KR101053450B1 - Mask repair apparatus and method - Google Patents

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    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects

Abstract

마스크 리페어 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 마스크 리페어 장치(100)는, 소정의 패턴이 형성되어 있는 반도체 또는 평판 디스플레이 제조용 마스크 상의 이물질을 제거하여 마스크를 리페어하는 마스크 리페어 장치(100)로서, 이물질이 제거되도록 이물질에 레이저를 조사하는 레이저부(210); 및 이물질이 제거되도록 이물질에 물리적인 힘을 인가하는 니들부(300)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 반도체 또는 평판 디스플레이 제조용 마스크 상의 이물질을 레이저로 조사하고 니들로 파내서(digging) 제거함으로써 보다 효율적으로 마스크를 리페어할 수 있다.

Figure R1020080094937

마스크, 이물질, 리페어, 레이저, 니들

A mask repair apparatus and method are disclosed. The mask repair apparatus 100 according to the present invention is a mask repair apparatus 100 for repairing a mask by removing a foreign substance on a mask for manufacturing a semiconductor or flat panel display in which a predetermined pattern is formed. A laser unit 210 to irradiate; And a needle part 300 that applies a physical force to the foreign matter so that the foreign matter is removed. According to the present invention, a mask can be repaired more efficiently by irradiating a laser on a mask for manufacturing a semiconductor or flat panel display with a laser and digging and removing it with a needle.

Figure R1020080094937

Mask, Foreign object, Repair, Laser, Needle

Description

마스크 리페어 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR REPAIRING A MASK}Mask repair apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR REPAIRING A MASK}

본 발명은 마스크 리페어 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 소정의 패턴이 형성되어 있는 반도체 또는 평판 디스플레이 제조용 마스크 상의 이물질을 레이저로 조사하고 니들로 파내서(digging) 제거하는 마스크 리페어 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a mask repair apparatus and method. More specifically, the present invention relates to a mask repair apparatus and method for irradiating a laser on a mask for manufacturing a semiconductor or flat panel display having a predetermined pattern, and digging and removing it with a needle.

최근 반도체에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다. 또한, 평판 디스플레이에 대한 연구도 고해상도를 추구하는 방향으로 진행되고 있다.Recently, research on semiconductors has been progressing toward high integration and high performance in order to process more data in a short time. In addition, research on flat panel displays is progressing toward high resolution.

반도체 및 평판 디스플레이를 제조하기 위해서는 막 형성, 패턴 형성, 금속 배선 형성 등과 같은 일련의 단위 공정을 수행한다. In order to manufacture semiconductor and flat panel displays, a series of unit processes such as film formation, pattern formation, and metal wiring formation are performed.

패턴 형성 공정에는 사진 식각 공정이 포함되며, 사진 식각 공정은 세정 공정, 표면 처리 공정, 포토 레지스트 막 형성 공정, 정렬/노광 공정, 현상 공정, 및 검사 공정 등의 일련의 과정을 포함하고 있다. The pattern forming process includes a photolithography process, and the photolithography process includes a series of processes such as a cleaning process, a surface treatment process, a photoresist film forming process, an alignment / exposure process, a developing process, and an inspection process.

한편, 패턴 형성 공정시 정확한 패턴 형성을 위해서는 패턴의 원판에 해당하는 마스크의 사용이 필수적이다. 패턴 형성 과정에서 마스크에는 여러가지 이유로 인해 이물질(파티클, 유기물, 포토 레지스트 잔류물 등)이 남게 마련이다.On the other hand, the use of a mask corresponding to the original plate of the pattern is essential for accurate pattern formation in the pattern formation process. During the pattern formation process, foreign materials (particles, organics, photoresist residues, etc.) remain in the mask for various reasons.

특히 반도체 및 평판 디스플레이를 이루는 소자와 배선은 극도로 미세하기 때문에, 이물질이 마스크에 묻어 있는 상태에서 패턴을 형성하게 되면 정상적인 소자나 배선의 형성이 방해되고 이로 인해 반도체 및 평판 디스플레이의 불량이 발생되므로, 마스크에는 이물질이 부착되지 않도록 하는 것이 중요하다.In particular, since the elements and wirings of the semiconductor and the flat panel display are extremely fine, if the pattern is formed while the foreign matter is buried in the mask, the formation of the normal device or the wire is interrupted, which causes defects in the semiconductor and the flat panel display. In addition, it is important to prevent foreign matter from adhering to the mask.

종래에는 마스크 상의 이물질을 제거하기 위한 방법으로 화학 약품을 이용하는 방법이 사용되었으나, 이때 사용되는 약품을 처리하는 도중 오염이 발생되는 문제점이 있었다. Conventionally, a method using a chemical is used as a method for removing foreign substances on a mask, but there is a problem in that contamination occurs during processing of the chemical used.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 대한민국 특허출원 1999-7001994 '레이저에 의한 기판 표면의 이물질 제거 방법'이 개시되었다. 상기 기술은 기판의 표면의 이물질 제거를 위해 소정의 반응 기체를 분사한 후, 이물질에 레이저를 조사하여 이물질을 제거하도록 구성되어 있다. 그러나, 상기 방식은 이물질의 종류에 따라서는 레이저의 조사에 의해 이물질이 완전히 제거되지 못하고 마스크 상에 계속적으로 잔류하면서 2차 오염을 발생시키는 문제점이 있었다. In order to solve this problem, the Republic of Korea Patent Application 1999-7001994 'a method for removing foreign substances on the surface of the substrate by a laser' has been disclosed. The technique is configured to spray a predetermined reaction gas to remove foreign substances on the surface of the substrate, and then remove the foreign substances by irradiating the laser with the foreign substances. However, according to the type of the foreign matter, there is a problem in that the foreign matter is not completely removed by the irradiation of the laser and remains secondary on the mask while generating secondary contamination.

이에 본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 소정의 패턴이 형성되어 있는 반도체 또는 평판 디스플레이 제조용 마스크 상의 이물질을 레이저로 조사하고 니들로 파내서(digging) 제거함으로써 이물질을 보다 효율적으로 제거할 수 있는 마스크 리페어 장치 및 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and the foreign matter on the mask for manufacturing a semiconductor or flat panel display having a predetermined pattern is irradiated with a laser and digging and removed with a needle to remove the foreign matter. It is an object of the present invention to provide a mask repair apparatus and method that can be efficiently removed.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 마스크 리페어 장치는, 소정의 패턴이 형성되어 있는 반도체 또는 평판 디스플레이 제조용 마스크 상의 이물질을 제거하여 마스크를 리페어하는 마스크 리페어 장치로서, 상기 이물질이 제거되도록 상기 이물질에 레이저를 조사하는 레이저부; 및 상기 이물질이 제거되도록 상기 이물질에 물리적인 힘을 인가하는 니들부를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the mask repair apparatus according to the present invention is a mask repair apparatus for repairing a mask by removing a foreign material on a mask for manufacturing a semiconductor or flat panel display in which a predetermined pattern is formed, wherein the foreign matter is removed. Laser unit for irradiating the laser to the foreign matter; And it characterized in that it comprises a needle for applying a physical force to the foreign matter so that the foreign matter is removed.

상기 레이저부로부터 방출된 레이저가 상기 이물질에 도달하게 하는 광학부를 더 포함할 수 있다. The optical unit may further include an optical unit for allowing the laser emitted from the laser unit to reach the foreign matter.

상기 니들부의 재질은 텅스텐일 수 있다. The material of the needle part may be tungsten.

상기 니들부에는 상기 니들부가 상기 이물질에 물리적인 힘을 인가하도록 하는 모터가 연결될 수 있다. The needle part may be connected to a motor to allow the needle part to apply a physical force to the foreign matter.

상기 니들부는 디깅(digging) 운동에 의하여 상기 이물질을 제거할 수 있다. The needle part may remove the foreign matter by a digging motion.

상기 니들부의 근처에는 상기 이물질을 흡입하거나 상기 이물질을 블로잉 하 는 기능 중 적어도 하나의 기능을 갖는 에어부가 설치될 수 잇다.An air unit having at least one function of inhaling the foreign matter or blowing the foreign matter may be installed near the needle part.

상기 에어부는 상기 니들부의 상기 이물질 제거 과정에서 니들 상에 부착된 이물질을 각각 흡입 및 블로잉 하는 기능을 더 포함할 수 있다.The air unit may further include a function of suctioning and blowing foreign matter attached to the needle in the process of removing the foreign matter from the needle part.

상기 니들부에 의한 이물질 제거 과정에서 상기 니들부에 부착되는 이물질을 제거하는 브러시부를 더 포함할 수 있다. The brush unit may further include a brush unit for removing the foreign matter attached to the needle part in the process of removing the foreign matter by the needle part.

그리고, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 마스크 리페어 방법은, 소정의 패턴이 형성되어 있는 반도체 또는 평판 디스플레이 제조용 마스크 상의 이물질을 제거하여 마스크를 리페어하는 마스크 리페어 방법으로서, 상기 이물질이 제거되도록 상기 이물질에 레이저를 조사하는 단계; 및 상기 이물질이 제거되도록 상기 이물질에 물리적인 힘을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the mask repair method according to the present invention is a mask repair method for removing a foreign material on a mask for semiconductor or flat panel display fabrication in which a predetermined pattern is formed and repairing the mask, wherein the foreign material is removed. Irradiating a laser to the foreign matter so as to be possible; And applying a physical force to the foreign matter so that the foreign matter is removed.

상기 이물질을 흡입하는 단계 또는 상기 이물질을 블로잉 하는 단계 중 적어도 하나의 단계를 더 포함할 수 있다. The method may further include at least one of inhaling the foreign matter or blowing the foreign matter.

본 발명에 따르면, 소정의 패턴이 형성되어 있는 반도체 또는 평판 디스플레이 제조용 마스크 상의 이물질을 레이저로 조사하고 니들로 파내서(digging) 제거하여 보다 효율적으로 마스크를 리페어할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is an effect that the mask can be repaired more efficiently by irradiating a laser on a mask for manufacturing a semiconductor or flat panel display on which a predetermined pattern is formed and digging away with a needle.

이하, 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 리페어 장치(100)의 구성을 나타내는 사시도이다. 도시한 바와 같이, 마스크 리페어 장치(100)는 테이블(110), X축 및 Y축 이동부(120, 130), 스테이지(140), 마스크 안착 프레임(150), 및 리페어부(200) 등을 포함하여 구성되어 있다. 1 is a perspective view showing the configuration of a mask repair apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. As shown in the drawing, the mask repair apparatus 100 may include the table 110, the X-axis and Y-axis moving units 120 and 130, the stage 140, the mask seating frame 150, the repair unit 200, and the like. It is configured to include.

먼저, 일명 갠트리(Gantry)라고 하는 테이블(110)은 지면에 대하여 견고하게 설치되어 외부의 진동이나 충격을 방지할 수 있는 프레임 구조물 상에 설치된다. 테이블(110)의 상부면은 보다 신뢰성 있는 리페어 공정을 진행하기 위해 정확하게 수평면이 되도록 한다.First, the table 110, called a gantry (Gantry) is installed on a frame structure that is firmly installed on the ground to prevent external vibration or impact. The upper surface of the table 110 is accurately leveled in order to proceed with a more reliable repair process.

테이블(110) 상부면의 상측 및 하측 양단으로는 직선 형태로 형성된 한 쌍의 X축 이동부(120)가 서로 연동하도록 설치되어 있고, X축 이동부(120) 각각에는 직선 형태로 형성된 Y축 이동부(130)의 양단이 연결되어 X축 이동부(120)의 동작에 의해 테이블(110)의 상부에서 이동할 수 있도록 설치된다. The upper and lower ends of the table 110 have a pair of X-axis moving parts 120 formed in a linear form to interlock with each other, and each of the X-axis moving parts 120 has a Y-axis formed in a linear shape. Both ends of the moving unit 130 are connected to each other so as to be movable on the upper portion of the table 110 by the operation of the X-axis moving unit 120.

Y축 이동부(130)에는 Y축 이동부(130)의 동작에 의해 이동할 수 있도록 리페어부(200)를 설치한다.The Y-axis moving unit 130 is provided with a repair unit 200 to move by the operation of the Y-axis moving unit 130.

X축 이동부(120)와 Y축 이동부(130)는 미도시된 모터의 구동력에 의해 동작되도록 한다. The X-axis moving unit 120 and the Y-axis moving unit 130 are operated by a driving force of a motor not shown.

테이블(110) 상에는 안착 프레임(150)이 안착되는 스테이지(140)가 설치된다. 스테이지(140)는 Y축 이동부(130)에 설치된 리페어부(200)의 동작에 방해가 되지 않도록 리페어부(200)와 소정 거리만큼 이격되어 설치되는 것이 바람직하다. The stage 140 on which the seating frame 150 is seated is installed on the table 110. The stage 140 may be spaced apart from the repair unit 200 by a predetermined distance so as not to interfere with the operation of the repair unit 200 installed in the Y-axis moving unit 130.

마스크 안착 프레임(150) 상에는 리페어 대상인 마스크(미도시)가 안착된다.A mask (not shown) as a repair target is mounted on the mask mounting frame 150.

도 2와 도 3은 마스크 리페어 장치(100)의 리페어부(200)의 구성을 나타내는 도면이다.2 and 3 are views showing the configuration of the repair unit 200 of the mask repair apparatus 100.

먼저, 리페어부(200)는 레이저를 조사할 수 있는 레이저부(210)를 포함할 수 있다. First, the repair unit 200 may include a laser unit 210 capable of irradiating a laser.

레이저부(210)에서는 마스크 상에 존재하는 이물질을 제거하기 위하여 이물질에 레이저 빔을 조사하는 역할을 한다. 레이저부(210)에서 방출되는 레이저 빔의 파장 및 출력 범위는 이물질을 제거하기에 적합하도록 다양하게 변경될 수 있다. 레이저부(210)에서 방출되는 레이저 빔은 펄스 레이저 빔 또는 연속 레이저 빔일 수 있다.The laser unit 210 serves to irradiate the laser beam to the foreign matter in order to remove the foreign matter present on the mask. The wavelength and output range of the laser beam emitted from the laser unit 210 may be variously changed to be suitable for removing foreign matter. The laser beam emitted from the laser unit 210 may be a pulsed laser beam or a continuous laser beam.

레이저부(210)에서 방출되는 레이저 빔이 이물질에 효과적으로 집속될 수 있도록 레이저부(210)와 이물질 사이에는 광학계(220)가 설치될 수 있다. 광학계(220)는 빔 스플리터(beam splitter), 렌즈, 필터, 셔터 등을 포함할 수 있다. 한편, 광학계(220)는 마스크 및 이물질의 제거 여부 등을 관측할 수 있는 대물 렌즈부(222)를 포함할 수 있다. An optical system 220 may be installed between the laser unit 210 and the foreign matter so that the laser beam emitted from the laser unit 210 may be effectively focused on the foreign matter. The optical system 220 may include a beam splitter, a lens, a filter, a shutter, and the like. On the other hand, the optical system 220 may include an objective lens unit 222 that can observe whether the mask and the foreign matter is removed.

레이저부(210)에서 방출되는 레이저 빔이 마스크 상의 이물질에 조사되면 이물질은 연소되어 제거될 수 있다. 이때, 상기 연소 과정을 촉진시키기 위하여 레이저 빔이 조사되는 이물질 주위를 소정의 보조가스 분위기로 조성할 수 있으며, 이를 위하여 레이저부(210)는 보조가스 공급부(미도시)를 더 포함할 수 있다. When the laser beam emitted from the laser unit 210 is irradiated to the foreign matter on the mask, the foreign matter may be burned and removed. In this case, in order to promote the combustion process, a surrounding of the foreign matter to which the laser beam is irradiated may be formed in a predetermined auxiliary gas atmosphere. For this purpose, the laser unit 210 may further include an auxiliary gas supply unit (not shown).

또한, 리페어부(200)는 니들부(300) 및 에어부(400)를 포함할 수 있다. In addition, the repair part 200 may include a needle part 300 and an air part 400.

