JPS6218560A - フオトマスクブランクとフオトマスク - Google Patents
フオトマスクブランクとフオトマスクInfo
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- JPS6218560A JPS6218560A JP60158886A JP15888685A JPS6218560A JP S6218560 A JPS6218560 A JP S6218560A JP 60158886 A JP60158886 A JP 60158886A JP 15888685 A JP15888685 A JP 15888685A JP S6218560 A JPS6218560 A JP S6218560A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- shielding film
- film
- photomask
- pattern
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路及び高密度集積回路等の製造
工程において使用されるフォトマスクブランクとフォト
マスクに関し、特に、シリコンウェーハ、フォトマスク
ブランク等の被微細加工基板上に塗布されたレジストに
所定のパターンを転写する際に使用されるフォトマスク
とその素材となるフォトマスクブランクに関する。
工程において使用されるフォトマスクブランクとフォト
マスクに関し、特に、シリコンウェーハ、フォトマスク
ブランク等の被微細加工基板上に塗布されたレジストに
所定のパターンを転写する際に使用されるフォトマスク
とその素材となるフォトマスクブランクに関する。
このフォトマスクは、ＬＳＩの高密度化に伴って、微細
化が進み、最近のフオ（・マスクの製造方法は、従来の
湿式エツチング法から乾式エツチング法に移行しつ）あ
る。
化が進み、最近のフオ（・マスクの製造方法は、従来の
湿式エツチング法から乾式エツチング法に移行しつ）あ
る。
この乾式エツチング法によるフォトマスクの製造方法は
、先ず、ガラス、石英等の透光性基板の主表面を研磨し
、その主表面上にＣｒを主成分とする遮光性膜をスパッ
タリング法により成膜して、フォトマスクブランクを製
作する。次に、前記遮光性膜上にフォトレジストを塗布
した後、選択的露光工程、現像工程、リンス工程及び乾
燥工程を経て１ｑられたレジストパターン付きフォトマ
スクブランクをプラズマ反応室内で四塩化炭素等のガス
プラズマにより乾式エツチングして、遮光性膜を選択的
パターン形成する。そして、この遮光性膜パターン上の
レジストパターンを酸素プラズマ処理により除去して、
フォトマスクを得る。
、先ず、ガラス、石英等の透光性基板の主表面を研磨し
、その主表面上にＣｒを主成分とする遮光性膜をスパッ
タリング法により成膜して、フォトマスクブランクを製
作する。次に、前記遮光性膜上にフォトレジストを塗布
した後、選択的露光工程、現像工程、リンス工程及び乾
燥工程を経て１ｑられたレジストパターン付きフォトマ
スクブランクをプラズマ反応室内で四塩化炭素等のガス
プラズマにより乾式エツチングして、遮光性膜を選択的
パターン形成する。そして、この遮光性膜パターン上の
レジストパターンを酸素プラズマ処理により除去して、
フォトマスクを得る。
このような乾式エツチング法により得たフォトマスクは
、湿式エツチング法によるものと対比して、サイドエツ
チング値が少なく、過剰エツチングに対するパターン幅
変化も少なく、エツチング時間の許容幅も大きいという
利点がある。
、湿式エツチング法によるものと対比して、サイドエツ
チング値が少なく、過剰エツチングに対するパターン幅
変化も少なく、エツチング時間の許容幅も大きいという
利点がある。
〔発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、遮光性膜のエツチングを乾式エツチング
法を使用して行っても、フ第１・レジストの現像工程に
おいて、湿式で行っているために、前述した通り、エツ
チング工程前に乾燥工程が必要になる。この乾燥工程に
おいて、レジストパターン付きフォトマスクブランクで
は、レジストパターン上やレジストパターンで被覆され
ていない遮光性膜の露出表面トに異物が付着しているこ
とがしばしばある。例えば、この異物は６インチ角の基
板において１枚あたり数十〜数百個も付着している。こ
のような異物は次の乾式エツチング工程においてマスク
になり、その異物下の遮光性膜部分はエツチングされず
、いわゆる黒欠陥を発生してしまう。
法を使用して行っても、フ第１・レジストの現像工程に
おいて、湿式で行っているために、前述した通り、エツ
チング工程前に乾燥工程が必要になる。この乾燥工程に
おいて、レジストパターン付きフォトマスクブランクで
は、レジストパターン上やレジストパターンで被覆され
ていない遮光性膜の露出表面トに異物が付着しているこ
とがしばしばある。例えば、この異物は６インチ角の基
板において１枚あたり数十〜数百個も付着している。こ
のような異物は次の乾式エツチング工程においてマスク
になり、その異物下の遮光性膜部分はエツチングされず
、いわゆる黒欠陥を発生してしまう。
か）る異物の除去手段としては、有機溶剤、酸、アルカ
リ等により洗浄することが考えられるが、前述した乾燥
工程後のレジストパターン付き７瀘トマスクブランクに
おいては、そのレジストパターンをそのま）維持して、
付着した異物のみを除去することは、従来の製造方法を
使用する場合には不可能である。それ故、現状では、現
像液及びリンス液、並びに現像、リンス及び乾燥の各工
程における環境において異物を除去するための管理を厳
しく行っているが、根本的に改善することまでに至って
いない。
リ等により洗浄することが考えられるが、前述した乾燥
工程後のレジストパターン付き７瀘トマスクブランクに
おいては、そのレジストパターンをそのま）維持して、
付着した異物のみを除去することは、従来の製造方法を
使用する場合には不可能である。それ故、現状では、現
像液及びリンス液、並びに現像、リンス及び乾燥の各工
程における環境において異物を除去するための管理を厳
しく行っているが、根本的に改善することまでに至って
いない。
本発明によるフォトマスクブランクとフォトマスクは、
Ｆ記した問題点を解決すべくなされたものであり、透光
性基板上に第１遮光性膜と第２遮光性膜を順次積層し、
第１遮光性膜の成膜材料がＣｒ、又は酸素、窒素及び炭
素のうち少なくとも１つを含有したＣｒであり、第２遮
光性膜の成膜材料がＦｅ、旧、Ｔａ及びＷのうち少なく
とも１つを含有したＣｒであることを特徴とするフォト
マスクブランクと、このフォトマスクブランクの第１遮
光性膜と第２遮光性膜を選択的にパターン化してなるフ
ォトマスクである。
Ｆ記した問題点を解決すべくなされたものであり、透光
性基板上に第１遮光性膜と第２遮光性膜を順次積層し、
第１遮光性膜の成膜材料がＣｒ、又は酸素、窒素及び炭
素のうち少なくとも１つを含有したＣｒであり、第２遮
光性膜の成膜材料がＦｅ、旧、Ｔａ及びＷのうち少なく
とも１つを含有したＣｒであることを特徴とするフォト
マスクブランクと、このフォトマスクブランクの第１遮
光性膜と第２遮光性膜を選択的にパターン化してなるフ
ォトマスクである。
（作 用）
本発明のフォトマスクブランクを素材にして、フォトリ
ソグラフィ工程を経てフォトマスクを製造する場合、先
ず、第１遮光性膜に対してＣ（４ａ又はＣ（４４＋０２
の乾式エツチングガスによりエツチングすることができ
、かつ第２遮光性膜に対して前記乾式エツチングガスに
対して耐性を有し、湿式エツチングによりエツチングす
ることができることを利用する。そして、フォトリソグ
ラフィ工程において、第２遮光性膜上に塗布したレジス
トを選択的に露光・現像して、レジストパターンを形成
した後、第２″ｇ光性膜を湿式エツチングにより選択的
にエツチングして、第１遮光性膜上に第２遮光性膜パタ
ーンを形成し、レジストパターンを除去し、洗浄及び乾
燥をした後、この第２遮光性膜パターンをマスクにして
第１遮光性膜を前記乾式エツチングガスにより選択的に
エツチングすることができる。
ソグラフィ工程を経てフォトマスクを製造する場合、先
ず、第１遮光性膜に対してＣ（４ａ又はＣ（４４＋０２
の乾式エツチングガスによりエツチングすることができ
、かつ第２遮光性膜に対して前記乾式エツチングガスに
対して耐性を有し、湿式エツチングによりエツチングす
ることができることを利用する。そして、フォトリソグ
ラフィ工程において、第２遮光性膜上に塗布したレジス
トを選択的に露光・現像して、レジストパターンを形成
した後、第２″ｇ光性膜を湿式エツチングにより選択的
にエツチングして、第１遮光性膜上に第２遮光性膜パタ
ーンを形成し、レジストパターンを除去し、洗浄及び乾
燥をした後、この第２遮光性膜パターンをマスクにして
第１遮光性膜を前記乾式エツチングガスにより選択的に
エツチングすることができる。
その結果、本発明によれば、第１遮光性膜をエツチング
する前工程において、第２遮光性膜パターン上のレジス
トパターンを除去し、洗浄及び乾燥をする工程を入れる
ことができることから、第２遮光性膜パターンで被覆さ
れていない第１遮光性膜の露出表面を充分に洗浄して、
異物を除去することができる。
する前工程において、第２遮光性膜パターン上のレジス
トパターンを除去し、洗浄及び乾燥をする工程を入れる
ことができることから、第２遮光性膜パターンで被覆さ
れていない第１遮光性膜の露出表面を充分に洗浄して、
異物を除去することができる。
以下、本発明の実施例を第１図及び第２図を参照して詳
述する。
述する。
先ず、石英ガラスを所定寸法（本例二〇×６×０．１２
インチ）に加工し、この石英ガラスの両生表面を研磨し
、純水及びイソプロピルアルコール等により洗浄し、乾
燥して成膜前の石英ガラスからなる透光性基板１を得る
。この透光性基板１の一主表面上に純度９９．９９ ｗ
ｔ％以上のＣｒをターゲットとしてスパッタリング法に
よりＣｒからなる第１遮光性膜２（膜厚：６００人）を
被着する。次に、不純物として「ｅを１ｗｔ％含有した
Ｃｒをターグツ１−としてスパッタリング法により前記
不純物を含有したＣｒ膜からなる第２遮光性膜３（膜厚
：１５０人）を第１遮光性膜２上に積層して、透光性基
板１上に第１遮光性膜２と第２遮光性膜３を被着したフ
ォトマスクブランク４を得る（第１図）。なお、このフ
ォトマスクブランク４の光学濃度は約３．０であった。
インチ）に加工し、この石英ガラスの両生表面を研磨し
、純水及びイソプロピルアルコール等により洗浄し、乾
燥して成膜前の石英ガラスからなる透光性基板１を得る
。この透光性基板１の一主表面上に純度９９．９９ ｗ
ｔ％以上のＣｒをターゲットとしてスパッタリング法に
よりＣｒからなる第１遮光性膜２（膜厚：６００人）を
被着する。次に、不純物として「ｅを１ｗｔ％含有した
Ｃｒをターグツ１−としてスパッタリング法により前記
不純物を含有したＣｒ膜からなる第２遮光性膜３（膜厚
：１５０人）を第１遮光性膜２上に積層して、透光性基
板１上に第１遮光性膜２と第２遮光性膜３を被着したフ
ォトマスクブランク４を得る（第１図）。なお、このフ
ォトマスクブランク４の光学濃度は約３．０であった。
次に、このフォトマスクブランク４の第２遮光性膜３上
にポジ型フォトレジスト５（本例：ヘキスト社製ＡＺ−
１３５０．膜厚： ５０００人）をスピンコータ法によ
り塗布した後、所望のパターン線幅を得るべく露光マス
ク６を通して、ポジ型フォトレジストの上方から遠紫外
光ないし紫外光７（波長＝２００〜４５０ｎｌｌｌ）を
露光する（第２図（ａ））。次に、現像液（本例： Ａ
Ｚ−１３５０専用デベロツパ）により所定時間（本例ニ
ア０秒）現像処理して、ポジ型フォトレジスト５の露光
部分を除去し、未露光部分にレジストパターン８を第２
遮光性膜３上に形成する（第２図（ｂ））。次に、第２
遮光性１１！３に対応したエツチング液（本例：硝酸セ
リウムアンモンと過塩素酸との混合液）を用いて、所定
時間（本例：１５秒）湿式エツチングを行い、第２遮光
性膜パターン９を第１遮光性膜２上に形成する（第２図
（Ｃ））。この湿式エツチングにおいて、下層の第１遮
光性膜２は本例では約５０人だけエツチングされる。次
に、レジストパターン８を剥離液（本例：熱濃硫酸９０
℃）により剥離した後、常温の硫酸中に浸して温度を下
げ、水、イソプロピルアルコール中で超音波洗浄し、フ
レオン蒸気中で乾燥する（第２図（ｄ））。次に、第２
遮光性膜パターン９付きブランクを平行平板型プラズマ
エツチング装置内に入れて、Ｃ（４４＋ ０２ガスを反
応ガスとして乾式エツチングする。この時、第２遮光性
膜パターン９は、その成膜材料中の不純物であるＦｅが
塩化物又は塩化酸化物になり、その塩化物又は塩化酸化
物がｉ ｏ ｏ ’ｃ以下において蒸発、気化し難いこ
とから、第２遮光性膜パターン９の乾式エツチングの進
行に伴って、その表面には不純物の［ｅや、Ｆｅの塩化
物、塩化酸化物が濃縮されて、乾式エツチングに対して
耐性を有することになる。その結果、第２遮光性膜パタ
ーン９はＣＣ１ａ ＋ ０２ガスプラズマにより完全に
は除去されずマスクとして作用することから、この第２
遮光性膜パターン９の被覆されていない第１′ａ光性膜
２の露出表面のみが乾式エツチングされて、結局、第１
１光性膜パターン１０と第２遮光性膜パターン９からな
る２層構造の遮光性膜パターンを有するフォトマスク１
１が得られる（同図（ｅ））。
にポジ型フォトレジスト５（本例：ヘキスト社製ＡＺ−
１３５０．膜厚： ５０００人）をスピンコータ法によ
り塗布した後、所望のパターン線幅を得るべく露光マス
ク６を通して、ポジ型フォトレジストの上方から遠紫外
光ないし紫外光７（波長＝２００〜４５０ｎｌｌｌ）を
露光する（第２図（ａ））。次に、現像液（本例： Ａ
Ｚ−１３５０専用デベロツパ）により所定時間（本例ニ
ア０秒）現像処理して、ポジ型フォトレジスト５の露光
部分を除去し、未露光部分にレジストパターン８を第２
遮光性膜３上に形成する（第２図（ｂ））。次に、第２
遮光性１１！３に対応したエツチング液（本例：硝酸セ
リウムアンモンと過塩素酸との混合液）を用いて、所定
時間（本例：１５秒）湿式エツチングを行い、第２遮光
性膜パターン９を第１遮光性膜２上に形成する（第２図
（Ｃ））。この湿式エツチングにおいて、下層の第１遮
光性膜２は本例では約５０人だけエツチングされる。次
に、レジストパターン８を剥離液（本例：熱濃硫酸９０
℃）により剥離した後、常温の硫酸中に浸して温度を下
げ、水、イソプロピルアルコール中で超音波洗浄し、フ
レオン蒸気中で乾燥する（第２図（ｄ））。次に、第２
遮光性膜パターン９付きブランクを平行平板型プラズマ
エツチング装置内に入れて、Ｃ（４４＋ ０２ガスを反
応ガスとして乾式エツチングする。この時、第２遮光性
膜パターン９は、その成膜材料中の不純物であるＦｅが
塩化物又は塩化酸化物になり、その塩化物又は塩化酸化
物がｉ ｏ ｏ ’ｃ以下において蒸発、気化し難いこ
とから、第２遮光性膜パターン９の乾式エツチングの進
行に伴って、その表面には不純物の［ｅや、Ｆｅの塩化
物、塩化酸化物が濃縮されて、乾式エツチングに対して
耐性を有することになる。その結果、第２遮光性膜パタ
ーン９はＣＣ１ａ ＋ ０２ガスプラズマにより完全に
は除去されずマスクとして作用することから、この第２
遮光性膜パターン９の被覆されていない第１′ａ光性膜
２の露出表面のみが乾式エツチングされて、結局、第１
１光性膜パターン１０と第２遮光性膜パターン９からな
る２層構造の遮光性膜パターンを有するフォトマスク１
１が得られる（同図（ｅ））。
本実施例によれば、乾式エツチング終了後、本来、遮光
性膜が残存してはいけない部分（１μｍ以上の寸法を有
する黒欠陥）は、６インチ角１枚当り平均５個程度（試
料数：１０枚）になり、非常に少なくすることができた
。また、サイドエツチングに起因するレジストパターン
と実際の遮光性膜パターンとの寸法変化は、第２Ｊ光性
膜が薄く湿式エツチング液間が短かいために、０．１μ
ｍ程度と微小であったことから、微細パターンに適する
という乾式エツチングの利点を充分に活かすことができ
た。また本例では、第２図（Ｃ）に示した通り、第１遮
光性膜２の上層部が約５０人だけ湿式エツチングされて
いるが、このエツチング量はサイドエツチング量を多く
しないために、できるだけ少ない方が好ましい。
性膜が残存してはいけない部分（１μｍ以上の寸法を有
する黒欠陥）は、６インチ角１枚当り平均５個程度（試
料数：１０枚）になり、非常に少なくすることができた
。また、サイドエツチングに起因するレジストパターン
と実際の遮光性膜パターンとの寸法変化は、第２Ｊ光性
膜が薄く湿式エツチング液間が短かいために、０．１μ
ｍ程度と微小であったことから、微細パターンに適する
という乾式エツチングの利点を充分に活かすことができ
た。また本例では、第２図（Ｃ）に示した通り、第１遮
光性膜２の上層部が約５０人だけ湿式エツチングされて
いるが、このエツチング量はサイドエツチング量を多く
しないために、できるだけ少ない方が好ましい。
本発明は、以上の実施例に挙げた成膜材料、湿式エツチ
ング液及び乾式ガスプラズマに限定されるものではない
。第１遮光性膜の成膜材料についてはＣｒの代わりに、
Ｃｒに酸素、窒素及び炭素のうち少なくとも１つを含有
したものであってもよい。
ング液及び乾式ガスプラズマに限定されるものではない
。第１遮光性膜の成膜材料についてはＣｒの代わりに、
Ｃｒに酸素、窒素及び炭素のうち少なくとも１つを含有
したものであってもよい。
第２遮光性膜の成膜材料についてはＣｒ中に含有させる
不純物のＦｅの代わりに、Ｎ１、Ｔａ及びＷを使用して
もよい。これらの不純物の含有率としては０．０１ ｗ
ｔ％以上であることが好ましい。ｏ、ｏｉ ｗｔ％未満
では乾式エツチング時に第２遮光性膜が耐エツチング性
を有しなくなるからである。不純物の含有率の上限につ
いては一概に言えないが、湿式エツチングされること及
び洗浄液（例：硫酸）に対して耐性を有すること等を考
慮して適宜選定すればよい。なお、この第２遮光性膜の
Ｃｒ中に前記不純物の他に例えば、酸素、窒素及び炭素
等を含有してもよい。
不純物のＦｅの代わりに、Ｎ１、Ｔａ及びＷを使用して
もよい。これらの不純物の含有率としては０．０１ ｗ
ｔ％以上であることが好ましい。ｏ、ｏｉ ｗｔ％未満
では乾式エツチング時に第２遮光性膜が耐エツチング性
を有しなくなるからである。不純物の含有率の上限につ
いては一概に言えないが、湿式エツチングされること及
び洗浄液（例：硫酸）に対して耐性を有すること等を考
慮して適宜選定すればよい。なお、この第２遮光性膜の
Ｃｒ中に前記不純物の他に例えば、酸素、窒素及び炭素
等を含有してもよい。
第１．第２の遮光性膜の相互膜厚関係については、乾式
エツチングによる利点を有効に活用することを考慮して
、第１！光性膜の膜厚が第２遮光性膜のそれよりも厚い
ことが好ましい、湿式エツチング液については、被エツ
チング材料との関係で適宜選定され、実施例以外にも、
Ｃｒ膜に対してはＮａ叶十 Ｋ３ （Ｆｅ（ＣＮ）６
）等でもよい。乾式エツチングのエツチングガスについ
てはＣ（４ａ等でもよい。
エツチングによる利点を有効に活用することを考慮して
、第１！光性膜の膜厚が第２遮光性膜のそれよりも厚い
ことが好ましい、湿式エツチング液については、被エツ
チング材料との関係で適宜選定され、実施例以外にも、
Ｃｒ膜に対してはＮａ叶十 Ｋ３ （Ｆｅ（ＣＮ）６
）等でもよい。乾式エツチングのエツチングガスについ
てはＣ（４ａ等でもよい。
その他成膜法については真空蒸着法やイオンブレーティ
ング法、透光性基板についてはソーダライムガラス、ア
ルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラ
スなど多成分系ガラス、レジストについてはネガ型フォ
トレジストやポジ型又はネガ型の電子ビームレジスト等
にそれぞれ変更してよいことは勿論である。
ング法、透光性基板についてはソーダライムガラス、ア
ルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラ
スなど多成分系ガラス、レジストについてはネガ型フォ
トレジストやポジ型又はネガ型の電子ビームレジスト等
にそれぞれ変更してよいことは勿論である。
以上の通り、本発明によれば、フォトマスクブランクを
素材にしてフォトリソグラフィ工程を経てフォトマスク
を製造する場合に、上層の第２遮光性膜を湿式エツチン
グして、レジスト除去、洗浄及び乾燥を行い、次いで下
層の第１遮光性膜を乾式エツチングすることができるこ
とから、従来、乾式エツチングによって発生しがちであ
った黒欠陥を非常に少なくし、フォトマスクの品質を向
上させることができる。
素材にしてフォトリソグラフィ工程を経てフォトマスク
を製造する場合に、上層の第２遮光性膜を湿式エツチン
グして、レジスト除去、洗浄及び乾燥を行い、次いで下
層の第１遮光性膜を乾式エツチングすることができるこ
とから、従来、乾式エツチングによって発生しがちであ
った黒欠陥を非常に少なくし、フォトマスクの品質を向
上させることができる。
第１図は本発明の実施例によるフォトマスクブランクを
示す断面図、及び第２図は前記フォトマスクブランクを
使用して、フォ１〜リソグラフイエ程を経て製造したフ
ォトマスクの各工程を示す断面図である。 １・・・透光性基板、２・・・第１遮光性膜、３・・・
第２遮光性膜、４・・・フォトマスクブランク、５・・
・ポジ型フォトレジスト、６・・・露光マスク、７・・
・遠紫外光ないし紫外光、８・・・レジストパターン、
９・・・第２遮光性膜パターン、１０・・・第１″１１
光性膜パターン、１１・・・フォトマスク。 第１図 第２図
示す断面図、及び第２図は前記フォトマスクブランクを
使用して、フォ１〜リソグラフイエ程を経て製造したフ
ォトマスクの各工程を示す断面図である。 １・・・透光性基板、２・・・第１遮光性膜、３・・・
第２遮光性膜、４・・・フォトマスクブランク、５・・
・ポジ型フォトレジスト、６・・・露光マスク、７・・
・遠紫外光ないし紫外光、８・・・レジストパターン、
９・・・第２遮光性膜パターン、１０・・・第１″１１
光性膜パターン、１１・・・フォトマスク。 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）透光性基板上に被着した、この透光性基板側に位
置する第１遮光性膜と、この第１遮光性膜上に接して位
置する第２遮光性膜とを具備するフォトマスクブランク
において、前記第１遮光性膜の成膜材料がＣｒ、又は酸
素、窒素及び炭素のうち少なくとも１つを含有したＣｒ
であり、前記第２遮光性膜の成膜材料がＦｅ、Ｎｉ、Ｔ
ａ及びＷのうち少なくとも１つを含有したＣｒであるこ
とを特徴とするフォトマスクブランク。 - （２）透光性基板上に被着した、この透光性基板側に位
置する第１遮光性膜と、この第１遮光性膜上に接して位
置する第２遮光性膜とを具備するフォトマスクブランク
の前記第１遮光性膜と前記第２遮光性膜を選択的にパタ
ーン化してなるフォトマスクにおいて、前記第１遮光性
膜の成膜材料がＣｒ、又は酸素、窒素及び炭素のうち少
なくとも１つを含有したＣｒであり、前記第２遮光性膜
の成膜材料がＦｅ、Ｎｉ、Ｔａ及びＷのうち少なくとも
１つを含有したＣｒであることを特徴とするフォトマス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158886A JPS6218560A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158886A JPS6218560A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218560A true JPS6218560A (ja) | 1987-01-27 |
| JPS646449B2 JPS646449B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=15681532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60158886A Granted JPS6218560A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218560A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0418557A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-22 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにフォトマスクの製造方法 |
| EP1130466A2 (en) * | 2000-02-16 | 2001-09-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| JP2002244274A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6825164B1 (ja) * | 2019-03-01 | 2021-02-03 | 株式会社ブルックマンテクノロジ | 距離画像撮像装置および距離画像撮像装置による距離画像撮像方法 |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP60158886A patent/JPS6218560A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0418557A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-22 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにフォトマスクの製造方法 |
| EP1130466A2 (en) * | 2000-02-16 | 2001-09-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| US6503669B2 (en) | 2000-02-16 | 2003-01-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| EP1130466A3 (en) * | 2000-02-16 | 2003-05-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| JP2002244274A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS646449B2 (ja) | 1989-02-03 |
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