KR100782702B1 - 묘화 장치 및 묘화 방법 - Google Patents

묘화 장치 및 묘화 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100782702B1
KR100782702B1 KR1020060061727A KR20060061727A KR100782702B1 KR 100782702 B1 KR100782702 B1 KR 100782702B1 KR 1020060061727 A KR1020060061727 A KR 1020060061727A KR 20060061727 A KR20060061727 A KR 20060061727A KR 100782702 B1 KR100782702 B1 KR 100782702B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shot
electron beam
current density
maximum
pattern
Prior art date
Application number
KR1020060061727A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070004433A (ko
Inventor
히또시 스나오시
슈우이찌 다마무시
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20070004433A publication Critical patent/KR20070004433A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100782702B1 publication Critical patent/KR100782702B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31776—Shaped beam
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/143—Electron beam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 일 태양의 묘화 장치는 전자 빔이 복수샷 됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 사이즈를 선택하는 선택부와, 선택부에 의해 선택된 전류 밀도로 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 각 샷마다 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 한다.
묘화부, 제어부, 전자 경통, 전자 총, 조명 렌즈, 어퍼쳐

Description

묘화 장치 및 묘화 방법{ELECTRON BEAM WRITING APPARATUS AND WRITING METHOD}
도1은 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 장치의 주요부 구성을 나타내는 개념도.
도2는 스테이지 이동의 모습을 설명하기 위한 도면.
도3은 이상적인 묘화 시간의 계산식을 나타내는 도면.
도4는 묘화 시간의 계산식을 나타내는 도면.
도5a 내지 도5c는 전류 밀도와 샷 사이즈와의 관계를 나타내는 도면.
도6은 샷 밀도와 테크놀로지 노드와의 관계의 일예를 나타내는 도면.
도7은 샷 밀도와 최대샷 사이즈와의 관계의 일예를 나타내는 도면.
도8은 임의의 패턴에 있어서의 샷 사이즈의 분포의 일예를 나타내는 도면.
도9는 다른 패턴에 있어서의 샷 사이즈의 분포의 일예를 나타내는 도면.
도10은 최대샷 사이즈와 총 샷수의 증가율과의 관계의 일예를 나타내는 도면.
도11은 최대샷 사이즈와 전류 밀도와의 관계를 나타내는 도면.
도12는 총 샷수와 최대샷 사이즈와의 관계를 나타내는 도면.
도13은 묘화 시간과 전류밀도와의 관계를 나타내는 도면.
도14는 묘화 데이터 처리 회로의 내부 구성의 일부의 일예를 나타내는 블럭도.
도15는 본 제1 실시 형태에 있어서의 흐름도.
도16은 어퍼쳐를 교환하는 경우를 설명하기 위한 개념도.
도17은 개구를 교대하는 어퍼쳐를 설명하기 위한 개념도.
도18은 최대샷 사이즈를 규정하여 묘화하는 경우를 설명하기 위한 도면.
도19는 최대샷 면적을 규정하여 묘화하는 경우를 설명하기 위한 도면.
도20은 최대샷 면적과 전류 밀도와의 관계를 나타내는 도면.
도21은 총 샷수와 최대샷 면적과의 관계를 나타내는 도면.
도22는 묘화 시간과 전류밀도와의 관계를 나타내는 도면.
도23은 묘화되는 시료의 일예를 나타내는 도면.
도24는 제4 실시 형태에 있어서의 흐름도.
도25는 대응 테이블의 일예를 나타내는 도면.
도26은 대응 테이블의 다른 일예를 나타내는 도면.
도27은 종래의 가변 성형형 전자선 노광 장치의 동작을 설명하기 위한 개념도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 가변 성형형 EB 노광 장치
102 : 전자 경통
105 : XY 스테이지
150 : 묘화부
160 : 제어부
200 : 전자 빔
201 : 전자 총
202 : 조명 렌즈
203 : 제1 어퍼쳐
204 : 투영 렌즈
205 : 편향기
206 : 제2 어퍼쳐
207 : 대물 렌즈
208 : 편향기
209 : 패러데이 컵
[문헌 1] 일본 특허 공개 2000-58424호 공보
[문헌 2] 일본 특허 공개 평4-171714호 공보
본 발명은 묘화 장치 및 묘화 방법에 관한 것으로, 특히 가변 성형형 전자선 노광 장치에 있어서의 노광 수법에 관한 것이다.
최근, LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 장치에 요구되는 회로선 폭은 해마다 미세화되어 가고 있다. 이들 반도체 장치에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 종래 원하는 회로 패턴이 형성된 수십 종류의 원화 패턴(레티클 혹은 마스크라고도 함)을 스테이지 상에 탑재된 웨이퍼의 노광 영역에 고정밀도로 위치 맞춤하고, 그 후, 광원으로부터 레이저광 등을 조사함으로써, 마스크에 형성된 원하는 회로 패턴이 가해지는 웨이퍼 상의 노광 영역에 전사된다. 예를 들어, 축소 투영 노광 장치가 이용된다. 이러한 원화 패턴은 고정밀도로 마무리된 유리 기판 상에 그려지고, 레지스트 프로세스 등을 경유하여 형성된다. 일반적으로는, 한쪽면에 크롬(Cr)을 증착한 유리 기판 상에 레지스트재를 균일하게 도포한 것에 전자선이나 레이저 등을 광원으로 한 에너지 빔을 이용하여 원하는 장소의 레지스트재를 감광시킨다. 그리고, 현상 후, Cr을 에칭함으로써 패턴을 형성할 수 있다.
여기서, 반도체 디바이스의 미세화의 진전을 담당하는 리소그래피 기술은 반도체 제조 프로세스 중에서도 유일하게 패턴을 생성하는 매우 중요한 프로세스이다. 종래, 반도체 디바이스의 생산에서는 상술한 바와 같이 광 노광 기술이 이용되어 왔지만, 최근, LSI, 초LSI 등의 고밀도 집적화하는 선단부 디바이스의 패턴 치수가 한계 해상도에 근접해 가고 있어, 고해상 노광 기술의 개발이 급무가 되고 있다.
전자선(전자 빔) 노광 기술은 본질적으로 우수한 해상성을 갖고 있고, DRAM(Dy㎁micrandom access memory)을 대표로 하는 최선단부 디바이스의 개발이나 일부 ASIC(application specific integrated circuit)의 생산에 이용된다. 또한, 광 노광 기술을 이용하는 경우에도 고밀도 집적화하는 선단부 디바이스 생산을 위한 원화 패턴을 형성하기 위해 이용된다.
도27은 종래의 가변 성형형 전자선 노광 장치의 동작을 설명하기 위한 개념도이다.
가변 성형형 전자선 노광 장치[가변 성형형 EB(Electron beam)에 있어서의 제1 어퍼쳐(410)에는 전자선(330)을 성형하기 위한 직사각형 예를 들어 장방형의 개구(411)가 형성되어 있다. 또한, 제2 어퍼쳐(420)에는 제1 어퍼쳐(410)의 개구(411)를 통과한 전자선(330)을 원하는 직사각형 형상으로 정형하기 위한 가변 성형 개구(421)가 형성되어 있다. 하전 입자 소스(430)로부터 조사되어, 제1 어퍼쳐(410)의 개구(411)를 통과한 전자선(330)은 편향기에 의해 편향되고, 제2 어퍼쳐(420)의 가변 성형 개구(421)의 일부를 통과하여 소정의 일 방향(예를 들어, X 방향이라 함)으로 연속적으로 이동하는 스테이지 상에 탑재된 시료에 조사된다. 즉, 제1 어퍼쳐(410)의 개구(411)와 제2 개구(420)의 가변 성형 개구(421)의 양방을 통과할 수 있는 직사각형 형상이 X 방향으로 연속적으로 이동하는 스테이지 상에 탑재된 시료(340)의 노광 영역에 샷되어 묘화된다. 제1 어퍼쳐(410)의 개구(411)와 제2 어퍼쳐(420)의 가변 성형 개구(421)의 양방을 통과시켜, 임의 형상을 작성하는 방식을 가변 성형 방식이라 한다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2000-58424호 공보 참조).
그 밖에, 전자선 노광 장치에 관하여, 샷 사이즈와 전류 밀도에 관한 기재가 기재된 문헌이 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 평4-171714호 공보 참조).
상술한 가변 성형에 의한 전자선 노광 장치에서는, 종래 반도체 로드맵에 있어서의 목적으로 하는 노드를 따라 장치의 제작 단계에서 최대샷 사이즈로 샷한 경우에 공간 전하 효과에 의한 빔 분해 능력의 열화가 생기지 않도록 전류 밀도와 상기 최대샷 사이즈를 설정하고 있었다. 그리고, 이후, 그 장치에서는 이러한 최초로 설정된 전류 밀도로 전자 빔을 형성하고, 이러한 최초로 설정된 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈에 전자 빔을 성형하여 묘화를 행하고 있었다.
그러나, 묘화 패턴이 미세하고 또한 복잡해지는 데 수반하여, 각 샷의 샷 사이즈가 작아지므로 전체적인 샷 수가 증가하고, 묘화 패턴 전체를 묘화하는 묘화 시간이 증가하게 되는 등의 문제가 나왔다. 그 결과, 처리량이 저하되어 버리는 등의 문제가 발생하게 된다. 여기서, 각 샷의 묘화 시간(샷 시간)을 단축하기 위해서는, 전류 밀도를 높이는 것이 유효하지만, 무턱대고 높인 것에서는 공간 전하 효과에 의한 빔 분해 능력의 열화(흐려짐)가 커져 버리므로 채용할 수 없다.
