KR20030057259A - 하나의 메모리 셀에 다중치 데이터를 기억시키는 불휘발성반도체 기억 장치 - Google Patents
하나의 메모리 셀에 다중치 데이터를 기억시키는 불휘발성반도체 기억 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
소거 | 제1단계기입 | 제2단계 기입 | 기입금지 | "10"판독 | "01"판독 | "00"판독 | "10"제1단계기입검증 | "10"제2단계기입검증 | "01"제1단계기입검증 | "01"제2단계기입검증 | "00"제1단계기입검증 | "00"제2단계기입검증 | |
BLe | 부유 | 0V | 0.4V | Vdd | H또는L | H또는L | H또는L | H또는L | H또는L | H또는L | H또는L | H또는L | H또는L |
BLo | 부유 | Vdd | Vdd | Vdd | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V |
SGD | 부유 | Vdd | Vdd | Vdd | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V |
WL3 | 0V | 10V | 10V | 10V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V |
WL2 | 0V | Vpgm | Vpgm | Vpgm | 0V | 1V | 2V | 0.2V | 0.4V | 1.2V | 1.4V | 2.2V | 2.4V |
WL1 | 0V | 0V | 0V | 0V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V |
WL0 | 0V | 10V | 10V | 10V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V |
SGS | 부유 | 0V | 0V | 0V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V | 4.5V |
C 소스 | 부유 | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V |
C-p-웰 | 20V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V | 0V |
n번째의 "10" 제1단계 기입검증 후의 데이터 DS1/DS2 | |||
메모리셀의 임계치 Vt | |||
0.2V보다 낮은 경우 | 0.2V보다 높은 경우 | ||
n번째의 "10" 제1단계 기입검증 전의 데이터 DS1/DS2 | 0/0 | 0/0 | 0/1 |
0/1 | 0/1 | 0/1 | |
1/1 | 1/1 | 1/1 |
n번째의 "10" 제2단계 기입검증 후의 데이터 DS1/DS2 | |||
메모리셀의 임계치 Vt | |||
0.4V보다 낮은 경우 | 0.4V보다 높은 경우 | ||
n번째의 "10" 제2단계 기입검증 전의 데이터 DS1/DS2 | 0/0 | 0/0 | - |
0/1 | 0/1 | 1/1 | |
1/1 | 1/1 | 1/1 |
n번째의 "01" 제1단계 기입검증 후의 데이터 DS1/DS2/DS3 | |||
메모리셀의 임계치 Vt | |||
1.2V보다 낮은 경우 | 1.2V보다 높은 경우 | ||
n번째의 "01" 제1단계 기입검증 전의 데이터 DS1/DS2/DS3 | 0/0/1 | 0/0/1 | 0/1/1 |
0/1/1 | 0/1/1 | 0/1/1 | |
1/1/1 | 1/1/1 | 1/1/1 | |
0/0/0 | 0/0/0 | 0/0/0 | |
0/1/0 | 0/1/0 | 0/1/0 | |
1/1/0 | 1/1/0 | 1/1/0 |
n번째의 "01" 제2단계 기입검증 후의 데이터 DS1/DS2/DS3 | |||
메모리셀의 임계치 Vt | |||
1.4V보다 낮은 경우 | 1.4V보다 높은 경우 | ||
n번째의 "01" 제2단계 기입검증 전의 데이터 DS1/DS2/DS3 | 0/0/1 | 0/0/1 | - |
0/1/1 | 0/1/1 | 1/1/1 | |
1/1/1 | 1/1/1 | 1/1/1 | |
0/0/0 | 0/0/0 | 0/0/0 | |
0/1/0 | 0/1/0 | 0/1/0 | |
1/1/0 | 1/1/0 | 1/1/0 |
n번째의 "00" 제1단계 기입검증 후의 데이터 DS1/DS2/DS3 | |||
메모리셀의 임계치 Vt | |||
2.2V보다 낮은 경우 | 2.2V보다 높은 경우 | ||
n번째의 "00" 제2단계 기입검증 전의 데이터 DS1/DS2/DS3 | 0/0/1 | 0/0/1 | - |
