CN105932068A - 薄膜晶体管、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种薄膜晶体管、显示面板及显示装置，该薄膜晶体管包括：衬底基板；位于衬底基板上的遮光层；位于遮光层背离衬底基板一侧且与遮光层绝缘设置的有源层，有源层包括沟道区；源极和漏极，薄膜晶体管的电流在源极与漏极之间传输，薄膜晶体管的电流方向为第一方向，第二方向垂直于第一方向；在第一方向上，遮光层的任一侧边缘与同一侧的沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第一预设距离；在第二方向上，遮光层的任一侧边缘与同一侧的沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第二预设距离。本发明有效降低了薄膜晶体管由反射光造成的漏电流，从而降低基于上述薄膜晶体管的显示面板的功耗，实现显示面板和显示装置的低频驱动。

Description

薄膜晶体管、显示面板及显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示面板技术，尤其涉及一种薄膜晶体管以及包含该薄膜晶体管的显示面板和显示装置。

背景技术

随着全球低碳生活的要求越来越多，人们要求现有电子设备的功耗越低越好，而且电子设备还需要保证优异的续航能力，由此可知电子设备中的每个部件的功耗都应该相应降低以保证总体功耗低。对于手机、平板电脑等电子设备，其对显示屏的功耗要求也是越低越好。

显示屏的功耗与其显示驱动频率呈正比，现有的显示屏多采用60Hz左右的显示驱动频率，导致功耗高。

现有的基于LTPS(low temperature poly-silicon，LTPS)的显示屏，LTPS显示屏的漏电流相对较大，而且当光线照射到晶体管的沟道区时，会产生光生载流子，使得漏电流进一步增大。

综上，现有的LTPS显示屏的漏电流大且显示驱动频率高，导致功耗大，无法实现低频驱动。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管、显示面板及显示装置，以解决现有基于LTPS薄膜晶体管的显示面板漏电流较大，功耗大，无法实现低频驱动的问题。

本发明实施例的一方面提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的遮光层；

位于所述遮光层背离所述衬底基板一侧且与所述遮光层绝缘设置的有源层，所述有源层包括沟道区；

所述薄膜晶体管还包括：源极和漏极，所述薄膜晶体管的电流在所述源极与所述漏极之间传输，其中，所述薄膜晶体管的电流方向为第一方向，第二方向垂直于所述第一方向；

在所述第一方向上，所述遮光层的任一侧边缘与同一侧的所述沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第一预设距离；在所述第二方向上，所述遮光层的任一侧边缘与同一侧的所述沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第二预设距离。

本发明实施例的另一方面还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的薄膜晶体管。

本发明实施例的又一方面还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。

本发明实施例中的薄膜晶体管、显示面板和显示装置，其中，薄膜晶体管在电流传输的第一方向上，遮光层的任一侧边缘与同一侧的沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第一预设距离，在垂直于电流方向的第二方向上，遮光层的任一侧边缘与同一侧的沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第二预设距离。本发明实施例中遮光层的任一侧边缘超出沟道区的边缘，使得从遮光层侧边缘射入薄膜晶体管内部的光线远离沟道区的边缘，相应的该光线所产生的反射光不容易进入沟道区，避免了光线照射沟道区产生光生载流子，有效降低了反射光造成的漏电流；与现有技术相比，本发明实施例中有效降低了薄膜晶体管由反射光造成的漏电流，使得薄膜晶体管的漏电流降低，从而可以降低基于上述薄膜晶体管的显示面板的功耗，实现显示面板和显示装置的低频驱动。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的俯视图；

图2为图1沿A-A'的剖视图；

图3为图1沿B-B'的剖视图；

图4是本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管的示意图；

图5A是本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管的示意图；

图5B是本发明实施例提供的再一种薄膜晶体管的示意图；

图6是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的俯视图，图2为图1沿A-A'的剖视图，图3为图1沿B-B'的剖视图。本实施例提供的薄膜晶体管具体包括：衬底基板101；位于衬底基板101上的遮光层102；位于遮光层102背离衬底基板101一侧且与遮光层102绝缘设置的有源层103，有源层103包括沟道区103a；薄膜晶体管还包括源极104和漏极105，薄膜晶体管的电流在源极104与漏极105之间传输，其中，薄膜晶体管的电流方向为第一方向，第二方向垂直于第一方向；在第一方向上，遮光层102的任一侧边缘与同一侧的沟道区103a的边缘之间的距离大于或者等于第一预设距离M；在第二方向上，遮光层102的任一侧边缘与同一侧的沟道区103a的边缘之间的距离大于或者等于第二预设距离K。

在本实施例中可选衬底基板101为玻璃基板，在其他实施例中还可选衬底基板为其他材质，在本发明中不对衬底基板进行具体限制，任意一种能够用于薄膜晶体管的衬底基板均落入本发明的保护范围。在本实施例中遮光层102位于衬底基板101上，可选遮光层102的材料为金属，其功能在于遮挡光线以防止光线进入沟道区103a，但在本发明中不对遮光层的材料进行具体限制，任意一种能够用于薄膜晶体管的遮光材料均落入本发明的保护范围。

在本实施例中有源层103位于遮光层102背离衬底基板101一侧且与遮光层102绝缘设置，有源层103包括沟道区103a，有源层103的两端均为源-漏区。该薄膜晶体管还包括源极104和漏极105，具体的，源极104与一个源-漏区电连接，以及漏极105与另一个源-漏区电连接。薄膜晶体管的电流在源极104与漏极105之间传输，即薄膜晶体管的电流从源极104经过导电沟道区103a传输至漏极105，或者，薄膜晶体管的电流从漏极105经过导电沟道区103a传输至源极104。在本实施例中定义薄膜晶体管的电流方向为第一方向，即A-A'方向与电流方向平行，垂直于电流方向的方向为第二方向，即B-B'方向与第二方向平行，第一方向与第二方向垂直。

需要说明的是，一般而言，显示面板包括多条扫描线以及与扫描线垂直的多条数据线，交叉设置的扫描线和数据线限定多个像素单元，像素单元中包括像素电极和与像素电极电连接的薄膜晶体管，本实施例的薄膜晶体管可选应用在上述显示面板中，但在本发明中所述薄膜晶体管不限于应用在上述显示面板中。具体的，薄膜晶体管的漏极与像素电极电连接，薄膜晶体管的源极与数据线电连接；或者，薄膜晶体管的源极与像素电极电连接，薄膜晶体管的漏极与数据线电连接。如图1～图3所示，数据线210与该薄膜晶体管的源极104电连接，薄膜晶体管还包括栅极220，栅极220与扫描线电连接。

需要说明的是，薄膜晶体管的源极和漏极的定义，因电流的流动不同而异，这里把与数据线相连的称为源极，与像素电极相连的称为漏极。但是这并不构成对本发明的限制，将与数据线相连的称为漏极，与像素电极相连的称为源极也在本发明的保护范围内。

如图2所示，在第一方向上，遮光层102的任一侧边缘与同一侧的沟道区103a的边缘之间的距离大于或者等于第一预设距离M，显而易见的M>0。当光线通过衬底基板101进入薄膜晶体管时，一部分光线直接射在遮光层102面向衬底基板101一侧，还有一部分光线从遮光层102的侧边缘射入薄膜晶体管内部。直接射在遮光层102面向衬底基板101一侧的光线被遮光层102遮挡而不会进入沟道区103a，相应的也不会由光照射沟道区103a，使得沟道区103a光生载流子的密度增加而造成漏电流。从遮光层102的侧边缘射入薄膜晶体管内部的光线会射在源极104(在其他实施例中可选为漏极105)面向衬底基板101的一侧，则光线在非透明导电材质的源极104上可能产生反射，由于遮光层102的任一侧边缘超出沟道区103a的同侧边缘，且具有一定距离，因此入射在源极104上的光线远离沟道区103a，相应的经过遮光层102反射后的反射光线也不容易射入沟道区103a中，从而有效降低了由反射光造成的漏电流。

如图3所示，在第二方向上，遮光层102的任一侧边缘与同一侧的沟道区103a的边缘之间的距离大于或者等于第二预设距离K，显而易见的K>0。当光线通过衬底基板101进入薄膜晶体管时，一部分光线直接射在遮光层102面向衬底基板101的一侧，还有一部分光线从遮光层102的侧边缘射入薄膜晶体管内部。直接射在遮光层102面向衬底基板101一侧的光线被遮光层102遮挡而不会进入沟道区103a，相应的也不会由光照造成漏电流。从遮光层102的侧边缘射入薄膜晶体管内部的光线会射在栅极220面向衬底基板101的一侧，则光线在栅极220上可能产生反射，由于遮光层102的任一侧边缘超出沟道区103a的同侧边缘，因此入射在栅极220上的光线远离沟道区103a，相应的产生的反射光线也不容易射入沟道区103a中，从而有效降低了由反射光造成的漏电流。

本实施例提供的薄膜晶体管，在电流传输的第一方向上，遮光层的任一侧边缘与同一侧的沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第一预设距离，在垂直于电流方向的第二方向上，遮光层的任一侧边缘与同一侧的沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第二预设距离。本实施例中遮光层的任一侧边缘超出沟道区的边缘，使得从遮光层侧边缘射入薄膜晶体管内部的光线远离沟道区的边缘，相应的该光线所产生的反射光不容易进入沟道区，有效降低了反射光造成的漏电流，与现有技术相比，本实施例中有效降低了薄膜晶体管由反射光造成的漏电流，使得薄膜晶体管的漏电流降低，从而可以降低基于上述薄膜晶体管的显示面板的功耗，实现显示面板的低频驱动。

示例性的，在上述技术方案的基础上，需要说明的是，如图2中所示，薄膜晶体管还包括：在第一方向上，位于沟道区103a两侧的轻掺杂区103b，以及位于各轻掺杂区103b背离沟道区103a一侧的重掺杂区103c，其中，轻掺杂区103b的尺寸N范围为0.5μm～2.5μm。轻掺杂区103b的设置能够有效防止短沟道效应，还能够有效减少源极104和漏极105之间的沟道漏电流效应，本领域技术人员可以理解在薄膜晶体管中设置轻掺杂区和重掺杂区的工艺和功能，在此不再赘述。在本实施例中可选轻掺杂区103b的尺寸N范围为0.5μm～2.5μm，本领域技术人员可以理解，基于不同结构和应用的薄膜晶体管，薄膜晶体管轻掺杂区的尺寸可能不同，在本发明中不对薄膜晶体管的轻掺杂区的尺寸进行具体限制。

示例性的，本实施例中，可选在第一方向上，遮光层102在垂直于衬底基板101方向上的投影覆盖轻掺杂区103b在垂直于衬底基板101方向上的投影。在本实施例中在第一方向上，遮光层102的任一侧边缘不仅超出同一侧的沟道区103a的边缘，而且还超出同一侧的轻掺杂区103b的边缘，则从遮光层102的侧边缘射入薄膜晶体管内部的光线远离沟道区103a和轻掺杂区103b，相应的产生的反射光线不容易射入沟道区103a中。遮光层102的设置能够有效降低照射到沟道区103a的反射光，进而降低薄膜晶体管的漏电流，从而可以降低基于上述薄膜晶体管的显示面板的功耗，实现显示面板的低频驱动。

在其他实施例中，可选的，如图4所示，在第一方向上，遮光层102在垂直于衬底基板101方向上的投影覆盖轻掺杂区103b在垂直于衬底基板101方向上的投影，且遮光层102的任一侧边缘与同一侧的轻掺杂区103b的边缘重叠。由此从遮光层102的侧边缘射入薄膜晶体管内部的光线远离沟道区103a，相应的产生的反射光线不容易射入沟道区103a中。遮光层102的设置能够有效降低照射到沟道区103a的反射光，进而降低薄膜晶体管的漏电流，从而可以降低基于上述薄膜晶体管的显示面板的功耗，实现显示面板的低频驱动。

示例性的，本实施例中，需要说明的是，薄膜晶体管还包括：栅极220，栅极220在垂直于衬底基板101的方向上的投影覆盖沟道区103a在垂直于衬底基板101的方向上的投影。在第一方向上栅极220在垂直于衬底基板101的方向上的投影等于沟道区103a在垂直于衬底基板101的方向上的投影。具体的，薄膜晶体管的垂直于电流方向的第二方向上，栅极220在垂直于衬底基板101的方向上的投影覆盖沟道区103a的投影；在第一方向上，栅极220在垂直于衬底基板101的方向上的投影与沟道区103a的投影重叠。在本发明中不对栅极进行具体限制。

示例性的，在上述技术方案的基础上，在本实施例中可选薄膜晶体管为顶栅结构，顶栅结构中，栅极位于有源层背离衬底基板的一侧，栅极能够覆盖有源层的沟道区，避免沟道区受到外部光线的照射，产生额外的漏电流。但本领域技术人员能够理解，这仅仅是一个示例，并不构成对本发明的限制，本发明同样适用于底栅方式的薄膜晶体管结构。

示例性的，在上述技术方案的基础上，在本实施例中可选薄膜晶体管为双栅结构，具体为L型双栅结构。但本领域技术人员能够理解，这仅仅是一个示例，并不构成对本发明的限制，本发明同样适用于单栅结构的薄膜晶体管，以及其他栅极结构的薄膜晶体管，例如图5A和图5B所示的两种U型双栅结构薄膜晶体管，双栅结构的薄膜晶体管其源极与漏极之间间隔两个沟道区，使得电阻增加，漏电流进一步减小，有利于实现基于上述薄膜晶体管的显示面板的低频驱动。

示例性的，在上述技术方案的基础上，在本实施例中可选薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，有源层103为低温多晶硅有源层。影响低温多晶硅薄膜晶体管的光照包括透射光、散射光和反射光等，为了进一步降低反射光对薄膜晶体管漏电流的影响，本实施例中设置遮光层102的任一侧边缘超出同一侧的沟道区103a的边缘，从而降低了低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流，可以降低基于上述薄膜晶体管的显示面板的功耗，实现显示面板的低频驱动。

示例性的，在本实施例中可选第一预设距离M的范围为2.5μm～6μm。本实施例所示的薄膜晶体管可选应用在显示面板中，基于显示面板的高像素，薄膜晶体管的尺寸较小，本实施例中基于薄膜晶体管的尺寸和遮光层102的尺寸，可选第一预设距离M的范围为大于或等于2.5μm且小于或等于6μm。本领域技术人员可以理解，第一预设距离包括但不限于以上限制，基于薄膜晶体管的不同结构和应用，设计人员可根据所需薄膜晶体管，自行合理设置薄膜晶体管的第一预设距离，在本发明中对第一预设距离不进行具体限制。

在本实施例中第一预设距离M的范围为2.5μm～6μm，以及轻掺杂区103b的尺寸N范围为0.5μm～2.5μm，则薄膜晶体管的遮光层102在第一方向上的任一侧边缘超出或重叠同一侧的轻掺杂区103b的边缘，能够有效降低光照造成的漏电流，从而实现基于上述薄膜晶体管的显示面板的低频驱动并降低功耗。示例性的，在上述技术方案的基础上，在本实施例中优选第一预设距离M为3μm。

示例性的，可选第二预设距离K的范围为2μm～6μm。本实施例所示的薄膜晶体管可选应用在显示面板中，基于显示面板的高像素，薄膜晶体管的尺寸较小，本实施例中基于薄膜晶体管的尺寸和遮光层102的尺寸，可选第二预设距离K的范围为大于或等于2μm且小于或等于6μm。本领域技术人员可以理解，第二预设距离包括但不限于以上限制，基于薄膜晶体管的不同结构和应用，设计人员可根据所需薄膜晶体管，自行合理设置薄膜晶体管的第二预设距离，在本发明中对第二预设距离不进行具体限制。在本实施例中优选第二预设距离K为3μm，薄膜晶体管的遮光层102在第二方向上的任一侧边缘超出沟道区103a的同一侧边缘，可以降低基于上述薄膜晶体管的显示面板的功耗，实现显示面板的低频驱动。

需要说明的是，第一预设距离M的范围为2.5μm～6μm，在第一方向上遮光层102两侧的第一预设距离M可以相等也可以不相等。以及第二预设距离K的范围为2μm～6μm，在第二方向上遮光层102两侧的第二预设距离K可以相等也可以不相等。

本发明实施例另一方面还提供一种显示面板，该显示面板包括如上所述的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管用于控制显示面板中像素单元的导通和关闭，从而决定像素单元中是否有电压供给，供像素单元所对应液晶分子实现偏转，获得所需的显示效果。另外，本实施例所提供的显示面板，可以为液晶显示面板，也可以为有机发光显示面板，还可以为其他类型的显示面板，本实施例对此不作特殊限定。

在本实施例中以5.3FHD的显示面板为例，设定电容量C为8*e^-14，该显示面板的驱动电压为4V。具体的，本实施例提供的一种显示面板的相关参数如下表1～表3所示。

表1

f

I

t

Q'

U

C

Q

Ut

ΔU

保持率

60Hz

1.00E-13

0.016657986

1.67E-15

4

8.00E-14

3.20E-13

3.98E+00

0.021

99.48％

30Hz

1.00E-13

0.033324653

3.33E-15

4

8.00E-14

3.20E-13

3.96E+00

0.042

98.96％

15Hz

1.00E-13

0.066657986

6.67E-15

4

8.00E-14

3.20E-13

3.92E+00

0.083

97.92％

5Hz

1.00E-13

0.199991319

2.00E-14

4

8.00E-14

3.20E-13

3.75E+00

0.250

93.75％

表2

f

I

t

Q'

U

C

Q

Ut

ΔU

保持率

60Hz

5.00E-13

0.016657986

8.33E-15

4

8.00E-14

3.20E-13

3.90E+00

0.104

97.40％

30Hz

5.00E-13

0.033324653

1.67E-14

4

8.00E-14

3.20E-13

3.79E+00

0.208

94.79％

15Hz

5.00E-13

0.066657986

3.33E-14

4

8.00E-14

3.20E-13

3.58E+00

0.417

89.58％

5Hz

5.00E-13

0.199991319

1.00E-13

4

8.00E-14

3.20E-13

2.75E+00

1.250

68.75％

表3

f

I

t

Q'

U

C

Q

Ut

ΔU

保持率

60Hz

1.00E-12

0.016657986

1.67E-14

4

8.00E-14

3.20E-13

3.79E+00

0.208

94.79％

30Hz

1.00E-12

0.033324653

3.33E-14

4

8.00E-14

3.20E-13

3.58E+00

0.417

89.59％

15Hz

1.00E-12

0.066657986

6.67E-14

4

8.00E-14

3.20E-13

3.17E+00

0.833

79.17％

5Hz

1.00E-12

0.199991319

2.00E-13

4

8.00E-14

3.20E-13

1.50E+00

2.500

37.50％

其中，f为显示驱动频率，I为漏电流，t为时间且t＝(1/f)-(1/60/扫描分辨率)，Q'为t时间内电荷损失且Q'＝It，U为像素初始电位且U＝Q/C，C为电容量，Q为初始电荷量，Ut为t时间后的像素电位且Ut＝(Q-Q')/C，ΔU为t时间内像素电位的变化量且ΔU＝U-Ut，保持率为显示面板的像素电压保持率。

由表1～表3可知，为了实现低频驱动，且不出现显示异常(像素电压保持率95％以上)，则需要显示面板中的薄膜晶体管的漏电流保持在1*E13以下。本领域技术人员可以理解，上述示例和表示为5.3FHD的显示面板，其他不同的显示面板的参数可能不同，在本发明中不进行具体示例和限制。

在本实施例中为了降低薄膜晶体管的受光反射造成的光生漏电流，可选第一预设距离M的范围为2.5μm～6μm以及第二预设距离K的范围为2μm～6μm。在此可选薄膜晶体管的器件宽度W＝4μm且器件长度L＝3μm，背光亮度为8000cd/m²，当第一预设距离M和第二预设距离K为不同值时，低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流Id不同。

具体的，设上述薄膜晶体管的关态电压为-2V，研究人员通过多次研究得出，无光照时薄膜晶体管的漏电流最低；有光照无遮光层时薄膜晶体管的漏电流最高且高于1*E-12；顺序的，有光照且M＝K＝0的薄膜晶体管，有光照且M＝1且K＝0的薄膜晶体管，有光照且M＝0且K＝1的薄膜晶体管，有光照且M＝K＝1的薄膜晶体管，有光照且M＝K＝2的薄膜晶体管，有光照且M＝K＝3的薄膜晶体管，有光照且M＝K＝4的薄膜晶体管，有光照且M＝5且K＝4的薄膜晶体管，其漏电流顺序降低；以及当薄膜晶体管的M≥3且K≥3时，漏电流低于1*E-13。

综上，该显示面板中的薄膜晶体管的第一预设距离M优选大于或等于3μm且第二预设距离K优选大于或等于3μm。

本发明实施例的又一方面还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

参考图6，图6是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图，其中，显示装置20包括显示面板10，显示面板10为上述任一实施方式中描述的显示面板，显示面板10包括上述任一实施方式中描述的薄膜晶体管。另外，本实施例中，显示装置20可以为手机、手表、电脑、电视等显示装置，本实施例对此亦不作特殊限定。

通过上述描述可知，本发明实施例中的薄膜晶体管、显示面板及显示装置，其中，薄膜晶体管在电流传输的第一方向上，遮光层的任一侧边缘与同一侧的沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第一预设距离，在垂直于电流方向的第二方向上，遮光层的任一侧边缘与同一侧的沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第二预设距离。本发明实施例中遮光层的任一侧边缘超出沟道区的边缘，使得从遮光层侧边缘射入薄膜晶体管内部的光线远离沟道区的边缘，相应的该光线所产生的反射光不容易进入沟道区，避免了光线照射沟道区产生光生载流子，有效降低了反射光造成的漏电流；与现有技术相比，本发明实施例中有效降低了薄膜晶体管由反射光造成的漏电流，使得薄膜晶体管的漏电流降低，从而可以降低基于上述薄膜晶体管的显示面板的功耗，实现显示面板和显示装置的低频驱动。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (14)

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的遮光层；

位于所述遮光层背离所述衬底基板一侧且与所述遮光层绝缘设置的有源层，所述有源层包括沟道区；

所述薄膜晶体管还包括：源极和漏极，所述薄膜晶体管的电流在所述源极与所述漏极之间传输，其中，所述薄膜晶体管的电流方向为第一方向，第二方向垂直于所述第一方向；

在所述第一方向上，所述遮光层的任一侧边缘与同一侧的所述沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第一预设距离；在所述第二方向上，所述遮光层的任一侧边缘与同一侧的所述沟道区的边缘之间的距离大于或者等于第二预设距离。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：在所述第一方向上，位于所述沟道区两侧的轻掺杂区，以及位于各所述轻掺杂区背离所述沟道区一侧的重掺杂区，所述轻掺杂区的尺寸范围为0.5μm～2.5μm。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述第一方向上，所述遮光层在垂直于所述衬底基板方向上的投影覆盖所述轻掺杂区在垂直于所述衬底基板方向上的投影。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：栅极，所述栅极在垂直于所述衬底基板的方向上的投影覆盖所述沟道区在垂直于所述衬底基板的方向上的投影。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述第一方向上，所述栅极在垂直于所述衬底基板的方向上的投影等于所述沟道区在垂直于所述衬底基板的方向上的投影。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅结构。

7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为双栅结构。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述有源层为低温多晶硅有源层。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一预设距离的范围为2.5μm～6μm。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一预设距离为3μm。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二预设距离的范围为2μm～6μm。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二预设距离为3μm。

13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的薄膜晶体管。

14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13所述的显示面板。