KR100437290B1 - 도포현상장치및도포현상방법 - Google Patents

도포현상장치및도포현상방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100437290B1
KR100437290B1 KR10-1998-0032057A KR19980032057A KR100437290B1 KR 100437290 B1 KR100437290 B1 KR 100437290B1 KR 19980032057 A KR19980032057 A KR 19980032057A KR 100437290 B1 KR100437290 B1 KR 100437290B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
substrate
mounting table
processing
composite
Prior art date
Application number
KR10-1998-0032057A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990023420A (ko
Inventor
마사미 아키모토
잇쎄이 우에다
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR19990023420A publication Critical patent/KR19990023420A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100437290B1 publication Critical patent/KR100437290B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/14Wafer cassette transporting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

도포 및 형상장치는 기판을 재치하는 제 1 재치대와 기판을 재치하고 냉각하는 제 2 재치대가 층을 이루는 복합유니트를 포함하는 복수의 처리유니트를 가지는 처리유니트그룹을 포함하여 구성된다. 복수의 처리유니트가 기판의 도포와 현상을 위해 필요한 처리를 개별적으로 수행한다. 복수의 처리유니트는 다중층으로 되어 있다. 먼저, 기판이 복수의 기판을 저장하고 있는 기판 저장부재로부터 제 1 재치대로 운반된다. 다음으로, 기판은 제 1 재치대로부터 반출되어 도포 및 현상된다. 그후, 도포 및 현상된 기판은 제 2 재치대로 운반되고, 제 2 재치대로부터 기판 저장부재로 반입된다.

Description

도포현상장치 및 도포현상방법
본 발명은, 예를 들면, 기판에 레지스트액을 도포하고 기판을 현상하기 위한 도포 및 현상장치와, 복합장치와, 도포와 현상장치에서 처리방법에 관련한 것이다.
반도체 디바이스 제조의 포토레지스트 처리에서, 레지스트액은 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼로서 칭한다)와 같은 기판의 표면상에 도포되어 레지스트막을 형성한다. 소정의 패턴이 노광된 후, 기판은 현상액으로 도포되고 현상된다. 도포 및 현상장치는 지금까지 일련의 상기 처리에서 사용 되어진다.
도포 및 현상장치에는, 예를 들면, 레지스트고정을 향상하기 위한 점착처리, 레지스트액을 도포하기 위한 도포처리, 레지스트막을 교정하기 위해 레지스트액으로 도포된 후의 웨이퍼를 가열하기 위한 열처리, 노광된 웨이퍼를 가열을 위한 또 다른 열처리, 노광된 웨이퍼를 현상하기 위한 현상처리, 가열된 웨이퍼를 소정의 온도까지 냉각하기 위한 냉각처리 등, 도포 및 현상에 필요한 일련의 처리를 각각 수행하는 처리유니트가 설치된다.
부수적으로, 설치공간을 절약하기 위하여, 최근에는 상기 처리유니트가 수직으로 다중층으로 되는 통합된 도포 및 현상장치가 제시되고 있다. 상기 각각의 처리유니트로부터 웨이퍼를 반입/반출하기 위한 수직운반시스템을 갖춘 주운반유니트가 이러한 타입의 도포 및 현상장치의 거의 중심부에 설치된다. 주운반유니트 주위에는, 상기 처리유니트들이 처리스테이션이라 불리는 처리유니트를 형성하도록 배치된다. 웨이퍼를 저장하는 카세트는 처리스테이션의 측면상에 배치된 카세트스테이션이라 불리는 재치유니트 상에 재치되어 있다. 상기 주운반유니트로부터 떨어진 부운반유니트는 재치유니트와 처리유니트 사이에서 웨이퍼를 운반하기 위해 설치된다.
카세트스테이션과 처리스테이션 사이에서 운반될 때, 웨이퍼는 주운반유니트와 부운반유니트 사이에서 직접 운반되지 않지만, 그 웨이퍼는 재치유니트 측면과 처리유니트 측면의 양쪽로부터 접근할 수 있는 운반유니트를 통해 일반적으로 운반될 수 있다. 구체적으로, 운반 전용유니트는 다중층인 처리유니트에 분리되어 설치된다. 웨이퍼가 운반될 때, 주운반유니트와 부운반유니트는 운반 전용유니트에 운반되는 웨이퍼를 잠시동안 각각 재치시킨다.
다시 말해서, 처리를 마친 웨이퍼는 부운반유니트로서 카세트스테이션의 측면으로부터 운반 전용유니트에 재치된다. 결과적으로, 주운반유니트는 처리스테이션의 측면으로부터 전용유니트 상에 재치된 웨이퍼를 넘겨받아 소정의 처리유니트로 운반한다. 그 후에 각 처리유니트에 있어서, 소정의 처리가 수행된다.
그 동안에, 각 처리유니트에서 소정의 처리를 완성한 웨이퍼는 주운반유니트로서 웨이퍼가 잠시동안 올려지는 운반 전용유니트에 운반된다. 결과적으로, 부운반유니트는 전용유니트상에 올려진 처리된 웨이퍼를 넘겨 받은 후 카세트스테이션의 측면으로 운반되어 소정의 카세트내에 저장된다.
그러나, 다중층 처리유니트는 설치공간에서 볼 때 층들의 수에 있어서 한정된다. 만약 운반 전용유니트가 설치되면, 그것으로부터 다른 처리유니트의 수가 전용유니트의 공간에 의하여 증가할 수 없다.
본 발명의 목적은 도포와 현상장치, 복합장치, 그리고 도포와 현상장치에서 처리방법을 제공하는 것이다. 이것은 다중층 처리유니트에서 층의 수를 증가시킬 수 있어 처리량을 향상할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서의 도포 및 현상장치는, 기판을 재치하는 제 1 재치대와 기판을 재치하고 냉각하는 제 2 재치대가 층을 이루고, 처리유니트가 기판의 도포와 현상을 위해 필요한 처리를 개별적으로 수행하고, 처리유니트는 다중층으로 되어 있는 복합유니트를 포함하는 복수의 처리유니트를 가지는 제 1 처리유니트그룹과, 상기 처리유니트 사이에서 기판을 반입/반출하는 제 1 운반수단과, 상기 복합유니트에서 상기 제 1 및 제 2 재치대로부터 기판을 반입/반출하는 제 2 운반수단을 포함하여 구성된다.
본 발명에서 복합장치에는 기판을 재치하기 위한 제 1 재치대와, 상기 제 1 재치대와 일체적으로 층을 이루고 기판을 재치 및 냉각하기 위한 제 2 재치대가 설치된다.
본 발명에서 기판을 재치하는 제 1 재치대와 기판을 재치하고 냉각하는 제 2 재치대가 층을 이루고, 복수의 처리유니트가 개별적으로 기판의 도포와 현상을 위해 필요한 처리를 수행하고, 처리유니트는 다중층으로 되어 있는 복합유니트를 포함하는 처리유니트를 가지는 제 1 처리유니트그룹을 포함하여 구성되는 도포 및 형상장치에서의 처리방법은, 복수의 기판을 저장하기 위한 기판 저장부재로부터 반출하여 상기 제 1 재치대로 반입하는 공정과, 상기 제 1 재치대로부터 반출하는 공정과, 상기 제 1 재치대로부터 반출된 기판을 도포 및 현상하는 공정과, 도포 및 현상된 기판을 상기 제 2 재치대로 운반하는 공정과, 기판을 상기 제 2 재치대로부터 상기 기판 저장부재로 운반하는 공정을 포함하여 구성된다.
본 발명에 있어서, 기판의 운반 및 냉각은 모두 복합유니트에서 수행되어질 수 있다. 그러므로, 지금까지 사용된 기판의 운반을 위한 전용유니트는 불필요하게 되며, 이는 예컨대 운반을 위한 전용유니트를 배치하는데 필요한 공간을 다른 처리유니트에 할당하는 것을 가능하게 한다. 결론적으로, 기판의 처리수는 증가할 수 있으며, 따라서 처리량을 향상시킨다.
본 발명의 추가적인 목적과 이점은 후술하는 상세한 설명에서 나타나며, 상세한 설명으로부터 부분적으로 명백해지거나, 본 발명을 실시함으로서 알 수 있다. 본 발명의 목적과 이점은 이하에서 특별히 지적된 수단 및 결합에 의하여 알게되거나 획득될 수 있다.
도 1은, 본발명의 실시예에 따른 도포 및 현상장치의 평면도;
도 2는, 도 1에 도시된 도포 및 현상장치의 정면도;
도 3은, 도 1에 도시된 도포 및 현상장치의 배면도;
도 4는, 도 1에 도시된 도포 및 현상유니트에서 사용되는 복합유니트의 평면도;
도 5는, 도 4에 도시된 복합유니트의 측면입면도;
도 6은, 도 4에 도시된 복합유니트의 정면도;
도 7은, 도 4에 센터로 도시된 복합유니트의 작동설명도; 그리고
도 8은, 본발명의 또다른 실시예에 의한 냉각재치대의 개략적인 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 도포 및 현상시스템 10 : 카세트스테이션
11 : 처리스테이션 12 : 인터페이스유니트
20 : 카세트대 21 : 부운반유니트
22 ; 주운반유니트 23 : 노광유니트
24 : 운반수단 31 : 재치대
32 : 지지핀 33 : 냉각재치대
34 : 지지핀 38 : 냉각수파이프
첨부된 도면은, 상세한 설명으로 구체화되고 상세한 설명의 부분을 구성하며, 본 발명의 바람직한 실시예를 나타내며, 상기한 일반적인 설명 및 후술하는 바람직한 실시예의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는데 사용된다.
어떠한 용어가 이하의 기술에서 오직 참조문에 있어서 편리함을 위하여 사용되어질 것이며 한정되지는 않을 것이다. "상", "하", "우" 및 "좌"라는 용어는 참조문이 나타내는 도면에서의 방향을 지시할 것이다. "내" 및 "외"라는 용어는 각각 디바이스의 기하학적 중심과 그것의 소정의 부분으로부터 안으로와 밖으로의 방향을 나타낼 것이다. 이러한 용어는 파생어와 유사한 외래어를 포함할 것이다.
도 1내지 3에 도시된 바와 같이, 도포 및 현상시스템(1)에는, 하나 이상의 웨이퍼(W), 예를 들면, 단위 카세트(C)당 25개의 웨이퍼가 외부로부터 시스템 내로 또는 시스템으로부터 외부로 반송되고 또한 카세트로(C)부터 반입/반출되는 카세트스테이션(10)과, 다양한 종류의 처리유니트가 소정의 위치에서 다중층으로 되어 있고 각 처리유니트는 웨이퍼(W)에 대해 하나씩 하나씩 소정의 처리를 도포 및 현상공정에서 하는 처리스테이션(11)과, 그리고 웨이퍼(W)를 노광유니트(도시되지 않음)로 보내고 받는 인터페이스유니트(12)가 제공되고, 이러한 유니트들은 전체적으로 연결되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 카세트스테이션(10)에는, 카세트(C)가, 예컨대 4개의 카세트까지, 재치유니트로서 카세트대(20) 위에서 각 위치돌기(20a)의 위치에 X 방향(도 1에서 수직방향)의 라인을 따라 웨이퍼통로를 처리스테이션(11)측으로 하고 각각 반입/반출하도록 배치되어 있다. 부운반유니트(21)은, 카세트(C)의 배치의 방향(X 방향)과 카세트(C)에 저장된 웨이퍼(W)의 배치의 방향(Z 방향, 수직 방향)을 따라 이동 가능하며, 운반로(21a)를 따라 각 카세트(C)예 선택적으로 접근할 수 있도록 이동 가능하다.
부운반유니트(21)은 θ방향으로 회전가능하고 이후에 기술되는 처리스테이션 (11)의 측면에서 제 3 처리유니트그룹(G3)의 다중층 유니트에 속하는 복합유니트(TCP)에 접근할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 처리스테이션(11)에서, 수직운반시스템을 갖는 주운반유니트(22)는 중심부에 위치한다. 주운반유니트(22)에는 유지부재, 예컨대 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 3개의 쪽집개가 설치된다. 주운반유니트(22) 주위에는, 다양한 종류의 처리유니트가 다중층되어 처리유니트그룹을 구성한다. 수직적으로 이동 가능하고 θ방향으로 회전 가능한 주운반유니트(22)는 상기 3개의 쪽집개로 유지된 웨이퍼(W)를 후술하는 처리유니트그룹(G1에서 G5)로 반입/반출 할 수 있다.
상기 도포 및 현상시스템에서, 5개의 처리유니트그룹(G1,G2,G3,G4,및G5)이 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 처리유니트그룹(G1,G2)은 시스템의 정면에 배치될 수 있고, 제 3 처리유니트그룹(G3)는 카세트스테이션(10) 근방에 배치될 수 있고, 제 4 처리유니트그룹(G4)는 인터페이스유니트(12) 근방에 배치될 수 있고, 점선으로 도시된 제 5 처리유니트그룹(G5)는 배면에 배치될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 처리유니트그룹(G1)에서는, 웨이퍼(W)를 컵(CP) 내의 스핀척 위에 놓아 소정의 처리를 수행하는 2개의 스핀너(spinner)타입 처리유니트, 예를 들면, 레지스트액 도포유니트(COT) 및 현상유니트(DEV)가 바닥으로부터 질서있게 2중으로 쌓아져 있다. 제 1 처리유니트그룹(G1)과 유사한 제 2 처리유니트그룹(G2)에서는 2개의 스핀너타입 처리유니트, 예를 들면, 레지스트액 도포유니트(COT) 및 현상유니트(DEV)가 바닥으로부터 질서있게 2중으로 쌓아져 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제 3 처리유니트그룹(G3)에서는, 웨이퍼(W)가 재치대(도시되지 않음)에 재치되어 소정의 처리를 수행하는 오븐(oven)타입 처리유니트, 예를 들면, 냉각하기 위한 냉각유니트(COL), 레지스트의 점착을 향상시키기 위한 점착처리를 위한 점착유니트(AD), 도포전 가열하기 위한 프리베이킹유니트 (PREBAKE), 포스트베이킹유니트(POBAKE), 그리고 복합유니트(TCP)가, 예컨대 8중층로 함께 있다. 상기 여러종류의 처리유니트는 소망하는 웨이퍼처리를 수행하기 위하여 각 처리유니트그룹에서 재배치된다. 예를 들면, 프리베이킹유니트(PREBAKE), 포스트베이킹유니트(POBAKE), 그리고 점착유니트(AD)는, 3개 모두 높은 처리온도를 요구하고, 상부에 배치되고, 냉각유니트(COL), 상기 복합유니트(TCP) 등은, 낮은 처리온도를 요구하고, 하부에 배치되며, 그럼으로써 유니트 사이의 열적 상호간섭을 감소시킨다.
도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 주변 노광유니트(23)는 인터페이스유니트 (12)의 배면에 배치되고 웨이퍼운반수단(24)은 이 중앙에 배치된다. 웨이퍼운반수단(24)은 X 방향 및 Z 방향(수직 방향)으로 이동하고 또한 θ 방향으로 회전하여 주변 노광유니트(23), 처리스테이션(11)의 측면에서 제 4 처리유니트그룹(G4)에 속하는 익스텐션유니트(EXT), 나아가 패턴이 노광 처리되는 노광유니트(도시되지 않음)의 근방의 측면에 있는 웨이퍼 운반대(도시되지 않음)로 접근가능하다.
상기 복합유니트(TCP)의 평면도,측면입면도, 정면도는 각각 도 4에서 6에서 도시된다. 그러나, 도 6에서는, 후술하는 재치대(31) 및 지지핀(32)이 설명상 이유로 생략되어 있다.
도 4와 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 복수의 지지핀 (32)이 고정된 재치대(31)가 복합유티트(TCP)의 상부에 형성된다.
재치대(31)에 평행한 냉각재치대(33)가 상기 복합유니트(TCP) 내의 재치대 (31) 아래에 배치된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 냉각재치대(33)에서 자유롭게 연장되거나 수축하는 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 복수의 지지핀(34)이 냉각재치대 (33)에 설치된다. 지지핀(34)은 하부에 배치된 상승과 하강을 위한 아암(35)에 연결된다. 상승과 하강을 위한 아암(35)은 복합유니트(TCP)의 한측면에 배치된 구동유니트(36)에서 실린더(37)의 구동에 의해 수직으로 이동한다.
냉각재치대(33)는 예를 들면 알루미늄으로 형성된다. 냉각수파이프(38)는 냉각재치대(33) 사이에 배치된다. 따라서, 냉각수파이프를 통한 냉각수의 순환은 냉각재치대(33)와 냉각재치대(33)에 재치된 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 냉각하는 것이 가능하다.
