JP5020745B2 - 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5020745B2 JP5020745B2 JP2007222645A JP2007222645A JP5020745B2 JP 5020745 B2 JP5020745 B2 JP 5020745B2 JP 2007222645 A JP2007222645 A JP 2007222645A JP 2007222645 A JP2007222645 A JP 2007222645A JP 5020745 B2 JP5020745 B2 JP 5020745B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- column
- frame
- columns
- data
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。まず、第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口421の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動している。このように、開口411と可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、試料340の描画領域に描画される。開口411と可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
安田洋、原口岳士 他,"マルチコラムセルMCC−PoC(proof of concept)system評価",第3回荷電粒子光学シンポジウム,pp125−128,平成15年9月18−19日 T.Haraguchi,T.Sakazaki,S.Hamaguchi and H.Yasuda,"Development of electromagnetic lenses for multielectron beam lithography system",2726,J.Vac.Sci.Technol.B20(6),Nov/Dec 2002 T.Haraguchi,T.Sakazaki,T.Satoh,M.Nakano,S.Hamaguchi,T.Kiuchi,H.Yabara and H.Yasuda,"Multicolumn cell:Evaluation of the proof of concept system",985,J.Vac.Sci.Technol.B22(3),May/Jun 2004
荷電粒子ビームを照射する複数のカラムを搭載した描画装置を用いて試料にパターンを描画するための描画データの作成方法であって、
複数のカラムの光学中心間の距離情報を入力する入力工程と、
レイアウトデータを入力し、距離情報が示す距離の整数分の1の幅でレイアウトデータが示す描画領域を複数の小領域に仮想分割する分割工程と、
小領域毎に領域分割されたレイアウトデータを描画装置適応のフォーマットに変換して小領域毎に領域分割された描画データを作成する作成工程と、
描画データを出力する出力工程と、
を備えたことを特徴とする。
荷電粒子ビームを照射する複数のカラムと、
複数のカラムの光学中心間の距離の整数分の1の幅で描画領域が複数の小領域に仮想分割された描画データを記憶する記憶部と、
荷電粒子ビームが照射される試料を載置するステージと、
を備えたことを特徴とする。
第1のチップの第k番目のフレームデータを一時的に記憶する記憶部と、
記憶部から第k番目のフレームデータを読み込み、第1の荷電粒子ビームの偏向位置を制御する第1の偏向制御部と、
第1の偏向制御部で読み込まれた第k番目のフレームデータに基づいて第1のチップの第k番目のフレーム位置に第1の荷電粒子ビームを照射する第1のカラムと、
第1の偏向制御部による記憶部からの第k番目のフレームデータの読み込み終了後、第k番目のフレームデータが他のデータで書き換えられる前に記憶部から第k番目のフレームデータを読み込み、第2の荷電粒子ビームの偏向位置を制御する第2の偏向制御部と、
第2の偏向制御部で読み込まれた第k番目のフレームデータに基づいて第2のチップの第k番目のフレーム位置に第2の荷電粒子ビームを照射する第2のカラムと、
を備えたことを特徴とする。
試料を載置して、所定の方向に移動するステージと、
所定の方向に沿って順に配置され、それぞれ荷電粒子ビームを用いて試料の描画領域に所望するパターンの1/nずつを描画するn個のカラムと、
を備えたことを特徴とする。
試料を載置して、所定の方向に移動するステージと、
前記所定の方向に沿って順に配置された荷電粒子ビーム描画処理を行なうn個のカラムと、
を備えた荷電粒子ビーム描画装置であって、同じフレーム上にショット数が少ない領域とショット数が多くなる領域とが交互に繰り返されるパターンを描画する際に、少なくとも二つのカラムが、共にショット数が多くなる領域を他の領域よりも優先して描画処理する機能を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。
