JP4919644B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に係る発明であって、特に、反射型液晶表示装置または半透過型液晶表示装置の反射領域における反射電極の構造に関するものである。

液晶表示装置には、透過型、反射型、半透過型などがあり、どの型もほぼ以下に説明するような構造を有している。

２枚の透明絶縁基板が一定の間隔を保持して周囲でシール材などにより貼着され、その間隙に液晶材料が注入されることにより該液晶材料が２枚の透明絶縁基板により挟持された構造となり、その両側に例えば偏光板が設けられ、さらにはバックライトや駆動回路などが設けられることにより形成される。

一方の透明絶縁基板は、ＴＦＴアレイ基板と称され、透明絶縁基板上にゲート配線とそれに直交するソース配線がそれぞれ複数本形成され、ゲート配線とソース配線とにより形成されるマトリックスの一つ一つが画素を構成する。ゲート配線とソース配線との交点には各画素に対応するアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）が配置され、このＴＦＴのソース電極はソース配線に同ゲート電極はゲート配線に、同ドレイン電極は画素電極にそれぞれ接続されている。この画素電極は透過領域では例えばＩＴＯ、ＩＴＺＯ、酸化スズ、酸化インジウムなどの透明電極性の材料からなり、反射領域では単一のまたは合金などの金属材料から形成される。積層された導電膜で画素電極が形成される場合もある。半透過型の液晶表示装置の場合には、透過領域の画素電極と反射領域の画素電極とは電気的に接続されて、一つの画素電極を形成している。その他配向膜や必要に応じて画素の電荷保持のための付加容量などが設けられている。

また、他方の透明絶縁基板は対向電極基板と称され、ＴＦＴアレイ基板の各画素電極に対応する透明電極で形成された対向電極基板で、例えば透明絶縁基板と同様のガラス基板などを用い、また透明電極は、特に限定はないが、ＴＦＴアレイ基板と同様に、例えばＩＴＯ、ＩＴＺＯ、酸化スズ、酸化インジウムなどを用い、スパッタリングとパターニングなどにより設けられる。

対向電極基板には、透明電極の他に、例えば通常の配向膜や、画素間を遮光するためのブラックマスクが設けられていることもある。またカラー液晶表示装置の場合にはカラーフィルターなどが設けられる。かかるカラーフィルターには、特に限定がなく、通常は赤、緑、青の３原色のカラーフィルタを用いることで、様々な画像信号を表現することができる。

近年、液晶表示装置は、より低消費電力である反射型や半透過型の開発が進められている。ＴＦＴアレイ基板における画素電極の構造において、特に反射領域となる部分で、視認性を向上するために各画素の画素電極と電気的に接続された反射電極の液晶側の表面が凹凸形状となる構造や製造方法が用いられている。例えば反射電極下に形成される有機平坦化膜の表面に凹凸を形成し、その上に反射電極を形成することで反射電極表面の凹凸を形作ることができる。

具体的には、特許文献１に記載されている。特許文献１では、アクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）のチャネル部上に有機平坦化膜を形成し、反射領域のＴＦＴ以外の領域に形成される有機平坦化膜の表面に凹凸を形成している。

特開２０００−３４７２１９号公報

しかし、特許文献１のように、有機平坦化膜を設ける場合、単に有機平坦化膜を形成する工程が増えるだけでなく、有機平坦化膜上に設ける反射電極とその下層の配線とを繋ぐ工程等が増えるため製造コストが大幅に増加する問題があった。

そこで、本発明は、製造コストの増加を抑制しつつ、視認性の高い反射領域を有する液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明に係る液晶表示装置は、反射領域を有する液晶表示装置であって、透明の絶縁基板と、絶縁基板上に、ゲート電極と同一レイヤで形成され、複数の開口部を有する付加容量電極と、付加容量電極上に形成される絶縁膜と、付加容量電極上に絶縁膜を介して形成される反射電極とを備え、反射電極の表面は、開口部により形成された凹凸を有し、付加容量電極の開口部以外の位置で、且つ絶縁膜と反射電極との間に形成される第１半導体層と、付加容量電極の開口部の位置で、且つ絶縁膜と反射電極との間に形成される第２半導体層と、付加容量電極の開口部に位置する絶縁基板を掘り下げて形成される掘り下げ部とをさらに備え、第１半導体層及び第２半導体層、掘り下げ部の有無をランダムに組み合わせて形成し、前記開口部は、当該内部に前記付加容量電極の一部を囲い、前記付加容量電極の前記一部と他の部分とが電気的に接続されている。

本発明に記載の液晶表示装置は、反射電極の表面が、開口部により形成された凹凸を有するので、有機平坦化膜が不要で製造コストを抑制でき、かつ視認性にも優れた液晶表示装置を作製できる。

以下で説明する実施の形態では、反射領域を有する液晶表示装置のうち、逆スタガ型ＴＦＴを用いた半透過型の液晶表示装置を例として説明する。なお、「付加容量電極」と「反射電極」については、次に説明する内容を意味する用語として使用する。

液晶表示装置の個々の画素には、電荷保持のための付加容量が設けられている。逆スタガ型ＴＦＴを用いた液晶表示装置の場合には付加容量の一方の電極はゲート電極と同じレイヤの配線材料を、付加容量の他方の電極はソース電極と同じレイヤの配線材料をそれぞれ用いるのが一般的である。そのうち、一方は各画素に対して共通の電位を与え、他方は画素毎の電荷を保持するとともに、反射電極として作用するものである。本明細書においては、特に指定しない限り、一方のゲート電極と同じレイヤから成り、各画素に対して共通の電位を与える電極を「付加容量電極」とし、他方のソース電極と同じレイヤから成り、画素毎の電荷を保持するとともに、反射電極として作用する電極を「反射電極」とする。

トップゲート型ＴＦＴを用いた液晶表示装置の場合には付加容量の一方の電極は、逆スタガ型ＴＦＴを用いた液晶表示装置と同様にゲート電極と同じレイヤの配線材料を用い、他方には高濃度に不純物を注入した半導体層を用いるのが一般的である。トップゲート型ＴＦＴを用いた液晶表示装置の場合にも、本明細書において特に指定しない限り、「付加容量電極」はゲート電極と同じレイヤから成る容量電極を示すものとする。他方の高濃度に不純物を注入した半導体層から成る画素毎の電荷保持のための電極は「電荷保持電極」とする。

（実施の形態１）
図１に、本実施の形態に係る液晶表示装置の一つの画素の平面図を示す。半透過型の場合における平面構造の一例であり、反射領域と透過領域とが存在する。図１中、反射領域における付加容量電極１には開口部２が設けられており、この段差を利用して反射電極の凹凸が形成される。配線３を介して隣接する画素の付加容量電極１と接続されて、さらに共通電位を与える信号線（図示せず）に接続されている。なお、この開口部２の大きさ、配置は、この図に限定されるものではなく、所望の光学特性が得られるように、自由に設定することができる。

図２には、図１中のＡ−Ｂに対応する断面図を示す。図２では、まず、透明の絶縁基板であるガラス基板１０上に、ゲート電極１１及び付加容量電極１が形成されている。具体的には、ガラス基板１０上に、ゲート電極材料をスパッタ法で成膜し、写真製版技術を用いてゲート電極１１及び付加容量電極１をパターニングして形成する。なお、付加容量電極１に形成される開口部２は、設計段階でゲート電極形成用のマスク上にパターンをあらかじめ配置しておくことで、新たなマスクおよびエッチングなどの工程を追加することなく形成できる。

次に、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２を形成する。付加容量電極１上の絶縁膜４はレイヤとしてゲート絶縁膜１２と同じであるので、ゲート絶縁膜１２の形成と同時に絶縁膜４も形成される。具体的には、ゲート電極１１及び付加容量電極１を含む全面に、ＣＶＤ法でゲート絶縁膜１２及び絶縁膜４を成膜する。そして、ゲート絶縁膜１２上に半導体層１３を形成する際に、絶縁膜４上にも半導体層５を形成する。但し、半導体層１３は主にゲート電極１上に、半導体層５は主に付加容量電極１上に形成する必要があるため、写真製版技術を用いてパターニングする。

