JP2001189369A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 常温付近で基板に対して液処理を行うための
液処理ユニットにおける温度制御を精密に行うことがで
きる基板処理装置の提供。 【解決手段】 液処理を行う第１の処理ユニット群１３
（１３ａ〜１３ｄ）と、加熱処理ユニット２０（２０ａ
〜２０ｄ）及び温調処理ユニット１８（１８ａ〜１８
ｄ）からなる加熱・温調処理ユニット１０（１０ａ〜１
０ｄ）を有する第２の処理ユニット群１４（１４ａ〜１
４ｄ）とは、温調処理ユニット１８が第１の処理ユニッ
ト群１３側に位置するように隣接して配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イス製造の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス製造プロセスにおけるフ
ォトレジスト工程では、例えば半導体ウエハＷ（以下、
「ウエハＷ」という。）等の表面に対してレジスト液を
塗布してレジスト膜を形成し、パターンが露光された後
のウエハＷに現像液を供給して現像処理している。かか
る一連の処理を行うにあたっては、従来から塗布現像処
理装置が使用されている。

【０００３】この塗布現像処理装置には、ウエハＷを温
調する温調処理ユニット、ウエハＷを加熱する加熱処理
ユニット、ウエハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗
布ユニット、ウエハＷに現像処理を施す現像処理ユニッ
ト等の各種の処理ユニットが備えられている。そして塗
布現像処理装置全体をコンパクト化するため、複数の加
熱処理ユニットと温調処理ユニットとを多段に、搬送装
置と共に全体として集約配置することで、塗布現像処理
装置の省スペース化を達成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところでウエハＷが大
口径化すると、これに伴って全ての処理ユニットも大型
化する。従って、省スペース化のためには、各処理ユニ
ットの配置を一層高集約化させる必要がある。

【０００５】しかしながら加熱処理ユニットが大型化す
ると、加熱処理ユニットの熱量も多くなる。従って、こ
れまでのように熱処理ユニット群の中の一つの処理ユニ
ットとして加熱処理装置が他の処理ユニットの近傍に配
置されていると、常温付近でウエハＷに対して液処理を
行う他の処理ユニット、例えばレジスト塗布装置等にお
ける温度制御を精密に行うことができなくなる虞があ
る。そして、これらの処理ユニットで温度制御が乱れる
とレジスト膜の膜厚が変化する、という問題を生じる。

【０００６】本発明は、かかる事情に基づきなされたも
ので、基板に対して液処理を行うための処理ユニットに
おける温度制御を精密に行うことができる基板処理装置
を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の基板処理装置は、基板上に所定の液を供給
して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げ
られた第１の処理ユニット群と、前記基板に対して加熱
処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温
調部とを互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニッ
トが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と、前
記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットと
の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、前記各第２の
処理ユニットにおける前記加熱部及び前記温調部のうち
前記温調部が前記第１の処理ユニット群側に位置するよ
うにしつつ、前記第１の処理ユニット群と前記第２の処
理ユニット群とを隣接して配置したことを特徴とする。

【０００８】本発明では、常温付近で基板に対して液処
理を行うための第１の処理ユニット群と、加熱部と温調
部とを有する第２の処理ユニット群とが、温調部が第１
の処理ユニット側に位置するように配置されているの
で、第１の処理ユニット群が第２の処理ユニット群から
受ける熱的影響を極力抑えることができる。これによ
り、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処
理ユニット群における温度制御を精密に行うことができ
る。

【０００９】更に、前記第１の処理ユニット群に清浄エ
アーを供給する清浄エアー供給部を備え、該清浄エアー
供給部は、前記第１の処理ユニット群の下部から気体を
排気し、該排気された気体を循環させて前記第１の処理
ユニット群の上部から温調された気体を吹き出すもので
あり、更に前記第１の処理ユニット群が配置された領域
と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断
するように前記第１の処理ユニット群の下部から排気さ
れた気体をその上部に循環させるための通路を有するこ
とを特徴とする。

【００１０】このような構成によれば、通路が第１の処
理ユニット群が配置された領域と第２の処理ユニット群
が配置された領域との間における断熱手段として機能す
る。しかも、かかる断熱手段である通路内には気体が循
環しているので、通路内に熱が蓄積するようなことはな
く、極めて良好な断熱手段として機能する。従って、上
記構成の通路が第２の処理ユニット群から第１の処理ユ
ニット群への熱的影響を防止し、常温付近で基板に対し
て処理を行うための第１の処理ユニット群における温度
制御を極めて精密に行うことができる。

【００１１】更に、前記第１の処理ユニット群が配置さ
れた領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域
とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴
とする。

【００１２】このような構成によれば、断熱壁が第２の
処理ユニット群から第１の処理ユニット群への熱的影響
を防止するので、常温付近で基板に対して処理を行うた
めの第１の処理ユニット群における温度制御を極めて精
密に行うことができる。

【００１３】本発明の基板処理装置は、基板上に所定の
液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に
積み上げられた第１の処理ユニット群と、前記第１の処
理ユニット群と隣接して配置され、前記各第１の処理ユ
ニットに対して前記所定の液を供給する処理液供給部
と、前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板
に対して温調処理を行う温調部とを互いに隣接させて一
体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第
２の処理ユニット群と、前記各第１の処理ユニットと前
記各第２の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送装
置とを備え、前記各第２の処理ユニットにおける前記加
熱部及び前記温調部のうち前記温調部が前記処理液供給
部側に位置するようにしつつ、前記処理液供給部と前記
第２の処理ユニット群とを隣接して配置したことを特徴
とする。

【００１４】本発明では、常温付近で基板に対して液処
理を行うための第１の処理ユニット群と、加熱部と温調
部とを有する第２の処理ユニット群との間に、処理液供
給部が配置され、更に、温調部が処理液供給部側に位置
するように配置されている。すなわち、第１の処理ユニ
ット群と加熱部との間には、温調処理ユニット及び処理
液供給部が介在することとなり、第１の処理ユニット群
及び処理液供給部が第２の処理ユニット群から受ける熱
的影響を極力抑えることができる。これにより、常温付
近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット
群における温度制御を精密に行うことができ、更にこの
第１の処理ユニット群に供給される処理液の温度管理も
容易に行うことができる。

【００１５】更に、前記第１の処理ユニット群に清浄エ
アーを供給する清浄エアー供給部を備え、該清浄エアー
供給部は、前記第１の処理ユニット群の下部から気体を
排気し、該排気された気体を循環させて前記第１の処理
ユニット群の上部から温調された気体を吹き出すもので
あり、更に前記処理液供給部が配置された領域と第２の
処理ユニット群が配置された領域とを分断するように前
記第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をそ
の上部に循環させるための通路を有することを特徴とす
る。

【００１６】このような構成によれば、通路が処理液供
給部が配置された領域と第２の処理ユニット群が配置さ
れた領域との間における断熱手段として機能する。しか
も、かかる断熱手段である通路内には気体が循環してい
るので、通路内に熱が蓄積するようなことはなく、極め
て良好な断熱手段として機能する。従って、上記構成の
通路が第２の処理ユニット群から第１の処理ユニット群
及び処理液供給部への熱的影響を防止し、常温付近で基
板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群にお
ける温度制御を極めて精密に行うことができ、また、処
理液の温度管理を容易に行うことができる。

【００１７】更に、前記処理液供給部が配置された領域
と第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の
処理ユニット群が配置された領域とを分断するように断
熱壁が設けられていることを特徴とする。

【００１８】このような構成によれば、断熱壁が第２の
処理ユニット群から第１の処理ユニット群及び処理液供
給部への熱的影響を防止するので、常温付近で基板に対
して処理を行うための第１の処理ユニット群における温
度制御を極めて精密に行うことができ、また、処理液の
温度管理を容易に行うことができる。

【００１９】本発明の基板処理装置は、基板上に所定の
液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に
積み上げられた第１の処理ユニット群と、前記基板に対
して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理
を行う温調部とを互いに隣接させて一体化した第２の処
理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット
群と、前記液処理が行われた基板に対して露光処理を行
う露光ユニットとを備え、前記露光ユニットへの基板搬
入前に、前記第２の処理ユニットの温調部に基板が待機
されることを特徴とする。

【００２０】本発明では、第２の処理ユニットの温調部
が、温調処理を行う機能以外に、露光前の基板を待機さ
せる待機場所としての機能も有することができ、例えば
露光前の基板を保持するカセットを別に設ける必要がな
い。

【００２１】

【発明の実施の形態】（第一実施形態）以下、添付図１
〜図８を参照しながら本発明の第一実施の形態について
説明する。図１〜図４は本発明の一実施形態に係る塗布
現像処理システムを示す図であり、図１は平面図、図２
は正面図である。図３は図１のｘ方向に沿って切断した
場合の断面図、図４は図１のｙ方向に沿って温調処理ユ
ニット１８が配置された領域を切断した場合ので断面図
である。