図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置100は、試料101に所望するパターンを描画する。制御部160は、磁気ディスク装置109、描画データ処理回路110、偏向制御回路120,122、及びバッファメモリ130,132を備えている。描画データ処理回路110は、複数の計算機112a〜112kを有している。電子鏡筒102内には、電子銃201,301、照明レンズ202、第1のアパーチャ203,303、投影レンズ204、偏向器205,305、第2のアパーチャ206,306、対物レンズ207、偏向器208,308、及び遮へい筒212,312が配置されている。ここで、電子銃201、第1のアパーチャ203、偏向器205、第2のアパーチャ206、遮へい筒212、及び偏向器208で第1のカラム220(#1)を構成する。また、電子銃301、第1のアパーチャ303、成形偏向器305、第2のアパーチャ306、遮へい筒312及び偏向器308で第2のカラム320(#2)を構成する。電子鏡筒102は、照明レンズ202、投影レンズ204、対物レンズ207といったレンズ系をカラム間で共通にして、複数のカラムを搭載している。ここでは、独立した電子ビームの光路を制御するサブシステムをカラムと呼ぶ。また、描画室103内には、移動可能に配置されたXYステージ105が配置されている。また、XYステージ105上には、試料101が配置されている。試料101として、例えば、半導体装置が形成されるウェハやウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。また、磁気ディスク装置109には、描画データが格納されている。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
まず、カラム220側での動作について説明する。照射部の一例となる電子銃201から出た電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の開口218を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像の位置は、偏向器205によって偏向制御され、成形開口216によってビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム200は成形される。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器208により偏向される。その結果、連続移動するXYステージ105上の試料101の所望する位置に照射される。
図3において、描画データ作成装置600は、磁気ディスク装置602,604,606、制御計算部610、入力部612、出力部618、及びメモリ620を備えている。制御計算部610内では、仮想分割部614、データ変換部616といった各機能を有している。制御計算部610に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ620に記憶される。図3では、本実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画データ作成装置600にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
図4は、実施の形態1における2つのカラムの光学中心間の距離を説明するための概念図である。
図4では、カラム220の光学中心221とカラム320の光学中心321との距離がPである場合を示している。よって、磁気ディスク装置606には、カラム220,320の光学中心間の距離情報として、値Pが格納されている。
例えば、2つのカラム220,320の光学中心間の距離Pが10.3mmであった場合に従来と実施の形態1とでのフレーム分割の仕方を示している。まず、従来の手法では距離Pに関わらず、例えば、幅1mmでレイアウトデータが示す描画領域11を複数のフレーム13に仮想分割していた。そしてその幅で描画データを作成していた。その結果、図5(b)に示すように位置ずれを起こすことになる。図5(b)には、第1のカラムで描画可能な領域30と第2のカラムで描画可能な領域32とが示されている。図5(b)に示すように、第1のカラムが第n番目のフレーム13に描画処理を行なう場合、第2のカラムで描画可能な領域32は、分割されたフレーム13と位置関係が合わない。そのため、第2のカラムで描画処理を行なうことができない。或いは、無理に描画を強行すると偏向可能な領域32からはみ出す領域が存在することになる。そのために各フレームで領域32の範囲外の位置まで偏向させた状態で描画する場合が多発することになる。そのために描画精度が劣化してしまうことになる。これに対し、実施の形態1では、距離Pを整数nで割った値をフレーム幅としている。ここで、整数nは、計算された商の値が描画可能幅の1mm+αを超えない値に設定することが望ましい。図5(a)では、値「11」を用いている。これにより、偏向器208,308で偏向可能な幅に納めることができる。ここでは、10.3mmを11で割った幅0.9363mmでレイアウトデータが示す描画領域10を複数のフレーム12に仮想分割する。図5(a)には、第1のカラム220で描画可能な領域20と第2のカラム320で描画可能な領域22とが示されている。図5(a)に示すように、第1のカラム220が第n番目のフレーム12に描画処理を行なう場合、第2のカラム320で描画可能な領域22は、第n+11番目のフレーム12と位置を合わせることができる。そのため、第2のカラム320でも描画処理を行なうことができる。
図6(a)では、従来の手法でウェハ19上に同じチップ17a〜17fを3×2列で6つ並ぶように描画する場合を示している。例えば、3つのチップ17a〜17cの同じ段のフレーム13を1つのフレームとして描画していくものとする。そして、第1のカラムである段のフレーム13を描画し、第2のカラムで同じチップ17a〜17cの異なる段のフレーム13を描画しようとすると以下のように不具合が生じる。すなわち、第1のカラムで描画可能な領域30をあるフレームの位置に合わせると、第2のカラムで描画可能な領域32が他の段のフレームと位置が合わなくなってしまう。これに対し、実施の形態1では、図6(b)に示すように位置を合わせることができる。図6(b)では、実施の形態1の手法でウェハ18上に同じチップ16a〜16fを3×2列で6つ並ぶように描画する場合を示している。例えば、3つのチップ16a〜16cの同じ段のフレーム12を1つのフレームとして描画していくものとする。実施の形態1では、第1のカラム220である段のフレーム12を描画し、同時に第2のカラム320で同じチップ16a〜16cの別の段のフレーム12を描画することができる。すなわち、第1のカラム220で描画可能な領域20をあるフレーム12の位置に合わせた場合、第2のカラム320で描画可能な領域22を他の段のフレーム12の位置に合わることができる。そのため、1つのチップの2つのフレームを同時に描画することができる。