0/1/1 | 0/1/1 | - | |
1/1/1 | 1/1/1 | - | |
0/0/0 | 0/0/0 | 0/1/0 | |
0/1/0 | 0/1/0 | 0/1/0 | |
1/1/0 | 1/1/0 | 1/1/0 |
n번째의 "00" 제2단계 기입검증 후의 데이터 DS1/DS2/DS3 | |||
메모리셀의 임계치 Vt | |||
2.4V보다 낮은 경우 | 2.4V보다 높은 경우 | ||
n번째의 "00" 제2단계 기입검증 전의 데이터 DS1/DS2/DS3 | 0/0/1 | 0/0/1 | - |
0/1/1 | 0/1/1 | - | |
1/1/1 | 1/1/1 | - | |
0/0/0 | 0/0/0 | - | |
0/1/0 | 0/1/0 | 0/1/0 | |
1/1/0 | 1/1/0 | 1/1/0 |
Claims (31)
- 전기적으로 데이터의 재기입이 가능한 하나의 불휘발성 반도체 메모리 셀과,상기 메모리 셀에 데이터를 기입하는 기입 회로로서, 상기 메모리 셀에 기입 전압과 기입 제어 전압을 공급하여 상기 메모리 셀에 기입을 행하고, 상기 메모리 셀이 제1 기입 상태에 이르면 상기 기입 제어 전압의 공급 상태를 바꾸어 상기 메모리 셀에 기입을 행하고, 상기 메모리 셀이 제2 기입 상태에 이르면 상기 기입 제어 전압의 공급 상태를 다시 한 번 바꾸어 상기 메모리 셀의 기입을 금지하는 기입 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서,상기 불휘발성 반도체 메모리 셀은 n치(n은 4 이상의 플러스 정수)의 데이터를 기억하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서,상기 기입 회로는 상기 불휘발성 반도체 메모리 셀에 대하여 기입을 행할 때 상기 기입 전압의 값을 변화시켜 기입을 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서,상기 기입 회로는 상기 불휘발성 반도체 메모리 셀에 대하여 기입을 행할 때 상기 기입 전압의 값이 순차적으로 증가하도록 변화시켜 기입을 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서,상기 불휘발성 반도체 메모리 셀은 부유 게이트, 제어 게이트, 소스, 및 드레인을 포함하는 불휘발성 트랜지스터이며,상기 기입 회로는 상기 기입 전압을 상기 불휘발성 트랜지스터의 제어 게이트에 공급하고, 상기 기입 제어 전압을 상기 불휘발성 트랜지스터의 드레인에 공급하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 전기적으로 데이터의 재기입이 가능한 하나의 불휘발성 반도체 메모리 셀과,상기 메모리 셀에 데이터를 기입하는 기입 회로로서, 상기 메모리 셀에 기입 전압과 제1 값을 갖는 기입 제어 전압을 공급하여 상기 메모리 셀에 기입을 행하고, 상기 메모리 셀이 제1 기입 상태에 이르면 상기 기입 제어 전압의 값을 상기 제1 값과는 다른 제2 값으로 바꾸어 상기 메모리 셀에 기입을 행하고, 상기 메모리 셀이 제2 기입 상태에 이르면 상기 기입 제어 전압의 값을 상기 제1 및 제2 값과는 각기 다른 제3 값으로 바꾸어 상기 메모리 셀의 기입을 금지하는 기입 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제6항에 있어서,상기 제2 값은 상기 제1 값보다 크고, 상기 제3 값은 상기 제2 값보다 큰 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제7항에 있어서,상기 제3 값은 전원 전압 값인 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제6항에 있어서,상기 불휘발성 반도체 메모리 셀은 n치(n은 3 이상의 플러스 정수)의 데이터를 기억하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제6항에 있어서,상기 기입 회로는 상기 불휘발성 반도체 메모리 셀에 대하여 기입을 행할 때 상기 기입 전압의 값을 변화시켜 기입을 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제6항에 있어서,상기 기입 회로는 상기 불휘발성 반도체 메모리 셀에 대하여 기입을 행할 때상기 기입 전압의 값을 순차적으로 증가하도록 변화시켜 기입을 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제6항에 있어서,상기 기입 회로는 상기 불휘발성 반도체 메모리 셀에 대하여 기입을 행할 때 상기 기입 전압의 값을 일정한 비율로 순차적으로 증가하도록 변화시켜 기입을 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제6항에 있어서,상기 불휘발성 반도체 메모리 셀은 부유 게이트, 제어 게이트, 소스, 및 드레인을 포함하는 불휘발성 트랜지스터이며,상기 기입 회로는 상기 기입 전압을 상기 불휘발성 트랜지스터의 제어 게이트에 공급하고, 상기 기입 제어 전압을 상기 불휘발성 트랜지스터의 드레인에 공급하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 전기적으로 데이터의 재기입이 가능한 하나의 불휘발성 반도체 메모리 셀과,상기 메모리 셀에 데이터를 기입하는 기입 회로로서, 상기 메모리 셀에 기입 전압을 공급한 상태에서 제1 값을 갖는 기입 제어 전압을 제1 기간만큼 공급하여 상기 메모리 셀에 기입을 행하고, 상기 메모리 셀이 제1 기입 상태에 이르면 상기 메모리 셀에 상기 기입 전압을 공급한 상태에서 상기 제1 값을 갖는 기입 제어 전압을 상기 제1 기간과는 다른 제2 기간만큼 공급하여 상기 메모리 셀에 기입을 행하고, 상기 메모리 셀이 제2 기입 상태에 이르면 상기 기입 제어 전압의 값을 상기 제1 값과는 다른 제2 값으로 바꾸어 상기 메모리 셀의 기입을 금지하는 기입 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제14항에 있어서,상기 제2 기간은 상기 제1 기간보다 짧고, 상기 제2 값은 상기 제1 값보다 큰 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제14항에 있어서,상기 제2 값은 전원 전압 값인 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제14항에 있어서,상기 불휘발성 반도체 메모리 셀은 n치(n은 3 이상의 플러스 정수)의 데이터를 기억하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제14항에 있어서,상기 기입 회로는 상기 불휘발성 반도체 메모리 셀에 대하여 기입을 행할 때 상기 기입 전압의 값을 변화시켜 기입을 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제14항에 있어서,상기 기입 회로는 상기 불휘발성 반도체 메모리 셀에 대하여 기입을 행할 때 상기 기입 전압의 값이 순차적으로 증가하도록 변화시켜 기입을 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제14항에 있어서,상기 기입 회로는 상기 불휘발성 반도체 메모리 셀에 대하여 기입을 행할 때에 상기 기입 전압의 값이 일정한 비율로 순차적으로 증가하도록 변화시켜 기입을 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제14항에 있어서,상기 불휘발성 반도체 메모리 셀은 부유 게이트, 제어 게이트, 소스, 및 드레인을 포함하는 불휘발성 트랜지스터이며,상기 기입 회로는 상기 기입 전압을 상기 불휘발성 트랜지스터의 제어 게이트에 공급하고, 상기 기입 제어 전압을 상기 불휘발성 트랜지스터의 드레인에 공급하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 각각 전기적으로 데이터의 재기입이 가능한 복수의 불휘발성 반도체 메모리셀과,상기 복수의 메모리 셀에 공통으로 접속된 복수의 워드선과,상기 복수의 메모리 셀의 각각에 접속된 복수의 비트선과,상기 복수의 메모리 셀에 데이터를 기입하는 기입 회로를 포함하고,상기 기입 회로는,상기 복수의 비트선의 각각에 대응하여 설치되고, 제1 및 제2 제어 데이터를 기억하는 데이터 기억 회로를 포함하며,대응하는 메모리 셀에 기입해야 되는 데이터에 따라 상기 데이터 기억 회로에 제1 제어 데이터를 설정하고,상기 워드선에 기입 전압을 공급함과 함께 상기 제1 제어 데이터로서 기입이 필요한 데이터가 기억되어 있는 상기 데이터 기억 회로에 대응하는 비트선에 기입 제어 전압을 공급하여 대응하는 메모리 셀에 기입을 행하고,기입이 행해지고 있는 상기 메모리 셀 중 제1 기입 상태에 이른 메모리 셀에 대응하는 상기 데이터 기억 회로에 상기 제2 제어 데이터로서 제1 기입 상태가 종료한 것을 나타내는 데이터를 설정한 후, 상기 기입 제어 전압의 공급 상태를 바꾸어 상기 제1 기입 상태에 이른 상기 메모리 셀에 기입을 행하고,기입이 행해지고 있는 메모리 셀 중 제2 기입 상태에 이른 메모리 셀에 대응하는 상기 데이터 기억 회로에 제1 제어 데이터로서 제2 기입 상태가 종료한 것을 나타내는 데이터를 설정한 후, 상기 기입 제어 전압의 공급 상태를 다시 한 번 바꾸어 상기 제2 기입 상태에 이른 상기 메모리 셀의 기입을 금지하는 것을 특징으로하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제22항에 있어서,상기 기입 회로는 상기 데이터 기억 회로에 제2 제어 데이터로서 제1 기입 상태가 종료한 것을 나타내는 데이터를 설정한 후에는 그 데이터를 유지시키는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제22항에 있어서,상기 기입 회로는, 상기 데이터 기억 회로에 상기 제2 제어 데이터로서 제1 기입 상태가 종료한 것을 나타내는 데이터를 설정한 후, 상기 기입 제어 전압의 값을 바꾸어 상기 제1 기입 상태에 이른 상기 메모리 셀에 기입을 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제22항에 있어서,상기 기입 회로는, 상기 데이터 기억 회로에 상기 제2 제어 데이터로서 제1 기입 상태가 종료한 것을 나타내는 데이터를 설정한 후, 상기 기입 제어 전압의 공급 기간을 바꾸어 상기 제1 기입 상태에 이른 상기 메모리 셀에 기입을 행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 전기적으로 데이터의 재기입이 가능한 하나의 불휘발성 반도체 메모리 셀과,상기 메모리 셀에 데이터를 기입하는 기입 회로로서, 상기 메모리 셀에 그 값이 순차적으로 증가하는 기입 전압과 제1 실효 전압을 갖는 기입 제어 전압을 공급하여 상기 메모리 셀에 기입을 행하고, 상기 메모리 셀이 제1 기입 상태에 이르면 상기 기입 제어 전압을 상기 제1 실효 전압과는 다른 제2 실효 전압으로 바꾸어 상기 메모리 셀에 공급하여 상기 메모리 셀에 기입을 행하고, 상기 메모리 셀이 제2 기입 상태에 이르면 상기 메모리 셀의 기입을 금지하는 기입 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제26항에 있어서,상기 불휘발성 반도체 메모리 셀은 n치(n은 3 이상의 플러스 정수)의 데이터를 기억하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제26항에 있어서,상기 불휘발성 반도체 메모리 셀은 부유 게이트, 제어 게이트, 소스, 및 드레인을 갖는 불휘발성 트랜지스터이며,상기 기입 회로는 상기 기입 전압을 상기 불휘발성 트랜지스터의 제어 게이트에 공급하고, 상기 기입 제어 전압을 상기 불휘발성 트랜지스터의 드레인에 공급하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 전기적으로 데이터의 재기입이 가능한 하나의 불휘발성 반도체 메모리 셀과,상기 메모리 셀에 데이터를 기입하는 기입 회로로서, 상기 메모리 셀에 일정치씩 값이 순차적으로 증가하는 기입 전압과 제1 실효 전압을 갖는 기입 제어 전압을 공급하여 상기 메모리 셀에 기입을 행하고, 상기 메모리 셀이 제1 기입 상태에 이르면 상기 기입 제어 전압을 상기 제1 실효 전압과는 다른 제2 실효 전압으로 바꾸어 상기 메모리 셀에 공급하여 상기 메모리 셀에 기입을 행하고, 상기 메모리 셀이 제2 기입 상태에 이르면 상기 메모리 셀의 기입을 금지하는 기입 회로를 포함하고,상기 제2 실효 전압과 상기 제1 실효 전압의 차이가 상기 기입 전압의 값을 증가시키는 일정치보다 크게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제29항에 있어서,상기 불휘발성 반도체 메모리 셀은 n치(n은 3이상의 플러스 정수)의 데이터를 기억하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제29항에 있어서,상기 불휘발성 반도체 메모리 셀은 부유 게이트, 제어 게이트, 소스, 및 드레인을 갖는 불휘발성 트랜지스터이며,상기 기입 회로는 상기 기입 전압을 상기 불휘발성 트랜지스터의 제어 게이트에 공급하고, 상기 기입 제어 전압을 상기 불휘발성 트랜지스터의 드레인에 공급하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
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