본 발명의 일 태양은, 이러한 문제점을 극복하여, 빔 분해 능력의 열화를 억제하면서 최량의 처리량을 실현하는 수법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 태양의 묘화 장치는,
전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 사이즈를 선택하는 선택부와,
선택부에 의해 선택된 전류 밀도로 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 각 샷마다 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 태양의 묘화 방법은,
빔 전류치가 미리 설정된 값 이하가 되는 관계에 있는 전류 밀도와 최대샷 사이즈를 변수로 하여 패턴 데이터에 따른 묘화 시간의 값을 해석하고,
해석의 결과를 기초로 하여 묘화 시간의 값이 변곡되는 변곡 영역에 해당하는 전류 밀도와 최대샷 사이즈를 선택하고,
선택된 전류 밀도와 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴 데이터에 따른 패턴을 묘화하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 태양의 묘화 장치는,
전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 면적을 선택하는 선택부와,
선택부에 의해 선택된 전류 밀도로 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 최대샷 면적 이하의 샷 면적으로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 태양의 묘화 장치는,
샷 사이즈가 가변 성형된 전자 빔을 복수샷함으로써 시료에 소정의 패턴을 묘화하는 묘화 장치에 있어서,
시료에 샷되는 빔 전류치가 각 샷에 있어서 미리 설정된 값 이하가 되도록 각 샷 사이즈에 따라서 전류 밀도를 가변하는 것을 특징으로 한다.
(제1 실시 형태)
도1은 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 장치의 주요부 구성을 나타내는 개념도이다.
도1에 있어서, 묘화 장치의 일예가 되는 가변 성형형 EB 노광 장치(100)는 묘화부(150)와 제어부(160)를 구비하고 있다. 묘화부(150)는 전자 경통(102), XY 스테이지(105), 전자 총(201), 조명 렌즈(202), 제1 어퍼쳐(203), 투영 렌즈(204), 편향기(205), 제2 어퍼쳐(206), 대물 렌즈(207), 편향기(208), 패러데이(Faraday cup) 컵(209)을 갖고 있다. 제어부(160)는 선택부의 일예가 되는 묘화 데이터 처리 회로(310)와, 편향 제어 회로(320), 디지털 아날로그 컨버터(DAC)(332), 전자 광학계 제어 회로(342)를 갖고 있다. 도1에서는, 본 제1 실시 형태를 설명하는 데 필요한 구성 부분 이외에 대해서는 기재를 생략하고 있다. 가변 성형형 EB 노광 장치(100)에 있어서, 통상, 필요한 그 밖의 구성이 포함되는 것은 물론이다.
전자 총(201)으로부터 나온 전자 빔(200)은 조명 렌즈(202)에 의해 정사각형의 구멍을 갖는 제1 어퍼쳐(aperture)(203) 전체를 조명한다. 여기서, 전자 빔(200)을 우선 정사각형으로 성형한다. 그리고, 제1 어퍼쳐(203)를 통과한 제1 어퍼쳐 상(像)의 전자 빔(200)은 투영 렌즈(204)에 의해 제2 어퍼쳐(206) 상에 투영된다. 이러한 제2 어퍼쳐(206) 상에서의 제1 어퍼쳐 상의 위치는 편향기(205)에 의해 제어되어, 빔 형상과 치수를 변화시킬 수 있다. 그리고, 제2 어퍼쳐(206)를 통과한 제2 어퍼쳐 상의 전자 빔(200)은 대물 렌즈(207)에 의해 초점을 맞추고, 편향기(208)에 의해 편향되어, 이동 가능하게 배치된 XY 스테이지(105) 상의 시료(101)의 원하는 위치에 조사된다. 이러한 경우에, 조사되는 전자 빔(200)은 설정된 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 패턴의 형상을 따라 직사각형 성형되게 된다.
도2는 스테이지 이동의 모습을 설명하기 위한 도면이다.
시료(101)에 묘화하는 경우에는, XY 스테이지(105)를 도시하지 않은 구동부에 의해 X 방향으로 연속 이동시키면서, 묘화(노광)면을 전자빔(200)이 편향 가능한 단책 형상의 복수의 스트라이프 영역으로 가상 분할된 시료(101) 중 하나의 스트라이프 영역 상을 전자 빔(200)이 조사한다. XY 스테이지(105)의 X 방향으로 이동은 연속 이동으로 하고, 동시에 전자 빔(200)의 샷 위치도 스테이지 이동으로 추종시킨다. 연속 이동시킴으로써 묘화 시간을 단축시킬 수 있다. 그리고, 하나의 스트라이프 영역이 묘화가 끝나면, XY 스테이지(105)를 도시하지 않은 구동부에 의해 Y 방향으로 스텝 이송하여 X 방향(이번에는 반대 배향)으로 다음의 스트라이프 영역의 묘화 동작을 행한다. 각 스트라이프 영역의 묘화 동작을 사행시키도록 진행시킴으로써 XY 스테이지(105)의 이동 시간을 단축할 수 있다.
도3은 이상적인 묘화 시간의 계산식을 나타내는 도면이다.
도3에 도시한 바와 같이, 소정 패턴을 묘화하는 묘화 시간(T)은 샷 사이클(Tc)과 총 샷수(Nshot)의 곱[식 (1) : T ＝ TcㆍNshot]으로 나타낼 수 있다. 또한, 샷 사이클(Tc)은 세틀링 시간(TSET)과 샷 시간(Tshot)의 합[식 (2) : Tc ＝ TSET ＋ Tshot]으로 나타낼 수 있다. 그리고, 샷 시간(Tshot)은 시료(101)에 조사되는 도즈량(DOSE)을 전류 밀도(J)로 순서를 정한 몫[식 (3) : Tshot ＝ DOSE:/J]으로 나타낼 수 있다. XY 스테이지(105)의 X 방향으로의 이동 속도는 이러한 묘화 시간(T)을 기본으로 하여 산출된다. 현실적인 묘화 시간은 XY 스테이지(105)의 스트라이프 사이의 이동 시간이나 그 밖의 오버헤드 시간이 가산된다.
도4는 묘화 시간의 계산식을 나타내는 도면이다.
도3에 나타낸 식 (1) 내지 식 (3)을 기초로 하여, 묘화 시간(T)은 도4에 나타낸 바와 같이 식 (4) : T ＝ (TSET ＋ DOSE/J)ㆍNshot으로 나타낼 수 있다. 여기서, 세틀링 시간(TSET)은 장치 사양에 따라 결정되고, 또한 도우즈량(DOSE)은 노광하는 레지스트재의 성능에 의해 결정되므로, 묘화 시간(T)은 전류 밀도(J)와 총 샷수(Nshot)를 변수로 하여 최적치를 찾아내면 단축할 수 있다.
여기서, 가변 성형형 EB 노광 장치(100)에서는, 전자 빔(200)의 위치를 제어하기 위해 상술한 편향기(205) 혹은 편향기(208)로서, 예를 들어 정전 편향기를 이용한다. 정전 편향기를 이용함으로써, 인가하는 전압을 변화시킴으로써 편향량을 제어할 수 있다. 그리고, 이러한 편향기(205) 혹은 편향기(208)에 인가하는 전압을 변화시켰을 때, 설정된 전압으로 안정될 때까지 필요한 시간을 세틀링 시간(TSET)이라 한다. 가변 성형형 EB 노광 장치(100)에서는, 변화시키는 전압의 크 기(빔 위치의 변화량에 대응함)에 따라서 세틀링 시간(TSET)이 달라진다. 예를 들어, 수십 ㎲를 필요로 한다. 최적의 세틀링 시간은 시스템 설치시에 확인되고, 묘화 데이터 처리 회로(310)에 매개 변수로서 설정해 두면 좋다.
도5a 내지 도5c는 전류 밀도와 샷 사이즈와의 관계를 나타내는 도면이다.
전류 밀도(J)는 단위 면적당의 빔 전류치(I)로 나타낸다. 도5a에 도시한 바와 같이, 최대샷 사이즈를 L1로 하여 정사각형의 전자 빔(200)을 시료(101)에 조사하는 경우, 최대샷 면적(S)은 최대샷 사이즈(L1)의 2제곱으로 나타낸다. 여기서, 상술한 공간 전하 효과에 의한 빔 흐려짐은 빔 전류치(I)에 의해 좌우된다. 각 샷에 있어서, 가장 샷 면적이 커지는 것은, 최대샷 사이즈(L1)로 정사각형으로 성형된 경우가 되므로, 이러한 경우에 공간 전하 효과에 의한 빔 흐려짐을 열화시키지 않도록 빔 전류치(I)를 설정하는 것이 유효하다.
여기서, 예를 들어 최대샷 사이즈(L1)를 2.5 ㎛, 전류 밀도(J1)를 10 내지 20 A/㎠로 설정함으로써 허용하는 빔 분해 능력을 얻어 왔다. 즉, 빔 전류치(I1) ＝ 62.5 ㎁ 내지 125 ㎁ 이하로 함으로써, 허용하는 빔 분해 능력을 얻을 수 있다.
여기서, 상술한 바와 같이, 묘화 패턴이 미세하고 또한 복잡해지는 데 수반하여 각 샷의 샷 사이즈가 작아지므로, 장치의 성능으로서는 최대샷 사이즈가 L1까지 전자 빔(200)을 성형할 수 있어도, 실제의 샷 사이즈는 도5b에 도시한 바와 같이 최대라도 L2까지밖에 사용하지 않게 된다. 예를 들어, 도5b의 예에서는 L2를 L1 의 절반으로 하면, 실제로 가장 샷 면적이 커지는 것은 L2의 2제곱, 즉, 면적에서 1/4의 크기가 되므로, 그곳을 통과하는 빔 전류치(I2)는 I1의 1/4이 된다. 묘화 시간(T)은 식 (4)에 나타낸 바와 같이 전류 밀도(J)를 크게 함으로써 단축할 수 있으므로, 전류 밀도(J)를 크게 하는 것은 유효하다. 또한, 도5c에 도시한 바와 같이, 빔 전류치(I3) ＝ I1이 될 때까지 전류 밀도(J)를 크게 해도 빔 분해 능력을 열화시키는 일이 없다. 즉, 도5c의 예에서는 J3 ＝ 4J1로 할 수 있다.
도6은 샷 밀도와 테크놀로지 노드와의 관계의 일예를 나타내는 도면이다.
도6에 도시한 바와 같이, 최대샷 사이즈(L1)를 임의의 값으로 한 경우, 대상 패턴 A 내지 C에 대해 샷 밀도를 측정해 보면, 묘화 패턴이 미세하고 또한 복잡해지는 데 수반하여, 임의의 노드(node1) 근처로부터 급격히 샷 밀도가 상승하고 있는 것을 알 수 있다. 샷 밀도가 상승한다는 것은, 총 샷수(Nshot)가 상승하고 있는 것을 나타내고 있다.
도7은 샷 밀도와 최대샷 사이즈와의 관계의 일예를 나타내는 도면이다.
도7에 도시한 바와 같이, 대상 패턴 A 내지 C에 대해 최대샷 사이즈를 도6에서 사용한 값으로부터 작게 해 가면, 소정의 값까지 작게 해도 샷 밀도에 그다지 변화가 없다. 바꿔 말하면, 이러한 상황에서는 총 샷수(Nshot)가 증가하지 않으므로, 최대샷 사이즈를 단순히 작게 하고, 최대샷 사이즈를 작게 한 만큼 전류 밀도(J)를 크게 하면 빔 분해 능력을 열화시키지 않고 묘화 시간(T)을 단축할 수 있 다.
그러나, 또한 최대샷 사이즈를 작게 하면 샷 밀도가 급격히 상승하게 된다. 즉, 총 샷수(Nshot)가 증가하게 된다. 총 샷수(Nshot)가 증가하면 세틀링 시간(TSET)도 그 증가수만큼 필요해진다. 이러한 상황에서는, 최대샷 사이즈를 작게 한 만큼 전류 밀도(J)를 크게 해도 총 샷수(Nshot)가 증가하게 되기 때문에, 식 (4)에 나타낸 바와 같이 단순히 묘화 시간(T)을 단축할 수 없게 된다.
도8은 임의의 패턴에 있어서의 샷 사이즈의 분포의 일예를 나타내는 도면이다.
도8에서는, 최대샷 사이즈를 종횡 모두 일정치로 한 경우에, x축에 실제 샷 사이즈의 세로 치수, y축에 실제 샷 사이즈의 가로 치수, z축에 샷수를 나타내고 있다. 도7에 도시한 바와 같이, 임의의 패턴 A에서는 실제 샷 사이즈가 세로(여기서는 x) × 가로(여기서는 y)의 직사각형으로 성형된다고 하면, x, y 모두 각각 소정의 값 이하의 사이즈로 분포하고 있는 것을 알 수 있다.
도9는 다른 패턴에 있어서의 샷 사이즈의 분포의 일예를 나타내는 도면이다.
도9에서는, 도8과 마찬가지로, 최대샷 사이즈를 종횡 모두 임의의 값으로 한 경우에, x축에 실제 샷 사이즈의 세로 치수, y축에 실제 샷 사이즈의 가로 치수, z축에 샷수를 나타내고 있다. 도9에 도시한 바와 같이, 임의의 패턴 B에서는 실제 샷 사이즈가 세로(여기서는 x) × 가로(여기서는 y)의 직사각형으로 성형된다고 하면, x, y 모두 각각 도8과는 다른 소정의 값 이하의 사이즈로 분포하고 있는 것을 알 수 있다.
도10은 최대샷 사이즈와 총 샷수의 증가율과의 관계의 일예를 나타내는 도면이다.
대상 패턴 A 내지 C에 대해, 횡축에 최대샷 사이즈를 나타내고, 종축에 총 샷수의 증가율을 나타냈다. 예를 들어, 최대샷 사이즈를 임의의 위치를 일예로 보면, 패턴 A에서는 총 샷수가 약 2.5배로 되어 있는 것이 나타나 있다. 패턴 B에서는 총 샷수가 약 4.5배로 되어 있는 것이 나타나 있다.
따라서, 패턴에 따라서는, 최대샷 사이즈(L)를 한없이 작게 하고 그만큼 전류 밀도(J)를 크게 해도, 총 샷수(Nshot)가 증가하게 되므로 묘화 시간(T)을 단축하는 것으로 이어지지 않는다. 바꿔 말하면, 최대샷 사이즈(L)를 작게 해 가는 과정[혹은, 전류 밀도(J)를 크게 해 가는 과정]에서, 묘화 시간(T)이 감소에서 증가로 바뀌는 변곡점이 존재하는 것을 발명자들은 발견하였다.
도11은 최대샷 사이즈와 전류 밀도와의 관계를 나타내는 도면이다.
도11에서는 횡축에 전류 밀도(J), 종축에 최대샷 사이즈(L)를 나타내고 있다. 도5에 도시한 바와 같이, 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈(L)는 일정한 관계, 즉 빔 전류치를 미리 설정한 값이 되도록 일정하게 유지하는 관계로 하면, 도11에 도시한 바와 같이 전류 밀도(J)를 크게 해 가면 최대샷 사이즈(L)가 작아지는 관계가 된다.
도12는 총 샷수와 최대샷 사이즈와의 관계를 나타내는 도면이다.
도12에서는 횡축에 최대샷 사이즈(L), 종축에 총 샷수(Nshot)를 나타내고 있다. 상술한 바와 같이 최대샷 사이즈(L)를 작게 해 가면, 도12에 도시한 바와 같이 임의의 부분까지는 총 샷수(Nshot)는 증가하지 않는 것을 알 수 있다.
도13은 묘화 시간과 전류밀도와의 관계를 나타내는 도면이다.
도13에서는 횡축에 전류 밀도(J), 종축에 묘화 시간(T)을 나타내고 있다. 도12에 나타내는 총 샷수(Nshot)를 증가시키지 않는 범위의 최대샷 사이즈(L)와 이러한 최대샷 사이즈(L)에 있어서의 도11에 나타내는 전류 밀도(J)를 선택함으로써, 도13에 도시한 바와 같이 전류 밀도(J)를 크게 해 가는 과정에서 묘화 시간(T)이 감소에서 증가로 바뀌는 변곡점에 있어서의 묘화 시간(T)[즉, 최소 묘화 시간(Tmin)]으로 조정할 수 있다. 따라서, 이러한 변곡점에 있어서의 전류 밀도(J)가 처리량을 최량으로 하는 최적의 전류 밀도(Jbest)가 된다. 그리고, 최적의 전류 밀도(Jbest)에 있어서의 최대샷 사이즈(L)가 최적의 최대샷 사이즈(Lbest)가 된다.
도13에서는 전류 밀도(J)를 변수로 하여 묘화 시간(T)의 변화를 나타냈지만, 최대샷 사이즈(L)를 변수로 하여 묘화 시간(T)의 변화를 나타내도 상관없다. 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈(L)는 빔 전류치를 일정하게 유지하는 관계로 하고 있으므로, 어느 쪽을 변수로 해도 같은 결과가 성립하게 된다.
도14는 묘화 데이터 처리 회로의 내부 구성의 일부의 일예를 나타내는 블럭도이다.
도14에 있어서, 묘화 데이터 처리 회로(310)는 해석부(314), 선택부(316), 설정부(318)를 구비하고 있다. 해석부(314)는 도형 분할부(312), 전류치 연산부(352), 최대샷 사이즈 설정부(354), 묘화 시간 연산부(356), 총 샷수 연산부(358), 전류 밀도 설정부(364)를 갖고 있다. 도14에서는 본 실시 형태의 설명에 필요한 구성 이외에는 생략하고 있다.
도15는 제1 실시 형태에 있어서의 흐름도이다.
S(스텝)1402에 있어서, 묘화 데이터 입력 공정으로서, 묘화 데이터 처리 회로(310)는 패턴 데이터가 되는 묘화 데이터를 입력한다.
S1404에 있어서, 해석 공정도의 일부가 되는 전류 밀도 설정 공정으로서, 전류 밀도 설정부(364)는 전류 밀도(J)로서 초기치를 설정한다.
S1406에 있어서, 해석 공정의 일부가 되는 최대샷 사이즈 설정 공정으로서, 최대샷 사이즈 설정부(354)는 최대샷 사이즈(L)로서 초기치(K)를 설정한다.
S1408에 있어서, 해석 공정의 일부가 되는 전류치 연산 공정으로서, 전류치 연산부(352)는 빔 전류치(I) ＝ J × L2을 연산한다.
S1410에 있어서, 해석 공정의 일부가 되는 전류치 판정 공정으로서, 묘화 데이터 처리 회로(310)는 연산된 빔 전류치(I)가 미리 설정된 빔 전류치(Imax)보다 작은지 여부를 판정한다. 그리고, 작은 경우에는 S1412로 진행한다.
S1412에 있어서, 해석 공정의 일부가 되는 가산 공정으로서, 최대샷 사이즈 설정부(354)는 예를 들어 가산기를 이용하여 값 K에 1을 가산한다. 그리고, S1406 으로 복귀한다. 여기서는, 값 K에 1을 가산하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 최대샷 사이즈(L)의 값을 변수로서 묘화 시간(T)을 해석할 수 있도록 변동할 수 있으면 된다.
그리고, 빔 전류치(I)가 미리 정한 빔 전류치(Imax)가 될 때까지, S1406 내지 S1410을 반복한다. S1406에서는 최대샷 사이즈(L)의 값을 다시 설정한다.
빔 전류치(I)가 미리 정한 빔 전류치(Imax) 이하의 조합이 되는 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈(L)를 이용함으로써, 빔 분해 능력의 열화를 방지할 수 있다.
S1414에 있어서, 해석 공정의 일부가 되는 도형 분할 공정으로서, 도형 분할부(312)는 설정된 최대샷 사이즈(L)에 따라서 입력된 묘화 데이터를 샷 사이즈의 도형으로 분할한다. 샷 도형은 직사각형의 한 변의 길이가 최대샷 사이즈 이하의 치수가 되도록 형성하여 배치한다. 어퍼쳐의 형상에 따라서 성형되는 도형은 바꿀 수 있다. 예를 들어, 샷 도형은 정사각형, 직사각형 혹은 직각 삼각형으로 형성한다. 정사각형, 직사각형이면, 한 변의 길이가 최대샷 사이즈 이하의 치수가 되도록 형성하여 배치한다. 직각 삼각형이면, 직각을 사이에 두는 두 변의 어느 한 긴 변의 치수가 최대샷 사이즈 이하의 치수가 되도록 형성하여 배치한다.
S1416에 있어서, 해석 공정의 일부가 되는 총 샷수 연산 공정으로서, 총 샷수 연산부(358)는 도형 분할 공정에 있어서 분할된 샷 도형의 수를 세어, 입력된 묘화 데이터의 패턴을 묘화하기 위해 필요한 총 샷수를 연산한다.
S1418에 있어서, 해석 공정의 일부가 되는 묘화 시간 연산 공정으로서, 묘화 시간 연산부(356)는 입력된 묘화 데이터에 있어서의 패턴을 묘화하는 묘화 시간을 연산한다. 묘화 시간(T)은 전류 밀도(J)와 총 샷수 연산 공정에서 연산된 총 샷수(Nshot)를 이용하여 입력된 묘화 데이터인 패턴 데이터에 따른 묘화 시간의 값을 연산한다. 이러한 연산은 식 (4)에 따라서 연산하면 된다. 세틀링 시간(TSET), 도우즈량(DOSE)은 미리 설정해 두면 좋다.
S1420에 있어서, 해석 공정의 일부가 되는 판정 공정으로서, 묘화 데이터 처리 회로(310)는 연산된 묘화 시간(T)의 값이 변곡되는 변곡점, 즉 최소치(Tmin)로 되어 있는지 여부를 판정한다. 되어 있지 않은 경우에는, S1422로 진행한다. 최소치(Tmin)가 된 경우에는 S1424로 진행한다.
S1422에 있어서, 해석 공정의 일부가 되는 가산 공정으로서, 전류 밀도 설정부(364)는 예를 들어 가산기를 이용하여 전류 밀도(J)에 1을 가산한다. 그리고, S1404로 복귀한다. 여기서는, 값 J에 1을 가산하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전류 밀도(J)의 값이 변수로서 묘화 시간(T)을 해석할 수 있도록 변동할 수 있으면 된다. 그리고, S1404 내지 S1420를 반복한다. S1404에서는, 전류 밀도(J)의 값을 다시 설정한다.
이상과 같이, 도15에서는 전류 밀도(J)의 값과 최대샷 사이즈(L)의 값을 변수로 하여 바꿔 감으로써, 미리 설정된 빔 전류치(Imax) 이하의 관계로 바뀐 최대샷 사이즈(L)의 값에 있어서의 총 샷수(Nshot)의 값을 얻을 수 있다. 그리고 변동하 는 전류 밀도(J)의 값과 총 샷수(Nshot)의 값으로부터 묘화 시간(T)의 값을 얻을 수 있다. 바꿔 말하면, 빔 전류치가 미리 설정된 빔 전류치(Imax) 이하가 되는 관계에 있는 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈(L)를 변수로 하여 패턴 데이터에 따른 묘화 시간(T)의 값을 해석할 수 있다.
S1424에 있어서, 선택 공정으로서, 선택부(316)는 해석의 결과를 기초로 하여 묘화 시간(T)의 값이 변곡되는 변곡 영역에 해당하는 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈(L)를 선택한다. 이러한 묘화 시간(T)의 값이 변곡되는 변곡점에서 묘화 시간은 최소치(Tmin)가 된다. 선택부(316)는 묘화 시간(T)이 최소치(Tmin)가 되는 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈(L)를 선택하는 것이 가장 처리량을 좋게 하는 점에서 바람직하지만, 이러한 한 점에 한정되는 것은 아니다. 묘화 시간(T)이 종래에 비해 효과를 발휘하는 값이면, 최소치(Tmin) 부근의 변곡 영역에서 이용하기 쉬운 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈(L)를 선택하는 것이라도 상관없다.
그리고, 설정 공정으로서, 설정부(318)가 선택된 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈(L)를 설정한다.
S1426에 있어서, 패턴 묘화 공정으로서, 묘화부(150)가 설정된 전류 밀도(J)에서 상기 전자 빔(200)을 형성하고, 형성된 전자 빔(200)을 각 샷마다 상기 최대샷 사이즈(L)의 값 이하의 샷 사이즈로 성형하고, 성형된 전자 빔(200)을 시료(101)에 샷하여 원하는 패턴을 묘화한다. 여기서, 최대샷 사이즈(L)가 설정되면, 편향 제어부(320)에 통지된다. 그리고, 편향 제어부(320)가 편향기(205)를 제 어하기 위한 전압을 설정하고, DAC(332)가 편향기(205)에 걸리는 전압을 인가함으로써, 시료(101)에 샷되는 샷 도형의 사이즈가 최대샷 사이즈(L) 이하의 샷 사이즈로 제2 어퍼쳐(206)로 성형되도록 전자 빔(200)을 편향시킬 수 있다. 또한, 전류 밀도(J)가 설정되면, 전자 광학계 제어 회로(342)에 통지된다. 전자 광학계 제어 회로(342)가 전자 총(201)을 제어하여, 예를 들어 이미션 전류나 필라멘트 온도를 조정함으로써 전류 밀도(J)를 설정한 값이 되도록 제어할 수 있다. 혹은/및 전자 광학계 제어 회로(342)가 조명 렌즈(202)에 있어서의 전자 빔(200)의 조리개를 조정함으로써, 전류 밀도(J)를 설정한 값이 되도록 제어할 수 있다. 전류 밀도가 소정의 값이 되었는지 여부는 전자 빔(200)을 패러데이 컵(209)에 조사하여 검증할 수 있다.
상술한 도15에서는, 전류 밀도(J)에 대해 최대샷 사이즈(L)를 변수로 하여 값을 바꾼 경우에 대해 설명하였지만, 최대샷 사이즈(L)에 대해 전류 밀도(J)를 변수로 하여 값을 바꾸어도 상관없다.
이상과 같이, 묘화하는 패턴에 따라서 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈(L)를 바꿈으로써 최량의 처리량을 얻을 수 있다.
이상의 설명에 있어서, 최대샷 사이즈(L)의 변경은 전자 빔(200)의 편향 위치를 소프트웨어 혹은 하드웨어를 이용하여 편향기(205)를 제어함으로써 달성하였지만, 제1 어퍼쳐(203)와 제2 어퍼쳐(206)의 양방, 혹은 어느 한쪽을 바꿈으로써 달성해도 상관없다.
도16은 어퍼쳐를 교환하는 경우를 설명하기 위한 개념도이다.
예를 들어, 복수의 제1 어퍼쳐가 교환 가능하게 배치된 도시하지 않은 제1 어퍼쳐 카세트를 구비하고, 제1 어퍼쳐(213)를 제1 어퍼쳐(223)로 교환함으로써, 개구(214)를 사이즈가 다른 개구(224)로 변경해도 좋다. 예를 들어, 개구 중심의 위치를 동일하게 한 개구(214)의 치수보다도 한 변의 치수가 작은 직사각형 형상의 개구(224)로 교환함으로써 최대샷 사이즈로 성형하는 경우에, 제2 어퍼쳐(216)의 가변 성형 개구(217)에 전자 빔(200)을 조사할 때의 편향량을 작게 할 수 있다. 이러한 경우에는, 편향량을 작게 할 수 있으므로 세틀링 시간을 단축할 수 있어 묘화 시간의 단축을 진행시킬 수 있다.
또한, 예를 들어 복수의 제2 어퍼쳐가 교환 가능하게 배치된 도시하지 않은 제2 어퍼쳐 카세트를 구비하고, 제2 어퍼쳐(216)를 제2 어퍼쳐(226)로 교환함으로써, 가변 성형 개구(217)를 사이즈가 다른 가변 성형 개구(227)로 변경해도 좋다. 예를 들어, 개구 중심의 위치를 동일하게 한 가변 성형 개구(217)의 치수보다도 한 변의 치수가 작은 직사각형 형상의 가변 성형 개구(227)로 교환함으로써, 최대샷 사이즈로 성형하는 경우에 제2 어퍼쳐(216)의 가변 성형 개구(227)에 전자 빔(200)을 조사할 때의 편향량을 작게 할 수 있다. 이러한 경우에는, 편향량을 작게 할 수 있으므로 세틀링 시간을 단축할 수 있어 묘화 시간의 단축을 진행시킬 수 있다.
또한, 제1 어퍼쳐(213)와 제2 어퍼쳐(216)와의 양방을 제1 어퍼쳐(223)와 제2 어퍼쳐(226)로 각각 교환함으로써, 개구 중심의 위치를 동일하게 한 양방의 개구부의 크기가 작아지면, 전자 빔(200)을 조사할 때의 편향량을 보다 작게 할 수 있다. 이러한 경우에는, 편향량을 보다 작게 할 수 있으므로 세틀링 시간을 보다 단 축할 수 있고, 묘화 시간의 단축을 더 진행시킬 수 있다.
여기서, 도16에서는 어퍼쳐 그 자체를 교환하였지만, 동일한 어퍼쳐 내에 복수의 개구를 마련하여, 전자 빔(200)을 조사하는 개구를 교대하도록 구성해도 상관없다.
도17은 개구를 교대하는 어퍼쳐를 설명하기 위한 개념도이다.
도17에 도시한 바와 같이, 제1 어퍼쳐(233)와 제2 어퍼쳐(236)의 양방, 혹은 어느 한 쪽에 사이즈가 다른 개구를 마련하고, 최대샷 사이즈를 변경해도 상관없다. 도17에서는 제1 어퍼쳐(233)에 개구(214)와 사이즈가 다른 개구(224)가 형성되어 있다. 개구(214)와 개구(224)를 교대시켜 구분하여 사용함으로써 최대샷 사이즈를 변경할 수 있다. 마찬가지로, 제2 어퍼쳐(236)에 가변 성형 개구(217)와 사이즈가 다른 가변 성형 개구(227)가 형성되어 있다. 가변 성형 개구(217)와 가변 성형 개구(227)를 교대시켜 구분하여 사용함으로써 최대샷 사이즈를 변경할 수 있다. 개구를 교대하기 위해서는, 어퍼쳐를 도시하지 않은 구동부로 이동시켜도 좋고, 전자 빔(200)의 편향 위치를 제어하여 조사하는 위치를 바꾸어도 좋다.
이상의 설명에 있어서, 제1 어퍼쳐의 개구나 제2 어퍼쳐의 가변 성형 개구는 사각형에 한정되는 것은 아니며, 다른 형상이라도 상관없다. 원하는 샷 형상을 성형할 수 있는 것이면 좋다.
(제2 실시 형태)
제1 실시 형태에서는, 최소의 묘화 시간(T)이 되는 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈(L)를 선택하여 설정하였지만, 최대샷 사이즈(L) 대신에 최대샷 면적(S)을 선택하여 설정해도 좋다. 제2 실시 형태에 있어서의 각 구성은 제1 실시 형태의 각 구성 중,「최대샷 사이즈」를「최대샷 면적」으로 바꾸어 읽은 구성이라도 상관없으므로 설명을 생략한다.
전류 밀도(J)는 단위 면적당의 빔 전류치(I)로 나타낸다. 또한, 상술한 바와 같이, 공간 전하 효과에 의한 빔 흐려짐은 빔 전류치(I)에 의해 좌우된다. 빔 흐려짐이 열화되지 않는 최대의 빔 전류치를 Imax라 하면, 전류 밀도(J)를 고정한 경우, 각 샷에 있어서 공간 전하 효과에 의한 빔 흐려짐을 열화시키지 않는 가장 샷 면적이 커지는 최대샷 면적(S) ＝ Imax/J가 된다. 따라서, Imax/J가 되는 최대샷 면적(S)을 설정하고, 그 이하가 되도록 도형 분할하면, 결과적으로 각 샷에 대해 빔 전류치(I)가 미리 설정된 Imax 이하가 되어 빔 흐려짐을 열화시키지 않도록 할 수 있다. 바꿔 말하면, 허용하는 빔 분해 능력을 얻을 수 있다.
도18은 최대샷 사이즈를 규정하여 묘화하는 경우를 설명하기 위한 도면이다.
도18에 도시한 바와 같이, 최대샷 사이즈(L)를 L1로 설정하여 규정한 경우, L1보다도 작은 폭의 라인 패턴인 경우, 예를 들어 L1의 절반인 경우, x 방향 치수는 L1, y 방향 치수는 L1/2의 샷 도형으로 도형 분할되게 된다. 따라서, 사선부를 샷하기 위해서는 2회의 샷이 필요해진다.
도19는 최대샷 면적을 규정하여 묘화하는 경우를 설명하기 위한 도면이다.
도19에서는, 도18에 있어서의 최대샷 사이즈(L1)를 한 변으로 하는 정사각형 의 면적(S1)을 최대샷 면적(S)으로 설정하여 규정한 경우, L1보다도 작은 폭의 라인 패턴인 경우, 예를 들어 L1이 충분한 경우, 면적(S1)이 되는 샷 도형으로 도형 분할되게 된다. 따라서, 사선부를 샷하기 위해서는 1회의 샷으로 마칠 수 있다.
따라서, 최대샷 사이즈(L) 대신에 최대샷 면적(S)을 규정함으로써, 총 샷수를 감소시킬 수 있다.
도20은 최대샷 면적과 전류 밀도와의 관계를 나타내는 도면이다.
도20에서는 횡축에 전류 밀도(J), 종축에 최대샷 면적(S)을 나타내고 있다. 전류 밀도(J)와 최대샷 면적(S)은 일정한 관계, 즉, 빔 전류치를 미리 설정한 값이 되도록 일정하게 유지하는 관계로 하면, 도20에 도시한 바와 같이 전류 밀도(J)를 크게 해 가면 최대샷 면적(S)이 작아지는 관계가 된다.
도21은 총 샷수와 최대샷 면적과의 관계를 나타내는 도면이다.
도21에서는 횡축에 최대샷 면적(S), 종축에 총 샷수(Nshot)를 나타내고 있다. 상술한 바와 같이 최대샷 면적(S)을 작게 해 가면, 도21에 도시한 바와 같이 임의의 부분까지는 총 샷수(Nshot)는 증가하지 않는 것을 알 수 있다.
도22는 묘화 시간과 전류밀도와의 관계를 나타내는 도면이다.
도22에서는 횡축에 전류 밀도(J), 종축에 묘화 시간(T)을 나타내고 있다. 도21에 나타내는 총 샷수(Nshot)가 증가하지 않는 범위의 최대샷 면적(S)과 이러한 최대샷 면적(S)에 있어서의 도20에 나타내는 전류 밀도(J)를 선택함으로써, 도22에 도시한 바와 같이 전류 밀도(J)를 크게 해 가는 과정에서 묘화 시간(T)이 감소에서 증가로 바뀌는 변곡점에 있어서의 묘화 시간(T)[즉, 최소 묘화 시간(Tmin)]으로 조정할 수 있다. 따라서, 이러한 변곡점에 있어서의 전류 밀도(J)가 처리량을 최량으로 하는 최적의 전류 밀도(Jbest2)가 된다. 그리고, 최적의 전류 밀도(Jbest2)에 있어서의 최대샷 면적(S)이 최적의 최대샷 면적(Sbest)이 된다.
여기서, 최대샷 사이즈(L) 대신에 최대샷 면적(S)을 규정하고 있기 때문에, 총 샷수(Nshot)가 감소하므로 변곡점의 위치를 도22에 도시한 바와 같이 하부로 이행시킬 수 있다. 따라서, 최대샷 면적(S)을 규정함으로써, 최대샷 사이즈(L)를 규정한 경우의 최소 묘화 시간(Tmin1)보다도 단축된 최소 묘화 시간(Tmin2)으로 할 수 있다.
도22에서는 전류 밀도(J)를 변수로 하여 묘화 시간(T)의 변화를 나타냈지만, 최대샷 면적(S)을 변수로 하여 묘화 시간(T)의 변화를 나타내도 상관없다. 전류 밀도(J)와 최대샷 면적(S)은 빔 전류치를 미리 설정한 값이 되도록 일정하게 유지하는 관계로 하고 있으므로, 어느 쪽을 변수로 해도 같은 결과가 성립하게 된다.
따라서, 제2 실시 형태에서는, 입력되는 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 면적을 묘화 시간(T)이 최소치 혹은 최소치 부근이 되도록 선택하고, 묘화부(150)가 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 상기 최대샷 면적 이하의 샷 면적으로 성형하고, 성형 된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화한다. 이러한 구성에 의해, 빔 분해 능력의 열화를 억제하면서 보다 처리량을 향상시킬 수 있다.
(제3 실시 형태)
상술한 각 실시의 형태에서는, 최대샷 사이즈의 2제곱 혹은 최대샷 면적시에서의 면적 영역에 흐르는 빔 전류치(I)가 빔 분해 능력을 열화시키지 않는 빔 전류치가 되도록 전류 밀도를 설정하였지만, 각 샷에서 고찰하면 모든 샷 면적이 최대샷 사이즈의 2제곱의 면적 혹은 최대샷 면적이 되는 것은 아니다. 그래서, 각 샷마다 전류 밀도를 가변하도록 구성하는 것도 적합하다. 가변의 방법으로서는, 시료(101)에 샷되는 빔 전류치(I)가, 각 샷에 있어서 빔 분해 능력을 열화시키지 않는 미리 설정된 빔 전류치(Imax) 이하에서 가능한 한 빔 전류치(Imax)에 가까워지도록 각 샷 사이즈 혹은 각 샷 면적에 따라서 전류 밀도(J)를 가변하는 것이 바람직하다. 각 샷 사이즈 혹은 각 샷 면적에 따라서 전류 밀도(J)를 가변함으로써, 샷 면적이 최대샷 사이즈의 2제곱의 면적 혹은 최대샷 면적보다도 작은 경우에 그 샷의 전류 밀도를 크게 할 수 있다. 그 결과, 샷 시간을 단축할 수 있는 샷이 출현하여 묘화 시간의 단축에 기여할 수 있다. 제3 실시 형태에 있어서의 각 구성은 상술한 각 실시 형태의 각 구성과 마찬가지로 상관없으므로 설명을 생략한다.
(제4 실시 형태)
상술한 각 실시 형태에서는, 묘화되는 패턴의 종류에 상관없이 빔 전류치(Imax)가 미리 일의로 설정된 구성에 대해 설명하였다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다. 하나의 마스크 등의 시료에 묘화되는 패턴 중에는 패턴 정밀도가 불 필요한 것도 있다. 제4 실시 형태에 있어서의 각 구성은 상술한 각 실시 형태의 각 구성과 마찬가지로 상관없기 때문에 설명을 생략한다.
도23은 묘화되는 시료의 일예를 나타내는 도면이다.
마스크 등의 시료(101)에 묘화되는 패턴에는 도23에 도시한 바와 같이 높은 정밀도 레벨이 요구되고, 정밀도의 보상이 요구되는 정밀도 보상 영역(10)과 정밀도 레벨이 낮아도 상관없는 정밀도 보상 외 영역(20)이 있다. 예를 들어, 시료(101)가 웨이퍼 등에 반도체 장치를 형성하기 위한 마스크 등인 경우에는, 반도체회로를 형성하는 부분의 영역에 대해서는 높은 정밀도 레벨이 요구된다. 한편, 마스크를 사용자가 식별하기 위한 식별자 등에 대해서는, 별도로 정밀도가 요구되지 않는다. 정밀도가 요구되지 않는 패턴으로서, 예를 들어 바코드(22)나 숫자나 ID 번호나 날짜나 일련 번호(S/N) 등을 들 수 있다. 도23에서는 일예로서 바코드(22)를 기재하고 있다. 바코드(22)는 바코드 리더로 판독하기 위한 것으로, 사용자의 눈으로 인식할 수 있는 크기라도 상관없다. 또한, 숫자나 ID 번호나 날짜나 일련 번호(S/N) 등은 사용자의 눈으로 직접 인식하는 것이므로 당연히 사용자의 눈으로 인식할 수 있는 크기라도 상관없다. 이러한 크기의 패턴에서는 특히 정밀도가 요구되지 않기 때문에 빔 전류치(Imax)를 크게 할 수 있다. 예를 들어, 정밀도 보상 영역(10)에 이용하는 빔 전류치(Imax)의 2배의 크기라도 상관없다.
그래서, 제4 실시 형태에서는 묘화 영역 혹은 패턴에 따라서 빔 전류치(Imax)를 가변으로 한다. 구해지는 정밀도 레벨에 따라서 가변으로 함으로써, 묘화 시간을 단축할 수 있다.
도24는 제4 실시 형태에 있어서의 흐름도이다.
S1402에 있어서, 묘화 데이터 입력 공정으로서, 묘화 데이터 처리 회로(310)는 패턴 데이터가 되는 묘화 데이터를 입력하는 점은 도15와 마찬가지이다.
S1403에 있어서, 빔 전류치 설정 공정으로서, 묘화 데이터 처리 회로(310)는 빔 전류치를 설정한다. 상술한 각 실시 형태에서는, 묘화되는 패턴의 종류에 관계없이 빔 전류치(Imax)가 미리 일의로 설정되어 있었지만, 제4 실시 형태에서는 묘화 영역, 패턴 종류, 패턴의 정밀도 레벨 등에 따라서 빔 전류치(Imax)를 설정한다.
도25는 대응 테이블의 일예를 나타내는 도면이다.
도25에 도시한 바와 같이, 미리 패턴 명칭 등의 패턴 식별자와 그 패턴에서 이용하는 빔 전류치(Imax)를 대응시킨 대응 테이블(30)을 준비해 둔다. 정밀도 보상 영역(10)을 묘화하는 패턴과 정밀도 보상 외 영역(20)을 묘화하는 패턴의 명칭 등을 구별해 두면 된다. 그리고, 묘화 데이터 처리 회로(310)는 입력된 패턴 데이터로부터 패턴 명칭 등의 패턴 식별자를 추출하여, 대응하는 빔 전류치(Imax)를 설정한다.
S1404에 있어서, 해석 공정의 일부가 되는 전류 밀도 설정 공정으로서, 전류 밀도 설정부(364)는 전류 밀도(J)로서 초기치를 설정한다. 이하, 각 공정은 도15와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
그리고, 패턴에 따라서 빔 전류치(Imax)를 설정함으로써, 선택부(316)는 설정된 빔 전류치(Imax) 이하가 되도록 각 샷 사이즈 혹은 각 샷 면적과 그에 따른 전류 밀도(J)를 선택한다. 바꿔 말하면, 패턴 데이터에 따라서 설정되는 빔 전류치(Imax)를 가변으로 하고, 선택부(316)는 패턴 데이터에 따라서 설정되는 빔 전류치(Imax) 이하가 되도록 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈 혹은 최대샷 면적을 선택한다. 이와 같이, 시료(101)에 복수의 패턴이 묘화되는 경우에, 선택부(316)는 패턴마다 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈 혹은 최대샷 면적을 선택한다. 이상과 같이 구성함으로써, 묘화 시간을 더 단축시킬 수 있다.
도25의 대응 테이블(30)에서는 패턴 명칭 등의 패턴 식별자와 빔 전류치(Imax)를 대응시켰지만 이에 한정되는 것은 아니다.
도26은 대응 테이블의 다른 일예를 나타내는 도면이다.
도26에서는 미리 묘화되는 묘화 영역과 그 영역에서 이용하는 빔 전류치(Imax)를 대응시킨 대응 테이블(30)을 준비해 둔다. 예를 들어, 정밀도 보상 영역(10)과 정밀도 보상 외 영역(20)을 구별해 두면 된다. 그리고, 상술한 빔 전류치 설정 공정에 있어서, 묘화 데이터 처리 회로(310)는 묘화되는 영역으로부터 대응하는 빔 전류치(Imax)를 설정한다.
이상과 같이, 시료(101)의 시료면을 복수의 묘화 영역으로 가상 분할해 두고, 묘화 영역마다 설정되는 빔 전류치(Imax)를 가변으로 한다. 그리고, 선택부(316)는 묘화 영역마다 설정되는 빔 전류치 이하가 되도록 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈 혹은 최대샷 면적을 선택한다. 이상과 같이 구성해도, 묘화 시간을 마찬가지로 단축할 수 있다.
여기서, 도23에서는 정밀도 보상 영역(10)과 정밀도 보상 외 영역(20)으로 나누는 예를 설명하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도2에 도시한 스트라이프 영역마다 설정되는 빔 전류치(Imax)를 가변으로 하여 스트라이프 영역마다 전류치(Imax)를 설정하도록 해도 적합하다. 스트라이프 영역에 의해 패턴의 정밀도 레벨이 다른 경우가 존재하기 때문이다. 이와 같은 묘화 영역마다 설정되는 빔 전류치(Imax)를 가변으로 하여 묘화 영역마다 설정되는 빔 전류치 이하가 되도록 전류 밀도(J)와 최대샷 사이즈 혹은 최대샷 면적을 선택해도 묘화 시간을 단축할 수 있다.
이상과 같이, 상술한 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 장치는 전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라 서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 사이즈를 선택하는 선택부와, 상기 선택부에 의해 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자빔을 각 샷마다 상기 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 발명자들은 패턴 데이터에 따라서 빔 분해 능력의 열화를 억제하면서 처리량을 최적화하는 전류 밀도와 최대샷 사이즈를 발견하였다. 그래서, 묘화하는 패턴 데이터에 따라서 처리량을 보다 최량으로 하는 전류 밀도와 최대샷 사이즈를 선택하고, 이러한 전류 밀도와 최대샷 사이즈에 의해 패턴을 묘화함으로써 최량의 처리량을 실현할 수 있다.
그리고, 선택부에 있어서, 다른 패턴 데이터가 입력되는 경우에도 최대샷 사 이즈 이하로 성형된 전자 빔을 시료에 샷하는 경우의 빔 전류치가 미리 설정된 값 이하가 되도록 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 사이즈를 선택하는 것을 특징으로 한다.
빔 전류치가 미리 설정된 값 이하가 되도록, 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 사이즈를 선택함으로써, 공간 전하 효과에 의한 빔 분해 능력의 열화(흐려짐)를 발생시키지 않도록 할 수 있다.
또한, 상술한 제1 실시 형태의 묘화 방법은, 빔 전류치가 미리 설정된 값 이하가 되는 관계에 있는 전류 밀도와 최대샷 사이즈를 변수로 하여, 패턴 데이터에 따른 묘화 시간의 값을 해석하는 해석 공정과, 상기 해석의 결과를 기초로 하여 묘화 시간의 값이 변곡되는 변곡 영역에 해당하는 전류 밀도와 최대샷 사이즈를 선택하는 선택 공정과, 선택된 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴 데이터에 따른 패턴을 묘화하는 묘화 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
해석 공정에 의해, 묘화 시간의 값의 변화의 모습을 얻을 수 있다. 그리고, 묘화 시간의 값이 변곡되는 변곡 영역에 해당하는 전류 밀도와 최대샷 사이즈를 선택함으로써, 묘화 공정에 있어서의 처리량을 향상시킬 수 있다.
또한, 상술한 제2 실시 형태의 묘화 장치는 전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 면적을 선택하는 선택부와, 상기 선택부에 의해 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 상기 최대샷 면적 이하의 샷 면적으로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 한다.
최대샷 사이즈 대신에 최대샷 면적을 이용함으로써, 후술하는 바와 같이 총 샷수를 줄일 수 있다.
또한, 상술한 제3 실시 형태의 묘화 장치는 샷 사이즈가 가변 성형된 전자 빔을 복수샷함으로써 시료에 소정의 패턴을 묘화하는 묘화 장치에 있어서,
상기 시료에 샷되는 빔 전류치가 각 샷에 있어서 미리 설정된 값 이하가 되도록 각 샷 사이즈에 따라서 전류 밀도를 가변하는 것을 특징으로 한다.
샷마다 전류 밀도를 가변함으로써, 공간 전하 효과를 발생시키지 않는 범위에서 전류 밀도를 가능한 한 크게 할 수 있다. 그 결과, 보다 샷시간을 단축할 수 있다.
이하와 같이 상술한 실시 형태에 따르면, 빔 분해 능력의 열화를 억제하면서 처리량을 보다 최량으로 하는 전류 밀도와 최대샷 사이즈를 이용할 수 있으므로, 최량의 처리량을 실현할 수 있다.
이상의 설명에 있어서,「∼부」라 기재한 것은, 컴퓨터로 동작 가능한 프로그램에 의해 구성해도 상관없다. 혹은, 소프트웨어가 되는 프로그램뿐만 아니라, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 실시하게 해도 상관없다. 혹은, 하드웨어와의 조합이라도 상관없다. 또한, 프로그램에 의해 구성되는 경우, 프로그램은 자기 디스크 장치, 자기 테이프 장치, FD, 혹은 ROM(리드 온리 메모리) 등의 기록 매체에 기록된다. 또한,「∼부」의 동작에서 설명한 입력 데이터 및 출력 데이터는 레 지스터나 메모리 등의 기억 장치에 기억된다. 또한, 각 연산은 가산기 혹은 승산기 등을 이용하여 행하면 된다.
여기서, 제1 실시 형태에 있어서의「최대샷 사이즈」를「최대샷 면적」으로 바꿔 읽은 경우, 전류치 연산부(352)는 빔 전류치(I) ＝ J × L2을 연산하는 것이 아니라, 빔 전류치(I) ＝ J × S를 연산하는 것은 물론이다.
이상, 구체예를 참조하면서 실시 형태에 대해 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이들 구체예에 한정되는 것은 아니다.
또한, 장치 구성이나 제어 수법 등 본 발명의 설명에 직접 필요하지 않은 부분 등에 대해서는 기재를 생략하였지만, 필요해지는 장치 구성이나 제어 수법을 적절하게 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들어, 가변 성형형 EB 노광 장치(100)를 제어하는 제어부 구성에 대해서는 기재를 생략하였지만, 필요해지는 제어부 구성을 적절하게 선택하여 이용하는 것은 물론이다.
그 밖에, 본 발명의 요소를 구비하여, 당업자가 적절하게 설계 변경할 수 있는 모든 묘화 장치 및 묘화 방법은 본 발명의 범위에 포함된다.
본 발명에 따르면, 빔 분해 능력의 열화를 억제하면서 최량의 처리량을 실현하는 묘화 장치 및 방법이 제공된다.

Claims (20)

  1. 삭제
  2. 전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 사이즈를 선택하는 선택부와,
    상기 선택부에 의해 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 각 샷마다 상기 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비하고,
    상기 선택부는 다른 패턴 데이터가 입력되는 경우에도 최대샷 사이즈 이하로 성형된 전자 빔을 시료에 샷하는 경우의 빔 전류치가 미리 설정된 값 이하가 되도록 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 사이즈를 선택하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
  3. 전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 사이즈를 선택하는 선택부와,
    상기 선택부에 의해 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 각 샷마다 상기 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비하고,
    상기 선택부는 묘화하기 위한 빔 전류치가 패턴 데이터에 따라서 설정되는 빔 전류치 이하가 되도록 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 사이즈를 선택하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
  4. 전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 사이즈를 선택하는 선택부와,
    상기 선택부에 의해 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 각 샷마다 상기 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비하고,
    상기 시료면은 복수의 묘화 영역으로 가상 분할되고,
    상기 선택부는 상기 묘화 영역마다 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 사이즈를 선택하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 사이즈를 선택하는 선택부와,
    상기 선택부에 의해 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 각 샷마다 상기 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비하고,
    상기 시료에 복수의 패턴이 묘화되는 경우에,
    상기 선택부는 패턴마다 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 사이즈를 선택하고,
    상기 선택부는 묘화하기 위한 빔 전류치가 패턴마다 설정되는 빔 전류치 이하가 되도록 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 사이즈를 선택하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
  8. 빔 전류치가 미리 설정된 값 이하가 되는 관계에 있는 전류 밀도와 최대샷 사이즈를 변수로 하여 패턴 데이터에 따른 묘화 시간의 값을 해석하고,
    상기 해석의 결과를 기초로 하여 묘화 시간의 값이 변곡되는 변곡 영역에 해당하는 전류 밀도와 최대샷 사이즈를 선택하고,
    선택된 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 사이즈 이하의 샷 사이즈로 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴 데이터에 따른 패턴을 묘화하는 것을 특징으로 하는 묘화 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 면적을 선택하는 선택부와,
    상기 선택부에 의해 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 상기 최대샷 면적 이하의 샷 면적으로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비하고,
    상기 선택부는 다른 패턴 데이터가 입력되는 경우에도 최대샷 면적 이하로 성형된 전자 빔을 시료에 샷하는 경우의 빔 전류치가 미리 설정된 값 이하가 되도록 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 면적을 선택하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
  15. 전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 면적을 선택하는 선택부와,
    상기 선택부에 의해 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 상기 최대샷 면적 이하의 샷 면적으로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비하고,
    상기 선택부는 묘화하기 위한 빔 전류치가 패턴 데이터에 따라서 설정되는 빔 전류치 이하가 되도록 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 면적을 선택하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
  16. 전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 면적을 선택하는 선택부와,
    상기 선택부에 의해 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 상기 최대샷 면적 이하의 샷 면적으로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비하고,
    상기 시료면은 복수의 묘화 영역으로 가상 분할되고,
    상기 선택부는 상기 묘화 영역마다 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 면적을 선택하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 전자 빔이 복수샷됨으로써 묘화되는 패턴의 패턴 데이터를 입력하고, 입력된 패턴 데이터에 따라서 샷하는 상기 전자 빔의 전류 밀도와 샷하는 최대샷 면적을 선택하는 선택부와,
    상기 선택부에 의해 선택된 상기 전류 밀도로 상기 전자 빔을 형성하고, 형성된 전자 빔을 상기 최대샷 면적 이하의 샷 면적으로 성형하고, 성형된 전자 빔을 시료에 샷하여 상기 패턴을 묘화하는 묘화부를 구비하고,
    상기 시료에 복수의 패턴이 묘화되는 경우에,
    상기 선택부는 패턴마다 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 면적을 선택하고,
    상기 선택부는 묘화하기 위한 빔 전류치가 패턴마다 설정되는 빔 전류치 이하가 되도록 상기 전류 밀도와 상기 최대샷 면적을 선택하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
  20. 샷 사이즈가 가변 성형된 전자 빔을 복수샷함으로써 시료에 소정의 패턴을 묘화하는 묘화 장치에 있어서,
    상기 시료에 샷되는 빔 전류치가 각 샷에 있어서 미리 설정된 값 이하가 되도록 각 샷 사이즈에 따라서 전류 밀도를 가변하는 것을 특징으로 하는 묘화 장치.
KR1020060061727A 2005-07-04 2006-07-03 묘화 장치 및 묘화 방법 KR100782702B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00194771 2005-07-04
JP2005194771 2005-07-04
JP2006111315A JP2007043078A (ja) 2005-07-04 2006-04-13 描画装置及び描画方法
JPJP-P-2006-00111315 2006-04-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070004433A KR20070004433A (ko) 2007-01-09
KR100782702B1 true KR100782702B1 (ko) 2007-12-07

Family

ID=37563670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060061727A KR100782702B1 (ko) 2005-07-04 2006-07-03 묘화 장치 및 묘화 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7485879B2 (ko)
JP (1) JP2007043078A (ko)
KR (1) KR100782702B1 (ko)
DE (1) DE102006030837B4 (ko)
TW (1) TWI366862B (ko)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4881074B2 (ja) * 2006-05-30 2012-02-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電ビーム描画装置の描画回路自己診断方法および荷電ビーム描画装置
JP4932433B2 (ja) * 2006-11-02 2012-05-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
US8039176B2 (en) 2009-08-26 2011-10-18 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography
US8669023B2 (en) 2008-09-01 2014-03-11 D2S, Inc. Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using shaped beam lithography
JP5525739B2 (ja) 2008-09-16 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
DE112009003508T5 (de) * 2009-03-27 2012-05-31 Advantest Corporation Elektronenstrahl-Lithographiegerät und Elektronenstrahl-Lithographieverfahren
TWI496182B (zh) * 2009-08-26 2015-08-11 D2S Inc 以可變束模糊技術使用帶電粒子束微影術製造表面之方法及系統
US9448473B2 (en) 2009-08-26 2016-09-20 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US9164372B2 (en) 2009-08-26 2015-10-20 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US20110089345A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-21 D2S, Inc. Method and system for manufacturing a surface using charged particle beam lithography
JP5662756B2 (ja) * 2010-10-08 2015-02-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5833401B2 (ja) * 2011-09-30 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法
US8638498B2 (en) 2012-01-04 2014-01-28 David D. Bohn Eyebox adjustment for interpupillary distance
US9726887B2 (en) 2012-02-15 2017-08-08 Microsoft Technology Licensing, Llc Imaging structure color conversion
US9297996B2 (en) 2012-02-15 2016-03-29 Microsoft Technology Licensing, Llc Laser illumination scanning
US9779643B2 (en) 2012-02-15 2017-10-03 Microsoft Technology Licensing, Llc Imaging structure emitter configurations
US9368546B2 (en) 2012-02-15 2016-06-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Imaging structure with embedded light sources
JP5896775B2 (ja) 2012-02-16 2016-03-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法
TWI489222B (zh) 2012-02-16 2015-06-21 Nuflare Technology Inc Electron beam rendering device and electron beam rendering method
US9134807B2 (en) 2012-03-02 2015-09-15 Microsoft Technology Licensing, Llc Pressure sensitive key normalization
US9075566B2 (en) 2012-03-02 2015-07-07 Microsoft Technoogy Licensing, LLC Flexible hinge spine
US9578318B2 (en) 2012-03-14 2017-02-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Imaging structure emitter calibration
JP5970213B2 (ja) 2012-03-19 2016-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US11068049B2 (en) 2012-03-23 2021-07-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Light guide display and field of view
US9558590B2 (en) 2012-03-28 2017-01-31 Microsoft Technology Licensing, Llc Augmented reality light guide display
US10191515B2 (en) 2012-03-28 2019-01-29 Microsoft Technology Licensing, Llc Mobile device light guide display
US9717981B2 (en) 2012-04-05 2017-08-01 Microsoft Technology Licensing, Llc Augmented reality and physical games
US10502876B2 (en) 2012-05-22 2019-12-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Waveguide optics focus elements
JP5894856B2 (ja) * 2012-05-22 2016-03-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US8989535B2 (en) 2012-06-04 2015-03-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Multiple waveguide imaging structure
US10192358B2 (en) 2012-12-20 2019-01-29 Microsoft Technology Licensing, Llc Auto-stereoscopic augmented reality display
JP6219747B2 (ja) 2014-02-25 2017-10-25 日本電子株式会社 荷電粒子線描画装置
JP6349944B2 (ja) * 2014-05-13 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
US10324733B2 (en) 2014-07-30 2019-06-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Shutdown notifications
US9304235B2 (en) 2014-07-30 2016-04-05 Microsoft Technology Licensing, Llc Microfabrication
US20160035539A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Lauri SAINIEMI Microfabrication
US10678412B2 (en) 2014-07-31 2020-06-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamic joint dividers for application windows
US10254942B2 (en) 2014-07-31 2019-04-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Adaptive sizing and positioning of application windows
US9787576B2 (en) 2014-07-31 2017-10-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Propagating routing awareness for autonomous networks
US10592080B2 (en) 2014-07-31 2020-03-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Assisted presentation of application windows
US9513480B2 (en) 2015-02-09 2016-12-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Waveguide
US10018844B2 (en) 2015-02-09 2018-07-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Wearable image display system
US9535253B2 (en) 2015-02-09 2017-01-03 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9423360B1 (en) 2015-02-09 2016-08-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
US9372347B1 (en) 2015-02-09 2016-06-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9827209B2 (en) 2015-02-09 2017-11-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9429692B1 (en) 2015-02-09 2016-08-30 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
US11086216B2 (en) 2015-02-09 2021-08-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Generating electronic components
US10317677B2 (en) 2015-02-09 2019-06-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
JP2016184605A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法
JP6199482B1 (ja) * 2016-01-21 2017-09-20 技術研究組合次世代３Ｄ積層造形技術総合開発機構 ３次元造形装置、３次元造形装置の制御方法および３次元造形装置の制御プログラム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04171714A (ja) * 1990-11-05 1992-06-18 Hitachi Ltd 電子線描画装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5546553A (en) 1978-09-28 1980-04-01 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method of projecting electron beam
JPS5632726A (en) 1979-08-24 1981-04-02 Jeol Ltd Method for electron beam lithography
JPS5957431A (ja) * 1982-09-27 1984-04-03 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム露光装置
JPH0622197B2 (ja) 1983-05-13 1994-03-23 株式会社日立製作所 描画方法および装置
JPS62242329A (ja) * 1986-04-14 1987-10-22 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画装置
JPH01276719A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光装置
JPH03173119A (ja) 1989-12-01 1991-07-26 Hitachi Ltd 電子線描画装置
JPH08162384A (ja) * 1994-12-01 1996-06-21 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光装置
JPH09189992A (ja) * 1996-01-09 1997-07-22 Fujitsu Ltd 透過孔マスク、その形成方法、及び電子ビーム露光方法
JP3082662B2 (ja) * 1996-03-28 2000-08-28 日本電気株式会社 荷電ビーム露光装置および露光方法
JPH10302685A (ja) 1997-04-24 1998-11-13 Ise Electronics Corp 蛍光表示管
JPH11219879A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Toshiba Corp 電子ビーム露光方法と電子ビーム露光装置
JPH11274032A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Toshiba Corp 荷電ビーム描画装置用偏向アンプの特性測定方法
JP3116914B2 (ja) 1998-08-12 2000-12-11 日本電気株式会社 荷電粒子線露光装置および直描用マスク並びに描画方法
JP3807909B2 (ja) 2000-09-01 2006-08-09 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置
JP3577026B2 (ja) * 2001-11-02 2004-10-13 株式会社東芝 電子ビーム描画装置、電子ビーム描画装置の調整方法及び電子ビーム描画方法
US6903355B2 (en) 2002-06-26 2005-06-07 Advantest Corporation Electron beam exposure apparatus, electron beam method, semiconductor device manufacturing method, mask, and mask manufacturing method
JP2004304031A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Toshiba Corp マスクスキャン描画方法
JP2005026486A (ja) * 2003-07-03 2005-01-27 Nikon Corp 荷電粒子線露光転写におけるパターン形状の推定方法、及び荷電粒子線露光転写に使用するレチクルパターンの決定方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04171714A (ja) * 1990-11-05 1992-06-18 Hitachi Ltd 電子線描画装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20070023703A1 (en) 2007-02-01
JP2007043078A (ja) 2007-02-15
DE102006030837A1 (de) 2007-01-18
TWI366862B (en) 2012-06-21
KR20070004433A (ko) 2007-01-09
US7485879B2 (en) 2009-02-03
TW200710594A (en) 2007-03-16
DE102006030837B4 (de) 2013-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100782702B1 (ko) 묘화 장치 및 묘화 방법
KR102357185B1 (ko) 컨볼루션 커널을 사용한 입자 빔 기록기의 주문제작
KR100807957B1 (ko) 빔 조사량 연산 방법, 묘화 방법, 기록 매체 및 묘화 장치
KR101595786B1 (ko) 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법
JP4870437B2 (ja) 偏向収差補正電圧の演算方法及び荷電粒子ビーム描画方法
KR20130094747A (ko) 전자빔 묘화 장치 및 전자빔 묘화 방법
USRE47707E1 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
KR20210099516A (ko) 멀티―빔 라이터의 블러 변화 보정
JP2009038055A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP3816815B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光データ作成方法
KR101670976B1 (ko) 세틀링 시간의 취득 방법
US10504686B2 (en) Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus
KR100379290B1 (ko) 전자빔 노광용 마스크와 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR20190133110A (ko) 전자 빔 조사 방법, 전자 빔 조사 장치 및 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 비일시적인 기록 매체
KR101770388B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 장치의 평가 방법
KR100264191B1 (ko) 하전 입자빔을 사용하는 패턴 드로잉 방법 및 장치
KR100952026B1 (ko) 전자 빔 묘화 장치 및 전자 빔 묘화 방법
JP2007123384A (ja) 描画方法及び描画装置
KR101718610B1 (ko) 전자빔 묘화 장치 및 전자빔 묘화 방법
US6114709A (en) Electron-beam transfer-exposure apparatus and method
JP7087964B2 (ja) セトリング時間の取得方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP4939076B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法
JPH07161605A (ja) 荷電粒子ビーム露光方法及び装置並びに透過マスク板
JP2005302868A (ja) 電子ビーム描画方法および装置
TW202307699A (zh) 資料生成方法，帶電粒子束照射裝置及電腦可讀取記錄媒體

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120817

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141103

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161028

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee