JPH1154428A - 塗布現像処理装置 - Google Patents
塗布現像処理装置Info
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- JPH1154428A JPH1154428A JP9224305A JP22430597A JPH1154428A JP H1154428 A JPH1154428 A JP H1154428A JP 9224305 A JP9224305 A JP 9224305A JP 22430597 A JP22430597 A JP 22430597A JP H1154428 A JPH1154428 A JP H1154428A
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- coating
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の受け渡し以外の他の基板処理も可能な
複合ユニットを設けて，スループットの向上が図れる新
しい塗布現像処理装置を提供する。 【解決手段】 基板の塗布現像処理において必要な処理
を個別に行う処理ユニットが多段に配置された処理ユニ
ット群の中に，副搬送装置２１と主搬送装置２２とが各
々基板を移載することができると共に，基板の受け渡し
と冷却処理とが同時に実施できる複合ユニット（ＴＣ
Ｐ）を設ける。従来からの基板の受け渡し専用ユニット
が処理ユニット群から不要となり，その分，他の処理ユ
ニットの配置に割り当てることで，スループットの向上
が図れる。
複合ユニットを設けて，スループットの向上が図れる新
しい塗布現像処理装置を提供する。 【解決手段】 基板の塗布現像処理において必要な処理
を個別に行う処理ユニットが多段に配置された処理ユニ
ット群の中に，副搬送装置２１と主搬送装置２２とが各
々基板を移載することができると共に，基板の受け渡し
と冷却処理とが同時に実施できる複合ユニット（ＴＣ
Ｐ）を設ける。従来からの基板の受け渡し専用ユニット
が処理ユニット群から不要となり，その分，他の処理ユ
ニットの配置に割り当てることで，スループットの向上
が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，塗布現像処理装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウ
ェハ」と称する。）などの基板の表面にレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し，所定のパターンを露光した
後に，当該基板に現像液を塗布して現像処理している。
このような一連の処理を行うにあたっては，従来から塗
布現像処理装置が使用されている。
ジスト処理工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウ
ェハ」と称する。）などの基板の表面にレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し，所定のパターンを露光した
後に，当該基板に現像液を塗布して現像処理している。
このような一連の処理を行うにあたっては，従来から塗
布現像処理装置が使用されている。
【０００３】この塗布現像処理装置は，塗布現像処理に
必要な一連の処理，たとえばレジストの定着性を向上さ
せるための疎水化処理（アドヒージョン処理），レジス
ト液の塗布を行う塗布処理，レジスト液塗布後のウェハ
を加熱してレジスト膜を硬化させるための加熱処理，露
光後のウェハを所定の温度で加熱するための加熱処理，
露光後のウェハを現像する現像処理，加熱した後に所定
温度にまでウェハを冷却する冷却処理などの各処理を個
別に行う処理ユニットを備えている。
必要な一連の処理，たとえばレジストの定着性を向上さ
せるための疎水化処理（アドヒージョン処理），レジス
ト液の塗布を行う塗布処理，レジスト液塗布後のウェハ
を加熱してレジスト膜を硬化させるための加熱処理，露
光後のウェハを所定の温度で加熱するための加熱処理，
露光後のウェハを現像する現像処理，加熱した後に所定
温度にまでウェハを冷却する冷却処理などの各処理を個
別に行う処理ユニットを備えている。
【０００４】ところで，最近では設置スペースを節約す
るため，上記各処理ユニットを上下多段に積み重ねて集
約化した塗布現像処理装置が提案されている。かかるタ
イプの塗布現像処理装置の略中央部には，上記の各処理
ユニットにウェハを搬入出させるための垂直搬送型の主
搬送装置が備えられている。この主搬送装置の周囲に前
記各処理ユニットが配置され，プロセスステーションと
呼ばれるプロセス部が形成されている。また，ウェハを
収納しているカセットは，このプロセスステーションの
一側に設置されているカセットステーションと呼ばれる
載置部に載置される。そして載置部とプロセス部との間
のウェハの移送にあたっては，前記主搬送装置とは別に
設けられた副搬送装置が使用されている。
るため，上記各処理ユニットを上下多段に積み重ねて集
約化した塗布現像処理装置が提案されている。かかるタ
イプの塗布現像処理装置の略中央部には，上記の各処理
ユニットにウェハを搬入出させるための垂直搬送型の主
搬送装置が備えられている。この主搬送装置の周囲に前
記各処理ユニットが配置され，プロセスステーションと
呼ばれるプロセス部が形成されている。また，ウェハを
収納しているカセットは，このプロセスステーションの
一側に設置されているカセットステーションと呼ばれる
載置部に載置される。そして載置部とプロセス部との間
のウェハの移送にあたっては，前記主搬送装置とは別に
設けられた副搬送装置が使用されている。
【０００５】カセットステーションとプロセスステーシ
ョンとの間のウェハの移送にあたっては，主搬送装置と
副搬送装置との間で直接ウェハを授受するのではなく，
通常は載置部側，プロセス部側の双方向からアクセスで
きる受け渡し部を介して行われる。すなわち，多段に配
置される処理ユニットの中に，別途受け渡し専用のユニ
ットを設け，ウェハを移送する場合には，主搬送装置，
副搬送装置は各々移送するウェハを一旦この受け渡し専
用のユニットに載置するのである。
ョンとの間のウェハの移送にあたっては，主搬送装置と
副搬送装置との間で直接ウェハを授受するのではなく，
通常は載置部側，プロセス部側の双方向からアクセスで