니들부(300) 및 에어부(400)는 레이저부(210)를 이용하여 완전히 제거되지 못한 이물질(예를 들어, 이물질이 레이저에 의해 연소되고 남은 찌꺼기 등; 이하, 잔류물)을 제거하는 역할을 한다. The needle part 300 and the air part 400 serve to remove foreign matters (for example, foreign matters left after being burned by the laser, etc .; residues) which have not been completely removed by using the laser part 210. Do it.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 리페어 장치(100)의 니들부(300) 및 에어부(400)의 구성을 나타내는 분해 사시도이다. 4 is an exploded perspective view illustrating the configuration of the needle part 300 and the air part 400 of the mask repair apparatus 100 according to an exemplary embodiment of the present invention.

니들부(300)는 니들(310), 니들(310)을 고정시키는 고정 블록(312, 314, 316) 및 니들(310)의 거동을 미세 조절하는 제1 매니퓰레이터(320)를 포함하여 구성된다.The needle part 300 includes a needle 310, a fixing block 312, 314 and 316 for fixing the needle 310, and a first manipulator 320 for finely adjusting the behavior of the needle 310.

니들(310)의 일단에는 첨부가 형성된다. 니들(310)의 중간부는 소정의 경사도로 절곡되어 있다. 니들(310)은 텅스텐과 같은 강성이 높은 재질로 제작하는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.An attachment is formed at one end of the needle 310. The middle portion of the needle 310 is bent at a predetermined inclination. Needle 310 is preferably made of a material of high rigidity such as tungsten, but is not necessarily limited thereto.

니들(310)은 평판 형태의 제1 고정 블록(312)의 일측 중심에 니들(310)의 첨부가 소정의 방향을 향하는 상태로 위치된다. 제1 고정 블록(312)의 상부에는 'ㄷ' 형태의 제2 고정 블록(314)을 결합되며, 제2 고정 블록(314)에는 제3 고정 블록(316)이 결합되어 니들(310)이 완전히 고정되도록 한다. The needle 310 is positioned at the center of one side of the first fixing block 312 having a flat plate shape with the attachment of the needle 310 facing a predetermined direction. The second fixing block 314 having a 'c' shape is coupled to the upper portion of the first fixing block 312, and the third fixing block 316 is coupled to the second fixing block 314 so that the needle 310 is completely To be fixed.

니들(310)은 X, Y, Z 축 방향으로 이동할 수 있는 제1 매니퓰레이터 (320)를 개재하여 마운트(230)에 고정되는 것이 바람직하다. The needle 310 is preferably fixed to the mount 230 via the first manipulator 320 that can move in the X, Y, Z axis direction.

니들부(300)는 레이저 빔을 조사하여 완전히 제거하지 못한 마스크 상의 잔류물에 니들(310)을 통하여 물리적인 힘을 인가하여 잔류물을 제거하는 역할을 한다. 이때, 니들(310)이 잔류물을 파내는 디깅(digging) 방식에 의하여 잔류물을 제거할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.The needle part 300 serves to remove the residue by applying a physical force through the needle 310 to the residue on the mask that is not completely removed by irradiating the laser beam. In this case, it is preferable that the needle 310 can remove the residue by a digging method of digging out the residue.

니들(310)이 제거되어야 할 잔류물에 접근하는 동작과 니들(310)이 잔류물을 디깅 방식에 의하여 제거하는 동작은 니들부(300)의 상측에 설치되는 X축 이동 모터(M1), Y축 이동 모터(M2), Z축 이동 모터(M3)로부터 공급되는 구동력에 의해 달성될 수 있다.The operation of approaching the residue to be removed by the needle 310 and the operation of removing the residue by the digging method by the needle 310 are performed by the X-axis moving motor M1 and Y installed above the needle part 300. The driving force supplied from the axial movement motor M2 and the Z-axis movement motor M3 can be achieved.

제1 매니퓰레이터(320)에는 제1 매니퓰레이터(320)에 연결되는 니들(310)의 미세 조정 및 교체시에 니들(310)의 미세 이동을 가능하게 하는 X축 마이크로미터 스테이지(322), Y축 마이크로미터 스테이지(324) 및 Z축 마이크로미터 스테이지(326)가 설치될 수 있다. 이때, X축, Y축, Z축 마이크로미터 스테이지(322, 324, 326)는 매뉴얼 방식으로 니들(310)의 거동을 미세 조절하는 것이 바람직하다.The first manipulator 320 includes an X-axis micrometer stage 322 and a Y-axis micro to enable fine movement of the needle 310 during fine adjustment and replacement of the needle 310 connected to the first manipulator 320. Meter stage 324 and Z-axis micrometer stage 326 may be installed. At this time, the X-axis, Y-axis, Z-axis micrometer stage (322, 324, 326) it is preferable to finely adjust the behavior of the needle 310 in a manual manner.

에어부(400)는 니들부(300)를 이용해서도 완전히 제거되지 못한 잔류물을 제거하는 역할을 한다.The air unit 400 serves to remove residues that are not completely removed even using the needle unit 300.

에어부(400)는 에어관(410), 에어관(410)을 고정시키는 보조 마운트(420, 422) 및 에어관(410)의 거동을 미세 조절하는 제2 매니퓰레이터(430)를 포함하여 구성된다.The air unit 400 includes an air pipe 410, auxiliary mounts 420 and 422 for fixing the air pipe 410, and a second manipulator 430 for finely controlling the behavior of the air pipe 410. .

에어관(410)은 마스크 상의 잔류물을 제거하기 위하여 잔류물을 흡입하거나 잔류물에 에어를 블로잉(blowing) 한다. 이를 위하여 에어관(410)의 일단에는 에어 공급 단자(412)가 설치된다. 에어 공급 단자(412)는 잔류물 흡입을 위한 진공 펌프(미도시) 및 잔류물에 에어를 공급하는 에어 저장부(미도시)와 연결된다. 에어 공급 단자(412)의 일측에는 에어관(410)에 공급되는 에어의 압력을 조절하기 위하여 에어 속도 제어기(414)를 설치하는 것이 바람직하다.Air tube 410 inhales or blows air into the residue to remove residue on the mask. To this end, an air supply terminal 412 is installed at one end of the air pipe 410. The air supply terminal 412 is connected to a vacuum pump (not shown) for suctioning residue and an air storage unit (not shown) for supplying air to the residue. One side of the air supply terminal 412 is preferably provided with an air speed controller 414 to adjust the pressure of the air supplied to the air pipe 410.

에어관(410)은 보조 마운트(420, 422)에 의해 마운트(230)에 고정된다. 이때, 보조 마운트(422)는 에어관(410)이 잔류물에 용이하게 접근할 수 있도록 소정의 방향으로 절곡되어 형성될 수 있다. The air pipe 410 is fixed to the mount 230 by auxiliary mounts 420 and 422. At this time, the auxiliary mount 422 may be bent in a predetermined direction so that the air pipe 410 can easily access the residue.

에어관(410)이 제거되어야 할 잔류물에 접근하는 동작은 에어부(400)의 상측에 설치되는 X축 이동 모터(M1), Y축 이동 모터(M2), Z축 이동 모터(M3)로부터 공급되는 구동력에 의해 달성될 수 있다.The operation of approaching the residue to be removed from the air pipe 410 is from the X-axis moving motor (M1), Y-axis moving motor (M2), Z-axis moving motor (M3) installed on the upper side of the air portion 400 It can be achieved by the driving force supplied.

제2 매니퓰레이터(430)에는 제2 매니퓰레이터(430)에 연결되는 에어관(410)의 미세 조정 및 교체시에 에어관(410)의 미세 이동을 가능하게 하는 X축 마이크로미터 스테이지(432), Y축 마이크로미터 스테이지(434) 및 Z축 마이크로미터 스테이지(436)가 설치될 수 있다. 이때, X축, Y축, Z축 마이크로미터 스테이지(432, 434, 436)는 매뉴얼 방식으로 에어관(410)의 거동을 미세 조절하는 것이 바람직하다. 참고로 도 2의 (c) 및 도 4에서 Y축 마이크로미터 스테이지(434)는 설치되는 위치로 인하여 미도시되었다.The second manipulator 430 includes an X-axis micrometer stage 432 that enables fine movement of the air pipe 410 during fine adjustment and replacement of the air pipe 410 connected to the second manipulator 430. Axial micrometer stage 434 and Z-axis micrometer stage 436 may be installed. At this time, the X-axis, Y-axis, Z-axis micrometer stage (432, 434, 436) it is preferable to finely control the behavior of the air pipe 410 in a manual manner. For reference, in FIGS. 2C and 4, the Y-axis micrometer stage 434 is not shown due to the installed position.

한편, 에어부(400)는 니들부(300)에 의해 제거되지 못한 마스크 상의 잔류물을 제거하는 역할을 수행할 뿐만 아니라 니들부(300)의 잔류물 제거 과정에서 니들(310)의 표면에 부착될 수 있는 잔류물을 제거할 수도 있다. 즉, 잔류물 제거 과정에서 니들(310)의 표면에 부착되는 잔류물은 마스크 상의 잔류물 제거할 때 마스크를 2차 오염시킬 수 있으므로 주기적으로 니들(310)의 표면을 세척할 필요가 있으며, 이때 에어부(400)의 에어관(410)을 니들(310)에 접근시켜서 니들(310) 상의 잔류물을 흡입하거나 잔류물에 에어를 블로잉 하여 니들(310)을 세척할 수 있 다.Meanwhile, the air unit 400 not only serves to remove residues on the mask that are not removed by the needle unit 300, but also adheres to the surface of the needle 310 in the process of removing residues of the needle unit 300. It may also remove residues that may be present. That is, the residue attached to the surface of the needle 310 during the residue removal process may secondaryly contaminate the mask when the residue on the mask is removed, and thus it is necessary to periodically clean the surface of the needle 310. The air pipe 410 of the air unit 400 may be approached to the needle 310 to suck the residue on the needle 310 or blow the air to the residue to clean the needle 310.

또한, 상술한 바와 같이 에어부(400)를 이용해서도 니들(310) 상에서 완전히 제거되지 못한 잔류물은 마스크 리페어 장치(100)의 소정의 위치에 설치되는 미도시된 브러시(brush)를 이용하여 제거될 수 있다. 즉, 니들(310)을 브러시와 접촉시켜서 니들(310) 상의 잔류물을 브러싱하여 잔류물을 제거할 수 있다. 이때 브러시는 정전기 방지용(anti-static) 브러쉬를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, as described above, residues that are not completely removed on the needle 310 even by using the air unit 400 may be removed by using a brush (not shown) installed at a predetermined position of the mask repair apparatus 100. Can be removed. That is, the needle 310 may be contacted with a brush to brush the residue on the needle 310 to remove the residue. In this case, it is preferable to use an anti-static brush for the brush.

한편, 니들부(300)와 에어부(400)에 의한 잔류물 제거시 잔류물이 마스크의 주변으로 흩날려서 마스크 리페어 장치(100) 및 주변 클린룸 환경을 2차 오염시킬 수 있다. 이를 방지하여 위하여 상기 잔류물 제거 과정에서 흩날리는 잔류물을 용이하게 수거할 수 있도록 마스크의 하측에, 즉 테이블(110) 상에 미도시된 스티키 패드(sticky pad)를 설치할 수 있다. 상기 스티키 패드는 상기 브러시의 주변에도 설치하는 것이 바람직하다.Meanwhile, when the residues are removed by the needle part 300 and the air part 400, the residues may be scattered around the mask to secondaryly contaminate the mask repair apparatus 100 and the surrounding clean room environment. In order to prevent this, a sticky pad (not shown) may be installed on the lower side of the mask, that is, on the table 110 to easily collect the residues scattered in the residue removal process. Preferably, the sticky pad is provided around the brush.

이하 도면을 참조하여 본 발명에 따른 마스크 리페어 장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다. Referring to the drawings, the operation of the mask repair apparatus according to the present invention will be described.

먼저 마스크 리페어 장치(100)의 스테이지(140) 상에 리페어 대상인(즉, 이물질로 오염된) 마스크를 위치시킨다. First, a mask that is a repair target (that is, contaminated with foreign matter) is placed on the stage 140 of the mask repair apparatus 100.

이후, 마스크 리페어 장치(100) 내에 설치되어 있는 미도시된 관측 수단(예를 들어, 카메라)을 이용하여 마스크 상에서 이물질의 위치를 파악하고, X축 이동부(120)와 Y축 이동부(130)를 동작시켜 레이저부(210)가 이물질의 상측에 위치하도록 한다.Subsequently, the position of the foreign matter on the mask is determined by using a non-illustrated observation means (eg, a camera) installed in the mask repair apparatus 100, and the X-axis moving unit 120 and the Y-axis moving unit 130 are located. ) So that the laser unit 210 is positioned above the foreign matter.

이후, 레이저부(210)를 동작시켜 이물질을 향하여 레이저 빔을 조사한다. 이때, 빔 스플리터, 렌즈, 필터와 같은 광학계(220)를 이용하여 레이저 빔이 이물질로 집속되어 조사될 수 있도록 한다. 이물질에 레이저 빔이 조사됨으로써 이물질은 연소되어 마스크 상에서 제거된다.Thereafter, the laser unit 210 is operated to irradiate the laser beam toward the foreign matter. In this case, the laser beam may be focused and irradiated with a foreign material by using an optical system 220 such as a beam splitter, a lens, and a filter. When the laser beam is irradiated on the foreign matter, the foreign matter is burned and removed on the mask.

한편, 이물질은 연소 방식에 의하여 대부분 제거될 수 있지만, 이물질은 재질에 따라 레이저 빔으로 잘 연소되지 않거나 불완전 연소되어 이물질이 완전히 제거되지 않을 수도 있다. 경우에 따라서는 레이저 빔에 의해 발생된 열에 의해 제거되지 못한 이물질이 마스크 상에 융착되어 마스크로부터 잘 제거되지 않을 수도 있다. On the other hand, the foreign matter can be removed mostly by the combustion method, the foreign matter may not be burned well by the laser beam or incomplete combustion depending on the material may not be completely removed. In some cases, foreign matter that cannot be removed by the heat generated by the laser beam may be fused onto the mask to be removed from the mask.

이와 같이, 레이저 빔을 이용한 연소 방식에 의해서도 마스크 상에서 제거되지 않는 이물질, 특히 불완전 연소되어 남게 되는 잔류물은 다음과 같은 방식으로 제거할 수 있다. As such, foreign matters that are not removed on the mask even by the combustion method using a laser beam, particularly residues left after incomplete combustion, can be removed in the following manner.

먼저, X축, Y축 및 Z축 이동 모터(M1, M2, M3)를 동작시켜서 마스크 상의 잔류물에 니들부(300)를 구성하는 니들(310)의 첨부를 접근시킨 후 니들(310)의 첨부가 잔류물에 접촉되도록 한다.First, by operating the X-axis, Y-axis, and Z-axis moving motors M1, M2, and M3, the attachment of the needle 310 constituting the needle portion 300 to the residue on the mask is approached. Allow attachment to contact residue.

이후 니들(310)의 첨부가 잔류물에 접촉된 상태에서 계속하여 X축, Y축 및 Z축 이동 모터(M1, M2, M3)를 X, Y, Z 방향으로 동작시키면 잔류물이 니들(310)을 통하여 물리적인 힘을 받아서 마스크 상에서 제거될 수 있다. 이때, X축, Y축 및 Z축 이동 모터(M1, M2, M3)의 적절한 동작에 의하여 니들(310)이 잔류물을 파내는 디깅(digging) 방식에 의하여 잔류물을 제거할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 이 과정에서 니들(310)의 첨부가 마스크 표면에 닿게 되면 마스크에 손상이 발생될 수 있으므로 이를 방지할 수 있는 센서(미도시)를 니들부(300)에 추가로 설치할 수 있다.Thereafter, when the attachment of the needle 310 continues to operate in the X, Y, and Z axis moving motors M1, M2, and M3 in the X, Y, and Z directions while the attachment of the needle 310 is in contact with the residue, the residue may remain in the needle 310. Can be removed on the mask under physical force. In this case, it is preferable to allow the needle 310 to remove the residue by a digging method in which the needle 310 digging out the residue by proper operation of the X, Y, and Z-axis moving motors M1, M2, and M3. Do. In this process, when the attachment of the needle 310 comes in contact with the mask surface, damage may occur to the mask, so that a sensor (not shown) may be additionally installed in the needle part 300.

또한, 니들부(300)에 의해서도 마스크 상에서 제거되지 않는 잔류물은 다음과 같은 방식으로 제거할 수 있다. In addition, residues which are not removed on the mask even by the needle part 300 may be removed in the following manner.

우선, X축, Y축 및 Z축 이동 모터(M1, M2, M3)를 동작시켜 에어부(400)의 에어관(410)을 잔류물에 근접하게 이동시킨다.First, the X-, Y-, and Z-axis moving motors M1, M2, and M3 are operated to move the air pipe 410 of the air portion 400 close to the residue.

이후, 에어관(410)을 통해 진공을 이용하여 잔류물을 빨아 들임으로써 마스크 상에서 잔류물을 제거할 수 있다. 이와 더불어 에어관(410)을 통해 고압의 에어를 잔류물을 향하여 블로잉 함으로써 마스크 상에서 잔류물을 제거할 수 있다. 이때, 진공 펌프(미도시) 및 에어 공급부(미도시)와 연결되어 있는 에어 공급 단자(412)를 통하여 에어관(410)에 진공 및 에어가 공급된다. 또한, 에어관(410)에 공급되는 에어의 압력은 에어 속도 조절기(414)를 이용하여 조절될 수 있으며 이는 과도한 에어 압력에 의하여 마스크가 손상되는 것을 방지해 준다.Thereafter, the residue may be removed on the mask by sucking the residue using a vacuum through the air tube 410. In addition, the residue may be removed on the mask by blowing the high-pressure air toward the residue through the air pipe 410. At this time, the vacuum and air are supplied to the air pipe 410 through the air supply terminal 412 connected to the vacuum pump (not shown) and the air supply unit (not shown). In addition, the pressure of the air supplied to the air pipe 410 can be adjusted using the air speed regulator 414, which prevents the mask from being damaged by excessive air pressure.

에어부(400)는 니들부(300)의 잔류물 제거 과정에서 니들(310)의 표면에 부착되는 잔류물을 흡입하거나 잔류물에 에어를 블로잉 하여 잔류물을 제거하는 기능을 더 포함할 수 있으며 이는 니들(310) 상의 잔류물에 의하여 마스크가 2차 오염되는 것을 방지해 준다. 또한, 니들(310) 상의 잔류물은 마스크 리페어 장치(100)의 소정의 위치에 설치된 브러시(미도시)를 이용하여 추가로 제거될 수 도 있다.The air unit 400 may further include a function of removing the residue by sucking the residue attached to the surface of the needle 310 in the process of removing the residue of the needle unit 300 or blowing air on the residue. This prevents secondary contamination of the mask by residue on the needle 310. In addition, the residue on the needle 310 may be further removed using a brush (not shown) installed at a predetermined position of the mask repair apparatus 100.

상기에서는 레이저부(210), 니들부(300), 에어부(400)를 순차적으로 사용하 여 마스크 상의 이물질을 제거하는 것으로 설명하고 있으나 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 필요에 따라 레이저부(210), 니들부(300), 에어부(400)의 동작 순서를 다양하게 변경할 수 있으며, 아울러 필요에 따라 니들부(300)와 에어부(400) 중 어느 하나만을 사용할 수도 있다. 또한, 필요에 따라 니들부(300)와 에어부(400)를 동시에 동작시켜서 마스크 상의 이물질을 제거할 수도 있다.In the above description, the laser unit 210, the needle unit 300, and the air unit 400 are sequentially used to remove foreign substances on the mask, but the present invention is not limited thereto. For example, the operation order of the laser unit 210, the needle unit 300, and the air unit 400 may be variously changed as necessary, and as necessary, among the needle unit 300 and the air unit 400. You can use either one. In addition, if necessary, the needle part 300 and the air part 400 may be operated simultaneously to remove foreign substances on the mask.

이와 같이, 본 발명에 따른 마스크 리페어 장치 및 방법은 반도체 또는 평판 디스플레이 제조용 마스크 상의 이물질을 레이저로 조사하고 니들로 파내서(digging) 제거함으로써 보다 효율적으로 마스크를 리페어할 수 있는 이점이 있다.As described above, the mask repair apparatus and method according to the present invention has an advantage that the mask can be repaired more efficiently by irradiating a laser on a mask for manufacturing a semiconductor or flat panel display with a laser and digging and removing it with a needle.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명 이 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. In the present invention as described above has been described by the specific embodiments, such as specific components and limited embodiments and drawings, but this is provided to help a more general understanding of the present invention, the present invention is not limited to the above embodiments. For those skilled in the art, various modifications and variations are possible from these descriptions.

