TWI688487B - 板處理裝置及板處理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 8
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
- B05C9/08—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67282—Marking devices
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Abstract
本發明提供一種能夠對被加工板的兩面進行相互位置對準而進行處理之板處理裝置。打標部對支承於工作台之被加工板的朝向工作台之面賦予標記。處理部進行支承於工作台之被加工板的朝向與工作台相反一側的面之處理,並將處理結果與打標部賦予至朝向工作台的面之標記的位置建立關連。進而,處理部檢測形成於朝向與工作台相反一側的面之標記,並依據被檢測到的標記的位置進行朝向與工作台相反一側的面之處理。
Description
本發明係有關一種板處理裝置及板處理方法。
公知有一種藉由在金屬板上實施蝕刻加工而在金屬板上形成開口之技術。以下,對習知之蝕刻加工的工法進行說明。
在不鏽鋼或銅的金屬板的兩面貼附乾膜阻劑。經由光罩使乾膜阻劑感光之後,藉由顯影留存阻劑圖案。分別留存於金屬板的兩面之阻劑圖案相同,且相互位置對準。將所留存之阻劑圖案作為蝕刻遮罩,從兩面蝕刻金屬板。蝕刻後剝離阻劑圖案。
在習知之蝕刻加工中,在蝕刻遮罩的形成中使用光微影工法。在該工法中,需要按每一蝕刻圖案製作光罩,因此難以實現低成本化。又,光罩的維持管理亦需要花費工夫。進而,需要製作光罩,因此難以縮短交期。
為了使分別留存於金屬板的兩面之阻劑圖案相互位置對準,利用金屬板的邊緣。例如,在下述專利文獻1中公開有一種網版印刷技術,其拍攝矩形基板的角部而進行圖像處理,並將角部的位置作為基準。
(先前技術文獻)
(專利文獻)
專利文獻1:日本特開2014-205286號公報
(本發明所欲解決之課題)
有時在如被加工板的端面傾斜時,依據從表面側拍攝之角部的圖像檢測到的頂點與依據從背面側拍攝之角部的圖像檢測到的頂點不一致。此時,若以頂點的位置作為基準形成阻劑圖案,則會導致形成於表面側的阻劑圖案相對於形成於背面側的阻劑圖案產生偏移。
本發明的目的在於提供一種能夠對被加工板的兩面進行相互位置對準而進行處理之板處理裝置及板處理方法。
(用以解決課題之手段)
依本發明的一觀點,提供一種板處理裝置,其具有:
打標部,對支承於工作台之被加工板的朝向該工作台之面賦予標記;及
處理部,進行支承於該工作台之被加工板的朝向與該工作台相反一側的面之處理,將處理結果與該打標部賦予至朝向該工作台的面之標記的位置建立關連,檢測形成於朝向與該工作台相反一側的面之標記,依據被檢測到的標記的位置,進行朝向與該工作台相反一側的面之處理。
依本發明的另一觀點,提供一種板處理方法,其具有:
在被加工板的第1面形成標記之製程;
依據形成於該第1面之該標記的位置,進行與該被加工板的該第1面相反一側的第2面的處理之製程;及
在該第1面形成該標記之後,依據該標記的位置進行該被加工板的該第1面的處理之製程。
(發明之效果)
能夠經由形成於被加工板的一側面之標記的位置,進行一側面的處理與另一側面的處理的位置對準。
參考圖1對依據實施例之板處理裝置進行說明。
圖1係依據實施例之板處理裝置的概略圖。在台架10上經由XY載台11及θ載台12支承有工作台15。在工作台15的支承面上支承被加工板50。例如,工作台15包含真空吸盤機構,並能夠將被加工板50固定在支承面上。支承面例如與水平面平行,朝向鉛垂上方。
XY載台11藉由控制裝置40的控制,能夠使工作台15向相對於台架10與支承面平行且相互正交之兩個方向並行移動。θ載台12藉由控制裝置40的控制,改變以與支承面垂直的旋轉軸為中心的工作台15的旋轉方向的姿勢。將固定於台架10之坐標系稱為基準坐標系,固定於工作台15之坐標系稱為工作台坐標系。控制裝置40儲存有基準坐標系與工作台坐標系的對應關係。
在板處理裝置中設置有打標部20。打標部20藉由控制裝置40的控制,對支承於工作台15之被加工板50的朝向工作台15的面(朝向下方的面)賦予標記。將形成有標記之工作台坐標系中之位置固定,並將該位置儲存在控制裝置40。亦即,打標部20能夠在相對於工作台15的支承面內的基準點,相對位置被確定之位置形成標記。以下,參考圖3A~圖3D,對打標部20的詳細內容進行說明。
在工作台15的上方,藉由框架30支承有噴墨單元31及攝像裝置32。將噴墨單元31及攝像裝置32固定於基準坐標系。噴墨單元31藉由控制裝置40的控制,朝向支承於工作台15之被加工板50,將阻劑油墨液滴化而噴出。控制裝置40中儲存有對應形成的阻劑圖案的平面形狀進行定義之圖像資料,並依據該圖像資料,控制XY載台11及噴墨單元31,藉此在被加工板50的上表面形成由阻劑油墨形成之阻劑圖案。
攝像裝置32拍攝在支承於工作台15之被加工板50的上表面形成之標記。將所拍攝的圖像資料輸入到控制裝置40。控制裝置40藉由分析攝入標記之圖像,求出工作台坐標系中之標記的位置,亦即相對於工作台15的支承面內的基準點之標記的相對位置。
將XY載台11、噴墨單元31、攝像裝置32及控制裝置40統稱為處理部。處理部具有依據由打標部20形成標記之位置,對被加工板50的上表面實施處理之功能(在本實施例中為形成阻劑圖案之功能)。進而,處理部具有檢測形成於被加工板50的上表面之標記,並依據被檢測到的標記的位置,對被加工板50的上表面實施處理之功能(在本實施例中為形成阻劑圖案之功能)。亦即,處理部具有如下功能:對在自工作台15的支承面內的基準點的相對位置被指定的位置,進行被加工板50的上表面的處理。
接著,參考圖2A及圖2B,對工作台15、被加工板50及打標部20的突起21的位置關係進行說明。
圖2A係支承有被加工板50之工作台15的俯視圖。在工作台15的支承面(上表面)設置有複數個真空吸盤用的抽吸孔16。藉由使真空吸盤工作,能夠在工作台15的支承面吸附被加工板50而進行固定。
在工作台15的支承面,安裝有至少3個定位銷17。使被加工板50的1個邊緣與2個定位銷17接觸,並使相鄰之邊緣與剩下的1個定位銷17接觸,藉此能夠相對於工作台15進行被加工板50的定位。對被加工板50進行處理時,利用定位銷17進行相對於工作台15的被加工板50的定位。
在被加工板50的上表面,不對沿被加工板50的邊緣的邊框狀的區域53塗佈阻劑油墨,而在被邊框狀的區域53包圍之區域54中形成由阻劑油墨形成之阻劑圖案。在圖3A中,示出邊框狀的區域53與被其包圍之區域54的邊界線,但並不是在實際的被加工板50的上表面設置有該等邊界線。突起21配置於在俯視下與邊框狀的區域53重疊的位置。
在工作台15的支承面內定義基準點18。基準點18並不是實際形成於支承面,而是作為資料儲存在控制裝置40。例如,控制裝置40使XY載台11(圖1)移動至初始位置而將工作台15的位置資訊初始化,藉此能夠定義基準點18。
圖2B係圖2A的一點鏈線2B-2B中之剖視圖。在設置於工作台15之複數個抽吸孔16中之至少2個抽吸孔16內配置刻印針25,並固定在工作台15。作為刻印針25,例如能夠使用由比被加工板50更硬的材料形成之超硬針。刻印針25的錐狀的上端從工作台15的上表面朝向上方突出,並構成突起21。在將被加工板50藉由真空吸盤固定在工作台15之狀態下,被加工板50的下表面與突起21的尖端接觸。藉由真空吸盤的抽吸力無法在被加工板50的下表面形成與突起21對應之凹部。
接著,參考圖3A~圖3D,對打標部20(圖1)的構造及標記方法進行說明。
圖3A及圖3B係打標部20的概略剖視圖。如圖3A所示,打標部20包括突起21及加壓機構22。加壓機構22包括加壓板23及驅動機構24。突起21從工作台15的支承面朝向上方突出。加壓板23經由被加工板50配置於突起21的上方。驅動機構24藉由控制裝置40(圖1)的控制使加壓板23升降。
圖3B係驅動機構24使加壓板23下降的狀態的打標部20的概略剖視圖。若驅動機構24使加壓板23下降,則會對加壓板23與工作台15之間的被加工板50上施加厚度方向的荷重。藉由該荷重,在被加工板50的下表面形成與突起21對應之標記(凹部)。
圖3C及圖3D係分別形成有標記之狀態的被加工板50的剖視圖及仰視圖。在被加工板50的底面形成有由凹部構成之標記51。標記51的平面形狀例如大致為圓形,標記51的內部看似比周圍的平坦區域暗。因此,能夠藉由圖像分析檢測標記51,並求出其位置。
接著,參考圖4及圖5A~圖5F,對依據本實施例之板處理方法進行說明。
圖4係依據本實施例之板處理方法的流程圖。首先,使被加工板50支承於工作台15(圖1)(步驟S1)。此時,藉由使被加工板50的邊緣與定位銷17(圖3A)接觸而進行相對於工作台15的被加工板50的定位。在被加工板50未形成有定位用的標記。
使被加工板50支承於工作台15之後,控制裝置40使驅動機構24(圖2A)工作,對朝向被加工板50的工作台15側的面賦予至少2個標記51(圖2C、圖2D)(步驟S2)。
圖5A係賦予標記51之後的被加工板50的剖視圖。在朝向被加工板50的工作台15側的第1面61,賦予有由凹部構成之2個標記51。
接著,控制裝置40使XY載台11及噴墨單元31工作,在朝向與被加工板50的工作台15側相反一側的面,依據賦予有標記51之位置形成阻劑圖案(步驟S3)。關於阻劑圖案的形成,藉由從噴墨單元31噴出阻劑油墨而塗佈於被加工板50之後使其硬化而形成。關於阻劑油墨,例如使用紫外線硬化型油墨,藉由對塗佈於被加工板50之阻劑油墨照射紫外線而使阻劑油墨硬化。在被賦予相對於工作台15的基準點18(圖2A)之標記51之相對位置預先儲存在控制裝置40。
圖5B係形成有阻劑圖案之被加工板50的剖視圖。在被加工板50的第2面62形成有阻劑圖案65。阻劑圖案65相對於在第1面61形成之標記51的位置而進行定位。這相當於將支承於工作台15之被加工板50的朝向與工作台15相反一側的第2面62的處理結果亦即阻劑圖案65與打標部20對朝向工作台15的第1面61賦予之標記51的位置建立關連。
接著,使被加工板50的正背面反轉而支承於工作台15(步驟S4)。藉由使被加工板50反轉,第2面62朝向下方(工作台15側),形成有標記51之第1面61朝向上方。在使被加工板50的正背反轉之後,亦藉由使被加工板50的邊緣與定位銷17(圖3A)接觸而相對於工作台15進行被加工板50的定位。
接著,控制裝置40檢測各賦予至被加工板50的第1面61之2個標記51在工作台坐標系中之位置(相對於基準點18之相對位置)(步驟S5)。以下,對檢測標記51的位置之順序進行說明。首先,控制裝置40使XY載台11工作,藉此將賦予至被加工板50之1個標記51收容到攝像裝置32(圖1)的視角內。控制裝置40利用攝像裝置32拍攝標記51,並分析所獲得之圖像,藉此求出標記51在工作台坐標系中之位置。關於其他標記51,亦重複相同的順序而求出工作台坐標系中之位置。
接著,控制裝置40控制XY載台11及噴墨單元31,藉此依據標記51的位置,在被加工板50的第1面61形成阻劑圖案(步驟S6)。
圖5C係在第1面61形成有阻劑圖案66之狀態的被加工板50的剖視圖。在被加工板50的第2面62已形成有阻劑圖案65,在步驟S6中在第1面61形成阻劑圖案66。定義阻劑圖案65、66的平面形狀之初始圖像資料相同,其中一個阻劑圖案65依據初始圖像資料來形成,另一個阻劑圖案66依據使初始圖像資料進行鏡像反轉之圖像資料來形成。因此,將第1面的阻劑圖案66垂直投影到第2面62的像與第2面的阻劑圖案65一致。
在形成阻劑圖案65、66之後,將被加工板50從工作台15搬出(步驟S7)。之後,將阻劑圖案65、66作為蝕刻遮罩而對被加工板50進行蝕刻加工(步驟S8)。參考圖5D~圖5F,對蝕刻加工的順序進行說明。
如圖5D所示,在被加工板50的第1面61及第2面62的邊框狀的區域53貼附保護膠帶67。在貼附保護膠帶67之狀態下,利用蝕刻液對被加工板50進行蝕刻。
圖5E係蝕刻後的被加工板50的剖視圖。從第1面61及第2面62這兩側開始對阻劑圖案65、66及未被保護膠帶67覆蓋之區域的被加工板50進行蝕刻。其結果,形成貫穿被加工板50之開口55。蝕刻後,如圖5F所示,將阻劑圖案65、66及保護膠帶67從被加工板50剝離。
接著,對上述實施例的優異效果進行說明。
在上述實施例中,進行形成於被加工板50的第1面61之阻劑圖案66(圖5C)與形成於第2面之阻劑圖案66(圖5C)的相對定位時,將第1面61的標記51用作共同的位置基準。因此,能夠對第1面61的阻劑圖案66與第2面62的阻劑圖案65進行位置對準。
藉由使被加工板50的邊緣與定位銷17(圖3A)接觸,能夠相對於工作台15進行被加工板50的定位,但在該方法中,定位精度受到被加工板50的邊緣加工精度的影響。