きる受け渡し部を介して行われる。すなわち，多段に配
置される処理ユニットの中に，別途受け渡し専用のユニ
ットを設け，ウェハを移送する場合には，主搬送装置，
副搬送装置は各々移送するウェハを一旦この受け渡し専
用のユニットに載置するのである。
【０００６】すなわち，これから処理するウェハは，カ
セットステーション側から副搬送装置によって受け渡し
専用ユニットに載置され，次いで，この載置されたウェ
ハをプロセスステーション側から主搬送装置が受け取
り，当該ウェハを主搬送装置が所定の処理ユニットに搬
送し，各処理ユニットによって所定の処理が施される。
セットステーション側から副搬送装置によって受け渡し
専用ユニットに載置され，次いで，この載置されたウェ
ハをプロセスステーション側から主搬送装置が受け取
り，当該ウェハを主搬送装置が所定の処理ユニットに搬
送し，各処理ユニットによって所定の処理が施される。
【０００７】他方，各処理ユニットによって所定の処理
が済んだウェハは，主搬送装置によって受け渡し専用ユ
ニットにまで移送され，そこで一旦載置される。次い
で，副搬送装置がこの処理済みウェハを受け取り，その
後，該副搬送装置によってカセットステーション側に移
送され，所定のカセット内に収納される。
が済んだウェハは，主搬送装置によって受け渡し専用ユ
ニットにまで移送され，そこで一旦載置される。次い
で，副搬送装置がこの処理済みウェハを受け取り，その
後，該副搬送装置によってカセットステーション側に移
送され，所定のカセット内に収納される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，設置ス
ペースの関係上，多段に配置される処理ユニットには段
数の制限があり，受け渡し専用のユニットがあると，そ
の分，他の処理ユニットを増やすことができない。
ペースの関係上，多段に配置される処理ユニットには段
数の制限があり，受け渡し専用のユニットがあると，そ
の分，他の処理ユニットを増やすことができない。
【０００９】本発明は，かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり，従来の受け渡し専用ユニットに代えて，受
け渡し以外の他の処理も可能な複合ユニットを組み入れ
て，スループットの向上が図れる新しい塗布現像処理装
置を提供し，上記問題点を解決することを目的としてい
る。
ものであり，従来の受け渡し専用ユニットに代えて，受
け渡し以外の他の処理も可能な複合ユニットを組み入れ
て，スループットの向上が図れる新しい塗布現像処理装
置を提供し，上記問題点を解決することを目的としてい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，請求項１に記載の発明によれば，基板に対して塗布
現像処理に必要な処理を個別に行う処理ユニットが多段
に配置された処理ユニット群と，前記処理ユニットに対
して基板を搬入出する主搬送装置と，複数の基板を収納
した基板収納体に対して基板を搬入出する副搬送装置と
を備えた塗布現像処理装置において，前記処理ユニット
群には，前記主搬送装置と副搬送装置とが各々基板を移
載自在な複合ユニットが設けられ，この複合ユニットは
基板を載置する載置台を下側に，基板を載置して冷却す
る冷却載置台を上側に備えたことを特徴とする塗布現像
処理装置が提供されている。かかる構成によれば，基板
の受け渡しと冷却処理とを一つの複合ユニットにおいて
実施することができる。したがって，従来から用いられ
てきた基板の受け渡し専用ユニットが不要となる。その
結果，受け渡し専用ユニットの配置に必要だったスペー
スを，たとえば他の処理ユニットの配置に割当てること
ができる。したがって，基板の処理枚数の増加が可能と
なり，スループットの向上を図ることができる。
に，請求項１に記載の発明によれば，基板に対して塗布
現像処理に必要な処理を個別に行う処理ユニットが多段
に配置された処理ユニット群と，前記処理ユニットに対
して基板を搬入出する主搬送装置と，複数の基板を収納
した基板収納体に対して基板を搬入出する副搬送装置と
を備えた塗布現像処理装置において，前記処理ユニット
群には，前記主搬送装置と副搬送装置とが各々基板を移
載自在な複合ユニットが設けられ，この複合ユニットは
基板を載置する載置台を下側に，基板を載置して冷却す
る冷却載置台を上側に備えたことを特徴とする塗布現像
処理装置が提供されている。かかる構成によれば，基板
の受け渡しと冷却処理とを一つの複合ユニットにおいて
実施することができる。したがって，従来から用いられ
てきた基板の受け渡し専用ユニットが不要となる。その
結果，受け渡し専用ユニットの配置に必要だったスペー
スを，たとえば他の処理ユニットの配置に割当てること
ができる。したがって，基板の処理枚数の増加が可能と
なり，スループットの向上を図ることができる。
【００１１】請求項２に記載の発明によれば，基板に対
して塗布現像処理に必要な処理を個別に行う複数の処理
ユニットが多段に配置された処理ユニット群と，前記処
理ユニットに対して基板を搬入出する主搬送装置と，複
数の基板を収納した基板収納体に対して基板を搬入出す
る副搬送装置とを備えた塗布現像処理装置において，前
記処理ユニット群には，前記主搬送装置と副搬送装置と
が各々基板を移載自在な複合ユニットが設けられ，この
複合ユニットは，基板を載置する載置台を上側に基板を
載置して冷却する冷却載置台を下側に備えたことを特徴
とする塗布現像処理装置が提供される。かかる構成によ
れば，載置台よりも重い冷却載置台を下側に配置するこ
とによって，複合ユニットの重量バランスを改善できる
と共に，載置台と冷却載置台との間に生じる熱干渉を防
止することができる。
して塗布現像処理に必要な処理を個別に行う複数の処理
ユニットが多段に配置された処理ユニット群と，前記処
理ユニットに対して基板を搬入出する主搬送装置と，複
数の基板を収納した基板収納体に対して基板を搬入出す
る副搬送装置とを備えた塗布現像処理装置において，前
記処理ユニット群には，前記主搬送装置と副搬送装置と
が各々基板を移載自在な複合ユニットが設けられ，この
複合ユニットは，基板を載置する載置台を上側に基板を
載置して冷却する冷却載置台を下側に備えたことを特徴
とする塗布現像処理装置が提供される。かかる構成によ
れば，載置台よりも重い冷却載置台を下側に配置するこ
とによって，複合ユニットの重量バランスを改善できる
と共に，載置台と冷却載置台との間に生じる熱干渉を防
止することができる。
【００１２】請求項３に記載の発明によれば，請求項１
または２に記載の塗布現像処理装置において，載置台お
よび冷却載置台には，基板を直接支持する支持ピンが各
々備えられ，冷却載置台の支持ピンは，上下方向に駆動
されて冷却載置台の載置面から突出自在に構成されたこ
とを特徴としている。かかる構成によれば，載置台に備
えられた支持ピンを上下動させる機構を設けることな
く，基板の受け渡しを行うことができる。
または２に記載の塗布現像処理装置において，載置台お
よび冷却載置台には，基板を直接支持する支持ピンが各
々備えられ，冷却載置台の支持ピンは，上下方向に駆動
されて冷却載置台の載置面から突出自在に構成されたこ
とを特徴としている。かかる構成によれば，載置台に備
えられた支持ピンを上下動させる機構を設けることな
く，基板の受け渡しを行うことができる。
【００１３】請求項４に記載の発明によれば，請求項３
に記載の塗布現像処理装置において，冷却載置台の支持
ピンを上下駆動させる駆動部は，冷却載置台の側部に設
けられたことを特徴としている。かかる構成によれば，
上記駆動部を冷却載置台の側部に設けることにより，複
合ユニットの上下方向の高さを上記の駆動部の分だけ節
約することができ，複合ユニット自体の高さを低くする
ことができる。その結果，処理ユニット群中で多段に配
置される個々の処理ユニットの段数を多く採ることがで
きる。
に記載の塗布現像処理装置において，冷却載置台の支持
ピンを上下駆動させる駆動部は，冷却載置台の側部に設
けられたことを特徴としている。かかる構成によれば，
上記駆動部を冷却載置台の側部に設けることにより，複
合ユニットの上下方向の高さを上記の駆動部の分だけ節
約することができ，複合ユニット自体の高さを低くする
ことができる。その結果，処理ユニット群中で多段に配
置される個々の処理ユニットの段数を多く採ることがで
きる。
【００１４】請求項５に記載の発明によれば，請求項
１，２，３または４に記載の塗布現像処理装置におい
て，少なくとも載置台または冷却載置台のいずれか一方
には，載置した基板の位置合わせを行う位置合わせ機構
が設けられたことを特徴としている。かかる構成によれ
ば，少なくとも載置台または冷却載置台のいずれか一方
において，基板の位置合わせが必要な場合にはこれを実
施することができる。したがって，従来のアライメント
ユニットなどの基板の位置合わせ専用装置が処理ユニッ
ト群からは不要となる。そのため，上記の位置合わせ専
用装置を配置するのに必要だったスペースを，他の処理
ユニットの配置に割当てることができる。
１，２，３または４に記載の塗布現像処理装置におい
て，少なくとも載置台または冷却載置台のいずれか一方
には，載置した基板の位置合わせを行う位置合わせ機構
が設けられたことを特徴としている。かかる構成によれ
ば，少なくとも載置台または冷却載置台のいずれか一方
において，基板の位置合わせが必要な場合にはこれを実
施することができる。したがって，従来のアライメント
ユニットなどの基板の位置合わせ専用装置が処理ユニッ
ト群からは不要となる。そのため，上記の位置合わせ専
用装置を配置するのに必要だったスペースを，他の処理
ユニットの配置に割当てることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下，本発明の一実施形態を図に
基づいて説明すると，図１〜図３は，各々実施の形態に
かかる塗布現像処理システム１の外観を示し，図１は平
面，図２は正面，図３は背面から見た様子をそれぞれ示
している。
基づいて説明すると，図１〜図３は，各々実施の形態に
かかる塗布現像処理システム１の外観を示し，図１は平
面，図２は正面，図３は背面から見た様子をそれぞれ示
している。
【００１６】この塗布現像処理システム１は，ウェハＷ
をカセットＣ単位で複数枚，たとえば２５枚単位で外部
からシステムに搬入したり，あるいはシステムから搬出
したり，カセットＣに対してウェハＷを搬出・搬入した
りするためのカセットステーション１０と，塗布現像処
理工程の中で１枚ずつウェハＷに所定の処理を施す枚葉
式の処理ユニットとしての各種処理装置を所定位置に多
段配置してなる処理ステーション１１と，この処理ステ
ーション１１に隣接して設けられる露光装置（図示せ
ず）との間でウェハＷを受け渡しするためのインターフ
ェイス部１２とを一体に接続した構成を有している。
をカセットＣ単位で複数枚，たとえば２５枚単位で外部
からシステムに搬入したり，あるいはシステムから搬出
したり，カセットＣに対してウェハＷを搬出・搬入した
りするためのカセットステーション１０と，塗布現像処
理工程の中で１枚ずつウェハＷに所定の処理を施す枚葉
式の処理ユニットとしての各種処理装置を所定位置に多
段配置してなる処理ステーション１１と，この処理ステ
ーション１１に隣接して設けられる露光装置（図示せ
ず）との間でウェハＷを受け渡しするためのインターフ
ェイス部１２とを一体に接続した構成を有している。
【００１７】上記カセットステーション１０では，図１
に示すように，載置部となるカセット載置台２０上の位
置決め突起２０ａの位置に，たとえば４個までのカセッ
トＣが，それぞれのウェハ出入口を処理ステーション１
１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置さ
れる。そして，このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）お
よびカセットＣ内に収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ
方向；垂直方向）に移動可能な副搬送装置２１が，搬送
路２１ａに沿って移動自在であり，各カセットＣに対し
て選択的にアクセスできるようになっている。
に示すように，載置部となるカセット載置台２０上の位
置決め突起２０ａの位置に，たとえば４個までのカセッ
トＣが，それぞれのウェハ出入口を処理ステーション１
１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置さ
れる。そして，このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）お
よびカセットＣ内に収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ
方向；垂直方向）に移動可能な副搬送装置２１が，搬送
路２１ａに沿って移動自在であり，各カセットＣに対し
て選択的にアクセスできるようになっている。
【００１８】この副搬送装置２１は，θ方向に回転自在
に構成されており，後述するように処理ステーション１
１側の第３の処理装置群Ｇ3の多段ユニット部に属する
複合ユニット（ＴＣＰ）にもアクセスできるようになっ
ている。
に構成されており，後述するように処理ステーション１
１側の第３の処理装置群Ｇ3の多段ユニット部に属する
複合ユニット（ＴＣＰ）にもアクセスできるようになっ
ている。
【００１９】また，上記処理ステーション１１では，図
１に示すように，その中心部には垂直搬送型の主搬送装
置２２が備えられている。この主搬送装置２２は，ウェ
ハＷを保持するための保持部材，たとえば３本のピンセ
ットが備えられている。そして，上記の主搬送装置２２
の周囲には，処理ユニットとしての各種処理装置が多段
集積配置されて処理装置群を構成している。上記の主搬
送装置２２は，上下方向に移動が可能であり，かつθ方
向に回転可能に構成され，後述のＧ1〜Ｇ5の各処理装置
群に対して，上記３本のピンセットに保持されるウェハ
Ｗを搬入出することができる。
１に示すように，その中心部には垂直搬送型の主搬送装
置２２が備えられている。この主搬送装置２２は，ウェ
ハＷを保持するための保持部材，たとえば３本のピンセ
ットが備えられている。そして，上記の主搬送装置２２
の周囲には，処理ユニットとしての各種処理装置が多段
集積配置されて処理装置群を構成している。上記の主搬
送装置２２は，上下方向に移動が可能であり，かつθ方
向に回転可能に構成され，後述のＧ1〜Ｇ5の各処理装置
群に対して，上記３本のピンセットに保持されるウェハ
Ｗを搬入出することができる。
【００２０】かかる塗布現像処理システム１において
は，５つの処理装置群Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4，Ｇ5が配置
可能な構成であり，第１および第２の処理装置群Ｇ1，
Ｇ2はシステム正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ3
はカセットステーション１０に隣接して配置され，第４
の処理装置群Ｇ4はインターフェイス部１２に隣接して
配置され，さらに破線で示した第５の処理装置群Ｇ5を
背面側に配置することが可能となっている。
は，５つの処理装置群Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4，Ｇ5が配置
可能な構成であり，第１および第２の処理装置群Ｇ1，
Ｇ2はシステム正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ3
はカセットステーション１０に隣接して配置され，第４
の処理装置群Ｇ4はインターフェイス部１２に隣接して
配置され，さらに破線で示した第５の処理装置群Ｇ5を
背面側に配置することが可能となっている。
【００２１】第１の処理装置群Ｇ1では，図２に示すよ
うに，カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せ
て所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置，たとえ
ばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置
（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。そして
第１の処理装置群Ｇ1と同様に，第２の処理装置群Ｇ2に
おいても，２台のスピンナ型処理装置，たとえばレジス
ト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥＶ）
が下から順に２段に重ねられている。
うに，カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せ
て所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置，たとえ
ばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置
（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。そして
第１の処理装置群Ｇ1と同様に，第２の処理装置群Ｇ2に
おいても，２台のスピンナ型処理装置，たとえばレジス
ト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥＶ）
が下から順に２段に重ねられている。
【００２２】第３の処理装置群Ｇ3では，図３に示すよ
うに，ウェハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理装置，たとえば冷却処理を行
う冷却処理装置（ＣＯＬ），レジストの定着性を高める
ためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョン処理装
置（ＡＤ），露光処理前の加熱処理を行うプリベーキン
グ装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキング装置
（ＰＯＢＡＫＥ），そして複合ユニット（ＴＣＰ）など
が合計して，たとえば８段に重ねられている。
うに，ウェハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理装置，たとえば冷却処理を行
う冷却処理装置（ＣＯＬ），レジストの定着性を高める
ためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョン処理装
置（ＡＤ），露光処理前の加熱処理を行うプリベーキン
グ装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキング装置
（ＰＯＢＡＫＥ），そして複合ユニット（ＴＣＰ）など
が合計して，たとえば８段に重ねられている。
【００２３】これらの処理ユニットとしての各種処理装
置は，所望のウェハ処理ができるように，各処理装置毎
に配置を並び替えることができる。たとえば，処理温度
の高いプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ），ポスト
ベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョン
処理装置（ＡＤ）を上段側に配置し，処理温度の低い冷
却処理装置（ＣＯＬ）や上記の複合ユニット（ＴＣＰ）
などを下段に配置することで，処理ユニット間における
熱的な相互干渉を少なくすることができる。
置は，所望のウェハ処理ができるように，各処理装置毎
に配置を並び替えることができる。たとえば，処理温度
の高いプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ），ポスト
ベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョン
処理装置（ＡＤ）を上段側に配置し，処理温度の低い冷
却処理装置（ＣＯＬ）や上記の複合ユニット（ＴＣＰ）
などを下段に配置することで，処理ユニット間における
熱的な相互干渉を少なくすることができる。
【００２４】図１および図２に示すように，インターフ
ェイス部１２の背面部には周辺露光装置２３が，該イン
ターフェイス部１２の中央部にはウェハ搬送体２４が各
々設けられている。このウェハ搬送体２４は，Ｘ方向，
Ｚ方向（垂直方向）に移動すると共に，θ方向に回転し
て，周辺露光装置２３や，処理ステーション１１側の第
４の処理装置群Ｇ4に属するエクステンション装置（Ｅ
ＸＴ）や，さらには隣接するパターンの露光を行う露光
装置（図示せず）側のウェハ受け渡し台（図示せず）に
もアクセスできるようになっている。
ェイス部１２の背面部には周辺露光装置２３が，該イン
ターフェイス部１２の中央部にはウェハ搬送体２４が各
々設けられている。このウェハ搬送体２４は，Ｘ方向，
Ｚ方向（垂直方向）に移動すると共に，θ方向に回転し
て，周辺露光装置２３や，処理ステーション１１側の第
４の処理装置群Ｇ4に属するエクステンション装置（Ｅ
ＸＴ）や，さらには隣接するパターンの露光を行う露光
装置（図示せず）側のウェハ受け渡し台（図示せず）に
もアクセスできるようになっている。
【００２５】上記の複合ユニット（ＴＣＰ）の平面，側
面，正面は，それぞれ図４〜６によって表される。ただ
し，図６においては説明の都合上，後述する載置台３１
および支持ピン３２を省略している。
面，正面は，それぞれ図４〜６によって表される。ただ
し，図６においては説明の都合上，後述する載置台３１
および支持ピン３２を省略している。
【００２６】図４および図５に示すように，この複合ユ
ニット（ＴＣＰ）内の上部には，載置台３１が形成され
ており，該載置台３１にはウェハＷを保持するため複数
の支持ピン３２が固定されて設けられている。
ニット（ＴＣＰ）内の上部には，載置台３１が形成され
ており，該載置台３１にはウェハＷを保持するため複数
の支持ピン３２が固定されて設けられている。
【００２７】また，上記の複合ユニット（ＴＣＰ）内に
おける載置台３１の下方には，載置台３１と平行な冷却
載置台３３が設けられている。この冷却載置台３３に
は，図６に示すように，該冷却載置台３３に対して出没
可能に構成されたウェハＷを保持するための複数の支持
ピン３４が設けられている。この支持ピン３４は，下方
に設けられた昇降アーム３５に接続されており，この昇
降アーム３５は複合ユニット（ＴＣＰ）の一側に設けら
れた駆動部３６内のシリンダ３７の駆動により上下動す
る。
おける載置台３１の下方には，載置台３１と平行な冷却
載置台３３が設けられている。この冷却載置台３３に
は，図６に示すように，該冷却載置台３３に対して出没
可能に構成されたウェハＷを保持するための複数の支持
ピン３４が設けられている。この支持ピン３４は，下方
に設けられた昇降アーム３５に接続されており，この昇
降アーム３５は複合ユニット（ＴＣＰ）の一側に設けら
れた駆動部３６内のシリンダ３７の駆動により上下動す
る。
【００２８】冷却載置台３３は，たとえばアルミニウム
材から構成されており，該冷却載置台３３の内部には冷
却水配管（図示せず）が設けられている。したがって，
この冷却水配管（図示せず）に，冷却水を循環させて流
すことにより，上記の冷却載置台３３を冷却し，該冷却
載置台３３上に載置されるウェハＷを所定の温度まで冷
却することが可能である。
材から構成されており，該冷却載置台３３の内部には冷
却水配管（図示せず）が設けられている。したがって，
この冷却水配管（図示せず）に，冷却水を循環させて流
すことにより，上記の冷却載置台３３を冷却し，該冷却
載置台３３上に載置されるウェハＷを所定の温度まで冷
却することが可能である。
【００２９】本実施の形態にかかる塗布現像処理装置１
は，以上のように構成されており，次にその作用，効果
について説明すると，塗布現像処理されるウェハＷは，
副搬送装置２１によってカセットＣから取り出され，ま
ず複合ユニット（ＴＣＰ）における上側の載置台３１の
支持ピン３２上に載置される。次いで，図７に示したよ
うに，主搬送装置２２がこのウェハＷを受け取り，アド
ヒージョン処理装置（ＡＤ）内に搬入し，以後所定のレ
シピに従って，該ウェハＷは，冷却処理装置（ＣＯ
Ｌ），レジスト液塗布装置（ＣＯＴ），周辺露光処理装
置などを経た後，露光装置（図示せず）においてパター
ンの露光処理が施される。
は，以上のように構成されており，次にその作用，効果
について説明すると，塗布現像処理されるウェハＷは，
副搬送装置２１によってカセットＣから取り出され，ま
ず複合ユニット（ＴＣＰ）における上側の載置台３１の
支持ピン３２上に載置される。次いで，図７に示したよ
うに，主搬送装置２２がこのウェハＷを受け取り，アド
ヒージョン処理装置（ＡＤ）内に搬入し，以後所定のレ
シピに従って，該ウェハＷは，冷却処理装置（ＣＯ
Ｌ），レジスト液塗布装置（ＣＯＴ），周辺露光処理装
置などを経た後，露光装置（図示せず）においてパター
ンの露光処理が施される。
【００３０】その後，当該ウェハＷは，現像処理装置
（ＤＥＶ）で現像処理された後，ポストベーキング装置
（ＰＯＢＡＫＥ）で加熱処理され，次いで，主搬送装置
２２によって複合ユニット（ＴＣＰ）における下側の冷
却載置台３３の支持ピン３４上に載置される。
（ＤＥＶ）で現像処理された後，ポストベーキング装置
（ＰＯＢＡＫＥ）で加熱処理され，次いで，主搬送装置
２２によって複合ユニット（ＴＣＰ）における下側の冷
却載置台３３の支持ピン３４上に載置される。
【００３１】そして支持ピン３４が下降して，冷却載置
台３３上にウェハＷを載置すると，該ウェハＷは所定の
温度にまで冷却される。この冷却処理が終了すると，支
持ピン３４が上昇し，待機状態となる。次いで，副搬送
装置２１が，冷却載置台３３の支持ピン３４上のウェハ
Ｗを受け取り，該ウェハＷを所定のカセットＣ内に搬入
するのである。
台３３上にウェハＷを載置すると，該ウェハＷは所定の
温度にまで冷却される。この冷却処理が終了すると，支
持ピン３４が上昇し，待機状態となる。次いで，副搬送
装置２１が，冷却載置台３３の支持ピン３４上のウェハ
Ｗを受け取り，該ウェハＷを所定のカセットＣ内に搬入
するのである。
【００３２】このように，本実施の形態にかかる塗布現
像処理装置１における複合ユニット（ＴＣＰ）では，未
処理のウェハＷを処理ステーション１１へ搬入する際の
受け渡し部と，ポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）
で加熱処理された後の冷却処理とを１つのユニット内で
実施することができる。したがって，従来から使用され
てきたウェハＷの受け渡し専用ユニットが不要となり，
処理ユニット群内において当該受け渡し専用ユニットの
配置に必要だったスペースを，たとえば各処理時間の整
合性を考慮した他の処理ユニットの配置に割当てること
ができる。その結果，ウェハＷの処理枚数を増加させる
ことができる。
像処理装置１における複合ユニット（ＴＣＰ）では，未
処理のウェハＷを処理ステーション１１へ搬入する際の
受け渡し部と，ポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）
で加熱処理された後の冷却処理とを１つのユニット内で
実施することができる。したがって，従来から使用され
てきたウェハＷの受け渡し専用ユニットが不要となり，
処理ユニット群内において当該受け渡し専用ユニットの
配置に必要だったスペースを，たとえば各処理時間の整
合性を考慮した他の処理ユニットの配置に割当てること
ができる。その結果，ウェハＷの処理枚数を増加させる
ことができる。
【００３３】そして，上記の冷却載置台３３の支持ピン
３４を昇降させるために必要な駆動部３６は，該冷却載
置台３３の一側に設けられている。そのため，上記の複
合ユニット（ＴＣＰ）の上下方向の高さを，上記の駆動
部３６の高さ分だけ節約することができる。その結果，
複合ユニット（ＴＣＰ）自身の高さを低く抑えることが
でき，処理ユニット群中で多段に積み重ねる個々の処理
ユニットの段数を多く採ることができる。しかも載置台
３１は，単にウェハＷの受け渡し部として機能すればよ
いから，支持ピン３２を上下動させる駆動系は不要であ
る。
３４を昇降させるために必要な駆動部３６は，該冷却載
置台３３の一側に設けられている。そのため，上記の複
合ユニット（ＴＣＰ）の上下方向の高さを，上記の駆動
部３６の高さ分だけ節約することができる。その結果，
複合ユニット（ＴＣＰ）自身の高さを低く抑えることが
でき，処理ユニット群中で多段に積み重ねる個々の処理
ユニットの段数を多く採ることができる。しかも載置台
３１は，単にウェハＷの受け渡し部として機能すればよ
いから，支持ピン３２を上下動させる駆動系は不要であ
る。
【００３４】上記の複合ユニット（ＴＣＰ）内における
載置台３１と冷却載置台３３との上下関係は，どちらを
上側或いは下側に持ってきてもよいが，重量の軽い載置
台３１よりも重い冷却載置台３３の方を下側に持ってく
ることで，複合ユニット（ＴＣＰ）自体の重量バランス
が良くなり安定する。さらに，かかる配置によって，載
置台３１よりも温度の低い冷却載置台３３を下部に配置
するため，載置台３１と冷却載置台３３との間で生じる
熱干渉を防止することができる。
載置台３１と冷却載置台３３との上下関係は，どちらを
上側或いは下側に持ってきてもよいが，重量の軽い載置
台３１よりも重い冷却載置台３３の方を下側に持ってく
ることで，複合ユニット（ＴＣＰ）自体の重量バランス
が良くなり安定する。さらに，かかる配置によって，載
置台３１よりも温度の低い冷却載置台３３を下部に配置
するため，載置台３１と冷却載置台３３との間で生じる
熱干渉を防止することができる。
【００３５】さらに，前記複合ユニット（ＴＣＰ）にお
いては，たとえば副搬送装置２１や主搬送装置２２にお
けるウェハＷの位置合わせ精度に再現性が認められない
場合には，上記の載置台３１または冷却載置台３３のい
ずれか一方に，ウェハＷの位置合わせ機構を備えること
もでき，かかる場合には専用のアライメントユニット
（ＡＬＩＭ）などのウェハＷの位置合わせ機構が不要と
なる。したがって，上記のアライメントユニット（ＡＬ
ＩＭ）を配置するのに必要だったスペースを，他の処理
ユニットの配置に割当てることができる。
いては，たとえば副搬送装置２１や主搬送装置２２にお
けるウェハＷの位置合わせ精度に再現性が認められない
場合には，上記の載置台３１または冷却載置台３３のい
ずれか一方に，ウェハＷの位置合わせ機構を備えること
もでき，かかる場合には専用のアライメントユニット
（ＡＬＩＭ）などのウェハＷの位置合わせ機構が不要と
なる。したがって，上記のアライメントユニット（ＡＬ
ＩＭ）を配置するのに必要だったスペースを，他の処理
ユニットの配置に割当てることができる。
【００３６】上記の実施の形態においては，冷却載置台
３３によってウェハＷを冷却するようにしたが，ウェハ
Ｗの冷却処理が不要な場合には，冷却載置台３３の冷却
水配管（図示せず）に冷却水を流さず当該冷却載置台３
３を単なるウェハＷの載置台として機能させてもよい。
また，基板にはウェハＷを用いた例を挙げて説明した
が，本発明はかかる例には限定されず，ＬＣＤ基板を使
用する例についても適用が可能である。
３３によってウェハＷを冷却するようにしたが，ウェハ
Ｗの冷却処理が不要な場合には，冷却載置台３３の冷却
水配管（図示せず）に冷却水を流さず当該冷却載置台３
３を単なるウェハＷの載置台として機能させてもよい。
また，基板にはウェハＷを用いた例を挙げて説明した
が，本発明はかかる例には限定されず，ＬＣＤ基板を使
用する例についても適用が可能である。
【００３７】請求項１〜５に記載の発明によれば，基板
の受け渡しと冷却処理とを一つの複合ユニットで実施す
ることができる。したがって，その分，たとえば他の処
理ユニットを増加することも可能となる。そのため，単
位時間当たりの基板の処理枚数を増やすことができる。
の受け渡しと冷却処理とを一つの複合ユニットで実施す
ることができる。したがって，その分，たとえば他の処
理ユニットを増加することも可能となる。そのため，単
位時間当たりの基板の処理枚数を増やすことができる。
【００３８】特に請求項２に記載の発明によれば，重い
冷却載置台を下側に配置させることで，複合ユニットの
重量バランスが安定すると共に，載置台と冷却載置台と
の間に生じる熱干渉を防止することができる。
冷却載置台を下側に配置させることで，複合ユニットの
重量バランスが安定すると共に，載置台と冷却載置台と
の間に生じる熱干渉を防止することができる。
【００３９】さらに，請求項３に記載の発明によれば，
載置台に設けられた支持ピンを上下動させるなどの過剰
な機構を設ける必要がない。もちろん，冷却載置台には
上下動自在に構成された支持ピンが設けられるため，基
板を冷却載置台に載置させて冷却することができる。
載置台に設けられた支持ピンを上下動させるなどの過剰
な機構を設ける必要がない。もちろん，冷却載置台には
上下動自在に構成された支持ピンが設けられるため，基
板を冷却載置台に載置させて冷却することができる。
【００４０】さらに，請求項４に記載の発明によれば，
冷却載置台の支持ピンを駆動させる駆動源を冷却載置台
の側部に設けることで，複合ユニットの高さを低くする
ことができる。したがって，処理ユニット群において，
個々の処理ユニットの段数をより多く採ることができ
る。
冷却載置台の支持ピンを駆動させる駆動源を冷却載置台
の側部に設けることで，複合ユニットの高さを低くする
ことができる。したがって，処理ユニット群において，
個々の処理ユニットの段数をより多く採ることができ
る。
【００４１】さらに，請求項５に記載の発明によれば，
少なくとも載置台または冷却載置台のいずれか一方にお
いて位置合わせ機構が設けられるため，必要な場合には
基板の位置合わせができる。そして従来のように，位置
合わせ専用機構を一つの処理ユニットとして処理ユニッ
ト群中に設ける必要がなくなる。
少なくとも載置台または冷却載置台のいずれか一方にお
いて位置合わせ機構が設けられるため，必要な場合には
基板の位置合わせができる。そして従来のように，位置
合わせ専用機構を一つの処理ユニットとして処理ユニッ
ト群中に設ける必要がなくなる。
【図１】実施の形態にかかる塗布現像処理装置を平面か
ら見た様子を示す図である。
ら見た様子を示す図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置を正面から見た図であ
る。
る。
【図３】図１の塗布現像処理装置を背面から見た図であ
る。
る。
【図４】図１の塗布現像処理装置に用いられる複合ユニ
ットを平面から見た様子を示す図である。
ットを平面から見た様子を示す図である。
【図５】図４の複合ユニットを側面から見た様子を示す
図である。
図である。
【図６】図４の複合ユニットを正面から見た様子を示す
図である。
図である。
【図７】図４の複合ユニットを中心とした動作説明図で
ある。
ある。
１ 塗布現像処理装置 １０ カセットステーション １１ 処理ステーション １２ インターフェイス部 ２１ 副搬送装置 ２２ 主搬送装置 ３１ 載置台 ３２ 支持ピン ３３ 冷却載置台 ３４ 支持ピン Ｃ カセット Ｗ ウェハ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板に対して塗布現像処理に必要な処理
を個別に行う複数の処理ユニットが多段に配置された処
理ユニット群と，前記処理ユニットに対して基板を搬入
出する主搬送装置と，複数の基板を収納した基板収納体
に対して基板を搬入出する副搬送装置と，を備えた塗布
現像処理装置において，前記処理ユニット群には，前記
主搬送装置と副搬送装置とが各々基板を移載自在な複合
ユニットが設けられ，この複合ユニットは，基板を載置
する載置台を下側に，基板を載置して冷却する冷却載置
台を上側に備えたことを特徴とする，塗布現像処理装
置。 - 【請求項２】 基板に対して塗布現像処理に必要な処理
を個別に行う複数の処理ユニットが多段に配置された処
理ユニット群と，前記処理ユニットに対して基板を搬入
出する主搬送装置と，複数の基板を収納した基板収納体
に対して基板を搬入出する副搬送装置と，を備えた塗布
現像処理装置において，前記処理ユニット群には，前記
主搬送装置と副搬送装置とが各々基板を移載自在な複合
ユニットが設けられ，この複合ユニットは，基板を載置
する載置台を上側に，基板を載置して冷却する冷却載置
台を下側に備えたことを特徴とする，塗布現像処理装
置。 - 【請求項３】 載置台および冷却載置台には，基板を直
接支持する支持ピンが各々備えられ，冷却載置台の支持
ピンは，上下方向に駆動されて冷却載置台の載置面から
突出自在に構成されたことを特徴とする，請求項１また
は２に記載の塗布現像処理装置。 - 【請求項４】 冷却載置台の支持ピンを上下駆動させる
駆動部は，冷却載置台の側部に設けられたことを特徴と
する，請求項３に記載の塗布現像処理装置。 - 【請求項５】 少なくとも載置台または冷却載置台のい
ずれか一方には，載置した基板の位置合わせを行う，位
置合わせ機構が設けられたことを特徴とする，請求項
１，２，３または４に記載の塗布現像処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22430597A JP3340945B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 塗布現像処理装置 |
| US09/124,009 US6197372B1 (en) | 1997-08-06 | 1998-07-29 | Coating and developing apparatus, complex apparatus and processing method in coating and developing apparatus |
| TW087112479A TW398021B (en) | 1997-08-06 | 1998-07-29 | Coating and developing apparatus, complex apparatus and processing method in coating and developing apparatus |
| KR10-1998-0032057A KR100437290B1 (ko) | 1997-08-06 | 1998-08-06 | 도포현상장치및도포현상방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22430597A JP3340945B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 塗布現像処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154428A true JPH1154428A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3340945B2 JP3340945B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=16811692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22430597A Expired - Lifetime JP3340945B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 塗布現像処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6197372B1 (ja) |
| JP (1) | JP3340945B2 (ja) |
| KR (1) | KR100437290B1 (ja) |
| TW (1) | TW398021B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8375884B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-02-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3455458B2 (ja) * | 1999-02-01 | 2003-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム |
| JP2009212295A (ja) | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0634783B1 (en) * | 1993-07-16 | 1997-08-06 | Semiconductor Systems, Inc. | Thermal process module for substrate coat/develop system |
| JPH07297258A (ja) | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Tokyo Electron Ltd | 板状体の搬送装置 |
| US5826129A (en) | 1994-06-30 | 1998-10-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system |
| US5625433A (en) * | 1994-09-29 | 1997-04-29 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for developing resist coated on a substrate |
| JPH09153536A (ja) * | 1995-12-01 | 1997-06-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US5905850A (en) * | 1996-06-28 | 1999-05-18 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for positioning substrates |
| JP3779393B2 (ja) * | 1996-09-06 | 2006-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| JP3202929B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2001-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| JPH10144599A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Tokyo Electron Ltd | 回転処理装置およびその洗浄方法 |
-
1997
- 1997-08-06 JP JP22430597A patent/JP3340945B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-07-29 US US09/124,009 patent/US6197372B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-29 TW TW087112479A patent/TW398021B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-08-06 KR KR10-1998-0032057A patent/KR100437290B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8375884B2 (en) | 2009-02-06 | 2013-02-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990023420A (ko) | 1999-03-25 |
| TW398021B (en) | 2000-07-11 |
| KR100437290B1 (ko) | 2005-01-26 |
| US6197372B1 (en) | 2001-03-06 |
| JP3340945B2 (ja) | 2002-11-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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