【００２２】図１に示すように、この塗布現像処理シス
テム１は、例えば２５枚のウエハＷをカセット単位で外
部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、
カセットＣに対してウエハＷを搬入出するためのカセッ
トステーション２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷ
に対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを
多段配置してなる第１の処理ステーション３と、この第
１の処理ステーションに隣接して配置された第１のステ
ーションとほぼ同様の構成の第２の処理ステーション４
と、この第２の処理ステーション４に隣接して配置され
た露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しを
するためのインターフェイス部５とを一体に接続した構
成を有している。第１の処理ステーション３では主にウ
エハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行わ
れ、第２の処理ステーション４では露光されたレジスト
膜の現像処理が行われる。

【００２３】カセットステーション２では、カセット載
置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカ
セットＣがウエハＷの出入口を処理ステーション３側に
向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置
自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方
向）及びカセットＣに収容されたウエハＷの配列方向
（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体１１が
搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対
して選択的にアクセスできるようになっている。

【００２４】このウエハ搬送体１１はθ方向にも回転自
在に構成されており、後述する第１の処理ステーション
３における第２の処理ユニット群としての第１加熱・温
調処理ユニット群１４ａの各第１加熱・温調処理ユニッ
ト１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａに対して
アクセスできるように構成されている。

【００２５】図１、図２に示すように、第１の処理ステ
ーション３では、正面側に液処理が行われる第１の処理
ユニット群として、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）
群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ
が設けられている。反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）
群１３ａは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行
う反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６がｚ軸方向に
３段に積み重ねられて構成される。また、レジスト膜塗
布ユニット（ＣＴ）群１３ｂは、常温付近でウエハＷに
対して塗布処理を行うレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）
１７がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。

【００２６】第１の処理ステーション３の中央部には、
搬送装置１９ａを挟んで、第２の処理ユニット群として
第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調
処理ユニット群１４ｂが配置されている。第１加熱・温
調処理ユニット群１４ａでは第１加熱・温調処理ユニッ
ト１０ａがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成され、
第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂでは第２加熱・温
調処理ユニット１０ｂがｚ軸方向に７段に積み重ねら
れ、更にそれらの下層に後述する搬送ユニット（ＳＴ
Ｌ）が配置されて構成される。各第１及び第２加熱・温
調処理ユニット１０ａ、１０ｂは、ウエハＷに対して温
調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ、１８
ｂと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ、
２０ｂとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成さ
れている。

【００２７】図１、図３に示すように、第１加熱・温調
処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット
１０ａが例えば８段に積層されて構成され、全ての第１
加熱・温調処理ユニット１０ａにおいて、温調処理ユニ
ット（ＣＰＬ）１８ａは反射防止膜塗布ユニット（ＢＣ
Ｔ）群１３ａ側に位置するように第１加熱・温調処理ユ
ニット群１４ａと反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群
１３ａとが配置される。尚、図３は、図１のｘ方向に沿
って切断した場合の断面図であり、ｘ方向に沿った第１
の処理ユニット群１３ａと第２の処理ユニット群１４ａ
との位置関係を示す図である。また、第２加熱・温調処
理ユニット群１４ｂも同様に、第２加熱・温調処理ユニ
ット１０ｂが多段に積層されて構成され、全ての第２加
熱・温調処理ユニット１０ｂにおいて、温調処理ユニッ
ト１８ｂはレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ側
に配置される。

【００２８】垂直搬送型の搬送装置１９ａの周囲には、
反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト
膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１及び第２加熱・
温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂが配置されている。
そして、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａと反射防
止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａとの間でのウエハ
Ｗの搬送、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂとレジ
スト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂとの間でのウエハ
Ｗの搬送は、搬送装置１９ａにより行われる。また、第
１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット
（ＣＰＬ）１８ａの両側面には開閉可能なシャッター部
材４７ａ、４７ｂが設けられている。第１加熱・温調処
理ユニット１０ａとウエハ搬送体１１との間での基板の
受け渡し及び第１加熱・温調処理ユニット１０ａと搬送
装置１９ａとの間での基板の受け渡しは、それぞれシャ
ッタ４７ａ、４７ｂを介して行われる。また、第２加熱
・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰ
Ｌ）１８ｂの搬送装置側の側面には開閉可能なシャッタ
ー部材４７ａが設けられており、このシャッター部材４
７ａを介して搬送装置１９ａと温調処理ユニット（ＣＰ
Ｌ）１８ｂとの間での基板の受け渡しが行われる。

【００２９】一方、第２の処理ステーション４では、図
１、図２に示すように、第１の処理ステーション３と同
様に、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行
う第１の処理ユニット群として第１現像処理ユニット群
１３ｃ、第２現像処理ユニット群１３ｄが配置されてい
る。第１現像処理ユニット群１３ｃは現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成
され、第２現像処理ユニット群１３ｄも同様に現像処理
ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねら
れて構成されている。

【００３０】第２の処理ステーション４の中央部には、
搬送装置１９ｂを挟んで、第２の処理ユニット群として
第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃ、第４加熱・温調
処理ユニット群１４ｄが配置されている。第３加熱・温
調処理ユニット群１４ｃでは第３加熱・温調処理ユニッ
ト１０ｃがｚ軸方向に７段に積み重ねられ、更にそれら
の下層に後述する搬送ユニット（ＳＴＬ）が配置されて
構成される。第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄでは
第４加熱・温調処理ユニット１０ｄがｚ軸方向に８段に
積み重ねられて構成される。

【００３１】各第３及び第４加熱・温調処理ユニット１
０ｃ、１０ｄは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調
処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃ、１８ｄと加熱処理を行
う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃ、２０ｄとがそれぞ
れ互いに隣接されて一体化して構成されている。そし
て、図１に示すように、積層された全ての第３加熱・温
調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１
８ｃと加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃのうち温調処理
ユニット（ＣＰＬ）１８ｃが、第１現像処理ユニット
（ＤＥＶ）群１３ｃ側に位置するように第３加熱・温調
処理ユニット群１４ｃと第１現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）群１３ｃとが配置される。また、積層された全ての
第４加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニット
（ＣＰＬ）１８ｄと加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｄの
うち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄが、第２現像処
理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄ側に位置するように第４
加熱・温調処理ユニット群１４ｄと第２現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）群１４ｄとが配置される。

【００３２】垂直搬送型の搬送装置１９ｂの周囲には、
第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処理ユニット
群１３ｄ、第３及び第４加熱・温調処理ユニット群１４
ｃ、１４ｄが配置されている。そして、第３加熱・温調
処理ユニット群１４ｃと第１現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）群１３ｃとの間でのウエハＷの搬送、第４加熱・温
調処理ユニット群１４ｄと第２現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）群１３ｂとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置１
９ｂにより行われる。また、第４加熱・温調処理ユニッ
ト１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄの両側面
には開閉可能なシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けら
れている。第４加熱・温調処理ユニット１０ｄと搬送装
置１９ｂとの間での基板の受け渡し及び第４加熱・温調
処理ユニット１０ｄとウエハ搬送体３７との間での基板
の受け渡しは、それぞれシャッタ４７ａ、４７ｂを介し
て行われる。また、第３加熱・温調処理ユニット１０ｃ
の温調処理ユニット１８ｂの搬送装置側の側面には開閉
可能なシャッター部材４７ｂが設けられており、このシ
ャッター部材４７ｂを介して搬送装置１９ｂと温調処理
ユニット１８ｃとの間での基板の受け渡しが行われる。

【００３３】また、図１に示すように、第１の処理ステ
ーション３及び第２の処理ステーション４の背面側で
は、検査機６や第１の処理ユニット群１３ａで用いられ
処理液を蓄えるケミカルタワー１５を収容する容器棚が
設けられている。この容器棚は、レール７により図面の
ｙ方向に沿って移動可能となっている。容器棚は、例え
ば背面側に開閉可能な扉のような構造となっており、こ
の扉に容器が収容可能となっている。これにより、容器
の交換や保守点検を容易に行うことができる。検査機６
は、露光、現像処理を経たウエハＷの塗布膜の膜厚を検
査するものであり、必要に応じて設置される。また、処
理液としては、例えば反射防止膜塗布ユニット（ＢＣ
Ｔ）１６に供給される反射防止膜レジスト材、レジスト
膜塗布ユニット（ＣＴ）１７に供給されるレジスト膜
材、現像処理ユニット２６に供給される現像液がある。
ここで、背面側に配置されるケミカルタワー１５に蓄え
られる処理液を主な処理液源として用いても良いし、背
面側に配置されるケミカルタワー１５を予備用として配
置し、他の領域に主な処理液源として別のケミカルタワ
ーを配置して用いても構わない。

【００３４】インターフェイス部５では、その正面側に
露光前のウエハＷを一旦保持する、例えばウエハＷカセ
ットＣと同様の構造のバッファカセット３３が配置さ
れ、その背面側には周辺露光装置３４が配置されてい
る。そして、垂直方向に昇降可能とされ、更にθ方向に
回転可能とされたウエハ搬送体３７が、これらのバッフ
ァカセット３３と周辺露光装置３４との間の搬送路３６
に沿って移動可能とされ、ウエハ搬送体３７は第４加熱
・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰ
Ｌ）１８ｄ、バッファカセット３３及び周辺露光装置３
４、露光前温調ユニット（図示しない）に対してアクセ
スできるように構成されている。

【００３５】更に、この塗布現像処理システム１では、
図１、図３に示すように、第１の処理ステーション３に
おける第１の処理ユニット群１３（反射防止膜塗布ユニ
ット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（Ｃ
Ｔ）群１３ｂ）と第２の処理ユニット群１４（第１及び
第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ）との
間、第２の処理ステーション４における第１の処理ユニ
ット群１３（第１及び第２現像処理ユニット群１３ｃ、
１３ｄ）と第２の処理ユニット群１４（第３及び第４加
熱・温調処理ユニット群１４ｃ、１４ｄ）との間に、そ
れぞれ断熱壁３９及び後述する第１の処理ユニット群１
３の下部から排気された気体をその上部に循環させるた
めの通路４０が配置されている。即ち、断熱壁３９及び
通路４０は、第１の処理ユニット群１３と第２の処理ユ
ニット群１４との間を分断するように配置されている。

【００３６】図２に示すように、上述した反射防止膜塗
布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａでは、カップ内でウエハ
Ｗをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該
ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜
塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が３段に積み重ねられてい
る。

【００３７】レジスト塗布ユニット群１３ｂでは、カッ
プ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を
塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施す
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）が３段に積み重ねられて
いる。

【００３８】第１現像処理ユニット群１３ｃでは、カッ
プ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給
して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニ
ット（ＤＥＶ）２６が上から２段に積み重ねられてい
る。

【００３９】同様に、第２現像処理ユニット群１３ｄで
は、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像
液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像
処理ユニット（ＤＥＶ）２６が上から２段に積み重ねら
れている。

【００４０】第２及び第３加熱・温調処理ユニット群１
４ｂ、１４ｃでは、加熱・温調処理ユニット１０が７段
に積み重ねられ、それらのユニットの下段に更に図４に
示すように搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃがそ
れぞれ配置されている。第１及び第２の処理ステーショ
ン３、４間のウエハＷの受け渡しは、２つの搬送ユニッ
ト（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃを連通する連通路４０を介
して行われる。図４に示すように、搬送ユニット（ＳＴ
Ｌ）３８ｂ、３８ｃにはそれぞれ開口部が設けられ、各
開口部に対応して開閉可能なシャッター部材４８ａ、４
８ｂ、４９ａ、４９ｂが設けられている。そして、シャ
ッター部材４８ａ、４９ｂを開閉することにより搬送ユ
ニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃとそれぞれに対応する
搬送装置１９a、１９ｂとの間でウエハＷの受け渡しが
行われる。また、シャッター部材４８ｂ、４９ａを開閉
することにより連通路４０を介して、搬送ユニット（Ｓ
ＴＬ）３８ｂ、３８ｃ間でのウエハＷの受け渡し、即ち
第１及び第２ステーション間でのウエハＷの受け渡しが
行われる。

【００４１】次に、上述した搬送装置１９ａ、１９ｂに
ついて、斜視図である図５を用いて説明する。上述の搬
送装置１９ａ及び１９ｂは同様の構造を有しており、図
５では符号１９として説明する。

【００４２】図５に示されるように、搬送装置１９は、
上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部５
１、５２からなる筒状支持体５３の内側に、上下方向
（Ｚ方向）に昇降自在なウエハＷ搬送手段５４を備えて
いる。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接続され
ており、このモータ５５の回転駆動力で、前記回転軸を
中心としてウエハＷ搬送手段５４と共に一体に回転す
る。従って、ウエハＷ搬送手段５４はθ方向に回転自在
となっている。

【００４３】ウエハＷ搬送手段５４の搬送基台５６上に
は、ウエハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット
５７、５８が上下に備えられている。各ピンセット５
７、５８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持
体５３の両壁部５１、５２間の側面開口部を通過自在な
形態及び大きさを有している。また、各ピンセット５
７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモータ（図示せ
ず）により前後方向の移動が自在となっている。

【００４４】次に、図４、図６、図７を用いて、上述し
た第１加熱・温調処理ユニット１０ａの構造について説
明する。図６は加熱・温調処理ユニットの平面図、図７
は加熱・温調処理ユニットの断面図である。

【００４５】図６、図７に示すように第１加熱・温調処
理ユニット１０ａは、ウエハＷに対して加熱処理を行う
加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａとウエハＷに対して温
調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａとを互
いに隣接させて一体化した構造となっている。

【００４６】加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａは、設定
温度が２００℃前後とすることが可能な熱板２４を有し
ている。更に加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａは、加熱
処理ユニット（ＨＰ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰ
Ｌ）１８ａとの間を開閉するためのゲートシャッター２
１と熱板２４の周囲でウエハＷを包囲しながらゲートシ
ャッター２１と共に昇降されるリングシャッター２２と
を有している。熱板２４には、ウエハＷを載置して昇降
するための３個のリフトピン２３が昇降自在に設けられ
ている。なお、熱板２３とリングシャッター２２との間
に遮蔽板スクリーンを設けてもよい。加熱処理室２０ａ
の下方には、上記３個のリフトピン２３を昇降するため
の昇降機構２７と、リングシャッター２２をゲートシャ
ッター２１と共に昇降するための昇降機構２８とが設け
られている。熱板２３上には、高さが０．２ｍｍのプロ
キシミティピン３５、更には案内ガイド３２が設けられ
ている。

【００４７】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａは、ウ
エハＷを２３℃前後の常温に温調する温調板２５を有し
ている。図４、図６に示すように、温調処理ユニット
（ＣＰＬ）１８ａのカセットステーション側の側部に
は、カセットステーション２との間でウエハＷの受け渡
しを行うための開口部があり、この開口部に対応して開
閉可能なシャッター部材４７ａが配置されている。更
に、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａの搬送装置１９
側の側部には、搬送装置１９との間でウエハＷの受け渡
しを行うための開口部があり、この開口部に対応して開
閉可能なシャッタ部材４７ｂが配置されている。

【００４８】図７に示すように、加熱処理ユニット（Ｈ
Ｐ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａとは、
連通口３０を介して連通されており、ウエハＷを載置し
て温調するための温調板２５がガイドプレート５９に沿
って移動機構６０により水平方向に移動自在に構成され
ている。これにより、温調板２５は、連通口３０を介し
て加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内に進入することが
でき、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内の熱板２４に
より加熱された後のウエハＷをリフトピン２３から受け
取って温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬入し、
ウエハＷの温調を行う。

【００４９】上述では、第１加熱・温調処理ユニット１
０ａについて説明したが、第４加熱・温調処理ユニット
群１４ｄの第４加熱・温調処理ユニット１０ｄも同様の
構造を有している。また、第２加熱・温調処理ユニット
１０ｂ、第３加熱・温調処理ユニット１０ｃにおいて
も、第１加熱・温調処理ユニット１０ａとほぼ同様の構
造を有しているが、図１及び図４に示すように、第１加
熱・温調処理ユニット１０ａでは両側面にシャッタ部材
４７ａ、４７ｂが設けられているのに対し、第２及び第
３加熱・温調処理ユニット１０ｂ、１０ｃでは搬送装置
１９側の側面のみにシャッタ部材４７ａまたは４７ｂが
設けられている点で異なる。本実施形態では、温調処理
ユニット（ＣＰＬ）１８ａ、１８ｄでは、シッター部材
４７ａ、４７ｂの両方が開いた状態とならないように開
閉駆動が行われるようになっている。即ち、シャッター
部材４７ａにより開口した状態ではシャッター部材４７
ｂにより開口部が閉じられ、逆にシャッター部材４７ｂ
により開口した状態ではシャッター部材４７ａにより開
口部が閉じられるようになっている。このようにシャッ
ター部材４７ａ、４７ｂの開閉駆動を制御することで、
温調処理ユニット（ＣＰＬ）がいわばロードロック室的
な機能を果たすことになり、常温付近でウエハＷに対し
て処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣＴ、Ｃ
Ｔ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行うことが
できる。

【００５０】上述のように本実施形態では、第１の処理
ユニット群１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄと第２の処
理ユニット群１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとの間
に、それぞれ断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３
の下部から排気された気体をその上部に循環させるため
の通路４０が配置された温調機構が設けられている。こ
の温調機構について、図８を用いて以下に説明する。
尚、図８は、処理液供給ユニット、ここでは反射防止膜
塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が複数段積層された第１の
処理ユニット群１３ａの概略断面図である。

