JP3381718B2 - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、電気光学装置及びその製造方法の技術分野
に属し、特に画素電極と画素スイッチング用の薄膜トラ
ンジスタ（Thin Film Transistor:以下適宜、ＴＦＴと
称す）との間で電気的な導通を良好にとるための中継用
の導電層を備える電気光学装置及びその製造方法並びに
電子機器の技術分野に属する。

背景技術 従来この種の電気光学装置は、一対の基板間に液晶等
の電気光学物質が挟持されてなり、一方の基板の一例で
あるＴＦＴアレイ基板には、マトリクス状に複数の画素
電極が設けられ、他方の基板の一例である対向基板に
は、各画素における画素開口領域（即ち、各画素におけ
る電気光学物質部分を光が通過する領域）を規定するた
めに、遮光膜が画素電極の間隙に対応して格子状に設け
られるのが一般的である。この場合、各画素電極の周り
で光漏れにより表示画像におけるコントラスト比が低下
しないようにするため、平面的に見て各画素電極に格子
状の遮光膜が若干重なるように構成されている。この際
特に、対向基板側に設けられた遮光膜は、画素電極から
電気光学物質等を介して比較的離れているために、斜め
に入射する光や両基板の貼り合わせずれを考慮して、上
述の如き画素電極と遮光膜とは、かなりのマージンで重
ねる必要がある。これは、画素開口率（即ち、各画素に
おける画素開口領域が占める率）を高める際の大きな障
壁となる。

そこで最近では、明るい画像表示を行うという一般的
な要請の下、各画素における画素開口率を高めるため
に、対向基板側の遮光膜だけで画素開口領域を規定する
のではなく、データ線をＡｌ（アルミニウム）等の遮光
性材料から画素電極の縦方向の隙間を覆うように幅広に
形成することにより、各画素開口領域を部分的に規定す
る技術も一般化している。この技術によれば、データ線
によって画素開口領域を部分的に規定するようにしたの
で、画素開口率を高めることができる。

他方、この種の電気光学装置においては、各画素電極
と、例えば各画素に設けられたＴＦＴ等のスイッチング
素子とは、相互に接続される必要があるが、両者間に
は、走査線、容量線、データ線等の配線及びこれらを相
互に電気的に絶縁するための複数の層間絶縁膜を含む、
例えば１０００ｎｍ（ナノメーター）程度又はそれ以上
に厚い積層構造が存在するため、両者間を電気的に接続
するためのコンタクトホールを開孔するのが困難とな
る。

この種の電気光学装置における表示画像の高品位化と
いう一般的な要請の下では、画素ピッチの微細化、画素
開口率の向上、画素電極への画像信号の安定供給等が重
要となる。

しかしながら、前述したデータ線で画素開口領域を部
分的に規定する技術によれば、データ線と画素電極とが
層間絶縁膜を介して部分的に重なっているため、各画素
に設けられたＴＦＴについて考えれば、上述したデータ
線と画素電極との重なりに応じてソースとドレインとの
間に寄生容量が生じてしまう。ここで一般に、データ線
を介して画像信号が供給されるＴＦＴは、１フレーム期
間に亘って画像信号に応じた一定電位を画素電極に保持
させるようにスイッチング動作するが、この期間中にデ
ータ線は、他行のＴＦＴに供給される画像信号の電位に
頻繁に振れるので、上述のソースとドレインとの間の寄
生容量により、ＴＦＴが異常動作して画素電極に保持さ
せるべき電圧がリークしてしまう。この結果、画素電極
への画像信号の供給が不安定となり、最終的には画像表
示の劣化を招くという問題点がある。

一方、この種の電気光学装置における装置構成の単純
化や低コスト化という一般的な要請の下では、何らかの
機能を付加或いは向上させる際にも、積層構造中の導電
層や絶縁膜の数をむやみに増加させないこと、或いは一
つの膜を複数機能を果たすために有効利用することが重
要となる。

本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、比
較的簡単な構成を有しており、画素開口率が高く、高品
位の画像表示が可能な電気光学装置及びその製造方法を
提供することを課題とする。

発明の開示 本発明の電気光学装置は、基板に、複数の走査線と、
複数のデータ線と、前記各走査線及び前記各データ線の
交差に対応して配置された薄膜トランジスタと、前記薄
膜トランジスタに対応して配置された画素電極と、前記
薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域を構成する
半導体層と前記画素電極との間に介在し、前記半導体層
と電気的に接続され且つ前記画素電極と電気的に接続さ
れた遮光性の第１導電層と、前記第１導電層と同一膜か
らなり、平面的に見て前記データ線に少なくとも部分的
に重なっている第２導電層とを備え、前記データ線は前
記薄膜トランジスタのチャネル領域に重なり、前記第１
導電層と前記第２導電層は前記データ線よりも下層に設
けられていることを特徴とする。

本発明の電気光学装置の構成によれば、第１導電層
は、半導体層と画素電極との間に介在しており、一方で
半導体層と電気的に接続されており、他方で、画素電極
と電気的に接続されている。従って、第１導電層は、画
素電極と半導体層のドレイン領域とを電気的に接続する
ための中継用の導電層として機能し、例えば、両者間を
一つのコンタクトホールを介して直接接続する場合の困
難性を回避することが可能となる。

また、第２導電層は平面的に見て前記データ線に少な
くとも部分的に重なっているため、データ線に加えて第
２導電層により各画素の遮光を冗長させることが可能と
なる。

本発明の電気光学装置の一の態様において、前記第２
導電層は平面的に見て少なくとも部分的に前記画素電極
に重なっている。

この構成によれば、平面的に見て少なくとも部分的に
隣接する画素電極の間に形成される第２導電層は、特に
画素電極に重なっている。このため、この画素電極と部
分的に重なった第２導電層部分により、各画素における
画素開口領域を少なくとも部分的に規定できる。この際
特に、第２導電層により画素開口領域が規定された個所
では、平面的に見て画素電極と第２導電層との間に隙間
はないため、そのような隙間を介しての光漏れは起こら
ない。この結果、最終的には、コントラスト比が高めら
れる。同時に、第２導電層により画素開口領域が規定さ
れた個所では、従来のようにデータ線で画素開口領域を
規定する必要はないため、データ線と画素電極とを重ね
る必要もなくなる。この結果、データ線と画素電極とが
層間絶縁膜を介して重なる構造により、各画素における
薄膜トランジスタのソースとドレインとの間の寄生容量
を発生させないで済む。このため、１フレーム等の所定
周期内に他行の薄膜トランジスタに供給される画像信号
の電位に頻繁に振れるデータ線の当該電位揺れに起因し
て、上述のソースとドレインとの間の寄生容量により薄
膜トランジスタが異常動作して、画素電極に保持させる
べき電圧がリークする事態を未然に防げる。即ち、画像
信号に応じた一定電位を画素電極に保持させるように薄
膜トランジスタはスイッチング動作し、データ線及び薄
膜トランジスタを介して画素電極へ画像信号へ安定供給
でき、最終的には、フリッカやラインムラの低減により
表示画像の高品位化が可能となる。

更に、第１導電層に、薄膜トランジスタと画素電極と
を中継する機能を持たせると共に、この第１導電層と同
一膜からなる第２導電層に、画像信号の安定供給を可能
ならしめつつ画素開口領域を規定する機能を持たせてい
るので、全体として、積層構造及び製造プロセスの単純
化並びに低コスト化を図れる。

本発明の電気光学装置の他の態様において、前記第１
導電層は、前記半導体層と第１コンタクトホールを介し
て電気的に接続され且つ前記画素電極と第２コンタクト
ホールを介して電気的に接続される。

この構成によれば、画素電極から半導体層のドレイン
領域まで一つのコンタクトホールを開孔する場合と比較
して、コンタクトホールの径を小さくできる。即ち、一
般にコンタクトホールを深く開孔する程、エッチング精
度は落ちるため、薄い半導体層における突き抜けを防止
するために、コンタクトホールの径を小さくできるドラ
イエッチングを途中で停止して、最終的にウエットエッ
チングで半導体層まで開孔するように工程を組まねばな
らないので、指向性のないウエットエッチングによりコ
ンタクトホールの径が広がらざるを得ないのである。こ
れに対して本態様では、画素電極と半導体層間を２つの
直列の第１及び第２コンタクトホールにより接続すれば
よいので、各コンタクトホールをドライエッチングによ
り開孔することが可能となるか、或いは少なくともウエ
ットエッチングにより開孔する距離を短くすることが可
能となる。この結果、各コンタクトホールの径を夫々小
さくでき、第１又は第２コンタクトホールの上方に位置
する画素電極部分における平坦化が促進される。

本発明の電気光学装置の他の態様によれば、前記デー
タ線は、前記半導体層と第３コンタクトホールを介して
電気的に接続される。

この構成によれば、データ線と半導体層のソース領域
との電気的な接続が第３コンタクトホールを介して良好
に得られる。

本発明の電気光学装置の他の態様によれば、前記デー
タ線は、平面的に見て前記画素電極に少なくとも部分的
に重ならない。

この構成によれば、データ線と画素電極とはできるだ
け重ならないように形成することで、データ線と画素電
極とを重ねるようにした場合と比較して、データ線と画
素電極との間における寄生容量を確実に低減できる。従
って、特に画素電極における電圧が安定してフリッカや
ラインムラを低減できる。

更に、データ線と画素電極とが層間絶縁膜を介して重
なった個所において発生する可能性が高い両者間の電気
的ショート（短絡）等の欠陥の発生を抑えることがで
き、最終的には装置欠陥率の低下、製造時の歩留まり向
上が図られる。

本発明の電気光学装置の他の態様によれば、前記第２
導電層は、定電位線に電気的に接続されている。

この構成によれば、少なくとも部分的に重なっている
画素電極と第２導電層との間には、多少の寄生容量が付
くが、第２導電層の電位が定電位に保たれている。この
ため、画素電極と第２導電層との間の寄生容量を介し
て、第２導電層の電位変動が画素電極の電位に及ぼす悪
影響を低減でき、画素電極における電圧がより安定して
フリッカやラインムラを更に低減できる。

本発明の電気光学装置の他の態様によれば、前記半導
体層のうち少なくともチャネル領域の前記基板側に下地
絶縁膜を介して形成された遮光膜を更に備える。

この構成によれば、半導体層のうち少なくともチャネ
ル領域の基板側に下地絶縁膜を介して形成された遮光膜
により、ＴＦＴアレイ基板側からの光に対するチャネル
領域の遮光を行うことができる。このため、当該電気光
学装置の動作時において、投射光、裏面反射光、反射光
等の薄膜トランジスタへの光照射に起因して発生する、
チャネル領域における光リークを低減し、薄膜トランジ
スタの特性変化や劣化を低減しつつ高品位の画像表示が
可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様によれば、前記第１
導電層及び前記第２導電層は、高融点金属を含む。

この構成によれば、第１導電層及び第２導電層は、例
えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングス
テン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）及びＰ
ｂ（鉛）のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合
金、金属シリサイド等からなる。このため、製造プロセ
スにおいて第１導電層及び第２導電層形成後に行われる
各種工程における高温処理で当該第１導電層及び第２導
電層が変形したり破壊したりすることはない。

本発明の電気光学装置の他の態様によれば、前記第２
導電層と前記データ線とは、層間絶縁膜を介して少なく
とも部分的に対向配置される。

この構成によれば、保持すべき画像信号に応じて電位
が変動する画素電極との間ではなく、電位がより安定し
た第２導電層との間で、データ線に容量が付加されるの
で、データ線の電位揺れを招かないようにしつつ適度に
増加させることが可能となる。特に画素ピッチを微細化
して、これに伴いデータ線幅を微細化しても、第２導電
層との間の容量を増加させることにより、データ線の容
量不足を抑えることができ、当該データ線を介しての画
像信号の画素電極への供給における書き込み能力不足を
阻止できる。

本発明の電気光学装置の他の態様によれば、前記画素
電極に接続された蓄積容量を更に備える。

この構成によれば、蓄積容量により、画素電極におけ
る画像信号の電圧保持時間を遥か長くすることができ、
コントラスト比を非常に効率良く高められる。

この態様では、前記第１導電層及び第２導電層は、前
記走査線及び前記蓄積容量の一方の電極上に絶縁膜を介
して設けられてもよい。

この構成によれば、走査線及び蓄積容量の一方の電極
上に絶縁膜を介して設けられた第１導電層により、画素
電極と半導体層とを中継可能であり、走査線及び蓄積容
量の一方の電極上に絶縁膜を介して設けられた第２導電
層により、画素開口領域を規定可能であり、更に第２導
電層と蓄積容量の一方の電極との間で容量を簡単に構成
可能となる。

この蓄積容量を更に備えた態様では、前記半導体層の
一部からなる第１蓄積容量電極と前記蓄積容量の一方の
電極である第２蓄積容量電極とが第１誘電体膜を介して
対向配置され、前記第２蓄積容量電極と前記第１導電層
の一部からなる第３蓄積容量電極とが前記絶縁膜である
第２誘電体膜を介して対向配置されて前記蓄積容量が形
成されてもよい。

この構成によれば、半導体層の一部からなる第１蓄積
容量電極と蓄積容量の一方の電極である第２蓄積容量電
極とが第１誘電体膜を介して対向配置され、第１の蓄積
容量が構成され、他方で、第２蓄積容量電極と第１導電
層の一部からなる第３蓄積容量電極とが第２誘電体膜を
介して対向配置されて第２の蓄積容量が構成される。そ
して、これら第１及び第２の蓄積容量から各画素電極に
蓄積容量が形成されるので、非画素開口領域を有効利用
して、しかも立体的な構造を利用して比較的大容量の蓄
積容量を構築できる。

この蓄積容量を更に備えた態様では、前記第２導電層
は、前記第２蓄積容量電極に接続されてもよい。

この構成によれば、少なくとも部分的に重なっている
画素電極と第２導電層との間には、多少の寄生容量が付
くが、第２導電層の電位が第２蓄積容量電極の電位に保
たれる。

このように第２導電層を第２蓄積容量電極に接続する
場合には、前記第２導電層は、第４コンタクトホールを
介して前記第２蓄積容量電極に接続されており、前記第
４コンタクトホールは、前記第１コンタクトホールを開
孔する工程と同一工程により開孔されてもよい。

この構成によれば、比較的容易に第２導電層を第２蓄
積容量電極に接続でき、しかも、第１コンタクトホール
を開孔するのと同時に第４コンタクトホールを開孔する
ので、製造プロセスの単純化に役立つ。

ここの第２蓄積容量電極は延設されて容量線としても
よい。

この構成によれば、容量線は、定電位とされるか、或
いは少なくとも大容量でありその電位変動は小さい。こ
のため、画素電極と第２導電層との間の寄生容量を介し
て、第２導電層の電位変動が画素電極の電位に及ぼす悪
影響を低減できる。

この第２蓄積容量電極は遮光膜と接続されていても良
い。

この構成によれば、第２蓄積容量電極及び遮光膜の電
位を同一にでき、第２蓄積容量電極及び遮光膜のいずれ
か一方を所定電位とする構成を採れば、他方の電位も所
定電位とできる。この結果、第２蓄積容量電極や遮光膜
における電位揺れによる悪影響を低減できる。また、遮
光膜からなる配線と容量線とを相互に冗長配線として機
能させることができる。

この遮光膜は容量線を兼ね、前記第２蓄積容量電極
は、前記基板上における平面形状が相隣接するデータ線
間を前記走査線に沿って伸び、各画素電極毎に島状に構
成されているとともに、前記遮光膜に接続されていても
よい。

この構成によれば、第２蓄積容量電極を画素電極毎に
島状に構成することができるため、画素開口率を向上さ
せることができる。また、第２蓄積容量も配線とすれ
ば、遮光膜とともに容量線の冗長配線にすることができ
る。

さらに、前記遮光膜は、前記第４コンタクトホールと
は異なる平面位置に開孔された第５コンタクトホールを
介して前記容量線に電気的に接続されてもよい。

この構成によれば、半導体層のうち少なくともチャネ
ル領域の基板側に下地絶縁膜を介して形成された遮光膜
により、基板側からの光に対するチャネル領域の遮光を
行うことができる。しかも、遮光膜は、導電性であり、
第５コンタクトホールを介して容量線に接続されている
ので、遮光膜を容量線の冗長配線として機能させること
が可能となり、容量線の低抵抗化を図ることにより容量
線の電位をより安定化させることにより、最終的には、
表示画像の高品位化を図れる。また、第４コンタクトホ
ールと第５コンタクトホールは、異なる平面位置に形成
することにより、第４コンタクトホール及び第５コンタ
クトホールにおける接続不良を防止することができる。

さらに、前記第２導電層と前記遮光膜とは前記第２蓄
積容量電極を介して電気的に接続されてなり、前記第２
導電層と前記遮光膜とは隣接する画素電極に接続されて
いてもよい。

この構成によれば、第２導電層を容量線として利用す
ることができる。また、第２蓄積容量電極を容量線と
し、第２導電層と第２蓄積容量電極とを接続することに
より、容量線を２重で形成することができ、冗長構造が
実現できる。

本発明の電気光学装置の他の態様によれば、前記第１
導電層及び前記第２導電層は、前記データ線よりも下層
に設けられている。

この構成によれば、データ線よりも下層に設けられた
第１導電層により、画素電極と半導体層とを中継可能で
あり、データ線よりも下層に設けられた第２導電層によ
り、画素開口領域を規定可能であり、更に第１導電層と
第２蓄積容量電極との間で容量を簡単に構成可能とな
る。

本発明の電気光学装置の他の態様によれば、前記第２
導電層は、平面的に見て島状に設けられており、画素開
口領域のうち前記データ線に沿った領域を少なくとも部
分的に規定する。

この構成によれば、平面的に見て島状に設けられた第
２導電層により、画素開口領域のうちデータ線に沿った
領域を少なくとも部分的に規定可能である。例えば、デ
ータ線に沿った画素開口領域のうち、薄膜トランジスタ
のチャネル領域やデータ線と半導体層とを接続するコン
タクトホールが開孔された領域を除く大部分の領域に第
２導電層を形成することができ、この大部分の領域にお
ける画素開口領域を当該第２導電層で規定することが可
能である。

或いは、本発明の電気光学装置の他の態様によれば、
前記第１導電層及び前記第２導電層は、前記データ線よ
りも前記基板から遠い層として、即ち上層に設けられて
いることを特徴とする。

この構成によれば、データ線よりも基板から遠い層と
して設けられた第１導電層により、画素電極と半導体層
とを中継可能であり、データ線よりも上層に設けられた
第２導電層により、画素開口領域を規定可能である。こ
の場合特に、第２導電層を、データ線上の全領域に層間
絶縁膜を介して設けてもよいし、走査線上に層間絶縁膜
を介きて設けてもよい。また、第１導電層と画素電極と
を接続するコンタクトホールの位置は、非開口領域内で
あれば任意の位置に設定できるので、設計自由度が増し
有利である。

この態様では、前記第２導電層は、平面的に見て前記
第１導電層が存在する領域を除き前記格子状に設けられ
ており、画素開口領域の前記データ線及び前記走査線に
夫々沿った領域を規定するように構成してもよい。

この構成によれば、第２導電層は、第１導電層が存在
する領域を除き格子状に設けられているので、画素開口
領域のデータ線及び走査線に夫々沿った領域を規定する
こと、即ち画素開口領域の輪郭の全てを規定することも
可能である。尚、第１導電層と第２導電層との間隙につ
いては、例えば、対向基板側の遮光膜、薄膜トランジス
タの下側の薄膜トランジスタ、データ線の延設部分等に
より、簡単に光漏れを防止できる。

この第１導電層及び第２導電層が上層に設けられた態
様では、前記半導体層と前記第１導電層とは前記データ
線と同一膜からなる中継導電層を介して接続されていて
もよい。

この構成によれば、データ線よりも上層に設けられた
第１導電層で、画素電極からデータ線と同一層からなる
中継導電層までを電気的に接続し、この中継導電層によ
り更に半導体層までを電気的に接続するようにしての
で、二つの中継用の導電層である第１導電層と中継導電
層により、画素電極から半導体層までを良好に中継可能
となる。特にデータ線を構成するＡｌ膜と画素電極を構
成するＩＴＯ（Induim Tin Oxide）膜との電気的な相性
が悪い場合にも、これら両者と電気的に相性が良い材料
（例えば、高融点金属）から第１導電層を形成すれば良
い点で有利である。

この第１導電層及び第２導電層が上層に設けられてい
る態様では、前記画素電極に接続された蓄積容量を有
し、前記データ線は前記蓄積容量の一方の電極と前記第
２導電層との間に層間絶縁膜を介して挟持されてもよ
い。

この構成によれば、保持すべき画像信号に応じて電位
が変動する画素電極との間ではなく、電位がより安定し
た第２導電層及び蓄積容量の一方の電極との間で、デー
タ線に容量を付加させることができるので、データ線の
容量を電位揺れを招かないようにしつつ適度に増加させ
ることが可能となる。特に画素ピッチを微細化して、こ
れに伴いデータ線幅を微細化しても、第２導電層及び第
２蓄積容量電極との間での容量を増加させることによ
り、データ線の容量不足を抑えることができ、当該デー
タ線を介しての画像信号の画素電極への供給における書
き込み能力不足を阻止できる。

本発明の第１の電気光学装置の製造方法は上記課題を
解決するために、基板に複数の走査線と、複数のデータ
線と、前記各走査線と前記各データ線に対応して配置さ
れた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに対応
して配置された画素電極とを有する電気光学装置の製造
方法において、前記基板にソース領域、チャネル領域及
びドレイン領域となる半導体層を形成する工程と、前記
半導体層上に絶縁薄膜を形成する工程と、前記絶縁薄膜
上に走査線及び蓄積容量の一方の電極を形成する工程
と、前記走査線及び前記一方の電極上に第１層間絶縁膜
を形成する工程と、前記絶縁薄膜及び前記第１層間絶縁
膜に前記半導体層に通じる第１コンタクトホールを開孔
する工程と、前記第１層間絶縁膜上に、前記第１コンタ
クトホールを介して前記半導体層に電気的に接続される
ように遮光性の第１導電層と前記第１導電層と同一膜か
ら第２導電層を形成する工程と、前記第１導電層及び前
記第２導電層上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、前
記第２層間絶縁膜上に、前記半導体層のチャネル領域に
重なるようにデータ線を形成する工程と、前記データ線
上に第３層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶
縁膜及び前記第３層間絶縁膜に前記第１導電層に通じる
第２コンタクトホールを開孔する工程と、前記第２コン
タクトホールを介して前記第１導電層に電気的に接続さ
れるように画素電極を形成する工程とを有し、前記第２
導電層は、平面的に見て前記データ線に少なくとも部分
的に重なるように形成されていることを特徴とする。

本発明の第１の電気光学装置の製造方法によれば、基
板に、半導体層、絶縁薄膜、走査線及び蓄積容量の一方
の電極並びに第１層間絶縁膜がこの順で積層形成され
る。次に、絶縁薄膜及び第１層間絶縁膜に半導体層に通
じる第１コンタクトホールが開孔され、この第１コンタ
クトホールを介して半導体層に電気的に接続されるよう
に遮光性の第１導電層が形成される。同時に、この第１
導電層と同一膜から、平面的に見て画素電極が形成され
る領域の間隙内に少なくとも部分的に配置されるように
第２導電層が形成される。続いて、第２層間絶縁膜、デ
ータ線、及び第３層間絶縁膜がこの順で積層形成され
る。次に、第１導電層に通じる第２コンタクトホールが
開孔され、この第２コンタクトホールを介して第１導電
層に電気的に接続されるように画素電極が形成される。
従って、上述したデータ線よりも基板に近い層として第
１及び第２導電層を形成して二つのコンタクトホールを
介して画素電極と半導体層とを第２導電層で中継する構
成を有する本発明の電気光学装置を比較的容易に製造で
きる。特に、第１導電層と第２導電層とを同一膜から形
成するので、製造プロセスの単純化並びに低コスト化を
図れる。

本発明の第１の電気光学装置の製造方法の一の態様で
は、前記第２層間絶縁膜を形成する工程の後に、前記第
２層間絶縁膜に前記半導体層に通じる第３コンタクトホ
ールを開孔する工程を更に含み、前記データ線を形成す
る工程において、前記第３コンタクトホールを介して前
記半導体層に電気的に接続されるように前記データ線を
形成し、前記第１コンタクトホールを開孔する工程にお
いて、前記第１コンタクトホールを開孔すると同時に前
記第１層間絶縁膜に前記蓄積容量の一方の電極に通じる
第４コンタクトホールを開孔し、前記第２導電層を形成
する工程において、前記第４コンタクトホールを介して
前記蓄積容量の一方の電極に電気的に接続されるように
前記第２導電層を形成する。

この構成によれば、第２層間絶縁膜の形成後、半導体
層に通じる第３コンタクトホールが開孔され、この第３
コンタクトホールを介して半導体層に電気的に接続され
るようにデータ線が形成される。更に、第１コンタクト
ホールの開孔時に、同時に蓄積容量の一方の電極に通じ
る第４コンタクトホールが開孔され、この第４コンタク
トホールを介して蓄積容量の一方の電極に電気的に接続
されるように第２導電層が形成される。従って、上述し
たデータ線と半導体層とがコンタクトホールを介して電
気的に接続されており第２導電層と蓄積容量の一方の電
極とがコンタクトホールを介して電気的に接続された構
成を有する本発明の電気光学装置を比較的容易に製造で
きる。特に、これら二つのコンタクトホールを同時に開
孔するので、製造プロセスの単純化並びに低コスト化を
図れる。

本発明の第２の電気光学装置の製造方法は上記課題を
解決するために、基板に複数の走査線と、複数のデータ
線と、前記各走査線と前記各データ線に接続された薄膜
トランジスタと、前記薄膜トランジスタの接続された画
素電極とを有する電気光学装置の製造方法において、前
記基板にソース領域、チャネル領域及びドレイン領域と
なる半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に絶縁
薄膜を形成する工程と、前記絶縁薄膜上に走査線及び蓄
積容量の一方の電極を形成する工程と、前記走査線及び
蓄積容量の一方の電極上に第１層間絶縁膜を形成する工
程と、前記第１層間絶縁膜に前記半導体層に通じる第１
コンタクトホールを開孔する工程と、前記第１層間絶縁
膜上にデータ線を形成すると同時に前記第１コンタクト
ホールを介して前記半導体層に電気的に接続されるよう
に前記データ線と同一膜から中継導電層を形成する工程
と、前記データ線及び前記中継導電層上に第２層間絶縁
膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜に前記中継導
電層に通じる第２コンタクトホールを開孔する工程と、
前記第２層間絶縁膜上に前記第２コンタクトホールを介
して前記中継導電層に電気的に接続されるように遮光性
の第１導電層を形成すると同時に、前記第１導電層と同
一膜からなる第２導電層を前記データ線に平面的に重な
るように形成する工程と、前記第１導電層及び前記第２
導電層上に第３層間絶縁膜を形成する工程と、前記第３
層間絶縁膜に前記第１導電層に通じる第３コンタクトホ
ールを開孔する工程と、前記第３コンタクトホールを介
して前記第１導電層に電気的に接続されるように画素電
極を形成する工程とを含むことを特徴とする。

本発明の第２の電気光学装置の製造方法によれば、基
板に半導体層、絶縁薄膜、走査線及び蓄積容量の一方の
電極並びに第１層間絶縁膜がこの順で積層形成される。
次に、半導体層に通じるコンタクトホールが開孔され、
データ線が形成されると同時に半導体層に電気的に接続
されるようにデータ線と同一膜から中継導電層が形成さ
れる。次に、第２層間絶縁膜が形成された後、中継導電
層に通じるコンタクトホールが開孔され、中継導電層に
電気的に接続されるように遮光性の第１導電層が形成さ
れる。これと同時に、第１導電層と同一膜から第２導電
層が形成される。続いて、第３層間絶縁膜が形成され、
第１導電層に通じるコンタクトホールが開孔されて、第
１導電層に電気的に接続されるように画素電極が形成さ
れる。従って、上述したデータ線と同一線からなる導電
層として中継導電層を形成すると共にデータ線よりも基
板から遠い層、つまり上層として第１導電層を形成して
三つのコンタクトホールを介して画素電極と半導体層と
を中継導電層及び第１導電層で中継すると共に、画素開
口領域を第２導電層で規定する構成を有する本発明の電
気光学装置を比較的容易に製造できる。特に、第１導電
層と第２導電層とを同一膜から形成するので、製造プロ
セスの単純化並びに低コスト化を図れる。

本発明の第２の電気光学装置の製造方法の一の態様で
は、前記第１層間絶縁膜を形成する工程の後に、前記第
１層間絶縁膜に前記半導体層に通じる第４コンタクトホ
ールを開孔する工程を更に含み、前記データ線を形成す
る工程において、前記第４コンタクトホールを介して前
記半導体層に電気的に接続されるように前記データ線を
形成し、前記第２コンタクトホールを開孔する工程にお
いて、前記第２コンタクトホールを開孔すると同時に前
記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜に前記蓄積容
量の一方の電極に通じる第５コンタクトホールを開孔
し、前記第２導電層を形成する工程において、前記第５
コンタクトホールを介して前記蓄積容量の一方の電極に
電気的に接続されるように前記第２導電層を形成する。

この態様によれば、第１層間絶縁膜の形成後、半導体
層に通じる第４コンタクトホールが開孔され、半導体層
に電気的に接続されるようにデータ線が形成される。更
に、第２層間絶縁膜にコンタクトホールを開孔する時
に、同時に蓄積容量の一方の電極に通じるコンタクトホ
ールが開孔され、蓄積容量の一方の電極に電気的に接続
されるように第３導電層が形成される。従って、上述し
たデータ線と半導体層とがコンタクトホールを介して電
気的に接続されており第２導電層と蓄積容量の一方の電
極とがコンタクトホールを介して電気的に接続された構
成を有する本発明の電気光学装置を比較的容易に製造で
きる。特に、これら二つのコンタクトホールを同時に開
孔するので、製造プロセスの単純化並びに低コスト化を
図れる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する
実施の形態から明らかにする。

図面の簡単な説明 図１は、第１実施形態の電気光学装置における画像表
示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられ
た各種素子、配線等の等価回路である。

図２は、第１実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。

図４は、図２のＢ−Ｂ’断面図である。

図５は、第１実施形態の電気光学装置の製造プロセス
を順を追って示す工程図（その１）である。

図６は、第１実施形態の電気光学装置の製造プロセス
を順を追って示す工程図（その２）である。

図７は、第１実施形態の電気光学装置の製造プロセス
を順を追って示す工程図（その３）である。

図８は、第１実施形態の電気光学装置の製造プロセス
を順を追って示す工程図（その４）である。

図９は、第２実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

図１０は、図１０のＡ−Ａ’断面図である。

図１１は、図１０のＢ−Ｂ’断面図である。

図１２は、第３実施形態の電気光学装置の断面図であ
る。

図１３は、第４実施形態の電気光学装置におけるデー
タ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴ
アレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

図１４は、図１３のＡ−Ａ’断面図である。

図１５は、図１３のＢ−Ｂ’断面図である。

図１６は、各実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴ
アレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向
基板の側から見た平面図である。

図１７は、図１６のＨ−Ｈ’断面図である。

図１８は、本発明による電子機器の実施の形態の概略
構成を示すブロック図である。

図１９は、電子機器の一例としてプロジェクタを示す
断面図である。

図２０は、電子機器の他の例としてのパーソナルコン
ピュータを示す正面図である。

符号の説明 １ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…第１蓄積容量電極 ２…絶縁薄膜 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量線 ４…第２層間絶縁膜 ５…コンタクトホール ６ａ…データ線 ６ｂ…中継導電層 ７…第３層間絶縁膜 ８ａ…コンタクトホール ８ｂ…コンタクトホール ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…第１遮光膜 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…第２遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ７０ａ…第１蓄積容量 ７０ｂ…第２蓄積容量 ８０ａ…第１バリア層 ８０ｂ…第２バリア層 ８１…第１層間絶縁膜 ８８ａ…コンタクトホール ８８ｂ…コンタクトホール ８８ｃ…コンタクトホール ８８ｄ…コンタクトホール 発明を実施するための最良の形態 以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

（第１実施形態） 本発明の第１実施形態における電気光学装置の構成に
ついて、図１から図４を参照して説明する。図１は、電
気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形
成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回
路であり、図２は、データ線、走査線、画素電極等が形
成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の
平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’断面図であり、
図４は、図２のＢ−Ｂ’断面図である。尚、図３及び図
４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度
の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならし
めてある。

図１において、本実施形態における電気光学装置の画
像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の
画素は、走査線３ａとデータ線６ａの交差に対応して画
素電極９ａを制御するためのＴＦＴ３０がマトリクス状
に複数形成されており、画像信号が供給されるデータ線
６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されてい
る。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、
Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣
接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に
供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のデータ
に走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミ
ングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、
…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成され
ている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気
的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３
０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、デ
ータ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ
ｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介し
て電気光学物質の一例として液晶に書き込まれた所定レ
ベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後
述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一
定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルによ
り分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変
調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモー
ドであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶
部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードで
あれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分
を通過可能とされ、全体として電気光学装置からは画像
信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここ
で、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、
画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と
並列に蓄積容量７０を付加する。例えば、画素電極９ａ
の電圧は、ＴＦＴ３０のソースに画像信号が印加された
時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持
される。これにより、保持特性は更に改善され、コント
ラスト比の高い電気光学装置が実現できる。

図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上に
は、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部
９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、
画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、
走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線
６ａは、コンタクトホール５を介して例えばポリシリコ
ン膜からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域に電
気的に接続されている。相隣接する画素電極９ａ間の間
隙における走査線３ａに沿った領域及びデータ線６ａに
沿った領域（図中右上がりの斜線で示した領域）には夫
々、島状の第１導電層（以下、第１バリア層と称す）８
０ａ及び第２導電層（以下、第２バリア層と称す）８０
ｂが設けられている。本実施形態では特に、第１バリア
層８０ａ及び第２バリア層８０ｂは同一の遮光性の導電
膜から形成されている。画素電極９ａは、第１バリア層
８０ａを中継して、コンタクトホール８ａ並びにコンタ
クトホール８ｂを介して半導体層１ａのうち後述のドレ
イン領域に電気的に接続されている。容量線３ｂは、第
２バリア層８０ｂにコンタクトホール８ｃを介して電気
的に接続されている。また、半導体層１ａのうち図中右
下がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向す
るように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲ
ート電極として機能する。このように、走査線３ａとデ
ータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１
ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画
素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。

容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸び
る本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線
６ａに沿って突出した突出部とを有する。

特に、第１バリア層８０ａは夫々、コンタクトホール
８ａにより半導体層１ａのドレイン領域に電気的に接続
されており、コンタクトホール８ｂにより画素電極９ａ
に電気的に接続されており、半導体層１ａのドレイン領
域と画素電極９ａとの間におけるバッファとして機能し
ている。この第１バリア層８０ａ、コンタクトホール８
ａ並びにコンタクトホール８ｂについては後に詳述す
る。

また、図中太線で示した領域には夫々、走査線３ａ、
容量線３ｂ及びＴＦＴ３０の下側を通るように、第１遮
光膜１１ａを設けても良い。第１遮光膜１１ａは夫々、
走査線３ａに沿って縞状に形成するとともに、データ線
６ａと交差する箇所が図中下方に幅広に形成し、この幅
広の部分により画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネ
ル領域１ａ’をＴＦＴアレイ基板側から見て夫々覆う位
置に設けるようにすると良い。

次に図３の断面図に示すように、電気光学装置は、透
明な一方の基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０
と、これに対向配置される透明な他方の基板の一例を構
成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板
１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板か
らなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板
からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが
設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定
の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画
素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜か
らなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜など
の有機薄膜からなる。

他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極
２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等
の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられてい
る。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性
薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド薄膜など
の有機薄膜からなる。

ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９ａに隣接す
る位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素
スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。

対向基板２０には、更に図３に示すように、各画素の
非開口領域に、第２遮光膜２３が設けられている。この
ため、対向基板２０の側から入射光が画素スイッチング
用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低
濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入
することはない。更に、第２遮光膜２３は、コントラス
トの向上、カラーフィルタを形成した場合における色材
の混色防止などの機能を有する。

このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１と
が対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた
空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶
層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａから
の電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２に
より所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種
又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からな
る。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２
０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化
性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間
の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガ
ラスビーズ等のギャップ材が混入されている。

更に図３に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３
０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０と
各画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１遮光
膜１１ａを設けるようにすると良い。第１遮光膜１１ａ
は、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含
む。金属単体、合金、金属シリサイド等から構成され
る。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板
１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画
素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処
理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しない
ようにできる。第１遮光膜１１ａが形成されているの
で、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの反射光（戻り光）
等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１
ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ
に入射する事態を未然に防ぐことができ、これに起因し
た光による電流の発生により画素スイッチング用ＴＦＴ
３０の特性が変化したり、劣化することはない。

尚、縞状に形成された第１遮光膜１１ａは、例えば走
査線３ａ下に延設されて、定電位線に電気的に接続され
てもよい。このように構成すれば、第１遮光膜１１ａに
対向配置される画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対し第
１遮光膜１１ａの電位変動が悪影響を及ぼすことはな
い。この場合、定電位線としては、当該電気光学装置を
駆動するための周辺回路（例えば、走査線駆動回路、デ
ータ線駆動回路等）に供給される負電源、正電源等の定
電位線、接地電源、対向電極２１に供給される定電位線
等が挙げられる。尚、第１遮光膜１１ａはデータ線６ａ
及び走査線３ａに沿って格子状で形成しても良いし、少
なくとも画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域
１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１
ｃを覆うように島状に形成しても良い。

更に、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイッチング用
ＴＦＴ３０との間には、下地絶縁膜１２が設けられてい
る。下地絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０
を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的
に絶縁するために設けられるものである。更に、下地絶
縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成される
ことにより、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のための下
地膜としての機能をも有する。即ち、ＴＦＴアレイ基板
１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ
等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止
する機能を有する。下地絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ
（ノンドーブトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリ
ケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、
ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁
性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等から
なる。下地絶縁膜１２により、第１遮光膜１１ａが画素
スイッチング用ＴＦＴ３０等を汚染する事態を未然に防
ぐこともできる。

本実施形態では、半導体層１ａを高濃度ドレイン領域
１ｅから延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、これに対
向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とし、ゲー
ト絶縁膜を含んだ絶縁薄膜２を走査線３ａに対向する位
置から延設してこれらの電極間に挟持された第１誘電体
膜とすることにより、第１蓄積容量７０ａが構成されて
いる。更に、この第２蓄積容量電極と対向する第１バリ
ア層８０ａの一部を第３蓄積容量電極とし、これらの電
極間に第１層間絶縁膜８１を設ける。第１層間絶縁膜８
１は第２誘電体膜として機能し、第２蓄積容量７０ｂが
形成されている。そして、これら第１蓄積容量７０ａ及
び第２蓄積容量７０ｂがコンタクトホール８ａを介して
並列接続されて蓄積容量７０が構成されている。特に第
１蓄積容量７０ａの第１誘電体膜としての絶縁薄膜２
は、高温酸化によりポリシリコン膜上に形成されるＴＦ
Ｔ３０のゲート絶縁膜に他ならないので、薄く且つ高耐
圧の絶縁膜とすることができ、第１蓄積容量７０ａは比
較的小面積で大容量の蓄積容量として構成できる。ま
た、第１層間絶縁膜８１も、絶縁薄膜２と同様に或いは
絶縁薄膜２よりも薄く形成することができるので、第２
蓄積容量７０ｂは比較的小面積で大容量の蓄積容量とし
て構成できる。従って、これら第１蓄積容量７０ａ及び
第２蓄積容量７０ｂから立体的に構成される蓄積容量７
０は、データ線６ａ下の領域及び走査線３ａに沿って液
晶のディスクリネーションが発生する領域（即ち、容量
線３ｂが形成された領域）という画素開口領域を外れた
スペースを有効に利用して、小面積で大容量の蓄積容量
とされる。

このように第２蓄積容量７０ｂを構成する第１層間絶
縁膜８１は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等でもよ
いし、多層膜から構成してもよい。一般にゲート絶縁膜
等の絶縁薄膜２を形成するのに用いられる各種の公知技
術(減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法等）に
より、第１層間絶縁膜８１を形成可能である。第１層間
絶縁膜８１を薄く形成することにより、コンタクトホー
ル８ａの径を更に小さく出来るので、前述したコンタク
トホール８ａにおける第１バリア層８０ａの窪みや凹凸
が更に小さくて済み、その上方に位置する画素電極９ａ
における平坦化が更に促進される。

図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、Ｌ
ＤＤ(Lightly Doped Drain)構造を有しており、走査線
３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成
される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａ
と半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄
膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃
度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備え
ている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極
９ａのうちの対応する一つが第１バリア層８０ａを中継
して電気的に接続されている。低濃度ソース領域１ｂ及
び高濃度ソース領域１ｄ並びに低濃度ドレイン領域１ｃ
及び高濃度ドレイン領域１ｅは後述のように、半導体層
１ａに対し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形成するかに応
じて所定濃度のｎ型用又はｐ型用の不純物をドープする
ことにより形成されている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、
動作速度が速いという利点があり、画素のスイッチング
素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０として用いら
れることが多い。本実施形態では特にデータ線６ａは、
Ａｌ等の低抵抗な金属膜や金属シリサイド等の合金膜な
どの遮光性且つ導電性の薄膜から構成されている。ま
た、第１バリア層８０ａ及び第１層間絶縁膜８１の上に
は、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５
及び第１バリア層８０ａへ通じるコンタクトホール８ｂ
が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。
この高濃度ソース領域１ｄへのコンタクトホール５を介
して、データ線６ａは高濃度ソース領域１ｄに電気的に
接続されている。更に、データ線６ａ及び第２層間絶縁
膜４の上には、第１バリア層８０ａへのコンタクトホー
ル８ｂが形成された第３層間絶縁膜７が形成されてい
る。このコンタクトホール８ｂを介して、画素電極９ａ
は第１バリア層８０ａに電気的に接続されており、更に
第１バリア層８０ａを中継してコンタクトホール８ａを
介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されてい
る。前述の画素電極９ａは、このように構成された第３
層間絶縁膜７の上面に設けられている。

画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは上述の
ようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び
低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わない
オフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部から
なるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込
み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成
するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

また本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０
のゲート電極と高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイ
ン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造と
したが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置して
もよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印
加されるようにする。このようにデュアルゲート或いは
トリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルと
ソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止
でき、オフ時の電流を低減することができる。これらの
ゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセ
ット構造にすれば、更にオフ電流を低減でき、安定した
スイッチング素子を得ることができる。

図２及び図３に示すように、本実施形態の電気光学装
置では、高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとをコ
ンタクトホール８ａ及びコンタクトホール８ｂを介して
第１バリア層８０ａを経由して電気的に接続するので、
画素電極９ａからドレイン領域まで一つのコンタクトホ
ールを開孔する場合と比較して、コンタクトホール８ａ
及びコンタクトホール８ｂの径を夫々小さくできる。即
ち、一つのコンタクトホールを開孔する場合には、コン
タクトホールを深く開孔する程エッチング精度は落ちる
ため、例えば５０ｎｍ程度の非常に薄い半導体層１ａに
おける突き抜けを防止するためには、コンタクトホール
の径を小さくできるドライエッチングを途中で停止し
て、最終的にウエットエッチングで半導体層１ａまで開
孔するように工程を組まねばならない。或いは、ドライ
エッチングによる突き抜け防止用のポリシリコン膜を別
途設けたりする必要が生じてしまうのである。

これに対して本実施形態では、画素電極９ａ及び高濃
度ドレイン領域１ｅを２つの直列なコンタクトホール８
ａ及びコンタクトホール８ｂにより接続すればよいの
で、これらコンタクトホール８ａ及びコンタクトホール
８ｂを夫々、ドライエッチングにより開孔することが可
能となるのである。或いは、少なくともウエットエッチ
ングにより開孔する距離を短くすることが可能となるの
である。但し、コンタクトホール８ａ及びコンタクトホ
ール８ｂに、若干のテーパを付けるために、ドライエッ
チング後に敢えて比較的短時間のウエットエッチングを
行うようにしてもよい。

以上のように本実施形態によれば、コンタクトホール
８ａ及びコンタクトホール８ｂの径を夫々小さくでき、
コンタクトホール８ａにおける第１バリア層８０ａの表
面に形成される窪みや凹凸も小さくて済むので、その上
方に位置する画素電極９ａの部分における平坦化が、あ
る程度促進される。更に、第２コンタクトホール８ｂに
おける画素電極９ａの表面に形成される窪みや凹凸も小
さくて済むので、この画素電極９ａの部分における平坦
化が、ある程度促進される。

本実施形態では特に、第１バリア層８０ａは、導電性
の遮光膜からなる。従って、第１バリア層８０ａによ
り、各画素開口領域を少なくとも部分的に規定すること
が可能となる。例えば、第１バリア層８０ａは、不透明
な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰ
ｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金
属シリサイド等から構成するようにする。これにより、
コンタクトホール８ｂを介して第１バリア層８０ａ及び
画素電極９ａ間で良好に電気的な接続がとれる。第１バ
リア層８０ａの膜厚は、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ
以下程度とするのが好ましい。５０ｎｍ程度の厚みがあ
れば、製造プロセスにおける第２コンタクトホール８ｂ
の開孔時に突き抜ける可能性は低くなり、また５００ｎ
ｍ程度であれば第１バリア層８０ａの存在に起因した画
素電極９ａの表面の凹凸は問題とならないか或いは比較
的容易に平坦化可能だからである。

更に本実施形態では、各画素における画素開口領域の
うち、データ線６ａに沿った領域の左右辺を、データ線
６ａに沿って長手状に伸びる島状の第２バリア層８０ｂ
及びコンタクトホール５周辺におけるデータ線６ａ部分
から規定しており、各画素における画素開口領域のう
ち、走査線３ａ及び容量線３ｂに沿った領域の上辺及び
下辺を第１バリア層８０ａ及び第１遮光膜１１ａにより
夫々規定している。

より具体的には図２及び図４に示すように、第２バリ
ア層８０ｂは、平面的に見て部分的に画素電極９ａの間
隙内に配置されており、画素電極９ａに部分的にも重な
っている。このため、この画素電極９ａと第２バリア層
８０ｂを一部重ねることにより、各画素における画素開
口領域の左右辺の大部分を規定できる。この際特に、第
２バリア層８０ｂにより画素開口領域が規定された個所
では、平面的に見て画素電極９ａと第２バリア層８０ｂ
との間に隙間はないため、そのような隙間を介しての光
漏れは起こらない。この結果、最終的には、コントラス
ト比が高められる。同時に、第２バリア層８０ｂにより
画素開口領域が規定された個所では、データ線６ａで画
素開口領域を規定する必要はないため、この個所では、
データ線６ａの幅は、第２バリア層８０ｂの幅よりも若
干細められている。この結果、図４に示すように、デー
タ線６ａと画素電極９ａとが第３層間絶縁膜７を介して
重ならないようにすることにより、各画素におけるＴＦ
Ｔ３０のソースとドレインとの間の寄生容量を発生させ
ないで済む。このため、１フレーム等の所定周期内に他
行のＴＦＴ３０に供給される画像信号の電位に頻繁に振
れるデータ線６ａの当該電位揺れに起因して、上述のソ
ースとドレインとの間の寄生容量によりＴＦＴ３０が異
常動作して、画素電極９ａに保持させるべき電圧がリー
クする事態を未然に防げる。これらの結果、表示画像に
おけるフリッカやラインムラを低減できる。但し、第２
バリア層８０ｂが存在しないコンタクトホール５周辺の
比較的小さい領域では、データ線６ａの幅を若干太める
ようにして、データ線６ａにより画素開口領域を規定し
てもよい。

また、以上のように画素開口領域を規定するように構
成すれば、対向基板２０に第２遮光膜２３を形成しなく
て済むため、対向基板のコストを削減することが可能で
ある。更に、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との
アライメントずれによる画素開口率の低下やばらつきを
防ぐことができる。また、対向基板２０に第２遮光膜２
３を設ける場合は、ＴＦＴアレイ基板１０とのアライメ
ントずれにより画素開口率を低減しないように小さめに
形成しても上述のようにデータ線６ａ、第１バリア層８
０ａ及び第２バリア層８０ｂ並びに第１遮光膜１１ａと
いうＴＦＴアレイ基板１０側に形成された遮光性の膜に
より画素開口部を規定するため、精度よく画素開口部を
規定することができ、対向基板２０上の第２遮光膜２３
により画素開口部を決める場合に比べて画素開口率を向
上させることができる。

更に図２及び図４に示したようにデータ線６ａの幅を
若干狭めて画素電極９ａの縁部分と重ならない構成とす
ることにより、データ線６ａと画素電極９ａとが第３層
間絶縁膜７を介して重なった個所において発生する可能
性が高い両者間の電気的ショート（短絡）等の欠陥の発
生を抑えることができ、最終的には装置欠陥率の低下、
製造時の歩留まり向上が図られる。

第２バリア層８０ｂは、好ましくは、容量線３ｂや他
の定電位線に電気的に接続される。即ち、第２バリア層
８０ｂの縁部分と画素電極９ａの縁部分が重なるため
に、両者間には多少の寄生容量が付加されるが、第２バ
リア層８０ｂの電位が一定電位に保たれていれば、第２
バリア層８０ｂの電位変動が画素電極９ａの電位に及ぼ
す悪影響を低減できる。尚、第２バリア層８０ｂと容量
線３ｂとを電気的に接続するためのコンタクトホール８
ｃは、本実施形態では、コンタクトホール８ａを開孔す
る工程と同一工程により開孔可能であり、製造プロセス
の複雑化を招かない。尚、この場合、第２バリア層８０
ｂは、各画素毎に、コンタクトホール８ｃを介して容量
線３ｂに電気的に接続される。

更にまた上述の如く第２バリア層８０ｂとデータ線６
ａとが第２層間絶縁膜４を介して対向配置された構成に
おいては、データ線６ａには、電位がより安定した第２
バリア層８０ｂとの間で容量が付加される。このため、
データ線６ａの容量を電位揺れを招かないような適度な
大きさに設定できる。特に画素ピッチを微細化して、こ
れに伴いデータ線６ａの幅を微細化しても、第２バリア
層８０ｂとの間の容量を増加させることにより、データ
線６ａの容量不足を抑えることができる。これにより、
データ線６ａを介しての画像信号の画素電極９ａへの供
給における書き込み能力不足を阻止できる。言い換えれ
ば、特に画素ピッチを微細化する際に有利な、データ線
６ａがノイズに対して強くなる構造が比較的容易に得ら
れる。

尚、本実施形態の各コンタクトホール（８ａ、８ｂ、
８ｃ及び５）の平面形状は、円形や四角形或いはその他
の多角形状等でもよいが、円形は特にコンタクトホール
の周囲の層間絶縁膜等におけるクラック防止に役立つ。
そして、良好に電気的な接続を得るために、ドライエッ
チング後にウエットエッチングを行って、これらのコン
タクトホールに夫々若干のテーパをつけることが好まし
い。

以上説明したように第１実施形態の電気光学装置によ
れば、第１バリア層８０ａに、ＴＦＴ３０と画素電極９
ａとを中継する機能を持たせると共に、この第１バリア
層８０ａと同一膜からなる第２バリア層８０ｂに、画像
信号の安定供給を可能ならしめつつ画素開口領域を規定
する機能を持たせているので、全体として、積層構造及
び製造プロセスの単純化並びに低コスト化を図れる。

（第１実施形態における電気光学装置の製造プロセス） 次に、以上のような構成を持つ実施形態における電気
光学装置を構成するＴＦＴアレイ基板の製造プロセスに
ついて、図５から図８を参照して説明する。尚、図５か
ら図８は各工程におけるＴＦＴアレイ基板側の各層を、
図３と同様に図２のＡ−Ａ’断面に対応させて示す工程
図である。

先ず図５の工程（１）に示すように、石英基板、ハー
ドガラス基板、シリコン基板等のＴＦＴアレイ基板１０
を用意する。ここで、好ましくはＮ_２（窒素）等の不活
性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温で熱処理
し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ
基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理してお
く。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理され
る温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ
温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。そして、この
ように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ等の金属や金属シリ
サイド等の金属合金膜を、スパッタリング等により、１
００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは約２００ｎｍ
の膜厚の遮光膜１１を形成する。尚、遮光膜１１上に
は、表面反射を緩和するためにポリシリコン膜等の反射
防止膜を形成しても良い。

次に工程（２）に示すように、該形成された遮光膜１
１上にフォトリソグラフィにより第１遮光膜１１ａのパ
ターンに対応するレジストマスクを形成し、該レジスト
マスクを介して遮光膜１１に対しエッチングを行うこと
により、第１遮光膜１１ａを形成する。

次に工程（３）に示すように、第１遮光膜１１ａの上
に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ
（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ
（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テ
トラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用い
て、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシ
リケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラ
ス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの
シリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜
等からなる下地絶縁膜１２を形成する。この下地絶縁膜
１２の膜厚は、例えば、約５００〜２０００ｎｍとす
る。

次に工程（４）に示すように、下地絶縁膜１２の上
に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較
的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎの
モノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ
（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、ア
モルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気
中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好まし
くは、４〜６時間の熱処理を施すことにより、ポリシリ
コン膜１を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１
００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。固相成長さ
せる方法としては、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal)を
使った熱処理でも良いし、エキシマレーザー等を用いた
レーザー熱処理でも良い。

この際、図３に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０
として、ｎチャネル型の画素スイッチング用ＴＦＴ３０
を作成する場合には、当該チャネル領域にＳｂ（アンチ
モン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素の不
純物を僅かにイオン注入等によりドープしても良い。ま
た、画素スイッチング用ＴＦＴ３０をｐチャネル型とす
る場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ
（インジウム）などのIII族元素の不純物を僅かにイオ
ン注入等によりドープしても良い。尚、アモルファスシ
リコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコ
ン膜１を直接形成しても良い。或いは、減圧ＣＶＤ法等
により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち
込んで一旦非晶質化し、その後熱処理等により再結晶化
させてポリシリコン膜１を形成しても良い。

次に工程（５）に示すように、フォトリソグラフィ工
程、エッチング工程等により、第１蓄積容量電極１ｆを
含む所定パターンを有する半導体層１ａを形成する。

次に工程（６）に示すように、画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０を構成する半導体層１ａを約９００〜１３００
℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化
することにより、約３０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化
シリコン膜２ａを形成し、更に工程（７）に示すよう
に、減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ
膜）や窒化シリコン膜からなる絶縁膜２ｂを約５０ｎｍ
の比較的薄い厚さに堆積し、熱酸化シリコン膜２ａ及び
絶縁膜２ｂを含む多層構造を持つ画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０のゲート絶縁膜と共に蓄積容量形成用の第１誘
電体膜を含む絶縁薄膜２を形成する。この結果、半導体
層１ａの厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましく
は約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁薄膜２の厚さ
は、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１
００ｎｍの厚さとなる。このように高温熱酸化を短くす
ることにより、特に８インチ程度の大型基板を使用する
場合に熱によるそりを防止することができる。但し、ポ
リシリコン膜１を熱酸化することのみにより、単一層構
造を持つ絶縁薄膜２を形成してもよい。

次に工程（８）に示すように、フォトリソグラフィ工
程、エッチング工程等によりレジスト層５００を第１蓄
積容量電極１ｆとなる部分を除く半導体層１ａ上に形成
した後、、例えばＰイオンをドーズ量約３×１０¹²／ｃ
ｍ²でドープして、第１蓄積容量電極１ｆを低抵抗化す
る。

次に工程（９）に示すように、レジスト層５００を除
去した後、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜３を堆
積し、更にＰを熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化す
る。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜３の成膜と同時に
導入した低抵抗なポリシリコン膜を用いてもよい。ポリ
シリコン膜３の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、
好ましくは約３００ｎｍに堆積する。

次に図６の工程（１０）に示すように、レジストマス
クを用いたフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等
により、所定パターンの走査線３ａと共に容量線３ｂを
形成する。走査線３ａ及び容量線３ｂは、高融点金属や
金属シリサイド等の金属合金膜で形成しても良いし、ポ
リシリコン膜等と組み合わせた多層配線としても良い。

次に工程（１１）に示すように、図３に示した画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル
型のＴＦＴとする場合、半導体層１ａに、先ず低濃度ソ
ース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するた
めに、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクと
して、ＰなどのＶ族元素の不純物を低濃度で、例えば、
Ｐイオンを１〜３×１０¹³／ｃｍ²のドーズ量にてドー
プする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャ
ネル領域１ａ’となる。この不純物のドープにより容量
線３ｂ及び走査線３ａも低抵抗化される。

次に工程（１２）に示すように、画素スイッチング用
ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度
ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａよりも
幅の広いマスクでレジスト層６００を走査線３ａ上に形
成した後、同じくＰなどのＶ族元素の不純物を高濃度
で、例えば、Ｐイオンを１〜３×１０¹⁵／ｃｍ²のドー
ズ量にてドープする。また、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０をｐチャネル型とする場合、半導体層１ａに、低濃
度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高
濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成
するために、ＢなどのIII族元素の不純物を用いてドー
プする。尚、例えば、低濃度のドープを行わずに、オフ
セット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａをマスク
として、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術
によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不
純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも更に低
抵抗化される。

尚、これらのＴＦＴ３０の素子形成工程と並行して、
ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴから構成さ
れる相補型構造を持つデータ線駆動回路、走査線駆動回
路等の周辺回路をＴＦＴアレイ基板１０上の周辺部に形
成してもよい。このように、本実施形態において画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａをポリ
シリコン膜で形成すれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３
０の形成時にほぼ同一工程で、周辺回路を形成すること
ができ、製造上有利である。

次に工程（１３）に示すように、レジスト層６００を
除去した後、容量線３ｂ及び走査線３ａ並びに絶縁薄膜
２上に、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により高温
酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる
第１層間絶縁膜８１を約２００ｎｍ以下の比較的薄い厚
さに堆積する。但し、前述のように、第１層間絶縁膜８
１は、多層膜から構成してもよいし、一般にＴＦＴのゲ
ート絶縁膜を形成するのに用いられる各種の公知技術に
より、第１層間絶縁膜８１を形成可能である。

次に工程（１４）に示すように、第１バリア層８０ａ
と高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的に接続するための
コンタクトホール８ａ並びに第２バリア層８０ｂと容量
線３ｂとを電気的に接続するためのコンタクトホール８
ｃを、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエ
ッチング等のドライエッチングにより形成する。このよ
うなドライエッチングは、指向性が高いため、小さな径
のコンタクトホール８ａ及びコンタクトホール８ｃを開
孔可能である。或いは、コンタクトホール８ａが半導体
層１ａを突き抜けるのを防止するのに有利なウエットエ
ッチングを併用してもよい。このウエットエッチング
は、コンタクトホール８ａに対し、より良好に電気的な
接続をとるためのテーパを付与する観点からも有効であ
る。また特に、コンタクトホール８ａ及びコンタクトホ
ール８ｃは上述にように同時に開孔可能であり製造上有
利である。

次に工程（１５）に示すように、第１層間絶縁膜８１
並びにコンタクトホール８ａを介して覗く高濃度ドレイ
ン領域１ｅ及びコンタクトホール８ｃを介して覗く容量
線３ｂの全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ
等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜をスパッタリ
ング等により堆積して、５０〜５００ｎｍ程度の膜厚の
導電膜８０を形成する。５０ｎｍ程度の厚みがあれば、
後にコンタクトホール８ｂを開孔する時に突き抜ける可
能性は殆どない。尚、この導電膜８０上には、表面反射
を緩和するためにポリシリコン膜等の反射防止膜を形成
しても良い。尚、導電膜８０は金属や金属シリサイド等
の金属合金膜あるいは、ポリシリコン膜を積層した多層
膜であってもよい。

次に図７の工程（１６）に示すように、該形成された
導電膜８０上にフォトリソグラフィ工程及びエッチング
工程等を行うことにより、第１バリア層８０ａ及び第２
バリア層８０ｂを形成する。ここで第２バリア層８０ｂ
については特に図４に示したように、その一部分が後で
形成される画素電極９ａと若干重なるように形成すると
良い。

次に工程（１７）に示すように、第１層間絶縁膜８１
並びに第１バリア層８０ａ及び第２バリア層８０ｂを覆
うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガ
ス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなど
のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン
膜等からなる第２層間絶縁膜４を形成する。第２層間絶
縁膜４の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましい。
第２層間絶縁膜４の膜厚が５００ｎｍ以上あれば、デー
タ線６ａ及び走査線３ａ間における寄生容量は余り又は
殆ど問題とならない。

次に工程（１８）の段階で、半導体層１ａを活性化す
るために約１０００℃の熱処理を２０分程度行った後、
データ線６ａと半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅ
を電気的に接続するためのコンタクトホール５を絶縁薄
膜２、第１層間絶縁膜８１及び第２層間絶縁膜４に開孔
する。また、走査線３ａや容量線３ｂを基板周辺領域に
おいて図示しない配線と接続するためのコンタクトホー
ルも、コンタクトホール５と同一の工程により開孔する
ことができる。

次に、工程（１９）に示すように、第２層間絶縁膜４
の上に、スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低
抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜６として、約１０
０〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積
する。

次に工程（２０）に示すように、フォトリソグラフィ
工程及びエッチング工程等により、データ線６ａを形成
する。ここでデータ線６ａについては特に図４に示した
ように、後で形成される画素電極９ａに重ならないよう
に且つ第２バリア層８０ｂに重なるように形成する。

次に図８の工程（２１）に示すように、データ線６ａ
上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥ
ＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳ
Ｇなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シ
リコン膜等からなる第３層間絶縁膜７を形成する。第３
層間絶縁膜７の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ま
しい。

次に工程（２２）に示すように、画素電極９ａと第１
バリア層８０ａとを電気的に接続するためのコンタクト
ホール８ｂを、反応性イオンエッチング、反応性イオン
ビームエッチング等のドライエッチングにより形成す
る。テーパ状にするためにウェットエッチングを追加し
ても良い。

次に工程（２３）に示すように、第３層間絶縁膜７の
上に、スパッタリング等により、ＩＴＯ膜等の透明導電
性薄膜９を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積し、更に
工程（２４）に示すように、フォトリソグラフィ工程及
びエッチング工程等により、画素電極９ａを形成する。
尚、当該電気光学装置を反射型として用いる場合には、
Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを
形成してもよい。

以上説明したように本実施形態における製造プロセス
によれば、比較的少ない工程数で且つ比較的簡単な各工
程を用いて上述した第１実施形態の電気光学装置を製造
できる。

（第２実施形態） 本発明の第２実施形態における電気光学装置の構成に
ついて、図９から図１１を参照して説明する。図９は、
第２実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極等が
形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群
の平面図であり、図１０は、そのＡ−Ａ’断面図であ
り、図１１は、そのＢ−Ｂ’断面図である。また、図１
０及び図１１においては、各層や各部材を図面上で認識
可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺
を異ならしめてある。尚、図９から図１１に示した第２
実施形態において図２から図４に示した第１実施形態と
同様の構成要素については、同様の参照符号を付し、そ
の説明は省略する。

図９から図１１において、第２実施形態では、半導体
層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅにコンタクトホール８
８ａを介して電気的に接続されておりデータ線６ａと同
一層から構成された中継導電層６ｂと、画素電極９ａに
コンタクトホール８８ｃを介して電気的に接続された遮
光性の導電層からなる第１バリア層９０ａとを備えてい
る。そして、中継導電層６ｂと第１バリア層９０ａと
は、データ線６ａ及び中継導電層６ｂ上に形成された第
２層間絶縁膜４を介して対向配置されており、この第２
層間絶縁膜４に開孔されたコンタクトホール８８ｂを介
して相互に電気的に接続されている。他方、第２実施形
態では、第１バリア層９０ａと同一の遮光性の導電層か
らなる第２バリア層９０ｂが設けられており、第２バリ
ア層９０ｂと容量線３ｂとは、コンタクトホール８８ｄ
を介して電気的に接続されている。これにより、第２バ
リア層９０ｂを蓄積容量電極とし、かつ隣接する画素群
と接続することにより、容量線として代用できる。この
場合、容量線３ｂを蓄積容量電極として、各画素毎に島
状に形成しても良い。これにより、画素開口率を大きく
することができる。また、第２バリア層９０ｂと容量線
３ｂを電気的に接続することにより、容量線を２重で形
成することができ、冗長構造が実現できる。図９に示す
ように、第２バリア層９０ｂは、平面的に見て第１バリ
ア層９０ａが存在する領域の周囲を除き画素電極９ａの
間隙を覆う格子状に設けられており、画素開口領域のう
ちデータ線６ａ及び走査線３ａに夫々沿った左右辺及び
上下辺を規定する。この場合にも第１実施形態の場合と
同じく、第２バリア層９０ｂの縁部分は、画素電極９ａ
の縁部分に若干重ねられる。尚、第１バリア層９０ａと
第２バリア層９０ｂとの間隙については、中継導電層６
ｂや対向基板側の第２遮光膜２３で覆うことにより、簡
単に光漏れを防止できる。その他の構成については第１
実施形態の場合と同様である。

このように第２実施形態では、二つの中継用の導電層
である中継導電層６ｂ及び第１バリア層９０ａにより、
画素電極９ａから半導体層１ａまでを良好に中継可能と
なる。特に画素電極９ａがＩＴＯ膜からなりデータ線６
ａがＡｌ膜からなる場合には、両者との間で良好に電気
的な接続が得られるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ等の高融点金属等か
ら構成するのが好ましい。

また、図１１に示すように、データ線６ａが容量線３
ｂとバリア層９０ｂとの間に誘電体膜である第１層間絶
縁膜８１及び第２層間絶縁膜４を介して挟持された構成
においては、データ線６ａには、電位がより安定した容
量線３ｂ及び第２バリア層９０ｂとの間で容量が付加さ
れる。このため、データ線６ａの容量を電位揺れを招か
ないような適度な大きさに設定でき、データ線６ａを介
しての画像信号の画素電極９ａへの供給における書き込
み能力不足を阻止できる。

このようなＡｌ膜と同一膜からなる中継導電層６ｂ
は、例えば、第１実施形態の製造プロセスにおける工程
（１８）において、高濃度ドレイン領域１ｅに至るコン
タクトホール８８ａを開孔し、工程（２０）において、
このコンタクトホール８８ａの部分を含めて高濃度ドレ
イン領域１ｅの上方に中継導電層６ｂを形成するのに、
工程（１９）で形成したＡｌ膜に対してフォトリソグラ
フィ工程及びエッチング工程等を施せばよい。更に第２
層間絶縁膜４並びに第１バリア層９０ａ及び第２バリア
層９０ｂについては、データ線６ａ及び中継導電層６ｂ
上に、第１実施形態における工程（１３）から工程（１
６）と同様のプロセスにより形成すればよい。

（第３実施形態） 本発明の第３実施形態における電気光学装置の構成に
ついて、図１２を参照して説明する。図１２は、第３実
施形態におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成さ
れた断面図に対応する断面図である。また、図１２にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大き
さとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてあ
る。尚、図１２に示した第３実施形態において図１０に
示した第２実施形態と同様の構成要素については、同様
の参照符号を付し、その説明は省略する。

図１２において、第３実施形態では、第２実施形態と
は異なり、中継導電層６ｂを用いることなく、第１バリ
ア層９０ａ’で直接高濃度ドレイン領域１ｅとの間で電
気的な接続がとれるように構成されている。その他の構
成については、第２実施形態の場合と同様である。

従って、第３実施形態によれば、画素電極９ａを構成
するＩＴＯ膜と電気的に相性の良い高融点金属膜から構
成される第１バリア層９０ａ’により、画素電極９ａと
高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的に中継接続すること
ができる。

（第４実施形態） 本発明の第４実施形態における電気光学装置の構成に
ついて、図１３から図１５を参照して説明する。図１３
は、第４実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極
等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画
素群の平面図であり、図１４は、そのＡ−Ａ’断面図で
あり、図１５は、そのＢ−Ｂ’断面図である。また、図
１４及び図１５においては、各層や各部材を図面上で認
識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮
尺を異ならしめてある。尚、図１３から図１５に示した
第４実施形態において図２から図４に示した第１実施形
態と同様の構成要素については、同様の参照符号を付
し、その説明は省略する。

図１３から図１５において、第４実施形態では、第１
実施形態とは異なり、第１遮光膜１１ａ’が相隣接する
画素電極９ａの間隙を縫って格子状に形成されており、
容量線３ｂがコンタクトホール１５を介して各画素毎に
第１遮光膜１１ａ’に電気的に接続されている。第１遮
光膜１１ａ’を容量線３ｂの冗長配線として機能さえる
ことが可能であり、容量線３ｂの低抵抗化を図ることに
より蓄積容量７０の電位を安定化させることができる。
また、この構成では、第１遮光膜１１ａ’を容量線とし
て代用することで、容量線３ｂを各画素毎に島状の蓄積
容量電極として構成しても良い。これにより、画素開口
率を大きくすることができる。また、第２実施形態と組
み合わせることで、容量線３ｂを第１遮光膜１１ａ’と
第２バリア層９０ｂと電気的に接続することにより、蓄
積容量を形成するための容量線を３重配線にしても良
い。容量線３ｂを蓄積容量電極として島状に各画素毎に
形成する場合は、第１遮光膜１１ａ’と第２バリア層９
０ｂは蓄積容量電極を介して電気的に接続されかつ隣接
する画素と接続されている。尚、コンタクトホール１５
と第２バリア層８０ｂと容量線３ｂとを接続するための
コンタクトホール８ｃとが異なる平面位置に開孔するこ
とにより、コンタクトホール１５及びコンタクトホール
８ｃにおける接続不良を防止することができる。

更に、図１４及び図１５に示すようにＴＦＴアレイ基
板１０’は、配線やＴＦＴ３０の少なくとも一部が凹状
に窪んで形成されており、上側表面が平坦に形成されて
いる。この結果、データ線６ａ、走査線３ａ、容量線３
ｂ等の配線やＴＦＴ３０の形成された平面領域における
第３層間絶縁膜７の表面が平坦化されている。その他の
構成については第１実施形態の場合と同様である。

従って、第４実施形態によれば、データ線６に重ねて
走査線３ａ、ＴＦＴ３０、容量線３ｂ等が形成される領
域との画素開口領域との段差が低減される。このように
して画素電極９ａが平坦化されているので、当該平坦化
の度合いに応じて液晶層５０のディスクリネーションを
低減できる。この結果、より高品位の画像表示が可能と
なり、画素開口領域を広げることも可能となる。

尚、このようなＴＦＴアレイ基板１０’に溝を形成す
ることによる平坦化ではなく、例えば、ＣＭＰ（Chemic
al Mechanical Polishing）処理、スピンコート処理、
リフロー法等により行ったり、有機ＳＯＧ（Spin On Gl
ass)膜、無機ＳＯＧ膜、ポリイミド膜等を利用して第２
層間絶縁膜４や第３層間絶縁膜７における平坦化を行な
ってもよい。尚、上述の構成は第１実施形態、第２実施
形態及び第３実施形態にも適用可能である。

（電気光学装置の全体構成） 以上のように構成された各実施形態における電気光学
装置の全体構成を図１６及び図１７を参照して説明す
る。尚、図１６は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形
成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平
面図であり、図１７は、図１６のＨ−Ｈ’断面図であ
る。

図１６において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シ
ール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側
に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる
材料から成る画像表示領域の周辺を規定する額縁として
の第３遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外
側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミン
グで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ
線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴ
アレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線
３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより
走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一
辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａ
に供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、
走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うま
でもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領
域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列の
データ線は画像表示領域の一方の辺に沿って配設された
データ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデー
タ線は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設され
たデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにして
もよい。この様にデータ線を櫛歯状に駆動するようにす
れば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することがで
きるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更
にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域
の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐた
めの複数の配線１０５が設けられている。また、対向基
板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導
通をとるための導通材１０６が設けられている。そし
て、図１７に示すように、図１６に示したシール材５２
とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２
によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。尚、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路
１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデー
タ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサン
プリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルの
プリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプ
リチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置
の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成して
もよい。尚、本実施の形態によれば、対向基板２０上の
第２遮光膜２３はＴＦＴアレイ基板１０上の遮光領域よ
りも小さく形成すれば良く、電気光学装置の用途によ
り、容易に取り除くことができる。

以上図１から図１７を参照して説明した各実施形態で
は、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４
をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えば
ＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に実装された
駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設け
られた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に
接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射
光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出
射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic)モ
ード、ＶＡ(Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ(Pol
ymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モード
や、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモ
ードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏
光板などが所定の方向で配置される。

以上説明した各実施形態における電気光学装置は、プ
ロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲ
ＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバ
ルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを
介して分解された各色の光が投射光として各々入射され
ることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０
に、カラーフィルタは設けられていない。しかしなが
ら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに
対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護
膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このよう
にすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカ
ラー電気光学装置に各実施形態における電気光学装置を
適用できる。更に、対向基板２０上に１画素１個対応す
るようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、
ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９
ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成する
ことも可能である。このようにすれば、入射光の集光効
率を向上することで、明るい電気光学装置が実現でき
る。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相
違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、
ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成して
もよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によ
れば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。

以上説明した各実施形態における電気光学装置では、
従来と同様に入射光を対向基板２０の側から入射するこ
ととしたが、第１遮光膜１１ａ（あるいは１１ａ’）を
設けているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射光
を入射し、対向基板２０の側から出射するようにしても
良い。即ち、このように電気光学装置をプロジェクタに
取り付けても、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び
低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに光
が入射することを防ぐことが出来、高画質の画像を表示
することが可能である。ここで、従来は、ＴＦＴアレイ
基板１０の裏面側での反射を防止するために、反射防止
用のＡＲ（Anti Reflection)被膜された偏光板を別途配
置したり、ＡＲフィルムを貼り付ける必要があったが、
各実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面と半導体
層１ａの少なくともチャネル領域１ａ’及び低濃度ソー
ス領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃとの間に第１遮
光膜１１ａ（あるいは１１ａ’）が形成されているた
め、このようなＡＲ被膜された偏光板やＡＲフィルムを
用いたり、ＴＦＴアレイ基板１０そのものをＡＲ処理し
た基板を使用する必要が無くなる。従って、各実施形態
によれば、材料コストを削減でき、また偏光板貼り付け
時に、ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがなく
大変有利である。また、耐光性が優れているため、明る
い光源を使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏光
変換して、光利用効率を向上させても、光によるクロス
トーク等の画質劣化を生じない。

また、各画素に設けられるスイッチング素子として
は、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴ
であるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモル
ファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対して
も、各実施形態は有効である。

（電子機器） 次に、以上詳細に説明した電気光学装置１００を備え
た電子機器の実施の形態について図１８から図２０を参
照して説明する。

先ず図１８に、このように電気光学装置１００を備え
た電子機器の概略構成を示す。

図１８において、電子機器は、表示情報出力源１００
０、表示情報処理回路１００２、駆動回路１００４、電
気光学装置１００、クロック発生回路１００８並びに電
源回路１０１０を備えて構成されている。表示情報出力
源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ
（Random Access Momory）、光ディスク装置などのメモ
リ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含み、ク
ロック発生回路１００８からのクロック信号に基づい
て、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示
情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回路１
００２は、増幅・極性反転回路、シリアル−パラレル変
換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クラン
プ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されてお
り、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデ
ジタル信号を順次生成し、クロック信号CLK と共に駆動
回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、電気光
学装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の
各回路に所定電源を供給する。尚、電気光学装置１００
を構成するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４
を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路１０
０２を搭載してもよい。

次に図１９から図２０に、このように構成された電子
機器の具体例を各々示す。

図１９において、電子機器の一例たるプロジェクタ１
１００は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基
板上に搭載された電気光学装置１００を含むライトバル
ブを３個用意し、各々ＲＧＢ用のライトバルブ１００
Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタと
して構成されている。プロジェクタ１１００では、メタ
ルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０
２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及
び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧ
Ｂの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各
色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１０
０Ｂに各々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路によ
る光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレ
ンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレ
ンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバル
ブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより各々変調され
た３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム
１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４
を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射さ
れる。

図２０において、電子機器の他の例たるマルチメディ
ア対応のラップトップ型のパーソナルコンピュータ（Ｐ
Ｃ）１２００は、上述した電気光学装置１００がトップ
カバーケース内に設けられており、更にＣＰＵ、メモ
リ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組
み込まれた本体１２０４を備えている。

以上図１９から図２０を参照して説明した電子機器の
他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直
視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装
置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリ
ング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電話、テレ
ビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等など
が図１８に示した電子機器の例として挙げられる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、製造効
率が高く高品位の画像表示が可能な電気光学装置を備え
た各種の電子機器を実現できる。

Claims (18)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板に、 複数の走査線と、 複数のデータ線と、 前記各走査線及び前記各データ線の交差に対応して配置
   された薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタに対応して配置された画素電極
   と、 前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域を構成
   する半導体層と前記画素電極との間に介在し、前記半導
   体層と電気的に接続され且つ前記画素電極と電気的に接
   続された遮光性の第１導電層と、 前記第１導電層と同一膜からなり、平面的に見て前記デ
   ータ線に少なくとも部分的に重なっている第２導電層と
   を備え、 前記データ線は前記薄膜トランジスタのチャネル領域に
   重なり、 前記第１導電層と前記第２導電層は前記データ線よりも
   下層に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】前記第２導電層は平面的に見て少なくとも
   部分的に前記画素電極に重なっていることを特徴とする
   請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】前記データ線は、平面的に見て前記画素電
   極に少なくとも部分的に重ならないことを特徴とする請
   求項１から２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】前記第２導電層は、定電位線に電気的に接
   続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれ
   か一項に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】前記半導体層のうち少なくともチャネル領
   域の前記基板側に下地絶縁膜を介して形成された遮光膜
   を更に備えたことを特徴とする請求項１から４のいずれ
   か一項に記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】前記第１導電層及び前記第２導電層は、高
   融点金属を含むことを特徴とする請求項１から５のいず
   れか一項に記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】前記第２導電層と前記データ線とは、層間
   絶縁膜を介して少なくとも部分的に対向配置されたこと
   を特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電
   気光学装置。
8. 【請求項８】前記画素電極に接続された蓄積容量を更に
   備えたことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項
   に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】前記第１導電層及び前記第２導電層は、前
   記走査線及び前記蓄積容量の一方の電極上に絶縁膜を介
   して設けられていることを特徴とする請求項８に記載の
   電気光学装置。
10. 【請求項１０】前記半導体層の一部からなる第１蓄積容
    量電極と前記蓄積容量の一方の電極である第２蓄積容量
    電極とが第１誘電体膜を介して対向配置され、前記第２
    蓄積容量電極と前記第１導電層の一部からなる第３蓄積
    容量電極とが第２誘電体膜を介して対向配置されて前記
    蓄積容量が形成されていることを特徴とする請求項９に
    記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】前記第２導電層は、前記第２蓄積容量電
    極に接続されたことを特徴とする請求項１０に記載の電
    気光学装置。
12. 【請求項１２】前記第２導電層は、第４コンタクトホー
    ルを介して前記第２蓄積容量電極に電気的に接続されて
    おり、 前記第４コンタクトホールは、前記第１コンタクトホー
    ルを開孔する工程と同一工程により開孔されていること
    を特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】前記第２蓄積容量電極は延設されて容量
    線であることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学
    装置。
14. 【請求項１４】前記遮光膜は、前記第４コンタクトホー
    ルとは異なる平面位置に開孔された第５コンタクトホー
    ルを介して前記容量線に電気的に接続されていることを
    特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
15. 【請求項１５】前記第２導電層は、平面的に見て島状に
    設けられており、画素開口領域のうち前記データ線に沿
    った領域を少なくとも部分的に規定することを特徴とす
    る詣求項１から１４いずれか一項に記載の電気光学装
    置。
16. 【請求項１６】基板に複数の走査線と、複数のデータ線
    と、前記各走査線と前記各データ線に対応して配置され
    た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに対応し
    て配置された画素電極とを有する電気光学装置の製造方
    法において、 前記基板にソース領域、チャネル領域及びドレイン領域
    となる半導体層を形成する工程と、 前記半導体層上に絶縁薄膜を形成する工程と、 前記絶縁薄膜上に走査線及び蓄積容量の一方の電極を形
    成する工程と、 前記走査線及び前記一方の電極上に第１層間絶縁膜を形
    成する工程と、 前記絶縁薄膜及び前記第１層間絶縁膜に前記半導体層に
    通じる第１コンタクトホールを開孔する工程と、 前記第１層間絶縁膜上に、前記第１コンタクトホールを
    介して前記半導体層に電気的に接続されるように遮光性
    の第１導電層と前記第１導電層と同一膜から第２導電層
    を形成する工程と、 前記第１導電層及び前記第２導電層上に第２層間絶縁膜
    を形成する工程と、 前記第２層間絶縁膜上に、前記半導体層のチャネル領域
    に重なるようにデータ線を形成する工程と、 前記データ線上に第３層間絶縁膜を形成する工程と、 前記第２層間絶縁膜及び前記第３層間絶縁膜に前記第１
    導電層に通じる第２コンタクトホールを開孔する工程
    と、 前記第２コンタクトホールを介して前記第１導電層に電
    気的に接続されるように画素電極を形成する工程と を有し、前記第２導電層は、平面的に見て前記データ線
    に少なくとも部分的に重なるように形成されていること
    を特徴とする電気光学装置の製造方法。
17. 【請求項１７】前記第２層間絶縁膜を形成する工程の後
    に、前記第２層間絶縁膜に前記半導体層に通じる第３コ
    ンタクトホールを開孔する工程を更に含み、前記データ
    線を形成する工程において、前記第３コンタクトホール
    を介して前記半導体層に電気的に接続されるように前記
    データ線を形成し、 前記第１コンタクトホールを開孔する工程において、前
    記第１コンタクトホールを開孔すると同時に前記第１層
    間絶縁膜に前記蓄積容量の一方の電極に通じる第４コン
    タクトホールを開孔し、前記第２導電層を形成する工程
    において、前記第４コンタクトホールを介して前記蓄積
    容量の一方の電極に電気的に接続されるように前記第２
    導電層を形成することを特徴とする請求項１６に記載の
    電気光学装置の製造方法。
18. 【請求項１８】請求項１から請求項１７のいずれか一項
    に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機
    器。