KR102400426B1 - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
표시 장치는 유기막, 제1 금속막 및 제1 산화방지막을 포함할 수 있다. 제1 금속막은 유기막 상에 배치되고, 제1 금속을 포함할 수 있다. 제1 산화방지막은 유기막과 제1 금속막 사이에 배치되고, 제1 금속의 질화물을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 접을 수 있는 가요성(flexible) 표시 장치 및 이러한 가요성 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
정보 기술의 발전에 따라 사용자와 정보 사이의 연결 매체인 표시 장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 유기 발광 소자(organic light-emitting diode: OLED), 플라스마 표시 패널(plasma display panel: PDP) 등과 같은 평판 표시 장치(flat panel display: FPD)의 사용이 증가하고 있다.
한편, 표시 장치가 유연성을 가지면, 구부리거나, 접거나, 또는 말아서 휴대가 가능하기 때문에, 표시 장치의 크기가 확대되면서도 표시 장치의 휴대성을 확보할 수 있다. 이에 따라, 최근 들어 유연한 표시 패널을 구비하는 표시 장치의 상용화를 위한 연구가 증가하고 있다.
본 발명의 일 목적은 얼룩이 시인되지 않는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 목적은 얼룩이 시인되지 않는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 일 실시예에 따른 표시 장치는 유기막, 상기 유기막 상에 배치되고 제1 금속을 포함하는 제1 금속막, 그리고 상기 유기막과 상기 제1 금속막 사이에 배치되고, 상기 제1 금속의 질화물을 포함하는 제1 산화방지막을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기막은 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 산화방지막은 약 30 옹스트롬(Å) 내지 약 200 Å의 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 금속은 티타늄(Ti)일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 산화방지막의 N/Ti의 비율은 약 0.80 내지 약 1.15일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 금속막 상에 배치되고, 상기 제1 금속과 상이한 제2 금속을 포함하는 제2 금속막을 추가적으로 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 금속은 알루미늄(Al)일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 금속막과 상기 제2 금속막 사이에 배치되고, 상기 제1 금속의 질화물을 포함하는 제2 산화방지막을 추가적으로 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 산화방지막은 약 30 Å 내지 약 200 Å의 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제2 금속막 상에 배치되고, 상기 제1 금속을 포함하는 제3 금속막을 추가적으로 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 일 실시예에 따른 표시 장치는 유기물을 포함하는 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 배선을 포함할 수 있다. 상기 배선은 티타늄 질화물(TiN)을 포함하는 제1 산화방지막, 상기 제1 산화방지막 상에 배치되고 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 금속막, 그리고 상기 제1 금속막 상에 배치되고 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 금속막을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 배선은 상기 기판에 직접 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 산화방지막은 약 30 Å 내지 약 200 Å의 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 배선은 상기 제1 금속막과 상기 제2 금속막 사이에 배치되고, 티타늄 질화물(TiN)을 포함하는 제2 산화방지막을 추가적으로 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 배선 사이에 배치되는 유기 절연막을 추가적으로 포함할 수 있다. 상기 배선은 상기 유기 절연막에 직접 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 구부러질 수 있는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 중심으로 상기 제1 영역의 양측들에 위치하는 제2 영역들을 포함할 수 있다. 상기 배선은 상기 제1 영역에 위치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 배선은 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역들 방향으로 연장되어 상기 제1 영역의 양측들에 위치하는 상기 제2 영역들을 연결할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 배선은 상기 제2 금속막 상에 배치되고, 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 금속막을 추가적으로 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 유기물을 포함하는 기판 상에 티타늄 질화물(TiN)을 포함하는 제1 산화방지막을 형성하는 단계, 상기 제1 산화방지막 상에 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 금속막을 형성하는 단계, 상기 제1 금속막 상에 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 금속막을 형성하는 단계, 및 상기 제1 산화방지막, 상기 제1 금속막, 및 상기 제2 금속막을 한번에 식각하여 배선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 제1 금속막과 상기 제2 금속막 사이에 티타늄 질화물(TiN)을 포함하는 제2 산화방지막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 배선은 상기 제1 산화방지막, 상기 제1 금속막, 상기 제2 산화방지막, 및 상기 제2 금속막을 한번에 식각하여 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 유기막과 상기 유기막과 접촉 시에 산화될 수 있는 금속을 포함하는 배선 사이에 산화방지막을 배치함으로써, 상기 유기막과 상기 배선의 접촉에 의한 금속 산화물이 형성되는 것을 방지하고, 금속 산화물의 불균일한 식각에 의한 얼룩이 시인되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 유기막 상에 적층되는 산화방지막과 금속막을 한번에 식각하여 배선을 형성함으로써, 제조 공정을 단순화할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2 영역을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 영역 및 제2 영역의 가장자리부를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제1 영역 및 제2 영역의 가장자리부를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 6, 도 7, 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 10, 도 11, 및 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2 영역을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 영역 및 제2 영역의 가장자리부를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제1 영역 및 제2 영역의 가장자리부를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 6, 도 7, 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 10, 도 11, 및 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 제조 방법들을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 제1 영역(101) 및 제2 영역들(102)을 포함할 수 있다. 제1 영역(101)은 구부러질 수 있는 벤딩(bending) 영역일 수 있다. 표시 장치(100)는 제1 영역(101)에서 약 90 도 이상으로 구부러질 수 있다. 제2 영역(102)은 평탄 영역일 수 있다. 제2 영역들(102) 중에서 적어도 하나의 제2 영역(102)의 내부에는 표시부가 배치될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제1 영역(101)을 중심으로 제1 영역(101)의 양측들에 제2 영역들(102)이 위치할 수 있다. 예를 들면, 제1 영역(101)에서 표시 장치(100)가 구부러질 수 있고, 제1 영역(101)의 양측들에 위치하는 두 개의 제2 영역들(102) 중에서 적어도 하나의 제2 영역(102)에서 사용자가 인식할 수 있도록 화면이 표시될 수 있다.
이하, 도 2를 참고하여 제2 영역(102)의 내부에 위치하는 상기 표시부에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제2 영역을 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 표시부는 사용자가 시인할 수 있는 가시 광선을 발생할 수 있다. 상기 표시부는 다양한 소자들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 표시부는 유기 발광 소자, 액정 표시 소자 등을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 표시 장치(100)에서 상기 표시부는 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다.
기판(110)은 다양한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 유리, 금속 등으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 기판(110)은 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이 경우, 기판(110)은 유연성을 가질 수 있다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 표시 장치(100)가 유연성을 가지고, 2차원적으로 연신될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 기판(110)은 약 0.4 이상의 포아송 비(Poisson's ratio)를 가지는 재질로 형성될 수 있다. 포아송 비(Poisson's ratio)는 한 쪽 방향에서 잡아 당겨서 길이를 늘일 때, 다른 쪽 방향이 줄어드는 비를 의미한다. 기판(110)을 형성하는 재질의 포아송 비(Poisson's ratio)가 약 0.4 이상이 되도록 하여, 다시 말해, 기판(110)이 잘 늘어나는 특성을 가지도록 하여 기판(110)의 유연성이 향상될 수 있다. 이에 따라, 기판(110)이 벤딩 영역을 가질 수 있고, 표시 장치(100)가 용이하게 벤딩 영역을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 버퍼층(115)은 불순물이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 배리어(barrier)층의 역할을 할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 버퍼층(115)은 무기물로 이루어질 수 있고, 제2 영역(102) 내에만 배치될 수 있다. 다시 말해, 무기물로 이루어지는 버퍼층(115)은 제1 영역(101)에서는 제거되고, 제2 영역(102)에만 위치하도록 패터닝될 수 있다.
버퍼층(115) 상에는 박막 트랜지스터가 배치될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 활성층(120), 게이트 전극(131), 소스 전극(141), 및 드레인 전극(142)을 포함할 수 있다.
활성층(120)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등으로 이루어질 수 있다. 활성층(120)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 상기 채널 영역의 양측들에 불순물이 도핑되어 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 도핑될 수 있다.
활성층(120) 상에는 게이트 절연막(125)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(125)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 무기물로 이루어지는 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(125)은 활성층(120)과 상부에 위치하는 게이트 전극(131)을 절연할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 게이트 절연막(125)은 무기물로 이루어질 수 있고, 제2 영역(102) 내에만 배치될 수 있다. 다시 말해, 무기물로 이루어지는 게이트 절연막(125)은 제1 영역(101)에서는 제거되고, 제2 영역(102)에만 위치하도록 패터닝될 수 있다.
게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(131)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(131)은 포토리소그래피(photolithography) 공정과 식각 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 게이트 전극(131)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및 구리(Cu) 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
게이트 전극(131) 상에는 층간 절연막(135)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(135)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 무기물로 이루어지는 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 층간 절연막(135)은 SiOx/SiNy 또는 SiNx/SiOy의 이중층 구조로 이루어질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 층간 절연막(135)은 무기물로 이루어질 수 있고, 제2 영역(102) 내에만 배치될 수 있다. 다시 말해, 무기물로 이루어지는 층간 절연막(135)은 제1 영역(101)에서는 제거되고, 제2 영역(102)에만 위치하도록 패터닝될 수 있다.
층간 절연막(135) 상에는 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)이 배치될 수 있다. 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및 구리(Cu) 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)은 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 영역(101)의 데이터 배선(143)의 형성 시에 굴곡 특성을 향상시키는 효과가 있으므로 아래에서 상세히 설명하도록 한다.
소스 전극(141)과 드레인 전극(142)을 덮도록 비아 절연층(155)이 배치될 수 있다. 비아 절연층(155) 상에는 화소 전극(160)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 전극(160)은 비아 구멍을 통해 드레인 전극(142)과 연결될 수 있다.
비아 절연층(155)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 비아 절연층(155)은 무기물, 유기물, 또는 유/무기 복합물로 단층 또는 다층의 구조로 형성될 수 있으며, 다양한 증착 방법에 의해서 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 비아 절연층(155)은 아크릴계 수지(polyacrylate-based resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamide-based resin), 폴리이미드계 수지(polyimide-based rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyester-based resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenether-based resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfide-based resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 비아 절연층(155)은 유기물로 이루어질 수 있고, 제1 영역(101) 및 제2 영역(102) 내에 패터닝될 수 있다. 유기물로 이루어지는 비아 절연층(155)이 제2 영역(102)의 전면(全面)에 형성되는 경우에, 비아 절연층(155)이 유기 발광 소자(OLED)로 수분이 이동하는 경로를 제공할 우려가 있다. 이에 따라, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 영역(102)의 가장자리부에서 유기막인 비아 절연층(155)이 제거될 수 있다.
비아 절연층(155) 상에는 유기 발광 소자(OLED)가 배치될 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 화소 전극(160), 유기 발광층을 포함하는 중간층(170), 및 대향 전극(180)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(100)는 화소 정의막(165)을 더 포함할 수 있다.
화소 전극(160) 및/또는 대향 전극(180)은 투명 전극 또는 반사 전극으로 구비될 수 있다. 화소 전극(160) 및/또는 대향 전극(180)이 투명 전극으로 구비되는 경우에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3를 포함할 수 있고, 반사 전극으로 구비되는 경우에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성되는 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성되는 투명막을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 전극(160) 및/또는 대향 전극(180)은 ITO/Ag/ITO 구조를 가질 수 있다.
중간층(170)은 화소 전극(160)과 대향 전극(180) 사이에 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 중간층(170)은 유기 발광층을 포함하고, 그 외에 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transport layer: HTL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 중에서 적어도 하나를 추가적으로 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(100)는 외부의 수분이나 산소로부터 유기 발광 소자(OLED)를 보호하기 위하여 유기 발광 소자(OLED) 상에 배치되는 박막 봉지부(190)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 박막 봉지부(190)는 유기 발광 소자(OLED) 상에 형성될 수 있고, 박막 봉지부(190)의 양단들이 기판(110)과 밀착되도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 박막 봉지부(190)는 다수의 박막층들이 적층된 구조로서, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막이 교번적으로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 상기 무기막은 산소나 수분의 침투를 견고히 막아주는 역할을 할 수 있고, 상기 유기막은 상기 무기막의 스트레스를 흡수하여 유연성을 부여하는 역할을 할 수 있다.
상기 무기막은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 무기막들은 SiNx, Al2O3, SiO2, 및 TiO2 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기막은 고분자로 형성되며, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌, 및 폴리아크릴레이트 중에서 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 예를 들면, 상기 유기막은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 유기막은 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함할 수 있다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 광개시제가 더 포함될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 도 3을 참고하여 제1 영역(101) 및 제1 영역(101)을 중심으로 하여 제1 영역(101)의 양측들에 위치하는 제2 영역(102)의 가장자리부의 단면 구조의 일 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 영역 및 제2 영역의 가장자리부를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제2 영역(102)의 가장자리부의 기판(110) 상에는 버퍼층(115), 게이트 절연막(125), 게이트 배선(132), 층간 절연막(135), 및 데이터 배선(143)이 순차적으로 배치될 수 있다. 도 3에는 기판(110) 상에 버퍼층(115)이 형성된 실시예가 도시되었으나, 이에 한정되지 않고, 기판(110) 상에는 버퍼층(115) 없이 게이트 절연막(125)이 형성될 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 버퍼층(115)은 무기물로 이루어질 수 있고, 제1 영역(101)에서는 제거되고 제2 영역(102) 내에서만 패터닝되어 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 게이트 절연막(125) 및 층간 절연막(135)은 무기물로 이루어질 수 있으며, 제1 영역(101)에서는 제거되고 제2 영역(102) 내에서만 패터닝되어 형성될 수 있다.
무기물로 이루어지는 무기막은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있고, 재료의 특성상 산소나 수분의 침투를 막는 데는 유리하지만 스트레스를 완화하는 데는 어려움이 있을 수 있다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 구부러질 수 있는 제1 영역(101)에 무기물로 이루어지는 버퍼층(115), 게이트 절연막(125), 및 층간 절연막(135)이 제거되어 스트레스가 완화되고 유연성이 향상될 수 있다.
층간 절연막(135) 상에는 데이터 배선(143)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 데이터 배선(143)이 제1 영역(101)에 전면적으로 형성되어 제1 영역(101)의 양측들에 위치하는 제2 영역들(102)의 게이트 배선들(132)을 연결할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(135)에 형성된 접촉 구멍을 통해 데이터 배선(143)이 게이트 배선(132)과 연결될 수 있다.
제1 영역(101)에서는 데이터 배선(143)이 기판(110)에 직접 배치될 수 있다. 다시 말해, 기판(110)의 상면과 데이터 배선(143)의 저면이 접촉하도록 데이터 배선(143)이 기판(110) 상에 직접적으로 형성될 수 있다. 데이터 배선(143)이 이격되어 위치하는 두 개의 제2 영역들(102)의 게이트 배선들(132)을 연결함에 따라 신호를 전달할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 데이터 배선(143)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 알루미늄(Al)은 연성이 좋기 때문에 제2 영역(102) 내의 두 개의 게이트 배선들(132) 사이에서 제1 영역(101)의 기판(110) 상에 굴곡된 형태를 가지고 형성될 수 있다. 또한, 알루미늄(Al)은 연성이 좋기 때문에 제1 영역(101)이 구부러지는 경우에도 단선될 염려 없이 스트레스를 크게 받지 않을 수 있다.
데이터 배선(143) 상에는 비아 절연층(155)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 비아 절연층(155)은 유기물로 이루어질 수 있고, 제1 영역(101)에서 데이터 배선(143)을 덮도록 전면적으로 형성될 수 있다.
유기막으로 형성되는 비아 절연층(155)이 구부러지는 제1 영역(101)의 데이터 배선(143) 상에 형성됨에 따라 스트레스를 흡수하여 유연성을 부여할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 표시 장치(100)는 제1 영역(101) 내에서 기판(110) 상의 무기막이 최소화되고 유기막과 연성이 좋은 데이터 배선(143)만이 형성되므로 스트레스가 완화되고 반복적으로 표시 장치(100)가 구부러지더라도 균열(crack)이 발생할 염려가 실질적으로 없거나 낮을 수 있다.
비아 절연층(155) 상에는 이를 덮는 박막 봉지부(190)가 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 영역(101)에 배치되는 박막 봉지부(190)는 유기막만을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 구부러질 수 있는 영역인 제1 영역(101)에서만 무기막이 제거되는 표시 장치(100)에 대하여 설명하였으나, 다른 실시예에 있어서, 제2 영역(102) 내에도 제1 영역(101)과 마찬가지로 무기막이 제거되는 영역이 형성될 수 있다. 다시 말해, 제2 영역(102) 내에서도 구부러지는 영역이 있을 수 있으며 이러한 영역에서는 배선들 간의 연결을 유지하는 범위 내에서 스트레스 저감과 유연성 부여를 위하여 무기막이 제거될 수 있다. 이에 따라, 무기막이 제거되는 영역이 상술한 두 개의 제2 영역들(102) 사이의 제1 영역(101)에 한정되지 않음은 물론이다.
이하, 도 4를 참고하여 제1 영역(101) 및 제1 영역(101)을 중심으로 하여 제1 영역(101)의 양측들에 위치하는 제2 영역(102)의 가장자리부의 단면 구조의 다른 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. 도 4에 예시된 다른 실시예에 있어서, 도 3에 예시된 일 실시예와 동일한 구성 요소들은 동일한 참조 부호들로 나타내며, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제1 영역 및 제2 영역의 가장자리부를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 무기막인 버퍼층(115), 게이트 절연막(125), 및 층간 절연막(135)이 제거된 제1 영역(101)의 기판(110) 상에는 유기 절연막(145)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 유기 절연막(145)은 유기물로 이루어질 수 있고, 제1 영역(101)에서 기판(110)을 덮도록 전면적으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(135) 및 유기 절연막(145) 상에는 데이터 배선(143)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 데이터 배선(143)은 제1 영역(101)에 전면적으로 형성되어 제1 영역(101)의 양측들에 위치하는 제2 영역들(102)에 위치하는 게이트 배선들(132)을 연결할 수 있다.
제1 영역(101)에서는 데이터 배선(143)이 유기 절연막(145)에 직접 배치될 수 있다. 다시 말해, 유기 절연막(145)의 상면과 데이터 배선(143)의 저면이 접촉하도록 데이터 배선(143)이 유기 절연막(145) 상에 직접적으로 형성될 수 있다. 데이터 배선(143)이 이격되어 위치하는 두 개의 제2 영역들(102)의 게이트 배선들(132)을 연결함에 따라 신호를 전달할 수 있다.
유기막으로 형성되는 유기 절연막(145) 및 비아 절연층(155)이 구부러지는 제1 영역(101)의 데이터 배선(143)의 하부 및 상부에 각각 형성됨에 따라 스트레스를 흡수하여 유연성을 부여할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 표시 장치(100)는 제1 영역(101) 내에서 기판(110) 상의 무기막이 최소화되고 유기막과 연성이 좋은 데이터 배선(143)만이 형성되므로 스트레스가 완화되고 반복적으로 표시 장치(100)가 구부러지더라도 균열(crack)이 발생할 염려가 실질적으로 없거나 낮을 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 영역(101) 내에는 유기막과 연성이 좋은 배선만이 형성되어 스트레스가 완화되고 균열의 발생이 감소되거나 실질적으로 방지될 수 있으나, 유기막 상에 금속을 포함하는 배선이 직접적으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 유기물을 포함하는 기판(110) 상에 금속을 포함하는 데이터 배선(143)이 이에 접촉하며 형성될 수 있다. 또한, 다른 실시예에 있어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 유기물을 포함하는 유기 절연막(145) 상에 금속을 포함하는 데이터 배선(143)이 이에 접촉하며 형성될 수 있다.
금속과 유기막이 접촉하는 경우에 금속과 유기막의 산화환원반응 또는 유기막에서 방출되는 아웃가스(outgas)에 의해 금속과 유기막 사이에 금속 산화물이 형성될 수 있다. 이러한 금속 산화물은 식각 공정에서 불균일하게 식각되어 사용자에게 얼룩으로 시인될 염려가 있다. 이에 따라, 배선에 포함되는 금속과 유기막의 접촉을 차단할 필요성이 제기될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 5는 도 3 또는 도 4에 도시된 표시 장치(100)의 제1 영역(101)의 일부를 나타낼 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 유기막(200) 및 배선(300)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 유기막(200)은 도 3의 기판(110) 또는 도 4의 유기 절연막(145)에 대응하고, 배선(300)은 도 3 및 도 4의 데이터 배선(143)에 대응할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다.
유기막(200)은 카복실기(-COOH)를 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 유기막(200)은 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
유기막(200) 상에는 배선(300)이 배치될 수 있다. 배선(300)은 순차적으로 적층되는 산화방지막(321), 제1 금속막(311), 제2 금속막(312), 및 제3 금속막(313)을 포함할 수 있다.
제1 금속막(311)은 제1 금속을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제1 금속은 티타늄(Ti)일 수 있다. 상기 제1 금속은 유기막(200)과 접촉 시에 산화되는 성질을 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 금속막(311)은 약 200 옹스트롬(Å) 내지 약 1200 Å(바람직하게는, 약 700 Å)의 두께를 가질 수 있다.
제1 금속막(311) 상에는 제2 금속막(312)이 배치될 수 있다. 제2 금속막(312)은 상기 제1 금속과 상이한 제2 금속을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제2 금속은 알루미늄(Al)일 수 있다. 상기 제2 금속은 유기막(200)과 접촉 시에 산화되는 성질을 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 금속막(312)은 약 4000 Å 내지 약 8000 Å(바람직하게는, 약 6000 Å)의 두께를 가질 수 있다.
제2 금속막(312) 상에는 제3 금속막(313)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3 금속막(313)은 상기 제1 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제3 금속막(313)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3 금속막(313)은 약 100 Å 내지 약 500 Å(바람직하게는, 약 300 Å)의 두께를 가질 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 금속막(311)에 포함되는 상기 제1 금속 및 제2 금속막(312)에 포함되는 상기 제2 금속은 유기막(200)과 접촉 시에 산화되는 성질을 가질 수 있다. 비교예에 있어서, 제1 금속막 및/또는 제2 금속막은 유기막과 접촉할 수 있고, 접촉하는 부분에는 금속 산화물이 형성될 수 있다. 이러한 금속 산화물은 상기 제1 금속막 및/또는 상기 제2 금속막에 포함되는 금속과 상기 유기막에 포함되는 유기물 간의 산화환원반응에 의해 형성되거나 수분을 함유하는 상기 유기막에서 방출되는 아웃가스가 상기 제1 금속막 및/또는 상기 제2 금속막과 접촉하면서 형성될 수 있다. 상기 제1 금속막이 상기 유기막과 접촉되는 경우에는 상기 유기막과 접하는 부분의 상기 제1 금속막에 상기 제1 금속의 산화물(예를 들면, TiOx)이 형성될 수 있고, 상기 제2 금속막이 상기 유기막과 접촉되는 경우에는 상기 유기막과 접하는 부분의 상기 제2 금속막에 상기 제2 금속의 산화물(예를 들면, AlOx)이 형성될 수 있다.
이러한 금속 산화물은 배선을 형성하기 위한 식각 공정에서 식각 가스에 의해 쉽게 식각되지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 유기막 상의 금속 산화물이 불균일하게 식각되어 사용자는 불균일하게 남아 있는 금속 산화물을 얼룩으로 시인할 수 있다.
비교예와 같이 얼룩으로 시인되는 금속 산화물이 생성되는 것을 방지하기 위해, 유기막(200)과 제1 금속막(311) 사이에는 산화방지막(321)이 배치될 수 있다. 산화방지막(321)은 유기막(200)과 제1 금속막(311) 및/또는 제2 금속막(312)이 접촉하는 것을 차단할 수 있다.
산화방지막(321)은 상기 제1 금속의 질화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 산화방지막(321)은 티타늄 질화물(TiNx)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 산화방지막(321)은 약 30 Å 내지 약 200 Å의 두께를 가질 수 있다. 산화방지막(321)의 두께가 약 30 Å 보다 작은 경우에, 제1 금속막(311) 및/또는 제2 금속막(312)이 유기막(200)과 접촉하여 금속 산화물이 형성되고, 얼룩이 시인될 수 있다. 산화방지막(321)의 두께가 약 200 Å 보다 큰 경우에, 산화방지막(321)의 식각 공정에서 식각된 산화방지막(321)의 입자들(particle)이 과도하게 발생될 수 있다.
아래의 표 1은 티타늄 질화물(TiNx)을 포함하는 산화방지막(321)의 두께에 따라 발생되는 얼룩의 수준을 나타내는 표이다.
| 번호 | 제1 금속막(Ti)의 두께 | 제2 금속막(Al)의 두께 | 제3 금속막(Ti)의 두께 | 산화방지막(TiNx)의 두께 | 얼룩 수준 |
| 1 | 700 Å |
6000 Å |
300 Å |
10 Å | 강수준 |
| 2 | 20 Å | 약수준 | |||
| 3 | 30 Å | 미발생 | |||
| 4 | 40 Å | 미발생 | |||
| 5 | 50 Å | 미발생 |
표 1을 참조하면, 산화방지막(321)의 두께가 약 10 Å인 경우에 금속 산화물(예를 들면, 티타늄 산화물(TiOx))에 의한 얼룩이 심화되고, 산화방지막(321)의 두께가 약 20 Å인 경우에 금속 산화물에 의한 얼룩이 약화되지만 여전히 얼룩이 시인되며, 산화방지막(321)의 두께가 약 30 Å인 경우에 금속 산화물에 의한 얼룩이 생성되지 않는 것을 확인할 수 있다. 다시 말해, 산화방지막(321)의 두께가 증가할수록 얼룩이 약화되고, 산화방지막(321)의 두께가 약 30 Å 이상인 경우에는 얼룩이 생성되지 않을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 티타늄 질화물(TiNx)을 포함하는 산화방지막(321)의 N/Ti의 비율은 약 0.80 내지 약 1.15일 수 있다. 상기 비율은 식각 공정에서 사용되는 식각액에 의해 산화방지막(321)이 식각되지 않을 수 있는 비율이다.
표시 장치의 제조 과정에서, 배선(300) 상에 형성되는 절연막을 식각하기 위하여 식각액(예를 들면, HF 용액)이 사용될 수 있다. 이 경우, 상기 식각액에 의하여 상기 절연막뿐만 아니라 배선(300)의 일부가 함께 식각되는 문제가 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위하여, 산화방지막(321)을 N/Ti의 비율이 약 0.80 내지 약 1.15인 티타늄 질화물(TiNx)로 형성함으로써, 산화방지막(321)이 상기 식각액에 의해 식각되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 도 6 내지 도 8을 참조하여 도 5의 배선(300)을 형성하는 제조 방법에 대하여 설명하도록 한다.
도 6, 도 7, 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 단면도들이다.
도 6을 참조하면, 유기막(200) 상에 예비 산화방지막(321')을 형성할 수 있다. 예비 산화방지막(321')은 도 7의 예비 제1 금속막(311')에 포함되는 제1 금속의 질화물을 스퍼터링법, 화학 기상 증착법, 원자층 증착법 등을 이용하여 유기막(200)의 상면에 증착함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 예비 산화방지막(321')은 티타늄 질화물(TiNx)로 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 예비 산화방지막(321') 상에 예비 제1 금속막(311'), 예비 제2 금속막(312'), 및 예비 제3 금속막(313')을 순차적으로 형성할 수 있다. 예비 산화방지막(321')의 상면에 제1 금속을 증착하여 예비 제1 금속막(311')을 형성하고, 예비 제1 금속막(311')의 상면에 상기 제1 금속과 상이한 제2 금속을 증착하여 예비 제2 금속막(312')을 형성하며, 예비 제2 금속막(312')의 상면에 상기 제1 금속을 증착하여 예비 제3 금속막(313')을 형성할 수 있다. 예를 들면, 예비 제1 금속막(311'), 예비 제2 금속막(312'), 및 예비 제3 금속막(313')은 각각 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 및 티타늄(Ti)으로 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 예비 산화방지막(321'), 예비 제1 금속막(311'), 예비 제2 금속막(312'), 및 예비 제3 금속막(313')을 한번에 식각하여 배선(300)을 형성할 수 있다. 예비 산화방지막(321'), 예비 제1 금속막(311'), 예비 제2 금속막(312'), 및 예비 제3 금속막(313')은 포토리소그래피 공정을 이용하여 식각될 수 있다. 예를 들면, 예비 제3 금속막(313')의 상면에 포토레지스트막을 형성하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트막을 노광 및 현상한 후에 이를 식각하여 배선(300)에 대응하는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 그 다음, 상기 포토레지스터 패턴을 식각방지막으로 이용하는 건식 식각을 통해 예비 산화방지막(321'), 예비 제1 금속막(311'), 예비 제2 금속막(312'), 및 예비 제3 금속막(313')을 한번에 식각할 수 있다. 건식 식각을 이용하는 경우에, 예비 제1 금속막(311'), 예비 제2 금속막(312'), 및 예비 제3 금속막(313')에 포함되는 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속뿐만 아니라 예비 산화방지막(321')에 포함되는 상기 제1 금속의 질화물도 함께 식각될 수 있다. 이에 따라, 산화방지막(321), 제1 금속막(311), 제2 금속막(312), 및 제3 금속막(313)을 포함하는 배선(300)이 형성될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 9는 도 3 또는 도 4에 도시된 표시 장치(100)의 제1 영역(101)의 일부를 나타낼 수 있다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 유기막(200) 및 배선(300)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 유기막(200)은 도 3의 기판(110) 또는 도 4의 유기 절연막(145)에 대응하고, 배선(300)은 도 3 및 도 4의 데이터 배선(143)에 대응할 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 도 9에 예시된 다른 실시예에 있어서, 도 5에 예시된 일 실시예와 동일한 구성 요소들은 동일한 참조 부호들로 나타내며, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
유기막(200) 상에는 배선(300)이 배치될 수 있다. 배선(300)은 순차적으로 적층되는 제1 산화방지막(321), 제1 금속막(311), 제2 산화방지막(322), 제2 금속막(312), 및 제3 금속막(313)을 포함할 수 있다.
얼룩으로 시인되는 금속 산화물이 생성되는 것을 방지하기 위해, 유기막(200)과 제1 금속막(311) 사이에는 제1 산화방지막(321)이 배치되고, 제1 금속막(311)과 제2 금속막(312) 사이에는 제2 산화방지막(322)이 배치될 수 있다. 제1 산화방지막(321)은 유기막(200)과 제1 금속막(311) 및/또는 제2 금속막(312)이 접촉하는 것을 차단할 수 있고, 제2 산화방지막(322)은 유기막(200)과 제2 금속막(312)이 접촉하는 것을 차단할 수 있다.
제2 산화방지막(322)은 상기 제1 금속의 질화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 산화방지막(322)은 티타늄 질화물(TiNx)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 산화방지막(322)은 약 30 Å 내지 약 200 Å의 두께를 가질 수 있다. 제2 산화방지막(322)의 두께가 약 30 Å 보다 작은 경우에, 제2 금속막(312)이 유기막(200)과 접촉하여 금속 산화물이 형성되고, 얼룩이 시인될 수 있다. 제2 산화방지막(322)의 두께가 약 200 Å 보다 큰 경우에, 제2 산화방지막(322)의 식각 공정에서 식각된 제2 산화방지막(322)의 입자들(particle)이 과도하게 발생될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 티타늄 질화물(TiNx)을 포함하는 제2 산화방지막(322)의 N/Ti의 비율은 약 0.80 내지 약 1.15일 수 있다. 상기 비율은 식각 공정에서 사용되는 식각액에 의해 제2 산화방지막(322)이 식각되지 않을 수 있는 비율이다.
이하, 도 10 내지 도 12를 참조하여 도 9의 배선(300)을 형성하는 제조 방법에 대하여 설명하도록 한다.
도 10, 도 11, 및 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 단면도들이다. 도 10 내지 도 12에 예시된 다른 실시예에 있어서, 도 6 내지 도 8에 예시된 일 실시예와 동일한 구성 요소들은 동일한 참조 부호들로 나타내며, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 10을 참조하면, 유기막(200) 상에 예비 제1 산화방지막(321'), 예비 제1 금속막(311'), 및 예비 제2 산화방지막(322')을 순차적으로 형성할 수 있다. 예비 제2 산화방지막(322')은 예비 제1 금속막(311')에 포함되는 제1 금속의 질화물을 스퍼터링법, 화학 기상 증착법, 원자층 증착법 등을 이용하여 예비 제1 금속막(311')의 상면에 증착함으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 예비 제2 산화방지막(322')은 티타늄 질화물(TiNx)로 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 예비 제2 산화방지막(322') 상에 예비 제2 금속막(312') 및 예비 제3 금속막(313')을 순차적으로 형성할 수 있다.
도 12를 참조하면, 예비 제1 산화방지막(321'), 예비 제1 금속막(311'), 예비 제2 산화방지막(322'), 예비 제2 금속막(312'), 및 예비 제3 금속막(313')을 한번에 식각하여 배선(300)을 형성할 수 있다. 예비 제1 산화방지막(321'), 예비 제1 금속막(311'), 예비 제2 산화방지막(322'), 예비 제2 금속막(312'), 및 예비 제3 금속막(313')은 포토리소그래피 공정을 이용하여 식각될 수 있다. 건식 식각을 이용하는 경우에, 예비 제1 금속막(311'), 예비 제2 금속막(312'), 및 예비 제3 금속막(313')에 포함되는 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속뿐만 아니라 예비 제1 산화방지막(321') 및 예비 제2 산화방지막(322')에 포함되는 상기 제1 금속의 질화물도 함께 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 산화방지막(321), 제1 금속막(311), 제2 산화방지막(322), 제2 금속막(312), 및 제3 금속막(313)을 포함하는 배선(300)이 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 제조 방법들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
110: 기판 101: 제1 영역
102: 제2 영역 145: 유기 절연막
200: 유기막 300: 배선
311: 제1 금속막 312: 제2 금속막
313: 제3 금속막 321: 제1 산화방지막
322: 제2 산화방지막
102: 제2 영역 145: 유기 절연막
200: 유기막 300: 배선
311: 제1 금속막 312: 제2 금속막
313: 제3 금속막 321: 제1 산화방지막
322: 제2 산화방지막
Claims (20)
- 유기막;
상기 유기막 상에 배치되고, 제1 금속을 포함하는 제1 금속막; 및
상기 유기막과 상기 제1 금속막 사이에 배치되고, 상기 제1 금속의 질화물을 포함하는 제1 산화방지막을 포함하고,
상기 제1 산화방지막은 상기 유기막에 직접 배치되는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 유기막은 폴리이미드(PI)를 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 산화방지막은 30 옹스트롬(Å) 내지 200 Å의 두께를 가지는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 금속은 티타늄(Ti)인, 표시 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제1 산화방지막의 N/Ti의 비율은 0.80 내지 1.15인, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 금속막 상에 배치되고, 상기 제1 금속과 상이한 제2 금속을 포함하는 제2 금속막을 더 포함하는, 표시 장치. - 제6항에 있어서,
상기 제2 금속은 알루미늄(Al)인, 표시 장치. - 제6항에 있어서,
상기 제1 금속막과 상기 제2 금속막 사이에 배치되고, 상기 제1 금속의 질화물을 포함하는 제2 산화방지막을 더 포함하는 표시 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제2 산화방지막은 30 Å 내지 200 Å의 두께를 가지는, 표시 장치. - 제6항에 있어서,
상기 제2 금속막 상에 배치되고, 상기 제1 금속을 포함하는 제3 금속막을 더 포함하는, 표시 장치. - 유기물을 포함하는 기판; 및
상기 기판 상에 배치되는 배선을 포함하고,
상기 배선은:
티타늄 질화물(TiN)을 포함하는 제1 산화방지막;
상기 제1 산화방지막 상에 배치되고, 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 금속막; 및
상기 제1 금속막 상에 배치되고, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 금속막을 포함하며,
상기 배선은 상기 기판에 직접 배치되는, 표시 장치. - 삭제
- 제11항에 있어서,
상기 제1 산화방지막은 30 Å 내지 200 Å의 두께를 가지는, 표시 장치. - 제11항에 있어서,
상기 배선은 상기 제1 금속막과 상기 제2 금속막 사이에 배치되고, 티타늄 질화물(TiN)을 포함하는 제2 산화방지막을 더 포함하는, 표시 장치. - 삭제
- 제11항에 있어서,
상기 기판은 구부러질 수 있는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 중심으로 상기 제1 영역의 양측들에 위치하는 제2 영역들을 포함하고,
상기 배선은 상기 제1 영역에 위치하는, 표시 장치. - 제16항에 있어서,
상기 배선은 상기 제1 영역에서 상기 제2 영역들 방향으로 연장되어 상기 제1 영역의 양측들에 위치하는 상기 제2 영역들을 연결하는, 표시 장치. - 제11항에 있어서,
상기 배선은 상기 제2 금속막 상에 배치되고, 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 금속막을 더 포함하는, 표시 장치. - 유기물을 포함하는 기판 상에 티타늄 질화물(TiN)을 포함하는 제1 산화방지막을 형성하는 단계;
상기 제1 산화방지막 상에 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 금속막을 형성하는 단계;
상기 제1 금속막 상에 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 금속막을 형성하는 단계; 및
상기 제1 산화방지막, 상기 제1 금속막, 및 상기 제2 금속막을 한번에 식각하여 배선을 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조 방법. - 제19항에 있어서,
상기 제1 금속막과 상기 제2 금속막 사이에 티타늄 질화물(TiN)을 포함하는 제2 산화방지막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 배선은 상기 제1 산화방지막, 상기 제1 금속막, 상기 제2 산화방지막, 및 상기 제2 금속막을 한번에 식각하여 형성되는, 표시 장치의 제조 방법.
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002122888A (ja) | 2000-08-07 | 2002-04-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、電気光学装置用基板および電気光学装置用基板の製造方法、並びに遮光膜 |
| US20170025444A1 (en) * | 2015-07-24 | 2017-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
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| WO2007043354A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Spirofluorene derivative, material for light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
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-
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002122888A (ja) | 2000-08-07 | 2002-04-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、電気光学装置用基板および電気光学装置用基板の製造方法、並びに遮光膜 |
| US20170025444A1 (en) * | 2015-07-24 | 2017-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
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