図7(a)では、従来の手法でウェハ19上に同じチップ17a〜17fを3×2列で6つ並ぶように描画する場合を示している。例えば、3つのチップ17a〜17cの同じ段のフレーム13を1つのフレームとして描画していくものとする。同様に、3つのチップ17d〜17fの同じ段のフレーム13を1つのフレームとして描画していくものとする。そして、第1のカラムである段のフレーム13を描画し、第2のカラムで上段のチップ17d〜17fのある段のフレーム13を描画しようとすると以下のように不具合が生じる。すなわち、第1のカラムで描画可能な領域30をチップ17a〜17cのあるフレームの位置に合わせると、第2のカラムで描画可能な領域32がチップ17d〜17fのいずれの段のフレームとも位置が合わなくなってしまう。これに対し、実施の形態1では、図7(b)に示すように位置を合わせることができる。図7(b)では、実施の形態1の手法でウェハ18上に同じチップ16a〜16fを3×2列で6つ並ぶように描画する場合を示している。例えば、3つのチップ16a〜16cの同じ段のフレーム12を1つのフレームとして描画していくものとする。同様に、3つのチップ16d〜16fの同じ段のフレーム13を1つのフレームとして描画していくものとする。実施の形態1では、第1のカラム220でチップ16a〜16cのある段のフレーム12を描画し、同時に第2のカラム320でチップ16d〜16fのある段のフレーム12を描画することができる。すなわち、第1のカラム220で描画可能な領域20をチップ16a〜16cのあるフレーム12の位置に合わせた場合、第2のカラム320で描画可能な領域22をチップ16d〜16fのある段のフレーム12の位置に合わることができる。そのため、上下2段に並べた2つのチップのフレーム1つずつを同時に描画することができる。
図8は、実施の形態1におけるマルチカラムで多重描画する場合の適用例を従来と比較しながら説明するための概念図である。
図8(a)では、描画領域11を1回目の描画用の複数のフレーム13と2回目の描画用の位置をずらした複数のフレーム43とを示している。複数のフレーム13は実線で示され、複数のフレーム43は点線で示されている。第1のカラムで描画可能な領域30をあるフレーム13の位置に合わせると、第2のカラムで描画可能な領域32が第1回目の描画用のフレーム13及び第2回目の描画用のフレーム43のいずれの段のフレームとも位置が合わなくなってしまう。これに対し、実施の形態1では、図8(b)に示すように位置を合わせることができる。図8(b)では、描画領域10を1回目の描画用の複数のフレーム12と2回目の描画用の位置をずらした複数のフレーム42とを示している。複数のフレーム12は実線で示され、複数のフレーム42は点線で示されている。ここで、上述した例では、2つのカラム220,320の光学中心間の距離Pを整数nで割った値をフレーム幅とする場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、図8(b)に示すように第1回目の描画用のあるフレーム12と第2回目の描画用のあるフレーム42との中心間距離が2つのカラム220,320の光学中心間の距離Pとなるようにフレーム幅を設定しても好適である。このように設定することで、第1のカラム220で描画可能な領域20を第1回目の描画用のあるフレーム12の位置に合わせた場合、第2のカラム320で描画可能な領域22を第2回目の描画用のある段のフレーム42の位置に合わることができる。そのため、多重描画用の各フレーム1つずつを同時に描画することができる。
図9は、実施の形態1におけるマルチカラムで描画データを再利用する場合の適用例を説明するための概念図である。
図9(a)では、ウェハ18上に同じチップ16a〜16fを3×2列で6つ並ぶように描画する場合を示している。例えば、3つのチップ16a〜16cの同じ段のフレーム12を1つのフレームとして描画していくものとする。同様に、3つのチップ16d〜16fの同じ段のフレーム12を1つのフレームとして描画していくものとする。そして、第1のカラム220で描画可能な領域20を下段に並ぶ3つのチップ16a〜16cの第k−1番目のフレーム12の位置に合わせた場合に、第2のカラム320で描画可能な領域22が上段に並ぶ3つのチップ16d〜16fの第k番目のフレーム12の位置に合うようにフレーム分割させる。そして、第1のカラム220で下段に並ぶ3つのチップ16a〜16cの第k−1番目のフレーム12を描画し、同時に第2のカラムで上段に並ぶ3つのチップ16d〜16fの第k番目のフレーム12を描画する。このように描画する場合、描画装置100の動作は次のようになる。例えば、バッファメモリ130には、第k−1番目のフレームデータが一時的に格納され、バッファメモリ132には、第k番目のフレームデータが一時的に格納される。そして、偏向制御回路120は、バッファメモリ130から第k−1番目のフレームデータを読み込み、電子ビーム200の偏向位置を制御する。そして、カラム220は、偏向制御回路120で読み込まれた第k−1番目のフレームデータに基づいて例えばチップ16a(第1のチップ)の第k−1番目のフレーム位置に電子ビーム200を照射する。他方、偏向制御回路122は、バッファメモリ132から第k番目のフレームデータを読み込み、電子ビーム300の偏向位置を制御する。そして、カラム320は、偏向制御回路122で読み込まれた第k番目のフレームデータに基づいて例えばチップ16d(第2のチップ)の第k番目のフレーム位置に電子ビーム300を照射する。
図10では、あるフレーム12について、パターン密度が疎な領域Aとパターン密度が密な領域Bとが同じ長さLで交互に繰り返すパターンが示されている。そして、このフレーム12を進行方向の前後に配置された2つのカラム220,320で同時期に描画する。試料101を載置したXYステージ105が所定の方向(矢印の逆方向)に移動すると、相対的に2つのカラム220,320が矢印の方向に進むことになる。2つのカラム220,320は、上述した所定の方向に沿って順に配置される。そして、カラム220,320は、それぞれ電子ビーム200,300を用いて試料101の描画領域のフレーム12に所望するパターンを描画する。領域A,Bとカラム220,320との位置関係は、次の場合が存在する。すなわち、図10(a)に示すように描画方向後方のカラム220が領域Aに位置し、描画方向前方のカラム320が隣の領域Bに位置する場合がある。また、図10(b)に示すように描画方向後方のカラム220が領域Aに位置し、描画方向前方のカラム320もさらに隣の領域Aに位置する場合がある。また、図10(c)に示すように描画方向後方のカラム220が領域Bに位置し、描画方向前方のカラム320も異なる領域Bに位置する場合がある。また、図10(d)に示すように描画方向後方のカラム220が領域Aに位置し、描画方向前方のカラム320も異なる領域Aに位置する場合がある。また、図10(e)に示すように描画方向後方のカラム220が領域Bに位置し、描画方向前方のカラム320が隣の領域Aに位置する場合がある。これらの位置関係をもつ場合の描画時間を以下に説明する。ここで、パターン密度が疎な領域Aをシングルビームで描画する場合のステージ速度をV1、パターン密度が密な領域Bをシングルビームで描画する場合のステージ速度をV2とする。
式(1):
t1/t2=(3L/2V2+2L/2V1)/(L/V2+4L/2V1)
=(3/2V2+2/2V1)/(1/V2+4/2V1)
=(3V1+2V2)/(2V1+4V2)
式(2):
(3V1+2V2)/(2V1+4V2)
=(3k+2)/(2k+4)
=3/2−4/(2k+4)
=3/2−2/(k+2)
式(3):
t1/t2=(3T2/2+2T1/2)/(T2+4T1/2)
=(3T2+2T1)/(2T2+4T1)
式(4):
(3T2+2T1)/(2T2+4T1)
=3/2−2/(k+2)
図11は、実施の形態2における描画装置の構成を示す概念図である。
図11において、電子鏡筒102内では、図1の構成の他に、さらに、遮へい筒412,512、電子銃401,501、第1のアパーチャ403,503、偏向器405,505、第2のアパーチャ406,506、及び偏向器408,508が配置されている。ここで、電子銃401、第1のアパーチャ403、偏向器405、第2のアパーチャ406、遮へい筒412、及び偏向器408で第3のカラム222を構成する。また、電子銃501、第1のアパーチャ503、成形偏向器505、第2のアパーチャ506、遮へい筒512及び偏向器508で第4のカラム322を構成する。電子鏡筒102は、照明レンズ202、投影レンズ204、対物レンズ207といったレンズ系をカラム間で共通にして、複数のカラム220,320,222,322を搭載している。ここでも、独立した電子ビームの光路を制御するサブシステムをカラムと呼ぶ。その他の点は、図1と同様である。装置構成は、図1で示した2つのカラムをさらに2つ追加した場合と同様である。そして、例えば、第1と第2のカラムで1つのストライプ領域を前後の位置で同時期に描画する。そして、第3と第4のカラムで別の1つのストライプ領域を前後の位置で同時期に描画する。また、制御部160では、図1の構成の他に、さらに、偏向制御回路124,126、及びバッファメモリ134,136を備えている。ここで、図11では、実施の形態2を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。また、描画データ作成装置600の構成は、図3と同様である。
図12は、実施の形態2における4つのカラムの光学中心間の距離を説明するための概念図である。
図12では、カラム220の光学中心221とカラム320の光学中心321との距離がP、カラム320の光学中心321とカラム322の光学中心323との距離がP、カラム322の光学中心323とカラム222の光学中心223との距離がP、カラム222の光学中心223とカラム220の光学中心221との距離がPである場合を示している。すなわち、4つのカラム220,320,222,322が距離Pで2行×2列に並んでいる場合を示している。よって、磁気ディスク装置606には、カラム220,320,222,322の光学中心間の距離情報として、値Pが格納されている。
例えば、4つのカラム220,320,222,322の光学中心間の縦横の距離Pが10.3mmであった場合に従来と実施の形態2とでのフレーム分割の仕方を示している。まず、従来の手法では距離Pに関わらず、例えば、幅1mm角でレイアウトデータが示す描画領域11を複数のフレーム15に仮想分割していた。そしてその幅で描画データを作成していた。その結果、図13(b)に示すように位置ずれを起こすことになる。図13(b)には、第1のカラムで描画可能な領域30と第2のカラムで描画可能な領域32と第3のカラムで描画可能な領域34と第4のカラムで描画可能な領域36とが示されている。図13(b)に示すように、第1のカラムが(n,l)座標のフレーム15に描画処理を行なう場合、第2のカラムで描画可能な領域32は、分割されたフレーム15と位置関係が合わない。同様に、第3のカラムで描画可能な領域34は、分割されたフレーム15と位置関係が合わない。同様に、第4のカラムで描画可能な領域36は、分割されたフレーム15と位置関係が合わない。そのため、第2と第3と第4のカラムで描画処理を行なうことができない。或いは、無理に描画を強行するとそれぞれの偏向可能な領域からはみ出す領域が存在することになる。これに対し、実施の形態2では、距離Pを整数nで割った値を縦横のフレーム幅としている。ここで、整数nは、計算された商の値が描画可能幅の1mm+αを超えない値に設定することが望ましい。図13(a)では、値「11」を用いている。これにより、偏向器208,308,408,508で偏向可能な幅に納めることができる。ここでは、10.3mmを11で割った幅0.9363mmでレイアウトデータが示す描画領域10をメッシュ状の複数のフレーム14に仮想分割する。図13(a)には、第1のカラム220で描画可能な領域20と第2のカラム320で描画可能な領域22と第3のカラム222で描画可能な領域24と第4のカラム322で描画可能な領域26とが示されている。図13(a)に示すように、第1のカラム220が(n,l)座標のフレーム14に描画処理を行なう場合、第2のカラム320で描画可能な領域22は、(n,l+11)座標のフレーム14と位置を合わせることができる。そして、第3のカラム222で描画可能な領域24は、(n+11,l)座標のフレーム14と位置を合わせることができる。そして、第4のカラム322で描画可能な領域22は、(n+11,l+11)座標のフレーム14と位置を合わせることができる。そのため、第2と第3と第4のカラムでも描画処理を行なうことができる。
図14は、レンズ系を独立にしたマルチカラムを搭載した描画装置の構成を示す概念図である。
ここでは、一例として、図1に対応する2つのマルチカラム220,320の場合について示している。また、制御系については、図示していないが図1と同様である。電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、偏向器208、及び絶縁カラム214で第1のカラム220を構成する。また、電子銃301、照明レンズ302、第1のアパーチャ303、投影レンズ304、偏向器305、第2のアパーチャ306、対物レンズ307、偏向器308、及び絶縁カラム314で第2のカラム320を構成する。上述した実施の形態2,3では、照明レンズ202、投影レンズ204、対物レンズ207といったレンズ系をカラム間で共通にしていたが、図13に示すように、電子鏡筒102では、レンズ系をカラム毎に独立にして、複数のカラムを搭載しても好適である。そして、絶縁カラム214内に、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208を納めている。同様に、絶縁カラム314内に、電子銃301、照明レンズ302、第1のアパーチャ303、投影レンズ304、偏向器305、第2のアパーチャ306、対物レンズ307、及び偏向器308を納めている。このように、それぞれ絶縁カラム内に独立した電子ビームの光路を制御するサブシステムを納めて他方と絶縁することで相手側の電場や磁場の影響を排除することができる。2×2の4つのカラムを搭載する場合にも同様にレンズ系をカラム毎に独立にして、複数のカラムを搭載しても好適である点はいうまでもない。
12,13,14,15,42,43 フレーム
16,17 チップ
18,19 ウェハ
20,22,24,26,30,32,34,36 領域
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
109 磁気ディスク装置
110 描画データ処理回路
112 計算機
120,122,124,126 偏向制御回路
130,132,134,136 バッファメモリ
150 描画部
160 制御部
200,300,400,500 電子ビーム
201,301,401,501 電子銃
202,302 照明レンズ
203,303,403,503,410 第1のアパーチャ
204,304 投影レンズ
205,305,405,505,208,308,408,508 偏向器
206,306,406,506,420 第2のアパーチャ
207,307 対物レンズ
212,312,412,512 遮へい筒
214,314絶縁カラム
216,316 成形開口
220,222,320,322 カラム
221,223,321,323 光学中心
318,411 開口
330 電子線
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
600 描画データ作成装置
602,604,606 磁気ディスク装置
610 制御計算部
612 入力部
614 仮想分割部
616 データ変換部
618 出力部
620 メモリ
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを照射する複数のカラムを搭載した描画装置を用いて試料にパターンを描画するための描画データの作成方法であって、
前記複数のカラムの光学中心間の距離情報を入力する入力工程と、
レイアウトデータを入力し、前記距離情報が示す距離の整数分の1の幅で前記レイアウトデータが示す描画領域を複数の小領域に仮想分割する分割工程と、
前記小領域毎に領域分割された前記レイアウトデータを描画装置適応のフォーマットに変換して前記小領域毎に領域分割された描画データを作成する作成工程と、
前記描画データを出力する出力工程と、
を備えたことを特徴とする描画データの作成方法。 - 第1のチップの第k番目のフレームデータを一時的に記憶する記憶部と、
前記記憶部から前記第k番目のフレームデータを読み込み、第1の荷電粒子ビームの偏向位置を制御する第1の偏向制御部と、
前記第1の偏向制御部で読み込まれた前記第k番目のフレームデータに基づいて前記第1のチップの第k番目のフレーム位置に前記第1の荷電粒子ビームを照射する第1のカラムと、
前記第1の偏向制御部による前記記憶部からの前記第k番目のフレームデータの読み込み終了後、前記第k番目のフレームデータが他のデータで書き換えられる前に前記記憶部から前記第k番目のフレームデータを読み込み、第2の荷電粒子ビームの偏向位置を制御する第2の偏向制御部と、
前記第2の偏向制御部で読み込まれた前記第k番目のフレームデータに基づいて第2のチップの第k番目のフレーム位置に前記第2の荷電粒子ビームを照射する第2のカラムと、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 試料を載置して、所定の方向に移動するステージと、
前記所定の方向に沿って順に配置された荷電粒子ビーム描画処理を行なうn個のカラムと、
を備えた荷電粒子ビーム描画装置であって、同じフレーム上にショット数が少ない領域とショット数が多くなる領域とが交互に繰り返されるパターンを描画する際に、少なくとも二つのカラムが、共にショット数が多くなる領域を他の領域よりも優先して描画処理する機能を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - ショット数が多い領域とショット数が少ない領域とに前記n個のカラムの描画位置が分かれた際に、前記n個のカラムのうち、ショット数が少ない領域に位置するカラムのみ描画処理を行なうことを特徴とする請求項3記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記n個のカラムは、それぞれ荷電粒子ビームを用いて前記試料の描画領域に所望するパターンの1/nずつを描画することを特徴とする請求項3記載の荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007222645A JP5020745B2 (ja) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US12/199,158 US7863586B2 (en) | 2007-08-29 | 2008-08-27 | Writing data creation method and charged particle beam writing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007222645A JP5020745B2 (ja) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009054944A JP2009054944A (ja) | 2009-03-12 |
JP5020745B2 true JP5020745B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=40405918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007222645A Expired - Fee Related JP5020745B2 (ja) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7863586B2 (ja) |
JP (1) | JP5020745B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4476975B2 (ja) | 2005-10-25 | 2010-06-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5087318B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-12-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5020745B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2012-09-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5484808B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2014-05-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画方法 |
JP5203995B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2013-06-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5498106B2 (ja) | 2009-09-15 | 2014-05-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5498105B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-05-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5764364B2 (ja) | 2011-03-31 | 2015-08-19 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体装置の製造方法、描画装置、プログラム及びパターン転写装置 |
JP2013045838A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Canon Inc | 描画装置、および、物品の製造方法 |
JP6195349B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-09-13 | キヤノン株式会社 | 描画装置、描画方法、および物品の製造方法 |
JP6230295B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2017-11-15 | キヤノン株式会社 | 描画装置及び物品の製造方法 |
JP2015184603A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | ビアメカニクス株式会社 | 露光装置 |
US9466464B1 (en) * | 2015-01-23 | 2016-10-11 | Multibeam Corporation | Precision substrate material removal using miniature-column charged particle beam arrays |
DE102018124223A1 (de) * | 2018-10-01 | 2020-04-02 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07263301A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | ブランキングアパーチャアレイ方式電子ビーム露光装置 |
JP3400273B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2003-04-28 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 |
JPH11150050A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Nec Corp | 電子線描画装置及び描画方法 |
JP3014380B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2000-02-28 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 複数の可変成形電子ビ―ムを使用してパタ―ンを直接書き込むシステムおよび方法 |
JPH11329322A (ja) | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Advantest Corp | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
JP2000260686A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
US6465783B1 (en) * | 1999-06-24 | 2002-10-15 | Nikon Corporation | High-throughput specimen-inspection apparatus and methods utilizing multiple parallel charged particle beams and an array of multiple secondary-electron-detectors |
JP2001015421A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-19 | Canon Inc | データ作成方法およびそれを用いた荷電粒子ビーム描画装置 |
DE60034559T2 (de) * | 1999-12-23 | 2008-01-03 | Fei Co., Hillsboro | Vielstrahl-elektronenstrahl-lithographievorrichtung mit unterschiedlichen strahlblenden |
SE0200864D0 (sv) * | 2002-03-21 | 2002-03-21 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for printing large data flows |
JP4017935B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-12-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | マルチビーム型電子線描画方法及び装置 |
JP4308504B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2009-08-05 | 株式会社荏原製作所 | 電子線装置及びその装置を用いたデバイス製造方法 |
US7075093B2 (en) * | 2004-05-12 | 2006-07-11 | Gorski Richard M | Parallel multi-electron beam lithography for IC fabrication with precise X-Y translation |
US7456491B2 (en) * | 2004-07-23 | 2008-11-25 | Pilla Subrahmanyam V S | Large area electron emission system for application in mask-based lithography, maskless lithography II and microscopy |
JP4601482B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2010-12-22 | 新光電気工業株式会社 | 描画装置および描画方法 |
US20090212213A1 (en) * | 2005-03-03 | 2009-08-27 | Ebara Corporation | Projection electron beam apparatus and defect inspection system using the apparatus |
EP1865538A4 (en) * | 2005-03-29 | 2012-03-07 | Advantest Corp | MULTI-COLUMN ELECTRON BEAM EXPOSURE DEVICE |
JP4312205B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2009-08-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2009531855A (ja) * | 2006-03-27 | 2009-09-03 | マルチビーム システムズ インコーポレイテッド | 高電流密度パターン化荷電粒子ビーム生成のための光学系 |
JP5368086B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2013-12-18 | 株式会社アドバンテスト | マルチコラム電子ビーム露光装置及びマルチコラム電子ビーム露光方法 |
JP5020745B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2012-09-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
-
2007
- 2007-08-29 JP JP2007222645A patent/JP5020745B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-27 US US12/199,158 patent/US7863586B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7863586B2 (en) | 2011-01-04 |
US20090057570A1 (en) | 2009-03-05 |
JP2009054944A (ja) | 2009-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5020745B2 (ja) | 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
US9218942B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method | |
KR101595786B1 (ko) | 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 | |
KR101323917B1 (ko) | 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법 | |
USRE44179E1 (en) | Charged particle beam writing method | |
US8471225B2 (en) | Charged particle beam writing method and apparatus therefor | |
KR20180117540A (ko) | 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 | |
USRE47707E1 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method | |
KR101477557B1 (ko) | 하전 입자빔 묘화 장치 및 다중 묘화용의 하전 입자빔의 조사 시간 배분 방법 | |
JP5607413B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5498105B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2016184671A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 | |
US9006691B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method using a generated frame that surrounds a first data processing block | |
JP6262007B2 (ja) | セトリング時間の取得方法 | |
JP4312205B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6171062B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2012089693A (ja) | 描画データの製造方法 | |
JP5357530B2 (ja) | 描画用データの処理方法、描画方法、及び描画装置 | |
JP6546437B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2012043972A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5586343B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5649869B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
KR20180136409A (ko) | 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 시스템 | |
JP2012182222A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5020745 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |