JPH09153536A

JPH09153536A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH09153536A
Application number: JP33788995A
Authority: JP
Inventors: Masanao Matsushita; 正直松下
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1995-12-01
Filing date: 1995-12-01
Publication date: 1997-06-10

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】スピンコータＳＣ，スピンデベロッパＳＤに
おける熱的安定性とその処理品質の維持を図る。【解決手段】第１処理ユニット群１１０から第２処理
ユニット群１２０への基板受け渡しはホットプレートＨ
Ｐ下方のクールプレートＣＰで行なわれ、第１処理ユニ
ット群１１０からは、搬送ロボットＴＨにより第１受け
渡し開口１２を経て基板ＷがクールプレートＣＰに受け
渡される。そして、クールプレートＣＰからは、搬送ロ
ボットＴＣにより第２受け渡し開口１３を経て基板Ｗが
スピンコータＳＣ等に受け渡される。第１受け渡し開口
１２は、搬送ロボットＴＨによる基板受け渡し時のみシ
ャッターにより開放され、それ以外の時は、このシャッ
ターにより、スピンコータＳＣ等を、ホットプレートＨ
Ｐから熱気や熱性のパーティクルが流れ込む搬送ロボッ
トＴＨの走行領域と熱的に隔絶する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示用基板等の各種基板を処理する処理装置に関し、
詳しくは基板に加熱処理を施す複数の熱処理ユニットを
含む第１処理ユニット群と、基板を非加熱環境下で処理
する複数の非熱処理ユニットを含む第２処理ユニット群
とを並列して備え、被処理基板を処理ユニットの間で順
次搬送しつつ一連の処理を行なう基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の基板処理装置は、基板の
表面状態を調整するための加熱処理を始め、レジスト塗
布，その後の現像等の種々の処理を一連に実行する。レ
ジスト塗布や現像等を用いた薬液処理は、用いる薬液の
性質上、通常、常温（室温）で行なわれる。このため、
一連の処理を行なうための種々の処理ユニットは、加熱
を伴う処理ユニット（熱処理ユニット）と加熱を必要と
しない薬液処理等の処理ユニット（非熱処理ユニット）
に区別され、総ての熱処理ユニットが含まれる処理ユニ
ット群（以下、他のユニット群と区別するために第１処
理ユニット群という）と、非熱処理ユニットが含まれる
第２処理ユニット群に分離されている。その上で、この
第１処理ユニット群と第２処理ユニット群とを対向さ
せ、その間を走行する単一の搬送ロボットにより、両ユ
ニット群にアクセスしそれぞれのユニット群に属する処
理ユニットの間を順次所定の順番で搬送し、各処理ユニ
ットでそれぞれの基板処理が行なわれている。なお、こ
の搬送順序や該当する処理ユニットでの処理条件は、予
め規定されて処理レシピに設定されており、搬送ロボッ
トは、この処理レシピに則って駆動する。

【０００３】ところで、レジスト塗布や現像等の薬液処
理は、基板を回転させる回転テーブルを有するスピンコ
ータ（回転式レジスト塗布装置）やスピンデベロッパ
（回転式現像装置）で行なわれるが、これら装置をただ
単に室温環境下におくだけでは、その処理品質を損な
う。これは、装置周辺環境の温度（室温）が一時的にで
も変動すると、その温度変化により薬液の性質や薬液塗
布の状態が変化し、膜厚の均一性やパターンの線幅均一
性に悪影響を及ぼすからである。このため、スピンコー
タやスピンデベロッパ等の非熱処理ユニットの周辺温度
を、常温付近の所定温度に厳密に管理し、安定させてお
くことが不可欠である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板処理装置では、次のような問題点が指摘されるに至
った。

【０００５】既述したように、対向する第１処理ユニッ
ト群と第２処理ユニット群の間を走行する単一の搬送ロ
ボットがこの両ユニット群にアクセスする。このため、
第１処理ユニット群の熱処理ユニットに基板出し入れお
よびその後の搬送のために進入した搬送ロボットのハン
ドが、熱処理ユニットにおける加熱環境に基板出し入れ
の時間に亘って置かれて暖められる。従って、この暖め
られたハンドで非熱処理ユニットに対して基板の受け渡
しを行なったり、熱処理ユニットから出された直後の加
熱済み基板が非熱処理ユニットの側方を移動するという
事態が起きる。よって、この暖められたハンドや加熱済
み基板からの輻射熱により、非熱処理ユニットの周囲の
温度が部分的に上昇して熱的安定性が損なわれ、非熱処
理ユニットにおける処理品質が低下する虞があった。ま
た、暖められたハンドで非熱処理ユニットで処理済みの
基板を保持すると、既に当該基板に施された薬液処理を
処理後に損なう虞があった。

【０００６】また、搬送ロボットのハンドが熱処理ユニ
ットから進退する都度、当該熱処理ユニットからは熱気
やパーティクルが周辺に発散される。このため、非熱処
理ユニットの熱的安定性が損なわれたり、周辺の汚染を
招く虞もあった。

【０００７】本発明は、上記問題点を解決するためにな
され、非熱処理ユニットにおける熱的安定性と非熱処理
の処理品質の維持を図ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】か
かる課題を解決するため、本発明の基板処理装置は、基
板に加熱処理を施す複数の熱処理ユニットを含む第１処
理ユニット群と、基板を非加熱環境下で処理する複数の
非熱処理ユニットを含む第２処理ユニット群とを並列し
て備え、被処理基板を前記複数の熱処理ユニットおよび
非熱処理ユニットの間で順次搬送しつつ前記被処理基板
に対する一連の処理を行なう基板処理装置であって、前
記第１処理ユニット群に前記第２処理ユニット群から離
れた側からアクセスして前記熱処理ユニットに進入し、
前記被処理基板の出し入れ並びに基板搬送を行なう第１
搬送手段と、前記第１，第２処理ユニット群の間に設け
られ、前記第２処理ユニットにアクセスして前記非熱処
理ユニットに進入し、前記被処理基板の出し入れ並びに
基板搬送を行なう第２搬送手段と、前記第１処理ユニッ
ト群に含まれて設けられ、前記第１搬送手段と第２搬送
手段が進入するための第１開口と第２開口を有し、該第
１，第２開口から進入した第１搬送手段と第２搬送手段
との間での前記被処理基板の受け渡しが非加熱環境下で
可能とされた受け渡し部とを備え、該受け渡し部は、前
記第１，第２開口の少なくとも一方を遮蔽する遮蔽手段
を有する。

【０００９】上記構成を有する本発明の基板処理装置で
は、加熱処理を施す熱処理ユニットに進入して基板出し
入れと基板搬送に関与するものは、第１処理ユニット群
にアクセスする第１搬送手段に限られる。しかも、この
際の第１搬送手段のアクセスは、第２処理ユニット群か
ら離れた側からなされる。一方、非加熱環境下で処理す
る非熱処理ユニットに進入して基板出し入れと基板搬送
に関与するものは、第２処理ユニットにアクセスする第
２搬送手段に限られる。このため、熱処理ユニットに進
入して加熱された第１搬送手段が非熱処理ユニットを含
む第２処理ユニット群にアクセスすることはない。よっ
て、第２処理ユニット群における非熱処理ユニットは、
熱的に第１搬送手段から隔絶され、その熱安定性が確保
される。

【００１０】また、第１搬送手段と第２搬送手段との間
での基板受け渡しは、非加熱環境下の受け渡し部にて行
なわれ、この際に第１搬送手段と第２搬送手段が進入す
る第１開口と第２開口の少なくとも一方は、遮蔽手段に
より遮蔽される。このため、第２処理ユニット群におけ
る非熱処理ユニットは、基板受け渡しの際にあっても、
熱的に第１搬送手段から隔絶され、更には開口からの熱
の伝播や熱気の流入も阻止されるので、その熱安定性が
より確実に確保される。

【００１１】従って、本発明の基板処理装置によれば、
第２処理ユニット群における非熱処理ユニットの熱的安
定性を維持できると共に、これを通して基板処理につい
ての非熱処理品質を維持できる。

【００１２】上記構成の基板処理装置において、前記受
け渡し部は、前記第１搬送手段から受け渡された被処理
基板を支持して該被処理基板を冷却し、冷却済みの前記
被処理基板を前記第２搬送手段に受け渡す手段を有す
る。

【００１３】この構成では、受け渡し部における基板受
け渡しの際に、第１搬送手段と第２搬送手段とは直接接
触せず、しかも第２搬送手段は冷却済みの基板の受け渡
しを受ける。よって、この構成によれば、第２処理ユニ
ット群にアクセスする第２搬送手段への熱の伝播をより
確実に阻止するので、熱処理部で冷却された状態の基板
の温度を維持した上で当該基板を第２処理ユニット群に
搬送でき、第２処理ユニット群での処理品質を高めるこ
とができると共に、第２処理ユニット群における非熱処
理ユニットの熱的安定性のより確実な維持を通して、基
板処理についての非熱処理品質を高めることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る基板処理装置
の実施の形態を実施例に基づき説明する。図１は、実施
例の基板処理装置１００の外観斜視図であり、図２，図
３はその概念的平面配置図である。なお、図１ないし図
３には、方向を明確にするためにＸＹＺ直角座標系の座
標軸が示されている。

【００１５】図１ないし図３に示すように、この基板処
理装置１００は、複数枚の基板Ｗを収容したカセット１
０を載置するためのインデクサＩＤと、基板Ｗをステッ
パ等の外部装置と受け渡しするためのインターフェイス
部（基板載置台）ＩＦＢとを、その両端に備える。ま
た、基板処理装置１００は、インデクサＩＤとインター
フェイス部ＩＦＢとの間に、第１処理ユニット群１１０
と第２処理ユニット群１２０とを並列して平行に備え
る。そのほか、第１処理ユニット群１１０の背面側には
搬送ロボットＴＨを、第１処理ユニット群１１０と第２
処理ユニット群１２０との間には搬送ロボットＴＣを有
する。

【００１６】インデクサＩＤの上にカセット１０が載置
されると、インデクサＩＤはカセット１０から基板Ｗを
１枚ずつ取出して搬送ロボットＴＨに受け渡す。そし
て、搬送ロボットＴＨは、受け渡された基板Ｗを、第１
処理ユニット群１１０の各処理ユニットに搬送する。ま
た、この第１処理ユニット群１１０の各処理ユニットで
処理された基板Ｗは、搬送ロボットＴＣにより、第２処
理ユニット群１２０の各処理ユニットに搬送される。こ
の場合、搬送ロボットＴＨ，ＴＣによる基板Ｗの搬送順
序や搬送された各処理ユニットでの処理内容は予め処理
レシピに設定されており、当該レシピに従って各処理ユ
ニットが基板Ｗの処理を実行する。なお、インデクサＩ
Ｄの正面には、基板処理装置１００の操作に必要なキー
等を有する操作部５２と、プロセスの進行状況や異常の
発生などを表示して使用者に伝達する表示部５３とが設
けられている。

【００１７】第１処理ユニット群１１０は、加熱処理
（加熱ベーク処理）を行なうための複数のホットプレー
トＨＰ１〜ＨＰ６と、加熱処理済みの基板を冷却するた
めの複数のクールプレートＣＰ１〜ＣＰ５を有してい
る。これらホットプレートＨＰやクールプレートＣＰ
は、加熱・冷却の差はあれ熱管理したプレート上に基板
Ｗを載置してこれを処理する。そして、それぞれのホッ
トプレートＨＰとクールプレートＣＰは、図示するよう
に第１処理ユニット群１１０において多列に積層されて
設置されている。

【００１８】第２処理ユニット群１２０は、スピンコー
タＳＣと、２つのスピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ２とを
有している。スピンコータＳＣおよびスピンデベロッパ
ＳＤ１，ＳＤ２は、搬送ロボットＴＣにより運び込まれ
た基板Ｗを回転させる回転テーブルＴ１，Ｔ２，Ｔ３を
共に備える。また、スピンコータＳＣは、基板Ｗにレジ
ストを供給して基板上面にレジスト膜を形成するための
レジスト供給機構Ｒを、スピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ
２は、図示しない露光装置にて焼き付け・露光された基
板Ｗに現像液を供給して例えば露光領域のレジストを除
去するための現像液供給機構Ｇ１，Ｇ２を備える。

【００１９】スピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ２は、境界
領域Ｋ１（図２参照）を介在させて隣り合わされてお
り、スピンデベロッパＳＤ１では、回転テーブルＴ２は
境界領域Ｋ１から左側に離れて設置されている。その一
方、スピンデベロッパＳＤ２では、回転テーブルＴ３は
境界領域Ｋ１から右側に離れて設置されている。しか
も、この回転テーブルＴ２，Ｔ３は、境界領域Ｋ１を中
心に左右対象の位置に設置されている。このため、現像
液供給機構Ｇ１，Ｇ２は、境界領域Ｋ１の側にそれぞれ
設置されており、境界領域Ｋ１を挟んでその左右に並ん
でいる。

【００２０】スピンコータＳＣは、スピンデベロッパＳ
Ｄ１左方の境界領域Ｋ２を隔てて、スピンデベロッパＳ
Ｄ１の左隣に位置し、回転テーブルＴ１を境界領域Ｋ２
から左側に離して、レジスト供給機構Ｒを境界領域Ｋ２
の側に有する。

【００２１】スピンコータＳＣおよびスピンデベロッパ
ＳＤ１，ＳＤ２がこのように配置されているので、クー
ルプレートＣＰ１が含まれる列は、搬送ロボットＴＨ，
ＴＣにより搬送された基板Ｗ（図示省略）と回転テーブ
ルＴ１とがその中心軸をほぼ一致させて位置するよう、
スピンコータＳＣと対向して設置されている。同様に、
クールプレートＣＰ３が含まれる列は、基板Ｗと回転テ
ーブルＴ２とがその中心軸をほぼ一致させて位置するよ
う、スピンデベロッパＳＤ１と対向して設置されてい
る。更に、クールプレートＣＰ４が含まれる列は、基板
ＷとスピンデベロッパＳＤ２の回転テーブルＴ３とがそ
の中心軸をほぼ一致させて位置するよう、スピンデベロ
ッパＳＤ２と対向して設置されている。また、クールプ
レートＣＰ２が含まれる列は、レジスト供給機構Ｒに対
向して、クールプレートＣＰ５が含まれる列は、現像液
供給機構Ｇ１，Ｇ２に対向して設置されている。

【００２２】搬送ロボットＴＨは、第１処理ユニット群
１１０に対してのみアクセスし、この第１処理ユニット
群１１０に含まれる上記のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ
６とクールプレートＣＰ１〜ＣＰ５の間で基板搬送を行
なうよう、第１処理ユニット群１１０の背面に第２処理
ユニット群１２０から離れて設置されている。この搬送
ロボットＴＨは、インデクサＩＤ付近からインターフェ
イス部ＩＦＢまでの区間において第１処理ユニット群１
１０に沿って移動可能に配設されており、更に上下方向
に対しても移動可能に構成されている。そして、搬送ロ
ボットＴＨは、それぞれの上記ホットプレートＨＰ１〜
ＨＰ６とクールプレートＣＰ１〜ＣＰ５にその背面から
進入し、被処理基板の出し入れ並びに基板搬送を行な
う。なお、搬送ロボットＴＨは、図示しない二つのハン
ドを有し、一方のハンドでホットプレートＨＰから基板
Ｗを取り出してこれを保持し、他方のハンドでクールプ
レートＣＰの基板Ｗを取り出し、その後、基板Ｗが取り
出されたクールプレートＣＰに保持済みの基板を受け渡
すよう構成されている。

【００２３】搬送ロボットＴＣは、第１処理ユニット群
１１０と第２処理ユニット群１２０との間に介在し、第
１，第２処理ユニット群１１０，１２０にアクセスし、
第１処理ユニット群１１０のクールプレートＣＰ１，Ｃ
Ｐ３，ＣＰ４と第２処理ユニット群１２０との間での基
板の受け渡し並びに基板搬送を行なう。この搬送ロボッ
トＴＣは、インデクサＩＤからインターフェイス部ＩＦ
Ｂまでの区間において、第１，第２処理ユニット群１１
０，１２０に沿って移動可能に配設されている。また、
搬送ロボットＴＣは、図３に示すように、互いに同時に
反対方向に進退可能な２つのアームＡ１，Ａ２を備えて
おり、それぞれの先端部には基板Ｗを支持するためのＣ
の字状の基板支持部を有している。更に、この搬送ロボ
ットＴＣは、後述するように、昇降も可能に構成される
と共に垂直軸周りの旋回も可能に構成されている。

【００２４】これら搬送ロボットＴＨ，ＴＣは、処理レ
シピに登録された搬送順序に従って、第１，第２処理ユ
ニット群１１０，１２０の各処理ユニットに基板Ｗを順
次搬送する。

【００２５】なお、インデクサＩＤおよびインターフェ
イス部ＩＦＢ内に設けられている各インターフェイスロ
ボット１０１は、インデクサＩＤ上のカセット１０と搬
送ロボットＴＨとの間、および搬送ロボットＴＨとイン
ターフェイス部ＩＦＢとの間で基板Ｗを受け渡す際にそ
の中継ぎ搬送のために配設されているものである。

【００２６】ここで、第１，第２処理ユニット群１１
０，１２０への搬送ロボットＴＨ，ＴＣのアクセスの様
子について、図１，図２の４−４線概略断面図である図
４を用いて説明する。

【００２７】図４に示すように、第１処理ユニット群１
１０において積層配置されているホットプレートＨＰ１
〜ＨＰ３は、第２処理ユニット群１２０側の壁面には一
切の開口を有せず、当該壁面にて第２処理ユニット群１
２０と隔絶されている。よって、これらホットプレート
ＨＰから第２処理ユニット群１２０に、直接熱が輻射さ
れることはないと共に、パーティクルが到達することも
ない。そして、これらホットプレートＨＰ１〜ＨＰ３
は、第２処理ユニット群１２０から離れた側（図中右
側）、即ち搬送ロボットＴＨの側にのみ、受け渡し開口
１１を有する。また、ホットプレートＨＰ１の下方に位
置するクールプレートＣＰ１は、搬送ロボットＴＨの側
には第１受け渡し開口１２を搬送ロボットＴＣの側には
第２受け渡し開口１３を有する。

【００２８】従って、搬送ロボットＴＨは、第１処理ユ
ニット群１１０には第２処理ユニット群１２０から離れ
た側からのみアクセスし、各ホットプレートＨＰ内にそ
のハンドを受け渡し開口１１から進入させて、基板Ｗの
出し入れを行なう。なお、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ
３以外のホットプレートＨＰも同様である。ホットプレ
ートＨＰから搬出した基板Ｗは、搬送ロボットＴＨによ
りクールプレートＣＰ１まで降下搬送され、第１受け渡
し開口１２を経てこのクールプレートＣＰ１に受け渡さ
れる。

【００２９】その一方、搬送ロボットＴＣは、第１，第
２処理ユニット群１１０，１２０の間に介在することか
ら、この両ユニット群にアクセス可能であり、第１処理
ユニット群１１０については、クールプレートＣＰ１に
その第２受け渡し開口１３からハンドを進入させる。そ
して、このクールプレートＣＰ１で冷却済みの基板Ｗを
受け取り、その後この基板ＷをスピンコータＳＣに受け
渡す。この際、搬送ロボットＴＣは、クールプレートＣ
Ｐ１の第２受け渡し開口１３と対向して空けられたスピ
ンコータＳＣの受け渡し開口１４からそのハンドを進入
させる。つまり、クールプレートＣＰ１は、第１，第２
受け渡し開口１２，１３からそれぞれ進入した搬送ロボ
ットＴＨ，ＴＣの間で基板Ｗの受け渡しを行なわせ、搬
送ロボットＴＣには冷却済みの基板Ｗを受け渡す。よっ
て、クールプレートＣＰ１は、本発明にいう受け渡し部
となる。なお、スピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ２の回転
テーブルＴ２，Ｔ３に対向するクールプレートＣＰ３，
ＣＰ４もこの受け渡し部となる。しかし、回転テーブル
に対向していないクールプレートＣＰ２，ＣＰ４につい
ては、ここからスピンコータＳＣ等に基板Ｗを直接受け
渡す必要がない場合には、第１受け渡し開口１２のみを
有するものとすることができる。

【００３０】次に、搬送ロボットＴＣの構成と、本発明
にいう受け渡し部であるクールプレートＣＰ１，ＣＰ
３，ＣＰ４の構成について説明する。

【００３１】搬送ロボットＴＣの駆動系を示す断面図で
ある図５に示すように、搬送ロボットＴＣは、箱状のフ
レーム２０を有しており、このフレーム２０が図示しな
い昇降機構および旋回機構によって昇降および旋回可能
に構成されている。フレーム２０の上面には、図３に示
すように、第１，第２処理ユニット群１１０，１２０に
向かう長細形状の開口２１が２列形成されている。これ
らの開口２１には、可動支柱２２がそれぞれ入れ込まれ
ており、それぞれの可動支柱２２の上端には、アームＡ
１，Ａ２がその基端部にて連結されている。可動支柱２
２は、ガイドレール２３に沿って摺動可能であり、その
底部にて駆動ワイヤー２４の一部位と接続されている。
駆動ワイヤー２４は、２つの従動プーリ２５に張設され
ると共に主動プーリ２６に巻かれている。主動プーリ２
６は、モータ２７によって正逆回転駆動され、この主動
プーリ２６の正逆回転に伴って可動支柱２２は従動プー
リ２５の間を往復移動して、アームＡ１，Ａ２を進退駆
動（図１における実線が伸長した状態であり、二点鎖線
が収縮した状態を示す）させる。なお、２列の開口２１
は、図１に示すように、アームＡ１，Ａ２が収縮した際
に、互いの可動支柱２２とＣの字状の基板支持部とが干
渉しないように、中心を挟んで両端側に形成されてい
る。

【００３２】このように駆動するアームＡ１とアームＡ
２は、その駆動の際には互い逆方向に進退駆動するよう
になっている。また、アームＡ１とアームＡ２は、それ
ぞれ可動支柱２２の高さが異なっており、アームＡ１は
アームＡ２よりも所定間隔ｄだけ高くなるように設けら
れている。このため、図１において二点鎖線で示すよう
に、搬送ロボットＴＣがこの両アームをフレーム２０の
上面に位置させた移動姿勢を採る場合でも、両アームは
干渉することはなく、搬送ロボットＴＣは、この移動姿
勢で第１，第２処理ユニット群１１０，１２０に沿って
移動する。これにより搬送ロボットＴＣの移動に必要な
スペースを抑制することができ、装置の省スペース化に
寄与する。

【００３３】クールプレートＣＰ１は、その縦断面図で
ある図６に示すように、電子冷却による水冷ジャケット
を有するアルミプレート３０を備え、このアルミプレー
ト３０により基板Ｗを所定温度（例えば、室温）まで冷
却する。なお、クールプレートＣＰ３，ＣＰ４も同一の
構成であるので、以下の説明は、クールプレートＣＰ１
についてのみ行なう。

【００３４】アルミプレート３０は、その上面に、平面
視で正三角形をなすように３つのボール３１を埋設して
備え、各ボールは、その上端部をアルミプレート３０上
面から若干突出させている。即ち、このクールプレート
ＣＰ１は、アルミプレート３０自体には基板Ｗを密着さ
せず、微小な間隔をおいて基板Ｗを冷却する、いわゆる
プロキシミティー式の冷却方式を採る。なお、これらの
ボール３１の上端部で冷却・保持される基板Ｗの位置
を、以下、基板処理位置Ｈ１と称する。

【００３５】アルミプレート３０のボール３１の近辺に
は、これらと重複しないように、平面視で正三角形の頂
点の位置関係で３本の支持ピン３２が昇降可能に配設さ
れている。これらの支持ピン３２は、下端部を環状の連
結部材３３によって連結されており、３本の支持ピン３
２は同時に昇降するようになっている。アルミプレート
３０は、連結部材３３の開口を通る支柱３４によってそ
の中央部付近を支持されている。アルミプレート３０
は、その周囲を、処理雰囲気を保持する容器３５によっ
て囲われており、その上部には窒素などの不活性ガスを
供給するためのガス供給部３６が形成されている。この
ガス供給部３６から供給された不活性ガスは、アルミプ
レート３０の下方であって、容器３５の側面に形成され
た排気口３７を通って排気される。そして、基板の冷却
処理の際には、ガス供給部３６から不活性ガスが供給さ
れ、当該不活性ガスは排気口３７を介してパージされ
る。

【００３６】容器３５の側面であって搬送ロボットＴＣ
側（図の左側）には、既述した第２受け渡し開口１３が
形成されており、これと対向する側、即ち搬送ロボット
ＴＨ側（図の右側）には、既述した第１受け渡し開口１
２が形成されている。そして、この第１受け渡し開口１
２の内側には、当該開口を開閉するシャッター４０が昇
降可能に配設されている。シャッター４０は、その下端
部が水平方向に曲げられて第１のエアシリンダ４１のロ
ッドに連結されており、当該シリンダにより昇降する。
また、シャッター４０の水平方向に曲げられた部分の近
傍には、連結部材３３の押し上げを通して支持ピン３２
を上昇させるために２段で構成された第２および第３の
エアシリンダ４２，４３が、第１のエアシリンダ４１と
は独立に配設されている。

【００３７】このように構成されたクールプレートＣＰ
１は、第１のエアシリンダ４１のロッドを伸長させるこ
とにより第１受け渡し開口１２を開放させて、この第１
受け渡し開口１２を通して搬送ロボットＴＨとの間で基
板Ｗの受け渡しを行なう。また、第２のエアシリンダ４
２のロッドを伸長させることにより連結部材３３を押し
上げ、支持ピン３２を、基板処理位置Ｈ１から第１の待
機位置Ｈ２へと上昇させる。更に、この状態で第３のエ
アシリンダ４３のロッドを伸長させることにより、連結
部材３３をより上方に押し上げ、支持ピン３２を、第１
の待機位置Ｈ２から第２の待機位置Ｈ３へと上昇させ
る。また、上記の順序とは逆の順序で各エアシリンダの
ロッドを収縮させると、支持ピン３２は、その固定され
ている連結部材３３の自重により、第２の待機位置Ｈ３
から第１の待機位置Ｈ２を経て基板処理位置Ｈ１へと下
降する。

【００３８】なお、第１の待機位置Ｈ２と第２の待機位
置Ｈ３との間隔は、上述したアームＡ１とアームＡ２と
の所定間隔ｄの約２倍の間隔であることが好ましい。具
体的には、第１の待機位置Ｈ２は基板処理位置Ｈ１から
約１３ｍｍの位置であり、第２の待機位置Ｈ３は基板処
理位置Ｈ１から約３３ｍｍの位置である。よって第１の
待機位置Ｈ２と第２の待機位置Ｈ３との間隔は、約２０
ｍｍである。なお、これらの間隔は、アームＡ１とアー
ムＡ２との所定間隔ｄや、両アームＡ１，Ａ２の先端部
に形成されている基板支持部の厚さなどを勘案して設定
される。

【００３９】また、スピンコータＳＣは、図４に示すよ
うに、高さ方向の位置が固定されたスピンチャック５０
（回転テーブルＴ１）を回転モータＭに取り付けて備
え、スピンチャック５０で基板Ｗを吸着支持する。ま
た、スピンチャック５０からの処理液の飛散を防止する
ため、このスピンチャック５０は、昇降可能に構成され
た飛散防止カップ５１によって囲われている。

【００４０】上記した搬送ロボットＴＣや搬送ロボット
ＴＨは、図７に示すように、各クールプレートＣＰ，各
ホットプレートＨＰ，スピンコータＳＣ，スピンデベロ
ッパＳＤ１，ＳＤ２並びに操作部５２，表示部５３共
に、制御部６０に接続されており、この制御部６０によ
り統括制御されている。この際、制御部６０は、種々の
処理レシピを記憶したメモリ６１から所定の処理レシピ
を読み出し、当該レシピに設定された処理条件でスピン
コータＳＣ等を制御し、搬送ロボットＴＨ，ＴＣを駆動
制御する。なお、この制御部６０には、搬送ロボットＴ
Ｈ，ＴＣの駆動位置やクールプレートＣＰにおけるシャ
ッター４０の開閉状態を検出する図示しないセンサ（例
えば近接センサやマイクロスイッチ）等が接続されてい
る。

【００４１】次に、クールプレートＣＰにおける搬送ロ
ボットＴＨと搬送ロボットＴＣとの間の基板受け渡し、
並びに搬送ロボットＴＣによる第１処理ユニット群１１
０と第２処理ユニット群１２０との間の基板受け渡しの
様子について、クールプレートＣＰ１を例に採り説明す
る。図８は、クールプレートＣＰ１における基板受け渡
しの際に制御部６０が行なう機器駆動手順を説明するプ
ロセス図であり、図９から図１３は、搬送ロボットＴＣ
を中心に基板受け渡しの様子を、図８に示した機器駆動
に関連して表わした模式図である。

【００４２】図８に示すように、まず、クールプレート
ＣＰ１で基板冷却（プロキシミティー式冷却）が終了
（ステップＳ１００）した時点から説明する。この冷却
の終了時点では、クールプレートＣＰ１では基板Ｗは既
に室温となっており（以下、この室温となった基板を他
の基板と区別するために基板ＷＣと称する）、基板ＷＣ
は、クールプレートＣＰ１においてボール３１（図６参
照）の上端部で保持された基板処理位置Ｈ１にある（図
９（ａ））。一方、搬送ロボットＴＣは、アームＡ１，
Ａ２をフレーム２０の上面に位置させた移動姿勢を採
り、スピンコータＳＣでは既にその薬液処理（レジスト
塗布処理）を終えており、スピンコータＳＣでの薬液処
理済みの基板（以下、この基板を他の基板と区別するた
めに基板ＷＳと称する）は、スピンチャック５０に載置
された基板処理位置Ｈ０にある。

【００４３】また、この冷却の終了時点では、クールプ
レートＣＰ１の第１受け渡し開口１２におけるシャッタ
ー４０は、図６に示すようにこの第１受け渡し開口１２
を、後述する時点まで閉鎖状態に置いている。つまり、
このシャッター４０により、クールプレートＣＰ１は、
ホットプレートＨＰから熱気やパーティクルが流れ込む
領域（搬送ロボットＴＨ走行領域）と区画されている。
そして、このクールプレートＣＰ１と第２受け渡し開口
１３および受け渡し開口１４を経て連通しているスピン
コータＳＣも、シャッター４０により搬送ロボットＴＨ
走行領域から区画されていることになる。

【００４４】この状態から、制御部６０は、クールプレ
ートＣＰ１の第２のエアシリンダ４２を動作（ロッド伸
長動作）させて支持ピン３２を上昇させる（ステップＳ
１１０）。これにより基板ＷＣは、第１の待機位置Ｈ２
に上昇する（図９（ｂ））。

【００４５】次いで、制御部６０は、以下に記すように
搬送ロボットＴＣのモータ２７および図示しない昇降機
構を順次駆動して、アームＡ１，Ａ２の伸長，上昇を行
なう（ステップＳ１２０）。つまり、まず、モータ２７
を回転駆動してアームＡ１，Ａ２を図中矢印方向に伸長
させる。これによりアームＡ１は、スピンコータＳＣの
スピンチャック５０に支持されている基板ＷＳの下方に
進入し、アームＡ２は、クールプレートＣＰ１の基板処
理位置Ｈ１と第１の待機位置Ｈ２との間隔に進入する
（図１０（ａ））。この状態で昇降機構は駆動され、搬
送ロボットＴＣを上昇させる（図１０（ｂ））。これに
より基板ＷＳは、スピンチャック５０からアームＡ１に
移載され、基板ＷＣは、第１の待機位置Ｈ２にある支持
ピン３２からアームＡ２に移載される。こうして、クー
ルプレートＣＰ１およびスピンコータＳＣでは、搬送ロ
ボットＴＣへの基板受け渡しが同時に行なわれる。

【００４６】その後、制御部６０は、以下に記すように
搬送ロボットＴＣのモータ２７および図示しない旋回機
構等を順次駆動して、アームＡ１，Ａ２の退避および搬
送ロボットＴＣの回転並びに上昇を行なう（ステップＳ
１３０）。この場合は、まず、モータ１７を逆転駆動し
て、アームＡ１，Ａ２を搬送ロボットＴＣ上に退避させ
る（図１１（ａ））。更に、旋回機構を駆動して搬送ロ
ボットＴＣを水平面内で回転中心Ｐを中心に回転駆動
し、アームＡ１，Ａ２の位置関係を入替えると共に、搬
送ロボットＴＣをアームＡ１が第２の待機位置Ｈ３より
高く位置するように上昇させる（図１１（ｂ））。こう
して、クールプレートＣＰ１およびスピンコータＳＣか
らの基板取り出しが同時に行なわれ、その後、基板ＷＣ
のスピンコータＳＣ側への移動並びに基板ＷＳのクール
プレートＣＰ１側への移動も同時に行なわれる。

【００４７】続いて、制御部６０は、クールプレートＣ
Ｐ１の第３のエアシリンダ４３のロッドを伸長させ、支
持ピン３２を更に上昇させる（ステップＳ１４０）。こ
れにより支持ピン３２は、第１の待機位置Ｈ２より上に
位置する第２の待機位置Ｈ３に上昇される（図１１
（ｂ））。

【００４８】その後は、支持ピン３２を第２の待機位置
Ｈ３に上昇させたままの状態で、搬送ロボットＴＣのア
ームＡ１，Ａ２を伸長させる（ステップＳ１５０）。こ
れにより、アームＡ１，Ａ２はそれぞれスピンコータＳ
Ｃ，クールプレートＣＰ１内に進入し、冷却処理済みの
基板ＷＣは、アームＡ２によってスピンチャック５０
（基板処理位置Ｈ０）の若干上方に移動され、塗布処理
済みの基板ＷＳはアームＡ１によって第２の待機位置Ｈ
３の若干上方に移動される（図１２（ａ））。つまり、
これにより基板ＷＣと基板ＷＳは位置交換される。そし
て、搬送ロボットＴＣを下降することにより（ステップ
Ｓ１６０）、基板ＷＣはアームＡ２からスピンチャック
５０に移載され、基板ＷＳはアームＡ１から第２の待機
位置Ｈ３にある支持ピン３２上に移載される（図１２
（ｂ））。こうして、クールプレートＣＰ１およびスピ
ンコータＳＣでは、搬送ロボットＴＣからの基板受け取
りが同時に行なわれる。なお、冷却済みの基板ＷＣを受
け取ったスピンコータＳＣは、回転テーブルＴ１を回転
駆動すると共に、レジスト供給機構Ｒを用いてレジスト
を供給する処理を開始する。

【００４９】次いで、アームＡ１，Ａ２を、搬送ロボッ
トＴＣ上に退避させる（ステップＳ１７０）。これによ
り、搬送ロボットＴＣは、アームＡ１，Ａ２をフレーム
２０の上面に位置させた移動姿勢を採り、アームＡ１
は、クールプレートＣＰ１から出て行くので（図１３
（ａ））、後述するようにこのクールプレートＣＰ１に
搬送ロボットＴＨのハンドが進入しても当該ハンドと近
づくことはない。なお、アームＡ１，Ａ２の退避と共
に、制御部６０は、搬送ロボットＴＣを回転中心Ｐで旋
回駆動し、両アームＡ１，Ａ２の位置関係を再度入替え
ながら、基板処理位置Ｈ１と第１の待機位置Ｈ２の間に
アームＡ２が進入できる高さまで搬送ロボットＴＣを下
降させる（図１３（ｂ））。

【００５０】このアームＡ１の退避が完了すると、制御
部６０は、クールプレートＣＰ１が受け取った塗布処理
済みの基板ＷＳのその後の処理ユニットへの搬入と加熱
処理済みの基板（以下、この基板を他の基板と区別する
ために基板ＷＨと称する）のクールプレートＣＰ１への
受け渡しを、以下のようにして行なう。

【００５１】まず、制御部６０は、搬送ロボットＴＨを
駆動制御していずれかのホットプレートＨＰ（ＨＰ１〜
ＨＰ３）で加熱処理済みの基板ＷＨを一方のハンドで取
り出し、これをクールプレートＣＰ１における第１受け
渡し開口１２の手前まで搬送する（ステップＳ１８
０）。これにより、冷却の対象となる次の基板ＷＨの受
け渡し準備が完了する。この場合、搬送ロボットＴＨの
一方のハンドには基板ＷＨが保持されており、他方のハ
ンドは空のままである。なお、この基板取り出し並びに
搬送は、その実行タイミングを上記した搬送ロボットＴ
Ｃによる基板受け取り（ステップＳ１６０）やアームＡ
１，Ａ２の退避（ステップＳ１７０）の実行状況に合わ
せて、別個になされている。

【００５２】上記したクールプレートＣＰ１からのアー
ムＡ１の退避（ステップＳ１７０）並びに搬送ロボット
ＴＨによる基板ＷＨの受け渡し準備の完了（ステップＳ
１８０）がなされた状態では、クールプレートＣＰ１で
は、既にアームＡ１は存在せず、支持ピン３２は第２の
待機位置Ｈ３に上昇したままとなっている。よって、ス
テップＳ１７０，１８０に続いては、基板ＷＨの受け渡
しを行なうべく、制御部６０は、第１のエアシリンダ４
１を駆動してシャッター４０を持ち上げ、クールプレー
トＣＰ１における第１受け渡し開口１２を開放させる
（ステップＳ１９０，（図１３（ａ））。これにより、
これまでこのシャッター４０によって上記の搬送ロボッ
トＴＨ走行領域と区画されていたクールプレートＣＰ１
は、この搬送ロボットＴＨ走行領域と第１受け渡し開口
１２の開口領域に限って通気可能となる。

【００５３】続いて、制御部６０は、搬送ロボットＴＨ
を駆動して、以下のようにして基板取り出しと基板受け
渡しを行なう（ステップＳ２００）。基板ＷＨを保持し
てない空のハンドを第２の待機位置Ｈ３の僅か下方から
クールプレートＣＰ１内に進入させ、その後の搬送ロボ
ットＴＨの上昇により基板ＷＳを受け取る。そして、こ
のハンドをクールプレートＣＰ１から退避させて基板Ｗ
Ｓを取り出し、次いで、基板ＷＨを保持済みのハンドの
クールプレートＣＰ１内への進入，降下，退避を行な
い、基板ＷＨをクールプレートＣＰ１に受け渡す（図１
３（ａ））。これにより、基板ＷＨは３は支持ピン３２
の上に移載されて第２の待機位置Ｈ３に置かれる（図１
３（ａ））。

【００５４】その後、制御部６０は、第１のエアシリン
ダ４１を逆向きに駆動してシャッター４０を降下させ、
第１受け渡し開口１２を閉鎖させる（ステップＳ２１
０，図１３（ｂ））。これにより、クールプレートＣＰ
１は、改めて搬送ロボットＴＨ走行領域と区画され、当
該領域からの通気が遮断される。つまり、搬送ロボット
ＴＨ走行領域からクールプレートＣＰ１への通気は、ス
テップＳ１９０からこのステップＳ２１０までの間しか
起きることはない。

【００５５】次いで、制御部６０は、第２および第３の
エアシリンダ４２，４３をそのロッドが後退する側に駆
動して、支持ピン３２を基板処理位置Ｈ１まで降下させ
る（ステップＳ２２０）。これにより、基板ＷＨは、ク
ールプレートＣＰ１においてボール３１（図６参照）の
上端部で保持された基板処理位置Ｈ１に置かれる（図１
３（ｂ））。その後、この基板ＷＨは、アルミプレート
３０により冷却処理を受けることになる（ステップＳ２
３０）。そして、この冷却処理が予め規定された時間に
亘り行なわれると、上記したステップＳ１００からの処
理が再度実行され、クールプレートＣＰ１での基板受け
渡しを経て基板が順次処理される。

【００５６】以上説明したように、本実施例の基板処理
装置１００では、いずれかのホットプレートＨＰ内に進
入して加熱若しくは暖められる搬送ロボットＴＨは、第
１処理ユニット群１１０に含まれるクールプレートＣＰ
にしか進入せず、第２処理ユニット群１２０に含まれる
スピンコータＳＣやスピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ２に
は直接進入することはない。しかも、この搬送ロボット
ＴＨが進入するクールプレートＣＰ内の領域は、搬送ロ
ボットＴＣの走行区域を介してスピンコータＳＣ等と離
れており、クールプレートＣＰへの搬送ロボットＴＨの
進入は第２処理ユニット群１２０のスピンコータＳＣか
ら離れた側からのみなされる。

【００５７】一方、第２処理ユニット群１２０のスピン
コータＳＣ，スピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ２とクール
プレートＣＰ（ＣＰ１，ＣＰ３，ＣＰ４）に共に進入し
て基板受け渡しを行なう搬送ロボットＴＣは、第１処理
ユニット群１１０のホットプレートＨＰに進入すること
はなく、ホットプレートＨＰから熱を受けることはな
い。

【００５８】また、搬送ロボットＴＨにより加熱処理済
みの基板ＷＨが受け渡されても、この基板ＷＨが冷却さ
れてからしか、搬送ロボットＴＣはこの基板ＷＨを受け
取ることはなく、この受け取りの際には、搬送ロボット
ＴＨはクールプレートＣＰにはない。よって、搬送ロボ
ットＴＣは、基板ＷＨおよび搬送ロボットＴＨから熱を
受けることはない。

【００５９】更には、第１処理ユニット群１１０から第
２処理ユニット群１２０への基板受け渡しは、基板Ｗを
冷却処理するクールプレートＣＰにおいてのみ行なわ
れ、このクールプレートＣＰは、ホットプレートＨＰか
らの加熱済み基板ＷＨの受け取りの期間（ステップＳ１
９０〜２１０までの期間）に亘ってのみ、シャッター４
０により搬送ロボットＴＨの走行領域と通気可能とされ
るに過ぎず、また、この期間中に、搬送ロボットＴＣは
クールプレートＣＰに進入していることはない。よっ
て、ホットプレートＨＰから受け渡し開口１１を通過し
て熱気やパーティクルが搬送ロボットＴＨの走行領域に
流れ込んでも、この熱気やパーティクルは、第１受け渡
し開口１２を通ってクールプレートＣＰに流れ込むこと
はほとんどなく、更に、この流れ込んだ熱気やパーティ
クルは、搬送ロボットＴＣに接触してこれを暖めたりす
ることはない。

【００６０】従って、これらのことから、第２処理ユニ
ット群１２０のスピンコータＳＣやスピンデベロッパＳ
Ｄ１，ＳＤ２は、クールプレートＣＰを経てホットプレ
ートＨＰから基板Ｗを受け渡されるが、このホットプレ
ートＨＰとは熱的に隔絶されており、ホットプレートＨ
Ｐの熱気やパーティクルが流れ込むことはない。この結
果、本実施例の基板処理装置１００によれば、第２処理
ユニット群１２０におけるスピンコータＳＣやスピンデ
ベロッパＳＤ１，ＳＤ２の熱安定性を確実に確保して、
その処理品質の維持を図ることができる。

【００６１】また、第２処理ユニット群１２０のスピン
コータＳＣやスピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ２で使用さ
せる処理液の処理液雰囲気や、第１処理ユニット群１１
０のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかで例えば
基板とレジストとの密着強化を行なうためにＨＭＤＳ
（Hexamethyl Disilazane ）等の処理液を使用するよう
な場合の処理液雰囲気が、相互の処理ユニット群側に流
入することをシャッター４０により遮ることができる。
よって、基板の処理品質をより高めることができる。

【００６２】また、基板処理装置１００では、第１処理
ユニット群１１０において積層配置されているホットプ
レートＨＰを、なんらの開口がない第２処理ユニット群
１２０側壁面にて第２処理ユニット群１２０と隔絶させ
ている。よって、これらホットプレートＨＰから第２処
理ユニット群１２０に、熱を直接輻射させることはな
く、パーティクルを直接到達させることもない。このた
め、第２処理ユニット群１２０におけるスピンコータＳ
ＣやスピンデベロッパＳＤ１，ＳＤ２の熱安定性をより
確実に確保して、その処理品質の維持を図ることができ
る。

【００６３】以上本発明の実施例について説明したが、
本発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様にお
いて実施することが可能である。例えば、上記の実施例
では、クールプレートＣＰにおける第１受け渡し開口１
２のみをシャッター４０で開閉するよう構成したが、第
２受け渡し開口１３をも、この第１受け渡し開口１２と
同様に開閉する構成を採ることもできる。この場合に
は、上記した駆動手順におけるステップＳ１７０（アー
ムＡ１の退避）の実行後に第２受け渡し開口１３を閉鎖
し、次回のステップＳ１２０（アームＡ１，Ａ２の伸
長）の前にこの第２受け渡し開口１３を開放すればよ
い。そして、このようにすれば、第１受け渡し開口１２
と第２受け渡し開口１３により、スピンコータＳＣは、
搬送ロボットＴＨ走行領域と通気可能とされることはな
いので、スピンコータＳＣにおける熱的安定性とその処
理品質の維持をより確実に図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の基板処理装置１００の外観斜視図。

【図２】基板処理装置１００における処理ユニット配置
を模式的に示す概念的平面配置図。

【図３】基板処理装置１００における処理ユニット配置
と搬送ロボットＴＨ，ＴＣとの関係を模式的に示す概念
的平面配置図。

【図４】図１，図２の４−４線概略断面図。

【図５】搬送ロボットＴＣの駆動系を示す断面図。

【図６】クールプレートＣＰ１の縦断面図。

【図７】基板処理装置１００の制御系のブロック図。

【図８】クールプレートＣＰ１における基板受け渡しの
際に制御部６０が行なう機器駆動手順を説明するプロセ
ス図。

【図９】搬送ロボットＴＣを中心に基板受け渡しの様子
を、図８に示した機器駆動に関連して表わした模式図。

【図１０】搬送ロボットＴＣを中心に基板受け渡しの様
子を、図８に示した機器駆動に関連して表わした模式
図。

【図１１】搬送ロボットＴＣを中心に基板受け渡しの様
子を、図８に示した機器駆動に関連して表わした模式
図。

【図１２】搬送ロボットＴＣを中心に基板受け渡しの様
子を、図８に示した機器駆動に関連して表わした模式
図。

【図１３】搬送ロボットＴＣを中心に基板受け渡しの様
子を、図８に示した機器駆動に関連して表わした模式
図。

【符号の説明】

１１…受け渡し開口１１１２…第１受け渡し開口１２１３…第２受け渡し開口１３１４…受け渡し開口１４３０…アルミプレート３１…ボール３２…支持ピン４０…シャッター４１…第１のエアシリンダ４２…第２のエアシリンダ４３…第３のエアシリンダ５０…スピンチャック５１…飛散防止カップ６０…制御部６１…メモリ１００…基板処理装置１１０…第１処理ユニット群１２０…第２処理ユニット群Ａ１，Ａ２…アームＣＰ（ＣＰ１〜ＣＰ５）…クールプレートＨＰ（ＨＰ１〜ＨＰ６）…ホットプレートＳＣ…スピンコータＳＤ１，ＳＤ２…スピンデベロッパＴＣ…搬送ロボットＴＨ…搬送ロボットＷ…基板ＷＣ…基板（冷却済み基板）ＷＨ…基板（加熱済み基板）ＷＳ…基板（薬液処理済み基板）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に加熱処理を施す複数の熱処理ユニ
ットを含む第１処理ユニット群と、基板を非加熱環境下
で処理する複数の非熱処理ユニットを含む第２処理ユニ
ット群とを並列して備え、被処理基板を前記複数の熱処
理ユニットおよび非熱処理ユニットの間で順次搬送しつ
つ前記被処理基板に対する一連の処理を行なう基板処理
装置であって、前記第１処理ユニット群に前記第２処理ユニット群から
離れた側からアクセスして前記熱処理ユニットに進入
し、前記被処理基板の出し入れ並びに基板搬送を行なう
第１搬送手段と、前記第１，第２処理ユニット群の間に設けられ、前記第
２処理ユニットにアクセスして前記非熱処理ユニットに
進入し、前記被処理基板の出し入れ並びに基板搬送を行
なう第２搬送手段と、前記第１処理ユニット群に含まれて設けられ、前記第１
搬送手段と第２搬送手段が進入するための第１開口と第
２開口を有し、該第１，第２開口から進入した第１搬送
手段と第２搬送手段との間での前記被処理基板の受け渡
しが非加熱環境下で可能とされた受け渡し部とを備え、該受け渡し部は、前記第１，第２開口の少なくとも一方
を遮蔽する遮蔽手段を有することを特徴とする基板処理
装置。
【請求項２】請求項１記載の基板処理装置であって、前記受け渡し部は、前記第１搬送手段から受け渡された
被処理基板を支持して該被処理基板を冷却し、冷却済み
の前記被処理基板を前記第２搬送手段に受け渡す手段を
有する。