KR100807957B1 - 빔 조사량 연산 방법, 묘화 방법, 기록 매체 및 묘화 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (18)
- 목적물의 표면 영역으로부터 분할 구분된 행렬형의 복수의 영역이며 각각 사이즈가 다른 제1, 제2 및 제3 복수의 영역을 포함하고, 또한 상기 제3 복수의 영역은 사이즈에 있어서 상기 제1 및 제2 복수의 영역보다 작은 복수의 영역을 특정하고,상기 제1 복수의 영역에 있어서의 흐림 효과를 보정하기 위한 하전 입자 빔의 제1 보정 조사량을 결정하고,상기 제2 복수의 영역에 있어서의 로딩 효과에 기인하여 생기는 패턴 선폭의 어긋남을 보정하는 보정 사이즈 값을 결정하고,상기 제2 복수의 영역에 관한 상기 보정 사이즈 값을 이용하여, 상기 제2 복수의 영역의 각각에 있어서의 상기 빔의 기준 조사량의 맵을 작성하고,상기 보정 사이즈 값을 이용하여, 상기 제2 복수의 영역의 각 영역에 있어서의 근접 효과 보정 계수 맵을 작성하고,상기 기준 조사량 맵 및 상기 근접 효과 보정 계수 맵을 이용하여, 상기 제3 복수의 영역에 있어서의 근접 효과를 보정하는 상기 빔의 제2 보정 조사량을 결정하고,상기 제1 및 제2 보정 조사량을 이용하여 상기 목적물의 상기 표면 상에서의 각 위치에 있어서의 실제의 빔 조사량을 결정하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 보정 조사량을 결정하는 공정은,상기 제1 복수의 영역의 각 영역에 있어서의 패턴의 면적 밀도에 의존한 제1종의 상대치를 정하고,상기 제1 복수의 영역의 각 영역에 있어서의 상기 목적물의 상기 표면 상의 위치에 의존한 제2종의 상대치를 정하고,이들의 제1 및 제2종의 상대치의 곱을 구하고, 이것을 상기 흐림 효과 보정을 위한 상기 제1 조사량으로 하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 보정 사이즈 값을 결정하는 공정은,상기 제2 복수의 영역의 각 영역에 있어서의 패턴의 면적 밀도에 의존한 제3종의 값을 정하고,상기 제2 복수의 영역의 각 영역의 면내 위치에 의존한 제4종의 값을 정하고,이들의 제3 및 제4종의 값의 합을 구하고, 이것을 상기 로딩 효과 보정을 위한 상기 보정 사이즈 값으로 하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 목적물의 상기 표면 영역은, 반도체 디바이스의 제조에 이용되는 마스크의 묘화 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 보정 사이즈 값을 결정하는 공정은, 또한 상기 마스크를 이용하여 제조되는 웨이퍼 상에 생긴다고 예측되는 치수 오차로서 제5종의 값을 정하고,제3과 제4종의 값의 합에 상기 제5종의 값을 가산하고, 이것을 상기 로딩 효과 보정을 위한 상기 보정 사이즈 값으로 하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 복수의 영역의 각 영역의 사이즈는 흐림 효과 산란 반경의 1/10 이하로 하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 복수의 영역의 각 영역의 사이즈는 1 ㎜ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 복수의 영역의 각 영역의 사이즈는 로딩 효과 산란 반경의 1/10 이하로 하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제2 복수의 영역의 각 영역의 사이즈는 1 ㎜ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3 복수의 영역의 각 영역의 사이즈는 1 ㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기준 조사량의 맵은, 상기 보정 사이즈 값과 기준 조사량의 상관 정보를 이용하여 작성하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 근접 효과 보정 계수의 맵은, 상기 보정 사이즈 값과 근접 효과 보정 계수의 상관 정보를 이용하여 작성하는 것을 특징으로 하는 빔 조사량 연산 방법.
- 목적물의 표면 영역으로부터 분할 구분된 행렬형의 복수의 영역이며 각각 사이즈가 다른 제1, 제2 및 제3 복수의 영역을 포함하고, 또한 상기 제3 복수의 영역은 사이즈에 있어서 상기 제1 및 제2 복수의 영역보다 작은 복수의 영역을 특정하고,상기 제1 복수의 영역에 있어서의 흐림 효과를 보정하기 위한 하전 입자 빔의 제1 보정 조사량을 결정하고,상기 제2 복수의 영역에 있어서의 로딩 효과에 기인하여 생기는 패턴 선폭의 어긋남을 보정하는 보정 사이즈 값을 결정하고,상기 제2 복수의 영역에 관한 상기 보정 사이즈 값을 이용하여, 상기 제2 복수의 영역의 각각에 있어서의 상기 빔의 기준 조사량의 맵을 작성하고,상기 보정 사이즈 값을 이용하여, 상기 제2 복수의 영역의 각 영역에 있어서의 근접 효과 보정 계수 맵을 작성하고,상기 기준 조사량 맵 및 상기 근접 효과 보정 계수 맵을 이용하여, 상기 제3 복수의 영역에 있어서의 근접 효과를 보정하는 상기 빔의 제2 보정 조사량을 결정하고,상기 제1 및 제2 보정 조사량을 이용하여 상기 목적물의 상기 표면 상에서의 각 위치에 있어서의 실제의 빔 조사량을 결정하고,상기 실제의 빔 조사량에 따라서 상기 하전 입자 빔을 제어함으로써 상기 목적물 상에 패턴을 묘화하는 것을 특징으로 하는 묘화 방법.
