KR20010088332A

KR20010088332A - 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법

Info

Publication number: KR20010088332A
Application number: KR1020010007430A
Authority: KR
Inventors: 히데오 가네꼬; 유끼오 이나즈끼; 다모쯔 마루야마; 사또시 오까자끼
Original assignee: 카나가와 치히로; 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2000-02-16
Filing date: 2001-02-15
Publication date: 2001-09-26
Also published as: EP1130466A3; US6503669B2; US20010019801A1; TW480367B; EP1130466A2

Abstract

본 발명은 투명 기판 상에 1층 이상의 크롬계 막을 형성하여 이루어지는 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 크롬계 막이 타겟으로서 크롬, 또는 산소, 질소, 탄소 중 1종 이상을 함유하는 크롬을 사용함과 동시에 적어도 이산화탄소 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 사용하여 반응성 스퍼터법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크 및 포토마스크에 관한 것이다.

본 발명에 따르면, 반응성 스퍼터법으로 크롬계 막을 형성할 때 적어도 이산화탄소 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 사용함으로써 기판면 내 균일성이 높고, 제조시의 제어성이 양호하며, 고품질의 크롬계 포토마스크 블랭크 및 포토마스크를 얻을 수 있다.

Description

포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법{Photomask Blank, Photomask and Method of Manufacture}

본 발명은 LSI, VLSI 등의 고밀도 반도체 집적 회로, CCD (전하 결합 소자)나 LCD (액정 표시 소자)용의 컬러 필터 및 자기 헤드 등의 미세 가공용 등으로 바람직하게 사용되는 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법에 관한 것이다.

종래, LSI, VLSI 등의 고밀도 반도체 집적 회로, CCD (전하 결합 소자)나 LCD (액정 표시 소자)용의 컬러 필터 및 자기 헤드 등의 미세 가공에는 포토마스크를 사용한 포토리소그래피 기술이 이용되고 있다.

이들은 석영 유리, 알루미노실리게이트 유리 등의 투명한 기판상에 일반적으로는 크롬막으로 이루어지는 차광막을 스퍼터링 (sputtering) 또는 진공 증착 등에 의해 형성한 포토마스크 블랭크를 사용하며, 이 크롬계 차광막에 소정의 패턴을 형성한 것을 포토마스크로서 사용하고 있다.

이 경우, 차광막으로서 사용하는 크롬막 표면에는 광 반사를 방지하기 위하여 막면 측에 CrO를 형성함과 동시에, 기판 측에 반사 방지막을 형성한 포토마스크 블랭크가 알려져 있다 (일본 특공소 62-37385호 공보). 이러한 반사 방지막으로서는 CrON을 사용한 것 (일본 특공소 61-46821호 공보, 일본 특공소 62-32782호 공보)도 제안되어 있다. 또한, CrN을 사용한 것 (일본 특공소 62-27386호 공보, 일본 특공소 62-27387호 공보) 등이 제안되어 있다. 또한, 단층막으로서 CrN (일본 특공평 4-1339호 공보), 복층막으로서 Cr+CrN+CrON을 사용한 것 (일본 특공소 62-37384호 공보) 등이 제안되어 있다.

또한, 보다 미세 가공을 행하기 위하여 위상 시프트막이라고 불리우는 광 간섭을 이용하여 미세한 형상으로 가공하는 방법도 행해지고 있으며, 산소가 첨가된 크롬막이나 몰리브덴 실리사이드막을 위상 시프트막으로서 단독으로 사용한 것 (일본 특개평 7-140635호 공보), 차광막과 위상 시프트막을 조합하여 사용한 것 (일본 특공소 62-59296호 공보) 등이 제안되어 있다. 또한, Cr, 또는 산소, 질소 및 탄소 중 하나 이상을 함유한 Cr을 막 재료로 한 것 (일본 특개소 62-18560호 공보), 반응성 가스로서 산소와 CH₄를 사용하여 반응성 스퍼터링으로 막을 제조하는 방법 (일본 특개평 7-43888호 공보) 등이 제안되어 있다.