在依據拍攝有被加工板50的角部之圖像求出被加工板50在工作台坐標系中之位置的方法中,在構成角部之端面傾斜時,會導致依據其中一個面的圖像確定的頂點與依據另一個面的圖像確定的頂點在面內方向上產生偏移。例如,藉由切斷機切斷金屬板時,會導致切斷面傾斜。利用角部的圖像求出位置基準時,會導致在其中一個面形成阻劑圖案時的基準位置與在另一個面形成阻劑圖案時的基準位置產生偏移。因此,無法使在兩面形成之阻劑圖案的位置高精度匹配。
在上述實施例中,不利用被加工板50的端面或角部而能夠進行第1面61的阻劑圖案66與第2面62的阻劑圖案65的位置對準。因此,不依賴端面的加工精度或角部的端面形狀而能夠進行位置對準。其結果,能夠提高位置對準精度。
又,在形成第一個阻劑圖案65(圖5B)時(步驟S3),無需檢測位置對準用的標記而進行位置對準。因此,能夠省略位置對準所需的處理時間。
進而,在上述實施例中,不進行利用光罩之曝光、光阻劑膜的顯影就能夠形成阻劑圖案。因此,能夠降低成本且縮短交期。
標記51(圖2C、圖2D)的大小相應於位置精度的要求值來設定為較佳。例如,將尖端角90°的刻印針25的尖端按壓在不鏽鋼板材,僅用手輕按就能夠形成開口部的直徑為100~120μm左右的圓錐狀的凹部。若將該大小的凹部用作標記51而進行位置對準,則能夠易於將位置對準誤差控制在±30μm以下。
接著,對上述實施例的變形例進行說明。
在上述實施例中,對被加工板50的第1面61賦予標記51(步驟S2)之後,在第2面62形成了阻劑圖案65,但亦可以在第2面62形成阻劑圖案65之後,賦予標記51。其中,在加壓板23(圖2A)所接觸的區域與應形成阻劑圖案65之區域的一部分重疊時,在形成阻劑圖案65之前形成標記51為較佳。
在上述實施例中,藉由刻印在被加工板50的第1面61而形成了標記51(圖5A),但亦可以利用其它方法形成標記51。例如,可以利用雷射打標技術來形成標記51,亦可以利用精確滴點油墨塗佈技術來形成標記51。
在上述實施例中,雖分別利用噴墨工法在被加工板50的兩面形成了阻劑圖案65(圖5B)及阻劑圖案66(圖5C),但亦可以替代在被加工板50的兩面形成阻劑圖案而實施其它處理。例如,需要相互位置對準來進行其中一個面的處理與另一個面的處理時,可獲得依據上述實施例之方法的優異效果。作為該處理,可舉出藉由網版印刷在兩面形成印刷圖案之處理、對兩面進行雷射加工之處理等。
上述實施例僅為例示,不用說當然能夠對示於實施例及變形例之構成的一部分進行替換或組合。本發明並不因上述實施例受到限制。例如,本領域技術人員應了解能夠進行各種變更、改良、組合等。
10:台架
11:XY載台
12:θ載台
15:工作台
16:抽吸孔
17:定位銷
20:打標部
21:突起
22:加壓機構
23:加壓板
24:驅動機構
25:刻印針
30:框架
31:噴墨單元
32:攝像裝置
40:控制裝置
50:被加工板
51:標記
53:邊框狀的區域
54:被邊框狀的區域包圍之區域
55:開口
61:第1面
62:第2面
65:第2面的阻劑圖案
66:第1面的阻劑圖案
67:保護膠帶
圖1係依據實施例之板處理裝置的概略圖。
圖2A係支承有被加工板之工作台的俯視圖,圖2B係圖2A的一點鏈線2B-2B中之剖視圖。
圖3A及圖3B係打標部的概略剖視圖,圖3C及圖3D係分別形成有標記之狀態的被加工板的剖視圖及仰視圖。
圖4係依據實施例之板處理方法的流程圖。
圖5A~圖5E係利用依據實施例之板處理方法進行被加工板的處理之中途階段中之被加工板的剖視圖,圖5F係處理後的被加工板的剖視圖。
15:工作台
16:抽吸孔
17:定位銷
18:基準點
21:突起
25:刻印針
50:被加工板
53:邊框狀的區域
54:被邊框狀的區域包圍之區域
Claims (6)
- 一種板處理裝置,其具有: 打標部,對支承於工作台之被加工板的朝向該工作台之面賦予標記;及 處理部,進行支承於該工作台之被加工板的朝向與該工作台相反一側的面之處理,將處理結果與該打標部賦予至朝向該工作台的面之標記的位置建立關連,檢測形成於朝向與該工作台相反一側的面之標記,依據被檢測到的標記的位置,進行朝向與該工作台相反一側的面之處理。
- 如申請專利範圍第1項所述之板處理裝置,其中, 該處理部依據由該打標部形成標記之位置,進行支承於該工作台之被加工板的朝向與該工作台相反一側的面之處理,藉此將處理結果與該打標部賦予至朝向該工作台的面之標記的位置建立關連。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之板處理裝置,其中, 該打標部具有: 突起,從該工作台的支承被加工板之支承面突出;及 加壓機構,對支承於該工作台之被加工板的與該突起接觸之區域施加朝向該工作台的荷重。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之板處理裝置,其中, 該打標部在支承於該工作台之被加工板的朝向該工作台的面中,對自該工作台的支承面內的基準點的相對位置被確定的位置賦予標記, 將賦予至支承於該工作台之被加工板的朝向與該工作台相反一側的面之標記的位置作為自該工作台的支承面的該基準點的相對位置求出, 該處理部在進行支承於該工作台之被加工板的朝向與該工作台相反一側的面之處理時,對在自該工作台的支承面的該基準點的相對位置被指定的位置進行處理。
- 一種板處理方法,其具有: 在被加工板的第1面形成標記之製程; 依據形成於該第1面之該標記的位置,進行與該被加工板的該第1面相反一側的第2面的處理之製程;及 在該第1面形成該標記之後,依據該標記的位置進行該被加工板的該第1面的處理之製程。
- 如申請專利範圍第5項所述之板處理方法,其中, 在該第1面形成該標記之製程中,利用刻印、油墨塗佈及雷射打標中之至少1種方法形成該標記。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018090122A JP2019196511A (ja) | 2018-05-08 | 2018-05-08 | 板処理装置及び板処理方法 |
JP2018-090122 | 2018-05-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201946790A TW201946790A (zh) | 2019-12-16 |
TWI688487B true TWI688487B (zh) | 2020-03-21 |
Family
ID=68480610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108113769A TWI688487B (zh) | 2018-05-08 | 2019-04-19 | 板處理裝置及板處理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019196511A (zh) |
KR (1) | KR102554316B1 (zh) |
CN (1) | CN110453221B (zh) |
TW (1) | TWI688487B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114599149B (zh) * | 2022-05-10 | 2022-07-15 | 四川英创力电子科技股份有限公司 | 一种用于hdi板的双面精密打靶的装置及方法 |
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2018
- 2018-05-08 JP JP2018090122A patent/JP2019196511A/ja active Pending
-
2019
- 2019-04-17 KR KR1020190044759A patent/KR102554316B1/ko active IP Right Grant
- 2019-04-19 TW TW108113769A patent/TWI688487B/zh active
- 2019-04-23 CN CN201910329477.7A patent/CN110453221B/zh not_active Expired - Fee Related
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KR102554316B1 (ko) | 2023-07-10 |
JP2019196511A (ja) | 2019-11-14 |
CN110453221B (zh) | 2021-08-20 |
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