이 실시예에 따른 도포 및 현상장치(1)는 상술한 바와 같이 구성된다. 다음에는, 그것의 작동과 효과에 대해 기술하겠다. 도포 및 현상되는 웨이퍼(W)는 카세트(C)로부터 부운반유니트(21)에 의해 꺼내어지고, 첫번째로, 복합유니트(TCP)의 상부측면에서 재치대(31) 위의 지지핀(32) 위에 재치된다. 그후, 도 7에 도시된 바와 같이, 주운반유니트(22)는 웨이퍼(W)를 받고 그것을 점착유니트(AD)로 운반한다. 그후, 소정의 처리법에 따라, 냉각유니트(COL), 레지스트액도포유니트(COT), 주변 노광유니트, 등을 통하여, 웨이퍼(W)는 노광유니트(도시되지 않음)에서 패튼의 노광처리를 받는다.
이어서, 현상유니트(DEV)에서 현상된 후, 웨이퍼(W)는 포스트베이킹유니트 (POBAKE)에서 열처리를 받고 그후 주운반유니트(22)에 의하여 복합유니트(TCP)의하부 측면에서 냉각재치대(33) 위의 지지핀(34) 위에 재치된다.
웨이퍼(W)가 지지핀(34)의 하강으로서 냉각재치대(33)에 재치된 후에, 웨이퍼(W)는 소정의 온도, 예컨대 25℃로 냉각된다. 냉각처리가 완료된 후에, 지지핀 (34)이 상승하고 대기한다. 이어서, 부운반유니트(21)가 냉각재치대(33)위의 지지핀(34) 위에서 웨이퍼(W)를 받고 그 웨이퍼(W)를 소정의 카세트(C) 내로 운반한다.
상술한 바와 같이, 이 실시예에 따른 도포 및 현상장치(1) 내의 복합유니트 (TCP)에서는, 처리되지 않은 웨이퍼(W)를 처리스테이션(11)에서 운반하기 위한 운반과 포스트베이킹유니트(POBAKE)에서 웨이퍼(W)를 열처리한 후의 냉각처리가 하나의 유니트에서 수행될 수 있다. 그러므로, 지금까지 사용된 웨이퍼(W)의 운반 전용유니트는 필요하지 않게되고, 처리유니트 내의 운반 전용유니트의 배치를 위해 필요한 공간을, 예를 들면 각각의 처리시간의 조절을 고려하여, 할당하는 것이 가능하게 되었다. 결과적으로, 웨이퍼(W)의 처리수는 증가하게 되었다.
냉각재치대(33) 위에서 지지핀(36)의 승강을 위해 필요한 구동유니트(36)는 냉각재치대(33)의 한측면에 배치된다. 그러므로, 복합유니트(TCP)의 수직방향의 높이는 구동유니트(TCP)의 높이에 의해 감소되어질 수 있다. 결과적으로, 복합유니트 (TCP) 그자체의 높이는 감소되어질 수 있고, 그럼으로써 처리유니트그룹에서 다중층된 처리유니트의 층의 수는 증가한다. 게다가, 재치대(31)가 단지 웨이퍼(W)의 운반유니트로서만으로 기능하도록 요구되기 때문에, 지지핀(32)의 승강을 위한 구동시스템은 불필요하다.
복합유니트(TCP)에서 재치대(31)와 냉각재치대(33) 사이의 수직적관계를 고려하면, 양쪽다 상부나 하부에 배치될 수 있다. 그러나, 만약 가벼운 재치대(31)보다 무거운 재치대(33)가 아래에 배치 된다면, 복합유니트(TCP) 그자체의 무게 균형은 향상되고 안정된다. 게다가, 재치대(31)에 비교하여 낮은 온도를 가지는 냉각재치대(33)가 아래에 배치된 상기 배치는 재치대(31)과 냉각재치대(33) 사이에서 야기되는 열적간섭을 방지할 수 있다.
예를 들면, 부운반유니트(21) 또는 주운반유니트(22)에서 웨이퍼(W)의 정렬정밀도에 있어서 재연성이 고려되지 않을 때, 복합유니트(TCP)에는 재치대(31)나 냉각재치대(33)에서 웨이퍼(W)의 정렬기구가 제공되어질 수 있다. 도 8은 냉각재치대(33)에 배치된 정렬기구의 실시예를 도시하고 있다. 4 개의 스페이셔(39)가 냉각재치대(33)의 상부면의 원주부에 배치된다. 위치부재(40)가 스페이셔(39)에 각각 접촉하고 있다. 스페이셔(39)와 함께 각 위치부재(40)는 냉각재치대(33)에 나사로 고정되어 있다. 위치부재(40)의 내부 원주면은 테이프져 있다. 냉각재치대(33)로 하강될 때, 웨이퍼(W)는 그것의 자체무게로 안정된 위치에 정착하기 위하여 외부 원주부가 위치부재(40)와 접촉하는 동안 테이퍼진 내부 원주면을 따라 인도된다. 결과적으로, 웨이퍼(W)는 위치 되어진다. 이 경우, 전용정렬유니트(ALIM)와 같은 웨이퍼(W)를 위한 정렬기구는 불필요하게 된다. 따라서, 상기 정렬유니트(ALIM)을 배치하기 위해 필요한 공간은 다른 처리유니트에 할당되어질 수 있다.
상기 실시예에서, 웨이퍼(W)는 냉각재치대(33)에 의해 냉각 되어진다. 웨이퍼(W)의 냉각이 불필요할때, 냉각재치대(33)는 냉각재치대(33)에서 냉각수파이프 (38)을 통하여 냉각수를 흘려보내는 일 없이 웨이퍼(W)를 위한 재치대로서만 기능할 수 있다. 상기 실시예는 기판으로써 웨이퍼(W)에 대해 기술하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 또한 LCD 기판이 사용되는 또다른 실시예에 적용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 기판의 운반과 냉각은 양쪽다 하나의 복합유니트에서 수행될 수 있어, 다른 처리유니트의 수를 증가하는 것을 가능하게 한다. 결론적으로 시간당 기판의 처리수는 증가될 수 있다.
게다가, 본 실시예에 따르면, 무거운 냉각재치대가 아래에 배치되고, 따라서 복합유니트의 무게균형을 안정되게 하고 재치대와 냉각재치대 사이에서 야기되는 열적간섭을 방지한다.
더 나아가, 본 실시예에 따르면, 재치대에 배치된 지지핀의 상승과 하강을 위한 초과기구를 설치할 필요성이 없다. 자연적으로, 냉각재치대 위에, 기판이 냉각재치대 위에 재치되는 동안 냉각될 수 있도록 자유스럽게 승강할 수 있는 지지핀이 설치된다.
더 나아가, 본 실시예에 따르면, 냉각재치대 위의 지지핀을 구동하기 위한 구동원은 냉각재치대의 한쪽 측면에 배치되고, 이는 복합유니트의 높이를 감소시키는 것을 가능하게 한다. 따라서, 처리유니트그룹에서 각 처리유니트로 구성되는 층의 수가 증가될 수 있다.
더 나아가, 본 실시예에 따르면, 가능하다면, 웨이퍼의 정렬이 가능하도록 적어도 재치대나 냉각재치대의 어느 하나에 정렬기구가 제공된다. 종래의 처리유니트그룹에서 하나의 처리유니트로서 정렬하기 위한 전용기구를 제공하는 것이 불필요하게 된다.
상기 설명된 실시예는 본발명의 기술적 의미를 명확하게하는 의도를 갖는다. 그러므로, 본 발명은 상기 고정된 실시예에 한정되거나 좁은 의미로 해석되어서는 안되며, 많은 변용이 본 발명의 정신으로부터 분리되지 않고 청구범위의 의미 내에서 만들어질 수 있다.

