体が除去される。それにより、基板上に所望のパターンが形成される。
基板処理装置は、第1の処理部、第2の処理部および搬送部をさらに備え、処理膜形成ユニットおよび現像処理ユニットは、第1の処理部に設けられ、熱処理ユニットおよび露光処理ユニットは、第2の処理部に設けられ、第1の搬送機構は、搬送部に設けられ、搬送部は、第1の処理部と第2の処理部との間に設けられてもよい。
熱処理ユニットおよび露光処理ユニットは、互いに隣接するように第2の処理部に設けられてもよい。
基板処理装置は、搬送部と隣接するように設けられたインデクサブロックをさらに備え、インデクサブロックは、複数の基板が収容されるキャリアが載置される載置台と、載置台上に載置されるキャリアと搬送部との間で基板を搬送する第2の搬送機構とを含み、インデクサブロックおよび搬送部は、水平な第1の方向に並ぶように設けられ、第1の処理部、搬送部および第2の処理部は、水平でかつ第1の方向と交差する第2の方向に並ぶように設けられてもよい。
本発明に係る基板処理装置は、第1の処理部と、第2の処理部と、第1の処理部と第2の処理部との間に設けられる搬送部と、第1の処理部に設けられ、基板上に誘導自己組織化材料からなる処理膜を形成するように構成された処理膜形成ユニットと、第2の処理部に設けられ、処理膜形成ユニットにより基板上に形成された処理膜に溶剤を供給しつつ熱処理を行うように構成された熱処理ユニットと、第2の処理部に設けられ、熱処理ユニットによる熱処理後の処理膜に露光処理を行うように構成された露光処理ユニットと、第1の処理部に設けられ、露光処理ユニットによる露光処理後の処理膜に現像液を供給することにより現像処理を行うように構成された現像処理ユニットと、搬送部に設けられ、基板を保持するためのハンドを有し、基板をハンドにより保持して処理膜形成ユニット、露光処理ユニットおよび現像処理ユニットに対して搬送する第1の搬送機構とを備え、搬送部は、上下に設けられた上段搬送室および下段搬送室を含み、処理膜形成ユニットは、上段搬送室と隣接するように第1の処理部に設けられた上段処理膜形成ユニットと、下段搬送室と隣接するように第1の処理部に設けられた下段処理膜形成ユニットとを含み、現像処理ユニットは、上段搬送室と隣接するように第1の処理部に設けられた上段現像処理ユニットと、下段搬送室と隣接するように第1の処理部に設けられた下段現像処理ユニットとを含み、熱処理ユニットは、上段搬送室と隣接するように第2の処理部に設けられた上段熱処理ユニットと、下段搬送室と隣接するように第2の処理部に設けられた下段熱処理ユニットとを含み、露光処理ユニットは、上段搬送室と隣接するように第2の処理部に設けられた上段露光処理ユニットと、下段搬送室と隣接するように第2の処理部に設けられた下段露光処理ユニットとを含み、搬送機構は、上段処理膜形成ユニット、上段現像処理ユニット、上段熱処理ユニットおよび上段露光処理ユニットに対して基板を搬送するように上段搬送室に設けられた上段搬送機構と、下段処理膜形成ユニット、下段現像処理ユニット、下段熱処理ユニットおよび下段露光処理ユニットに対して基板を搬送するように下段搬送室に設けられた下段搬送機構とを含むものである。
本発明に係る基板処理装置は、基板上に誘導自己組織化材料からなる処理膜を形成するように構成された処理膜形成ユニットと、処理膜形成ユニットにより基板上に形成された処理膜に溶剤を供給しつつ熱処理を行うように構成された熱処理ユニットと、熱処理ユニットによる熱処理後の処理膜に露光処理を行うように構成された露光処理ユニットと、露光処理ユニットによる露光処理後の処理膜に現像液を供給することにより現像処理を行うように構成された現像処理ユニットと、基板を保持するためのハンドを有し、基板をハンドにより保持して処理膜形成ユニット、露光処理ユニットおよび現像処理ユニットに対して搬送する第1の搬送機構と、熱処理ユニットによる熱処理前であって処理膜形成ユニットによる処理膜の形成前の基板に冷却処理を行い、熱処理ユニットによる熱処理後であって露光装置による露光処理前の処理膜に冷却処理を行う冷却ユニットとを備えたものである。
溶剤供給部は、基板上の処理膜から形成されるべきパターンの形状に応じて、複数種類の溶剤のうち1種類または複数種類の溶剤を選択的に供給してもよい。
また、露光処理ユニットにおいて処理膜に露光処理が行われることにより、ミクロ相分離後の処理膜中で異なる種類の重合体間の結合が切断される。続いて、第1の現像処理ユニットにおいて処理液に現像液が供給されることにより、不要な重合体が除去される。それにより、基板上に所望のパターンが形成される。
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図1および図2以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
図2は、図1の塗布現像処理部121の概略側面図である。図2に示すように、塗布現像処理部121には、現像処理室21,23および塗布処理室22,24が階層的に設けられる。現像処理室21,23の各々には、現像処理ユニット129が設けられる。塗布処理室22,24の各々には、塗布処理ユニット139が設けられる。
図3は、図1の熱処理部123の概略側面図である。図3に示すように、熱処理部123は、上方に設けられる上段熱処理部301および下方に設けられる下段熱処理部302を有する。上段熱処理部301および下段熱処理部302の各々には、複数の熱処理ユニット200、複数の露光処理ユニット250および複数の冷却ユニットCPが設けられる。
図4は、搬送部112,122の模式的側面図である。図4に示すように、搬送部122は、上段搬送室125および下段搬送室126を有する。上段搬送室125には搬送機構127が設けられ、下段搬送室126には搬送機構128が設けられる。
基板処理装置100における基板Wの処理の概要について説明する。
図5は、基板処理装置100における基板Wの第1の処理例について説明するための模式的断面図である。
図6は、基板処理装置100における基板Wの第2の処理例について説明するための模式的断面図である。
基板処理装置100の動作について説明する。まず、インデクサブロック11のキャリア載置部40(図1)に、初期状態(図5(a)および図6(a)参照)の基板Wが収容されたキャリアCが載置される。搬送機構115は、キャリアCから基板載置部PASS1および基板載置部PASS3(図4)に交互に初期状態の基板Wを搬送する。
図7は、熱処理ユニット200の構成を示す模式的断面図である。図7に示すように、熱処理ユニット200は、周壁211および蓋212からなるチャンバ210を備える。周壁211の内側には、基板Wを載置するためのプレート220が設けられる。
図8は、露光処理ユニット250の構成を示す模式的断面図である。図8に示すように、露光処理ユニット250は、筐体251を備える。筐体251の側部には基板Wの搬入および搬出を行うための搬入搬出口251aが設けられる。搬入搬出口251aの内側にシャッター252が設けられる。シャッター252は、シャッター駆動装置252aにより昇降される。シャッター252により搬入搬出口251aが閉塞または開放される。
図9は、露光処理ユニット250の他の例を示す模式的断面図である。図9の露光処理ユニット250について、図8の例と異なる点を説明する。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、塗布処理ユニット139により基板W上にDSA膜L3が形成された後、熱処理ユニット200により基板W上のDSA膜L3に溶剤が供給されつつ熱処理が行われる。この場合、溶剤によってDSA膜L3を膨潤させることができ、DSA材料のミクロ相分離を促進することができる。それにより、種々のDSA材料を用いた場合において、ミクロ相分離を適正に生じさせることができる。その結果、基板W上に微細なパターンを精度よく形成することができる。
(11−1)
上記実施の形態では、現像処理ユニット129が、基板W上のDSA膜L3に現像液を供給することにより現像処理を行うように構成されるが、これに限らず、現像処理ユニット129が、基板W上のDSA膜L3にプラズマエッチング等のドライエッチングを行うことにより現像処理を行うように構成されてもよい。
上記実施の形態では、基板処理装置100が露光処理ユニット250および現像処理ユニット129を備えるが、露光処理ユニット250および現像処理ユニット129の少なくとも一方が基板処理装置100の外部装置として設けられてもよい。
上記実施の形態では、熱処理ユニット200において、複数種類の溶剤のうち1種類または複数種類の溶剤が選択的に基板W上のDSA膜L3に供給されるが、DSA膜L3のミクロ相分離を適正に生じさせることが可能であれば、予め定められた1種類の溶剤のみが用いられてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
(13)参考形態
参考形態に係る基板処理装置は、基板上に誘導自己組織化材料からなる処理膜を形成するように構成された処理膜形成ユニットと、処理膜形成ユニットにより基板上に形成された処理膜に溶剤を供給しつつ熱処理を行うように構成された熱処理ユニットとを備えたものである。
この基板処理装置においては、処理膜形成ユニットにおいて基板上に誘導自己組織化材料からなる処理膜が形成される。その後、熱処理ユニットにおいて基板上の処理膜に溶剤が供給されつつ熱処理が行われる。この場合、処理膜の熱処理時に溶剤を供給することにより、処理膜を膨潤させることができ、誘導自己組織化材料のミクロ相分離を促進することができる。それにより、種々の誘導自己組織化材料を用いた場合において、ミクロ相分離を適正に生じさせることができる。その結果、基板上に微細なパターンを精度よく形成することができる。
熱処理ユニットは、処理膜が形成された基板が載置され、載置された基板の温度を調整するように構成された熱処理プレートと、熱処理プレートの上方の空間を取り囲むように構成されたカバー部と、カバー部内に気化された溶剤を供給するように構成された溶剤供給部とを含んでもよい。
この場合、処理膜が形成された基板が熱処理プレート上に載置された状態で、カバー部内に気化された溶剤が供給されつつ熱処理プレートにより基板の温度が調整される。それにより、簡単な構成で効率よく基板上の処理膜に溶剤を供給しつつ熱処理を行うことができる。
溶剤供給部は、トルエン、ヘプタン、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、二硫化炭素およびテトラヒドロフランのうち1または複数を溶剤として供給するように構成されてもよい。
この場合、種々の誘導自己組織化材料を用いた場合において、ミクロ相分離を適正に生じさせることができる。
溶剤供給部は、複数種類の溶剤のいずれかを選択的に供給可能に構成されてもよい。
この場合、処理膜に用いられる誘導自己組織化材料の種類または形成すべきパターンの形状等に応じて、複数種類の溶剤のいずれかを選択的に基板上の処理膜に供給することができる。それにより、誘導自己組織化材料のミクロ相分離をより適正に生じさせることができる。
溶剤供給部は、複数種類の溶剤を混合して供給可能に構成されてもよい。
この場合、処理膜に用いられる誘導自己組織化材料の種類または形成すべきパターンの形状等に応じて、複数種類の溶剤を混合して基板上の処理膜に供給することができる。それにより、誘導自己組織化材料のミクロ相分離をより適正に生じさせることができる。
熱処理ユニットは、カバー部内を減圧する減圧部をさらに含んでもよい。この場合、溶剤の使用量を低減することができる。また、カバー部内における溶剤の濃度を均一に維持することができ、基板上の処理膜の全面に均一に溶剤を供給することができる。
基板処理装置は、熱処理ユニットによる熱処理後の処理膜に露光処理を行うように構成された露光処理ユニットと、露光処理ユニットによる露光処理後の処理膜に現像液を供給することにより現像処理を行うように構成された第1の現像処理ユニットとをさらに備えてもよい。
この場合、露光処理ユニットにおいて処理膜に露光処理が行われることにより、ミクロ相分離後の処理膜中で異なる種類の重合体間の結合が切断される。続いて、第1の現像処理ユニットにおいて処理液に現像液が供給されることにより、不要な重合体が除去される。それにより、基板上に所望のパターンが形成される。
基板処理装置は、熱処理ユニットによる熱処理後の処理膜にドライエッチングにより現像処理を行うように構成された第2の現像処理ユニットをさらに備えてもよい。
この場合、ドライエッチングによりミクロ相分離後の処理膜から不要な重合体が除去される。それにより、基板上に所望のパターンが形成される。
参考形態に係る基板処理方法は、処理膜形成ユニットにおいて、基板上に誘導自己組織化材料からなる処理膜を形成する工程と、熱処理ユニットにおいて、処理膜形成ユニットにより基板上に形成された処理膜に溶剤を供給しつつ熱処理を行う工程とを含むものである。
この基板処理方法によれば、処理膜形成ユニットにおいて基板上に誘導自己組織化材料からなる処理膜が形成される。その後、熱処理ユニットにおいて基板上の処理膜に溶剤が供給されつつ熱処理が行われる。この場合、処理膜の熱処理時に溶剤を供給することにより、処理膜を膨潤させることができ、誘導自己組織化材料のミクロ相分離を促進することができる。それにより、種々の誘導自己組織化材料を用いた場合において、ミクロ相分離を適正に生じさせることができる。その結果、基板上に微細なパターンを精度よく形成することができる。
熱処理を行う工程は、基板上に形成された処理膜に、トルエン、ヘプタン、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、二硫化炭素およびテトラヒドロフランのうち1または複数を溶剤として供給する工程を含んでもよい。
この場合、種々の誘導自己組織化材料を用いた場合において、ミクロ相分離を適正に生じさせることができる。
熱処理を行う工程は、基板上に形成された処理膜に、複数種類の溶剤のいずれかを選択的に供給する工程を含んでもよい。
この場合、処理膜に用いられる誘導自己組織化材料の種類に応じて、複数種類の溶剤のいずれかを選択的に基板上の処理膜に供給することができる。それにより、誘導自己組織化材料のミクロ相分離をより適正に生じさせることができる。
熱処理を行う工程は、基板上に形成された処理膜に、複数種類の溶剤を混合して供給する工程を含んでもよい。
この場合、処理膜に用いられる誘導自己組織化材料の種類に応じて、複数種類の溶剤を混合して基板上の処理膜に供給することができる。それにより、誘導自己組織化材料のミクロ相分離をより適正に生じさせることができる。
露光処理ユニットにおいて、熱処理ユニットによる熱処理後の処理膜に露光処理を行う工程と、第1の現像処理ユニットにおいて、露光処理ユニットによる露光処理後の処理膜に現像液を供給することにより現像処理を行う工程とをさらに含んでもよい。
この場合、露光処理ユニットにおいて処理膜に露光処理が行われることにより、ミクロ相分離後の処理膜中で異なる種類の重合体間の結合が切断される。続いて、第1の現像処理ユニットにおいて処理液に現像液が供給されることにより、不要な重合体が除去される。それにより、基板上に所望のパターンが形成される。
第2の現像処理ユニットにおいて、熱処理ユニットによる熱処理後の処理膜にドライエッチングにより現像処理を行う工程をさらに含んでもよい。
この場合、ドライエッチングによりミクロ相分離後の処理膜から不要な重合体が除去される。それにより、基板上に所望のパターンが形成される。
12 処理ブロック
21,23 現像処理室
22,24 塗布処理室
40 キャリア載置部
100 基板処理装置
112,122 搬送部
114 制御部
121 塗布現像処理部
123 熱処理部
129 現像処理ユニット
139 塗布処理ユニット
200 熱処理ユニット
210 チャンバ
212a 導入孔
220 プレート
250 露光処理ユニット
CP 冷却ユニット
L1 下地層
L2 ガイドパターン
L3 DSA膜
P1,P2 パターン
PP ポンプ
W 基板
Claims (18)
- 基板上に複数種類の重合体から構成される誘導自己組織化材料からなる処理膜を形成するように構成された処理膜形成ユニットと、
前記処理膜形成ユニットにより基板上に形成された処理膜にミクロ相分離が生じるように、当該処理膜に溶剤を供給しつつ熱処理を行う熱処理ユニットと、
ミクロ相分離後の処理膜における前記複数種類の重合体の間の結合が切断されるように、前記熱処理ユニットによる熱処理後の処理膜の全面に露光処理を行う露光処理ユニットと、
前記露光処理ユニットによる露光処理後の処理膜に現像液を供給することにより現像処理を行うように構成された現像処理ユニットと、
基板を保持するためのハンドを有し、基板を前記ハンドにより保持して前記処理膜形成ユニット、前記露光処理ユニットおよび前記現像処理ユニットに対して搬送する第1の搬送機構とを備えた、基板処理装置。 - 第1の処理部、第2の処理部および搬送部をさらに備え、
前記処理膜形成ユニットおよび前記現像処理ユニットは、前記第1の処理部に設けられ、
前記熱処理ユニットおよび前記露光処理ユニットは、前記第2の処理部に設けられ、
前記第1の搬送機構は、前記搬送部に設けられ、
前記搬送部は、前記第1の処理部と前記第2の処理部との間に設けられる、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記熱処理ユニットおよび前記露光処理ユニットは、互いに隣接するように前記第2の処理部に設けられる、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記搬送部と隣接するように設けられたインデクサブロックをさらに備え、
前記インデクサブロックは、
複数の基板が収容されるキャリアが載置される載置台と、
前記載置台上に載置されるキャリアと前記搬送部との間で基板を搬送する第2の搬送機構とを含み、
前記インデクサブロックおよび前記搬送部は、水平な第1の方向に並ぶように設けられ、前記第1の処理部、前記搬送部および前記第2の処理部は、水平でかつ前記第1の方向と交差する第2の方向に並ぶように設けられる、請求項2または3記載の基板処理装置。 - 第1の処理部と、
第2の処理部と、
前記第1の処理部と前記第2の処理部との間に設けられる搬送部と、
前記第1の処理部に設けられ、基板上に誘導自己組織化材料からなる処理膜を形成するように構成された処理膜形成ユニットと、
前記第2の処理部に設けられ、前記処理膜形成ユニットにより基板上に形成された処理膜に溶剤を供給しつつ熱処理を行うように構成された熱処理ユニットと、
前記第2の処理部に設けられ、前記熱処理ユニットによる熱処理後の処理膜に露光処理を行うように構成された露光処理ユニットと、
前記第1の処理部に設けられ、前記露光処理ユニットによる露光処理後の処理膜に現像液を供給することにより現像処理を行うように構成された現像処理ユニットと、
前記搬送部に設けられ、基板を保持するためのハンドを有し、基板を前記ハンドにより保持して前記処理膜形成ユニット、前記露光処理ユニットおよび前記現像処理ユニットに対して搬送する第1の搬送機構とを備え、
前記搬送部は、上下に設けられた上段搬送室および下段搬送室を含み、
前記処理膜形成ユニットは、前記上段搬送室と隣接するように前記第1の処理部に設けられた上段処理膜形成ユニットと、前記下段搬送室と隣接するように前記第1の処理部に設けられた下段処理膜形成ユニットとを含み、
前記現像処理ユニットは、前記上段搬送室と隣接するように前記第1の処理部に設けられた上段現像処理ユニットと、前記下段搬送室と隣接するように前記第1の処理部に設けられた下段現像処理ユニットとを含み、
前記熱処理ユニットは、前記上段搬送室と隣接するように前記第2の処理部に設けられた上段熱処理ユニットと、前記下段搬送室と隣接するように前記第2の処理部に設けられた下段熱処理ユニットとを含み、
前記露光処理ユニットは、前記上段搬送室と隣接するように前記第2の処理部に設けられた上段露光処理ユニットと、前記下段搬送室と隣接するように前記第2の処理部に設けられた下段露光処理ユニットとを含み、
前記第1の搬送機構は、
前記上段処理膜形成ユニット、前記上段現像処理ユニット、前記上段熱処理ユニットおよび前記上段露光処理ユニットに対して基板を搬送するように前記上段搬送室に設けられた上段搬送機構と、
前記下段処理膜形成ユニット、前記下段現像処理ユニット、前記下段熱処理ユニットおよび前記下段露光処理ユニットに対して基板を搬送するように前記下段搬送室に設けられた下段搬送機構とを含む、基板処理装置。 - 基板上に誘導自己組織化材料からなる処理膜を形成するように構成された処理膜形成ユニットと、
前記処理膜形成ユニットにより基板上に形成された処理膜に溶剤を供給しつつ熱処理を行うように構成された熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニットによる熱処理後の処理膜に露光処理を行うように構成された露光処理ユニットと、
前記露光処理ユニットによる露光処理後の処理膜に現像液を供給することにより現像処理を行うように構成された現像処理ユニットと、
基板を保持するためのハンドを有し、基板を前記ハンドにより保持して前記処理膜形成ユニット、前記露光処理ユニットおよび前記現像処理ユニットに対して搬送する第1の搬送機構と、
前記熱処理ユニットによる熱処理前であって前記処理膜形成ユニットによる処理膜の形成前の基板に冷却処理を行い、前記熱処理ユニットによる熱処理後であって前記露光処理ユニットによる露光処理前の処理膜に冷却処理を行う冷却ユニットとを備える、基板処理装置。 - 前記熱処理ユニットは、
前記処理膜が形成された基板が載置され、載置された基板の温度を調整するように構成された熱処理プレートと、
前記熱処理プレートの上方の空間を取り囲むように構成されたカバー部と、
前記カバー部内に気化された溶剤を供給するように構成された溶剤供給部とを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記溶剤供給部は、トルエン、ヘプタン、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、二硫化炭素およびテトラヒドロフランのうち1または複数を溶剤として供給するように構成された、請求項7記載の基板処理装置。
- 前記溶剤供給部は、複数種類の溶剤のいずれかを選択的に供給可能に構成された、請求項7または8記載の基板処理装置。
- 前記溶剤供給部は、複数種類の溶剤を混合して供給可能に構成された、請求項7〜9のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記溶剤供給部は、基板上の処理膜から形成されるべきパターンの形状に応じて、複数種類の溶剤のうち1種類または複数種類の溶剤を選択的に供給する、請求項7または8記載の基板処理装置。
- 前記熱処理ユニットは、前記カバー部内を減圧する減圧部をさらに含む、請求項7〜11のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記露光処理ユニットは、前記露光処理の時間を調整可能に構成された、請求項1〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 搬送機構のハンドにより基板を保持して処理膜形成ユニットに搬送する工程と、
前記処理膜形成ユニットにおいて、基板上に複数種類の重合体から構成される誘導自己組織化材料からなる処理膜を形成する工程と、
前記処理膜形成ユニットにより処理膜が形成された基板を前記搬送機構のハンドにより保持して熱処理ユニットに搬送する工程と、
前記熱処理ユニットにおいて、前記処理膜形成ユニットにより基板上に形成された処理膜にミクロ相分離が生じるように、当該処理膜に溶剤を供給しつつ熱処理を行う工程と
前記処理膜形成ユニットにより処理膜に熱処理が行われた後の基板を前記搬送機構のハンドにより保持して露光処理ユニットに搬送する工程と、
前記露光処理ユニットにおいて、ミクロ相分離後の処理膜における前記複数種類の重合体の間の結合が切断されるように、前記熱処理ユニットによる熱処理後の処理膜の全面に露光処理を行う工程と、
前記露光処理ユニットにより処理膜に露光処理が行われた後の基板を前記搬送機構のハンドにより保持して現像処理ユニットに搬送する工程と、
前記現像処理ユニットにおいて、前記露光処理ユニットによる露光処理後の処理膜に現像液を供給することにより現像処理を行う工程とを含む、基板処理方法。 - 前記熱処理を行う工程は、基板上に形成された処理膜に、トルエン、ヘプタン、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、二硫化炭素およびテトラヒドロフランのうち1または複数を溶剤として供給する工程を含む、請求項14記載の基板処理方法。
- 前記熱処理を行う工程は、基板上に形成された処理膜に、複数種類の溶剤のいずれかを選択的に供給する工程を含む、請求項14または15記載の基板処理方法。
- 前記熱処理を行う工程は、基板上に形成された処理膜に、複数種類の溶剤を混合して供給する工程を含む、請求項14または15記載の基板処理方法。
- 前記熱処理を行う工程は、基板上の処理膜から形成されるべきパターンの形状に応じて、複数種類の溶剤のうち1種類または複数種類の溶剤を選択的に基板に供給する工程を含む、請求項14または15記載の基板処理方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012159917A JP6239813B2 (ja) | 2012-07-18 | 2012-07-18 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR1020130080832A KR101946654B1 (ko) | 2012-07-18 | 2013-07-10 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US13/943,198 US9375748B2 (en) | 2012-07-18 | 2013-07-16 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
TW105136951A TWI613702B (zh) | 2012-07-18 | 2013-07-17 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
TW102125620A TWI567787B (zh) | 2012-07-18 | 2013-07-17 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US15/185,177 US9828676B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-06-17 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US15/794,416 US10047441B2 (en) | 2012-07-18 | 2017-10-26 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012159917A JP6239813B2 (ja) | 2012-07-18 | 2012-07-18 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014022570A JP2014022570A (ja) | 2014-02-03 |
JP6239813B2 true JP6239813B2 (ja) | 2017-11-29 |
Family
ID=49946291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012159917A Active JP6239813B2 (ja) | 2012-07-18 | 2012-07-18 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9375748B2 (ja) |
JP (1) | JP6239813B2 (ja) |
KR (1) | KR101946654B1 (ja) |
TW (2) | TWI613702B (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6239813B2 (ja) | 2012-07-18 | 2017-11-29 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR102423377B1 (ko) | 2013-08-05 | 2022-07-25 | 트위스트 바이오사이언스 코포레이션 | 드 노보 합성된 유전자 라이브러리 |
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JP6802667B2 (ja) | 2016-08-18 | 2020-12-16 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置、基板処理装置、熱処理方法および基板処理方法 |
JP6854340B2 (ja) | 2016-08-22 | 2021-04-07 | ツイスト バイオサイエンス コーポレーション | デノボ合成された核酸ライブラリ |
JP6773495B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2020-10-21 | 株式会社Screenホールディングス | エッチング装置、基板処理装置、エッチング方法および基板処理方法 |
KR102217487B1 (ko) | 2016-09-21 | 2021-02-23 | 트위스트 바이오사이언스 코포레이션 | 핵산 기반 데이터 저장 |
JP6683578B2 (ja) | 2016-09-23 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
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JP6896447B2 (ja) | 2017-02-14 | 2021-06-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP6914048B2 (ja) * | 2017-02-14 | 2021-08-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP6811638B2 (ja) | 2017-02-14 | 2021-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及びその装置 |
JP6987507B2 (ja) | 2017-02-14 | 2022-01-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及びその装置 |
JP7030414B2 (ja) | 2017-02-14 | 2022-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及びその装置 |
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JP6863784B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2021-04-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6846964B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2021-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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JP7191448B2 (ja) | 2018-01-04 | 2022-12-19 | ツイスト バイオサイエンス コーポレーション | Dnaベースのデジタル情報ストレージ |
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JP7458718B2 (ja) | 2019-07-19 | 2024-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板搬送方法 |
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JP5537400B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | パターン形成方法及び装置 |
CN103476908B (zh) * | 2010-12-23 | 2015-12-16 | 劳力士有限公司 | 用于增加钟表制造元件的疏油性的组合物 |
JP6064360B2 (ja) * | 2011-05-11 | 2017-01-25 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物 |
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JP5710546B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP6239813B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2017-11-29 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置および基板処理方法 |
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US9382444B2 (en) * | 2013-06-24 | 2016-07-05 | Dow Global Technologies Llc | Neutral layer polymers, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
-
2012
- 2012-07-18 JP JP2012159917A patent/JP6239813B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-10 KR KR1020130080832A patent/KR101946654B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-16 US US13/943,198 patent/US9375748B2/en active Active
- 2013-07-17 TW TW105136951A patent/TWI613702B/zh active
- 2013-07-17 TW TW102125620A patent/TWI567787B/zh active
-
2016
- 2016-06-17 US US15/185,177 patent/US9828676B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-26 US US15/794,416 patent/US10047441B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI613702B (zh) | 2018-02-01 |
TW201409536A (zh) | 2014-03-01 |
US10047441B2 (en) | 2018-08-14 |
KR20140011262A (ko) | 2014-01-28 |
US9828676B2 (en) | 2017-11-28 |
US9375748B2 (en) | 2016-06-28 |
US20180044795A1 (en) | 2018-02-15 |
US20140022521A1 (en) | 2014-01-23 |
TWI567787B (zh) | 2017-01-21 |
KR101946654B1 (ko) | 2019-02-11 |
JP2014022570A (ja) | 2014-02-03 |
TW201719724A (zh) | 2017-06-01 |
US20160289839A1 (en) | 2016-10-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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