【００５１】図８に示すように、塗布現像処理システム
１の上部には、第１の処理ステーション３における第１
の処理ユニット群としての反射防止膜塗布ユニット（Ｂ
ＣＴ）群１３ａに対して上部から温調された清浄エアー
を供給す清浄エアー供給部４１が配置されている。清浄
エアー供給部４１は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニ
ット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、反
射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａの下部から排
気された気体をその上部に循環させるための通路４０を
介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーテ
ィクル等を除去した清浄エアーを通路４３を介して各反
射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６に供給する。更
に、図１に示すように、通路４０と第２の処理ユニット
群としての加熱・温調処理ユニット１０ａとの間には段
熱壁３９が配置されている。本実施形態では、このよう
に断熱壁や温調機構を設けることにより、更に常温付近
でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニッ
ト（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精
密に行うことができる。そして、同様に、図１に示すよ
うに、第１の処理ユニット群１３ｂ、１３ｃ、１３ｄと
それぞれ対応する加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、１
４ｃ、１４ｄとの間にも清浄エアー供給部４０と断熱壁
３９とがそれぞれ別個に設けられている。

【００５２】次に、このように構成された塗布現像処理
システム１における処理工程を説明する。

【００５３】塗布現像処理システム１において、カセッ
トＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステー
ション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、
第１の処理ステーション３の第１加熱・温調熱処理ユニ
ット１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ
内に搬送され、温調板２５上に載置されて温調処理が行
われる。

【００５４】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内で温
調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによって
反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａにおける反
射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６内に搬送され、反
射防止膜用の処理液が塗布される。

【００５５】反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６で
反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装
置１９ａによって第１加熱・温調処理ユニット１０ａの
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調
板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエ
ハＷは、図７に示すように、移動機構６０により水平移
動される温調板２５により、連通口３０を通って加熱処
理ユニット（ＨＰ）２０ａ内へ搬送される。搬送された
ウエハＷは、上昇した状態のリフトピン２３により支持
される。この後、リフトピン２３が下降し熱板２４上に
ウエハＷが載置され、それとともにリングシャッター２
２及びゲートシャッター２１が上昇されて形成された加
熱処理空間内で加熱処理が行われる。加熱処理後、リフ
トピン２３が上昇されるとともにリングシャッター２２
及びゲートシャッター２１が下降され、ウエハＷは熱板
２４から離間されてリフトピン２３により支持される。

【００５６】その後、温調板２５が再度加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）内に挿入され、加熱処理されたウエハＷを受
け取る。ウエハＷは、温調板２５によって温調処理ユニ
ット（ＣＰＬ）１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われ
る。

【００５７】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａで温調
処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによってレ
ジスト塗布ユニット群１３ｂにおけるレジスト塗布ユニ
ット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布され
る。

【００５８】レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７でレジ
スト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａによ
り、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニ
ット（ＣＰＬ）１８ｂ内に搬送され、温調板２５上に載
置される。温調板２５上に載置されたウエハＷは、移動
機構６０により水平移動される温調板２５により、連通
口３０を通って加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内へ搬
送される。搬送されたウエハＷは、上昇した状態のリフ
トピン２３により支持される。この後、リフトピン２３
が下降し熱板２４上にウエハＷが載置され、それととも
にリングシャッター２２及びゲートシャッター２１が上
昇されて形成された加熱処理空間内で加熱処理が行われ
る。加熱処理後、リフトピン２３が上昇されるとともに
リングシャッター２２及びゲートシャッター２１が下降
され、ウエハＷは熱板２４から離間されてリフトピン２
３により支持される。

【００５９】その後、温調板２５が再度加熱処理ユニッ
ト（ＨＰ）２０ｂ内に挿入され、加熱処理されたウエハ
Ｗを受け取る。ウエハＷは、温調板２５によって温調処
理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が
行われる。

【００６０】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調
処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによって、
第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂの最下段に配置さ
れる搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂに搬送され、連通路
４０を通って、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃの
搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｃへ搬送される。

【００６１】第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃにお
ける搬送ユニット（ＳＴＬ）に搬送されたウエハＷは、
搬送装置１９ｂによって第４加熱・温調処理ユニット群
１４ｄの加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニ
ットへ搬送される。

【００６２】更に、温調処理ユニットに搬送されたウエ
ハＷは、インターフェイス部５におけるウエハ搬送体３
７によって周辺露光装置３４内に搬送され、周辺露光が
行われる。

【００６３】周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウ
エハＷは、ウエハ搬送体３７によってバッファカセット
３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送
体３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送
体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。

【００６４】ここで、バッファカセット３３を例えば２
つ設け、１つを周辺露光後のウエハＷを保持するための
カセット、もう１つを周辺露光前のウエハＷを保持する
ためのカセットとしても用いることができる。この際、
周辺露光前のウエハＷを保持するカセットには、ウエハ
Ｗを２３℃前後の常温に温調する機構を設けることが望
ましい。或いは、バッファカセット３３は周辺露光後の
ウエハＷのみを保持し、周辺露光前のウエハＷは、第２
の処理ユニット群１４ｃまたは１４ｄの加熱・温調処理
ユニット１０ｃまたは１０ｄのうちの空いている温調処
理ユニット１８ｃまたは１８ｄを周辺露光前のウエハＷ
を待機させる場所として用いることもできる。この場
合、周辺露光前のウエハＷを保持するためのバッファカ
セットを設ける必要がない。

【００６５】次に、露光装置によって露光処理が行われ
たウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット３３及
びウエハ搬送体３７を介してインターフェイス部５から
第２の処理ステーション４の第４加熱・温調処理ユニッ
ト群１４ｄにおける第４加熱・温調処理ユニット１０ｄ
の温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄ内へ搬送され、温
調処理が行われる。

【００６６】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄで温調
処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第
１現像処理ユニット群１３ｃまたは第２現像処理ユニッ
ト群１３ｄにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に
搬送され、現像処理が行われる。

【００６７】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６で現像処
理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂにより、例え
ば第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃにおける加熱・
温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）
１８ｃを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８
ｃと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃ内に搬送
され、加熱処理が行われる。

【００６８】加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃで加熱処
理が行われたウエハＷは温調処理ユニット１８ｃへ搬送
され、搬送装置１９ｂによって第２の処理ステーション
４における搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｃに搬送され、
連通路４０を通って第１の処理ステーション３における
搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂに搬送される。

【００６９】搬送ユニット（ＳＴＬ）に搬送されたウエ
ハＷは、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ス
テーション群１４ａにおける第１加熱・温調処理ユニッ
ト１０ａの温調処理ユニット１８ａに搬送される。そし
て、温調処理ユニット１８ａ内のウエハＷは、カセット
ステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ
内に収容される。ここで、検査機６を設置する場合に
は、温調処理ユニット１８ａ内のウエハＷは、カセット
ステーション２のウエハ搬送体１１により検査機６に搬
送される。検査機６では、レジスト膜の膜厚を測定する
ことにより、露光現像処理により得られるパターンの幅
が適正かどうかが判断される。検査されたウエハＷは、
カセットステーション２のウエハ搬送体１１によってカ
セットＣ内に収容される。

【００７０】以上のように構成された本実施形態に係る
塗布現像処理システムによれば、加熱・温調処理ユニッ
トの温調処理ユニット（ＣＰＬ）が、液処理ユニット側
に配置されることにより、液処理ユニットと加熱処理ユ
ニット（ＨＰ）との間に温調処理ユニット（ＣＰＬ）が
介在する構造となる。これにより、液処理ユニット側に
対する加熱処理ユニットからの熱的影響を極力抑えるこ
とができる。従って、該塗布現像処理システムでは、ウ
エハＷに対して液処理を行うための液処理ユニット（Ｂ
ＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うこ
とができる。

【００７１】更に、本実施形態に係る塗布現像処理シス
テムによれば、第１及び第２の処理ステーション３、４
における液処理ユニット群（反射防止膜塗布ユニット
（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）
群１３ｂ、第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処
理ユニット群１３ｄ）と加熱・温調処理ユニット群（第
１乃至第４加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ、
１４ｃ、１４ｄ）との間に、それぞれ断熱壁３９及び液
処理ユニット群１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄそれぞ
れの下部から排気された気体をその上部に循環させるた
めの通路４０が配置される。これにより、通路４０は断
熱手段の機能も伴うので、第１の処理ユニット群１３と
第２の処理ユニット群１４との間に二重の断熱手段が配
置されることとなり、更に液処理ユニット群に対する加
熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を
抑制し、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処
理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うこと
ができる。

【００７２】（第二実施形態）以下、図９〜図１１を参
照しながら本発明の第二実施の形態について説明する。
図９〜図１１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理
システムを示す図であり、図９は平面図、図１０は正面
図である。図１１は、図９の線Ａ−Ａ´に沿って切断し
た場合の断面図であり、第１の処理ユニット群１３ａと
第２の処理ユニット群１４ａとケミカルタワー１５ａの
ｘ方向における位置関係を示す図である。

【００７３】本実施形態は、上述の第一実施形態とは、
処理液を収容するケミカルタワーの配置が異なる点、２
つの搬送装置１９ａ、１９ｂの間に配置される加熱・温
調処理装置の数が１つである点で、構造上異なる。以
下、第二実施形態において説明するが、第一実施形態と
同様の構造については一部説明を省略する。また、第一
実施形態と同様の構成については同様の符号を付して説
明する。

【００７４】図９に示すように、塗布現像処理システム
１は、第一実施形態と同様のカセットステーション２
と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処
理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる
第１の処理ステーション８と、この第１の処理ステーシ
ョンに隣接して配置された第２の処理ステーション９
と、この第２の処理ステーション９に隣接して配置され
た露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しを
するためのインターフェイス部５とを一体に接続した構
成を有している。第１の処理ステーション８では主にウ
エハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行わ
れ、第２の処理ステーション９では露光されたレジスト
膜の現像処理が行われる。

【００７５】カセットステーション２については、第一
実施形態と同様の構造を有するため説明は省略する。

【００７６】図９、図１０に示すように、第１の処理ス
テーション８では、正面側に液処理が行われる第１の処
理ユニット群として、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣ
Ｔ）群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１
３ｂが設けられている。反射防止膜塗布ユニット（ＢＣ
Ｔ）群１３ａは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理
を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６がｚ軸方
向に３段に積み重ねられて構成される。また、レジスト
膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂは、常温付近でウエハ
Ｗに対して塗布処理を行うレジスト膜塗布ユニット（Ｃ
Ｔ）１７がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成され
る。更に、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ
及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂにそれぞ
れ隣接してケミカルタワー１５ａ、１５ｂが配置されて
いる。ケミカルタワー１５ａには反射防止膜塗布ユニッ
ト（ＢＣＴ）１６に処理液として供給される反射防止膜
材料が収容されており、ケミカルタワー１５ｂにはレジ
スト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７に処理液として供給さ
れるレジスト材料が収容されている。

【００７７】第１の処理ステーション８の背面部には、
搬送装置１９ａを挟んで、第２の処理ユニット群として
第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調
処理ユニット群１４ｂが配置されている。第１加熱・温
調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット
群１４ｂは、それぞれケミカルタワー１５ａ、１５ｂに
隣接して配置されている。第１加熱・温調処理ユニット
群１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット１０ａがｚ軸
方向に８段に積み重ねられて構成されている。第２加熱
・温調処理ユニット群１４ｂでは第２加熱・温調処理ユ
ニット１０ｂがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成さ
れている。各第１及び第２加熱・温調処理ユニット１０
ａ、１０ｂは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処
理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ、１８ｂと加熱処理を行う
加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ、２０ｂとがそれぞれ
互いに隣接されて一体化して構成されている。

【００７８】図１１に示すように、第１加熱・温調処理
ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０
ａが多段に積層されて構成される。尚、図１１は、図９
の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断面図であり、ｘ
方向に沿った第１の処理ユニット群１３ａとケミカルタ
ワー１５ａと第２の処理ユニット群１４ａとの位置関係
を示す図である。図９、図１１に示すとおり、第２の処
理ユニット群としての第１加熱・温調処理ユニット群１
４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが８段に積
層されて構成され、全ての第１加熱・温調処理ユニット
１０ａにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａと温
調処理ユニット（ＣＰ）１８ａのうち温調処理ユニット
（ＣＰＬ）１８ａが、処理液供給部としてのケミカルタ
ワー１５ａ側に配置される。そして、このケミカルタワ
ー１５ａに隣接して、第１の処理ユニット群としての反
射防止膜塗布ユニット群１３ａが配置される。また、第
２加熱・温調処理ユニット群１４ｂも同様に、第２加熱
・温調処理ユニット１０ｂが８段に積層されて構成さ
れ、全ての第１加熱・温調処理ユニット１０ｂにおい
て、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂと温調処理ユニッ
ト（ＣＰ）１８ｂのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１
８ｂが、処理液供給部としてのケミカルタワー１５ｂ側
に配置される。そして、このケミカルタワー１５ｂに隣
接して、第１の処理ユニット群としてのレジスト膜塗布
ユニット群１３ｂ及び後述する第１現像処理ユニット群
１３ｃが配置される。

【００７９】垂直搬送型の搬送装置１９ａの周囲には、
反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト
膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１及び第２加熱・
温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂが配置されている。
第１の処理ステーション８における搬送装置１９ａ、反
射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜
塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１加熱・温調処理ユ
ニット群１４ａの構造は、上述の第一実施形態における
第１の処理ステーション３と各構成と同じ構造をしてお
り、ここでは詳細な説明は省略する。本実施形態におけ
る第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂは、上述の第一
実施形態における第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂ
と比較して、両側面にシャッター部材４７ａ、４７ｂが
ある点と搬送ユニット（ＳＴＬ）がない点で構造が異な
る。本実施形態においては、第１の処理ステーション８
と後述する第２の処理ステーション９との間でのウエハ
Ｗの搬送は、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂの各
第２加熱・温調処ユニット１０ｂの温調処理ユニット１
８ｂを介して行なうことができる。そのため、各温調処
理ユニット１８ｂの両側面にシャッター部材４７ａ、４
７ｂが設けられている。

【００８０】一方、第２の処理ステーション９では、図
９、図１０に示すように、第１の処理ステーション８と
同様に、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を
行う第１の処理ユニット群として、第１現像処理ユニッ
ト群１３ｃ及び第２現像処理ユニット群１３ｄが配置さ
れている。第１現像処理ユニット群１３ｃは現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられ
て構成され、第２現像処理ユニット群１３ｄも同様に現
像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み
重ねられて構成されている。更に、第２現像処理ユニッ
ト群１３ｄに隣接してケミカルタワー１５ｃが配置され
ている。このケミカルタワー１５ｃには、現像処理ユニ
ット（ＤＥＶ）２６に処理液として供給される現像液が
収容されている。

【００８１】第２の処理ステーション９の背面部には、
搬送装置１９ｂを挟んで第２加熱・温調処理ユニット群
１０ｂに対向した位置に、第２の処理ユニット群として
第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃが配置されてい
る。第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃは、それぞれ
ケミカルタワー１５ｃに隣接して配置されている。第３
加熱・温調処理ユニット群１４ｃは第３加熱・温調処理
ユニット１０ｃがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成
される。

【００８２】第３加熱・温調処理ユニット１０ｃは、ウ
エハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰ
Ｌ）１８ｃ、１８ｄと加熱処理を行う加熱処理ユニット
（ＨＰ）２０ｃ、２０ｄとがそれぞれ互いに隣接されて
一体化して構成されている。そして、図９に示すよう
に、積層された全ての第３加熱・温調処理ユニット１０
ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃと加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）２０ｃのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）
１８ｃが、処理液供給部としてのケミカルタワー１５ｃ
側に配置される。そして、このケミカルタワー１５ｃに
隣接して、第１の処理ユニット群としての第２現像処理
ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄが配置される。

【００８３】垂直搬送型の搬送装置１９ｂの周囲には、
第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処理ユニット
群１３ｄ、第２及び第３加熱・温調処理ユニット群１４
ｂ、１４ｃが配置されている。ここで、第２加熱・温調
処理ユニット群１４ｂは、ウエハ上への塗布膜の成膜前
後の加熱処理または温調処理、現像処理後前後の加熱処
理または温調処理のいずれにも対応できる。そして、第
２加熱・温調処理ユニット群１４ｂと第３加熱・温調処
理ユニット群１４ｃとの間でのウエハＷの搬送、第２加
熱・温調処理ユニット群１４ｂと第１または第２現像処
理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、１３ｄとの間でのウエ
ハＷの搬送、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃと第
１または第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、１
３ｄとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置１９ｂによ
り行われる。第２または第３加熱・温調処理ユニット群
１４ｂ、１４ｃと搬送装置１９ｂとの間でのウエハＷの
受け渡しは、それぞれの温調処理ユニット１８ｂ、１８
ｃに設けられた４７ｂ、４７ａを介して行われる。ま
た、第３加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニ
ット１８ｂとウエハ搬送体３７との間でのウエハＷの受
け渡しは、温調処理ユニット１８ｃのシャッター部材４
７ｂを介して行われる。

【００８４】インターフェイス部５は、上述の第一実施
形態におけるインターフェイス部５と同様の構造のた
め、個々では説明を省略する。

【００８５】更に、この塗布現像処理システム１では、
図９、図１１に示すように、第１の処理ステーション８
及び第２の処理ステーションにおける第１の処理ユニッ
ト群１３（反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３
ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１現
像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、第２現像処理ユニ
ット（ＤＥＶ）群１３ｄ）と第２の処理ユニット群１４
（第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温
調処理ユニット群１４ｂ、第３加熱・温調処理ユニット
群１４ｃ）との間には、ケミカルタワー１５（１５ａ、
１５ｂ、１５ｃ）が配置された構造となり、更にケミカ
ルタワー１５と第２の処理ユニット群１４との間には断
熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気
された気体をその上部に循環させるための通路４０が配
置されている。また、ケミカルタワー１５ｂに隣接して
設けられた通路４０及び断熱壁３９は、１つの第２の処
理ユニット群１４ｂに対応した２つの第１の処理ユニッ
ト群１４ａに対する温調機構及び断熱手段として機能す
る。本実施形態においても、上述の第一実施形態と同様
に、塗布現像処理システムの上部に、各第１の処理ユニ
ット群に対して上部から温調された清浄エアーを供給す
清浄エアー供給部が配置されている。清浄エアー供給部
は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や
湿度を調整する温調装置等を備え、第１の処理ユニット
群の下部から排気された気体をその上部に循環させるた
めの通路４０を介して流入した気体から温度及び湿度を
調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路４
３を介して第１の処理ユニット群に供給する。本実施形
態においても、上述の第一実施形態と同様に、断熱壁３
９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された
気体をその上部に循環させるための通路４０が配置され
た温調機構を設けることにより、常温付近でウエハＷに
対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣＴ、
ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことがで
きる。更に、通路４０は断熱手段の機能も伴うので、第
２の処理ユニット群１４とケミカルタワー１５との間に
断熱壁３９及び通路４０が設けられることにより二重の
断熱手段が配置されることとなる。そのため、常温付近
でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群にお
ける温度制御を極めて精密に行うことができ、またケミ
カルタワー１５に収容される処理液は加熱処理ユニット
２０による熱的影響を受けにくく、処理液の温度調整が
容易となる。

【００８６】図１０に示すように、上述した反射防止膜
塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａでは、カップ内でウエ
ハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、
該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止
膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が３段に積み重ねられて
いる。レジスト塗布ユニット群１３ｂでは、カップ内で
ウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布し
て、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジス
ト塗布ユニット（ＣＴ）が３段に積み重ねられている。
第１現像処理ユニット群１３ｃでは、カップ内でウエハ
Ｗをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエ
ハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２６が上から２段に積み重ねられている。同様に、
第２現像処理ユニット群１３ｄでは、カップ内でウエハ
Ｗをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエ
ハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２６が上から２段に積み重ねられている。

【００８７】第１、第２及び第３加熱・温調処理ユニッ
ト群１４ａ、１４ｂ、１４ｃでは、それぞれウエハＷに
対して加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０と
ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（Ｃ
ＰＬ）１８とを互いに隣接させて一体化した加熱・温調
処理ユニット１０が８段に積み重ねられて構成されてお
り、上述したように全ての温調処理ユニットの側面にシ
ャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。尚、本
実施形態における加熱・温調処理ユニット１０の構造
は、上述の第一実施形態と同様のため、ここでは説明を
省略する。

【００８８】上述した搬送装置１９ａ、１９ｂの構造
は、上述の第一実施形態の搬送装置１９ａ及び１９ｂと
同様の構造のため、説明を省略する。

【００８９】次に、このように構成された塗布現像処理
システム１における処理工程を説明する。尚、加熱・温
調処理ユニットにおける動作は上述の第一実施形態と同
様のため省略する。

【００９０】塗布現像処理システム１において、カセッ
トＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステー
ション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、
第１の処理ステーション３の第１加熱・温調熱処理ユニ
ット１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ
内に搬送され、温調板２５上に載置されて温調処理が行
われる。

【００９１】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内で温
調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによって
反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａにおける反
射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６内に搬送され、反
射防止膜用の処理液が塗布される。

【００９２】反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６で
反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装
置１９ａによって第１加熱・温調処理ユニット１０ａの
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調
板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエ
ハＷは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内へ搬送され
加熱処理が行われる。

【００９３】その後、ウエハＷは温調処理ユニット（Ｃ
ＰＬ）１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。

【００９４】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａで温調
処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによってレ
ジスト塗布ユニット群１３ｂにおけるレジスト塗布ユニ
ット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布され
る。

【００９５】レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７でレジ
スト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａによ
り、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニ
ット（ＣＰＬ）１８ｂ内に搬送される。更に、ウエハＷ
は加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内へ搬送され、加熱
処理が行われる。

【００９６】その後、ウエハＷは、温調処理ユニット
（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調処理が行われ
たウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第３加熱・温調
処理ユニット群１４ｃの加熱・温調処理ユニット１０ｃ
の温調処理ユニット１８ｃへ搬送される。

【００９７】更に、温調処理ユニットに搬送されたウエ
ハＷは、インターフェイス部５におけるウエハ搬送体３
７によって周辺露光装置３４内に搬送され、周辺露光が
行われる。

【００９８】周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウ
エハＷは、ウエハ搬送体３７によってバッファカセット
３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送
体３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送
体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。

【００９９】次に、露光装置によって露光処理が行われ
たウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット３３及
びウエハ搬送体３７を介してインターフェイス部５から
第２の処理ステーション９の第３加熱・温調処理ユニッ
ト群１４ｃにおける第４加熱・温調処理ユニット１０ｃ
の温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃ内へ搬送され、温
調処理が行われる。

【０１００】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃで温調
処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第
１現像処理ユニット群１３ｃまたは第２現像処理ユニッ
ト群１３ｄにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に
搬送され、現像処理が行われる。

【０１０１】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６で現像処
理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂにより、例え
ば第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂにおける加熱・
温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）
１８ｂを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８
ｂと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内に搬送
され、加熱処理が行われる。

【０１０２】加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂで加熱処
理が行われたウエハＷは温調処理ユニット１８ｂへ搬送
され、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ステ
ーション群１４ａにおける第１加熱・温調処理ユニット
１０ａの温調処理ユニット１８ａに搬送される。そし
て、温調処理ユニット１８ａ内のウエハＷは、カセット
ステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ
内に収容される。

【０１０３】以上のように構成された本実施形態に係る
塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット（ＢＣ
Ｔ、ＣＴ、ＤＥＶ）と隣接して処理液供給部としてのケ
ミカルタワーが配置され、ケミカルタワーと隣接して加
熱・温調処理ユニットが配置され、加熱・温調処理ユニ
ットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）がケミカルタワー側
に配置されることにより、加熱・温調処理ユニットの加
熱処理ユニットと液処理ユニットとの間には温調処理ユ
ニット及びケミカルタワーが介在する構造となる。これ
により、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットか
らの熱的影響を大幅に抑えることができ、該塗布現像処
理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための
液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度
制御を精密に行うことができる。

【０１０４】更に、本実施形態に係る塗布現像処理シス
テムによれば、液処理ユニット群（反射防止膜塗布ユニ
ット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（Ｃ
Ｔ）群１３ｂ、第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３
ｃ、第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄ）と加熱
・温調処理ユニット群（第１乃至第４加熱・温調処理ユ
ニット群１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ）との間に、
それぞれ断熱壁３９及び液処理ユニット群１３ａ、１３
ｂ、１３ｃ、１３ｄそれぞれの下部から排気された気体
をその上部に循環させるための通路４０が配置されるこ
とにより、更に液処理ユニット群に対する加熱・温調処
理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を防止し、常
温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット
群における温度制御を極めて精密に行うことができる。

【０１０５】（第三実施形態）以下、図１２〜図１４を
参照しながら本発明の第三実施の形態について説明す
る。図１２〜図１４は本発明の一実施形態に係る塗布現
像処理システムを示す図であり、図１２は平面図、図１
３は正面図である。図１４は、図１２の線Ｂ−Ｂ´に沿
って切断した場合の断面図であり、第１の処理ユニット
群１３ａと第２の処理ユニット群１４ａとのｘ方向にお
ける位置関係を示す図である。

【０１０６】本実施形態は、上述の第一実施形態とは、
処理液を収容するケミカルタワーの配置位置の点、搬送
装置及び加熱・温調処理装置の数を少ない点、反射防止
膜塗布ユニット（ＢＣＴ）及びレジスト膜塗布ユニット
（ＣＴ）が積み重ねられている点で構造上異なり、第一
及び第二実施形態と比較しシステム全体が小型化されて
いる。

【０１０７】以下、第三実施形態において説明するが、
第一実施形態と同様の構造については一部説明を省略す
る。また、第一実施形態と同様の構成については同様の
符号を付して説明する。

【０１０８】図１２に示すように、塗布現像処理システ
ム１は、第一実施形態と同様のカセットステーション２
と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処
理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる
第１の処理ステーション４５と、この第１の処理ステー
ションに隣接して配置された第２の処理ステーション４
６と、この第２の処理ステーション４６に隣接して配置
された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡
しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続し
た構成を有している。第１の処理ステーション４５では
主にウエハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理
が行われ、第２の処理ステーション４６では露光された
レジスト膜の現像処理が行われる。塗布現像処理システ
ム１のほぼ中央部には搬送装置１９が配置され、搬送装
置１９は第１の処理ステーション４５及び第２の処理ス
テーション４６における処理中のウエハＷの搬送に用い
られる。

【０１０９】カセットステーション２については、第一
実施形態とほぼ同様の構造を有するため異なる部分のみ
説明する。図１３に示すように、カセットステーション
２の底部には、後述するレジスト膜塗布ユニット（Ｃ
Ｔ）１７に処理液として供給されるレジスト膜材料が収
容されるケミカルタワー１５ｂが配置されている。

【０１１０】図１２、図１３に示すように、第１の処理
ステーション４５では、正面側に液処理が行われる第１
の処理ユニット群として、反射防止膜・レジスト膜塗布
ユニット（ＣＴ）群１３ｅが設けられている。反射防止
・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅは、常温付
近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユ
ニット（ＢＣＴ）１６、レジスト膜塗布ユニット（Ｃ
Ｔ）１７がそれぞれ２段づつｚ軸方向に積み重ねられて
構成される。更に、反射防止・レジスト膜塗布ユニット
（ＣＴ）群１３ｅに隣接してケミカルタワー１５ａが配
置されている。ケミカルタワー１５ａには反射防止膜塗
布ユニット（ＢＣＴ）１６に処理液として供給される反
射防止膜材料が収容されている。

【０１１１】第１の処理ステーション４５の背面部に
は、ケミカルタワー１５ａに隣接して第２の処理ユニッ
ト群としての第１加熱・温調処理ユニット群１４ａが配
置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａで
は第１加熱・温調処理ユニット１０ａがｚ軸方向に多段
に積み重ねられて構成されている。各第１加熱・温調処
理ユニット１０ａは、ウエハＷに対して温調処理を行う
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａと加熱処理を行う加
熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａとがそれぞれ互いに隣接
されて一体化して構成されている。

【０１１２】図１４に示すように、第１加熱・温調処理
ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０
ａが１２段に積層されて構成される。尚、図１４は、図
１２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の断面図であ
り、ｘ方向に沿った第１の処理ユニット群１３ａと第２
の処理ユニット群１４ａとケミカルタワー１５aの位置
関係を示す図である。図１２、図１４に示すとおり、第
１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調
処理ユニット１０ａが１２段に積層されて構成され、ケ
ミカルタワー１５ａに隣接して配置されている。更に、
第１加熱・温調処理ユニット群１４ａの全ての第１加熱
・温調処理ユニット１０ａにおいて、加熱処理ユニット
（ＨＰ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰ）１８ａのう
ち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａがケミカルタワー
１５ａ側に位置するように配置されている。そして、ケ
ミカルタワー１５ａに隣接して反射防止膜・レジスト膜
塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅが配置されている。

【０１１３】一方、第２の処理ステーション４６では、
図１２、図１３に示すように、正面側に常温付近でウエ
ハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として
現像処理ユニット群１３ｆが配置されている。現像処理
ユニット群１３ｆは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が
ｚ軸方向に４段に積み重ねられて構成されている。更
に、現像処理ユニット群１３ｆに隣接してケミカルタワ
ー１５ｃが配置されている。このケミカルタワー１５ｃ
には、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に処理液として
供給される現像液が収容されている。

【０１１４】第２の処理ステーション９の背面部には、
ケミカルタワー１５ｃと隣接して第２加熱・温調処理ユ
ニット群１４ｂが配置されている。第２加熱・温調処理
ユニット群１４ｂは第２加熱・温調処理ユニット１０ｂ
がｚ軸方向に１２段に積み重ねられて構成される。そし
て、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂの全ての第２
加熱・温調処理ユニット１０ｂにおいて、加熱処理ユニ
ット（ＨＰ）２０ｂと温調処理ユニット（ＣＰ）１８ｂ
のうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂがケミカルタ
ワー１５ｃ側に位置するように配置されている。そし
て、ケミカルタワー１５ｃに隣接して現像処理ユニット
（ＤＥＶ）群１３ｆが配置されている。

【０１１５】垂直搬送型の搬送装置１９の周囲には、反
射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅ、
現像処理ユニット群１３ｆ、第１及び第２加熱・温調処
理ユニット群１４ａ、１４ｂが配置されている。各ユニ
ット群間のウエハＷの搬送は搬送装置１９により行われ
る。また、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａとウエ
ハ搬送体１１とのウエハＷの受け渡し、第２加熱・温調
処理ユニット群１４ｂとウエハ搬送体３７とのウエハＷ
の受け渡し、第１または第２加熱・温調処理ユニット群
１４ａ、１４ｂと搬送装置１９とのウエハＷの受け渡し
は、第１または第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、
１４ｂの各加熱・温調処理ユニット１０ａ、１０ｂの温
調処理ユニット１８ａ、１８ｂの両側面に設けられたシ
ャッター部材４７ａ、４７ｂを介して行われる。

【０１１６】インターフェイス部５は、上述の第一実施
形態におけるインターフェイス部５と同様の構造のた
め、説明は省略する。

【０１１７】この塗布現像処理システム１では、図１
２、図１３に示すように、第１の処理ユニット群１３
（反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３
ｅ、現像処理ユニット群１３ｆ）と第２の処理ユニット
群１４（第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加
熱・温調処理ユニット群１４ｂ）との間には、ケミカル
タワー１５（１５ａ、１５ｃ）が配置された構造とな
り、更にケミカルタワー１５と第２の処理ユニット群１
４との間には断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３
の下部から排気された気体をその上部に循環させるため
の通路４０が配置されている。本実施形態においても、
上述の第一実施形態と同様に、塗布現像処理システムの
上部に、各第１の処理ユニット群に対して上部から温調
された清浄エアーを供給す清浄エアー供給部が配置され
ている。清浄エアー供給部は、ＦＦＵ（ファン・フィル
タ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を
備え、第１の処理ユニット群の下部から排気された気体
をその上部に循環させるための通路４０を介して流入し
た気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除
去した清浄エアーを通路４３を介して第１の処理ユニッ
ト群に供給する。本実施形態においても、上述の第一実
施形態と同様に、断熱壁３９及び第１の処理ユニット群
１３の下部から排気された気体をその上部に循環させる
ための通路４０が配置された温調機構を設けることによ
り、更に常温付近でウエハＷに対して処理を行うための
処理液供給ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における
温度制御を更に精密に行うことができる。

【０１１８】図１３に示すように、上述した反射防止膜
・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅでは、カッ
プ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を
塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施
す反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が２段、カッ
プ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を
塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施す
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７が２段に積み重ねら
れている。現像処理ユニット群１３ｆでは、カップ内で
ウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、
該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２６が４２段に積み重ねられている。

【０１１９】第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１
４ａ、１４ｂでは、それぞれウエハＷに対して加熱処理
を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０とウエハＷに対し
て温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８とを
互いに隣接させて一体化した加熱・温調処理ユニット１
０が１２段に積み重ねられて構成されている。そして、
全ての加熱・温調処理ユニット１０の温調処理ユニット
の側面にシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられてい
る。尚、本実施形態における加熱・温調処理ユニット１
０の構造は、上述の第一実施形態と同様のため、ここで
は説明を省略する。

【０１２０】上述した搬送装置１９の構造は、上述の第
一実施形態の搬送装置１９ａ及び１９ｂと同様の構造の
ため、説明を省略する。

【０１２１】次に、このように構成された塗布現像処理
システム１における処理工程を説明する。尚、加熱・温
調処理ユニットにおける動作は上述の第一実施形態と同
様のため省略する。

【０１２２】塗布現像処理システム１において、カセッ
トＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステー
ション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、
第１の処理ステーション３の第１加熱・温調熱処理ユニ
ット１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ
内に搬送され、温調板２５上に載置されて温調処理が行
われる。

【０１２３】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内で温
調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９によって反
射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅに
おける反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６内に搬送
され、反射防止膜用の処理液が塗布される。

【０１２４】反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６で
反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装
置１９によって第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温
調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板
２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエハ
Ｗは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内へ搬送され加
熱処理が行われる。

【０１２５】その後、ウエハＷは温調処理ユニット（Ｃ
ＰＬ）１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。

【０１２６】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａで温調
処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９によって反射
防止膜・レジスト塗布ユニット群１３ｅにおけるレジス
ト塗布ユニット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液
が塗布される。

【０１２７】レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７でレジ
スト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９により、
第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット
（ＣＰＬ）１８ｂ内に搬送される。更に、ウエハＷは加
熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内へ搬送され、加熱処理
が行われる。

【０１２８】その後、ウエハＷは、温調処理ユニット
（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調処理が行われ
たウエハＷは、インターフェイス部５におけるウエハ搬
送体３７によって周辺露光装置３４内に搬送され、周辺
露光が行われる。

【０１２９】周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウ
エハＷは、ウエハ搬送体３７によってバッファカセット
３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送
体３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送
体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。

【０１３０】次に、露光装置によって露光処理が行われ
たウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット３３及
びウエハ搬送体３７を介してインターフェイス部５から
第２の処理ステーション４６の第２加熱・温調処理ユニ
ット群１４ｂにおける第２加熱・温調処理ユニット１０
ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、
温調処理が行われる。

【０１３１】温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調
処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９によって現像
処理ユニット群１３ｆにおける現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２６に搬送され、現像処理が行われる。

【０１３２】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６で現像処
理が行われたウエハＷは、搬送装置１９により、第１加
熱・温調処理ユニット群１４ａにおける加熱・温調処理
ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａを
介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａと隣接
する加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内に搬送され、加
熱処理が行われる。

【０１３３】加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａで加熱処
理が行われたウエハＷは温調処理ユニット１８ａへ搬送
され、更にカセットステーション２のウエハ搬送体１１
によってカセットＣ内に収容される。

【０１３４】以上のように構成された本実施形態に係る
塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット（ＢＣ
Ｔ、ＣＴ、ＤＥＶ）と隣接して処理液供給部としてのケ
ミカルタワーが配置され、ケミカルタワーと隣接して加
熱・温調処理ユニットが配置され、加熱・温調処理ユニ
ットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）がケミカルタワー側
に配置されることにより、加熱・温調処理ユニットの加
熱処理ユニットと液処理ユニットとの間には温調処理ユ
ニット及びケミカルタワーが介在する構造となる。これ
により、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットか
らの熱的影響を大幅に抑えることができ、該塗布現像処
理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための
液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度
制御を精密に行うことができる。

【０１３５】更に、本実施形態に係る塗布現像処理シス
テムによれば、液処理ユニット群（反射防止膜・レジス
ト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅ、現像処理ユニット
群１３ｆ）と加熱・温調処理ユニット群（第１及び第２
加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ）との間に、
それぞれ断熱壁３９及び液処理ユニット群１３ｅ、１３
ｆそれぞれの下部から排気された気体をその上部に循環
させるための通路４０が配置されることにより、液処理
ユニット群に対する加熱・温調処理ユニットの加熱処理
ユニットの熱的影響を防止し、常温付近でウエハＷに対
して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を
極めて精密に行うことができる。更に、通路４０は一種
の断熱手段を有することとなり、第２の処理ユニット群
１４とケミカルタワー１５との間に断熱壁３９及び通路
４０が設けられることにより、二重の断熱手段を有する
構造となる。そのため、ケミカルタワー１５に収容され
る処理液は加熱処理ユニット２０による熱的影響を受け
にくく温度調整が容易となる。

【０１３６】尚、上記各実施形態では、基板としてウエ
ハＷを例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板
にも本発明を適用することができる。

【０１３７】本発明のシステム構成は上述した各実施の
形態に限定されることなく、本発明の技術思想の範囲内
で様々な構成が考えられる。

【０１３８】例えば、レジストの塗布現像システムばか
りでなく、他のシステム、例えば基板上に層間絶縁膜を
形成するＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ）処理システム等にも本発明を適用することができ
る。ＳＯＤ処理システムは、基板上に層間絶縁膜材料を
塗布する塗布ユニットと、絶縁膜材料が塗布された基板
を加熱、温調する加熱・温調処理ユニットを有してい
る。この加熱・温調処理ユニットは、本実施形態の加熱
・温調処理ユニットと同様に加熱処理ユニットとこれに
隣接して設けられた温調処理ユニットとを有しており、
ＳＯＤ処理システムにおける加熱処理ユニットは設定温
度が２００〜４７０℃とすることが可能な熱板を有して
いる。このような高温処理が施されるユニット及び液処
理ユニットとしての塗布ユニットを有するシステムに、
本発明のように温調処理ユニットが塗布ユニット側に配
置されるように、塗布ユニットと加熱・温調処理ユニッ
トを配置することは非常に有効である。或いは、液処理
ユニットに隣接して配置された塗布ユニットに供給する
処理液を収容する処理液収容部を、加熱・温調処理ユニ
ットに隣接して配置し、更に温調処理ユニットを処理液
収容部側に位置するように配置することは非常に有効で
ある。これにより、液処理ユニット群における温度制御
を極めて精密に行うことができる。

【０１３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユ
ニット群における温度制御を精密に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一実施形態に係る塗布現像処理シス
テムを示す平面図である。

【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面図で
ある。

【図３】図１の温調・加熱処理ユニット群を有する領域
をｙ方向に沿って切断した場合の断面図である。

【図４】図１の温調処理ユニットを有する領域をｘ方向
に沿って切断した場合の断面図である。

【図５】搬送装置の構成を示す斜視図である。

【図６】加熱・温調処理ユニットの構成を示す平面図で
ある。

【図７】図６に示した加熱・温調処理ユニットの構成を
示す断面図である。

【図８】温調機構構成を示す断面図である。

【図９】本発明の第二実施形態に係る塗布現像処理シス
テムを示す平面図である。

【図１０】図９に示した塗布現像処理システムの正面図
である。

【図１１】図９の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断
面図である。

【図１２】本発明の第三実施形態に係る塗布現像処理シ
ステムを示す平面図である。

【図１３】図１２に示した塗布現像処理システムの正面
図である。

【図１４】図１２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の
断面図である。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム １０ 加熱・温調処理ユニット １３ 第１の処理ユニット群 １３ａ 反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群 １３ｂ レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群 １３ｃ 第１現像処理ユニット群 １３ｄ 第２現像処理ユニット群 １３ｅ 反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（Ｃ
Ｔ）群 １３ｆ 現像処理ユニット群 １４ 第２の処理ユニット群 １４ａ 第１加熱・温調処理ユニット群 １４ｂ 第２加熱・温調処理ユニット群 １４ｃ 第３加熱・温調処理ユニット群 １４ｄ 第４加熱・温調処理ユニット群 １５ ケミカルタワー １６ 反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ） １７ レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ） １８ 温調処理ユニット １９ 搬送装置 ２０ 加熱処理ユニット ２６ 現像処理ユニット ＢＣＴ 反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ） ＣＰＬ 温調処理ユニット ＣＴ レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ） ＤＥＶ 現像処理ユニット ＨＰ 加熱処理ユニット Ｗ ウエハＷ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に所定の液を供給して液処理を行
   う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処
   理ユニット群と、 前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対
   して温調処理を行う温調部とを互いに隣接させて一体化
   した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の
   処理ユニット群と、 前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニット
   との間で基板を搬送する搬送装置とを備え、 前記各第２の処理ユニットにおける前記加熱部及び前記
   温調部のうち前記温調部が前記第１の処理ユニット群側
   に位置するようにしつつ、前記第１の処理ユニット群と
   前記第２の処理ユニット群とを隣接して配置したことを
   特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記第１の処理ユニット群に清浄エアー
   を供給する清浄エアー供給部を備え、該清浄エアー供給
   部は、前記第１の処理ユニット群の下部から気体を排気
   し、該排気された気体を循環させて前記第１の処理ユニ
   ット群の上部から温調された気体を吹き出すものであ
   り、更に前記第１の処理ユニット群が配置された領域と
   前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断す
   るように前記第１の処理ユニット群の下部から排気され
   た気体をその上部に循環させるための通路を有すること
   を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記第１の処理ユニット群が配置された
   領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを
   分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とす
   る請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 基板上に所定の液を供給して液処理を行
   う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処
   理ユニット群と、 前記第１の処理ユニット群と隣接して配置され、前記各
   第１の処理ユニットに対して前記所定の液を供給する処
   理液供給部と、 前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対
   して温調処理を行う温調部とを互いに隣接させて一体化
   した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の
   処理ユニット群と、 前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニット
   との間で基板を搬送する搬送装置とを備え、 前記各第２の処理ユニットにおける前記加熱部及び前記
   温調部のうち前記温調部が前記処理液供給部側に位置す
   るようにしつつ、前記処理液供給部と前記第２の処理ユ
   ニット群とを隣接して配置したことを特徴とする基板処
   理装置。
5. 【請求項５】 前記第１の処理ユニット群に清浄エアー
   を供給する清浄エアー供給部を備え、該清浄エアー供給
   部は、前記第１の処理ユニット群の下部から気体を排気
   し、該排気された気体を循環させて前記第１の処理ユニ
   ット群の上部から温調された気体を吹き出すものであ
   り、更に前記処理液供給部が配置された領域と第２の処
   理ユニット群が配置された領域とを分断するように前記
   第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその
   上部に循環させるための通路を有することを特徴とする
   請求項４に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記処理液供給部が配置された領域と前
   記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断する
   ように断熱壁が設けられていることを特徴とする請求項
   ４または請求項５に記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 基板上に所定の液を供給して液処理を行
   う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処
   理ユニット群と、 前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対
   して温調処理を行う温調部とを互いに隣接させて一体化
   した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の
   処理ユニット群と、 前記液処理が行われた基板に対して露光処理を行う露光
   ユニットとを備え、 前記露光ユニットへの基板搬入前に、前記第２の処理ユ
   ニットの温調部に基板が待機されることを特徴とする基
   板処理装置。