Claims (13)

  1. 포토리소그래피를 이용하여 기판을 1매씩 처리하는 도포·현상장치로서,
    카세트가 출입하는 카세트스테이션과,
    기판을 처리하기 위한 복수의 제 1 처리유니트를 가지는 제 1 그룹과,
    기판을 처리하기 위한 복수의 제 2 처리유니트를 가지는 제 2 그룹과,
    상기 카세트스테이션의 카세트로부터 기판을 반입·반출하고, 또한 상기 제 1 처리유니트로부터 기판을 반입·반출하며, 또한 상기 카세트스테이션과 상기 제 1 처리유니트와의 사이에 기판을 반송하는 부운반유니트와,
    상기 제 1 처리유니트로부터 기판을 반입·반출하고, 또한 상기 제 2 처리유니트로부터 기판을 반입·반출하며, 또한 상기 제 1 처리유니트와 상기 제 2 처리유니트와의 사이에 기판을 반송하는 주운반유니트로서, 상기 제 1 처리그룹을 사이에 끼워 상기 부운반유니트와 대향배치되어 있는 주운반유니트와,
    상기 제 1 그룹에 포함되며, 기판을 출입시키기 위한 2개의 반입·반출구를 가지는 복합유니트로서, 이 한쪽의 반입·반출구는 상기 부운반유니트의 쪽을 향하여 개구하고, 이 다른 쪽의 반입·반출구는 상기 주운반유니트의 쪽을 향하여 개구하며, 상기 부운반유니트와 상기 주운반유니트의 사이에 배치되는 복합유니트와,
    상기 복합유니트 내에 설치되며, 기판이 재치되는 제 1 재치대와,
    상기 제 1 재치대와 상하로 중첩하도록 상기 복합유니트 내에 설치되고, 기판이 재치되고 또한 냉각되는 제 2 재치대를 구비하는 것을 특징으로 하는 도포현상장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 재치대는 상기 복합유니트의 상부에 배치되고; 상기 제 2 재치대는 상기 복합유니트의 하부에 배치되는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 재치대는 기판을 직접적으로 지지하기 위한 제 1 지지핀을 포함하고; 상기 제 2 재치대는 기판을 직접적으로 지지하고 상기 제 2 재치대의 재치면으로부터 자유롭게 돌출한 제 2 지지핀과, 상기 제 2 지지핀을 상승과 하강을 위한 구동유니트를 포함하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 또는 제 2 재치대는 재치된 기판을 정렬하기 위한 정렬기구를 포함하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 재치대는 재치면 아래에 배설된 냉각수가 흐르는 냉각수파이프를 포함하는 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 처리유니트그룹은 기판을 레지스트액으로 도포하기 위한 도포유니트를 포함하는 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 처리유니트그룹은 기판을 현상하기 위한 현상유니트를 포함하는 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 처리유니트그룹은 기판을 가열하기 위한 열처리유니트를 포함하고; 상기 복합유니트는 상기 열처리유니트 아래에 배치되는 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 재치대는 상부에 배치되고; 상기 제 2 재치대는 하부에 배치되는 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 재치대는 기판을 직접적으로 지지하기 위한 제 1 지지핀을 포함하고; 상기 제 2 지지대는 기판을 직접적으로 지지하고 상기 제 2 재치대의 재치면으로부터 자유롭게 돌출한 제 2 지지핀과, 상기 제 2 지지핀을 상승과 하강을 위한 구동유니트를 포함하는 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 또는 제 2 재치대는 재치된 기판을 정렬하기 위한 정렬기구를 포함하는 장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 재치대는 재치면 아래에 배설된 냉각수가 흐르는 냉각수파이프를 포함하는 장치.
  13. 카세트가 출입하는 카세트스테이션과, 기판을 처리하기 위한 복수의 제 1 처리유니트를 가지는 제 1 그룹과, 기판을 처리하기 위한 복수의 제 2 처리유니트를 가지는 제 2 그룹과, 상기 카세트스테이션의 카세트로부터 기판을 반입·반출하고, 또한 상기 제 1 처리유니트로부터 기판을 반입·반출하며, 또한 상기 카세트스테이션과 상기 제 1 처리유니트와의 사이에 기판을 반송하는 부운반유니트와 상기 제 1 처리유니트로부터 기판을 반입·반출하고, 또한 상기 제 2 처리유니트로부터 기판을 반입·반출하며, 또한 상기 제 1 처리유니트와 상기 제 2 처리유니트와의 사이에 기판을 반송하는 주운반유니트로서, 상기 제 1 처리그룹을 사이에 끼워 상기 부운반유니트와 대향배치되어 있는 주운반유니트와, 상기 제 1 그룹에 포함되며, 기판을 출입시키기 위한 2개의 반입·반출구를 가지는 복합유니트로서, 이 한쪽의 반입·반출구는 상기 부운반유니트의 쪽을 향하여 개구하고, 이 다른 쪽의 반입·반출구는 상기 주운반유니트의 쪽을 향하여 개구하며, 상기 부운반유니트와 상기 주운반유니트의 사이에 배치되는 복합유니트와, 상기 복합유니트 내에 설치되며 기판이 재치되는 제 1 재치대와, 상기 제 1 재치대와 상하로 중첩하도록 상기 복합유니트 내에 설치되고, 기판이 재치되고 또한 냉각되는 제 2 재치대를 구비하는 도포현상장치를 사용하여 기판을 1매씩 처리하는 방법에 있어서, 상기 방법은,
    (a) 상기 부운반유니트에 의해 상기 카세트스테이션의 카세트로부터 기판을 꺼내어 상기 복합유니트에 기판을 반송하고, 상기 제 1 재치대에 기판을 재치하는 공정과,
    (b) 상기 주운반유니트에 의해 기판을 상기 제 1 재치대로부터 기판을 들어올려, 기판을 상기 복합유니트로부터 반출하고, 상기 제 2 그룹에 기판을 반송하는 공정과,
    (c) 기판에 레지스트를 도포하고, 또한 레지스트도포막을 현상처리하는 공정과,
    (d) 기판을 가열하는 공정과,
    (e) 상기 주운반유니트에 의해 기판을 상기 복합유니트에 반송하고, 기판을 상기 제 2 재치대에 재치하고, 냉각하는 공정과,
    (f) 상기 부운반유니트에 의해 기판을 상기 제 2 재치대로부터 들어올려, 기판을 상기 복합유트로부터 반출하고, 상기 카세트스테이션의 카세트에 기판을 반입하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포·현상처리방법.
KR10-1998-0032057A 1997-08-06 1998-08-06 도포현상장치및도포현상방법 KR100437290B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22430597A JP3340945B2 (ja) 1997-08-06 1997-08-06 塗布現像処理装置
JP97-224305 1997-08-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990023420A KR19990023420A (ko) 1999-03-25
KR100437290B1 true KR100437290B1 (ko) 2005-01-26

Family

ID=16811692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0032057A KR100437290B1 (ko) 1997-08-06 1998-08-06 도포현상장치및도포현상방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6197372B1 (ko)
JP (1) JP3340945B2 (ko)
KR (1) KR100437290B1 (ko)
TW (1) TW398021B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101176707B1 (ko) 2008-03-04 2012-08-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 약액의 도포 고화 장치, 약액의 도포 고화 방법 및 기억 매체

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3455458B2 (ja) * 1999-02-01 2003-10-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム
JP2010182906A (ja) 2009-02-06 2010-08-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297258A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
JPH09153536A (ja) * 1995-12-01 1997-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0634783B1 (en) * 1993-07-16 1997-08-06 Semiconductor Systems, Inc. Thermal process module for substrate coat/develop system
US5826129A (en) 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
US5625433A (en) * 1994-09-29 1997-04-29 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for developing resist coated on a substrate
US5905850A (en) * 1996-06-28 1999-05-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for positioning substrates
JP3779393B2 (ja) * 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP3202929B2 (ja) * 1996-09-13 2001-08-27 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JPH10144599A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Tokyo Electron Ltd 回転処理装置およびその洗浄方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297258A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
JPH09153536A (ja) * 1995-12-01 1997-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101176707B1 (ko) 2008-03-04 2012-08-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 약액의 도포 고화 장치, 약액의 도포 고화 방법 및 기억 매체

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990023420A (ko) 1999-03-25
TW398021B (en) 2000-07-11
US6197372B1 (en) 2001-03-06
JP3340945B2 (ja) 2002-11-05
JPH1154428A (ja) 1999-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100829827B1 (ko) 기판 처리장치
KR101515247B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20010020971A (ko) 기판처리장치
JP3774283B2 (ja) 処理システム
KR100480668B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100535714B1 (ko) 기판처리장치
KR100704749B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP3914690B2 (ja) 基板受け渡し装置及び塗布現像処理システム
KR100515740B1 (ko) 기판처리장치
KR100557027B1 (ko) 기판전달장치 및 도포현상 처리시스템
US7503710B2 (en) Substrate processing system
KR100437290B1 (ko) 도포현상장치및도포현상방법
JP3517121B2 (ja) 処理装置
JP3441681B2 (ja) 処理装置
KR20100090643A (ko) 기판 처리 시스템
JP2000091218A (ja) 加熱処理方法及び加熱処理装置
JP3519664B2 (ja) 加熱処理装置
JP2002270484A (ja) 冷却処理装置及び冷却処理方法
KR100666354B1 (ko) 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치
JP2002208554A (ja) 基板処理装置
JP2001168167A (ja) 処理システム及び処理方法
JP2001189369A (ja) 基板処理装置
JP3639150B2 (ja) 処理装置
JP3568301B2 (ja) 基板処理装置
JP3602970B2 (ja) 処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130524

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150515

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee