JP2012043992A - Cleaning apparatus, cleaning method, exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device - Google Patents
Cleaning apparatus, cleaning method, exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012043992A JP2012043992A JP2010184077A JP2010184077A JP2012043992A JP 2012043992 A JP2012043992 A JP 2012043992A JP 2010184077 A JP2010184077 A JP 2010184077A JP 2010184077 A JP2010184077 A JP 2010184077A JP 2012043992 A JP2012043992 A JP 2012043992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- environment
- reticle
- optical
- optical surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、光学部材の光学面を清掃する清掃装置及び清掃方法に関する。また、本発明は、清掃装置を備える露光装置、清掃方法を含む露光方法及び露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a cleaning device and a cleaning method for cleaning an optical surface of an optical member. The present invention also relates to an exposure apparatus including a cleaning apparatus, an exposure method including a cleaning method, and a device manufacturing method using the exposure apparatus.
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、パターンを感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に形成する露光装置が用いられる。こうした露光装置には、レンズ、ミラー及びマスクなどの光学部材が設けられている。そして、光学部材の光学面に異物が付着した場合、該異物の影響によって、基板に適切な形状のパターンを形成できなかったり、基板を照射する露光光の光量が低下したりするおそれがある。そこで、近年では、光学部材の光学面から異物を除去すべく該光学部材を清掃する装置として、例えば特許文献１に記載のクリーンニングシステムが提案されている。このクリーンニングシステムは、雪の粒子、例えば、炭酸ガス又はアルゴン等を光学部材に提供するものである。 In general, in a lithography process for manufacturing a microdevice such as a semiconductor integrated circuit, an exposure apparatus that forms a pattern on a substrate such as a wafer or a glass plate coated with a photosensitive material is used. Such an exposure apparatus is provided with optical members such as a lens, a mirror, and a mask. When foreign matter adheres to the optical surface of the optical member, there is a possibility that a pattern having an appropriate shape cannot be formed on the substrate or the amount of exposure light that irradiates the substrate may be reduced due to the influence of the foreign matter. Therefore, in recent years, for example, a cleaning system described in Patent Document 1 has been proposed as an apparatus for cleaning an optical member to remove foreign substances from the optical surface of the optical member. This cleaning system provides snow particles, such as carbon dioxide or argon, to the optical member.
ところで、このようなクリーンシステムを大気とは異なる雰囲気（一例として、真空雰囲気）に設定されたチャンバ内で使用する場合には、ノズルから提供される雪の粒子の状態（気化する等）が変化してしまうおそれがあった。 By the way, when such a clean system is used in a chamber set to an atmosphere different from the atmosphere (for example, a vacuum atmosphere), the state (vaporization, etc.) of snow particles provided from the nozzle changes. There was a risk of doing so.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光学部材の光学面から異物を効率よく除去することができる清掃装置、露光装置、清掃方法、露光方法及びデバイスの製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a cleaning apparatus, an exposure apparatus, a cleaning method, an exposure method, and a device that can efficiently remove foreign matters from the optical surface of an optical member. It is to provide a manufacturing method.
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１４に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の清掃装置は、チャンバ（１３）内に設けられる光学部材（１９，２１〜２４，３０〜３５，Ｍ，Ｒ）の光学面（Ｍａ，Ｒａ）を清掃する清掃装置（６０）であって、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に対向して配置されることにより、前記チャンバ（１３）内の環境から分離された清掃用環境（Ｓｐ）を形成する環境形成部材（６１，９０，１１０）と、前記清掃用環境（Ｓｐ）内で前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射する噴射部（７０）と、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体及び前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収する回収部（７２）と、を備えることを要旨とする。
In order to solve the above-described problems, the present invention employs the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 14 shown in the embodiment.
The cleaning device of the present invention is a cleaning device (60) for cleaning the optical surfaces (Ma, Ra) of optical members (19, 21-24, 30-35, M, R) provided in a chamber (13). An environment forming member (61) that forms a cleaning environment (Sp) separated from the environment in the chamber (13) by being arranged to face at least a part of the optical surfaces (Ma, Ra). , 90, 110), an injection unit (70) for injecting a cleaning medium onto at least a part of the optical surface (Ma, Ra) in the cleaning environment (Sp), and the optical surface (Ma, Ra). And a recovery part (72) for recovering foreign matter removed from at least a part of the optical surface by the cleaning medium.
本発明の清掃方法は、チャンバ（１３）内に設けられる光学部材（１９，２１〜２４，３０〜３５，Ｍ，Ｒ）の光学面（Ｍａ，Ｒａ）を清掃する清掃方法であって、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に対向する位置に、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境（Ｓｐ）を形成する環境形成工程（Ｓ１３，Ｓ１６）と、前記清掃用環境（Ｓｐ）内で前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射し、前記光学面（Ｍａ，Ｒａ）の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体と前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物とを回収する清掃工程（Ｓ１４，Ｓ１７）と、を有することを要旨とする。 The cleaning method of the present invention is a cleaning method for cleaning the optical surfaces (Ma, Ra) of the optical members (19, 21-24, 30-35, M, R) provided in the chamber (13). An environment forming step (S13, S16) for forming a cleaning environment (Sp) separated from the environment in the chamber at a position facing at least a part of the optical surface (Ma, Ra), and the cleaning environment ( Sp), a cleaning medium is sprayed onto at least a part of the optical surface (Ma, Ra), and the cleaning medium sprayed onto at least a part of the optical surface (Ma, Ra) and the cleaning medium And a cleaning step (S14, S17) for recovering foreign matter removed from at least a part of the optical surface.
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。 In order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, it has been described in association with the reference numerals of the drawings showing the embodiments, but it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments.
本発明によれば、光学部材の光学面から異物を効率良く除去することができる。 According to the present invention, foreign matters can be efficiently removed from the optical surface of the optical member.
（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した一実施形態について図１〜図８に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向をＹ軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をＸ軸方向として説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向ともいう。
