1291058 A7 B7 五、發明説明（,） 【發明背景】 1. 發明領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於光電裝置、電子機器、光電裝置用基板 及光電裝置用基板的製造方法以及遮光膜，尤其關於使用 在投射型液晶顯示裝置等之具有合適良好遮光性之遮光膜 的構成。 2. 先行技術 第1 5圖爲液晶裝置之一例的剖面圖，該液晶裝置係液 晶被封入於玻璃基板、石英基板等之兩片基板間者，具備 有構成一方基板的薄膜電晶體（Thin Film Transistor，.以下 記爲TFT)陣列基板1 〇，和與此相向而被配置的構成另一方 _ 基板的對向基板20。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在TFT陣列基板10上矩陣狀地形成多數的有用以控制 晝素電極9a和該畫素電極9a的晝素開關用TFT30，用以供 給畫像訊號之資料線6a係通過觸孔5而電氣性地連接於該 TFT30的源極領域Id。又，掃描線3a係被電氣性地連接於 TFT30之閘極，以規定之時機，將掃描訊號脈衝性地順序施 加於掃描線3a而構成之。畫素電極9a係通過觸孔被電氣性 地連接於畫素開關用TFT30之汲極領域le，將屬於開關元件 之畫素開關用TFT30依據僅在一定期間關閉其開關，而成爲 以規定之時機寫入由資料線6a所供給的晝像訊號。 經由畫素電極9a而被寫入於液晶的規定電平之晝像訊 號，雖然在與形成於對向基板20的對向電極2 1之間保持一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） " -4 - 1291058 A7 __B7 _ 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 定期間，但是，通常，爲了防止被保持的畫像訊號洩漏， 與在畫素電極9a和對向電極21之間所形成的液晶容量並聯 施加儲存容量丨在此，設置有屬於容量形成用之配線的容 量線3b而作爲形成存蓄電容的方法。又，在畫素電極9a上 設置有被施予拋光處理等之規定配向處理的配向膜1 6。 如第15圖所示，在對應於TFT陣列基板10表面之各畫 素開關用TFT30之位置上，設置有由WSi(矽化鎢）所組成之 第1遮光膜11a。 該第1遮光膜11 a係用以防止來自TFT陣列基板1 0側的 返回光等射入於畫素開關用TFT30之通道領域la1或LDD領 域1 b、1 c中之事態者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，於第1遮光膜11a和畫素開關用TFT30之間，設 置有令半導體層la自第1遮光膜11a電氣性絕緣的第1層間絕 緣膜（絕緣體層）12。又，於含有掃描線3a上、絕緣膜2上之 TFT陣列基板10上，形成有各通向高濃度源極領域Id之觸 孔5及通向高濃度汲極領域le之觸孔所形成的第2層間絕緣 膜4。而且，於資料線6a及第2層間絕緣膜4上，形成有通向 高濃度汲極領域之觸孔8所形成的第3層間絕緣膜7。 又，該液晶裝置中，依據從與掃描線3a相向之位置延 設絕緣薄膜2而作爲介電體膜使用，延設半導體膜ia而作爲 第1儲存容量電極If，將與該些相向的容量線3b之一部分作 爲第2儲存容量電極，而構成儲存容量70。 另外’在對向基板20上，整個表面這有對向電極（共集 電極）21，其下側設置有被施予拋光處理等之規定配向處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1291058 A7 ____B7_ 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的配向膜22。而且，在對向基板，各晝素之顯示領域以外 的領域上設置有第2遮光膜23。該第2遮光膜23係用以防止 來i對向基板20側之入射光侵入於晝素開關用TFT30之半導 體層1 a之通道領域1 a ^源極領域1 b、1 d、汲極領域1 c、1 d 等者，也被稱爲黑矩陣。 各基板係像這樣的構成，液晶被封入於畫素電極9a和 對向電極21相向地配置的TFT陣列基板10和對向基板20之 間，而形成液晶層50。 【發明槪略】 但是，使用由WSi所組成之第1遮光膜11的液晶裝置係 希望有遮光性較高的遮光膜。 具有開關元件之液晶裝置係有因返回光而引起發生開 關元件之光洩漏電流，而給元件之開關特性帶來不良影響 ’造成顯示特性惡化的問題。尤其，將該液晶裝置用於使 用投影機等之強力光源的裝置之時，因容易發生返回光所 引起的光洩漏電流，故造成問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了解決該問題，有提案使用具有良好遮光性材料的 Ti(鈦）而形成第1遮光膜11a。但是，形成第1遮光膜11a後， 當進行像形成絕緣膜、形成開關元件時之退火處理的超過 500°C之高溫處理工程時，屬於第1遮光膜11a的Ti係形成 與含有面對Ti之氧元素之Si02等的絕緣膜起化學反應的氧 化膜。依據生成該氧化膜而產生降低Ti遮光性能的不佳狀 況。因此，即使使用Ti亦有不能得到充分遮光性能之情形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） " "~" 1291058 A7 B7 五、發明説明（4 ) 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係用以解決上述課題而所創作出者，其目的爲 提供具有良好遮光性能的遮光膜。 再者，以提供具有上述遮光膜的光電裝置用基板、光 電裝置用基板之製造方法及光電裝置以及電子機器爲目的 〇 (1) 爲了達成上述之目的，一種屬於具有挾持光電物 質之一對基板、設置於一方基板上的開關元件和設置於相 向著上述開關元件之位置的遮光膜的光電裝置，其特徵爲 :上述遮光膜係具有爲高熔點之金屬單體或是金屬化合物 之金屬層；和疊層於上述金屬層之至少一方之表面，爲無 氧系之高熔點金屬或是金屬化合物所形成之阻隔層。 若依據該光電裝置的話，即使於形成遮光膜後進行高 溫處理，藉由與含有氧元素之Si02等的絕緣膜面對的遮光 膜之無氧系的高熔點金屬或金屬化合物所形成的阻隔層， 而抑制遮光膜之金屬層氧化現象的發生，其結果，可以確 保遮光膜之遮光性能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，遮光膜之膜厚比起使用以往之單獨WSi的遮光 膜，可以將膜厚變薄。依此，可以降低形成遮光膜之領域 和沒有形成之領域中的段差變大之情形。 (2) 本發明之光電裝置中的上述遮光膜，係被配置於 上述一方之基板和上述開關元件間，上述遮光層之上述阻 隔層係面對著上述開關元件側。 若依據此構成的話，將絕緣膜形成於阻隔層上即使施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210X297公釐） -7- 1291058 A7 ______B7___ 五、發明説明（5 ) 予高溫之熱處理’亦可以防止金屬層氧化而透過性下降之 情形。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (3 )再者，本發明之光電裝置中的上述遮光膜，係被 配置於上述光電物質側之上述開關元件上。 若依據此構成的話，可以防止來自一方基板側的光被 照射於開關元件之情形。 (4) 再者’本發明之光電裝置中之上述遮光膜之金屬 層係，由遮光性之金屬層和光吸收性之金屬層所構成，上 述光吸收性之金屬層係面對著上述開關元件側。 若依據此構成的話，以遮光性之金屬層防止光照射於 開關元件之同時，可以以開關元件側之光吸收性之金屬層 吸收光，抑制內部反射。 (5) 再者，本發明之光電裝置中之上述金屬層係，由 上述阻隔層所挾持著。 若依據此構成的話，即使在製造光電裝置，施予熱處 理之時，以阻隔層因可以防止金屬層氧化，故可以維持金 屬層原來的遮光性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (6) 再者，本發明之光電裝置，係於另一方基板具有 被形成定義畫素之顯示區域，屬於高熔點之金屬單體或是 金屬化合物之金屬層；和疊層於上述金屬層之至少一方之 表面的無氧系之高熔點金屬或是金屬化合物所形成之阻隔 層的遮光膜。 若依據該構成的話，可以更提昇來自另一方基板之光 的遮光性能。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 _ B7 五、發明説明（。） 6 (7) 再者，本發明之光電裝置中，上述遮光膜係被連 接於固定電位。1 若依據該構成的話，因可以將上述遮光膜變成低電位 ，故可以防止雜波乘入開關元件中。 (8) 再者，本發明之光電裝置中之上述阻隔層，係由 氮化合物 '矽化合物、鎢化合物、鎢、矽中之一種所組成 爲最佳。 (9) 再者，本發明之光電裝置中之上述阻隔層爲WSi 則最佳。 (10) 再者，本發明之光電裝置中之上述金屬層爲Ti 貝(1最佳。 (11) 再者，本發明之光電裝置中之上述阻隔層，係 被形成於上述金屬層之上面及下面，上面側阻隔層之膜厚 係比下面側阻隔層之膜厚還厚。 若依據此構成的話，於上面側阻隔層上形成絕緣膜， 即使施予高溫之熱處理亦可以防止金屬層之氧化，同時， 可以防止遮光膜不必要的變厚。 (1 2 )以其代表性的例子而言，上述金屬層之膜厚爲 30nm至50nm，上述上面側阻隔層之膜厚爲30nm至lOOnm， 下面側阻隔層之膜厚爲l〇nm至20nm爲最佳。 (13)再者，本發明之光電裝置可以應用於電子機器 〇 以這樣的電子機器而言，即使使用強力光源之時，可 以作爲不易發生光洩漏的電子機器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -9 - 1291058 A7 B7_ 五、發明説明（7 ) (14)本發明之光電裝置用基板，係屬於具有被設置 於絕緣性基板上之遮光膜的光電裝置用基板，其特徵爲·’ 上述遮光膜係具有爲高熔點之金屬單體或是金屬化合物之 金屬層；和疊層於上述金屬層之至少一方之表面，爲無氧 系之高熔點金屬或是金屬化合物所形成之阻隔層。 若依據該構成的話，即使於形成遮光膜後進行高溫處 理，藉由與含有氧元素之Si〇2等的絕緣膜面對的遮光膜之 無氧系的高熔點金屬或金屬化合物所形成的阻隔層，而抑 制遮光膜之金屬層氧化現象的發生，其結果，可以確保遮 光膜之遮光性能。 (15 )本發明之光電裝置用基板之製造方法，係屬於 具有被設置於絕緣性基板上之遮光膜的光電裝置用基板之 製造方法，其特徵爲：具有將高熔點之金屬單體或是金屬 化合物於絕緣性基板上予以成膜，使形成金屬層之工程： 和將無氧系之高熔點金屬或是金屬化合物於上述金屬層上 予以成膜，使形成阻隔膜之工程；和將絕緣材料於上述阻 隔層上予以成膜，使形成絕緣膜之工程。 若依據構成的話，即使於形成遮光膜後進行高溫處理 ’藉由與含有氧元素之Si02等的絕緣膜面對的遮光膜之無 氧系的高熔點金屬或金屬化合物所形成的阻隔層，可以抑 制遮光膜之金屬層氧化現象的發生。 * 再者，遮光膜之膜厚係比使用以往之WSi的遮光膜， 可以將膜厚變薄。依此，若依據本發明之遮光膜的話，比 起以往之遮光膜可以短縮遮光膜之成膜工程中之蝕刻時間 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） ~ -10- ----------鬌衣--1--.--1T------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 ___B7_ 五、發明説明（8 ) ，同時也可以達到延長形成遮光膜之時所使用之成膜靶之 壽命及降低氣體量。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (16) 再者，本發明之光電裝置用基板之製造方法， 係形成金屬層之前，具有將無氧系之高熔點金屬或是金屬 化合物於上述絕緣性上予以成膜，使形成阻隔層之工程。 若依據該構成的話，即使施予高溫之熱處理，因以阻 隔層可以防止金屬層氧化，故可以維持金屬層原來的遮光 性。 (17) 再者，本發明之光電裝置用基板之製造方法中 之形成上述絕緣膜之工程，係含有施予500 °C以上1100 °C以 下熱處理之工程。 若依據此構成的話，不會降低遮光膜之遮光性，可以 降低絕緣膜之蝕刻等級。 (1 8 )本發明之遮光膜的特徵爲：具有爲高熔點之金 屬單體或是金屬化合物之金屬層；和疊層於上述金屬層之 至少一方之表面，爲無氧系之高熔點之金屬或是金屬化合 物所形成之阻隔層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若依據該遮光膜的話，即使於形成遮光膜後進行高溫 處理，藉由與含有氧元素之Si02等的絕緣膜面對的遮光膜 之無氧系的高熔點金屬或金屬化合物所形成的阻隔層，而 抑制遮光膜之金屬層氧化現象的發生，其結果，可以確保 遮光膜之遮光性能。 再者，遮光膜之膜厚係比使用以往之WSi的遮光膜， 可以將膜厚變薄。依此，若依據本發明之遮光膜的話，比 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1291058 A7 ___B7_ 五、發明説明（9 ) 起以往之遮光膜可以短縮遮光膜之成膜工程中之鈾刻時間 ’同時也可以達到延長形成遮光膜之時所使用之成膜靶壽 命及降低氣體量。 (19 )再者，本發明之遮光膜中之上述阻隔層，係由 氮化合物、矽化合物、鎢化合物、鎢、矽中之一種所組成 爲最佳。 (20 )再者，本發明之遮光膜中之上述阻隔層之氮化 合物，係SiN、TiN、WN、MoN、CrN中之任一者爲最佳。 (21 )再者，本發明之遮光膜中之上述阻隔層之矽合 物，係TiSi、WSi、MoSi、CoSi、CrSi中之任一者爲最佳。 (22 )再者，本發明之遮光膜中之上述阻隔層之鎢化 合物，係TiW、MoW中之任一者爲最佳。 在本發明之遮光膜中，以構成上述阻隔層之上述高熔 點金屬之氮化合物、上述矽化合物、上述鎢化合物各自當 作爲上述之材料，可以更有效果地抑制形成金屬層之材料 與面對遮光膜之絕緣膜所發生的氧化現象。依此，即使對 於更高溫處理，亦可以提更不易產生降低遮光性能的遮光 膜。 (23) 再者，本發明之遮光膜中之上述金屬層之金屬 單體，係Ti、W、Mo、Co、Cr、Hf、Ru中之任一者爲最佳 ο (24) 再者，本發明之遮光膜中之上述金屬層之金屬 化合物，係TiN、TiW、MoW中之任一者爲最佳。 在本發明之遮光膜中，以上述金屬單體和上述金屬化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） ----------誊衣-------·--、玎----^--Φ. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 1291058 A7 B7___ 五、發明説明（1〇) 合物各自作爲上述之材料，使可以成爲遮光性能更加良好 的遮光膜。 (25 )再者，本發明之遮光膜中之上述阻隔層之膜厚 ，係1〜20Onm爲最佳。 以像這樣的遮光膜，可以充分地防止因高溫處理而使 得遮光性能下降。尤其，若爲150nm的話，則可以提供對基 板彎曲量較少的高品質遮光膜。而且，在非摻雜的聚矽中 150nm以上之膜厚彎曲也較不易發生。 (26) 再者，本發明之遮光膜中之上述金屬層之膜厚 ，係10〜200nm爲最佳。 若依據此構成，可以提供膜厚薄的遮光膜。尤其，在 液晶裝置中，可以降低因遮光膜之高度所引起的配向膜表 面之段差，可以降低液晶配向不良。 (27) 再者，本發明之遮光膜中之上述金屬層，係在 其兩面被疊層著上述阻隔層。 在本發明之遮光膜中，上述阻隔層係被疊層於上述金 屬層之兩面上。 以像這樣的遮光膜，可以藉由阻隔層保護金屬層之兩 面側，可以更有效果地抑制形成金屬層之材料成爲氧化合 物一事。 (28) 再者，本發明之遮光膜中之上述金屬層，係由 光反射性之金屬層和光吸收性之金屬層所構成。 以像這樣的遮光膜，可以提供持有光反射性和光吸收 性之機能的遮光膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ29*7公釐） 一 一 ^^裝 訂 IAWI (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 B7 五、發明説明（Μ) (29 )再者，本發明之遮光膜中之上述光吸收性之金 屬層，係氮化化合物爲最佳。 (30 )再者，本發明之遮光膜中之上述遮光性之金屬 層，即使係在其兩面疊層著上述光吸收性之金屬層而構成 亦可。 (31)再者，本發明之遮光膜，即使具有爲高熔點之 金屬單體或是金屬化合物之金屬層；和疊層於上述金屬層 之至少一方之表面，用以保護上述金屬層氧化之爲高熔點 金屬或是金屬化合物所形成之保護層亦可。 【圖面之簡單說明】 第1圖係液晶裝置之一實施形態中，被設置於構成畫像 形成領域之矩陣狀的多數畫素上的各種元件、配線等之等 效電路圖。 第2圖係液晶裝置之一實施形態中之資料線、掃描線、 畫素電極、遮光膜等所形成的TFT陣列基板之相鄰接的多 數畫素群之平面圖。 第3圖係第2圖的A - A ^剖面圖。 第4圖係用以說明本發明之遮光膜的其他例。 第5圖係用以說明本發明之遮光膜的其他例。 第6圖係用以說明本發明之遮光膜的其他例。 第7圖係用以說明本發明之遮光膜的其他例。 第8圖係液晶裝置之一實施形態中，由對向基板側起觀 看形成於TFT陣列基板上的各構成要素之時的平面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 1291058 A7 B7 12 五、發明説明（ 第9圖係第8圖之H-H’剖面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第10圖係屬於使用液晶裝置之電子機器之一例的投射 型顯示裝置之構成圖。 第11圖係表示阻隔層之膜厚與透過率關係之曲線圖。 第12圖係表示金屬層之膜厚與透過率關係之曲線圖。 第13圖係表示金屬層之膜厚與透過率關係之曲線圖。 第14圖係表示金屬層之膜厚與透過率關係之曲線圖。 第1 5圖係表示以往液晶裝置之畫素部內之剖面構造的 圖示。 【圖號說明】 la 半導體層 laJ 通道領域 lb 低濃度源極領域（源極側LDD領域） lc 低濃度汲極領域（汲極側LDD領域）
Id 高濃度源極領域 le 高濃度汲極領域 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 TFT陣列基板 115 第1遮光膜 11a 、 111 、 112 、 113 、 114 12 第1層間絕緣膜
Ml、M2、M3、M5、M6 金屬層 Bl、B2、B3、B4 阻隔層 【最佳實施形態】 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 __._B7__ 五、發明説明（13) 以下，參照第1圖至第3圖說明本發明之第1實施形態。 本發明之第1實施形態，係以本發明之遮光膜及具有該 遮光膜的光電裝置用基板以及光電裝置之一例，作爲本發 明之遮光膜適用於液晶裝置的例子。 第1圖構成液晶裝置之晝像形成領域（畫素部）的形成矩 陣狀之晝素中之各種元件、配線等之等效電路。再者，第2 圖係用以將資料線、掃描線、晝素電極、遮光膜等所形成 之TFT陣列基板相鄰接的多數畫素群予以擴大表示的平面 圖。再者，第3圖係第2圖之A-A’剖面圖。第3圖中，爲了將 各層或各構件在圖面上加大至可辨識的程度，所以每各層 或各構件之縮此各爲不同。 第1圖中，構成本實施形態之液晶裝置之畫像顯示領域 (畫素部）的形成矩陣狀之多數畫素，係由用以控制形成矩陣 狀之畫素電極9a和畫素電極9a的TFT(電晶體元件）30所組 成，被供給畫像訊號之資料線6a係被電氣性地連接於該 TFT30之源極。寫入於資料線6a之畫像訊號SI、S2.....
Sn即使依照該順序線順序地供給亦可，對於相鄰接之資料 線6a彼此，即使係供給於每群亦可。再者，掃描線3a係被 電氣性地連接於TFT3 0之閘極，以規定之時機，將掃描訊號 G1、G2.....Gm依照該順序脈衝性的以線順序施加於掃描 線3a而構成。畫素電極9a係被電氣性地連接於TFT30之汲 極’依據僅在一定期間關閉屬於開關元件之TFT3 0之其開關 ’以規定之時機寫入自資料線所供給的晝像訊號S i、S2、 …Λ Sn 〇 ^紙張尺度逍用中國國家標準（ CNS )八4胁（210X297公釐)'~— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 __B7_ 五、發明説明（14) 經過晝素電極9a被寫入於液晶之規定電平的畫像訊號 S 1、S 2.....S η係在與形成於對向基板（後述）的對向電極（ 後述）之間，以一定期間被保持著。液晶係依據由所施加之 電壓電平變化分子集合之配向或秩序，而調製光，使成爲 可以灰階顯示。若爲普通黑色模態的話，則依照被施加的 電壓增加朝向液晶部分的入射光之透過光量，對整體而言 ，則係自液晶裝置射出持有依照畫像訊號的對比度。在此 ，爲了防止所保持的畫像訊號洩漏，添加與形成於畫素電 極9 a和對向電極之間的液晶容量並聯儲存容量7 0。例如， 晝素電極9a之電壓係藉由僅比電壓被施加於資料線的時間 還長3位數時間的儲存容量70，而被保持。依此，保持特性 更被改善，可以實現對比度高的液晶裝置。於本實施形態 中，尤其，爲了形成像這樣的儲存容量70，利用如後述之 與掃描線或是導電性之遮光膜，設置被低電阻化的容量線 3b 〇 接著，根據第2圖，針對TFT陣列基板之畫素部（畫像 顯示領域）內之平面構造予以詳細說明。如第2圖所示，在 液晶裝置之TFT陣列基板上的畫素部內中，設置有呈矩陣 狀之多數透明畫素電極9a(藉由點線部9a，所示之輪廓），各 沿著晝素電極9a之縱橫境界，設置有資料線6a、掃描線3a •及容量線3b。資料線6a係經由觸孔5電氣性地連接於單晶矽 層之半導體層la中之源極領域，畫素電極9a係經由觸孔8電 氣性地連接於半導體層丨a中之汲極領域。又，與半導體層 la中之通道領域（圖中朝右下傾斜之斜線領域）可以相向地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------^^衣1T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 _ B7_ 五、發明説明（仏） Ίο 配置有掃描線3 a，掃描線3 a係作爲閘極電極而發揮功能。 容量線3b係沿著掃描線3a具有幾乎直線延伸的主線部（ 即是’由平面觀看，沿著掃描線3a而所形成的第1領域）， 和與資料線6a交叉之位置起沿著資料線6a而突出於前段側（ 圖中，向上）的突出部（即是，由平面觀看，沿著資料線6a 而所延設的第2領域）。 然後，以圖中向右上傾斜5之斜線所示之領域中，設置 有多數第1遮光膜111。更具體而言，即是，第1遮光膜111係 各自被設置在畫素部中，由TFT陣列側觀看時呈覆蓋含有 半導體層la之通道領域之TFT的位置上，而且，具有與容 量線3b之主線部相向，沿著掃描線3a而直線延伸的主線部 ，和自與資料線6a交叉之位置起沿著資料線6a而突出於鄰 接的後段側（即是，圖中向下）的突出部。第1遮光膜1 11之各 段（畫像行）中之向下之突出部前端係與在資料線6a之下一 段中之容量線3b之向上的突出部前端重疊。該重疊處，設 置有將第1遮光膜111和容量線3b互相電氣性連接的觸孔1 3 。即是，在本實施形態中，第1遮光膜111係依據觸孔1 3被 電氣性連接於前段或是後段之固定電位之容量線3b。 在本實施形態中，第1遮光膜1 1 1係不僅在畫素部內， 可以在不需要遮光之畫素外側領域（畫素部之週邊領域），即 是在塗布用以貼合對向電極基板的密封材料之密封領域， 或形成用以連接輸入輸出訊號線之安裝端子的端子墊片領 域等，亦可以利用展開之形狀而2次元性地形成相同圖案。 依此，硏磨形成於第1遮光膜Π 1之上的絕緣體層後予以平 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------警衣--1---·--、玎------Φ— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -18- A7 B7 16 [291058 五、發明説明（ 坦化之時，畫素部內和畫素部週邊領域之凹凸狀態因幾乎 相同，故可以均勻地平坦化，可以以良好之狀態來貼合單 晶砂層。 接著，根據第9圖，針對液晶裝置之晝素部內的剖面構 造予以說明。如第9圖所示，該液晶裝置係具備有構成光透 過性基板之一例的TFT陣列基板10，和被與此對向配置的 透明對向基板20。TFT陣列基板10係由例如，石英基板或硬 玻璃所組成，對向基板20係由玻璃基板或石英基板所組成 。在TFT陣列基板上設置有畫素電極9a，其上側設置有已 施予拋光處理等之規定配向處理的配向膜1 6。畫素電極9a 係由ITO膜（氧化銦錫膜）等之透明導電性膜所組成。再者， 配向膜1 6係由例如聚醯亞胺膜等之有機膜所組成。 另一方面，於對向基板20之全表面上設置有對向電極（ 共集電極）21。其下側上，設置有已施予拋光處理等之規定 配向處理的配向膜22。對向電極21係由例如ITO膜等之透 明導電性膜所組成，又，配向膜22係由聚醯亞胺膜等之有 機膜所組成。 於TFT陣列基板中，如第9圖所示，鄰接於各畫素電極 9a之位置上設置有開關控制各畫素電極9a的晝素開關用 TFT30 ° 又，於對向基板中，如第9圖所示，各畫素部之開口領 域以外的領域上設置有第2遮光膜2 3。第2遮光膜2 3係用以 防止來自對向基板2側之入射光侵入畫素開關用TFT30之半 導體層la之通道領域la’或LDD(Lightly Doped Drain)領域lb 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ----------眷衣------IT-------Φ1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 _ ,_B7_ 五、發明説明（17) 及lc者。而且，第2遮光膜23係具有提昇對比度向上，防止 顏色材料混色等之功能。 如此地構成，在使畫素電極9a和對.向電極21相對著而 所配置的TFT陣列基板10和對向基板20之間，係將液晶封 入於由密封材料所圍起的空間，而形成液晶層50。液晶層 5 0在無被施加來自畫素電極9a之電場的狀態下，採用藉由 配向膜16及22所規定之配向狀態。液晶層50係由一種或混 合數種之向列型液晶的液晶所組成。密封材料52係用.以將 兩片基板1 0及20之週邊予以貼合的由光硬化性樹脂或熱硬 化性樹脂所組成之接著劑，混入有用以將兩基板間之距離 形成規定値得玻璃纖維或玻璃珠等的間隔物。如第3圖所示 ，在對應於TFT陣列基板10表面之各畫素開關用TFT30的 位置上，設置有第1遮光膜111。第1遮光膜111係由被設置在 TFT陣列基板10上的金屬層Ml和被設置在金屬層Ml上的阻 隔層B1所組成者。 阻隔層B1係以無氧元素之無氧系高熔點金屬或是金屬 化合物所組成。該阻隔層B 1係由氮化合物、矽化合物、鎢 化合物、鎢、矽中之1種所組成者。 以氮化合物而言，係使用SiN(氮化矽）、TiN(氮化鈦）、 WN(氮化鎢）、MoN(氮化鉬）、ΟΝ(氮化鉻）等爲最佳。又， 以上述矽化物而言，係使用TiSi(矽化鈦）、WSi(矽化鎢）、 MoSi(矽化鉬）、CoSi(矽化鈷）、CrSi(矽化鉻）等爲最佳。又 ，以鎢化合物而言，係使用TiW(鎢化鈦）、MoW(鎢化鉬）等 爲最佳。再者，上述之矽係使用無摻雜的矽爲最佳。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1291058 A7 B7__ 五、發明説明（18) 阻隔層B1之膜厚係以1至200nm爲最佳。若爲30〜50nm 的話，以薄膜厚作爲阻隔而發揮功能之同時，可以抑制散 亂反射。阻隔層B1之膜厚未滿3nm之時’則有無法充分防 止因高溫處理之金屬層氧化而降低遮光性能的傾向。另外 ，阻隔層B1之膜厚超過150nm之時，則具有TFT陣列基板 10之彎曲量增大的傾向。在不影響液晶裝置之顯示品質的 範圍下，即使爲200nm亦可。該阻隔層B1也係保護金屬層 氧化的保護層。 再者，金屬層Ml係具有遮光性的金屬單體或金屬化合 物，係由若依據與Si02之絕緣層的化學反應而成爲氧化合 物之時，可看見遮光性劣化的金屬單體或是金屬化合物中 之任一方所組成者。 以上述金屬單體而言，係使用Ti(鈦）、W(鎢）、Mo(鉬） 、Co(銘）、Cr(鉻）、Hf(給）、Ru(釕）等爲最佳。再者，以上 述金屬化合物而言，係使用TiN(氮化鈦）、TiW(鎢化鈦）、 MoW(鎢化鉬）等爲最佳。金屬層Ml之膜厚爲10〜200m爲最 佳。金屬層Ml之膜厚未滿10之時，因遮光性能可能並不充 分，故不適宜。另外，金屬層Ml之膜厚超過200nm之時， 則因可能會產生TFT陣列基板之彎曲量變大，液晶裝置之 品質降低，故不適宜。 再者，在第1遮光膜111和多數畫素開關用TFT30之間， 設置有第1層間絕緣膜（絕緣體層）1 2。第1層間絕緣膜1 2係用 以將構成畫素開關用TFT30之半導體層la從第1遮光膜111 電氣性絕緣而所設置者。而且，第1層間絕緣膜12係形成於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------警衣--；--；--、玎----^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 B7 五、發明説明（19) TFT陣列基板10之全表面上，爲了解除第1遮光膜111圖案之 段差，將表面予以硏磨，施有平整化處理。 第1層間絕緣膜12係由例如NSG(無摻雜矽酸鹽玻璃）、 PSG(磷矽酸鹽玻璃）、BSG(硼矽酸鹽玻璃）、BPSG(硼磷矽酸 鹽玻璃）等之高絕緣性玻璃或氧化矽膜、氮化矽膜等所組成 。依據第1層間絕緣膜12可以將第1遮光膜111污染畫素開關 用TFT30等之事態防範於未然。 本貫施形態中’依據將閘極絕緣膜2自與掃描線相向之 位置起延設而作爲介電體膜使用，延設半導體膜la而作爲 第1儲存容量電極If，而且將與該些相向的容量線3b之一部 分作爲第2儲存容量電極，而構成儲存容量70。 更詳細而言，即是，半導體層la之高濃度汲極領域ie ，係被延設在資料線6a及掃描線3a的下方，經由絕緣膜2被 相向配置在沿著同樣的資料線6a及掃描線3a而延伸的容量 線3b部分上，成爲第1儲存容量電極（半導體層）。尤其，作 爲儲存谷量7 0之介電體的絕緣膜2因正是依據高溫氧化而形 成於單晶矽層上的TFT30之閘極絕緣膜2，故可以形成薄且 耐高壓的絕緣膜，儲存容量7 0可以面積比較小來構成大容 量的儲存容量。 而且，在儲存容量70中，由第2圖及第3圖可清楚明瞭 ，第1遮光膜111係依據在作爲第2儲存容量電極的容量線3 b 之反對側上經由第1層間絕緣膜12作爲第3儲存容量電極而 與容量電極If相向地被配置（參照第3圖右側之儲存容量70) ，使得更加賦予儲存容量而構成之。即是，在本實施形態 本ί氏張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ29*7公釐） "~ ~ ~ -22- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 B7 五、發明説明（20) 中，構成了挾持第1儲存容量電極If而於兩側賦予儲存容量 的雙重儲存容量構造。因此，持有該液晶裝置，可提昇防 止顯示畫像中之閃爍或圖像殘影的功能。 其結果，可以有效利用像沿著資料線6a下之領域及掃 描線3a而發生液晶分離領域（即是，容量線3b所形成領域） 這樣的開口領域以外的空間，即可增加畫素電極9a之儲存 容量。 本實施形態中，第1遮光膜111(及與此電氣性連接的容 量線3b)係被電氣性連接於定電位源，第1遮光膜111及容量 線3b成爲定電位。因此，對於與第1遮光膜111相向而配置 的畫素開關用TFT30，第1遮光膜111之電位變動並無壞影響 。再者，容量線3b係作爲儲存容量70之第2儲存容量電極可 以得到良好功能。此時，以定電位源而言，可舉例的有被 供給至用以驅動該液晶裝置之週邊電路（例如，掃描線驅動 電路、資料線驅動電路等）之負電源、正電源等之定電位源 、接地電源、對向電極21的定電位源等。若利用像這樣週 邊電路等之電源的話，則無需設置專用的電位配線或外部 輸入端子，可以將第1遮光膜111及容量線3b當作成定電位 〇 又，如第2圖及第3圖所示，本實施形態中，除了於TFT 陣列基板1 0上設置第1遮光膜111之外，經由觸孔1 3第1遮光 膜111係與前段或後段之容量線3b.電氣性連接而構成之。因 此，各第1遮光膜111與電氣性連接次段容量線之時相比， 減少對於沿著畫素部之開口領域的邊緣，與資料線6a重疊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------•衣 II--^--1T------Φ. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 1291058 A7 B7_ 五、發明説明（21 ) 而形成容量線3 b及第1遮光膜111之領域以外之領域的段差 即可。當像這樣地減少沿著畫素部之開口領域邊緣的段差 之時，因可以降低該段差而所引起的分離（液晶配向）不良， 故可以將晝素部之開口領域加寬。 再者，第1遮光膜111係在如上述從延伸成直線狀的主 線部突出的突出部上開有觸孔1 3。在此，根據應力從邊緣 被散發等之理由，可知根據觸孔13之開孔處越接近邊緣越 不易產生裂紋。因此，依照應接近突出部之前端多少而開 孔觸孔13(最好是依照以最大限度接近前端），可緩和在製造 過程中第1遮光膜111所需之應力，更有效果地防止裂紋， 而可提升良率。 再者，容量線3b和掃描線3a係由相同之聚矽膜所組成 ，儲存容量70之介電體膜和TFT30之閘極絕緣膜2係由同樣 的高溫氧化膜所組成，第1儲存容量電極If，和TFT30之通 道形成領域la及源極領域Id、汲極領域le等係由同樣的半 導體層la所組成。因此，可以將在TFT陣列基板上所形成 之疊層構造單純化，而且，在液晶裝置之製造方法中，可 以以相同之薄膜形成工程形成容量線3b及掃描線3a，同時 可以形成儲存容量70之介電體膜及閘極絕緣膜2。 而且，如第2圖所示，第1遮光膜111係沿著掃描線3a而 各自延伸，而且，對沿著資料線6a之方向，分斷成多數的 條紋狀。因此，例如，和在各畫素部之開口領域的週邊配 設一體形成的格子狀遮光膜相比，可以格外地緩和在由第1 遮光膜111、掃描線3a及容量線3b、資料線6a、層間絕緣膜 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----1 訂 ^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 1291058 A7 __·_B7____ 五、發明説明（22) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 等所組成之該液晶裝置之疊層構造中，因各膜物性之不同 而引起製造過程中加熱冷卻所發生的應力。因此，可以達 到防止第1遮光膜111等中之裂紋發生或提昇良率。 而且，在第2圖中，第1遮光膜111中之直線狀主線部分 雖然係幾乎與容量線3b之直線狀主線部分重疊而所形成， 但是，第1遮光膜111係被設置在覆蓋TFT30之通道領域的位 置上，並且，爲使可以形成觸孔13地以任一處與容量線3b 重疊的話，則可以對TFT發揮遮光機能及對容量線發揮低 電阻化機能。因此，例如，即使於沿著位於相鄰接之掃描 線3a和容量線3b之間的掃描線的長方形間隙領域，或與掃 描線3a若干重疊之位置上設置該第1遮光膜111亦可。 容量線3b和第1遮光膜111係經由開孔於第1層間絕緣膜 12的觸孔13而確實的且具有高信賴性被電氣性連接著，但 是像這樣的觸孔13即使於每畫素上開孔亦可，於由多數晝 素所組成之每畫素群上開孔亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於每畫素上開孔觸孔1 3之時，可以促進第1遮光膜111 的容量線3b，而且，可以提高兩者間之冗長構造的程度。 另外，在由多數畫素所組成之每畫素群上（例如，每2晝素 或是每3畫素）開孔觸孔13之時，因酌量容量線3b或第1遮光 膜111之薄膜電阻、驅動頻率、所要求之設計，可以適度的 均衡第1遮光膜111之容量線3b的低電阻化及冗長構造所帶 來的利益，和因開孔多數的觸孔13以致製造工程複雜化或 該液晶裝置之不良化等的弊害，故在實踐上極大有利。 再者，像這樣的在每畫素或每晝素群上所設置的觸孔 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董) ~ ' 1291058 A7 _._B7_ 五、發明説明（23 ) 13 ’當從對向基板20側起觀看時係朝資料線6a之下方開孔 。因此，觸孔13係遠離畫素部之開口領域，而且，因被設 置於無形成TFT30或第1存蓄容積電極If的第1層間絕緣膜12 之部分上，故可以達到畫素部之有效利用，防止因觸孔1 3 之形成而所引起之TFT30或其他配線等之不良化。 再者，第3圖中，畫素開關用TFT30係具有LDD(Lightly Doped Drain)構造，具備有依據來自該掃描線3a之電場而絕 緣被形成通道之半導體層la之通道領域la’、掃描線3a和半 導體層la的閘極絕緣膜2、資料線6a、半導體層la之低濃度 源極領域（源極側LDD領域）lb及低濃度汲極領域（汲極側 LDD領域）lc、半導體層la之高濃度源極領域id以及高濃度 領域1 e。 高濃度汲極領域le係被連接著多數畫素電極9a中所對 應的一個。源極領域lb及Id以及汲極領域lc及le係對半導 體層la，依照形成n型或是p型的通道而摻雜規定濃度的n 型用或Ρ型用的摻雜物而形成之。η型通道之TFT係具有動 作速度較快的優點，以作爲屬於畫素之開關的畫素開關用 TFT30爲多。資料線6a係由A1等之金屬膜或金屬矽等之合 金膜等之合金膜等之遮光性的薄膜所構成。再者，掃描線 3a、閘極絕緣膜2及第1層間絕緣膜12之上面，形成有各形成 通往高濃度源極領域1 d的觸孔5及通往高濃度汲極領域1 e 的觸孔8的第2層間絕緣膜4。經由朝向該源極領域lb的觸孔 5，資料線6a係被電氣性連接於高濃度源極領域1 d。而且 ，再資料線6a及第2層間絕緣膜4上形成有已形成朝向高濃 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） ----------——：——：——IT----^——φ. (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 ___, _B7 五、發明説明（ 24) 度汲極領域le之觸孔8的第3層間絕緣膜7。經由朝向該高濃 度汲極領域1 e的觸孔8，畫素電極9a係被電氣性連接於高濃 度汲極領域1 e。上述畫素電極9 a係被設置在像這樣構成的 第3層間絕緣膜7的上面。而且，晝素電極9a和高濃度汲極 領域le即使爲中繼與資料線6a相同的A1膜或與掃描線3b 相同的聚矽膜而電氣性連接亦可。 畫素開關用TFT30雖然最好持有如上述之LDD構造， 但是，即使持有不執行將雜質離子放進低濃度源極領域1 b 及低濃度汲極領域1 c中之補償構造亦可，爲將閘極電極3a 作爲掩模以高濃度放進雜質，自行整合地形成高濃度源極 及汲極領域之自調整型的TFT亦可。 再者，雖然將畫素開關用TFT30之閘極電極（掃描線3a) 作爲僅配置1個於源極-汲極領域lb及le之間的單閘極構 造，但是，即使配置2個以上的閘極於該些間亦可。此時， 各閘極電極上成爲被施加著相同之訊號。若以像這樣的雙 閘極或三閘極以上來構成TFT的話，則可以防止通道和源 極-汲極領域接合部的洩漏電流，可以降低OFF時的電流 。若將該些閘極電極之至少一個形成LDD構造或補償構造 的話，更可以降低OFF電流，可以得到安定的開關元件。 在此，一般而言，半導體層la之通道領域la’低濃度源 極領域lb及低濃度汲極領域lc等之單晶矽層，雖然當光射 入時，依據具有矽之光電變換效果而使得發生光電流，晝 素開關用TFT30之電晶體特性變化，但是，於本實施形態中 ，爲使得自上側可以覆蓋掃描線3a，資料線6a係由A1等之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -------------•衣--；--；--、玎----^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -27- 1291058 A7 B7_ 五、發明説明（25) 遮光性的金屬薄膜所形成，故至少可以有效果的防止對半 導體la之通道領域la’及LDD領域lb、lc之入射光的射入。 又，如上述，再畫素開關用TFT30之下側因設置有第1遮光 膜111，故至少可以有效果的防止對半導體la之通道領域W 及LDD領域lb、lc返回光的射入。而且，開關用TFT30之 半導體材料係持有多晶構造或單晶構造。形成單晶半導體 之時，可以使用在貼合單晶基板和支持基板後，將單晶基 板側予以薄膜化的貼合法，像這樣的將薄膜矽單晶形成於 絕緣層上的構造稱爲SOI(Silicon on Insulator)。又，像這樣 的基板稱爲貼合SOI。 而且，於該實施形態中，爲了將被設置於相鄰接的前 段或後段之畫素上的容量線3b和第1遮光膜111予以連接， 對於最上段或最下段之畫素則需要用以將定電位供給於第1 遮光膜111的容量線3b。在此，將容量線3b的數量對著垂直 畫素數預先設置成1條多即可。 接著，針對持有如上述之構成的液晶裝置之製造過程 予以說明。 首先準備由石英基板、硬玻璃等所組成之TFT陣列基 板10，於其整面，依據濺鍍而從下依序形成金屬層Ml和阻 隔層B1。接著，藉由微影成像術形成對應著第1遮光膜111 之圖案（參照第2圖）的抗蝕劑掩模，經由該抗蝕劑掩模鈾刻 金屬層Ml及阻隔層B1，而形成如第2圖所示之圖案的第1遮 光膜111。之後，依據與以往相同之方法，形成如第3圖所 示之各層，而形成TFT陣列基板。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------•衣--_--^--1T------^9— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28- 1291058 A7 __._B7_ 五、發明説明（26) 接著，以具體例子予以說明。 在屬於石英絕緣基板之T F T陣列基板1 〇上形成作爲金 屬層的Ti膜Ml之後，形成作爲阻隔層的WSi膜B1後而形 成第1遮光膜111。然後，將NSG之第1層間絕緣膜12疊層於 第1遮光膜111上。 NSG之第1層間絕緣膜係以500°C以上，例如約680°C於 第1遮光膜111上成膜，之後，爲了燒結，以ll〇〇°C以下，例 如約1000 °C之高溫執行熱處理而形成之。於該工程中，Ti 膜Ml係與石英之絕緣基板10中之氧元素結合，另外，因於 反對側之屬於無氧系金屬化合物的WSi膜bl中不存在氧元 素，故Ti可以抑制與氧元素結合之氧化現象發生。因此， 可以防止Ti膜Ml之透過率大幅度地下降。假設於Ti膜Ml 上無形成WSi膜B1的話，即在形成NSG之過程發生氧化現 象。該氧化現象因比在石英之TFT陣列基板10上疊層Ti膜 之時，其化學反應還活潑，故Ti膜Ml之透過性大幅度的 下降。 另一方面，針對對向基板20，首先準備玻璃基板，第2 遮光膜23係濺鍍例如金屬鉻後，經過微影成像工程、蝕刻 工程後而形成之。之後，依據和以往相同之方法，形成如 第3圖所示之各層，而形成對向基板20。 最後，上述之形成各層的TFT陣列基板10和對向基板 20係藉由密封材料使配向膜16及22面對著而予以貼合，依 據真空吸入，使兩基板間之空間中吸入混合多數種之向列 型液晶所構成的液晶，而形成規定層厚的液晶層5 0。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------•本--^--^--、訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -29- 1291058 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（27) (液晶裝置之全體構成） 參照第8圖及第9圖說明如上述所構成之本施形態的液 晶裝置之全體構成。而且，第8圖係由對向基板20側所觀看 的形成於TFT陣列基板1〇上之各構成要素的平面圖。第9圖 係包含對向基板20表示第7圖之H-H，剖面圖。 第8圖中，在TFT陣列基板10之上，沿著對向基板20之 邊緣設置有密封材料52，與其內側並行，設置有例如作爲 由與第2遮光膜23相同或不同之材料所組成之週邊框的第3 遮光膜53。在密封材料52之外側的領域上，沿著TFT陣列 基板10之一邊設置有資料線驅動電路101及安裝耑紫102，掃 描線驅動電路1 04係沿著鄰接於該一邊的兩邊而被設置著。 在被供給於掃描線3a之掃描訊號延遲不造成問題之情形下 ，掃描線驅動電路104即使爲單側當然亦可。 又，將資料線驅動電路101沿著畫面顯示領域之邊而配 列亦可。例如，奇數列之資料線6a係由沿著晝面顯示領域 之一方的邊而配設的資料線驅動電路供給畫像訊號，偶數 列之資料線係由沿著上述畫面顯示領域之反對側之邊而配 設的資料線驅動電路供給畫像訊號亦可。如此地若將資料 線6a驅動成梳齒狀的§舌’因可以擴張資料線驅動電路之佔 有面積，故可構成複雜之電路。 而且，在TFT陣列基板10之殘留的另一邊上，設置有 用以連接設置於畫面顯示領域之兩側的掃描線驅動電路104 間的多數配線105，而且，即使隱藏在作爲週邊框的第3遮 光膜53之下方，設置預充電電路亦可。再者，在對向基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） ----------豐——.——^-I?τ----^——峰 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -30- 1291058 Μ Β7 五、發明説明（28) 20之角落部中之至少一處係設置有用以使TFT陣列基板1 0 和對向基板20之間電氣性導通的導通材料1〇6。然後，如第 9圖所示，持有與第8圖所示之密封材料52幾乎相同輪廓的 對向基板20藉由該密封材料52固定於TFT陣列基板10。 在以上液晶裝置之TFT陣列基板1 〇上，而且，即使形 成用以檢查製造途中或出貨時之該液晶裝置之品質、缺陷 等的檢查電路亦可。又，即使例如以介由被設置在TFT陣 列基板10之週邊領域的異方性導電膜電氣性及機械性連接 於TAB(卷帶自動接合）上所安裝的驅動用LSI，而代替將資 料線驅動電路10 1及掃描線驅動電路10 4設置於T F T陣列基 板100上亦可。又，在對向基板20之投射光射入側及TFT陣 列基板10之出射光射出側上，依照例如TN(扭轉向列型）模 態、STN(超扭轉向列型）模態、D-STN(雙層超扭轉向列型） 模態等之動作模態或普通白色模態/普通黑色模態，以規定 方向配置偏光膜、相位差板、偏光裝置等。 以上所說明之液晶裝置係適用於例如彩色液晶投影機（ 投射型顯示裝置）之時，3片的液晶裝置各被作爲R、G、B 用的光閥予以使用，在各面板上，經由R、G、B顏色分解 用的二向色稜鏡而分解之各色的光作爲投射光而各自被射 入。因此，此時，如上述實施形態所示，於對向基板20上 不設置彩色濾光片。但是，與無形成第2遮光膜23之畫素電 極9a相向的規定領域上即使將R、G、B之彩色濾光片和其 保護膜同時形成於對向基板20上亦可。若構成如此的話’ 可以將上述實施形態之一經裝置適用於液晶投影機以外之 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----τ----訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 - 1291058 A7 _ ._B7__ 五、發明説明（29) 直視型或反射型之彩色液晶電視等之彩色液晶裝置。而且 ，即使於對向基板上以1畫素對應1個地形成微型透鏡亦可 。如此的話，因提昇入射光的集光效率，故可以實現明亮 的液晶裝置。又，於對向基板上，疊層多層曲折率不同的 干涉層，利用光的干涉，即使形成做出R、G、B顏色的二 向色濾色器亦可。若依據該附有二向色濾色器的對向基板 上的話，則可以實現更明亮的彩色液晶裝置。 在以上說明的實施形態之液晶裝置中，雖然和以往同 樣的將入射光自對向基板20側射入，但是，因於TFT陣列 基板10上設置有第1遮光膜111，故自TFT陣列基板10側射 入入射光，從對向基板20側射出亦可，即是，即使將像這 樣的液晶裝置安裝於投影機，亦可以防止光射入於半導體 層la>及LDD領域lb、lc中，可顯示出高畫質的畫像。在此 ，以往係爲了防止TFT陣列基板10之背面側的反射，需要 另外配置反射防止用之AR( Anti-ref lectio η)所覆膜的偏光裝 置，貼合AR膜。但是，在上述實施形態中，因於TFT陣列 基板10之表面和半導體層la之至少的通道領域la’及LDD領 域lb、lc之間形成有第1遮光膜111，故無必要使用像這樣 的AR覆膜的偏光裝置或AR膜，或使用TFT陣列基板10將 AR處理的基板。因此，若依據上述實施形態的話，可以刪 減材料成本，又於貼合偏光裝置之時，對於減少因異物、 傷痕所引起之良率降低極爲有利。再者，因有優越耐光性 ，故即使使用明亮光源，或依據偏光射束***器變換偏光 ，而提昇光利用效率，亦不會產生光所引起之串音等的晝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ----------•衣------1T----^--Φ— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32 - 1291058 A7 _-_B7_ 五、發明説明（3C)) 質不良。 再者，在像這樣的液晶裝置，因具有擁有阻隔層B1和 金屬層Ml之第1遮光膜111，故第1遮光膜111之遮光性能不 充分而導致的光洩漏電流不易發生，可以作爲適用於具有 強力光源之電子機器等的液晶裝置。 .即是，因第1遮光膜111於畫素開關用TFT30側具有阻隔 層B1，故形成第1遮光膜111後，即使執行第1層間絕緣膜12 之形成，或形成晝素開關用TFT30時之退火處理等的高溫處 理，亦可以金屬層Ml之阻隔層B1側表面不含氧元素之阻隔 層B1，抑制金屬層Ml和第1層間絕緣膜12的氧化現象發生 ，防止形成金屬層Ml之材料因成爲氧化合物而導致遮光性 能下降，可確保第1遮光膜111之遮光性能。 依此，以遮光性能較高的例如Ti等之材料來形成金屬 層Ml，可以得到具有優良遮光性能的第1遮光膜111。 又，第1遮光膜111係不易因光而導致遮光性能下降， 因具有優良遮光性能，故比起以往之遮光膜可以將膜厚做 的較薄。依此，比以往之遮光膜，可以短縮第1遮光膜111 之成膜工程所需的鈾刻時間，同時，可以達到延長形成第1 遮光膜111之時所使用的成膜靶的壽命及降低器體量。 第1遮光膜111以屬於形成阻隔層B1材料的高熔點金屬 之氮化合物、砂化合物、鎢化合物、砂作爲最佳材料，成 爲可以更有效果的抑制形成金屬層Ml之材料成爲氧化合物 的阻隔層B1，依此可以作爲不易產生更高溫處理而導致遮 光性能下降的第1遮光膜111。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ----------f——：——：-IIT----；——辱 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -33- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 ___B7_ 五、發明説明（31 ) 又，將屬於金屬層Ml之材料的金屬單體或金屬化合物 各作爲上述的最佳材料，則可以成爲持有更優良遮光性能 的第1遮光膜111。 尤其，將形成阻隔層B1之材料定爲WSi、MoSi、TiSi 、CoSi、CrSi中之任一者，將形成金屬層Ml之材料定爲Ti 、Mo、W中之任一者時，因形成阻隔層之材料作爲放出si 的施體而動作，形成金屬層Μ 1之材料作爲接受S i的受體而 動作，故可緩和阻隔層B 1和金屬層Μ1之物性不同所引起之 應力，因阻隔層Β1和金屬層Ml之關係爲安定，故可以更有 效果的抑制形成金屬層Μ1之材料成爲氧化合物，又，可以 成爲不易產生因更高溫處理而導致遮光性能下降的第1遮光 膜 111 ° 再者，因阻隔層Β1和金屬層Ml之關係爲安定，故對於 第1遮光膜111可以達到不易發生因製造過程中加熱冷卻而 導致的裂紋，可以提昇良率。 而且，將阻隔層B1之膜厚設爲1〜200nm，可以使TFT 陣列基板10之彎曲量減小，同時可以充分地防止因高溫處 理而導致的遮光性能下降。因此，可以成爲更加優良的第1 遮光膜111。 再者，將金屬層Ml之膜厚設爲1〇〜200nm，可以使 TFT陣列基板10之彎曲量減小，同時可以成爲具有充分遮光 性能者，而成爲更加優良的第1遮光膜111。 【第2實施形態】 ----------费本------1T------^9— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -34- 1291058 A7 B7 五、發明説明（32) 以下，參照第4圖說明本發明之第2實施形態。 本實施形態和第1實施形態不同的係具備有在TFT陣列 基板10側上設置阻隔層B2，於阻隔層B2上設置金屬層Ml 的如第4圖所示之第1遮光膜11 2，以取代第3圖所示之液晶 裝置所具備的第1遮光膜111。 如上述之本實施形態和第1實施形態不同的係僅有第1 遮光膜，第4圖中，僅圖示TFT陣列基板和第1遮光膜，針 對其他部分與第1實施形態相同，故省略。 第4圖中，圖號10係表示TFT陣列基板10。該TFT陣列 基板10之上，設置有由阻隔層B2和設置於阻隔層B2之上的 金屬層M2所組成之第1遮光層112。 該第1遮光膜11 2之阻隔層B2及金屬層M2，即使以與上 述之第1實施形態所示之第1遮光膜1 11之阻隔層B 1及金屬層 Ml相同之材料及膜厚來形成亦可。 製造像這樣的液晶裝置，係首先準備由石英基板、硬 玻璃等所組成之TFT陣列基板1〇，在其全表面上，依據濺 鍍、CVD法，由下依序形成阻隔層B2和金屬層M2。之後 ，依據與第1實施形態相同之方法，形成TFT陣列基板10。 而且，依據與第1實施形態相同之方法，形成對向基板20， 與TFT陣列基板10貼合後，而構成液晶裝置。 該液晶裝置所具有的第1遮光膜112因具有阻隔層B2, 故於形成第1遮光膜112後執行高溫處理之時，因阻隔層B2 抑制金屬層M2之阻隔層B2側，即是TFT陣列基板10側之 表面成爲氧化合物，故可以防止形成金屬層M2之材料成爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ----------------IT----^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 1291058 A7 B7 五、發明説明（33) 氧化合物而導致遮光性能下降，可以確保第1遮光膜112的 遮光性能。因此，金屬層M2可以使用具有優良遮光性能， 但是經高溫處理則產生遮光性能下降之問題的材料，依據 遮光性能優良的材料可以形成金屬層M2。因此，成爲具有 優良遮光性能的第1遮光膜112。 再者，以使用矽作爲阻隔層B2之時，即使係無摻雜的 聚矽或摻雜的聚矽亦可。若爲無摻雜之聚矽的話，則不易 發生阻隔層B2的剝離。所以，即使比200m厚亦可。摻雜的 聚矽中，膜厚即使爲1 nm，亦可防止金屬層之氧化所導致的 遮光性能下降。 又，本實施形態之液晶裝置因具備有擁有阻隔層B2和 金屬層M2的第1遮光膜，故第1遮光膜112之遮光性能不充 分而導致的光洩漏電流不易發生，可以作爲適用於具有強 力光源之電子機器等的液晶裝置。 【第3實施形態】 以下，參照第5圖說明本發明之第3實施形態。 本實施形態和第1實施形態不同的係具備有金屬層M3 被設置於兩層之阻隔層B3、B4之間的如第5圖所示之第1遮 光膜113，以取代第3圖所示之液晶裝置所具備的第1遮光膜 111 ° 在上述之本實施形態中，和第1實施形態不同的係僅有 第1遮光膜，第5圖中，僅圖示TFT陣列基板和第1遮光膜， 針對其他部分與第1實施形態相同，故省略。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 B7 五、發明説明（34) 第5圖中，圖號10係表示TFT陣列基板10。該TFT陣列 基板10之上，設置有由阻隔層B4和設置於阻隔層B4之上的 金屬層M3和設置於金屬層M3上的阻隔層B3所組成之第1遮 光層113。 該第1遮光膜113之阻隔層B2及金屬層M2，即使以與上 述之第1實施形態所示之第1遮光膜111之阻隔層B3、B4係以 與上述第1實施形態所示之第1遮光膜111的阻隔層B1相同材 料來形成爲最佳。又，阻隔層B3、B4即使以與上述第1實 施形態中所示之第1遮光膜111之阻隔層B 1相同之膜厚來形 成亦可。 又，該第1遮光膜113之金屬層M3即使以與上述第1實 施形態中所示之第1遮光膜111之金屬層Ml相同材料及膜厚 來形成亦可。 製造像這樣的液晶裝置，係首先準備由石英基板、硬 玻璃等所組成之TFT陣列基板10，在其全表面上，依據濺 鍍由下依序形成阻隔層B4、金屬層M3和阻隔層B3。之後 ，依據與第1實施形態相同之方法，形成TFT陣列基板10。 而且，依據與第1實施形態相同之方法，形成對向基板20， 與TFT陣列基板10貼合後，而構成液晶裝置。 該液晶裝置所具有的第1遮光膜113中，因金屬層M3成 爲被挾持於兩層之阻隔層B3、B4之間，故於形成第1遮光 膜113後執行高溫處理之時，因阻隔層B3、B4抑制金屬層 M3之TFT陣列基板10側及與TFT陣列基板10相反側之兩側 表面成爲氧化合物，故可以更有效果地防止形成金屬層M3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ----------豐——.——^-I1T---------Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -37- 1291058 A7 B7 五、發明説明（π) 〇〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之材料成爲氧化合物而導致遮光性能下降，可以確保第1遮 光膜113的遮光性能。因此，金屬層M3可以使用具有優良 遮光性能，但是經高溫處理則產生遮光性能下降之問題的 材料，依據遮光性能優良的材料可以形成金屬層M3。因此 ，成爲具有優良遮光性能的第1遮光膜11 3。 接著，以具體例說明使用Ti膜M3作爲金屬層及使用 Wsi膜B3、B4作爲上下阻隔層的第1遮光膜113之情形。 爲了提高遮光性，利用於Ti膜M3之上下形成WSi膜 B3、B4來向上。但是，因增加遮光膜之膜厚，故當疊層畫 素開關用TFT30或資料線6a等之配線時，於配向膜16之表 面產生段差，引起顯示品質下降。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此，將Ti膜M3之膜厚設爲30nm〜20nm，將下側及 TFT陣列基板10側之WSi膜B4設爲10nm〜20nm，上側之 WSi膜B3設爲3 0nm〜lOOnm爲最佳。因將下側之WSi膜B4 設爲10nm〜20nm，故比起膜厚200nm之WSi膜作爲單獨遮 光膜還具有吸收性，提昇遮光性。再者，上側之WSi膜B3 雖然是越厚提高遮光性，但是，50nm〜lOOnm之膜厚亦可 確保遮光性。再者，若依據像這樣的第1遮光膜113的話， 因確實地可以遮光持有400nm程度以下之波長領域的光，故 可以降低因藍色波長成分所導致的液晶劣化。 又，本實施形態之液晶裝置因具備有第1遮光膜11 3， 故第1遮光膜11 3之遮光性能不充分而導致的光洩漏電流更 不易發生，可以作爲適用於更具有強力光源之電子機器等 的液晶裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 B7 五、發明説明（36) 【第4實施形態】 以下，參照第6·圖說明本發明之第4實施形態。 本實施形態和第3實施形態不同的係第5圖所示之液晶 裝置所具備的第1遮光膜11 3之金屬層]VI3係如第6圖所示構 成3層構成。 在上述之本實施形態中，和第3實施形態不同的係僅有 第1遮光膜，第6圖中，僅圖示TFT陣列基板和第1遮光膜， 針對其他部分與第5圖所示之第3實施形態相同，故省略與 第1實施形態相同之部份。 第5圖中，圖號10係表示TFT陣列基板1〇。該TFT陣列 基板10之上，設置有由阻隔層B4、金屬層M6、金屬層M5 、金屬層M4、阻隔層B3和由下依序被設置之阻隔層B3的 第1遮光層115。 金屬層M5、M6係與第1實施形態之金屬層相同之擁有 光反射性的金屬單體或金屬化合物。挾持金屬層M5之金屬 層M4、M6係光收性之TiN等之金屬化合物。 該第1遮光膜115之金屬層M4、M5、M6之總膜厚，即使 係以與上述之第1實施形態所示之第1遮光膜113之遮光膜113 的阻隔層B 3、B 4相同材料及膜厚所形成亦可。 而且，作爲形成阻隔層B3、B4之材料，使用 WSi、 MoSi、TiSi、CoSi中之任一者，作爲形成由3層所組成之金 屬層M4、M5、M6中之金屬層M4、M6的材料，使用Ti、 Mo、W中之任一者，作爲位置於金屬層之中央的金屬層M5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .衣——.——K-I1T--------MW (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -39- 1291058 A7 Γ—_ B7 五、發明説明（37) 的材料，以使用氮化合物及矽化合物爲最佳。依此，在膜 形成中’金屬層M4、M6可以防止因像劣紋等之機械性反應 而收縮或伸長導致的破損。金屬層M5即使係W亦可以得到 相同效果。 製造像這樣的液晶裝置，係首先準備由石英基板、硬 玻璃等所組成之TFT陣列基板1〇，在其全表面上，依據濺 鍍、CVD法由下依序形成阻隔層B4、光反射性之金屬層 M6、光反射性之金屬層M5、光吸收性之金屬層M4、阻隔 層B3。之後，依據與第1實施形態相同之方法，形成TFT 陣列基板1 0。而且，依據與第1實施形態相同之方法，形成 對向基板20，與TFT陣列基板10貼合後，而構成液晶裝置 〇 該液晶裝置所具有的第1遮光膜113中，因金屬層M4、 M5、M6成爲被挾持於兩層之阻隔層B3、B4之間，故於形成 第1遮光膜113後執行高溫處理之時，因與第3實施形態相同 ，可以確保第1遮光膜113之遮光性能。因此，成爲具有優 良遮光性能的第1遮光膜115。 而且，金屬層因以光吸收性之金屬層M4來形成畫素開 關用TFT側，故射入於金屬層M4之光係被吸收，不被晝素 開關用TFT反射。再者，金屬層因以光反射性金屬層M6來 形成TFT陣列基板10側，故可以反射由TFT陣列基板10側 所射入的光。如此，可以成爲更加抑制TFT之光洩漏量的 第1遮光膜11 5。 再者，因阻隔層B3、B4及金屬層M4、M5、M6之關係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -40- 1291058 A7 _.__B7_ 五、發明説明（38) 爲安定，故對於第1遮光膜115可以達到不易發生因製造過 程中加熱冷卻而導致的裂紋，可以提昇良率。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，作爲形成阻隔層B3、B4之材料，使用wSi、 MoSi、TiSi、CoSi中之任一者，作爲形成由3層所組成之金 屬層M4、M5、M6中之位於中央位置的金屬層M5的材料， 使用Ti、Mo、W中之任一者，作爲形成位置於阻隔層B3、 B4側的金屬層M6、M4的材料，使用位置於中央之金屬層 M5所使用的材料之氮化合物之時，因更加減少各層物性不 同所引起之應力，使各層之關係更加安定，故可以更提高 金屬層作爲3層構造而所得到之效果。 又，本實施形態之液晶裝置因具備有第1遮光膜11 5， 故第1遮光膜115之遮光性能不充分而導致的光洩漏電流更 不易發生，可以作爲適用於更具有強力光源之電子機器等 的液晶裝置。 而且，即使形成金屬層M6亦可。再者，於晝素開關用 TFT上形成爲兩層金屬層之遮光膜之時，即使將TFT側之 金屬層形成於光吸收性之金屬層亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【第5實施形態】 以下，參照第7圖說明本發明之第5實施形態。 本實施形態和第3實施形態不同的係如第7圖所示，具 備有於與金屬層M3之TFT陣列基板10側相反側（於第7圖中 上側）上設置的阻隔層B5，覆蓋設置於金屬層M3之TFT陣 列基板10側（於第7圖中下側）的阻隔層B4之側面和金屬層 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -41 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 B7 五、發明説明（39) M3之側面，延出TFT陣列基板而所形成的第1遮光膜114， 以取代第5圖所示之液晶裝置所具備的第1遮光膜11 3。 如上述之本實施形態和第3實施形態不同的係僅有第1 遮光膜，第7圖中，僅圖示TFT陣列基板和第1遮光膜，針 對其他部分與第5圖所示之第3實施形態相同地，省略與第1 實施形態相同部份。 第7圖中，圖號10係表示TFT陣列基板10。該TFT陣列 基板10之上，設置有由阻隔層B4、設置於阻隔層B4之上的 金屬層M3、及由覆蓋金屬層M3上和阻隔層B4側面和金屬 層M3側面，延出於TFT陣列基板10上而所形成的阻隔層 B5所組成之第1遮光層114。 該第1遮光膜114之阻隔層B4、B5及金屬層M3，即使以 與上述之第3實施形態所示之第1遮光膜113之阻隔層B3、B4 及金屬層M3相同之材料及膜厚來形成亦可。 製造像這樣的液晶裝置，係首先準備由石英基板、硬 玻璃等所組成之TFT陣列基板10，在其全表面上，依據濺 鍍由下依序形成阻隔層4和金屬層M3。之後，依據微影成 像技術形成對應於第1遮光膜114之圖案的抗蝕劑掩模，經 由該抗蝕劑掩模114之圖案，蝕刻金屬層M3及阻隔層B4。 然後，爲了覆蓋以這樣形成的金屬層M3及阻隔層B4所組成 的膜，依據濺鑛，覆蓋金屬層M3上和金屬層M3側面和阻 隔層B4側面，而形成延出於TFT陣列基板10上的阻隔層B5 。接著，依據微影成像，蝕刻延出於阻隔層B5之TFT陣列 基板10上之部份中的多餘部份，而形成第7圖所示之第1遮 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------着丨_：丨|.-I1T---------0 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -42- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 A7 B7 五、發明説明（40) 光膜114。之後，依據與第1實施形態相同之方法，形成TFT 陣列基板1 0。而且，依據與第1實施形態相同之方法等，形 成對向基板20，與TFT陣列基板10貼合後，構成液晶裝置 〇 該液晶裝置所具有的第1遮光膜114中，因金屬層M3成 爲被挾持於兩層之阻隔層B3、B4之間，故於形成第1遮光 膜114後執行高溫處理之時，因與第3實施形態相同，可以 確保第1遮光膜114之遮光性能。 而且，阻隔層B5因係覆蓋金屬層M3上和阻隔層B4和 金屬層M3側面，延出於TFT陣列基板10上而所形成，故於 形成第1遮光膜114之後，執行高溫處理之時，因阻隔層B5 抑制金屬層M3之側面成爲氧化合物，故可以更有效果的防 止形成金屬層Μ 3之材料成爲氧化合物而導致的遮光性能下 降。因此成爲具有優良遮光性能的第1遮光膜114。 又，本實施形態之液晶裝置因具備有第1遮光膜114， 故第1遮光膜114之遮光性能不充分而導致的光洩漏電流更 不易發生，可以作爲適用於更具有強力光源之電子機器等 的液晶裝置。 而且，本發明之遮光膜係如第5實施形態所示，雖然可 以於阻隔層Β5和TFT陣列基板1〇之間設置金屬層M3和阻 隔層B4，但是，設置例如第1〜第4實施形態所示之第1遮光 膜111、112、113、114，以取代第7圖所示之金屬層M3和阻 隔層B4的兩層亦可。 此時，成爲依據阻隔層B5而覆蓋第1遮光膜111、112、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐） ------------·--^—II------^0- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -43- 1291058 A7 _ B7 五、發明説明（w) 41 ί 1 3、114上和側面者，可更有效果地防止形成金屬層之材 料成爲氧化合物而導致的遮光性能下降，可以成爲具有更 優良遮光性能的第1遮光膜。 再者’本發明之遮光膜係如上述例所示，雖然以使用 液晶裝置之第1遮光膜爲最佳，但是，亦可使用第2遮光膜 〇 又，第1〜第5實施形態中所示的遮光層即使形成於畫 素開關用TFT上，例如，形成於畫素開關用TFT和資料線 之間的層亦可。 又’被連接於固定電位的遮光層即使係被連接於阻隔 層和金屬層中之任一層亦可。 【電子機器】 以使用上述實施形態之液晶裝置的電子機器之一例， 針對投射型顯示裝置之構成參照第10圖予以說明。於第1〇 圖中，表示著投射型顯示裝置100係準備3個上述之液晶裝 置，各作爲R、G、B用的液晶裝置962R、962G及962B所 使用的投射型液晶裝置之光學系統槪略構成圖。於本例之 投射型顯示裝置之光學系統中採用光源裝置920和均勻照明 光學系統923。然後，投射型顯示裝置係具有作爲將由該均 勻照明光學系統923所射出的光束W分離成紅（R)、綠（G)、 藍（B)的顏色分離裝置之顏色分離光學系統924，和作爲調製 各顏色光束R、G、B的調製裝置之3個光閥9 25R、925G、 925B，和作爲將調製後的顏色光束再合成的顏色合成裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） ----------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -44- 1291058 A7 B7 五、發明説明（42) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之顏色合成稜鏡9 1G，和作爲將合成後的光束擴大投射於投 射面100表面的投射裝置之投射透鏡單元9〇6。又，也具有 將藍色光束導向對應的光閥925B的導光系統927。 均句照明光學系統923係具有兩個透鏡板921、922和反 射鏡931，挾持著反射鏡931配置成兩個透鏡板921、922正交 的狀態。均勻照明光學系統923的兩個透鏡板921、922係具 備有各被配置成矩陣狀的多數矩形透鏡。自光源裝置射出 的光束係依據第1透鏡板921的矩形透鏡而分割成多數的部 分光束。然後’該些部分光束係依據第2透鏡板922之矩形 透鏡在3個光閥925R、925G、925B附近重疊。因此，依據使 用均勻照明光學系統，光源裝置920即使在出射光束之斷面 內有不均勻照度分布時，可以將3個光閥925R、925G、925B 以均勻照明光來照射。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 各顏色分離光學系統924係由藍綠反射二向色鏡942和 反射鏡943所構成。首先，在藍綠反射二向色鏡941中，光 束W中所含有的藍色光束B及綠色光束G反射成直角，朝 向綠反射二向色鏡942側。紅色光束R係通過該鏡941，以 後方之反射鏡943反射成直角，由紅色光束R之出射部944 射出至稜鏡單元910側。 接著，在綠反射二向色鏡942中，藍綠反射二向色94‘1 中所反射的藍色、綠色光束B、G光束中，僅有綠色光束G 反射成直角，而由綠色光束G之出射部射出至顏色合成光 學系統側。通過綠反射二向色鏡942的藍色光束B係由藍色 光束B之出射部946射出至導光系統927側。在本例中，設 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -45- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 Α7 Β7 五、發明説明（π) 43 定成從均勻照明光學元件之光束W的射出部起到顏色分離 光學系統924中之各色光束的出射部944、945、946止的距離 幾乎相等。 顏色分離光學系統924之紅色、綠色光束R、G之出射 部944、945之出射側上各配置著集光透鏡951、952。因此， 從各出射部所射出的紅色、綠色光束R、G係被射入至該些 集光透鏡951、952而被平行化。 像這樣被平行化的紅色、綠色光束R、G係被射入光閥 925R、925G而調製，被附加著對應各色光的畫像資訊。即 ‘是，該些液晶裝置係依據無圖示的驅動裝置依照畫像資訊 控制開關，依此，進行通過此的各色光的調製。另外，藍 色光束Β係經由導光系統927導向對應的光閥925Β，在此， 同樣地依照晝像資訊而施予調製。而且，本例之光閥925R 、925G、925Β係各由入射側偏光裝置960R、960G、960Β和 出射側偏光裝置961R、961G、961Β和被配置於該些之間的 液晶裝置962R、962G、962Β所組成的液晶光閥。 導光系統927係由配置於藍色光束Β之出射部946之射 出側的集光透鏡954、射入側反射鏡971、射出側反射鏡972 、配置於該些反射鏡之間的中間透鏡973和配置於光閥925Β 之跟前側的集光透鏡953所構成。從集光透鏡所射出的藍色 光束Β係經由導光系統被導向液晶裝置962Β而被調製。各 色光束之光路長，即是從光束W之出射部到各液晶裝置 962R、962G、962Β的距離係藍色光束變的最長，因此，藍 色光束之光量損失最多。但是，依據所存在之導光系統， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ29*7公釐) -- -46- ----------——·——L-IIT----^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1291058 A7 B7 五、發明説明（） 44 可以抑制光量損失。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 通過各光閥925R、925G、925B而調製之各色光束R、G 、B係被射入於顏色合成稜鏡910，在此被合成。然後，依 據該顏色合成稜鏡910而所合成的光經由投射單元906而被 擴大投射於所規定位置的投射面100之表面上。 於本例中，液晶裝置962R、962G、962B中因於TFT下 側設置有遮光層，故根據來自該液晶裝置962R、962G、 962B之投射光的液晶投影機內的投射光學系統所界定的反 射光，投射光通過之時的來自TFT陣列基板表面的反射光 ，自其他液晶裝置射出後穿透投射光學系統之投射光之一 部分等，作爲返回光即使由TFT陣列基板側射入，亦可以 充分地進行對畫素電極之開關用TFT通道遮光。因此，即 使於使用強力光源之時，亦可以當作爲不易發生光洩漏電 流的電子機器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，即使使用適合小型化之稜鏡單元於投射光學系統 ，因不需要在各液晶裝置962R、962G、962B和稜鏡單元之 間，另配置防止返回光用的膜，或於偏光裝置上施予防止 返回光處理，故在小型構成且簡易化上極爲有利。 而且，在本實施形態中，因可以抑制返回光對TFT通 道領域的影響，故即使無直接在液晶裝置上貼合施有防止 返回光處理的偏光裝置961R、961G、961B亦可。在此，偏 光裝置自液晶裝置分離而形成，更具體而言，即是一方的 偏光裝置961G、961R、961B可以貼合於稜鏡單元910，另一 方的偏光裝置960R、960G、960B可以貼合於集光透鏡 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -47- 1291058 at B7 五、發明説明（π) 45 9 5 3”945、944。如此的話，依據偏光裝置貼合於稜鏡單元或 集光透鏡，偏光裝置之熱因被稜鏡單元或集光透鏡吸收， 故可以防止液晶裝置之溫度上升。 再者，雖然省略了圖示，但是，依據液晶裝置和偏光 裝置離間形成，因可以在液晶裝置和偏光裝置之間形成空 氣層，故依據設置冷卻裝置，送入冷風等之送風於液晶裝 置和偏光裝置之間，可以防止液晶裝置之溫度上升，可以 防範液晶裝置之溫度上升而導致的錯誤動作。 【試驗例】 以下，詳細說明本發明之試驗例。 (試驗例1 :阻隔層之膜厚和透過率之關係） 第11圖中表示著試驗例。 該試驗例係在絕緣基板上形成WSi之下層阻隔層、由 Ti所組成之金屬層、由WSi之上方阻隔層所組成之遮光膜 ，再將絕緣層疊層於遮光膜者。然後，將上方阻隔層之膜 厚設爲25nm，金屬層之膜厚設爲50nm，將下層阻隔層之厚 度再0〜40nm之範圍下予以變化而進行試驗。而且，在疊層 絕緣層後施予1020 °C的退火處理後，測定透過率（Y値： 550nm)，調查下層阻隔層之厚度和透過率（Y値：550nm)之 關係。 下層阻隔層爲Onm時，金屬層係依據與絕緣基板氧化 現象，於金屬層形成氧化膜，透過率爲1.6%。 當下層阻隔層之膜厚設爲5nm之時，透過率爲1.0%， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） -----------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -48- 1291058 A7 B7 五、發明説明（) 46 25nm時爲0.6%，可確認到遮光性能爲優越。又，該遮光膜 因當下層阻隔層之阻隔層的膜厚當作爲3nm之時，全體厚 度爲78nm，即使下層阻隔層之膜厚圍40nm，全體厚度爲 115nm，故可以比WSi之遮光膜還薄許多。依此，可以確認 到TFT陣列基板之配向膜的段差較少，可降低液晶配向不 良。 (試驗例2 :第1實施形態之構成中的金屬層之膜厚和 透過率之關係） 第12圖中表示著試驗例。 該試驗例係在絕緣基板上形成Ti金屬層、由WSi之阻 隔層所組成的遮光膜，於遮光膜上疊層絕緣層者。然後， 使遮光膜之厚度可成爲200nm地，將金屬層之膜厚在50〜 150nm之範圍下予以變化，而進行試驗。而且，在疊層絕緣 層後施予68CTC的退火處理後，測定透過率（Y値：550nm)， 調查金屬層厚度和透過率（Y値：550nm)之關係。又，透過 率之測定係在面內5點上進行，而求取其平均値。 即使僅在施予金屬層之高溫處理的絕緣膜側之表面上 形成阻隔層，金屬層之膜厚亦爲50nm，表示著0.005%前後 的優良性能。然後，當金屬層成爲100nm以上之時，透過率 係表示著爲接近於0的値。 (試驗例3 :第2實施形態之構成中的金屬層之膜後和 透過率之關係） 第1 3圖爲表示著試驗例。 該試驗例係在絕緣基板上形成WSi之阻隔層、由Ti之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21 ΟΧ29*7公釐） -------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -49- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1291058 a7 B7 五、發明説明（) 47 金屬層所組成之遮光膜，於遮光膜上疊層絕緣層者。然後 ，使遮光膜之厚度可成爲200nm地，將金屬層之膜厚在50〜 15 0nm之範圍下予以變化，而進行試驗。而且，在疊層絕緣 層後施予680°C的退火處理後，測定透過率（Y値：550nm)， 調查金屬層厚度和透過率（Y値：550nm)之關係。又，透過 率之測定係在面內5點上進行，而求取其平均値。 即使僅在金屬層之絕緣膜側之表面上形成阻隔層，金 屬層之膜厚亦爲50nm，0.015%前後，比200nm之WSi的遮 光膜有優越之遮光性。然後，當金屬層成爲150nm之時，透 過率係表示著爲接近於〇的値。 (試驗例4 :第3實施形態之構成中的金屬層之膜後和 透過率之關係） 第14圖爲表示著試驗例。 該試驗例係在絕緣基板上形成WSi之下層阻隔層，由 Ti所組成之金屬層、由WSi之上方阻隔層所組成之遮光膜 ，於遮光膜上疊層絕緣層者。然後，將上方阻隔層和下層 阻隔層之膜厚設爲50nm，將金屬層之膜厚在50〜150nm之 範圍下予以變化，而進行試驗。而且，在疊層絕緣層後施 予68 0°C的退火處理後，測定透過率（Y値：55 0nm)，調查金 屬層厚度和透過率（Y値：550nm)之關係。又，透過率之測 定係在面內5點上進行，而求取其平均値。 金屬層之膜厚爲10nm，透過率係在0.020%前後，50nm 以上時，透過率則表示具有接近於0値的優越遮光性能。 在以上所述之各試驗例中，可以得到持有比由WSi所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29*7公釐） I--------噃——*——L、訂---------^0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -50- 1291058 A7 B7 五、發明説明（） 48 構成之遮光膜更優越之遮光性能之遮光膜的結果。再者， 由也可將遮光膜薄化之一事，而可以得到相對於絕緣膜遮 光膜的彎曲較少的事態。 以上，已詳細說明了本發明之遮光膜即使於形成遮光 膜之後，進行高溫處理，依據與含有氧元素之Si02等之絕 緣膜相對的遮光膜之無氧系的高熔點金屬或由金屬化合物 所構成之阻隔層，抑制遮光膜之金屬層的氧化現象發生， 其結果，可以確保遮光膜之遮光性能。 尤其，依據本發明之光電裝置用基板及光電裝置具有 上述之遮光膜，可以抑制畫素開關元件之光洩漏電流的發 生，而且，因可以減少遮光膜所引起的段差，故可以提供 顯示品質較高的光電裝置用基板及光電裝置。 -----------^本-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -51 -