KR102554316B1 - 판처리장치 및 판처리방법 - Google Patents
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Abstract
피가공판의 양면에 대하여, 서로 위치맞춤하여 처리를 행하는 것이 가능한 판처리장치를 제공한다.
마킹부가, 테이블에 지지된 피가공판의, 테이블을 향하는 면에 마크를 부여한다. 처리부가, 테이블에 지지된 피가공판의, 테이블과는 반대측을 향하는 면의 처리를 행하여, 처리결과와 마킹부가 테이블을 향하는 면에 부여한 마크의 위치를 관련짓는다. 또한, 처리부는, 테이블과는 반대측을 향하는 면에 형성된 마크를 검출하고, 검출된 마크의 위치에 근거하여, 테이블과는 반대측을 향하는 면의 처리를 행한다.
마킹부가, 테이블에 지지된 피가공판의, 테이블을 향하는 면에 마크를 부여한다. 처리부가, 테이블에 지지된 피가공판의, 테이블과는 반대측을 향하는 면의 처리를 행하여, 처리결과와 마킹부가 테이블을 향하는 면에 부여한 마크의 위치를 관련짓는다. 또한, 처리부는, 테이블과는 반대측을 향하는 면에 형성된 마크를 검출하고, 검출된 마크의 위치에 근거하여, 테이블과는 반대측을 향하는 면의 처리를 행한다.
Description
본 출원은 2018년 5월 8일에 출원된 일본 특허출원 제2018-090122호에 근거하여 우선권을 주장한다. 그 출원의 전체 내용은 이 명세서 중에 참고로 원용되어 있다.
본 발명은, 판처리장치 및 판처리방법에 관한 것이다.
금속판에 에칭가공을 실시함으로써, 금속판에 개구를 형성하는 기술이 공지이다. 종래의 에칭가공의 공법에 대하여 이하에 설명한다.
스테인리스나 구리의 금속판의 양면에 드라이필름레지스트를 첩부(貼付)한다. 포토마스크를 통하여 드라이필름레지스트를 감광시킨 후, 현상함으로써, 레지스트패턴을 남긴다. 금속판의 양면에 각각 남기는 레지스트패턴은 동일하고, 서로 위치맞춤되어 있다. 남은 레지스트패턴을 에칭마스크로 하여, 금속판을 양면으로부터 에칭한다. 에칭 후, 레지스트패턴을 박리한다.
종래의 에칭가공에서는, 에칭마스크의 형성에 포토리소그래피공법이 이용되고 있었다. 이 공법에서는, 에칭하는 패턴마다 포토마스크를 제작할 필요가 있기 때문에, 저비용화를 도모하는 것이 곤란하다. 또한, 포토마스크의 유지관리에도 번거롭다. 또한, 포토마스크의 제작이 필요하기 때문에, 납기를 단축하는 것이 곤란하다.
금속판의 양면에 각각 남기는 레지스트패턴을 서로 위치맞춤하기 위하여, 금속판의 에지가 이용된다. 예를 들면, 하기의 특허문헌 1에, 직사각형의 기판의 모서리부를 촬상하여 화상처리를 행하고, 모서리부의 위치를 기준으로 하여 스크린인쇄를 행하는 기술이 개시되어 있다.
피가공판의 에지면(端面)이 경사져 있는 경우, 표면측으로부터 촬상한 모서리부의 화상에 근거하여 검출되는 정점(頂点)이, 이면측으로부터 촬상한 모서리부의 화상에 근거하여 검출되는 정점과 일치하지 않는 경우가 있다. 이 경우, 정점의 위치를 기준으로 하여 레지스트패턴을 형성하면, 표면측에 형성되는 레지스트패턴이, 이면측에 형성되는 레지스트패턴에 대하여 어긋나게 된다.
본 발명의 목적은, 피가공판의 양면에 대하여, 서로 위치맞춤하여 처리를 행하는 것이 가능한 판처리장치 및 판처리방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 관점에 의하면,
테이블에 지지된 피가공판의, 상기 테이블을 향하는 면에 마크를 부여하는 마킹부와,
상기 테이블에 지지된 피가공판의, 상기 테이블과는 반대측을 향하는 면의 처리를 행하여, 처리결과와, 상기 마킹부가 상기 테이블을 향하는 면에 부여한 마크의 위치를 관련짓고, 상기 테이블과는 반대측을 향하는 면에 형성된 마크를 검출하며, 검출된 마크의 위치에 근거하여, 상기 테이블과는 반대측을 향하는 면의 처리를 행하는 처리부를 갖는 판처리장치가 제공된다.
본 발명의 다른 관점에 의하면,
피가공판의 제1 면에 마크를 형성하는 공정과,
상기 제1 면에 형성되는 상기 마크의 위치에 근거하여, 상기 피가공판의 상기 제1 면과는 반대측의 제2 면의 처리를 행하는 공정과,
상기 제1 면에 상기 마크를 형성한 후, 상기 마크의 위치에 근거하여 상기 피가공판의 상기 제1 면의 처리를 행하는 공정을 갖는 판처리방법이 제공된다.
피가공판의 일방의 면에 형성되는 마크의 위치를 통하여, 일방의 면의 처리와 타방의 면의 처리와의 위치맞춤을 행하는 것이 가능하다.
도 1은, 실시예에 의한 판처리장치의 개략도이다.
도 2에 있어서, 2A는, 피가공판이 지지되어 있는 테이블의 평면도이고, 2B는, 2A의 일점쇄선 2B-2B에 있어서의 단면도이다.
도 3에 있어서, 3A 및 3B는, 마킹부의 개략단면도이고, 3C 및 3D는, 각각 마크가 형성된 상태의 피가공판의 단면도 및 바닥면도이다.
도 4는, 실시예에 의한 판처리방법의 플로차트이다.
도 5에 있어서, 5A~5E는, 실시예에 의한 판처리방법으로 피가공판의 처리를 행하는 도중 단계에 있어서의 피가공판의 단면도이고, 5F는, 처리 후의 피가공판의 단면도이다.
도 2에 있어서, 2A는, 피가공판이 지지되어 있는 테이블의 평면도이고, 2B는, 2A의 일점쇄선 2B-2B에 있어서의 단면도이다.
도 3에 있어서, 3A 및 3B는, 마킹부의 개략단면도이고, 3C 및 3D는, 각각 마크가 형성된 상태의 피가공판의 단면도 및 바닥면도이다.
도 4는, 실시예에 의한 판처리방법의 플로차트이다.
도 5에 있어서, 5A~5E는, 실시예에 의한 판처리방법으로 피가공판의 처리를 행하는 도중 단계에 있어서의 피가공판의 단면도이고, 5F는, 처리 후의 피가공판의 단면도이다.
도 1을 참조하여, 실시예에 의한 판처리장치에 대하여 설명한다.
도 1은, 실시예에 의한 판처리장치의 개략도이다. 가대(10)에 XY스테이지(11) 및 θ스테이지(12)를 통하여 테이블(15)이 지지되어 있다. 테이블(15)의 지지면에 피가공판(50)이 지지된다. 예를 들면, 테이블(15)이 진공척기구를 포함하고, 피가공판(50)을 지지면 위에 고정할 수 있다. 지지면은, 예를 들면 수평면에 대하여 평행이고, 연직상방을 향한다.
XY스테이지(11)는, 제어장치(40)로부터의 제어에 의하여, 테이블(15)을 가대(10)에 대하여 지지면에 평행이고, 서로 직교하는 두 방향으로 병진이동시킬 수 있다. θ스테이지(12)는, 제어장치(40)로부터의 제어에 의하여, 지지면에 대하여 수직인 회전축을 중심으로 한 테이블(15)의 회전방향의 자세를 변화시킨다. 가대(10)에 대하여 고정된 좌표계를 기준좌표계라고 하고, 테이블(15)에 대하여 고정된 좌표계를 테이블좌표계라고 하는 것으로 한다. 제어장치(40)는, 기준좌표계와 테이블좌표계와의 대응관계를 기억하고 있다.
판처리장치에 마킹부(20)가 마련되어 있다. 마킹부(20)는, 제어장치(40)로부터의 제어에 의하여, 테이블(15)에 지지된 피가공판(50)의, 테이블(15)을 향하는 면(하방을 향하는 면)에 마크를 부여한다. 마크가 형성되는 테이블좌표계에 있어서의 위치는 고정되어 있고, 이 위치가 제어장치(40)에 기억되어 있다. 즉, 마킹부(20)는, 테이블(15)의 지지면 내의 기준점에 대하여 상대위치가 특정되는 위치에 마크를 형성할 수 있다. 마킹부(20)의 상세한 것에 대해서는, 이후에 도3의 3A~ 3D를 참조하여 설명한다.
테이블(15)의 상방에, 프레임(30)에 의하여 잉크젯유닛(31) 및 촬상장치(32)가 지지되어 있다. 잉크젯유닛(31) 및 촬상장치(32)는, 기준좌표계에 대하여 고정되어 있다. 잉크젯유닛(31)은, 제어장치(40)로부터의 제어에 의하여, 테이블(15)에 지지된 피가공판(50)을 향하여, 레지스트잉크를 액적화(液滴化)하여 토출시킨다. 제어장치(40)는, 형성해야 하는 레지스트패턴의 평면형상을 정의하는 화상데이터를 기억하고 있고, 이 화상데이터에 근거하여, XY스테이지(11) 및 잉크젯유닛(31)을 제어함으로써, 피가공판(50)의 상면에 레지스트잉크로 이루어지는 레지스트패턴을 형성한다.
촬상장치(32)는, 테이블(15)에 지지된 피가공판(50)의 상면에 형성되어 있는 마크를 촬상한다. 촬상된 화상데이터가 제어장치(40)에 입력된다. 제어장치(40)는, 마크가 찍힌 화상을 해석함으로써, 테이블좌표계에 있어서의 마크의 위치, 즉 테이블(15)의 지지면 내의 기준점에 대한 마크의 상대위치를 구한다.
XY스테이지(11), 잉크젯유닛(31), 촬상장치(32), 및 제어장치(40)를 통틀어 처리부라고 한다. 처리부는, 마킹부(20)가 마크를 형성하는 위치에 근거하여, 피가공판(50)의 상면에 처리를 실시하는 기능(본 실시예에서는 레지스트패턴을 형성하는 기능)을 갖는다. 또한, 처리부는 피가공판(50)의 상면에 형성된 마크를 검출하고, 검출된 마크의 위치에 근거하여, 피가공판(50)의 상면에 처리를 실시하는 기능(본 실시예에서는 레지스트패턴을 형성하는 기능)을 갖는다. 즉, 처리부는 테이블(15)의 지지면 내의 기준점으로부터의 상대위치에서 지정된 위치에 대하여, 피가공판(50)의 상면의 처리를 행하는 기능을 갖는다.
다음으로, 도 2의 2A 및 2B를 참조하여, 테이블(15), 피가공판(50), 및 마킹부(20)의 돌기(21)의 위치관계에 대하여 설명한다.
도 2의 2A는, 피가공판(50)이 지지되어 있는 테이블(15)의 평면도이다. 테이블(15)의 지지면(상면)에, 복수의 진공척용 흡인구멍(16)이 마련되어 있다. 진공척을 동작시킴으로써, 테이블(15)의 지지면에 피가공판(50)을 흡착하여 고정할 수 있다.
테이블(15)의 지지면에 적어도 3개의 위치결정핀(17)이 장착되어 있다. 피가공판(50)의 하나의 가장자리를 2개의 위치결정핀(17)에 접촉시키고, 인접하는 가장자리를 나머지 하나의 위치결정핀(17)에 접촉시킴으로써, 테이블(15)에 대하여 피가공판(50)의 위치결정을 행할 수 있다. 피가공판(50)의 처리 시에는, 위치결정핀(17)을 이용하여 테이블(15)에 대하여 피가공판(50)을 위치결정한다.
피가공판(50)의 상면 중 피가공판(50)의 가장자리를 따르는 액자상의 영역(53)에는 레지스트잉크를 도포하지 않고, 액자상의 영역(53)에 의하여 둘러싸인 영역(54)에, 레지스트잉크로 이루어지는 레지스트패턴을 형성한다. 도 3의 3A에서는, 액자상의 영역(53)과 그에 둘러싸인 영역(54)과의 경계선을 나타내고 있지만, 실제의 피가공판(50)의 상면에 이와 같은 경계선이 마련되어 있는 것은 아니다. 돌기(21)는, 평면에서 보았을 때 액자상의 영역(53)과 중첩되는 위치에 배치된다.
테이블(15)의 지지면 내에 기준점(18)이 정의된다. 기준점(18)은, 실제로 지지면에 형성되어 있는 것은 아니고, 제어장치(40)에 데이터로서 기억되어 있다. 예를 들면, 제어장치(40)는, XY스테이지(11)(도 1)를 초기위치로 이동시키고, 테이블(15)의 위치정보를 초기설정함으로써, 기준점(18)을 정의할 수 있다.
도 2의 2B는, 2A의 일점쇄선 2B-2B에 있어서의 단면도이다. 테이블(15)에 마련되어 있는 복수의 흡인구멍(16) 중 적어도 2개의 흡인구멍(16) 내에 타각핀(25)이 배치되고, 테이블(15)에 고정되어 있다. 타각핀(25)으로서, 예를 들면 피가공판(50)보다 단단한 재료로 이루어지는 초경(超硬)핀을 이용할 수 있다. 타각핀(25)의 테이퍼상의 상단이 테이블(15)의 상면으로부터 상방으로 돌출되어 있고, 돌기(21)를 구성하고 있다. 피가공판(50)을 진공척에 의하여 테이블(15)에 고정한 상태에서는, 피가공판(50)의 하면이 돌기(21)의 선단에 접촉하고 있다. 진공척의 흡인력으로는, 피가공판(50)의 하면에 돌기(21)에 대응한 오목부는 형성되지 않는다.
다음으로, 도 3의 3A~3D를 참조하여, 마킹부(20)(도 1)의 구성, 및 마킹방법에 대하여 설명한다.
도 3의 3A 및 3B는, 마킹부(20)의 개략단면도이다. 도 3의 3A에 나타내는 바와 같이, 마킹부(20)는, 돌기(21) 및 가압기구(22)를 포함한다. 가압기구(22)는, 가압판(23) 및 구동기구(24)를 포함한다. 돌기(21)는, 테이블(15)의 지지면으로부터 상방을 향하여 돌출되어 있다. 가압판(23)은, 피가공판(50)을 통하여 돌기(21)의 상방에 배치되어 있다. 구동기구(24)가, 제어장치(40)(도 1)로부터의 제어에 의하여 가압판(23)을 승강시킨다.
도 3의 3B는, 구동기구(24)가 가압판(23)을 하강시킨 상태의 마킹부(20)의 개략단면도이다. 구동기구(24)가 가압판(23)을 하강시키면, 가압판(23)과 테이블(15)의 사이의 피가공판(50)에 두께방향의 하중이 인가된다. 이 하중에 의하여, 피가공판(50)의 하면에, 돌기(21)에 대응한 마크(오목부)가 형성된다.
도 3의 3C 및 3D는, 각각 마크가 형성된 상태의 피가공판(50)의 단면도 및 바닥면도이다. 피가공판(50)의 바닥면에 오목부로 구성된 마크(51)가 형성되어 있다. 마크(51)의 평면형상은, 예를 들면 거의 원형이고, 마크(51)의 내부는, 주위의 평탄한 영역보다 어둡게 보인다. 이로 인하여, 화상해석에 의하여 마크(51)를 검출하고, 그 위치를 구할 수 있다.
다음으로, 도 4, 및 도 5의 5A~5F를 참조하여, 본 실시예에 의한 판처리방법에 대하여 설명한다.
도 4는, 본 실시예에 의한 판처리방법의 플로차트이다. 먼저, 피가공판(50)을 테이블(15)(도 1)에 지지시킨다(스텝 S1). 이때, 피가공판(50)의 가장자리를 위치결정핀(17)(도 3의 3A)에 접촉시킴으로써, 테이블(15)에 대하여 피가공판(50)의 위치결정을 행한다. 피가공판(50)에는, 위치결정용 마크는 형성되어 있지 않다.
피가공판(50)을 테이블(15)에 지지시킨 후, 제어장치(40)가 구동기구(24)(도 2의 2A)를 동작시켜, 피가공판(50)의 테이블(15)측을 향하는 면에 적어도 2개의 마크(51)(도 2의 2C, 2D)를 부여한다(스텝 S2).
도 5의 5A는, 마크(51)를 부여한 후의 피가공판(50)의 단면도이다. 피가공판(50)의 테이블(15)측을 향하는 제1 면(61)에 오목부로 구성된 2개의 마크(51)가 부여되어 있다.
다음으로, 제어장치(40)가 XY스테이지(11) 및 잉크젯유닛(31)을 동작시켜, 피가공판(50)의 테이블(15)측과는 반대측을 향하는 면에, 마크(51)가 부여되는 위치에 근거하여 레지스트패턴을 형성한다(스텝 S3). 레지스트패턴의 형성은, 잉크젯유닛(31)으로부터 레지스트잉크를 토출시켜 피가공판(50)에 도포한 후, 경화시킴으로써 형성된다. 레지스트잉크에는, 예를 들면 자외선경화형의 잉크를 이용하여, 피가공판(50)에 도포된 레지스트잉크에 자외선을 조사함으로써 레지스트잉크를 경화시킨다. 테이블(15)의 기준점(18)(도 2의 2A)에 대한 마크(51)가 부여되는 상대위치는, 미리 제어장치(40)에 기억되어 있다.
도 5의 5B는, 레지스트패턴을 형성한 피가공판(50)의 단면도이다. 피가공판(50)의 제2 면(62)에 레지스트패턴(65)이 형성되어 있다. 레지스트패턴(65)은, 제1 면(61)에 형성된 마크(51)의 위치에 대하여 위치결정되어 있다. 이것은, 테이블(15)에 지지된 피가공판(50)의, 테이블(15)과는 반대측을 향하는 제2 면(62)의 처리결과인 레지스트패턴(65)과, 마킹부(20)가 테이블(15)을 향하는 제1 면(61)에 부여한 마크(51)의 위치를 관련짓는 것에 상당한다.
다음으로, 피가공판(50)의 표리(表裏)를 반전시켜 테이블(15)에 지지시킨다(스텝 S4). 피가공판(50)을 반전시킴으로써, 제2 면(62)이 하방(테이블(15)측)을 향하고, 마크(51)가 형성되어 있는 제1 면(61)이 상방을 향한다. 피가공판(50)의 표리를 반전시킨 후에도, 피가공판(50)의 가장자리를 위치결정핀(17)(도 3의 3A)에 접촉시킴으로써, 테이블(15)에 대하여 피가공판(50)의 위치결정을 행한다.
다음으로, 제어장치(40)가, 피가공판(50)의 제1 면(61)에 부여되어 있는 2개의 마크(51)의 각각의, 테이블좌표계에 있어서의 위치(기준점(18)에 대한 상대위치)를 검출한다(스텝 S5). 이하, 마크(51)의 위치를 검출하는 수순에 대하여 설명한다. 먼저, 제어장치(40)가 XY스테이지(11)를 동작시킴으로써, 피가공판(50)에 부여된 1개의 마크(51)를 촬상장치(32)(도 1)의 화각 내에 넣는다. 제어장치(40)는, 촬상장치(32)로 마크(51)를 촬상하고, 얻어진 화상을 해석함으로써 마크(51)의 테이블좌표계에 있어서의 위치를 구한다. 다른 마크(51)에 대해서도 동일한 수순을 반복하여 테이블좌표계에 있어서의 위치를 구한다.
다음으로, 제어장치(40)는, XY스테이지(11) 및 잉크젯유닛(31)을 제어함으로써, 마크(51)의 위치에 근거하여, 피가공판(50)의 제1 면(61)에 레지스트패턴을 형성한다(스텝 S6).
도 5의 5C는, 제1 면(61)에 레지스트패턴(66)을 형성한 상태의 피가공판(50)의 단면도이다. 피가공판(50)의 제2 면(62)에는, 이미 레지스트패턴(65)이 형성되어 있고, 스텝 S6에 있어서 제1 면(61)에 레지스트패턴(66)이 형성된다. 레지스트패턴(65, 66)의 평면형상을 정의하는 원래의 화상데이터는 공통이고, 일방의 레지스트패턴(65)은 원래의 화상데이터에 근거하여 형성하며, 타방의 레지스트패턴(66)은, 원래의 화상데이터를 경상반전(鏡像反轉)시킨 화상데이터에 근거하여 형성한다. 이로 인하여, 제1 면의 레지스트패턴(66)을 제2 면(62)에 수직투영한 상(像)이, 제2 면의 레지스트패턴(65)에 일치한다.
레지스트패턴(65, 66)을 형성한 후, 피가공판(50)을 테이블(15)로부터 반출한다(스텝 S7). 그 후, 레지스트패턴(65, 66)을 에칭마스크로 하여 피가공판(50)을 에칭가공한다(스텝 S8). 에칭가공의 수순에 대하여, 도 5의 5D~5F를 참조하여 설명한다.
도 5의 5D에 나타내는 바와 같이, 피가공판(50)의 제1 면(61) 및 제2 면(62)의 액자상의 영역(53)에 보호테이프(67)를 붙인다. 보호테이프(67)를 붙인 상태에서, 에칭액을 이용하여 피가공판(50)을 에칭한다.
도 5의 5E는, 에칭 후의 피가공판(50)의 단면도이다. 레지스트패턴(65, 66), 및 보호테이프(67)로 덮여 있지 않은 영역의 피가공판(50)이, 제1 면(61) 및 제2 면(62)의 양측으로부터 에칭된다. 그 결과, 피가공판(50)을 관통하는 개구(55)가 형성된다. 에칭 후, 도 5의 5F에 나타내는 바와 같이, 레지스트패턴(65, 66), 및 보호테이프(67)를 피가공판(50)으로부터 박리한다.
다음으로, 상기 실시예의 우수한 효과에 대하여 설명한다.
상기 실시예에서는, 피가공판(50)의 제1 면(61)에 형성하는 레지스트패턴(66)(도 5의 5C)과, 제2 면에 형성하는 레지스트패턴(66)(도 5의 5C)과의 상대적인 위치결정을 행할 때에, 제1 면(61)의 마크(51)가 공통의 위치의 기준으로서 이용된다. 이로 인하여, 제1 면(61)의 레지스트패턴(66)과 제2 면(62)의 레지스트패턴(65)을 위치맞춤할 수 있다.
피가공판(50)의 가장자리를 위치결정핀(17)(도 3의 3A)에 접촉시킴으로써, 피가공판(50)을 테이블(15)에 대하여 위치결정할 수 있지만, 이 방법에서는, 위치결정 정밀도가 피가공판(50)의 가장자리의 가공정밀도의 영향을 받게 된다.
피가공판(50)의 모서리부(角部)를 촬상한 화상에 근거하여 피가공판(50)의 테이블좌표계에 있어서의 위치를 구하는 방법에서는, 모서리부를 구성하는 에지면이 경사져 있는 경우, 일방의 면의 화상에 근거하여 특정한 정점과, 타방의 면의 화상에 근거하여 특정한 정점이, 면내방향으로 어긋나게 되는 경우가 있다. 예를 들면, 금속판을 셔링에 의하여 절단한 경우, 절단면이 경사지게 된다. 모서리부의 화상을 이용하여 위치의 기준을 구하는 경우에는, 일방의 면에 레지스트패턴을 형성할 때의 기준위치와, 타방의 면에 레지스트패턴을 형성할 때의 기준위치가 어긋나게 된다. 이로 인하여, 양면에 형성하는 레지스트패턴의 위치를 고정밀도로 맞출 수 없다.
상기 실시예에서는, 피가공판(50)의 에지면이나 모서리부를 이용하지 않고, 제1 면(61)의 레지스트패턴(66)과, 제2 면(62)의 레지스트패턴(65)과의 위치맞춤을 행할 수 있다. 이로 인하여, 에지면의 가공정밀도나, 모서리부의 에지면의 형상에 의존하지 않고 위치맞춤을 행할 수 있다. 그 결과, 위치맞춤정밀도를 높일 수 있다.
또한, 1회째의 레지스트패턴(65)(도 5의 5B)의 형성 시(스텝 S3)에는, 위치맞춤용 마크를 검출하여 위치맞춤을 행할 필요가 없다. 이로 인하여, 위치맞춤에 필요한 처리시간을 생략할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는, 포토마스크를 이용한 노광, 포토레지스트막의 현상을 행하지 않고, 레지스트패턴을 형성할 수 있다. 이로 인하여, 비용삭감, 및 납기의 단축이 가능해진다.
마크(51)(도 2의 2C, 2D)의 크기는, 위치정밀도의 요구값에 따라 설정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 선단각 90°의 타각핀(25)의 선단을 스테인리스강의 판재에 압압하여, 가볍게 손으로 누른 것 만으로, 개구부의 직경이 100~120μm 정도인 원뿔상의 오목부를 형성할 수 있다. 이 크기의 오목부를 마크(51)로서 이용하여 위치맞춤을 행하면, 용이하게, 위치맞춤오차를 ±30μm 이하로 억제할 수 있다.
다음으로, 상기 실시예의 변형예에 대하여 설명한다.
상기 실시예에서는, 피가공판(50)의 제1 면(61)에 마크(51)를 부여한(스텝 S2) 후, 제2 면(62)에 레지스트패턴(65)을 형성했지만, 제2 면(62)에 레지스트패턴(65)을 형성한 후에, 마크(51)를 부여해도 된다. 단, 가압판(23)(도 2의 2A)이 접촉하는 영역과 레지스트패턴(65)을 형성해야 하는 영역이 부분적으로 중복되는 경우, 레지스트패턴(65)을 형성하기 전에 마크(51)를 형성하는 것이 바람직하다.
상기 실시예에서는, 피가공판(50)의 제1 면(61)에 타각함으로써 마크(51)(도 5의 5A)를 형성했지만, 그 외의 방법으로 마크(51)를 형성해도 된다. 예를 들면, 레이저마킹기술을 이용하여 마크(51)를 형성해도 되고, 핀포인트잉크 도포기술을 이용하여 마크(51)를 형성해도 된다.
상기 실시예에서는, 피가공판(50)의 양면에 각각 잉크젯공법을 이용하여 레지스트패턴(65)(도 5의 5B) 및 레지스트패턴(66)(도 5의 5C)을 형성했지만, 피가공판(50)의 양면에 레지스트패턴형성 대신에, 그 외의 처리를 실시해도 된다. 예를 들면, 일방의 면의 처리와 타방의 면의 처리를, 서로 위치맞춤하여 행할 필요가 있는 경우에, 상기 실시예에 의한 방법의 우수한 효과가 얻어진다. 이 처리로서, 스크린인쇄에 의하여 양면에 인쇄패턴을 형성하는 처리, 양면을 레이저가공하는 처리 등을 들 수 있다.
상기 실시예는 예시이며, 실시예 및 변형예로 나타낸 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것은 말할 필요도 없다. 본 발명은 상술한 실시예에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 다양한 변경, 개량, 조합 등이 가능한 것은 당업자에게 자명할 것이다.
10 가대
11 XY스테이지
12 θ스테이지
15 테이블
16 흡인구멍
17 위치결정핀
20 마킹부
21 돌기
22 가압기구
23 가압판
24 구동기구
25 타각핀
30 프레임
31 잉크젯유닛
32 촬상장치
40 제어장치
50 피가공판
51 마크
53 액자상의 영역
54 액자상의 영역에 둘러싸인 영역
55 개구
61 제1 면
62 제2 면
65 제2 면의 레지스트패턴
66 제1 면의 레지스트패턴
67 보호테이프
11 XY스테이지
12 θ스테이지
15 테이블
16 흡인구멍
17 위치결정핀
20 마킹부
21 돌기
22 가압기구
23 가압판
24 구동기구
25 타각핀
30 프레임
31 잉크젯유닛
32 촬상장치
40 제어장치
50 피가공판
51 마크
53 액자상의 영역
54 액자상의 영역에 둘러싸인 영역
55 개구
61 제1 면
62 제2 면
65 제2 면의 레지스트패턴
66 제1 면의 레지스트패턴
67 보호테이프
Claims (6)
- 테이블에 지지된 피가공판의, 상기 테이블을 향하는 면에 마크를 부여하는 마킹부와,
상기 테이블에 지지된 피가공판의, 상기 테이블과는 반대측을 향하는 면의 처리를 행하여, 처리결과와, 상기 마킹부가 상기 테이블을 향하는 면에 부여한 마크의 위치를 관련짓고, 상기 테이블과는 반대측을 향하는 면에 형성된 마크를 검출하며, 검출된 마크의 위치에 근거하여, 상기 테이블과는 반대측을 향하는 면의 처리를 행하는 처리부를 갖는 판처리장치. - 제1항에 있어서,
상기 처리부는, 상기 마킹부가 마크를 형성하는 위치에 근거하여, 상기 테이블에 지지된 피가공판의, 상기 테이블과는 반대측을 향하는 면의 처리를 행함으로써, 처리결과와, 상기 마킹부가 상기 테이블을 향하는 면에 부여한 마크의 위치를 관련짓는 판처리장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 마킹부는,
상기 테이블의, 피가공판을 지지하는 지지면으로부터 돌출된 돌기와,
상기 테이블에 지지된 피가공판의, 상기 돌기에 접촉하고 있는 영역에, 상기 테이블을 향하는 하중을 인가하는 가압기구를 갖는 판처리장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 마킹부는, 상기 테이블에 지지된 피가공판의, 상기 테이블을 향하는 면 중, 상기 테이블의 지지면 내의 기준점으로부터의 상대위치가 특정되는 위치에 마크를 부여하고,
상기 테이블에 지지된 피가공판의, 상기 테이블과는 반대측을 향하는 면에 부여된 마크의 위치는, 상기 테이블의 지지면의 상기 기준점으로부터의 상대위치로서 구해지며,
상기 처리부가, 상기 테이블에 지지된 피가공판의, 상기 테이블과는 반대측을 향하는 면의 처리를 행할 때에, 상기 테이블의 지지면의 상기 기준점으로부터의 상대위치로 지정된 위치에 대하여 처리를 행하는 판처리장치. - 피가공판의 제1 면에 마크를 형성하는 공정과,
상기 제1 면에 형성되는 상기 마크의 위치에 근거하여, 상기 피가공판의 상기 제1 면과는 반대측의 제2 면의 처리를 행하는 공정과,
상기 제1 면에 상기 마크를 형성한 후, 상기 마크의 위치에 근거하여 상기 피가공판의 상기 제1 면의 처리를 행하는 공정을 갖는 판처리방법. - 제5항에 있어서,
상기 제1 면에 상기 마크를 형성하는 공정에 있어서, 타각, 잉크도포, 및 레이저마킹 중 적어도 하나의 방법으로 상기 마크를 형성하는 판처리방법.
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114599149B (zh) * | 2022-05-10 | 2022-07-15 | 四川英创力电子科技股份有限公司 | 一种用于hdi板的双面精密打靶的装置及方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068843A (ja) | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半田ペースト印刷方法,半田ペースト印刷装置及び半田ペースト印刷用マスク |
JP2006272625A (ja) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | 印刷位置制御装置 |
JP2010003939A (ja) | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Fujitsu Ltd | 基板の製造方法、基板の製造装置及び基板 |
JP2014205286A (ja) | 2013-04-12 | 2014-10-30 | 信越化学工業株式会社 | スクリーン印刷方法及びスクリーン印刷装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2717707B2 (ja) * | 1989-07-14 | 1998-02-25 | 株式会社村田製作所 | スクリーン印刷方法、印刷版の製造方法及びそれらのための装置 |
JP2000008184A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 多層導電膜のエッチング方法 |
JP2001052605A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Toppan Printing Co Ltd | 高精細シャドウマスク及びその製造方法 |
JP4485667B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2010-06-23 | パナソニック株式会社 | 部品実装装置のオフセット測定用基板及び部品実装装置のオフセット測定方法 |
JP2002322576A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | シヤドウマスクの製造方法 |
JP3962713B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | アライメントマークの形成方法、およびデバイスが構成される基板 |
JP5018062B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2012-09-05 | 株式会社日立プラントテクノロジー | ハンダボール印刷装置 |
US8021563B2 (en) * | 2007-03-23 | 2011-09-20 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd | Etch depth determination for SGT technology |
CN100527000C (zh) * | 2007-08-31 | 2009-08-12 | 上海微电子装备有限公司 | 对准***和对准标记 |
JP2009099939A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | アライメントマーク形成装置 |
CN102653391B (zh) * | 2012-04-19 | 2015-02-25 | 苏州含光微纳科技有限公司 | 一种金属微小结构的加工方法 |
CN102681360A (zh) * | 2012-04-24 | 2012-09-19 | 合肥芯硕半导体有限公司 | 激光成像***中实现电路板两面曝光图形对准的对位方法 |
JP5906398B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2016-04-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | スクリーン印刷装置及びスクリーン印刷装置におけるマスク位置決め方法 |
CN105092898B (zh) * | 2014-05-04 | 2018-03-09 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体检测结构及形成方法、检测方法 |
US20170104158A1 (en) * | 2014-06-05 | 2017-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition method and vapor deposition apparatus |
CN104439698B (zh) * | 2014-11-26 | 2016-08-24 | 北京凌云光技术有限责任公司 | 用于激光加工***的标定方法及装置 |
KR102552275B1 (ko) * | 2015-07-31 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 제조방법 |
CN105355636B (zh) * | 2015-08-20 | 2018-10-09 | 苏州科阳光电科技有限公司 | 半导体图像传感器件的制造方法 |
CN105502284A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-04-20 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种晶圆背面对准的工艺集成方法 |
CN107414306B (zh) * | 2016-05-20 | 2019-07-23 | 上海和辉光电有限公司 | 一种金属掩膜制备方法 |
JP6723648B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2020-07-15 | 住友重機械工業株式会社 | 位置検出装置及び位置検出方法 |
-
2018
- 2018-05-08 JP JP2018090122A patent/JP2019196511A/ja active Pending
-
2019
- 2019-04-17 KR KR1020190044759A patent/KR102554316B1/ko active IP Right Grant
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- 2019-04-23 CN CN201910329477.7A patent/CN110453221B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001068843A (ja) | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半田ペースト印刷方法,半田ペースト印刷装置及び半田ペースト印刷用マスク |
JP2006272625A (ja) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | 印刷位置制御装置 |
JP2010003939A (ja) | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Fujitsu Ltd | 基板の製造方法、基板の製造装置及び基板 |
JP2014205286A (ja) | 2013-04-12 | 2014-10-30 | 信越化学工業株式会社 | スクリーン印刷方法及びスクリーン印刷装置 |
Also Published As
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