JP2001305713A - フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク - Google Patents
フォトマスク用ブランクス及びフォトマスクInfo
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 透明基板上に少なくとも一層の遮光膜と
少なくとも一層の反射防止膜とを有するフォトマスク用
ブランクスにおいて、上記遮光膜及び反射防止膜の全て
がＣｒＣＯ層若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣＯ層とＣ
ｒＣＯＮ層とを組合せた複合層から形成されてなること
を特徴とするフォトマスク用ブランクス及びフォトマス
ク。 【効果】 本発明によれば、膜応力が小さくなり、成膜
前後の基板のそりを低減することができ、歪みのない正
確なパターン形成が可能となる。
少なくとも一層の反射防止膜とを有するフォトマスク用
ブランクスにおいて、上記遮光膜及び反射防止膜の全て
がＣｒＣＯ層若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣＯ層とＣ
ｒＣＯＮ層とを組合せた複合層から形成されてなること
を特徴とするフォトマスク用ブランクス及びフォトマス
ク。 【効果】 本発明によれば、膜応力が小さくなり、成膜
前後の基板のそりを低減することができ、歪みのない正
確なパターン形成が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィーに用いるフォトマスク用ブランクス及びフォトマス
クに関し、更に詳述すると、ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等の高密
度半導体集積回路、ＣＣＤ(電荷結合素子)，ＬＣＤ（液
晶表示素子）用のカラーフィルター及び磁気ヘッド等の
微細加工に好適に用いられるフォトマスク用ブランクス
及びフォトマスクに関する。
ィーに用いるフォトマスク用ブランクス及びフォトマス
クに関し、更に詳述すると、ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等の高密
度半導体集積回路、ＣＣＤ(電荷結合素子)，ＬＣＤ（液
晶表示素子）用のカラーフィルター及び磁気ヘッド等の
微細加工に好適に用いられるフォトマスク用ブランクス
及びフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等の高密度半導
体集積回路、ＣＣＤ(電荷結合素子)，ＬＣＤ（液晶表示
素子）用のカラーフィルター、及び磁気ヘッド等の微細
加工には、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー
技術が用いられている。
体集積回路、ＣＣＤ(電荷結合素子)，ＬＣＤ（液晶表示
素子）用のカラーフィルター、及び磁気ヘッド等の微細
加工には、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー
技術が用いられている。
【０００３】上記フォトマスクとしては、石英ガラス、
アルミノシリケートガラス等の透明な基板上に、通常ク
ロム系の遮光膜をスパッタリング法又は真空蒸着法等に
より成膜したフォトマスク用ブランクスの遮光膜に所定
のパターンを形成したフォトマスクが用いられている。
アルミノシリケートガラス等の透明な基板上に、通常ク
ロム系の遮光膜をスパッタリング法又は真空蒸着法等に
より成膜したフォトマスク用ブランクスの遮光膜に所定
のパターンを形成したフォトマスクが用いられている。
【０００４】このようなフォトマスクは、基板上にクロ
ム系の遮光膜を成膜したフォトマスク用ブランクスに、
フォトレジストや電子線レジストを塗布した後、所定の
パターンに選択的に露光し、現像工程、リンス工程及び
乾燥工程を経てレジストパターンを形成する。次いでこ
のレジストパターンをマスクして、硝酸セリウムアンモ
ニウムと過塩素酸の混合水溶液からなるエッチング液を
用いてウエットエッチングを行うか、又は塩素系ガスを
用いたドライエッチングを行うことによりマスクされて
いない部分のクロム系膜を除去し、その後レジストを除
去することにより遮光部と透光部とからなる所定のパタ
ーンを有するフォトマスクを形成することができる。
ム系の遮光膜を成膜したフォトマスク用ブランクスに、
フォトレジストや電子線レジストを塗布した後、所定の
パターンに選択的に露光し、現像工程、リンス工程及び
乾燥工程を経てレジストパターンを形成する。次いでこ
のレジストパターンをマスクして、硝酸セリウムアンモ
ニウムと過塩素酸の混合水溶液からなるエッチング液を
用いてウエットエッチングを行うか、又は塩素系ガスを
用いたドライエッチングを行うことによりマスクされて
いない部分のクロム系膜を除去し、その後レジストを除
去することにより遮光部と透光部とからなる所定のパタ
ーンを有するフォトマスクを形成することができる。
【０００５】この場合、クロム系の遮光膜は光反射率が
大きく、被露光物である半導体基板で反射した光が投影
レンズを通ってフォトマスクで反射し、再び半導体基板
に戻ることを防止するため、遮光膜の表面、表面及び裏
面に反射防止膜を通常形成している。
大きく、被露光物である半導体基板で反射した光が投影
レンズを通ってフォトマスクで反射し、再び半導体基板
に戻ることを防止するため、遮光膜の表面、表面及び裏
面に反射防止膜を通常形成している。
【０００６】このような反射防止膜を有するフォトマス
ク及びフォトマスク用ブランクスとしては、透明基板上
に、反射防止膜としてクロム炭化物及びクロム窒化物を
含有するクロム炭化窒化物膜と、遮光膜としてクロム膜
と、クロム炭化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭
化窒化物膜とを順次積層したフォトマスクブランクが提
案されている（特公昭６２−３７３８５号公報）。ま
た、反射防止膜としてＣｒＯＮを用いたもの（特公昭６
１−４６８２１号公報、特公昭６２−３２７８２号公
報）、反射防止膜としてＣｒＮを用いたもの(特公昭６
２−２７３８６号公報、特公昭６２−２７３８７号公
報)などが提案されている。また、遮光膜としてＣｒを
用いたもの（特公昭６１−４６８２１号公報）、遮光膜
としてＣｒＣを用いたもの（特公昭６２−２７３８７号
公報）などが提案されている。
ク及びフォトマスク用ブランクスとしては、透明基板上
に、反射防止膜としてクロム炭化物及びクロム窒化物を
含有するクロム炭化窒化物膜と、遮光膜としてクロム膜
と、クロム炭化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭
化窒化物膜とを順次積層したフォトマスクブランクが提
案されている（特公昭６２−３７３８５号公報）。ま
た、反射防止膜としてＣｒＯＮを用いたもの（特公昭６
１−４６８２１号公報、特公昭６２−３２７８２号公
報）、反射防止膜としてＣｒＮを用いたもの(特公昭６
２−２７３８６号公報、特公昭６２−２７３８７号公
報)などが提案されている。また、遮光膜としてＣｒを
用いたもの（特公昭６１−４６８２１号公報）、遮光膜
としてＣｒＣを用いたもの（特公昭６２−２７３８７号
公報）などが提案されている。
【０００７】また、解像度を上げるためにハーフトーン
膜を形成した上にクロム系膜を形成したフォトマスク用
ブランクスも実用化されている。
膜を形成した上にクロム系膜を形成したフォトマスク用
ブランクスも実用化されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、フォトマス
クはパターンを正確に転写するためには、基板が平坦で
あることが強く要求されるが、いかに平坦な基板を用い
ても、この基板上に２層又は３層以上の複数層のクロム
系膜を形成すると、これら複数層のクロム系膜自体の膜
応力が大きくなり、成膜前後で基板がそってしまい、表
面平坦性が低下するという問題がある。また、膜自体の
応力により表面平坦度が変化した基板は、この時点では
平坦であっても、その後、クロム系膜にパターンを形成
してクロム系膜を除去すると、これにより基板の平坦度
が変化して、基板がそってしまい、このようなフォトマ
スクからシリコン基板等の上にマスクパターンを転写す
ると所定のパターンから歪みを生じてしまうという問題
がある。
クはパターンを正確に転写するためには、基板が平坦で
あることが強く要求されるが、いかに平坦な基板を用い
ても、この基板上に２層又は３層以上の複数層のクロム
系膜を形成すると、これら複数層のクロム系膜自体の膜
応力が大きくなり、成膜前後で基板がそってしまい、表
面平坦性が低下するという問題がある。また、膜自体の
応力により表面平坦度が変化した基板は、この時点では
平坦であっても、その後、クロム系膜にパターンを形成
してクロム系膜を除去すると、これにより基板の平坦度
が変化して、基板がそってしまい、このようなフォトマ
スクからシリコン基板等の上にマスクパターンを転写す
ると所定のパターンから歪みを生じてしまうという問題
がある。
【０００９】近年、半導体集積回路装置における高集積
化、微細化が進み、半導体基板上に形成される回路パタ
ーンの微細化に伴って、フォトマスク上のパターンの微
細化も急速に進んで来ていることから、上記のような膜
応力による成膜前後での基板のそりの発生により、所望
とする位置と異なった位置にパターンが形成されてしま
うことが、大きな問題となってきている。また、この基
板のそりによる位置の変化は、特にパターンが微細なも
のほどその割合が大きく、更に深刻な問題となってい
る。
化、微細化が進み、半導体基板上に形成される回路パタ
ーンの微細化に伴って、フォトマスク上のパターンの微
細化も急速に進んで来ていることから、上記のような膜
応力による成膜前後での基板のそりの発生により、所望
とする位置と異なった位置にパターンが形成されてしま
うことが、大きな問題となってきている。また、この基
板のそりによる位置の変化は、特にパターンが微細なも
のほどその割合が大きく、更に深刻な問題となってい
る。
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、透明基板上に形成された遮光膜及び反射防止膜自体
の膜応力による成膜前後での基板のそりが無く、所望と
する微細なパターンを歪みなく正確に形成することが可
能な高性能なフォトマスク用ブランクス及びフォトマス
クを提供することを目的とする。
で、透明基板上に形成された遮光膜及び反射防止膜自体
の膜応力による成膜前後での基板のそりが無く、所望と
する微細なパターンを歪みなく正確に形成することが可
能な高性能なフォトマスク用ブランクス及びフォトマス
クを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、透明基板上に少なくとも一層の遮光膜と少なくとも
一層の反射防止膜とを有するフォトマスク又はフォトマ
スク用ブランクスにおいて、上記遮光膜及び反射防止膜
の全てがＣｒＣＯ層若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣＯ
層とＣｒＣＯＮ層とを組合せた複合層から形成すること
により、これらＣｒＣＯＮ層及びＣｒＣＯ層は従来のＣ
ｒ膜に比べて膜応力が小さく、遮光膜及び反射防止膜の
成膜前後での基板のそり量の変化が非常に小さく、表面
平坦度の高いフォトマスク用ブランクス及びフォトマス
クが得られることを知見した。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、透明基板上に少なくとも一層の遮光膜と少なくとも
一層の反射防止膜とを有するフォトマスク又はフォトマ
スク用ブランクスにおいて、上記遮光膜及び反射防止膜
の全てがＣｒＣＯ層若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣＯ
層とＣｒＣＯＮ層とを組合せた複合層から形成すること
により、これらＣｒＣＯＮ層及びＣｒＣＯ層は従来のＣ
ｒ膜に比べて膜応力が小さく、遮光膜及び反射防止膜の
成膜前後での基板のそり量の変化が非常に小さく、表面
平坦度の高いフォトマスク用ブランクス及びフォトマス
クが得られることを知見した。
【００１２】即ち、本発明は、下記のフォトマスク用ブ
ランクス及びフォトマスクを提供する。
ランクス及びフォトマスクを提供する。
【００１３】請求項１：透明基板上に少なくとも一層の
遮光膜と少なくとも一層の反射防止膜とを有するフォト
マスク用ブランクスにおいて、上記遮光膜及び反射防止
膜の全てがＣｒＣＯ層若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣ
Ｏ層とＣｒＣＯＮ層とを組合せた複合層から形成されて
なることを特徴とするフォトマスク用ブランクス。 請求項２：基板側から順次形成された遮光膜としてＣｒ
ＣＯ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請求項
１記載のフォトマスク用ブランクス。 請求項３：基板側から順次形成された遮光膜としてＣｒ
ＣＯＮ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請求
項１記載のフォトマスク用ブランクス。 請求項４：基板側から順次形成された第１の反射防止膜
としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯ層、第２の
反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請求項１記載の
フォトマスク用ブランクス。 請求項５：基板側から順次形成された第１の反射防止膜
としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、第２
の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請求項１記載
のフォトマスク用ブランクス。 請求項６：遮光膜及び反射防止膜を合せた膜全体の膜応
力が０．２ＧＰａ以下である請求項１乃至５のいずれか
１項記載のフォトマスク用ブランクス。 請求項７：遮光膜及び反射防止膜を成膜前後での基板の
そりの変化量が０．２μｍ以下である請求項１乃至６の
いずれか１項記載のフォトマスク用ブランクス。 請求項８：請求項１乃至７のいずれか１項記載のフォト
マスク用ブランクスをリソグラフィ法によりパターン形
成して得られることを特徴とするフォトマスク。
遮光膜と少なくとも一層の反射防止膜とを有するフォト
マスク用ブランクスにおいて、上記遮光膜及び反射防止
膜の全てがＣｒＣＯ層若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣ
Ｏ層とＣｒＣＯＮ層とを組合せた複合層から形成されて
なることを特徴とするフォトマスク用ブランクス。 請求項２：基板側から順次形成された遮光膜としてＣｒ
ＣＯ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請求項
１記載のフォトマスク用ブランクス。 請求項３：基板側から順次形成された遮光膜としてＣｒ
ＣＯＮ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請求
項１記載のフォトマスク用ブランクス。 請求項４：基板側から順次形成された第１の反射防止膜
としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯ層、第２の
反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請求項１記載の
フォトマスク用ブランクス。 請求項５：基板側から順次形成された第１の反射防止膜
としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、第２
の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請求項１記載
のフォトマスク用ブランクス。 請求項６：遮光膜及び反射防止膜を合せた膜全体の膜応
力が０．２ＧＰａ以下である請求項１乃至５のいずれか
１項記載のフォトマスク用ブランクス。 請求項７：遮光膜及び反射防止膜を成膜前後での基板の
そりの変化量が０．２μｍ以下である請求項１乃至６の
いずれか１項記載のフォトマスク用ブランクス。 請求項８：請求項１乃至７のいずれか１項記載のフォト
マスク用ブランクスをリソグラフィ法によりパターン形
成して得られることを特徴とするフォトマスク。
【００１４】本発明によれば、透明基板上にＣｒＣＯ層
若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣＯ層とＣｒＣＯＮ層と
を組合せた複合層からなる遮光膜及び反射防止膜を有す
るフォトマスク用ブランクス及びフォトマスクは、その
膜応力が極めて小さいため、遮光膜及び反射防止膜を成
膜後に基板のそりが生じることがなく、所望とする微細
なパターンを歪みが生じることなく正確に形成すること
ができ、更なる半導体集積回路装置における高集積化、
微細化に十分対応することができるものである。
若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣＯ層とＣｒＣＯＮ層と
を組合せた複合層からなる遮光膜及び反射防止膜を有す
るフォトマスク用ブランクス及びフォトマスクは、その
膜応力が極めて小さいため、遮光膜及び反射防止膜を成
膜後に基板のそりが生じることがなく、所望とする微細
なパターンを歪みが生じることなく正確に形成すること
ができ、更なる半導体集積回路装置における高集積化、
微細化に十分対応することができるものである。
【００１５】また、本発明のＣｒＣＯ膜及びＣｒＣＯＮ
膜は、スパッタガスとしてＣＯより安全なＣＯ2を用い
て成膜することができ、このＣＯ2ガスは酸素ガス等よ
り反応性が低いが故に、チャンバー内の広範囲に均一に
ガスが回り込むことができ、成膜されるＣｒＣＯ膜及び
ＣｒＣＯＮ膜の膜質が均一となるものである。
膜は、スパッタガスとしてＣＯより安全なＣＯ2を用い
て成膜することができ、このＣＯ2ガスは酸素ガス等よ
り反応性が低いが故に、チャンバー内の広範囲に均一に
ガスが回り込むことができ、成膜されるＣｒＣＯ膜及び
ＣｒＣＯＮ膜の膜質が均一となるものである。
【００１６】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のフォトマスク用ブランクスは、図１，３に示し
たように、石英、ＣａＦ2等の露光光が透過する基板１
上に、少なくとも一層の遮光膜３と少なくとも一層の反
射防止膜２を有し、これら遮光膜３及び反射防止膜２の
全てがＣｒＣＯ層若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣＯ層
とＣｒＣＯＮ層とを組合せた複合層から形成されてなる
ものである。
本発明のフォトマスク用ブランクスは、図１，３に示し
たように、石英、ＣａＦ2等の露光光が透過する基板１
上に、少なくとも一層の遮光膜３と少なくとも一層の反
射防止膜２を有し、これら遮光膜３及び反射防止膜２の
全てがＣｒＣＯ層若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣＯ層
とＣｒＣＯＮ層とを組合せた複合層から形成されてなる
ものである。
【００１７】この場合、図１に示したように、遮光膜が
一層、反射防止膜が一層の合計二層構造のフォトマスク
用ブランクスの場合、基板の上に遮光膜、この遮光膜の
上に反射防止膜を順次形成することが好ましい。
一層、反射防止膜が一層の合計二層構造のフォトマスク
用ブランクスの場合、基板の上に遮光膜、この遮光膜の
上に反射防止膜を順次形成することが好ましい。
【００１８】このような二層構造膜としては、遮光膜
としてＣｒＣＯＮ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、
遮光膜としてＣｒＣＯ層、反射防止膜としてＣｒＣＯ
層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、反射防止膜としてＣ
ｒＣＯ層、遮光膜としてＣｒＣＯ層、反射防止膜とし
てＣｒＣＯＮ層、合計４種類のパターンをとることがで
きる。これらの中でも、基板側から順次形成された遮
光膜としてＣｒＣＯＮ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ
層からなるもの、基板側から順次形成された遮光膜と
してＣｒＣＯ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からな
るものが好ましい。
としてＣｒＣＯＮ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、
遮光膜としてＣｒＣＯ層、反射防止膜としてＣｒＣＯ
層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、反射防止膜としてＣ
ｒＣＯ層、遮光膜としてＣｒＣＯ層、反射防止膜とし
てＣｒＣＯＮ層、合計４種類のパターンをとることがで
きる。これらの中でも、基板側から順次形成された遮
光膜としてＣｒＣＯＮ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ
層からなるもの、基板側から順次形成された遮光膜と
してＣｒＣＯ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からな
るものが好ましい。
【００１９】また、図３に示したような、遮光膜が一
層、反射防止膜が二層の合計三層構造のフォトマスク用
ブランクスの場合、基板面の上に第１の反射防止膜、こ
の第１反射防止膜の上に遮光膜、この遮光膜の上に第２
の反射防止膜を順次形成することが好ましい。
層、反射防止膜が二層の合計三層構造のフォトマスク用
ブランクスの場合、基板面の上に第１の反射防止膜、こ
の第１反射防止膜の上に遮光膜、この遮光膜の上に第２
の反射防止膜を順次形成することが好ましい。
【００２０】このような３層構造膜としては、第１反
射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ
層、第２反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、第１反射防
止膜としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯ層、第
２反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、第１反射防止膜と
してＣｒＣＯ層、遮光膜としてＣｒＣＯ層、第２反射防
止膜としてＣｒＣＯ層、第１反射防止膜としてＣｒＣ
Ｏ層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、第２反射防止膜とし
てＣｒＣＯ層、第１反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、
遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、第２反射防止膜としてＣｒ
ＣＯ層、第１反射防止膜としてＣｒＣＯ層、遮光膜と
してＣｒＣＯ層、第２反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、
第１反射防止膜としてＣｒＣＯ層、遮光膜としてＣｒ
ＣＯＮ層、第２反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、第１
反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯ
層、第２反射防止膜としてＣｒＣＯ層、合計８種類のパ
ターンをとることができる。これらの中でも、基板側
から順次形成された第１の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ
層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、第２の反射防止膜とし
てＣｒＣＯＮ層からなるもの、基板側から順次形成さ
れた第１の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜とし
てＣｒＣＯ層、第２の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層か
らなるものが好ましい。
射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ
層、第２反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、第１反射防
止膜としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯ層、第
２反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、第１反射防止膜と
してＣｒＣＯ層、遮光膜としてＣｒＣＯ層、第２反射防
止膜としてＣｒＣＯ層、第１反射防止膜としてＣｒＣ
Ｏ層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、第２反射防止膜とし
てＣｒＣＯ層、第１反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、
遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、第２反射防止膜としてＣｒ
ＣＯ層、第１反射防止膜としてＣｒＣＯ層、遮光膜と
してＣｒＣＯ層、第２反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、
第１反射防止膜としてＣｒＣＯ層、遮光膜としてＣｒ
ＣＯＮ層、第２反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、第１
反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯ
層、第２反射防止膜としてＣｒＣＯ層、合計８種類のパ
ターンをとることができる。これらの中でも、基板側
から順次形成された第１の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ
層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、第２の反射防止膜とし
てＣｒＣＯＮ層からなるもの、基板側から順次形成さ
れた第１の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜とし
てＣｒＣＯ層、第２の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層か
らなるものが好ましい。
【００２１】上記ＣｒＣＯ膜の組成は、Ｃが１原子％以
上２０原子％以下、Ｏが５原子％以上６０原子％以下、
残りがＣｒであることが好ましい。上記ＣｒＣＯＮ膜の
組成は、Ｃが１原子％以上２０原子％以下、Ｏが５原子
％以上６０原子％以下、Ｎが１原子％以上６０原子％以
下、残りがＣｒであることが好ましい。なお、反射防止
膜の厚みはステッパー等の露光器に用いる光の波長を
λ、膜の屈折率をｎとするとλ／４ｎ程度とすればよ
い。遮光膜の厚みは光を十分遮光できる膜厚にすればよ
く、通常３０〜１５０ｎｍ程度である。
上２０原子％以下、Ｏが５原子％以上６０原子％以下、
残りがＣｒであることが好ましい。上記ＣｒＣＯＮ膜の
組成は、Ｃが１原子％以上２０原子％以下、Ｏが５原子
％以上６０原子％以下、Ｎが１原子％以上６０原子％以
下、残りがＣｒであることが好ましい。なお、反射防止
膜の厚みはステッパー等の露光器に用いる光の波長を
λ、膜の屈折率をｎとするとλ／４ｎ程度とすればよ
い。遮光膜の厚みは光を十分遮光できる膜厚にすればよ
く、通常３０〜１５０ｎｍ程度である。
【００２２】本発明のフォトマスク用ブランクスにおい
ては、遮光膜及び反射防止膜を合せた膜全体の膜応力が
０．２ＧＰａ以下であることが好ましく、特に０〜０．
１ＧＰａであることが好ましい。膜応力が０．２ＧＰａ
を超えると強い膜応力のために成膜前後で基板にそりが
生じてしまい、正確なパターンを転写することができな
くなる場合がある。またこのように膜応力が小さいが故
に、例えば６”角基板において遮光膜及び反射防止膜を
成膜前後の基板のそりの変化量が０．２μｍ以下、好ま
しくは０〜０．１μｍである。
ては、遮光膜及び反射防止膜を合せた膜全体の膜応力が
０．２ＧＰａ以下であることが好ましく、特に０〜０．
１ＧＰａであることが好ましい。膜応力が０．２ＧＰａ
を超えると強い膜応力のために成膜前後で基板にそりが
生じてしまい、正確なパターンを転写することができな
くなる場合がある。またこのように膜応力が小さいが故
に、例えば６”角基板において遮光膜及び反射防止膜を
成膜前後の基板のそりの変化量が０．２μｍ以下、好ま
しくは０〜０．１μｍである。
【００２３】このような本発明のクロム酸化炭化物（Ｃ
ｒＣＯ）又はクロム酸化窒化炭化物（ＣｒＣＯＮ）は、
ターゲットとしてクロムを用いた反応性スパッタ法によ
り、基板側から順次成膜することにより形成することが
できるものである。
ｒＣＯ）又はクロム酸化窒化炭化物（ＣｒＣＯＮ）は、
ターゲットとしてクロムを用いた反応性スパッタ法によ
り、基板側から順次成膜することにより形成することが
できるものである。
【００２４】スパッタ法としては、直流（ＤＣ）電源を
用いたものでも、高周波（ＲＦ）電源を用いたものでも
よく、またマグネトロンスパッタリング方式であって
も、コンベンショナル方式であってもよいが、ＤＣスパ
ッタの方が機構が単純である点で好ましい。また、マグ
ネトロンを用いた方が成膜速度が速くなり、生産性が向
上する点から好ましい。なお、成膜装置は通過型でも枚
葉型でも構わない。
用いたものでも、高周波（ＲＦ）電源を用いたものでも
よく、またマグネトロンスパッタリング方式であって
も、コンベンショナル方式であってもよいが、ＤＣスパ
ッタの方が機構が単純である点で好ましい。また、マグ
ネトロンを用いた方が成膜速度が速くなり、生産性が向
上する点から好ましい。なお、成膜装置は通過型でも枚
葉型でも構わない。
【００２５】具体的には、ＣｒＣＯＮ膜を成膜する場合
にはスパッタガスとしてはＣＨ4，ＣＯ2，ＣＯ等の炭素
を含むガスと、ＮＯ，ＮＯ2，Ｎ2等の窒素を含むガス
と、ＣＯ2，ＮＯ，Ｏ2等の酸素を含むガスをそれぞれ１
種以上を導入するか、これらにＡｒ，Ｎｅ，Ｋｒ等の不
活性ガスを混合したガスを用いることもできる。特に、
炭素源及び酸素源ガスとしてＣＯ2ガスを用いることが
基板面内均一性、製造時の制御性の点から好ましい。導
入方法としては各種スパッタガスを別々にチャンバー内
に導入してもよいし、いくつかのガスをまとめて又は全
てのガスを混合して導入してもよい。
にはスパッタガスとしてはＣＨ4，ＣＯ2，ＣＯ等の炭素
を含むガスと、ＮＯ，ＮＯ2，Ｎ2等の窒素を含むガス
と、ＣＯ2，ＮＯ，Ｏ2等の酸素を含むガスをそれぞれ１
種以上を導入するか、これらにＡｒ，Ｎｅ，Ｋｒ等の不
活性ガスを混合したガスを用いることもできる。特に、
炭素源及び酸素源ガスとしてＣＯ2ガスを用いることが
基板面内均一性、製造時の制御性の点から好ましい。導
入方法としては各種スパッタガスを別々にチャンバー内
に導入してもよいし、いくつかのガスをまとめて又は全
てのガスを混合して導入してもよい。
【００２６】ＣｒＣＯ膜を成膜する場合にはスパッタガ
スとしてはＣＨ4，ＣＯ2，ＣＯ等の炭素を含むガスと、
ＣＯ2，Ｏ2等の酸素を含むガスをそれぞれ１種以上を導
入するか、これらにＡｒ，Ｎｅ，Ｋｒ等の不活性ガスを
混合したガスを用いることができる。特に、スパッタガ
スとしてＣＯ2又はＣＯ2と不活性ガスとの混合ガスを用
いると安全であり、ＣＯ2ガスは酸素等より反応性が低
いが故に、チャンバー内の広範囲に均一にガスが回り込
むことができ、成膜されるＣｒＣＯ膜の膜質が均一にな
る点から好ましい。導入方法としては別々にチャンバー
内に導入してもよいし、いくつかのガスをまとめて又は
全てのガスを混合して導入してもよい。
スとしてはＣＨ4，ＣＯ2，ＣＯ等の炭素を含むガスと、
ＣＯ2，Ｏ2等の酸素を含むガスをそれぞれ１種以上を導
入するか、これらにＡｒ，Ｎｅ，Ｋｒ等の不活性ガスを
混合したガスを用いることができる。特に、スパッタガ
スとしてＣＯ2又はＣＯ2と不活性ガスとの混合ガスを用
いると安全であり、ＣＯ2ガスは酸素等より反応性が低
いが故に、チャンバー内の広範囲に均一にガスが回り込
むことができ、成膜されるＣｒＣＯ膜の膜質が均一にな
る点から好ましい。導入方法としては別々にチャンバー
内に導入してもよいし、いくつかのガスをまとめて又は
全てのガスを混合して導入してもよい。
【００２７】ターゲットとしてはクロム単体だけでなく
クロムが主成分であればよく、酸素、窒素、炭素のいず
れかを含むクロム、又は酸素、窒素、炭素を組み合わせ
たものをクロムに添加したターゲットを用いても良い。
クロムが主成分であればよく、酸素、窒素、炭素のいず
れかを含むクロム、又は酸素、窒素、炭素を組み合わせ
たものをクロムに添加したターゲットを用いても良い。
【００２８】成膜に用いる基板には特に制約はなく、例
えば透明な石英、アルミノシリケートガラス、フッ化カ
ルシウム、フッ化マグネシウムなどを用いることができ
る。
えば透明な石英、アルミノシリケートガラス、フッ化カ
ルシウム、フッ化マグネシウムなどを用いることができ
る。
【００２９】なお、本発明のフォトマスク用ブランクス
の膜構成としてはＣｒ系の２層膜又は３層膜だけでな
く、４層構造膜とすることもできる。更に露光波長の位
相を変化させる位相シフター膜と組み合わせたものでも
よい。また、透過型だけでなく反射型マスクにも適応す
ることができる。
の膜構成としてはＣｒ系の２層膜又は３層膜だけでな
く、４層構造膜とすることもできる。更に露光波長の位
相を変化させる位相シフター膜と組み合わせたものでも
よい。また、透過型だけでなく反射型マスクにも適応す
ることができる。
【００３０】このようにして得られる本発明のフォトマ
スク用ブランクスを、リソグラフィー法によりパターン
形成することにより、図２，４に示したようなＣｒＣＯ
層とＣｒＣＯＮ層とからなる２層，３層構造のフォトマ
スクが得られる。この場合、遮光膜及び反射防止膜を成
膜前後又は膜除去前後での基板のそりの変化量が０．２
μｍ以下、好ましくは０〜０．１μｍであるため、歪み
のない正確なパターン形成が可能となるものである。
スク用ブランクスを、リソグラフィー法によりパターン
形成することにより、図２，４に示したようなＣｒＣＯ
層とＣｒＣＯＮ層とからなる２層，３層構造のフォトマ
スクが得られる。この場合、遮光膜及び反射防止膜を成
膜前後又は膜除去前後での基板のそりの変化量が０．２
μｍ以下、好ましくは０〜０．１μｍであるため、歪み
のない正確なパターン形成が可能となるものである。
【００３１】具体的には、本発明のフォトマスク用ブラ
ンクスを用いてフォトマスクを製造する場合は、図５
（Ａ）に示したように、上記のようにして基板１１上に
第１の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層（又はＣｒＣＯ
層）１２、遮光膜としてＣｒＣＯ層（又はＣｒＣＯＮ
層）１３、第２の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層（又は
ＣｒＣＯ層）１２を順次形成した後、レジスト膜１４を
形成し、図５（Ｂ）に示したように、レジスト膜１４を
パターニングし、更に図５（Ｃ）に示したように、第
１，２反射防止膜１２，１２、遮光膜１３をドライエッ
チング又はウエットエッチングした後、図５（Ｄ）に示
したように、レジスト膜１４を剥離する方法が採用し得
る。この場合、レジスト膜の塗布、パターニング（露
光、現像）、ドライエッチング又はウエットエッチン
グ、レジスト膜の除去は、公知の方法によって行うこと
ができる。
ンクスを用いてフォトマスクを製造する場合は、図５
（Ａ）に示したように、上記のようにして基板１１上に
第１の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層（又はＣｒＣＯ
層）１２、遮光膜としてＣｒＣＯ層（又はＣｒＣＯＮ
層）１３、第２の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層（又は
ＣｒＣＯ層）１２を順次形成した後、レジスト膜１４を
形成し、図５（Ｂ）に示したように、レジスト膜１４を
パターニングし、更に図５（Ｃ）に示したように、第
１，２反射防止膜１２，１２、遮光膜１３をドライエッ
チング又はウエットエッチングした後、図５（Ｄ）に示
したように、レジスト膜１４を剥離する方法が採用し得
る。この場合、レジスト膜の塗布、パターニング（露
光、現像）、ドライエッチング又はウエットエッチン
グ、レジスト膜の除去は、公知の方法によって行うこと
ができる。
【００３２】本発明のフォトマスクは、成膜前後の基板
のそりが生じることがなく、所望とする微細な幅のパタ
ーンを正確に形成することができ、更なる半導体集積回
路装置などにおける高集積化、微細化に十分対応するこ
とができるものである。
のそりが生じることがなく、所望とする微細な幅のパタ
ーンを正確に形成することができ、更なる半導体集積回
路装置などにおける高集積化、微細化に十分対応するこ
とができるものである。
【００３３】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
【００３４】〔実施例１〕６”の石英基板上にＣｒをタ
ーゲットにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を０．４ｓｃ
ｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１３０Ｗ、Ｄ
Ｃスパッタ法にてＣｒＣＯを７０ｎｍ成膜した。このＣ
ｒＣＯの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが
６９原子％、Ｃが１３原子％、Ｏが１８原子％含まれて
いた。
ーゲットにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を０．４ｓｃ
ｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１３０Ｗ、Ｄ
Ｃスパッタ法にてＣｒＣＯを７０ｎｍ成膜した。このＣ
ｒＣＯの膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが
６９原子％、Ｃが１３原子％、Ｏが１８原子％含まれて
いた。
【００３５】このＣｒＣＯ膜上にＣｒをターゲットにし
てＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃｃｍ，Ｎ2を
１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１
３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎｍ成膜
した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣＡにより分析し
た結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原
子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
てＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃｃｍ，Ｎ2を
１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１
３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎｍ成膜
した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣＡにより分析し
た結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原
子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
【００３６】２層膜の形成前後における基板のそりの変
化をＮＩＤＥＫのＦＴ−９００により測定したところ
０．０４μｍと非常に小さかった。また、そりの変化量
から計算で求めた２層膜全体の膜応力は０．０３ＧＰａ
であった。
化をＮＩＤＥＫのＦＴ−９００により測定したところ
０．０４μｍと非常に小さかった。また、そりの変化量
から計算で求めた２層膜全体の膜応力は０．０３ＧＰａ
であった。
【００３７】〔実施例２〕６”の石英基板上にＣｒをタ
ーゲットにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃ
ｃｍ，Ｎ2を１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮ
を２５ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣ
Ａにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子
％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
ーゲットにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃ
ｃｍ，Ｎ2を１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮ
を２５ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣ
Ａにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子
％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
【００３８】このＣｒＣＯＮ膜上にＣｒをターゲットに
してＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を０．４ｓｃｃｍ流し
て、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッ
タ法にてＣｒＣＯを７０ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯの
膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが６９原子
％、Ｃが１３原子％、Ｏが１８原子％含まれていた。
してＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を０．４ｓｃｃｍ流し
て、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッ
タ法にてＣｒＣＯを７０ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯの
膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが６９原子
％、Ｃが１３原子％、Ｏが１８原子％含まれていた。
【００３９】更にこのＣｒＣＯ膜上にＣｒをターゲット
にしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃｃｍ，Ｎ2
を１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、
１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎｍ成
膜し、クロムの３層膜を形成した。このＣｒＣＯＮの膜
組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２原子
％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含
まれていた。
にしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃｃｍ，Ｎ2
を１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、
１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎｍ成
膜し、クロムの３層膜を形成した。このＣｒＣＯＮの膜
組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２原子
％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含
まれていた。
【００４０】３層膜の形成前後における基板のそりの変
化を同様に測定したところ０．０３μｍと非常に小さか
った。また、同様に求めた３層膜全体の膜応力は０．０
２ＧＰａであった。
化を同様に測定したところ０．０３μｍと非常に小さか
った。また、同様に求めた３層膜全体の膜応力は０．０
２ＧＰａであった。
【００４１】〔実施例３〕６”の石英基板上にＣｒをタ
ーゲットにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃ
ｃｍ，Ｎ2を１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮ
を２５ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣ
Ａにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子
％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
ーゲットにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃ
ｃｍ，Ｎ2を１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮ
を２５ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣ
Ａにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子
％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
【００４２】このＣｒＣＯＮ膜上にＣｒをターゲットに
してＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を０．４ｓｃｃｍ，Ｎ2を
０．４ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１
３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを７０ｎｍ成膜
した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣＡにより分析し
た結果、Ｃｒが６３原子％、Ｃが８原子％、Ｏが２０原
子％、Ｎが９原子％含まれていた。
してＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を０．４ｓｃｃｍ，Ｎ2を
０．４ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１
３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを７０ｎｍ成膜
した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣＡにより分析し
た結果、Ｃｒが６３原子％、Ｃが８原子％、Ｏが２０原
子％、Ｎが９原子％含まれていた。
【００４３】更にこのＣｒＣＯＮ膜上にＣｒをターゲッ
トにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃｃｍ，
Ｎ2を１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐ
ａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎ
ｍ成膜し、クロムの３層膜を形成した。このＣｒＣＯＮ
の膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２原
子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％
含まれていた。
トにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃｃｍ，
Ｎ2を１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐ
ａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎ
ｍ成膜し、クロムの３層膜を形成した。このＣｒＣＯＮ
の膜組成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２原
子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％
含まれていた。
【００４４】３層膜の形成前後での基板のそりの変化を
同様に測定したところ０．０５μｍと非常に小さかっ
た。また、同様に求めた３層膜全体の膜応力は０．０４
ＧＰａであった。
同様に測定したところ０．０５μｍと非常に小さかっ
た。また、同様に求めた３層膜全体の膜応力は０．０４
ＧＰａであった。
【００４５】〔実施例４〕６”の石英基板上にＣｒをタ
ーゲットにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を０．４ｓｃ
ｃｍ、Ｎ2を０．４ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮ
を７０ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣ
Ａにより分析した結果、Ｃｒが６３原子％、Ｃが８原子
％、Ｏが２０原子％、Ｎが９原子％含まれていた。
ーゲットにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を０．４ｓｃ
ｃｍ、Ｎ2を０．４ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮ
を７０ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣ
Ａにより分析した結果、Ｃｒが６３原子％、Ｃが８原子
％、Ｏが２０原子％、Ｎが９原子％含まれていた。
【００４６】このＣｒＣＯＮ膜上にＣｒをターゲットに
してＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃｃｍ，Ｎ2を
１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１
３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎｍ成膜
した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣＡにより分析し
た結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原
子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
してＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃｃｍ，Ｎ2を
１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１
３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎｍ成膜
した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣＡにより分析し
た結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子％、Ｏが４３原
子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
【００４７】２層膜の形成前後における基板のそりの変
化を同様に測定したところ０．０４μｍと非常に小さか
った。また、そりの変化量から計算で求めた２層膜全体
の膜応力は０．０３ＧＰａであった。
化を同様に測定したところ０．０４μｍと非常に小さか
った。また、そりの変化量から計算で求めた２層膜全体
の膜応力は０．０３ＧＰａであった。
【００４８】〔比較例１〕６”の石英基板上にＣｒをタ
ーゲットにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃ
ｃｍ，Ｎ2を１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮ
を２５ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣ
Ａにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子
％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
ーゲットにしてＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃ
ｃｍ，Ｎ2を１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮ
を２５ｎｍ成膜した。このＣｒＣＯＮの膜組成をＥＳＣ
Ａにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、Ｃが５原子
％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれていた。
【００４９】このＣｒＣＯＮ膜上にＣｒをターゲットに
してＡｒを５ｓｃｃｍのみを流して、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒを７０
ｎｍ成膜した。
してＡｒを５ｓｃｃｍのみを流して、放電中のガス圧
０．３Ｐａ、１３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒを７０
ｎｍ成膜した。
【００５０】更にこのＣｒ膜上にＣｒをターゲットにし
てＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃｃｍ，Ｎ2を
１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１
３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎｍ成膜
し、クロムの３層膜を形成した。このＣｒＣＯＮの膜組
成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、
Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれ
ていた。
てＡｒを５ｓｃｃｍ，ＣＯ2を１．２ｓｃｃｍ，Ｎ2を
１．６ｓｃｃｍ流して、放電中のガス圧０．３Ｐａ、１
３０Ｗ、ＤＣスパッタ法にてＣｒＣＯＮを２５ｎｍ成膜
し、クロムの３層膜を形成した。このＣｒＣＯＮの膜組
成をＥＳＣＡにより分析した結果、Ｃｒが４２原子％、
Ｃが５原子％、Ｏが４３原子％、Ｎが１０原子％含まれ
ていた。
【００５１】３層膜の形成前後での基板のそりの変化を
同様に測定したところ１．６３μｍと大きかった。ま
た、同様に求めた３層膜全体の膜応力は１．５ＧＰａで
あった。
同様に測定したところ１．６３μｍと大きかった。ま
た、同様に求めた３層膜全体の膜応力は１．５ＧＰａで
あった。
【００５２】
【表１】
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、透明基板上に少なくと
も一層の遮光膜と少なくとも一層の反射防止膜を有する
フォトマスク用ブランクス及びフォトマスクにおいて、
遮光膜及び反射防止膜の全てがＣｒＣＯ層若しくはＣｒ
ＣＯＮ層又はＣｒＣＯ層とＣｒＣＯＮ層とを組合せた複
合層とすることにより、膜応力が小さくなり、遮光膜及
び反射防止膜の成膜前後の基板のそりの発生をなくすこ
とができ、歪みのない正確なパターン形成が可能となる
ものである。
も一層の遮光膜と少なくとも一層の反射防止膜を有する
フォトマスク用ブランクス及びフォトマスクにおいて、
遮光膜及び反射防止膜の全てがＣｒＣＯ層若しくはＣｒ
ＣＯＮ層又はＣｒＣＯ層とＣｒＣＯＮ層とを組合せた複
合層とすることにより、膜応力が小さくなり、遮光膜及
び反射防止膜の成膜前後の基板のそりの発生をなくすこ
とができ、歪みのない正確なパターン形成が可能となる
ものである。
【図１】本発明の一実施例に係るフォトマスク用ブラン
クスの断面図である。
クスの断面図である。
【図２】同フォトマスクの断面図である。
【図３】本発明の別の実施例に係るフォトマスク用ブラ
ンクスの断面図である。
ンクスの断面図である。
【図４】同フォトマスクの断面図である。
【図５】フォトマスクの製造法を示した説明図であり、
（Ａ）はレジスト膜を形成した状態、（Ｂ）はレジスト
膜をパターニングした状態、（Ｃ）はドライエッチング
又はウエットエッチングを行った状態、（Ｄ）はレジス
ト膜を除去した状態の概略断面図である。
（Ａ）はレジスト膜を形成した状態、（Ｂ）はレジスト
膜をパターニングした状態、（Ｃ）はドライエッチング
又はウエットエッチングを行った状態、（Ｄ）はレジス
ト膜を除去した状態の概略断面図である。
１ １１ 基板 ２ １２ 反射防止膜 ３ １３ 遮光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｐ (72)発明者 岡崎 智 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社精密機能材料研究所 内 Ｆターム(参考） 2H095 BB37 BC05 BC11 BC14 2K009 AA04 AA05 BB02 CC03 DD04 EE00 4K029 AA08 BA41 BC07 BD00 CA06 DC03
Claims (8)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくとも一層の遮光膜と
少なくとも一層の反射防止膜とを有するフォトマスク用
ブランクスにおいて、上記遮光膜及び反射防止膜の全て
がＣｒＣＯ層若しくはＣｒＣＯＮ層又はＣｒＣＯ層とＣ
ｒＣＯＮ層とを組合せた複合層から形成されてなること
を特徴とするフォトマスク用ブランクス。 - 【請求項２】 基板側から順次形成された遮光膜として
ＣｒＣＯ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請
求項１記載のフォトマスク用ブランクス。 - 【請求項３】 基板側から順次形成された遮光膜として
ＣｒＣＯＮ層、反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる
請求項１記載のフォトマスク用ブランクス。 - 【請求項４】 基板側から順次形成された第１の反射防
止膜としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯ層、第
２の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請求項１記
載のフォトマスク用ブランクス。 - 【請求項５】 基板側から順次形成された第１の反射防
止膜としてＣｒＣＯＮ層、遮光膜としてＣｒＣＯＮ層、
第２の反射防止膜としてＣｒＣＯＮ層からなる請求項１
記載のフォトマスク用ブランクス。 - 【請求項６】 遮光膜及び反射防止膜を合せた膜全体の
膜応力が０．２ＧＰａ以下である請求項１乃至５のいず
れか１項記載のフォトマスク用ブランクス。 - 【請求項７】 遮光膜及び反射防止膜を成膜前後での基
板のそりの変化量が０．２μｍ以下である請求項１乃至
６のいずれか１項記載のフォトマスク用ブランクス。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１項記載のフ
ォトマスク用ブランクスをリソグラフィ法によりパター
ン形成して得られることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP2000124276A JP2001305713A (ja) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク |
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|---|---|
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