JP2526642B2 - 透明導電性フイルム - Google Patents
透明導電性フイルムInfo
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- JP2526642B2 JP2526642B2 JP63217985A JP21798588A JP2526642B2 JP 2526642 B2 JP2526642 B2 JP 2526642B2 JP 63217985 A JP63217985 A JP 63217985A JP 21798588 A JP21798588 A JP 21798588A JP 2526642 B2 JP2526642 B2 JP 2526642B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は透明導電性フイルムに関し、具体的には接着
性良好な透明導電性フイルムに関するものであり、特に
発光層と透明導電層との密着性に優れたエレクトロ・ル
ミネッセンス・発光素子用透明電極などに適した透明導
電性フイルムに関するものである。
性良好な透明導電性フイルムに関するものであり、特に
発光層と透明導電層との密着性に優れたエレクトロ・ル
ミネッセンス・発光素子用透明電極などに適した透明導
電性フイルムに関するものである。
(従来の技術) 透明および導電機能を有する材料は、液晶(LCD)、
エレクトロ・ルミネッセンス(EL)、エレクトロ・クロ
ミック(ECD)などの各種ディスプレイの電極として不
可欠であり、ガラス基板に酸化錫薄膜のような導電性薄
膜を被覆したものが以前から用いられてきた。
エレクトロ・ルミネッセンス(EL)、エレクトロ・クロ
ミック(ECD)などの各種ディスプレイの電極として不
可欠であり、ガラス基板に酸化錫薄膜のような導電性薄
膜を被覆したものが以前から用いられてきた。
近年、前記ガラス基板に代わり高分子フイルムを基板
として用いてインジウム−錫混合酸化物薄膜(Indium T
in Oxide,以下、ITOと略称する)などを被覆した透明導
電性フイルムをはじめ、各種の透明導電性フイルムが開
発されている。
として用いてインジウム−錫混合酸化物薄膜(Indium T
in Oxide,以下、ITOと略称する)などを被覆した透明導
電性フイルムをはじめ、各種の透明導電性フイルムが開
発されている。
透明導電性フイルムは薄い、軽量、割れない、可撓性
がある、加工性に優れている、大面積化が容易であるな
どの透明導電性ガラス基板にみられない特長があり、こ
の特長を生かし、EL用電極、タッチ・パネル、LCD用電
極、電子写真、静電シールド、電磁波シールド、透明面
状発熱体などに急速にその応用分野を広げつつある。
がある、加工性に優れている、大面積化が容易であるな
どの透明導電性ガラス基板にみられない特長があり、こ
の特長を生かし、EL用電極、タッチ・パネル、LCD用電
極、電子写真、静電シールド、電磁波シールド、透明面
状発熱体などに急速にその応用分野を広げつつある。
現在実用化されている有機薄膜型エレクトロ・ルミネ
ッセンス・発光素子はその構成例を第1図に示した様
に、すべて可撓性のある材料で構成されている。
ッセンス・発光素子はその構成例を第1図に示した様
に、すべて可撓性のある材料で構成されている。
第1図においては防湿フイルム、は背面電極、
は絶縁層、は発光層、は透明導電層およびはベー
ス・フイルムを示しており、その構成材料としては、例
えば、の防湿フイルムとしては、ポリ(ビニルアルコ
ール)、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリ
(トリフロロモノクロロエチレン)などから得られる高
分子フイルムが、の背面電極には通常アルミ箔が、
の絶縁層にはY2O3、Al2O3、SiO2、Si3N4など耐絶縁性が
良く誘電率の高い金属化合物類が、の発光層として
は、硫化亜鉛や硫化カルシウムと銅、マンガン、アルミ
ニウムなどの金属化合物との混合物が通常シアノエチル
セルロース系樹脂のような誘電率の高い樹脂中に均一に
分散された、いわゆる発光インキが、の透明導電層と
しては高電導で可視光線透過性の優れたITOが、のベ
ース・フイルムとしては強度、可撓性、耐熱性、透明
性、寸法安定性などに優れたポリエチレンテレフタレー
トに代表される熱可塑性フイルムが使用されている。
は絶縁層、は発光層、は透明導電層およびはベー
ス・フイルムを示しており、その構成材料としては、例
えば、の防湿フイルムとしては、ポリ(ビニルアルコ
ール)、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリ
(トリフロロモノクロロエチレン)などから得られる高
分子フイルムが、の背面電極には通常アルミ箔が、
の絶縁層にはY2O3、Al2O3、SiO2、Si3N4など耐絶縁性が
良く誘電率の高い金属化合物類が、の発光層として
は、硫化亜鉛や硫化カルシウムと銅、マンガン、アルミ
ニウムなどの金属化合物との混合物が通常シアノエチル
セルロース系樹脂のような誘電率の高い樹脂中に均一に
分散された、いわゆる発光インキが、の透明導電層と
しては高電導で可視光線透過性の優れたITOが、のベ
ース・フイルムとしては強度、可撓性、耐熱性、透明
性、寸法安定性などに優れたポリエチレンテレフタレー
トに代表される熱可塑性フイルムが使用されている。
(発明が解決しようとする課題) 従来から、エレクトロ・ルミネッセンス・発光層と
ITO透明導電層との接合は熱ラミネート法により行な
われているが、シアノエチルセルロース系樹脂のような
誘電率の高い樹脂とITO層との間の密着性は悪く、その
結果として得られる表示素子製品の歩留り低下となり、
加えて種々の環境下での長期実用時の信頼性に欠けると
いう問題点があり、その解決を業界から強く要望されて
いた。このような問題点を改良する提案としては特開昭
62−105394号公報にみられるような導電性薄膜上にルテ
ニウム、ロジウム、パラジウムから選ばれる金属酸化物
薄膜を設け導電性薄膜と発光層との密着性を向上させる
試みがあるが未だ充分とはいえないものであった。
ITO透明導電層との接合は熱ラミネート法により行な
われているが、シアノエチルセルロース系樹脂のような
誘電率の高い樹脂とITO層との間の密着性は悪く、その
結果として得られる表示素子製品の歩留り低下となり、
加えて種々の環境下での長期実用時の信頼性に欠けると
いう問題点があり、その解決を業界から強く要望されて
いた。このような問題点を改良する提案としては特開昭
62−105394号公報にみられるような導電性薄膜上にルテ
ニウム、ロジウム、パラジウムから選ばれる金属酸化物
薄膜を設け導電性薄膜と発光層との密着性を向上させる
試みがあるが未だ充分とはいえないものであった。
(課題を解決するための手段) 本発明者等はエレクトロ・ルミネッセンス・発光層と
ITO透明導電層との密着性を向上させるため鋭意研究を
続けてきた結果、第2図に示したようにITO透明導電層
上にニッケル酸化物を含有する薄膜を被覆することによ
りエレクトロ・ルミネッセンス・発光層とITO透明導電
層との密着性が大巾に向上し、加えて可視光線透過率と
導電性も良好である事を見出し本発明に到達した。
ITO透明導電層との密着性を向上させるため鋭意研究を
続けてきた結果、第2図に示したようにITO透明導電層
上にニッケル酸化物を含有する薄膜を被覆することによ
りエレクトロ・ルミネッセンス・発光層とITO透明導電
層との密着性が大巾に向上し、加えて可視光線透過率と
導電性も良好である事を見出し本発明に到達した。
即ち、本発明は透明熱可塑性フイルムの少なくとも片
面に透明導電性薄膜を被覆し、更に該透明導電性薄膜の
少なくとも片面上にニッケル酸化物を含有する薄膜を被
覆したことを特徴とする透明導電性フイルムである。
面に透明導電性薄膜を被覆し、更に該透明導電性薄膜の
少なくとも片面上にニッケル酸化物を含有する薄膜を被
覆したことを特徴とする透明導電性フイルムである。
本発明に使用の透明熱可塑性フイルムとは可視光線透
過性、耐熱性、寸法安定性、力学強度などの諸特性に優
れた延伸フイルムであって、特に必要なことはエレクト
ロ・ルミネッセンス・発光素子製造工程条件と実用時の
環境条件から、寸法安定性に優れた透明熱可塑性フイル
ムである。この寸法安定性としては、一般的には150℃
の加熱下30分間放置(IPC−FC−241Cの条件)でフイル
ムの少なくとも一方向の収縮率が0.1%以下、好ましく
は0.05%以下の収縮率を示すような極めて収縮率の小さ
いことが必要である。
過性、耐熱性、寸法安定性、力学強度などの諸特性に優
れた延伸フイルムであって、特に必要なことはエレクト
ロ・ルミネッセンス・発光素子製造工程条件と実用時の
環境条件から、寸法安定性に優れた透明熱可塑性フイル
ムである。この寸法安定性としては、一般的には150℃
の加熱下30分間放置(IPC−FC−241Cの条件)でフイル
ムの少なくとも一方向の収縮率が0.1%以下、好ましく
は0.05%以下の収縮率を示すような極めて収縮率の小さ
いことが必要である。
これらの諸特性を有する透明熱可塑性フイルムとして
具体的にはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカー
ボネート、ポリフェニレンサルファイドなどから得られ
る延伸フイルムが挙げられ、特にポリエチレンテレフタ
レートおよびポリエチレンナフタレートから得られる低
収縮性延伸ポリエステルフイルムが好ましい。
具体的にはポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカー
ボネート、ポリフェニレンサルファイドなどから得られ
る延伸フイルムが挙げられ、特にポリエチレンテレフタ
レートおよびポリエチレンナフタレートから得られる低
収縮性延伸ポリエステルフイルムが好ましい。
これら透明熱可塑性フイルムには必要に応じて滑剤、
酸化防止剤、充てん剤、可塑剤、消泡剤、帯電防止剤な
どが配合されるが透明性を損なわない配合量とすること
が肝要である。
酸化防止剤、充てん剤、可塑剤、消泡剤、帯電防止剤な
どが配合されるが透明性を損なわない配合量とすること
が肝要である。
また、これら透明熱可塑性フイルムには染色法、顔料
分散法、コーティング法などで着色したものや、厚さ数
μm以下の透明コーティング剤を塗布したものも含まれ
る。
分散法、コーティング法などで着色したものや、厚さ数
μm以下の透明コーティング剤を塗布したものも含まれ
る。
本発明でいうニッケル酸化物含有薄膜の被覆方法とし
ては反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法
やニッケル酸化物をターゲットとしてスパッタリングす
る方法などが挙げられるが常法が適用できる。
ては反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法
やニッケル酸化物をターゲットとしてスパッタリングす
る方法などが挙げられるが常法が適用できる。
ニッケル酸化物含有薄膜の膜厚は透明性を損わないた
めには50オングストローム以下、好ましくは30オングス
トローム以下とする必要がある。
めには50オングストローム以下、好ましくは30オングス
トローム以下とする必要がある。
(発明の効果) エレクトロ・ルミネッセンス・発光素子においてITO
透明導電層上にニツケル酸化物含有薄膜を被覆すること
により発光層とITO透明導電層との密着性が大巾に向上
し、そのため発光素子としての信頼性が増大するばかり
でなく透明性や導電性も非常に良好である。
透明導電層上にニツケル酸化物含有薄膜を被覆すること
により発光層とITO透明導電層との密着性が大巾に向上
し、そのため発光素子としての信頼性が増大するばかり
でなく透明性や導電性も非常に良好である。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発
明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
なお、諸物性の測定と評価は次の方法によった。
膜厚:Auger電子分光法により測定した。
表面抵抗値:四探針法表面抵抗計により測定した。
可視光線透過率:分光光度計により波長550nmでの透過
率を測定した。
率を測定した。
接着性:発光体(Phosphor Type 723EL、真空治金
(株)製品)を溶媒に溶解したバインダー(シアノレジ
ンCR−S、信越化学(株)製品)中によく分散させた分
散液を固形分で40μmの厚さになるようにITO薄膜上に
塗布した後乾燥し、JIS D0202の方法に準じてクロスカ
ット接着性を5枚の試験片について測定し、その平均値
を算出した。
(株)製品)を溶媒に溶解したバインダー(シアノレジ
ンCR−S、信越化学(株)製品)中によく分散させた分
散液を固形分で40μmの厚さになるようにITO薄膜上に
塗布した後乾燥し、JIS D0202の方法に準じてクロスカ
ット接着性を5枚の試験片について測定し、その平均値
を算出した。
実施例1 150℃で30分間放置時の収縮率(IPC−FC−241C法に準
じて測定)がフイルム縦方向(MD)で0.03%である75μ
mの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート・フイルム上
にインジウム:錫=90:10(重量比)合金ターゲットを
使用し、市販のウェッブ連続スパッタリング装置を用い
て常法に従い次の条件で反応スパッタリング法によりIT
O薄膜を被覆した。
じて測定)がフイルム縦方向(MD)で0.03%である75μ
mの二軸延伸ポリエチレンテレフタレート・フイルム上
にインジウム:錫=90:10(重量比)合金ターゲットを
使用し、市販のウェッブ連続スパッタリング装置を用い
て常法に従い次の条件で反応スパッタリング法によりIT
O薄膜を被覆した。
圧力:5×10-6Torr 印加電圧:320V ガス分圧:アルゴン 1×10-3Torr 酸素 1×10-5Torr フイルム速度:2m/分 次に、ニッケル金属ターゲットを使用し、同様にして
反応性スパッタリング法によりニッケル酸化物薄膜をIT
O薄膜上に被覆した。得られた透明導電性フイルムにつ
いて膜厚、表面抵抗値、可視光線透過率および接着性を
測定した。得られた結果を第1表に示した。
反応性スパッタリング法によりニッケル酸化物薄膜をIT
O薄膜上に被覆した。得られた透明導電性フイルムにつ
いて膜厚、表面抵抗値、可視光線透過率および接着性を
測定した。得られた結果を第1表に示した。
比較例1 同様の方法でITO薄膜上にパラジウム酸化物を被覆し
た。得られた透明導電性フイルムの測定結果を第1表に
示した。
た。得られた透明導電性フイルムの測定結果を第1表に
示した。
比較例2 比較のためITO薄膜のみの透明導電性フイルムの測定
結果を第1表に示した。
結果を第1表に示した。
実施例2 150℃で30分間放置時の収縮率(前出)がフイルム縦
方向(MD)で0.04%である75μmの緑色に染色した二軸
延伸ポリエチレンテレフタレート・フイルム(商品名:
スペースシャイン、東洋紡績(株)製)を使用した以外
は実施例1と同様の方法で反応性スパッタリング法によ
りITO薄膜を被覆した。次に同様に反応性スパッタリン
グ法によりニッケル酸化物薄膜をITO薄膜上に被覆し
た。得られた緑色着色透明導電性フイルムについて膜
厚、表面抵抗値、可視光線透過率および接着性を測定し
た。結果を第1表に示した。
方向(MD)で0.04%である75μmの緑色に染色した二軸
延伸ポリエチレンテレフタレート・フイルム(商品名:
スペースシャイン、東洋紡績(株)製)を使用した以外
は実施例1と同様の方法で反応性スパッタリング法によ
りITO薄膜を被覆した。次に同様に反応性スパッタリン
グ法によりニッケル酸化物薄膜をITO薄膜上に被覆し
た。得られた緑色着色透明導電性フイルムについて膜
厚、表面抵抗値、可視光線透過率および接着性を測定し
た。結果を第1表に示した。
比較例3 同様の方法でITO薄膜上にパラジウム酸化物を被覆し
た。得られた緑色着色透明導電性フイルムの測定結果を
第1表に示した。
た。得られた緑色着色透明導電性フイルムの測定結果を
第1表に示した。
比較例4 比較のためITO薄膜のみの緑色着色透明導電性フイル
ムの測定結果を第1表に示した。
ムの測定結果を第1表に示した。
第1図は従来のエレクトロ・ルミネッセンス・発光素子
例の断面略図であり、第2図は本発明のエレクトロ・ル
ミネッセンス・発光素子側の断面略図である。
例の断面略図であり、第2図は本発明のエレクトロ・ル
ミネッセンス・発光素子側の断面略図である。
Claims (1)
- 【請求項1】透明熱可塑性フイルムの少なくとも片面に
透明導電性薄膜を被覆し、更に該透明導電性薄膜の少な
くとも片面上にニッケル酸化物を含有する薄膜を被覆し
たことを特徴とする透明導電性フイルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63217985A JP2526642B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 透明導電性フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63217985A JP2526642B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 透明導電性フイルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0263736A JPH0263736A (ja) | 1990-03-05 |
JP2526642B2 true JP2526642B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=16712816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63217985A Expired - Fee Related JP2526642B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 透明導電性フイルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2526642B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000238178A (ja) | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Teijin Ltd | 透明導電積層体 |
JP4531913B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2010-08-25 | 株式会社クレハ | 有機el素子用透明電極板および有機el素子 |
DE60223298T2 (de) * | 2001-09-11 | 2008-08-14 | DuPont Teijin Films U.S., Ltd. Partnership, Wilmington | Wärmestabilisierte Polyethylennaphthalat-Folie für flexible elektronische und optoelektronische Vorrichtungen |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63217985A patent/JP2526642B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0263736A (ja) | 1990-03-05 |
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Legal Events
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