さらに、半導体層１３上にソース電極１４及びドレイン電極１５を形成する際に、半導体層５上に反射電極６を形成する。具体的には、半導体層１３及び半導体層５を含む全面に、ソース電極材料をスパッタ法で成膜し、写真製版技術を用いてソース電極１４及びドレイン電極１５、反射電極６をパターニングする。

図２に示す反射領域では、付加容量電極１及び半導体層５を段差として利用することで、付加容量電極１上に形成される反射電極６と、開口部２上に形成される反射電極６とで凹凸を形成することができる。この凹凸は、ＴＦＴ領域を構成する材料のみで形成でき、反射特性を向上させることができる。つまり、従来のように、有機平坦化膜を別途設ける必要がなくなる。

付加容量電極１の膜厚が例えば３００ｎｍ程度で、半導体層５の膜厚が例えば２００ｎｍ程度とすれば、少なくとも５００ｎｍ程度の凹凸を反射電極６の表面に形成することができる。さらに、図２に示す反射領域では、付加容量電極１及び半導体層５をテーパー形状となるようにエッチングすることで、反射電極６の凹凸に傾斜部分を形成することができ、反射特性をより良好にすることが可能となる。

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、付加容量電極１を部分的に抜き取った複数の開口部２を設けることで、反射電極６の表面に凹凸を形成するので、有機平坦化膜等の製造コストの増加を抑制しつつ、視認性の高い反射領域を有する液晶表示装置を提供することができる。

また、本実施の形態に係る液晶表示装置では、付加容量電極１の開口部２以外の位置で、且つ絶縁膜４と反射電極６との間に形成される半導体層５をさらに備え、半導体層５はＴＦＴを構成する層（半導体層１３）と同一レイヤであるので、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をより大きくすることができる。

なお、図２では、付加容量電極１の絶縁膜４上に半導体層５をパターニングして残す構成を示している。この場合は、付加容量電極１の膜厚と半導体層５の膜厚との合計分の段差を有する凹凸を反射電極６の表面に形成することができる。しかし、本発明はこれには限られず、図３の変形例に示すように付加容量電極１のみで、半導体層５を残さない構成であっても良い。この場合、付加容量電極１の膜厚分の段差のみで、反射電極６の表面の凹凸が形成されることになる。反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をあまり必要としない場合は、図３に示すような構成であっても、本実施の形態に係る液晶表示装置と同等の効果を奏することができる。

（実施の形態２）
図４に、本実施の形態に係る液晶表示装置の反射領域の断面図を示す。図４に示す反射領域の断面図において、図２と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図４でも、レイヤの構成を分かりやすくするためにＴＦＴ領域の断面図も示している。

図４に示す反射領域では、図２の場合と異なり、付加容量電極１上の全てに半導体層５を設けず、一部の付加容量電極１上には、絶縁膜４を介して直接反射電極６が設けられる構成である。

図２に示す反射領域では、開口部２の大きさを変えることで、反射電極６の表面に形成される凹凸の大きさを変化させることができたが、凹凸の高低差を変化させることができなかった。しかし、図４に示す反射領域では、付加容量電極１上の半導体層５の有無によって、凹凸の高低差を変化させることができる。

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、付加容量電極１上の一部に半導体層５を設けないので、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差を多様化することができる。

（実施の形態３）
図５に、本実施の形態に係る液晶表示装置の反射領域の断面図を示す。図５に示す反射領域の断面図において、図２と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図５でも、レイヤの構成を分かりやすくするためにＴＦＴ領域の断面図も示している。

図５に示す反射領域では、図２の場合と異なり、開口部２のガラス基板１０を掘り下げて、ゲート電極１１や付加容量電極１の真下のガラス基板１０の表面より低くしている。これにより、開口部２上の反射電極６の高さは、図２の場合に比べて低くなり、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をより大きくすることができる。なお、ガラス基板１０を掘り下げる方法としては、例えばフッ酸を用いてエッチングする方法や、ゲート電極１１のエッチング時のオーバーエッチする方法、ゲート電極１１をマスクとしてドライエッチする方法がある。つまり、断面形状が順テーパー状となり、極端な段差や庇状の形状にならず段差を確保することができれば、エッチングの方法はいずれの方法であっても良い。

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、開口部２に位置するガラス基板１０を掘り下げることで、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をより多様化することができる。