따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다. Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the claims described below, belong to the scope of the present invention. something to do.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 리페어 장치의 구성을 나타내는 사시도. 1 is a perspective view showing the configuration of a mask repair apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2와 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 리페어 장치의 리페어부의 구성을 나타내는 사시도. 2 and 3 are perspective views showing the configuration of the repair unit of the mask repair apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 리페어 장치의 니들부 및 에어부의 구성을 나타내는 분해 사시도. Figure 4 is an exploded perspective view showing the configuration of the needle portion and the air portion of the mask repair apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: 마스크 리페어 장치100: mask repair device

110: 테이블110: table

120: X축 이동부120: X axis moving part

130: Y축 이동부130: Y axis moving part

140: 스테이지140: stage

150: 마스크 안착 프레임150: mask seating frame

200: 리페어부200: repair part

210: 레이저부210: laser unit

220: 광학계220: optical system

222: 렌즈부222: lens unit

230: 마운트230: mount

300: 니들부300: needle part

310: 니들310: needle

320: 제1 매니퓰레이터320: first manipulator

322, 324, 326: X축, Y축, Z축 마이크로미터 스테이지322, 324, 326: X, Y, Z axis micrometer stage

400: 에어부400: air part

410: 에어관410: air pipe

412: 에어 연결 단자412: air connection terminal

414: 에어 속도 제어기414: air speed controller

420, 422: 보조 마운트420, 422: secondary mount

430: 제2 매니퓰레이터430: second manipulator

432, 434, 436: X축, Y축, Z축 마이크로미터 스테이지432, 434, 436: X, Y, Z axis micrometer stage

M1: X축 이동 모터M1: X axis moving motor

M2: Y축 이동 모터M2: Y axis moving motor

M3: Z축 이동 모터M3: Z axis moving motor

Claims (10)

소정의 패턴이 형성되어 있는 반도체 또는 평판 디스플레이 제조용 마스크 상의 이물질을 제거하여 마스크를 리페어하는 마스크 리페어 장치로서,A mask repair apparatus for repairing a mask by removing foreign substances on a mask for manufacturing a semiconductor or flat panel display in which a predetermined pattern is formed, 상기 이물질이 제거되도록 상기 이물질에 레이저를 조사하는 레이저부; 및A laser unit for irradiating a laser to the foreign matter so that the foreign matter is removed; And 상기 이물질이 제거되도록 상기 이물질에 물리적인 힘을 인가하는 니들부Needle part for applying a physical force to the foreign matter so that the foreign matter is removed 를 포함하며,Including; 상기 레이저부에 의해서 제거되지 못하고 남아있는 이물질이 상기 니들부에 의해서 제거되고,Remaining foreign matter not removed by the laser portion is removed by the needle portion, 상기 니들부의 근처에는 상기 이물질을 흡입하거나 상기 이물질을 블로잉 하는 기능 중 적어도 하나의 기능을 갖는 에어부가 설치되는 것을 특징으로 하는 마스크 리페어 장치.Mask repair apparatus, characterized in that the air portion having at least one of the function of inhaling the foreign matter or blowing the foreign matter is installed in the vicinity of the needle portion. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 레이저부로부터 방출된 레이저가 상기 이물질에 도달하게 하는 광학부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 리페어 장치. Mask repair apparatus, characterized in that further comprising an optical unit for the laser emitted from the laser unit to reach the foreign matter. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 니들부의 재질은 텅스텐을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 리페어 장치.Mask repair device, characterized in that the material of the needle portion comprises tungsten. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 니들부에는 상기 니들부가 상기 이물질에 물리적인 힘을 인가하도록 하는 모터가 연결되는 것을 특징으로 하는 마스크 리페어 장치.Mask repair device, characterized in that the needle is connected to the motor to enable the needle to apply a physical force to the foreign matter. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 니들부는 디깅(digging) 운동에 의하여 상기 이물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 마스크 리페어 장치.The needle part mask repair apparatus, characterized in that for removing the foreign matter by digging (digging) movement. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에어부는 상기 니들부의 상기 이물질 제거 과정에서 니들 상에 부착된 이물질을 각각 흡입 및 블로잉 하는 기능을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 리페어 장치.And the air unit further includes a function of suctioning and blowing foreign substances attached to the needles in the process of removing the foreign substances from the needle unit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 니들부에 의한 이물질 제거 과정에서 상기 니들부에 부착되는 이물질을 제거하는 브러시부를 더 포함하는 것을 마스크 리페어 장치.And a brush unit for removing the foreign matter attached to the needle part in the process of removing the foreign matter by the needle part. 삭제delete 삭제delete
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180042492A (en) 2016-10-17 2018-04-26 (주)룩스이엔지 Module for using the pressure of air masses to fix the mask

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI461838B (en) * 2010-04-16 2014-11-21 Cowindst Co Ltd Method and system for repairing halftone mask
CN105506548B (en) * 2016-03-01 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 A kind of mask plate prosthetic device, restorative procedure and deposition system
CN112764309A (en) * 2021-02-07 2021-05-07 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 Photomask defect removing method and device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005005291A (en) * 2003-06-09 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical lithography system and method for removing particle in optical lithography system
KR20050055465A (en) * 2003-12-08 2005-06-13 주식회사 하이닉스반도체 Method for removing foreign material according to the manufacure of semiconductor device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW285721B (en) * 1994-12-27 1996-09-11 Siemens Ag
AU2003290531A1 (en) * 2002-10-21 2004-05-13 Nanoink, Inc. Nanometer-scale engineered structures, methods and apparatus for fabrication thereof, and applications to mask repair, enhancement, and fabrication
US6829035B2 (en) * 2002-11-12 2004-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced mask cleaning and handling

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005005291A (en) * 2003-06-09 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical lithography system and method for removing particle in optical lithography system
KR20050055465A (en) * 2003-12-08 2005-06-13 주식회사 하이닉스반도체 Method for removing foreign material according to the manufacure of semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180042492A (en) 2016-10-17 2018-04-26 (주)룩스이엔지 Module for using the pressure of air masses to fix the mask

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