(First embodiment)
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In this embodiment, the direction parallel to the optical axis of the projection optical system is the Z-axis direction, and the scanning direction of the reticle R and wafer W during scanning exposure in a plane perpendicular to the Z-axis direction is the Y-axis direction. The non-scanning direction orthogonal to the scanning direction will be described as the X-axis direction. The rotation directions around the X, Y, and Z axes are also referred to as the θx direction, the θy direction, and the θz direction.
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置である。こうした露光装置１１は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定されるチャンバ１３（図１では二点鎖線で囲まれた部分）を備えている。このチャンバ１３内には、光源装置１２からチャンバ１３内に供給された露光光ＥＬで所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを照明する照明光学系１４と、パターンの形成されたパターン形成面Ｒａが−Ｚ方向側（図１では下側）に位置するようにレチクルＲを保持するレチクル保持装置１５とが設けられている。また、チャンバ１３内には、レチクルＲを介した露光光ＥＬでレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを照射する投影光学系１６と、露光面（感光性材料が塗布されたウエハ表面）Ｗａが＋Ｚ方向側（図１では上側）に位置するようにウエハＷを保持するウエハ保持装置１７とが設けられている。
As shown in FIG. 1, an
光源装置１２は、波長が５〜２０ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして出力する装置であって、図示しないレーザ励起プラズマ光源を備えている。このレーザ励起プラズマ光源では、例えば半導体レーザ励起を利用したＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザで高密度のＥＵＶ光発生物質（ターゲット）を照射することによりプラズマが発生され、該プラズマからＥＵＶ光が露光光ＥＬとして放射される。こうした露光光ＥＬは、図示しない集光光学系によって集光されてチャンバ１３内に出力される。
The
照明光学系１４は、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体１８（図１では一点鎖線で囲まれた部分）を備えている。この筐体１８内には、光源装置１２から出力された露光光ＥＬを集光するコリメート用ミラー１９が設けられており、該コリメート用ミラー１９は、入射した露光光ＥＬを略平行に変換してオプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系２０（図１では破線で囲まれた部分）に向けて射出する。このフライアイ光学系２０は、一対のフライアイミラー２１，２２を備えており、該各フライアイミラー２１，２２のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー２１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａと光学的に共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー２１で反射された露光光ＥＬは、射出側に配置される射出側フライアイミラー２２に入射する。
The illumination
また、照明光学系１４には、射出側フライアイミラー２２から射出された露光光ＥＬを筐体１８外に射出するコンデンサミラー２３が設けられている。そして、コンデンサミラー２３から射出された露光光ＥＬは、後述する鏡筒２９内に設置された折り返し用の反射ミラー２４により、レチクル保持装置１５に保持されるレチクルＲに導かれる。
Further, the illumination
レチクル保持装置１５は、投影光学系１６の物体面側に配置されている。なお、レチクル保持装置１５の構成については、後述する。
また、レチクル保持装置１５は、レチクル移動装置２５の駆動によって、Ｙ軸方向（図１における左右方向）に移動可能である。すなわち、レチクル移動装置２５は、レチクル保持装置１５に保持されるレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクル移動装置２５は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）、Ｚ軸方向及びθｚ方向に微動させることが可能である。なお、レチクルＲのパターン形成面Ｒａが露光光ＥＬで照明される場合、該パターン形成面Ｒａの一部には、Ｘ軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。
The
The
また、レチクル保持装置１５の近傍には、レチクルＲのパターン形成面Ｒａのうち、露光光ＥＬで照明される照明領域のＺ軸方向における位置、即ち照明領域の高さを計測するための計測装置２６が設けられている。この計測装置２６は、Ｚ軸方向と交差する方向に向けて計測光（図１では破線矢印で示す。）を発光する複数（図１では１つのみ図示）の発光器２７（例えばハロゲンランプやレーザ）と、レチクルＲの照明領域の各位置で反射された計測光を受光可能な複数（図１では１つのみ図示）の受光器２８（例えばＣＣＤ）とを備えている。そして、各受光器２８は、レチクルＲの照明領域にて反射した計測光を受光した際の受光位置に応じた検出信号を後述する制御装置ＣＯＮＴに出力する。
Further, in the vicinity of the
投影光学系１６は、露光光ＥＬでレチクルＲのパターン形成面Ｒａを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２９を備えている。この鏡筒２９内には、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー３０，３１，３２，３３，３４，３５が収容されている。これら各ミラー３０〜３５は、図示しないミラー保持装置を介して鏡筒２９にそれぞれ保持されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、ミラー３０、ミラー３１、ミラー３２、ミラー３３、ミラー３４、ミラー３５の順に反射され、ウエハ保持装置１７に保持されるウエハＷの露光面Ｗａに導かれる。
The projection
照明光学系１４及び投影光学系１６が備える各ミラー１９，２１〜２４，３０〜３５のミラー面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。これら各反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜をそれぞれ有している。
On the mirror surfaces of the
ウエハ保持装置１７は、ウエハＷを静電吸着するための静電吸着保持装置３６を備えている。この静電吸着保持装置３６は、誘電性材料で形成され且つ吸着面３７ａを有する基体３７と、該基体３７内に配置される図示しない複数の電極部とを有している。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体３７から発生されるクーロン力により、吸着面３７ａにウエハＷが静電吸着される。また、ウエハ保持装置１７には、静電吸着保持装置３６を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向（図１では上下方向）における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。
The
こうしたウエハ保持装置１７は、ウエハ移動装置３８によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハ移動装置３８は、静電吸着保持装置３６に保持されるウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハ移動装置３８は、静電吸着保持装置３６に保持されるウエハＷをＸ軸方向に所定ストロークで移動させることが可能であるとともに、Ｚ軸方向に微動させることが可能である。
The
そして、ウエハＷの一つのショット領域にレチクルＲのパターンを形成する場合、照明光学系１４によって照明領域をレチクルＲに形成した状態で、レチクル移動装置２５の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向（例えば、＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側）に所定ストローク毎に移動させる。また同時に、ウエハ移動装置３８の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１６の縮小倍率に応じた速度比でＹ軸方向（例えば、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側）に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。
When the pattern of the reticle R is formed on one shot area of the wafer W, the reticle R is moved in the Y-axis direction by driving the
次に、本実施形態のレチクル保持装置１５について説明する。
図２（ａ）（ｂ）に示すように、レチクル保持装置１５は、レチクルＲにおいてパターン形成面Ｒａに沿う方向であるＸ軸方向における一方側（図２（ａ）では右側）を把持する第１把持部４０Ａと、レチクルＲにおいてＸ軸方向における他方側（図２（ａ）では左側）を把持する第２把持部４０Ｂとを備えている。これら各把持部４０Ａ，４０Ｂは、レチクルＲを挟んで互いに対向する第１当接部４１及び第２当接部４２を有している。第１当接部４１は、レチクルＲを所望の位置に設置するために、剛性の高い材料、例えば、ステンレス、アルミニウム、セラミックで形成されている。また、第２当接部４２は、レチクルＲをレチクル保持装置１５から着脱する際におけるレチクルＲの損傷を抑制するために、剛性の低い材料、例えば、デルリン（登録商標）、ポリイミド、導電性ポリイミドで形成されている。なお、第１当接部４１及び第２当接部４２は、これらの材料又はこれらの材料の組み合わせで形成したものであってもよい。また、第１当接部４１及び第２当接部４２の当接面４１ａ，４２ａは、研削又は研磨加工され、所望の面精度に仕上げられた面であってもよい。
Next, the
As shown in FIGS. 2A and 2B, the
第１当接部４１及び第２当接部４２は、パターン形成面Ｒａに沿う方向であって且つＸ軸方向と直交（交差）するＹ軸方向に延設されている。また、第１当接部４１及び第２当接部４２においてレチクルＲに当接する当接面４１ａ，４２ａ側には、Ｙ軸方向に沿って延びる複数（本実施形態では２つ）の溝部４３が形成されている。第１当接部４１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａのうち所定のパターンが形成される略正方形状の第１領域Ｒ１（図２（ｂ）では二点鎖線で囲まれた領域）を包囲するように形成された第２領域Ｒ２に当接するように配置されている。一方、第２当接部４２は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂ（即ち、＋Ｚ方向側の面）に当接するように配置されている。
The
また、各把持部４０Ａ，４０Ｂには、レチクル保持装置１５へのレチクルＲの取り付け時及びレチクル保持装置１５からのレチクルＲの取り外し時に駆動する駆動機構４５が設けられている。駆動機構４５は、第１当接部４１を−Ｚ方向側から支持する第１支持部４６と、第２当接部４２を＋Ｚ方向側から支持する第２支持部４７と、第１支持部４６を基準として第２支持部４７を相対的に揺動させるための支点部４８と、第２支持部４７に駆動力を付与すべく駆動するアクチュエータ４９とを備えている。例えば、アクチュエータ４９は、圧電素子、ボイスコイルモータ、電磁ソレノイド、油圧プランジャー、ボールねじと減速歯車と回転モータの組み合わせ等である。
Each gripping
第１支持部４６は、Ｘ軸方向に延びる第１アーム４６ａを有している。第１アーム４６ａの長手方向における第１の端部（即ち、レチクルＲに近い端部）側には、第１当接部４１をＹ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在であって、且つＸ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在な状態で支持する連結部５０が設けられている。また、第１アーム４６ａの長手方向における第２の端部（即ち、レチクルＲに遠い端部）側には、支点部４８が連結されている。
The
第２支持部４７は、Ｘ軸方向に延びる第２アーム４７ａを有している。第２アーム４７ａの長手方向における第１の端部側には、第２当接部４２をＹ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在であって、且つＸ軸方向に沿う図示しない軸線を中心に揺動自在な状態で支持する連結部５１が設けられている。また、第２アーム４７ａの長手方向における第２の端部には、支点部４８が連結されている。
The
本実施形態では、第１アーム４６ａの連結部５０及び第２アーム４７ａの連結部５１は、Ｙ軸方向に沿った複数の箇所に設けられる。例えば、連結部５０，５１は、Ｙ軸方向に沿って等間隔おきに、２箇所又は３箇所、あるいはそれ以上に設けてもよい。なお、連結部５０，５１の個数及び設置箇所は、例えば、第１当接部４１と第２当接部４２の機械的な剛性やレチクルＲの撓み量等に合わせて決められる。
In the present embodiment, the connecting
アクチュエータ４９は、Ｘ軸方向において各当接部４１，４２と支点部４８との間に配置されている。アクチュエータ４９の−Ｚ方向側の端部は、第１支持部４６に支持されると共に、アクチュエータ４９の＋Ｚ方向側の端部は、第２支持部４７に支持されている。そして、アクチュエータ４９は、外部から電圧が印加されることにより、Ｚ軸方向に伸縮可能に構成されている。すなわち、アクチュエータ４９が図２（ａ）に示す状態から伸張した場合には、アクチュエータ４９からの駆動力が増大された状態で第２支持部４７に伝達される。その結果、第２支持部４７に支持される第２当接部４２は、支点部４８を支点としてレチクルＲから離間する方向に移動する。
The
また、第１当接部４１にレチクルＲが載置された状態でアクチュエータ４９が収縮した場合には、アクチュエータ４９からの駆動力が増大された状態で第２支持部４７に伝達される。そして、第２当接部４２は、支点部４８を支点として第１当接部４１に接近する方向に移動する。その結果、レチクルＲは、第１当接部４１及び第２当接部４２によって挟持される。
Further, when the
このようにレチクルＲをＸ軸方向における両端で保持した場合、レチクルＲのＸ軸方向における中央は、自重によって、−Ｚ方向側（重力方向における下方側）に僅かに変位してしまう。すなわち、レチクルＲが撓んでしまう。しかし、こうしたレチクルＲの撓みは、十分に予測できる。この場合、重力によるレチクルＲの撓みは、他のレチクルＲに交換しても同様に発生する。そのため、制御装置ＣＯＮＴのメモリ（図示略）には、重力によるレチクルＲの撓みとレチクルＲに入射する露光光ＥＬの入射角とにより発生するディストーションを補正できるようなレチクルＲを移動させるための移動プログラム、ウエハＷを移動させるための移動プログラム及び各ミラーの角度調整プログラムなどを記憶させておいてもよい。この場合、レチクル保持装置１５に保持されるレチクルＲが交換される毎に、レチクルＲのＹ軸方向における各位置の高さを、計測装置２６を用いて計測しなくてもよい。
When the reticle R is held at both ends in the X-axis direction in this way, the center of the reticle R in the X-axis direction is slightly displaced toward the −Z direction (downward in the direction of gravity) by its own weight. That is, the reticle R is bent. However, such deflection of the reticle R can be sufficiently predicted. In this case, the deflection of the reticle R due to gravity occurs in the same manner even when the reticle R is replaced with another reticle R. Therefore, the memory (not shown) of the control device CONT moves to move the reticle R that can correct the distortion generated by the deflection of the reticle R due to gravity and the incident angle of the exposure light EL incident on the reticle R. A program, a moving program for moving the wafer W, an angle adjusting program for each mirror, and the like may be stored. In this case, every time the reticle R held by the
その一方で、レチクルＲ毎に撓み量が異なる可能性がある。この場合、レチクルＲをレチクル保持装置１５で保持させた場合に、レチクル移動装置２５の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向に移動させる。そして、レチクルＲのＹ軸方向における各位置の高さが、計測装置２６を用いて計測される。その結果、制御装置ＣＯＮＴでは、レチクルＲ用の移動プログラム、ウエハＷ用の移動プログラム及び各ミラーの角度調整プログラムなどが一部補正される。
On the other hand, the amount of deflection may be different for each reticle R. In this case, when the reticle R is held by the
そして、露光処理時では、レチクル移動装置２５は、計測装置２６による計測結果に基づき、レチクルＲのＺ軸方向における位置を微調整しつつ、該レチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。具体的には、レチクル移動装置２５は、レチクルＲにおいて露光光ＥＬで照明される照明領域のＺ軸方向における位置が一定となるように、レチクルＲのＺ軸方向における位置を微調整させる。
At the time of exposure processing, the
また、本実施形態の露光装置１１に使用されるレチクルＲには、パターン形成面Ｒａを保護するためのペリクルが設けられていないため、パターン形成面Ｒａに異物が付着する可能性がある。そのため、本実施形態の露光装置１１には、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの第１領域Ｒ１を清掃する清掃装置が設けられている。そこで次に、清掃装置について説明する。
Further, since the reticle R used in the
図３に示すように、清掃装置６０は、環境形成部材６１と、該環境形成部材６１をＹ軸方向に沿って移動させるための清掃用移動装置６２とを備えている。また、清掃装置６０は、チャンバ１３外に配置される第１タンク６３から清掃用媒体を環境形成部材６１に供給するための第１供給装置６４と、チャンバ１３外に配置される第２タンク６５から環境形成用気体を環境形成部材６１に供給するための第２供給装置６６とを備えている。さらに、清掃装置６０は、環境形成部材６１側から、使用済みとなった清掃用媒体及び環境形成用気体と、レチクルＲから除去された異物などとを回収するための回収装置６７を備えている。
As shown in FIG. 3, the
なお、環境形成用気体は、清掃用媒体噴射部７０から噴射された清掃用媒体がレチクルＲのパターン形成面Ｒａに適切な状態で衝突するように、環境形成部材６１の内部の圧力や温度等を調整するために用いられる。また、環境形成用気体は、環境形成部材６１の内部に供給されることで、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの熱を効率よく放熱させるために用いられる。
Note that the environment forming gas is such as the pressure and temperature inside the
環境形成部材６１は、図４（ａ）（ｂ）に示すように、熱伝導率の高い材料（一例としてアルミニウム）で構成された有底筒状の部材であって、底部６１ａと、該底部６１ａの＋Ｚ方向側に位置する四角筒状の筒状部６１ｂとを有している。すなわち、環境形成部材６１には、＋Ｚ方向側に開口する略矩形状の開口部６１ｃが形成されている。この開口部６１ｃのＸ軸方向における幅Ｈ１は、レチクルＲの第１領域Ｒ１のＸ軸方向における幅Ｈ２（図２（ｂ）参照）と同等、又は該幅Ｈ２よりも僅かに広いと共に、開口部６１ｃのＹ軸方向における幅Ｈ３は、開口部６１ｃのＸ軸方向における幅Ｈ１よりも狭い。また、環境形成部材６１のＸ軸方向における幅Ｈ４は、第１把持部４０Ａの第１当接部４１と第２把持部４０Ｂの第１当接部４１とのＸ軸方向における間隔Ｈ５（図２（ａ）参照）よりも僅かに狭い。つまり、本実施形態の環境形成部材６１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの一部に対向配置可能とされている。
As shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), the
また、環境形成部材６１の底部６１ａには、第１供給装置６４を介して供給された清掃用媒体を噴射するための複数（図４（ａ）では９個のみ図示）の清掃用媒体噴射部７０が形成されている。一例として、各清掃用媒体噴射部７０は、Ｘ軸方向に沿って等間隔に配置されている。こうした清掃用媒体噴射部７０の口径は、後述する第１供給管路７６内の口径よりも小さい。
Further, a plurality of cleaning medium ejecting units (only nine are shown in FIG. 4A) for ejecting the cleaning medium supplied via the
また、環境形成部材６１の底部６１ａには、第２供給装置６６を介して供給された気体を、環境形成部材６１とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとで囲まれた空間に供給するための環境形成用気体供給部７１が形成されている。一例として、環境形成用気体供給部７１は、底部６１ａのＸ軸方向における端部（図４（ａ）では左端）に配置されている。
In addition, an environment for supplying the gas supplied via the
また、環境形成部材６１において清掃用媒体噴射部７０の近傍には、清掃用媒体噴射部７０から噴射された清掃用媒体、環境形成用気体供給部７１から供給された環境形成用気体及びレチクルＲから除去された異物を回収するための回収部７２が設けられている。本実施形態では、回収部７２は、環境形成部材６１の筒状部６１ｂのうち＋Ｚ方向側（即ち、レチクルＲに対向する側）の端部に設けられている。また、回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０及び環境形成用気体供給部７１を包囲するように四角環状をなす回収口７２ａを有している。こうした回収部７２は、該回収部７２から−Ｚ方向側に延びる回収通路７３を介して回収装置６７に接続されている。
Further, in the
清掃用移動装置６２は、図３に示すように、環境形成部材６１を、Ｙ軸方向においてレチクル保持装置１５とは異なる位置であってレチクルＲを清掃不能な退避位置と、Ｙ軸方向においてレチクル保持装置１５に対応する位置であってレチクルＲを清掃可能な清掃位置との間で進退移動させる。なお、清掃用移動装置６２の駆動によって環境形成部材６１が清掃位置に配置された場合、図５に示すように、環境形成部材６１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａとの間に、ほんの僅かな隙間Ｈ６（例えば、５μｍ程度）を介在させた状態で配置される。
As shown in FIG. 3, the
第１供給装置６４は、図５に示すように、第１タンク６３内から清掃用媒体を吸引する第１ポンプ７５と、該第１ポンプ７５から吐出された清掃用媒体を環境形成部材６１の各清掃用媒体噴射部７０に供給するための第１供給管路７６とを備えている。第１供給管路７６において環境形成部材６１側の部位は、各清掃用媒体噴射部７０に個別対応するように分岐されている。そして、各清掃用媒体噴射部７０からは、同一圧力で清掃用媒体が噴射される。
As shown in FIG. 5, the
また、第１ポンプ７５は、第１タンク６３と同様に、チャンバ１３外に配置されている。そのため、第１供給管路７６は、チャンバ１３の側壁に形成された貫通孔１３ａ内を貫通している。第１供給管路７６の外周面と貫通孔１３ａの側面との間には、熱伝導率の低い材料で構成された円環状の封止部材７７が設けられている。この封止部材７７は、貫通孔１３ａと第１供給管路７６との間の隙間を介して外部からチャンバ１３に大気が漏入することを抑制している。
Further, the
また、第１供給管路７６のうちチャンバ１３内に位置する部分は、熱伝導率の低い材料で構成された筒部材７８によって内包されている。その結果、第１供給管路７６内の温度は、第１タンク６３内と略同等に維持される。なお、図５では、明細書の説明理解の便宜上、回収部７２の図示を省略している。
Moreover, the part located in the
本実施形態において、清掃用媒体は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに噴射されることで、気化または昇華する性質を有する媒体である。例えば、清掃用媒体は、二酸化炭素を含んでいる。第１タンク６３には、液状の清掃用媒体（例えば、液体の二酸化炭素）が貯留されており、第１ポンプ７５を駆動させることによって、環境形成部材６１の内部に液状の清掃用媒体が供給される。そして、環境形成部材６１の各清掃用媒体噴射部７０から、液状の清掃用媒体が噴射される。例えば、清掃用媒体として二酸化炭素を使用する場合、清掃用媒体噴射部７０から液体の二酸化炭素を噴射すると、液体の二酸化炭素は熱の出入りがない急激な膨張（断熱膨張）を起こし、固体の二酸化炭素（ドライアイス）と気体の二酸化炭素が入り混じった状態となって、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに噴射される。噴射されたドライアイスは、レチクルＲのパターン形成面Ｒａ上の異物に衝突し、気体の二酸化炭素によって、ドライアイスと異物とがレチクルＲのパターン形成面Ｒａから除去される。
In the present embodiment, the cleaning medium is a medium having a property of being vaporized or sublimated by being jetted onto the pattern forming surface Ra of the reticle R. For example, the cleaning medium contains carbon dioxide. The
第２供給装置６６は、図３に示すように、第２タンク６５内から環境形成用気体を吸引する第２ポンプ８０と、該第２ポンプ８０から吐出された環境形成用気体を環境形成部材６１の環境形成用気体供給部７１に供給するための第２供給管路８１とを備えている。第２ポンプ８０は、第２タンク６５と同様に、チャンバ１３外に配置されている。また、第２タンク６５では、環境形成用気体の温度が室温又は該室温よりも低温で保持されている。なお、本実施形態の環境形成用気体は、例えば、ヘリウムを含んでいる。また、環境形成用気体は、主成分がヘリウム、窒素、ドライエアー、又はこれらの混合物となる気体であってもよい。また、環境形成用気体は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに付着したカーボンコンタミの除去用に酸素を含んでものであってもよい。なお、カーボンコンタミとは、カーボンコンタミネーションの略であり、炭素を主成分とする汚れのことを示す。
As shown in FIG. 3, the
回収装置６７は、チャンバ１３外に配置される回収ポンプ８３と、該回収ポンプ８３と環境形成部材６１の回収部７２とを連結する回収用管路８４とを備えている。
次に、本実施形態の露光装置１１を制御する制御装置について説明する。
The
Next, a control device that controls the
図６に示すように、制御装置ＣＯＮＴには、レチクル保持装置１５、レチクル移動装置２５、ウエハ移動装置３８、計測装置２６、清掃用移動装置６２及び各ポンプ７５，８０，８３が電気的に接続されている。こうした制御装置ＣＯＮＴには、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭなどを有する制御回路が設けられている。ＲＯＭには、各種制御プログラム及び各種データなどが記憶されている。ＲＡＭには、ＣＰＵが実行するプログラムデータ及びＣＰＵによる演算結果及び処理結果である各種データなどが一時記憶される。
As shown in FIG. 6, a
次に、ウエハ保持装置１７に保持されるウエハＷの各ショット領域に順番に露光処理を行う際に制御装置ＣＯＮＴが実行する露光処理ルーチンについて、図７に示すフローチャートに基づき説明する。
Next, an exposure processing routine executed by the control device CONT when performing the exposure processing in order on each shot area of the wafer W held by the
ウエハ保持装置１７にウエハＷが設置されると、制御装置ＣＯＮＴは、露光処理ルーチンを実行する。この露光処理ルーチンにおいて、制御装置ＣＯＮＴは、レチクル移動装置２５とウエハ移動装置３８とを協働させることにより、ウエハＷの一つのショット領域に対して露光処理を行う（ステップＳ１０）。一つのショット領域に対する露光処理が完了すると、制御装置ＣＯＮＴは、ウエハＷの全てのショット領域に対する露光処理が完了したか否かを判定する（ステップＳ１１）。
When the wafer W is placed on the
この判定結果が否定判定（ＮＯ）である場合、即ち未だ露光処理が完了していないショット領域が存在する場合、制御装置ＣＯＮＴは、変更工程を行う。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、露光処理を施すショット領域を変更させるべくウエハ移動装置３８の駆動を開始させる（ステップＳ１２）。そして、ショット領域の変更が行われる間に、制御装置ＣＯＮＴは、退避位置に位置する環境形成部材６１を清掃位置に移動させるべく清掃用移動装置６２を制御する清掃準備処理を行う（ステップＳ１３）。環境形成部材６１が清掃位置に移動すると、環境形成部材６１は、環境形成部材６１の内面とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとで囲まれた空間を形成する。この状態で、制御装置ＣＯＮＴが第２ポンプ８０を駆動させると、環境形成部材６１の内面とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとで囲まれた空間に環境形成用気体を供給することによって、清掃用空間（清掃用環境ともいう。）Ｓｐが形成される。この清掃用空間Ｓｐは、チャンバ１３内の環境から分離されている。（図５参照）。したがって、本実施形態では、ステップＳ１３が、環境形成工程に相当する。
If this determination result is a negative determination (NO), that is, if there is a shot area for which the exposure processing has not yet been completed, the control device CONT performs a changing process. Specifically, the control device CONT starts driving the
続いて、制御装置ＣＯＮＴは、清掃処理を行う（ステップＳ１４）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、第１ポンプ７５を駆動させると共に、レチクルＲをＹ軸方向に沿って移動させるべくレチクル移動装置２５を駆動させる。続いて、制御装置ＣＯＮＴは、回収ポンプ８３を駆動させる。
Subsequently, the control device CONT performs a cleaning process (step S14). Specifically, the control device CONT drives the
すると、環境形成用気体によって形成された清掃用空間Ｓｐ内には、図８（ａ）に示すように、各清掃用媒体噴射部７０からレチクルＲのパターン形成面Ｒａのうち開口部６１ｃに対向する部位に向けて清掃用媒体が噴射される。その結果、レチクルＲのパターン形成面Ｒａには、清掃用媒体が衝突する。こうした清掃用媒体が衝突された状態で、レチクルＲは、Ｙ軸方向に沿って移動する。そして、各清掃用媒体噴射部７０及び環境形成用気体供給部７１から噴射された清掃用媒体及び環境形成用気体は、図８（ｂ）に示すように、回収部７２を介して回収される。このとき、清掃用媒体とレチクルＲとの衝突によって該レチクルＲから異物が剥離された場合、該異物は、清掃用媒体及び環境形成用気体と共に回収部７２を介して回収される。
Then, in the cleaning space Sp formed by the environment forming gas, as shown in FIG. 8A, each cleaning
ちなみに、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに衝突した清掃用媒体は、レチクルＲから熱を受けたり、環境形成部材６１から熱を受けたりして気化する。そして、気化後の清掃用媒体（即ち、炭酸ガス）が、回収部７２を介して回収される。したがって、本実施形態では、ステップＳ１４が、清掃工程に相当する。
Incidentally, the cleaning medium that has collided with the pattern forming surface Ra of the reticle R is vaporized by receiving heat from the reticle R or receiving heat from the
図７に戻り、レチクルＲの清掃が完了すると共に、ウエハＷのショット領域の変更が完了すると、制御装置ＣＯＮＴは、各ポンプ７５，８０を停止させた後に、回収ポンプ８３を停止させ、その後、環境形成部材６１を退避位置に移動させるべく清掃用移動装置６２を制御する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、レチクルＲの第１領域Ｒ１の一部（Ｙ軸方向における一端側）を露光光ＥＬで照明できるようにレチクル移動装置２５を駆動させ、その後、その処理を前述したステップＳ１０に移行する。すなわち、本実施形態では、ウエハＷのうち露光処理が行われるショット領域が変更される際に、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。
Returning to FIG. 7, when the cleaning of the reticle R is completed and the change of the shot area of the wafer W is completed, the control unit CONT stops the
一方、ステップＳ１１の判定結果が肯定判定（ＹＥＳ）である場合、即ち全てのショット領域に対して露光処理が完了した場合、制御装置ＣＯＮＴは、交換工程を行う。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、ウエハ移動装置３８に保持させるウエハＷの交換を開始させる（ステップＳ１５）。そして、ウエハＷの交換が行われている間に、制御装置ＣＯＮＴは、上記ステップＳ１３の処理と同じように、清掃準備処理を行う（ステップＳ１６）。したがって、本実施形態では、ステップＳ１６もまた、環境形成工程に相当する。 On the other hand, when the determination result in step S11 is affirmative (YES), that is, when the exposure processing is completed for all shot regions, the control device CONT performs an exchange process. Specifically, the control device CONT starts exchanging the wafer W held by the wafer moving device 38 (step S15). Then, while the wafer W is being replaced, the control device CONT performs a cleaning preparation process (step S16) in the same manner as the process of step S13. Therefore, in this embodiment, step S16 also corresponds to an environment formation process.
続いて、制御装置ＣＯＮＴは、上記ステップＳ１４と同じように、清掃処理を行う（ステップＳ１７）。したがって、本実施形態では、ステップＳ１７もまた、清掃工程に相当する。 Subsequently, the control device CONT performs a cleaning process in the same manner as in step S14 (step S17). Therefore, in this embodiment, step S17 also corresponds to a cleaning process.
その後、レチクルＲの清掃が完了すると共に、ウエハＷの交換が完了すると、制御装置ＣＯＮＴは、各ポンプ７５，８０を停止させた後に、回収ポンプ８３を停止させ、その後、環境形成部材６１を退避位置に移動させるべく清掃用移動装置６２を制御する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、レチクルＲの第１領域Ｒ１の一部（Ｙ軸方向における一端側）を露光光ＥＬで照明できるようにレチクル移動装置２５を駆動させ、その後、その処理を前述したステップＳ１０に移行する。すなわち、本実施形態では、露光処理が行われるウエハＷが交換される際に、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。つまり、ウエハＷを交換する交換工程の間に、レチクルＲが清掃される。
Thereafter, when the cleaning of the reticle R is completed and the replacement of the wafer W is completed, the control device CONT stops the
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃時では、該パターン形成面Ｒａ側にチャンバ１３内の環境から分離された清掃用空間Ｓｐが形成される。この清掃用空間Ｓｐで清掃用媒体がパターン形成面Ｒａの一部に向けて噴射される。そして、噴射された清掃用媒体及びパターン形成面Ｒａの一部から除去された異物は、回収部７２を介して回収される。したがって、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに清掃用媒体を衝突させることにより、該パターン形成面Ｒａから異物を除去することができる。
Therefore, in this embodiment, the following effects can be obtained.
(1) At the time of cleaning the pattern forming surface Ra of the reticle R, a cleaning space Sp separated from the environment in the
（２）回収部７２は、清掃用媒体噴射部７０の周辺に配置されている。そのため、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃すべく清掃用媒体噴射部７０から噴射された清掃用媒体を、回収部７２を介して効率良く回収できる。したがって、清掃用媒体が清掃用空間Ｓｐ外に漏れ出ることを抑制でき、ひいてレチクルＲの清掃に伴うチャンバ１３内の真空度の低下を抑制できる。
(2) The
（３）回収部７２の回収口７２ａは、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように環状に形成されている。しかも、回収口７２ａは、環境形成部材６１の筒状部６１ｂにおいてレチクルＲに対向する側の端部に形成されている。そのため、清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物が清掃用空間Ｓｐ外に流出することを抑制でき、ひいては清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物を、効率良く回収できる。
(3) The
（４）さらに、環境形成部材６１は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａとの間に、ほんの僅かな隙間Ｈ６（例えば、５μｍ程度）を介在させた状態で配置される。そのため、隙間Ｈ６が、清掃用空間Ｓｐ内から外部に漏出しようとする気体（使用済みとなった清掃用媒体及び環境形成用気体）に対して流動抵抗として作用し、結果として、上記気体は、回収部７２を介してチャンバ１３外に排出される。そのため、清掃用媒体が清掃用空間Ｓｐ外に漏出することを抑制できる。
(4) Furthermore, the
（５）第１タンク６３から第１供給管路７６を介して清掃用媒体噴射部７０に供給される清掃用媒体は、温度の上昇によって状態を変化させる。そのため、第１タンク６３から第１供給管路７６を介して清掃用媒体噴射部７０に供給される過程で、清掃用媒体の温度が上昇し過ぎてしまうと、清掃用媒体は、清掃用媒体噴射部７０内に流入した時点で気化している可能性がある。この点、本実施形態では、第１供給装置６４の筒部材７８によって、第１供給管路７６の環境（特に温度）を、第１タンク６３内の環境（特に温度）に接近させることができる。そのため、第１タンク６３から供給される液状の清掃用媒体のうち、第１供給管路７６内で気化する清掃用媒体の量を少なくできる。したがって、レチクルＲに清掃用媒体を確実に衝突させることができ、レチクルＲを好適に清掃できる。
(5) The state of the cleaning medium supplied from the
（６）また、清掃用空間Ｓｐは、レチクルＲと環境形成部材６１とによって、チャンバ１３内の環境と分離される。そのため、清掃時では、清掃用空間Ｓｐ内の環境は、チャンバ１３内の環境と大きく異なる。具体的には、清掃用空間Ｓｐ内の温度は、チャンバ１３内の温度よりも低い。そのため、清掃用空間Ｓｐを形成しないで清掃用媒体をレチクルＲに噴射する場合と比較して、レチクルＲに衝突する清掃用媒体の量を増大させることができる。例えば、清掃用媒体として二酸化炭素を用いる場合、レチクルＲに衝突するドライアイスの量を増大させることができる。したがって、レチクルＲの清掃効率を向上させることができる。
(6) The cleaning space Sp is separated from the environment in the
（７）さらに、清掃用媒体は、レチクルＲよりも低温である。そのため、レチクルＲを清掃する目的で清掃用媒体をレチクルＲに噴射することにより、レチクルＲを冷却することができる。したがって、レチクルＲの熱膨張に起因したパターンの像の乱れを抑制でき、ウエハＷに対して適切なパターンを形成させることができる。 (7) Furthermore, the cleaning medium is at a lower temperature than the reticle R. Therefore, the reticle R can be cooled by spraying a cleaning medium onto the reticle R for the purpose of cleaning the reticle R. Therefore, the disturbance of the pattern image due to the thermal expansion of the reticle R can be suppressed, and an appropriate pattern can be formed on the wafer W.
（８）また、レチクルＲの清掃時には、レチクルＲに向けて清掃用媒体及び環境形成用気体が噴射されるため、レチクルＲを効率良く冷却できる。したがって、レチクルＲに露光光ＥＬを照明する露光処理中のレチクルＲの温度を、所望の温度範囲内に抑えることができる。また、その温度範囲内で、レチクル基板の温度膨張係数を最小に設定することで、レチクルＲの熱膨張に起因したパターンの像のディストーション、重ね誤差を抑制でき、ウエハＷに対して適切なパターンを形成させることができる。 (8) Further, when cleaning the reticle R, since the cleaning medium and the environment forming gas are jetted toward the reticle R, the reticle R can be efficiently cooled. Therefore, the temperature of the reticle R during the exposure process for illuminating the reticle R with the exposure light EL can be suppressed within a desired temperature range. Further, by setting the temperature expansion coefficient of the reticle substrate to the minimum within the temperature range, distortion of the pattern image and overlay error due to the thermal expansion of the reticle R can be suppressed, and an appropriate pattern for the wafer W can be suppressed. Can be formed.
（９）レチクル基板としては、例えば、低熱膨張素材のガラスが用いられる。低熱膨張素材のガラスは、設計温度付近での温度変化に対して素材の膨張が少なく、それ以外の温度では、温度変化に対する素材の膨張が大きくなる。そのため、レチクルＲの実使用時の温度範囲をなるべく狭くし、平均温度を、温度変化に対する素材の膨張が最も少ない温度に設定することが望ましい。この点、本実施形態では、レチクルＲに露光光ＥＬが照射されない非露光処理中（例えば、ウエハ交換中やスキャンブランキング動作中等）に、環境形成用気体と清掃用気体とを用いて、レチクルＲが冷却される。そのため、レチクルＲに露光光ＥＬを照射する露光処理中の温度範囲を、所望の温度範囲まで狭くすることができる。すなわち、レチクルＲを、該レチクルＲが最も膨張しにくい温度範囲で使用することができる。 (9) As the reticle substrate, for example, glass of a low thermal expansion material is used. The glass of the low thermal expansion material has little expansion of the material with respect to the temperature change near the design temperature, and at other temperatures, the expansion of the material with respect to the temperature change becomes large. Therefore, it is desirable to narrow the temperature range during actual use of the reticle R as much as possible and set the average temperature to a temperature at which the expansion of the material with respect to the temperature change is the smallest. In this respect, in the present embodiment, the reticle R is used by using the environment forming gas and the cleaning gas during the non-exposure processing in which the exposure light EL is not irradiated onto the reticle R (for example, during wafer exchange or scan blanking operation). R is cooled. For this reason, the temperature range during the exposure process in which the reticle R is irradiated with the exposure light EL can be narrowed to a desired temperature range. That is, the reticle R can be used in a temperature range in which the reticle R is least likely to expand.
（１０）もし仮に露光処理を行うショット領域の変更時にレチクルＲを清掃しないとすると、パターン形成面Ｒａに異物が付着した状態で露光処理が開始されるおそれがある。この場合、パターン形成面Ｒａに付着した異物の影響によって、一つのウエハＷが全て不良となるおそれがある。この点、本実施形態では、ウエハＷにパターンを形成するショット領域を変更すべくウエハＷが移動している間に、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。そのため、一つのウエハＷの全ての部分が不良となる可能性を低くすることができる。
(10) If the reticle R is not cleaned at the time of changing the shot area where the exposure process is performed, the exposure process may start with foreign matter adhering to the pattern formation surface Ra. In this case, all the wafers W may be defective due to the influence of foreign matter attached to the pattern formation surface Ra. In this regard, in the present embodiment, the reticle R is cleaned using the
（１１）また、このように短い間隔でレチクルＲが清掃されることにより、パターン形成面Ｒａに異物が付着したとしても、該異物を速やかに該パターン形成面Ｒａから取り除くことができる。 (11) Further, by cleaning the reticle R at such a short interval, even if foreign matter adheres to the pattern forming surface Ra, the foreign matter can be quickly removed from the pattern forming surface Ra.
（１２）また、本実施形態では、ウエハＷの交換時にも、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃が行われる。そのため、パターン形成面Ｒａに異物が付着した状態で、ウエハＷへの露光処理が開始される可能性を低くできる。また、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに異物が付着することによるウエハＷのロット不良を防止することができる。１ロットは少なくともウエハ２５枚程度なので、半導体メーカにとって大きなロスとなる。
(12) In the present embodiment, the reticle R is cleaned using the
（１３）一般的に、レチクル保持装置１５としては、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂに密接する吸着面を有する静電吸着保持装置を備える装置が広く知られている。こうした静電吸着保持装置では、パターン形成面Ｒａの平面度を向上させるためには吸着面の平面度を限りなく高くさせる必要がある。しかも、吸着面の平面度は、静電吸着保持装置の個体毎に僅かに変わってしまう。すなわち、上記静電吸着保持装置を用いてレチクルＲを保持する方法では、パターン形成面Ｒａの平面度は、静電吸着保持装置の吸着面の平面度に依存するため、個体毎に値が異なる可能性が高い。この点、本実施形態のレチクル保持装置１５は、レチクルＲの端部を各把持部４０Ａ，４０Ｂによって把持する構成である。そのため、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの平面度が、レチクル保持装置１５の個体毎に変わってしまうことを抑制できる。
(13) Generally, as the
（１４）また、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの平面度がレチクル保持装置１５の個体毎に変わることが抑制されるため、露光処理時に、レチクルＲにおいて露光光ＥＬで照明される位置、即ち照明領域の高さを容易に補正できる。したがって、ウエハＷに適切な形状のパターンを形成することができる。
(14) Further, since the flatness of the pattern forming surface Ra of the reticle R is suppressed from being changed for each individual
また、レチクルＲの縁部を把持しつつ、ウエハＷの交換中にレチクルＲの冷却と清掃とを行うことができる。
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図９及び図１０に基づき説明する。なお、第２の実施形態は、環境形成部材の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
In addition, the reticle R can be cooled and cleaned during the exchange of the wafer W while gripping the edge of the reticle R.
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The second embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the environment forming member. Therefore, in the following description, parts different from those of the first embodiment will be mainly described, and the same or corresponding member configurations as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. Shall.
図９及び図１０（ａ）に示すように、本実施形態の清掃装置６０は、平面視略正方形状の底部９０ａ及び四角筒状の筒状部９０ｂを有する環境形成部材９０を備えている。この環境形成部材９０において＋Ｚ方向側に開口する開口部９０ｃは、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの第１領域Ｒ１と同一形状、又は第１領域Ｒ１よりも僅かに大きな形状とされている。底部９０ａには、複数個（図９では８１個）の清掃用媒体噴射部７０が形成されている。本実施形態では、各清掃用媒体噴射部７０は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って等間隔にそれぞれ配置されている。また、底部９０ａの端部（図９では右上の端部）には、環境形成用気体供給部７１が形成されている。
As shown in FIGS. 9 and 10A, the
環境形成部材９０の筒状部９０ｂにおいて＋Ｚ方向側の端面側には、回収部７２が形成されている。本実施形態の回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０及び環境形成用気体供給部７１を包囲するように配置される複数（本実施形態では４つ）の回収口９１を備えている。各回収口９１は、筒状部９０ｂの＋Ｚ方向側の端面の長手方向に沿って延びるように形成されている。そして、各回収口９１は、回収通路７３を介して回収用管路８４に連通されている。
In the
また、筒状部９０ｂの＋Ｚ方向側の端面において各回収口９１の外周側には、弾性を有する材料（例えば、合成樹脂）で構成される四角環状の緩衝部材９２が設けられている。この緩衝部材９２は、環境形成部材９０をレチクルＲのパターン形成面Ｒａに対向して配置した場合に、該パターン形成面Ｒａの第２領域Ｒ２に当接される。すなわち、本実施形態では、図１０（ｂ）に示すように、環境形成部材９０とレチクルＲのパターン形成面Ｒａとの間に、隙間が形成されない。
In addition, a square
本実施形態では、清掃装置６０を用いてレチクルＲを清掃する場合、環境形成部材９０は、清掃用移動装置６２の駆動によって、退避位置から清掃位置に移動する。このとき、環境形成部材９０の開口部９０ｃは、パターン形成面Ｒａのうち第１領域Ｒ１に対向している。そのため、第１領域Ｒ１の清掃時には、レチクルＲに対して環境形成部材９０を相対的に移動させなくてもよい。
In the present embodiment, when the reticle R is cleaned using the
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）（２）（５）〜（１４）と同等の効果に加え、以下に示す効果を得ることができる。
（１５）回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように配置される複数の回収口９１を備えている。そのため、清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物が清掃用空間Ｓｐ外に流出することを抑制でき、ひいては清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物を、効率良く回収できる。
Therefore, in this embodiment, in addition to the effects (1), (2), (5) to (14) of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(15) The
（１６）また、本実施形態の環境形成部材９０には、緩衝部材９２が設けられている。そのため、本実施形態では、環境形成部材９０を清掃位置に配置させることにより、チャンバ１３内の環境とは分離された清掃用空間Ｓｐが形成される。したがって、清掃用媒体及びレチクルＲから取り除かれた異物が清掃用空間Ｓｐ外に流出することを抑制でき、ひいては清掃後にチャンバ１３内の真空度が低くなることを抑制できる。
(16) The
（１７）本実施形態では、清掃装置６０を用いたレチクルＲの清掃時に、該レチクルＲに対して環境形成部材９０を相対的に移動させなくてもよい。そのため、上記第１の実施形態の場合と比較して、レチクルＲの第１領域Ｒ１の各位置に清掃用媒体を噴射できる時間を長くできる。したがって、ウエハＷの交換時やショット領域の変更時などのように限られた時間の中で、レチクルＲの第１領域Ｒ１を清掃する時間を長く確保でき、ひいては第１領域Ｒ１に異物が付着した状態で露光処理が行われる可能性を低くできる。
(17) In the present embodiment, when cleaning the reticle R using the
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・各実施形態において、各把持部４０Ａ，４０Ｂは、レチクルＲを把持するために静電吸着力を利用する構成であってもよい。この場合、第１把持部４０Ａ及び第２把持部４０Ｂの各当接部４１，４２は、誘電性材料で形成されると共に、各当接部４１，４２内には、電極が設けられる。そして、電極に電圧が印加されることにより、各当接部４１，４２の当接面４１ａ，４２ａが吸着面として機能する。その結果、レチクルＲは、各把持部４０Ａ，４０Ｂによって保持される。なお、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂには、導電層を形成すると共に、パターン形成面Ｒａの第２領域Ｒ２にも、導電層を形成することが好ましい。
In addition, you may change each said embodiment into another embodiment as follows.
In each embodiment, each of the
・各実施形態において、各把持部４０Ａ，４０Ｂは、電磁力でもって、レチクルＲを把持する構成であってもよい。例えば、第１当接部４１を鉄などの磁石で吸引可能な部材とし、第２当接部４２を電磁石としてもよい。
In each embodiment, each
・各実施形態において、レチクル保持装置１５は、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの反対側の面Ｒｂに対向する吸着面を有する静電吸着保持装置を備えた構成でもよい。この静電吸着保持装置は、ウエハＷを保持する静電吸着保持装置３６と略同一構成でもよい。
In each embodiment, the
・各実施形態において、レチクル保持装置１５の第２当接部４２は、レチクル移動装置２５に支持されてもよい。これによって、レチクル移動装置２５と第２当接部４２とを一体的に接合することができる。また、支点部４８又はアクチュエータ４９の少なくとも一方を、レチクル移動装置２５に支持させてもよい。この場合、アクチュエータ４９の駆動によって、第１当接部４１が、第２当接部４２に接離する方向に回動することになる。
In each embodiment, the
・第１の実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃する場合には、清掃用移動装置６２の駆動によって、環境形成部材９０をパターン形成面Ｒａに沿う方向に移動させてもよい。また、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃する場合には、レチクル移動装置２５及び清掃用移動装置６２を協働させることにより、環境形成部材９０をレチクルＲに対して相対移動させてもよい。
In the first embodiment, when cleaning the pattern forming surface Ra of the reticle R, the
・各実施形態において、環境形成部材６１，９０の設置位置をレチクルＲのＹ軸方向において異なる位置に設置するのであれば、清掃用移動装置６２を設けなくてもよい。この場合、レチクルＲの清掃時において該レチクルＲを、レチクル移動装置２５の駆動によって、環境形成部材６１，９０の設置位置まで移動させてもよい。
In each embodiment, if the installation positions of the
・第２の実施形態において、緩衝部材９２は、環状をなす構成でなくてもよい。例えば、リブ状をなす複数の緩衝部材を、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように配置してもよい。
In the second embodiment, the
・第２の実施形態において、緩衝部材９２を省略してもよい。
・各実施形態において、環境形成用気体は、ヘリウム以外の他の気体（例えば、窒素や空気）であってもよい。また、環境形成用気体は、ヘリウム、窒素及び空気のうち少なくとも二つを含んだ気体であってもよい。
In the second embodiment, the
In each embodiment, the environment forming gas may be a gas other than helium (for example, nitrogen or air). The environment forming gas may be a gas containing at least two of helium, nitrogen, and air.
・各実施形態において、環境形成用気体によって、レチクルＲを冷却させてもよい。この場合、環境形成用気体の温度は、レチクルＲの温度に対して厳密に制御する必要があるので、環境形成部材６１の金属部分とレチクルＲのパターン形成面Ｒａの温度、清掃用気体と環境形成用気体の温度及び圧力等を正確にモニタし、該モニタ結果に基づき調整される。
In each embodiment, the reticle R may be cooled by the environment forming gas. In this case, since the temperature of the environment forming gas needs to be strictly controlled with respect to the temperature of the reticle R, the temperature of the metal portion of the
・各実施形態において、環境形成用気体を供給しなくてもよい。この場合、環境形成部材６１，９０には環境形成用気体供給部７１を設けなくてもよいし、第２供給装置６６を設けなくてもよい。このように構成しても、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに清掃用媒体を噴射することにより、レチクルＲを冷却することができる。
-In each embodiment, it is not necessary to supply the environment formation gas. In this case, the
・各実施形態において、清掃用媒体は、常温で気体であって、且つ冷却すると固化する媒体であれば二酸化炭素以外の他の任意の媒体（例えば、アルゴン）であってもよい。また、清掃用媒体は、二酸化炭素とアルゴンとを共に含んでもよい。 In each embodiment, the cleaning medium may be any medium other than carbon dioxide (for example, argon) as long as it is a gas at room temperature and solidifies when cooled. The cleaning medium may include both carbon dioxide and argon.
・各実施形態において、清掃用媒体は、温度の変化によって液体から気体に気化する媒体（一例として、液体窒素）であってもよい。この場合、清掃用媒体噴射部７０からは、液体窒素が噴射される。すると、レチクルＲのパターン形成面Ｒａには、液状の窒素と気体状の窒素とが入り混じった状態で衝突することになる。このように構成することにより、レチクルＲのパターン形成面Ｒａを清掃することができると共に、レチクルＲを冷却することができる。
In each embodiment, the cleaning medium may be a medium (for example, liquid nitrogen) that vaporizes from a liquid to a gas by a change in temperature. In this case, liquid nitrogen is injected from the cleaning
・各実施形態において、第１供給装置は、液状の二酸化炭素を環境形成部材６１，９０に供給可能な構成であれば任意の構成であってもよい。例えば、図１１に示すように、第１供給装置６４Ａは、第１供給管路７６を包囲する筒状の保護用管路１００を設け、第１供給管路７６の外周面と保護用管路１００の内周面との間の隙間１０１で冷媒（例えば、液体窒素）を流通させてもよい。
In each embodiment, the first supply device may have any configuration as long as it can supply liquid carbon dioxide to the
・各実施形態において、第１供給装置は、第１供給管路７６内の環境を第１タンク６３内の環境に接近させるための構成を設けなくてもよい。
・各実施形態において、回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０を包囲して配置される構成であれば、筒状部６１ｂ，９０ｂよりも内側に配置してもよい。
-In each embodiment, the 1st supply apparatus does not need to provide the structure for making the environment in the 1st
-In each embodiment, if the
・第２の実施形態において、回収部７２は、環状の回収口を備えた構成であってもよい。
・第１の実施形態において、回収部７２は、各清掃用媒体噴射部７０を包囲するように配置される複数の回収口を備えた構成であってもよい。
In the second embodiment, the
In the first embodiment, the
・各実施形態において、清掃用媒体噴射部７０は、環境形成部材６１，９０とは別体に設けたものであってもよい。同様に、環境形成用気体供給部７１は、環境形成部材６１，９０とは別体に設けたものであってもよい。さらに、回収部７２は、環境形成部材６１，９０とは別体に設けたものであってもよい。
In each embodiment, the cleaning
・各実施形態において、清掃用媒体噴射部７０を、千鳥配置してもよい。
・各実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃を、ウエハＷの交換時に行わなくてもよい。この場合であっても、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃は、露光処理を行うショット領域の変更時に行われる。
In each embodiment, the cleaning
In each embodiment, the pattern forming surface Ra of the reticle R may not be cleaned when the wafer W is replaced. Even in this case, cleaning of the pattern forming surface Ra of the reticle R is performed at the time of changing a shot area where exposure processing is performed.
