KR100829827B1 - 기판 처리장치 - Google Patents

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KR100829827B1
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 케이싱내에 있어서 기판을 처리하는 처리장치에서 케이싱에 설치되고, 기판을 반송하는 반송장치에 의해 기판을 케이싱내에 반송할 때, 통과하는 반송구와, 케이싱외의 환경을 제어하여 반송구로부터 케이싱내로의 환경유입을 억제하는 유입억제부를 가진다. 본 발명에 의하면 케이싱외의 환경의 흐름을 제어하여 케이싱내에 그 환경이 유입하는 것을 억제하는 것이 가능하기 때문에 처리장치내의 기판온도가 부분적으로 변경되어 기판면내의 온도분포가 불균일해지는 것이 억제되는 기술을 제공한다.

Description

기판 처리장치{SUBSTRATE PROCESSING UNIT}
도 1 은 본 실시형태에 있어서의 쿨링장치를 갖추는 도포현상 처리시스템 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2 는 도 1의 도포현상처리시스템의 정면도이다.
도 3 은 주 반송장치의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 4 는 도 3 의 웨이퍼반송기구를 측면에서 본 경우의 상기 웨이퍼 반송기구의 설명도이다.
도 5 는 도 1 의 도포현상 처리시스템의 배면도이다.
도 6 은 본 실시형태에 있어서의 쿨링장치의 종단면의 설명도이다.
도 7 은 도 6 의 쿨링장치의 반송구 부근의 구성을 나타내는 확대도이다.
도 8 은 셔터를 폐쇄한 경우의 상태를 나타내는 설명도이다.
도 9 는 셔터가 개방되어 반송암이 케이싱내에 진입하고 있는 상태를 나타내는 설명도이다.
도 10 은 유도부재의 다른 구성예를 나타내는 설명도이다.
도 11 은 통기구를 가지는 수평판을 구비한 주반송장치의 개략을 나타내는 사시도이다.
도 12 는 케이싱에 기체 도입부를 갖추는 쿨링장치의 종단면의 설명도이다.
<주요부분을 나타내는 도면부호의 설명>
44, 45. 46 : 반송암 47 : 반송기반
48 : 차폐판 49 : 수평판
50 : 수직판 55a : 케이싱
96 : 반송구 97 : 셔터
98 : 유도판 98a, 99a : 상단부
98b, 99b : 하단부 100 : 부착부재
R : R방향 d : 간격
본 발명은 기판처리장치에 관한 것이다.
예를들면, 반도체디바이스의 제조프로세스에 있어서의 포토리소 그래피공정에서는 웨이퍼표면에 레지스트막을 형성하는 레지스트도포처리, 웨이퍼에 패턴을 조사하여 노광하는 노광처리, 노광 후의 웨이퍼에 대해서 현상을 실행하는 현상처리, 도포처리전, 노광처리전후 및 현상처리 후의 가열처리, 냉각처리등이 실행되고 이들 처리는 도포현상처리시스템내에 각종 처리장치에 있어서 실행되고 있다.
예를들면, 도포처리전의 냉각처리는 케이싱내에 설치된 냉각판에 웨이퍼를 소정시간 탑재하고, 소정의 온도 예를들면 23℃에 냉각하는 것에 의해 실행되고 있다. 이와 같은 도포처리가 실행되는 냉각처리장치에는 케이싱내의 환경을 흡인하 여 웨이퍼등에서 발생하는 불순물을 제거하는 배기수단이 설치되어 있고, 케이싱내의 기압은 케이싱외의 기압보다도 낮게 되어 있다. 또한, 케이싱에는 웨이퍼를 반입출하기 위한 반송구가 설치되어 있고, 상기 반송구에는 냉각처리장치내를 소정의 환경으로 유지하기 위한 상기 반송구를 개폐하는 셔터가 설치되어 있다.
그런데, 도포현상처리시스템내에는 상기 도포현상처리시스템내를 청정한 환경으로 유지하기 위한 에어가 공급되고, 상기에어에 의해 하강기류가 형성되어 있다. 이 때의 에어에는 도포현상처리 시스템이 설치되어 있는 쿨링룸내의 환경이 사용되고 에어공급시의 온도는 쿨링룸내의 온도와 동일한 예를들면 23℃이다. 그러나, 도포현상처리 시스템내에는 열처리가 실행되는 열처리장치가 다수 설치되어 있고 이들 열처리장치에서의 열에 의해 상기 에어의 온도는 도포현상처리시스템내에 있어서 변동한다.
또한, 도포현상처리 시스템내에는 냉각처리장치를 포함하는 각종 처리장치간의 웨이퍼의 반송을 실행하는 반송장치가 설치되어 있고, 상기 냉각처리장치내에 웨이퍼를 반입출할 때에는 웨이퍼가 반송구를 통과하기 위하여 상기 케이싱의 셔터가 개방된다.
그런데, 상기 기술한 바와 같이 도포현상처리시스템내에는 다운 플로우가 형성되어 있고, 냉각처리장치내에는 부압이 되어 있기 때문에 냉각처리장치의 셔터가 개방될 때에는 도포현상처리시스템내의 에어가 상기 냉각처리장치내에 유입한다. 또한, 냉각처리장치가 종료한 웨이퍼를 반출할 때에는 이 유입하는 에어의 온도는 상기웨이퍼의 온도와 다르기 때문에 이 유입한 에어에 의해 웨이퍼에 있어서 반송 구에 가까운 측의 온도가 변동한다.
그 결과, 웨이퍼면내의 온도분포에 변화가 발생한다. 그리고, 그 상태에서 레지스트도포장치에 반송되어 웨이퍼상에 레지스트액이 도포되면 온도의 불균일한 웨이퍼에 레지스트액이 도포되는 것에 의해 레지스트막의 두께가 불균일하고 소정두께의 레지스트막이 구해지지 않게 되어 수율이 저하한다.
본 발명은 상기의 점에 비추어 이루어진 것이고 웨이퍼등의 기판면내의 온도가 분균일해지는 원인이 되는 냉각처리장치등의 처리장치내로의 기체의 유입을 억제하는 기판의 처리장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 기판의 처리장치는 케이싱내에 있어서 기판을 처리하는 처리장치에서 상기 케이싱에 설치되고 기판을 반송하는 반송장치에 의해 기판을 상기 케이싱내에 반송할 때 통과하는 반송구와 상기 케이싱외의 환경을 제어하여 상기 반송구로부터 상기 케이싱내로의 상기 환경의 유입을 억제하는 유입억제부를 갖춘다.
본 발명에 의하면, 유입억제부를 구비하고 있으므로 케이싱외의 환경유입을 억제하여 케이싱내에 상기하는 환경이 유입하는 것을 억제하는 것이 가능하다. 이것에 의해 상기 환경에 의해 처리장치내의 기판온도가 부분적으로 변경되어 기판면내의 온도분포가 불균일이 되는 것이 억제된다.
상기 유입억제부는, 예를들면 위쪽에서 아래쪽에 흐르는 상기 환경의 기류를 상기 반송구로부터 떨어진 방향으로 유도하는 유도판을 갖추고 있어도 용이하다.
또한, 상기 유입억제부는 예를들면 상기 유입억제부는 아래쪽으로부터 위쪽에 흐르는 상기 환경의 기류를 상기 반송구로부터 떨어진 방향으로 정류(refctification)하는 정류판을 또한 갖추고 있어도 용이하다.
또한, 상기 반송장치는 예를들면 상기 유도판에 의해 유도된 상기 환경을 상기 반송구의 방향이외의 다른 방향으로 유도하는 유도판을 갖추는 구성을 하여도 용이하다. 이와 같이 반송장치측에 유도체를 설치하는 것으로 또한 양호한 결과가 구해진다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명에 관한 기판의 처리장치를 갖는 도포현상처리시스템(1)의 평면도이고, 도 2는 도포현상처리시스템(1)의 정면도이고, 도 3은 도포현상처리시스템(1)의 배면도이다.
도포현상처리시스템(1)은 도 1에 나타나는 바와 같이 예를들면 25매의 웨이퍼(W)를 카세트단위로 외부에 도포현상처리시스템(1)에 대해서 반입출하거나 카세트(C)에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출하거나 하는 카세트스테이션(2)과, 도포현상처리공정 중에 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 각종 처리장치를 다단으로 배치하여 이루어지는 처리스테이션(3)과, 이 처리스테이션(3)에 근접하여 설치되어 있는 미도시의 노광장치와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 실행하는 인터페이스부(4)를 일체로 접속한 구성을 가지고 있다. 또한, 도포현상처리시스템(1)의 상부에는 도 2에 나타나는 바와 같이 소정의 온습도로 청정하게 조절된 에어를 도포현상처리시스템(1)내에 공급하는 에어공급장치(5)가 설치되어 있고, 상기 에어에 의해 도포현 상처리시스템(1)내에 하강기류를 형성하고 도포현상처리시스템(1)내를 퍼지할 수 있도록 이루고 있다.
카세트 스테이션(2)에서는 도 1에 나타나는 바와 같이 재치부가 되는 카세트재치대(6)상의 소정의 위치에 복수의 카세트(C)를 X방향(도 1안의 상하방향)에 일렬로 재치가 자유롭게 되어있다. 그리고, 이 카세트배열방향(X방향)과 카세트(C)에 수용된 웨이퍼(W)의 웨이퍼배열방향(Z방향 ; 연직방향)에 대해서 이송가능한 웨이퍼반송체(8)가 반송로(9)를 따라서 이동이 자유롭게 설치되어 있고 각 카세트(C)에 대해서 선택적으로 엑세스가능하도록 되어 있다.
웨이퍼반송체(7)는 웨이퍼(W)의 위치맞춤을 실행하는 얼라인먼트기능을 구비하고 있다. 이 웨이퍼반송체(7)는 후 기술하는 바와 같이 처리스테이션(3)측의 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 익스텐션장치(57)에 대해서도 엑세스할 수 있도록 구성되어 있다.
처리스테이션(3)에서는 그 중심부에 주반송장치(13)가 설치되어 있고 이 주반송장치(13)의 주변에는 각종 처리장치가 다단으로 배치되어 처리장치군을 구성하고 있다. 상기 도포현상처리시스템(1)에 있어서는 4개의 처리장치군(G1, G2, G3, G4)이 배치되어 있고, 제 1 및 제 2 처리장치군(G1, G2)는 현상처리시스템(1)의 정면측에 배치되고, 제 3 처리장치군(G3)은 카세트스테이션(2)에 근접하게 배치되고, 제 4처리장치군(G4)은 인터페이스부(4)에 근접하게 배치되어 있다. 또한, 옵션으로서 파선으로 나타낸 제 5 처리장치군(G5)을 배면측으로 별도 배치가 가능하게 되어 있다. 상기 주 반송장치(13)는 이들 처리장치군(G1, G2, G3, G4)에 배치되어 있는 후 기술 하는 각종 처리장치에 대해서 웨이퍼(W)를 반입출가능하다. 또한, 처리장치군의 수와 배치는 웨이퍼(W)에 실시되는 처리종류에 의해 다르고 처리장치군의 수는 임의이다.
상기에서, 주반송장치(13)의 구성에 대해서 자세히 설명한다. 주반송장치(13)는 도 3에 나타나는 바와 같이 대략 원통형케이스(40)를 갖고, 상기케이스(40)내에 웨이퍼(W)를 보유유지하여 반송하는 반송장치로서 웨이퍼반송기구(41)를 가지고 있다.
케이스(40)의 아래쪽에는 모터등을 구비한 회전기구(42)가 설치되어 있고 케이스(40)의 전체를 θ방향(Z축을 중심으로 하는 회전방향)으로 회전시키는 것에 의해 웨이퍼반송기구(41)가 소망하는 방향으로 회전이 자유롭게 되어 있다. 또한, 케이스(40)에는 장방형태의 개구부(43)가 설치되어 있고 상기 개구부(43)에서 웨이퍼(W)가 케이스(40)내에 출입이 가능하도록 되어 있다.
반송장치로서 웨이퍼반송기구(41)는 도 3, 도 4에 나타나는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 직접 보유유지하는 3개의 반송암(44, 45, 46)과, 이들의 반송암(44, 45, 46)을 지지하는 반송기반(47)을 가지고 있다. 이들 반송암(44, 45, 46)은 반송기반(47)상에 위로부터 순서로 적층되어 배치되어 있다.
반송암(44)은 도 3에 나타나는 바와 같이 선단에 대략 3/4 환원형의 C형의 지지부(44a)를 갖고, 이 지지부(44a)에서 웨이퍼(W)를 지지하도록 되어 있다. 또한, 반송암(44)은 개별로 반송기반(47)의 전후방향(도 3안의 R방향)에 이동이 자유롭게 구성되어 있고, 각각 독립하여 후 기술 하는 각종 처리장치내까지 이동하는 것이 가능하다. 또한, 반송기반(47) 자체가 케이스(40)를 따라서 Z방향(연직방향)으로 이동이 자유롭게 구성되어 있고 반송암(44)도 그 이동에 수반하여 상하방향으로 이동이 자유롭게 되어 있다. 또한, 반송암(45, 46)은 반송암(44)과 동일하게 구성되어 있기 때문에 설명을 생략한다.
최상단의 반송암(44)과 반송암(45)과의 사이에는 평판형의 차폐판(48)이 반송기반(47)에 고정되어 설치되어 있고 반송암(44)과 반송암(45, 46)에 보유유지된 각 웨이퍼간의 열의 관여를 억제할 수 있도록 되어 있다.
반송암(44)의 위쪽에는 반송암(44)의 상면을 덮는 수평판(49)이 반송기반(47)에 지지되어 설치되어 있다. 또한, 상기 수평판(49)상의 R방향의 정면방향측에는 평면에서 보면 R방향의 정면방향측에는 요철형의 만곡형태의 수직판(50)이 설치되어 있다. 상기의 구성에 의해, 위쪽에서 에어를 수평판(49)에 의해 확산시켜 그 확산된 에어가 R방향의 정면방향으로 유출한 경우에는 상기에어를 수직판(50)에 의해 차단하고, 상기 에어가 R방향 정면방향으로 흐르는 것을 억제할 수 있도록 되어 있다. 즉 위쪽에서 에어를 웨이퍼(W)의 반송처인 후 기술 하는 각종 처리장치방향에 흐르는 것을 억제할 수 있도록 되어 있다.
제 1 처리장치군(G1)에서는 예를들면 도 2에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트도포장치(51)와 노광 후의 웨이퍼(W)를 현상처리하는 현상처리장치(52)가 아래로부터 순서로 2단으로 배치되어 있다. 처리장치군(G2)의 경우도 동일하게 레지스트도포장치(53)와 현상처리장치(54)가 아래로부터 순서로 2단으로 적층되어 있다.
제 3 처리장치군(G3)에서는 예를들면 도 5에 나타나는 바와 같이, 상기 기술한 본 실시형태에 관한 기판의 처리장치로서 쿨링장치(55), 레지스트액과 웨이퍼(W)와의 정착성을 높이기 위한 애드히젼장치(56), 웨이퍼(W)를 대기시키는 익스텐션장치(57), 레지스트액안의 용제를 건조시키는 프리베이킹장치(58, 59) 및 현상처리 후의 가열처리를 실시하는 포스트베이킹장치(60, 61)등이 아래로부터 순서로 예를들면 7단으로 적층되어 있다.
제 4 처리장치군(G4)에서는 예를들면 쿨링장치(65), 재치한 웨이퍼(W)를 자연냉각시키는 익스텐션·쿨링장치(66), 익스텐션장치(67), 쿨링장치(68), 노광 후의 가열처리를 실행하는 포스트 익스포져 베이킹장치(69, 70), 포스트베이킹장치(71, 72)등이 아래로부터 순서로 예를들면, 8단으로 적층되어 있다.
인터페이스부(4)의 중앙부에는 도 1에 나타나는 바와 같이 웨이퍼반송체(80)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼반송체(80)는 X방향(도 1안의 상하방향), Z방향(수직방향)의 이동과 θ방향(Z축을 중심으로 하는 회전방향)의 회전이 자유롭게 실행할 수 있도록 구성되어 있고, 제 4 처리장치군(G4)에 속하는 익스텐션·쿨링장치(66), 익스텐션장치(67), 주변노광장치(81) 및 미도시의 노광장치에 대해서 엑세스하여 각각에 대해서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록 구성되어 있다.
다음으로 상기 기술한 쿨링장치(55)의 구성에 대해서 설명한다. 도 6에 나타나는 바와 같이 쿨링장치(55)의 케이싱(55a)의 중앙부에는 두께가 있는 원반형으로 형성된 냉각판(90)이 설치되어 있고, 이 냉각판(90)상에 웨이퍼(W)를 재치하 여 웨이퍼(W)를 냉각할 수 있도록 되어 있다. 냉각판(90)에는 냉각판(90)을 소정 온도로 냉각하기 위한 열원(熱原)이 되는 예를들면, 펠체소자(91)가 내장되어 있고, 이 펠체소자(91)에 관한 전압을 제어하는 것에 의해 냉각판(90)의 온도를 소정의 냉각온도로 유지할 수 있다.
냉각판(90)의 아래쪽에는 웨이퍼(W)를 반입출할 때에 웨이퍼(W)를 지지하고, 승강시키기 위한 승강핀(92)이 설치되어 있고 이 승강핀(92)은 승강구동기구(93)에 의해 상하로 이동이 자유롭게 구성되어 있다. 냉각판(90)의 중앙부 부근에는 냉각판(90)을 연직방향으로 관통하는 구멍(94)이 설치되어 있고 승강핀(92)은 이 구멍(94)내를 상하방향으로 이동하여 냉각판(90)상에 돌출할 수 있다.
냉각판(90)의 외측방향에서 냉각판(90)과 케이싱(55a)과의 사이에는 평면판(A)이 설치되어 있고 웨이퍼(W)의 냉각처리가 실행되는 케이싱(55a)내 상부 처리실(S)과 승강핀(92)등이 구비되어 있는 케이싱(55a)내 하부 메커실(M)과 구분되어 있다. 그러나, 평면판(A)은 처리실(S)과 메커실(M)간의 환경을 완전하게 차단하는 것은 아니고 평면판(A)과 냉각판(90)과의 사이에는 처리실(S)과 메커실(M)간에서 기체가 실행이 가능한 정도의 간격(B)이 설치되어 있다.
냉각판(90)의 아래방향에서 케이싱(55a)측면에는 메커실(M)의 환경을 배기하는 배기관(95)이 부착되어 있고, 냉각처리중에 메커실(M)내의 환경을 배기하고 승강핀(92)등에서 발생하는 오염물질등의 불순물을 퍼지할 수 있다.
케이싱(55a)의 주 반송장치(13)측의 측면에는 웨이퍼를 반입출할 때에 통과시키는 반송구(96)가 설치되어 있다. 반송구(96)에는 상기 반송구(96)를 개폐하는 셔터(97)가 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 반송시 이외는 셔터(97)는 폐쇄되고 케이싱(55a)내를 소정의 환경으로 유지할 수 있다.
케이싱(55a)의 외측에서 반송구(96)의 위쪽에는 도 7에 나타나는 바와 같이 처리스테이션(3)내에 있어서 위쪽에서 아래쪽에 흐르는 에어를 제어하고, 유도하는 유입억제부를 구성하는 유도판(98)이 설치되어 있다. 유도판(98)의 상단부(98a)는 케이싱(55a)에 접착되어 있고, 상단부(98a)로부터 하단부(98b)로 실행함에 따라서 케이싱(55a)에서 멀어지는 형태를 구비하고 있다.
상기 셔터(97)의 외측에는 처리스테이션(3)내에 있어서 아래쪽에서 위쪽을 향하는 에어를 억제하여 정류하는 정류판(99)이 설치되어 있다. 정류판(99)은 간격(d)을 창출하도록 그 하단부(99a)가 부착부재(100)에 의해 셔터(97)로 부착되어 있고, 하단부(99a)로부터 상단부(99b)로 실행됨에 따라서 셔터(97)에서 멀어지도록 경사지게 설치되어 있다. 상기에 의해, 상기정류판(99)과 셔터(97)와의 사이에 유입된 에어를 상기간격(d)으로부터 아래쪽으로 배출할 수 있다. 정류판(99)의 상단부(99b)는 셔터(97)의 상단부와 거의 동일한 높이로 이루어지도록 배치되어 있으므로 셔터(97)가 개방될 때 웨이퍼(W)의 반입출은 방해받지 않는다.
정류판(99)과 셔터(97)와의 사이에는 상기 기술한 정류판(99)과 셔터(97)간에 유입한 에어를 간격(d)으로 유도하는 유도부재(101)가 설치되어 있다. 유도부재(101)는 정류판(99)과 동일한 형태, 즉 판형에서 그 하단부(101a)가 셔터(97)에 접착되어 있고 상단부(101b)로 실행됨에 따라서 셔터(97)가 이탈되는 형태를 이루고 있다.
이상과 같이 구성되어 있는 쿨링장치(55)의 작용에 대해서 도포현상처리시스템(1)에서 실행되는 포토리소그래피공정의 프로세스와 함께 설명한다.
우선, 웨이퍼반송체(8)가 카세트(C)로부터 미처리의 웨이퍼(W)를 1매 취출하여 제 3 처리장치군(G3)에 속하는 애드히젼 장치(56)에 반입한다. 이 애드히젼장치(56)에 있어서, 레지스트액과 밀착성을 향상시키는 HMDS등의 밀착강화제가 도포된 웨이퍼(W)는 주반송장치(13)에 의해 쿨링장치(55)로 반송되고 소정의 온도 예를들면, 23℃로 냉각된다.
그리고, 23℃로 냉각된 웨이퍼(W)는 주반송장치(13)에 의해 레지스트도포장치(51, 53)에 반송되고 웨이퍼(W)상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는 다시 주반송장치(13)에 의해 프리베이킹장치(58, 59) 익스텐션·쿨링장치(66)에 순차반송되고 소정의 처리가 실시된다.
다음으로, 웨이퍼(W)는 익스텐션·쿨링장치(66)에서 웨이퍼 반송체(80)에 의해 취출되어 주변노광장치(81)를 경과하여 패턴노광을 실행하는 노광장치(미도시)에 반송된다. 노광처리가 종료한 웨이퍼(W)는 웨이퍼반송체(80)에 의해 익스텐션장치(67)에 반송되고 또한, 주반송장치(13)에 의해 포스트익스포져 베이킹장치(69, 70), 현상처리장치(52, 54), 포스트베이킹장치(60, 61, 71,72), 쿨링장치(65)가 순차로 반송되고, 각 장치에 있어서 소정의 처리가 실시된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 익스텐션장치(32)를 매개하여 웨이퍼반송체(8)에 의해 카세트(C)에 되돌아 가고 일련의 소정의 도포현상처리가 종료한다.
또한, 상기 도포현상처리중은 에어공급장치(5)에 의해 항상 소정의 온습도가 청정한 기체가 도포현상처리시스템(1)내에 공급되어 있고 도포현상처리시스템(1)내에 하강 기류가 형성되어 있다. 예를들면, 도포현상처리시스템(1)내에 공급되는 에어는 크린룸내의 온도와 동일한 23℃로 온도 조절되어 있다. 그러나, 처리스테이션(3)내에 있는 가열처리장치 예를들면, 포스트베이킹장치(60, 61)와 프리베이킹장치(58, 59)등의 영향으로 상기기류가 아래쪽의 쿨링장치(55) 근방에 도달할 때에는 23℃보다 높은 예를들면, 24℃정도로 상승되어 있는 경우가 있다.
이와 같은 경우에는 쿨링장치(55)에서 냉각처리가 상기에어의 온도상승의 영향을 받고 적절하게 실행되지 않는 위험이 있다. 그런데, 본 발명의 쿨링장치(55)에 의하면, 이와 같은 조건에도 관계없이 적절하게 냉각처리하는 것이 가능하다. 이것을 상세하게 설명한다.
우선, 웨이퍼(W)의 쿨링장치가 개시되기 전에는 도 8에 나타나는 바와 같이, 케이싱(55a)의 셔터(97)가 개폐되어 있고 셔터(97), 유도판(98) 및 정류판(99)에 의해 처리스테이션(3)의 에어가 쿨링장치(55)내에 유입하는 것을 억제하고 있다.
상기 공정인 애드히젼 처리가 종료하면 상기 웨이퍼(W)는 주 반송장치(13)의 반송암(44)에 보유유지된다. 그리고, 반송기반(47)이 하강하고 반송암(44)이 쿨링장치(55)와 동일한 높이까지 이동된다. 다음으로, 셔터(97)가 개방되면서 반송암(44)이 R방향으로 전진하고 웨이퍼(W)가 케이싱(55a)내의 냉각판(90)의 위쪽까지 이동된다.
이 때의 처리스테이션(3)내를 하강하는 에어의 일부는 도 9에 나타나는 바와 같이 유도판(98)에 의해 평면판(49)상에 유도되어 쿨링장치(55)의 반송구(96)와 역 방향의 R방향의 반대방향측으로 흐른다. 또한, 상측에서 직접평면판(49)에 닿는 에어는, 평면판(49)에서 확산되어 도달하는 방향으로 흐르도록 하지만 반송구(96)방향으로 향하는 에어는, 수직판(50)에 의해 차단된다. 또한, 상기 에어의 일부가 정류판(99)과 셔터(97)와의 사이에 진입한 경우에는 상기 에어가 유도부재(101)상에 의해 유도되어 간격(d)으로부터 반송구(96)의 아래쪽으로 배출된다. 이와 같이, 처리스테이션(3)내의 에어는 반송구(96)로부터 멀어지는 방향으로 유도되어 상기 에어가 케이싱(55a)내에 유입하는 것이 억제된다.
한편, 케이싱(55a)내의 냉각판(90) 위쪽까지 이동된 웨이퍼(W)는 반송암(44)에서 미리 상승하여 대기하고 있던 승강핀(92)에 수수된다. 이 때 배기관(95)에서 배기가 개시되고 메커실(M)내의 퍼지가 개시된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 승강핀(92)의 하강과 함께 하강되어 예를들면, 23℃로 유지되어 있는 냉각판(90)상에 재치된다. 또한, 반송암(44)은 R방향의 반대방향으로 후퇴하고, 다시 케이스(40)내로 되돌아간다. 그리고, 반송암(44)이 케이싱(55a)내로부터 후퇴하면 셔터(97)가 폐쇄된다.
웨이퍼(W)가 냉각판(90)상에 재치되면 웨이퍼(W)의 냉각이 개시되고 웨이퍼(W)는 소정시간 냉각된다. 소정시간 경과하고 웨이퍼(W)가 23℃로 냉각된 후 다시 승강핀(92)이 상승되어 웨이퍼(W)의 냉각이 종료한다.
웨이퍼(W)가 냉각이 종료하면 다시 셔텨(97)가 개방되고 반송암(44)이 반송구(96)로부터 케이싱(55a)내에 진입하고 승강핀(92)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 웨이퍼(W)를 쿨링장치(55)로부터 반출한다. 이 때, 처리스테이션(3)내를 하강하는 에어는 웨이퍼(W) 반입시와 동일하게 유도판(98), 수평판(49) 및 수직판(50)에 의해 유도 및 정류되어 상기 에어가 반송구(96)로부터 케이싱(55a)내에 유입하는 것이 억제된다.
특히, 웨이퍼(W)의 반출시에는 배기관(95)으로부터 배기에 의해 케이싱(55a)내 전체가 부압이 되기 때문에 반송구(96) 근방에 반송구(96)를 향하는 국소적인 상승기류가 형성되지만 상기 상승기류는 정류판(99)에 의해 반송구(96)로부터 이탈되는 방향으로 정류된다.
그리고, 웨이퍼(W)를 케이싱(55a)내에서 반출되면 다시 셔터(97)가 닫히고 일련의 냉각처리가 종료한다.
이상의 실시형태에 의하면 반송구(96)상측에 유도판(98)을 설치하였기 때문에 처리스테이션(3)내에 형성되는 하강 기류를 반송구(96)로부터 이탈되는 방향으로 유도하고, 상기하강기류의 에어가 쿨링장치(55)내에 유입하는 것이 억제된다. 따라서, 쿨링장치(55)내의 웨이퍼(W)에 상기 웨이퍼(W) 온도와 다른 온도의 에어가 접촉하여 상기 웨이퍼(W)의 온도분포가 분산되는 것이 억제된다.
또한, 반송암(44)의 위쪽에는 수평판(49)이 있기 때문에 유도판(98)에 의해 유도된 에어를 그 상태로 반송구(96)로부터 멀어지는 방향에 유도하는 것이 가능하다. 또한, 상기 수평판(49)상에는 수직판(50)이 있기 때문에 위쪽에서 직접 수평판(49)에 닿는 에어가 반송구(96) 방향으로 흐르는 것을 억제하는 것이 가능하다.
또한, 반송구(96)의 아래쪽에는 정류판(99)이 설치되어 있기 때문에 반송구(96)근방에 국소적인 상승기류가 형성된 경우에 있어서도, 상기 상승기류를 반송구(96)로부터 이탈하는 방향으로 정류하고, 반송구(96)내에 에어가 유입하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 정류판(99)의 하단부(99a)와 셔터(97)와의 사이에 간격(d)이 설치되어 있기 때문에, 정류판(99)과 셔터(97)간에 유입한 에어를 상기 간격(d)으로부터 배출하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 정류판(99)과 셔터(97)간에 유입한 에어가 정류판(99)의 하부에서 되돌아와서 반송구(96)에 유입하는 것이 억제된다.
정류판(99)과 셔터(97)와의 사이에 유도부재(101)가 설치되었기 때문에 상기 기술한 간격(d)으로부터 에어의 배출을 적절하게 실행하는 것이 가능하다.
정류판(99)이 셔터(97)에 설치되어 있기 때문에 셔터(97)가 폐쇄되었을때 유도판(98)과 정류판(99)이 가까워지고, 처리스테이션(3)내의 에어가 상기 유도판(98)과 정류판(99)과의 내측에 유입하는 것이 억제되므로 셔터(97)의 간격등에서 케이싱(55a)내에 상기 에어가 유입하는 것도 억제된다.
상기 기술한 유도판(98)의 하단부(98b)를 도 10에 나타내는 바와 같이 케이싱(55a)으로부터 이탈되는 방향으로 수평으로 형성하여도 용이하다. 이와 같이 유도판(98)의 하단부(98b)를 수평으로 하는 것에 의해 처리스테이션(3)내를 하강하는 에어가 반송구(96)로부터 또다시 이탈된 지점까지 유도되어, 반송구(96)내에 상기 에어가 유입하는 것을 보다 확실하게 방지하는 것이 가능하다.
상기 실시형태에서는 정류판(99)을 셔터(97)로 부착하고 있지만 정류판(99)을 케이싱(55a)의 반송구(96)의 아래쪽에 부착되도록 하여도 용이하다. 이와 같은 경우에 있어서도, 국소적으로 형성되는 상승기류를 정류하고 반송구(96)내에 상기 상승기류가 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 유도부재(101)도 케이싱(55a)에 부착하도록 하여도 용이하다.
상기 실시형태에서는 반송암(44)상의 수평판(49)이 반송기반(47)에 고정하여 설치되어 있지만 수평판(49)을 반송암(44)과 동일하게 R방향으로 이동이 자유롭게 설치하여도 용이하다. 이와 같은 경우, 기류의 세기와 방향에 의해 수평판(49)을 이동시켜, 처리스테이션(3)내의 에어를 보다 효과적으로 정류할 수 있는 위치에 있어서, 상기 에어를 정류하는 것이 가능하다.
상기 기술한 수평판(49)상에 설치된 수직판(50)은 평면에서 볼 때 반송구(96)측에 요철형의 만곡형태로 형성되어 있지만 평면에서 볼 때 직선형태로 형성되어 있어도 용이하다. 또한, 수직판(50)은 필히 수직이 아니라도 반송구(96)측에 경사진 형태라도 용이하다.
수직판(50)을 설치하지 않고 수평판(49)만을 설치하도록 하여도 용이하다. 이와 같은 경우에 있어서도 유도판(98)에서 에어가 수평판(49)에 경사지게 닿기 때문에 그 상태로 반송구(96)와 역방향으로 유도되기 때문에 종래에 비하여 반송구(96)에 유입하는 에어의 양을 억제할 수 있다.
또한, 상기 수평판(49)에 대해서도 도 11에 나타나는 바와 같이 웨이퍼반송기구(41)의 후방측에 즉 수평판(49)에 있어서의 수직판(50)과는 반대측에 통기구멍(49a)을 설치하여도 용이하다. 상기의 구성에 의해 수평판(49)에 대한 다운플로우 일부가 이 통기구멍(49a)을 통과하여 그 아래쪽에 반송암(44)의 방향으로 빠지고 반송암(44)상에 파티클이 체제하는 것이 가능하다.
또한, 쿨링장치(55)에 대해서도 도 12에 나타나는 바와 같이 청정한 기체, 예를들면 청정한 공기를 공급하는 기체도입부(55b)를 케이싱(55a)에 설치하면 용이하다. 청정한 공기를 케이싱(55a)내에 도입하고 셔터(97)가 개방하여 웨이퍼(W)를 케이싱내에 반입하는 시점에서 케이싱(55a)내를 양압(positivie pressure)으로 하여 즉 케이싱(55a)의 외측의 압력보다도 케이싱(55a)내의 압력을 높게하는 것에 의해 반송구(96)로부터 파티클이 케이싱(55a)내로 침입하는 것을 방지할 수 있다.
기체도입부(55b)는 도 12에 나타나는 바와 같이 예를들면 도입관(55c)과 배플판(baffle board)(55d)으로 구성하는 것이 가능하다. 배플판(55d)의 하면에는 다수의 흡출구(55e)가 형성되어 있다. 이와 같은 배플판(55d)을 사용하면 웨이퍼(W)에 대해서 균일하게 청정한 공기가 흐르고 웨이퍼(W) 온도의 면내 균일성을 저해하는 경우는 없다.
이상의 실시형태는 레지스트도포전의 쿨링장치(55)로서 구체화되어 있지만, 본 발명은 다른 기판의 처리장치, 예를들면 PEB장치(69, 70), 프리베이킹장치(58, 59), 포스트베이크장치(60, 61, 71, 72), 쿨링장치(65, 68), 애드히젼장치(56), 레지스트도포장치(51, 53), 현상처리장치(52, 54)등에 대해서도 응용가능하다. 또한, 도포현상처리장치 시스템(1)내의 복수의 처리장치에 적용하여도 용이하다.
이상에서 설명한 실시형태는, 반도체 웨이퍼 디바이스 제조프로세스의 포토리소그래피공정에 있어서의 웨이퍼의 처리장치이지만 본 발명은 반도체웨이퍼 이외의 기판 예를들면 LCD기판의 처리장치에 있어서도 응용이 가능하다.
본 발명에 의하면 쿨링내에 상기환경이 유입하는 것을 억제할 수 있다. 상기에 의해, 상기 환경에 의해 처리장치내의 기판온도가 부분적으로 변경되어 기판면내의 온도분포가 불균일해지는 것이 억제된다. 따라서, 기판이 균일온도로 처리되기 때문에 수율의 향상이 도모된다.

Claims (15)

  1. 케이싱내에 있어서 기판을 처리하는 처리장치에서,
    상기 케이싱에 설치되고 기판을 반송하는 반송장치에 의해 기판을 상기 케이싱내에 반송할 때 통과하는 반송구와,
    상기 케이싱외의 환경을 제어하여 상기 반송구로부터 상기 케이싱내로의 상기 환경의 유입을 억제하는 유입억제부를 포함하고,
    상기 유입억제부는, 위쪽에서 아래쪽으로 흐르는 상기 환경의 기류를 상기 반송구로부터 이탈되는 방향으로 유도하는 유도판을 갖추고,
    상기 유도판은, 상기 유도판의 상단부가 상기 반송구의 위쪽에 부착되어 있고, 또한, 상기 유도판의 상단부에서 하단부로 실행됨에 따라서 상기 케이싱에서 이탈되어 가는 형태를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1 에 있어서,
    상기 유도판의 하단부는 수평으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 케이싱내에 있어서 기판을 처리하는 처리장치에서,
    상기 케이싱에 설치되고 기판을 반송하는 반송장치에 의해 기판을 상기 케이싱내에 반송할 때 통과하는 반송구와,
    상기 케이싱외의 환경을 제어하여 상기 반송구로부터 상기 케이싱내로의 상기 환경의 유입을 억제하는 유입억제부를 포함하고,
    상기 유입억제부는, 아래쪽에서 위쪽으로 흐르는 상기 환경의 기류를 상기 반송구로부터 이탈되는 방향으로 정류하는 정류판을 갖추고,
    상기 정류판은, 상기 정류판의 하단부가 상기 반송구의 아래쪽에 위치하고, 또한, 상기 정류판의 하단부로부터 상단부로 실행됨에 따라서 상기 케이싱에서 이탈되는 형태를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 4 에 있어서,
    상기 정류판의 하단부와 상기 케이싱과의 사이에는 간격이 존재하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 5 에 있어서,
    상기 정류판과 상기 케이싱과의 사이에 상기 반송구로부터 유입하려고 하는 상기 환경의 일부를 상기 간격으로 유도하는 유도부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 4 에 있어서,
    상기 정류판은 상기 반송구를 개폐하는 셔터에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 1 에 있어서,
    상기 반송장치는, 상기 유도판에 의해 유도된 상기 환경을 상기 반송구의 방향이외의 다른 방향으로 유도하는 유도체를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 8 에 있어서,
    상기 반송장치는, 기판을 보유유지하는 반송암을 갖추고,
    상기 유도체는, 상기 반송암의 위쪽에 설치된 수평판인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 9 에 있어서,
    상기 수평판의 후방에는 수평판을 관통하는 통기구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 9 에 있어서,
    상기 수평판상에는 수직판이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 11 에 있어서,
    상기 수직판은, 평면에서 볼 때 반송구측에 요철형의 만곡(灣曲)형태를 갖추 는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 11 에 있어서,
    상기 수직판은, 상기 반송구를 향하여 이동이 가능한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 삭제
  15. 케이싱내에 있어서 기판을 처리하는 처리장치에서,
    상기 케이싱에 설치되고 기판을 반송하는 반송장치에 의해 기판을 상기 케이싱내에 반송할 때 통과하는 반송구와,
    상기 케이싱외의 환경을 제어하여 상기 반송구로부터 상기 케이싱내로의 상기 환경의 유입을 억제하는 유입억제부와,
    상기 케이싱내에 기판을 반입할 때, 상기 케이싱내에 청정기체를 도입하여, 케이싱내의 압력을 케이싱외의 압력보다도 높게하는 기체도입부를 포함하고,
    상기 기체도입부는 케이싱내에 기체를 균일하게 흡출하기 위한 다수의 흡출구를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Families Citing this family (179)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3581310B2 (ja) * 2000-08-31 2004-10-27 Ｔｄｋ株式会社 防塵機能を備えた半導体ウェーハ処理装置
US7614840B2 (en) * 2002-12-30 2009-11-10 Tdk Corporation Wafer processing apparatus having dust proof function
JP4790326B2 (ja) * 2005-06-16 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
US7440076B2 (en) * 2005-09-29 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP4714118B2 (ja) * 2005-10-14 2011-06-29 上村工業株式会社 基板アンロード装置および基板アンロード方法
KR100795487B1 (ko) 2006-09-27 2008-01-16 주식회사 실트론 층류유동제어장치 및 이를 구비한 화학기상증착반응기
KR100978128B1 (ko) * 2008-06-17 2010-08-26 세메스 주식회사 기판 처리 설비
JP2012115810A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Kurita Water Ind Ltd 超純水中の微粒子捕捉システム及び微粒子濃度測定方法
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) * 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102627584B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 주기적 증착 방법 및 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7304738B2 (ja) * 2019-05-17 2023-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970060443A (ko) * 1996-01-26 1997-08-12 히가시 데쓰로 처리장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4209357A (en) * 1979-05-18 1980-06-24 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
JPS59222922A (ja) * 1983-06-01 1984-12-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 気相成長装置
US4624738A (en) * 1985-07-12 1986-11-25 E. T. Plasma, Inc. Continuous gas plasma etching apparatus and method
US4718975A (en) * 1986-10-06 1988-01-12 Texas Instruments Incorporated Particle shield
JPS63204726A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Anelva Corp 真空処理装置
DE3803411A1 (de) * 1988-02-05 1989-08-17 Leybold Ag Vorrichtung zur halterung von werkstuecken
JP2644309B2 (ja) * 1988-11-04 1997-08-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US5236509A (en) * 1992-02-06 1993-08-17 Spire Corporation Modular ibad apparatus for continuous coating
US5620560A (en) 1994-10-05 1997-04-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for heat-treating substrate
US5997588A (en) * 1995-10-13 1999-12-07 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Semiconductor processing system with gas curtain
JP3166065B2 (ja) 1996-02-08 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6089763A (en) * 1997-09-09 2000-07-18 Dns Korea Co., Ltd. Semiconductor wafer processing system
US6488824B1 (en) * 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970060443A (ko) * 1996-01-26 1997-08-12 히가시 데쓰로 처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6682629B2 (en) 2004-01-27
KR20020032339A (ko) 2002-05-03
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