JP5004611B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェースブロックにより構成される。インターフェースブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
上記の基板処理装置において、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにより反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェースブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェースブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レクチルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
ところで、上記特許文献２に記載されているような液浸法を用いて基板の露光処理を行う場合においては、基板の裏面が汚染していると、基板の裏面に付着した汚染物質が露光装置内の液体に混入する。それにより、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
また、露光処理後の基板が露光装置から搬出され、現像処理ブロックに搬入される基板の裏面が汚染していると、現像不良が発生するおそれがある。
本発明の目的は、スループットの低下が抑制されつつ露光処理前または露光処理後の基板の汚染による処理不良が防止された、小型化が可能な基板処理装置を提供することである。
（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置され、表面および裏面を有する基板を処理する基板処理装置であって、基板に所定の処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、第１の処理単位、第２の処理単位および第３の処理単位を含み、第１の処理単位は、感光性膜形成領域および第１の搬送領域を有し、感光性膜形成領域には、露光装置による露光処理前の基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットが設けられ、第１の搬送領域には、基板を搬送する第１の搬送ユニットが設けられ、第２の処理単位は、洗浄領域および第２の搬送領域を有し、洗浄領域は、第１の洗浄領域および第２の洗浄領域を含み、第１および第２の洗浄領域は、第２の搬送領域を挟んで対向するように配置され、第１の洗浄領域には、基板の表面を洗浄する表面洗浄ユニットが設けられ、第２の洗浄領域には、基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットが設けられ、第２の搬送領域には、基板を搬送する第２の搬送ユニットが設けられ、第３の処理単位は、現像処理領域および第３の搬送領域を有し、現像処理領域には、露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像ユニットが設けられ、第３の搬送領域には、基板を搬送する第３の搬送ユニットが設けられ、第１の処理単位と第２の処理単位との間には、第１および第２の搬送ユニットにより搬送される基板が載置可能な第１の載置ユニットが設けられ、第２の処理単位と第３の処理単位との間には、第２および第３の搬送ユニットにより搬送される基板を載置可能な第２の載置ユニットが設けられ、第１および第２の載置ユニットの少なくとも一方には、第２の搬送ユニットにより搬入される基板の一面と他面とを互いに反転させる反転ユニットが積層配置され、第２の搬送ユニットは、表面洗浄ユニット、裏面洗浄ユニット、第１の載置ユニット、第２の載置ユニットおよび反転ユニットの間で基板を搬送可能に設けられたものである。
この基板処理装置においては、処理部により基板に処理が行われる。処理が行われた基板は、受け渡し部に渡される。そして、処理部から渡された基板が受け渡し部により露光装置に搬入される。それにより、露光装置において、基板に露光処理が行われる。露光処理後の基板は、露光装置から搬出され、受け渡し部に渡される。露光装置から渡された基板が受け渡し部により処理部に搬入される。
処理部内の第１の処理単位、第２の処理単位および第３の処理単位において、基板は、それぞれ第１の搬送ユニット、第２の搬送ユニットおよび第３の搬送ユニットにより搬送される。第１の処理単位と第２の処理単位との間で搬送される基板は、第１の載置ユニットに載置される。第２の処理単位と第３の処理単位との間で搬送される基板は、第２の載置ユニットに載置される。
第１の処理単位では、感光性膜形成ユニットにより露光装置による露光処理前の基板に感光性膜が形成される。
また、第２の処理単位では、表面洗浄ユニットにより基板の表面が洗浄される。この場合、第２の処理単位において、第２の搬送ユニットは、第１および第２の載置ユニットの少なくとも一方に設けられた反転ユニットに基板を搬入する。反転ユニットは、表面が上方向に向いた基板を裏面が上方向に向くように基板の一面と他面とを互いに反転させる。これにより、反転された基板の裏面を、裏面洗浄ユニットにより洗浄することができる。このようにして、第２の処理単位では、基板の表面および裏面が洗浄される。
第３の処理単位では、現像ユニットにより露光装置による露光処理後の基板の現像処理が行われる。
上記のように、露光装置による露光処理前または露光処理後の基板を表面洗浄ユニットおよび裏面洗浄ユニットにより洗浄することにより、露光装置に搬入される基板の表面および裏面、または露光装置から搬出された基板の表面および裏面を清浄に保つことができる。それにより、露光処理前の基板の表面および裏面の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。または、露光処理後の基板の表面および裏面の汚染に起因する現像不良を防止することができる。
また、上記のように、第２の処理単位においては、第２の搬送ユニットにより、表面洗浄ユニット、裏面洗浄ユニットおよび反転ユニットの間で基板が搬送される。それにより、表面洗浄ユニット、裏面洗浄ユニットおよび反転ユニットがそれぞれ別個の処理単位に渡って設けられる場合に比べて、搬送距離および搬送時間が短縮される。その結果、スループットが向上する。
さらに、反転ユニットが第１または第２の載置ユニットに積層されているので、反転ユニットを設けるための新たな処理単位を設ける必要がない。それにより、基板処理装置の小型化が実現できる。その上、処理単位内に反転ユニットを設ける必要がないので、第１〜第３の処理単位内の各ユニットを減少させる必要もない。それにより、スループットの低下が抑制される。
洗浄領域は、第１の洗浄領域および第２の洗浄領域を含み、第１および第２の洗浄領域は、第２の搬送領域を挟んで対向するように配置され、第１の洗浄領域には、表面洗浄ユニットが設けられ、第２の洗浄領域には、裏面洗浄ユニットが設けられ、第２の搬送ユニットは、表面洗浄ユニット、裏面洗浄ユニット、第１の載置ユニット、第２の載置ユニットおよび反転ユニットの間で基板を搬送可能に設けられる。
この場合、第２の搬送ユニットは、表面洗浄ユニット、裏面洗浄ユニット、第１の載置ユニット、第２の載置ユニットおよび反転ユニットにより取り囲まれるように第２の搬送領域に設けられる。これにより、第２の搬送ユニットは、回転動作および昇降動作することにより各ユニット間で基板を迅速に搬送することができる。それにより、基板処理におけるスループットが向上する。
（２）表面洗浄ユニットおよび裏面洗浄ユニットは、露光装置による露光処理前の基板を洗浄してもよい。
この場合、露光装置に搬入される基板の表面および裏面を予め洗浄することにより、露光装置内の汚染を確実に防止するとともに、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を十分に防止することができる。
また、感光性膜が形成された基板を洗浄することにより、感光性材料の成分を予め溶出させることができる。それにより、露光装置において、液浸法による露光処理を正確に行うことができる。
（３）表面洗浄ユニットは、基板の表面および端部を同時に洗浄してもよい。
この場合、表面洗浄ユニットにより基板の表面および端部が洗浄されるので、基板の裏面に加えて、表面および端部が清浄に保たれる。それにより、露光処理前の基板の表面、裏面および端部の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することができ、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を十分に防止することができる。または、露光処理後の基板の表面および裏面の汚染に起因する現像不良を防止することができる。