（実施の形態４）
図６に、本実施の形態に係る液晶表示装置の反射領域の断面図を示す。図６に示す反射領域の断面図において、図４と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図６でも、レイヤの構成を分かりやすくするためにＴＦＴ領域の断面図も示している。

図６に示す反射領域では、図４の場合と異なり、一部の開口部２上に半導体層５を設ける構成である。図４に示す反射領域では、付加容量電極１上の半導体層５の有無によってのみ、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差を変化させていたが、図６に示す反射領域では、開口部２上の半導体層５の有無によっても、凹凸の高低差を変化させることができる。

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、一部の開口部２上にも、半導体層５を設けることで、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をより多様化することができる。

なお、本発明では、付加容量電極１上の半導体層５の有無、及び開口部２上の半導体層５の有無、開口部２のガラス基板１０を掘り下げて形成される掘り下げ部の有無をそれぞれランダムに組み合わせることで、反射電極６の表面に形成される凹凸の高低差をより多様化することができる。また、これに開口部２の大きさや形成位置を組み合わせることで、従来とは異なり、高低差、大きさ等のさまざまなパターンの凹凸を反射電極６の表面に形成することができるメリットがある。

（実施の形態５）
実施の形態１乃至実施の形態４では、開口部２の平面形状が全て丸として説明したが、本発明はこれに限られず、図７に示すように開口部２の平面形状が多角形であっても良い。なお、図７に示す付加容量電極１の平面図において、図１と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図８に示すように、本発明では、丸や多角形を含む、平面形状がランダムな開口部２を付加容量電極１に形成しても良い。この場合、反射電極６の表面に形成される凹凸の形状をより多様化することができる。

また、反射電極６の表面に凹凸を形成させる付加容量電極１の形状は、開口部２にのみ限られず、図９の変形例に示すように、欠けパターンや突起状のパターン７を同一平面内に設けても良い。この突起状のパターン７の有無により、反射電極６の表面に形成される凹凸を形成することができ、凹凸の形状をより多様化することができる。なお、図９に示す付加容量電極１の平面図において、図１と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

また、本発明では、開口部２の大きさ及び付加容量電極１上での位置をランダムにすることで、反射特性をより良好にし、視認性の高い液晶表示装置を提供することができる。

（実施の形態６）
図１０に、本実施の形態に係る液晶表示装置の付加容量電極１の平面図を示す。図１０に示す付加容量電極１の平面図において、図１及び図９と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

図１０に示す付加容量電極１では、開口部２の内部に付加容量電極１の一部（島状部８）を残す。この島状部８は、他の付加容量電極１の部分と電気的に接続させておくことで付加容量にもなり、付加容量の容量確保にも寄与する。但し、付加容量について、個々の画素当たりの必要容量が確保できていれば、島状部８が他の付加容量電極１と電気的に切り離されていても良い。また、付加容量電極１に設けた突起状のパターン７も、付加容量の容量確保に寄与する。

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、開口部２が、当該内部に付加容量電極１の一部を残すので、反射電極６の表面に形成される凹凸の形状をより多様化することができるとともに、付加容量の容量確保の自由度を増すことができる。

（実施の形態７）
図１１に、本実施の形態に係る液晶表示装置の付加容量電極１の平面図を示す。図１１に示す付加容量電極１の平面図において、図１と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

また、図１２に、本実施の形態に係る液晶表示装置の画素領域の断面図を示す。図１２に示す画素領域の断面図において、図４と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図１２でも、レイヤの構成を分かりやすくするためにＴＦＴ領域の断面図も示している。

図１２に示す画素領域では、図４の場合と異なり、一部の開口部２上の反射電極６に開口部９を設けている。図１１では、付加容量電極１の開口部２の内側に、反射電極６の開口部９が破線で示されている。

さらに、図１２に示すように、反射電極６上には、パッシベーション膜２０と透明電極２１とが積層されている。透明電極２１は、パッシべーション膜２０に形成したコンタクトホールを介して反射電極６と電気的に接続されている。そのため、開口部９は、透過領域として機能することになる。図１２の右端にコンタクトホールを介して反射電極６と透明電極２１とが接続されている様子が示されている。また、図１２の断面図に対応した平面図を図１３に示す。図１３では、１つのコンタクトホールを介して反射電極６と透明電極２１とが接続されている様子が示されているが、本発明はこれに限られず、コンタクトホールは複数あっても良い。また、コンタクトホールの位置は、図１３に示す位置に限られない。つまり、画素領域の全域において、反射領域と透過領域とを均一に配置することができる。これにより、反射領域の凹凸に起因するムラも分散され、視認性が改善される効果も得られる。なお、図１３のＣ−Ｄ面の断面が図１２の断面図に対応している。

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、開口部２上の反射電極６を一部取り除き開口部９を形成し、当該部分にパッシベーション膜２０を介して透明電極２１を形成するので、反射領域と透過領域とを均一に配置することができ、視認性を改善することができる。

（実施の形態８）
図１４に、本実施の形態に係る液晶表示装置の画素領域の断面図を示す。図１４に示す画素領域の断面図において、図４と同一の要素については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図１４でも、レイヤの構成を分かりやすくするためにＴＦＴ領域の断面図も示している。

図１４に示す画素領域は、実施の形態７の変形例であり、透明電極２１を形成してからパッシベーション膜２０を形成する。そして、透明電極２１は、図１４に示すように反射電極６の領域（画素領域）全てを覆うように形成されている。図１５に本実施の形態に係る液晶表示装置の平面図を示す。図１５のＥ−Ｆ面の断面が図１４の断面図である。

また、本実施の形態の変形例として、図１６を示す、図１６に示す液晶表示装置でも、図１４と同じく透明電極２１を形成してからパッシベーション膜２０を形成する。しかし、図１６に示す液晶表示装置は、図１４と異なり、透明電極２１が反射電極６を取り除いた開口部９にのみ形成される。図１７に本変形例に係る液晶表示装置の平面図を示す。図１７のＧ−Ｈ面の断面が図１６の断面図である。

以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置でも、実施の形態７と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態９）
上述の実施の形態では、ボトムゲート型（逆スタガ型）のＴＦＴを有する液晶表示装置の場合について説明したが、本発明はこれに限られず、トップゲート型（スタガ型）のＴＦＴを有する液晶表示装置に上述の実施の形態で説明した構成を適用しても良い。本実施の形態では、上述の実施の形態１〜８までとは異なりトップゲート型のＴＦＴを有するため、付加容量としての各画素共通電極となる付加容量電極はゲート電極からなるが、画素毎の電極は半導体層により形成される場合が一般的である。反射電極はソース電極と同じレイヤの材料から形成され、上記の画素毎の付加容量を形成する電極となる半導体層とは電気的に接続されている。

図１８に、トップゲート型のＴＦＴを有する液晶表示装置のＴＦＴ領域と反射領域の断面図を示す。図１８では、ソース配線から半導体層１３１、ゲート配線およびゲート電極１１への電気的接続を得るための、層間膜４１あるいは層間膜４１とゲート絶縁膜１２１に形成するコンタクト９１を開口するのと同時に、反射領域内において付加容量電極３１の存在しない部分に開口領域９２を設けることで必要な凹凸段差を形成することができる。ここでは、付加容量電極３１と反射電極６とが接続しないようにすれば、付加容量電極３１と電荷保持電極１３２とは元々同電位であるので、接続する部分と接続しない部分があってもかまわない。むしろ、電荷保持電極１３２の有無によって凹凸の高さを変化させることができる効果がある。

本実施の形態においても、有機平坦化膜を使うことなく、反射領域における必要な凹凸を形成することができ、製造コストの増加を抑制しつつ、視認性の高い反射領域を有する液晶表示装置を提供することができる。

但し、実施の形態１乃至８と本実施の形態との主な相違点は、ＴＦＴがトップゲート型であるに起因して、段差を形成するためのレイヤの順番が異なること、段差形成のためのエッチングがコンタクト開口と同時に行われることである。しかし、上述したように本実施の形態で得られる効果は、実施の形態１乃至８で得られる効果と同等である。

