KR100499204B1 - 전기 광학 장치 및 전자 기기 - Google Patents

전기 광학 장치 및 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR100499204B1
KR100499204B1 KR10-2001-0047282A KR20010047282A KR100499204B1 KR 100499204 B1 KR100499204 B1 KR 100499204B1 KR 20010047282 A KR20010047282 A KR 20010047282A KR 100499204 B1 KR100499204 B1 KR 100499204B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light shielding
shielding film
metal layer
film
light
Prior art date
Application number
KR10-2001-0047282A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020012512A (ko
Inventor
가와타히데노리
Original Assignee
세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세이코 엡슨 가부시키가이샤 filed Critical 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Publication of KR20020012512A publication Critical patent/KR20020012512A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100499204B1 publication Critical patent/KR100499204B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명에 의하면, 고융점 금속의 질소 화합물, 실리콘 화합물, 텅스텐 화합물, 텅스텐, 실리콘중 1종으로 이루어지는 배리어층 B1과, 산소 화합물로 되면 차광성의 열화가 나타나는 금속 단체(單體) 또는 금속 화합물 중 어느 한쪽으로 이루어지는 금속층 M1을 갖는 차광막(111)으로 하고, 우수한 차광 성능을 갖는 차광막을 제공한다.

Description

전기 광학 장치 및 전자 기기{ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 전기 광학 장치, 전자 기기, 전기 광학 장치용 기판 및 전기 광학 장치용 기판의 제조 방법, 및 차광막에 관한 것으로, 특히 투사형 액정 표시 장치 등에 이용하는데 적합하고 우수한 차광 성능을 갖는 차광막의 구성에 관한 것이다.
도 15는 액정 장치의 일례를 도시한 단면도이다. 이 액정 장치는 유리 기판, 석영 기판 등의 투명한 2장의 기판 사이에 액정이 봉입된 것으로, 한쪽 기판을 이루는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하, 간단히 TFT라 함) 어레이 기판(10)과, 이것에 대향 배치된 다른쪽 기판을 이루는 대향 기판(20)을 구비하고 있다.
TFT 어레이 기판(10)에는 화소 전극(9a)과 해당 화소 전극(9a)을 제어하기 위한 화소 스위칭용 TFT(30)가 매트릭스 형상으로 복수개 형성되어 있고, 화상 신호를 공급하는 데이터선(6a)이 콘택트 홀(5)을 통하여 해당 TFT(30)의 소스 영역(1d)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, TFT(30)의 게이트에 주사선(3a)이 전기적으로 접속되어 있고, 소정의 타이밍에서 주사선(3a)에 펄스적으로 주사 신호를 순차 인가하도록 구성되어 있다. 화소 전극(9a)은 콘택트 홀(8)을 통하여 화소 스위칭용 TFT(30)의 드레인 영역(1e)에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 화소 스위칭용 TFT(30)를 일정 기간만큼 그 스위치를 닫는 것에 의해, 데이터선(6a)으로부터 공급되는 화상 신호를 소정의 타이밍동안 기입하도록 되어 있다.
화소 전극(9a)을 거쳐 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호는 대향 기판(20)에 형성된 대향 전극(21)과의 사이에서 일정 기간 유지되지만, 통상 유지된 화상 신호가 리크되는 것을 방지하기 위해서, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21) 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량을 부가하고 있다. 여기서는 축적 용량을 형성하는 방법으로서, 용량 형성용 배선인 용량선(3b)이 마련되어 있다. 또한, 화소 전극(9a)상에는 러빙 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(16)이 마련되어 있다.
도 15에 도시하는 바와 같이, TFT 어레이 기판(10) 표면의 각 화소 스위칭용 TFT(30)에 대응하는 위치에는 WSi(텅스텐 실리사이드)로 이루어지는 제 1 차광막(11a)이 마련되어 있다.
이 제 1 차광막(11a)은 TFT 어레이 기판(10)측으로부터의 회귀(returning)광 등이 화소 스위칭용 TFT(30)의 채널 영역(1a')이나 LDD 영역(1b, 1c)에 입사하는 사태를 방지하는 것이다.
또한, 제 1 차광막(11a)과 화소 스위칭용 TFT(30) 사이에는 반도체층(1a)을 제 1 차광막(11a)으로부터 전기적으로 절연하는 제 1 층간 절연막(절연체층)(12)이 마련되어 있다. 또한, 주사선(3a)위, 절연막(2)위를 포함하는 TFT 어레이 기판(10)상에는 고농도 소스 영역(1d)으로 통하는 콘택트 홀(5) 및 고농도 드레인 영역(1e)으로 통하는 콘택트 홀(8)이 각각 형성된 제 2 층간 절연막(4)이 형성되어 있다. 또한, 데이터선(6a)위 및 제 2 층간 절연막(4)위에는 고농도 드레인 영역(1e)으로 통하는 콘택트 홀(8)이 형성된 제 3 층간 절연막(7)이 형성되어 있다.
또한, 이 액정 장치에서는 절연막(박막임)(2)을 주사선(3a)에 대향하는 위치로부터 연장해서 마련하여 유전체막으로서 이용하고, 반도체층(1a)을 연장해서 마련하여 제 1 축적 용량 전극(1f)으로 하고, 이들에 대향하는 용량선(3b)의 일부를 제 2 축적 용량 전극으로 하는 것에 의해 축적 용량(70)이 구성되어 있다.
한편, 대향 기판(20)에는 그의 전면(全面)에 걸쳐서 대향 전극(공통 전극)(21)이 마련되어 있고, 그의 하측에는 러빙 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(22)이 마련되어 있다. 또한, 대향 기판(20)에는 각 화소의 표시 영역 이외의 영역에 제 2 차광막(23)이 마련되어 있다. 이 제 2 차광막(23)은 대향 기판(20)측으로부터의 입사광이 화소 스위칭용 TFT(30)의 반도체층(1a)의 채널 영역(1a'), 소스 영역(1b, 1d), 드레인 영역(1c, 1e) 등에 침입하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 블랙 매트릭스라고도 칭하고 있다.
각 기판은 이러한 구성이며, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)이 대향하도록 배치된 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 액정이 봉입되어 액정층(50)이 형성되어 있다.
그러나, 이러한 WSi로 이루어지는 제 1 차광막(11a)을 이용한 액정 장치에서는 차광성이 높은 차광막이 바람직하다.
스위칭 소자를 갖는 액정 장치는 회귀광에 기인하는 스위칭 소자의 광 리크 전류가 발생하여 소자의 스위칭 특성에 악영향을 미쳐 장치의 특성을 열화시키는 것이 문제로 되어 있다. 특히, 이 액정 장치를 프로젝터 등의 강력한 광원을 사용하는 장치에 이용한 경우에는, 회귀광에 기인하는 광 리크 전류가 발생하기 쉽기 때문에 문제로 되어 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, 우수한 차광성을 갖는 재료인 Ti(Titanium)을 사용하여 제 1 차광막(11a)을 형성하는 것이 제안되어 있다. 그러나, 제 1 차광막(11a) 형성후에, 절연막을 형성하거나 스위칭 소자를 형성할 때의 어닐 처리 등과 같은 500℃를 초과하는 고온 처리 공정 등이 실행되면, 제 1 차광막(11a)인 Ti는 Ti에 면하는 산소 원소를 포함하는 SiO2 등의 절연막과 화학 반응하여 산화막이 형성된다. 이 산화막의 생성에 의해 Ti의 차광 성능이 저하한다고 하는 불량이 발생해 버린다. 이 때문에, Ti를 이용하더라도 충분한 차광 성능이 얻어지지 않는 경우가 있었다.
본 발명의 목적은 상기한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 우수한 차광 성능을 갖는 차광막을 제공하는 것이다,
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 차광막을 구비한 전기 광학 장치용 기판, 전기 광학 장치용 기판의 제조 방법 및 전기 광학 장치, 및 전자 기기를 제공하는 것이다.
(1) 상기 목적을 달성하기 위해서, 전기 광학 물질을 사이에 마련한 한 쌍의 기판과, 한쪽의 기판상에 마련된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자에 대향하는 위치에 마련된 차광막을 갖는 전기 광학 장치에 있어서, 상기 차광막은 고융점의 금속 단체 또는 금속 화합물인 금속층과, 상기 금속층의 적어도 한쪽 면에 적층된 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층을 갖는 것을 특징으로 한다.
이 전기 광학 장치에 따르면, 차광막을 형성한 후에 고온 처리가 실행되더라도, 산소 원소를 포함하는 SiO2 등의 절연막과 면하는 차광막의 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층에 의해, 차광막의 금속층의 산화 현상의 발생을 억제하고, 그 결과 차광막의 차광 성능을 확보할 수 있다.
또한, 차광막의 막 두께는 종래의 단독의 WSi를 이용한 차광막에 비해서 막 두께를 얇게 할 수 있다. 이것에 의해, 차광막이 형성되는 영역과 형성되지 않는 영역에서 단차가 커지는 것을 저감할 수 있다.
(2) 본 발명의 전기 광학 장치에 있어서의 상기 차광막은 상기 한쪽의 기판과 상기 스위칭 소자 사이에 배치되고, 상기 스위칭 소자측에 상기 차광층의 상기 배리어층이 면하고 있는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 배리어층상에 절연막을 형성하여 고온의 열처리가 실시되더라도 금속층이 산화되어 투과성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
(3) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치에 있어서의 상기 차광막은 상기 전기 광학 물질측의 상기 스위칭 소자상에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 한쪽의 기판측으로부터의 광이 스위칭 소자에 조사되는 것을 방지할 수 있다.
(4) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치에 있어서의 상기 차광막의 금속층은 차광성의 금속층과 광흡수성의 금속층으로 구성되고, 상기 광흡수성의 금속층은 상기 스위칭 소자측에 면하고 있는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 차광성의 금속층에 의해 스위칭 소자에 광이 조사되는 것을 방지하고, 또한 스위칭 소자측의 광흡수성의 금속층에 의해 광을 흡수하여 내부 반사하는 것을 억제할 수 있다.
(5) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치에 있어서의 상기 금속층은 상기 배리어층 사이에 개재되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의하면, 전기 광학 장치를 제조하는데 있어서, 고온의 열처리가 실시되더라도 배리어층에 의해 금속층이 산화되는 것을 방지할 수 있으므로, 금속층 본래의 차광성을 유지할 수 있다.
(6) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치는 다른쪽 기판에, 화소의 표시 영역을 정의하고, 고융점의 금속 단체 또는 금속 화합물인 금속층과, 상기 금속층의 적어도 한쪽 면에 적층된 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층상에 형성된 차광막을 갖는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 다른쪽 기판으로부터의 광의 차광 성능을 더 향상시킬 수 있다.
(7) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치는 상기 차광막이 고정 전위에 접속되는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 상기 차광막을 저전위로 할 수 있으므로, 스위칭 소자에 노이즈가 침입하는 것을 방지할 수 있다.
(8) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치에 있어서의 상기 배리어층은 질소 화합물, 실리콘 화합물, 텅스텐 화합물, 텅스텐, 실리콘 중 1종으로 이루어지는 것이 바람직하다.
(9) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치에 있어서의 상기 배리어층은 WSi인 것이 바람직하다.
(10) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치에 있어서의 상기 금속층은 Ti인 것이 바람직하다.
(11) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치에 있어서의 상기 배리어층은 상기 금속층의 상면 및 하면에 형성되고, 상면측 배리어층의 막 두께는 하면측 배리어층의 막 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 상면측 배리어층상에 절연막을 형성하고, 고온의 열처리가 실시되더라도 금속층의 산화를 방지할 수 있고, 또한 차광막이 필요 이상으로 두꺼워지는 것을 방지할 수 있다.
(12) 그의 대표적인 예로서, 상기 금속층의 막 두께는 30㎚∼50㎚이고, 상기 상면측 배리어층의 막 두께는 30㎚∼100㎚이며, 하면측 배리어층의 막 두께는 10㎚∼20㎚인 것이 바람직하다.
(13) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치는 전자 기기로서 응용할 수 있다.
이러한 전자 기기로 함으로써, 강력한 광원을 사용하는 경우에도 광 리크가 발생하지 않는 전자 기기로 할 수 있다.
(14) 본 발명의 전기 광학 장치용 기판은 절연성 기판상에 마련된 차광막을 갖는 전기 광학 장치용 기판에 있어서, 상기 차광막은 고융점의 금속 단체 또는 금속 화합물인 금속층과, 상기 금속층의 적어도 한쪽 면에 적층된 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 차광막을 형성한 후에 고온 처리가 실행되더라도 산소 원소를 포함하는 SiO2 등의 절연막과 면하는 차광막의 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층에 의해, 차광막의 금속층의 산화 현상의 발생을 억제하고, 그 결과 차광막의 차광 성능을 확보할 수 있다.
(15) 본 발명의 전기 광학 장치용 기판의 제조 방법은 절연성 기판상에 마련된 차광막을 갖는 전기 광학 장치용 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 절연성 기판상에 고융점의 금속 단체 또는 금속 화합물을 성막하여 금속층을 형성하는 공정과, 상기 금속층상에 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물을 성막하여 배리어층을 형성하는 공정과, 상기 배리어층상에 절연 재료를 성막하여 절연막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 차광막을 형성한 후에 고온 처리가 실행되더라도, 산소 원소를 포함하는 SiO2 등의 절연막과 면하는 차광막의 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층에 의해 차광막의 금속층의 산화 현상의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 차광막의 막 두께는 종래의 WSi를 이용한 차광막에 비해서 막 두께를 얇게 할 수 있다. 이것에 의해, 본 발명의 차광막에 따르면, 종래의 차광막에 비해서 차광막의 성막 공정에 있어서의 에칭 시간을 단축할 수 있고, 또한 차광막을 형성할 때에 사용하는 성막 타겟의 수명 연장 및 가스량의 저감을 도모할 수 있다.
(16) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치용 기판의 제조 방법은 상기 금속층을 형성하기 전에 상기 절연성 기판상에 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물을 성막하여 배리어층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 고온의 열처리가 실시되더라도 배리어층에 의해 금속층이 산화되는 것을 방지할 수 있으므로, 금속층 본래의 차광성을 유지할 수 있다.
(17) 또한, 본 발명의 전기 광학 장치용 기판의 제조 방법에 있어서의 상기 절연막을 형성하는 공정은 500℃ 이상 1100℃ 이하의 열처리를 실행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 차광막의 차광성을 저하시키지 않고, 절연막의 에칭레이트를 낮게 할 수 있다.
(18) 본 발명의 차광막은 고융점의 금속 단체 또는 금속 화합물인 금속층과, 상기 금속층의 적어도 한쪽 면에 적층된 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 차광막에 따르면, 차광막을 형성한 후에 고온 처리가 실행되더라도, 산소 원소를 포함하는 SiO2 등의 절연막과 면하는 차광막의 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층에 의해 차광막의 금속층의 산화 현상의 발생을 억제하고, 그 결과 차광막의 차광 성능을 확보할 수 있다.
또한, 차광막의 막 두께는 종래의 WSi를 이용한 차광막에 비해서 막 두께를 얇게 할 수 있다. 이것에 의해, 본 발명의 차광막에 따르면, 종래의 차광막에 비해서 차광막의 성막 공정에 있어서의 에칭 시간을 단축할 수 있고, 또한 차광막을 형성할 때에 사용하는 성막 타겟의 수명 연장 및 가스량의 저감을 도모할 수 있다.
(19) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 배리어층은 질소 화합물, 실리콘 화합물, 텅스텐 화합물, 텅스텐, 실리콘 중 1종으로 이루어지는 것이 바람직하다.
(20) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 배리어층의 질소 화합물은 SiN, TiN, WN, MoN, CrN 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
(21) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 배리어층의 실리콘 화합물은 TiSi, WSi, MoSi, CoSi, CrSi 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
(22) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 배리어층의 텅스텐 화합물은 TiW, MoW 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
본 발명의 차광막에 있어서, 상기 배리어층을 이루는 상기 고융점 금속의 질소 화합물, 상기 실리콘 화합물, 상기 텅스텐 화합물을 각각 상기한 재료로 함으로써, 금속층을 형성하고 있는 재료가 차광막에 면하는 절연막과의 산화 현상의 발생을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 이것에 의해, 더 높은 고온 처리에 대해서도 차광 성능의 저하가 발생하지 않는 차광막을 제공할 수 있다.
(23) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 금속층의 금속 단체는 Ti, W, Mo, Co, Cr, Hf, Ru 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
(24) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 금속층의 금속 화합물은 TiN, TiW, MoW중 어느 하나인 것이 바람직하다.
본 발명의 차광막에 있어서, 상기 금속 단체와 상기 금속 화합물을 각각 상기한 재료로 함으로써 한층 더 차광 성능이 우수한 차광막으로 된다.
(25) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 배리어층의 막 두께가 1∼200㎚인 것이 바람직하다.
이러한 차광막으로 함으로써, 고온 처리에 의한 차광 성능의 저하를 충분히 방지할 수 있다. 특히, 150㎚ 이하이면 기판에 대한 휘어짐(bending)량이 적은 고품질의 차광막을 제공할 수 있다. 또한, 도핑되지 않은 폴리실리콘에서는 150㎚ 이상의 막 두께에서도 휘어짐이 거의 발생하지 않는다.
(26) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 금속층의 막 두께가 10∼200㎚인 것을 특징으로 한다.
이 구성에 따르면, 막 두께가 얇은 차광막을 제공할 수 있다. 특히 액정 장치에 있어서는 차광막의 높이에 따른 배향막 표면의 단차를 저감할 수 있어, 액정의 배향 불량을 저감할 수 있다.
(27) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 금속층은 그 양면에 상기 배리어층이 적층되어 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 차광막으로 함으로써, 금속층의 양면측을 배리어층에 의해 보호할 수 있고, 금속층을 형성하고 있는 재료가 산소 화합물로 되는 것을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있다. 따라서, 한층 더 고온 처리에 의한 차광 성능의 저하가 발생하지 않는 차광막으로 할 수 있다.
(28) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 금속층은 광반사성의 금속층과 광흡수성의 금속층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
이러한 차광막으로 함으로써, 광반사성과 광흡수성의 기능을 갖는 차광막을 제공할 수 있다.
(29) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 광흡수성의 금속층은 질화 화합물인 것이 바람직하다.
(30) 또한, 본 발명의 차광막에 있어서의 상기 차광성의 금속층은 그 양면에 상기 광흡수성의 금속층을 적층하여 구성해도 된다.
(31) 또한, 본 발명의 차광막은 고융점의 금속 단체 또는 금속 화합물인 금속층과, 상기 금속층의 적어도 한쪽 면에 적층된 상기 금속층의 산화를 보호하는 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 보호층을 구비해도 된다.
(실시예 1)
이하, 본 발명의 실시예 1을 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.
본 발명의 실시예 1은 본 발명의 차광막 및 이 차광막을 구비한 전기 광학 장치용 기판 및 전기 광학 장치의 일례로서, 본 발명의 차광막을 액정 장치에 적용한 예이다.
도 1은 액정 장치의 화상 형성 영역(화소부)을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에 있어서의 각종 소자, 배선 등의 등가 회로이다. 또한, 도 2는 데이터선, 주사선, 화소 전극, 차광막 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군을 확대하여 도시한 평면도이다. 또한, 도 3은 도 2의 A-A'단면도이다. 또, 도 3에 있어서는 각 층이나 각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 때문에, 각 층이나 각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.
도 1에 있어서, 본 실시예에 따른 액정 장치의 화상 표시 영역(화소부)을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소는 매트릭스 형상으로 복수개 형성된 화소 전극(9a)과 화소 전극(9a)을 제어하기 위한 TFT(트랜지스터 소자)(30)으로 이루어지고, 화상 신호가 공급되는 데이터선(6a)이 상기 TFT(30)의 소스에 전기적으로 접속되어 있다. 데이터선(6a)에 기입하는 화상 신호 S1, S2, …, Sn은 이 순서로 선 순차적으로 공급해도 상관없고, 서로 인접하는 복수의 데이터선(6a)끼리에 대해서 그룹마다 공급하도록 해도 무방하다. 또한, TFT(30)의 게이트에 주사선(3a)이 전기적으로 접속되어 있고, 소정의 타이밍에서 주사선(3a)에 펄스적으로 주사 신호 G1, G2, …, Gm을 이 순서로 선 순차적으로 인가하도록 구성되어 있다. 화소 전극(9a)은 TFT(30)의 드레인에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 TFT(30)를 일정 기간만큼 그 스위치를 닫는 것에 의해, 데이터선(6a)으로부터 공급되는 화상 신호 S1, S2, …, Sn을 소정의 타이밍에서 기입한다.
화소 전극(9a)을 거쳐 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호 S1, S2, …, Sn은 대향 기판(후술함)에 형성된 대향 전극(후술함)과의 사이에서 일정 기간 유지된다. 액정은 인가되는 전압 레벨에 따라 분자 집합의 배향이나 질서가 변화하는 것에 의해 광을 변조하여 계조 표시를 가능하게 한다. 노멀리 화이트 모드(a normally white mode)이면, 인가된 전압에 따라서 액정 부분으로의 입사광의 투과 광량이 감소하고, 노멀리 블랙 모드이면, 인가된 전압에 따라서 액정 부분으로의 입사광의 투과 광량이 증가하고, 전체적으로 액정 장치로부터는 화상 신호에 따른 콘트라스트를 갖는 광이 출사된다. 여기서, 유지된 화상 신호가 리크되는 것을 방지하기 위해, 화소 전극(9a)과 대향 전극 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(70)을 부가한다. 예를 들어, 화소 전극(9a)의 전압은 데이터선에 전압이 인가된 시간보다도 3자릿수나 긴 시간만큼 축적 용량(70)에 의해 유지된다. 이것에 의해, 유지 특성은 더 개선되고, 콘트라스트비가 높은 액정 장치를 실현할 수 있다. 본 실시예에서는 특히 이러한 축적 용량(70)을 형성하기 위해, 후술하는 바와 같이 주사선과 동층 또는 도전성 차광막을 이용하여 저저항화된 용량선(3b)을 마련하고 있다.
다음에, 도 2에 근거하여, TFT 어레이 기판의 화소부(화상 표시 영역)내의 평면 구조에 대해서 상세하게 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 액정 장치의 TFT 어레이 기판상의 화소부내에는 매트릭스 형상으로 복수의 투명한 화소 전극(9a)(점선부(9a')에 의해 윤곽이 표시되어 있음)이 마련되어 있고, 화소 전극(9a)의 종횡의 경계 각각을 따라서 데이터선(6a), 주사선(3a) 및 용량선(3b)이 마련되어 있다. 데이터선(6a)은 콘택트 홀(5)을 거쳐 단결정 실리콘층의 반도체층(1a) 중 소스 영역에 전기적으로 접속되어 있고, 화소 전극(9a)은 콘택트 홀(8)을 거쳐 반도체층(1a) 중 드레인 영역에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 반도체층(1a) 중 채널 영역(도면중 우측 하부로 경사진 사선 영역)과 대향하도록 주사선(3a)이 배치되어 있고, 주사선(3a)은 게이트 전극으로서 기능한다.
용량선(3b)은 주사선(3a)을 따라 대략 직선 형상으로 연장하는 본선부(즉, 평면적으로 보아 주사선(3a)을 따라 형성된 제 1 영역)와, 데이터선(6a)과 교차하는 개소로부터 데이터선(6a)을 따라 전단측(도면중 위쪽)으로 돌출된 돌출부(즉, 평면적으로 보아 데이터선(6a)을 따라 연장해서 마련된 제 2 영역)를 갖는다.
그리고, 도면중 우측 상부의 경사진 사선으로 나타낸 영역에는 복수의 제 1 차광막(111)이 마련되어 있다. 보다 구체적으로는 제 1 차광막(111)은 각각 화소부에 있어서 반도체층(1a)의 채널 영역을 포함하는 TFT를 TFT 어레이 기판측에서 보아 덮는 위치에 마련되어 있고, 또한 용량선(3b)의 본선부와 대향해서 주사선(3a)을 따라 직선 형상으로 연장하는 본선부와, 데이터선(6a)과 교차하는 개소에서 데이터선(6a)을 따라 인접하는 후단측(즉, 도면중 아래쪽)으로 돌출된 돌출부를 갖는다. 제 1 차광막(111)의 각 단(화소행)에 있어서의 하향 돌출부의 선단은 데이터선(6a) 아래에서 다음단에 있어서의 용량선(3b)의 상향 돌출부의 선단과 중첩되어 있다. 이 중첩된 개소에는 제 1 차광막(111)과 용량선(3b)을 서로 전기적으로 접속하는 콘택트 홀(13)이 마련되어 있다. 즉, 본 실시예에 있어서 제 1 차광막(111)은 콘택트 홀(13)에 의해 전단 또는 후단의 고정 전위의 용량선(3b)에 전기적으로 접속되어 있다.
본 실시예에 있어서, 제 1 차광막(111)은 화소부내 뿐만 아니라, 차광을 필요로 하지 않는 화소부의 외측 영역(화소부의 주변 영역), 즉 대향 전극 기판을 접합하기 위한 밀봉재를 도포하는 밀봉 영역이나, 입출력 신호선을 접속하기 위한 실장 단자가 형성된 단자 패드 영역에도 마찬가지의 패턴을 2차원적으로 전개하는 형태로 형성되어 있다. 이것에 의해, 제 1 차광막(111)상에 형성되는 절연체층을 러빙하여 평탄화할 때, 화소부내와 화소부의 주변 영역의 요철 상태가 거의 동일하게 되기 때문에 균일하게 평탄화할 수 있고, 단결정 실리콘층을 양호한 상태로 접합할 수 있다.
다음에, 도 9에 근거하여, 액정 장치의 화소부내의 단면 구조에 대해서 설명한다. 도 9에 도시하는 바와 같이, 이 액정 장치는 광투과성 기판의 일례를 구성하는 TFT 어레이 기판(10)과 이것에 대향 배치되는 투명한 대향 기판(20)을 구비하고 있다. TFT 어레이 기판(10)은, 예를 들어 석영 기판이나 하드 글래스로 이루어지고, 대향 기판(20)은, 예를 들어 유리 기판이나 석영 기판으로 이루어진다. TFT 어레이 기판(10)에는 화소 전극(9a)이 마련되어 있고, 그 위쪽에는 러빙 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(16)이 마련되어 있다. 화소 전극(9a)은, 예를 들어 ITO막(인듐 틴 산화막:indium tin oxide film) 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한, 배향막(16)은, 예를 들어 폴리이미드막 등의 유기막으로 이루어진다.
한편, 대향 기판(20)에는 그의 전면에 걸쳐서 대향 전극(공통 전극)(21)이 마련되어 있고, 그의 하측에는 러빙 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(22)이 마련되어 있다. 대향 전극(21)은, 예를 들어 ITO막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한, 배향막(22)은 폴리이미드막 등의 유기막으로 이루어진다.
TFT 어레이 기판(10)에는 도 9에 도시하는 바와 같이, 각 화소 전극(9a)에 인접하는 위치에 각 화소 전극(9a)을 스위칭 제어하는 화소 스위칭용 TFT(30)가 마련되어 있다.
또한, 대향 기판(20)에는 도 9에 도시하는 바와 같이, 각 화소부의 개구 영역이외의 영역에 제 2 차광막(23)이 마련되어 있다. 제 2 차광막(23)은 대향 기판(20)측으로부터의 입사광이 화소 스위칭용 TFT(30)의 반도체층(1a)의 채널 영역(1a')이나 LDD(Lightly Doped Drain) 영역(1b, 1c)으로 침입하는 것을 방지하기 위한 것이다. 또한, 제 2 차광막(23)은 콘트라스트의 향상, 색재(色材)의 혼색 방지 등의 기능을 갖는다.
이와 같이 구성되고, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)이 대면하도록 배치된 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에는 밀봉재(52)에 의해 둘러싸인 공간에 액정이 봉입되어 액정층(50)이 형성된다. 액정층(50)은 화소 전극(9a)으로부터의 전계가 인가되고 있지 않은 상태에서 배향막(16, 22)에 의해 소정의 배향 상태를 채택한다. 액정층(50)은, 예를 들어 1종 또는 수 종류의 네마틱 액정을 혼합한 액정으로 이루어진다. 밀봉재(52)는 두개의 기판(10, 20)을 그들의 주변에서 접합하기 위한, 예를 들어 광경화성 수지나 열경화성 수지로 이루어지는 접착제로서, 양 기판 사이의 거리를 소정값으로 하기 위한 유리 섬유(glass fiber) 또는 유리 비즈(glass beads) 등의 스페이서가 혼입되어 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, TFT 어레이 기판(10) 표면의 각 화소 스위칭용 TFT(30)에 대응하는 위치에는 제 1 차광막(111)이 마련되어 있다. 제 1 차광막(111)은 TFT 어레이 기판(10)상에 마련된 금속층 M1과 금속층 M1상에 마련된 배리어층 B1로 이루어지는 것이다.
배리어층 B1은 산소 원소가 없는 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어진다. 이 배리어층 B1은 질소 화합물, 실리콘 화합물, 텅스텐 화합물, 텅스텐, 실리콘 중 1종으로 이루어지는 것이다.
질소 화합물로서는 SiN(질화 실리콘), TiN(질화 티탄), WN(질화 텅스텐), MoN(질화 몰리브덴), CrN(질화 크롬) 등이 바람직하게 사용된다. 또한, 상기 실리콘 화합물로서는 TiSi(티탄 실리사이드), WSi(텅스텐 실리사이드), MoSi(몰리브덴 실리사이드), CoSi(코발트 실리사이드), CrSi(크롬 실리사이드) 등이 바람직하게 사용된다. 또한, 텅스텐 화합물로서는 TiW(티탄 텅스텐), MoW(몰리브덴 텅스텐) 등이 바람직하게 사용된다. 또한, 상기 실리콘으로서는 도핑되지 않은 실리콘이 바람직하게 사용된다.
배리어층 B1의 막 두께는 1∼200㎚인 것이 바람직하다. 30∼50㎚이면, 얇은 막 두께로 배리어로서 기능하고 또한 난반사를 억제할 수 있다. 배리어층 B1의 막 두께를 3㎚ 미만으로 한 경우, 고온 처리에 의한 금속층의 산화에 의한 차광 성능의 저하를 충분히 방지할 수 없는 경향이 있다. 한편, 배리어층 B1을 150㎚을 초과하는 막 두께로 한 경우, TFT 어레이 기판(10)의 휘어짐량이 커지는 경향을 갖는다. 액정 장치의 표시 품위에 영향을 미치지 않는 한은 200㎚라도 무방하다. 이 배리어층 B1은 금속층의 산화를 보호하는 보호층이기도 하다.
또한, 금속층 M1은 차광성이 있는 금속 단체 또는 금속 화합물로서, SiO2의 절연층과의 화학 반응에 의해 산소 화합물로 되면 차광성의 열화가 나타나는 금속 단체 또는 금속 화합물 중 어느 한쪽으로 이루어지는 것이다.
상기 금속 단체로서는 Ti(티탄), W(텅스텐), Mo(몰리브덴), Co(코발트), Cr(크롬), Hf(하프늄), Ru(루테늄) 등이 바람직하게 사용된다. 또한, 상기 금속 화합물로서는 TiN(질화 티탄), TiW(티탄 텅스텐), MoW(몰리브덴 텅스텐) 등이 바람직하게 사용된다.
금속층 M1의 막 두께는 10∼200㎚인 것이 바람직하다. 금속층 M1의 막 두께를 10㎚ 미만으로 한 경우, 차광 성능이 불충분하게 될 우려가 있기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 금속층 M1을 200㎚를 초과하는 막 두께로 한 경우, TFT 어레이 기판(10)의 휘어짐량이 커져 액정 장치의 품질을 저하시킬 우려가 생기기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 제 1 차광막(111)과 복수의 화소 스위칭용 TFT(30) 사이에는, 제 1 층간 절연막(절연체층)(12)이 마련되어 있다. 제 1 층간 절연막(12)은 화소 스위칭용 TFT(30)을 구성하는 반도체층(1a)을 제 1 차광막(111)으로부터 전기적으로 절연하기 위해 마련되는 것이다. 또한, 제 1 층간 절연막(12)은 TFT 어레이 기판(10)의 전면에 형성되어 있고, 제 1 차광막(111) 패턴의 단차를 해소하기 위해서 표면을 러빙하고 평탄화 처리를 실시하고 있다.
제 1 층간 절연막(12)은, 예를 들어 NSG(non-doped silicate glass), PSG(phospho silicate glass), BSG(boron silicate glass), BPSG(boron phospho silicate glass) 등의 고절연성 유리 또는 산화 실리콘막, 질화 실리콘막 등으로 이루어진다. 제 1 층간 절연막(12)에 의해 제 1 차광막(111)이 화소 스위칭용 TFT(30) 등을 오염시키는 사태를 미연에 방지할 수도 있다.
본 실시예에서는 게이트 절연막(2)을 주사선(3a)과 대향하는 위치로부터 연장해서 마련하여 유전체막으로서 이용하고, 반도체층(1a)을 연장해서 마련하여 제 1 축적 용량 전극(1f)으로 하고, 또한 이들과 대향하는 용량선(3b)의 일부를 제 2 축적 용량 전극으로 하는 것에 의해, 축적 용량(70)이 구성되어 있다.
더 상세하게는 반도체층(1a)의 고농도 드레인 영역(1e)이 데이터선(6a) 및 주사선(3a) 아래로 연장해서 마련되고, 마찬가지로 데이터선(6a) 및 주사선(3a)을 따라 연장하는 용량선(3b) 부분에 절연막(2)을 거쳐 대향 배치되어 제 1 축적 용량 전극(반도체층)(1f)으로 되어 있다. 특히, 축적 용량(70)의 유전체로서의 절연막(2)은 고온 산화에 의해 단결정 실리콘층상에 형성되는 TFT(30)의 게이트 절연막(2)임에 틀림이 없기 때문에 얇게 또한 고내압의 절연막으로 할 수 있고, 축적 용량(70)은 비교적 소면적이고 대용량의 축적 용량으로서 구성할 수 있다.
또한, 축적 용량(70)에 있어서는 도 2 및 도 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 제 1 차광막(111)은 제 2 축적 용량 전극으로서의 용량선(3b)의 반대측에 있어서 제 1 축적 용량 전극(1f)에 제 1 층간 절연막(12)을 거쳐 제 3 축적 용량 전극으로서 대향 배치되는 것에 의해(도 3의 우측의 축적 용량(70) 참조), 축적 용량이 더 부여되도록 구성되어 있다. 즉, 본 실시예에서는 제 1 축적 용량 전극(1f)을 사이에 두고 양측에 축적 용량이 부여되는 이중 축적 용량 구조가 구축되어 있어 축적 용량이 더 증가한다. 따라서, 상기 액정 장치가 갖는 표시 화상에 있어서의 플리커나 소결(ghosting)을 방지하는 기능이 향상한다.
이들의 결과, 데이터선(6a) 아래의 영역 및 주사선(3a)을 따라 액정의 디스클리네이션(disclination)이 발생하는 영역(즉, 용량선(3b)이 형성된 영역)이라는 개구 영역을 벗어난 공간을 유효하게 이용하여 화소 전극(9a)의 축적 용량을 늘릴 수 있다.
본 실시예에서는 제 1 차광막(111)(및 이것에 전기적으로 접속된 용량선(3b))은 정전위원에 전기적으로 접속되어 있고, 제 1 차광막(111) 및 용량선(3b)은 정전위로 된다. 따라서, 제 1 차광막(111)에 대향 배치되는 화소 스위칭용 TFT(30)에 대해서, 제 1 차광막(111)의 전위 변동이 악영향을 미치는 일은 없다. 또한, 용량선(3b)은 축적 용량(70)의 제 2 축적 용량 전극으로서 양호하게 기능할 수 있다. 이 경우, 정전위원으로서는 상기 액정 장치를 구동시키기 위한 주변 회로(예를 들어, 주사선 구동 회로, 데이터선 구동 회로 등)에 공급되는 부전원, 정 전원 등의 정전위원, 접지 전원, 대향 전극(21)에 공급되는 정전위원 등을 들 수 있다. 이와 같이 주변 회로 등의 전원을 이용하면, 전용의 전위 배선이나 외부 입력 단자를 마련할 필요 없이 제 1 차광막(111) 및 용량선(3b)을 정전위로 할 수 있다.
또한, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서는 TFT 어레이 기판(10)에 제 1 차광막(111)을 마련하는 것에 부가해서, 콘택트 홀(13)을 거쳐 제 1 차광막(111)은 전단 또는 후단의 용량선(3b)에 전기적으로 접속하도록 구성되어 있다. 따라서, 각 제 1 차광막(111)이 다음단의 용량선에 전기적으로 접속되는 경우에 비해서, 화소부의 개구 영역의 가장자리를 따라 데이터선(6a)에 중첩해서 용량선(3b) 및 제 1 차광막(111)이 형성되는 영역의 다른 영역에 대한 단차가 저감된다. 이와 같이 화소부의 개구 영역의 가장자리에 따른 단차가 적으면, 상기 단차에 따라서 야기되는 액정의 디스클리네이션(배향 불량)을 저감할 수 있으므로, 화소부의 개구 영역을 넓힐 수 있게 된다.
또한, 제 1 차광막(111)은 상술한 바와 같이 직선 형상으로 연장하는 본선부로부터 돌출된 돌출부에 콘택트 홀(13)이 개구되어 있다. 여기서, 콘택트 홀(13)의 개구 개소로서는 가장자리에 가까울수록 응력이 가장자리에서 발산된다는 등의 이유에 의해 크랙이 발생하기 어렵다는 것이 판명되어 있다. 따라서, 얼마만큼 돌출부의 선단에 근접시켜 콘택트 홀(13)을 개구하는가에 따라서(바람직하게는 마진이 허용될 때까지 선단에 근접시키는가에 따라서), 제조 프로세스 중에 제 1 차광막(111)에 가해지는 응력이 완화되어 더 효과적으로 크랙을 방지할 수 있어, 양품률을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 용량선(3b)과 주사선(3a)은 동일한 폴리실리콘막으로 이루어지고, 축적 용량(70)의 유전체막과 TFT(30)의 게이트 절연막(2)은 동일한 고온 산화막으로 이루어지고, 제 1 축적 용량 전극(1f)과 TFT(30)의 채널 형성 영역(1a) 및 소스 영역(1d), 드레인 영역(1e) 등은 동일한 반도체층(1a)으로 이루어진다. 이 때문에, TFT 어레이 기판(10)상에 형성되는 적층 구조를 단순화할 수 있고, 또한, 액정 장치의 제조 방법에 있어서, 동일한 박막 형성 공정에서 용량선(3b) 및 주사선(3a)을 동시에 형성할 수 있고, 축적 용량(70)의 유전체막 및 게이트 절연막(2)을 동시에 형성할 수 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 제 1 차광막(111)은 주사선(3a)을 따라 각각 연장되어 있고, 또한 데이터선(6a)을 따른 방향에 대해서 복수의 줄무늬 형상으로 분단되어 있다. 이 때문에, 예를 들어 각 화소부의 개구 영역의 주위에 일체적으로 형성된 격자 형상의 차광막을 배치한 경우에 비해서, 제 1 차광막(111), 주사선(3a) 및 용량선(3b), 데이터선(6a), 층간 절연막 등으로 이루어지는 상기 액정 장치의 적층 구조에 있어서, 각 막의 물성의 차이에 기인한 제조 프로세스 중의 가열 냉각에 따라 발생하는 응력이 각별히 완화된다. 이 때문에, 제 1 차광막(111) 등에 있어서의 크랙의 발생 방지나 양품률의 향상이 도모된다.
또, 도 2에서는 제 1 차광막(111)에 있어서의 직선 형상의 본선 부분은 용량선(3b)의 직선 형상의 본선 부분에 거의 중첩되도록 형성되어 있지만, 제 1 차광막(111)이 TFT(30)의 채널 영역을 덮는 위치에 마련되어 있고 또한 콘택트 홀(13)을 형성할 수 있도록 용량선(3b)과 임의의 개소에서 중첩되어 있으면, TFT에 대한 차광 기능 및 용량선에 대한 저저항화 기능을 발휘할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 서로 인접한 주사선(3a)과 용량선(3b) 사이에 있는 주사선을 따른 가늘고 긴 형상(elongated)의 간격 영역이나 주사선(3a)과 약간 중첩되는 위치에까지도 상기 제 1 차광막(111)을 마련해도 좋다.
용량선(3b)과 제 1 차광막(111)은 제 1 층간 절연막(12)에 개구된 콘택트 홀(13)을 거쳐 확실하게 또한 높은 신뢰성을 갖고 전기적으로 접속되어 있지만, 이러한 콘택트 홀(13)은 화소마다 개구되어도 좋고, 복수의 화소로 이루어지는 화소그룹마다 개구되어도 좋다.
콘택트 홀(13)을 화소마다 개구한 경우에는 제 1 차광막(111)에 의한 용량선(3b)의 저저항화를 촉진시킬 수 있고, 또한, 양자 사이에 있어서의 용장 구조의 정도(degree)가 증가된다. 한편, 콘택트 홀(13)을 복수의 화소로 이루어지는 화소 그룹마다(예를 들어, 2화소마다 또는 3화소마다) 개구한 경우에는 용량선(3b)나 제 1 차광막(111)의 시트 저항, 구동 주파수, 요구되는 수단 등을 감안하면서 제 1 차광막(111)에 의한 용량선(3b)의 저저항화 및 용장 구조에 의한 이익과, 다수의 콘택트 홀(13)을 개구하는 것에 따른 제조 공정의 복잡화 또는 상기 액정 장치의 불량화 등의 폐해를 적절하게 조화시킬 수 있으므로, 실천상 매우 유리하다.
또한, 이러한 화소마다 또는 화소 그룹마다 마련되는 콘택트 홀(13)은 대향 기판(20)측에서 보아 데이터선(6a) 아래에 개구되어 있다. 이 때문에, 콘택트 홀(13)은 화소부의 개구 영역으로부터 벗어나 있고, 더구나 TFT(30)나 제 1 축적 용량 전극(1f)이 형성되어 있지 않은 제 1 층간 절연막(12)의 부분에 마련되어 있으므로, 화소부의 유효 이용을 도모하면서 콘택트 홀(13)의 형성에 의한 TFT(30)이나 다른 배선 등의 불량화를 방지할 수 있다.
또한, 도 3에 있어서, 화소 스위칭용 TFT(30)는 LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖고 있고, 주사선(3a), 이 주사선(3a)으로부터의 전계에 의해 채널이 형성되는 반도체층(1a)의 채널 영역(1a'), 주사선(3a)과 반도체층(1a)을 절연하는 게이트 절연막(2), 데이터선(6a), 반도체층(1a)의 저농도 소스 영역(소스측 LDD 영역)(1b) 및 저농도 드레인 영역(드레인측 LDD 영역)(1c), 반도체층(1a)의 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 구비하고 있다.
고농도 드레인 영역(1e)에는 복수의 화소 전극(9a) 중의 대응하는 하나가 접속되어 있다. 소스 영역(1b, 1d)과 드레인 영역(1c, 1e)은 반도체층(1a)에 대해서 n형 또는 p형의 채널을 형성하는가에 따라서 소정 농도의 n형용 또는 p형용의 도펀트를 도핑하는 것에 의해 형성되어 있다. n형 채널의 TFT는 동작 속도가 빠르다는 이점이 있고, 화소의 스위칭 소자인 화소 스위칭용 TFT(30)로서 이용되는 경우가 많다. 데이터선(6a)은 Al 등의 금속막이나 금속 실리사이드 등의 합금막 등의 차광성의 박막으로 구성되어 있다. 또한, 주사선(3a), 게이트 절연막(2) 및 제 1 층간 절연막(12) 상에는 고농도 소스 영역(1d)으로 통하는 콘택트 홀(5) 및 고농도 드레인 영역(1e)으로 통하는 콘택트 홀(8)이 각각 형성된 제 2 층간 절연막(4)이 형성되어 있다. 이 소스 영역(1b)으로의 콘택트 홀(5)을 거쳐 데이터선(6a)은 고농도 소스 영역(1d)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 데이터선(6a) 및 제 2 층간 절연막(4) 상에는 고농도 드레인 영역(1e)으로의 콘택트 홀(8)이 형성된 제 3 층간 절연막(7)이 형성되어 있다. 이 고농도 드레인 영역(1e)으로의 콘택트 홀(8)을 거쳐 화소 전극(9a)은 고농도 드레인 영역(1e)에 전기적으로 접속되어 있다. 상술한 화소 전극(9a)은 이와 같이 구성된 제 3 층간 절연막(7)의 상면에 마련되어 있다. 또한, 화소 전극(9a)과 고농도 드레인 영역(1e)은 데이터선(6a)과 동일한 Al막이나 주사선(3b)과 동일한 폴리실리콘막을 중계하여 전기적으로 접속하도록 해도 좋다.
화소 스위칭용 TFT(30)는, 바람직하게는 상술한 바와 같이 LDD 구조를 갖지만, 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)에 불순물 이온의 주입을 실행하지 않는 오프셋 구조를 갖고 있어도 되고, 게이트 전극(3a)을 마스크로 해서 고농도로 불순물 이온을 주입하여 자기 정합적으로 고농도 소스 및 드레인 영역을 형성하는 셀프 얼라인(self aligned)형의 TFT라도 된다.
또한, 화소 스위칭용 TFT(30)의 게이트 전극(주사선(3a))을 소스-드레인 영역(1b, 1e) 사이에 한 개만 배치한 단일의 게이트 구조로 했지만, 이들 사이에 두 개 이상의 게이트 전극을 배치해도 된다. 이 때, 각각의 게이트 전극에는 동일한 신호가 인가되도록 한다. 이와 같이, 이중(double) 게이트 또는 3중(triple) 게이트 이상으로 TFT를 구성하면, 채널과 소스-드레인 영역 접합부의 리크 전류를 방지할 수 있어 오프시의 전류를 저감할 수 있다. 이들 게이트 전극 중의 적어도 한 개를 LDD 구조 또는 오프셋 구조로 하면, 더 전류를 저감할 수 있어 안정한 스위칭 소자를 얻을 수 있다.
여기서, 일반적으로는 반도체층(1a)의 채널 영역(1a') 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c) 등의 단결정 실리콘층은, 광이 입사하면 실리콘이 갖는 광전 변환 효과에 의해 광 전류가 발생해 버려 화소 스위칭용 TFT(30)의 트랜지스터 특성이 변화되지만, 본 실시예에서는 주사선(3a)을 상측에서 덮도록 데이터선(6a)이 Al 등의 차광성의 금속 박막으로 형성되어 있으므로, 적어도 반도체층(1a)의 채널 영역(1a') 및 LDD 영역(1b, 1c)으로의 입사광의 입사를 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 화소 스위칭용 TFT(30)의 하측에는 제 1 차광막(111)이 마련되어 있으므로, 적어도 반도체층(1a)의 채널 영역(1a') 및 LDD 영역(1b, 1c)으로의 회귀광의 입사를 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 스위칭용 TFT(30)의 반도체 재료는 다결정 구조 또는 단결정 구조를 갖는다. 단결정 반도체를 형성하는 경우에는 단결정 기판과 지지 기판을 접합한 후, 단결정 기판측을 박막화하는 접합법을 이용할 수 있다. 이러한 박막 실리콘 단결정을 절연층상에 형성한 구조를 SOI(Silicon On Insulator)라고 한다. 또한, 이러한 기판을 접합 SOI라고 부른다.
또, 이 실시예에서는 서로 인접하는 전단 또는 후단의 화소에 마련된 용량선(3b)과 제 1 차광막(111)을 접속하고 있기 때문에, 최상단 또는 최하단의 화소에 대해서 제 1 차광막(111)으로 정전위를 공급하기 위한 용량선(3b)이 필요하게 된다. 그래서, 용량선(3b)의 수를 수직 화소수에 대해서 한 개 여분으로 마련해 두도록 하면 된다.
다음에, 이상과 같은 구성을 갖는 액정 장치의 제조 프로세스에 대해서 설명한다.
우선, 석영 기판, 하드 글라스 등으로 이루어지는 TFT 어레이 기판(10)을 마련하고, 그의 전면에 스퍼터에 의해 금속층 M1과 배리어층 B1을 밑에서부터 순서대로 형성한다. 다음에, 포토리소그래피에 의해 제 1 차광막(111)의 패턴(도 2 참조)에 대응하는 레지스트 마스크를 형성하고, 이 레지스트 마스크를 거쳐 금속층 M1 및 배리어층 B1을 에칭하는 것에 의해, 도 2에 도시한 바와 같은 패턴의 제 1 차광막(111)이 형성된다. 그 후, 종래와 마찬가지의 방법 등에 의해 도 3에 도시하는 각 층이 형성되고 TFT 어레이 기판(10)이 형성된다.
다음에, 구체적인 예로 설명한다.
석영의 절연 기판인 TFT 어레이 기판(10)상에 금속층으로서 Ti막 M1을 형성한 후, 배리어층으로서 WSi막 B1을 형성하여 제 1 차광막(111)을 형성한다. 그리고, 제 1 차광막(111)상에 NSG의 제 1 층간 절연막(12)이 적층된다.
NSG의 제 1 층간 절연막은 500℃ 이상, 예를 들어 약 680℃에서 제 1 차광막(111)상에 성막되고, 그 후 소결을 위해 1100℃ 이하, 예를 들어 약 1000℃의 고온에서 열처리되어 형성된다. 이 공정 중에서 Ti막 M1은 석영의 절연 기판(10) 중의 산소 원소와 결합되는 한편, 반대측의 무산소계의 금속 화합물인 WSi막 B1에는 산소 원소가 존재하지 않기 때문에 Ti가 산소 원소와 결합하는 산화 현상의 발생을 억제할 수 있다. 따라서, Ti막 M1의 투과율이 크게 저하하는 것을 방지할 수 있다. 가령, Ti막 M1상에 WSi막 B1을 형성하지 않으면, NSG를 형성하는 과정에서 산화 현상이 발생한다. 이 산화 현상은 석영의 TFT 어레이 기판(10)상에 Ti막을 적층시키는 경우보다 화학 반응이 활발하게 되므로, Ti막 M1의 투과성이 크게 저하해 버린다.
한편, 대향 기판(20)에 대해서는 유리 기판 등이 우선 마련되고, 제 2 차광막(23)이, 예를 들어 금속 크롬을 스퍼터한 후 포토리소그래피 공정, 에칭 공정을 거쳐 형성된다. 그 후, 종래와 마찬가지의 방법 등에 의해 도 3에 도시하는 각 층이 형성되고, 대향 기판(20)이 형성된다.
마지막으로, 상술한 바와 같이 각 층이 형성된 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)은 배향막(16, 22)이 대면하도록 밀봉재에 의해 접합되고, 진공 흡인 등에 의해 양 기판 사이의 공간에, 예를 들어 여러 종류의 네마틱 액정을 혼합해서 이루어지는 액정이 흡인되어 소정 층 두께의 액정층(50)이 형성된다.
(액정 장치의 전체 구성)
이상과 같이 구성된 본 실시예의 액정 장치의 전체 구성을 도 8 및 도 9를 참조해서 설명한다. 또, 도 8은 TFT 어레이 기판(10)을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판(20)측에서 본 평면도이며, 도 9는 대향 기판(20)을 포함해서 도시한 도 7의 H-H'단면도이다.
도 8에 있어서, TFT 어레이 기판(10)상에는 밀봉재(52)가 대향 기판(20)의 가장자리를 따라 마련되어 있고, 그의 내측과 평행하게, 예를 들어 제 2 차광막(23)과 동일한 또는 상이한 재료로 이루어지는 주변 프레임으로서의 제 3 차광막(53)이 마련되어 있다. 밀봉재(52)의 외측 영역에는 데이터선 구동 회로(101) 및 실장 단자(102)가 TFT 어레이 기판(10)의 한 변을 따라 마련되어 있고, 주사선 구동 회로(104)가 이 한 변에 인접하는 두 변을 따라 마련되어 있다. 주사선(3a)에 공급되는 주사 신호 지연이 문제로 되지 않는 경우에는 주사선 구동 회로(104)는 한 측에만 배치되어도 좋은 것은 물론이다.
또한, 데이터선 구동 회로(101)를 화면 표시 영역의 변을 따라 양측에 배열해도 된다. 예를 들어, 기수열의 데이터선(6a)은 화면 표시 영역의 한쪽의 변을 따라 배치된 데이터선 구동 회로로부터 화상 신호를 공급하고, 우수열의 데이터선은 상기 화면 표시 영역의 반대측의 변을 따라 배치된 데이터선 구동 회로로부터 화상 신호를 공급하도록 해도 된다. 이와 같이 데이터선(6a)을 빗살 형상으로 구동하도록 하면, 데이터선 구동 회로의 점유 면적을 확장시킬 수 있기 때문에 복잡한 회로를 구성하는 것이 가능해진다.
또한, TFT 어레이 기판(10)의 나머지 한 변에는 화면 표시 영역의 양측에 마련된 주사선 구동 회로(104) 사이를 연결하기 위한 복수의 배선(105)이 마련되어 있고, 또한 주변 프레임으로서의 제 3 차광막(53)의 아래에 숨겨 프리차지 회로를 마련해도 좋다. 또한, 대향 기판(20)의 코너부의 적어도 한 개소에 있어서는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에서 전기적 도통을 취하기 위한 도통재(106)가 마련되어 있다. 그리고, 도 9에 도시하는 바와 같이, 도 8에 도시한 밀봉재(52)와 대략 동일한 윤곽을 갖는 대향 기판(20)이 상기 밀봉재(52)에 의해 TFT 어레이 기판(10)에 고착되어 있다.
이상의 액정 장치의 TFT 어레이 기판(10)상에는 또 제조 도중이나 출하시의 해당 액정 장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사 회로 등을 형성해도 된다. 또한, 데이터선 구동 회로(101) 및 주사선 구동 회로(104)를 TFT 어레이 기판(10) 상에 마련하는 대신에, 예를 들어, TAB(tape automated bonding substrate ; 테이프 자동 본딩 기판)상에 실장된 구동용 LSI에, TFT 어레이 기판(10)의 주변 영역에 마련된 이방성 도전막을 거쳐 전기적 및 기계적으로 접속하도록 해도 좋다. 또한, 대향 기판(20)의 투사광이 입사하는 측 및 TFT 어레이 기판(10)의 출사광이 출사되는 측에는 각각, 예를 들어 TN(twisted nematic), STN(super TN) 모드, D-STN(double scan STN) 모드 등의 동작 모드나 노멀리 화이트 모드/노멀리 블랙 모드 별로 편광막, 위상차막, 편광 수단 등이 소정의 방향에 배치된다.
이상 설명한 액정 장치는, 예를 들어 컬러 액정 프로젝터(투사형 표시 장치)에 적용되는 경우에는 3장의 액정 장치가 RGB용의 광 밸브로서 각각 이용되며, 각 패널에는 각각 RGB 색 분해용의 다이크로익(dichroic) 미러를 거쳐 분해된 각 색의 광이 투사광으로서 각각 입사되게 된다. 따라서, 그 경우에는 상기 실시예에서 설명한 바와 같이, 대향 기판(20)에 컬러 필터는 마련되어 있지 않다. 그러나, 제 2 차광막(23)이 형성되어 있지 않은 화소 전극(9a)과 대향하는 소정 영역에 RGB의 컬러 필터를 그의 보호막과 함께 대향 기판(20)상에 형성해도 된다. 이와 같이 하면, 액정 프로젝터 이외의 직시형이나 반사형의 컬러 액정 텔레비전 등의 컬러 액정 장치에 상기 실시예의 액정 장치를 적용할 수 있다. 또한, 대향 기판(20)상에 1화소당 한 개 대응하도록 마이크로 렌즈를 형성해도 된다. 이와 같이 하면, 입사광의 집광 효율을 향상시킴으로써, 밝은 액정 장치를 실현할 수 있다. 또한, 대향 기판(20)상에 몇 층이나 되는 굴절률이 상위하는 간섭층을 퇴적시키는 것에 의해, 광의 간섭을 이용하여 RGB색을 만들어내는 다이크로익 필터를 형성해도 된다. 이 다이크로익 필터가 부착된 대향 기간에 의하면, 더 밝은 컬러 액정 장치를 실현할 수 있다.
이상 설명한 실시예에 있어서의 액정 장치에서는, 종래와 마찬가지로 입사광을 대향 기판(20)측에서 입사시키는 것으로 했지만, TFT 어레이 기판(10)에 제 1 차광막(111)을 마련하고 있기 때문에, TFT 어레이 기판(10)측에서 입사광을 입사시켜 대향 기판(20)측에서 출사되도록 해도 좋다. 즉, 이와 같이 액정 장치를 액정 프로젝터에 부착하더라도 반도체층(1a)의 채널 영역(1a') 및 LDD 영역(1b, 1c)에 광이 입사되는 것을 방지할 수 있어 고화질의 화상을 표시하는 것이 가능하다. 여기서, 종래는 TFT 어레이 기판(10)의 이면측에서의 반사를 방지하기 위해서 반사방지용의 AR(Anti-reflection) 피막된 편광 수단을 별도로 배치하거나, AR막을 접합할 필요가 있었다. 그러나, 상기한 실시예에서는 TFT 어레이 기판(10)의 표면과 반도체층(1a)의 적어도 채널 영역(1a') 및 LDD 영역(1b, 1c) 사이에 제 1 차광막(111)이 형성되어 있기 때문에, 이러한 AR 피막된 편광 수단이나 AR막을 이용하거나, TFT 어레이 기판(10) 그 자체를 AR 처리한 기판을 사용할 필요가 없어진다. 따라서, 상기 실시예에 의하면, 재료 비용을 삭감할 수 있고 또한 편광 수단의 접합시에 먼지(dust), 결함 등에 의해 양품률을 떨어뜨리는 일이 없어 매우 유리하다. 또한, 내광성이 우수하기 때문에, 밝은 광원을 사용하거나, 편광 빔 스플리터에 의해 편광 변환하여 광 이용 효율을 향상시켜도 광에 의한 누화(크로스토크) 등의 화질 열화를 발생시키지 않는다.
또한, 이러한 액정 장치에는 배리어층 B1과 금속층 M1을 갖는 제 1 차광막(111)이 구비되어 있으므로, 제 1 차광막(111)의 차광 성능이 불충분한 것에 따른 광 리크 전류가 발생하기 어려워, 강력한 광원을 갖는 전자 기기 등에 적합하게 사용할 수 있는 액정 장치로 할 수 있다.
즉, 제 1 차광막(111)이 화소 스위칭용 TFT(30)측에 배리어층 B1을 갖는 것이므로, 제 1 차광막(111)을 형성한 후에 제 1 층간 절연막(12)의 형성이나 화소 스위칭용 TFT(30)을 형성할 때의 어닐링 처리 등의 고온 처리를 행하더라도, 금속층 M1의 배리어층 B1측의 표면이 산소 원소를 포함하지 않는 배리어층 B1에 의해 금속층 M1과 제 1 층간 절연막(12)과의 산화 현상이 발생하는 것이 억제되고, 금속층 M1을 형성하고 있는 재료가 산소 화합물로 되는 것에 기인하는 차광 성능의 저하를 방지할 수 있어 제 1 차광막(111)의 차광 성능을 확보할 수 있다.
이것에 의해, 차광 성능이 높은, 예를 들어 Ti 등의 재료로 금속층 M1을 형성하여, 우수한 차광 성능을 갖는 제 1 차광막(111)이 얻어진다.
또한, 제 1 차광막(111)은 고온 처리에 의한 차광 성능의 저하가 발생하기 어렵고 우수한 차광 성능을 갖기 때문에, 종래의 차광막에 비해서 막 두께를 얇게 할 수 있다. 이것에 의해, 종래의 차광막과 비교하여, 제 1 차광막(111)의 성막 공정에 있어서의 에칭 시간을 단축할 수 있음과 동시에, 제 1 차광막(111)을 형성할 때 사용하는 성막 타겟의 수명 연장 및 가스량의 저감을 도모할 수 있다.
제 1 차광막(111)에 있어서, 배리어층 B1을 형성하는 재료인 고융점 금속의 질소 화합물, 실리콘 화합물, 텅스텐 화합물, 실리콘을 각각 상술한 바람직한 재료로 함으로써, 금속층 M1을 형성하고 있는 재료가 산소 화합물로 되는 것을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있는 배리어층 B1로 되고, 한층 더 고온 처리에 의한 차광 성능의 저하가 발생하기 어려운 제 1 차광막(111)으로 할 수 있다.
또한, 금속층 M1을 형성하는 재료인 금속 단체 또는 금속 화합물을 각각 상술한 바람직한 재료로 하는 것에 의해, 한층 더 차광 성능이 우수한 제 1 차광막(111)으로 할 수 있다.
특히, 배리어층 B1을 형성하는 재료를 WSi, MoSi, TiSi, CoSi, CrSi 중 어느 하나로 하고, 금속층 M1을 형성하는 재료를 Ti, Mo, W 중 어느 하나로 한 경우, 배리어층을 형성하는 재료가 Si를 방출하는 도우너(donor)로서 기능하고, 금속층 M1을 형성하는 재료가 Si를 받아들이는 억셉터(acceptor)로서 기능하기 때문에, 배리어층 B1과 금속층 M1의 물성의 차이에 기인하는 응력이 완화되고 배리어층 B1과 금속층 M1의 관계가 안정하게 되므로, 금속층 M1을 형성하고 있는 재료가 산소 화합물로 되는 것을 한층 더 효과적으로 억제할 수 있고, 한층 더 고온 처리에 의한 차광 성능의 저하가 발생하기 어려운 제 1 차광막(111)으로 할 수 있다.
또한, 배리어층 B1과 금속층 M1의 관계가 안정하게 되므로, 제 1 차광막(111)에 제조 프로세스 중의 가열 냉각에 의한 크랙이 발생하기 어려워wu, 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 배리어층 B1의 막 두께를 1∼200㎚으로 함으로써, TFT 어레이 기판(10)의 휘어짐량이 비교적 적은 것으로 됨과 동시에, 고온 처리에 의한 차광 성능의 저하를 충분히 방지할 수 있다. 따라서, 한층 더 우수한 제 1 차광막(111)으로 할 수 있다.
또한, 금속층 M1의 막 두께를 10∼200㎚으로 하는 것에 의해 TFT 어레이 기판(10)의 휘어짐량이 적은 것으로 됨과 동시에 충분한 차광 성능을 구비한 것으로 되어, 한층 더 우수한 제 1 차광막(111)으로 할 수 있다.
(실시예 2)
이하, 본 발명의 실시예 2를 도 4를 참조하여 설명한다.
본 실시예가 상술한 실시예 1과 다른 점은 도 3에 도시하는 액정 장치에 구비되어 있는 제 1 차광막(111) 대신에, TFT 어레이 기판(10)측에 배리어층 B2가 마련되고, 배리어층 B2 상에 금속층 M1이 마련된, 도 4에 도시하는 제 1 차광막(112)이 구비되어 있는 점이다.
상기한 바와 같이 본 실시예가 실시예 1과 다른 점은 제 1 차광막뿐이므로, 도 4에는 TFT 어레이 기판과 제 1 차광막만을 도시하고 실시예 1과 마찬가지의 다른 부분에 대해서는 생략한다.
도 4에 있어서, 참조 부호 (10)은 TFT 어레이 기판(10)을 나타내고 있다. 이 TFT 어레이 기판(10) 상에는 배리어층 B2와 배리어층 B2 상에 마련된 금속층 M2로 이루어지는 제 1 차광층(112)이 마련되어 있다.
이 제 1 차광막(112)의 배리어층 B2 및 금속층 M2는 상술한 실시예 1에 나타낸 제 1 차광막(111)의 배리어층 B1 및 금속층 M1과 동일한 재료 및 막 두께로 형성시켜도 좋다.
이러한 액정 장치를 제조하기 위해서는, 우선, 석영 기판, 하드 글라스 등으로 이루어지는 TFT 어레이 기판(10)을 준비하고, 그의 전면에 스퍼터, CVD법에 의해 배리어층 B2와 금속층 M2를 밑에서부터 순서대로 형성한다. 그 후, 실시예 1과 동일한 방법 등에 의해 TFT 어레이 기판(10)이 형성된다. 또한, 실시예 1과 마찬가지의 방법 등에 의해 대향 기판(20)이 형성되고, TFT 어레이 기판(10)과 접합되어 액정 장치로 된다.
이 액정 장치에 구비되어 있는 제 1 차광막(112)은 배리어층 B2를 갖는 것이기 때문에, 제 1 차광막(112)을 형성한 후에 고온 처리를 행하더라도 금속층 M2의 배리어층 B2측, 즉 TFT 어레이 기판(10)측의 표면이 산소 화합물로 되는 것을 배리어층 B2가 억제하므로, 금속층 M2를 형성하고 있는 재료가 산소 화합물로 되는 것에 기인하는 차광 성능의 저하를 방지할 수 있어 제 1 차광막(112)의 차광 성능을 확보할 수 있다. 따라서, 금속층 M2에, 우수한 차광 성능을 갖고 있기는 하지만 고온 처리에 의해서 차광 성능의 저하가 발생하는 것이 문제로 되었던 재료를 사용하는 것이 가능해져, 차광 성능이 우수한 재료에 의해 금속층 M2를 형성할 수 있다. 이 때문에, 우수한 차광 성능을 갖는 제 1 차광막(112)으로 된다.
또한, 배리어층 B2로서 실리콘을 이용한 경우에는, 도핑되지 않은 폴리실리콘이라도 좋고 도핑된 폴리실리콘이라도 좋다. 도핑되지 않은 폴리실리콘이라면, 배리어층 B2의 박리의 발생은 발생하기 어렵다. 따라서, 200㎚보다 두텁게 해도 좋다. 도핑된 폴리실리콘에서는 막 두께는 1㎚이더라도 금속층의 산화에 의한 차광 성능의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예의 액정 장치는 배리어층 B2와 금속층 M2를 갖는 제 1 차광막(112)이 구비되어 있으므로, 제 1 차광막(112)의 차광 성능이 불충분한 것에 따른 광 리크 전류가 발생하기 어려워져, 강력한 광원을 갖는 전자 기기 등에 적합하게 사용할 수 있는 액정 장치로 할 수 있다.
(실시예 3)
이하, 본 발명의 실시예 3을 도 5를 참조하여 설명한다.
본 실시예가 상술한 실시예 1과 다른 점은 도 3에 도시한 액정 장치에 구비되어 있는 제 1 차광막(111) 대신에, 금속층 M3이 2층의 배리어층 B3, B4 사이에 마련되어 있는, 도 5에 도시하는 제 1 차광막(113)이 구비되어 있는 점이다.
상기한 바와 같이, 본 실시예에 있어서도 실시예 1과 다른 점은 제 1 차광막 뿐이므로, 도 5에는 TFT 어레이 기판과 제 1 차광막만을 도시하고, 실시예 1과 마찬가지인 다른 부분에 대해서는 생략한다.
도 5에 있어서, 참조 부호 (10)은 TFT 어레이 기판(10)을 나타내고 있다. 이 TFT 어레이 기판(10) 상에는 배리어층 B4와, 배리어층 B4 상에 마련된 금속층 M3과, 금속층 M3 상에 마련된 배리어층 B3으로 이루어지는 제 1 차광층(113)이 마련되어 있다.
이 제 1 차광막(113)의 배리어층 B3, B4는 상술한 실시예 1에 나타낸 제 1 차광막(111)의 배리어층 B1과 동일한 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 배리어층 B3, B4는 각각 상술한 실시예 1에 나타낸 제 1 차광막(111)의 배리어층 B1과 동일한 막 두께로 형성시켜도 좋다.
또한, 이 제 1 차광막(113)의 금속층 M3은 상술한 실시예 1에 나타낸 제 1 차광막(111)의 금속층 M1과 마찬가지의 재료 및 막 두께로 형성시켜도 좋다.
이러한 액정 장치를 제조하는데는, 우선 석영 기판, 하드 글라스 등으로 이루어지는 TFT 어레이 기판(10)을 마련하고, 그의 전면에 스퍼터에 의해 배리어층 B4, 금속층 M3, 배리어층 B3을 밑에서부터 순서대로 형성한다. 그 후, 실시예 1과 마찬가지의 방법 등에 의해 TFT 어레이 기판(10)이 형성된다. 또한, 실시예 1과 마찬가지의 방법 등에 의해 대향 기판(20)이 형성되고, TFT 어레이 기판(10)과 접합되어 액정 장치로 된다.
이 액정 장치에 구비되어 있는 제 1 차광막(113)에 있어서는, 금속층 M3이 2층의 배리어층 B3, B4 사이에 배치된 상태로 되어 있기 때문에, 제 1 차광막(113)을 형성한 후에 고온 처리를 행하더라도 금속층 M3의 TFT 어레이 기판(10)측 및 TFT 어레이 기판(10)과 반대측의 양측의 표면이 산소 화합물로 되는 것을 배리어층 B3, B4가 억제하므로, 금속층 M3을 형성하고 있는 재료가 산소 화합물로 되는 것에 기인하는 차광 성능의 저하를 한층 더 효과적으로 방지할 수 있고, 제 1 차광막(113)의 차광 성능을 확보할 수 있다. 따라서, 금속층 M3에 우수한 차광 성능을 갖고 있기는 하지만 고온 처리에 의해서 차광 성능의 저하가 발생하는 것이 문제로 되었던 재료를 사용하는 것이 가능해져, 차광 성능이 우수한 재료에 의해 금속층 M3을 형성할 수 있다. 이 때문에, 우수한 차광 성능을 갖는 제 1 차광막(113)으로 된다.
다음에, 구체적인 예로서, 금속층으로서 Ti막 M3, 상하의 배리어층으로서 WSi막 B3, B4를 이용한 제 1 차광막(113)의 경우를 설명한다.
차광성을 높게 하기 위해서는 Ti막 M3의 상하에 WSi막 B3, B4를 형성하는 것에 의해 향상한다. 그러나, 차광막으로서 막 두께가 증가하기 때문에, 화소 스위칭용 TFT(30)이나 데이터선(6a) 등의 배선을 적층시키면 배향막(16)의 표면에 단차가 발생하여 표시 품위의 저하로 이어진다.
그래서, Ti막 M3의 막 두께를 30㎚∼50㎚로 하고, 하측, 즉 TFT 어레이 기판(10)측의 WSi막 B4를 10㎚∼20㎚, 상측의 WSi막 B3을 30㎚∼100㎚로 하는 것이 바람직하다. 하측의 WSi막 B4를 10㎚∼20㎚로 했으므로, 막 두께 200㎚의 WSi막을 단독의 차광막으로 한 것과 비교하더라도 광 흡수성이 있어 차광성이 향상한다. 또한, 상측의 WSi막 B3은 두꺼울수록 차광성이 향상하지만, 50㎚∼100㎚의 막 두께로도 차광성을 확보할 수 있다. 또한, 이러한 제 1 차광막(113)에 의하면, 400㎚ 정도 이하의 파장 영역을 갖는 광을 확실하게 차광할 수 있기 때문에, 청색 파장 성분에 의한 액정의 열화를 저감시킬 수 있다.
또한, 본 실시예의 액정 장치는 제 1 차광막(113)이 구비되어 있으므로, 제 1 차광막(113)의 차광 성능이 불충분한 것에 따른 광 리크 전류가 한층 더 발생하기 어려워져, 더 강력한 광원을 갖는 전자 기기 등에 적합하게 사용할 수 있는 액정 장치로 할 수 있다.
(실시예 4)
이하, 본 발명의 실시예 4를 도 6을 참조하여 설명한다.
본 실시예가 상술한 실시예 3과 다른 점은, 도 5에 도시한 액정 장치에 구비되어 있는 제 1 차광막(113)의 금속층 M3이 도 6에 도시하는 바와 같이 3층 구조로 되어 있는 점이다.
상기한 바와 같이 본 실시예가 실시예 3과 다른 점은 제 1 차광막뿐이므로, 도 6에는 TFT 어레이 기판과 제 1 차광막만을 도시하고, 도 5에 도시한 실시예 3과 마찬가지로 실시예 1과 마찬가지의 다른 부분에 대해서는 생략한다.
도 6에 있어서, 참조 부호 (10)은 TFT 어레이 기판(10)을 나타내고 있다. 이 TFT 어레이 기판(10)상에는, 배리어층 B4, 금속층 M6, 금속층 M5, 금속층 M4, 배리어층 B3이 밑에서부터 순서대로 마련된 제 1 차광층(115)이 마련되어 있다.
금속층 M5, M6은 실시예 1의 금속층과 동일한 광반사성이 있는 금속 단체 또는 금속 화합물로 이루어진다. 금속층 M5를 사이에 끼우는 금속층 M4, M6은 광 흡수성의 TiN 등의 금속 화합물로 이루어진다.
이 제 1 차광막(115)의 금속층 M4, M5, M6의 막 두께의 합계는 상술한 실시예 1에 나타낸 제 1 차광막(111)의 금속층 M1과 마찬가지의 막 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 이 제 1 차광막(115)의 배리어층 B3, B4는 상술한 실시예 3에 나타낸 제 1 차광막(113)의 배리어층 B3, B4와 동일한 재료 및 막 두께로 형성시켜도 좋다.
또한, 배리어층 B3, B4를 형성하는 재료로서 WSi, MoSi, TiSi, CoSi 중 어느 하나를 사용하고, 3층으로 이루어지는 금속층 M4, M5, M6중 금속층 M4, M6을 형성하는 재료로서 Ti, Mo, W 중 어느 하나를 사용하고, 금속층의 중앙에 위치하는 금속층 M5를 형성하는 재료로서 질소 화합물 및 실리콘 화합물을 사용하는 것이 더 바람직하다. 이것에 의해, 막 형성에 있어서, 금속층 M4, M6이 크랙 등과 같은 기계적인 반응에 의한 수축이나 신장에 의한 파손을 방지할 수 있다. 금속층 M5는, 예를 들어 W라도 동일한 효과가 얻어진다.
이러한 액정 장치를 제조하기 위해서는 우선 석영 기판, 하드 글라스 등으로 이루어지는 TFT 어레이 기판(10)을 마련하고, 그의 전면에 스퍼터, CVD법에 의해 배리어층 B4, 광반사성의 금속층 M6, 광반사성의 금속층 M5, 광흡수성의 금속층 M4, 배리어층 B3을 밑에서부터 순서대로 형성한다. 그 후, 실시예 1과 마찬가지의 방법 등에 의해 TFT 어레이 기판(10)이 형성된다. 또한, 실시예 1과 마찬가지의 방법 등에 의해 대향 기판(20)이 형성되고, TFT 어레이 기판(10)과 접합되어 액정 장치로 된다.
이 액정 장치에 구비되어 있는 제 1 차광막(113)에 있어서는, 금속층 M4, M5, M6이 2층의 배리어층 B3, B4 사이에 배치된 상태로 되어 있으므로, 제 1 차광막(113)을 형성한 후에 고온 처리를 실행한 경우, 실시예 3과 마찬가지로 해서 제 1 차광막(113)의 차광 성능을 확보할 수 있다. 따라서, 우수한 차광 성능을 갖는 제 1 차광막(115)으로 된다.
또한, 금속층은 화소 스위칭용 TFT측을 광흡수성의 금속층 M4로 형성하고 있으므로, 금속층 M4에 입사된 광은 흡수되고 화소 스위칭용 TFT에 반사시키는 일은 없다. 또한, 금속층은 TFT 어레이 기판(10)측을 광반사성의 금속층 M6으로 형성하고 있으므로, TFT 어레이 기판(10)측에서 입사되는 광을 반사할 수 있다. 이와 같이 TFT의 광 리크량을 더 억제하는 제 1 차광막(115)으로 할 수 있다.
또한, 배리어층 B3, B4 및 금속층 M4, M5, M6의 관계가 안정하기 때문에, 제 1 차광막(115)에 제조 프로세스 중의 가열 냉각에 의한 크랙이 발생하기 어려워져, 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 배리어층 B3, B4를 형성하는 재료로서 WSi, MoSi, TiSi, CoSi 중 어느 하나를 사용하고, 3층으로 이루어지는 금속층 M4, M5, M6중 중앙에 위치하는 금속층 M5를 형성하는 재료로서 Ti, Mo, W 중 어느 하나를 사용하고, 배리어층 B3, B4측에 위치하는 금속층 M6, M4를 형성하는 재료로서 중앙에 위치하는 금속층 M5에 사용한 재료의 질소 화합물을 사용한 경우에는, 각 층의 물성의 차이에 의한 응력이 한층 더 적어져 각 층의 관계가 한층 더 안정하게 되므로, 금속층을 3층 구조로 하는 것에 따른 효과를 한층 더 높일 수 있다.
또한, 본 실시예의 액정 장치는 제 1 차광막(115)이 구비되어 있으므로, 제 1 차광막(115)의 차광 성능이 불충분한 것에 따른 광 리크 전류가 한층 더 발생하기 어려워져, 더 강력한 광원을 갖는 전자 기기 등에 적합하게 사용할 수 있는 액정 장치로 할 수 있다.
또, 금속층 M6을 형성하지 않아도 된다. 또한, 2층의 금속층으로 이루어지는 차광막을 화소 스위칭용 TFT상에 형성하는 경우에는 TFT측의 금속층을 광흡수성의 금속층에 형성하면 된다.
(실시예 5)
이하, 본 발명의 실시예 5를 도 7을 참조하여 설명한다.
본 실시예가 상술한 실시예 3과 다른 점은 도 5에 도시한 액정 장치에 구비되어 있는 제 1 차광막(113) 대신에, 도 7에 도시하는 바와 같이 금속층 M3의 TFT 어레이 기판(10)측과 반대측(도 7에 있어서 상측)에 마련된 배리어층 B5가, 금속층 M3의 TFT 어레이 기판(10)측(도 7에 있어서 하측)에 마련된 배리어층 B4의 측면과 금속층 M3의 측면을 덮고 TFT 어레이 기판(10)상으로 연장해서 형성되어 있는 제 1 차광막(114)이 구비되고 있는 점이다.
상기한 바와 같이 본 실시예가 실시예 3과 다른 점은 제 1 차광막뿐이므로, 도 7에는 TFT 어레이 기판과 제 1 차광막만을 도시하고, 도 5에 도시한 실시예 3과 마찬가지로 실시예 1과 마찬가지의 다른 부분에 대해서는 생략한다.
도 7에 있어서, 참조 부호 (10)은 TFT 어레이 기판(10)을 나타내고 있다. 이 TFT 어레이 기판(10) 상에는 배리어층 B4와, 배리어층 B4 상에 마련된 금속층 M3과, 금속층 M3상과 배리어층 B4 측면과 금속층 M3 측면을 덮고 TFT 어레이 기판(10)상으로 연장해서 형성되어 있는 배리어층 B5로 이루어지는 제 1 차광층(114)이 마련되어 있다.
이 제 1 차광막(114)의 배리어층 B4, B5 및 금속층 M3은 상술한 실시예 3에 나타낸 제 1 차광막(113)의 배리어층 B3, B4 및 금속층 M3과 동일한 재료 및 막 두께로 형성시켜도 된다.
이러한 액정 장치를 제조하기 위해서는, 우선 석영 기판, 하드 글라스 등으로 이루어지는 TFT 어레이 기판(10)을 마련하고, 그의 전면에 스퍼터에 의해 배리어층 B4, 금속층 M3을 밑에서부터 순서대로 형성한다. 다음에, 포토리소그래피에 의해 제 1 차광막(114)의 패턴에 대응하는 레지스트 마스크를 형성하고, 이 레지스트 마스크를 거쳐 금속층 M3 및 배리어층 B4를 에칭한다. 그리고, 이렇게 해서 형성된 금속층 M3 및 배리어층 B4로 이루어지는 막을 덮도록 스퍼터하는 것에 의해, 금속층 M3상과 금속층 M3 측면과 배리어층 B4 측면을 덮고 TFT 어레이 기판(10)상으로 연장하는 배리어층 B5를 형성한다. 계속해서, 배리어층 B5의 TFT 어레이 기판(10)상으로 연장하는 부분 중 여분의 부분을 포토리소그래피에 의해 에칭하는 것에 의해, 도 7에 도시한 제 1 차광막(114)이 형성된다. 그 후, 실시예 1과 마찬가지의 방법 등에 의해 TFT 어레이 기판(10)이 형성된다. 또한, 실시예 1과 마찬가지의 방법 등에 의해 대향 기판(20)이 형성되고, TFT 어레이 기판(10)과 접합되어 액정 장치로 된다.
이 액정 장치에 구비되어 있는 제 1 차광막(114)에 있어서는, 금속층 M3이 2층의 배리어층 B4, B5 사이에 배치된 상태로 되어 있으므로, 제 1 차광막(114)을 형성한 후에 고온 처리를 실행한 경우, 실시예 3과 마찬가지로 해서 제 1 차광막(114)의 차광 성능을 확보할 수 있다.
또한, 배리어층 B5가 금속층 M3상 및 배리어층 B4 측면과 금속층 M3 측면을 덮고 TFT 어레이 기판(10)상으로 연장해서 형성되어 있기 때문에, 제 1 차광막(114)을 형성한 후에 고온 처리를 실행한 경우, 금속층 M3의 측면이 산소 화합물로 되는 것을 배리어층 B5가 억제하므로, 금속층 M3을 형성하고 있는 재료가 산소 화합물로 되는 것에 기인하는 차광 성능의 저하를 한층 더 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 우수한 차광 성능을 갖는 제 1 차광막(114)으로 된다.
또한, 본 실시예의 액정 장치는 제 1 차광막(114)이 구비되어 있으므로, 제 1 차광막(114)의 차광 성능이 불충분한 것에 따른 광 리크 전류가 한층 더 발생하기 어려워져, 더 강력한 광원을 갖는 전자 기기 등에 적합하게 사용할 수 있는 액정 장치로 할 수 있다.
또, 본 발명의 차광막은 실시예 5에 나타낸 바와 같이, 배리어층 B5와 TFT 어레이 기판(10) 사이에 금속층 M3과 배리어층 B4가 마련된 것으로 할 수 있지만, 도 7에 도시한 금속층 M3과 배리어층 B4의 2층 대신에, 예를 들어 실시예 1∼실시예 4에 나타낸 제 1 차광막(111, 112, 113, 114)이 마련된 것으로 해도 좋다.
이 경우, 제 1 차광막(111, 112, 113, 114)상과 측면이 배리어층 B5에 의해서 덮여진 것으로 되어, 금속층을 형성하고 있는 재료가 산소 화합물로 되는 것에 기인하는 차광 성능의 저하를 한층 더 효과적으로 방지할 수 있어, 더 우수한 차광 성능을 갖는 제 1 차광막으로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 차광막은 상술한 예에서 설명한 바와 같이, 액정 장치의 제 1 차광막으로서 바람직하게 사용할 수 있지만, 제 2 차광막으로서 사용하는 것도 가능하다.
또한, 실시예 1∼실시예 5에서 설명한 바와 같이, 차광층은 화소 스위칭용 TFT상, 예를 들어, 화소 스위칭용 TFT와 데이터선 사이의 층에 형성해도 좋다.
또한, 고정 전위에 접속된 차광층은 배리어층과 금속층 중 어느쪽의 층에 접속되더라도 된다.
(전자 기기)
상기한 실시예의 액정 장치를 이용한 전자 기기의 일례로서, 투사형 표시 장치의 구성에 대해서 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10에 있어서, 투사형 표시 장치(1100)는 상술한 액정 장치를 세 개 마련하고, 각각 RGB용의 액정 장치(962R, 962G, 962B)로서 이용한 투사형 액정 장치의 광학계의 개략 구성도를 도시한다. 본 예의 투사형 표시 장치의 광학계에는 광원 장치(920)와 균일 조명 광학계(923)가 채용되어 있다. 그리고, 투사형 표시 장치는 이 균일 조명 광학계(923)로부터 출사되는 광속 W를 적색(R), 녹색(G), 청색(B)으로 분리하는 색 분리 수단으로서의 색 분리 광학계(924)와, 각 색 광속 R, G, B를 변조하는 변조 수단으로서의 세 개의 광 밸브(925R, 925G, 925B)와, 변조된 후의 색 광속을 재합성하는 색 합성 수단으로서의 색 합성 프리즘(910)과, 합성된 광속을 투사면(100)의 표면에 확대 투사하는 투사 수단으로서의 투사 렌즈 유닛(906)을 구비하고 있다. 또한, 청색 광속 B를 대응하는 광 밸브(925B)로 유도하는 도광계(927)도 구비하고 있다.
균일 조명 광학계(923)는 두 개의 렌즈판(921, 922)과 반사 미러(931)를 구비하고 있고, 반사 미러(931)를 사이에 두고 두 개의 렌즈판(921, 922)이 직교하는 상태로 배치되어 있다. 균일 조명 광학계(923)의 두 개의 렌즈판(921, 922)은 각각 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 직사각형 렌즈를 구비하고 있다. 광원 장치(920)로부터 출사된 광속은 제 1 렌즈판(921)의 직사각형 렌즈에 의해서 복수의 부분 광속으로 분할된다. 그리고, 이들의 부분 광속은 제 2 렌즈판(922)의 직사각형 렌즈에 의해서 세 개의 광 밸브(925R, 925G, 925B) 부근에서 중첩된다. 따라서, 균일 조명 광학계(923)를 이용하는 것에 의해 광원 장치(920)가 출사광속의 단면내에서 불균일한 조도 분포를 갖고 있는 경우에도, 세 개의 광 밸브(925R, 925G, 925B)를 균일한 조명광으로 조명하는 것이 가능해진다.
각 색 분리 광학계(924)는 청록 반사 다이크로익 미러(941)와, 녹색 반사 다이크로익 미러(842)와, 반사 미러(943)로 구성된다. 우선, 청록 반사 다이크로익 미러(941)에 있어서, 광속 W에 포함되어 있는 청색 광속 B 및 녹색 광속 G가 직각으로 반사되어 녹색 반사 다이크로익 미러(942)측으로 향한다. 적색 광속 R은 이 미러(941)를 통과하여 후방의 반사 미러(943)에 의해 직각으로 반사되어, 적색 광속 R의 출사부(944)로부터 프리즘 유닛(910)측으로 출사된다.
다음에, 녹색 반사 다이크로익 미러(942)에 있어서, 청록 반사 다이크로익 미러(941)에 있어서 반사된 청색, 녹색 광속 B, G 중 녹색 광속 G만이 직각으로 반사되어 녹색 광속 G의 출사부(945)로부터 색 합성 광학계측으로 출사된다. 녹색 반사 다이크로익 미러(942)를 통과한 청색 광속 B는 청색 광속 B의 출사부(946)로부터 도광계(927)측으로 출사된다. 본 예에서는 균일 조명 광학 소자의 광속 W의 출사부로부터 색 분리 광학계(924)에 있어서의 각 색 광속의 출사부(944, 945, 946)까지의 거리가 거의 동일하게 되도록 설정되어 있다.
색 분리 광학계(924)의 적색, 녹색 광속 R, G의 출사부(944, 945)의 출사측에는 각각 집광 렌즈(951, 952)가 배치되어 있다. 따라서, 각 출사부로부터 출사된 적색, 녹색 광속 R, G는 이들의 집광 렌즈(951, 952)로 입사되어 평행화된다.
이와 같이 평행화된 적색, 녹색 광속 R, G는 광 밸브(925R, 925G)로 입사되어 변조되고, 각 색광에 대응한 화상 정보가 부가된다. 즉, 이들의 액정 장치는 도시하지 않는 구동 수단에 의해서 화상 정보에 따라 스위칭 제어되고, 이것에 의해 이곳을 통과하는 각 색광의 변조가 실행된다. 한편, 청색 광속 B는 도광계(927)를 거쳐 대응하는 광 밸브(925B)로 유도되고, 이곳에서 마찬가지로 화상 정보에 따라 변조가 실시된다. 또한, 본 예의 광 밸브(925R, 925G, 925B)는 각각, 또한 입사측 편광 수단(960R, 960G, 960B)과, 출사측 편광 수단(961R, 961G, 961B)과, 이들 사이에 배치된 액정 장치(962R, 962G, 962B)로 이루어지는 액정 광 밸브이다.
도광계(927)는 청색 광속 B의 출사부(946)의 출사측에 배치된 집광 렌즈(954)와, 입사측 반사 미러(971)와, 출사측 반사 미러(972)와, 이들 반사 미러 사이에 배치된 중간 렌즈(973)와, 광 밸브(925B)의 바로 앞쪽에 배치된 집광 렌즈(953)로 구성되어 있다. 집광 렌즈(946)로부터 출사된 청색 광속 B는 도광계(927)를 거쳐 액정 장치(962B)로 유도되어 변조된다. 각 색 광속의 광로 길이, 즉 광속 W의 출사부로부터 각 액정 장치(962R, 962G, 962B)까지의 거리는 청색 광속 B가 가장 길게 되고, 따라서 청색 광속의 광량 손실이 가장 많아진다. 그러나, 도광계(927)를 개재시키는 것에 의해 광량 손실을 억제할 수 있다.
각 광 밸브(925R, 925G, 925B)를 통해 변조된 각 색 광속 R, G, B는 색 합성 프리즘(910)에 입사되어 여기서 합성된다. 그리고, 이 색 합성 프리즘(910)에 의해서 합성된 광이 투사 렌즈 유닛(906)을 거쳐 소정의 위치에 있는 투사면(100)의 표면에 확대 투사되도록 되어 있다.
본 예로서는 액정 장치(962R, 962G, 962B)에는 TFT의 하측에 차광층이 마련되어 있기 때문에, 상기 액정 장치(962R, 962G, 962B)로부터의 투사광에 근거하는 액정 프로젝터내의 투사 광학계에 의한 반사광, 투사광이 통과할 때의 TFT 어레이 기판의 표면으로부터의 반사광, 다른 액정 장치로부터 출사된 후에 투사 광학계를 관통해 오는 투사광의 일부 등이, 회귀광으로서 TFT 어레이 기판측으로부터 입사되더라도, 화소 전극의 스위칭용 TFT의 채널에 대한 차광을 충분히 실행할 수 있다. 따라서, 강력한 광원을 사용하는 경우에도 광 리크 전류가 발생하기 어려운 전자 기기로 할 수 있다.
또한, 소형화에 적합한 프리즘 유닛을 투사 광학계에 이용하더라도, 각 액정 장치(962R, 962G, 962B)와 프리즘 유닛 사이에 있어서 회귀광 방지용 막을 별도로 배치하거나, 편광 수단에 회귀광 방지 처리를 실시하거나 하는 일이 불필요하게 되므로, 구성을 소형이고 또한 간이화하는 데에 있어서 매우 유리하다.
또한, 본 실시예에서는 회귀광에 의한 TFT의 채널 영역으로의 영향을 억제할 수 있기 때문에, 액정 장치에 직접 회귀광 방지 처리를 실시한 편광 수단(961R, 961G, 961B)을 접합시키지 않아도 좋다. 그래서, 편광 수단을 액정 장치로부터 분리해서 형성, 더욱 구체적으로는 한쪽의 편광 수단(961R, 961G, (961B)은 프리즘 유닛(910)에 접합시키고, 다른쪽의 편광 수단(960R, 960G, 960B)은 집광 렌즈(953, 945, 944)에 접합시키는 것이 가능하다. 이와 같이 편광 수단을 프리즘 유닛 또는 집광 렌즈에 접합시키는 것에 의해 편광 수단의 열은 프리즘 유닛 또는 집광 렌즈로 흡수되기 때문에 액정 장치의 온도 상승을 방지할 수 있다.
또한, 도시를 생략하지만, 액정 장치와 편광 수단을 이간해서 형성하는 것에 의해, 액정 장치와 편광 수단 사이에는 공기층이 생기기 때문에, 냉각 수단을 마련하여 액정 장치와 편광 수단 사이에 냉풍 등의 송풍을 보내는 것에 의해, 액정 장치의 온도 상승을 더욱 방지할 수 있어 액정 장치의 온도 상승에 의한 오동작을 방지할 수 있다.
(시험예)
이하, 본 발명의 시험예를 나타내어 상세하게 설명한다.
(시험예 1 : 배리어층의 막 두께와 투과율의 관계)
도 11에 시험예를 도시한다.
이 시험예는 절연 기판상에 WSi의 하층 배리어층, Ti로 이루어지는 금속층, WSi의 상방 배리어층으로 이루어지는 차광막을 형성하고 차광막에 절연층을 적층한 것이다. 그리고, 상방 배리어층의 막 두께를 25㎚, 금속층의 막 두께를 50㎚로 하고, 하층 배리어층의 두께를 0∼40㎚의 범위로 변화시켜 시험을 실시했다. 또, 절연층을 적층하여 1020℃의 어닐링 처리를 실시한 후에 투과율(Y값: 550㎚)을 측정하여 하층 배리어층의 두께와 투과율(Y값: 550㎚)의 관계를 조사한 것이다.
하층 배리어층이 0㎚에서는 금속층은 절연 기판과의 산화 현상에 의해 금속층에 산화막이 형성되고, 투과율은 1.6%였다.
하층 배리어층의 막 두께를 5㎚으로 하면 투과율은 1.0%이고, 25㎚에서 0.6% 로서, 차광 성능이 우수하다는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 이 차광막은 하층 배리어층의 막 두께를 3㎚로 하면 전체 두께가 78㎚로 되며, 하층 배리어층의 막 두께가 40㎚이더라도 전체 두께가 115㎚로 되므로, WSi의 차광막보다 훨씬 얇게 할 수 있다. 따라서, TFT 어레이 기판의 배향막의 단차가 적어 액정의 배향 불량을 저감할 수 있다는 것도 확인할 수 있었다.
(시험예 2 : 실시예 1의 구성에 있어서의 금속층의 막 두께와 투과율의 관계)
도 12에 시험예를 도시한다.
이 시험예는 절연 기판상에 Ti의 금속층, WSi의 배리어층으로 이루어지는 차광막을 형성하고, 차광막에 절연층을 적층한 것이다. 그리고, 차광막의 두께가 200㎚로 되도록 금속층의 막 두께를 50∼150㎚의 범위로 변화시켜 시험을 실시했다. 또, 절연층을 적층하여 680℃의 어닐링 처리를 실시한 후에 투과율(Y값: 550㎚)을 측정하고, 금속층 두께와 투과율(Y값: 550㎚)의 관계를 조사한 것이다. 또한, 투과율의 측정은 면내 5점씩 실행하여 그 평균치도 구하였다.
금속층의 고온 처리가 실시되는 절연막측의 면에만 배리어층을 형성하더라도, 금속층의 막 두께 50㎚에서 0.005% 전후라는 우수한 차광성을 나타내었다. 그리고, 금속층이 100㎚ 이상으로 되면 투과율은 0에 가까운 값을 나타내었다.
(시험예 3 : 실시예 2의 구성에 있어서의 금속층의 막 두께와 투과율의 관계)
도 13에 시험예를 도시한다.
이 시험예는 절연 기판상에 WSi의 배리어층, Ti의 금속층으로 이루어지는 차광막을 형성하고, 차광막에 절연층을 적층한 것이다. 그리고, 차광막의 두께가 200㎚로 되도록 금속층의 막 두께를 50∼150㎚의 범위로 변화시켜 시험을 실시했다. 또, 절연층을 적층하여 680℃의 어닐링 처리를 실시한 후에 투과율(Y값: 550㎚)을 측정하고, 금속층 두께와 투과율(Y값: 550㎚)의 관계를 조사한 것이다. 또한, 투과율의 측정은 면내 5점씩 실행하여 그 평균치도 구했다.
금속층의 절연 기판측의 면에만 배리어층을 형성하더라도, 금속층의 막 두께 50㎚에서 0.015% 전후로서 200㎚의 WSi의 차광막에 비해서 우수한 차광성을 나타내었다. 그리고, 금속층이 150㎚로 되면 투과율은 0에 가까운 값을 나타내었다.
(시험예 4 : 실시예 3의 구성에 있어서의 금속층의 막 두께와 투과율의 관계)
도 14에 시험예를 도시한다.
이 시험예는 절연 기판상에 WSi의 하층 배리어층, Ti로 이루어지는 금속층, WSi의 상방 배리어층으로 이루어지는 차광막을 형성하고, 차광막에 절연층을 적층한 것이다. 그리고, 상방 배리어층과 하층 배리어층의 막 두께를 50㎚로 하고, 금속층의 두께를 10∼100㎚의 범위로 변화시켜 시험을 실시했다. 또, 절연층을 적층하여 680℃의 어닐링 처리를 실시한 후에 투과율(Y값: 550㎚)을 측정하고, 하층 배리어층의 두께와 투과율(Y값: 550㎚)의 관계를 조사한 것이다. 또한, 투과율의 측정은 면내 5점씩 실행하여 그 평균치도 구했다.
금속층의 막 두께 10㎚에서 투과율은 0.020% 전후이고, 50㎚ 이상인 경우에 투과율이 0에 가까운 값을 나타낸다고 하는 우수한 차광 성능을 나타내었다.
이상에서 설명한 각 시험예에 있어서, Wsi로 이루어지는 차광막보다 우수한 차광 성능을 갖는 차광막이라는 결과가 얻어졌다. 또한, 차광막의 두께를 얇게 할 수 있다는 것으로부터도 절연막에 대한 차광막의 휘어짐을 저감할 수 있다는 효과가 얻어졌다.
이상, 상세하게 설명한 바와 같이, 본 발명의 차광막은, 차광막을 형성한 후에 고온 처리가 실행되더라도, 산소 원소를 포함하는 SiO2 등의 절연막과 면하는 차광막의 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층에 의해 차광막의 금속층의 산화 현상의 발생을 억제하고, 그 결과, 차광막의 차광 성능을 확보할 수 있다.
특히, 본 발명의 전기 광학 장치용 기판 및 전기 광학 장치에 상기한 차광막을 구비시키는 것에 의해, 화소 스위칭 소자의 광 리크 전류의 발생을 억제할 수 있고 또한 차광막에 의한 단차를 저감할 수 있으므로, 표시 품질이 높은 전기 광학 장치용 기판 및 전기 광학 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 액정 장치의 일 실시예에 있어서의 화상 형성 영역을 구성하는 매트릭스 형상의 복수의 화소에 마련된 각종 소자, 배선 등의 등가 회로도,
도 2는 액정 장치의 일 실시예에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극, 차광막 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도,
도 3은 도 2의 A-A'선 단면도,
도 4는 본 발명의 차광막의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명의 차광막의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 6은 본 발명의 차광막의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 7은 본 발명의 차광막의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 8은 액정 장치의 일 실시예에 있어서의 TFT 어레이 기판을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판측에서 본 평면도,
도 9는 도 8의 H-H'선 단면도,
도 10은 액정 장치를 이용한 전자 기기의 일례인 투사형 표시 장치의 구성도,
도 11은 배리어층의 막 두께와 투과율의 관계를 도시한 그래프,
도 12는 금속층의 막 두께와 투과율의 관계를 도시한 그래프,
도 13은 금속층의 막 두께와 투과율의 관계를 도시한 그래프,
도 14는 금속층의 막 두께와 투과율의 관계를 도시한 그래프,
도 15는 종래의 액정 장치의 화소부내의 단면 구조를 도시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1a : 반도체층 1a' : 채널 영역
1b : 저농도 소스 영역(소스측 LDD 영역)
1c : 저농도 드레인 영역(드레인측 LDD 영역)
1d : 고농도 소스 영역 1e : 고농도 드레인 영역
10 : TFT 어레이 기판
11a, 111, 112, 113, 114, 115 : 제 1 차광막
12 : 제 1 층간 절연막 M1, M2, M3, M5, M6 : 금속층
B1, B2, B3, B4 : 배리어층

Claims (32)

  1. 전기 광학 장치에 있어서,
    전기 광학 물질을 사이에 유지한 한 쌍의 기판과,
    한쪽 기판 상에 마련된 스위칭 소자와,
    적어도 상기 한쪽 기판 상으로서, 상기 스위칭 소자의 아래쪽에 배치되고 상기 스위칭 소자에 대향하는 위치에 마련된 차광막
    을 구비하되,
    상기 차광막은
    고융점의 금속 단체 또는 금속 화합물인 금속층과,
    상기 금속층의 양면에 적층된 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층을 갖고,
    상기 금속층의 상면의 배리어층의 막 두께는 상기 금속층의 하면의 배리어층의 막 두께보다 두꺼운 것
    을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막은 상기 한쪽 기판과 상기 스위칭 소자 사이에 배치되고, 상기 스위칭 소자측에 상기 차광막의 상기 배리어층이 면하고 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막의 금속층은 차광성의 금속층과 광흡수성의 금속층으로 구성되고, 상기 광흡수성의 금속층은 상기 스위칭 소자측에 면하고 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 배리어층은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광막은 고정 전위에 접속되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 배리어층은 질소 화합물, 실리콘 화합물, 텅스텐 화합물, 텅스텐, 실리콘 중 1종으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 배리어층은 WSi인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속층은 Ti인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 배리어층은 상기 금속층의 상면 및 하면에 형성되고, 상면측 배리어층의 막 두께는 하면측 배리어층의 막 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광성의 금속층의 양면에 광흡수성의 금속층을 적층하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  13. 청구항 1에 기재된 전기 광학 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 전기 광학 물질을 사이에 유지한 한쌍의 기판과, 한쪽 기판 상에 마련된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자에 대향하는 위치에 마련된 차광막을 갖는 전기 광학 장치에 있어서,
    상기 스위칭 소자와 상기 차광막 사이에 절연막을 갖고,
    상기 차광막은, 상기 한쪽 기판과 상기 절연막 사이에 배치되고, 또한 고융점의 금속 단체 또는 금속 화합물인 금속층과, 상기 금속층의 상면 및 하면에 적층된 무산소계의 고융점 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 배리어층을 구비하되,
    상기 금속층 상면의 배리어층의 막두께는, 상기 금속층 하면의 배리어층의 막두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
KR10-2001-0047282A 2000-08-07 2001-08-06 전기 광학 장치 및 전자 기기 KR100499204B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000238699 2000-08-07
JPJP-P-2000-00238699 2000-08-07
JP2001183863A JP3460706B2 (ja) 2000-08-07 2001-06-18 電気光学装置、電子機器、電気光学装置用基板および電気光学装置用基板の製造方法。
JPJP-P-2001-00183863 2001-06-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020012512A KR20020012512A (ko) 2002-02-16
KR100499204B1 true KR100499204B1 (ko) 2005-07-07

Family

ID=26597493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0047282A KR100499204B1 (ko) 2000-08-07 2001-08-06 전기 광학 장치 및 전자 기기

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6912020B2 (ko)
JP (1) JP3460706B2 (ko)
KR (1) KR100499204B1 (ko)
CN (1) CN1162747C (ko)
TW (1) TWI291058B (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734924B2 (en) 2000-09-08 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7167226B2 (en) * 2000-11-02 2007-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having particular configuration of pixel electrodes
US20030063241A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Hoya Corporation Opposite substrate for liquid crystal display panel, liquid crystal display panel, and method of fabricating them
US7903209B2 (en) * 2001-11-02 2011-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Reflection-transmission type liquid crystal display device and method for manufacturing the same
EP1490909B1 (en) * 2002-03-20 2007-08-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices and their manufacture
JP3788387B2 (ja) 2002-05-10 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電気光学装置の製造方法
CN2563599Y (zh) * 2002-05-14 2003-07-30 邵剑心 一种新型硅基液晶彩色微显示器件
JP3791517B2 (ja) * 2002-10-31 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4423659B2 (ja) * 2003-01-31 2010-03-03 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ、ｔｆｔ基板、及び、液晶表示装置
KR100570973B1 (ko) * 2003-05-02 2006-04-13 삼성에스디아이 주식회사 광차단용 기판을 구비한 표시장치 및 그의 제조방법
CN100476505C (zh) * 2003-07-18 2009-04-08 晶荧光学科技有限公司 一种三维/二维可切换的彩色投影显示装置及其方法
JP4419577B2 (ja) * 2004-01-19 2010-02-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
TWI301554B (en) * 2005-11-16 2008-10-01 Prime View Int Co Ltd Electronic ink display device
CN101713062B (zh) * 2008-10-08 2012-03-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 遮光元件及其镀膜方法
JP5776296B2 (ja) 2011-04-18 2015-09-09 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルター基板、電気光学装置および電子機器
JP5823805B2 (ja) * 2011-10-05 2015-11-25 株式会社アルバック タングステン遮光膜の製造方法、タングステン遮光膜
TW201407235A (zh) * 2012-08-06 2014-02-16 E Ink Holdings Inc 顯示裝置
JP6134236B2 (ja) 2013-09-02 2017-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN104979405B (zh) * 2015-07-22 2019-05-21 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN105932068A (zh) * 2016-06-30 2016-09-07 上海中航光电子有限公司 薄膜晶体管、显示面板及显示装置
KR102400426B1 (ko) * 2017-07-24 2022-05-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6665888B2 (ja) * 2018-06-22 2020-03-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP6908086B2 (ja) * 2019-10-29 2021-07-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP2020126250A (ja) * 2020-03-30 2020-08-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930006487A (ko) * 1991-09-10 1993-04-21 김광호 액정표시장치의 그 제조방법
KR960024559A (ko) * 1994-12-08 1996-07-20 엘리 웨이스 활성 매트릭스 액정 디스플레이 및 반사방지 블랙 매트릭스의 제조방법
KR19980031802A (ko) * 1996-10-31 1998-07-25 김광호 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JPH10206889A (ja) * 1997-01-22 1998-08-07 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JPH1184422A (ja) * 1997-09-11 1999-03-26 Seiko Epson Corp 液晶表示パネル
JP2001033771A (ja) * 1999-07-19 2001-02-09 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63274929A (ja) * 1987-05-07 1988-11-11 Optrex Corp 液晶表示装置
JPH041728A (ja) * 1990-04-19 1992-01-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
US5282068A (en) * 1990-11-08 1994-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display with opaque insulating layer and metal layer at and wider than inter-electrode gap and method of manufacturing
JPH06194687A (ja) * 1992-10-30 1994-07-15 Nec Corp 透過型アクティブマトリクス型液晶素子
JP2902889B2 (ja) * 1993-01-22 1999-06-07 株式会社東芝 固体撮像素子の遮光膜
JPH06250163A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 A G Technol Kk 表示装置用遮光膜
US5821622A (en) * 1993-03-12 1998-10-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
JPH08271880A (ja) * 1995-04-03 1996-10-18 Toshiba Corp 遮光膜，液晶表示装置および遮光膜形成用材料
JP2730547B2 (ja) * 1996-09-09 1998-03-25 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示体
JP3404562B2 (ja) * 1996-11-18 2003-05-12 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH1195687A (ja) * 1997-09-20 1999-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JPH11119007A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Toppan Printing Co Ltd ブランクス及びブラックマトリクス
JPH11209884A (ja) * 1998-01-23 1999-08-03 Asahi Glass Co Ltd 遮光層付き基板の製造方法及びカラーフィルタ基板の製造方法
JP3458382B2 (ja) * 1998-11-26 2003-10-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6545359B1 (en) * 1998-12-18 2003-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring line and manufacture process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof
KR100612994B1 (ko) * 2000-05-12 2006-08-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 기판
KR100595296B1 (ko) * 2000-06-27 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2002122857A (ja) 2000-08-07 2002-04-26 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器、電気光学装置用基板および電気光学装置用基板の製造方法、並びに遮光膜
US6791648B2 (en) * 2001-03-15 2004-09-14 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device, projection display device and, manufacturing method for substrate for liquid crystal device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930006487A (ko) * 1991-09-10 1993-04-21 김광호 액정표시장치의 그 제조방법
KR960024559A (ko) * 1994-12-08 1996-07-20 엘리 웨이스 활성 매트릭스 액정 디스플레이 및 반사방지 블랙 매트릭스의 제조방법
KR19980031802A (ko) * 1996-10-31 1998-07-25 김광호 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JPH10206889A (ja) * 1997-01-22 1998-08-07 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JPH1184422A (ja) * 1997-09-11 1999-03-26 Seiko Epson Corp 液晶表示パネル
JP2001033771A (ja) * 1999-07-19 2001-02-09 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1162747C (zh) 2004-08-18
US6912020B2 (en) 2005-06-28
CN1343905A (zh) 2002-04-10
US20020036818A1 (en) 2002-03-28
KR20020012512A (ko) 2002-02-16
JP3460706B2 (ja) 2003-10-27
TWI291058B (en) 2007-12-11
JP2002122888A (ja) 2002-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100499204B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
KR100484343B1 (ko) 전기 광학 장치
JP3381718B2 (ja) 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US7362397B2 (en) Electro-optical device with a gap of the light shielding layer being in a non-overlapping condition with the drain and the source in plan view
KR100449772B1 (ko) 전기광학장치, 전기광학장치의 제조 방법 및 전자기기
JP2001356709A (ja) 電気光学装置及びその製造方法
KR100495562B1 (ko) 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 및 전자 기기
JP4599655B2 (ja) 電気光学装置及びプロジェクタ
JP2002156652A (ja) 電気光学装置及びその製造方法
JP2002158360A (ja) 電気光学装置及びその製造方法
JP2002131778A (ja) 電気光学装置用基板およびこれを備えた電気光学装置並びに電子機器
JP3799943B2 (ja) 電気光学装置およびプロジェクタ
JP4221827B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP4016639B2 (ja) 電気光学装置及びその製造方法並びに投射型表示装置
JP2001330856A (ja) 電気光学装置
KR20070069054A (ko) 전기 광학 장치, 그 제조 방법, 및 전자기기
JP3783500B2 (ja) 電気光学装置及び投射型表示装置
JP2002122857A (ja) 電気光学装置、電子機器、電気光学装置用基板および電気光学装置用基板の製造方法、並びに遮光膜
JP3979010B2 (ja) 電気光学装置及びプロジェクタ
JP3757658B2 (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP4206595B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP3769970B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP4147747B2 (ja) 電気光学装置及びプロジェクタ
JP3846117B2 (ja) 液晶装置及び投射型表示装置
JP4023107B2 (ja) 電気光学装置及びこれを具備する電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130520

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140603

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150529

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160527

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee