JP3519664B2

JP3519664B2 - 加熱処理装置

Info

Publication number: JP3519664B2
Application number: JP2000088902A
Authority: JP
Inventors: 光広田上; 茂樹青木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-03-28
Filing date: 2000-03-28
Publication date: 2004-04-19
Anticipated expiration: 2020-03-28
Also published as: JP2001274051A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の加熱処理装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以下，「ウ
エハ」）の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処理
（プリベーキング）や，パターンの露光を行った後の加
熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）等，種々
の加熱処理が行われている。

【０００３】これらの加熱処理は，通常，加熱処理装置
によって行われる。この加熱処理装置には，図１８に示
すように処理容器内にウェハＷを載置して加熱する円盤
状の熱板１５０と，この熱板１５０の上面を覆い，処理
室Ｓを形成する蓋体１５１が設けられており，ウェハＷ
が処理室Ｓ内の熱板１５０上に載置され，所定温度で加
熱されるようになっている。また，熱板１５０の外方に
は，処理室Ｓ内に気体を供給する供給口１５２が複数個
設けられ，一方，蓋体１５１には，その中央部に処理室
Ｓ内の気体を排気する排気口１５３が設けられている。
かかる構成により，加熱処理中に処理室Ｓ内に上昇気流
を発生させ，処理室Ｓ内に発生するパーティクルを排除
できるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，かかる
加熱処理装置の構成によると，図１８の矢印に示すよう
に熱板１５０外方の供給口１５２から前記気体が噴出さ
れると，排気口１５３のある蓋体１５１中心部にほぼ直
進し，その排気口１５３から排気される。そうすると，
処理室内の気体の流れが偏り，ウェハＷ中心部の上方付
近に気体の流れない場所ができる。その結果，その場所
に他の部分に比べて温度の高い熱のこもりＭが発生する
ことがある。

【０００５】そして，前記熱のこもりＭが発生すると，
ウェハＷの温度も影響され，ウェハＷ中心部が温度の高
い特異点となり，ウェハＷ面内において均一に加熱され
なくなる。そうすると，ウェハＷ面内の線幅の均一性が
悪化する結果になってしまう。

【０００６】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，処理室内の気流が均等に形成されるように制御
し，ウェハ等の基板面内の加熱温度を均一にする基板の
加熱処理装置を提供することをその目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は，基板
を載置し加熱する熱板と，この熱板を覆い少なくとも処
理室の一部を形成する蓋体とを有し，前記蓋体の前記基
板上面と対向する位置には，前記処理室内の気体を排気
する排気口が設けられている加熱処理装置において，前
記排気口と前記熱板との間には，前記蓋体の基板側の面
を覆う分流板を有し，前記分流板は，前記排気口に対向
する部分を除いた部分に複数の分散された通気孔を有す
ることを特徴とすることを特徴とする基板の加熱処理装
置が提供される。

【０００８】このように，前記排気口に対向する部分以
外の部分に複数の通気孔を有する分流板を設けると，処
理室内に発生する気流が，排気口から排気される前にま
ず前記分流板上の各通気孔を通過する。そして，この通
気孔は前記排気口に対向する部分を除いた所に形成され
ているから，前記気流は偏ることなく各通気孔を均等に
通過するため，処理室内において気流が分散され，処理
室内全領域の雰囲気が均等に排気されるようになる。従
って，従来のように，基板上の一部に熱のこもりが発生
することが防止され，基板面内の加熱温度を均一に維持
することができる。なお，前記通気孔自体の形状は，円
形，方形その他の任意の形状を採用できる。

【０００９】かかる請求項１の発明は，請求項２のよう
に前記排気口が，前記基板上面の中心部に対向する位置
に設けられるようにしてもよい。このように，前記排気
口を中心部に設けると，蓋体の中心付近から処理室内の
雰囲気がより均一かつ効率的に排気される。

【００１０】また，請求項１又は２における前記通気孔
を，請求項３のように放射状に配置してもよいし，請求
項４のように同心円状に配置してもよい。このように，
前記各パターンに複数の通気孔を配置し，より偏りのな
い気流を形成することで，処理室内の雰囲気がより均一
に排気されるため，基板面内における加熱温度の均一性
が向上する。

【００１１】さらに，かかる請求項３の通気孔自体の形
状を，請求項５のようにスリット状にしてもよいし，請
求項４の通気孔自体の形状を，請求項６のように円弧状
にしてもよい。このように，熱板の形や大きさ等に対応
した最も偏りのない気流が形成される形状を採用するこ
とにより，より効果的に基板面内の温度の偏りが防止さ
れる。

【００１２】また，請求項７のように前記通気孔を前記
排気口に対向する部分を除いた前記部分の全面に設ける
ようにしてもよい。このように，前記通気孔を前記分流
板の所定の位置に全面に設けることにより，通気孔の大
きさを小さくしても全体の開口率を稼げ，処理室内に発
生する気流がより均等に分散され，気流の偏りから生じ
る基板面内における温度の不一致が防止される。なお，
通気孔を前記全面に設けるとは，ある一定の秩序をもっ
て幾何学的に設けられる場合に限られず，満遍なく，偏
りがないように設けられることを言う。

【００１３】請求項８の発明によれば，基板を載置し加
熱する熱板と，この熱板を覆い少なくとも処理室の一部
を形成する蓋体とを有する基板の加熱処理装置におい
て，前記蓋体の前記基板上面と対向する位置に，前記処
理室内の気体を排気する排気口を複数有し，前記排気口
と前記熱板との間には，前記蓋体の基板側の面を覆い，
かつ複数の分散された通気孔を有する分流板が設けられ
ていることを特徴とする基板の加熱処理装置が提供され
る。

【００１４】このように，排気口を複数設け，気流が最
終的に到達する排気口自体を分散させて設けることによ
り，従来に比べて気流の分散が図られ，さらに多数の通
気孔を有する前記分流板を設けることにより，さらに気
流が分散される。したがって，処理室内における基板上
の気流の偏りが抑制され，基板面面内の加熱温度が均一
になる。

【００１５】かかる請求項８の発明は，請求項９のよう
に前記通気孔を前記分流板の全面に設けるようにしても
よい。このように，前記通気孔を分流板の全面に設ける
と，より偏りのない気流が形成され，その結果，より基
板面内の温度の均一性が向上される。なお，分流板の全
面の設けるとは，分流板の中心部も含めて満遍なく偏り
のない位置に通気孔を設けることをいう。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる加
熱・冷却装置を有する塗布現像処理システム１の平面図
であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であ
り，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。

【００１７】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。

【００１８】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。

【００１９】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。

【００２０】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されて
おり，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は現像処理
システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３
は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４
の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して
配置されている。さらにオプションとして破線で示した
第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となって
いる。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１
〜Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対し
て，ウェハＷを搬入出可能である。

【００２１】第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に
示すように，ウェハＷ上にレジスト液を塗布するレジス
ト塗布装置１７と，ウェハＷに現像液を供給して処理す
る現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されてい
る。第２の処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗
布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に
積み重ねられている

【００２２】第３の処理装置群Ｇ３では，例えば図３に
示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステ
ンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプ
リベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理
を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に
例えば７段に重ねられている。

【００２３】第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリ
ング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエク
ステンション・クーリング装置４１，エクステンション
装置４２，本実施に形態にかかる加熱処理装置としての
加熱・冷却装置４３，４４，４５（図３中のＰＥＢ／Ｃ
ＯＬ），ポストベーキング装置４６，４７等が下から順
に例えば８段に積み重ねられている。

【００２４】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４
に属するエクステンション・クーリング装置４１，エク
ステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しな
い露光装置に対してアクセスできるように構成されてい
る。

【００２５】本発明の加熱処理装置は，上述した露光後
の加熱，冷却処理を行う加熱・冷却装置４４に具現化し
た，本実施の形態について説明する。この加熱・冷却装
置４４は，単一の装置内でウェハＷの加熱処理と冷却処
理を行うことができる装置であり，ウェハＷを加熱し，
即座に冷却する場合に有用である。

【００２６】以下，加熱・冷却装置４４の構成について
説明する。この加熱・冷却装置４４のケーシング４４ａ
内には，図４，図５に示すように厚みのある板状の基台
６５が設けられている。この基台６５は，ウェハＷの加
熱処理が行われる加熱部６５ａと冷却処理が行われる冷
却部６５ｂとを有している。

【００２７】基台６５の加熱部６５ａには，後述する熱
板６７を収容する熱板収容口６８が設けられている。そ
して，熱板収容口６８の中央部には，ウェハＷを載置
し，加熱する円盤状の熱板６７が設けられている。この
熱板６７には，熱源となるヒータ７０が設けられてお
り，このヒータ７０の熱により熱板６７が所定温度に設
定されるように構成されている。また，このヒータ７０
は，温度制御装置７２によりその発熱量が制御され，熱
板６７の温度を調節・維持できる。

【００２８】この熱板６７の外周部には，断熱性の優れ
た内側に段部を有する環状の支持部材７５が設けられて
おり，熱板６７の外周部の側面と下面を支持するように
なっている。また，この支持部材７５の下面は，支持台
７６により支持されている。

【００２９】さらに，支持部材７５及び支持台７６の外
方には，この両者を囲み，後述する蓋体９０と一体とな
って処理室Ｓを形成する略筒状のサポートリング７８が
設けられている。このサポートリング７８の上面には，
処理室Ｓ内に向けて図示しない気体供給手段からの不活
性ガス，例えば窒素ガスを噴出する複数の供給口として
の吹き出し口８０が設けられており，処理室Ｓ内に気流
を発生させ，処理室Ｓ内をパージできるように構成され
ている。また，吹き出し口８０よりも外方で，後述する
蓋体９０の下面と接する部分には，Ｏリング８３が設け
られており，処理室Ｓが形成された際に処理室Ｓの内外
の雰囲気を遮断できるようになっている。

【００３０】基台６５の加熱部６５ａの上方には，熱板
６７を覆いサポートリング７８の上面と一体となって処
理室Ｓを形成する，下面が開口した略筒状の蓋体９０が
設けられている。この蓋体９０の外周壁には，図６に示
すようにＸ方向に伸びる２本のアーム９１が固定され設
けられている。このアーム９１には，このアーム９１を
上下移動自在とするシリンダ９２が設けられており，蓋
体９０を上下に移動させることができるようになってい
る。

【００３１】蓋体９０の内部には，蓋体９０内の上部に
分散室９０ａを形成するための排気板９０ｂと，この排
気板９０ｂの下方に位置する分流板９５が設けられてい
る。排気板９０ｂの中心，すなわち熱板６７上に載置さ
れたウェハＷの中心と対向する位置には，排気口９０ｃ
が形成されており，蓋体９０の外周には，分散室９０ａ
に通じる排気管９３が接続されている。従って，排気口
９０ｃからの排気は，分散室９０ａを経て排気管９３か
らケーシング４４ａ外部に排気される。

【００３２】前記分散室９０ａは，排気口９０ｃから流
入する気体は排気管９３の在る方向に流れやすいため，
この処理室内Ｓの排気管９３と反対側の気体がより多く
排気されるのを防止する目的で設けられている。かかる
目的を達成させるために，分散室９０ａ内には，図７に
示すように均等に配置された複数の半径方向の通路と円
周方向の通路が同心円状に交互に設けられており，排気
口９０ｃと排気管９３とを連通させている。

【００３３】前記分流板９５には，図８に示すように直
径２ｍｍ程度の多数の通気孔９６が中心部，すなわち排
気口９０ｃと対向する部分を除く位置に放射状に設けら
れている。かかる構成により，処理室Ｓ内の気体は，こ
の分流板９５の各通気孔９６を通り，上方の排気口９０
ｃに流入されるようになっている。従って，吹き出し口
８０からの窒素ガスよって形成される気流が，従来のよ
うに排気口９０ｃに向かってほぼ直線的に流れることが
防止され，前記気流は各通気孔９６に向かって分散され
る。

【００３４】なお，熱板６７の下方には，図４に示すよ
うにウェハＷを搬入出する際に，ウェハＷを支持し，昇
降させるための昇降ピン１００が複数個設けられてい
る。この昇降ピン１００は，昇降駆動機構１０１により
上下に移動自在であり，熱板６７を貫通した孔１０２内
を上下動し，熱板６７上に突出できるように構成されて
いる。

【００３５】一方，基台６５の冷却部６５ｂには，図
４，図５に示すようにウェハＷが上記加熱部６５ａにお
いて加熱された後に，ウェハＷを冷却処理する冷却プレ
ート１０５が設けられている。この冷却プレート１０５
は，Ｘ方向に沿って基台６５に設けられているスリット
１０６内を移動レール１０７に沿って移動し，また上下
方向にも移動自在に構成されている。