・各実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃を、露光処理を行うショット領域の変更時に行わなくてもよい。この場合であっても、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃は、ウエハＷの交換時に行われる。 In each embodiment, the cleaning of the pattern forming surface Ra of the reticle R may not be performed when changing the shot area where the exposure process is performed. Even in this case, the cleaning of the pattern forming surface Ra of the reticle R is performed when the wafer W is replaced.
・第１の実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃と、レチクルＲの反射面のカーボンコンタミ除去とを並行して行ってもよい。例えば、環境形成部材６１内にカーボンコンタミ除去用の光源を設け、カーボンコンタミ除去用の光源からの光をレチクルＲのパターン形成面Ｒａに照射させてもよい。この場合、清掃用空間Ｓｐ内には酸素が供給される。
In the first embodiment, cleaning of the pattern forming surface Ra of the reticle R and removal of carbon contamination on the reflecting surface of the reticle R may be performed in parallel. For example, a light source for removing carbon contamination may be provided in the
また、カーボンコンタミ除去用の光源及び酸素の供給装置を環境形成部材６１外に設け、レチクルＲのパターン形成面Ｒａにおいて清掃用媒体による清掃が行われていない部分をカーボンコンタミ除去用の光源から光で照射してもよい。
In addition, a light source for removing carbon contamination and an oxygen supply device are provided outside the
・第２の実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃と、レチクルＲの反射面のカーボンコンタミの除去とを並行して行ってもよい。例えば、環境形成部材９０内にカーボンコンタミ除去用の光源を設け、カーボンコンタミ除去用の光源からの光をレチクルＲのパターン形成面Ｒａに照射させてもよい。この場合、清掃用空間Ｓｐ内には酸素が供給される。
In the second embodiment, cleaning of the pattern formation surface Ra of the reticle R and removal of carbon contamination on the reflection surface of the reticle R may be performed in parallel. For example, a light source for removing carbon contamination may be provided in the
・各実施形態において、レチクルＲのパターン形成面Ｒａの清掃を、非露光処理時に、メンテナンス処理の一環として行ってもよい。
・各実施形態において、チャンバ１３内に該チャンバ１３内の環境とは隔離（分離）された清掃用室を設け、該清掃用室内に清掃用媒体噴射部７０及び回収部７２を設置してもよい。この場合、レチクルＲの清掃時には、レチクルＲを清掃用室内に移動させる。
In each embodiment, the pattern forming surface Ra of the reticle R may be cleaned as part of the maintenance process during the non-exposure process.
In each embodiment, a cleaning chamber that is isolated (separated) from the environment in the
・本発明の清掃装置６０を用いて、照明光学系１４及び投影光学系１６が備えるミラー１９，２１〜２４，３０〜３５の光学面（反射面）を清掃してもよい。例えば、図１２に示すように、ミラーＭの反射面Ｍａは、凹状をなしていたり、凸状をなしていたりする。そのため、環境形成部材１１０は、ミラーＭの反射面Ｍａに対向する側の部位が反射面Ｍａの形状に対応した形状となるように構成される。このとき、環境形成部材１１０は、反射面Ｍａ全体に対向配置可能な形状であってもよいし、反射面Ｍａの一部に対向配置可能な形状であってもよい。また、本発明の清掃装置６０を用いた照明光学系１４及び投影光学系１６が備えるミラー１９，２１〜２４，３０〜３５の光学面（反射面）の清掃と、これらのミラーの光学面のカーボンコンタミの除去とを並行して行ってもよい。例えば、環境形成部材６１，９０の少なくとも一部にカーボンコンタミ除去用の光源を設け、カーボンコンタミ除去用の光をミラーの光学面に照射してもよい。さらに、ミラー１９，２１〜２４，３０〜３５の光学面（反射面）の清掃と、これらのミラーの光学面のカーボンコンタミの除去とが行われている間に、レチクルＲの清掃を行ってもよい。
-You may clean the optical surface (reflection surface) of the
・各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・各実施形態において、光源装置１２で用いられるＥＵＶ光発生物質は、気体状の錫（Ｓｎ）でもよいし、液体状又は固体状の錫でもよい。また、ＥＵＶ光発生物質として、キセノン（Ｘｅ）を用いてもよい。
In each embodiment, the
In each embodiment, the EUV light generating material used in the
・各実施形態において、光源装置１２は、放電型プラズマ光源を有する装置でもよい。
・各実施形態において、光源装置１２は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
In each embodiment, the
In each embodiment, the
この場合、照明光学系や投影光学系は、光学部材としてレンズを備えることになる。こうしたレンズの光学面を、本発明の清掃装置で清掃してもよい。
・各実施形態において、露光装置１１を、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化してもよい。
In this case, the illumination optical system and the projection optical system include a lens as an optical member. You may clean the optical surface of such a lens with the cleaning apparatus of this invention.
In each embodiment, the
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１３は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
Next, an embodiment of a microdevice manufacturing method using the device manufacturing method by the
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。 First, in step S101 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S102 (mask manufacturing step), a mask (reticle R or the like) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S103 (substrate manufacturing step), a substrate (a wafer W when a silicon material is used) is manufactured using a material such as silicon, glass, or ceramics.
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。 Next, in step S104 (substrate processing step), using the mask and substrate prepared in steps S101 to S104, an actual circuit or the like is formed on the substrate by lithography or the like, as will be described later. Next, in step S105 (device assembly step), device assembly is performed using the substrate processed in step S104. Step S105 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S106 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S105 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.
図１４は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S104 in the case of a semiconductor device.
In step S111 (oxidation step), the surface of the substrate is oxidized. In step S112 (CVD step), an insulating film is formed on the substrate surface. In step S113 (electrode formation step), an electrode is formed on the substrate by vapor deposition. In step S114 (ion implantation step), ions are implanted into the substrate. Each of the above steps S111 to S114 constitutes a pretreatment process at each stage of the substrate processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。 When the above-mentioned pretreatment process is completed in each stage of the substrate process, the posttreatment process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S115 (resist formation step), a photosensitive material is applied to the substrate. In step S116 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the substrate by the lithography system (exposure apparatus 11) described above. Next, in step S117 (development step), the substrate exposed in step S116 is developed to form a mask layer made of a circuit pattern on the surface of the substrate. Subsequently, in step S118 (etching step), the exposed member other than the portion where the resist remains is removed by etching. In step S119 (resist removal step), the photosensitive material that has become unnecessary after the etching is removed. That is, in step S118 and step S119, the surface of the substrate is processed through the mask layer. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the substrate.
１１…露光装置、１３…チャンバ、１４…照明光学系、１５…マスク保持装置としてのレチクル保持装置、１６…投影光学系、１９，２１〜２４…第１光学部材としてのミラー、２５…移動装置としてのレチクル移動装置、３０〜３５…第２光学部材としてのミラー、４０Ａ…第１把持部、４０Ｂ…第２把持部、４１…第１当接部、４２…第２当接部、６０…清掃装置、６１，９０，１１０…環境形成部材、６１ｃ，９０ｃ…開口部、６３…貯留部としての第１タンク、６４，６４Ａ…第１供給装置、７０…噴射部としての清掃用媒体噴射部、７１…供給部としての環境形成用気体供給部、７２…回収部、７２ａ，９１…回収口、７６…供給流路としての第１供給管路、７８…環境調整部材としての筒部材、９２…緩衝部材、１００…環境調整部材としての保護用管路、ＥＬ…放射ビームとしての露光光、Ｍ…光学部材としてのミラー、Ｍａ…光学面としての反射面、Ｒ…光学部材、マスクとしてのレチクル、Ｒ１…第１領域、Ｒ２…第２領域、Ｒａ…光学面としてのパターン形成面、Ｒｂ…反対側の面、Ｓｐ…清掃用環境としての清掃用空間、Ｗ…物体としてのウエハ。
DESCRIPTION OF
Claims (33)
前記光学面の少なくとも一部に対向して配置されることにより、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成する環境形成部材と、
前記清掃用環境内で前記光学面の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射する噴射部と、
前記光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体及び前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物を回収する回収部と、を備えることを特徴とする清掃装置。 In a cleaning device for cleaning an optical surface of an optical member provided in a chamber,
An environment forming member that forms a cleaning environment separated from the environment in the chamber by being disposed opposite to at least a portion of the optical surface;
An ejection unit that ejects a cleaning medium onto at least a part of the optical surface in the cleaning environment;
A cleaning apparatus comprising: a cleaning medium sprayed on at least a part of the optical surface; and a recovery unit that recovers foreign matter removed from at least a part of the optical surface by the cleaning medium.
前記複数の回収口は、前記噴射部を囲むようにそれぞれ配置されることを特徴とする請求項２に記載の清掃装置。 The collection unit has a plurality of collection ports,
The cleaning device according to claim 2, wherein the plurality of recovery ports are respectively disposed so as to surround the ejection unit.
前記噴射部は、前記清掃用媒体の固体及び気体のうち少なくとも固体を前記光学面の少なくとも一部に噴射し、
前記回収部は、気化後の前記清掃用媒体を回収することを特徴とする請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の清掃装置。 The cleaning medium has a property of changing from a solid to a gas due to environmental changes,
The spray unit sprays at least a solid of the cleaning medium and a gas to at least a part of the optical surface;
The cleaning device according to claim 1, wherein the recovery unit recovers the cleaning medium after vaporization.
前記清掃用環境は、前記供給部から供給された前記環境形成用気体によって形成されることを特徴とする請求項１〜請求項７のうち何れか一項に記載の清掃装置。 The environment forming member further includes a supply unit for supplying an environment forming gas,
The cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the cleaning environment is formed by the environment forming gas supplied from the supply unit.
前記環境形成部材を、前記光学部材に対して前記光学面に沿う方向に相対移動させる移動装置をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項１６のうち何れか一項に記載の清掃装置。 The environment forming member is configured to form a cleaning environment separated from the environment in the chamber by being disposed to face a part of the optical surface.
The cleaning device according to claim 1, further comprising a moving device that moves the environment forming member relative to the optical member in a direction along the optical surface. .
前記光学面は、前記マスクにおいて所定のパターンが形成されたパターン形成面であることを特徴とする請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置。 The optical member is a reflective mask on which a predetermined pattern is formed,
The cleaning device according to any one of claims 1 to 17, wherein the optical surface is a pattern forming surface on which a predetermined pattern is formed on the mask.
前記光学面は、入射した放射ビームを反射する反射面であることを特徴とする請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置。 The optical member is a reflective optical member,
The cleaning device according to claim 1, wherein the optical surface is a reflecting surface that reflects an incident radiation beam.
少なくとも一つの第２光学部材を有し、前記マスクを介した放射ビームを、前記第２光学部材を介して物体に導く投影光学系と、
請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置と、を備え、
前記清掃装置は、前記第１光学部材及び第２光学部材の少なくとも一方を清掃することを特徴とする露光装置。 An illumination optical system having at least one first optical member and guiding a radiation beam via the first optical member to a mask on which a predetermined pattern is formed;
A projection optical system having at least one second optical member and guiding a radiation beam through the mask to an object through the second optical member;
A cleaning device according to any one of claims 1 to 17,
The exposure apparatus is characterized in that the cleaning device cleans at least one of the first optical member and the second optical member.
請求項１〜請求項１７のうち何れか一項に記載の清掃装置を用いて、前記光学部材の光学面を清掃することを特徴とする露光装置。 In an exposure apparatus that exposes an object with a predetermined pattern formed on the optical surface of an optical member,
An exposure apparatus for cleaning an optical surface of the optical member using the cleaning apparatus according to claim 1.
前記環境形成部材は、前記第１領域に対向して配置されることにより、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成することを特徴とする請求項２２又は請求項２３に記載の露光装置。 The pattern forming surface of the mask has a first region where the predetermined pattern is formed, and a second region located on the outer peripheral side of the first region,
24. The environment forming member according to claim 22 or 23, wherein the environment forming member is disposed to face the first region to form a cleaning environment separated from the environment in the chamber. Exposure device.
前記清掃装置を、前記パターン形成面に沿って前記マスクに対して相対的に移動させる移動装置をさらに備えることを特徴とする請求項２２又は請求項２３に記載の露光装置。 The environment forming member is arranged to face a part of the pattern forming surface of the mask to form a cleaning environment separated from the environment in the chamber,
24. The exposure apparatus according to claim 22, further comprising a moving device that moves the cleaning device relative to the mask along the pattern forming surface.
前記マスク保持装置は、前記マスクにおいて前記第２領域の少なくとも一部を把持する把持部を有することを特徴とする請求項２３に記載の露光装置。 The pattern forming surface of the mask has a first region where the predetermined pattern is formed, and a second region located on the outer peripheral side of the first region,
24. The exposure apparatus according to claim 23, wherein the mask holding device includes a grip portion that grips at least a part of the second region in the mask.
前記光学面の少なくとも一部に対向する位置に、前記チャンバ内の環境から分離された清掃用環境を形成する環境形成工程と、
前記清掃用環境内で前記光学面の少なくとも一部に清掃用媒体を噴射し、前記光学面の少なくとも一部に噴射された清掃用媒体と前記清掃用媒体によって前記光学面の少なくとも一部から除去された異物とを回収する清掃工程と、を有することを特徴とする清掃方法。 A cleaning method for cleaning an optical surface of an optical member provided in a chamber,
An environment forming step for forming a cleaning environment separated from the environment in the chamber at a position facing at least a part of the optical surface;
A cleaning medium is sprayed onto at least a part of the optical surface in the cleaning environment, and the cleaning medium sprayed onto at least a part of the optical surface is removed from at least a part of the optical surface by the cleaning medium. And a cleaning step of collecting the foreign matter that has been removed.
前記物体のうち、前記所定のパターンが形成される領域を変更する変更工程を有し、
前記変更工程を行う際に、請求項３０に記載の清掃方法を用いて、前記光学部材の光学面を清掃することを特徴とする露光方法。 An exposure method for forming a predetermined pattern in each of a plurality of regions of an object,
A changing step of changing a region of the object where the predetermined pattern is formed;
An exposure method comprising: cleaning the optical surface of the optical member using the cleaning method according to claim 30 when performing the changing step.
前記物体を交換する交換工程を有し、
前記交換工程を行う際に、請求項３０に記載の清掃方法を用いて、前記光学部材の光学面を清掃することを特徴とする露光方法。 An exposure method for forming a predetermined pattern on an object,
An exchange process for exchanging the object;
An exposure method comprising: cleaning the optical surface of the optical member using the cleaning method according to claim 30 when performing the replacement step.
前記リソグラフィ工程は、請求項２０〜請求項２９のうち何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。 In a device manufacturing method including a lithography process,
30. A device manufacturing method using the exposure apparatus according to any one of claims 20 to 29 in the lithography process.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010184077A JP2012043992A (en) | 2010-08-19 | 2010-08-19 | Cleaning apparatus, cleaning method, exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010184077A JP2012043992A (en) | 2010-08-19 | 2010-08-19 | Cleaning apparatus, cleaning method, exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012043992A true JP2012043992A (en) | 2012-03-01 |
Family
ID=45899959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010184077A Pending JP2012043992A (en) | 2010-08-19 | 2010-08-19 | Cleaning apparatus, cleaning method, exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012043992A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016180976A (en) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | ネオ セミテック． カンパニー リミテッドＮＥＯ ＳＥＭＩＴＥＣＨ． Ｃｏ．， Ｌｔｄ | Photomask inspection apparatus and inspection method |
| JP2017502321A (en) * | 2013-12-22 | 2017-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Extreme ultraviolet lithography system with chuck assembly and method of manufacturing the same |
| JP2019505833A (en) * | 2015-12-17 | 2019-02-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Droplet generator and laser-generated plasma radiation source |
| JP2019536115A (en) * | 2016-11-16 | 2019-12-12 | ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフトミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | Apparatus and method for cleaning a partial area of a substrate |
| JP2021006931A (en) * | 2015-09-01 | 2021-01-21 | 株式会社ニコン | Article-holding device, exposure device, method for manufacturing flat panel display, method for manufacturing device, method for holding article, and exposure method |
-
2010
- 2010-08-19 JP JP2010184077A patent/JP2012043992A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017502321A (en) * | 2013-12-22 | 2017-01-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Extreme ultraviolet lithography system with chuck assembly and method of manufacturing the same |
| JP2016180976A (en) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | ネオ セミテック． カンパニー リミテッドＮＥＯ ＳＥＭＩＴＥＣＨ． Ｃｏ．， Ｌｔｄ | Photomask inspection apparatus and inspection method |
| JP2021006931A (en) * | 2015-09-01 | 2021-01-21 | 株式会社ニコン | Article-holding device, exposure device, method for manufacturing flat panel display, method for manufacturing device, method for holding article, and exposure method |
| JP2019505833A (en) * | 2015-12-17 | 2019-02-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Droplet generator and laser-generated plasma radiation source |
| JP2019536115A (en) * | 2016-11-16 | 2019-12-12 | ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフトミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | Apparatus and method for cleaning a partial area of a substrate |
| JP7050080B2 (en) | 2016-11-16 | 2022-04-07 | ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | Equipment and methods for cleaning some areas of the board |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6882420B2 (en) | Board holder and board holder manufacturing method | |
| US20190094708A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP4879286B2 (en) | Lithographic apparatus | |
| TWI424465B (en) | A substrate holding device, an exposure device, and a device manufacturing method | |
| JP5273522B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP2005166970A (en) | Treatment system and aligner having the system | |
| CN111051986B (en) | Apparatus and method for cleaning support in lithographic apparatus | |
| JP2012043992A (en) | Cleaning apparatus, cleaning method, exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device | |
| US20090103063A1 (en) | Cooling apparatus for optical member, barrel, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| US7379151B2 (en) | Exposure apparatus comprising cleaning apparatus for cleaning mask with laser beam | |
| JP2010182866A (en) | Electrostatic attraction holding device, aligner, exposure method, and method of manufacturing device | |
| JP2004103961A (en) | Mirror holding device and method, and mirror exchange method | |
| US20100151394A1 (en) | System for Contactless Cleaning, Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method | |
| JP2006332518A (en) | Electrostatic chuck and exposure apparatus | |
| JP5474747B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| US7170579B2 (en) | Light source unit, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2005235883A (en) | Light emitting device and aligner | |
| JP2004221296A (en) | Substrate holding device and aligner, and device manufacturing method | |
| JP4466647B2 (en) | Exposure apparatus, liquid processing method, exposure method, and device manufacturing method | |
| JP2011023403A (en) | Light-shielding device, exposure device and method for manufacturing device | |
| US20120062859A1 (en) | Polishing device, polishing method, exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP2011204864A (en) | Reflection type mask, aligner, exposure method, and device manufacturing method | |
| JP2005268412A (en) | Aligner, manufacturing method thereof, and exposure method | |
| JP2005079480A (en) | Aligner and method for manufacturing device | |
| JP2010267809A (en) | Cleaning device, cleaning method, exposure device, and device manufacturing method |