이와 같이 종래의 포토마스크 블랭크 및 포토마스크에 있어서는, 크롬막에 산소를 첨가하거나, 산소를 함유하는 크롬막을 차광막 상에 형성하는 방법이 행해지고 있으며, 이들 산소를 함유하는 크롬막의 제조 방법으로서, 산소원으로서의 산소 가스를 막 형성 챔버에 도입하는 방법이 행해지고 있는데, 산소 가스를 산소원으로 사용하면 투과율, 반사율, 굴절율 등의 광학 특성이 기판면 내에서 불균일해지기 쉽다는 문제가 있다. 또한, 산소 가스 외에도 일산화질소 가스를 산소원으로 사용하는 것 (일본 특공소 62-37385호 공보)도 제안되어 있지만, 동일한 문제가 있었다.

또한, 산소원으로서 산소 가스를 사용하면, 이 산소 가스는 반응성이 높기 때문에 오히려 가스 유량 변동에 광학 특성이 민감해져 안정적으로 양산이 불가능해지며, 수율이 떨어지는 등의 문제가 있고, 또한 막 특성을 제어하고자 해도 일정한 산소 유량 이상이 되면 급격히 막이 산화되어 막질을 제어할 수 없을 뿐만 아니라 막 형성 속도도 급격히 저하한다는 문제가 있었다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 기판면 내의 광학적 특성의 균일성이 높고, 크롬계 막 형성시에도 제어하기 쉽고, 안정적으로 제조할 수 있는 고품질의 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 관한 포토마스크 블랭크의 단면도.

도 2는, 동일 포토마스크의 단면도.

도 3은, 포토마스크의 제조법을 나타내는 설명도이며, (A)는 레지스트막을 형성한 상태, (B)는 레지스트막을 패터닝한 상태, (C)는 건식 에칭을 행한 상태, (D)는 레지스트막을 제거한 상태의 단면도.

도 4는, 실시예 1의 CO₂유량과 방전 저항과의 관계를 나타낸 그래프.

도 5는, 비교예 1의 O₂유량과 방전 저항과의 관계를 나타낸 그래프.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1, 11: 기판

2, 12: 크롬 산화 탄화막 (또는 크롬 산화 질화 탄화막)

1a: 기판 노출부

2a: 크롬계 막 부분

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 크롬, 또는 산소, 질소, 탄소 중 1종 이상을 함유하는 크롬 타겟을 사용하고, 적어도 이산화탄소 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링을 행함으로써, 기판면 내의 광학적 특성의 균일성이 향상됨과 동시에, 크롬계 막 형성시에도 제어하기 쉽고 안정적으로 양산할 수 있으며, 특히 크롬 산화 탄화물 (CrCO) 또는 크롬 산화 질화 탄화물 (CrCON)로 형성한 고품질의 크롬계 막을 얻을 수 있어, 종래의 문제점을 효과적으로 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명은 하기의 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 한 면은, 투명 기판 상에 1층 이상의 크롬계 막을 형성하여 이루어지는 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 크롬계 막이 타겟으로서 크롬, 또는 산소, 질소, 탄소 중 1종 이상을 함유하는 크롬을 사용함과 동시에, 적어도 이산화탄소 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 사용하여 반응성 스퍼터법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크를 제공한다.

본 발명의 다른 면은, 상기 크롬계 막이 크롬 산화 탄화물 (CrCO) 또는 크롬 산화 질화 탄화물 (CrCON)인 포토마스크 블랭크를 제공한다.

본 발명의 또다른 면은, 상기 포토마스크 블랭크를 리소그래피법에 의해 패턴 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크를 제공한다.

본 발명의 또다른 면은, 투명 기판 상에 1층 이상의 크롬계 막을 형성하여 이루어지는 포토마스크 블랭크의 제조 방법에 있어서, 타겟으로서 크롬, 또는 산소, 질소, 탄소 중 1종 이상을 함유하는 크롬을 사용함과 동시에, 적어도 이산화탄소 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링을 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 또다른 면은, 상기 크롬계 막이 크롬 산화 탄화물 (CrCO) 또는 크롬 산화 질화 탄화물 (CrCON)인 포토마스크 블랭크의 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 또다른 면은, 상기 방법에 의해 제조된 포토마스크 블랭크에 대하여 리소그래피법에 의해 패터닝을 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 반응성 스퍼터법으로 크롬계 산화막을 투명 기판 상에 제조할 때 산소원으로서 이산화탄소 가스를 사용함으로써, 상기 이산화탄소는 산소 등보다 반응성이 낮기 때문에 챔버 내의 광범위한 곳에 균일하게 가스가 퍼질 수있고, 형성되는 크롬계 막의 막질이 균일해지는 것이다.

