JPH08271880A - 遮光膜，液晶表示装置および遮光膜形成用材料 - Google Patents

遮光膜，液晶表示装置および遮光膜形成用材料

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JPH08271880A
JPH08271880A JP7077451A JP7745195A JPH08271880A JP H08271880 A JPH08271880 A JP H08271880A JP 7077451 A JP7077451 A JP 7077451A JP 7745195 A JP7745195 A JP 7745195A JP H08271880 A JPH08271880 A JP H08271880A
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liquid crystal
metal fine
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秀雄 平山
Nobuki Ibaraki
伸樹 茨木
Koji Hidaka
浩二 日高
Kiyotsugu Mizouchi
清継 溝内
Michiya Kobayashi
道哉 小林
Takashi Ishigami
隆 石上
Akira Sakai
亮 酒井
Makoto Kikuchi
誠 菊池
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来の遮光膜の遮光特性を劣化することな
く、「映り込み」を抑え、しかも液晶配光特性を劣化さ
せることのない、熱的に安定な遮光膜，液晶表示装置お
よび遮光膜形成用材料を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の遮光膜は絶縁体中に、少くとも金属
微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または２種
以上の元素の微粒子が分散してなることを特徴とし、ま
た本発明の液晶表示装置は、前記遮光膜を用いたことを
特徴とし、また本発明の遮光膜形成用材料は、少くとも
金属または半金属より選ばれた１種または２種以上の元
素、残部絶縁体および不可避不純物よりなることを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、遮光膜，液晶表示装置
および遮光膜形成用材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置にはブラックマト
リックスと呼ばれる遮光膜が使用されている。この遮光
膜として、表示画素電極アレイ基板上の表示画素電極を
除いた領域上に絶縁性遮光膜のマトリックスを配置する
方法が提案されている（特開昭６３−６４０２３号公
報）。
【０００３】この場合の絶縁性遮光膜は、ポリマーに黒
色染料または補色関係にある２色以上の染料を配合し黒
色化したものを配合し使用するものである。従来、スイ
ッチング素子が配置された表示画素電極アレイ基板とカ
ラーフィルタ上に形成された遮光膜を有する基板との合
わせ精度が通常４〜８μｍあるため、ブラックマトリッ
クスの開口パターンは前後合わせ精度分のマージンを見
込んで設計しなければならなかった。
【０００４】しかし、この方法によれば、これらの合わ
せ精度は３００mm角以上の大基板においても従来に比べ
て１／２程度以下であるため、合わせずれによる開口率
の低下を抑えることができ、バックライト光が回り込ん
でオフ抵抗が低下するのを避けることが可能となる。
【０００５】また、他の遮光膜として、遮光膜をレジス
トとして用い、このレジストとしてポリマーに染料，顔
料を分散させたものが実用化されている。また、他の遮
光膜として、スイッチング素子内の金属配線が併用して
いる場合あるいはパッシベーション層内に金属層よりな
る遮光膜を設ける場合などがある。
【０００６】しかし、この場合、導電性の金属を遮光膜
として使用しているため、画素電極と信号線の間の容量
カップリングに基づく画素電極の変動等の問題や、例え
ばこれを回避するためにパッシベーション層を２層設け
る必要があり、その製造工程が煩雑になってしまう。
【０００７】このため、近年非晶質炭素薄膜を用いた遮
光膜が提案されている（特開昭６１−２４４０６８号公
報）。この方法によれば、製造工程が簡単かつ容易とな
ると共に、パッシベーション層を兼用することが可能と
なる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】まず、ポリマーに染料
あるいは顔料を配合することにより得られる遮光膜にお
いては、十分な吸光度を得るためには膜厚を約２μｍ以
上と厚くする必要がある。このような厚い遮光膜は、例
えば表示画素電極と遮光部との間に大きな段差が現れ、
液晶にかかる電場が不均一となり、液晶の配向欠陥，リ
バースが現れる問題がある。
【０００９】その対策として、リバース部分を隠すため
に、信号線あるいは走査線の幅を広くして表示画素電極
の一部を遮光する方法があるが、結果として開口率を低
下させてしまうという問題がある。すなわち、本来開口
率を向上するために表示画素電極アレイ基板側に設けら
れた遮光膜も、その厚さが厚すぎるために生じる欠陥の
ために、開口率を犠牲にしてもそれを覆い隠す必要があ
ったのである。
【００１０】また、染料あるいは顔料を分散させたポリ
マーよりなるレジストでは、可能なかぎりそれらの濃度
を上げて遮光性能を向上させようとすると、フォトリソ
グラフィーでのパターン性能が劣り合わせ精度が低下し
たり、あるいは製造プロセス面でもエッチング残渣を除
去するスクラブ洗浄がパターンを崩すこともあるなどの
問題が残されている。
【００１１】さらに有機物は一般に蒸気圧が高いものが
多く、表示画素電極アレイ基板の下層にこのよう膜を配
置してしまうと、その後の工程で高温の処理が必要とな
る場合に不都合である。すなわち、下層から蒸気が発生
し、上層の膜のモフォロジーなどを悪化させるという問
題がある。
【００１２】また、非晶質シリコン薄膜トランジスタ
（ａ−ＳｉＴＦＴ）を遮光するための遮光膜として提案
されている非晶質炭素薄膜は、ｉ−ｃａｒｂｏｎとして
知られている一種である。すなわち、ダイアモンドライ
クな構造とグラフィトライクな構造との混合物である。
【００１３】これは成膜条件に大きく依存してその物性
が変化することが知られており、条件によっては、ダイ
ヤモントドライクな部分で絶縁性を受け持ち、またグラ
ファイトライクな部分で遮光特性を受け持った膜を作成
することとができると報告されている。
【００１４】しかし、この遮光膜は光の反射が大きく、
液晶表示装置においては「映り込み」が大きいという問
題がある。これは遮光膜の屈折率が高いことに起因し、
ダイヤモンドが非常に高い屈折率２．５程度を有するの
と同様に物質によって決まる特性である。
【００１５】このため、ダイヤモンドライクな膜におい
ては、この「映り込み」の問題を炭素の膜で解決するこ
とはできなかった。本発明は、以上のような従来の遮光
膜の問題に鑑み、従来の遮光膜の遮光特性を劣化するこ
となく、「映り込み」を抑え、しかも液晶配光特性を劣
化させることのない、熱的に安定な遮光膜，液晶表示装
置および遮光膜形成用材料を提供することを目的とす
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】まず、本発明の遮光膜
は、絶縁体中に、少くとも金属微粒子または半金属微粒
子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子が分
散してなることを特徴とする。
【００１７】次に、本発明の液晶表示装置は、少くと
も、スイッチング素子および前記スイッチング素子に接
続されマトリックス状に配列形成された表示画素電極を
第１の基板上に有する表示画素電極アレイ基板と、対向
電極を一主面上に有する第２の基板上に有する対向基板
と、前記表示画素電極アレイ基板と対向基板の対向電極
との間に液晶を有する液晶表示装置において、前記表示
画素電極アレイ基板上に、絶縁体中に少くとも金属微粒
子または半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上
の元素の微粒子が分散してなる遮光膜を有することを特
徴とする。
【００１８】また、別の本発明の液晶表示装置は、少く
とも、スイッチング素子および前記スイッチング素子に
接続されマトリックス状に配列形成された表示画素電極
を第１の基板上に有する表示画素電極アレイ基板と、対
向電極を一主面上に有する第２の基板上に有する対向基
板と、前記表示画素電極アレイ基板と対向基板の対向電
極との間に液晶を有する液晶表示装置において、前記第
１の基板に、絶縁体中に少くとも金属微粒子または半金
属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒
子が分散してなる遮光膜を有することを特徴とする。
【００１９】また、別の本発明の液晶表示装置は、少く
とも、スイッチング素子および前記スイッチング素子に
接続されマトリックス状に配列形成された表示画素電極
を第１の基板上に有する表示画素電極アレイ基板と、対
向電極を一主面上に有する第２の基板上に有する対向基
板と、前記表示画素電極アレイ基板と対向基板の対向電
極との間に液晶を有する液晶表示装置において、前記液
晶表示装置を構成するために使用される絶縁体の少くと
も一部が、絶縁体中に少くとも金属微粒子または半金属
微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子
が分散してなる遮光膜であることを特徴とする。
【００２０】また、別の本発明の液晶表示装置は、少く
とも、スイッチング素子，前記スイッチング素子に接続
されマトリックス状に配列形成された表示画素電極およ
び前記スイッチング素子上に形成されたパッシベーショ
ン膜を第１の基板上に有する表示画素電極アレイ基板
と、対向電極を一主面上に有する第２の基板上に有する
対向基板と、前記表示画素電極アレイ基板と対向基板の
対向電極との間に液晶を有する液晶表示装置において、
前記パッシベーション膜の少くとも一部が、絶縁体中に
少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１
種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光膜
であることを特徴とする。
【００２１】また、別の本発明の液晶表示装置は、少く
とも、能動層上にエッチングストッパ膜を有する薄膜ト
ランジスタおよび前記薄膜トランジスタに接続されマト
リックス状に配列形成された表示画素電極を第１の基板
上に有する薄膜トランジスタアレイ基板と、対向電極を
一主面上に有する第２の基板上に有する対向基板と、前
記表示画素電極アレイ基板と対向基板の対向電極との間
に液晶を有する液晶表示装置において、前記薄膜トラン
ジスタのエッチングストッパ膜の少くとも一部が、絶縁
体中に少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ば
れた１種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる
遮光膜であることを特徴とする。
【００２２】また、別の本発明の液晶表示装置は、少く
とも、ゲート電極，ゲート絶縁膜および能動層を有する
薄膜トランジスタおよび前記薄膜トランジスタに接続さ
れマトリックス状に配列形成された表示画素電極を第１
の基板上に有する薄膜トランジスタアレイ基板と、対向
電極を一主面上に有する第２の基板上に有する対向基板
と、前記表示画素電極アレイ基板と対向基板の対向電極
との間に液晶を有する液晶表示装置において、前記薄膜
トランジスタのゲート絶縁膜の少くとも一部が、絶縁体
中に少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれ
た１種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮
光膜であることを特徴とする。
【００２３】さらに、本発明の遮光膜形成用材料は、原
子パーセントで、一体として見た場合に、少くとも金属
または半金属より選ばれた１種または２種以上の元素の
含有率が５〜８０at％、残部絶縁体および不可避不純物
よりなることを特徴とする。
【００２４】
【作用】上記本発明の構成によれば、従来の遮光膜に比
較し、遮光特性を劣化すること無く、「映り込み」を抑
え、しかも液晶配光特性を劣化させることのない、熱的
に安定な遮光膜，液晶表示装置および遮光膜形成用材料
を提供することが可能となる。
【００２５】
【実施例】まず、本発明の遮光膜は、絶縁体中に、少く
とも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種ま
たは２種以上の元素の微粒子が分散してなることを特徴
とする。
【００２６】上記遮光膜を構成する絶縁体としては、液
晶表示装置に使用されるスイッチング素子、例えば薄膜
トランジスタが要求する絶縁性を有し、かつ薄膜におい
て光透過性の材料であれば何ら限定されるものではない
が、例えば周期律表でＩＡ族，IIＡ族， IIIＡ族，IVＡ
族，VIＡ族より選ばれた１種または２種以上の元素の化
合物であり、それらの酸化物，窒化物，硼化物，硫化
物，塩化物，臭化物，弗化物およびよう化物より選ばれ
る１種または２種以上の化合物などを採用することがで
きる。さらに、本発明における絶縁体としては、絶縁基
板などを構成する材料も対象となる。
【００２７】より具体的には、窒化ケイ素（ＳｉＮ
x ），窒化アルミニウム（ＡｌＮx ），窒化硼素（ＢＮ
x ），酸化イットリウム（ＹＯx ），酸化アルミニウム
（ＡｌＯx ），酸化マグネシウム（ＭｇＯx ），酸化カ
ルシウム（ＣａＯx ），酸化バリウム（ＢａＯx ），酸
化ストロンチウム（ＳｒＯx ），酸化ケイ素（ＳｉＯ
x ），硫化金（ＡｕＳx ），酸化ガリウム（ＧａＯ
x ），弗化リチウム（ＬｉＦx ），弗化ナトリウム（Ｎ
ａＦx ），塩化リチウム（ＬｉＣｌx ），臭化リチウム
（ＬｉＢｒx ），塩化ナトリウム（ＮａＣｌx ），臭化
ナトリウム（ＮａＢｒx ），弗化カリウム（ＫＦx ），
弗化ルビジウム（ＲｂＦx ），塩化ルビジウム（ＲｂＣ
ｌx ），臭化ルビジウム（ＲｂＢｒx ），よう化ルビジ
ウム（ＲｂＩx ），弗化セシウム（ＣｓＦx ），塩化セ
シウム（ＣｓＣｌx ），臭化セシウム（ＣｓＢｒx ），
よう化セシウム（ＣｓＩx ），弗化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆx ），弗化カルシウム（ＣａＦx ），弗化バリウム
（ＢａＦx ），塩化バリウム（ＢａＣｌx ），弗化カド
ニウム（ＣｄＦx ）あるいはチタン酸バリウム（ＢａＴ
ｉx Ｏy）などを挙げることができ、これらの原子比
（ｘ，ｙ）は各種成膜手段における成膜条件により種々
のものが選択できる。
【００２８】これらの絶縁体のバンドギャップは３．８
ｅＶ以上であることが好ましい。これは、絶縁体の光応
答性をなくすためであり、これにより、バンド間遷移に
よる光伝導は基本的に無くなる。
【００２９】さらに、この絶縁体としては、光の反射を
極力避けるために屈折率は低いほうが好ましく、特に１
に近いほうが好ましい。さらに、この絶縁体としては、
後述する少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選
ばれた１種または２種以上の元素の微粒子との反応性が
低く、これらの微粒子と化合物を形成しないものが好ま
しい。
【００３０】また、少くとも金属微粒子または半金属微
粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子
は、上記絶縁体中に微細かつ膜の面方向に均一に分散す
ることにより、遮光膜を黒化させる元素であれば何ら限
定されるものではないが、例えば、アルミニウム（Ａ
ｌ），ボロン（Ｂ），ビスマス（Ｂｉ），カドニウム
（Ｃｄ），コバルト（Ｃｏ），クロム（Ｃｒ），鉄（Ｆ
ｅ），インジウム（Ｉｎ），マンガン（Ｍｎ），ニッケ
ル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），バナジウム（Ｖ），
ニオブ（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），炭素（Ｃ）より選
ばれた１種または２種以上の元素の微粒子が、特に黒く
遮光膜を黒化させるのに好ましい元素である。
【００３１】さらに、これら少くとも金属微粒子または
半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の
微粒子は、単元素の状態での使用に限らず、本発明の目
的を達成できるものであれば、さらにそれらの元素の合
金あるいは化合物の状態での使用も可能である。
【００３２】これらの少くとも金属微粒子または半金属
微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子
の多くはバルク状態では黒くはないが、光波長以下の直
径の微粒子においてはプラズマ共鳴吸収により黒くなる
ことが知られている。さらにＢｉはバンドギャップの小
さな半金属で、量子サイズ効果によりバンド構造が変化
することも黒くなることと関連している。
【００３３】ここで、これら微粒子は、絶縁体中におい
て分離している必要があり、具体的には波動関数が重な
らない距離とし、例えば５０Å以上程度離れていること
が好ましい。
【００３４】上記理由も含めて、少くとも金属微粒子ま
たは半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元
素の微粒子のプラズマ共鳴吸収による黒化の効果をより
有効に得るためには、それら少くとも金属微粒子または
半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の
微粒子の平均粒径は８０００Å以下とすることが好まし
い。より好ましい平均粒径６０００Å以下である。ここ
で、少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれ
た１種または２種以上の元素の微粒子の粒径とは、微粒
子を囲む最小円の直径をいう。
【００３５】絶縁体と、少くとも金属微粒子または半金
属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒
子の好ましい組合せとして、例えばＢｉ微粒子に対して
はＡｌＮx ，ＳｉＮx ，ＢＮx であり、またＦｅ微粒
に対してはＡｌＮx であり、またＢ微粒子に対してはＢ
Ｎx が最適であることを、本発明者らは見出した。
【００３６】本発明の遮光膜の絶縁体と、少くとも金属
微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または２種
以上の元素の微粒子の比率としては、原子パーセント
（at％）で、少くとも金属微粒子または半金属微粒子よ
り選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子の１種ま
たは２種以上の含有率が５〜４０at％、残部絶縁体およ
び不可避不純物よりなることが好ましい。
【００３７】ここで、少くとも金属微粒子または半金属
微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子
の比率があまり小さいと、遮光膜としてのみ優れた黒色
が得られず、逆にその比率があまり大きいと絶縁性の低
下を引き起こすため、その少くとも金属微粒子または半
金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微
粒子の比率は５〜４０at％が好ましい。さらに好ましく
は、１５〜３０at％の範囲である。
【００３８】本発明の遮光膜の光学濃度（ＯＤ）値（吸
収係数の逆数の対数）や比抵抗は、それを得る際の各種
成膜手段の成膜条件により種々のものが得られ、それら
を適切に制御することにより、光学濃度（ＯＤ）値２．
０以上で、かつ比抵抗１０9Ωcm以上の特性の遮光膜を
膜厚５０００Åで満たす条件が存在することを実験的に
見出しており、従来に比し、薄い膜厚で優れた特性を有
する遮光膜を得ることが可能となる。
【００３９】本発明の遮光膜は、さらに水素を含有させ
ることにより、少くとも金属微粒子または半金属微粒子
より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子の比率
でほぼ決定される光学濃度（ＯＤ）値が同じでも比抵抗
を高めることが可能で、より優れた遮光膜が得られる。
【００４０】この水素を含有する遮光膜を得る方法とし
ては、遮光膜形成時の雰囲気に水素を含有させることに
より容易に得ることができる。例えば、Ｂｉ微粒子の比
率が５〜２５at％の濃度領域では、室温の基板温度でも
真空チャンバ内の水素分圧を１０at％とすることによっ
て、光学濃度（ＯＤ）値２．０以上で、かつ比抵抗１０
9 Ωcm以上の特性の遮光膜を得ることができる。
【００４１】また、本発明の遮光膜においては、絶縁体
と、少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれ
た１種または２種以上の元素の微粒子の界面に酸化物が
存在していることが好ましい。
【００４２】これは、その界面に酸化物を存在させるこ
とにより、遮光膜の比抵抗を増大させることが可能とな
るためであると共に、少くとも金属微粒子または半金属
微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子
とマトリックスである絶縁体との結合が強まり、熱的に
安定な遮光膜となるなどの効果を有しているためであ
る。また、少くとも金属微粒子または半金属微粒子より
選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子のそれぞれ
が互いに結合している場合には比抵抗が低下してしまう
ため、その点からも界面に酸化物が存在することは好ま
しい。そして、この界面に存在する酸化物としては、遮
光膜を構成する少くとも金属微粒子または半金属微粒子
より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子の酸化
物が採用できる。
【００４３】これらの絶縁体と、少くとも金属微粒子ま
たは半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元
素の微粒子の界面に酸化物を存在させる方法としては、
各種成膜手段により製造された遮光膜を酸化処理にする
ことにより容易に得ることができる。
【００４４】上記酸化処理としては、例えば、大気中な
どの酸化雰囲気での加熱が採用でき、より具体的には、
ＳｉＮx とＢｉ微粒子よりなる遮光膜の場合には、大気
中，２５０℃で２時間保持することにより、比抵抗１０
15Ωcm以上の遮光膜を得ることができ、光学濃度（Ｏ
Ｄ）値は膜厚５００nmで２．５を示す特性を得ることが
可能である。
【００４５】この酸化膜の膜厚などは、その意図する遮
光膜の特性により適宜選択することが可能である。ま
た、本発明の少なくともいずれか一面の遮光膜の絶縁体
中の少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれ
た１種または２種以上の元素の微粒子の膜表面での濃度
が膜内部での濃度より小さいことが好ましい。
【００４６】これは、絶縁体中の少くとも金属微粒子ま
たは半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元
素の微粒子の膜表面での濃度を膜内部での濃度より小さ
くすることにより、光の反射を抑えた遮光膜を簡単に得
ることが可能となるためである。
【００４７】また、本発明の遮光膜としては、遮光部の
みを本発明の遮光膜で構成することも可能であるが、非
遮光部を併せて有する構造であっても良い。この場合、
例えば、遮光膜より得られた非遮光部を有する構造、す
なわち遮光部と非遮光部が平坦構造のものも採用でき
る。
【００４８】これは、例えば遮光部のみを本発明の遮光
膜で形成する場合、意図する面の全面に遮光膜を形成し
た後、非遮光部となる部分をエッチング除去する必要が
ある。しかし、この場合には、遮光部と非遮光部との間
に段差が生じるため、上層のカバレージが低下する恐れ
がある。これを改善する方法としては遮光膜の膜厚を薄
くしたり、段差部をテーパー加工することで改善される
が、膜厚と吸光度は比例する量であり、膜厚を薄くして
十分な遮光膜を得るのは一般には困難である。また、膜
厚が厚くなるほど大きなテーパーをつける必要がある
が、そのためのテーパー加工が困難となる可能性があっ
た。
【００４９】このため、遮光部と非遮光部が同一層の平
坦構造を採用することにより、上記問題の発生を解決す
ることが可能となる。上記遮光部と非遮光部が同一層の
平坦構造を有する遮光膜は、例えば遮光膜中の少くとも
金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または
２種以上の元素の微粒子を選択的にエッチング除去す
る、あるいは遮光膜中の少くとも金属微粒子または半金
属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒
子を選択的に酸化させることにより容易に得ることが可
能である。
【００５０】まず、遮光膜中の少くとも金属微粒子また
は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
の微粒子を選択的にエッチング除去する方法は、以下の
通りである。
【００５１】一般に遮光膜中の少くとも金属微粒子また
は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
の微粒子の界面は欠陥が多い構造となるので、遮光膜中
に溶液等を容易に浸透し得る。したがって、遮光膜中の
少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１
種または２種以上の元素の微粒子を選択的に溶解し、絶
縁体を溶解しないような溶液中に浸漬することにより、
少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１
種または２種以上の元素の微粒子を選択的にエッチング
除去することにより、遮光膜を脱色、すなわち絶縁体の
みよりなる非遮光部を得ることが可能となる。微粒子は
金属結合で結合しており、絶縁体の共有結合あるいはイ
オン結合とは結合方法が異なるため、このような選択性
を持つ溶液を選択するのは当業者においては容易であ
る。
【００５２】例えば、ＳｉＮx とＢｉ微粒子よりなる遮
光膜の場合には、ＨＣｌ，Ｈ2 Ｏ2，ＮＨ4 Ｃｌ混合溶
液を使用すれば、この溶液はＢｉ微粒子のみを選択的に
溶解するので、この方法で遮光膜を脱色することが可能
である。この際、エッチング除去を行わない部分はあら
かじめエッチングされないような被膜で覆っておくだけ
で良い。
【００５３】また、溶液に限る必要はなく、気体プラズ
マによるエッチングなどを利用することも可能である。
例えばＢｉ微粒子の場合には、ＣＦ4 ／Ｏ2 ／ＨＣｌ系
ガスが有効である。
【００５４】また、他の方法である遮光膜中の少くとも
金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または
２種以上の元素の微粒子を選択的に酸化する方法は、例
えば遮光膜の非遮光部のみを選択的に酸化することによ
りバンドギャップを広げることが可能であるので、これ
を利用して遮光膜を脱色、すなわち遮光膜と非遮光部を
得るのである。この際、酸化処理を行わない部分はあら
かじめ酸化されないような被膜で覆っておくだけで良
い。
【００５５】このように、遮光部と非遮光膜を同一層の
平坦構造とすることにより、遮光部と非遮光部の間に段
差を生じるという問題を生じず、遮光膜の膜厚を厚くす
ることで遮光特性を向上することも可能になる。さらに
この方法で得られた遮光膜は非遮光部も絶縁性であるた
め、屈折率が１に近い絶縁体を使用した場合には反射を
弱める効果があるため、映り込みを抑えることも可能と
なる。
【００５６】以上説明した本発明の遮光膜は、各構成を
組合せることにより優れた特性を得ることが可能である
が、例えば、(1) 絶縁体中に、少くとも平均粒径８００
０Å以下の金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた
１種または２種以上の元素の微粒子が、原子パーセント
（at％）で５〜４０at％分散してなる構成、(2) 絶縁体
中に、少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ば
れた１種または２種以上の元素の微粒子が分散してな
り、かつ水素を含有する構成、(3) 絶縁体中に、少くと
も金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種また
は２種以上の元素の微粒子が分散してなり、かつ前記絶
縁体と金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種
または２種以上の元素の微粒子の界面に酸化物が存在し
ている構成ことを特徴とする遮光膜、(4) 絶縁体中に、
少くとも平均粒径８０００Å以下の金属微粒子または半
金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微
粒子が、原子パーセント（at％）で５〜４０at％分散し
てなり、かつ水素を含有する構成、(5) 絶縁体中に、少
くとも平均粒径８０００Å以下の金属微粒子または半金
属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒
子が、原子パーセント（at％）で５〜４０at％分散して
なり、かつ金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた
１種または２種以上の元素の微粒子の界面に酸化物が存
在している構成、あるいは、(6) 絶縁体中に、少くとも
平均粒径８０００Å以下の金属微粒子または半金属微粒
子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子が、
原子パーセント（at％）で５〜４０at％分散し、水素を
含有し、かつ前記絶縁体と金属微粒子または半金属微粒
子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子の界
面に酸化物が存在している構成、など種々の構成のもの
を採用することができる。
【００５７】このような本発明の遮光膜は、絶縁性でか
つ黒色であるため、各種液晶表示装置に使用される遮光
膜に使用することが可能であり、また液晶表示装置に限
らず他の同様な特性が要求される遮光膜に適用すること
が可能である。
【００５８】本発明の遮光膜を使用した液晶表示装置の
具体的構成に関して以下に説明する。まず、本発明の第
１の液晶表示装置は、少くとも、スイッチング素子およ
び前記スイッチング素子に接続されマトリックス状に配
列形成された表示画素電極を第１の基板上に有する表示
画素電極アレイ基板と、対向電極を一主面上に有する第
２の基板上に有する対向基板と、前記表示画素電極アレ
イ基板と対向基板の対向電極との間に液晶を有する液晶
表示装置において、前記表示画素電極アレイ基板上に、
絶縁体中に少くとも金属微粒子または半金属微粒子より
選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子が分散して
なる遮光膜を有することを特徴とする。
【００５９】次に、本発明の第２の液晶表示装置は、少
くとも、スイッチング素子および前記スイッチング素子
に接続されマトリックス状に配列形成された表示画素電
極を第１の基板上に有する表示画素電極アレイ基板と、
対向電極を一主面上に有する第２の基板上に有する対向
基板と、前記表示画素電極アレイ基板と対向基板の対向
電極との間に液晶を有する液晶表示装置において、前記
第１の基板に、絶縁体中に少くとも金属微粒子または半
金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微
粒子が分散してなる遮光膜を有することを特徴とする。
【００６０】次に、本発明の第３の液晶表示装置は、少
くとも、スイッチング素子および前記スイッチング素子
に接続されマトリックス状に配列形成された表示画素電
極を第１の基板上に有する表示画素電極アレイ基板と、
対向電極を一主面上に有する第２の基板上に有する対向
基板と、前記表示画素電極アレイ基板と対向基板の対向
電極との間に液晶を有する液晶表示装置において、前記
液晶表示装置を構成するために使用される絶縁体の少く
とも一部が、絶縁体中に少くとも金属微粒子または半金
属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒
子が分散してなる遮光膜であることを特徴とする。
【００６１】次に、本発明の第４の液晶表示装置は、少
くとも、スイッチング素子，前記スイッチング素子に接
続されマトリックス状に配列形成された表示画素電極お
よび前記スイッチング素子上に形成されたパッシベーシ
ョン膜を第１の基板上に有する表示画素電極アレイ基板
と、対向電極を一主面上に有する第２の基板上に有する
対向基板と、前記表示画素電極アレイ基板と対向基板の
対向電極との間に液晶を有する液晶表示装置において、
前記パッシベーション膜の少くとも一部が、絶縁体中に
少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１
種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光膜
であることを特徴とする．次に、本発明の第５の液晶表
示装置は、少くとも、能動層上にエッチングストッパ膜
を有する薄膜トランジスタおよび前記薄膜トランジスタ
に接続されマトリックス状に配列形成された表示画素電
極を第１の基板上に有する薄膜トランジスタアレイ基板
と、対向電極を一主面上に有する第２の基板上に有する
対向基板と、前記表示画素電極アレイ基板と対向基板の
対向電極との間に液晶を有する液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタのエッチングストッパ膜の少くと
も一部が、絶縁体中に少くとも金属微粒子または半金属
微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子
が分散してなる遮光膜であることを特徴とする。
【００６２】次に、本発明の第６の液晶表示装置は、少
くとも、ゲート電極，ゲート絶縁膜および能動層を有す
る薄膜トランジスタおよび前記薄膜トランジスタに接続
されマトリックス状に配列形成された表示画素電極を第
１の基板上に有する薄膜トランジスタアレイ基板と、対
向電極を一主面上に有する第２の基板上に有する対向基
板と、前記表示画素電極アレイ基板と対向基板の対向電
極との間に液晶を有する液晶表示装置において、前記薄
膜トランジスタのゲート絶縁膜の少くとも一部が、絶縁
体中に少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ば
れた１種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる
遮光膜であることを特徴とする。
【００６３】上記各液晶表示装置は、遮光膜として従来
に比較し遮光特性を劣化することなく、「映り込み」を
抑え、しかも液晶配光特性を劣化させることのない、熱
的に安定な遮光膜を使用しているため、従来に比較し優
れた特性を有する液晶表示装置を得ることができる。
【００６４】また、液晶表示装置を構成するために使用
される絶縁体の少くとも一部を、絶縁体中に少くとも金
属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または２
種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光膜で構成する
ことができるため、その液晶表示装置の構成が簡略化で
きると共に、薄型化を図ることができる。これは、本発
明の液晶表示装置に使用する遮光膜が、その組成，構造
さらには製造条件など各種の条件により、比較的高い比
抵抗を有するものを得ることができるためである。
【００６５】さらに、例えば遮光膜を構成する絶縁体と
してＳｉＮx を使用し、液晶表示装置のパッシベーショ
ン膜もＳｉＮx 膜を使用した場合には、新たなフォトリ
ソグラフィー、エッチング加工などを必要とせずに同一
工程で加工できるというメリットがある。
【００６６】上記本発明の液晶表示装置においては、第
２の基板上の表示領域外部に遮光膜を形成することによ
り表示領域周辺部の黒色度を向上することができる。す
なわち、表示画素電極アレイ基板に遮光膜を形成した場
合、従来に比し優れた特性を得ることができるが、この
場合においても表示領域外部の光遮蔽が十分ではないた
め、表示領域外部が灰色に視認され、この度合いが暗い
場合に著しいという問題が発生することを本発明者らは
さらに見出したのである。
【００６７】液晶表示装置においては、表示領域端とモ
ジュール額縁との間に通常１〜３mmの間隙がある。これ
は、液晶表示装置を例えばパーソナルコンピュータなど
のシステムに組み込んだ場合にも表示領域とシステム開
口端との間には同様の間隙がある。これは、液晶表示領
域とモジュール額縁あるいはシステム開口端をμｍ単位
で機械的に合わせるのが困難かつ高価になるためであ
る。
【００６８】この表示領域外部の遮光は、表示画素電極
アレイ基板上の遮光膜が担っており、この点は画素電極
−配線間でも同様である（配線部分では、配線自体とブ
ラックマトリックスとが遮光膜となる）。ところが、表
示領域内におけるブラックマトリックスのみによる遮光
領域が３〜５μｍ幅で散在しているのに対し、表示領域
外部ではmm幅であることが理由である。
【００６９】このため、本発明の液晶表示装置において
は、第２の基板上の表示領域外部の少なくとも一部に第
１の発明の遮光膜を設けることにより、表示画素電極ア
レイ基板側に設けた遮光膜のみでは遮光できない光を遮
光し、表示領域外部の黒色度を増加させることができる
のである。
【００７０】ここで、本発明の表示領域外部とは表示画
素電極アレイ基板の表示画素電極の最外周より外側のこ
とをいう。なお、この第２の絶縁基板上の表示領域外部
の遮光膜は、本発明の遮光膜を用いても良く、従来使用
されている遮光膜を使用しても、十分その表示領域外部
の黒色度を増加させることが可能である。
【００７１】さらに、この第２の絶縁基板上の表示領域
外部の遮光膜を形成する構成は、本発明の液晶表示装置
に限らず、従来の液晶表示装置においても適用可能であ
る。以上説明した本発明の液晶表示装置は、スイッチン
グ素子としてａ−ＳｉＴＦＴを用いたものに限らず、多
結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）やＣｄＳｅを使用した
薄膜トランジスタあるいは金属−絶縁体−金属（例えば
Ｔａ−ＴａＯx −金属）構造（ＭＩＭ）を有する薄膜ダ
イオードなどを使用したものなど各種構成のものに適用
可能である。
【００７２】さらに、本発明の液晶表示装置は、例えば
液晶表示装置上の所望の座標位置を指定する座標入力手
段と、この入力手段の位置を検出するための駆動装置を
有するもの、より具体的には、キーボードとは別に入力
ペンのような座標入力手段を用いて画面に所望の図形や
文字などを手書する、あるいは画面より情報を入力する
ことにより、その手書入力された図形や文字などの座標
を読みとって表示画面に表示することのできる液晶表示
装置においても適用可能である。
【００７３】この場合、一般には入力ペンの位置の検出
のための走査電極をマトリックス状に形成し、この電極
に走査された走査信号と入力ペンの先端に設置された検
出電極との静電結合により入力ペンの位置の検出を行っ
ている。この構造としては、表示パネルとペン入力パネ
ル（タブレットパネル）を積層する構造があるが、小型
軽量化，低コスト化の点に問題があり、表示パネルとペ
ン入力パネルを共用する構造が必要とされており、この
構造を実現するための方法の一つとして、液晶表示装置
にアクティブマトリックス型のものを使用し、マトリッ
クス状に配置された液晶駆動用のゲート電極線，信号電
極線を入力ペンの位置を検出する走査線を兼ねる方法が
開発されている。
【００７４】このような表示パネルとペン入力パネルを
共用する構造においては、液晶駆動用の電極線が操作者
側に形成される必要があるが、外光の反射のためコント
ラストが低下するという問題がある。
【００７５】このため、本発明の遮光膜を例えば表示画
素電極アレイ基板上の絶縁基板と、走査電極および信号
電極との間に形成することにより、走査電極および信号
電極を遮光膜により覆い隠すことが可能となり、電極の
外光の反射のためのコントラストの低下を防止すること
ができるのである。
【００７６】本発明の遮光膜は、例えばＣＶＤ法，スパ
ッタリング法，イオン注入法のいずれか１種または２種
以上の方法により形成することが可能である。ここで、
ＣＶＤ法，スパッタ法は、特に大面積の基板に均一な組
成，構造を持った膜を形成することに適した方法であ
る。
【００７７】これらの方法により、本発明の絶縁体中
に、少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれ
た１種または２種以上の元素の微粒子が分散した遮光膜
を得ることができる。それは、例えばＡｌＮx ，ＳｉＮ
x ，ＢＮx などが共有結合性の強い化合物で、少くとも
金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または
２種以上の元素の微粒子とはその表面エネルギーが大き
く異なり、この表面エネルギー差によって容易に金属ま
たは半金属より選ばれた１種または２種以上の元素の微
粒子が凝集し、それらの微粒子を絶縁体中に得ることが
できるからである。
【００７８】また、イオン注入法は、少くとも金属微粒
子または半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上
の元素の微粒子を構成するイオンを、直接ガラスなどの
絶縁基板などにイオン注入する方法であり、絶縁基板を
その遮光膜の構成として使用することができる。
【００７９】この方法によれば、イオンの深さ方向の分
布をイオン源からのイオン引き出し電圧によって制御で
きることが可能で、絶縁体中の少くとも金属微粒子また
は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
の微粒子の膜表面の濃度を膜内部での濃度より小さくす
ることができ、光の反射を抑えた遮光膜を簡単に形成す
ることができる。
【００８０】本発明の遮光膜は、上記製造方法により製
造することができるが、この際に使用される遮光膜形成
用材料は、少くとも金属または半金属より選ばれた１種
または２種以上の元素と、絶縁体を構成する元素よりな
るものを使用するものであれば何ら限定されるものでは
ない。例えば、ＳｉＮx とＢｉ微粒子より遮光膜をスパ
ッタ法により形成する場合は、ＳｉとＢｉよりなるスパ
ッタリングターゲットを使用し、窒素を含有する雰囲気
中でスパッタする、あるいはさらに水素を含有させる場
合は、窒素と水素を含有する雰囲気中でスパッタする方
法などが採用できる。
【００８１】この場合、一体として見た場合に少くとも
金属または半金属より選ばれた１種または２種以上の元
素、残部絶縁体および不可避不純物よりなることを特徴
とする遮光膜形成用材料を使用することもでる。
【００８２】この薄膜形成用材料の組成は、遮光膜形成
時、例えばスパッタにおける雰囲気，印加電圧など各種
の条件により、得られる遮光膜の組成などは種々変化す
るものであり、一概に決定されるものではないが、例え
ば、原子パーセントで、一体として見た場合に、少くと
も金属または半金属より選ばれた１種または２種以上の
元素の含有率が５〜８０at％、残部絶縁体および不可避
不純物よりなる遮光膜形成用材料を使用することができ
る。好ましくは、少くとも金属または半金属より選ばれ
た１種または２種以上の元素の含有率は５〜５０at％で
あることが好ましい。
【００８３】この遮光膜形成用材料の少くとも金属また
は半金属より選ばれた１種または２種以上の元素と絶縁
体は、意図する遮光膜の組成により種々選択されるもの
であるが、例えば、金属および／または半金属として
は、Ａｌ，Ｂ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｉｎ，
Ｍｎ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａなどを挙げることが
でき、また絶縁体としては、ＳｉＮx ，ＡｌＮx ，ＹＯ
x ，ＡｌＯx ，ＭｇＯx,BaTix Ｏy などを挙げることが
できる。
【００８４】ここで、スパッタ法に使用される遮光膜形
成用材料としてのスパッタリングターゲットに関して説
明する。この遮光膜形成用スパッタリングターゲットに
おける形態としては、種々の形態を採用することが可能
であるが、例えば、 (1) 少くとも金属または半金属より選ばれた１種または
２種以上の元素と、絶縁体よりなる原料粉末を一体とし
てみた場合に所定の組成となるように配合し、粉末冶金
法により製造したスパッタリングターゲット。 (2) 少くとも金属または半金属より選ばれた１種または
２種以上の元素と、絶縁体よりなる原料粉末を一体とし
てみた場合に所定の組成となるように配合し、溶解法に
より製造したスパッタリングターゲット。 (3) 少くとも金属または半金属より選ばれた１種または
２種以上の元素と、絶縁体よりなる各構成元素の１種ま
たは２種以上よりなるターゲット片を分割して複合的に
配列してなり、所定の組成となるように各ターゲット片
の面積比で調整して製造したスパッタリングターゲッ
ト。 (4) 少くとも金属または半金属より選ばれた１種または
２種以上の元素と、絶縁体よりなる原料粉末を一体とし
てみた場合に所定の組成となるように配合し、スパッタ
リングターゲット用基板に溶射することにより製造した
スパッタリングターゲット。 (5) 絶縁体よりなる多孔質の焼結体に、少くとも金属ま
たは半金属より選ばれた１種または２種以上の元素を、
所定の組成となるように含浸させたスパッタリングター
ゲット。 などを採用することができる。
【００８５】上記第１の粉末冶金法によりスパッタリン
グターゲットを製造する方法の一例としては、まず、少
くとも金属または半金属より選ばれた１種または２種以
上の元素と、絶縁体よりなる原料粉末を一体としてみた
場合に所定の組成となるように配合し、ボールミルなど
により混合し、均一な混合粉末を得る。この際、ボール
ミルの混合装置の少くとも内壁または使用するボールの
表面、またはそのものの材質を、各構成元素の１種また
は２種以上のもので形成することにより、スパッタリン
グターゲット中への不純物の混入を低減することが可能
となる。
【００８６】その後、この混合粉末をカーボンモールド
に充填して、真空ホットプレスを用いて、例えば加熱温
度 300℃以上，面圧200kg/mm2 以上の条件で加圧焼結し
て焼結体を得る。あるいはこの混合粉末を成形用型に充
填し、これをｗｅｔ−ＣＩＰなどを用いて成形した後、
焼結して焼結体を得る。なお、ｗｅｔ−ＣＩＰ後焼結し
て得られる焼結体をより緻密化するためには、さらに熱
間静水圧プレス（ＨＩＰ）処理することが好ましい。
【００８７】その後、得られた焼結体に研削などの機械
加工を施し、さらに必要により表面をラッピングにより
平滑化して、所定形状のスパッタリングターゲットとす
る。この第１の方法により得られるスパッタリングター
ゲットの組織などにより、得られる遮光膜の特性は影響
される。このため、意図する遮光膜を得るために、その
スパッタリングターゲットの製造時において、その使用
される各原料粉末の粒径，成形条件，焼結条件，加工条
件などの各製造条件を適宜選択することができる。
【００８８】次に、第２の溶解法によりスパッタリング
ターゲットを製造する方法の一例としては、例えば、ま
ず、少くとも金属または半金属より選ばれた１種または
２種以上の元素を直接電子線溶解，高周波溶解，真空溶
解などの溶解法を用いて溶解し、その溶湯に絶縁体より
なる原料粉末を一体としてみた場合に所定の組成となる
ように添加混合し、インゴットを製造する。
【００８９】その後、必要により研削などの機械加工を
施し、さらに必要により表面をラッピングにより平滑化
して、所定形状のスパッタリングターゲットとする。上
記第１の方法あるいは第２の方法により得られるスパッ
タタリングーゲットは、一体で製造することが薄膜形成
時のダストの発生を防止する上で好ましいものである
が、スパッタリングターゲットの大型化の目的で複数の
同一のスパッタリングターゲットを組合せて使用しても
良い。この場合、複数の組合されるスパッタリングター
ゲットは、バッキングプレートなどへろう付などにより
固定されるが、ターゲット同志の接合部、特にエッジ部
からのダストの発生を防止するために、その接合部は拡
散接合，電子線溶接あるいは焼きばめなど各種機械的ま
たは物理的方法により接合されることが好ましい。
【００９０】ここで、拡散接合の方法としては、直接接
合する方法、接合部に各構成元素の１種，２種以上また
は各構成元素以外の第３元素などの被接合物との濡れ性
の良好な材料を介在させ接合する方法、あるいは接合部
に各構成元素の１種，２種以上または各構成元素以外の
第３元素などの被接合物との濡れ性の良好な材料よりな
るメッキ層を介在させ接合する方法など、種々の方法を
採用できる。
【００９１】次に、第３の各ターゲット片の面積比で調
整してスパッタリングターゲットを製造する方法の一例
としては、例えば、少くとも金属または半金属より選ば
れた１種または２種以上の元素と、絶縁体よりなるター
ゲット片を粉末冶金法あるいは電子線溶解，高周波溶
解，真空溶解などの溶解法によりインゴットを製造し、
得られたインゴットを必要により機械加工を施した後、
各インゴット毎に分割してターゲット片を得、そのター
ゲット片を複合的に配列し、所定の組成となるように各
ターゲット片の面積比で調整する。そして、さらに必要
により、研削などの機械加工、さらには必要により表面
をラッピングにより平滑化して、所定形状のスパッタリ
ングターゲットを得る。
【００９２】この場合、各ターゲット片の組織などによ
り、得られる遮光膜の特性は影響される。このため、こ
のターゲット片の製造条件は適宜選択される。上記第３
の方法においては、複合的に配列されるために、接合
部、特にエッジ部からのダストの発生を防止するため
に、その接合部は拡散接合，電子線（ＥＢ）溶接あるい
は焼きばめなど各種機械的または物理的方法により接合
されることが好ましい。
【００９３】ここで、拡散接合の方法としては、直接接
合する方法、接合部に各構成元素の１種，２種以上また
は各構成元素以外の第３元素などの被接合物との濡れ性
の良好な材料を介在させ接合する方法、あるいは接合部
に各構成元素の１種，２種以上または各構成元素以外の
第３元素などの被接合物との濡れ性の良好な材料よりな
るメッキ層を介在させ接合する方法など、種々の方法を
採用できる。
【００９４】次に、第４の溶射によりスパッタリングタ
ーゲットを製造する方法の一例としては、少くとも金属
または半金属より選ばれた１種または２種以上の元素
と、絶縁体が一体としてみた場合に所定の組成となるよ
うに配合し、スパッタリングターゲット用基板に溶射、
あるいは各構成元素の１種または２種以上を個々に準備
し、同時にスパッタリングターゲット用基板に溶射した
後、さらに必要により研削などの機械加工、さらには必
要により表面をラッピングにより平滑化して、所定形状
のスパッタリングターゲットを得る。
【００９５】次に、第５の溶浸によりスパッタリングタ
ーゲットを製造する方法の一例としては、まず、絶縁体
よりなる多孔質の焼結体を粉末冶金法によりに製造し、
その焼結体に、少くとも金属または半金属より選ばれた
１種または２種以上の元素を、所定の組成となるように
含浸させ、さらに必要により、研削などの機械加工、さ
らには必要により表面をラッピングにより平滑化して、
所定形状のスパッタリングターゲットを得る。この含浸
の方法は焼結体を少くとも金属または半金属より選ばれ
た１種または２種以上の元素の溶湯中に浸漬し含浸、あ
るいは焼結体に少くとも金属片または半金属片より選ば
れた１種または２種以上を接触させそれら金属片または
半金属片の溶解温度以上に加熱し含浸するなど、常法の
方法を採用することができる。
【００９６】以上のような各種製造方法を採用すること
により、本発明の遮光膜形成用のスパッタリングターゲ
ットを得ることができる。なお、上記遮光膜形成用材料
の、一体として見た場合とは、少なくともそのスパッタ
される部分においてその範囲となっていれば良い。
【００９７】この本発明の遮光膜形成用材料の組織によ
り、得られる遮光膜の特性は影響される。このため、上
記遮光膜形成用材料としては少くとも金属または半金属
より選ばれた１種または２種以上の元素が絶縁体中に分
散する組織，絶縁体が少くとも金属または半金属より選
ばれた１種または２種以上の元素中に分散する組織、あ
るいはそれらの複合組織など、さらにはその分散時の粒
径，密度などは意図する特性によって適宜選択すること
が可能である。
【００９８】上記の組織のいずれの場合においても、少
くとも金属または半金属より選ばれた１種または２種以
上の元素は、単独または合金の形態で遮光膜形成用材料
中に存在することが好ましい。
【００９９】上記遮光膜形成用スパッタリングターゲッ
トの説明は、少くとも金属または半金属より選ばれた１
種または２種以上の元素と、絶縁体により構成されたも
のに関して説明したが、これに限らず、少くとも金属ま
たは半金属より選ばれた１種または２種以上よりなるス
パッタリングターゲットを上記各種方法により製造し、
反応性スパッタなどを用いることにより本発明の遮光膜
を形成することも可能である。
【０１００】以下に、さらに詳細な本発明の実施例を示
す。 実施例１ 反応性スパッタ成膜によって得られた、厚さ５０００Å
のＳｉＮx とＢｉ微粒子よりなる遮光膜（Ｂｉ−ＳｉＮ
x 遮光膜）の、光学濃度（ＯＤ）値，比抵抗（Ωcm）の
基板温度（℃）および微粒子濃度（at％）との関係を図
３および図４に示す。図３および図４の横軸はそれぞれ
基板温度および微粒子濃度であり、各図面の縦軸は比抵
抗および光学濃度値である。
【０１０１】図３および図４より明らかなように、例え
ばＢｉ原子濃度が１０〜２５at％の領域では、室温の基
板温度でもスパッタ時の真空チャンバーの雰囲気中の水
素分圧を５％とすることによって、比抵抗１０9 Ωcm以
上でＯＤ値が２．５を越える優れた特性を有する遮光膜
を形成することができる。
【０１０２】さらに、これらの遮光膜を、大気中，２５
０℃で２時間保持することによりＢｉ微粒子の表面にＢ
ｉ酸化物を形成することができ、その結果、比抵抗１０
15Ωcm以上の遮光膜を形成することができた。また、Ｏ
Ｄ値は２．５を示す特性を有する遮光膜を形成すること
ができた。
【０１０３】また、反応性スパッタ成膜によって得られ
た、厚さ４６００ÅのＢｉ−ＳｉＮx 遮光膜の、熱処理
（アニール）による比抵抗と透過スペクトルの変化を図
５に示す。図５の横軸は波長（Wave-length ：nm）であ
り、縦軸は光学濃度（ＯＤ）値である。図５より明らか
なように、成膜直後の比抵抗は６Ωcm程度の低い値を示
すが、２５０℃で１時間のアニール後の比抵抗は４．６
×１０9 Ωcmまで増加し、しかもＯＤ値に大きな差はな
く、むしろ波長７００〜８００nmの光は透過しに難くな
っている。すなわち、ＯＤ値に大きな影響を与えずにア
ニールによって抵抗を増加させることが可能である。
【０１０４】また、これらのＢｉ−ＳｉＮx 遮光膜を真
空中（０．１Ｐａ）でＢｉの融点（２７０℃）以上の温
度である３５０℃で１時間アニールし、ＳＥＭにて観察
したところ、そのＢｉ−ＳｉＮx 遮光膜には変化は見ら
れなかった。
【０１０５】このことは、本発明の遮光膜が非常に熱安
定性が高く、遮光膜を形成した後においても、高温の処
理が可能であることが理解できる。 実施例２ 例えば、スイッチング素子としてのアモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）などを用いた薄膜トランジスタをマトリ
ックス配線の交点に設けた、いわゆるアクティブマトリ
クス型電極構造を有し液晶を動作させる液晶表示装置と
しては、図１および図２に概略的に示すような構造が用
いられている。図１は表示画素電極アレイ基板の表示画
素部分の概略平面図、図２は液晶表示装置の概略断面図
である。
【０１０６】すなわち、図１に示すように、複数の平行
な信号線１およびこれら複数の信号線１に直交する走査
線２を有し、それら信号線１と走査線２のマトリックス
の交点にはスイッチング素子としての薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）３が配設されて、このＴＦＴ３のドレインが
信号線１に接続され、ゲートが走査線２に接続されてい
る。そして、このＴＦＴ３のソースにはインジウム−錫
酸化物（ＩＴＯ）などよりなる表示画素電極４が接続さ
れている。
【０１０７】そして、上記図１に示すような電気的接続
を有する液晶表示装置は、例えば図２に示すように構成
されている。すなわち、図２に示す液晶表示装置は、表
示画素電極アレイ基板５および対向基板６を平行に対向
させ、これら表示画素電極アレイ基板５および対向基板
６の間に電気，光変調物質としての液晶７が挟持されて
いる。
【０１０８】そして、上記表示画素電極アレイ基板５
は、ガラス基板，プラスチック基板などの絶縁基板１９
を有し、この絶縁基板１９の一主面側には信号線（図示
せず），走査線（図示せず），ＴＦＴ３，表示画素電極
４が配設されている。また、絶縁基板１９の他主面側に
は偏光板２０が配設されている。
【０１０９】一方、対向基板６は、ガラス基板，プラス
チック基板などの絶縁基板２２を有し、この絶縁基板２
２の一主面側にはカラー表示用の赤（Ｒ），緑（Ｇ），
青（Ｂ）のカラーフィルタ２３が配設されている。この
カラーフィルタ２３上には対向電極２４が配設されてい
る。また、絶縁基板２２の他主面側には偏向板２１が配
設されている。
【０１１０】さらに、ＴＦＴ部に関して詳細に説明す
る。８はＢｉ−ＳｉＮx 遮光膜であり、その下に９のＳ
ｉＮx パッシベーション膜が同一パターンで形成されて
いる。１２はソース電極、１０はドレイン電極である。
１１はエッチングストッパ膜であり、１３は低抵抗ｎ+
ａ−Ｓｉである。１４は能動層、１６，１７はゲート絶
縁層であり、例えば１６をＳｉＯx 膜、１７をＳｉＮx
膜の２層構造とすることにより、薄膜化と耐電圧特性の
向上を図っている。１５はゲート電極、４はＩＴＯ表示
画素電極、１８はコンタクト電極である。
【０１１１】本実施例においては、パッシベーション膜
をプラズマＣＶＤ法により形成した後、引き続き反応性
スパッタ法により２５at％Ｂｉ−ＳｉＮx 膜を５０００
Å形成し、プラズマエッチング装置によって同時エッチ
ングして表示画素電極４などの不要な部分をエッチング
除去することによってパターン化した。
【０１１２】Ｂｉ−ＳｉＮx 膜の形成は、Ｂｉ片とＳｉ
片を一体としてみた場合に所定の組成となるようモザイ
ク状に並べたスパッタリングターゲットを使用し、その
ターゲットをＡｒ／Ｎ2 ／Ｈ2 （ガス比２：１：０．
１）の混合ガス中でＤＣスパッタすることで容易に形成
することが可能である。このスパッタの際の基板温度は
５０℃であった。さらに得られた膜の反射を一層抑える
ために、成膜後２００℃の酸素雰囲気中で１０分間保持
することによって、表面を酸化している。
【０１１３】あるいは、成膜時のチャンバー圧力を０．
６〜０．８Ｐａの比較的高い圧力を制御することによっ
てスパッタ粒子の斜め入射成分を増やし、膜密度を低下
させることによって鏡面反射から拡散反射支配に変える
ことができる。この圧力の制御はＡｒガスの流量の調整
で容易にできる。
【０１１４】本実施例の構造によれば、従来に比較し、
遮光膜による反射を抑え、さらに遮光膜の膜圧を５００
０Å程度と薄くできるので、液晶配光欠陥の発生もな
く、信頼性の高い液晶表示装置を得ることができた。
【０１１５】実施例３ 図６に本発明の他の実施例を示す。なお、図６は表示画
素電極アレイ基板を詳細に説明した断面図であり、他の
構成は実施例２の構成と同一であると共に、実施例２と
同一の構成のものは同一符号を付した。
【０１１６】本実施例においては、パッシベーション膜
を設けず、本発明のＢｉ−ＳｉＮx遮光膜８でこれを代
用した構造となっている以外は、上記実施例２と同一の
構造である。なお、Ｂｉ−ＳｉＮx 遮光膜８の膜厚は９
０００Åとした。
【０１１７】ソース電極１２からこの遮光膜８を通して
容量カップリングによって流れる電流によるＩＴＯ電位
の降下速度は１９msにおいて０．１％以下であり、実用
上問題とならない値である。
【０１１８】このリーク電流をさらに下げるためには、
例えばＢｉ濃度を１５at％以下に下げた膜を形成する
か、あるいは水素濃度を１０％程度に高めることによっ
て可能である。
【０１１９】なお、この遮光膜は暗時の比抵抗は１０12
Ωcmであり、３×１０4 ルクスの光照射下でも全く抵抗
の変化は見られていない。本発明は、上記の実施例の構
造に限定されることはなく、例えば、スタガー型構造に
おいて、絶縁基板の直ぐ上に遮光膜を乗せてａ−Ｓｉを
遮光した構造のものにも適用可能である。また、能動層
としてａ−Ｓｉに限らず、マイクロクリスタルＳｉ，多
結晶Ｓｉを使用、あるいはスイッチング素子として金属
／絶縁体／金属（ＭＩＭ）ダイオードを使用した液晶表
示装置においても、本発明の遮光膜を適用することがで
きる。
【０１２０】実施例４ 図７に本発明の他の実施例を示す。なお、図７は表示画
素電極アレイ基板を詳細に説明した断面図であり、他の
構成は他の実施例の構成と同一であると共に、他の実施
例と同一の構成のものは同一符号を付した。
【０１２１】ガラスからなる絶縁基板１９上の一主面上
に、ＡｌＮx とＢｉ微粒子よりなる遮光膜（Ｂｉ−Ａｌ
Ｎx 遮光膜）８を形成する。この遮光膜８は、ＢｉとＡ
ｌを窒素雰囲気中でコ・スパッタすることによって形成
し、次に、フォトリソグラフィーによってエッチング加
工して得られている。得られた遮光膜の膜厚は５０００
Å，比抵抗は１０9 Ωcm以上、ＯＤ値は３の遮光膜が得
られた。エッチングは、Ｃｌ系のガス、例えばＢＣｌ3
／ＡｒやＨＣｌガスを使用したプラズマエッチングによ
り容易に加工できる。
【０１２２】そして、この遮光膜８の上を覆うように透
明絶縁膜２５を形成する。透明絶縁膜２５には、ステッ
プカバレッジの優れた膜が好ましく、例えばＴＥＯＳ
（Tetraethylorthosilicate:Ｓｉ［ＯＣ2 Ｈ5 ］4 ）と
Ｏ2 との混合ガスを使用したプラズマＣＶＤで形成する
ＳｉＯx 膜を使用することができる。また、環状フッ化
樹脂も濡れ性が良く、例えばスピンコートによって膜形
成を行う場合には非常に平坦な透明膜を形成することが
可能となる。
【０１２３】さらに、これらの酸化膜あるいは窒化膜の
上に、さらにＳｉＮx 膜をプラズマＣＶＤで積層するこ
とで、チャンネル部のａ−Ｓｉ層との良好な界面を得る
ことができる。
【０１２４】こうしたプロセスを行った後、ＩＴＯとモ
リブデン・タングステン（Ｍｏ−Ｗ）合金を積層成膜
し、フォトリソグラフィーによってエッチング加工し
て、表示画素電極４と一体化したソース電極１２および
ドレイン電極１０を形成する。
【０１２５】次に、これらを覆うように、能動層１４と
しての膜厚０．１μｍのａ−Ｓｉを、低抵抗層１３とし
てのｎ+ ｐｏｌｙ−Ｓｉを、ゲート絶縁膜２６としての
膜厚０．４μｍのＳｉＮx 膜を順次形成する。
【０１２６】続いてＡｌとＭｏを積層し、フォトリソグ
ラフィーによってエッチング加工してゲート電極１５を
形成する。次に、同一パターンでＳｉＮx 膜をエッチン
グし、ゲート電極１５のない部分にａ−Ｓｉを露出させ
る。そして、レジスト剥離後、ゲート電極１５をマスク
としてａ−Ｓｉ層にＰをドーピングし、さらＸｅＣｌエ
キシマレーザーを照射して結晶化させる。
【０１２７】そして、Ｎ型多結晶シリコンを、フォトリ
ソグラフィーによってエッチング加工して、ソース領域
１０とドレイン領域１２を形成する。最後に、全体を例
えばＳｉＮx などの保護膜２７で覆い、画素部と周辺電
極部上の保護膜を除去する。
【０１２８】この時点では、ソース，ドレイン電極と同
様に、表示画素電極４はＩＴＯ上に不透明Ｍｏ−Ｗが乗
っているので、これもエッチング除去する。以上の工程
により、本発明の遮光膜をガラス基板上に乗せた液晶表
示装置を得ることができた。
【０１２９】実施例５ 図８に本発明の他の実施例を示す。なお、図８は表示画
素電極アレイ基板を詳細に説明した断面図であり、他の
構成は他の実施例の構成と同一であると共に、他の実施
例と同一の構成のものは同一符号を付した。
【０１３０】まず．透明なガラス板からなる絶縁基板１
９に、厚さ１０００〜３０００Åのゲート電極２８が形
成され、その後プラズマＣＶＤ法によって厚さ１０００
Åのゲート絶縁膜１６および第２絶縁膜１７とａ−Ｓｉ
よりなる能動層１４とを堆積し、エッチング加工する。
続いてエッチンクストッパー膜１１を堆積加工する。続
いて、パッドを作成するために絶縁層１７に穴を開け、
ｎ+ ａ−Ｓｉ層２９およびソース電極金属であるＡｌを
堆積加工し、さらに保護膜２７を積層してパターン化し
た後、ＩＴＯよりなる透明導電膜４をスパッタ蒸着す
る。そして、ネガ型レジストを塗布し、信号線とゲート
電極をマスクにガラス絶縁基板１９裏面から露光し、さ
らに、ガラス絶縁基板１９の表面から露光する方法で、
表示画素電極４と補助容量電極を作成する。すなわち、
表示画素電極４と補助容量電極は同一のＩＴＯ膜から形
成されている。
【０１３１】さらに、この上に本発明のＳｉＯx とＢｉ
微粒子よりなる遮光膜（Ｂｉ−ＳｉＯx 遮光膜）８を５
０００Åスパッタ成膜する。このＢｉ−ＳｉＯx 遮光膜
８の形成方法は、ＢｉターゲットおよびＳｉＯx ターゲ
ットを使用し、Ｈ2 ／Ａｒ（ガス比０．１：１）の混合
ガス中で同時スパッタすることで容易に形成することが
可能である。
【０１３２】これをリソグラフィー法によって画素部位
以外の部分をエッチング除去する。エッチング液として
はフッ酸溶液でフッ化アンモニウムを添加してｐＨを調
整した緩衝液で容易にエッチング除去することが可能で
ある。
【０１３３】実施例６ 図９および図１０に本発明の他の実施例を示す。なお、
図９は本実施例における表示画素電極アレイ基板の表示
画素部分の概略平面図、図１０は表示画素電極アレイ基
板を詳細に説明した断面図であり、他の構成は他の実施
例の構成と同一であると共に、他の実施例と同一の構成
のものは同一符号を付した。
【０１３４】透明なガラス板よりなる絶縁基板１９上に
信号線１と走査線２がマトリックス状に配設されてい
る。これらの配線の各交差点にａ−Ｓｉ膜よりなるＴＦ
Ｔ３が形成されている。ＴＦＴ３のドレイン電極は信号
線１に接続され、ゲート電極には、各表示画素電極４と
液晶容量３０および補助容量３１が接続されている。こ
のように構成されたアレイ基板を図１０に沿って、その
製造方法を以下に説明する。
【０１３５】プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯx 膜を形成
したガラス絶縁基板１９上に、スパッタ法によりＭｏ−
Ｔａ合金膜を３０００Å堆積させる。そして、リソグラ
フィ法によりＭｏ−Ｔａ合金膜をテーパエッチングし、
ゲート電極１５および補助容量電極を形成する。続い
て、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯx ゲート絶縁膜１
６，ＳｉＮx ゲート絶縁膜１７，ａ−Ｓｉ能動層１４お
よびＳｉＮx エッチングストッパ膜１１の４層を連続堆
積する。上層のＳｉＮx エッチングストッパ膜１１をパ
ターニングし、前処理後にソース・ドレイン電極のコン
タクトとして、ｎ+ａ−Ｓｉ膜１３をプラズマＣＶＤに
より堆積する。次に、ａ−Ｓｉをパターニングする。透
明表示画素電極４としてＩＴＯを使用する。この電極は
補助容量の一方の電極の一部としても使用する。続い
て、アドレス配線パッド部の開口をＣＦ４系のドライエ
ッチングで行う。次に、スパッタ法によりドレイン電極
１０およびソース電極１２としてのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの
３層を堆積させ、これをＩＥ（Reactive Ion Etching）
によりバックチャンネル上のｎ+ ａ−Ｓｉ膜を除去す
る。次に、パッシベーション膜９としてプラズマＣＶＤ
法によりＳｉＮx 膜を形成した。
【０１３６】さらに、この上に本発明のＢｉ−ＳｉＯx
遮光膜８を５０００Åスパッタ成膜する。このＢｉ−Ｓ
ｉＯx 遮光膜の形成方法は、ＢｉターゲットおよびＳｉ
Ｏxターゲットを使用し、Ｈ2 ／Ａｒ（ガス比０．１：
１）の混合ガス中で同時スパッタすることで容易に形成
することが可能である。
【０１３７】これをリソグラフィー法によって画素部位
以外の部分をエッチング除去する。エッチング液として
はフッ酸溶液でフッ化アンモニウムを添加してｐＨを調
整した緩衝液で容易にエッチング除去することが可能で
ある。
【０１３８】以上の方法によって、液晶表示装置用の表
示画素電極アレイ基板が完成する。なお、本発明の遮光
膜は必ずしもパッシベーション保護膜上にある必要はな
く、ゲート絶縁膜，エッチングストッパ膜あるいは絶縁
基板上に形成することも可能である。すなわち、表面画
素電極アレイ基板上、さらには液晶表示装置を構成する
ために使用される絶縁層の表示画素部を除くパターンに
本発明の遮光膜を形成することができるのである。
【０１３９】上記方法により得られた液晶表示装置を用
いて、テストパターン部に設けられた遮光膜の膜厚を５
０００Åとした場合の光学濃度（ＯＤ）値は、成膜直後
（Ａｓ−Ｄｅｐｏ）の状態で既にＯＤ値は２．５以上、
比抵抗は１０9 Ωcm以上の値を示した。さらに、基板を
２５０℃に１０分間アニールしたものは光学濃度にほと
んど差がないものの、比抵抗は１０11Ωcm以上まで増加
した。
【０１４０】このように、アニールによって遮光膜の特
性はさらに向上することが可能である。なお、スパッタ
成膜時に雰囲気ガスとして水素を１０％混入させたもの
は成膜直後の状態での比抵抗が１．２×１０11Ωcmを示
し、アニール処理を施さなくとも実用上の問題のない特
性を持った遮光膜が得られることが分かる。
【０１４１】実施例７ 図１１に本発明の他の実施例を示す。なお、図１１は表
示画素電極アレイ基板を詳細に説明した断面図であり、
他の構成は他の実施例の構成と同一であると共に、他の
実施例と同一の構成のものは同一符号を付した。
【０１４２】本実施例の遮光膜の製造方法は、Ｂｉ2+イ
オンを用い、イオン注入法によりガラス絶縁基板内部に
Ｂｉを埋め込み、その後、熱処理によって絶縁基板中に
拡散することを基本としている。
【０１４３】まず、ガラス絶縁基板１９上にＭｏ−Ｔａ
をスパッタ成膜し、リソグラフィー法によって画素に相
当する部分を残してエッチング除去する。次に、Ｂｉ2+
イオンをイオン注入する。この時の真空度は１０-7Torr
程度，イオンの引き出し電圧としては３２０keV 程度
で、ドーズ量としては１０17ionns/cm2 程度である。
【０１４４】ガラス絶縁基板１９は絶縁体であるので、
導電性を持たせるために予めＢｉを５０Å程度スパッタ
成膜しておくことが好ましい。そして、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガ
ス系によってガラス絶縁基板表面の残留Ｂｉおよびその
酸化物とＭｏ−Ｔａ合金を全てエッチング除去する。そ
して、５eVのＫｒＦエキシマレーザを２００パルス照射
してアニールする。この時のパワーは１５０mJ／cm2
で、周波数は１０Ｈｚ、パルス幅は２０ns程度が一つの
目安である。
【０１４５】この様にして、ガラス絶縁基板１９内の画
素部位以外に相当する遮光膜（パターン）８がガラス絶
縁基板１９内に形成される。この後の製造工程は、実施
例６に記述したのと同様である。
【０１４６】この遮光膜の特徴は、ガラス絶縁基板内に
埋め込まれているので、ガラス表面の屈折率はイオン注
入前と同様であることから、映り込みが小さく、さらに
遮光膜のパターンによる凹凸が無く平坦であって、厚い
遮光膜が下層に設定されている場合よりもその後の工程
で堆積させる膜のカバレージを悪化させることがなく、
強いては、液晶表示装置の信頼性を改善させることが可
能などの多くのメリットがある。
【０１４７】実施例８ 本発明の他の実施例を示す。本実施例の遮光膜の製造方
法は、ＭＯＣＶＤとＰＥＣＶＤを組合せた成膜法によっ
て、遮光膜を形成することを特徴としている。
【０１４８】実施例６と同様の製造方法によって、パッ
シベーション層を形成する前工程までの一連の工程を踏
んだ後、パッシベーションを兼ねたＢｉ−ＳｉＮx 遮光
膜を以下のようにして形成する。
【０１４９】ＢｉのソースガスとしてはＢｉ（ＮＯ3 ）
3 ・Ｈ2 Ｏの溶液の蒸気を供給し、ＳｉＮx のソースガ
スとしてはＳｉＨ4 ，ＮＨ3 ，Ｎ2 ，Ｈ2 を例えば１：
５：３０：１の割合で供給する。Ｂｉのソースガスの供
給のためのキャリアガスとしてはＡｒガスを使用する。
ガラス絶縁基板温度３００℃に加熱し、ＲＦパワー１．
４ｋＷ、圧力３．５Ｐａにて１０分間成膜し、約４５０
０Åの厚さの遮光膜を形成することができた。
【０１５０】実施例９ 図１２に本発明の他の実施例を示す。なお、図１２は表
示画素電極アレイ基板を詳細に説明した断面図であり、
他の構成は他の実施例の構成と同一であると共に、他の
実施例と同一の構成のものは同一符号を付した。
【０１５１】ガラスからなる絶縁基板１９の一主面上
に、ＳｉＮx と２５at％のＢｉ微粒子を分散させたＢｉ
−ＳｉＮx 遮光膜８を５０００Å程度反応性スパッタ法
により堆積する。
【０１５２】脱色を行わない部分をフォトレジストで覆
い、３７％ＨＣｌ：３６％Ｈ2 Ｏ2：５mol ＮＨ4 Ｃｌ
＝５：１：１の混合溶液に２分間程度浸漬することによ
りＢｉ微粒子のみを溶解除去することにより非遮光部８
´の脱色を行い平坦な遮光膜８を形成する。得られた遮
光膜の透過スペクトルを図１３に示す。
【０１５３】図１３より明らかなように、非遮光部の透
過率としてはほとんど１００％が得られ、十分な特性が
得られている。図１３において、横軸は波長（nm）、縦
軸は透過率（％）を示す。
【０１５４】遮光膜８上にＳｉＮx 絶縁膜２９、ＩＴＯ
膜とＭｏ−Ｗ合金膜を成膜し、フォトリソグラフィーに
よってＩＴＯ膜、Ｍｏ−Ｗ膜をエッチング加工して、表
示画素電極４と一体化したソース電極１２およびドレイ
ン電極１０を形成する。続いてａ−Ｓｉ能動層１４、ｎ
+ ｐｏｌｙ−Ｓｉ低抵抗１３、ＳｉＮx 膜、Ａｌ−Ｍｏ
膜を成膜し、フォトリソグラフィーでＳｉＮx 膜、Ａｌ
−Ｍｏ膜をエッチング加工し、ゲート電極１５およびゲ
ート絶縁膜１７を形成すると共に、ゲート電極のない部
分のａ−Ｓｉ層にＰをドープし、ＸｅＣｌエキシマレー
ザーを照射して結晶化する。得られたＮ型多結晶シリコ
ンをフォトリソグラフィーによって加工してソース領域
とドレイン領域を形成する。全体をＳｉＮx などの保護
膜２７で覆い、フォトリソグラフィーによって画素部と
周辺電極部のＳｉＮx 膜を除去し、最後にＩＴＯ上のＭ
ｏ−Ｗ膜を除去する。
【０１５５】以上の製造工程により、本発明の遮光膜を
設けた表示画素電極アレイ基板を作成し、液晶表示装置
を製造した。本実施例においては、遮光部と非遮光部を
同一層の平坦構造とすることが可能であるため、遮光部
と非遮光部の間に段差を生じるという問題を生じず、遮
光膜の膜厚を厚くすることで遮光特性を向上することも
可能になる。さらにこの方法で得られた遮光膜は非遮光
部も絶縁性であるため、屈折率が１に近い絶縁体を使用
した場合には反射を弱める効果があるため、映り込みを
抑えることも可能となる。
【０１５６】実施例１０ 図１４に本発明の他の実施例を示す。なお、本実施例に
おける表示画素電極アレイ基板は実施例２における構造
（図２）と同一である。
【０１５７】図１４は、本発明の液晶表示装置の概略断
面図である。表示画素電極アレイ基板５上の遮光膜は、
図１４に示したように表示領域周辺にも３mm幅で広げて
ある。さらに対向基板６の絶縁基板２２上にはカラーフ
ィルタ２３が表示画素電極アレイ基板の絶縁基板１９の
表示画素電極４と対置するように形成されており、表示
領域外部は２０００μｍのクロム膜による遮光膜３２が
形成されている。カラーフィルター２３および遮光膜３
２の上にはアクリル系樹脂からなるコート層３３があ
り、対向電極２４としてＩＴＯ膜が形成されている。図
示してはいないが、表示画素電極アレイ基板５および対
向基板６のそれぞれの上層には配光膜が形成され、両基
板間隙に液晶組成物が注入挟持されている。
【０１５８】以上のような本実施例の液晶表示装置およ
び対向基板に遮光膜が形成されていない液晶表示装置を
製作し、背景色を変化させてテキスト表示を行い、表示
領域外部の違和感の有無を被検者１００人に対して調査
した。その結果を図１５に示す。図１５において縦軸が
表示領域周辺異常認識率（％），横軸が背景色黒レベル
の明暗の変化レベルを示す。同図（ａ）が本実施例の液
晶表示装置の結果であり、（ｂ）が対向基板に遮光膜が
形成されていない液晶表示装置の結果である。
【０１５９】図１５より明らかなように、（ａ）の本実
施例の液晶表示装置においては、背景色によらず違和感
を示す被検者はほぼ現れなかったのに対し、（ｂ）の対
向電極に遮光膜が形成されていない液晶表示装置では背
景が黒くなるにしたがい違和感を示す被検者が増加し
た。
【０１６０】このように、本実施例においては、液晶表
示装置の表示領域周辺部の黒色度を向上することができ
る。 実施例１１ 図１６および図１７に本発明の他の実施例を示す。な
お、図面において、他の実施例と同一の構成のものは同
一符号を付した。
【０１６１】図１６は入力ペンのような座標入力位置を
用いて画面に所望の図形や文字などを手書することによ
り、その手書入力された図形や文字の座標を読みとって
表示画面に表示することのできる液晶表示装置の構成を
示す概略斜視図であり、図１７は表示画素電極アレイ基
板の表示画素部分の詳細断面図である。
【０１６２】図１６において、３４は入力ペンであり、
３５はアンプ、３６は検出電極である。３７は液晶表示
装置を保護するための保護板、２は走査線、１は信号線
であり、この走査線２および信号線１と入力ペン３４の
先端に設置された検出電極３６との静電結合により入力
ペン３４の位置の検出を行っている。そして、２０は偏
向板、１９は絶縁基板、３はＴＦＴ、４は表示画素電極
であり、これらにより表示画素電極アレイ基板を構成し
ている。そして、２４は対向電極、２３はカラーフィル
ター、２２は絶縁基板、２１は偏光板であり、これらに
より対向基板を構成している。
【０１６３】そして、図１７に示す表示画素電極アレイ
基板の表示画素部分を説明すると以下の通りである。８
が本発明の遮光膜であり、ガラスからなる絶縁基板の一
主面上に、ＳｉＮxとＢｉをコ・スパッタすることによ
りＢｉ−ＳｉＮx 遮光膜８を堆積し、エッチング加工し
た。２はゲート電極、１６，１７はゲート絶縁膜、１４
はａ−Ｓｉからなる能動層、１１はエッチングストッパ
ー膜、２９はｎ+ ａ−Ｓｉ低抵抗、１２はソース電極、
１０はドレイン電極であり、信号線に接続している。４
はＩＴＯからなる画素電極、９はＳｉＮx からなるパッ
シベーション膜、１８はコンタクト電極である。２７は
保護膜である。図示してはいないが、パッシベーション
膜の上に配光膜があり、このような構成の表示画素電極
アレイ基板を用いて、図１６に示すような液晶表示装置
を製造した。
【０１６４】上記構成により、走査電極および信号電極
を遮光膜により覆い隠すことが可能となり、電極の外光
の反射のためのコントラストの低下を防止することがで
きた。
【０１６５】実施例１２ 本発明の遮光膜形成用スパッタリングターゲットを下記
の方法により製造した。
【０１６６】すなわち、平均粒径１〜２μｍのＢｉ粉末
と、平均粒径１〜２μｍのＳｉ3 Ｎ4 粉末を所定の重量
比になるように配合し、ボールミルを用い３０時間混合
することにより、均一な混合粉末を得た。得られた混合
粉末をカーボンモールドの型に充填して面圧２５０kg／
cm2 ，温度２５０℃の条件でホットプレスを行い、Ｂｉ
とＳｉＮx よりなる焼結体を得た。得られた焼結体に切
削加工、研削加工を施し、直径１２７mm，厚さ５mmの遮
光膜形成用Ｂｉ−ＳｉＮx スパッタリングターゲットを
得た。
【０１６７】次に、得られたスパッタリングターゲット
を無酸素胴製パッキングプレートにＩｎ系ろう材により
ボンディングする。このようにして得られたスパッタリ
ングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、実施
例１乃至実施例１１のような構成の遮光膜および液晶表
示装置を製造する。
【０１６８】
【発明の効果】本発明によれば、従来の遮光膜の遮光特
性を劣化することなく、「映り込み」を抑え、しかも液
晶配光特性を劣化させることのない、熱的に安定な遮光
膜，液晶表示装置および遮光膜形成用材料を提供するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 表示画素電極アレイ基板の表示画素部分の概
略平面図である。
【図２】 実施例２の液晶表示装置の概略断面図であ
る。
【図３】 光学濃度値，比抵抗の基板温度との関係を示
す図である。
【図４】 光学濃度値，比抵抗の微粒子濃度との関係を
示す図である。
【図５】 熱処理による比抵抗と光学濃度値の変化を示
す図である。
【図６】 実施例３の表示画素電極アレイ基板を詳細に
説明した断面図である。
【図７】 実施例４の表示画素電極アレイ基板を詳細に
説明した断面図である。
【図８】 実施例５の表示画素電極アレイ基板を詳細に
説明した断面図である。
【図９】 実施例６の表示画素電極アレイ基板の表示画
素部分の概略平面図である。
【図１０】 実施例６の表示画素電極アレイ基板を詳細
に説明した断面図である。
【図１１】 実施例７の表示画素電極アレイ基板を詳細
に説明した断面図である。
【図１２】 実施例９の表示画素電極アレイ基板を詳細
に説明した断面図である。
【図１３】 実施例９の遮光膜の透過スペクトルを示す
図である。
【図１４】 実施例１０の液晶表示装置の概略断面図で
ある。
【図１５】 実施例１０の液晶表示装置の表示領域外部
の違和感の有無を調査した結果を示すグラフである。
【図１６】 実施例１１の液晶表示装置の構成を示す概
略斜視図である。
【図１７】 実施例１１の表示画素電極アレイ基板の表
示画素部分の詳細断面図である。
【符号の説明】
１…信号線 ２…走査線 ３…ＴＦＴ ４…表示画素電極 ５…表示画素電極アレイ基板 ６…対向基板 ７…液晶 ８…遮光膜 ９…パッシベーション膜 １０…ドレイン電
極 １１…エッチングストッパ膜 １２…ソース電極 １３…低抵抗 １４…能動層 １５…ゲート電極 １６…ゲート絶縁
膜 １７…ゲート絶縁膜 １８…コンタクト
電極 １９…絶縁基板 ２０…偏向板 ２１…偏向板 ２２…絶縁基板 ２３…カラーフィルタ ２４…対向電極 ２５…透明絶縁膜 ２６…ゲート絶縁
膜 ２７…保護膜 ２８…ゲートパス
ライン ２９…絶縁膜 ３０…液晶容量 ３１…補助容量 ３２…表示領域外
部の遮光膜 ３３…コート層 ３４…入力ペン ３５…アンプ ３６…検出電極 ３７…保護板 ３８…給電電極配
線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 溝内 清継 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 小林 道哉 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 石上 隆 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 酒井 亮 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 菊池 誠 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (47)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁体中に、少くとも金属微粒子または
    半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の
    微粒子が分散してなることを特徴とする遮光膜。
  2. 【請求項２】 絶縁体は周期律表でＩＡ族，IIＡ族， I
    IIＡ族，IVＡ族，VIＡ族より選ばれた１種または２種以
    上の元素の化合物であることを特徴とする請求項１記載
    の遮光膜。
  3. 【請求項３】 少くとも金属微粒子または半金属微粒子
    より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子は、ア
    ルミニウム，ボロン，ビスマス，カドニウム，コバル
    ト，クロム，鉄，インジウム，マンガン，ニッケル，パ
    ラジウム，ニオブ，タンタル，バナジウム，炭素より選
    ばれた１種または２種以上の元素の微粒子であることを
    特徴とする請求項１記載の遮光膜。
  4. 【請求項４】 窒化アルミニウム，窒化ケイ素，窒化硼
    素のいずれか１種または２種以上からなる絶縁体中にビ
    スマス微粒子が分散していることを特徴とする請求項１
    記載の遮光膜。
  5. 【請求項５】 窒化アルミニウムからなる絶縁体中に鉄
    微粒子が分散していることを特徴とする請求項１記載の
    遮光膜。
  6. 【請求項６】 窒化硼素からなる絶縁体中に硼素微粒子
    が分散していることを特徴とする請求項１記載の遮光
    膜。
  7. 【請求項７】 絶縁体のバンドギャップは３．８ｅＶ以
    上であることを特徴とする請求項１記載の遮光膜。
  8. 【請求項８】 少くとも金属微粒子または半金属微粒子
    より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子の平均
    粒径は８０００Å以下であることを特徴とする請求項１
    記載の遮光膜。
  9. 【請求項９】 原子パーセント（at％）で、少くとも金
    属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または２
    種以上の元素の微粒子の含有率が５〜４０at％、残部絶
    縁体および不可避不純物よりなることを特徴とする請求
    項１記載の遮光膜。
  10. 【請求項１０】 遮光膜は、光学濃度（Optical Densit
    y ：ＯＤ）値が２．０以上であり、かつ比抵抗が１０9
    Ωcm以上であることを特徴とする請求項１記載の遮光
    膜。
  11. 【請求項１１】 少くとも金属微粒子または半金属微粒
    子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子の膜
    表面での濃度が膜内部での濃度より小さいことを特徴と
    する請求項１記載の遮光膜。
  12. 【請求項１２】 遮光膜には、遮光部および非遮光部を
    有することを特徴とする請求項１乃至請求項１１いずれ
    か記載の遮光膜。
  13. 【請求項１３】 遮光膜には、前記遮光膜より得られた
    非遮光部を有すること特徴とする請求項１２記載の遮光
    膜。
  14. 【請求項１４】 遮光膜中の、少くとも金属微粒子また
    は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
    の微粒子を選択的にエッチング除去することにより形成
    された非遮光部を有することを特徴とする請求項１３記
    載の遮光膜。
  15. 【請求項１５】 遮光膜中の、少くとも金属微粒子また
    は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
    の微粒子を選択的にＣＦ4 ／Ｏ2 ／ＨＣｌ系ガスを用い
    た気体プラズマによってエッチング除去することにより
    形成された非遮光部を有することを特徴とする請求項１
    ３記載の遮光膜。
  16. 【請求項１６】 遮光膜中の、少くとも金属微粒子また
    は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
    の微粒子を選択的に酸化させることにより形成された非
    遮光部を有することを特徴とする請求項１３記載の遮光
    膜。
  17. 【請求項１７】 絶縁体中に、少くとも平均粒径８００
    ０Å以下の金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた
    １種または２種以上の元素の微粒子が、原子パーセント
    （at％）で５〜４０at％分散してなることを特徴とする
    遮光膜。
  18. 【請求項１８】 絶縁体中に、少くとも金属微粒子また
    は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
    の微粒子が分散してなり、かつ水素を含有することを特
    徴とする遮光膜。
  19. 【請求項１９】 絶縁体中に、少くとも金属微粒子また
    は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
    の微粒子が分散してなり、かつ前記絶縁体と金属微粒子
    または半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の
    元素の微粒子の界面に酸化物が存在していることを特徴
    とする遮光膜。
  20. 【請求項２０】 絶縁体中に、少くとも平均粒径８００
    ０Å以下の金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた
    １種または２種以上の元素の微粒子が原子パーセント
    （at％）で５〜４０at％分散してなり、かつ水素を含有
    することを特徴とする遮光膜。
  21. 【請求項２１】 絶縁体中に、少くとも平均粒径８００
    ０Å以下の金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた
    １種または２種以上の元素の微粒子が原子パーセント
    （at％）で５〜４０at％分散してなり、かつ絶縁体と金
    属微粒子および／または半金属微粒子の界面に酸化物が
    存在していることを特徴とする遮光膜。
  22. 【請求項２２】 絶縁体中に、少くとも平均粒径８００
    ０Å以下の金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた
    １種または２種以上の元素の微粒子が原子パーセント
    （at％）で５〜４０at％分散し、水素を含有し、かつ前
    記絶縁体と金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた
    １種または２種以上の元素の微粒子の界面に酸化物が存
    在していることを特徴とする遮光膜。
  23. 【請求項２３】 少くとも、スイッチング素子および前
    記スイッチング素子に接続されマトリックス状に配列形
    成された表示画素電極を第１の基板上に有する表示画素
    電極アレイ基板と、対向電極を一主面上に有する第２の
    基板上に有する対向基板と、前記表示画素電極アレイ基
    板と対向基板の対向電極との間に液晶を有する液晶表示
    装置において、前記表示画素電極アレイ基板上に、絶縁
    体中に少くとも金属微粒子または半金属微粒子より選ば
    れた１種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる
    遮光膜を有することを特徴とする液晶表示装置。
  24. 【請求項２４】 少くとも、スイッチング素子および前
    記スイッチング素子に接続されマトリックス状に配列形
    成された表示画素電極を第１の基板上に有する表示画素
    電極アレイ基板と、対向電極を一主面上に有する第２の
    基板上に有する対向基板と、前記表示画素電極アレイ基
    板と対向基板の対向電極との間に液晶を有する液晶表示
    装置において、前記第１の基板に、絶縁体中に少くとも
    金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または
    ２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光膜を有する
    ことを特徴とする液晶表示装置。
  25. 【請求項２５】 少くとも、スイッチング素子および前
    記スイッチング素子に接続されマトリックス状に配列形
    成された表示画素電極を第１の基板上に有する表示画素
    電極アレイ基板と、対向電極を一主面上に有する第２の
    基板上に有する対向基板と、前記表示画素電極アレイ基
    板と対向基板の対向電極との間に液晶を有する液晶表示
    装置において、前記液晶表示装置を構成するために使用
    される絶縁体の少くとも一部が、絶縁体中に少くとも金
    属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または２
    種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光膜であること
    を特徴とする液晶表示装置。
  26. 【請求項２６】 少くとも、スイッチング素子，前記ス
    イッチング素子に接続されマトリックス状に配列形成さ
    れた表示画素電極および前記スイッチング素子上に形成
    されたパッシベーション膜を第１の基板上に有する表示
    画素電極アレイ基板と、対向電極を一主面上に有する第
    ２の基板上に有する対向基板と、前記表示画素電極アレ
    イ基板と対向基板の対向電極との間に液晶を有する液晶
    表示装置において、前記パッシベーション膜の少くとも
    一部が、絶縁体中に少くとも金属微粒子または半金属微
    粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子が
    分散してなる遮光膜であることを特徴とする液晶表示装
    置。
  27. 【請求項２７】 少くとも、能動層上にエッチングスト
    ッパ膜を有する薄膜トランジスタおよび前記薄膜トラン
    ジスタに接続されマトリックス状に配列形成された表示
    画素電極を第１の基板上に有する薄膜トランジスタアレ
    イ基板と、対向電極を一主面上に有する第２の基板上に
    有する対向基板と、前記表示画素電極アレイ基板と対向
    基板の対向電極との間に液晶を有する液晶表示装置にお
    いて、前記薄膜トランジスタのエッチングストッパ膜の
    少くとも一部が、絶縁体中に少くとも金属微粒子または
    半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の
    微粒子が分散してなる遮光膜であることを特徴とする液
    晶表示装置。
  28. 【請求項２８】 少くとも、ゲート電極，ゲート絶縁膜
    および能動層を有する薄膜トランジスタおよび前記薄膜
    トランジスタに接続されマトリックス状に配列形成され
    た表示画素電極を第１の基板上に有する薄膜トランジス
    タアレイ基板と、対向電極を一主面上に有する第２の基
    板上に有する対向基板と、前記表示画素電極アレイ基板
    と対向基板の対向電極との間に液晶を有する液晶表示装
    置において、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の少
    くとも一部が、絶縁体中に少くとも金属微粒子または半
    金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微
    粒子が分散してなる遮光膜であることを特徴とする液晶
    表示装置。
  29. 【請求項２９】 液晶表示装置の第２の基板上の表示領
    域外部に、遮光膜が形成されていることを特徴とする請
    求項２３乃至請求項２８いずれか記載の液晶表示装置。
  30. 【請求項３０】 絶縁体は周期律表でＩＡ族，IIＡ族，
    IIIＡ族，IVＡ族，VIＡ族より選ばれた１種または２種
    以上の元素の化合物であることを特徴とする請求項２３
    乃至請求項２９いずれか記載の液晶表示装置。
  31. 【請求項３１】 少くとも金属微粒子または半金属微粒
    子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子は、
    アルミニウム，ボロン，ビスマス，カドニウム，コバル
    ト，クロム，鉄，インジウム，マンガン，ニッケル，パ
    ラジウム，バナジウム，ニオブ，タンタル，炭素より選
    ばれた１種または２種以上の元素の微粒子であることを
    特徴とする請求項２３乃至請求項２９いずれか記載の液
    晶表示装置。
  32. 【請求項３２】 窒化アルミニウム，窒化ケイ素，窒化
    硼素のいずれか１種または２種以上からなる絶縁体中に
    ビスマス微粒子が分散している遮光膜を有することを特
    徴とする請求項２３乃至請求項２９いずれか記載の液晶
    表示装置。
  33. 【請求項３３】 窒化アルミニウムからなる絶縁体中に
    鉄微粒子が分散している遮光膜を有することを特徴とす
    る請求項２３乃至請求項２９いずれか記載の液晶表示装
    置。
  34. 【請求項３４】 窒化硼素からなる絶縁体中に硼素微粒
    子が分散している遮光膜を有することを特徴とする請求
    項２３乃至請求項２９いずれか記載の液晶表示装置。
  35. 【請求項３５】 絶縁体のバンドギャップは３．８ｅＶ
    以上であることを特徴とする請求項２３乃至請求項２９
    いずれか記載の液晶表示装置。
  36. 【請求項３６】 金属微粒子または半金属微粒子より選
    ばれた１種または２種以上の元素の微粒子の平均粒径は
    ８０００Å以下であることを特徴とする請求項２３乃至
    請求項２９いずれか記載の液晶表示装置。
  37. 【請求項３７】 原子パーセント（at％）で、少くとも
    金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または
    ２種以上の元素の微粒子の含有率が５〜４０at％、残部
    絶縁体および不可避不純物よりなることを特徴とする請
    求項２３乃至請求項２９いずれか記載の液晶表示装置。
  38. 【請求項３８】 遮光膜は、光学濃度（ＯＤ）値が２．
    ０以上であり、かつ比抵抗が１０9 Ωcm以上であること
    を特徴とする請求項２３乃至請求項２９いずれか記載の
    液晶表示装置。
  39. 【請求項３９】 少くとも金属微粒子または半金属微粒
    子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子の膜
    表面での濃度が膜内部での濃度より小さいことを特徴と
    する請求項２３乃至請求項２９いずれか記載の液晶表示
    装置。
  40. 【請求項４０】 遮光膜には、遮光部および非遮光部を
    有することを特徴とする請求項２３乃至請求項３９いず
    れか記載の液晶表示装置。
  41. 【請求項４１】 遮光膜には、前記遮光膜より得られた
    非遮光部を有すること特徴とする請求項４０記載の液晶
    表示装置。
  42. 【請求項４２】 遮光膜中の、少くとも金属微粒子また
    は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
    の微粒子を選択的にエッチング除去することにより形成
    された非遮光部を有することを特徴とする請求項４１記
    載の液晶表示装置。
  43. 【請求項４３】 遮光膜中の、少くとも金属微粒子また
    は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
    の微粒子を選択的にエッチング除去することにより形成
    された前記遮光膜を構成する絶縁体よりなる非遮光部を
    有することを特徴とする請求項４１記載の液晶表示装
    置。
  44. 【請求項４４】 遮光膜中の、少くとも金属微粒子また
    は半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素
    の微粒子を選択的に酸化させることにより形成された非
    遮光部を有することを特徴とする請求項４１記載の液晶
    表示装置。
  45. 【請求項４５】 請求項２３乃至請求項４４いずれか記
    載の液晶表示装置は、液晶表示装置上の所望の座標位置
    を指定する座標入力手段と、この入力手段の位置を検出
    するための駆動装置を有するものであることを特徴とす
    る液晶表示装置。
  46. 【請求項４６】 原子パーセント（at％）で、一体とし
    て見た場合に、少くとも金属または半金属より選ばれた
    １種または２種以上の元素の含有率が５〜８０at％、残
    部絶縁体および不可避不純物よりなることを特徴とする
    遮光膜形成用材料。
  47. 【請求項４７】 遮光膜形成用材料はスパッタリングタ
    ーゲットであることを特徴とする請求項４６記載の遮光
    膜形成用材料。
JP7077451A 1995-04-03 1995-04-03 遮光膜，液晶表示装置および遮光膜形成用材料 Pending JPH08271880A (ja)

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