また、基板の表面および端部を個別に洗浄する必要がなく、基板の表面および端部が同時に洗浄されるので、基板処理におけるスループットの低下が抑制される。
本発明に係る基板処理装置によれば、基板処理におけるスループットの低下が抑制されつつ露光処理前または露光処理後の基板の汚染による処理不良が防止される。また、基板処理装置の小型化が可能となる。
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
また、以下の説明では、回路パターン等の各種パターンが形成される基板の面を表面と称し、その反対側の面を裏面と称する。また、下方に向けられた基板の面を下面と称し、上方に向けられた基板の面を上面と称する。
さらに、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
（１） 基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、洗浄／乾燥処理ブロック１２、現像処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を含む。基板処理装置５００においては、これらのブロック１０〜１４が上記の順で並設される。
基板処理装置５００のインターフェースブロック１４に隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。
インデクサブロック１０は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部４０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。レジスト膜用塗布処理部４０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
インデクサブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、インデクサブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１からインデクサブロック１０へ搬送する際に用いられる。
基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、複数本の支持ピンが固定されている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも同様に設けられる。
洗浄／乾燥処理ブロック１２は、第１の洗浄／乾燥処理部１２０、第２の洗浄／乾燥処理部１２１および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。第１の洗浄／乾燥処理部１２０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで第２の洗浄／乾燥処理部１２１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
レジスト膜用処理ブロック１１と洗浄／乾燥処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジスト膜用処理ブロック１１と洗浄／乾燥処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。
上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から洗浄／乾燥処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
現像処理ブロック１３は、現像処理部６０、熱処理部１３２，１３３および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。熱処理部１３３は、インターフェースブロック１４に隣接し、後述するように基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を備える。現像処理部６０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで熱処理部１３２，１３３に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
洗浄／乾燥処理ブロック１２と現像処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の２枚の隔壁２２ａ，２２ｂが設けられる。これらの隔壁２２ａ，２２ｂには、現像処理ブロック１３と洗浄／乾燥処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５の上側および基板載置部ＰＡＳＳ６の下側に、後述する反転ユニットＲＴが積層配置される。なお、２個の反転ユニットＲＴに対する基板Ｗの搬入および搬出は、洗浄／乾燥処理ブロック１２の第２のセンターロボットＣＲ２により行われる。
このように、基板載置部ＰＡＳＳ５,ＰＡＳＳ６の上下に反転ユニットＲＴが設けられることにより、洗浄／乾燥処理ブロック１２と現像処理ブロック１３との間に隙間が生じているが、この隙間の大きさは各ブロックの幅（Ｙ方向における長さ）よりも十分に小さい。
上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１２から現像処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１３から洗浄／乾燥処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
反転ユニットＲＴは、基板Ｗの一面（表面）と他面(裏面)とを互いに反転させるために用いられる。例えば、基板Ｗの表面が上方に向いている場合に、反転ユニットＲＴは基板Ｗの裏面が上方に向くように基板Ｗを反転させる。反転ユニットＲＴの詳細は後述する。
インターフェースブロック１４には、第４のセンターロボットＣＲ４、エッジ露光部ＥＥＷおよびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが、この順で＋Ｘ方向に沿って並ぶように設けられる。
エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０、送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。
図２は図１の基板処理装置５００の一方の側面図である。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、４個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置される。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２を備える。
洗浄／乾燥処理ブロック１２の第１の洗浄／乾燥処理部１２０には４個の裏面洗浄ユニットＳＤＲが上下に積層配置される。裏面洗浄ユニットＳＤＲの詳細は後述する。
現像処理ブロック１３の現像処理部６０（図１参照）には、４個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル６２を備える。
上述のように、洗浄／乾燥処理ブロック１２と現像処理ブロック１３との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５,ＰＡＳＳ６が設けられるとともに、それらの上下に反転ユニットＲＴが設けられている。
インターフェースブロック１４の略中央部（図１参照）には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０、送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦがこの順で上下に積層配置される。
各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック（図示せず）およびスピンチャック上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器（図示せず）を備える。
図３は、図１の基板処理装置５００の他方の側面図である。
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、４個の加熱ユニットＨＰおよび４個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、６個の加熱ユニットＨＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
洗浄／乾燥処理ブロック１２の第２の洗浄／乾燥処理部１２１には４個の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤが上下に積層配置される。表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの詳細は後述する。
現像処理ブロック１３の熱処理部１３２には４個の加熱ユニットＨＰおよび４個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、熱処理部１３３には６個の加熱ユニットＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に積層配置される。また、熱処理部１３２，１３３の最上部には、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
なお、塗布ユニットＲＥＳ、現像処理ユニットＤＥＶ、裏面洗浄ユニットＳＤＲ、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ、エッジ露光部ＥＥＷ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各ブロック１０〜１４における処理速度に応じて適宜変更してよい。
（２） 基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。
インデクサブロック１０のキャリア載置台９２上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが載置される。ここで、キャリアＣに収納される複数の基板Ｗは、その表面が上方に向いた状態で保持されている。
インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４ならびにインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部４０では、塗布ユニットＲＥＳにより基板Ｗの表面にレジスト膜が塗布形成される。
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、レジスト膜用塗布処理部４０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１２の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理部１２１の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤに搬入する。表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ内では、搬入された基板Ｗに後述の表面端部洗浄処理が施される。これにより、露光装置１５による露光処理前の基板Ｗの表面および端部が清浄に保たれる。
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤから表面端部洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の上下に積層配置された反転ユニットＲＴに搬入する。これにより、表面が上方に向いた基板Ｗが、反転ユニットＲＴにより裏面が上方に向くように反転される。
続いて、第２のセンターロボットＣＲ２は、裏面が上方に向いた基板Ｗを反転ユニットＲＴから取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理部１２０の裏面洗浄ユニットＳＤＲに搬入する。これにより、基板Ｗに後述の裏面洗浄処理が施され、露光装置１５による露光処理前の基板Ｗの裏面が清浄に保たれる。
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、裏面洗浄ユニットＳＤＲから裏面が洗浄された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを再び反転ユニットＲＴに搬入する。これにより、裏面が上方に向いた基板Ｗが、反転ユニットＲＴにより表面が上方に向くように反転される。
そして、第２のセンターロボットＣＲ２は、表面が上方に向いた基板Ｗを反転ユニットＲＴから取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１３の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを熱処理部１３３の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１４の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１参照）に搬入される。
なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。
露光装置１５において、基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１参照）から取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
なお、故障等によりインターフェースブロック１４において一時的に基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置できないときは、インターフェースブロック１４の戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１４の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、受け取った基板Ｗを現像処理ブロック１３の熱処理部１３３に搬入する。熱処理部１３３においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、熱処理部１３３から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
なお、本実施の形態においては熱処理部１３３により露光後ベークを行っているが、熱処理部１３２により露光後ベークを行ってもよい。
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１３の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部６０に搬入する。これにより、基板Ｗに現像処理が行われる。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部６０から現像処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを熱処理部１３２に搬入する。
熱処理部１３２においては、現像処理後の基板Ｗに熱処理が施される。そして、第３のセンターロボットＣＲ３は、熱処理部１３２から熱処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１２の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。
（３） 表面端部洗浄／乾燥ユニットについて
ここで、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
（３−ａ） 表面端部洗浄／乾燥ユニットの構成
図４は、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの構成を説明するための図である。この表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにおいては、基板Ｗの表面および端部が洗浄される（表面端部洗浄処理）。
図４に示すように、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２０１を備える。
スピンチャック２０１は、チャック回転駆動機構２０４によって回転される回転軸２０３の上端に固定されている。また、スピンチャック２０１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック２０１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック２０１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
スピンチャック２０１の側方には、モータ２５０が設けられている。モータ２５０には、回動軸２５１が接続されている。また、回動軸２５１には、アーム２５２が水平方向に延びるように連結され、アーム２５２の先端に表面洗浄用ノズル２６０が設けられている。
モータ２５０により回動軸２５１が回転すると、アーム２５２が回動する。これにより、表面洗浄用ノズル２６０は、スピンチャック２０１により保持された基板Ｗの上方位置と外方位置との間で移動可能となっている。
モータ２５０、回動軸２５１およびアーム２５２の内部を通るように洗浄処理用供給管２７０が設けられている。洗浄処理用供給管２７０は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。
このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管２７０に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図４の構成においては、バルブＶａを開くことにより洗浄処理用供給管２７０に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより洗浄処理用供給管２７０にリンス液を供給することができる。
このように、バルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管２７０および表面洗浄用ノズル２６０を通して基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。これにより、基板Ｗの表面を洗浄することができる。
洗浄液としては、例えば、所定のレジスト溶媒、フッ素系薬液、アンモニア過水、および露光装置１５における液浸法に用いられる液体のいずれかが用いられる。この他、洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、フッ酸、硫酸および硫酸過水のいずれかを用いることもできる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水、ＨＦＥのいずれかが用いられる。
さらに、スピンチャック２０１の側方でかつ表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ内の上部には、端部洗浄装置移動機構２３０が設けられている。端部洗浄装置移動機構２３０には、下方に延びる棒状の支持部材２２０が取り付けられている。支持部材２２０は、端部洗浄装置移動機構２３０により上下方向および水平方向に移動する。
支持部材２２０の下端部には、略円筒形状を有する端部洗浄装置２１０が水平方向に延びるように取り付けられている。これにより、端部洗浄装置２１０は、端部洗浄装置移動機構２３０により支持部材２２０とともに移動する。それにより、端部洗浄装置２１０の一端をスピンチャック２０１に保持される基板Ｗの端部Ｒと対向させることができる。以下の説明においては、端部洗浄装置２１０の基板Ｗの端部Ｒと対向する一端を正面とする。
ここで、基板Ｗの上記端部Ｒの定義について次の図面を参照しながら説明する。図５は、基板Ｗの端部Ｒを説明するための概略的模式図である。基板Ｗ上には、上述したレジスト膜（図示せず）が形成される。
基板Ｗは端面を有し、この端面を概略的に図示すれば図５のようになる。この端面を、一般的にベベル部と呼ぶ。また、基板Ｗの面の端から内側へ距離ｄまでの領域を、一般的に周縁部と呼ぶ。本実施の形態では、上記のベベル部と周縁部とを総称して端部Ｒと呼ぶ。なお、上記距離ｄは例えば２〜３ｍｍである。また、端部Ｒが周縁部を含まなくてもよい。この場合には、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤは基板Ｗの端部Ｒに対してベベル部のみを洗浄する。
通常、レジストカバー膜は、基板Ｗ上の上記周縁部を覆うように形成されていない場合が多い。すなわち、基板Ｗ上の周縁部に形成されたレジスト膜は露出した状態となっている。
図４に戻り、端部洗浄装置２１０は、表面端部洗浄処理時に端部洗浄装置移動機構２３０によりスピンチャック２０１上の基板Ｗの端部Ｒ付近の位置に移動し、表面端部洗浄処理が行われていない期間には、スピンチャック２０１の外方で待機する。
端部洗浄装置２１０は、その内部に空間を有する（後述の洗浄室２１１）。端部洗浄装置２１０には、洗浄液供給管２４１および排気管２４４が接続されている。洗浄液供給管２４１は、バルブ２４２を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ２４２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管２４１を通じて端部洗浄装置２１０の内部空間に供給される。
また、排気管２４４は、排気部２４５に接続されている。排気部２４５は、端部洗浄装置２１０の内部空間の雰囲気を吸引し、排気管２４４を通じて排気する。
ここで、端部洗浄装置２１０の詳細を説明する。図６は、図４の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの端部洗浄装置２１０の構造を説明するための図である。図６（ａ）に端部洗浄装置２１０の縦断面図が示され、図６（ｂ）に端部洗浄装置２１０の正面図が示されている。
図６（ａ）に示すように、端部洗浄装置２１０の略円筒形状のハウジング２１０ａの内部には、洗浄室２１１が形成されている。
また、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、ハウジング２１０ａの正面側には、洗浄室２１１と外部とを連通させる開口２１２が形成されている。開口２１２は、中央部から両側方にかけて上下幅が漸次拡大するように、円弧状の上面および下面を有する。基板Ｗの表面端部洗浄処理時には、開口２１２にスピンチャック２０１に吸着保持された基板Ｗの端部Ｒが挿入される。
洗浄室２１１内には、略円筒形状を有するブラシ２１３が鉛直方向に延びるように配置されている。ブラシ２１３は鉛直方向に延びる回転軸２１４に取り付けられている。回転軸２１４の上端および下端は、洗浄室２１１の上部および下部に形成された回転軸受に回転可能に取り付けられている。これにより、ブラシ２１３は、洗浄室２１１および回転軸２１４により回転可能に支持されている。
基板Ｗの表面端部洗浄処理時には、回転する基板Ｗの端部Ｒとブラシ２１３とが接触する。これにより、基板Ｗの端部Ｒがブラシ２１３により洗浄される。
ここで、図４の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにおいて、ブラシ２１３が取り付けられた回転軸２１４は、スピンチャック２０１が固定される回転軸２０３と略平行となるように配置される。これにより、ブラシ２１３が回転する基板Ｗの端部Ｒに確実に接触した状態で回転する。
端部洗浄装置２１０の上部には、上述の洗浄液供給管２４１および排気管２４４が接続されている。
洗浄液供給管２４１は、ハウジング２１０ａ内に形成された洗浄液供給路２４１ａ，２４１ｂに接続されている。図６（ａ）に示すように、洗浄液供給路２４１ａは、ハウジング２１０ａの外部から洗浄室２１１の上部内面まで延びている。また、洗浄液供給路２４１ｂは、ハウジング２１０ａの外部から洗浄室２１１の下部内面まで延びている。図６（ａ）には、洗浄液供給管２４１ｂの一部のみが示されている。
このような構成により、基板Ｗの表面端部洗浄処理時には、端部洗浄装置２１０に供給される洗浄液が、洗浄室２１１内でブラシ２１３と接触する基板Ｗの端部Ｒに向かって上下方向から噴射される。それにより、基板Ｗの端部Ｒが効率よく洗浄される。
排気管２４４は、ハウジング２１０ａの上部に設けられた孔部を通じて洗浄室２１１内に挿入されている。これにより、上述のように、洗浄室２１１内の雰囲気が図４の排気部２４５により吸引され、排気管２４４を通じて排気される。
このように、洗浄室２１１においては、その内部雰囲気が排気部２４５により排気されるので、揮発した洗浄液および洗浄液のミストが効率よく排気される。
上記において、基板Ｗの端部Ｒに噴射される洗浄液としては、所定のレジスト溶媒、フッ素系薬液、アンモニア過水、および露光装置１５における液浸法に用いられる液体のいずれかが用いられる。
この他、洗浄液としては、基板Ｗの表面を洗浄する洗浄液と同様に、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ、フッ酸、硫酸および硫酸過水のいずれかを用いることもできる。
上記のように、ブラシ２１３により基板Ｗの端部Ｒを洗浄する場合には、基板Ｗの端部Ｒに直接ブラシ２１３が接触するので、基板Ｗの端面Ｒの汚染物質を物理的に剥離させることができる。それにより、端部Ｒに強固に付着した汚染物質をより確実に取り除くことができる。
（３−ｂ） 表面端部洗浄／乾燥ユニットの動作
上記の構成を有する表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの処理動作について説明する。
表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤへの基板Ｗの搬入時には、図１の第２のセンターロボットＣＲ２が基板Ｗをスピンチャック２０１上に載置する。スピンチャック２０１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック２０１により吸着保持される。
次に、表面洗浄用ノズル２６０が基板Ｗの中心部上方に移動し、端部洗浄装置２１０がスピンチャック２０１上の基板Ｗの端部Ｒ付近の位置に移動する。そして、回転軸２０３が回転することにより基板Ｗが回転する。
この状態で、表面洗浄用ノズル２６０から基板Ｗの表面に洗浄液が吐出される。これにより、基板Ｗの表面が洗浄される。これと同時に、端部洗浄装置２１０に洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。
所定時間経過後、表面洗浄用ノズル２６０は、基板Ｗの表面に、洗浄液に代えてリンス液を吐出する。これにより、基板Ｗ上に供給された洗浄液が洗い流される。また、このとき、端部洗浄装置２１０への洗浄液の供給が停止される。それにより、基板Ｗの表面に吐出されたリンス液が基板Ｗの端部Ｒに流れ込み、基板Ｗの端部Ｒに付着する洗浄液が洗い流される。
さらに所定時間経過後、表面洗浄用ノズル２６０は、基板Ｗへのリンス液の吐出を停止し、スピンチャック２０１により保持された基板Ｗの外方に移動する。また、端部洗浄装置２１０も基板Ｗの外方に移動する。
そして、回転軸２０３の回転数が上昇する。これにより、基板Ｗ上に残留するリンス液に大きな遠心力が作用する。それにより、基板Ｗの表面および端部Ｒに付着する液体が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
基板Ｗ上への洗浄液およびリンス液の供給は、気体および液体からなる混合流体を吐出する二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
図４の表面洗浄用ノズル２６０として二流体ノズルを用いる場合には、混合流体を噴射する二流体ノズルを回転する基板Ｗの外方から基板Ｗの中心を通るように移動させる。これにより、洗浄液またはリンス液を含む混合流体を基板Ｗの表面全体に渡って効率よく噴射することができる。
なお、このように二流体ノズルを用いる場合、図４の点線で示すように、表面洗浄用ノズル２６０には、窒素ガス（Ｎ２）、アルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスを供給する必要がある。
（３−ｃ） 表面端部洗浄／乾燥ユニットの他の構成例
表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤは、以下の構成を有してもよい。図７は表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの他の構成例を説明するための図である。図７の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤについて、図４の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤと異なる点を説明する。
図７に示すように、本例の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにおいては、図４の端部洗浄装置２１０に代えて、基板Ｗの端部Ｒを洗浄するための構成要素として二流体ノズル３１０が設けられている。
具体的には、スピンチャック２０１の外方に、モータ３０１が設けられている。モータ３０１には、回動軸３０２が接続されている。また、回動軸３０２には、アーム３０３が水平方向に延びるように連結され、アーム３０３の先端に二流体ノズル３１０が設けられている。この二流体ノズル３１０は、気体および液体からなる混合流体を吐出する。
なお、アーム３０３の先端部において、二流体ノズル３１０は、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの表面に対して傾斜するように取り付けられている。
基板Ｗの表面端部洗浄処理の開始時には、モータ３０１により回動軸３０２が回転するとともにアーム３０３が回動する。これにより、二流体ノズル３１０がスピンチャック２０１により保持された基板Ｗの端部Ｒの上方に移動する。その結果、二流体ノズル３１０の混合流体の吐出部３１０ａが基板Ｗの端部Ｒに対向する。
モータ３０１、回動軸３０２およびアーム３０３の内部を通るように洗浄液供給管３３１が設けられている。洗浄液供給管３３１は、一端が二流体ノズル３１０に接続されるとともに、他端がバルブ３３２を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ３３２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管３３１を通じて二流体ノズル３１０に供給される。
また、二流体ノズル３１０には、洗浄液供給管３３１とともに、気体供給管３４１の一端が接続されている。気体供給管３４１の他端は、バルブ３４２を介して図示しない気体供給系に接続されている。バルブ３４２を開くことにより気体が二流体ノズル３１０に供給される。二流体ノズル３１０に供給される気体としては、窒素ガス（Ｎ２）、アルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスを用いることができる。
基板Ｗの表面端部洗浄処理時には、洗浄液および気体が二流体ノズル３１０に供給される。これにより、上述のように表面洗浄用ノズル２６０から基板Ｗの表面に洗浄液およびリンス液が吐出されるとともに、回転する基板Ｗの端部Ｒに二流体ノズル３１０から混合流体が吐出される。
このように、混合流体を用いることにより高い洗浄効果を得ることができる。それにより、基板Ｗの端部Ｒが良好に洗浄される。また、気体と液体との混合流体が基板Ｗの端部Ｒに吐出されることにより、非接触で基板Ｗの端部Ｒが洗浄されるので、洗浄時における基板Ｗの端部Ｒの損傷が防止される。さらに、混合流体の吐出圧および混合流体における気体と液体との比率を制御することにより基板Ｗの端部Ｒの洗浄条件を容易に制御することも可能である。
また、二流体ノズル３１０によれば、均一な混合流体を基板Ｗの端部Ｒに吐出することができるので、洗浄ムラが発生しない。
上記の例に限らず、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにおいて、基板Ｗの端部Ｒを洗浄するための構成要素としては、高周波振動子を内蔵する超音波ノズルを用いてもよい。
（４） 裏面洗浄ユニットについて
ここで、裏面洗浄ユニットＳＤＲについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する裏面洗浄ユニットＳＤＲの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
（４−ａ） 裏面洗浄ユニットの構成
図８は、裏面洗浄ユニットＳＤＲの構成を説明するための図である。この裏面洗浄ユニットＳＤＲでは、基板Ｗの裏面が洗浄される（裏面洗浄処理）。
図８に示すように、裏面洗浄ユニットＳＤＲは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直軸の周りで基板Ｗを回転させる機械式のスピンチャック２０１Ｒを備える。このスピンチャック２０１Ｒは、基板Ｗの外周端部を保持する。スピンチャック２０１Ｒは、チャック回転駆動機構２０４によって回転される回転軸２０３の上端に固定されている。
上述のように、裏面洗浄ユニットＳＤＲには、裏面が上方に向けられた状態の基板Ｗが搬入される。そのため、基板Ｗは裏面が上方に向けられた状態でスピンチャック２０１Ｒにより保持される。裏面洗浄処理時に、基板Ｗはスピンチャック２０１Ｒ上の回転式保持ピンＰＩＮによりその下面の周縁部および外周端部が保持された状態で水平姿勢を維持しつつ回転される。
表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤと同様に、スピンチャック２０１Ｒの外方には、モータ２５０が設けられている。モータ２５０には、回動軸２５１が接続されている。回動軸２５１には、アーム２５２が水平方向に延びるように連結され、アーム２５２の先端に裏面洗浄用ノズル２６０Ｒが設けられている。
モータ２５０により回動軸２５１が回転すると、アーム２５２が回動する。これにより、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒは、スピンチャック２０１Ｒにより保持された基板Ｗの上方位置と外方位置との間で移動可能となっている。
モータ２５０、回動軸２５１およびアーム２５２の内部を通るように洗浄処理用供給管２７０が設けられている。洗浄処理用供給管２７０は、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤと同様に、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。
バルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管２７０および裏面洗浄用ノズル２６０Ｒを通して基板Ｗの裏面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。これにより、基板Ｗの裏面を洗浄することができる。
（４−ｂ） 裏面洗浄ユニットの動作
裏面洗浄ユニットＳＤＲへの基板Ｗの搬入時には、図１の第２のセンターロボットＣＲ２が基板Ｗをスピンチャック２０１Ｒ上に載置する。スピンチャック２０１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック２０１Ｒにより保持される。
次に、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒが基板Ｗの中心部上方に移動する。そして、回転軸２０３が回転することにより基板Ｗが回転する。
この状態で、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒから基板Ｗの裏面に洗浄液が吐出される。これにより、基板Ｗの裏面が洗浄される。
所定時間経過後、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒは、基板Ｗの裏面に、洗浄液に代えてリンス液を吐出する。これにより、基板Ｗ上に供給された洗浄液が洗い流される。
さらに所定時間経過後、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒは、基板Ｗへのリンス液の吐出を停止し、スピンチャック２０１Ｒにより保持された基板Ｗの外方に移動する。
そして、回転軸２０３の回転数が上昇する。これにより、基板Ｗ上に残留するリンス液に大きな遠心力が作用する。それにより、基板Ｗの裏面および端部に付着する液体が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
裏面洗浄ユニットＳＤＲにおいても、基板Ｗ上への洗浄液およびリンス液の供給は、気体および液体からなる混合流体を吐出する二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。二流体ノズルを用いる場合、裏面洗浄用ノズル２６０Ｒには、図８の点線で示すように、窒素ガス（Ｎ２）、アルゴンガスまたはヘリウムガス等の不活性ガスを供給する必要がある。
（５） 反転ユニットについて
ここで、反転ユニットＲＴについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する反転ユニットＲＴの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
（５−ａ） 反転ユニットの構成
図９は、反転ユニットＲＴに設けられる基板反転装置７の外観を示す斜視図であり、図１０は、基板反転装置７の一部の外観を示す斜視図である。
図９および図１０に示すように、基板反転装置７は、第１の支持部材７７１、第２の支持部材７７２、複数の基板支持ピン７７３ａ，７７３ｂ、第１の可動部材７７４、第２の可動部材７７５、固定板７７６、リンク機構７７７および回転機構７７８を含む。
図１０に示すように、第２の支持部材７７２は、放射状に延びた６本の棒状部材から構成される。その６本の棒状部材の各先端部には、それぞれ基板支持ピン７７３ｂが設けられている。
同様に、図９に示すように、第１の支持部材７７１も、放射状に延びた６本の棒状部材から構成される。６本の棒状部材の各先端部には、それぞれ基板支持ピン７７３ａが設けられている。
なお、本実施の形態において、第１および第２の支持部材７７１，７７２が６本の棒状部材からなるが、これに限定されず、第１および第２の支持部材７７１，７７２が他の任意の数の棒状部材または他の任意の形状部材からなってもよい。例えば、第１および第２の支持部材７７１，７７２が複数の第１および第２の支持部７７３ａ，７７３ｂに沿う外周を有する円板または多角形等の他の形状に形成されてもよい。 第１の可動部材７７４はコ字状からなる。第１の支持部材７７１は、第１の可動部材７７４の一端に固定されている。第１の可動部材７７４の他端は、リンク機構７７７に接続されている。同様に、第２の可動部材７７５はコ字状からなる。第２の支持部材７７２は、第２の可動部材７７５の一端に固定されている。第２の可動部材７７５の他端は、リンク機構７７７に接続されている。リンク機構７７７は回転機構７７８の回転軸に取り付けられている。このリンク機構７７７および回転機構７７８は、固定板７７６に取り付けられている。
図９のリンク機構７７７には、エアシリンダ等が内蔵されており、第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５を相対的に離間させた状態と近接させた状態とに選択的に移行させることができる。また、図９の回転機構７７８には、モータ等が内蔵されており、リンク機構７７７を介して第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５を、水平方向の軸の周りで例えば１８０度回転させることができる。
（５−ｂ） 反転ユニットの動作
次に、図１１および図１２は、図９の基板反転装置７の動作を示す模式的構成図である。
まず、図１１（ａ）に示すように、基板反転装置７に図１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板Ｗが搬入される。この場合、リンク機構７７７の働きにより第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５は垂直方向に離間した状態で保持されている。
第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６は、第２の支持部材７７２の複数の基板支持ピン７７３ｂ上に基板Ｗを移載する。基板Ｗを移載後、第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６は、基板反転装置７から退出する。
次に、図１１（ｂ）に示すように、リンク機構７７７の働きにより第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５が垂直方向に近接した状態に移行される。
続いて、図１２（ｃ）に示すように、回転機構７７８の働きにより第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５が水平軸の周りで矢印θ７の方向に１８０度回転する。
この場合、基板Ｗは、第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５とともに、第１の支持部材７７１および第２の支持部材７７２に設けられた複数の基板支持ピン７７３ａ，７７３ｂに保持されつつ１８０度回転する。
最後に、リンク機構７７７の働きにより第１の可動部材７７４および第２の可動部材７７５が垂直方向に離間した状態に移行される。
そして、第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が基板反転装置７内に進入し、図１２（ｄ）に示すように、基板Ｗを保持して退出する。
（６） 効果
（６−ａ） 洗浄処理による第１の効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、洗浄／乾燥処理ブロック１２の第２の洗浄／乾燥処理部１２１の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤにより露光処理前の基板Ｗに表面端部洗浄処理が施される。これにより、露光装置１５に搬入される基板Ｗの表面および端部が清浄に保たれる。
また、洗浄／乾燥処理ブロック１２の第１の洗浄／乾燥処理部１２０の裏面洗浄ユニットＳＤＲにより露光処理前の基板Ｗに裏面洗浄処理が施される。これにより、露光装置１５に搬入される基板Ｗの裏面が清浄に保たれる。
その結果、露光処理前の基板Ｗの表面、端部および裏面の汚染に起因する露光装置１５内の汚染を防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を十分に防止することができる。
なお、表面端部洗浄処理時には基板Ｗの裏面がスピンチャック２０１（図４）により吸着保持されるが、表面端部洗浄処理後に迅速に裏面洗浄処理が行われるので、基板Ｗの裏面の吸着跡が容易に取り除かれる。
（６−ｂ） 洗浄処理による第２の効果
上述のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、基板Ｗの表面および端部を表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ内で同時に洗浄することができる。これにより、露光処理前に、基板Ｗの表面および端部を個別に洗浄する必要がないので、基板処理におけるスループットの低下が防止される。
また、基板Ｗの表面を洗浄する表面洗浄ユニット、および基板Ｗの端部を洗浄する端部洗浄ユニットを個別に設ける必要がない。それにより、洗浄／乾燥処理ブロック１２の小型化が実現される。
さらに、洗浄／乾燥処理ブロック１２内に設ける表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤの数を増加させることにより、基板処理におけるスループットをより向上させることも可能である。また、洗浄／乾燥処理ブロック１２の第２の洗浄／乾燥処理部１２１内に他の処理ユニットを設けることも可能となる。
（６−ｃ） 反転ユニットの配置による第１の効果
上述のように、洗浄／乾燥処理ブロック１２には、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで対向するように、複数の表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤおよび複数の裏面洗浄ユニットＳＤＲが設けられる。また、洗浄／乾燥処理ブロック１２に配置される基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の上下には、２個の反転ユニットＲＴが積層配置されている。
このように、洗浄／乾燥処理ブロック１２においては、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ、裏面洗浄ユニットＳＤＲおよび反転ユニットＲＴが第２のセンターロボットＣＲ２を取り囲むように設けられる。
これにより、第２のセンターロボットＣＲ２は、±θ方向に９０度回転するとともに昇降動作することにより、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤと反転ユニットＲＴとの間、および裏面洗浄ユニットＳＤＲと反転ユニットＲＴとの間で基板Ｗを迅速に搬送することができる。
それにより、複数の処理ブロックに個別に表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤ、裏面洗浄ユニットＳＤＲおよび反転ユニットＲＴを設ける場合に比べて、各ユニットＳＤ，ＳＤＲ，ＲＴ間の基板Ｗの搬送距離が短くなり、基板Ｗの搬送時間が短縮される。その結果、基板処理装置全体の基板処理におけるスループットを十分に向上させることができる。
（６−ｄ） 反転ユニットの配置による第２の効果
反転ユニットＲＴは、洗浄／乾燥処理ブロック１２と現像処理ブロック１３との間に位置する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の上下に積層して設けられる。このように、この基板処理装置５００においては、反転ユニットＲＴのための新たなブロックを設ける必要がない。したがって、Ｙ方向における基板処理装置５００の大型化が防止されている。
また、各ブロック１０〜１４の処理部内に反転ユニットＲＴを設ける必要がないので、反転ユニットＲＴを設けるために各ブロック１０〜１４の処理部内に本来設けるべきユニットの数を減少させる必要もない。それにより、基板処理におけるスループットの低下が防止される。
（７） 変形例およびその効果
（７−ａ） インターフェースブロックの構成について
本実施の形態において、露光装置１５が液浸法を用いて基板Ｗの露光処理を行う場合、図１の点線で示すように、インターフェースブロック１４内に露光後洗浄／乾燥ユニットＤＲＹが設けられてもよい。
この露光後洗浄／乾燥ユニットＤＲＹは、例えば基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック（図示せず）およびスピンチャック上に保持された基板Ｗに洗浄用の処理液（洗浄液およびリンス液）を供給するノズル（図示せず）を備える。
これにより、露光後洗浄／乾燥ユニットＤＲＹは、ノズルから基板Ｗの表面に処理液を供給することにより基板Ｗの表面を洗浄した後、洗浄処理後の基板Ｗを回転させる。これにより、基板Ｗに付着する液体が振り切られ、基板Ｗの表面が乾燥する。
このようにして、露光処理後の基板Ｗが洗浄および乾燥処理されることにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００の内部に落下することが防止されるので、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。その結果、基板Ｗの処理不良が防止される。
（７−ｂ） 他の動作例
本実施の形態において、第１および第２の洗浄／乾燥処理部１２０，１２１は露光処理後かつ現像処理後の基板Ｗを洗浄してもよい。
この場合、洗浄／乾燥処理ブロック１２の第２のセンターロボットＣＲ２は、露光処理前の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３から受け取り、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
また、第２のセンターロボットＣＲ２は、露光処理後かつ現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６から受け取ると、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理部１２０、第２の洗浄／乾燥処理部１２１および反転ユニットＲＴとの間で搬送する。これにより、基板Ｗの全面が洗浄される。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。
この他、第１および第２の洗浄／乾燥処理部１２０，１２１は露光処理後かつ現像処理前の基板Ｗを洗浄してもよい。この場合、露光処理後の清浄な基板Ｗが現像処理ユニットＤＥＶに搬入される。これにより、現像処理後の基板Ｗの汚染に起因する現像不良が防止される。
（７−ｃ） 他の配置例
本実施の形態において、洗浄／乾燥処理ブロック１２および現像処理ブロック１３は互いに入れ替わるように配置されてもよい。この場合、基板処理装置５００においては、インデクサブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１３、洗浄／乾燥処理ブロック１２およびインターフェースブロック１４がこの順で並設される。
この場合、露光装置１５から搬出された露光処理後の基板Ｗの表面、裏面および端部を第１の洗浄／乾燥処理部１２０および第２の洗浄／乾燥処理部１２１により迅速に洗浄することができる。それにより、基板処理のスループットが向上するとともに、現像処理後の基板Ｗの汚染に起因する現像不良が防止される。
（７−ｄ） レジストカバー膜について
上記の基板処理装置５００において、基板Ｗの表面に形成されるレジスト膜と露光装置１５において液浸法により用いられる液体とが接触することによりレジストの成分が液体中に溶出しやすい場合には、レジスト膜を保護するレジストカバー膜を形成するための新たな処理ブロック（レジストカバー膜形成ブロック）を設けてもよい。この場合、露光装置１５による露光処理時に、レジストの成分が液体中に溶出することがレジストカバー膜により防止される。
なお、レジストカバー膜形成ブロックを設ける際には、露光装置１５による露光処理後で、現像処理ブロック１３の現像処理部６０による現像処理前にレジストカバー膜を除去するための新たな処理ブロック（レジストカバー膜除去ブロック）を設ける必要がある。この場合、正確かつ確実な現像処理が行われる。
（７−ｅ） 反射防止膜について
上記の基板処理装置５００には、基板Ｗ上に反射防止膜を形成するための新たな処理ブロック（反射防止膜用処理ブロック）を設けてもよい。この場合、レジスト膜の形成前に、基板Ｗの表面に反射防止膜を形成することにより、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを減少させることができる。
（７−ｆ） 露光装置について
上記実施の形態において、露光装置１５は、液浸法を用いることなく基板Ｗの露光処理を行ってもよい。この場合でも、基板処理装置５００に裏面洗浄ユニットＳＤＲおよび反転ユニットＲＴを設けることにより本願発明の目的を達成することが可能である。
（７−ｇ） その他
上記の表面端部洗浄処理に用いられる洗浄液は、基板Ｗ上の膜の成分を予め溶出または析出させるために、露光装置１５における液浸法に用いられる液体（液浸液）を用いることが好ましい。液浸液の例としては、純水、高屈折率を有するグリセロール、高屈折率の微粒子（例えば、アルミニウム酸化物）と純水とを混合した混合液、および有機系の液体等が挙げられる。
また、液浸液の他の例としては、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、フッ酸、硫酸および硫酸過水等が挙げられる。
（８） 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記各実施の形態においては、レジスト膜用処理ブロック１１、洗浄／乾燥処理ブロック１２および現像処理ブロック１３が処理部の例であり、インターフェースブロック１４が受け渡し部の例であり、レジスト膜用処理ブロック１１が第１の処理単位の例であり、洗浄／乾燥処理ブロック１２が第２の処理単位の例であり、現像処理ブロック１３が第３の処理単位の例である。
また、レジスト膜用塗布処理部４０が感光性膜形成領域の例であり、第１のセンターロボットＣＲ１の設置領域が第１の搬送領域の例であり、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットの例であり、第１のセンターロボットＣＲ１が第１の搬送ユニットの例である。
さらに、第１および第２の洗浄／乾燥処理部１２０，１２１が洗浄領域の例であり、第２のセンターロボットＣＲ２の設置領域が第２の搬送領域の例であり、表面端部洗浄／乾燥ユニットＳＤが表面洗浄ユニットの例であり、第２のセンターロボットＣＲ２が第２の搬送ユニットの例である。
また、現像処理部６０が現像処理領域の例であり、第３のセンターロボットＣＲ３の設置領域が第３の搬送領域の例であり、現像処理ユニットＤＥＶが現像ユニットの例であり、第３のセンターロボットＣＲ３が第３の搬送ユニットの例である。
さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が第１の載置ユニットの例であり、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が第２の載置ユニットの例であり、第１の洗浄／乾燥処理部１２０が第１の洗浄領域の例であり、第２の洗浄／乾燥処理部１２１が第２の洗浄領域の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の一方の側面図である。 図１の基板処理装置の他方の側面図である。 表面端部洗浄／乾燥ユニットの構成を説明するための図である。 基板の端部を説明するための概略的模式図である。 図４の表面端部洗浄／乾燥ユニットの端部洗浄装置の構造を説明するための図である。 表面端部洗浄／乾燥ユニットの他の構成例を説明するための図である。 裏面洗浄ユニットの構成を説明するための図である。 反転ユニットに設けられる基板反転装置の外観を示す斜視図である。 基板反転装置の一部の外観を示す斜視図である。 図９の基板反転装置の動作を示す模式的構成図である。 図９の基板反転装置の動作を示す模式的構成図である。
符号の説明
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 洗浄／乾燥処理ブロック
１３ 現像処理ブロック
１４ インターフェースブロック
１５ 露光装置
４０ レジスト膜用塗布処理部
６０ 現像処理部
１２０ 第１の洗浄／乾燥処理部
１２１ 第２の洗浄／乾燥処理部
５００ 基板処理装置
ＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ３ センターロボット
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６ 基板載置部
ＳＤ 表面端部洗浄／乾燥ユニット
ＳＤＲ 裏面洗浄ユニット
ＲＥＳ 塗布ユニット
ＲＴ 反転ユニット
Ｗ 基板

Claims (3)

  1. 露光装置に隣接するように配置され、表面および裏面を有する基板を処理する基板処理装置であって、
    基板に所定の処理を行うための処理部と、
    前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
    前記処理部は、第１の処理単位、第２の処理単位および第３の処理単位を含み、
    前記第１の処理単位は、感光性膜形成領域および第１の搬送領域を有し、
    前記感光性膜形成領域には、前記露光装置による露光処理前の基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットが設けられ、
    前記第１の搬送領域には、基板を搬送する第１の搬送ユニットが設けられ、
    前記第２の処理単位は、洗浄領域および第２の搬送領域を有し、
    前記洗浄領域は、第１の洗浄領域および第２の洗浄領域を含み、
    前記第１および第２の洗浄領域は、前記第２の搬送領域を挟んで対向するように配置され、
    前記第１の洗浄領域には、基板の表面を洗浄する表面洗浄ユニットが設けられ、
    前記第２の洗浄領域には、基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットが設けられ、
    前記第２の搬送領域には、基板を搬送する第２の搬送ユニットが設けられ、
    前記第３の処理単位は、現像処理領域および第３の搬送領域を有し、
    前記現像処理領域には、前記露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像ユニットが設けられ、
    前記第３の搬送領域には、基板を搬送する第３の搬送ユニットが設けられ、
    前記第１の処理単位と前記第２の処理単位との間には、前記第１および第２の搬送ユニットにより搬送される基板が載置可能な第１の載置ユニットが設けられ、
    前記第２の処理単位と前記第３の処理単位との間には、前記第２および第３の搬送ユニットにより搬送される基板を載置可能な第２の載置ユニットが設けられ、
    前記第１および第２の載置ユニットの少なくとも一方には、前記第２の搬送ユニットにより搬入される基板の一面と他面とを互いに反転させる反転ユニットが積層配置され、
    前記第２の搬送ユニットは、前記表面洗浄ユニット、前記裏面洗浄ユニット、前記第１の載置ユニット、第２の載置ユニットおよび前記反転ユニットの間で基板を搬送可能に設けられたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記表面洗浄ユニットおよび前記裏面洗浄ユニットは、前記露光装置による露光処理前の基板を洗浄することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記表面洗浄ユニットは、基板の表面および端部を同時に洗浄することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
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