KR100857960B1 - 가요성 전자 및 광전자 소자용 열안정화 폴리(에틸렌나프탈레이트) 필름 - Google Patents

가요성 전자 및 광전자 소자용 열안정화 폴리(에틸렌나프탈레이트) 필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전도성 공액 중합체를 함유하는 전자 또는 광전자 소자에서 기판으로서의, 또는 상기 전자 또는 광전자 소자의 제조에 있어서의, 230℃에서 30분 후 수축률이 1％ 미만인, 폴리(에틸렌 나프탈레이트)를 포함하는 열안정화, 열경화 배향 필름의 용도, 및 이러한 기판층과 그의 표면 위에 차단층을 포함하는 복합 필름에 관한 것이다.
디스플레이, 폴리(에틸렌 나프탈레이트), 치수안정성, 열안정화, 열경화

Description

가요성 전자 및 광전자 소자용 열안정화 폴리(에틸렌 나프탈레이트) 필름 {HEAT-STABILISED POLY(ETHYLENE NAPHTHALATE) FILM FOR FLEXIBLE ELECTRONIC AND OPTO-ELECTRONIC DEVICES}
본 발명은 가요성 전자 및 광전자 소자, 특히는 전계발광(EL) 디스플레이 소자, 더욱 특히는 유기발광 디스플레이(OLED) 소자에서 기판으로서 사용하기에 적합한 폴리(에틸렌 나프탈레이트)(PEN) 필름에 관한 것이다.
전계발광(EL) 디스플레이는 탁월한 시인성(고휘도, 높은 색대비, 매우 빠른 응답 속도 및 넓은 시야각을 포함), 극도의 얇은 단면 및 매우 적은 전력소모량을 특징으로 하는 자체-발광 디스플레이 모드이다. EL 디스플레이 소자는, 캐소드선관(CRT), 형광 및 플라즈마 디스플레이처럼, 그 자체가 빛을 발산한다. 액정 디스플레이(LCD)와는 다르게, 후방조명(backlighting)이 필요없다. EL의 응답 속도는 LCD의 것보다 1000배 정도 빠를 수 있어서, 동영상에 사용하기에 특히 적합하다. EL 디스플레이는 항공기 및 선박 제어, 자동차 오디오 설비, 계산기, 이동전화, 휴대용 컴퓨터, 계기, 공장 모니터 및 전자의료장비를 포함하는 다양한 용도에 사용될 수 있다. EL 디스플레이의 또다른 중요한 용도는 광원, 특히 주변 조명 상태가 안 좋을 때에도 판독을 보다 쉽게 하기 위한 소형 LCD 패널용 후방조명과 같은 광원이다.
EL 디스플레이를, 각각 소정의 패턴의 전도성 요소(즉 전극)를 포함하는 2개의 판들 사이에 인광 또는 기타 전계발광 물질의 박막을 끼워넣어서 디스플레이 위에 어드레서블 (addressable)한 화소를 형성함으로써 작동시킨다. 전극은 전계발광 물질 또는 개별 지지체 위에 코팅으로서 형성된다. 전극 또는 각 전극이 광을 전달하도록 하려면, 예를 들면 투명 전도성 금속 산화물을 사용하여 전극을 반투명 또는 투명 코팅으로 만든다. 마찬가지로, 지지체 또는 각 지지체는 경우에 따라 반투명하거나 투명할 수 있다. 일반적으로, 1개 이상의 애노드가 투명하다. 지지체는 일반적으로 전극을 위한 기재(base) 및 절연층으로서의 역할을 한다. 기판은 사용시, 저장시 및 운반시, 화학적 및 물리적 위험으로부터 보호한다. 유리 뿐만 아니라 중합체성 필름이 절연 지지체로서 사용되어 왔다.
EL 디스플레이 소자는 다양한 캐소드 물질을 사용해 왔다. 초기 연구에서는 알칼리 금속을 사용하였다. 기타 캐소드 물질로는 금속의 조합, 예를 들면 황동과 전도성 금속 산화물(예를 들면 인듐 주석 산화물)가 있다. 다양한 단일 금속 캐소드, 예를 들면 인듐, 은, 주석, 납, 마그네슘, 망간 및 알루미늄도 사용되어 왔다.
EL 구조에 있어서 비교적 근래에 발견된 것은, 유기 발광 매질이 캐소드와 애노드를 분리하는 2개의 매우 박층(총 두께가 1.0㎛ 미만)으로 이루어진 소자를 포함한다. OLED 소자의 대표적인 것은 예를 들면 US 4720432에 개시된 것이다.
전류가 전도성 요소를 통과할 때, 전계발광 물질이 광을 발산한다. EL 디스플레이는 LCD 디스플레이처럼 광원을 차단하기 보다는 방출하는 기술로서, 모든 조 명 조건에서 높은 시인성이 중요한 용도에서 가장 유용하다.
삼원색을 매우 높은 순도로 구현할 수 있는 신규한 유기 전계발광 물질을 개발함으로써 균일한 수준의 휘도 및 수명을 갖는 전색 디스플레이가 가능하게 되었다. 이러한 특성을 갖는 중합체는 용매에 용해되고 용매로부터 가공될 수 있어서, 전자 소자의 프린팅을 가능하게 한다. 전도성 공액 중합체가 특히 흥미롭다. 본원에서 "전도성 공액 중합체"란 그 주쇄를 따라 파이-전자 비편재화를 갖는 중합체를 말한다. 이러한 유형의 중합체는 W.J.피스트(Feast)의 문헌[Polymer, 제 37 권(22), 5017-5047, 1996]에서 재고되었다. 바람직한 실시양태에서, 전도성 공액 중합체는 (i) 탄화수소 공액 중합체, 예를 들면 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌 및 폴리(p-페닐렌 비닐렌); (ii) 주쇄에 헤테로원자를 갖는 공액 헤테로고리형 중합체, 예를 들면 폴리티오펜, 폴리피롤 및 폴리아닐린; 및 (iii) 반복되는 소단위(sub-unit)를 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상, 바람직하게는 4개 이상, 바람직하게는 5개 이상, 더욱 바람직하게는 6개 이상 함유하는 공액 올리고머, 예를 들면 올리고티오펜, 올리고피롤, 올리고아닐린, 올리고페닐렌 및 올리고(페닐렌 비닐렌) 중에서 선택된다.
이러한 전도성 공액 중합체는, EL 소자 외에도, 광기전력 전지 및 반도체 소자(예를 들면 일반적으로 유기전계효과 트랜지스터, 박막 트랜지스터 및 집적회로)를 포함하는 다양한 기타 전자 및 광전자 소자에 사용되도록 권유되었다.
본 발명은, EL 소자(특히 OLED), 광기전력 전지 및 반도체 소자(예를 들면 일반적으로 유기전계효과 트랜지스터, 박막 트랜지스터 및 집적회로)를 비롯한 전도성 공액 중합체를 포함하는 전자 또는 광전자 소자의 절연 및 지지 기판에 관한 것이다. 본 발명은 특히는 광전자 소자, 특히는 EL 소자(특히 OLED) 또는 광기전력 소자, 및 특히 EL 소자(특히 OLED)의 기판에 관한 것이다.
기판은 투명하거나, 반투명하거나 불투명할 수 있지만, 전형적으로는 투명하다. 기판은 통상적으로는 투명도, 평탄도 및 최소 복굴절에 대한 엄격한 규격에 맞아야 한다. 전형적으로, 디스플레이 용도에서는 400 내지 800 ㎚에서 85％의 총 광투과율(TLT)과 함께 0.7％ 미만의 탁도가 요구된다. 표면평활도 및 평탄도는 전극 전도성 코팅과 같은 후속적으로 도포되는 코팅의 일체성(integrity)을 보장하기 위해 필요한 것이다. 기판은 우수한 차단성, 즉 기체 및 용매 투과에 대한 높은 저항도 갖추어야 한다. 전자 디스플레이 용도에 사용되는 기판은 적합하게는 10-6g/㎡/일 미만의 수증기 투과율 및 10-5/㎖/㎡/일 미만의 산소 투과율을 나타낸다. 가요성, 내충격성, 경도 및 내긁힘성과 같은 기계적 성질도 중요한 고려사항이다.
이전에는 광학적 등급의 유리 또는 석영이 전자 디스플레이 용도에서 기판으로서 사용되어 왔다. 이 물질들은 광학적 및 평탄도 요건을 충족할 수 있으며 우수한 내열성, 내화학약품성 및 차단성을 갖는다. 그러나, 이러한 물질들은 원하는 기계적 성질중 몇가지, 가장 명백하게는 저밀도, 가요성 및 내충격성을 갖지 않는다.
기계적 성질의 개선을 위해서, 플라스틱 물질이 유리 또는 석영 시트의 대안으로서 제시되었다. 플라스틱 기판은 보다 우수한 가요성 및 개선된 내충격성을 가 지며, 동일한 두께의 유리 또는 석영 시트보다 더 가볍다. 또한 가요성 플라스틱 기판은, 예를 들면 위에서 언급된 공액 중합체를 사용하여, 전자 소자를 기판 위에 릴-투-릴(reel-to-reel) 공정으로 프린팅할 수 있게 허용하므로, 비용을 절감하고 곡면 소자를 제작할 수 있게 한다. 그러나 이러한 중합체성 물질의 단점은 내화학약품성이 낮고 차단성이 떨어진다는 점이다. 그럼에도 불구하고, 이러한 문제점을 최소화하기 위해, 다양한 차단 코팅을 개발해 왔다. 이러한 코팅은 전형적으로 승온에서 스퍼터링 공정으로 도포되는데, 이 공정에서는 코팅의 밀도 및 형태가 원하는 차단성을 제공하도록 조절될 수 있다. 차단층은 유기성 또는 무기성일 수 있고, 그 위에 침착되는 층에 대해 우수한 친화성을 나타내어야 하며, 매끄러운 표면을 형성할 수 있어야 한다. 차단층을 형성하는데 사용되기에 적합한 물질은 예를 들면 US-6,198,217에 개시되어 있다. 차단층의 일체성을 보장하고, 거기에 "작은 핀 구멍(pin-prick)"이 생기는 것을 막기 위해서, 중합체성 기판의 표면은 우수한 평활도를 나타내야 한다.
그럼에도 불구하고, 차단층-코팅된 플라스틱 기판은 다양한 한계점을 갖고 있다. 특히 고온 기법, 예를 들면 스퍼터링을 사용하여 차단층을 침착시킨다는 것은, 중합체성 기판이 고온에서 치수안정성을 유지해야 한다는 것을 의미한다. 많은 유형의 중합체성 기판은 디스플레이 소자의 제조 동안 공정 조건, 특히 승온에 노출되면, 허용불가능한 치수 변형(예를 들면 비틀림(curl))을 겪는다. 이는 특정 유형의 중합체성 필름만이 이러한 소자의 기판으로서 적합하다는 것을 뜻한다. 더우기, 치수 불안정성을 최소화하기 위해서는, 제조 공정의 온도, 예를 들면 차단층 침착 공정의 온도를 여전히 제한해야 할 필요가 있다. 코팅층(들)의 품질은 일반적으로 침착 공정의 온도가 증가함에 따라 좋아지므로, 치수안정성을 보유하면서 보다 고온에서도 가공될 수 있는 기판을 제공하는 것이 바람직하다. 또한 일반적으로 중합체성 기판에는 추가적 차단층이 필요하므로, 중합체성 기판에서의 임의의 팽창과 차단 코팅에서의 임의의 팽창을 서로 관련지음으로써 비틀림을 피하고 평탄도를 유지할 것이 요구된다. 이러한 이유로, 기판의 팽창 특성은 비교적 작거나 예측가능하거나 바람직하게는 둘 다여야 한다.
전자 디스플레이 소자를 갖는 장비, 특히 이동전화와 같은 휴대용 장비의 제조에서는 종종 디스플레이 소자의 성능을 평가하기 위해서 "온도 주기(thermal cycling)"라고 알려진 시험법을 사용한다. 이 시험법은 디스플레이를 약 -40 내지 약 80 ℃의 온도에 주기적으로 노출하되, 각 온도마다 소정의 "보류(hold) 시간" 및 온도 사이사이에 특정 전이 시간을 둠을 포함하며, 극한 작동 조건을 모방하기 위한 것이다.
원하는 치수안정성을 갖춘 중합체성 기판을 제공하는 일은 어려운 것이었다.
지금까지로 봐서는, 전자 디스플레이 용도에 적합한 중합체성 기판은 일반적으로는 폴리에테르술폰 및 폴리이미드와 같이, 유리 전이 온도(Tg)가 비교적 높은 중합체를 포함하는 무정형 캐스트 중합체성 필름이다. 높은 Tg를 갖는 중합체가 유리한데, 왜냐하면 중합체의 거동은 Tg보다 높은 온도에서 변하며, 특히 치수안정성은 Tg보다 높은 온도에서는 예측 및 제어하기가 어렵기 때문이다. 일반적으로, 요구되 는 치수안정성 및 평탄도를 갖는 필름을 제조하는 것과 관련된 문제점 외에도, 공지된 필름은 가변적이고 예측불가능한 팽창 특성을 유발할 수 있는 수분을 흡수하는 경향을 가질 수도 있다. 또한 용매-캐스팅 기법으로 제조된 필름은 잔류 용매를 함유할 수 있어서, 탈기를 필요로 한다.
본 발명의 목적은 전술된 문제점 중 하나 이상을 극복하는 필름을 제공하는 것이다. 특히 본 발명의 목적은 EL 소자(특히 OLED), 광기전력 전지 및 반도체 소자(예를 들면 일반적으로 유기전계효과 트랜지스터, 박막 트랜지스터 및 집적회로)를 비롯한 전도성 공액 중합체를 포함하는 전자 또는 광전자 소자의 제조에 있어서, 기판, 특히는 가요성 기판으로서 사용하기에 적합한, 우수한 고온 치수안정성을 갖는 중합체성 필름을 제공하는 것이다. 본 발명의 추가의 목적은 우수한 고온 치수안정성, 높은 투명도 및 우수한 표면평활도/평탄도를 갖는 중합체성 필름을 제공하는 것이다.
본 발명에 따라, 230℃에서 30분 후 수축률이 1％ 미만이고, 바람직하게는 필름을 8℃에서 200℃로 가열한 후 8℃로 냉각하기 전후에 25℃에서 측정된 잔류 치수 변화율 ΔLr이 원래 치수의 0.75％ 미만인 폴리(에틸렌 나프탈레이트)를 포함하는 열안정화, 열경화 배향 필름을, 전도성 공액 중합체를 함유하는 전자 또는 광전자 소자에서 기판으로서 또는 그 제조에서 사용하는 용도가 제공된다.
본원에서, 전도성 공액 중합체를 함유하는 소자는 바람직하게는 EL 소자(특히 OLED), 광기전력 전지 및 반도체 소자(예를 들면 일반적으로 유기전계효과 트랜 지스터, 박막 트랜지스터 및 집적회로)를 말한다. 본원에서 전도성 공액 중합체를 함유하는 광전자 소자는 바람직하게는 EL 소자(특히 OLED) 또는 광기전력 소자, 및 특히 EL 소자(특히 OLED)를 말한다. 본원에서 전도성 공액 중합체를 함유하는 전자 소자는 광전자 소자를 제외하며, 바람직하게는 반도체 소자, 예를 들면 일반적으로 유기전계효과 트랜지스터, 박막 트랜지스터 및 집적회로, 및 특히는 유기전계효과 트랜지스터를 말한다.
PEN은 상기 소자들의 제조에 통상적으로 사용되는 온도 및 상기 용도에서 이전에 사용된 중합체의 Tg보다 낮은 Tg(약 120℃)를 갖기 때문에, PEN이 상기 용도에 기판으로서 적합하다는 것은 뜻밖이었다. 열안정화 배향 PEN 필름의 특별한 장점은 차단층(들)의 침착 동안에 사용되는 비교적 높은 온도도 허용한다는 점이다. 또한 높은 투명도 및 우수한 표면평활도를 갖는 PEN 필름 표면을 만들 수 있다. 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름에 비해 PEN 필름이 갖는 추가의 장점은, 보다 낮은 수증기 투과율 및 보다 낮은 산소 투과율이다. PEN 필름은 위에서 논의된 무정형 고 Tg 중합체성 필름보다 수분 흡수율이 훨씬 더 낮기 때문에 보다 유리하다고 밝혀졌다.
필름은 바람직하게는 230℃에서 30분 후 수축률이 0.75％ 미만, 바람직하게는 0.5％ 미만, 더욱 바람직하게는 0.25％ 미만이다. 한 실시양태에서, 필름은 230℃에서 30분 후 수축률이 0.1％ 미만이다. 필름을 8℃에서 200℃로 가열한 후 8℃로 냉각하기 전후에 25℃에서 측정된 잔류 치수 변화율 ΔLr은 바람직하게는 원래 치 수의 0.5％ 미만, 바람직하게는 0.25％ 미만, 더욱 바람직하게는 0.1％ 미만이다. 바람직하게는 필름은 선형 열팽창계수(CLTE)가 -40 내지 100 ℃의 온도 범위에서 40×10-6/℃ 미만, 바람직하게는 30×10-6/℃ 미만, 더욱 바람직하게는 25×10-6 /℃ 미만, 더욱 더 바람직하게는 20×10-6/℃ 미만이다.
필름은 지지체 없이도 독립적으로 존재할 수 있는 자기-지지(self-supporting) 필름이다.
필름의 두께는 바람직하게는 약 12 내지 300 ㎛, 더욱 바람직하게는 약 25 내지 250 ㎛, 더욱 바람직하게는 약 50 내지 250 ㎛이다.
PEN 폴리에스테르를 통상적인 방법으로 합성할 수 있다. 전형적인 공정은 직접 에스테르화 또는 에스테르 교환 반응시킨 후, 중축합함을 포함한다. 따라서, 2,5-, 2,6- 또는 2,7-나프탈렌디카르복실산, 바람직하게는 2,6-나프탈렌디카르복실산, 또는 그의 저급 알킬(탄소원자수 6 이하) 디에스테르와 에틸렌 글리콜을 축합함으로써 PEN 폴리에스테르를 얻을 수 있다. 전형적으로 중축합은 고상 중합 단계를 포함한다. 고상 중합을 유동층에서(예를 들면 질소로 유동화됨), 또는 회전 진공 건조기를 사용하여 진공 유동층에서 수행할 수 있다. 적합한 고상 중합 기법은 예를 들면 본원에서 참고로 인용된 EP-A-0419400에 개시되어 있다.
바람직한 실시양태에서는, 촉매 잔사, 원치않는 무기 침착물 및 기타 중합체 제조 공정의 부산물과 같은 오염물의 수준이 감소된 중합체성 물질을 제공하는 게르마늄 촉매를 사용하여, PEN을 제조한다. 이렇게 중합체 조성이 "보다 깨끗해짐"으 로써, 그로부터 제조된 필름은 개선된 투명도 및 표면평활도를 나타낼 것이다.
본 발명에 따르는 필름을 제조하는데 사용되는 PEN은 적합하게는 PET-등가 고유점도(IV: 본원에 기술된 바와 같이 측정됨)가 0.5 내지 1.5 ㎗/g, 바람직하게는 0.7 내지 1.5 ㎗/g, 특히는 0.79 내지 1.0 ㎗/g이다. 0.5 ㎗/g 미만의 IV는 기계적 성질과 같은 원하는 성질들이 결여된 중합체성 필름을 초래하는 반면, 1.5 ㎗/g보다 큰 IV는 달성하기가 어려워서 원료의 가공을 어렵게 한다.
기판의 형성을 당해 분야에 공지된 통상적인 기법으로 수행할 수 있다. 편의상으로는, 기판의 형성을, 후술되는 공정에 따라 압출법으로 수행한다. 일반적으로 이러한 공정은 용융된 중합체의 층을 압출하는 단계, 압출물을 급냉하는 단계 및 급냉된 압출물을 하나 이상의 방향으로 배향하는 단계를 포함한다.
기판을 일축 배향할 수 있지만, 바람직하게는 이축 배향한다. 배향 필름의 제조법으로서 당해 분야에 공지된 임의의 공정, 예를 들면 관형(tubular) 또는 평면(flat) 필름 공정으로 배향을 수행할 수 있다. 기계적 성질과 물리적 성질의 만족스러운 조합이 달성되도록, 필름 평면에서 서로 수직인 두 방향으로 필름을 잡아당김으로써 이축 배향을 수행한다.
관형 공정에서는, 열가소성 폴리에스테르 관(tube)을 압출한 후, 급냉하고, 재가열하고, 내부 기체 압력에 의해 팽창시켜 횡방향으로의 배향을 유도하고, 종방향 배향을 유도할 만큼의 속도로 연신함으로써, 동시 이축 배향을 수행할 수 있다.
바람직한 평면 필름 공정에서는, 기판-형성 폴리에스테르를 슬롯 다이를 통해 압출하고, 이 폴리에스테르가 무정형 상태로 급냉되도록, 냉각 캐스팅 드럼에서 재빨리 급냉한다. 이어서 급냉된 압출물을 폴리에스테르의 유리 전이 온도보다 높은 온도에서 하나 이상의 방향으로 연신함으로써 배향을 수행한다. 급냉된 편평한 압출물을 우선 한 방향, 통상적으로는 종방향, 즉 필름연신기의 전방으로 연신한 후 횡방향으로 연신함으로써 순차(sequential) 배향을 수행할 수 있다. 압출물의 전방 연신을 통상적으로는 한 셋트의 회전롤에서 또는 두 쌍의 닙롤 사이에서 수행하며, 이어서 횡방향 연신을 스텐터 장치에서 수행한다. 별법으로는, 압출된 필름을 동시 연신함으로써 배향을 수행할 수 있다. 이 경우에는 필름을 스텐터 오븐에서 상기 공정과 본질적으로는 동일한 단계에서 종방향 및 횡방향으로 연신한다. 순차 연신과 동시 연신 둘 다에 있어서, 연신도는 부분적으로는 폴리에스테르의 본질에 의해 결정된다. 그러나, 필름을 통상적으로는, 배향 필름의 치수가 각 연신 방향으로 원래 치수의 2 내지 5 배, 더욱 바람직하게는 2.5 내지 4.5 배가 되도록 연신한다. 전형적으로, 연신을 70 내지 150 ℃, 전형적으로는 70 내지 140 ℃의 온도 범위에서 수행한다. 한 방향으로만 배향해야 할 경우에는 보다 큰 연신비(예를 들면 약 8배 이하)를 사용할 수 있다. 균형잡힌 성질이 요구되는 경우에는 기계방향과 횡방향으로의 연신이 동일한 것이 바람직하기는 하지만, 반드시 그럴 필요는 없다.
연신 필름을, GB-A-838708에 기술된 바와 같이, 폴리에스테르가 결정화되도록, 폴리에스테르의 유리 전이 온도보다는 높지만 융점보다는 낮은 온도에서 치수 억제하면서 열경화시킴으로써 치수 안정화한다. 치수 억제 장력은 일반적으로 약 19 내지 약 75 ㎏/m, 바람직하게는 약 45 내지 약 50 ㎏/m 필름 너비이므로, 너비가 약 2.6m인 필름의 경우, 치수 억제 장력은 약 50 내지 약 190 ㎏, 바람직하게는 120 내지 130 ㎏이 된다. 실제 열경화 온도 및 시간은 필름의 조성에 따라 달라질 것이지만, 필름의 내인열성을 많이 저하시키지 않는 정도로 선택되어야 한다. 이러한 전제하에서는, 약 135 내지 250 ℃, 더욱 바람직하게는 235 내지 240 ℃의 열경화 온도가 일반적으로 바람직하다. 가열 지속 시간은 사용된 온도에 따라 달라지지만, 전형적으로는 5 내지 40 초, 바람직하게는 8 내지 30 초이다.
이어서 필름의 고유 수축의 대부분이 일어나게(이완되게) 하여 잔류 수축률이 매우 낮고 결과적으로는 치수안정성이 높은 필름을 제조하기 위해서, 완성된 필름을 낮은 장력하에서(즉 치수 억제를 최소로 하면서) 및 폴리에스테르의 유리 전이 온도보다는 높고 융점보다는 낮은 온도에서 가열함으로써 추가로 열안정화한다. 이러한 열안정화 단계 동안에 필름이 겪는 장력은 전형적으로 5㎏/m 필름 너비 미만, 바람직하게는 3.5㎏/m 필름 너비 미만, 더욱 바람직하게는 1 내지 약 2.5 ㎏/m, 전형적으로는 1.5 내지 2 ㎏/m 필름 너비이다. 열안정화 단계 동안에 필름의 횡방향 치수는 증가하지 않는다. 열안정화 단계에 사용되는 온도는 최종 필름에 대해 요구되는 성질들의 조합에 따라 달라질 수 있으며, 온도가 높을수록 잔류 수축성은 더 좋아진다(즉 더 낮아진다). 135 내지 250 ℃, 바람직하게는 190 내지 250 ℃, 더욱 바람직하게는 200 내지 230 ℃, 및 더욱 더 바람직하게는 215℃ 이상, 전형적으로는 215 내지 230 ℃의 온도가 일반적으로 요구된다. 가열 지속 시간은 사용된 온도에 따라 달라질 것이지만, 전형적으로는 10 내지 40 초이고, 바람직하게는 20 내지 30 초이다. 이러한 열안정화 공정을, 평면 및 수직 배열, 및 개별 공정 단계로서 "오프-라인" 또는 연속 필름 제조 공정으로서 "인-라인"을 포함하는 다양한 방법을 사 용하여, 수행할 수 있다. 한 실시양태에서, 열안정화는 "오프-라인"으로 수행된다.
기판은 1개 이상의 독립적인 층들을 포함할 수 있다. 각 층들의 조성은 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들면 기판은 1개, 2개, 3개, 4개 또는 5개 또는 그 이상의 층들을 포함할 수 있으며, 전형적인 다층 구조는 AB, ABA, ABC, ABAB, ABABA 또는 ABCBA 형일 수 있다. 바람직하게는 기판은 층을 단 1개만 포함한다. 기판이 층을 1개보다 많이 포함하는 경우, 이러한 기판의 제조를 편리하게는 공압출법으로 수행하는데, 이러한 공정에서는 각 필름-형성 층들을 다중-오리피스 다이의 독립적인 오리피스를 통해 동시 공압출한 후 여전히 용융된 상태로 있는 이 층들을 결합하거나, 아니면 바람직하게는 단일-채널 공압출법으로서, 각 중합체의 용융 스트림들을 우선 다이 매니폴드로 유인하는 채널에서 결합한 후, 혼합하지 않고 스트림라인 유동 조건에서 다이 오리피스로부터 함께 압출하여 다층 중합체성 필름을 만들고, 이것을 전술된 바와 같이 배향하고 열경화할 수 있다. 다층 기판의 형성을, 통상적인 라미네이션 기법, 예를 들면 예비형성된 제 1 층과 예비형성된 제 2 층을 함께 라미네이팅하거나, 예를 들면 제 1 층을 예비형성된 제 2 층에 캐스팅함으로써 수행할 수도 있다.
중합체성 필름은 편리하게는 중합체성 필름의 제조에서 통상적으로 사용되는 임의의 첨가제를 함유할 수 있다. 따라서, 가교제, 염료, 안료, 공극화제(voiding agent), 윤활제, 항산화제, 라디칼 스캐빈저(radical scavenger), 자외선 흡수제, 열안정제, 난연제, 블로킹억제제(anti-blocking agent), 표면활성제, 미끄럼 보조제(slip aid), 형광증백제, 광택증진제, 프로디그래던트(prodegradent), 점도조 절제 및 분산안정제 같은 약품을 적절히 혼입시킬 수 있다. 특히, 층은 제조 과정 동안에 취급성 및 권취성(windability)을 개선할 수 있는 입상 충전제를 포함할 수 있다. 입상 충전제는 예를 들면 입상 무기 충전제 또는 비혼화성 수지 충전제 또는 이러한 충전제 2종 이상이 섞인 혼합물일 수 있다.
"비혼화성 수지"란 필름의 압출 및 제작 동안에 겪게 되는 가장 높은 온도에서 용융되지 않거나 중합체와 실질적으로 혼합되지 않는 수지를 의미한다. 비혼화성 수지가 존재하면 통상적으로 공극을 갖는 층, 즉 적어도 부분적으로는 개별적인 독립기포를 함유하는 기포 구조를 포함하는 층이 생긴다. 적합한 비혼화성 수지에는 폴리아미드 및 올레핀 중합체, 특히는 분자 내에 탄소원자를 6개 이하로 함유하는 모노-알파-올레핀의 단독중합체 또는 공중합체가 포함된다. 바람직한 물질로는 저밀도 또는 고밀도 올레핀 단독중합체, 특히는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 또는 폴리-4-메틸펜텐-1, 올레핀 공중합체, 특히는 에틸렌-프로필렌 공중합체 또는 이들중 2종 이상의 혼합물이 있다. 랜덤, 블록 또는 그라프트 공중합체도 사용할 수 있다.
입상 무기 충전제에는 통상적인 무기 충전제, 및 특히 금속 또는 메탈로이드 산화물, 예를 들면 알루미나, 실리카(특히 침강 또는 규조 실리카 및 실리카겔) 및 티타니아, 하소 고령토 및 알칼리금속염, 예를 들면 칼슘 및 바륨의 탄산염 및 황산염이 포함된다. 유리 입자를 사용할 수도 있다. 입상 무기 충전제는 공극을 갖거나 갖지 않는 형태일 수 있다. 적합한 입상 무기 충전제는 균질하여, 본질적으로 이산화티탄 또는 황산바륨 같은 단일 충전제 물질 또는 화합물로만 이루어진다. 한편으로는, 충전제의 적어도 일부분이 불균질하여, 주요 충전제 물질이 추가의 개질 성분과 혼합될 수 있다. 예를 들면 주요 충전제 입자는 표면개질제, 예를 들면 안료, 비누, 계면활성 커플링제, 또는 충전제와 기판층 폴리에스테르의 혼화를 촉진하거나 변경할 수 있는 기타 개질제로 처리될 수 있다.
바람직한 입상 무기 충전제는 이산화티탄 및 실리카를 포함한다.
이산화티탄 입자는 예추석(anatase) 또는 금홍석(rutile) 결정형일 수 있다. 이산화티탄 입자는 바람직하게는 많은 부분의 금홍석을 포함하며, 더욱 바람직하게는 60중량％ 이상, 특히 80중량％ 이상, 특별히는 약 100중량％의 금홍석을 포함한다. 이러한 입자를 염화물 공정 또는 황산염 공정 같은 표준 공정으로 제조할 수 있다. 이산화티탄 입자를 바람직하게는 알루미늄, 규소, 아연, 마그네슘 또는 이들의 혼합물 같은 무기 산화물로 코팅할 수 있다. 바람직하게는 이러한 코팅은 추가로 유기 화합물(들), 예를 들면 적합하게는 탄소원자를 8 내지 30개, 바람직하게는 12 내지 24개 갖는 지방산 및 바람직하게는 알칸올을 포함한다. 폴리디메틸실록산 또는 폴리메틸히드로젠실록산 같은 폴리디오르가노실록산 또는 폴리오르가노히드로젠실록산이 적합한 유기 화합물이다. 이 코팅을 적합하게는 수성 현탁액중 이산화티탄 입자에 도포한다. 수성 현탁액에서, 알루민산나트륨, 황산알루미늄, 수산화알루미늄, 질산알루미늄, 규산 또는 규산나트륨 같은 수용성 화합물로부터 무기 산화물이 침강된다. 이산화티탄 입자상의 코팅층은 바람직하게는 이산화티탄의 중량을 기준으로, 1 내지 12 ％의 무기 산화물, 및 바람직하게는 0.5 내지 3 ％의 유기 화합물을 포함한다.
무기 충전제는 미분쇄되어야 하며, 그의 부피분포 중위입경(부피％를 입자 직경에 대해 도시한 누적분포곡선에서 모든 입자의 부피의 50％에 해당하는 등가 구형 입자 직경-종종 "D(v,0.5)"값이라고도 함)은 바람직하게는 0.01 내지 7.0 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 4.5 ㎛, 특히는 0.15 내지 1.5 ㎛이다.
무기 충전제 입자의 입경분포도 중요한 변수인데, 예를 들면 지나치게 큰 입자가 존재하면 필름에 보기흉한 "얼룩"이 나타날 수 있다. 다시말해 필름 내의 개별적인 충전제 입자의 존재를 육안으로 구별할 수 있다는 것이다. 무기 충전제 입자들중 어떤 것도 그 실제 입경이 30㎛보다 크지 않는 것이 바람직하다. 이러한 크기보다 큰 입자들은 당해 분야에 공지된 체질(sieving) 공정으로 제거할 수 있다. 그러나 체질 공정을 거친다 해도 특정 크기보다 큰 모든 입자들을 항상 완벽하게 제거할 수 있는 것은 아니다. 따라서 실제로 무기 충전제 입자수의 99.9％에 해당하는 입자들의 크기는 30㎛를 넘지 말아야 하고, 바람직하게는 20㎛를 넘지 말아야 하고, 더욱 바람직하게는 10㎛를 넘지 말아야 한다. 바람직하게는 무기 충전제 입자의 부피의 90％ 이상, 더욱 바람직하게는 95％ 이상이 중위입경±3.0㎛, 특히는 ±2.5㎛의 범위내에 있다.
충전제 입자의 입경을 전자현미경, 코울터계수기(coulter counter), 침강분석법, 및 정적 또는 동적 광산란법으로 측정할 수 있다. 레이저광회절을 근본 원리로 하는 기법이 바람직하다. 특정 입경 아래의 입자 부피％를 나타내는 누적분포곡선을 도시하고 50번째 백분위수를 측정함으로써 중위입경을 결정할 수 있다.
필름의 성분들을 통상적인 방법으로 혼합할 수 있다. 예를 들면, 층 중합체의 재료인 단량체 반응물들과 혼합하거나, 아니면 압출기에서 텀블(tumble) 또는 건 식 블렌딩 또는 컴파운딩하는 방법으로 성분들을 중합체와 혼합하며, 이어서 이들을 냉각하고, 통상적으로는 과립이나 칩이 되게 분쇄한다. 마스터배치(masterbatching) 기법도 사용할 수 있다.
바람직한 실시양태에서, 본 발명의 필름은 투명하여, 바람직하게는 표준 ASTM D 1003에 따라 측정된 산란 가시광선 ％(탁도)가 3.5％ 미만, 바람직하게는 2％ 미만, 더욱 바람직하게는 1.5％ 미만, 더욱 더 바람직하게는 1％ 이하, 특히 0.7％ 미만이다. 한 실시양태에서, 탁도는 0.6 내지 1 ％이다. 바람직하게는, 표준 ASTM D 1003에 따라 측정된 400 내지 800 ㎚에서의 총 광투과율(TLT)은 75％ 이상, 바람직하게는 80％ 이상, 더욱 바람직하게는 85％ 이상이다. 이 실시양태에서, 충전제는 전형적으로 소량으로만 존재하며, 일반적으로는 특정 층 중량의 0.5％를 넘지 않으며, 바람직하게는 0.2％ 미만으로 존재한다.
한 실시양태에서, 필름은 위에서 정의된 바와 같이 투명할 뿐만 아니라 우수한 취급성 및 권취성을 나타낸다. 이 실시양태에서, 필름은 부피분포 중위입경이 1.0 내지 7.0 ㎛인 유리 입자 약 50 내지 1000 ppm, 및 평균 주요 입경(수평균 입경을 뜻함)이 0.01 내지 0.09 ㎛인 실리카 입자 약 200 내지 2000 ppm을 포함한다. 유리 입자는 바람직하게는 솔리드(solid) 유리 비드, 바람직하게는 특정 관측점에 상관없이 실질적으로 원형 단면을 갖는 유리 비드이다. 바람직하게는, 개개의 유리 입자는 종횡비 d1:d2(여기서 d1 및 d2는 각각 입자의 최대 치수 및 최소 치수임)가 1:1 내지 1:0.5, 바람직하게는 1:1 내지 1:0.8, 특히는 1:1 내지 1:0.9이다. 유리 입자는 그 화학적 조성에 의해서는 제한되지 않지만, 바람직하게는 크라운(crown) 유리 및/또는 붕규산 유리를 포함한다. 실리카 입자는 바람직하게는 특정 관측점에 상관없이 실질적으로 원형인 단면을 갖는다. 바람직하게는 전형적인 실리카 주요 입자는 종횡비 d1:d2가 1:1 내지 1:0.5, 바람직하게는 1:1 내지 1:0.8이다. 유리 및 실리카-함유 층의 추가의 실시양태가 본원에서 참고로 인용된 US-5328755에 기술되어 있다.
또다른 실시양태에서, 필름은 불투명하고 고도로 충전되어 있으며, 바람직하게는 투과광학밀도(TOD)(사쿠라 덴시토메터(Sakura Densitometer); 타입 PDA 65; 투과모드)가 0.1 내지 2.0, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 1.5, 더욱 바람직하게는 0.25 내지 1.25, 더욱 바람직하게는 0.35 내지 0.75, 특히는 0.45 내지 0.65이다. 효과량의 불투명화제를 중합체 블렌드에 혼입시킴으로써 필름을 편리하게 불투명하게 만든다. 적합한 불투명화제에는 전술된 바와 같은, 비혼화성 수지 충전제, 입상 무기 충전제 또는 이러한 충전제들중 2종 이상의 혼합물이 포함된다. 특정 층에 존재하는 충전제의 양은 층 중합체의 중량을 기준으로 바람직하게는 1 내지 30 중량％, 더욱 바람직하게는 3 내지 20 중량％, 특히는 4 내지 15 중량％, 특별하게는 5 내지 10 중량％이다.
불투명 필름의 표면은 바람직하게는 본원에서 기술되는 바에 따라 측정되는 백도(whiteness index)가 60 내지 120, 더욱 바람직하게는 80 내지 110, 특히는 90 내지 105, 특별히는 95 내지 100 단위이다.
PEN 필름은 추가로 1종 이상의 추가적 중합체 층 또는 코팅 물질을 포함할 수 있다. 임의의 코팅은 바람직하게는 "인-라인"으로 수행된다.
한 실시양태에서, 필름의 취급성 및 권취성을 개선하기 위해서 필름 한 면에 존재하는 추가적 코팅은 "미끄럼 코팅"을 포함할 수도 있다. 적합한 미끄럼 코팅은 예를 들면 본원에서 참고로 인용된 EP-A-0408197에 기술된 바와 같은, 임의적으로 추가로 가교제를 포함하는 아크릴 및/또는 메타크릴 중합체성 수지의 불연속층일 수 있다. 또다른 미끄럼 코팅은 예를 들면 본원에서 참고로 인용된 미국특허 제 5925428 호 및 제 5882798 호에 개시된 바와 같은 규산칼륨 코팅을 포함할 수 있다.
한 실시양태에서, 필름은 필름이 후속층에 접착되는 것을 돕는 프라이머층으로 코팅된다. 프라이머 또는 접착 층의 종류 및 본질은 후속층의 종류에 따라 달라지지만 전형적으로는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 중합체 수지 중에서 선택된다. 적합한 물질은 (i) (a) 알킬 아크릴레이트 35 내지 40 몰％와, (b) 알킬 메타크릴레이트 35 내지 40 ％와, (c) 이타콘산 같은 자유 카르복실기를 함유하는 공단량체 10 내지 15 몰％와 (d) p-스티렌 술폰산 같은 방향족 술폰산 및/또는 그의 염 15 내지 20 몰％의 공중합체, 예를 들면 본원에서 참고로 인용된 EP-A-0429179에 개시된 바와 같은, 에틸 아크릴레이트/메틸 메타크릴레이트/이타콘산/p-스티렌 술폰산 및/또는 그의 염을 37.5/37.5/10/15 몰％의 비로 포함하는 공중합체; 및 (ii) 아크릴 및/또는 메타크릴 중합체성 수지, 예를 들면 본원에서 참고로 인용된 EP-A-0408197에 개시된 바와 같은, 에틸 아크릴레이트 약 35 내지 60 몰％와, 메틸 메타크릴레이트 약 30 내지 55 몰％와, 메타크릴아미드 약 2 내지 20 몰％를 포함하는 중합체를 포함한다. .
프라이머 또는 접착 층은 조성물을 가교시켜 기판에 대한 접착을 개선하는 역할을 하고 조성물 내에서 내부 가교를 할 수도 있어야만 하는 가교제를 포함할 수 있다. 적합한 가교제는 멜라민과 포름알데히드의 임의적 알콕실화 축합생성물을 포함한다. 프라이머 또는 접착 층은 가교제의 가교를 보다 쉽게 하는 가교 촉매, 예를 들면 황산암모늄을 포함할 수 있다. 기타 적합한 가교제 및 촉매는 본원에서 참고로 인용된 EP-A-0429179에 개시되어 있다.
사용시, 필름은 전술된 바와 같이 차단층으로 코팅될 수 있다. 이러한 코팅은 당해 분야에 공지되어 있으며, 전형적으로는 승온에서 스퍼터링 공정으로 도포된다. 차단층의 제조에 사용하기에 적합한 물질은 예를 들면 US-6,198,217에 개시되어 있다. 유기 차단층은 예를 들면 광경화성 단량체 또는 올리고머, 또는 열가소성 수지로부터 제조될 수 있다. 광경화성 단량체 또는 올리고머는 휘발성이 낮고 융점이 높아야 한다. 이러한 단량체의 예는 트리메틸올 아크릴레이트, 예를 들면 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 디트리메틸올프로판 테트라아크릴레이트 등; 장쇄 아크릴레이트, 예를 들면 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트 등; 및 시클로헥실 아크릴레이트, 예를 들면 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시 아크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트 등을 포함한다. 이러한 올리고머의 예는 아크릴레이트 올리고머, 에폭시 아크릴레이트 올리고머, 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 에테르 아크릴레이트 올리고머 등을 포함한다. 수지를 경화하는데에 광개시제, 예를 들면 벤조인 에테르, 벤조페논, 아세토페논, 케탈 등을 사용할 수 있다. 적합한 열가소성 수지의 예는 폴리에틸렌, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등을 포함한다. 이러한 유기 물질을 당해 분야에 공지된 임의의 통상적인 기법, 예를 들면 진공증착법으로 도포할 수 있다.
무기 차단층은 수분 투과율이 낮고 수분에 대해 안정한 물질로 만들어진 것이어야 한다. 그 예는 산화물(예를 들면 SiO2, SiO, GeO, Al2O3 등), 질화물(예를 들면 TiN, Si3N4 등) 및 금속(예를 들면 Al, Ag, Au, Pt, Ni 등)을 포함한다. 무기 물질을 표준 조건에서 진공증착, 스퍼터링 등과 같은 증기상 기법으로 도포할 수 있다.
차단층 그 자체는 1개 이상의 독립적인 층들을 포함할 수 있으며, 1개 이상의 유기 층(들) 및 1개 이상의 무기 층(들)을 포함할 수 있다.
바람직한 실시양태에서, 차단층은 광전자 소자 내 기판의 수증기 투과율을 10-6g/㎡/일 미만으로 감소시키고 산소 투과율을 10-5/㎖/㎡/일 미만으로 감소시키는 층이다. 또다른 실시양태에서, 차단층은 전자 소자 내 기판의 수증기 투과율을 10-2g/㎡/일 미만(바람직하게는 10-6g/㎡/일 미만)으로 감소시키고 산소 투과율을 10-3 /㎖/㎡/일 미만(바람직하게는 10-5/㎖/㎡/일 미만)으로 감소시키는 층이다.
일단 차단층이 침착되고 나면, 전극 및 전도성 공액 중합체를 포함하는 후속 층들을 당해 분야에 공지된 통상적인 제작 기법에 따라 도포할 수 있다. 전극은 당 해 분야에 공지된 임의의 적합한 전극, 예를 들면 본원에서 언급된 것들 중에서 선택된 전극일 수 있다. 한 실시양태에서, 전극은 전도성 금속 산화물, 바람직하게는 인듐 주석 산화물이다.
본원에서 일반적으로 언급된 전자 및 광전자 소자는 1개(또는 그 이상)의 전도성 공액 중합체의 층, 2개 이상의 전극 및 1개 이상의 기판층을 포함한다.
본 발명의 한 실시양태에서, 전계발광 디스플레이 소자, 특히 유기발광 디스플레이(OLED) 소자란, 각각 전극을 포함하는 2개의 층들 사이에 발광 전도성 공액 중합체성 물질의 층이 위치하고, 이렇게 형성된 복합 구조물이 2개의 기판(또는 지지체 또는 덮개)층들 사이에 위치한 디스플레이 소자를 말한다.
본 발명의 한 실시양태에서, 광기전력 전지란 각각 전극을 포함하는 2개의 층들 사이에 전도성 공액 중합체성 물질의 층이 위치하고, 이렇게 형성된 복합 구조물이 2개의 기판(또는 지지체 또는 덮개)층들 사이에 위치한 소자를 말한다.
본 발명의 한 실시양태에서, 트랜지스터란 1개 이상의 전도성 공액 중합체의 층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극, 및 1개 이상의 기판층을 포함하는 소자를 말한다.
본 발명의 추가의 양태에 따라, 230℃에서 30분 후 수축률이 1％ 미만이고, 바람직하게는 필름을 8℃에서 200℃로 가열한 후 8℃로 냉각하기 전후에 25℃에서 측정된 잔류 치수 변화율 ΔLr이 원래 치수의 0.75％ 미만이고, 바람직하게는 선형 열팽창계수(CLTE)가 -40 내지 100℃의 온도 범위에서 40×10-6/℃ 미만인 폴리(에틸 렌 나프탈레이트)를 포함하는 열안정화, 열경화 배향 필름인 기판층과 그의 표면 위에 차단층을 포함하는 복합 필름이 제공된다. 한 실시양태에서, 상기 기판을,
(i) 폴리(에틸렌 나프탈레이트)를 포함하는 층을 형성하는 단계;
(ii) 층을 하나 이상의 방향으로 연신하는 단계;
(iii) 폴리에스테르의 유리 전이 온도보다 높지만 융점보다는 낮은 온도에서, 약 19 내지 약 75 ㎏/m 필름 너비의 범위의 장력으로 치수 억제하면서 열경화하는 단계; 및
(iv) 폴리에스테르의 유리 전이 온도보다 높지만 융점보다는 낮은 온도에서, 5㎏/m 필름 너비 미만의 장력에서 열안정화하는 단계를 포함하는 공정으로 제조한다.
본 발명의 추가의 양태에 따라, 본원에서 기술된 바와 같은 기판층과 그의 표면 위에 본원에서 기술된 바와 같은 차단층을 포함하고, 추가로 차단층 표면의 적어도 일부에 전극층을 포함하고, 임의적으로 추가로 전도성 공액 중합체의 층을 포함하는 복합 필름이 제공된다.
본 발명의 추가의 양태에 따라서,
(i) 폴리(에틸렌 나프탈레이트)를 포함하는 기판층을 형성하는 단계;
(ii) 층을 하나 이상의 방향으로 연신하는 단계;
(iii) 폴리에스테르의 유리 전이 온도보다 높지만 융점보다는 낮은 온도에서, 약 19 내지 약 75 ㎏/m, 바람직하게는 약 45 내지 약 50 ㎏/m 필름 너비의 범위의 장력으로 치수 억제하면서 열경화하는 단계;
(iv) 폴리에스테르의 유리 전이 온도보다 높지만 융점보다는 낮은 온도에서, 낮은 장력, 바람직하게는 5㎏/m 미만, 더욱 바람직하게는 3.5㎏/m 미만, 더욱 더 바람직하게는 1.0 내지 2.5 ㎏/m, 전형적으로는 1.5 내지 2.0 ㎏/m 필름 너비의 장력에서 열안정화하는 단계; 및
(v) 소자 내 기판으로서의 열안정화, 열경화 배향 필름을 제공하는 단계를 포함하는, 본원에서 기술된 바와 같은 기판 및 전도성 공액 중합체를 함유하는 전자 또는 광전자 소자의 제조방법이 제공된다.
전자 또는 광전자 소자의 제조 공정의 단계는 추가로 열안정화, 열경화 배향 필름 기판을 차단층으로 코팅하는 단계; 전도성 물질을 차단층의 적어도 일부 위에 도포함으로써 전극을 제공하는 단계; 및 전도성 공액 중합체의 층을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
중합체성 필름의 특정 성질을 결정하는데에 다음 시험법들을 사용할 수 있다.
(i) 필름의 투명도를, ASTM D-1003-61에 따라 가드너(Gardner) XL 211 헤이즈메터(hazemeter)를 사용하여 필름의 총 두께를 통한 총광투과율(TLT) 및 탁도(산란된 투과 가시광선의 ％)를 측정함으로써 평가할 수 있다.
(ii) 필름의 투과광밀도(TOD)를, 투과 모드의 맥베쓰 덴시토메터(Macbeth Densitometer) TR 927(영국 바싱스토크 소재의 덴트 앤드 우즈 리미티드(Dent & Woods Ltd))를 사용하여 측정할 수 있다.
(iii) 치수안정성을, (a) 선형 열팽창계수(CLTE) 또는 (b) 필름을 특정 온도 로 가열하고 이어서 냉각한 후, 특정 축을 따라 길이에서의 잔류 변화를 측정하는 온도 주기 시험법의 관점에서 평가할 수 있다.
상기 두 측정법을, 온도, 변위, 힘, 고유변형(eigendeformation), 기준선 및 노(furnace) 온도 조정에 대해 공지된 방법에 따라 보정되고 점검된 써모메케니컬 애널라이저(Thermomechanical Analyser) PE-TMA-7(퍼킨 엘머(Perkin Elmer))를 사용하여 수행하였다. 확장(extension) 분석 클램프를 사용하여 필름을 검사하였다. 확장 클램프에 요구되는 기준선을 팽창계수가 매우 낮은 시편(석영)을 사용하여 수득하며, CLTE 정밀도 및 정확도(스캐닝 후 기준선 제거(subtraction)에 의존)를 CLTE 값이 잘 알려진 표준 물질, 예를 들면 순수 알루미늄박을 사용하여 평가하였다. 원래 필름 시편 내 공지된 배향축에서 선택된 시편을 클램프로 약 12㎜로 분리함으로써 시스템에 축적하고, 5㎜의 너비에 대해 75mN의 힘을 가하였다. 일정한 장력을 보장하기 위해, 가해진 힘을 필름 두께 변화에 따라 조절하고, 필름을 분석 축을 따라 구부리지 않았다. 시편 길이를 23℃에서 측정된 길이로 정규화하였다.
CLTE 시험법(a)에서는, 시편을 8℃로 냉각하고, 안정화한 후, 5℃/분으로 8℃에서 240℃로 가열하였다. CLTE 값(α)을 다음 식에서 유도하였다.
α= ΔL/(L×(T2-T1))
상기 식에서, ΔL은 온도 범위(T2-T1)에서 측정된 시편 길이의 변화량이고, L은 23℃에서 원래 시편의 길이이다. CLTE 값은 Tg(120℃) 온도 이하에서 신뢰성이 있는 것으로 간주된다.
데이타를 23℃로 정규화된, 온도에 따르는 시편 길이 변화 ％의 함수로서 도시할 수 있다.
온도 주기 시험법(b)에서는, 온도를 8℃에서 여러번 승온으로 주기적으로 변화시키는, 방법(a)와 유사한 절차를 사용하였다. 따라서 필름 시편을 8℃에서 140℃, 160℃, 180℃ 또는 200℃로 가열한 후 8℃로 냉각하였다. 이러한 열처리 전후에 25℃에서 각 횡방향 및 기계방향으로의 길이를 측정하고, 길이 변화 ΔLr을 원래 길이의 ％로서 계산하였다. 그 결과를 표 2에 도시하였다.
(iv) 다음 절차를 사용하여 고유점도(IV)를 용융점도계로 측정하였다. 공지된 온도 및 압력에서, 보정된 다이를 통해 흐르는 예건된 압출물의 속도를, 컴퓨터와 연결된 변환기로 측정하였다. 컴퓨터 프로그램을 사용하여, 실험적으로 결정된 회귀식으로부터 용융점도값(log10 점도) 및 등가 IV를 계산하였다. 컴퓨터를 사용해 IV를 시간(분)에 대해 도시하고 열화속도를 계산하였다. 그래프를 0시간에 외삽함으로써 초기 IV 및 등가 용융점도를 얻었다. 다이 오리피스 직경은 0.020 인치였고, 용융 온도는 IV가 0.80 ㎗/g 이하일 때는 284℃이고, IV가 0.80 ㎗/g 보다 클 때는 295℃였다.
(v) 특정 온도에서의 수축률을, 시편을 특정 시간 동안 가열된 오븐에 넣음으로써 측정하였다. ％ 수축률을 가열 전후 특정 방향으로의 필름 치수의 ％ 변화로서 계산하였다.
(vi) 표면 조도를, 당해 분야에 공지된 통상적인 비-접촉식 백색광 광위상 간섭법을 사용하여 측정하였다. 사용된 장비는 와이코(Wyko) NT3300 표면측정기였다. 이 기법으로 얻을 수 있는 유용한 특징적 데이타는 평균 조도(Ra)(측정된 표면적에 대해 계산된 산술 평균 피크 높이), 제곱평균제곱근 조도(Rq)(측정된 표면적에 대해 계산된 제곱평균제곱근 평균 피크 높이), 최대 단면 피크 높이(Rp)(측정된 표면적에서 가장 높은 피크의 높이), 및 평균 최대 단면 피크 높이(Rpm)(측정된 표면적에서 가장 높은 피크들 10개의 평균값)를 포함했다.
조도 척도 및 피크 높이를, 시편 표면적의 평균 수준에 대해 측정하거나, 통상적인 기법에 따라 "평균선(mean line)"에 대해 측정하였다. (중합체성 필름 표면은 완벽한 평면이 아닐 수 있으며, 종종 그 표면에 완만한 파형을 가졌다. 평균선은 파형과 표면 높이 출발점을 중앙으로 가로지르는 직선으로서, 평균선 위와 아래에 동일한 면적이 존재하도록 단면을 분할한다)
1회 측정시 스캐닝된 영역인, 표면측정기의 "시야(field of view)" 내의 필름 표면의 개별 영역을 스캐닝함으로써 표면 단면 분석을 수행하였다. 상이한 시야를 사용하거나 배열(array)을 형성하는 연속된 시야들을 스캐닝함으로써 필름 시편을 분석할 수 있다. 여기서 수행된 분석법은 각 시야가 736×480 화소를 포함하는 와이코 NT3300 표면측정기의 전체해상도를 사용하였다.
Ra와 Rq를 측정하는 경우, 50배율의 대물렌즈를 사용하여 해상도를 증대시켰다. 이렇게 얻은 시야는 치수가 90㎛×120㎛이고 화소 크기가 0.163㎛였다.
Rp와 Rpm을 측정하는 경우, 총 배율이 5배가 되도록 "0.5배 시야 증배기"와 조합된 10배율 대물렌즈를 사용하여 해상도를 편리하게 증대시켰다. 이렇게 얻어진 시야는 치수가 0.9㎜×1.2㎜이고 화소 크기가 1.63㎛였다.
각 측정시, 5번 연속된 스캐닝 결과들을 합하여 평균값을 얻었다. 10％의 변조한계(신호 대 잡음비)를 사용하여(즉 이 한계 아래의 데이타를 폐기함) 측정을 수행하였다. 본 발명의 필름은 본원에서 측정된 Ra 값이 0.8㎚ 미만, 바람직하게는 0.7㎚ 미만, 더욱 바람직하게는 0.65㎚ 미만, 가장 바람직하게는 0.6㎚ 미만인 것이 바람직하다. 본 발명의 필름은 본원에서 측정된 Rq 값이 1.0㎚ 이하, 바람직하게는 0.9㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 0.85㎚ 이하, 가장 바람직하게는 0.75㎚ 이하인 것이 바람직하다.
(vii) 산소 투과율을, ASTM D3985를 사용하여 측정할 수 있다.
(viii) 수증기 투과율을, ASTM F1249를 사용하여 측정할 수 있다.
(ix) 필름의 외표면의 백도를, ASTM D313에 따라 칼라가드 시스템(Colorgard System) 2000, 모델 /45(패시픽 사이언티픽(Pacific Scientific))를 사용하여 측정한다.
다음 실시예를 통해 본 발명을 추가로 예시한다. 이 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이지 전술된 본 발명을 제한하려는 것은 아니라는 것을 알 것이다. 본 발명의 범위에서 벗어나지 않게 세부사항들을 변경할 수 있다.
실시예 1
표준 에스테르교환 반응에서, 아세트산망간 4수화물 촉매 400ppm의 존재하에서 디메틸 나프탈레이트를 에틸렌 글리콜과 반응시켜 비스-(2-히드록시에틸) 나프탈레이트 및 그의 저급 올리고머를 수득하였다. 에스테르교환 반응이 끝날 때 즈음에, 인산 안정제 0.025％를 첨가한 후, 삼산화안티몬 중축합 촉매 0.04％를 첨가하였다. 폴리에틸렌 나프탈레이트의 고유점도(IV)가 약 0.50 내지 0.675 ㎗/g가 될 때까지(진성 PEN IV; PEN 등가 IV 0.75 내지 1.00 ㎗/g) 표준 회분식 중축합 반응을 수행하였다.
PEN을 포함하는 중합체 조성물을 압출하고 고온 회전 연마 드럼 위에 캐스팅하였다. 이어서 필름을 전방 연신 장치에 공급하여, 여기서 필름을 온도-제어되는 일련의 압연기에서 원래 치수의 약 3.34 배로 압출 방향으로 연신하였다. 연신 온도는 약 133℃였다. 이어서 필름을 138℃의 스텐터 오븐에 공급하여, 여기서 필름을 원래 치수의 약 4.0 배로 측방향으로 연신하였다. 이어서 이 이축연신 필름을 통상적인 수단으로 약 238℃ 이하의 온도로 열경화한 후, 냉각하고 릴에 감았다. 총 필름 두께는 125㎛였다.
이어서 열경화 이축연신 필름을 풀고 일련의 4개의 플로테이션 오븐(flotation oven)에 통과시키고 웹의 운반을 제어하기에 알맞는 최소 라인(line) 장력을 가하여 이완시켰다. 이어서 이 열안정화 필름을 감았다. 4개의 오븐들은 각각 횡방향으로 3개의 제어 온도 대역을 가졌다(좌측, 중앙, 우측)
Figure 112004009896246-pct00001
열안정화 단계 동안 필름의 라인 속도는 15m/분이었다. 필름에 사용된 장력은(원래 롤 너비는 1360㎜임) 24 내지 25 N였다.
실시예 2
실시예 1의 공정을 열안정화 단계에서 다음 온도를 사용하여 반복하였다.
Figure 112004009896246-pct00002
실시예 3
표준 에스테르교환 반응에서, 아세트산망간 촉매 400ppm의 존재하에서 디메틸 나프탈레이트를 에틸렌 글리콜(글리콜:에스테르 몰비는 2.1:1임)과 반응시켜 비스-(2-히드록시에틸) 나프탈레이트 및 그의 저급 올리고머를 수득하였다. 에스테르교환 반응이 끝날 때 즈음에, 인산 안정제 0.025％를 첨가한 후, 이산화게르마늄 중축합 촉매 0.020％(Ge 금속 133ppm)를 첨가하였다. 폴리에틸렌 나프탈레이트의 고유점도(IV)가 약 0.50 내지 0.675 ㎗/g가 될 때까지(진성 PEN IV; PEN 등가 IV 0.75 내지 1.00 ㎗/g) 표준 회분식 중축합 반응을 수행하였다. 이렇게 얻은 폴리에스테르를 실시예 1에 기술된 일반 공정에 따라 필름의 제조에 사용하였다.
실시예 4
표준 에스테르교환 반응에서, 아세트산망간 4수화물 촉매 210ppm의 존재하에서 디메틸 나프탈레이트를 에틸렌 글리콜과 반응시켜 비스-(2-히드록시에틸) 나프탈레이트 및 그의 저급 올리고머를 수득하였다. 에스테르교환 반응이 끝날 때 즈음에, 인산 안정제 0.025중량％를 첨가한 후, 삼산화안티몬 중축합 촉매 0.036중량％를 첨가하였다. 폴리에틸렌 나프탈레이트의 고유점도(IV)가 0.50 내지 0.675 ㎗/g가 될 때까지(진성 PEN IV; PEN 등가 IV 0.75 내지 1.0 ㎗/g) 표준 회분식 중축합 반응을 수행하였다. 이 폴리에스테르를, 전방 연신을 3.1의 연신비 및 150 내지 155℃의 온도에서 수행하고; 횡방향 연신을 3.5의 연신비 및 145℃의 온도에서 수행하고; 열경화 온도가 234℃라는 것만 제외하고는 실시예 1의 공정과 동일한 공정에 따라 필름의 제조에 사용하였다. 최종 필름 두께는 125㎛였고 탁도는 0.6％였다.
실시예 1 및 실시예 2의 필름의 수축률을, 본원에서 기술된 시험법을 사용하여 분석하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다. 실시예 1과 동일한 방법으로 제조되었으나 열안정화되지 않은 PEN 필름을 비교예(비교예 1)로 사용하였다.
Figure 112004009896246-pct00003
표 1의 결과는 열안정화, 열경화 필름이 비교적 고온에서도 우수한 치수안정성을 갖는다는 것을 보여준다. 이 결과는 또한 보다 고온에서 열경화된 필름(실시예 2)의 개선된 수축성을 보여준다.
실시예 3 및 4의 필름을, 본원에서 기술된 치수안정성 시험법(iii)(b)을 사용하여 분석하였다. 실시예 4와 동일한 방법으로 제조되었으나 열안정화되지 않은 PEN 필름을 비교예(비교예 2)로 사용하였다. 필름의 횡방향(TD) 및 기계방향(MD)으로 측정을 수행하였다. - 값은 필름이 수축되었음을 나타낸다. 그 결과를 표 2에 나타내었다.
Figure 112004009896246-pct00004
표 2의 데이타는 열안정화 PEN 필름은 고온에 노출되어도 단지 매우 작은 영구 치수 변화를 보인다는 것을 알려준다. 따라서 이러한 필름은 온도의 함수로서의 치수안정성과 관련하여 유리하고도 예측가능한 성질을 갖추므로, 전자 디스플레이에서 기판으로서 적합하다. 이와 대조적으로, 열안정화되지 않은 PEN 필름은 수축 및 팽창효과를 나타내어, 특히 초기 가열 단계 후, 더 큰 필름 영구 변형이 초래된다.
필름의 표면 조도를 본원에서 기술된 방법을 사용하여 측정하였으며, 그 결과를 표 3에 나타내었다.
Figure 112004009896246-pct00005
표 3의 결과는 Ge-촉매 작용으로 제조된 폴리에스테르가 탁월한 평활도를 나타낸다는 것을 보여준다.

Claims (21)

  1. (i) 폴리(에틸렌 나프탈레이트)를 포함하는 층을 형성하는 단계;
    (ii) 층을 하나 이상의 방향으로 연신하는 단계;
    (iii) 폴리에스테르의 유리 전이 온도보다 높지만 융점보다는 낮은 온도에서, 필름 너비 m 당 약 19 내지 약 75 ㎏ 범위의 장력으로 치수 억제하면서 열경화하는 단계;
    (iv) 폴리에스테르의 유리 전이 온도보다 높지만 융점보다는 낮은 온도에서, 필름 너비 m 당 5 ㎏ 미만의 장력에서 열안정화하는 단계; 및
    (v) 소자 내 기판으로서의 열안정화, 열경화 배향 필름을 제공하는 단계
    를 포함하는, 230℃에서 30분 후 수축률이 1％ 미만인 열안정화, 열경화 배향 폴리(에틸렌 나프탈레이트) 필름을 포함하는 기판과 전도성 공액 중합체를 함유하는 전자 또는 광전자 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소자가 광전자 소자, 전계발광 디스플레이 소자, 유기발광 디스플레이 소자, 광기전력 전지 및 반도체 소자로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판이 8℃에서 200℃로 가열한 후 8℃로 냉각하기 전후에 25℃에서 측정된 잔류 치수 변화율 ΔLr 이 원래 치수의 0.75％ 미만인 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판의 선형 열팽창계수(CLTE)가 -40 내지 100℃의 온도 범위에서 40×10-6/℃ 미만인 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 열안정화, 열경화 배향 필름 기판을 차단층으로 코팅하는 단계를 더 포함하는 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 전도성 물질을 차단층의 적어도 일부 위에 도포함으로써 전극을 제공하는 단계를 더 포함하는 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 전도성 공액 중합체를 전극과 접촉하도록 배치하는 단계를 더 포함하는 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 열안정화 단계를 오프-라인으로 수행하는 제조방법.
  9. 제1항 또는 제8항에 있어서, 열안정화를 필름 너비 m 당 1.0 내지 2.5 ㎏의 장력에서 수행하는 제조방법.
  10. 제1항 또는 제8항에 있어서, 열경화를 필름 너비 m 당 45 내지 50 ㎏의 장력에서 수행하는 제조방법.
  11. 제1항 또는 제8항에 있어서, 열안정화를 200 내지 230 ℃의 온도에서 수행하는 제조방법.
  12. 제1항 또는 제8항에 있어서, 열경화를 235 내지 240 ℃의 온도에서 수행하는 제조방법.
  13. 제1항, 제2항 및 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리(에틸렌나프탈레이트)가 2,6-나프탈렌디카르복실산으로부터 유도된 것인 제조방법.
  14. 제1항, 제2항 및 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리(에틸렌나프탈레이트)의 고유점도가 0.5 내지 1.5 ㎗/g인 제조방법.
  15. 제1항, 제2항 및 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열안정화 필름의 산란 가시광선 ％(탁도)가 1.5％ 미만인 제조방법.
  16. 제1항, 제2항 및 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열안정화 필름이 이축 배향된 것인 제조방법.
  17. 전도성 공액 중합체를 함유하는 전자 또는 광전자 소자에, 또는 상기 전자 또는 광전자 소자의 제조에 사용되는, 230℃에서 30분 후 수축률이 1％ 미만인 폴리(에틸렌 나프탈레이트)를 포함하는 열안정화, 열경화 배향 필름.
  18. 230℃에서 30분 후 수축률이 1％ 미만인 폴리(에틸렌 나프탈레이트)를 포함하는 열안정화, 열경화 배향 필름인 기판층과 그의 표면 위에 차단층을 포함하는 복합 필름.
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100915479B1 (ko) * 2001-09-11 2009-09-03 듀폰 테이진 필름즈 유.에스. 리미티드 파트너쉽 가요성 전자 및 광전자 소자용 열안정화 폴리(에틸렌나프탈레이트) 필름
GB0208506D0 (en) 2002-04-12 2002-05-22 Dupont Teijin Films Us Ltd Film coating
DE10314161A1 (de) * 2003-03-28 2004-10-28 Siemens Ag Feldeffektelektroden für organische optoelektronische Bauelemente
US7244893B2 (en) * 2003-06-11 2007-07-17 Belden Technologies, Inc. Cable including non-flammable micro-particles
JP4820536B2 (ja) 2003-06-25 2011-11-24 彬雄 谷口 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
EP1764206B1 (en) * 2004-05-14 2009-09-09 Teijin Dupont Films Japan Limited Oriented polyester film for a flexible electronics device substrate
US7524920B2 (en) 2004-12-16 2009-04-28 Eastman Chemical Company Biaxially oriented copolyester film and laminates thereof
GB0505517D0 (en) * 2005-03-17 2005-04-27 Dupont Teijin Films Us Ltd Coated polymeric substrates
JP4965555B2 (ja) * 2005-04-08 2012-07-04 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ヒートセット型光学フィルム
JP4683289B2 (ja) * 2006-01-13 2011-05-18 富士フイルム株式会社 熱可塑性樹脂フィルムの製造方法
BRPI0708029A2 (pt) 2006-02-08 2011-05-17 3M Innovative Propeties Company método para fabricação em um substrato de filme a uma temperatura acima de sua transição vìtrea
GB0602678D0 (en) 2006-02-09 2006-03-22 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester film and manufacturing process
DE102006016156A1 (de) * 2006-04-06 2007-10-11 Mitsubishi Polyester Film Gmbh Hydrolysebeständige, mehrschichtige Polyesterfolie mit Hydrolyseschutzmittel
US8647556B2 (en) 2006-09-28 2014-02-11 3M Innovative Properties Company System and method for controlling curl in multi-layer webs
US8115326B2 (en) * 2006-11-30 2012-02-14 Corning Incorporated Flexible substrates having a thin-film barrier
JP2010521073A (ja) * 2007-03-09 2010-06-17 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 多層フィルム
KR101409581B1 (ko) 2007-05-18 2014-06-20 쿠퍼비젼 인터내셔날 홀딩 캄파니, 엘피 콘텍트 렌즈를 형성하기 위한 열 경화 방법 및 시스템
EP2163572B1 (en) * 2007-05-30 2014-08-13 Teijin Dupont Films Japan Limited Biaxially oriented polyester film for automobile driving motor and electrically insulating member composed of the same
US20110209901A1 (en) * 2007-08-02 2011-09-01 Dupont Teijin Films U.S. Limited Partnership Coated polyester film
US20090155958A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Boris Kolodin Robust die bonding process for led dies
KR101500793B1 (ko) 2008-01-31 2015-03-09 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤 내후성이 우수한 가스 배리어성 필름
US20090211622A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Sunlight Photonics Inc. Multi-layered electro-optic devices
US20090215215A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Sunlight Photonics Inc. Method and apparatus for manufacturing multi-layered electro-optic devices
US7842534B2 (en) * 2008-04-02 2010-11-30 Sunlight Photonics Inc. Method for forming a compound semi-conductor thin-film
KR101468937B1 (ko) * 2008-09-05 2014-12-11 코오롱인더스트리 주식회사 폴리에스테르 필름 및 이의 제조방법
US8110428B2 (en) * 2008-11-25 2012-02-07 Sunlight Photonics Inc. Thin-film photovoltaic devices
JP5418505B2 (ja) * 2009-02-03 2014-02-19 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法
DE102009021712A1 (de) * 2009-05-18 2010-11-25 Mitsubishi Polyester Film Gmbh Coextrudierte, biaxial orientierte Polyesterfolien mit verbesserten Hafteigenschaften, Rückseitenlaminate für Solarmodule und Solarmodule
WO2011008459A2 (en) * 2009-06-29 2011-01-20 Infinite Corridor Technology, Llc Structured material substrates for flexible, stretchable electronics
US8097297B2 (en) * 2010-01-15 2012-01-17 Korea Advanced Institute Of Science And Technology (Kaist) Method of manufacturing flexible display substrate having reduced moisture and reduced oxygen permeability
GB201001947D0 (en) * 2010-02-05 2010-03-24 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester films
KR101147988B1 (ko) * 2010-07-13 2012-05-24 포항공과대학교 산학협력단 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
KR101801096B1 (ko) * 2010-12-17 2017-11-24 삼성전자주식회사 투명한 난연성 폴리에스테르 수지 조성물 및 그 제조방법
EP2487218A1 (en) 2011-02-09 2012-08-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Polymeric matrix with organic phosphor and manufactory thereof
TWI469872B (zh) 2011-12-13 2015-01-21 Ind Tech Res Inst 低熱膨脹係數聚酯薄膜與其形成方法
CN103998485B (zh) * 2011-12-19 2016-01-27 杜邦帝人薄膜美国有限公司 具有高玻璃化转变温度的聚(萘二甲酸亚烷基二醇酯)的共聚酯酰亚胺和由其制成的膜
KR102001704B1 (ko) 2011-12-21 2019-07-18 듀폰 테이진 필름즈 유.에스. 리미티드 파트너쉽 높은 유리 전이 온도를 갖는 폴리(알킬렌 테레프탈레이트)의 코폴리에스테르이미드 및 이로부터 제조된 필름
DE102012002448A1 (de) 2012-02-08 2013-08-08 Mitsubishi Polyester Film Gmbh Coextrudierte, biaxial orientierte Polyesterfolie mit Oligomerenbarriere
JP2013249329A (ja) * 2012-05-30 2013-12-12 Canon Inc 樹脂組成物、成形体及びミラー
GB201310837D0 (en) 2013-06-18 2013-07-31 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester film -IV
US20150029681A1 (en) * 2013-07-29 2015-01-29 Evonik Industries Ag Flexible composite, production thereof and use thereof
GB201317705D0 (en) 2013-10-07 2013-11-20 Dupont Teijin Films Us Ltd Copolyesters
TWI495680B (zh) 2013-11-07 2015-08-11 Ind Tech Res Inst 聚酯組成物、電子裝置、與薄膜的形成方法
GB201411044D0 (en) 2014-06-20 2014-08-06 Dupont Teijin Films Us Ltd Copolyestermides and films made therefrom
WO2016010162A1 (ja) * 2014-07-18 2016-01-21 帝人株式会社 １軸延伸多層積層フィルムおよびそれからなる光学部材
GB2523859B (en) 2014-08-01 2016-10-19 Dupont Teijin Films U S Ltd Partnership Polyester film assembly
CN107428152B (zh) * 2015-02-04 2020-01-10 康德***股份有限公司 热转印的聚合物手机外壳嵌件
KR102421570B1 (ko) * 2015-10-02 2022-07-15 에스케이이노베이션 주식회사 폴리머 필름의 제조방법
JP2017105013A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 株式会社リコー ガスバリア性積層体、半導体装置、表示素子、表示装置、システム
CN107791606B (zh) * 2016-08-29 2021-07-23 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 有机el用途薄膜、以及有机el显示和有机el照明
KR102054190B1 (ko) * 2017-01-23 2019-12-10 동우 화인켐 주식회사 고성능 필름형 터치 센서 및 그 제조방법
WO2024126566A1 (en) 2022-12-14 2024-06-20 Basf Coatings Gmbh Multilayer barrier film coated polymeric substrate, its manufacture and use in electronic devices

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998011150A1 (de) * 1996-09-16 1998-03-19 Bayer Aktiengesellschaft Triazinpolymere und deren verwendung in elektrolumineszierenden anordnungen
US5858490A (en) * 1993-06-10 1999-01-12 Nkk Corporation Film formed from polyethylene-2,6-naphthalate resin, process for producing said film and package using said film

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4829541B1 (ko) * 1969-06-13 1973-09-11
US3875119A (en) * 1970-12-22 1975-04-01 Hiroshi Aoki Product and process of producing biaxially oriented insulating film of polyethylene-2,6-naphthalate
JPS5988719A (ja) 1982-11-15 1984-05-22 Diafoil Co Ltd 液晶パネル基材用ポリエステルフイルム
JPS6151323A (ja) 1984-08-22 1986-03-13 Toray Ind Inc 液晶表示用一軸伸ポリエステルフイルムの製造方法
JPS62135338A (ja) 1985-12-09 1987-06-18 Diafoil Co Ltd 液晶パネル基板用ポリエチレンナフタレ−ト一軸高配向フイルム
JPS62136013A (ja) 1985-12-09 1987-06-19 ダイアホイルヘキスト株式会社 コンデンサ−用ポリエチレン−２，６−ナフタレ−トフイルム
JPS62135339A (ja) 1985-12-09 1987-06-18 Diafoil Co Ltd 磁気記録体用ポリエチレン−２，６−ナフタレ−トフイルム
JPH0625267B2 (ja) 1985-12-17 1994-04-06 ダイアホイルヘキスト株式会社 高密度磁気記録媒体用ポリエチレン−２，６−ナフタレ−トフイルム
JPS6342845A (ja) 1986-08-11 1988-02-24 Diafoil Co Ltd 液晶表示用ポリエステルフイルム
US4734174A (en) * 1986-12-17 1988-03-29 Polaroid Corporation Electrochemical formation of thin-film electrodes
JP2526642B2 (ja) * 1988-08-30 1996-08-21 東洋紡績株式会社 透明導電性フイルム
JPH02251428A (ja) * 1989-03-27 1990-10-09 Mitsui Toatsu Chem Inc 透明導電性フィルム
US5359261A (en) * 1990-12-28 1994-10-25 Stanley Electric Co., Ltd. Electroluminescence display
CH683776A5 (de) * 1991-12-05 1994-05-13 Alusuisse Lonza Services Ag Beschichten einer Substratfläche mit einer Permeationssperre.
ATE179803T1 (de) * 1993-02-16 1999-05-15 Teijin Ltd Schichtträger für photographischen film
DE4310082A1 (de) * 1993-03-27 1994-09-29 Hoechst Ag Elektrolumineszenzfolie, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JP3059866B2 (ja) * 1993-07-30 2000-07-04 シャープ株式会社 表示装置用基板
JPH0749486A (ja) * 1993-08-04 1995-02-21 Toray Ind Inc 表示材料用透明基材
KR100240740B1 (ko) * 1993-12-07 2000-07-01 야스이 쇼사꾸 사진 필름용 적층 베이스 필름
KR970007419B1 (ko) * 1993-12-30 1997-05-08 한솔제지 주식회사 승화형 열전사 기록용 색소
WO1996008047A2 (en) * 1994-09-06 1996-03-14 Philips Electronics N.V. Electroluminescent device comprising a transparent structured electrode layer made from a conductive polymer
JP2999379B2 (ja) * 1994-10-11 2000-01-17 帝人株式会社 延伸フィルムの弛緩熱処理方法
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
JPH09102392A (ja) * 1995-10-06 1997-04-15 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌパネルおよびこのパネルを用いた表示装置
US5968666A (en) * 1996-03-08 1999-10-19 3M Innovative Properties Company Multilayer polyester film
JPH1039448A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Konica Corp 写真用支持体
US5968871A (en) * 1996-08-26 1999-10-19 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Antistatic coat, thermal transfer sheet having antistatic property and antistatic agent
JP3290375B2 (ja) * 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JPH10321076A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Teijin Ltd メンブレンスイッチ用フィルムおよびその製造方法
DE19728449C1 (de) * 1997-07-03 1998-11-19 Fraunhofer Ges Forschung Leuchtelement und seine Verwendung
CA2273499A1 (en) * 1997-10-03 1999-04-15 Iwao Okazaki Biaxially oriented polyester film
US6368730B1 (en) * 1997-10-13 2002-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent device
US5908871A (en) * 1998-01-15 1999-06-01 Air Products And Chemicals, Inc. Polyester polyurethane flexible slabstock foam made using reduced emission surfactant
JP3626208B2 (ja) * 1998-01-21 2005-03-02 帝人株式会社 メンブレンスイッチ用二軸配向ポリエステルフィルム
GB2335884A (en) * 1998-04-02 1999-10-06 Cambridge Display Tech Ltd Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices
EP0962484B1 (en) * 1998-05-18 2008-08-06 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Optical-use adhesive film
EP1087286A4 (en) * 1998-06-08 2007-10-17 Kaneka Corp TOUCH-SENSITIVE RESISTANCE BOARD FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE COMPRISING SUCH A TOUCH-SOUND TABLE
JP2000012213A (ja) * 1998-06-18 2000-01-14 Oji Paper Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR20010024241A (ko) * 1998-07-24 2001-03-26 야스이 쇼사꾸 감열 전사 리본 및 이의 기재 필름
CA2309680C (en) * 1998-09-11 2005-07-26 Teijin Limited Biaxially oriented polyester film for thermal transfer ribbon, laminated film composed thereof and its production
GB2347013A (en) * 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
JP2000238178A (ja) * 1999-02-24 2000-09-05 Teijin Ltd 透明導電積層体
JP2000286060A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子およびその製造方法
WO2000074947A1 (fr) * 1999-06-03 2000-12-14 Teijin Limited Film polyester a orientation biaxiale pour ruban de transfert thermique
JP3743560B2 (ja) * 1999-06-22 2006-02-08 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルム、及びこれを用いたエレクトロルミネッセンスパネル
JP4423515B2 (ja) * 1999-06-28 2010-03-03 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルムおよびエレクトロルミネッセンスパネル
JP2001180129A (ja) * 1999-12-24 2001-07-03 Teijin Ltd 昇華型感熱転写リボンおよびそのベースフィルム
JP2001191405A (ja) * 2000-01-06 2001-07-17 Teijin Ltd 二軸配向フィルムおよびその製造方法
JP2002141246A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Toray Ind Inc コンデンサ用ポリエステルフィルムおよびフィルムコンデンサ
US6890471B2 (en) * 2000-12-11 2005-05-10 Teijin Limited Biaxially oriented polyester film and method for production thereof
KR100915479B1 (ko) * 2001-09-11 2009-09-03 듀폰 테이진 필름즈 유.에스. 리미티드 파트너쉽 가요성 전자 및 광전자 소자용 열안정화 폴리(에틸렌나프탈레이트) 필름
GB0208506D0 (en) * 2002-04-12 2002-05-22 Dupont Teijin Films Us Ltd Film coating
DE10222348A1 (de) * 2002-05-21 2003-12-04 Mitsubishi Polyester Film Gmbh Biaxial orientierte, hydrolysebeständige Folie aus einem Thermoplast mit einem Hydrolysestabilisator, Verfahren zu ihrer Herstellung, ihre Verwendung sowie aus der Folie hergestellte Kondensatoren
JP4052021B2 (ja) * 2002-06-04 2008-02-27 帝人デュポンフィルム株式会社 配向ポリエステルフィルムおよびそれを用いた積層フィルム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858490A (en) * 1993-06-10 1999-01-12 Nkk Corporation Film formed from polyethylene-2,6-naphthalate resin, process for producing said film and package using said film
WO1998011150A1 (de) * 1996-09-16 1998-03-19 Bayer Aktiengesellschaft Triazinpolymere und deren verwendung in elektrolumineszierenden anordnungen

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