【００３６】また，冷却プレート１０５は，全体として
略方形の平板形状をなし，その内部には，外部に設置さ
れている恒温水供給源１０８から供給される所定温度の
液体，たとえば恒温水が冷却プレート１０５内の循環路
１０５ａ内を循環し，冷却プレート１０５上に載置され
たウェハＷを冷却するように構成されている。また冷却
プレート１０５における前記加熱部６５ａ側の端部に
は，スリット１０９，１１０が形成されている。これら
スリット１０９，１１０は，冷却プレート１０５が加熱
部６５ａ側に移動して，熱板６７上で昇降ピン１００に
支持されているウェハＷを受け取るために，図９に示し
たように，熱板６７上に位置する際に，該昇降ピン１０
０が障害とならないように設けられている。したがっ
て，冷却プレート１０５は，熱板６７上に移動自在であ
る。

【００３７】次に，以上のように構成されている加熱・
冷却装置４４の作用について，塗布現像処理システム１
で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に
説明する。

【００３８】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアドヒージョン装置３１に搬入する。このアドヒ
ージョン装置３１において，レジスト液との密着性を向
上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０搬送
され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷは，
レジスト塗布装置１７又１９，プリベーキング装置３４
又は３５に順次搬送され，所定の処理が施される。その
後，ウェハＷは，エクステンション・クーリング装置４
１に搬送される。

【００３９】次いで，ウェハＷはエクステンション・ク
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示
せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，
ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬
送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，こ
のウェハＷは，露光処理後の加熱，冷却処理を行う加熱
・冷却装置４３，４４又は４５に搬送される。

【００４０】そして，加熱，冷却処理の終了したウェハ
Ｗは，主搬送装置１３により現像処理装置１８又は２
０，ポストベーキング装置３５，クーリング装置３０と
順次搬送され，各装置において所定の処理が施される。
その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介し
て，ウェハ搬送体７によってカセットＣに戻され，一連
の所定の塗布現像処理が終了する。

【００４１】上述した露光後の加熱，冷却処理を行う加
熱・冷却装置４４の作用について詳しく説明する。先
ず，ウェハＷの搬入前は，アーム９１に保持された蓋体
９０は熱板６７上方で処理室Ｓを形成しない状態で待機
され，また窒素ガスの吹き出し口８０からは，窒素ガス
が噴出されている。そして，前工程，すなわちパターン
の露光処理が終了したウェハＷが主搬送装置１３により
ケーシング４４ａ内に搬入されると，予め加熱部６５ａ
における熱板６７上方で待機していた昇降ピン１００に
支持される。

【００４２】次いで，アーム９１によって蓋体９０が下
降され，蓋体９０の下面がサポートリング７８の上面７
８ａに接触されると，蓋体９０とサポートリング７８が
一体となって処理室Ｓが形成される。このとき，図示し
ない吸引装置が作動し，処理室Ｓ内の窒素ガスが排気口
９０ｃから排気され始める。すなわち，吹き出し口８０
から窒素ガスが噴出される一方で，図示しない吸引装置
を作動することにより，図１０に示すように前記窒素ガ
スが処理室Ｓ内を上昇し，分流板９５の各通気孔９６を
通って，排気口９０ｃに流入し，さらに分散室９０ａを
通過して，排気管９３から排気されるようになる。した
がって，この窒素ガスの流れによって気流が発生し，以
後加熱処理が終了するまで，処理室Ｓ内に一定の気流雰
囲気が形成される。

【００４３】その後，昇降ピン１００によってウェハＷ
が下降され，所定温度に加熱されている熱板６７上に載
置されると加熱処理が開始され，ウェハＷが所定温度で
所定時間加熱される。

【００４４】そして，所定時間経過後，昇降ピン１００
によってウェハＷは所定位置まで上昇され，熱板６７に
よる加熱が終了する。そして，蓋体７０がアーム９１に
より上昇され，処理室Ｓが開放される。次いで，その状
態で今度は，冷却プレート１０５が熱板６７上に移動し
て，ウェハＷを受け取るが，前記したように，冷却プレ
ート１０５内には恒温水が循環しており，ウェハＷは冷
却プレート１０５上に受け取られた直後から冷却処理が
開始される。

【００４５】その後，冷却プレート１０５が冷却部６５
ｂに移動され，ウェハＷを所定時間冷却し，その後，ウ
ェハＷは再び加熱部６５ａ上に戻された後主搬送装置１
３に受け渡され，ケーシング４４ａから搬出されると，
一連の加熱・冷却処理が終了する。

【００４６】以上の実施の形態では，蓋体９０と熱板６
７との間に分流板９５を設けたため，図１０に示すよう
に吹き出し口８０から噴出された窒素ガスが，各通気孔
９６に向けて分散され，処理室Ｓ内を均等に流れるよう
になる。従って，従来のように気流の流れの悪い部分に
熱のこもりができ，この熱のこもりによりウェハＷの加
熱温度が影響され，ウェハＷ面内において加熱温度が不
均一になることが防止される。

【００４７】また，前記通気孔９６を排気口９０ｃに対
向しない位置に設けることにより，排気口９０ｃに最も
流入しやすい位置，すなわち排気口９０ｃの真下からの
窒素ガスの流入を防止している。従って，窒素ガスをそ
の他の位置から流入させて，処理室Ｓ内に偏りのない気
流が形成される。なお，前記実施の形態では，排気口９
０ｃが蓋体９０の中心部に形成されていたため，分流板
９５の通気孔９６がその中心部を除いた部分に設けられ
たが，排気口９０ｃが中心部以外の所定の位置に設けら
れている場合には，その所定位置に対向する位置を避け
て通気孔９６を設けるようにすればよい。

【００４８】前記実施の形態では，分流板９５に円形の
通気孔９６を放射状に設けたが，図１１に示すように通
気孔１１０自体をスリット状に形成し，放射状に配置し
てもよい。また，図１２に示すように円形の通気孔９６
を同心円状に設けてもよいし，図１３に示すように通気
孔１２０自体を円弧状に形成し，同心円状に配置しても
よい。さらに，図１４に示すように，通気孔１２５を，
分流板９５の排気口９０ｃに対向しない部分の全面に偏
り無く設けるようにしてもよい。この場合，通気孔１２
５の大きさを例えば直径０．５ｍｍ程度に形成すること
ができる。すなわち，より径を小さくすることができ
る。

【００４９】以上の実施の形態では，排気口９０ｃを蓋
体の中心部に一つ設けていたが，複数個設けるようにし
てもよい。以下，かかる場合について説明する。

【００５０】図１５に示すように，蓋体１３０の排気板
１３０ｂに，同心円状に複数の排気口１３０ｃを設け
る。また，前記排気板１３０ｂと熱板６７との間には，
図１６に示すように第１の実施の形態と同様に分流板１
３５を設け，この分流板１３５には，図１７に示すよう
にその全面に複数の通気孔１３６を設ける。また，その
他の部分は，第１の実施の形態と同じである。

【００５１】かかる構成によると，処理室Ｓ内の気流
は，分流板１３５の各通気孔１３６を通過し，いずれか
一つの排気口１３０ｃを通過して，第１の実施の形態同
様に分散室１３０ａを通って排気管９３から排気され
る。

【００５２】この第２の実施の形態では，第１の実施の
形態と同様に処理室Ｓ内の気流が均等に流れるため，従
来の熱のこもりの発生が防止され，ウェハＷ面内におい
て斑なく均一に加熱できる。また，排気口１３０ｃを複
数個設けたため，その分それぞれの排気口１３０ｃの吸
引力が低下し，排気口１３０ｃの真下に通気孔１３６を
設けたとしても，その一部の通気孔１３６に気流が集中
することがないので，通気孔１３６を分流板１３５の全
面に設けることができる。したがって，第１の実施の形
態のように，排気口に対向する位置を除く部分に通気孔
を設けるといった制限が設ける必要がなくなる。

【００５３】なお，通気孔１３６自体の形状は，第１の
実施の形態同様に，他の形状，すなわちスリット状又は
円弧状であってもよく，また，各通気孔１３６の配置の
仕方も同心円状又は放射状であってもよい。

【００５４】以上の実施の形態は，露光後の加熱処理を
行う加熱・冷却装置として具体化されていたが，もちろ
んプリベーキング装置，ポストベーキング装置等の他の
加熱処理装置としてもよい。さらには，基板はウェハで
あったが，もちろん他の基板，たとえばＬＣＤ基板の加
熱処理装置に対しても適用可能である。

【００５５】

【発明の効果】請求項１〜９によれば，処理室内の気体
が排気される際に発生する気流が，処理室内において偏
り無く均等に流れるため，従来のような，熱のこもりが
発生せず，基板面内の加熱温度が斑なく均一に維持され
る。従って，基板上に最終的に形成される線幅が均一に
形成されるため，歩留まりの向上が図られる。

【００５６】特に，請求項８及び９においては，排気口
を複数個設けるため，分流板の通気孔を排気口の位置に
関係なく設けることができるようになり，より単純な構
造になり，より偏りのない気流が形成され，その結果，
基板面内の温度の均一性が向上される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態にかかる加熱・冷却装置が組み込
まれた塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図
である。

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。

【図４】本実施の形態にかかる加熱・冷却装置の縦断面
の説明図である。

【図５】図４の加熱・冷却装置の構成の概略を示した平
面の説明図である。

【図６】加熱・冷却装置の内部の概略を示す斜視図であ
る。

【図７】加熱・冷却装置における蓋体の分散室内を平面
から観た説明図である。

【図８】蓋体に設けられた分流板の平面図である。

【図９】冷却プレートが加熱部側に移動した状態を示し
た加熱・冷却装置の平面の説明図である。

【図１０】加熱処理中の加熱・冷却装置内の状態を示す
説明図である。

【図１１】分流板の他の形態を示す平面図である。

【図１２】分流板の他の形態を示す平面図である。

【図１３】分流板の他の形態を示す平面図である。

【図１４】分流板の他の形態を示す平面図である。

【図１５】蓋体に複数の排気口を設ける場合におけるそ
れらの排気口の配置を示す蓋体の横断面の説明図であ
る。

【図１６】図１５の蓋体を用いた場合の加熱・冷却装置
全体の構成の概略を示す説明図である。

【図１７】図１５の蓋体に設けられた分流板の平面図で
ある。

【図１８】従来の加熱処理装置における加熱時の処理室
内の様子を示す縦断面の説明図である。

【符号の説明】

１塗布現像処理システム４４加熱・冷却装置６５基台６７熱板９０蓋体９０ａ分散室９０ｂ排気板９０ｃ排気口９５分流板９６通気孔Ｗウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平６−275512（ＪＰ，Ａ) 特開平９−199408（ＪＰ，Ａ) 特開平10−229037（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を載置し加熱する熱板と，この熱板
を覆い少なくとも処理室の一部を形成する蓋体とを有
し，前記蓋体の前記基板上面と対向する位置には，前記
処理室内の気体を排気する排気口が設けられている加熱
処理装置において，前記排気口と前記熱板との間には，
前記蓋体の基板側の面を覆う分流板を有し，前記分流板
は，前記排気口に対向する部分を除いた部分に複数の分
散された通気孔を有することを特徴とすることを特徴と
する，基板の加熱処理装置。
【請求項２】前記排気口が，前記基板上面の中心部に
対向する位置に設けられていることを特徴とする，請求
項１に記載の基板の加熱処理装置。
【請求項３】前記通気孔は，放射状に配置されている
ことを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の
基板の加熱処理装置。
【請求項４】前記通気孔は，同心円状に配置されてい
ることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載
の基板の加熱処理装置。
【請求項５】前記通気孔自体は，スリット状に形成さ
れていることを特徴とする，請求項３に記載の基板の加
熱処理装置。
【請求項６】前記通気孔自体は，円弧状に形成されて
いることを特徴とする，請求項４に記載の基板の加熱処
理装置。
【請求項７】前記通気孔は，前記排気口に対向する部
分を除いた前記部分の全面に設けられていることを特徴
とする，請求項１又は２のいずれかに記載の基板の加熱
処理装置。
【請求項８】基板を載置し加熱する熱板と，この熱板
を覆い少なくとも処理室の一部を形成する蓋体とを有す
る基板の加熱処理装置において，前記蓋体の前記基板上
面と対向する位置に，前記処理室内の気体を排気する排
気口を複数有し，前記排気口と前記熱板との間には，前
記蓋体の基板側の面を覆い，かつ複数の分散された通気
孔を有する分流板が設けられていることを特徴とする，
基板の加熱処理装置。
【請求項９】前記通気孔は，前記分流板の全面に設け
られていることを特徴とする，請求項８に記載の基板の
加熱処理装置。