JPS5987458A - フオトマスク原板の製造方法 - Google Patents
フオトマスク原板の製造方法Info
- Publication number
- JPS5987458A JPS5987458A JP57197091A JP19709182A JPS5987458A JP S5987458 A JPS5987458 A JP S5987458A JP 57197091 A JP57197091 A JP 57197091A JP 19709182 A JP19709182 A JP 19709182A JP S5987458 A JPS5987458 A JP S5987458A
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- JP
- Japan
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- chromium
- film
- etching
- lateral direction
- torr
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明１ｄＩｃ、ＬＳＩ等の半導体装置を製造する際に
使用するフォトマスク原板の製造方法に関し、さらに詳
細には、金属クロム被膜を遮光層として有するフォトマ
スク原板の製造方法に関する。
使用するフォトマスク原板の製造方法に関し、さらに詳
細には、金属クロム被膜を遮光層として有するフォトマ
スク原板の製造方法に関する。
従来、この種フォトマスク原板を製造するにあたっては
、ガラス又は石英の基板−ににスパッタリングや真空蒸
着によって、クロム金属の皮膜を形成させ、その後フォ
トレジストを塗蒲し。
、ガラス又は石英の基板−ににスパッタリングや真空蒸
着によって、クロム金属の皮膜を形成させ、その後フォ
トレジストを塗蒲し。
これに露光を与えた後現像をしエツチング液に浸漬して
、フォトレジストの残った部分以外のクロム金属層を除
去して所望のパターンの遮光層を得ていた。上記従来方
法によると、エツチングの際、クロム金属が基板へ向っ
て垂直な方向（以下縦方向という）だけでなく、これと
直角方向（以下横方向という）にもエツチングされ、細
かいパターンを得ることができなかった。
、フォトレジストの残った部分以外のクロム金属層を除
去して所望のパターンの遮光層を得ていた。上記従来方
法によると、エツチングの際、クロム金属が基板へ向っ
て垂直な方向（以下縦方向という）だけでなく、これと
直角方向（以下横方向という）にもエツチングされ、細
かいパターンを得ることができなかった。
すなわち、第１図に示すように、ガラス基板１上に設け
たクロム金属層２がエツチングの際同図口、ハに示すよ
うに、レジスｌ−３の端部から内側に向けてもエツチン
グされ侵食される。
たクロム金属層２がエツチングの際同図口、ハに示すよ
うに、レジスｌ−３の端部から内側に向けてもエツチン
グされ侵食される。
従って、レジスト３の巾が狭い場合には、第２図に示す
ように、レジスト３０両端部から横方向にエツチングさ
れ、必要なパターンを得ることができなかった。
ように、レジスト３０両端部から横方向にエツチングさ
れ、必要なパターンを得ることができなかった。
本発明は、このような欠点を防止したフォトマスク原板
の製造方法を提供することを目的とするものである。
の製造方法を提供することを目的とするものである。
そのため９本発明は、スパンタリング、真空蒸着等によ
って基板上にクロム金属層を形成させる際、炭酸ガス単
独又は炭酸ガスと他のガスとの混合物の清浄な雰囲気中
で行うことを特徴とするものである。
って基板上にクロム金属層を形成させる際、炭酸ガス単
独又は炭酸ガスと他のガスとの混合物の清浄な雰囲気中
で行うことを特徴とするものである。
前記した他のガスとしては窒素酸素アルゴンガスを用い
るのが望１しく、炭酸ガス圧は５×丁５Ｔｏｒｒ〜ｌＸ
ｌ０−Ｔｏｒｒであることが望ましい。
るのが望１しく、炭酸ガス圧は５×丁５Ｔｏｒｒ〜ｌＸ
ｌ０−Ｔｏｒｒであることが望ましい。
上記のように、炭酸ガス圧の雰囲気中でクロム金属層を
形成させると、クロム金属は炭酸ガスを吸着しながら堆
積して所望の膜厚となる。
形成させると、クロム金属は炭酸ガスを吸着しながら堆
積して所望の膜厚となる。
この炭酸ガスを含んだ膜は、エツチングの際。
横方向・＼のエツチング速度が縦方向に比し極小となる
。従って９本発明方法によれば、レジストの下の内側へ
の侵食が少なくなるのでサブミクロンのパターンをも容
易に形成することができる。
。従って９本発明方法によれば、レジストの下の内側へ
の侵食が少なくなるのでサブミクロンのパターンをも容
易に形成することができる。
実施例１
５ Ｘ １０”−５Ｔｏｒｒ 〜Ｉ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒのガス圧の炭酸ガスの雰囲気中で真空蒸着にょシフ
ロム金属皮膜を形成させたものを、硝酸第二セリウムア
ンモン１６５１！ 、過塩素酸４２ＣＣ，、純水ｉｎか
らなるエツチング液でエツチング液る。この場合の横方
向−＼のエツチング速度は縦方向１ｏに対して横方向４
であった。
ｒｒのガス圧の炭酸ガスの雰囲気中で真空蒸着にょシフ
ロム金属皮膜を形成させたものを、硝酸第二セリウムア
ンモン１６５１！ 、過塩素酸４２ＣＣ，、純水ｉｎか
らなるエツチング液でエツチング液る。この場合の横方
向−＼のエツチング速度は縦方向１ｏに対して横方向４
であった。
実施例２
５ Ｘ １０ ”ｌ’ｏｒｒの炭酸ガス圧に１×１０−
４〜１×ＩＦ” ’ｌ’ｏｒｒの酸素を加えた雰囲気中
で真空蒸着を行う。この場合には炭素を含んだ酸化クロ
ム膜と在る。この炭素を含んだ酸化クロム膜は、縦方向
と横方向とのエツチング速度の比は１ｏ：１と優れたエ
ツチング特性を持っている。エツチング液は実施例１と
同じ。
４〜１×ＩＦ” ’ｌ’ｏｒｒの酸素を加えた雰囲気中
で真空蒸着を行う。この場合には炭素を含んだ酸化クロ
ム膜と在る。この炭素を含んだ酸化クロム膜は、縦方向
と横方向とのエツチング速度の比は１ｏ：１と優れたエ
ツチング特性を持っている。エツチング液は実施例１と
同じ。
実施例３
実施例１と実施例２との組み合わせになるもので、実施
例１で膜を形成させた後その上に実施例２の２００〜４
００＾の酸化クロム膜を形成させる。この場合、横方向
へのエツチング速度が極小であるのは前述の例通りであ
るが、酸化クロム膜が反射防止膜となって働き、露光の
際の多重反射光計を小さくする。この炭酸を含む酸化ク
ロム膜は２通常のクロＬ膜上に形成させることによって
も横方向へのエツチングを少なくする働きを有している
。
例１で膜を形成させた後その上に実施例２の２００〜４
００＾の酸化クロム膜を形成させる。この場合、横方向
へのエツチング速度が極小であるのは前述の例通りであ
るが、酸化クロム膜が反射防止膜となって働き、露光の
際の多重反射光計を小さくする。この炭酸を含む酸化ク
ロム膜は２通常のクロＬ膜上に形成させることによって
も横方向へのエツチングを少なくする働きを有している
。
第１図イ２口、ハは従来の製造方法によるエツチング状
態を示す断面図、第２図は従来の製造方法によって得ら
れたフォトマスク原板の一部の断面図、第３図イ１ロ、
ハは本発明方向によって製造するエツチング状態を示す
断面図である。 １・・・ガラス ３・・・レジスト２・・・
クロム膜 特許出願人 服 部 功 代理人弁理士 中 山 清
態を示す断面図、第２図は従来の製造方法によって得ら
れたフォトマスク原板の一部の断面図、第３図イ１ロ、
ハは本発明方向によって製造するエツチング状態を示す
断面図である。 １・・・ガラス ３・・・レジスト２・・・
クロム膜 特許出願人 服 部 功 代理人弁理士 中 山 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガラス又は石英基板−Ｈに真空蒸着、スパッタリング等
の方法でクロム組成膜を形成させるフォトマスク原板の
製造方法において、ガラス又は石英基板」二にクロム組
成膜を形成させる際に。 炭繰ガス牟独又は他のガスと炭峠ガスとの混合物からな
る清浄な雰囲気内で行うことを特徴とするフォトマスク
原板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57197091A JPS5987458A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | フオトマスク原板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57197091A JPS5987458A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | フオトマスク原板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987458A true JPS5987458A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16368573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57197091A Pending JPS5987458A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | フオトマスク原板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987458A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010088332A (ko) * | 2000-02-16 | 2001-09-26 | 카나가와 치히로 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법 |
| EP1241524A3 (en) * | 2001-02-13 | 2003-05-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, Photomask and method of manufacture |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51105770A (ja) * | 1975-03-14 | 1976-09-18 | Toppan Printing Co Ltd |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP57197091A patent/JPS5987458A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51105770A (ja) * | 1975-03-14 | 1976-09-18 | Toppan Printing Co Ltd |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010088332A (ko) * | 2000-02-16 | 2001-09-26 | 카나가와 치히로 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법 |
| EP1130466A3 (en) * | 2000-02-16 | 2003-05-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| EP1241524A3 (en) * | 2001-02-13 | 2003-05-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, Photomask and method of manufacture |
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