산소원으로서 이산화탄소 가스를 사용하고 스퍼터링법으로 막을 형성함으로써 기판면 내의 광학적 특성의 불균일성을 줄일 수 있는 것은 이하의 이유에 따른다고 생각할 수 있다. 즉, 반사율의 편차는 산소 가스 등의 크롬과 반응하는 가스를 흘려보내면, 가스 유입구에 가까운 부분부터 순차적으로 산소가 소비되어 산화되거나, 또는 산화도가 높아지기 때문에 발생하는 것이며, 또한 산소가 타겟 외측에서 공급되고 있을 때에는, 타겟 외측에 해당하는 부분에서 산소가 소비되어 내측을 향할 수록 산소 농도가 낮아지기 때문에 결과적으로 산화도가 면 내에서 다르고, 광학 상수에 분포가 생기기 때문이다.

이에 대하여, 본 발명에서는 산소원으로서 이산화탄소 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링을 행하고 있기 때문에, 이 반응성이 낮은 이산화탄소 가스가 플라즈마에 의해 활성화되기까지는 소비되기 어렵기 때문에 균일하게 챔버 내에 확산되기 쉽고, 나아가 막 산화도의 균일성이 높아져, 결과적으로 기판면 내의 광학적 특성의 균일성이 비약적으로 향상됨과 동시에, 스퍼터 가스로서 불활성 가스와 이산화탄소 가스를 동시에 사용하거나 또는 그 혼합비를 적절히 조정함으로써 막 특성을 제어할 수 있는 것이다.

또한, 스퍼터 가스로서 이산화탄소 가스와 불활성 가스를 동시에 사용함으로써 막 조성의 제어성을 개선할 수 있는 데다가, 이산화탄소 가스는 반응성이 낮기 때문에 오히려 막 형성 공정의 각종 파라미터의 예기치 못한 변동에 대한 마진이 커져 안정적으로 제어성 좋게 크롬계 막을 형성할 수 있음과 동시에, 막 형성 속도가 크게 저하되지 않으며, 반사율을 감소시킬 수 있다는 이점이 있다.

이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.

본 발명의 포토마스크 블랭크는 도 1에 나타낸 바와 같이, 석영, CaF₂등의 노광광이 투과하는 기판 (1) 상에 타겟으로서 크롬, 또는 산소, 질소, 탄소 중 1종 이상을 함유하는 크롬을 사용함과 동시에 적어도 이산화탄소 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 사용하여 반응성 스퍼터법에 의해 막을 형성함으로써 얻어진 크롬계 막 (2), 특히 크롬 산화 탄화물 (CrCO) 또는 크롬 산화 질화 탄화물 (CrCON)로 이루어지는 크롬계 막 (2)을 형성시켜 이루어지는 것이다.

본 발명의 크롬계 막의 구조는, 투명 기판 상에 산소원으로서 이산화탄소 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 사용한 반응성 스퍼터법에 의해 형성된 1층 이상의 크롬 산화 탄화물 (CrCO) 또는 크롬 산화 질화 탄화물 (CrCON)인 것이 바람직하다.

이 경우, 크롬 산화 탄화물 (CrCO)의 조성은 Cr: 20 내지 95 원자%, 특히 30 내지 80 원자%, C: 1 내지 60 원자%, 특히 5 내지 50 원자%, O: 1 내지 60 원자%, 특히 5 내지 50 원자%인 것이 바람직하다. 특히, 크롬 산화 질화 탄화물 (CrCON)의 조성은 Cr: 20 내지 95 원자%, 특히 30 내지 80 원자%, C: 1 내지 20 원자%, 특히 2 내지 15 원자%, O: 1 내지 60 원자%, 특히 5 내지 50 원자%, N: 1 내지 30 원자%, 특히 3 내지 20 원자%인 것이 바람직하다.

본 발명의 크롬계 막의 형성 방법으로는 반응성 스퍼터법이 사용되며, 이 때의 스퍼터링 타겟으로는 크롬을 사용한다. 이 경우, 산소, 질소, 탄소 중 어느 하나, 또는 이들을 조합시킨 것을 크롬에 첨가한 타겟을 사용할 수도 있다.

본 발명에 있어서, 스퍼터링 방법은 직류 전원을 사용하거나 고주파 전원을 사용한 것일 수 있으며, 또한 마그네트론 스퍼터링 방식이거나 컨벤셔널 방식일 수도 있다.

스퍼터링 가스의 조성은 적어도 아르곤, 크립톤 등의 불활성 가스와 이산화탄소 가스로 이루어지며, 유량비는 사용하는 장치나 파워 등에 따라 다르며, 일괄적으로는 규정할 수 없지만, 통상 체적비로서 불활성 가스:이산화탄소 가스=1:0.01 내지 100이 바람직하고, 1:0.02 내지 50이 더 바람직하다. 또한, 불활성 가스 및 이산화탄소 가스 외에도 질소 가스나 각종 산화질소 가스 등의 질소 공급 가스를, 형성되는 크롬계 막이 CrCON의 원하는 조성을 갖도록 적절히 첨가할 수 있다.

본 발명의 포토마스크 블랭크는 산소원으로서 이산화탄소 가스를 사용함으로써, 형성되는 크롬계 막 기판면 내의 광학적 특성의 불균일성을 줄일 수 있다.

즉, 포토마스크 블랭크의 하기 수학식으로 표시되는 반사율의 편차 D가 바람직하게는 0.1 이하, 보다 바람직하게는 0.05 이하이며, 종래의 CrCO막 및 CrCON막 (편차 D가 0.2 이상)과 비교하여 균일한 광학 특성을 구비한 것이다.

(max-min)/(max+min)=D

식 중, max는 반사율 측정치의 최대치, min은 반사율 측정치의 최소치를 나타낸다.

예를 들면, 400 내지 450 nm 파장에서의 반사율을 나노메트릭스사 제조의 나노스페크 등을 사용하여 반사율 내면 분포를 5 mm 간격으로 하여 측정했을 경우,기판면 내의 반사율의 상기 수학식으로 표시되는 편차 D는 0.1 이하, 보다 바람직하게는 0.05 이하가 된다.

본 발명의 포토마스크 블랭크를 사용하여 포토마스크를 제조하는 경우에는, 도 3(A)에 나타낸 바와 같이, 상기와 같이 기판 (11) 상에 CrCO 층 (또는 CrCON 층) (12)을 형성한 후, 레지스트막 (13)을 형성하고, 도 3(B)에 나타낸 바와 같이 레지스트막 (13)을 패터닝하고, 또한 도 3(C)에 나타낸 바와 같이 CrCO 층 (또는 CrCON 층) (12)을 건식 에칭 또는 습식 에칭한 후, 도 3(D)에 나타낸 바와 같이 레지스트막 (13)을 박리하는 방법을 채용할 수 있다. 이 경우, 레지스트막의 도포, 패터닝 (노광, 현상), 건식 에칭 또는 습식 에칭, 레지스트막의 제거는 공지된 방법에 따라 행할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서 크롬계 막은 단층막뿐 아니라 다층막으로 할 수도 있다. 예를 들면, 다층막의 일부로서 CrCO막 또는 CrCON막을 사용하는 것으로서, 차광막 상에 반사 방지막으로서 CrCO막 또는 CrCON막을 형성한 것, 차광막의 막면측과 기판측 양쪽에 반사 방지막을 형성하고, 양쪽 또는 한쪽 반사 방지막으로 CrCO 막 또는 CrCON 막을 형성한 것 및 조성이 다른 CrCO와 CrCON, 또는 CrCO 막 또는 CrCON 막을 2층막 또는 3층막으로 하고, 각각의 막에 차광막 또는 반사 방지막의 기능을 갖게 하여 기판 상에 반사 방지막, 차광막, 반사 방지막의 순으로 한 구조를 취하거나, 기판 상에 차광막, 반사 방지막의 순으로 한 구조를 취하거나, 기판 상에 반사 방지막, 차광막의 순으로 한 구조를 취할 수 있다. 또한, 위상 시프터막 상에 도전막, 또는 차광막, 반사 방지막으로서 사용되는 단층 또는 2층 이상의 막 전체 또는 일부를 CrCO막 또는 CrCON막으로 하여 위상 시프트형의 포토마스크 또는 포토마스크 블랭크로 할 수 있다. 막 구조로서는, 예를 들면 기판 상에 위상 시프트막, 반사 방지막, 차광막, 반사 방지막의 순으로 한 구조를 취하거나, 기판 상에 위상 시프트막, 차광막, 반사 방지막의 순으로 한 구조를 취하거나, 기판 상에 위상 시프트막, 반사 방지막, 차광막의 순으로 한 구조를 취할 수 있다. 또한, Cr을 사용한 하프톤 (halftone)형의 위상 시프터막에도 적용된다.

<실시예>

이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예로 제한되는 것은 아니다.

<실시예 1>

6"의 석영 기판 상에 8"의 Cr을 타겟으로 하고 스퍼터 가스로서 총 유량 7 sccm으로 Ar과 CO₂의 유량비를 가변적으로 하여 방전 중의 가스압 0.3 Pa, 500 W, 막 형성 전 온도 120 ℃의 조건으로 DC 마그네트론 스퍼터법을 행했더니, 방전 특성은 도 4에 나타낸 바와 같이, 방전 저항의 급격한 변화가 없고, 막 형성 속도가 그다지 저하하지 않은 상태이며, 파장 450 nm의 광 반사율을 10 % 정도로부터 50 내지 60 %까지 쉽게 조절할 수 있었다.

<비교예 1>

6"의 석영 기판 상에 8"의 Cr을 타겟으로 하고 스퍼터 가스로서 총 유량 7 sccm으로 Ar과 O₂의 유량비를 가변적으로 하여 방전 중의 가스압 0.3 Pa, 500 W, 막형성 온도 120 ℃의 조건으로 DC 마그네트론 스퍼터법을 행했더니, 방전 특성은 도 5에 나타낸 바와 같이, 변화 (급격한 방전 저항의 변화)가 보이며, 방전 저항이 작은 곳에서는 파장 450 nm의 광 반사율이 50 내지 60 %로 높은 데 반하여, 방전 저항이 큰 곳에서는 반사율이 10 % 정도로 작아 반사율을 임의의 값으로 제어하는 것이 곤란하였다. 또한, 반사율이 높을 때에는 막 형성 속도가 12 Å/sec로 컸지만, 반사율이 낮을 때에는 막 형성 속도가 2 Å/sec로 작았다.

<실시예 2>

6"의 석영 기판 상에 8"의 Cr을 타겟으로 하고 Ar을 4.5 sccm, CO₂를 2.5 sccm 흘려보내고, 방전 중의 가스압 0.3 Pa, 500 W, 막 형성 온도 120 ℃의 조건으로 DC 마그네트론 스퍼터법으로 300 nm의 막을 형성하여, 반사율 약 30 %의 CrCO 막을 형성하였다. 이 때의 막 형성 속도는 7 Å/sec였다.

얻어진 CrCO 막에 대하여, 광학 특성을 450 nm 파장에서의 반사율을 나노메트릭스사 제조의 나노스페크를 사용하여 반사율의 기판면 내 분포를 5 mm 간격으로 하여 측정했더니, 하기 수학식으로 표시되는 편차 D는 0.032였다.

(max-min)/(max+min)=D

이 실시예 2의 막 조성을 ESCA로 분석한 결과, Cr: 59 원자%, C: 9 원자%, O: 32 원자%가 포함되어 있었다. 결과를 표 1에 나타낸다.

<실시예 3>

6"의 석영 기판 상에 8"의 Cr을 타겟으로 하고 Ar을 3.5 sccm, CO₂를 2.0 sccm, N₂를 1.5 sccm 흘려보내고, 방전 중의 가스압 0.3 Pa, 500 W, 막 형성 온도 120 ℃의 조건으로 DC 마그네트론 스퍼터법으로 반사율 약 30 %의 CrCON 막을 형성하였다. 이 때의 막 형성 속도는 8 Å/sec였다.

얻어진 CrCON 막에 대하여, 광학 특성을 450 nm 파장에서의 반사율을 나노메트릭스사 제조의 나노스페크를 사용하여 반사율의 기판면 내 분포를 5 mm 간격으로 하여 측정하고, 상기와 동일하게 편차 D를 산출했더니 0.019였다.

이 실시예 3의 막 조성을 ESCA로 분석한 결과, Cr: 51 원자%, C: 6 원자%, O: 20 원자%, N: 23 원자%가 포함되어 있었다. 결과를 표 1에 나타낸다.

<비교예 2>

6"의 석영 기판 상에 8"의 Cr을 타겟으로 하고 Ar을 3.7 sccm, O₂를 3.3 sccm 흘려보내고, 방전 중의 가스압 0.3 Pa, 500 W, 막 형성 온도 120 ℃의 조건으로 DC 마그네트론 스퍼터법으로 300 nm의 CrO 막을 형성하였다. 이 때의 막 형성 속도는 2 Å/sec였다.

얻어진 CrO 막에 대하여, 광학 특성으로 450 nm 파장에서의 반사율을 나노메트릭스사 제조의 나노스페크를 사용하여 반사율의 기판면 내 분포를 5 mm 간격으로 하여 측정하고, 상기와 동일하게 편차 D를 산출했더니 0.23이었다.

이 비교예 2의 막 조성을 ESCA로 분석한 결과, Cr: 37 원자%, O: 63 원자%가포함되어 있었다. 결과를 표 1에 나타낸다.

	타겟	스퍼터 가스 (sccm)	450 nm에서 반사율의 편차 D	막조성 (원자%)
	타겟	Ar	450 nm에서 반사율의 편차 D	CO₂	N₂	O₂	Cr	C	O	N
실시예 2	Cr	4.5	2.5	-	-	0.032	59	9	32	-
실시예 3	Cr	3.5	2.0	1.5	-	0.019	51	6	20	23
비교예 2	Cr	3.7	-	-	3.3	0.23	37	-	63	-

표 1의 결과로부터, 실시예 2, 3과 비교예 2를 비교하면, 산소원 가스로서 이산화탄소 가스를 사용하면 산소 가스를 사용한 경우와 비교하여 기판면 내의 반사율 편차가 10배 가까이 개선되는 것이 확인되었다.

또한, 막 형성과 관련하여 산소 가스를 사용했을 때와 비교하여 이산화탄소 가스를 사용함으로써, 막 형성 공정에서의 각종 파라미터 변동에 대한 마진이 커지고, 재현성 좋게 막을 형성할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.

본 발명에 따르면, 반응성 스퍼터법으로 크롬계 막을 형성할 때, 적어도 이산화탄소 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 사용함으로써 기판면 내 균일성이 높고, 제조시의 제어성이 양호하며, 고품질인 크롬계 포토마스크 블랭크 및 포토마스크를 얻을 수 있다.

Claims

투명 기판 상에 1층 이상의 크롬계 막을 형성하여 이루어지는 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 크롬계 막이 타겟으로서 크롬, 또는 산소, 질소, 탄소 중 1종 이상을 함유하는 크롬을 사용함과 동시에 적어도 이산화탄소 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터 (sputter) 가스를 사용하여 반응성 스퍼터법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
제1항에 있어서, 상기 크롬계 막이 크롬 산화 탄화물 (CrCO) 또는 크롬 산화 질화 탄화물 (CrCON)인 포토마스크 블랭크.
제1항 또는 제2항에 기재된 포토마스크 블랭크를 리소그래피법에 의해 패턴 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
투명 기판 상에 1층 이상의 크롬계 막을 형성하여 이루어지는 포토마스크 블랭크의 제조 방법에 있어서, 타겟으로서 크롬, 또는 산소, 질소, 탄소 중 1종 이상을 함유하는 크롬을 사용함과 동시에, 적어도 이산화탄소 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링을 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
제4항에 있어서, 상기 크롬계 막이 크롬 산화 탄화물 (CrCO) 또는 크롬 산화 질화 탄화물 (CrCON)인 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
제4항 또는 제5항에 기재된 방법에 의해 제조된 포토마스크 블랭크에 대하여 리소그래피법에 의해 패터닝 (patterning)을 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.