JPS6259296A - ペプタイド誘導体 - Google Patents

ペプタイド誘導体

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JPS6259296A
JPS6259296A JP60198606A JP19860685A JPS6259296A JP S6259296 A JPS6259296 A JP S6259296A JP 60198606 A JP60198606 A JP 60198606A JP 19860685 A JP19860685 A JP 19860685A JP S6259296 A JPS6259296 A JP S6259296A
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Japan
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group
formula
gly
minutes
compound
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JP60198606A
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English (en)
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Tsutomu Mimura
三村 務
Yasuhiro Kohama
小濱 靖弘
Tsutomu Fukaya
深谷 力
Masahiro Watanabe
正弘 渡辺
Kazumasa Yokoyama
和正 横山
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Mitsubishi Tanabe Pharma Corp
Original Assignee
Green Cross Corp Japan
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    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
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    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61KPREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
    • A61K38/00Medicinal preparations containing peptides

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、医薬品として有用な新規なペプタイド誘導体
に関する。
[従来の技術] 先に、本発明の共同研究者らは、活性ペプタイド、Pr
o  l−1vp  GIV  Ala  GIV(以
下Pと略する)を合成し、その薬埋作用を調べたところ
、顕著む抗不整脈ならびに血小板凝集抑制作用を見い出
した。
Pは、毒性も少なく虚血性心疾患作用薬への応用が期待
されるが、経口で用いられる場合に有効ωが既存薬に比
し多く、また命中半減期が約10分と短いため、持続性
がないという問題点がある。
[発明が解決しようとする問題点1 本発明の目的は、Pの薬即作用、細胞膜透過性、吸収、
代謝速度等の改善された新規ベブタイド誘導体を提供す
ることである。
E問題点を解決するための手段] 本発明者らは、上記の問題点を解決するために神々研究
を重ねに帖宋、医薬品どして有用な〔疎水性基−p r
o−LI Vn−親水性基〕で表される化合物を合成し
本発明を完成した。
本発明は、一般式 %式%() 〔式中R1は疎水性基、R2は親水M基を示り“。〕で
表されるペプタイド誘導体に関りる。
本発明におい−C1疎水性基としては、疎水性アミノ酸
残り、C1〜C+oのアルキル基、アリール基、アリー
ルアルキル基、あるいはこれらに側鎖を有するものであ
り、蝕水性基中の主鎖あるいは側鎖にケト基、カルボキ
シル基、ヒト[1キシル基、■−チル、エステル、酸ア
ミド基、アミノ酸残塁を含んCいてもよい。
疎水性アミノ酸残基としては、たとえば、)Iニルアラ
ニン、トリプトフアン、ロイシン、イソロイシン残基が
好適に例示される。特に、一般式で示される蝕水個基が
好適に利用できる。式中Xは>Co、>Cl−1−CO
OH,> CH2を示し、R3は水M基又は水素原子を
示し、nは1〜8より好ましくは1〜4である。
親水性基どしてはカルボキシル基、スルホン酸基、硫酸
Jスプル基、アミノ基、第4アンモニウム基、リンMW
、ヒドロキシル基、酸アミド基、ヂオール基、ニトリル
基、チオシアン基、ニトロ基、イミノ基、ハロゲン基を
末端に有する炭素数1−.16のアルキル基、アリール
基、アリールアルキルMが利用できる。これらは直鎖状
でも、分枝鎖状のものでもよい。又ペブタイド残基ある
いはペプタイド誘導体も利用できる。ペプタイドとして
は、アミノ酸数が2〜6であり、好適にはグリシン(G
IV)、アラニン(Ala)が利用される。
より好適にはGIV  Ala  Gly(III)が
例示される。
本発明の化合物(T>は、例えば以下の方法により調製
されつる。
化合物(T)のうちR1が式 %式% であり、R2が式(Tll)で表される化合物−G l
y−A 1a−G Iy は、基本的には、1〕と を縮合させることにより合成される。
Pは、ペンタペブタイドであり、後述するように通常の
ペプタイド合成法で得られる。即ら液相法、固相法が例
示される。
アミノ基の保1MとしCは、たどえば、第三ブトキシカ
ルボニル キシカルボニル基(7と略称される)、トシルU等が挙
げられる。
綜合剤どしては、特に限定されないが、好ましく1−1
カルボジイミド類が用いられる。具体的には、N,N’
 −ジシクロヘキシカルボジイミド(DCCという)が
挙げられる。
−  4  〜 溶媒どしては、酢酸エチル、アセトニ1ーリル、塩化メ
ブレン、クロ[1ホルム、テI〜ラヒドロフラン、N.
N−ジメヂルホルムアミドが挙げられる。
反応温度としては、10〜100℃、好ましくは0〜5
0℃が好ましい。反応時間としてtま、2〜20時間が
好ましい。
化合物(T)のうらR1が式 であり、R2が式(III)であられされる化合物は基
本的には、 1−1yp−Gly−Ala−Gly    ・−・・
・−・(V>ど、それぞれ・ を位応させることにJ:り合成される。
艮応条1′1は、P+式(1v)の場合ど同様である。
なお、これらの陵応に用いられるN−置換プロリン誘導
体(Vl、Vl)は、プロリンと、相当するアルデヒド
または、α−ケトカルボン酸を用いる還元アミノ化法で
容秘に合成できる。
このJ−うにして1町1られる化合物(T ) G、L
 、ゲル)l過、イオン交換りロマトグラノイー、逆相
カラムを用いるH +” 1. C、シリtJゲルカラ
ムク[1マドグラフイー等の方法によりl1lIliI
・精製することができる。11式(V)および(T)の
化合物の合成1人は、固相法又は液相法いずれの方法で
も合成できる。
LJtl−払 3)ROC−Ala、  DCC,CH2CII  2
C142CJ2 80(>HVrl(ORハ)−GIV−Ala−GIV
−R↓      j ↓  又は  ↓ (v)     (■) 3)F30C−Pro、occ、C)−12C12R:
クロル化ポリマー樹脂、1′)CCニジシクロへキシル
カルボジイミド、TEA:t−リエチルアミン、  R
OC:第三ブトキシカルボニル基、TFΔ:1〜す゛ノ
ルオ「1酢酸、   Bz+ :ベンジル基、↓  又
は  1 ff)      (T) 2)BO(>1)roQsu しかし、実用1好ましくは、実施例に示すように([)
)、又は(V)は保lI基のついた状態で用いて、更に
反応を行なった後、脱保護をする。
[実施例・実験例] 以下、本発明を実施例・実験例によって更に具体的に説
明するが、これらは本発明を限定するものではない。
実施例 1 G ly  A la −G ly (i )の合成(
1)N −terト−B旧yloxycarbonyl
  −L −alanyl−glycine benz
yl esterの合成0℃に冷却したグリシンベンジ
ルエステル・トシL/ −ト(12,9g) (7)7
セし・ニトリル(200jIe)溶液中にトリ1チルア
ミン(5,3Idl)を滴下し、さらにN −tert
−ブブルオキシカルポ二ルアラニンN−ヒドロキシスク
シンイミドエステル12g(N−tert−ブブルオキ
シ力ルポニルアラニン及びN−ヒドロキシスクシンイミ
ドをジシク1コヘキシル力ルポジイミド存在下に反応さ
せて調製した。)を加えた。得られた反応液を0℃で1
時間、室温で18時間かきまぜた。反応終了後、反応溶
媒を減圧下で留去し酢酸エチル抽出を打ない。5%酢酸
水溶液、水、飽和食塩水で洗浄を行ない粗生成物(16
g)を得た。さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(クロ1]ホルム:メタノール−40:1)を行ない
目的物12.69を得た。
’)−I  NMR<CDGI 3)δ:1.35  
(d 、 J−7tlz、 3 t−1) 。
1.42(S、 9目) 、  4.02(d、 J=
511Z。
2  t−1)  、    3.95 〜 4.35
(m、   I  H,)  。
!i、12(s 、 211) 、  5.45(d 
、 J = 711z。
1  tl  )  、    7.12(t  、 
  J  =  611z、   1  ト1 ) 。
7.28(S 、 5 )−1) IRニジに” 3310.1738.1682.165
5cIR−’11aX (2)  N −tert −Rutyloxycar
bonyl  −glvcyl −1−−alanyl
−glycine benzyl esterの合成0
℃に冷却した乾燥酸fixチル(130a+e)の4N
塩化水素溶液中にN −tert−ブチルオキシカルボ
ニル−1−−−アラニル−グリシン−ベンジルエステル
(12,6g)の乾燥酢i!l11チル溶液(80m 
)を15分間に滴下し、室温で30分間かきまぜた。
反応後余剰の塩化水素を減圧上留去し、さらに溶媒を留
去し白色固体を得た。
この白色固体をアセトニトリル200 a(!に溶解し
0℃に冷却した。冷却後トリエチルアミン(5,3−)
を滴下し、さらにN −tert−ブチルオキシカルボ
ニルグリシン N−ヒドロキシスクシンイミドエステル
11.2g : (N−tert−ブチルオキシカルボ
ニルグリシン及びN−ヒドロキシスクシンイミドをジシ
クロへキシルカルボジイミド存在下反応させて調製した
)を加えた。
得られた反応溶液を0℃で20分間室温で18時間かき
まぜた。反応後5%酢酸水溶液10#11!を加え、反
応溶媒を減圧上留去し酢酸エチル抽出を行なつた。抽出
液は1%酢酸水溶液、水、飽和食塩水で洗浄を行ない粗
生成物(159)を得た。さらにシリカゲル−カラム9
日マドグラフィー(クロ1]ホルム:メタノール−40
:1)を行ない目的物10.69を得た。
ROC−GIV  Ala−−GIyOBzl’LI 
 NMR(nMso−do 、 CD(11a ) 6
 :1.2B   (d  、  J  =  7tl
z、  3  ト1)  、   1.40(s。
9H) 、  3.62(d、 J=511z、 2l
−1) 。
3.90(d 、 J = 511z、 21−1 )
 、  4.41(t 。
J=711z、IH)、5.09(s、2N>。
6.60(t 、 J = 5tlz、 1 t−1)
 、  7.30(s 。
5H)   、    7.z9(d、   、I= 
 711z、   1 1−l)  。
8.18(t 、 J = 5112. I H) 。
、 にB「 IR,ν   3300.1745.1648cIR−
’aX (3) N −tert−B utyloxycarb
onyl −0−benzyl −1−hydroxV
prom −(IIVcVI −L−alanyl−g
lycine henzyl esterの合成0℃に
冷rJI L、た乾燥酸1%!1チJL/ 120d(
7) 4.3N塩化水素溶液中に、N−tert−ブチ
ルオキシカルボニル−グリシル−1−−−アラニル−グ
リシン ベンジル1ステル(9,959)の乾燥酢酸エ
チル溶液(8h+1りを15分間で滴下し0℃で10分
間、室温で15分間かきまぜた。
反応後、余剰の塩化水素を減圧下で留去し、さらに溶媒
を留去し白色固体を得た。
この白色固体をアセトニトリル150yaQにけん濁さ
せ6℃に冷fJ11.た。冷却後トリエチルアミン(3
,5ae)を滴下しざらにN −tert−ブチルオキ
シカルボニル−〇−ベンジルーL−ヒドロキシプロリン
 N−ヒドロキシスクシンイミドエステル11.69(
N=劃側rt−ブチルオキシカルボニル−−ベンジル−
L−ヒドロキシプロリン及びN−ヒドロキシスクシンイ
ミドをジシクロヘキシルカルボジイミド さらにアセトニトリル(100m )を加え0℃で20
分間、室温で18時間かきまぜた。反応後5%酢酸水溶
液10ai!加え、反応溶媒を減圧上留去し、酢酸エチ
ル抽出を行なった。抽出液は0.1%酢酸水溶液、水、
飽和食塩水で洗浄し粗生成物17gを得た。さらにシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(り[10小ルムニメ
タノール−20:l)を行ない目的物14gをv、Iた
BOC,1IVD(ORZI)−Gly−A 1a−G
IVO11zl’LI  NMR(Cr’)C磨3)δ
:1.32〜1.44  (m、 12H> 、  2
.0〜2.5(m、 211)、  3.4〜4.75
  (m、 914)。
4.43  (8,2)−1)、  5.05  (S
、 2日)。
7.05〜7.8 (m、 13f−1)、 に1lr I R、シIl、、x3290.1752.1700.
1665.163kg−1(4) N−tert−−B
utyloxycarbonyl −1−−proly
l−0−benzyl−1−−hydroxvprol
yl −olycyl−1−alanyl−glyci
ne henzyl esterの合成0℃に冷FJI
 t、た乾燥酢酸−r、 フル100#+i!(7) 
5.2N塩化水木溶液中にN −tert−ブブルオキ
シ力ルボニルー0−ベンジル−1−−ヒドロキシプ[1
リル−グリシルート−アラニル−グリシン ベンジルエ
ステル(14,09>の乾燥酢酸エチル溶液(80aj
! )を15分間に滴下し0℃で10分間室温で10分
間かきまぜた。反応後余剰の塩化水素を減圧上留去しさ
らに溶媒を留去し白色固体を得た。
この白色固体をアセトニトリル(200#Iiりに懸濁
させ0℃に冷却した。冷却後トリエチルアミン(3,3
IIR)を滴下しさらにN −tert−ブチルオキシ
カルボニル−し−プロリンN−ヒドロキシスクシンイミ
ドエステル(8,29)  (N−tert−ブチルオ
キシカルボニル−し−プロリン及びN−ヒドロキシスク
シンイミドをジシクOへキシルカルボジイミド存在下反
応させて調製した)を加えた。得られた反応溶液を0℃
で1時間、室温で18時間かきまぜた。反応4M5%酢
酸水溶液(10m>を加え、反応溶媒を減圧上留去し酢
酸エチル抽出を行なった。抽出液は0.1%酢酸水溶液
、水、飽和食塩水で洗浄し粗生成物17gを得た。さら
にシリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム:メタ
ノール=20:l)を行ない目的物3.5gを得た。
tlOc   P ro  11Vrl(ORZI) 
  GIV  Ala −G 1v−011zl ’t」 NMR(Cr)CJa )δ:1.40(d、
J=711z、3)l)、  1.43(s。
7H)、    1.6〜 2.7(m、   6H)
3.2−4.8(m、12tl)、  4.52(s、
211>。
5.12(s、  2l−1)  、   7.1〜7
.8(m、  13N)、  にBr IR,ν    3310. 1752. 1670c
a+−’+11aX (5)  N−3−(4−Benzyloxy phe
nyl  )propionyl  −1−proly
l −0−benzyl −l−−hydroxypr
olyl  −glycyl −L−alanyl −
glycine benzyl esterの合成L−
プロリルー1−−ヒドロ:1シプロリルーグリシル−1
−−アラニル−グリシン合成の際に調製したL−ブ【]
]シル−1−−ヒドロキシプロリルグリシル−1−m−
アラニルーグリシンベンジルエステル113M塩(1,
81g)をジク[10メタン中にけん濁させ0℃に冷却
した。冷却後トリエチルアミン)■ニル)プロピオン酸
(1,129)及びジシクロヘキシルカルボジイミド て90分かきまぜた。反応液を濾過し、炉液を濃縮する
ことにJ:り粗生成物(3.7g)を得た。さらにシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:メタ
ノール−20:1)により精製し目的物(1.779)
   を 1琴 Iこ 。
’H  NMR (CDCjl a )δ:1、41(
d, J=711z, 3H)、  1.7へ・4.2
(m,19N)、4.2 〜4.7(m.3H)。
4、45(S,  2H)  、   4.95(s,
  2  ト1 ) 。
5、06(8. 2H) 、  6.77(d, J=
9Hz, 2H)、  7.08(d, J=911z
, 21−1)、  7.1〜7、8  (  m  
、   18H  )iRニジに” 3310, 17
50. 1650 (bs) CI−’laX (※1)  3−(4−ベンジルオキシフェニル)ブ[
1ピオン酸の合成 1)  3−(4−−ヒドロキシフェニル)プロピオン
!!59、炭酸カリウム16gおよびテトラヒト「1フ
ラン50#認を三つロフラスニlに加え1髭拌しながら
、tl DI 1mにより臭化ベンジル8.5mQを滴
加」ノ1.:。1晩、rcflux41、)1j取、溶
媒金除去11t、シリカゲJしカラム(5(19)にか
tJ3−(4−ベンジルオキシフェニル)プロピA°ン
酸ベンジル■ステル9.25 tJ (89,3%二収
率)を111だ。
2)  3−(4−ベンジルオキシフ1ニル)ブ[1ピ
Aン酎ベンジルエステル9.241gおよび95%1−
タノ〜ルにどかした水酸化カリウム2.8g(12hi
!+>をフラス]に加え3()分間速流する。
反応後、溶媒を留去し、残渣に酢酸Tチルを加え、分液
ロートに加えた。これを1M塩酸および水で・洗った後
酢酸■プル層を硫酸プトリウムにて乾燥後、耐酸エチル
を留去した。最後にFf1MTチルーヘキザンJこり結
晶化し、3−(4−ベンジルオキシフ1ニル)プロピオ
ンM5g(72,7%:収率)を青た。
’11  NMR(CIIC,l! 3 ) :2.4
〜3.1(m、4l−1)、4.98(s、2N)。
6.82DJ、 J =911z、 2tl) 、  
7.08(d、 J−911z、  2 t−1> 、
  7.30(s 、  5 H)IRニジにBr 、、ax1690.1612.1582u−1(6) 
N−3−(4−Hvrlroxyphenyl)pro
pionyl−1、−prolyl−1−hvdrox
yprolvl  −glycyl −i−alany
l−glycineの合成N−3−(4−ペンシルAキ
シフ■ニル)プ「1ピオニル−1−一−プロリルー0−
ベンジルー1−ヒドロキシブ[1リルーグリシル−1−
−アラニル−グリシンベンジルエステル(122#l!
F)のメタノール(5−)溶液に10%パラジウム#M
素(61#19)を加え常圧水素下室温で90分かきま
ぜた。反発後触媒を枦11L、、濃縮し粗生成物(69
mg)を得た。
さらにシリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロボ
ルム:メタノール−2:1)により精製し目的物(37
urg)を得た。
’tl    NMR(Me  OH−d  4   
 GDCj  3  )  6  :1.40(d、 
J=711z、 3H) 、  1.6〜2.4(m。
f511)、21〜3.1(m、41−1>、3.2〜
4.8(m、 11t−1) 、  6.62(d、 
J−43Hz、 2l−1) 。
6,94(d、  、) =  811z、  2  
N  >、  にBr IR,ν    3300. 1630 (is) c
m−’Ill a X 実施例 2 A la−OIy (f−a)の合成 r−3r) C−G +’l (22g)ど1−リ−[
プルアミン(17,5me)を]タノール(133m 
)とクロロホルム(67m)に溶かし、この溶液に樹脂
(50り)を入れ、室温で1時間、その後90℃で48
時間加熱遠流しIこ。樹脂を消削し、■タノール、酢酸
、水、メタノールで洗い、30℃以下、真空中で乾燥し
た。
fl OCG 1y−−樹脂(55,7g20.311
111101  Gly)を700 rrr(l固相法
反応容器に入れ、以下のように、!1;)保護、中和、
カップリングの]−程を繰り返すことによって、順次新
しいアミノ酸残基を導入しIこ。
1) :1hOIlll!のC)−120j 2で3分
間、3回洗った。
2)5%1〜リフルオロ酢M/Cl12Cl) 2 3
50@ljで、3分間と20分間、2回処即してBOC
(!11Mをはザシタ。3) 350mff17)CH
2C12r3分間、計81′Ij1洗ツタ。4)10%
トリ]ニチルアミン/c[12cfJ2350 mf!
で3分間と10分間2回処伸して、中和した。
!i) 350gdlのCH2O,02で3分間、計5
回洗った。
6)60.8mmolノBOC7ミ/11m、!= 2
50i(!(7)C)12CfJ2を加え、10分間t
fP合した。7)60.81 mmolのDCCどC1
12cβ2 (10011Ifりを加え、2時間反応さ
せた。8) 350#li!(7)CH2(j! 2 
r3分間、計5回洗った。この操作をくり返すことによ
って、BQCAla、BOCGIL BOC)lyp(
OBzl) 、 BOC−Pro、 3−’)x二)L
tプロヒオン酸を導入した。この樹脂を30℃Iズ下、
真空中で乾燥し、フッ化水素反応容器に入れアニソール
(10ae)を加えた。無水フッ化水素酸100mIl
を入れ、0℃で1時間反応さけた後、過剰のフッ化水素
酸を除いた。残渣にメタノールを加えよく洗った後、濾
過によって樹脂を除き、消液を濃縮して、油状物(89
)を1% t=、さらにシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(クロロホルム:メタノール−4=1)により精
製し、表記化合物(4,39)を得た。
111  NMIで(Me oll d4+CI〕CI
I 3)δ:1.4Hd 、  J = 711z、 
 3 Ll ) 、  1.5〜2.4(m、6LI)
、  2.5〜3.1 (rn、  41−1 ) 。
3.2へ 4.7(m、11N)、  6.8(s、5
1−1>、  KBr I R、v     3300. 1635 (hr、
)CIl+−’Ill a X 実施例 3 実施例1−(4)においてN−3−(4−benzyl
oxyphenyl  ) propvl−l−−pr
oline N −hydroxy succinim
ide esterを用いる以外は同様の操作を繰り返
して第1表の化合物(ii)を得た。
実施例 4 実施例2におい’C、fl OC−P roのかわりに
、N−3−phenvlpropyl −1−prol
ineを用いる以外1ま同様の操作を繰り返して第1表
の化合物(it−一 〇 )  を I  /、: 。
実験例 1 (面小椴凝集抑制作用) 38%り一1ン酸ノトリウム溶液を入れた注射器を用い
、ラッ1〜の股部動脈より白液を採取する。
この白液(クエン酸す1〜リウム:白液−1:9)を1
0分間遠心分離し、面小板に富む而’Iff(PRIG
)をIする。
このPRPをキコベットに入れ、37℃恒温槽で2分間
加温し、実施例1で得た化合物の各種m度の溶液(1,
5mM  f三I)T△をトリス−HCn g衝液−塩
化ナトリウム溶液(1:5)で・希釈)を加えて3分間
インキュベートした後、CaイオノフA 7A−231
87(I1mlflffi4 μM) 又ハフyキトン
酸(1mM>又はトnンヒン(0,8LJ/*ff) 
’1lII工、面小板凝集を測定した。
イ1お、凝集誘起剤どしてアラ:1トン酸を用いるどき
は、りTン酸ノトリウム溶液のかわりにヘパリンフトリ
ウム溶液を用いた。結果は、図1、図2及び図3に示ψ
通りであり、本発明化合物は、約1018の効果を示し
た。
実験例 2 (急性青竹) 第1表に記載の化合物(1g/4g)をマウス(1群3
匹)に、峰[]、囮腔又は静脈内投与したが、金側にお
いて、Y4常行動及び死亡例は認められなかった。
[作用・効果] 本発明の一般式(T)のベブタイド誘導体は、従来既知
の化合物に比して著しい面小板凝集抑制作用を有し、抗
面小板剤としての使用が可能である。
当該ペプタイド誘導体を抗面小板剤として使用する場合
には、注m剤の他、錠剤、カプセル剤、散剤などの経口
剤としても製剤化される。
当該ペプタイド誘導体の投与間は、例えば通常成人i 
日l JIIg ヘ−1000mg稈mである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、ラッi−P P Pのアラキドン酸誘発凝集
に関して、P(コントロール) 、l−I P (本発
明化合物:実施例1)の試験管内での■害作用を示寸グ
ラフである。 第2図は、ラッ]・P Rl)のトロンビン誘発凝集に
関して、P、1−IPの試験管内でのM害作用を示すグ
ラフである。 第3図は、ラット洗浄血小板(washed−Plat
elet )のA −23187誘発凝集に関して+1
.HPの試験管内での用害作用を示づグラフである。 :′[続ネ市丁F tl、J 昭和61年 1月 6日 持給庁艮官 殿 1、 小1′1の表示 11i14’llに(−1([’15i’l願第198
606弓2、 発明の名称 ペア9−(F;J、”/f本 3、 補正をする考 事1!1どの関係: 特許出願人 名称二  株式合判ミドリ十字 6、 補旧こより増加りる発明の数二 〇7、 補1F
−の対象: 明細1の[発明の汀線な5;!明、1の欄
1) 明細J(1第3C1第6行目、[[22は親木性
基1の後に[Proは力1リノロ1本、l l V l
−’1 G、I:ハイド114シゾ「1リル1.(」を
加入J 6゜IJ:Il/\1どhli+I ifる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 R_1−Pro−Hyp−R_2 〔式中R_1は疎水性基、R_2は親水性基を示す。〕
    で表わされるペプタイド誘導体。
  2. (2)親水性基が−Gly(グリシン)−Ala(アラ
    ニン)−Glyで表される特許請求の範囲第(1)項記
    載のペプタイド誘導体。
  3. (3)疎水性基が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中XはC>CO、>COOH >CH_2、R_3は−OH、−H、nは1〜8を示す
    。〕 で表される特許請求の範囲第(1)又は(2)項記載の
    ペプタイド誘導体。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0492844A2 (en) 1990-12-19 1992-07-01 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for forming a light beam
US5298365A (en) * 1990-03-20 1994-03-29 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US5342713A (en) * 1990-06-21 1994-08-30 Oki Electric Industry Co., Ltd. Phase shifting mask
US5378585A (en) * 1990-06-25 1995-01-03 Matsushita Electronics Corporation Resist composition having a siloxane-bond structure
US5411824A (en) * 1993-01-21 1995-05-02 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging
US5418095A (en) * 1993-01-21 1995-05-23 Sematech, Inc. Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process
US5472811A (en) * 1993-01-21 1995-12-05 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission
US5480746A (en) * 1991-10-01 1996-01-02 Oki Electric Industry Co., Ltd. Photomask and method of forming resist pattern using the same
US5546225A (en) * 1991-08-22 1996-08-13 Nikon Corporation High resolution printing technique by using improved mask pattern and improved illumination system
US5578402A (en) * 1990-06-21 1996-11-26 Matsushita Electronics Corporation Photomask used by photolithography and a process of producing same
US5629113A (en) * 1990-06-21 1997-05-13 Matsushita Electronics Corporation Photomask used by photolithography and a process of producing same
EP0773477A1 (en) 1990-09-21 1997-05-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Phase shift layer - containing photomask, and its production and correction
US5691115A (en) * 1992-06-10 1997-11-25 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US5786112A (en) * 1995-06-19 1998-07-28 Hitachi, Ltd. Photomask manufacturing process and semiconductor integrated circuit device manufacturing process using the photomask
US6503669B2 (en) 2000-02-16 2003-01-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank, photomask and method of manufacture
US6780547B2 (en) 2000-04-04 2004-08-24 Dainippon Printing Co., Ltd. Halftone phase shifting photomask and blanks for halftone phase shifting photomask therefor and a method for forming pattern by using the halftone phase shifting photomask

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7585839B2 (en) 2000-02-23 2009-09-08 Zealand Pharma A/S Medical uses of intercellular communication facilitating compounds
WO2001062775A2 (en) * 2000-02-23 2001-08-30 Zealand Pharma A/S Novel antiarrhythmic peptides
US7250397B2 (en) 2000-02-23 2007-07-31 Zealand Pharma A/S Antiarrhythmic peptides
AU2006332945C1 (en) 2005-12-23 2013-02-28 Wyeth Modified lysine-mimetic compounds
JP2010533690A (ja) * 2007-07-15 2010-10-28 ジーランド・ファーマ・ア/エス ペプチドギャップ結合モジュレーター
DK3618847T3 (da) 2017-05-05 2021-05-25 Boston Medical Ct Corp GAP-junction-modulatorer af intercellulær kommunikation og deres anvendelse til behandling af diabetisk øjensygdom
WO2023118366A1 (en) 2021-12-22 2023-06-29 Breye Therapeutics Aps Gap junction modulators and their use for the treatment of age-related macular degeneration

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA787917A (en) * 1968-06-18 Vogler Karl Peptides and process for the manufacture thereof
JPS6028991A (ja) * 1983-07-13 1985-02-14 Ajinomoto Co Inc アミノ酸誘導体およびこれを含有する降圧剤
EP1278137A1 (en) * 2001-07-19 2003-01-22 Semiconductor Ideas to The Market (ItoM) BV A method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5455144A (en) * 1990-03-20 1995-10-03 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US5298365A (en) * 1990-03-20 1994-03-29 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US6794118B2 (en) 1990-03-20 2004-09-21 Renesas Technology Corp. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US6153357A (en) * 1990-03-20 2000-11-28 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US5753416A (en) * 1990-03-20 1998-05-19 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US5667941A (en) * 1990-03-20 1997-09-16 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
US5578402A (en) * 1990-06-21 1996-11-26 Matsushita Electronics Corporation Photomask used by photolithography and a process of producing same
US5629113A (en) * 1990-06-21 1997-05-13 Matsushita Electronics Corporation Photomask used by photolithography and a process of producing same
US5342713A (en) * 1990-06-21 1994-08-30 Oki Electric Industry Co., Ltd. Phase shifting mask
US5547808A (en) * 1990-06-25 1996-08-20 Matsushita Electronics Corporation Resist composition having a siloxane-bond structure
US5554465A (en) * 1990-06-25 1996-09-10 Matsushita Electronics Corporation Process for forming a pattern using a resist composition having a siloxane-bond structure
US5378585A (en) * 1990-06-25 1995-01-03 Matsushita Electronics Corporation Resist composition having a siloxane-bond structure
EP0773477A1 (en) 1990-09-21 1997-05-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Phase shift layer - containing photomask, and its production and correction
US5973785A (en) * 1990-12-19 1999-10-26 Hitachi, Ltd. Method of forming light beam, apparatus therefor, method of measuring sizes using the same, method of inspecting appearance, method of measuring height, method of exposure, and method of fabricating semiconductor integrated circuits
EP0492844A2 (en) 1990-12-19 1992-07-01 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for forming a light beam
US5546225A (en) * 1991-08-22 1996-08-13 Nikon Corporation High resolution printing technique by using improved mask pattern and improved illumination system
US5480746A (en) * 1991-10-01 1996-01-02 Oki Electric Industry Co., Ltd. Photomask and method of forming resist pattern using the same
US5932395A (en) * 1992-06-10 1999-08-03 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US6020109A (en) * 1992-06-10 2000-02-01 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US5691115A (en) * 1992-06-10 1997-11-25 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US5472811A (en) * 1993-01-21 1995-12-05 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission
US5411824A (en) * 1993-01-21 1995-05-02 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging
US5418095A (en) * 1993-01-21 1995-05-23 Sematech, Inc. Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process
US5786112A (en) * 1995-06-19 1998-07-28 Hitachi, Ltd. Photomask manufacturing process and semiconductor integrated circuit device manufacturing process using the photomask
US6503669B2 (en) 2000-02-16 2003-01-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank, photomask and method of manufacture
US6780547B2 (en) 2000-04-04 2004-08-24 Dainippon Printing Co., Ltd. Halftone phase shifting photomask and blanks for halftone phase shifting photomask therefor and a method for forming pattern by using the halftone phase shifting photomask

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EP0214659A3 (en) 1988-07-27
US4775743A (en) 1988-10-04

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