図１９に、本実施の形態に係る液晶表示装置の平面図を示す。図１９のＩ−Ｊ面の断面が図１８の断面図である。なお、図１９はトップゲート型ＴＦＴを有する液晶表示装置の一画素分の平面図を示したものである。図１などの平面図との違いは、ＴＦＴ領域が逆スタガ型からトップゲートに置き換えられた点で異なるのみで、基本的な平面配置は殆ど変更の必要は無い。

本実施の形態の変形例として、図２０乃至図２３を示す。図２０及び図２１には、パッシベーション膜形成後に透明電極を形成する場合が示されている。また、図２２及び図２３には、パッシベーション膜形成前に透明電極を形成する場合が示されている。

トップゲート型のＴＦＴを用いた場合には、ガラス基板とＴＦＴとの間に酸化膜、窒化膜などの保護膜を形成する場合もある。

本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の平面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の反射領域の断面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の変形例の反射領域の断面図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の反射領域の断面図である。 本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の反射領域の断面図である。 本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の反射領域の断面図である。 本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の付加容量電極の平面図である。 本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の変形例の付加容量電極の平面図である。 本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の変形例の付加容量電極の平面図である。 本発明の実施の形態６に係る液晶表示装置の付加容量電極の平面図である。 本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の付加容量電極の平面図である。 本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の画素領域の断面図である。 本発明の実施の形態７に係る液晶表示装置の平面図である。 本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置の画素領域の断面図である。 本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置の平面図である。 本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置の変形例の画素領域の断面図である。 本発明の実施の形態８に係る液晶表示装置の変形例の画素領域の断面図である。 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の断面図である。 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の平面図である。 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の変形例の断面図である。 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の変形例の断面図である。 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の変形例の断面図である。 本発明の実施の形態９に係る液晶表示装置の変形例の断面図である。

符号の説明

１ 付加容量電極、２，９ 開口部、３ 配線、４ 絶縁膜、５ 半導体層、６ 反射電極、７ 突起状のパターン、８ 島状部、１０ ガラス基板、１１ ゲート電極、１２ ゲート絶縁膜、１３ 半導体層、１４ ソース電極、１５ ドレイン電極、２０ パッシベーション膜、２１ 透明電極。

Claims (7)

1. 反射領域を有する液晶表示装置であって、
   透明の絶縁基板と、
   前記絶縁基板上に、ゲート電極と同一レイヤで形成され、複数の開口部を有する付加容量電極と、
   前記付加容量電極上に形成される絶縁膜と、
   前記付加容量電極上に前記絶縁膜を介して形成される反射電極とを備え、
   前記反射電極の表面は、前記開口部により形成された凹凸を有し、
   前記付加容量電極の前記開口部以外の位置で、且つ前記絶縁膜と前記反射電極との間に形成される第１半導体層と、
   前記付加容量電極の前記開口部の位置で、且つ前記絶縁膜と前記反射電極との間に形成される第２半導体層と、
   前記付加容量電極の前記開口部に位置する前記絶縁基板を掘り下げて形成される掘り下げ部とをさらに備え、
   前記第１半導体層及び前記第２半導体層、前記掘り下げ部の有無をランダムに組み合わせて形成し、
   前記開口部は、当該内部に前記付加容量電極の一部を囲い、前記付加容量電極の前記一部と他の部分とが電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１に記載の液晶表示装置であって、
   前記第１半導体層及び前記第２半導体層はアクティブ素子を構成する層と同一レイヤであることを特徴とする液晶表示装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置であって、
   前記開口部は、大きさ及び前記付加容量電極上での位置がランダムであることを特徴とする液晶表示装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の液晶表示装置であって、
   前記開口部は、平面的な形状がランダムであることを特徴とする液晶表示装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の液晶表示装置であって、
   前記付加容量電極は、前記反射電極の表面に凹凸を形成するために、突起状のパターンを同一平面内に設けることを特徴とする液晶表示装置。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の液晶表示装置であって、
   前記開口部上の前記反射電極を一部取り除き、当該部分にパッシベーション膜を介して透明電極を形成することを特徴とする液晶表示装置。
7. 請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の液晶表示装置であって、
   前記開口部上の前記反射電極を一部取り除き、当該部分を覆い前記反射電極と電気的に接続する透明電極を形成することを特徴とする液晶表示装置。

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