- 목적물의 표면 영역으로부터 분할 구분된 행렬형의 복수의 영역이며 각각 사이즈가 다른 제1, 제2 및 제3 복수의 영역을 포함하고, 또한 상기 제3 복수의 영역은 사이즈에 있어서 상기 제1 및 제2 복수의 영역보다 작은 복수의 영역을 특정하고,상기 제1 복수의 영역에 있어서의 흐림 효과를 보정하기 위한 하전 입자 빔의 제1 보정 조사량을 결정하고,상기 제2 복수의 영역에 있어서의 로딩 효과에 기인하여 생기는 패턴 선폭의 어긋남을 보정하는 보정 사이즈 값을 결정하고,상기 제2 복수의 영역에 관한 상기 보정 사이즈 값을 이용하여, 상기 제2 복수의 영역의 각각에 있어서의 상기 빔의 기준 조사량의 맵을 작성하고,상기 보정 사이즈 값을 이용하여, 상기 제2 복수의 영역의 각 영역에 있어서의 근접 효과 보정 계수 맵을 작성하고,상기 기준 조사량 맵 및 상기 근접 효과 보정 계수 맵을 이용하여, 상기 제3 복수의 영역에 있어서의 근접 효과를 보정하는 상기 빔의 제2 보정 조사량을 결정하고,상기 제1 및 제2 보정 조사량을 이용하여 상기 목적물의 상기 표면 상에서의 각 위치에 있어서의 실제의 빔 조사량을 결정하는 복수의 공정을 구비한 연산 처리순서를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능한 기록 매체.
- 목적물을 그 위에 적재하는 테이블형의 지지체와,하전 입자 빔을 생성하는 방사원과,1 이상의 편향기 및 1 이상의 조리개를 포함하여 이루어지고, 상기 빔을 상기 목적물로 유도함으로써 그 위에서의 패턴의 묘화를 허용하는 패턴 묘화부와,상기 패턴 묘화부에 접속되어 상기 묘화부를 구동 제어하는 제어부를 구비하고,상기 제어부는,목적물의 표면 영역으로부터 분할 구분된 행렬형의 복수의 영역이며 각각 사이즈가 다른 제1, 제2 및 제3 복수의 영역을 포함하고, 또한 상기 제3 복수의 영역은 사이즈에 있어서 상기 제1 및 제2 복수의 영역보다 작은 복수의 영역을 특정하고, 상기 제1 복수의 영역에 있어서의 흐림 효과를 보정하기 위한 하전 입자 빔의 제1 보정 조사량을 결정하는 제1 계산 수단과,상기 제2 복수의 영역에 있어서의 로딩 효과에 기인하여 생기는 패턴 선폭의 어긋남을 보정하는 보정 사이즈 값을 결정하고, 상기 제2 복수의 영역에 관한 상기 보정 사이즈 값을 이용하여 상기 제2 복수의 영역의 각각에 있어서의 상기 빔의 기준 조사량의 맵 및 근접 효과 보정 계수 맵을 작성하고, 이들의 맵을 이용하여 상기 제3 복수의 영역에 있어서의 근접 효과를 보정하는 상기 빔의 제2 보정 조사량을 결정하는 제2 계산 수단과,상기 제1 및 제2 보정 조사량을 이용하여 상기 목적물의 상기 표면 상에서의 각 위치에 있어서의 실제의 빔 조사 시간을 결정하는 제3 계산 수단을 포함하여 이루어지고, 이에 의해 상기 빔의 조사 시간에 맞추어 상기 빔을 편향하도록 상기 편향기를 제어하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 하전 입자 빔은 전자선의 빔을 포함하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 목적물은 반도체 집적 회로 디바이스의 제조에 이용되는 포토마스크, 레티클 및 웨이퍼 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 목적물은 광과 X선과 전자빔과 이온빔과 EUV 중 어느 하나를 광원으로 하여 이용하는 노광에 사용되는 포토마스크를 포함하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
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