JPH08162384A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
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- JPH08162384A JPH08162384A JP29812394A JP29812394A JPH08162384A JP H08162384 A JPH08162384 A JP H08162384A JP 29812394 A JP29812394 A JP 29812394A JP 29812394 A JP29812394 A JP 29812394A JP H08162384 A JPH08162384 A JP H08162384A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 僅かなビームサイズの変動及び電流値のノイ
ズの増減を高精度に検出して、パターンサイズずれ等を
生じることなく、サブミクロンのパターンを高精度で、
かつ高信頼に露光することができる。 【構成】 電子ビームを矩形または任意の形状の像に成
形する成形偏向器と、基板上に電子ビームを収束投影す
る投影レンズと、電子ビームを基板上に偏向走査する偏
向器とを有し、かつ成形した像を収束投影するととも
に、偏向走査して基板上に描画する電子ビーム露光装置
において、細長いスリットサイズの電流値を一定時間毎
に測定する測定手段と、測定した電流値の変化に基づい
て露光状態を判定する判定手段とを有する。
ズの増減を高精度に検出して、パターンサイズずれ等を
生じることなく、サブミクロンのパターンを高精度で、
かつ高信頼に露光することができる。 【構成】 電子ビームを矩形または任意の形状の像に成
形する成形偏向器と、基板上に電子ビームを収束投影す
る投影レンズと、電子ビームを基板上に偏向走査する偏
向器とを有し、かつ成形した像を収束投影するととも
に、偏向走査して基板上に描画する電子ビーム露光装置
において、細長いスリットサイズの電流値を一定時間毎
に測定する測定手段と、測定した電流値の変化に基づい
て露光状態を判定する判定手段とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム露光装置に
係り、詳しくは、微細なＩＣを描画する電子ビーム露光
技術に適用することができ、特に、僅かなビームサイズ
の変動及び電流値のノイズの増減を高精度に検出して、
パターンサイズずれ等を生じることなく、サブミクロン
のパターンを高精度で、かつ高信頼に露光することがで
きる電子ビーム露光装置に関する。
係り、詳しくは、微細なＩＣを描画する電子ビーム露光
技術に適用することができ、特に、僅かなビームサイズ
の変動及び電流値のノイズの増減を高精度に検出して、
パターンサイズずれ等を生じることなく、サブミクロン
のパターンを高精度で、かつ高信頼に露光することがで
きる電子ビーム露光装置に関する。
【０００２】微細ＩＣを描画する描画装置には、電子ビ
ーム露光装置が使用されている。近年、ＩＣには、より
微細なパターンが要求されている。このため、電子ビー
ム露光装置は、微細なＩＣパターンを高速に精度良く露
光することができ、信頼性の高いものが要求されてい
る。ＩＣパターン精度を決める要因には、各種挙げられ
るが、特に細長い電子ビームを精度良く安定に形成する
ことが重要となっている。そこで、微細パターンを精度
良く安定に形成することができる電子ビーム露光装置が
要求されている。
ーム露光装置が使用されている。近年、ＩＣには、より
微細なパターンが要求されている。このため、電子ビー
ム露光装置は、微細なＩＣパターンを高速に精度良く露
光することができ、信頼性の高いものが要求されてい
る。ＩＣパターン精度を決める要因には、各種挙げられ
るが、特に細長い電子ビームを精度良く安定に形成する
ことが重要となっている。そこで、微細パターンを精度
良く安定に形成することができる電子ビーム露光装置が
要求されている。
【０００３】
【従来の技術】従来、電子ビーム露光装置は、マスク、
レチクル、ウェハ等の基板上に露光を行う場合、例え
ば、ウェハの露光を開始する前に、ビームの大きさやビ
ーム出力電流値等を決めるためにビーム調整を行い、そ
の後露光を行っている。ウェハを露光する途中工程にお
いては、一定時間（例えば３分）毎に変動するビーム電
流値を検知するために一定時間（例えば３分）毎にビー
ム電流値の測定を行い、レジスト感光に必要なドーズ量
を正しく決めるために電子ビームの電流密度を測定し、
ドーズ量を調整して露光を行っている。
レチクル、ウェハ等の基板上に露光を行う場合、例え
ば、ウェハの露光を開始する前に、ビームの大きさやビ
ーム出力電流値等を決めるためにビーム調整を行い、そ
の後露光を行っている。ウェハを露光する途中工程にお
いては、一定時間（例えば３分）毎に変動するビーム電
流値を検知するために一定時間（例えば３分）毎にビー
ム電流値の測定を行い、レジスト感光に必要なドーズ量
を正しく決めるために電子ビームの電流密度を測定し、
ドーズ量を調整して露光を行っている。
【０００４】例えば、４μｍ□の電子ビームを出し、電
子ビームの電流密度の測定を行うことにより、ビーム電
流値の変化に応じて、ドーズ量を調整することができ
る。
子ビームの電流密度の測定を行うことにより、ビーム電
流値の変化に応じて、ドーズ量を調整することができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の電子ビーム露光装置では、ウェハを露光する際、４μ
ｍ□の電子ビームを出し、電子ビームの電流密度の測定
を行い、ビーム電流値の変化に応じて、ドーズ量を調整
して露光することができるが、僅かなビームサイズの変
動や電流値のノイズの増減を検知する機能を有していな
かったため、電子ビームのスリットサイズの僅かな変動
による僅かなビームサイズの変動や電流値のノイズの増
減を検知することが困難である。
の電子ビーム露光装置では、ウェハを露光する際、４μ
ｍ□の電子ビームを出し、電子ビームの電流密度の測定
を行い、ビーム電流値の変化に応じて、ドーズ量を調整
して露光することができるが、僅かなビームサイズの変
動や電流値のノイズの増減を検知する機能を有していな
かったため、電子ビームのスリットサイズの僅かな変動
による僅かなビームサイズの変動や電流値のノイズの増
減を検知することが困難である。
【０００６】このため、サブミクロンのパターンを露光
した場合には、僅かな電流値変動やビームサイズの変動
が生じると、パターンがかすれたり、パターンサイズが
細くなったりするという問題があった。そこで、本発明
は、僅かなビームサイズの変動及び電流値のノイズの増
減を高精度に検出して、パターンサイズずれ等を生じる
ことなく、サブミクロンのパターンを高精度で、かつ高
信頼に露光することができる電子ビーム露光装置を提供
することを目的としている。
した場合には、僅かな電流値変動やビームサイズの変動
が生じると、パターンがかすれたり、パターンサイズが
細くなったりするという問題があった。そこで、本発明
は、僅かなビームサイズの変動及び電流値のノイズの増
減を高精度に検出して、パターンサイズずれ等を生じる
ことなく、サブミクロンのパターンを高精度で、かつ高
信頼に露光することができる電子ビーム露光装置を提供
することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
電子ビームを矩形または任意の形状の像に成形する成形
偏向器と、基板上に電子ビームを収束投影する投影レン
ズと、電子ビームを基板上に偏向走査する偏向器とを有
し、かつ成形した像を収束投影するとともに、偏向走査
して基板上に描画する電子ビーム露光装置において、細
長いスリットサイズの電流値を一定時間毎に測定する測
定手段と、測定した電流値の変化に基づいて露光状態を
判定する判定手段とを有することを特徴とするものであ
る。
電子ビームを矩形または任意の形状の像に成形する成形
偏向器と、基板上に電子ビームを収束投影する投影レン
ズと、電子ビームを基板上に偏向走査する偏向器とを有
し、かつ成形した像を収束投影するとともに、偏向走査
して基板上に描画する電子ビーム露光装置において、細
長いスリットサイズの電流値を一定時間毎に測定する測
定手段と、測定した電流値の変化に基づいて露光状態を
判定する判定手段とを有することを特徴とするものであ
る。
【０００８】請求項２記載の発明は、電子ビームを矩形
または任意の形状の像に成形する成形偏向器と、基板上
に電子ビームを収束投影する投影レンズと、電子ビーム
を基板上に偏向走査する偏向器とを有し、かつ成形した
像を収束投影するとともに、偏向走査して基板上に描画
する電子ビーム露光装置において、細長いスリットサイ
ズの電流値の微分値を一定時間毎に測定する測定手段
と、測定した電流値の微分値の変化に基づいて露光状態
を判定する判定手段とを有することを特徴とするもので
ある。
または任意の形状の像に成形する成形偏向器と、基板上
に電子ビームを収束投影する投影レンズと、電子ビーム
を基板上に偏向走査する偏向器とを有し、かつ成形した
像を収束投影するとともに、偏向走査して基板上に描画
する電子ビーム露光装置において、細長いスリットサイ
ズの電流値の微分値を一定時間毎に測定する測定手段
と、測定した電流値の微分値の変化に基づいて露光状態
を判定する判定手段とを有することを特徴とするもので
ある。
【０００９】請求項３記載の発明は、電子ビームを矩形
または任意の形状の像に成形する成形偏向器と、基板上
に電子ビームを収束投影する投影レンズと、電子ビーム
を基板上に偏向走査する偏向器とを有し、かつ成形した
像を収束投影するとともに、偏向走査して基板上に描画
する電子ビーム露光装置において、Ｘ方向及びＹ方向に
細長いスリットサイズの電流値を一定時間毎に測定する
測定手段と、測定したＸ方向及びＹ方向の各々の電流値
の差の変化に基づいて露光状態を判定する判定手段とを
有することを特徴とするものである。
または任意の形状の像に成形する成形偏向器と、基板上
に電子ビームを収束投影する投影レンズと、電子ビーム
を基板上に偏向走査する偏向器とを有し、かつ成形した
像を収束投影するとともに、偏向走査して基板上に描画
する電子ビーム露光装置において、Ｘ方向及びＹ方向に
細長いスリットサイズの電流値を一定時間毎に測定する
測定手段と、測定したＸ方向及びＹ方向の各々の電流値
の差の変化に基づいて露光状態を判定する判定手段とを
有することを特徴とするものである。
【００１０】請求項４記載の発明は、電子ビームを矩形
または任意の形状の像に成形する成形偏向器と、基板上
に電子ビームを収束投影する投影レンズと、電子ビーム
を基板上に偏向走査する偏向器とを有し、かつ成形した
像を収束投影するとともに、偏向走査して基板上に描画
する電子ビーム露光装置において、Ｘ方向及びＹ方向に
細長いスリットサイズの電流値の微分値を一定時間毎に
測定する測定手段と、測定したＸ方向及びＹ方向の各々
の電流値の微分値の差の変化に基づいて露光状態を判定
する判定手段とを有することを特徴とするものである。
または任意の形状の像に成形する成形偏向器と、基板上
に電子ビームを収束投影する投影レンズと、電子ビーム
を基板上に偏向走査する偏向器とを有し、かつ成形した
像を収束投影するとともに、偏向走査して基板上に描画
する電子ビーム露光装置において、Ｘ方向及びＹ方向に
細長いスリットサイズの電流値の微分値を一定時間毎に
測定する測定手段と、測定したＸ方向及びＹ方向の各々
の電流値の微分値の差の変化に基づいて露光状態を判定
する判定手段とを有することを特徴とするものである。
【００１１】請求項５記載の発明は、電子ビームを矩形
または任意の形状の像に成形する成形偏向器と、基板上
に電子ビームを収束投影する投影レンズと、電子ビーム
を基板上に偏向走査する偏向器とを有し、かつ成形した
像を収束投影するとともに、偏向走査して基板上に描画
する電子ビーム露光装置において、細長いスリットサイ
ズのｎ（正の整数）回目とｎ＋１回目の電流値を各々Ｉ
ｎ，Ｉn+1 とした時の｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値を一定時間毎
に測定する測定手段と、測定した｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値の
変化に基づいて露光状態を判定する判定手段とを有する
ことを特徴とするものである。
または任意の形状の像に成形する成形偏向器と、基板上
に電子ビームを収束投影する投影レンズと、電子ビーム
を基板上に偏向走査する偏向器とを有し、かつ成形した
像を収束投影するとともに、偏向走査して基板上に描画
する電子ビーム露光装置において、細長いスリットサイ
ズのｎ（正の整数）回目とｎ＋１回目の電流値を各々Ｉ
ｎ，Ｉn+1 とした時の｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値を一定時間毎
に測定する測定手段と、測定した｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値の
変化に基づいて露光状態を判定する判定手段とを有する
ことを特徴とするものである。
【００１２】請求項６記載の発明は、電子ビームを矩形
または任意の形状の像に成形する成形偏向器と、基板上
に電子ビームを収束投影する投影レンズと、電子ビーム
を基板上に偏向走査する偏向器とを有し、かつ成形した
像を収束投影するとともに、偏向走査して基板上に描画
する電子ビーム露光装置において、Ｘ方向及びＹ方向に
細長いスリットサイズのｎ（正の整数）回目とｎ＋１回
目の電流値をＩｎ，Ｉ n+1 とした時の｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜
値を一定時間毎に測定する測定手段と、測定したＸ方向
及びＹ方向の各々の｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値の差の変化に基
づいて露光状態を判定する判定手段とを有することを特
徴とするものである。
または任意の形状の像に成形する成形偏向器と、基板上
に電子ビームを収束投影する投影レンズと、電子ビーム
を基板上に偏向走査する偏向器とを有し、かつ成形した
像を収束投影するとともに、偏向走査して基板上に描画
する電子ビーム露光装置において、Ｘ方向及びＹ方向に
細長いスリットサイズのｎ（正の整数）回目とｎ＋１回
目の電流値をＩｎ，Ｉ n+1 とした時の｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜
値を一定時間毎に測定する測定手段と、測定したＸ方向
及びＹ方向の各々の｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値の差の変化に基
づいて露光状態を判定する判定手段とを有することを特
徴とするものである。
【００１３】請求項７記載の発明は、上記請求項１乃至
５記載の発明において、前記細長いスリットサイズの短
辺の長さは、長辺の長さの２分の１以下であることを特
徴とするものである。請求項８記載の発明は、上記請求
項１乃至５記載の発明において、前記細長いスリットサ
イズの短辺の長さは、１．０μｍ以下であることを特徴
とするものである。
５記載の発明において、前記細長いスリットサイズの短
辺の長さは、長辺の長さの２分の１以下であることを特
徴とするものである。請求項８記載の発明は、上記請求
項１乃至５記載の発明において、前記細長いスリットサ
イズの短辺の長さは、１．０μｍ以下であることを特徴
とするものである。
【００１４】請求項９記載の発明は、上記請求項１乃至
８記載の発明において、前記細長いスリットサイズの短
辺及び長辺の長さは、各々が同一の縦長ビーム、横長ビ
ームであることを特徴とするものである。請求項１０記
載の発明は、上記請求項１乃至９記載の発明において、
前記ビームは、面積の等しいビームであることを特徴と
するものである。
８記載の発明において、前記細長いスリットサイズの短
辺及び長辺の長さは、各々が同一の縦長ビーム、横長ビ
ームであることを特徴とするものである。請求項１０記
載の発明は、上記請求項１乃至９記載の発明において、
前記ビームは、面積の等しいビームであることを特徴と
するものである。
【００１５】
【作用】本発明では、細長いスリットサイズの電流値と
その電流値の微分値を一定時間毎に測定し、測定した測
定電流値と測定電流微分値の変化によって露光状態を判
定するように構成する。このため、製品の良品、露光の
継続、中止を判定することができる。しかも、電子ビー
ムのスリットサイズの僅かな変動、電流値変動及びノイ
ズの発生を高精度に検出することができるため、パター
ンサイズずれ等を生じることなく、サブミクロンパター
ンを高精度で、かつ高信頼で露光することができる。
その電流値の微分値を一定時間毎に測定し、測定した測
定電流値と測定電流微分値の変化によって露光状態を判
定するように構成する。このため、製品の良品、露光の
継続、中止を判定することができる。しかも、電子ビー
ムのスリットサイズの僅かな変動、電流値変動及びノイ
ズの発生を高精度に検出することができるため、パター
ンサイズずれ等を生じることなく、サブミクロンパター
ンを高精度で、かつ高信頼で露光することができる。
【００１６】本発明では、Ｘ方向及びＹ方向に細長いス
リットサイズの電流値とその電流値の微分値を一定時間
毎に測定し、測定したＸ方向及びＹ方向の各々の測定電
流値の差（横長ビーム−縦長ビーム）と測定電流微分値
の差の変化によって露光状態を判定するように構成して
いる。このため、製品の良品、露光の継続、中止を判定
することができる。しかも、電子ビームのスリットサイ
ズの僅かな変動、電流値変動及びノイズの発生を高精度
に検出することができるため、パターンサイズずれ等を
生じることなく、サブミクロンパターンを高精度で、か
つ高信頼で露光することができる。
リットサイズの電流値とその電流値の微分値を一定時間
毎に測定し、測定したＸ方向及びＹ方向の各々の測定電
流値の差（横長ビーム−縦長ビーム）と測定電流微分値
の差の変化によって露光状態を判定するように構成して
いる。このため、製品の良品、露光の継続、中止を判定
することができる。しかも、電子ビームのスリットサイ
ズの僅かな変動、電流値変動及びノイズの発生を高精度
に検出することができるため、パターンサイズずれ等を
生じることなく、サブミクロンパターンを高精度で、か
つ高信頼で露光することができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例１）図１は本発明に係る実施例１の電子ビーム
露光装置における測定系の構成を示すブロック図であ
る。図示例の測定系は、電子ビームを矩形または任意の
形状の像に成形する偏向器と、基板上に電子ビームを収
束投影する投影レンズと、電子ビームを基板上に偏向走
査する偏向器とを有し、かつ成形した像を収束投影する
とともに、偏向走査して基板上に描画する電子ビーム露
光装置に適用する場合である。
する。 （実施例１）図１は本発明に係る実施例１の電子ビーム
露光装置における測定系の構成を示すブロック図であ
る。図示例の測定系は、電子ビームを矩形または任意の
形状の像に成形する偏向器と、基板上に電子ビームを収
束投影する投影レンズと、電子ビームを基板上に偏向走
査する偏向器とを有し、かつ成形した像を収束投影する
とともに、偏向走査して基板上に描画する電子ビーム露
光装置に適用する場合である。
【００１８】まず、図１に示す如く、第１スリット１を
通過してきた電子ビームは、偏向器で偏向させて０．４
μｍ×４μｍの細長いスリットサイズのビームになるよ
うに第２スリット３を通過させる。ここで、偏向器は、
第２スリット３から所定の電圧が印加されたＣＰＵ４に
より駆動させる。次に、細長いスリットサイズの通過ビ
ーム６の電流値を一定時間（例えば分）毎にファラデー
カップ７を通して電流計８で測定し、この測定した電流
計８の出力をデータ処理回路９で記録する。
通過してきた電子ビームは、偏向器で偏向させて０．４
μｍ×４μｍの細長いスリットサイズのビームになるよ
うに第２スリット３を通過させる。ここで、偏向器は、
第２スリット３から所定の電圧が印加されたＣＰＵ４に
より駆動させる。次に、細長いスリットサイズの通過ビ
ーム６の電流値を一定時間（例えば分）毎にファラデー
カップ７を通して電流計８で測定し、この測定した電流
計８の出力をデータ処理回路９で記録する。
【００１９】次に、データ処理回路９により電流測定値
から電流測定微分値を算出した後、電流測定値と電流測
定微分値を記録計１０に図２に示す如く、出力する。そ
して、図２に示す電流測定値と電流測定微分値の各々の
変動から、露光状態（電子ビームの安定度）を判定し、
ＣＰＵ４と信号の遣り取りを行い、露光停止、露光継
続、スリットサイズのビーム調整の判定を行う。また、
電子ビーム露光装置自身に対しても、ビーム量の調整、
光学系の調整等を適宜行う。
から電流測定微分値を算出した後、電流測定値と電流測
定微分値を記録計１０に図２に示す如く、出力する。そ
して、図２に示す電流測定値と電流測定微分値の各々の
変動から、露光状態（電子ビームの安定度）を判定し、
ＣＰＵ４と信号の遣り取りを行い、露光停止、露光継
続、スリットサイズのビーム調整の判定を行う。また、
電子ビーム露光装置自身に対しても、ビーム量の調整、
光学系の調整等を適宜行う。
【００２０】このように、本実施例では、細長いスリッ
トサイズの電流値とその電流値の微分値を一定時間毎に
測定し、測定した測定電流値と測定電流微分値の変化に
よって露光状態を判定するように構成している。このた
め、製品の良品、露光の継続、中止を判定することがで
きる。しかも、電子ビームのスリットサイズの僅かな変
動、電流値変動及びノイズの発生を高精度に検出するこ
とができるため、パターンサイズずれ等を生じることな
く、サブミクロンパターンを高精度で、かつ高信頼で露
光することができる。 （実施例２）本実施例も、図１と同様な測定系を用い
る。ここでは、図１の測定系を用いて説明する。図示例
の測定系は、前述した如く、電子ビームを矩形または任
意の形状の像に成形する偏向器と、基板上に電子ビーム
を収束投影する投影レンズと、電子ビームを基板上に偏
向走査する偏向器とを有し、かつ成形した像を収束投影
するとともに、偏向走査して基板上に描画する電子ビー
ム露光装置に適用する場合である。
トサイズの電流値とその電流値の微分値を一定時間毎に
測定し、測定した測定電流値と測定電流微分値の変化に
よって露光状態を判定するように構成している。このた
め、製品の良品、露光の継続、中止を判定することがで
きる。しかも、電子ビームのスリットサイズの僅かな変
動、電流値変動及びノイズの発生を高精度に検出するこ
とができるため、パターンサイズずれ等を生じることな
く、サブミクロンパターンを高精度で、かつ高信頼で露
光することができる。 （実施例２）本実施例も、図１と同様な測定系を用い
る。ここでは、図１の測定系を用いて説明する。図示例
の測定系は、前述した如く、電子ビームを矩形または任
意の形状の像に成形する偏向器と、基板上に電子ビーム
を収束投影する投影レンズと、電子ビームを基板上に偏
向走査する偏向器とを有し、かつ成形した像を収束投影
するとともに、偏向走査して基板上に描画する電子ビー
ム露光装置に適用する場合である。
【００２１】まず、図１に示す如く、第１スリット１を
通過してきた電子ビームは、偏向器で偏向させて０．４
μｍ×４μｍのＸ方向及びＹ方向に細長いスリットサイ
ズのビームになるように第２スリット３を通過させる。
ここで、偏向器は、第２スリット３から所定の電圧が印
加されたＣＰＵ４により駆動させる。次に、細長いスリ
ットサイズの通過ビーム６の電流値を一定時間（例えば
分）毎にファラデーカップ７を通して電流計８で測定
し、この測定した電流計８の出力をデータ処理回路９で
記録する。
通過してきた電子ビームは、偏向器で偏向させて０．４
μｍ×４μｍのＸ方向及びＹ方向に細長いスリットサイ
ズのビームになるように第２スリット３を通過させる。
ここで、偏向器は、第２スリット３から所定の電圧が印
加されたＣＰＵ４により駆動させる。次に、細長いスリ
ットサイズの通過ビーム６の電流値を一定時間（例えば
分）毎にファラデーカップ７を通して電流計８で測定
し、この測定した電流計８の出力をデータ処理回路９で
記録する。
【００２２】次に、データ処理回路９により電流測定値
から電流測定微分値を算出する。次に、縦長ビームと横
長ビームの電流値の差分を計算した後、縦長ビームと横
長ビームの電流値の微分値の差分を計算する。次に、測
定電流値の差分と測定電流微分値の差分を記録計１０に
図３，４に示す如く、出力する。
から電流測定微分値を算出する。次に、縦長ビームと横
長ビームの電流値の差分を計算した後、縦長ビームと横
長ビームの電流値の微分値の差分を計算する。次に、測
定電流値の差分と測定電流微分値の差分を記録計１０に
図３，４に示す如く、出力する。
【００２３】そして、図３，４に示す各測定電流値と測
定電流微分値の差分の変動から、露光状態（電子ビーム
の安定度）を判定し、ＣＰＵ４と信号の遣り取りを行
い、露光停止、露光継続、スリットサイズのビーム調整
の判定を行う。また、電子ビーム露光装置自身に対して
も、ビーム量の調整、光学系の調整等を適宜行う。この
ように、本実施例では、Ｘ方向及びＹ方向に細長いスリ
ットサイズの電流値とその電流値の微分値を一定時間毎
に測定し、測定したＸ方向及びＹ方向の各々の測定電流
値の差（横長ビーム−縦長ビーム）と測定電流微分値の
差の変化によって露光状態を判定するように構成してい
る。
定電流微分値の差分の変動から、露光状態（電子ビーム
の安定度）を判定し、ＣＰＵ４と信号の遣り取りを行
い、露光停止、露光継続、スリットサイズのビーム調整
の判定を行う。また、電子ビーム露光装置自身に対して
も、ビーム量の調整、光学系の調整等を適宜行う。この
ように、本実施例では、Ｘ方向及びＹ方向に細長いスリ
ットサイズの電流値とその電流値の微分値を一定時間毎
に測定し、測定したＸ方向及びＹ方向の各々の測定電流
値の差（横長ビーム−縦長ビーム）と測定電流微分値の
差の変化によって露光状態を判定するように構成してい
る。
【００２４】このため、製品の良品、露光の継続、中止
を判定することができる。しかも、電子ビームのスリッ
トサイズの僅かな変動、電流値変動及びノイズの発生を
高精度に検出することができるため、パターンサイズず
れ等を生じることなく、サブミクロンパターンを高精度
で、かつ高信頼で露光することができる。なお、上記実
施例１では、細長いスリットサイズの電流値とその電流
値の微分値の両方を測定し、その測定電流値と測定電流
微分値の変化から露光状態を評価する高精度に評価する
ことができる好ましい態様の場合について説明したが、
本発明において、測定電流値と測定電流微分値の変化の
何れか一方を測定するように構成してもよく、この場合
も上記実施例１と略同様な効果を得ることができる。
を判定することができる。しかも、電子ビームのスリッ
トサイズの僅かな変動、電流値変動及びノイズの発生を
高精度に検出することができるため、パターンサイズず
れ等を生じることなく、サブミクロンパターンを高精度
で、かつ高信頼で露光することができる。なお、上記実
施例１では、細長いスリットサイズの電流値とその電流
値の微分値の両方を測定し、その測定電流値と測定電流
微分値の変化から露光状態を評価する高精度に評価する
ことができる好ましい態様の場合について説明したが、
本発明において、測定電流値と測定電流微分値の変化の
何れか一方を測定するように構成してもよく、この場合
も上記実施例１と略同様な効果を得ることができる。
【００２５】上記実施例２は、Ｘ方向及びＹ方向に細長
いスリットサイズの電流値とその電流値の微分値の両方
を測定し、その各々の測定電流値の差分と測定電流微分
値の差分の変化から露光状態を評価する高精度に評価す
ることができる好ましい態様の場合について説明した
が、本発明において、測定電流値の差分と測定電流微分
値の差分の変化の何れか一方を測定するように構成して
もよく、この場合も上記実施例２と略同様な効果を得る
ことができる。
いスリットサイズの電流値とその電流値の微分値の両方
を測定し、その各々の測定電流値の差分と測定電流微分
値の差分の変化から露光状態を評価する高精度に評価す
ることができる好ましい態様の場合について説明した
が、本発明において、測定電流値の差分と測定電流微分
値の差分の変化の何れか一方を測定するように構成して
もよく、この場合も上記実施例２と略同様な効果を得る
ことができる。
【００２６】上記実施例１は、細長いスリットサイズの
電流値の微分値を測定する場合を説明したが、本発明に
おいては、細長いスリットサイズのｎ（正の整数）回目
とｎ＋１回目の電流値をＩｎ，Ｉn+1 とした時の｜Ｉ
n+1 −Ｉｎ｜値を一定時間毎に測定し、測定した｜Ｉ
n+1 −Ｉｎ｜値の変化によって露光状態を判定するよう
に構成してもよく、この場合も上記実施例１と略同様な
効果を得ることができる。
電流値の微分値を測定する場合を説明したが、本発明に
おいては、細長いスリットサイズのｎ（正の整数）回目
とｎ＋１回目の電流値をＩｎ，Ｉn+1 とした時の｜Ｉ
n+1 −Ｉｎ｜値を一定時間毎に測定し、測定した｜Ｉ
n+1 −Ｉｎ｜値の変化によって露光状態を判定するよう
に構成してもよく、この場合も上記実施例１と略同様な
効果を得ることができる。
【００２７】上記実施例２は、Ｘ方向及びＹ方向に細長
いスリットサイズの電流値の微分値を測定する場合を説
明したが、本発明においては、Ｘ方向及びＹ方向に細長
いスリットサイズのｎ（正の整数）回目とｎ＋１回目の
電流値をＩｎ，Ｉn+1 とした時の｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値を
一定時間毎に測定し、測定したＸ方向及びＹ方向の各々
の｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値の差（横長ビーム−縦長ビーム）
の変化によって露光状態を判定するように構成してもよ
く、この場合も、上記実施例２と略同様な効果を得るこ
とができる。
いスリットサイズの電流値の微分値を測定する場合を説
明したが、本発明においては、Ｘ方向及びＹ方向に細長
いスリットサイズのｎ（正の整数）回目とｎ＋１回目の
電流値をＩｎ，Ｉn+1 とした時の｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値を
一定時間毎に測定し、測定したＸ方向及びＹ方向の各々
の｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値の差（横長ビーム−縦長ビーム）
の変化によって露光状態を判定するように構成してもよ
く、この場合も、上記実施例２と略同様な効果を得るこ
とができる。
【００２８】次に、本発明において、細長いスリットサ
イズの短辺の長さは、電流値変動の高い測定精度を得る
ことを考慮すると、長辺の長さの２分の１以下、１．０
μｍ以下に設定することが好ましい。なお、両者共、細
長いスリットサイズの短辺の長さの下限は、電流値のノ
イズ、ｓ／ｎ比等の測定限定、即ち測定装置の安定度に
よって決まる。
イズの短辺の長さは、電流値変動の高い測定精度を得る
ことを考慮すると、長辺の長さの２分の１以下、１．０
μｍ以下に設定することが好ましい。なお、両者共、細
長いスリットサイズの短辺の長さの下限は、電流値のノ
イズ、ｓ／ｎ比等の測定限定、即ち測定装置の安定度に
よって決まる。
【００２９】また、細長いスリットサイズの短辺及び長
辺の長さは、各々が同一の縦長ビーム、横長ビームに設
定することが好ましく、この場合、ｘ，ｙ方向両方共同
じ長さで測定して、同じビーム状態（基準値）で測定す
ることができるため、安定した測定を行うことができ
る。また、ビームは、測定のし易さを考慮すると、面積
の等しいビームであることが好ましい。
辺の長さは、各々が同一の縦長ビーム、横長ビームに設
定することが好ましく、この場合、ｘ，ｙ方向両方共同
じ長さで測定して、同じビーム状態（基準値）で測定す
ることができるため、安定した測定を行うことができ
る。また、ビームは、測定のし易さを考慮すると、面積
の等しいビームであることが好ましい。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、僅かなビームサイズの
変動及び電流値のノイズの増減を高精度に検出して、パ
ターンサイズずれ等を生じることなく、サブミクロンの
パターンを高精度で、かつ高信頼に露光することができ
るという効果がある。
変動及び電流値のノイズの増減を高精度に検出して、パ
ターンサイズずれ等を生じることなく、サブミクロンの
パターンを高精度で、かつ高信頼に露光することができ
るという効果がある。
【図１】本発明に係る実施例１の電子ビーム露光装置に
おける測定系の構成を示すブロック図である。
おける測定系の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明に係る実施例１の経過時間に対する測定
電流値と測定電流微分値の変動例を示す図である。
電流値と測定電流微分値の変動例を示す図である。
【図３】本発明に係る実施例２の経過時間に対する測定
電流値の差分の変動例を示す図である。
電流値の差分の変動例を示す図である。
【図４】本発明に係る実施例２の経過時間に対する測定
電流微分値の差分の変動例を示す図である。
電流微分値の差分の変動例を示す図である。
１ 第１スリット ２ 偏向器 ３ 第２スリット ４ ＣＰＵ ５ スリット偏向アンプ ６ 通過ビーム ７ ファラデーカップ ８ 電流計 ９ データ処理回路 １０ 記録計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 慶二 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 馬渕 悟 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】電子ビームを矩形または任意の形状の像に
成形する成形偏向器と、基板上に電子ビームを収束投影
する投影レンズと、電子ビームを基板上に偏向走査する
偏向器とを有し、かつ成形した像を収束投影するととも
に、偏向走査して基板上に描画する電子ビーム露光装置
において、細長いスリットサイズの電流値を一定時間毎
に測定する測定手段と、測定した電流値の変化に基づい
て露光状態を判定する判定手段とを有することを特徴と
する電子ビーム露光装置。 - 【請求項２】電子ビームを矩形または任意の形状の像に
成形する成形偏向器と、基板上に電子ビームを収束投影
する投影レンズと、電子ビームを基板上に偏向走査する
偏向器とを有し、かつ成形した像を収束投影するととも
に、偏向走査して基板上に描画する電子ビーム露光装置
において、細長いスリットサイズの電流値の微分値を一
定時間毎に測定する測定手段と、測定した電流値の微分
値の変化に基づいて露光状態を判定する判定手段とを有
することを特徴とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項３】電子ビームを矩形または任意の形状の像に
成形する成形偏向器と、基板上に電子ビームを収束投影
する投影レンズと、電子ビームを基板上に偏向走査する
偏向器とを有し、かつ成形した像を収束投影するととも
に、偏向走査して基板上に描画する電子ビーム露光装置
において、Ｘ方向及びＹ方向に細長いスリットサイズの
電流値を一定時間毎に測定する測定手段と、測定したＸ
方向及びＹ方向の各々の電流値の差の変化に基づいて露
光状態を判定する判定手段とを有することを特徴とする
電子ビーム露光装置。 - 【請求項４】電子ビームを矩形または任意の形状の像に
成形する成形偏向器と、基板上に電子ビームを収束投影
する投影レンズと、電子ビームを基板上に偏向走査する
偏向器とを有し、かつ成形した像を収束投影するととも
に、偏向走査して基板上に描画する電子ビーム露光装置
において、Ｘ方向及びＹ方向に細長いスリットサイズの
電流値の微分値を一定時間毎に測定する測定手段と、測
定したＸ方向及びＹ方向の各々の電流値の微分値の差の
変化に基づいて露光状態を判定する判定手段とを有する
ことを特徴とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項５】電子ビームを矩形または任意の形状の像に
成形する成形偏向器と、基板上に電子ビームを収束投影
する投影レンズと、電子ビームを基板上に偏向走査する
偏向器とを有し、かつ成形した像を収束投影するととも
に、偏向走査して基板上に描画する電子ビーム露光装置
において、細長いスリットサイズのｎ（正の整数）回目
とｎ＋１回目の電流値を各々Ｉｎ，Ｉn+1 とした時の｜
Ｉn+1 −Ｉｎ｜値を一定時間毎に測定する測定手段と、
測定した｜Ｉn+1 −Ｉｎ｜値の変化に基づいて露光状態
を判定する判定手段とを有することを特徴とする電子ビ
ーム露光装置。 - 【請求項６】電子ビームを矩形または任意の形状の像に
成形する成形偏向器と、基板上に電子ビームを収束投影
する投影レンズと、電子ビームを基板上に偏向走査する
偏向器とを有し、かつ成形した像を収束投影するととも
に、偏向走査して基板上に描画する電子ビーム露光装置
において、Ｘ方向及びＹ方向に細長いスリットサイズの
ｎ（正の整数）回目とｎ＋１回目の電流値をＩｎ，Ｉ
n+1 とした時の｜Ｉn+1−Ｉｎ｜値を一定時間毎に測定
する測定手段と、測定したＸ方向及びＹ方向の各々の｜
Ｉn+1 −Ｉｎ｜値の差の変化に基づいて露光状態を判定
する判定手段とを有することを特徴とする電子ビーム露
光装置。 - 【請求項７】前記細長いスリットサイズの短辺の長さ
は、長辺の長さの２分の１以下であることを特徴とする
請求項１乃至５記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項８】前記細長いスリットサイズの短辺の長さ
は、１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃
至５記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項９】前記細長いスリットサイズの短辺及び長辺
の長さは、各々が同一の縦長ビーム、横長ビームである
ことを特徴とする請求項１乃至８記載の電子ビーム露光
装置。 - 【請求項１０】前記ビームは、面積の等しいビームであ
ることを特徴とする請求項１乃至９記載の電子ビーム露
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29812394A JPH08162384A (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 電子ビーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29812394A JPH08162384A (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162384A true JPH08162384A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17855478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29812394A Withdrawn JPH08162384A (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007043078A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-02-15 | Nuflare Technology Inc | 描画装置及び描画方法 |
-
1994
- 1994-12-01 JP JP29812394A patent/JPH08162384A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007043078A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-02-15 | Nuflare Technology Inc | 描画装置及び描画方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020205 |