DE10314161A1 - Feldeffektelektroden für organische optoelektronische Bauelemente - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 7
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/60—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation in which radiation controls flow of current through the devices, e.g. photoresistors
- H10K30/65—Light-sensitive field-effect devices, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
- H10K85/215—Fullerenes, e.g. C60 comprising substituents, e.g. PCBM
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
Für ein, insbesondere organisches, Bauelement wird ein Feldeffektkontakt als negative Elektrode verwendet.
Description
- Für n-Typ Kontakte optoelektronisch aktiver Bereiche von Bauelementen werden unter anderem Metalle mit kleinen Austrittsarbeiten verwendet. Dieser Zusammenhang ist beispielsweise in Brabec C. J., Sariciftci N. und Hummelen J.: "Plastic Solar Cells", Advanced Functional Materials, 2001, 11, No. 1, Seiten 15 bis 26, beschrieben. Metalle mit kleiner Austrittsarbeit sind aber in der Regel kompliziert zu verarbeiten und instabil in Luft.
- Feldeffektelektroden sind aus
DE 26 32 895 A1 undDE 198 22 501 A1 bekannt. - Davon ausgehend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen verbesserten n-Typ Kontakt für, insbesondere organische, optoelektronische Bauelemente anzugeben.
- Diese Aufgabe wird durch die in den unabhängigen Ansprüchen angegebenen Erfindungen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
- Dementsprechend weist ein Bauelement mit einem optoelektronisch aktiven Bereich Mittel zum Erzeugen eines Feldeffektes im optoelektronisch aktiven Bereich auf, um die Entnahme und/oder Zufuhr von Ladungsträgern aus dem und/oder in den optoelektronisch aktiven Bereich zu beeinflussen.
- Für das Bauelement wird also beispielsweise ein Feldeffektkontakt als negative Elektrode verwendet.
- Vorteilhafterweise weist das Bauelement einen Kontaktbereich, insbesondere eine schichtförmig aufgebaute Elektrode, zum Kontaktieren des optisch aktiven Bereichs auf. Über diesen Kontaktbereich zum Kontaktieren des optischen Bereichs können Ladungsträger, also Elektronen oder Löcher, aus dem optisch aktiven Bereich entnommen oder dem optisch aktiven Bereich zugeführt werden.
- Vorzugsweise ist durch die Mittel zum Erzeugen eines Feldeffektes zwischen dem Kontaktbereich zum Kontaktieren des optoelektronisch aktiven Bereichs und dem optoelektronisch aktiven Bereich ein ohmscher Kontakt für die Ladungsträger erzeugbar.
- Der optoelektronisch aktive Bereich kann durch einen Halbleiter gebildet werden, insbesondere einen organischen Halbleiter.
- Der Kontaktbereich zum Kontaktieren des optoelektronisch aktiven Bereichs besteht vorzugsweise aus Metall, insbesondere Aluminium, Silber und/oder Gold.
- Die Mittel zum Erzeugen eines Feldeffektes weisen vorzugsweise eine Elektrode auf, die als Feldeffektelektrode fungiert, insbesondere eine Metallelektrode.
- Darüber hinaus können die Mittel zum Erzeugen eines Feldeffektes auch einen Isolator aufweisen, insbesondere eine Isolatorschicht. Die Isolatorschicht ist vorzugsweise zwischen der Feldeffektelektrode und dem optisch aktiven Bereich angeordnet.
- In den Isolator kann auch noch ein Grating gedruckt sein, das zusammen mit der Feldeffektelektrode eine Lichtfalle bildet.
- Das Bauelement ist insbesondere ein fotovoltaisches, Licht detektierendes (Fotodetektor-) und/oder Licht emittierendes Bauelement.
- Darüber hinaus weisen die Mittel zum Erzeugen eines Feldeffektes zweckmäßiger Weise auch Mittel zum Anlegen einer Spannung zwischen der Feldeffektelektrode und dem optoelektronisch aktiven Bereich auf, um einen Feldeffekt im optoelektronisch aktiven Bereich zu erzeugen.
- Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit einem optoelektronisch aktiven Bereich werden an dem Bauelement Mittel zum Erzeugen eines Feldeffektes angeordnet, um die Entnahme und/oder Zufuhr von Ladungsträgern aus dem und/oder in den optoelektronisch aktiven Bereich zu beeinflussen.
- In einem Verfahren zum Betrieb eines Bauelementes mit einem optoelektronisch aktiven Bereich wird im optoelektronisch aktiven Bereich durch Mittel zum Erzeugen eines Feldeffektes ein Feldeffekt erzeugt.
- Vorteilhafte Ausgestaltungen der Verfahren ergeben sich analog zu den genannten vorteilhaften Ausgestaltungen der Vorrichtung.
- Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnung. Dabei zeigt:
-
1 ein Bauelement. - In
1 erkennt man ein optoelektronisches Bauelement mit einem Substrat1 , das beispielsweise aus Glas ist. Eine semitransparente oder transparente Elektrode2 , beispielsweise aus Indiumzinnoxid (ITO), schließt sich ein optoelektronisch aktiver Bereich3 in Form einer fotoaktiven Halbleiterschicht an, die beispielsweise aus konjugierten Polymeren, organischen Molekülen oder Mischungen daraus besteht, insbesondere aus einer konjugierten Polymer-Fulleren-Mischung. - Es wird nun die Verwendung einer Feldeffektelektrode im bzw. am n-Typ Kontakt (negative Elektrode) vorgeschlagen. Dafür wird ein beliebiges Metall, beispielsweise Gold, als Kontaktbereich
4 zum Kontaktieren des optoelektronisch aktiven Bereichs strukturiert auf den optoelektronisch aktiven Bereich3 abgeschieden. Der Kontaktbereich4 zum Kontaktieren des optoelektronisch aktiven Bereichs fungiert äquivalent zu den Source- bzw. Drain-Kontakten eines Feldeffekttransistors. Er kann beispielsweise aus der Lösung, insbesondere unter Einsatz von Silberleitpasten, gedruckt werden oder auch aus der Gasphase abgeschieden (verdampft). - Auf dem Kontaktbereich
4 zum Kontaktieren des optoelektronisch aktiven Bereiches wird ein Isolator5 angeordnet. Der Isolator5 kann beispielsweise in Form von Polyhydroxystyrol gedruckt oder etwa in Form von SiO2 oder Al2O3 aufgedampft, also thermisch abgeschieden werden. - Auf den Isolator
5 wird dann als eigentliche Feldeffektelektrode6 eine weitere Metallelektrode abgeschieden, die äquivalent zum Gate-Kontakt eines Feldeffekttransistors ist. Die Feldeffektelektrode6 ist beispielsweise aus Gold. - Durch das Anlagen einer Gate-Spannung an der Feldeffektelektrode
6 kann man die Kontakteigenschaften des Source-Drain-Interfaces, also des Kontaktbereiches4 zum Kontaktieren des optoelektronisch aktiven Bereichs, zum Halbleiter, also zum optoelektronisch aktiven Bereich3 , beeinflussen. Durch die Wahl des Vorzeichens der Gate-Spannung kann man eine Verbesserung der Kontakteigenschaften sowohl für Elektronen als auch für Löcher herbeiführen. Dadurch kann dieser Kontakt die bisher verwendeten Metalle mit kleinen Austrittsarbeiten ersetzen. - Weitere wesentliche Vorteile sind, dass diese Kontakte eine sehr einfache Strukturierung des Bauelementes zulassen, die sich positiv für die Lichtauskopplung erweist, etwa wenn das Bauelement eine organische Licht emittierende Diode (OLED) ist, oder für die Lichteinkopplung, etwa wenn das Bauelement ein organisches fotovoltaisches Bauelement (OPV) oder ein organischer Fotodetektor ist. So kann man zum Beispiel in den Isolator
5 ein Grating drucken, das zusammen mit der Gate-Elektrode, also der Feldeffektelektrode6 , eine Lichtfalle bildet. - Vorteilhafterweise lässt sich der gesamte Kontakt bestehend aus der negativen Elektrode, in Form des Kontaktbereichs
4 zum Kontaktieren des optoelektronisch aktiven Bereichs, dem Isolator5 und der Feldeffektelektrode6 drucken. Dadurch wird die Herstellung eines vollständig gedruckten Bauelements in Form einer Solarzelle, Leuchtdiode oder Fotodiode ermöglicht.
Claims (12)
- Bauelement mit einem optoelektronisch aktiven Bereich (
3 ), dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement Mittel (5 ,6 ) zum Erzeugen eines Feldeffekts aufweist, um die Entnahme und/oder Zufuhr von Ladungsträgern aus dem und/oder in den optoelektronisch aktiven Bereich (3 ) zu beeinflussen. - Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement einen Kontaktbereich (
4 ) zum Kontaktieren des optoelektronisch aktiven Bereichs (3 ) aufweist. - Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Mittel (
5 ,6 ) zum Erzeugen eines Feldeffekts zwischen dem Kontaktbereich (4 ) zum Kontaktieren des optoelektronisch aktiven Bereichs und dem optoelektronisch aktiven Bereichs (3 ) ein selektiver Kontakt für die Ladungsträger erzeugbar ist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Kontaktbereich (
4 ) zum Kontaktieren des optoelektronisch aktiven Bereichs Metall enthält, insbesondere Aluminium, Silber und/oder Gold. - Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der optoelektronisch aktive Bereich (
3 ) einen Halbleiter enthält, insbesondere einen organischen Halbleiter. - Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel (
5 ,6 ) zum Erzeugen eines Feldeffekts eine Feldeffektelektrode (6 ) aufweisen. - Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel (
5 ,6 ) zum Erzeugen eines Feldeffektes einen Isolator (5 ) aufweisen. - Bauelement nach den Ansprüche 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolator (
5 ) zwischen der Feldeffektelektrode (6 ) und dem optoelektronisch aktiven Bereich (3 ) angeordnet ist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass in den Isolator (
5 ) ein Grating gedruckt ist. - Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement ein fotovoltaisches und/oder Licht emittierendes Bauelement ist.
- Verfahren zum Herstellen eines Bauelements mit einem optoelektronisch aktiven Bereich (
3 ), bei dem an dem Bauelement Mittel (5 ,6 ) zum Erzeugen eines Feldeffektes angeordnet werden, um die Entnahme und/oder Zufuhr von Ladungsträgern aus dem und/oder in den optoelektronisch aktiven Bereich (3 ) beeinflussbar zu machen. - Verfahren zum Betrieb eines Bauelementes mit einem optoelektronisch aktiven Bereich (
3 ), bei dem im optoelektronisch aktiven Bereich (3 ) ein Feldeffekt erzeugt wird.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10314161A DE10314161A1 (de) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | Feldeffektelektroden für organische optoelektronische Bauelemente |
PCT/EP2004/001620 WO2004086528A2 (de) | 2003-03-28 | 2004-02-19 | Feldeffektelektroden für organische optoelektronische bauelemente |
EP04712540A EP1609193A2 (de) | 2003-03-28 | 2004-02-19 | Feldeffektelektroden für organische optoelektronische bauelemente |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10314161A DE10314161A1 (de) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | Feldeffektelektroden für organische optoelektronische Bauelemente |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10314161A1 true DE10314161A1 (de) | 2004-10-28 |
Family
ID=33038796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10314161A Withdrawn DE10314161A1 (de) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | Feldeffektelektroden für organische optoelektronische Bauelemente |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1609193A2 (de) |
DE (1) | DE10314161A1 (de) |
WO (1) | WO2004086528A2 (de) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19808936A1 (de) * | 1998-03-03 | 1999-09-16 | Aventis Res & Tech Gmbh & Co | Photodetektor und seine Verwendung |
GB9903251D0 (en) * | 1999-02-12 | 1999-04-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Opto-electric devices |
JP2003509814A (ja) * | 1999-09-09 | 2003-03-11 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 構成エレメントおよびその製造方法 |
BR0016643A (pt) * | 1999-12-21 | 2003-01-07 | Plastic Logic Ltd | Método para formar sobre um substrativo um dispositivo eletrônico, e, circuito lógico e dispositivo de exibição ou de memória. |
JP2002343578A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Nec Corp | 発光体、発光素子、および発光表示装置 |
DE60223298T2 (de) * | 2001-09-11 | 2008-08-14 | DuPont Teijin Films U.S., Ltd. Partnership, Wilmington | Wärmestabilisierte Polyethylennaphthalat-Folie für flexible elektronische und optoelektronische Vorrichtungen |
-
2003
- 2003-03-28 DE DE10314161A patent/DE10314161A1/de not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-02-19 EP EP04712540A patent/EP1609193A2/de not_active Withdrawn
- 2004-02-19 WO PCT/EP2004/001620 patent/WO2004086528A2/de active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004086528A2 (de) | 2004-10-07 |
WO2004086528A3 (de) | 2005-12-08 |
EP1609193A2 (de) | 2005-12-28 |
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Legal Events
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8130 | Withdrawal |